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KR880005668A - X선 마스크용 멤브레인 및 제조법 - Google Patents

X선 마스크용 멤브레인 및 제조법 Download PDF

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KR880005668A
KR880005668A KR870011695A KR870011695A KR880005668A KR 880005668 A KR880005668 A KR 880005668A KR 870011695 A KR870011695 A KR 870011695A KR 870011695 A KR870011695 A KR 870011695A KR 880005668 A KR880005668 A KR 880005668A
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KR
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atomic
membrane
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silicon
compound
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KR870011695A
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아기라 오요베
도시히로 마에다
히로유기 나가에
도시오 히라이
쯔요시 마스모도
Original Assignee
아카바네 노브히사
신기쥬즈 가이하즈지고단
도시오 히라이
쯔요시 마스모도
크사가베 에쯔지
후루가와 덴기고교 가부시기가이샤
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

내용 없음

Description

X선 마스크용 멤브레인 및 제조법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 실시예의 B-Si-N 계 화합물 박막의 잔류 응력을 표시하는 설명도이다.
제2도는 본 발명 실시예 1의 B-Si-N 계 화합물 박막의 적외선 흡수 스펙터의 1예이다.
제3도는 본 발명 실시예2 의 B-Si-N 계 화합물 박막의 잔류 응력을 나타내는 설명도이다.

Claims (16)

  1. 적어도 붕소 B, 규소 Si 및 질소 N의 3종류의 원소를 함유하는 화합물로서 되고 이 화합물중의 Si의 함유량이 15원자% 이상, 100원자% 미만, 그리고 Si/(B+Si) 원자비가 0.2 이상 1미만인 것을 특징으로 하는 X선 마스크용 멤브레인.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화합물의 조성이 B=5∼35원자%, Si=15∼35원자%, N=50∼60원자%의 범위내에 있는 X선 마스크용 멤브레인.
  3. 제1항에 있어서, 이 화합물이 B-Si 및 Si-N의 원자 결합을 가지는 비정질인 X선 마스크용 멤브레인.
  4. 제1항에 있어서, 파장 633nm 에서의 굴절율이 1.7∼2.1인 X선 마스크용 멤브레인.
  5. 제1항에 있어서, 파장 400∼700nm의 가시광에 대한 흡수 계수가 5×103cm-1이하이며 특히 488nm 및 630nm에 있어서의 흡수가 1×103cm-1이하인 X선 마스크용 멤브레인.
  6. 제1항에 있어서, 막두께가 0.5㎛∼10㎛인 X선 마스크용 멤브레인.
  7. 적어도 붕소 B, 규소 Si 및 질소 N의 3종류의 원소를 함유하는 원료 기상(氣相)으로 부터 이 원료 기상중에 함유되는 붕소 및 규소에 대한 질소의 원자비가 적어도 1이상으로 되는 조건에서, Si의 함유량이 15원자 % 이상 100원자 % 미만, 그리고 Si/(B+Si) 원자비가 0.2 이하 1미만인 화합물을 화학반응에 의하여 합성하고, 기판상에 상기 화합물의 박막을 석출시키는 것을 특징으로 하는 X선 마스크용 멤브레인의 제조법.
  8. 제7항에 있어서 기판 온도를 700∼1000℃로 하는 제조법.
  9. 제7항에 있어서, 전기 가스압을 0.1∼760 Torr로 하는 제조법.
  10. 제7항에 있어서의 운료 기상이 붕소원으로서, 디보란 B2H6트리에틸붕소 B(C2H5)3, 3염화붕소 BCl3, 보라진 B3N3H6중의 1종 이상, 규소원으로서 모뉴시란 SiH4디클롤시란 SiH2Cl2, 디시란 Si2H6, 4염화규소 SiCl4중의 1종 이상 및 질소원으로서 암모니아 NH3, 하이드라진 N2H4, 보라진 B3N3H6, 질소가스 N2중의 1종 이상을 각각 함유하는 제조법.
  11. 제7항에 있어서 휘석가스로서 H2, N2, He, Ar 중의 1종 이상을 함유하는 제조법.
  12. 제7항에 있어서 실리콘, 석영유리 또는 싸파이어를 기판으로 사용하는 제조법.
  13. 제7항에 있어서 면방위(100)의 단결정 실리콘 웨이퍼를 기판으로 사용하는 제조법.
  14. 제7항에 있어서의 원료 기상이 디보란 B2H6, 모노시란 SiH4및 암모니아 NH3와 또 휘석가스로서 H2, N2, He, Ar 중의 1종 이상을 함유하는 것의 제조법.
  15. 제7항에 있어서 상기 원료 기상중에 함유하는 Si/(B+Si) 원자비가 0.4 이상 1 미만, N(B+Si) 원자비가 10∼50인 제조법.
  16. 제7항에 있어서 전가스압을 0.1∼30Torr로 하는 제조법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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