JPH01176067A - 窒化シリコン膜の成膜方法 - Google Patents
窒化シリコン膜の成膜方法Info
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- JPH01176067A JPH01176067A JP62333733A JP33373387A JPH01176067A JP H01176067 A JPH01176067 A JP H01176067A JP 62333733 A JP62333733 A JP 62333733A JP 33373387 A JP33373387 A JP 33373387A JP H01176067 A JPH01176067 A JP H01176067A
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 30
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 abstract description 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical class [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 silane (SiH4) Chemical class 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical class F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUKUURHRXDUEBC-SXOMAYOGSA-N (3s,5r)-7-[2-(4-fluorophenyl)-3-phenyl-4-(phenylcarbamoyl)-5-propan-2-ylpyrrol-1-yl]-3,5-dihydroxyheptanoic acid Chemical compound C=1C=CC=CC=1C1=C(C=2C=CC(F)=CC=2)N(CC[C@@H](O)C[C@H](O)CC(O)=O)C(C(C)C)=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 XUKUURHRXDUEBC-SXOMAYOGSA-N 0.000 description 1
- 241000219112 Cucumis Species 0.000 description 1
- 235000015510 Cucumis melo subsp melo Nutrition 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N [4,6-bis(cyanoamino)-1,3,5-triazin-2-yl]cyanamide Chemical compound N#CNC1=NC(NC#N)=NC(NC#N)=N1 FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010571 fourier transform-infrared absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
- C23C14/0652—Silicon nitride
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体チップあるいはメモリーディスクなど
の保護膜、Ｘ線透過膜などに使用される窒化シリ」ン膜
の成膜方法に係り、特に内部応力制御性に優れた窒化シ
リコン股の成膜方法に関するものである。
の保護膜、Ｘ線透過膜などに使用される窒化シリ」ン膜
の成膜方法に係り、特に内部応力制御性に優れた窒化シ
リコン股の成膜方法に関するものである。
［従来の技術］
従来、窒化シリコン膜の成膜方法としてＣＶＤ法および
スパッタ法が用いられることが多かった。
スパッタ法が用いられることが多かった。
しかしながらＣＶＤ法により堆積させた膜は以下に述べ
るような欠点があった。第一に、原料ガスとして分解の
容易なシリコン化合物、例えばシラン（ＳｉＨ４）等の
シリコンの水素化物、フッ化シリコン（ＳｉＦ４）Ｗの
シリコンのフッ化物、塩化シリコン（ＳｉＣ１４）等の
塩化物、アンモニア（ＮＨ）、窒素（Ｎ２）を用いるこ
とである。すなわち、原料ガス中に、窒化シリコン（Ｓ
ｉ Ｎ ）を構成するシリコンおよび窒素以ｙ 外の元素が含まれているために、ＣＶＤ法により堆積さ
せた窒化シリコン膜は、原理的に不純物を含んだ膜しか
得ることはできなかった。これらシリコンおよび窒素以
外の不純物を含む窒化シリコンは、不純物含有Ｂによっ
て内部応力が著しく変化するという欠点があった。膜中
の不純物の量を正確に制御するためには、堆積条件を恒
常的に一定にしなければならないが、そのためには例え
ば熱ＣＶＤ法においては堆積温度、ガス組成、ガス流量
、ガス斤を恒常的に一定にしなければならない。また、
プラズマＣＶＤ法において堆′ｆｅｉｔ瓜、ガス組成、
ガス流−、ガス圧力のほかにプラズマ状態も一定にしな
りればならない。これらのパラメーターを恒常的に一定
に保持することは極めて困難であり、不純物の量が一定
に保たれず、従ってＣＶＤ法においては窒化シリコン膜
の内部応力を精密に制御することは不可能であった。第
二に、窒化シリ」ン膜中の不純物は躾の化学的安定性を
名しく低下させ、例えば窒化シリコン膜をＸ線透過膜と
するＸ線リソグラフィー用マスク製作における基板の溶
解工程において、窒化シリコン膜の部分的溶解が生じ膜
に欠陥を生じせしめる。また、膜中の不純物は電ＩＩＩ
ＩｔＩｉ躬線の照射により容易に脱離し、組成、光学的
透明度、物理的性質を変化させるという欠点があった。
るような欠点があった。第一に、原料ガスとして分解の
容易なシリコン化合物、例えばシラン（ＳｉＨ４）等の
シリコンの水素化物、フッ化シリコン（ＳｉＦ４）Ｗの
シリコンのフッ化物、塩化シリコン（ＳｉＣ１４）等の
塩化物、アンモニア（ＮＨ）、窒素（Ｎ２）を用いるこ
とである。すなわち、原料ガス中に、窒化シリコン（Ｓ
ｉ Ｎ ）を構成するシリコンおよび窒素以ｙ 外の元素が含まれているために、ＣＶＤ法により堆積さ
せた窒化シリコン膜は、原理的に不純物を含んだ膜しか
得ることはできなかった。これらシリコンおよび窒素以
外の不純物を含む窒化シリコンは、不純物含有Ｂによっ
て内部応力が著しく変化するという欠点があった。膜中
の不純物の量を正確に制御するためには、堆積条件を恒
常的に一定にしなければならないが、そのためには例え
ば熱ＣＶＤ法においては堆積温度、ガス組成、ガス流量
、ガス斤を恒常的に一定にしなければならない。また、
プラズマＣＶＤ法において堆′ｆｅｉｔ瓜、ガス組成、
ガス流−、ガス圧力のほかにプラズマ状態も一定にしな
りればならない。これらのパラメーターを恒常的に一定
に保持することは極めて困難であり、不純物の量が一定
に保たれず、従ってＣＶＤ法においては窒化シリコン膜
の内部応力を精密に制御することは不可能であった。第
二に、窒化シリ」ン膜中の不純物は躾の化学的安定性を
名しく低下させ、例えば窒化シリコン膜をＸ線透過膜と
するＸ線リソグラフィー用マスク製作における基板の溶
解工程において、窒化シリコン膜の部分的溶解が生じ膜
に欠陥を生じせしめる。また、膜中の不純物は電ＩＩＩ
ＩｔＩｉ躬線の照射により容易に脱離し、組成、光学的
透明度、物理的性質を変化させるという欠点があった。
一方、窒化シリコン膜をスパッタ法により堆積させる場
合、従来法では以下に述べるような欠点があった。第一
に、内部応力をスパッタガス圧力によって制御していた
ことである。内部応力をスパッタガス圧力により制御す
る場合、膜の内部応力はガス圧力のわずかの変動に対し
ても著しく変化するために、精密な内部応力の制御は不
可能であり、例えばＩ Ｑｘ １０８ｄｙｎ／７のオー
ダー程麿でしか内部応力を制御できなかった。第二に、
内部応力を引っ張りにするためには、ガス圧力を１ＱＰ
ａ以上とかなり大きくしなければならないが、ガス圧力
を大きくすると、窒化シリコン膜に水素や酸素等の不純
物が取り込まれ、その結束、窒化シリコン膜の化学的安
定性を著しく低下させ、例えばこの窒化シリコン膜をＸ
１１透過膜とするＸ線リソグラフィー用マスク製作にお
ける基板の溶解工程において、窒化シリコン膜の部分的
溶解が生じ躾に欠陥を生じせしめる。また、膜中の不純
物は電離放射線の照射により容易に脱鈍し、組成、光学
的透明度、物理的性質を変化させるという欠点があった
。
合、従来法では以下に述べるような欠点があった。第一
に、内部応力をスパッタガス圧力によって制御していた
ことである。内部応力をスパッタガス圧力により制御す
る場合、膜の内部応力はガス圧力のわずかの変動に対し
ても著しく変化するために、精密な内部応力の制御は不
可能であり、例えばＩ Ｑｘ １０８ｄｙｎ／７のオー
ダー程麿でしか内部応力を制御できなかった。第二に、
内部応力を引っ張りにするためには、ガス圧力を１ＱＰ
ａ以上とかなり大きくしなければならないが、ガス圧力
を大きくすると、窒化シリコン膜に水素や酸素等の不純
物が取り込まれ、その結束、窒化シリコン膜の化学的安
定性を著しく低下させ、例えばこの窒化シリコン膜をＸ
１１透過膜とするＸ線リソグラフィー用マスク製作にお
ける基板の溶解工程において、窒化シリコン膜の部分的
溶解が生じ躾に欠陥を生じせしめる。また、膜中の不純
物は電離放射線の照射により容易に脱鈍し、組成、光学
的透明度、物理的性質を変化させるという欠点があった
。
［発明が解決しようとする問題点］
上記したように、従来の方法で肖られた窒化シリコン膜
は、内部応力制御性に著しい欠点があった。本発明は、
上記欠点を除去するためになされたものであり、内部応
力制御性に優れた窒化シリコン膜の成膜方法を提供する
ことを目的とする。
は、内部応力制御性に著しい欠点があった。本発明は、
上記欠点を除去するためになされたものであり、内部応
力制御性に優れた窒化シリコン膜の成膜方法を提供する
ことを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであ
り、不活性ガスあるいは不活性ガスと窒素ガスとの混合
ガスをスパッタガスとしてスパッタ法により基板上に窒
化シリコン膜を堆積させる過程において、基板加熱温度
を前記スパッタガスのガス圧力に対応した所定値に保持
することにより、膜の内部応力をｖ制御することを特徴
とする窒化シリコン膜の成膜り法である。
り、不活性ガスあるいは不活性ガスと窒素ガスとの混合
ガスをスパッタガスとしてスパッタ法により基板上に窒
化シリコン膜を堆積させる過程において、基板加熱温度
を前記スパッタガスのガス圧力に対応した所定値に保持
することにより、膜の内部応力をｖ制御することを特徴
とする窒化シリコン膜の成膜り法である。
［作用］
本発明は、不活性ガスあるいは不活性ガスと窒素ガスと
の混合ガスをスパッタガスとしてスパッタ法により基板
上に窒化シリコン膜を堆積させるに際し、基板加熱温度
を前記スパッタガスのガス圧力に対応した所定値に保持
づることにより、膜の内部応力が制御されるという事実
に基づく。
の混合ガスをスパッタガスとしてスパッタ法により基板
上に窒化シリコン膜を堆積させるに際し、基板加熱温度
を前記スパッタガスのガス圧力に対応した所定値に保持
づることにより、膜の内部応力が制御されるという事実
に基づく。
基板加熱温度は精密に制御できる植であり、また基板加
熱温度の変化に対する膜の内部応力の変化が緩慢である
ために内部応力を精密に制御することができる。また基
板加熱温度を変化させても、内部応力以外の、屈折率、
組成、可視光透過性等の諸性質は変化しない。しかし、
好ましくは膜中に不純物が取り込まれないように、スパ
ッタガス圧力の低い条件で、また化学的安定性を向上さ
せるために基板加熱温度の高い条件で堆積すると良い。
熱温度の変化に対する膜の内部応力の変化が緩慢である
ために内部応力を精密に制御することができる。また基
板加熱温度を変化させても、内部応力以外の、屈折率、
組成、可視光透過性等の諸性質は変化しない。しかし、
好ましくは膜中に不純物が取り込まれないように、スパ
ッタガス圧力の低い条件で、また化学的安定性を向上さ
せるために基板加熱温度の高い条件で堆積すると良い。
［実施例〕
３ｉ基板上に膜厚２μｍの窒化シリコン膜をｒｆマグネ
トロンスパッタ法により堆積した。スパッタターゲット
は単結晶Ｓｉターゲットである。
トロンスパッタ法により堆積した。スパッタターゲット
は単結晶Ｓｉターゲットである。
スパッタガスは不活性ガスであるＡｒガスと、Ｎ２ガス
を混合して用いた。この混合ガスはＡｒガス流量１２
、０ｓｅｃｉ （標準状態ｃｃ／分）、Ｎ２ガス流１４
．０ｓｃｃ−の混合ガスで、すなわちＡｒガスとＮ ガ
スの総流促に対するＮ２ガスの混合比（Ｎ ／ （Ａ
ｒ＋Ｎ２））は０．２５で一定とした。窒化シリコン膜
の内部応力は基板加熱温度によって制御した。本実施例
で基板加熱温度の制御は、基板を保持する保持板に、基
板を均一に加熱できるように電熱線を配設し、電熱線に
供給する電流によって行なった。ｒｆパワーは１６．７
２ Ｗ ／ ｃｉで一定にし、スパッタガス圧力は０．
４Ｐａ、 ０．５Ｐａ１０．６Ｐａ、 ０．６５Ｐａ、
０．７Ｐａ。
を混合して用いた。この混合ガスはＡｒガス流量１２
、０ｓｅｃｉ （標準状態ｃｃ／分）、Ｎ２ガス流１４
．０ｓｃｃ−の混合ガスで、すなわちＡｒガスとＮ ガ
スの総流促に対するＮ２ガスの混合比（Ｎ ／ （Ａ
ｒ＋Ｎ２））は０．２５で一定とした。窒化シリコン膜
の内部応力は基板加熱温度によって制御した。本実施例
で基板加熱温度の制御は、基板を保持する保持板に、基
板を均一に加熱できるように電熱線を配設し、電熱線に
供給する電流によって行なった。ｒｆパワーは１６．７
２ Ｗ ／ ｃｉで一定にし、スパッタガス圧力は０．
４Ｐａ、 ０．５Ｐａ１０．６Ｐａ、 ０．６５Ｐａ、
０．７Ｐａ。
０．８Ｐａ、１．ＯＰａの場合について行った。
第１図に基板加熱温度に対する窒化シリコン膜の内部応
りの変化を示した。なお内部応力はニュートン理法によ
り測定した。
りの変化を示した。なお内部応力はニュートン理法によ
り測定した。
スパッタガス圧力Ｑ、４Ｐａの場合は、基板加熱温度１
００℃において内部応力は圧縮応力で、基板加熱温度を
増加させるに従って、圧縮応力は次第に増加していく。
００℃において内部応力は圧縮応力で、基板加熱温度を
増加させるに従って、圧縮応力は次第に増加していく。
スパッタガス圧力Ｑ、５Ｐａの場合は、基板加熱温度１
００℃において内部応力は引っ張り応力で、基板加熱湿
度を増加させるに従って、引っ張り応力は次第に減少し
ていき基板加熱温度２９０℃で内部応力は圧縮応力に転
移する。そしてさらに基板加熱温度を増加させると、圧
縮応力は次第に増加していく。また、このスパッタガス
圧力０，５Ｐａの場合は、基板加熱温度に対して内部応
力がリニアに変化するため１０℃の温度変化に対して０
．５ｘ １０８ｄｙｎ／ｃｉの精度で内部応力を制御す
ることができる。スパッタガス圧力Ｑ、５Ｐａの場合は
、基板加熱温度１００℃において内部応力は引っ張り応
力で、基板加熱湿度を増加させるに従って、引っ張り応
力は次第に増加していき基板加熱温度２００℃で引っ張
り応力は極大値となる。そしてさらに基板加熱温度を増
加させていくと、引っ張り応力は次第に減少していく。
００℃において内部応力は引っ張り応力で、基板加熱湿
度を増加させるに従って、引っ張り応力は次第に減少し
ていき基板加熱温度２９０℃で内部応力は圧縮応力に転
移する。そしてさらに基板加熱温度を増加させると、圧
縮応力は次第に増加していく。また、このスパッタガス
圧力０，５Ｐａの場合は、基板加熱温度に対して内部応
力がリニアに変化するため１０℃の温度変化に対して０
．５ｘ １０８ｄｙｎ／ｃｉの精度で内部応力を制御す
ることができる。スパッタガス圧力Ｑ、５Ｐａの場合は
、基板加熱温度１００℃において内部応力は引っ張り応
力で、基板加熱湿度を増加させるに従って、引っ張り応
力は次第に増加していき基板加熱温度２００℃で引っ張
り応力は極大値となる。そしてさらに基板加熱温度を増
加させていくと、引っ張り応力は次第に減少していく。
スパッタ圧力Ｑ、８Ｐａの場合は基板加熱温度１００℃
において内部応力は引っ張り応力で、基板加熱温度を増
加させるに従って、引っ張り応力は、次第に増加してい
く。以上のように、スパッタガス圧力を変化させること
によって基板加熱温度に対する内部応力変化の挙動は変
わってくる。
において内部応力は引っ張り応力で、基板加熱温度を増
加させるに従って、引っ張り応力は、次第に増加してい
く。以上のように、スパッタガス圧力を変化させること
によって基板加熱温度に対する内部応力変化の挙動は変
わってくる。
しかし、図かられかるように１．ＱＰａ禾渦０スパッタ
ガス圧力において、基板加熱温度に対する内部応力変化
は非常に緩やかであり、基板加熱温度変化による内部応
力ｖ１１ｉＤ法は非常に制御性の優れた方法であること
がわかる。また同時に、この方法により得られる内部応
力は再現性にも優れている。
ガス圧力において、基板加熱温度に対する内部応力変化
は非常に緩やかであり、基板加熱温度変化による内部応
力ｖ１１ｉＤ法は非常に制御性の優れた方法であること
がわかる。また同時に、この方法により得られる内部応
力は再現性にも優れている。
また、図より明らかなようにスパッタガス圧力が１．Ｏ
Ｐａになると、１．ＯＰａ未渦０場合よりも温度変化に
より内部応力が変動し、基板加熱温度変化による内部応
力制御性は悪くなるが、それでも従来のガス圧力のみに
よる制御方法等に比べ、はるかに内部応力制御性に優れ
ている。
Ｐａになると、１．ＯＰａ未渦０場合よりも温度変化に
より内部応力が変動し、基板加熱温度変化による内部応
力制御性は悪くなるが、それでも従来のガス圧力のみに
よる制御方法等に比べ、はるかに内部応力制御性に優れ
ている。
スパッタ法により成膜された窒化シリコン膜はＸ線リソ
グラフィー用マスクのＸ線透過膜として用いられるが、
このＸ線透過膜膜の内部応力は、引っ張り応力で１０．
０ｘ１０８ ｄｙｎ／ｃｄ以下であるのが好ましく、第
１図の結果より、引っ張り応力で１０． Ｑｘ １０８
ｄｌ／ｎ／ｃｊ以下の内部応ｔノを有する窒化シリコン
膜（Ｘ線透過ｌ１ｌ）を得ることができる基板加熱温度
の好ましい範囲は、スパッタガス圧力０．５Ｐａの場合
は約１００〜約２９０℃、スパッタガス圧力０．６Ｐａ
の場合は約３４０〜約３８０℃である。そしてスパッタ
圧力０゜８Ｐａの場合は約１００〜約゛１７０℃である
。特にスパッタガス圧力が０．５Ｐａの場合、２００〜
２９０℃という広い基板加熱温度範囲において内部応力
を引っ張り応力で５ Ｘ １０８ｄｙｎ／ｃｄ以下にす
ることができ、また内部応力の変化がリニアであり、１
０℃の温度変化に対して０．５Ｘ１０８ｄｙｎ／ ｄの
精度で正確に内部応力を制御できる点で優れている。従
ってＸ線透過膜として用いる場合スパッタガス圧力はＱ
、５Ｐａ又はその近傍（例えば０．４５Ｐａ・〜０．５
５Ｐａ） ニするのが最も好ましい。
グラフィー用マスクのＸ線透過膜として用いられるが、
このＸ線透過膜膜の内部応力は、引っ張り応力で１０．
０ｘ１０８ ｄｙｎ／ｃｄ以下であるのが好ましく、第
１図の結果より、引っ張り応力で１０． Ｑｘ １０８
ｄｌ／ｎ／ｃｊ以下の内部応ｔノを有する窒化シリコン
膜（Ｘ線透過ｌ１ｌ）を得ることができる基板加熱温度
の好ましい範囲は、スパッタガス圧力０．５Ｐａの場合
は約１００〜約２９０℃、スパッタガス圧力０．６Ｐａ
の場合は約３４０〜約３８０℃である。そしてスパッタ
圧力０゜８Ｐａの場合は約１００〜約゛１７０℃である
。特にスパッタガス圧力が０．５Ｐａの場合、２００〜
２９０℃という広い基板加熱温度範囲において内部応力
を引っ張り応力で５ Ｘ １０８ｄｙｎ／ｃｄ以下にす
ることができ、また内部応力の変化がリニアであり、１
０℃の温度変化に対して０．５Ｘ１０８ｄｙｎ／ ｄの
精度で正確に内部応力を制御できる点で優れている。従
ってＸ線透過膜として用いる場合スパッタガス圧力はＱ
、５Ｐａ又はその近傍（例えば０．４５Ｐａ・〜０．５
５Ｐａ） ニするのが最も好ましい。
第２図に基板加熱温度に対する窒化シリコン膜の屈折率
を示した。図に示したように屈折率は基板加熱温度には
ほとんど依存せず、スパッタガス圧力Ｑ、５Ｐａの場合
、Ｑ、５Ｐａの場合ともに２゜０であった。さらにこの
窒化シリコン躾は可視域で透明であった。
を示した。図に示したように屈折率は基板加熱温度には
ほとんど依存せず、スパッタガス圧力Ｑ、５Ｐａの場合
、Ｑ、５Ｐａの場合ともに２゜０であった。さらにこの
窒化シリコン躾は可視域で透明であった。
フーリエ変換赤外吸収スペクトルから、膜には不純物は
全く含まれていないことが確認された。
全く含まれていないことが確認された。
