KR830001978B1 - Power amplification circuit - Google Patents
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 본 발명에 관한 전력 증폭회로의 일 실시예를 나타낸 회로 구성도.1 is a circuit diagram showing an embodiment of the power amplifier circuit according to the present invention.
제2(a)도, 제2(b)도는 동 실시 예의 동작을 설명하기 위한 설명도.2 (a) and 2 (b) are explanatory diagrams for explaining the operation of the embodiment.
제3도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 회로 구성도.3 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention.
제4도는 제1도에 나타낸 회로를 일부 변형시킨 회로의 동작을 설명하기 위한 특성도.4 is a characteristic diagram for explaining the operation of a circuit obtained by partially modifying the circuit shown in FIG.
제5도는 본 발명의 변형예를 나타낸 회로 구성도이다.5 is a circuit configuration diagram showing a modification of the present invention.
본 발명은 특히 집적회로(IC)화에 잘 알맞는 전력 증폭회로의 개량에 관한것이다.The present invention relates, in particular, to improvements in power amplifier circuits well suited for integrated circuit (IC) ization.
일반적으로, 전력 증폭회로는 집적회로(IC)화 될 경우, 그 출력단(出力段)에 준콤프리멘터리형 싱글엔디드 푸시풀(singleendted push-pull)(SEPP) 증폭회로를 사용하고 있다.In general, a power amplifier circuit uses a semi-complementary single-ended push-pull (SEPP) amplifier circuit at its output stage when integrated circuit (IC) is used.
그런데, 집적회로(IC)화에 즈음해서 대전류용의 PNP형 트렌지스터는 그 제조가 곤란하며, 특히 라테럴형(lateral)(멀티콜렉터) PNP 트랜지스터는 전류 용량이 적으며 전류 증폭율이 작음과 동시에, 이득 대역폭적(利得帶域幅積)(fr)이 낮으므로 발진하기 쉬운 것 등의 문제가 있고 대출력을 얻기 힘든다는 결점이 있었다.However, due to the integrated circuit (IC), a large current PNP transistor is difficult to manufacture, and in particular, a lateral (multi-collector) PNP transistor has a small current capacity and a small current amplification rate. Low gain bandwidth (fr) has problems such as being easy to oscillate and has a drawback that it is difficult to obtain large output.
또, 콤프리멘터리 접속된 출력단의 트렌지스터를 에미터 접지형으로 하면 부우트스트랩(bootsrap)회로가 없더라도 출력증폭을 크게 취할 수는 있지만, 이와같이 하면 출력단의 트랜지스터의 아이들(idle) 전류의 설정이 곤란하게 된다로 하는 불합리한 점이 있었다.In addition, when the transistor of the output terminal connected to the complimentary terminal is an emitter ground type, the output amplification can be large even without a bootstrap circuit. There was an unreasonable point of becoming difficult.
거기서, 종래보다 전력 증폭회로의 출력단을 콤프리멘터리 형으로 하지 않고, 동극성 즉 NPN형 트랜지스터만을 사용하여 구성하는 것이 고려되고 있는데, 이와같이 하여도 아이들 전류의 설정이 역시 곤란하였다.Therefore, it is considered that the output terminal of the power amplification circuit is made of only the same polarity, that is, the NPN transistor, compared with the conventional one, but setting the idle current is also difficult.
본 발명은 상기한 사정을 감안하여 이뤄진 것으로서, 아이들 전류의 설정이 용이하고 대출력을 얻을 수 있으며 더욱이 안정 또한 확실하게 동작할 수 있음과 함께 직접회로 (IC)화에 잘 알맞는 매우 양호한 전력 증폭회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to easily set the idle current, obtain a large output, and also operate stably and reliably, and very good power amplification suitable for integrated circuit (IC). It is an object to provide a circuit.
아래에 본 발명의 일 실시 예에 관해서 도면을참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 제1도에 있어서, 11)은 피전력(被電力)증폭 신호의 공급되는 입력 단자로서, 예를들면 잭(Jack)등으로 된 것으로서 그 바깥쪽 단자(111)은 접지되며, 안쪽 단자(112)는 콘덴서(C1)을 거쳐서 PNP형의 트랜지스터(Q1)의 베이스에 접속되어 있다. 이 콘덴서(C1)과 트랜지스터(Q1)의 베이스와의 접속점은 저항(R1)을 거쳐 접지되어 있다. 또, 상기한 트랜지스터(Q1)의 에미터는 PNP형의 트랜지스터(Q2)의 에미터와 접속되며, 그 트랜지스터(Q1)의 에미터와 트랜지스터(Q2)의 에미터와의 접속점은 저항 (R1)을 거쳐서 직류전압+Vcc의 인가된 전원단자(12)에 접속되어 있다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes an input terminal supplied with a power amplified signal, for example, a jack or the like, the
다시 상기한 트랜지스터(Q19), (Q2)의 콜렉터는 저항(R3), (R4)를 각각 따로 거쳐서 공통 접속되며, 그 접속점은 저항(R5)를 거쳐 직류전압-Vee의 인가된 전원단자(13)에 접속되어 있다.Again, the collectors of the transistors Q 19 and Q 2 are commonly connected separately through the resistors R 3 and R 4 , and the connection point is applied via the resistor R 5 to the DC voltage-Vee. Is connected to the supplied
그리고, 상기한 저항(R1)내지 (R5), 콘덴서(C1) 및 트랜지스터(Q1), (Q2)로서된 회로가 전력 증폭회로의 전치(前置) 증폭회로(14)를 구성하는 것이다.Then, the circuits as the resistors R 1 to R 5 , the capacitor C 1 , and the transistors Q 1 and Q 2 are used to replace the
또, 전기한 트랜지스터(Q1), (Q2)의 각 콜렉터와 저항(R3), (R4)와의 각 접속점은 NPN형의 트랜지스터(Q3), (Q4)의 각 베이스에 각각 접속되어 있다. 이 트랜지스터(Q3), (Q4)의 각 에미터는 공통 접속되며, 그 접속점은 저항(R6)를 거쳐서 전기한 전원단자(13)에 접속되어 있다. 또 상기한 트랜지스터(Q3), (Q4)와 각 콜렉터는 저항(R7), (R8)을 각각 거쳐서 전기한 전원단자(12)에 접속되어 있다.In addition, the connection points of the collectors of the transistors Q 1 and Q 2 and the resistors R 3 and R 4 are respectively provided at bases of the transistors Q 3 and Q 4 of the NPN type. Connected. The emitters of the transistors Q 3 and Q 4 are commonly connected, and the connection point thereof is connected to the
그리고, 상기한 저항(R6)내지 (R8) 및 트랜지스터(Q3), (Q4)로서 된 회로가 전력 증폭회로의 드라이브회로(15)를 구성하는 것이다. 다시, 전기한 트랜지스터(Q3)의 콜렉터와 저항(R7)과의 접속점은 NPN형의 트랜지스터(Q5)의 베이스에 접속되며, 그 트랜지스터(Q5)의 콜렉터는 전기한 전원단자(12)에 접속되어 있다.The circuits made of the resistors R 6 to R 8 , and the transistors Q 3 and Q 4 constitute the
또, 이 트랜지스터(Q5)의 에미터는 다른 NPN형의 트랜지스터(Q6)의 베이스에 접속되며, 그 트랜지스터(Q6)의 콜렉터는 전기한 전원단자(12)에 접속되어 있다.In addition, there is connected to the base of the transistor (Q 5) emitter another NPN-type transistor (Q 6) of, the collector of the transistor (Q 6) is connected to an electric power supply terminal (12).
한편, 전기한 트랜지스터(Q4)의 콜렉터와 저항(R8)과의 접속점은 NPN형의 트랜지스터(Q7)의 베이스에 접속되며, 그 트랜지스터(Q7)의 에미터는 다른 NPN형의 트랜지스터(Q8)의 베이스에 접속되어 있다. 또, 이 트랜지스터(Q8)의 에미터는 전기한 전원단자(13)에 접속됨과 함께, 그 트랜지스터(Q8)의 콜렉터는 전기한 트랜지스터(Q6)의 에미터에 접속되며, 그 접속점은 트랜지스터(Q7)의 콜렉터에 접속되어 있다.On the other hand, a connection point of the collector and a resistor (R 8) of the electric one transistor (Q 4) is connected to the base of the NPN-type transistor (Q 7) of the transistor emitter transistor of another NPN-type (Q 7) ( Q 8 ) is connected to the base. The emitter of this transistor Q 8 is connected to the electrical
그리고, 상기한 트랜지스터(Q5)내지 (Q8)로서된 회로가 전력 증폭회로의 출력회로(16)을 구성하는 것이다.The circuits described above as transistors Q 5 to Q 8 constitute the output circuit 16 of the power amplifier circuit.
또, 전기한 트랜지스터(Q5)의 에미터와 트랜지스터(Q6)의 베이스와의 접속점은 저항(R3)을 거쳐서 NPN형의 트랜지스터(Q9)의 베이스에 접속되어 있다. 이 트랜지스터(Q3)의 에미터는 저항(Q10), (R11)을 직열로 거쳐서 전기한 전치 증폭회로(14)를 구성하는 트랜지스터(Q2)의 베이스에 접속되어 있다. 그리고 상기한 저항(R10)과 (R11)과의 접속점은 전기한 트랜지스터(Q6)의 에미터와 트랜지스터(Q2)의 콜렉터와의 접속됨과 함께, 예를들면 잭등으로서 된 출력단자(17)의 안쪽단자(171)에 접속되어 있다. 이 출력단자(17)의 바깥쪽 단자(112)는 저항(R12)를 거쳐 접지되어 있다. 또 상기한 저항(R11)과 트랜지스터(Q2)의 베이스와의 접속점은 저항(R13)을 거쳐서 접지되어 있다.Further, the connection point of the base of the emitter and the transistor (Q 6) of the electrical transistor (Q 5) is via the resistance (R 3) connected to the base of the NPN-type transistor (Q 9) of the. The emitter of the transistor Q 3 is connected to the base of the transistor Q 2 constituting the
한편, 전기한 트랜지스터(Q7)의 에미터와 트랜지스터(Q8)의 베이스와의 접속점은 저항(R14)를 거쳐서 NPN형의 트랜지스터(Q10)의 베이스에 접속되어 있다. 이 트랜지스터(Q10)의 에미터는 저항(R15)를 거쳐서 전기한 전원단자(13)에 접속되어 있다.On the other hand, the connection point between the emitter of the transistor Q 7 and the base of the transistor Q 8 is connected to the base of the NPN transistor Q 10 via the resistor R 14 . The emitter of this transistor Q 10 is connected to the
그리고, 상기한 저항(R9), (R10), (R14), (R14), (R15) 및 트랜지스터(Q9), (Q10)로서된 회로가 전기한 출력회로(16)의 각 트랜지스터(Q9), (Q8)의 동작전류를 각별히 검출하는 검출회로(18)을 구성하는 것이다.In addition, the resistance (R 9), (R 10 ), (R 14), (R 14), (R 15) and a transistor (Q 9), (Q 10 ) of the circuit is an output circuit (16 Electric as ) to the configuration of each transistor (Q 9), the detection circuit 18 for detecting an extreme operating current (Q 8).
여기서, 전기한 트랜지스터(Q9)의 콜렉터는 PNP형의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터에 접속됨과 함께, NPN형의 트랜지스터(Q12)의 베이스에 접속되어 있다. 또, 이 트랜지스터(Q11)의 베이스는 트랜지스터(Q12)의 베이스에 접속되어 있으며, 그 트랜지스터(Q11)의 에미터와 트랜지스터(Q12)의 콜렉터는 함께 전기한 전원단자(12)에 접속되어 있다.Here, the collector of the transistor Q 9 described above is connected to the collector of the PNP transistor Q 11 and to the base of the NPN transistor Q 12 . The base of the transistor (Q 11) is connected to the base of the transistor (Q 12), to the transistor a
그리고, 상기한 트랜지스터(Q12)의 에미터는 전기한 트랜지스터(Q10)의 콜렉터에 접속됨과 함께 PNP형의 트랜지스터(Q13)의 베이스에 접속되어 있다. 이 트랜지스터(Q13)의 에미터는 NPN형의 트랜지스터(Q14)의에미터에 접속되며, 그 트랜지스터(Q14)의 베이스는 콜렉터와 함께 전기한 전원단자(12)에 접속되어 있다.The emitter of the transistor Q 12 described above is connected to the collector of the transistor Q 10 described above, and connected to the base of the transistor Q 13 of the PNP type. It is connected to a meter of the transistor emitter NPN-type transistor (Q 14) the emitter of the (Q 13), the base of the transistor (Q 14) is connected to a
또, 상기한 트랜지스터(Q13)의 콜렉터는 전기한 전치 증폭회로(14)를 구성하는 저항(R3), (R4)와 저항(R5)와의 접속점에 접속되어 있다.The collector of the above-described transistor Q 13 is connected to a connection point between the resistors R 3 , R 4 and the resistor R 5 constituting the
그리고, 상기한 트랜지스터(Q11)내지 (Q14)로서된 회로가 전기한 검출회로(18)의 트랜지스터(Q9)과 (Q18)로 부터의 출력을 합성하여 후술하는 관계를 만들고, 전기한 전치 증폭회로(14)으로 귀환하는 연산 귀환회로(16)를 구성하는 것이다.Then, the circuits as the transistors Q 11 to Q 14 described above synthesize the outputs from the transistors Q 9 and Q 18 of the detection circuit 18 described above to form a relationship described below. The arithmetic feedback circuit 16 which feeds back to the
상기한 바와 같은 구성으로 된 전력 증폭회로에 있어서 그 전체적인 동작에 관해서 간단히 설명하면 다음과 같다.The overall operation of the power amplifier circuit having the above configuration will be briefly described as follows.
먼저 입력단자(11)에 예를들면 접지전위를 기준으로 하여 정(正)의 반사이클 및 부의 반사이클을 교대로 반복하는 정현파의 피전력 증폭회로가 공급되었다고 한다. 그렇게 되면, 그 피전력 증폭 신호는 콘덴서(C1) 및 저항(R1)로서된 시정수 회로를 거쳐서 전치증폭회로(14)의 트랜지스터(Q1)에 공급된다. 여기서, 트랜지스터(Q1), (Q2)는 에미터 공통이므로 차동증폭기로서 동작하고, 그 각 콜렉터로부터는 상기한 피전력 증폭신호의 부의 반사이클 및 정의 반사이클이 각각 증폭되어 드라이브 회로(15)의 트랜지스터(Q3), (Q4)에 출력된다. 그렇게 되면, 트랜지스터(Q3), (Q4)의 콜렉터에는 상기한 트랜지스터(Q1), (Q2)의 콜렉터 출력에 따른 전류, 즉 상기한 피전력 증폭신호의 부의 반사이클 및 정의 반사이클에 대응한 증폭전류가 출력된다. 그리고, 이 드라이브회로(15)의 각 트랜지스터(Q3), (Q4)의 콜렉터 출력은 출력회로(16)을 구성하는 트랜지스터(Q5), (Q7)에 각각 공급된다. 이로 인하여, 상기한 트랜지스터(Q5), (Q7)과 각각 다아링튼(darlington) 접속되는 트랜지속터(Q6), (Q8)의 콜렉터에는, 상기한 피전력 증폭신호의 부의 반사이클 및 정의 반사이클에 대응한 증폭 전류가 흐르며 출력단자(17)에서 출력된다. 즉, 출력회로(16)은 피전력 증폭회로의 정 및 부의 반사이클을 각각 증폭하는 푸시풀 구성으로 이뤄지고 있다.First, it is assumed that the input terminal 11 is supplied with a sinusoidal power amplifier circuit which alternately repeats a positive half cycle and a negative half cycle based on the ground potential, for example. Then, the power amplified signal is supplied to the transistor Q 1 of the
여기서, 상기한 출력회로(16)의 트랜지스터(Q6), (Q8)의 베이스 전류 즉 동작전류는, 저항(R9), (R1Δ)를 각각 거쳐서 검출회로(18)의 트랜지스터(Q9), (Q10)에 각각 공급된다. 그리고 이 트랜지스터(Q9), (Q10)의 콜렉터 출력전류는 연산귀환회로(19)로서 합성되며, 그 합성 전류가 트랜지스터(Q13)의 콜렉터에서 출력되며 전기한 전치 증폭회로(14)에 귀환되는 것이다.Here, the base currents of the transistors Q 6 and Q 8 of the output circuit 16, that is, the operating current, pass through the resistors R 9 and R 1Δ , respectively. 9 ) and (Q 10 ), respectively. The collector output currents of the transistors Q 9 and Q 10 are synthesized as the operational feedback circuit 19, and the synthesized current is output from the collector of the transistor Q 13 and supplied to the
여기에 있어서 전기한 출력회로(16)의 트랜지스터(Q6), (Q8) 및 검출회로(18)의 트랜지스터(Q9), (Q10) 및 연산귀환회로(19)의 트랜지스터(Q13)의 각 콜렉터-에미터간 전류를 (I1)내지 (I4) 및 (IF)로 하고, 트랜지스터(Q11)과 (Q13) 및 트랜지스터(Q12)와 (Q14)의 에미터 면적비를 각각 (K1)(K2)로 하고, 트랜지스터(Q6), (Q8)와 트랜지스터(Q9), (Q10)과의 에미터 면적비를(N)으로 한다.Here, the transistors Q 6 and Q 8 of the output circuit 16 and the transistors Q 9 and Q 10 of the detection circuit 18 and the transistor Q 13 of the operation feedback circuit 19 described above. Emitters of transistors Q 11 and (Q 13 ) and transistors Q 12 and (Q 14 ), with the current between each collector-emitter of () being (I 1 ) to (I 4 ) and (I F ). Let area ratios be K 1 and K 2 , and emitter area ratios of transistors Q 6 , Q 8 , transistors Q 9 , and Q 10 be N.
그렇게하면, 상기한 각 트랜지스터(Q6), (Q8), (Q9), (Q10), (Q13)의 전류(I1) 내지 (I4) 및 (IF)는 다음과 같은 관계로 되어져 있다.In doing so, the currents I 1 to I 4 and I F of the transistors Q 6 , Q 8 , Q 9 , Q 10 , and Q 13 described above are as follows. It is in the same relationship.
……① … … ①
,……② , … … ②
그리고 상기한 트랜지스터(Q13)의 콜렉터전류 IF를 전치 증폭회로(14)로 귀환하므로서 상기한 (IF)를 대략 일정하게 유지하도록 되어져 있다. 이로 인하여, 검출회로(18)의 트랜지스터(Q9), (Q10)에 의해서 겉보기상출력회로(16)의 트랜지스터(Q6), (Q8)가 제어되는 형태로 되며 그 트랜지스터(Q6), (Q8)의 아이들 전류도 일정치로 된다.The collector current I F of the transistor Q 13 is returned to the
다음에 본 발명의 특징으로 되는 저항(R9), (R10) 및(R14), (R15)의 작용에 관해서 상세히 설명하면 다음과 같다. 먼저 상기한 트랜지스터(Q9), (Q10)의 전류(I3), (I4)와 출력단자(17)로 부터의 출력전압와의 관계를 제2(a)도에 나타내겠다. 즉, 제2(a)도에 있어서 곡선(A)는 트랜지스터(Q9)의 전류(I3), 곡선(B)는 트랜지스터(Q10)의 전류(I4) 1점 쇄선으로 나타낸 직선(C)는 트랜지스터(Q6), (Q8)의 아이들 전류를 나타낸 것이다.Next, the operations of the resistors R 9 , R 10 , and R 14 and R 15 which are the features of the present invention will be described in detail. First, the relationship between the currents I 3 and I 4 of the transistors Q 9 and Q 10 and the output voltage from the output terminal 17 will be shown in FIG. 2 (a). That is, in FIG. 2 (a), the curve A is the current I 3 of the transistor Q 9 , and the curve B is the straight line indicated by the dashed-dotted line indicated by the current I 4 of the transistor Q 10 . C) represents the idle currents of the transistors Q 6 and Q 8 .
여기서 앞서 설명한 바와 같이 출력회로(16)의 각 트랜지스터(Q6), (Q8)의 출력전류(I1), (I2)와 검출회로(18)의 각 트랜지스터(Q9), (Q10)의 출력전류(I3), (I4)와의 관계는 이상적인 상태에서는 ②식과 같이 되어야 하겠는데, 실제로는 대전류 영역에서는 트랜지스터(Q6)의 갖는 기생(奇生) 베이스나 에미터 저항등의 기생 저항치가 영향되어 온다. 이로 인하여, 전기한 저항(R9), (R10) 및 (R14), (R15)가 없을 경우에는 출력회로(16)의 각 트랜지스터(Q6), (Q8)의 베이스-에미터간 전압은 전류치(I1). (I2)의 자연대수 특성상에 있어서의 비례 관계보다 차이를 발생한다. 그런데, 트랜지스터(Q9), (Q10)은 소전류 영역에서 동작하므로 그 출력에는 상기한 차이가 포함되지 않으며 정확하게 트랜지스터(Q6), (Q8)의 동작전류를 검출할 수가 없다. 즉, 결과적으로 전기한 ①식의 관계를 만족하지 않게 된다고 하는 문제가 생기며 안정된 귀환전류(IF)가 얻어지지 않으며 트랜지스터(Q6), (Q8)의 아이들 전류가 안정되지 않는다고 하는 문제가 있었다.Here, as described above, the output currents I 1 and I 2 of the transistors Q 6 and Q 8 of the output circuit 16 and the transistors Q 9 and Q of the detection circuit 18, respectively. The relation between the output currents I 3 and I 4 in the ideal state should be as shown in Equation ( 2 ) in the ideal state. In reality, the parasitic base and emitter resistance of the transistor (Q 6 ) in the large current region Parasitic resistance is affected. As a result, in the absence of the resistors R 9 , R 10 , R 14 , and R 15 , the base-emit of each transistor Q 6 , Q 8 of the output circuit 16 is absent. The intervoltage is the current value (I 1 ). The difference occurs more than the proportional relationship in the natural logarithm characteristic of (I 2 ). However, since the transistors Q 9 and Q 10 operate in the low current region, their outputs do not include the above difference and cannot accurately detect the operating currents of the transistors Q 6 and Q 8 . That is, as a result, there arises a problem that the relation of the above equation (1) is not satisfied, a stable feedback current (I F ) is not obtained, and a problem that the idle current of transistors (Q 6 ) and (Q 8 ) is not stable. there was.
제2(a)도에 있어서 점선으로 나타낸 곡선(D), (E)가 전기한 저항(R9), (R12) 및 (R14), (R15)가 없을 때의 트랜지스터(Q9), (Q10)의 출력전류(I3'), (I4')를 나타내는 것이다.Transistors Q 9 when there are no resistors R 9 , R 12 , and R 14 , R 15 , which the curves D and E indicated by dotted lines in FIG. ), And output currents I 3 ′ and (I 4 ′) of (Q 10 ).
이로 인하여, 상기한 출력회로(16)의 트랜지스터(Q6)의 기생저항치의 N배(단, N은 트랜지스터(Q6), (Q9)과 트랜지스터(Q9), (Q10)과의 에미터 면적비)의 저항치를 갖는 저항을 검출회로(18)의 트랜지스터(Q9), (Q10)에접속하면 트랜지스터(Q9), (Q10)의 출력에는 트랜지스터(Q6), (Q8)의 동작전류를 정확하게 검출한 전류(I3), (I4)가 발생하는 것으로 된다. 그리고, 이를 위한 저항이 상기한 저항(R9), (R10) 및 (R14), (R15)이며, 이 저항(R9), (R10) 및 (R14), (R15)를 부가하므로서 바꿔 말하면 전기한 ①, ②식의 관계를 소전류 및 대전류 영역 함께 만족시키며, 늘 안정된 귀환전류(IF)를 얻어서 아이들 전류를 안정된게 유지할 수 있는 것이다.For this reason, N times the parasitic resistance value of the transistor Q 6 of the output circuit 16 (where N is the transistors Q 6 , Q 9 , and the transistors Q 9 , Q 10 ). emitter when connected to the transistor (Q 9), (Q 10 ) of the area ratio) detection circuit 18, a resistor having a resistance value of the transistor (Q 9), the output of the (Q 10) of a transistor (Q 6), (Q 8 ), the currents I 3 and I 4 that accurately detect the operating current are generated. And, the resistance for this is the resistance (R 9 ), (R 10 ) and (R 14 ), (R 15 ), the resistance (R 9 ), (R 10 ) and (R 14 ), (R 15) In other words, it satisfies the relationship of the
그리고, 상기한 저항(R9), (R14)에 관해서는 그 효과가 트랜지스터(Q9), (Q10)의 전류증폭율 β분의 1로 감해지므로 없더라도 좋고, 그분 만큼 저항(R10), (R15)의 저항치를 크게 하여도 좋다.In addition, the resistance (R 9), (R 14 ) has the effect transistor (Q 9), it may even so subtracted by a factor of the current amplification factor β minutes (Q 10) when it comes to, as long as he resistor (R 10 ) And (R 15 ) may be increased.
또, 상기한 바와 같은 구성의 전력 증폭회로에서는 출력회로(16)의 트랜지스터(Q6), (Q8)중 어느 쪽이든 한쪽의 트랜지스터(Q6) 또는 (Q8)의 출력전류(I1) 또는 (I2)가 예를들면 100배로 되면, 다른쪽의 트랜지스터 (Q8) 또는 (Q6)의 출력전류(I2) 또는 (I1)은 1/100배로 된다. 여기서, 작은 쪽의 전류치(I2) 또는 (I1)은 가능한한 큰쪽이 노칭(noching) 비툴어짐이나 크로스오우버 비툴림 등을 감소시키는데 유리함과 함께, 다음에 증가할 경우의 입상(立上)을 좋게하는데 형편이 좋다.In addition, the output current (I 1) of the power amplifier circuit configured as described above, the output circuit 16, the transistor (Q 6), either the transistor (Q 6) of one of the (Q 8) or (Q 8) of Or if (I 2 ) becomes 100 times, for example, the output current (I 2 ) or (I 1 ) of the other transistor (Q 8 ) or (Q 6 ) becomes 1/100 times. Here, the smaller current value (I 2 ) or (I 1 ) is as large as possible, which is advantageous in reducing notching distortion or crossover distortion. ) Is good, but good.
이를 위해서는 상기한 저항(R9), (R10) 및 (R14), (R15)의 저항치를 출력회로(16)의 트랜지스터(Q6)의 기생저항치의 N배(단, N은 트랜지스터(Q6), (Q8)과 트랜지스터(Q9), (Q10)과의 에미터 면적비) 이상의 저항치를 갖도록 설정하면 된다.For this purpose, the resistance values of the resistors R 9 , R 10 , R 14 , and R 15 are N times the parasitic resistance of the transistor Q 6 of the output circuit 16 (where N is a transistor). It may be set (Q 6), (Q 8 ) and the transistor (Q 9), so as to have a resistance value over the emitter area ratio of the (Q 10)).
즉 ①, ②에서 알 수 있듯이 (IF)가 일정하게 되어 있으므로, 큰 전류가 흐르고 있는 쪽의 트랜지스터(Q6)또는(Q8)의 동작전류를 검출하는 쪽의 트랜지스터(Q9) 또는 (Q10)의 출력전류(I3) 또는 (I4)는, 그 트랜지스터(Q9) 또는 (Q10)의 베이스-에미터회로 중의 저항(R9), (R10) 또는 (R14), (R15)에 의해서 1/N보다 작게 되어지며, 이분 만큼 작은 전류가 흐르고 있는 쪽의 트랜지스터(Q8) 또는 (Q6)의 동작 전류가 크게 되기 때문이다.That is, as (1, 2) shows that (I F ) is constant, the transistor (Q 9 ) or (on the side detecting the operating current of the transistor (Q 6 ) or (Q 8 ) on the side where a large current flows. output current (I 3) of the Q 10) or (I 4) is the transistor (Q 9) or the base of (Q 10) - resistance of the emitter circuit (R 9), (R 10 ) , or (R 14) This is because it is smaller than 1 / N by (R 15 ), and the operating current of the transistor Q 8 or Q 6 on which the current as small as two minutes flows becomes large.
여기서, 이때의 트랜지스터(Q9), (Q10)의 전류(I3), (I4)와 출력단자(17)로 부터의 출력전압 V와의 관계를 제2(b)도에 나타냄, 즉 제2(b)도에 있어서, 곡선 (F)는 트랜지스터(Q9)의 전류(I3), 곡선(G)는 트랜지스터(Q10)의 전류(I4)를 나타낸 것으로서, 점선으로 나타낸 선(H), (J)가 전기한 저항(R9), (R10) 및 (R14), (R15)가 없을 때의 트랜지스터(Q9), (Q10)의 출력전류(I3''), (I4',)를 나타낸 것이다. 즉 제2(b)도에서 알 수 있듯이 저항(R9), (R10), 및 (R14), (R15)가 없을 때에 비하여, 트랜지스터(Q9), (Q10) 중 큰 전류가 흐르고 있는 쪽의 트랜지스터(Q9) 또는 (Q10)의 출력전류(I3) 또는 (I4)가 감소된 분만큼, 작은 전류가 흐르고 있는 쪽의 트랜지스터(Q10) 또는(Q9)의 출력전류(I4) 또는 (I3)이 증가하고 있다.Here, the relationship between the currents I 3 and I 4 of the transistors Q 9 and Q 10 at this time and the output voltage V from the output terminal 17 is shown in FIG. In FIG. 2 (b), the curve F shows the current I 3 of the transistor Q 9 , and the curve G shows the current I 4 of the transistor Q 10 , which is indicated by a dotted line. Output current (I 3 ) of transistors (Q 9 ) and (Q 10 ) in the absence of resistors (R 9 ), (R 10 ), and (R 14 ), (R 15 ), which are energized by (H), (J) ''), (I 4 ',). That is, as shown in FIG. 2 (b), the larger current among the transistors Q 9 and Q 10 compared to the absence of the resistors R 9 , R 10 , and R 14 , R 15 . Transistor Q 10 or Q 9 on the side through which a small current flows by the amount that the output current I 3 or I 4 of the transistor Q 9 or Q 10 on the side through which the current flows decreases. The output current (I 4 ) or (I 3 ) of is increasing.
그리고, 전기한 출력회로(16)의 각 트랜지스터(Q6), (Q8) 및 검출회로(18)의 각 트랜지스터(Q9), (Q10)의 출력전류(I1) 내지 (I4)를, 전기한 저항(R9), (R10) 및 (R14), (R15)를 부가한 경우와 부가하지 않은 경우로 나누어서 구체적인 데이터를 나타내면 다음 표와 같이 된다.The output currents I 1 to I 4 of the transistors Q 6 and Q 8 of the output circuit 16 and the transistors Q 9 and Q 10 of the detection circuit 18 are described. ) Is divided into the case of adding the resistors (R 9 ), (R 10 ), (R 14 ), and (R 15 ), and the case where no addition is made.
단, 상기표는 N=100, R9, R14=0[Ω], R10, R15=100[Ω], 트랜지스터(Q9)의 콜렉터아이들 전류=10[mA]로서 트랜지스터(Q6)의 출력전류=1[A]의 경우를 나타낸 것이다.However, the table is N = 100, R 9, R 14 = 0 [Ω], R 10,
따라서 작은 전류가 흐르는 쪽의 트랜지스터(Q10)의 전류치(I4)를 저항(R14), (R15)가 없는 경우에 비해서 약 13배 증가시킬 수 있다.Therefore, the current value I 4 of the transistor Q 10 on the side where the small current flows can be increased by about 13 times as compared with the case where there are no resistors R 14 and R 15 .
그리고, 제1도에 나타낸 회로에 있어서, 연산귀환회로(19)의 트랜지스터(Q13)의 콜렉터와 전기한 전치증폭회로(14)와를 접속하는 궤환 라인을 도시치 않은 콘덴서를 개재시켜 접지하여도 된다.And, even if the first degree in the circuit shown in Fig., A collector and an electric displacement of the transistor (Q 13) of the operational feedback circuit (19) by interposing the
즉, 상기한 궤환 라인은 교류적으로 접지쪽으로 바이패스하거나 하지 않더라도 된다.In other words, the feedback line may not be bypassed to the ground in an alternating manner.
또, 상기한 실시예에 의하면 출력회로(16)의 동극성의 NPN형의 트랜지스터(Q6), (Q8)로서 구성되므로 대전류 용량을 얻을 수가 있으며, 집적회로(IC)화 대단히 알맞다.In addition, according to the embodiment described above, since the output circuit 16 is constituted as the same-polar NPN transistors Q 6 and Q 8 , a large current capacity can be obtained, which makes the integrated circuit IC highly suitable.
제3도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 것으로서, 입력단자(21), (22)에 예를들면 정현파상의 피전력 증폭신호의 정밀부의 반사이클이 각각 공급되었다고 한다. 그렇게 되면 상기한 피전력 증폭신호는 PNP형의 트랜지스터(Q21), (Q22)를 에미터 공통 접속하여 차동 증폭회로 구성으로 되어진 드라이브회로(23)에 공급된다. 그리고, 상기한 트랜지스터(Q21), (Q22)의 콜렉터에는 상기한 피전력 증폭신호의 부의 반 사이클 및 정의 반사이클에 대응한 증폭전류가 출력된다. 여기서, 상기한 드라이브 회로(23)의 각 트랜지스터(Q21), (Q22)의 콜렉터 출력은, 푸시풀 구성으로 되어진 출력회로(24)의 트랜지스터(Q23), (Q24)에 공급된다. 이로 인하여, 트랜지스터(Q23), (Q24)에는 상기한 피전력 증폭신호의 부의 반사이클 및 정의 반사이클에 대용한증폭전류가 흐르며, 출력단자(25)에서 출력된다.FIG. 3 shows another embodiment of the present invention, in which half cycles of the precision portion of the power amplified signal on the sine wave are supplied to the
여기서, 상기한 출력회로(24)의 트랜지스터(Q23), (Q24)의 베이스전류 즉 동작전류는 검출회로(26)을 구성하는 트랜지스터(Q25), (Q26)의 베이스에 각각 공급된다. 그리고, 이 트랜지스터(Q25), (Q26)의 출력전류는 연산궤환회로(27)을 구성하는 트랜지스터(Q27)의 베이스에 합성되어 공급되며, 그 트랜지스터(Q17)의 콜렉터에서 트랜지스터(Q28), (Q29)로서 된 전치증폭회로(28)에 귀환된다.Here, the base currents of the transistors Q 23 and Q 24 of the
여기서, 상기 궤환전류(IF)와 검출회로(26)의 트랜지스터(Q25), (Q26)의 출력전류(I5), (I6)란, 앞에서 설명한 바와같이 다음식의 관계를 만족시키고 있다.Here, the feedback current I F and the output currents I 5 and I 6 of the transistors Q 25 and Q 26 of the detection circuit 26 satisfy the following equation as described above. I'm making it.
그리고, 제3도에 나타낸 회로에서는, 검출회로(26)의 트랜지스터(Q26)의 에미터에 접속되어 있는 저항(R21)이 제1도에 나타낸 저항(R14), (R15)와 같은 작용을 하는 것이다. 또 트랜지스터(Q25)에는 제1도에 나타낸 저항(R9), (R10)에 대응하는 저항이 접속되어 있지 않다. 이로 인하여, 제3도에 나타낸 회로는 출력단자(25)로 부터의 출력전압 V의 정의쪽에 있어서만이 전기한 실시예와 같은 효과가 얻어지는 것으로서, 전력 증폭회로의 출력의 사용목적에 따라서 이와 같은 회로구성으로 할 수도 있다.In the circuit shown in FIG. 3, the resistor R 21 connected to the emitter of the transistor Q 26 of the detection circuit 26 is connected to the resistors R 14 and R 15 shown in FIG. 1. It does the same thing. In addition, the resistors corresponding to the resistors R 9 and R 10 shown in FIG. 1 are not connected to the transistor Q 25 . For this reason, the circuit shown in FIG. 3 has the same effect as the embodiment described above only in terms of the definition of the output voltage V from the
그리고, 연산궤환회로(27)의 트랜지스터(Q27)과 전치 증폭회로(28)과를 접속하는 궤환라인을 도시치않은 콘덴서를 개재시켜 접지하여도 된다. 즉, 상기한 궤화라인은 교류적으로 접지쪽으로 바이패스하거나 하지 않아도 되는 것이다.The feedback line connecting the transistor Q 27 and the
또, 재차 제1도에 나타낸 회로에 있어서 저항(R9), (R10) 및 (R14), (R15)에 대신하여 트랜지스터(Q10)와 콜렉더와 트랜지스터(Q13)의 베이스와의 사이 및 트랜지스터(Q13)의 에미터와 전원단자(12)와의 사이에 도시치 않는 저항을 직열로 접속하도록 하여도 상기한 실시예와 같은 효과를 얻을수 있다.In the circuit shown in FIG. 1 again, instead of the resistors R 9 , R 10 , R 14 , and R 15 , the base of the transistor Q 10 , the collector, and the transistor Q 13 is used. The same effect as in the above-described embodiment can be obtained by connecting a resistor (not shown) in series with the emitter of the transistor Q 13 and the
이런 경우에는, 트랜지스터(Q13)으로 부터의 출력전류는 엄밀하게 로는로는 되지 않으며, 상기한 삽입저항에 의한 부귀환으로 인하여보다 작아진다. 따라서, 출력증폭이 크지며, (I3) 또는 (I4)의 한쪽이 크게 되더라도, 다른 쪽은 그다지 작아지지 않으며, 트랜지스터(Q9), (Q10)의 에미터에 저항을 사용한 것과 같은 효과가 얻어진다. 이때의(I3), (I4)는 제4도와 같이되며,의 값은 진폭과 함께 크게된다.In this case, the output current from transistor Q 13 is strictly Because of the negative feedback caused by the insertion resistance Becomes smaller. Therefore, if the output amplification becomes large and one side of (I 3 ) or (I 4 ) becomes large, the other side is not so small, and the same as using a resistor on the emitters of transistors Q 9 and Q 10 . Effect is obtained. At this time, (I 3 ), (I 4 ) are as shown in FIG. The value of becomes larger along with the amplitude.
제5도는 본 발명의 변형예를 나타낸 것으로서, 출력용 트랜지스터(Q31), (Q32)의 출력전류를 다이오드(D11), (D12)로서 검출하고, 이 검출전류를 트랜지스터(Q33), (Q34)저항(R31), (R32) 및 다이오우드(D13), (D14)로서된 연산귀환회로(31)을 거쳐서, 트랜지스터(Q35), (Q36)로서된 전치증폭회로(32)에 궤환하는 것이다. 그리고, 도면중(Q37), (Q38)은 캐스코우드. 버퍼(cascode·buffer) 트랜지스터이다.5 shows a modified example of the present invention, in which the output currents of the output transistors Q 31 and Q 32 are detected as diodes D 11 and D 12 , and this detection current is detected by the transistors Q 33 . Transposed as transistors Q 35 and Q 36 , via a Q 34 resistor R 31 , R 32 and an
따라서, 이와같은 구성으로 하여도 상기한 실시예와 같은 효과를 얻을 수가 있다.Therefore, even with such a configuration, the same effects as in the above embodiment can be obtained.
그리고, 본 발명은 상기한 각 실시예에 한정되는 것은 아니며, 그밖에 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지로 변형하여 실수 할 수 있다.Incidentally, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit and scope of the invention.
따라서 이상과 같이 상세하게 설명한 바대로 본 발명에 의하면, 아이들 전류의 설정이 용이하며 대출력을 얻을수 있고 더욱이 안정 또한 확실히 동작할 수 있음과 함께 집적회로(IC)화에 잘 알맞는 매우 양호한 전력 증폭회로를 제공할 수 있다.Therefore, as described in detail above, according to the present invention, it is possible to easily set the idle current, obtain a large output, and also operate stably and reliably, and very good power amplification suitable for integrated circuit (IC). A circuit can be provided.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019800001509A KR830001978B1 (en) | 1980-04-11 | 1980-04-11 | Power amplification circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019800001509A KR830001978B1 (en) | 1980-04-11 | 1980-04-11 | Power amplification circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR830003972A KR830003972A (en) | 1983-06-30 |
KR830001978B1 true KR830001978B1 (en) | 1983-09-29 |
Family
ID=19216220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019800001509A Expired KR830001978B1 (en) | 1980-04-11 | 1980-04-11 | Power amplification circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR830001978B1 (en) |
-
1980
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR830003972A (en) | 1983-06-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
PG1605 | Publication of application before grant of patent |
St.27 status event code: A-2-2-Q10-Q13-nap-PG1605 |
|
R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 Fee payment year number: 6 Fee payment year number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 |
|
PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 19900930 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 19900930 |
|
P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |