Claims (26)
광전류를 발생하기 위한 광선에 응답하는 수단을 구비하는 광학 장치에 있어서; 반도체 양자 욀 영역을 갖는 구조와; 상기 광정류에서의 변화에 응답하여 변화하도록 상기 반도체 양자 욀 영역의 광학 흡수를 일으키기 위해서 상기 반도체 양자 욀 영역의 광학 흡수를 전기적으로 제어하기 위하여 상기 광전류에 응답하는 수단을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.An optical device comprising means for responding to light rays for generating a photocurrent; A structure having a semiconductor quantum fin region; Means for responding to the photocurrent to electrically control the optical absorption of the semiconductor quantum fin region to cause optical absorption of the semiconductor quantum fin region to change in response to the change in the light rectification. Optics.
제1항에 있어서, 광전류를 발생하기 위한 광선에 응답하는 수단이 상기 반도체 양자 욀 영역인 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.2. The nonlinear and bistable optics of claim 1, wherein the means for responding to light rays for generating a photocurrent is the semiconductor quantum fin region.
제1항에 있어서, 상기 광전류에 응답하는 수단이 저항기인 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.2. The nonlinear and bistable optics of claim 1, wherein the means for responding to the photocurrent is a resistor.
제1항에 있어서, 빈도체 양자 욀 영역을 갖는 구조는 하나의 반도체 양자 욀 층을 갖는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.2. The nonlinear and bistable optics of claim 1, wherein the structure having the frequency quantum fin region has one semiconductor quantum fin layer.
제1항에 있어서, 빈도체 양자 욀 영역을 갖는 구조는 다수의 반도체 양자 욀 층을 갖는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.2. The nonlinear and bistable optics of claim 1, wherein the structure having a frequency quantum fin region has a plurality of semiconductor quantum fin layers.
제1항에 있어서, 상기 광전류에 응답하는 수단은 실제적으로 상기 양자 욀 영역의 층면에 수직인 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.The nonlinear and bistable optics of claim 1, wherein the means for responding to the photocurrent applies a voltage that is substantially perpendicular to the layer plane of the quantum fin region.
제1항에 있어서, 상기 광전류에 응답하는 수단은 신제적으로 상기 양자 욀 영역의 층면에 평행한 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.2. The nonlinear and bistable optics according to claim 1, wherein the means for responding to the photocurrent newly applies a voltage parallel to the layer plane of the quantum fin region.
제1항에 있어서, 광선의 비임을 주사하기 위한 수단은 실제적으로 쌍기 양자 욀 영역의 층면에 수직인 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.2. The nonlinear and bistable optics of claim 1, wherein the means for scanning the beam of light rays is substantially perpendicular to the layer plane of the bilateral quantum fin region.
제1항에 있어서, 광선의 비임을 주사하기 위한 수단은 실제적으로 쌍기 양자 욀 영역의 층면에 평행한 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.2. The nonlinear and bistable optics of claim 1, wherein the means for scanning the beam of light rays is substantially parallel to the layer plane of the bilateral quantum fin region.
제1항에 있어서, 상기 광전류에 응답하는 수단은 또한 전기적 전위원을 구비하는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.2. A nonlinear and bistable optics as recited in claim 1, wherein said means for responding to said photocurrent also includes an electrical precursor.
제1항에 있어서, 상기 광전류에 응답하는 수단은 또한 반도체 양자 욀 영역을 갖는 구조의 통합부를 만드는 저항기를 구비하는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.2. The nonlinear and bistable optics of claim 1, wherein the means for responding to the photocurrent also includes a resistor that makes an integral part of the structure having the semiconductor quantum fin region.
제1항에 있어서, 광학장치의 배열을 갖는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.2. A nonlinear and bistable optics as recited in claim 1, having an array of optics.
제1항에 있어서, 광학 장치의 2차원의 배열에서 각 광학장치는 상기 배열내의 다른 광학 장치의 각각의 독립적인 로직을 수행할 수 있는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.2. The nonlinear and bistable optics of claim 1, wherein each optic in a two-dimensional array of optics is capable of performing independent logic of each of the other optics in the array.
제 1항에 있어서, 상기 광전류에 응답하는 수단은 또한 광 다이오드를 형성하는 반도체 영역을 포함하며, 반도체 양자 욀 영역을 갖는 구조의 통합부를 만드는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학 장치.The nonlinear and bistable optics device of claim 1, wherein the means for responding to the photocurrent also includes a semiconductor region that forms a photodiode and makes an integral part of the structure having the semiconductor quantum fin region.