従って、実際にＸ線リソグラフィー用マスクに適用した
場合、電離放射線の照射によるマスク歪みの発生、組成
変化、化学的透明度の低下および物理的性質の変化は起
こさない。
場合、電離放射線の照射によるマスク歪みの発生、組成
変化、化学的透明度の低下および物理的性質の変化は起
こさない。
また、基板加熱温度２００℃以上で成膜を行った場合、
化学的安定性の茗しい向上とともに光学特性および機械
的強度の向上も確認された。基板加熱１１！［１００℃
で成膜を行ったリンプルと、基板加熱温度２００℃以上
で成膜を行ったサンプルについて１００℃、５０％Ｎａ
ＯＨ溶液に３時間浸漬したところ、基板加熱温度１００
℃で成膜を行った窒化シリコンは部分的に溶解した後に
膜破壊が起こったのに対し、基板加熱温度２００℃以上
で成膜を行った窒化シリコンは、なんら変化は見られな
かった。従って、内部応力と化学的安定性をともに満足
させるためには前述のガス圧力に対応した好ましい基板
加熱温度範囲はＱ、５Ｐａの場合２００℃〜２９０℃の
間、Ｑ、５Ｐａの場合は３４０℃〜３８０℃になる。
化学的安定性の茗しい向上とともに光学特性および機械
的強度の向上も確認された。基板加熱１１！［１００℃
で成膜を行ったリンプルと、基板加熱温度２００℃以上
で成膜を行ったサンプルについて１００℃、５０％Ｎａ
ＯＨ溶液に３時間浸漬したところ、基板加熱温度１００
℃で成膜を行った窒化シリコンは部分的に溶解した後に
膜破壊が起こったのに対し、基板加熱温度２００℃以上
で成膜を行った窒化シリコンは、なんら変化は見られな
かった。従って、内部応力と化学的安定性をともに満足
させるためには前述のガス圧力に対応した好ましい基板
加熱温度範囲はＱ、５Ｐａの場合２００℃〜２９０℃の
間、Ｑ、５Ｐａの場合は３４０℃〜３８０℃になる。
また上記の基板加熱温度の変化による内部応力の制御方
法において、化学的安定性以外の特性、例えば膜組成お
よび密度を調べたところ何ら変化がなかった。
法において、化学的安定性以外の特性、例えば膜組成お
よび密度を調べたところ何ら変化がなかった。
本発明の変形例及び応用例を述べると以下の通りである
。
。
上の実施例では、スパッタターゲットとして３ｉターゲ
ツトを用い、スパッタガスとしてＡｒガスとＮ２ガスの
混合ガスを用いたが、スパッタターゲットとして任意の
組成比率のＳｉ Ｎ タｙ −ゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス等の不活
性ガスのみを用いても良い。
ツトを用い、スパッタガスとしてＡｒガスとＮ２ガスの
混合ガスを用いたが、スパッタターゲットとして任意の
組成比率のＳｉ Ｎ タｙ −ゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス等の不活
性ガスのみを用いても良い。
また基板としてはＳｉ基板以外にＳｉＯ２基板（ガラス
ウェハー）を用いても良い。
ウェハー）を用いても良い。
［発明の効果］
本発明の方法によれば、従来の方法と比較して、窒化シ
リコン躾の内部応力をより精密に制御することができる
。
リコン躾の内部応力をより精密に制御することができる
。
また、光学特性、機械的強度、膜組成および密度を変化
させずに内部応力を精密に制御することができるため実
用性に優れている。
させずに内部応力を精密に制御することができるため実
用性に優れている。
本発明の方法によって得られた窒化シリコン膜は、可視
域で透明で、化学的安定性かつ機械的強度に優れている
ため、Ｘ線リソグラフィー用Ｘ線マスクのＸ線透過膜に
用いるに好適である。
域で透明で、化学的安定性かつ機械的強度に優れている
ため、Ｘ線リソグラフィー用Ｘ線マスクのＸ線透過膜に
用いるに好適である。
第１図は、本発明の実施例における基板加熱温度に対す
る窒化シリコン膜の内部応力の変化を示す図である。第
２図は、実施例における基板加熱温度に対する窒化シリ
コン膜の屈折率の変化を示す図である。
る窒化シリコン膜の内部応力の変化を示す図である。第
２図は、実施例における基板加熱温度に対する窒化シリ
コン膜の屈折率の変化を示す図である。
Claims (1)
- （１）不活性ガスあるいは不活性ガスと窒素ガスとの混
合ガスをスパッタガスとしてスパッタ法により基板上に
窒化シリコン膜を堆積させる過程において、基板加熱温
度を前記スパッタガスのガス圧力に対応した所定値に保
持することにより、膜の内部応力を制御することを特徴
とする窒化シリコン膜の成膜方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62333733A JPH01176067A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 窒化シリコン膜の成膜方法 |
| US07/287,017 US4948482A (en) | 1987-12-29 | 1988-12-21 | Method for forming silicon nitride film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62333733A JPH01176067A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 窒化シリコン膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01176067A true JPH01176067A (ja) | 1989-07-12 |
Family
ID=18269345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62333733A Pending JPH01176067A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 窒化シリコン膜の成膜方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4948482A (ja) |
| JP (1) | JPH01176067A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7196396B2 (en) | 2002-12-26 | 2007-03-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having STI without divot and its manufacture |
| US8866144B2 (en) | 2002-05-17 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film semiconductor device having silicon nitride film |
| JP2020525378A (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-27 | シンマット, インコーポレーテッドSinmat, Inc. | セラミック材料に圧縮応力を印加するための膜 |
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| US5061574A (en) * | 1989-11-28 | 1991-10-29 | Battelle Memorial Institute | Thick, low-stress films, and coated substrates formed therefrom |
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1987
- 1987-12-29 JP JP62333733A patent/JPH01176067A/ja active Pending
-
1988
- 1988-12-21 US US07/287,017 patent/US4948482A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4948482A (en) | 1990-08-14 |
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