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KR830009036A - 카르보스티릴 유도체의 제법 - Google Patents

카르보스티릴 유도체의 제법 Download PDF

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KR830009036A
KR830009036A KR1019820000668A KR820000668A KR830009036A KR 830009036 A KR830009036 A KR 830009036A KR 1019820000668 A KR1019820000668 A KR 1019820000668A KR 820000668 A KR820000668 A KR 820000668A KR 830009036 A KR830009036 A KR 830009036A
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Abstract

내용 없음

Description

카르보스티릴 유도체의 제법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 하기 일반식(2)로 표시되는 화합물을 하기 일반식(3)으로 표시되는 화합물과 반응시킴을 특징으로 하는 하기 일반식(1)로 표시되는 카르보스티릴 유도체의 제조방법.
    상기식에서, R1은 수소원자, 저급알킬기, 저급알케닐기, 저급알키닐기 또는 페닐-저급알킬기이고, R2및 R3는 동일 또는 상이해도 무방하며, 각각은 치환체(들)로서 히드록시기(들) 또는 할로겐원자(들)을 가져도 무방한 저급알킬기, 또는 저급알콕시기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 페닐환상에 가져도 무방한 페닐-저급알킬기이거나, 또는 상기 페닐-저급알킬기는 페닐환상에 치환체로서 저급 알킬렌디옥시기를 가져도 무방하며, 또한 R2및 R3는 인접한 질소 원자와 함께 그리고 산소 또는 질소를 추가로 갖거나 또 가지지 않고 치환체로서 저급알킬기 또는 페닐-저급알킬기를 가져도 무방한 5-또는 6-원 포화복소환을 형성할 수 있으며; 상기 복소환이 피페라지닐기인 경우, 상기 피페라지닐 환은 피페라지닐 환의 4-위에 치환체로서 저급 알킬기 또는 페닐-저급알킬기를 가져도 무방하며, 또한 상기 피레라지닐기는 4-위에 치환체로서 저급 알케닐기, 저급 알킬닐기, 시클로알킬기, 시클로알킬-저급 알킬기, 저급알카노일기, 저급알카노일-저급알킬기, 저급알콕시카르보닐기, 저급알콕시카르보닐-저급알킬기, 푸로일기, 저급알킬술포닐기, 치환 저급알킬기 [시아노기, 벤조일옥사기(페닐환상에 1~3개의 저급 알콕시기를 가져도 무방함), 히드록시기, 저급알카노일옥사기, 할로겐원자 및 카르바모일기로 구성된 군으로부터 선택된 1종의 치환체를 가짐], 페녹시-저급알킬기[페닐환상에,할로겐원자, 저급알콕시기 및 저급알킬기로 이루어진 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 가지거나, 또는 상기 페녹시-저급알킬기는 페닐환상에 치환체로서 저급 알킬렌디옥시기를 가져도 무방함], 페닐-저급알킬기 [페닐환상에, 저급알킬기, 저급알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 저급알카노일아미노기 및 저급 알킬티오기로 구성된 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 갖거나, 또는 상기 페닐-저급 알킬기는 페닐환상에 치환체로서 저급알킬렌디옥시기를 가져도 무방함], 벤조일기 [페닐환상에, 저급알킬기, 저급알콕시기, 할로겐원자, 니트로기 및 시아노기로 구성된 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 갖거나, 또는 상기 벤조일기는 페닐 환상에 치환체로서 저급알킬렌디옥시기를 가져도 무방함], 페닐-술포닐기 페닐환상에 치환체로서 1~3종의 저급알킬기를 가져도 무방함, 벤조일-저급알킬기 [페닐환상에 할로겐 원자, 히드록시기, 저급 알킬기, 저급 알콕시기 및 저급알카노일아미노기로 구성된 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 가져도 무방함], 페닐-저급알케닐카르보닐기 [페닐환상에 할로겐원자 및 저급-알콕시기로 구성된 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 가져도 무방함], 또는 페닐-저급알카노일기 [페닐환상에 치환체로서 1~3개의 저급알콕시기를 가져도 무방함]등을 가져도 무방하며; 카르보스티릴 골격중의 3- 및 4-위간의 탄소-탄소 결합은 단일 또는 이중 결합임}.
  2. 하기 일반식(4)로 표시되는 화합물은 하기 일반식(5)로 표시되는 화합물과 반응시킴을 특징으로 하는 하기 일반식(1-a)로 표시되는 카르보스티릴 유도체의 제법.
    {상기식에서, R1은 수소원자, 저급알킬기, 저급알케닐기, 저급알키닐기 또는 페닐-저급알킬기이고; R4는 저급알카노일기, 저급알콕시카르보닐기, 푸로일기, 벤조일기 [페닐환상에 저급알킬기, 저급알콕시기, 할로겐원자, 니트로기 및 시아노기로 구성된 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 갖거나, 또는 상기 벤조일기는 페닐환상에 치환체로서 저급알킬렌디옥시기를 가져도 무방함], 페닐-저급알카노일기 [페닐환상에 치환체로서 1~3개의 저급알콕시기를 가져도 무방함] 또는 페닐-저급알케닐카르보닐기 [페닐환상에 할로겐 원자 및 저급-알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 가져도 무방함]등이며;
    카르보스티릴 골격의 3- 및 4-위간의 탄소-탄소 결합은 단일 또는 이중 결합이며; X1은 히드록시기임.
  3. 하기 일반식(4)로 표시되는 화합물은 하기 일반식(6)으로 표시되는 화합물과 반응시킴을 특징으로하는 하기 일반식(1-b)로 표시되는 카르보스티릴 유도체의 제조방법.
    {상기식에서, R1은 수소원자, 저급알킬기, 저급알케닐기, 저급알키닐기 또는 페닐-저급알킬기이고; R5는 저급알킬기, 저급알콕시카르보닐-저급알킬기, 저급알케닐기, 저급알키닐기, 시클로알킬기, 시클로알킬-저급알킬기, 저급알킬술포닐기, 페녹시-저급알킬기 [페닐환상에, 할로겐원자, 저급알콕시기 및 저급알킬기로 이루어진 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 갖거나, 또는 상기 페녹시-저급알킬기는 페닐환상에 치환체로서 저급알킬렌디옥시기를 가져도 무방함], 치환 저급알킬기 [시아노기, 벤조일옥시기(페닐환상에 1~3개의 저급알콕시기를 가져도 무방함), 히드록시기, 저급알카노일옥시기, 할로겐원자 및 카르바모일기로 이루어진 군으로부터 선택된 1종의 치환체를 가짐], 저급알카노일-저급알킬기, 페닐-저급알킬기 [페닐환상에 저급알킬기, 저급알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 저급알카노일-아미노기 및 저급알킬티오기로 이루어진 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 갖거나, 또는 상기 페닐-저급알킬기는 페닐환상에 치환체로서 저급 알킬렌디옥시기를 가져도 무방함], 페닐-술포닐기 [페닐환상에 치환체로서 1~3개의 저급 알킬기를 가져도 무방함] 또는 벤조일-저급알킬기 [페닐환상에 할로겐원자, 히드록시기, 저급알킬기, 저급알콕시기 및 저급 알카노일-아미노기로 이루어진 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 가져도 무방함]등이며; 카르보스티릴 골격의 3- 및 4-위간의 탄소-탄소결합은 단일 또는 이중 결합이며; X2은 할로겐원자, 저급알칸술포닐옥시기, 아릴술포닐옥시기 또는 아르알킬술포닐옥시임}.