제 1항에 있어서, 상기 광전류에 응답하는 수단은 또한 트랜지스터를 형성하는 반도체 영역을 포함하며, 반도체 양자 욀 영역을 갖는 구조의 통합부를 만드는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학 장치.2. The non-linear and bistable optical device of claim 1, wherein the means for responding to the photocurrent also includes a semiconductor region forming a transistor, making an integral portion of the structure having a semiconductor quantum fin region.
제1항에 있어서, 반도체 양자 욀 영역을 갖는 상기 구조는 또한 p도우프된 반도체 층 및 n도와프된 반도체층을 포함하되, 거기에서 상기 양자 욀 영역은 상기 p도우프된 반도체층을 위하여 제1 면상에 전기적으로 부착되며, 상기 양자 욀 영역은 상기 n도우프된 반도체층을 위하여 제2 면상에 전기적으로 부착되는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.10. The structure of claim 1, wherein the structure having a semiconductor quantum fin region further comprises a p-doped semiconductor layer and an n-doped semiconductor layer, wherein the quantum fin region is formed for the p-doped semiconductor layer. Non-linear and bistable optics, wherein the quantum fin region is electrically attached on one surface and electrically attached on a second surface for the n-doped semiconductor layer.
제1항에 있어서, 상기 광전류에 응답하는 수단은 또한 유도기를 구비하는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학 장치.2. The nonlinear and bistable optics device of claim 1, wherein the means for responding to the photocurrent also includes an inductor.
제1항에 있어서, 상기 광전류에 응답하는 수단은 또한 일정한 전류원을 구비하는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학 장치.2. The nonlinear and bistable optics device of claim 1, wherein the means for responding to the photocurrent also includes a constant current source.
제1항에 있어서, 상기 광전류에 응답하는 수단은 또한 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학 장치.The nonlinear and bistable optics device of claim 1, wherein the means for responding to the photocurrent also includes a transistor.
제1항에 있어서, 상기 광전류에 응답하는 수단은 또한 광트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학 장치.The nonlinear and bistable optics device of claim 1, wherein the means for responding to the photocurrent further comprises an optical transistor.
제1항에 있어서, 상기 광전류에 응답하는 수단은 또한 광다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학 장치.2. The nonlinear and bistable optics device of claim 1, wherein the means for responding to the photocurrent also includes a photodiode.
제1항에 있어서, 광전류를 발생하기 위한 광선에 응답하는 상기 수단내로 광선을 주사하기 위한 수단을 구비하되, 고아정류를 발생하기 위한 광선에 응답하는 상기 수단으로부터 광선이 나타나며 상기 반도체 양자 욀 영역으로 광선이 들어가는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학장치.2. The device of claim 1, further comprising means for scanning light rays into said means responsive to light rays for generating a photocurrent, wherein light rays appear from said means responsive to light rays for generating solid state rectification and into said semiconductor quantum fin region. Nonlinear and bistable optics, characterized in that light rays enter.
제1항에 있어서, 상기 반도체 양자 욀 영역내로 광선을 주사하기 위한 수단을 구비하되, 상기 반도체 양자 욀 영역으로부터 광선이 나타나며 광전류를 발생하기 위한 광선에 응답하는 상기 수단에 광선이 들어가는 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학 장치.2. A device according to claim 1, comprising means for scanning light rays into the semiconductor quantum fin region, wherein light rays appear in the semiconductor quantum fin region and the light rays enter the means responsive to the light rays for generating a photocurrent. Nonlinear and bistable optics.
제1항에 있어서, 광전류를 발생하기 위한 광선에 응답하는 상기수단은 광트랜지스터인 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학 장치.2. The nonlinear and bistable optical device of claim 1, wherein said means for responding to light rays for generating a photocurrent is an optical transistor.
제1항에 있어서, 광전류를 발생하기 위한 광선에 응답하는 상기 장치는 광다이오드인 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학 장치.2. The nonlinear and bistable optics device of claim 1, wherein said device responsive to light rays for generating a photocurrent is a photodiode.
제1항에 있어서, 광전류를 발생하기 위한 광선에 응답하는 상기 장치는 광전도체인 것을 특징으로 하는 비선형 및 쌍안정 광학 장치.2. The nonlinear and bistable optics device of claim 1, wherein the device responsive to light rays for generating a photocurrent is a photoconductor.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.