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KR840005276A - 레이저형 발광 반도체장치 - Google Patents

레이저형 발광 반도체장치 Download PDF

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Publication number
KR840005276A
KR840005276A KR1019830002439A KR830002439A KR840005276A KR 840005276 A KR840005276 A KR 840005276A KR 1019830002439 A KR1019830002439 A KR 1019830002439A KR 830002439 A KR830002439 A KR 830002439A KR 840005276 A KR840005276 A KR 840005276A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
semiconductor device
active layer
substrate
laser
Prior art date
Application number
KR1019830002439A
Other languages
English (en)
Inventor
끄레모 보뎅드 (외 2)
Original Assignee
쟈끄 보와르
똥송 세에스에프
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쟈끄 보와르, 똥송 세에스에프 filed Critical 쟈끄 보와르
Publication of KR840005276A publication Critical patent/KR840005276A/ko

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

레이저형 발광 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 횡선 기하학적 반도체 레이저에 관한 간략도,
제2도는 종래 기술에 의한 "이득유도"에 관한 단면도,
제3도는 종래 기술에 의한 사장된 헤테로구성을 갖는 "색인유도"에 관한 단면도,
제4도는 종래 기술에 의한 에칭된 색인유도기판에 관한 단면도.

Claims (7)

  1. 굴절율 경도에 의해 빛이 유도되는 횡선 기하학적 활성층을 통해 빛이 방출되며, 활성층이 두개의 헤테로접합을 형성하면서 만들어진 두개의 제한층사이에 사장된 레이저의 활성층내에 에칭된 V형흠을 갖는 기판과, 외부 제한층위에 용착된 접촉층과, 기판의 두개의 주표면위에 용착된 두개의 접기접촉 경화층으로 구성되는 레이저형 발광장치에 있어서, 제1 제한층, 활성층, 제2제한층이 한편으로는 에칭된 V형홈의 내부로 제한되며, 또 한편으로는 활성층이 오목한 형인 두개의 헤테로접합에 의해 제한되며, 활성층은 홈에 접혹된 가장자리에서는 0의 두께를 가지며, 상기 활성층의 중심부와 가장다리의 두께의 차에 의해 굴절율 경도가 생성되어 방출된 빛을 유도하는 것을 특징으로 하는 제이저형 발광반도체장치.
  2. 제1항에 의한 반도체장치에 있어서, 레이저 내로의 전류의 주입이 양자를 주입시키므로써 절연된 두개의 구획에 의한 홈영역으로 제한되어, 기판으로부터 상측경화층을 분리시키는 것을 특징으로 하는 레이저형 발광반도체장치.
  3. 제1항에 의한 반도체장치에 있어서, 레이저내로의 전류의 주입이 홈위에 직접 개방부분을 가지며, 기판으로부터 상측경화층을 분리시키는 알루미나층에 의한 홈영역으로 제한되는 것을 특징으로 하는 레이저형 발광반도체장치.
  4. 제1항 내지 제3항에 의한 반도체장치에 있어서, 기판 및 제1제한층은 n형 InP이며, 활성층은 x=0.28, y=0.60인 GaxIn-1xAsyP1-y이며 제2 제한층은 P형 InP이며 접촉층은 P형 Ga 0.47 In 0.53 As이라는 것을 특징으로 하는 레이저형 발광반도체장치.
  5. 제1항 내지 제3항에 의한 반도체장치에 있어서, 기판 및 제1 제한층은p형 InP이며, 활성층은 x=0.28, y=0.60인 In1-xAsyP1-y이며, 제2 제한층 및 접촉층은n- 형 InP이라는 것을 특징으로하는 레이저형 발광반도장치.
  6. 제1항에 의한 반도체장치에 있어서, V형 홈은 기판의 상측면에 연결되고 볼록형을 갖는 두개의 표면을 가지며, 상기 표면의 볼록한 측은 홈을 향하는 것을 특징으로 하는 레이저형 발광반도체장치.
  7. 제1항 내지 제6항에 의한 레이저형 반도체장치의 제조방법에 있어서, 활성층, 제한층, 접촉층은 제로과포화의 조건하에 홈내부분적 에피택셜 성장에 의해 얻어지며, 여기에서 Te는 납작한 기판을 갖는 에피택셜 매개물의 평형온도이며, Tc는 에피텍셜 성장온도이며, 레이저의 성장을 위한 에피텍셜 매개물의 성분은 Te=Tc이도록 선택된다는 것을 특징으로 하는 레이저형 발광반도체장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019830002439A 1982-06-04 1983-06-01 레이저형 발광 반도체장치 KR840005276A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8209735A FR2528234A1 (fr) 1982-06-04 1982-06-04 Dispositif semi-conducteur photoemetteur de type laser a guidage par gradient d'indice, et procede de realisation d'un tel dispositif
FR9735 1982-06-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR840005276A true KR840005276A (ko) 1984-11-05

Family

ID=9274630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019830002439A KR840005276A (ko) 1982-06-04 1983-06-01 레이저형 발광 반도체장치

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0096613B1 (ko)
JP (1) JPS58219772A (ko)
KR (1) KR840005276A (ko)
CA (1) CA1215160A (ko)
DE (1) DE3364511D1 (ko)
FR (1) FR2528234A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2563051B1 (fr) * 1984-04-13 1987-08-07 Telecommunications Sa Diode laser a confinement electrique par jonction inverse
US4634928A (en) * 1985-04-19 1987-01-06 Trw Inc. Superluminescent light-emitting diode and related method
DE3728566A1 (de) * 1987-08-27 1989-03-09 Telefunken Electronic Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1570479A (en) * 1978-02-14 1980-07-02 Standard Telephones Cables Ltd Heterostructure laser

Also Published As

Publication number Publication date
EP0096613B1 (fr) 1986-07-16
FR2528234A1 (fr) 1983-12-09
FR2528234B1 (ko) 1985-05-17
JPS58219772A (ja) 1983-12-21
DE3364511D1 (en) 1986-08-21
EP0096613A1 (fr) 1983-12-21
CA1215160A (en) 1986-12-09

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Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19830601

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid