[go: up one dir, main page]

KR870007450A - 감광성 레진 조성물 - Google Patents

감광성 레진 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR870007450A
KR870007450A KR870000070A KR870000070A KR870007450A KR 870007450 A KR870007450 A KR 870007450A KR 870000070 A KR870000070 A KR 870000070A KR 870000070 A KR870000070 A KR 870000070A KR 870007450 A KR870007450 A KR 870007450A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polymer
resin composition
photosensitive resin
alkali
soluble
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR870000070A
Other languages
English (en)
Inventor
히사시 스기야마
가즈오 나데
다아시 이노우에
아기고 미즈시마
Original Assignee
미쓰다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰다 가쓰시게, 가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 filed Critical 미쓰다 가쓰시게
Publication of KR870007450A publication Critical patent/KR870007450A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials
    • G03C1/72Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

감광성 레진 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (18)

  1. 알칼리 용해성의 유기 금속 중합체와 감광성 용해 억제 요소를 포함하는 감광성 레진 조성물.
  2. 특허청구의 범위 제1항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 상기의 알칼리 용해성의 유기금속 중합체는 그 내부에 포함되는 금속 원소의 일부 또는 전부가 주쇄내에 존재하는 중합체이다.
  3. 청구 범위 제2항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 상기의 알칼리 용해성의 유기금속 중합체는 금속원소로서 Si,Ge,Sn,Ti 중의 적어도 하나의 원소를 포함하는 중합체이다.
  4. 특허청구의 범위 제3항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 상기의 알칼리 용해성의 유기금속 중합체는 알칼리 용해성의 유기실리콘 중합체이다.
  5. 특허청구의 번위 제4항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 상기의 알칼리 용해성의 유기실리콘 중합체는 측쇄의 일부 또는 전부가 페놀릭 하이드록실 그룹의 유기그룹인 중합체이다.
  6. 특허청구의 범위 제5항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 상기의 알칼리 용해성의 유기실리콘 중합체는 알칼리 용해성의 실메틸렌 중합체이다.
  7. 특허청구의 범위 제6항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 상기의 알칼리 용해성의 실메틸렌 중합체는 다음의 화학식(1)로 표시되는 유니트가 중합체 뼈대내에서 40% 이상 차지하는 중합체이다.
    (여기서 R1, R2, R3그리고 R4는 1가의 유기그룹이며, 4개의 측쇄중 적어도 하나는 페놀릭 하이드록실그룹의 유기그룹이다).
  8. 특허청구의 범위 제7항의 레진 조성물에 있어서, 화학식(1)에서 R1과 R2는 메틸그룹이며, R4는 수소, 그리고 R3은 p-하이드록시 페닐그룹이다.
  9. 특허청구의 범위 제5항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 상기의 알칼리 용해성의 유기실리콘 중합체는 알칼리 용해성의 실록산 중합체이다.
  10. 특허청구의 범위 제9항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 상기의 알칼리 용해성의 실록산 중합체는 다음의 화학식(2)로 표시되는 유니트가 중합체 뼈대내에서 40% 이상을 차지한다.
    (여기서, R5와 R6은 1가의 유기그룹이며, R5와 R6중에 적어도 하나는 페놀릭 하이드록실그룹의 유기그룹이다).
  11. 특허청구의 범위 제10항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 화학식(6)에서 R5은는 메틸그룹이며, R6은 p-하이드록시 벤질그룹이다.
  12. 특허청구의 범위 제5항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 상기의 알칼리 용해성의 유기실리콘 중합체는 알칼리 용해성의 폴리오르 가노실세스키옥산 중합체이다.
  13. 특허청구의 범위 제12항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 상기의 알칼리 용해성의 폴리오르 가노실세스키옥산은 다음의 화학식(3)에 의해 표시되는 유니트가 중합체 뼈대내에서 40% 이상 차지하는 중합체이다.
    [R7-SiO3/2] (3)
    (여기서, R7은 페놀릭 하이드록실그룹의 유기그룹이다).
  14. 특허청구의 제13항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 화학식(3)에서 R7은 p-하이드록시 벤질그룹이다.
  15. 특허청구의 범위 제8항, 제11항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 상기의 감광성 용해 억제요소가 0-키논디아지드이다.
  16. 특허청구의 범위 제15항의 감광성 레진 조성물에 있어서, 0-키논디아지드는 다음의 화학식(4)로 표시되는 1,2-납사키논아지드이다.
    (여기서, R8은 1가의 유기그룹이다).
  17. 특허청구의 범위 제1항의 감광성 레진 조성물을 이용하여 기판 위에 미세한 패턴을 만들기 위한 프로세스.
  18. 기판 위에 미세한 패턴을 만들기 위한 특허청구의 범위 제17항의 프로세스에 있어서, 상기의 기판은 실리콘 웨이퍼이다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870000070A 1986-01-08 1987-01-08 감광성 레진 조성물 Ceased KR870007450A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61-501 1986-01-08
JP61000501A JP2619358B2 (ja) 1986-01-08 1986-01-08 感光性樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR870007450A true KR870007450A (ko) 1987-08-19

Family

ID=11475504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR870000070A Ceased KR870007450A (ko) 1986-01-08 1987-01-08 감광성 레진 조성물

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0229629B1 (ko)
JP (1) JP2619358B2 (ko)
KR (1) KR870007450A (ko)
DE (1) DE3768663D1 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07120044B2 (ja) * 1986-03-31 1995-12-20 株式会社東芝 感光性組成物およびそれを用いるパターン形成方法
JPH0769608B2 (ja) * 1986-10-06 1995-07-31 株式会社日立製作所 感光性樹脂組成物
JPH0769609B2 (ja) * 1987-02-09 1995-07-31 日本電信電話株式会社 感光性樹脂組成物
JPH0769610B2 (ja) * 1987-03-19 1995-07-31 株式会社日立製作所 パターン形成方法
US5360693A (en) * 1989-03-20 1994-11-01 Siemens Aktiengesellschaft Positive o-quinone diazide photoresist containing base copolymer utilizing monomer having anhydride function and further monomer that increases etch resistance
DE58908411D1 (de) * 1989-03-20 1994-10-27 Siemens Ag Hochauflösender Photoresist.
EP0410606B1 (en) 1989-07-12 1996-11-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Siloxane polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same
JP2639853B2 (ja) * 1990-05-18 1997-08-13 富士写真フイルム株式会社 新規キノンジアジド化合物及びそれを含有する感光性組成物
EP0568476B1 (en) * 1992-04-30 1995-10-11 International Business Machines Corporation Silicon-containing positive resist and method of using the same in thin film packaging technology
JP2547944B2 (ja) * 1992-09-30 1996-10-30 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 二層レジスト組成物を使用する光学リソグラフによりサブ−ハーフミクロンパターンを形成する方法
EP1054296A3 (en) 1999-04-30 2002-03-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Fine pattern forming method
KR100707767B1 (ko) * 1999-09-28 2007-04-17 후지필름 가부시키가이샤 포지티브 포토레지스트 조성물
US6368400B1 (en) 2000-07-17 2002-04-09 Honeywell International Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
KR20150068899A (ko) * 2013-12-12 2015-06-22 제이엔씨 주식회사 포지티브형 감광성 조성물
EP3194502A4 (en) 2015-04-13 2018-05-16 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5525418B2 (ko) * 1972-12-20 1980-07-05
US4603195A (en) * 1983-12-30 1986-07-29 International Business Machines Corporation Organosilicon compound and use thereof in photolithography
JPS613139A (ja) * 1984-06-15 1986-01-09 Hitachi Ltd 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法
JPS61144639A (ja) * 1984-12-19 1986-07-02 Hitachi Ltd 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法
JPS61256347A (ja) * 1985-05-10 1986-11-13 Hitachi Ltd アルカリ可溶性シロキサン重合体
JPS6236661A (ja) * 1985-08-12 1987-02-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 感光性樹脂組成物及びその使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0229629A2 (en) 1987-07-22
DE3768663D1 (de) 1991-04-25
EP0229629B1 (en) 1991-03-20
JP2619358B2 (ja) 1997-06-11
EP0229629A3 (en) 1987-12-02
JPS62159141A (ja) 1987-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR870007450A (ko) 감광성 레진 조성물
US5891529A (en) Radiation curable sompositions
KR880001771A (ko) 이형용 실리콘 조성물
DE3581796D1 (de) Bei verduennen mit wasser durchsichtige gemische ergebende, polysiloxan enthaltende zusammensetzungen.
KR880009094A (ko) 코팅용 조성물
KR900009667A (ko) 양이온형 실리콘 계면 활성 물질 및 그 제조방법
KR910003060A (ko) 접착성 실리콘 조성물
KR850004592A (ko) 방사활성화된 하이드로 실레이숀
KR900002123A (ko) 감방사선성 양성 내식막 조성물
ATE36722T1 (de) Waessrige emulsionen zur feuchtigkeitsabstossenden und nichtklebenden behandlung von cellulosematerialien.
KR870004099A (ko) 실리콘 조성물
KR910016819A (ko) Uv 경화성 실페닐렌 함유 에폭시 관능성 실리콘
KR960038480A (ko) 화학적으로 증폭된 포지티브형 레지스터 조성물
KR900013020A (ko) 노보넨 기(基)를 갖는 경화성 실리콘 조성물
KR910016817A (ko) Uv경화성 에폭시 실리콘
KR880002949A (ko) 이형 필름용 실리콘 조성물
KR870011321A (ko) 합성섬유용 처리제
KR870004041A (ko) 열경화성 오가노폴리실옥산 조성물
KR900012941A (ko) 선택적으로 모노히드로사일레이션 (monohydrosilation)된 노보넨 화합물과 그의 제조 방법 및 그로부터 제조된 중합체
KR920005734A (ko) 오르가노폴리실록산 조성물 및 그의 경화물
KR900016388A (ko) 실온 경화성 오르가노폴리실록산 조성물
KR870010124A (ko) 이형 필름용 실리콘 조성물
KR880009093A (ko) 부식방지용 경화성 실리콘 조성물
GB1569681A (en) Photocurable organopolysiloxane compositions
KR850003156A (ko) 백금족 금속 촉매로 구성된 케톤 억제제 및 이를 함유하는 유기폴리실록산 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19870108

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19901103

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19870108

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 19940131

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 19940430

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 19940131

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I