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KR840002023A - 탄소질 물질의 가스화 방법 및 그 장치 - Google Patents

탄소질 물질의 가스화 방법 및 그 장치 Download PDF

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KR840002023A KR1019820004799A KR820004799A KR840002023A KR 840002023 A KR840002023 A KR 840002023A KR 1019820004799 A KR1019820004799 A KR 1019820004799A KR 820004799 A KR820004799 A KR 820004799A KR 840002023 A KR840002023 A KR 840002023A
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Abstract

내용 없음

Description

탄소질 물질의 가스화 방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 장치의 개략도이고,
제2도는 제1도에 도시된 장치의 반응이 하부분에 관한 또 다른 실시 태양을 도시한 것이다.

Claims (22)

  1. 덩어리 형태의 탄소질 물질을 인 입구 배열을 통해 반응기, 바람직하게 하는 쉐프트로 상부로부터 정해진 충진 높이까지 공급하고; 발생한 가스를 탄소물질의 상부면 보다 낮은 위치에서 쉐프트로로부터 방출시키며; 또 산화제와/또는 열에너지를 탄소질물질 표면 상부와 가스출구 높이 보다 낮은 쉐프트 하단부 양쪽에서 공급함을 특징으로 하여 주로 CO와 H2로 구성되는 가스 혼합물을 제조하는 탄소질 물질의 가스화 방법.
  2. 제1항에 있어서, 발생가스가 탄소질 물질이 충진된 높이보다 50㎝이상 더 낮은 위치에서 쉐프트로부터 방출시킴을 특징으로 하는 가스화 방법.
  3. 제1항에 있어서, 산화제와/또는 열에너지가 가스가 배출되는 높이보다 약 100㎝더 낮은 위치에서 쉐프트로에 공급됨을 특징으로 하는 가스화 방법.
  4. 제1항에 있어서, H2O,CO2와/또는 가스함유 산소가 산화제로 사용됨을 특징으로 하는 가스화 방법.
  5. 제1항 내지 제3항중 어느 하나에 있어서, 열에너지가 플라즈마 발생기를 통과하도록 되어 있는 가스에 의하여 공급됨을 특징으로 하는 가스화 방법.
  6. 제1항 내지 제3항중 어느 하나에 있어서, 열에너지가 탄소질 물질을 부분 연소시켜 공급됨을 특징으로 하는 가스화 방법.
  7. 제1항 내지 제6항중 어느 하나에 있어서, 산화제를 탄소질 물질의 상부 표면에 탄소질 물질의 휘발성 성분의 부분 산화시킬수 있는 양 이상 만큼의 양으로 공급함을 특징으로 하는 가스화 방법.
  8. 제1항 내지 제7항중 어느 하나에 있어서, 산화 가스 중에 H2O 가스함유 산화와/또는 CO2의 양을 조절하여 생성된 가스 중에서 필요한 H2/CO 비율을 수득함을 특징으로 하는 가스화 방법.
  9. 제1항 내지 제 8항중 어느 하나에 있어서, 분말상 탄소질 물질을 산화제 및 열에너지와 함께 쉐프트로의 하부위치에서 주입함을 특징으로 하는 가스화 방법.
  10. 제1항 내지 제9항중 어느 하나에 있어서, Ca과/또는 Mg을 함유하는 덩어리 형태의 물질을 유황과 결합시키기 위하여 덩어리 형태의 탄소질 물질과 함께 첨가함을 특징으로 하는 가스화 방법.
  11. 제1항 내지 제9항중 어느 하나에 있어서, Ca과/또는 Mg을 함유하는 분말상 물질을 유황과 결합시키기 위하여 분말상이 탄소질물질과 함께 첨가함을 특징으로 하는 가스화 방법.
  12. 제1항 내지 제11항중 어느 하나에 있어서, 열에너지 공급량을 조절하여 탄소질 물질중의 회분 성분이 액체 스래그를 형성하여 쉐프트로 바닥네서 배출됨을 특징으로 하는 가스화 방법.
  13. 제12항에 있어서, 스래그의 융점과 점도를 조절하기 위하여, 스래그 형성제를 탄소질 물질에 첨가함을 특징으로 하는 가스화 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 스래그 형성제를 스래그 조성을 조절하기 위해 탄소질 물질에 첨가함으로서 시멘트 제조용으로 적합한 원료 생성물을 수득함을 특징으로 하는 가스화 방법.
  15. 제12항 내지 제14항중 어느 하나에 있어서, 액체 스래그를 입상화 시키고, 또 이를 배출시키면서 물로 급냉시킴을 특징으로 하는 가스화 방법.
  16. 제1항 내지 제11항중 어느 하나에 있어서, 열에너지의 공급량을 조절하여 탄소질 물질중의 회분 성분을 고체상에 잔유시키고, 또 쉐프트로의 바닥 부위로부터 고체 부산물로 방출시킴을 특징으로 하는 가스화 방법.
  17. 제1항 내지 제16항중 어느 하나에 있어서, 탄소 물질의 전부 또는 일부가 석탄, 코오크, 성형코오크, 목재, 부분 탄화목재, 챠콜, 역청탄 또는 토탄으로 구성됨을 특징으로 하는 가스화 방법.
  18. 제1항 내지 제17항중 어느 하나에 있어서, 가스화 반응이 대기압을 초과하는 압력하에서 진행됨을 특징으로 하는 가스화 방법.
  19. 제1항 방법에 따라 주로 CO 및 H2로 구성되는 가스혼합물을 제조하는 탄소질 물질 가스화 장치에 있어서, 덩어리 형태의 탄소질 물질을 가스 비누출 방식으로 쉐프트로의 예정된 충진 높이까지 공급시킬수 있는 상부 인입구 배열(6), 쉐프트(1)바닥에 배열된 스래그 탭핑장치(13),(14)와 제조가스의 가스배출구(5)를 갖추고, 또 고체물질이 충진되는 예정된 높이보다 낮은 위치에 배열된 환상드럼(4)를 갖는 쉐프트로 형태의 반응기로 구성됨을 특징으로 하는 가스화 장치.
  20. 제19항에 있어서, 가스배출구(5)의 하부와/또는 고체물질 상부표면 상부에 배열된 열 에너지와/또는 산화제 공급장치로 구성됨을 특징으로 하는 가스화 장치.
  21. 제19항 또는 제20항에 있어서, 열에너지 공급용 플라즈마 발생기(3),(7)로 구성됨을 특징으로 하는 가스화 장치.
  22. 제19항 내지 제21항중 어느 하나에 있어서, 스래그 탭핑 장치가 회전식배출 테이블(14)로 구성됨을 특징으로 하는 가스화 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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