  4. 하기 일반식(8)로 표시되는 화합물은 하기 일반식(9)로 표시되는 화합물과 반응시킴을 특징으로하는 하기 일반식(1-c)로 표시되는 카르보스티릴 유도체의 제조방법.
    {상기식에서, R1은 수소원자, 저급알킬기, 저급알케닐기, 저급알키닐기 또는 페닐-저급알킬기이고; R6는 저급알킬기, 저급알콕시카르보닐-저급알킬기, 저급알케닐기, 저급알키닐기, 시클로알킬기, 시클로알킬, 저급알킬기, 페녹시-저급알킬기 [페닐환상에, 할로겐원자, 저급알콕시기 및 저급알킬기로 이루어진 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 갖거나, 또는 상기 페녹시-저급알킬기는 페닐환상에 치환체로서 저급알킬렌디옥시기를 가져도 무방함], 치환 저급알킬기 [시아노기, 벤조일옥시기(페닐환상에 1~3개의 저급알콕시기를 가져도 무방함), 히드록시기, 저급알카노일옥시기, 할로겐원자 및 카르바모일기로 이루어진 군으로부터 선택된 1종의 치환체를 가짐], 저급알카노일-저급알킬기, 페닐-저급알킬기 [페닐환상에, 저급알킬기, 저급알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 저급알카노일아미노기 및 저급알킬티오기로 이루어진 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 갖거나, 또는 상기 페닐-저급알킬기는 페닐환상에 치환체로서 저급알킬렌디옥시기를 가져도 무방함] 또는 벤조일-저급알킬기 [페닐환상에, 할로겐원자, 히드록시기, 저급알킬기, 저급알콕시기 및 저급 알카노일아미노기로 이루어진 군으로 부터 선택된 1~3종의 치환체를 가져도 무방함]이며; 카르보스티릴 골격의 3- 및 4-위간의 탄소-탄소 결합은 단일 또는 이중 결합이며; X는 히드록시기, 할로겐원자, 저급알칼술포닐옥시기, 아르술포닐옥시기 또는 아르알킬술포닐옥시기임}.
  5. 하기 일반식(11)로 표시되는 화합물을 하기 일반식(9)로 표시되는 화합물과 반응시킴을 특징으로 하는 하기 일반식(1-c)로 표시되는 화합물의 제조방법.
    {상기식에서, R1은 수소원자, 저급알킬기, 저급알케닐기, 저급알키닐기 또는 페닐-저급알킬기이고; R6는 저급알킬기, 저급알콕시카르보닐-저급알킬기, 저급알케닐기, 저급알키닐기, 시클로알킬기, 시클로알킬-저급알킬기, 페녹시-저급알킬기 [페닐환상에, 할로겐원자, 저급 알콕시기 및 저급알킬기로 이루어진 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 갖거나, 또는 상기 페녹시-저급알킬기는 페닐환상에 치환체로서 저급알킬렌디옥시기를 가져도 무방함], 치환 저급알킬기 [시아노기, 벤조일옥시기(페닐환상에 1~3개의 저급알콕시기를 가져도 무방함), 히드록시기, 저급알카노일옥시기, 할로겐원자 및 카르바모일기로 이루어진 군으로부터 선택된 1종의 치환체를 가짐], 저급알카노일-저급알킬기, 페닐-저급알킬기 [페닐환상에, 저급알킬기, 저급알콕시기, 할로겐원자, 니트로기, 아미노기, 저급알카노일아미노기 및 저급알킬티오기로 이루어진 군으로부터 선택된 1~3종의 치환체를 갖거나, 또는 상기 페닐-저급알킬기는 페닐환상에 치환체로서 저급알킬렌디옥시기를 가져도 무방함] 또는 벤조일-저급알킬기 [페닐환상에, 할로겐원자, 히드록시기, 저급알킬기, 저급 알콕시기 및 저급알카노일아미노기로 이루어진 군으로 부터 선택된 1~3종의 치환체를 가져도 무방함)이며; 카르보스티릴 골격의 3- 및 4-위간의 탄소-탄소 결합은 단일 또는 이중 결합}.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR8200668A 1981-02-17 1982-02-16 카르보스티릴 유도체의 제법 Expired KR860001337B1 (ko)

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