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KR20220044319A - 기판 처리 장치, 노즐 검사 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 노즐 검사 방법 및 기억 매체 Download PDF

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KR20220044319A
KR20220044319A KR1020227007252A KR20227007252A KR20220044319A KR 20220044319 A KR20220044319 A KR 20220044319A KR 1020227007252 A KR1020227007252 A KR 1020227007252A KR 20227007252 A KR20227007252 A KR 20227007252A KR 20220044319 A KR20220044319 A KR 20220044319A
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KR
South Korea
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liquid nozzle
discharge port
image
liquid
nozzle
Prior art date
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Pending
Application number
KR1020227007252A
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English (en)
Inventor
게이시 하마다
히로키 다다토모
유이치로 구누기모토
다카후미 하야마
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20220044319A publication Critical patent/KR20220044319A/ko
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Abstract

기판 처리 장치는, 하방의 기판에 대하여 토출구로부터 처리액을 토출하는 액 노즐과, 액 노즐의 토출구의 근방에 관한 전체 둘레를 촬상하는 촬상부와, 제어부를 구비하고, 제어부는, 촬상부에 있어서 촬상된 액 노즐의 토출구 근방에 관한 전체 둘레에 관한 검사 화상을 취득하는 화상 취득 제어와, 액 노즐의 토출구 근방에 관한 전체 둘레의 검사 화상으로부터, 액 노즐의 토출구에 대한 부착물의 부착 상태의 평가를 행하는 평가 제어를 실행한다.

Description

기판 처리 장치, 노즐 검사 방법 및 기억 매체
본 개시는, 기판 처리 장치, 노즐 검사 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
특허문헌 1에서는, 기판 처리 장치에 있어서 처리액을 공급하는 액 노즐의 토출구 부분을 촬상하고, 이물의 상태에 따라서 이상의 판정을 행하는 구성이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2015-153913호 공보
본 개시는, 노즐의 토출구 부근에 있어서의 부착물의 부착 상태를 보다 적절하게 평가하는 것이 가능한 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 하방의 기판에 대하여 토출구로부터 처리액을 토출하는 액 노즐과, 상기 액 노즐의 상기 토출구의 근방에 관한 전체 둘레를 촬상하는 촬상부와, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 촬상부에 있어서 촬상된 상기 액 노즐의 토출구의 근방에 관한 전체 둘레의 검사 화상을 취득하는 화상 취득 제어와, 상기 액 노즐의 토출구 근방에 관한 전체 둘레의 검사 화상으로부터, 상기 액 노즐의 토출구에 대한 부착물의 부착 상태의 평가를 행하는 평가 제어를 실행한다.
본 개시에 의하면, 노즐의 토출구 부근에 있어서의 부착물의 부착 상태를 보다 적절하게 평가하는 것이 가능해진다.
도 1은 하나의 예시적 실시 형태에 관한 도포·현상 시스템을 도시하는 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II선 단면도의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 도 2의 III-III선 단면도의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 기판 처리 장치를 도시하는 단면도의 일례이다.
도 5는 기판 처리 장치의 하드웨어 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 촬상부의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 7은 촬상부의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 8은 촬상부의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 9는 기판 처리 장치에 의한 기판 검사 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 10은 기판 처리 장치에 의한 기판 검사 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 11은 기판 검사 방법에서 사용되는 화상의 일례를 도시하는 도면이다.
도 12는 기판 검사 방법에서 사용되는 화상의 일례를 도시하는 도면이다.
도 13은 기판 처리 장치에 의한 기판 검사 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 14는 기판 검사 방법에서 사용되는 화상의 일례를 도시하는 도면이다.
도 15는 기판 검사 방법에서 사용되는 화상의 일례를 도시하는 도면이다.
도 16은 기판 검사 방법에서 사용되는 화상의 일례를 도시하는 도면이다.
도 17은 기판 세정 방법의 선택에 관한 수순의 일례를 나타내는 흐름도이다.
이하, 다양한 예시적 실시 형태에 대하여 설명한다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판 처리 장치는, 하방의 기판에 대하여 토출구로부터 처리액을 토출하는 액 노즐과, 상기 액 노즐의 상기 토출구의 근방에 관한 전체 둘레를 촬상하는 촬상부와, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 촬상부에 있어서 촬상된 상기 액 노즐의 토출구 근방에 관한 전체 둘레의 검사 화상을 취득하는 화상 취득 제어와, 상기 액 노즐의 토출구 근방에 관한 전체 둘레의 검사 화상으로부터, 상기 액 노즐의 토출구에 대한 부착물의 부착 상태의 평가를 행하는 평가 제어를 실행한다.
상기 기판 처리 장치에 의하면, 액 노즐의 토출구의 근방에 관한 전체 둘레를 촬상한 검사 화상에 기초하여, 액 노즐의 토출구에 대한 부착물의 부착 상태의 평가가 행해진다. 이와 같이, 액 노즐의 토출구의 근방에 관한 전체 둘레를 촬상한 화상에 기초하여 부착물의 부착 상태의 평가가 행해지기 때문에, 부착물이 부착된 상태에서 액 노즐이 동작할 가능성을 저감시킬 수 있다. 따라서, 노즐의 토출구 부근에 있어서의 부착물의 부착 상태를 보다 적절하게 평가할 수 있다.
상기 제어부는, 상기 평가 제어에서의 평가 결과에 기초하여, 상기 액 노즐에 대하여 실행해야 할 동작을 판정하는 판정 제어를 더 실행하는 양태로 해도 된다.
상기와 같이, 제어부가 평가 결과에 기초하여 액 노즐에 대하여 실행해야 할 동작을 판정하는 구성으로 함으로써, 평가 결과에 따라서 적절한 처치를 실시하는 것이 가능해져, 액 노즐의 이상 등을 고려한 적절한 대응을 행할 수 있다.
또한, 상기 제어부는, 상기 평가 제어에 있어서, 상기 평가 제어에 있어서, 상기 검사 화상으로부터 상기 액 노즐에 부착된 부착물의 영역을 추정하고, 상기 추정한 영역의 화소값에 기초하여 상기 액 노즐의 토출구에 대한 부착물의 부착 상태를 평가하고, 상기 판정 제어에 있어서, 상기 평가 결과에 기초하여 상기 액 노즐에 있어서의 이상의 유무를 판정하는 양태로 할 수 있다.
상기와 같이, 검사 화상에 있어서 부착물을 촬상한 영역의 화소값에 기초하여 액 노즐의 토출구에 대한 부착물의 부착 상태를 평가하고, 그 결과로부터 액 노즐에 있어서의 이상의 유무를 판정하는 양태로 한다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 실질적으로 부착물의 부착량에 따라서 이상의 유무를 평가할 수 있어, 부착물의 부착 상태를 보다 적절하게 평가할 수 있다.
상기 제어부는, 상기 평가 제어에 있어서, 상기 검사 화상으로부터 추정된 상기 액 노즐에 부착된 부착물을 촬상한 영역의 외형 또는 크기에 기초하여, 상기 액 노즐에 부착된 부착물이 액체인지 고체인지를 추정하는 양태로 할 수 있다.
상기와 같이, 검사 화상으로부터 추정된 액 노즐에 부착된 부착물이 액체인지 고체인지를 추정함으로써, 액 노즐의 토출구 부근에 있어서의 부착물이 어느 정도 강고하게 부착되어 있는 것인지 등을 평가할 수 있어, 부착 상태를 보다 적절하게 평가할 수 있다.
상기 제어부는, 상기 평가 제어에 있어서, 상기 검사 화상에 기초하여, 상기 액 노즐에 있어서의 부착물의 부착 위치를 추정하는 양태로 할 수 있다.
상기와 같이, 부착물의 부착 위치를 추정함으로써, 당해 부착물이 노즐을 사용한 처리에 어느 정도 영향을 주는지 등을 보다 고정밀도로 평가할 수 있는 것이 가능하다.
상기 제어부는, 상기 판정 제어에 있어서, 상기 액 노즐에 있어서 이상이 있다고 판정한 경우에, 상기 평가 결과에 기초하여, 상기 액 노즐의 세정 방법을 선택하는 양태로 할 수 있다.
상기와 같이, 평가 제어에서의 평가 결과에 기초하여 액 노즐의 세정 방법을 선택하는 구성으로 함으로써, 부착물의 부착 상황에 따른 적절한 세정을 행하는 것이 가능해지기 때문에, 노즐로부터의 부착부의 제거를 적합하게 행할 수 있다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 노즐 검사 방법은, 하방의 기판에 대하여 토출구로부터 처리액을 토출하는 액 노즐을 갖는 기판 처리 장치에 관한 노즐 검사 방법이며, 상기 액 노즐의 상기 토출구의 근방에 관한 전체 둘레를 촬상한 검사 화상을 취득하고, 상기 액 노즐의 상기 토출구의 근방에 관한 전체 둘레의 검사 화상으로부터, 상기 액 노즐의 토출구에 대한 부착물의 부착 상태의 평가를 행한다.
상기 노즐 검사 방법에 의하면, 액 노즐의 토출구의 근방에 관한 전체 둘레를 촬상한 화상에 기초하여 액 노즐의 토출구에 대한 부착물의 부착 상태의 평가가 행해지는, 부착물이 부착된 상태에서 액 노즐이 동작할 가능성을 저감시킬 수 있다. 따라서, 노즐의 토출구 부근에 있어서의 부착물의 부착 상태를 보다 적절하게 평가할 수 있다.
하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체는, 상기 노즐 검사 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 예시적 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일하거나 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것으로 한다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 필요에 따라서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
[도포·현상 장치의 동작]
먼저, 도 1 내지 도 3에 도시된 도포·현상 장치(1)의 구성의 개요에 대하여 설명한다. 도포·현상 장치(1)는, 노광 장치 E1에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(기판) W의 표면 Wa에 레지스트 재료를 도포하여 레지스트막을 형성하는 처리를 행한다. 도포·현상 장치(1)는, 노광 장치 E1에 의한 노광 처리 후에, 웨이퍼 W의 표면 Wa에 형성된 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 본 실시 형태에 있어서, 웨이퍼 W는 원판형을 나타내지만, 원형의 일부가 절결되어 있는 형상이어도 되고, 또한, 다각형 등의 원형 이외의 형상을 나타내는 웨이퍼를 사용해도 된다.
도포·현상 장치(1)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 캐리어 블록 S1과, 처리 블록 S2와, 인터페이스 블록 S3과, 도포·현상 장치(1)의 제어 수단으로서 기능하는 제어 장치 CU와, 제어 장치 CU에 의한 처리 결과를 표시 가능한 표시부 D를 구비한다. 본 실시 형태에 있어서, 캐리어 블록 S1, 처리 블록 S2, 인터페이스 블록 S3 및 노광 장치 E1은, 이 순으로 직렬로 배열되어 있다.
캐리어 블록 S1은, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 캐리어 스테이션(12)과, 반입·반출부(13)를 갖는다. 캐리어 스테이션(12)은, 복수의 캐리어(11)를 지지한다. 캐리어(11)는, 복수매의 웨이퍼 W를 밀봉 상태로 수용한다. 캐리어(11)는, 웨이퍼 W를 출입시키기 위한 개폐 도어(도시하지 않음)를 한쪽의 측면(11a) 측에 갖는다. 캐리어(11)는, 측면(11a)이 반입·반출부(13) 측에 면하도록, 캐리어 스테이션(12) 상에 착탈 가능하게 설치된다.
반입·반출부(13)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 캐리어 스테이션(12) 상의 복수의 캐리어(11)에 각각 대응하는 개폐 도어(13a)를 갖는다. 측면(11a)의 개폐 도어와 반입·반출부(13)의 개폐 도어(13a)가 동시에 개방되면, 캐리어(11) 내와 반입·반출부(13) 내가 연통한다. 반입·반출부(13)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 전달 암 A1을 내장하고 있다. 전달 암 A1은, 캐리어(11)로부터 웨이퍼 W를 취출하여 처리 블록 S2에 건네준다. 전달 암 A1은, 처리 블록 S2로부터 웨이퍼 W를 수취하여 캐리어(11) 내로 되돌린다.
처리 블록 S2는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 캐리어 블록 S1에 인접함과 함께, 캐리어 블록 S1과 접속되어 있다. 처리 블록 S2는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 하층 반사 방지막 형성(BCT) 블록(14)과, 레지스트막 형성(COT) 블록(15)과, 상층 반사 방지막 형성(TCT) 블록(16)과, 현상 처리(DEV) 블록(17)을 갖는다. DEV 블록(17), BCT 블록(14), COT 블록(15) 및 TCT 블록(16)은, 저면측으로부터 이 순으로 나란히 배치되어 있다.
BCT 블록(14)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열·냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛에 웨이퍼 W를 반송하는 반송 암 A2를 내장하고 있다. 도포 유닛은, 반사 방지막 형성용의 약액을 웨이퍼 W의 표면 Wa에 도포한다. 가열·냉각 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼 W를 가열하고, 그 후 예를 들어 냉각판에 의해 웨이퍼 W를 냉각한다. 이렇게 하여, 웨이퍼 W의 표면 Wa 상에 하층 반사 방지막이 형성된다.
COT 블록(15)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열·냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛에 웨이퍼 W를 반송하는 반송 암 A3을 내장하고 있다. 도포 유닛은, 레지스트막 형성용의 약액(레지스트 재료)을 하층 반사 방지막 상에 도포한다. 가열·냉각 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼 W를 가열하고, 그 후 예를 들어 냉각판에 의해 웨이퍼 W를 냉각한다. 이렇게 해서, 웨이퍼 W의 하층 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다. 레지스트 재료는, 포지티브형이어도 되고, 네가티브형이어도 된다.
TCT 블록(16)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열·냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛에 웨이퍼 W를 반송하는 반송 암 A4를 내장하고 있다. 도포 유닛은, 반사 방지막 형성용의 약액을 레지스트막 상에 도포한다. 가열·냉각 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼 W를 가열하고, 그 후 예를 들어 냉각판에 의해 웨이퍼 W를 냉각한다. 이렇게 해서, 웨이퍼 W의 레지스트막 상에 상층 반사 방지막이 형성된다.
DEV 블록(17)은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 현상 처리 유닛(기판 처리 장치) U1과, 복수의 가열·냉각 유닛(열 처리부) U2를 갖는다. 또한, DEV 블록(17)은, 이들 유닛에 웨이퍼 W를 반송하는 반송 암 A5와, 이들 유닛을 거치지 않고 처리 블록 S2의 전후간에서 웨이퍼 W를 반송하는 반송 암 A6을 내장하고 있다.
현상 처리 유닛 U1은, 후술하는 바와 같이, 노광된 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 가열·냉각 유닛 U2는, 예를 들어 열판에 의한 웨이퍼 W의 가열을 통해, 웨이퍼 W 상의 레지스트막을 가열한다. 가열·냉각 유닛 U2는, 가열 후의 웨이퍼 W를 예를 들어 냉각판에 의해 냉각한다. 가열·냉각 유닛 U2는, 포스트 익스포저 베이크(PEB), 포스트 베이크(PB) 등의 가열 처리를 행한다. PEB는, 현상 처리 전에 레지스트막을 가열하는 처리이다. PB는, 현상 처리 후에 레지스트막을 가열하는 처리이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 처리 블록 S2 중 캐리어 블록 S1측에는, 선반 유닛 U10이 마련되어 있다. 선반 유닛 U10은, 복수의 셀 C30 내지 C38을 갖는다. 셀 C30 내지 C38은, DEV 블록(17)과 TCT 블록(16) 사이에 있어서 상하 방향(Z축 방향)으로 나란히 배치되어 있다. 선반 유닛 U10의 근방에는, 승강 암 A7이 마련되어 있다. 승강 암 A7은, 셀 C30 내지 C38 사이에서 웨이퍼 W를 반송한다.
처리 블록 S2 중 인터페이스 블록 S3측에는, 선반 유닛 U11이 마련되어 있다. 선반 유닛 U11은, 복수의 셀 C40 내지 C42를 갖는다. 셀 C40 내지 C42는, DEV 블록(17)에 인접하여, 상하 방향(Z축 방향)으로 나란히 배치되어 있다.
인터페이스 블록 S3은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 처리 블록 S2 및 노광 장치 E1의 사이에 위치함과 함께, 처리 블록 S2 및 노광 장치 E1의 각각에 접속되어 있다. 인터페이스 블록 S3은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 전달 암 A8을 내장하고 있다. 전달 암 A8은, 처리 블록 S2의 선반 유닛 U11로부터 노광 장치 E1에 웨이퍼 W를 건네준다. 전달 암 A8은, 노광 장치 E1로부터 웨이퍼 W를 수취하여, 선반 유닛 U11로 웨이퍼 W를 복귀시킨다.
[제어 장치의 동작]
제어 장치 CU는, 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 예를 들어 제어 장치(100)는, 도 5에 도시된 회로(120)를 갖는다. 회로(120)는, 하나 또는 복수의 프로세서(121)와, 메모리(122)와, 스토리지(123)와, 입출력 포트(124)를 갖는다. 스토리지(123)는, 예를 들어 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체를 갖는다. 기억 매체는, 후술하는 프로세스 처리 수순을 제어 장치 CU에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체는, 불휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의 취출 가능한 매체여도 된다. 메모리(122)는, 스토리지(123)의 기억 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(121)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기억한다. 프로세서(121)는, 메모리(122)와 협동하여 상기 프로그램을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다. 입출력 포트(124)는, 프로세서(121)로부터의 지령에 따라서, 제어 대상의 부재와의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다.
또한, 제어 장치 CU의 하드웨어 구성은, 반드시 프로그램에 의해 각 기능 모듈을 구성하는 것에 한정되지는 않는다. 예를 들어 제어 장치(100)의 각 기능 모듈은, 전용의 논리 회로 또는 이것을 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.
또한, 제어 장치 CU는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기억부 CU1과, 제어부 CU2를 갖는다. 기억부 CU1은, 도포·현상 장치(1)의 각 부나 노광 장치 E1의 각 부를 동작시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 상세하게는 후술하지만, 기억부 CU1은, 각종 데이터(예를 들어, 이물의 크기 데이터, 이물의 위치 데이터)나, 촬상부(26)에 의해 촬상된 촬상 화상도 기억하고 있다. 기억부 CU1은, 예를 들어 반도체 메모리, 광 기록 디스크, 자기 기록 디스크, 광자기 기록 디스크이다. 당해 프로그램은, 기억부 CU1과는 별체의 외부 기억 장치나, 전파 신호 등의 무형의 매체에도 포함될 수 있다. 이들 다른 매체로부터 기억부 CU1에 당해 프로그램을 인스톨하여, 기억부 CU1에 당해 프로그램을 기억시켜도 된다. 제어부 CU2는, 기억부 CU1로부터 판독한 프로그램에 기초하여, 도포·현상 장치(1)의 각 부나 노광 장치 E1의 각 부의 동작을 제어한다.
제어 장치 CU는, 표시부 D와 접속되어 있고, 처리 조건의 설정 화면이나, 도포·현상 장치(1)에 의한 웨이퍼 W의 처리 경과, 처리 결과 등을 표시부 D에 표시시켜도 된다. 도포·현상 장치(1)는, 처리 조건을 작업자가 입력 가능한 입력부(도시하지 않음)를 더 가져도 된다. 이 경우, 제어 장치 CU는, 입력부를 통해 제어 장치 CU에 입력된 조건에 따라서, 도포·현상 장치(1)의 각 부나 노광 장치 E1의 각 부를 동작시켜도 된다. 입력부로서는, 예를 들어 마우스, 터치 패널, 펜 태블릿, 키보드를 들 수 있다.
[도포·현상 장치의 동작]
다음에, 도포·현상 장치(1)의 동작의 개요에 대하여 설명한다. 먼저, 캐리어(11)가 캐리어 스테이션(12)에 설치된다. 이때, 캐리어(11)의 한쪽의 측면(11a)은, 반입·반출부(13)의 개폐 도어(13a)로 향해진다. 계속해서, 캐리어(11)의 개폐 도어와, 반입·반출부(13)의 개폐 도어(13a)가 모두 개방되고, 전달 암 A1에 의해, 캐리어(11) 내의 웨이퍼 W가 취출되어, 처리 블록 S2의 선반 유닛 U10 중 어느 셀에 순차적으로 반송된다.
웨이퍼 W가 전달 암 A1에 의해 선반 유닛 U10 중 어느 셀에 반송된 후, 웨이퍼 W는, 승강 암 A7에 의해, BCT 블록(14)에 대응하는 셀 C33에 순차적으로 반송된다. 셀 C33에 반송된 웨이퍼 W는, 반송 암 A2에 의해 BCT 블록(14) 내의 각 유닛에 반송된다. 반송 암 A2에 의해 웨이퍼 W가 BCT 블록(14) 내에서 반송되는 과정에서, 웨이퍼 W의 표면 Wa 상에 하층 반사 방지막이 형성된다.
하층 반사 방지막이 형성된 웨이퍼 W는, 반송 암 A2에 의해 셀 C33 상의 셀 C34에 반송된다. 셀 C34에 반송된 웨이퍼 W는, 승강 암 A7에 의해, COT 블록(15)에 대응하는 셀 C35에 반송된다. 셀 C35에 반송된 웨이퍼 W는, 반송 암 A3에 의해 COT 블록(15) 내의 각 유닛에 반송된다. 반송 암 A3에 의해 웨이퍼 W가 COT 블록(15) 내에서 반송되는 과정에서, 하층 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다.
레지스트막이 형성된 웨이퍼 W는, 반송 암 A3에 의해 셀 C35 상의 셀 C36에 반송된다. 셀 C36에 반송된 웨이퍼 W는, 승강 암 A7에 의해, TCT 블록(16)에 대응하는 셀 C37에 반송된다. 셀 C37에 반송된 웨이퍼 W는, 반송 암 A4에 의해 TCT 블록(16) 내의 각 유닛에 반송된다. 반송 암 A4에 의해 웨이퍼 W가 TCT 블록(16) 내에서 반송되는 과정에서, 레지스트막 상에 상층 반사 방지막이 형성된다.
상층 반사 방지막이 형성된 웨이퍼 W는, 반송 암 A4에 의해 셀 C37 상의 셀 C38에 반송된다. 셀 C38에 반송된 웨이퍼 W는, 승강 암 A7에 의해 셀 C32에 반송된 후, 반송 암 A6에 의해 선반 유닛 U11의 셀 C42에 반송된다. 셀 C42에 반송된 웨이퍼 W는, 인터페이스 블록 S3의 전달 암 A8에 의해 노광 장치 E1에 건네져, 노광 장치 E1에 있어서 레지스트막의 노광 처리가 행해진다. 노광 처리가 행해진 웨이퍼 W는, 전달 암 A8에 의해 셀 C42 하의 셀 C40, C41에 반송된다.
셀 C40, C41에 반송된 웨이퍼 W는, 반송 암 A5에 의해, DEV 블록(17) 내의 각 유닛에 반송되어, 현상 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 표면 Wa 상에 레지스트 패턴(요철 패턴)이 형성된다. 레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼 W는, 반송 암 A5에 의해 선반 유닛 U10 중 DEV 블록(17)에 대응한 셀 C30, C31에 반송된다. 셀 C30, C31에 반송된 웨이퍼 W는, 승강 암 A7에 의해, 전달 암 A1이 액세스 가능한 셀에 반송되어, 전달 암 A1에 의해, 캐리어(11) 내로 되돌려진다.
상술한 도포·현상 장치(1)의 구성 및 동작은 일례에 지나지 않는다. 도포·현상 장치(1)는, 도포 유닛이나 현상 처리 유닛 등의 액 처리 유닛과, 가열·냉각 유닛 등의 전처리·후처리 유닛과, 반송 장치를 구비하고 있으면 된다. 즉, 이들 각 유닛의 개수, 종류, 레이아웃 등은 적절히 변경 가능하다.
[현상 처리 유닛(기판 처리 장치)]
다음에, 현상 처리 유닛(기판 처리 장치) U1에 대하여, 더욱 상세하게 설명한다. 현상 처리 유닛 U1은, 웨이퍼 W의 표면 Wa에 처리액을 토출하는 토출 처리를, 복수의 웨이퍼 W에 대하여 하나씩 순차적으로 실행한다. 현상 처리 유닛 U1은, 도 4에 도시된 바와 같이, 회전 보유 지지부(20)와, 승강 장치(22)와, 처리액 공급부(24)를 구비한다.
회전 보유 지지부(20)는, 전동 모터 등의 동력원을 내장한 본체부(20a)와, 본체부(20a)로부터 연직 상방으로 연장되는 회전축(20b)과, 회전축(20b)의 선단부에 마련된 척(20c)을 갖는다. 본체부(20a)는, 동력원에 의해 회전축(20b) 및 척(20c)을 회전시킨다. 척(20c)은, 웨이퍼 W의 중심부를 지지하고, 예를 들어 흡착에 의해 웨이퍼 W를 대략 수평으로 보유 지지한다. 즉, 회전 보유 지지부(20)는, 웨이퍼 W의 자세가 대략 수평인 상태에서, 웨이퍼 W의 표면 Wa에 대하여 수직인 중심축(연직축) 주위로 웨이퍼 W를 회전시킨다. 도 4에 도시된 바와 같이, 회전 보유 지지부(20)는, 상방으로부터 보아 예를 들어 정시계 방향으로 웨이퍼 W를 회전시킨다.
승강 장치(22)는, 회전 보유 지지부(20)에 설치되어 있고, 회전 보유 지지부(20)를 승강시킨다. 구체적으로는, 승강 장치(22)는, 반송 암 A5와 척(20c) 사이에서 웨이퍼 W의 전달을 행하기 위한 상승 위치(전달 위치)와, 액 처리를 행하기 위한 하강 위치(현상 위치) 사이에서, 회전 보유 지지부(20)(척(20c))를 승강시킨다.
회전 보유 지지부(20)의 주위에는, 컵(30)이 마련되어 있다. 웨이퍼 W가 회전하면, 웨이퍼 W의 표면 Wa에 공급된 처리액이 주위로 원심 탈액되어 낙하하지만, 컵(30)은, 당해 낙하한 처리액을 받아내는 수용기로서 기능한다. 컵(30)은, 회전 보유 지지부(20)를 둘러싸는 원환 형상의 저판(31)과, 저판(31)의 외연으로부터 연직 상방으로 돌출된 원통형의 외벽(32)과, 저판(31)의 내연으로부터 연직 상방으로 돌출된 원통형의 내벽(33)을 갖는다.
외벽(32)의 전부분은, 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼 W보다도 외측에 위치한다. 외벽(32)의 상단(32a)은, 하강 위치에 있는 회전 보유 지지부(20)에 보유 지지된 웨이퍼 W보다도 상방에 위치한다. 외벽(32)의 상단(32a) 측의 부분은, 상방을 향함에 따라서 내측으로 기운 경사 벽부(32b)가 되어 있다. 내벽(33)의 전부분은, 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 주연보다도 내측에 위치한다. 내벽(33)의 상단(33a)은, 하강 위치에 있는 회전 보유 지지부(20)에 보유 지지된 웨이퍼 W보다도 하방에 위치한다.
내벽(33)과 외벽(32) 사이에는, 저판(31)의 상면으로부터 연직 상방으로 돌출된 칸막이벽(34)이 마련되어 있다. 즉, 칸막이벽(34)은, 내벽(33)을 둘러싸고 있다. 저판(31) 중, 외벽(32)과 칸막이벽(34) 사이의 부분에는, 액체 배출 구멍(31a)이 형성되어 있다. 액체 배출 구멍(31a)에는, 배액관(35)이 접속되어 있다. 저판(31) 중, 칸막이벽(34)과 내벽(33) 사이의 부분에는, 기체 배출 구멍(31b)이 형성되어 있다. 기체 배출 구멍(31b)에는, 배기관(36)이 접속되어 있다.
내벽(33) 상에는, 칸막이벽(34)보다도 외측으로 돌출되는 우산 형상부(37)가 마련되어 있다. 웨이퍼 W 상으로부터 외측으로 원심 탈액되어 낙하한 처리액은, 외벽(32)과 칸막이벽(34) 사이로 유도되어, 액체 배출 구멍(31a)으로부터 배출된다. 칸막이벽(34)과 내벽(33) 사이에는, 처리액으로부터 발생한 가스 등이 진입하고, 당해 가스가 기체 배출 구멍(31b)으로부터 배출된다.
내벽(33)에 둘러싸인 공간의 상부는, 칸막이판(38)에 의해 폐색되어 있다. 회전 보유 지지부(20)의 본체부(20a)는 칸막이판(38)의 하방에 위치한다. 척(20c)은 칸막이판(38)의 상방에 위치한다. 회전축(20b)은 칸막이판(38)의 중심부에 형성된 관통 구멍 내에 삽입 관통되어 있다.
처리액 공급부(24)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 처리액의 공급원(24a)과, 헤드부(24c)와, 이동체(24d)와, 촬상부(26)를 갖는다. 공급원(24a)은, 처리액의 저장 용기, 펌프 및 밸브 등을 갖는다. 처리액은, 예를 들어 세정액(린스액)이나 현상액이다. 세정액은, 예를 들어 순수 또는 DIW(Deionized Water)이다. 헤드부(24c)는, 공급관(24b)을 통해 공급원(24a)에 접속된다. 헤드부(24c)는, 처리액의 공급 시에, 웨이퍼 W의 표면 Wa의 상방에 위치하고 있다. 헤드부(24c)에 마련된 액 노즐 N은, 웨이퍼 W의 표면 Wa를 향하여 하방으로 개구되어 있다. 따라서, 헤드부(24c)는, 제어 장치 CU로부터의 제어 신호를 받아 공급원(24a)으로부터 공급된 처리액을, 액 노즐 N으로부터 웨이퍼 W의 표면 Wa에 토출한다.
이동체(24d)는, 암(24e)을 통해 헤드부(24c)에 접속되어 있다. 이동체(24d)는, 제어 장치 CU로부터의 제어 신호를 받아, 가이드 레일(도시하지 않음) 상을 수평 방향(예를 들어, X축 방향)으로 이동한다. 이에 의해, 헤드부(24c)는, 웨이퍼 W의 표면 Wa에 대하여 액 노즐 N의 토출구 Na로부터 처리액을 토출하는 토출 처리에 있어서, 하강 위치에 있는 웨이퍼 W의 상방이며 또한 웨이퍼 W의 중심축에 직교하는 직선 상을, 웨이퍼 W의 직경 방향을 따라서 수평 방향으로 이동한다. 이동체(24d)는, 제어 장치 CU로부터의 제어 신호를 받아, 암(24e)을 승강시킨다. 이에 의해, 헤드부(24c)는, 상하 방향으로 이동하여, 웨이퍼 W의 표면 Wa에 대하여 근접 또는 이격한다.
촬상부(26)는, 도 4에 도시된 바와 같이 헤드부(24c)의 선단 근방에 마련되어 있고, 헤드부(24c)와 함께 이동한다. 촬상부(26)는, 액 노즐 N의 토출구 Na 부분을 촬상한다. 촬상부(26)에 의해 촬상된 촬상 화상은, 제어 장치 CU의 제어부 CU2에 송신된다. 제어부 CU2는, 수신한 촬상 화상을 화상 처리하여, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 부착물의 유무, 부착물의 양 등에 관한 정보를 취득한다. 본 실시 형태에 있어서의 부착물로서는, 예를 들어 액적, 고형물(처리액이 고화·결정화된 것, 이물) 등을 들 수 있다. 제어부 CU2는, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에서의 부착물의 결과에 기초하여, 액 노즐 N에 관한 이상 판정을 행하고, 이상인 경우에는 액 노즐 N의 세정을 행한다. 또한, 이상이 계속되는 경우 등에는 이상 시의 조치(예를 들어, 경보 출현, 이상 통지 등)를 실시한다.
촬상부(26)는, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에 대하여, 그 전체 둘레를 촬상 가능한 구성으로 되어 있다. 액 노즐 N의 토출구 Na 근방이란, 토출구 Na로부터 토출되는 처리액이 부착될 수 있는 영역이다. 처리액의 토출 속도(단위 시간당의 토출량), 웨이퍼 W의 회전 속도 등에 따라서, 처리액이 부착되는 영역은 변경할 수 있다. 따라서, 통상 동작 시에 처리액이 부착될 수 있는 장소를 토출구 Na 근방으로서 취급할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 토출구 Na의 하단으로부터 0.5㎜ 내지 수㎜ 정도로 된다.
토출구 Na로부터 처리액을 토출할 때, 토출구 Na의 하단부 또는 그 주연에 처리액이 부착되어 잔존하면, 그 후 다시 처리액을 토출할 때 부착물이 토출 초기 단계의 처리액과 함께 웨이퍼 W를 향하여 흐르는 경우가 있다. 웨이퍼 W에 대한 처리액의 공급량이 많은 경우에는, 토출 초기 단계의 처리액은 웨이퍼 W 상으로부터 배출되기 때문에, 부착물도 웨이퍼 W 상으로부터 배출된다. 그러나, 처리액의 공급량이 적은 경우에는 토출 초기 단계의 처리액도 웨이퍼 W 상에 잔존하기 때문에, 부착물의 웨이퍼 W 상에 잔존하게 된다. 이와 같은 경우 부착물이 웨이퍼 W 상에서의 이물이 되어, 기판의 처리 정밀도 등에 영향을 줄 가능성이 있다. 상기와 같은 관점에서, 촬상부(26)는, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에 있어서, 그 전체 둘레를 촬상한다. 또한, 촬상부(26)에서는, 토출구 Na의 근방의 전체 둘레에 있어서의 부착물을 촬상 가능하면 된다. 따라서, 촬상부(26)가 취득하는 화상은, 적어도 토출구 Na 근방의 일부에 있어서 전체 둘레의 화상이 포함되어 있으면 된다. 또한, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 전체 둘레를 촬상한 화상이란, 전체 둘레를 동시에 촬상하고 있지 않아도 되고, 다소의 시간차를 두고 촬상된 복수 매수의 화상을 조합한 것이어도 된다. 상술한 바와 같이, 토출구 Na 근방에 부착되는 부착물은, 주로 액 노즐 N으로부터 토출된 처리액에서 유래되는 것이며, 어느 정도 시간이 지나면 건조·흡습 등에 의해 그 상태가 변화될 수 있다. 촬상부(26)에서는, 상기 부착물의 상태 변화가 일어나지 않는 정도의 시간차를 가진 상태(예를 들어, 수초 내지 수분)에서, 복수 매수의 화상을 촬상함으로써, 전체 둘레의 화상을 취득하는 구성으로 해도 된다.
도 4에서는, 촬상부(26)를 모식적으로 도시하고 있지만, 전체 둘레를 촬상하기 위한 촬상부(26)의 구성은 특별히 한정되지 않는다. 도 6 내지 도 8은, 촬상부(26)의 구성예를 설명하는 도면이다.
도 6의 (a)는 복수의 카메라(27)에 의해 촬상부(26)가 구성되어, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 전체 둘레를 촬상하는 구성을 나타내고 있다. 도 6의 (a)에서는, 3개의 카메라(27)를 배치하고 있는 예를 나타내고 있지만, 촬상부(26)의 수는 특별히 한정되지 않는다. 복수의 촬상부(26)를 서로 다른 방향으로부터 토출구 Na 근방의 전체 둘레를 촬상 가능하도록 배치를 함으로써, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 전체 둘레에 관한 화상을 취득할 수 있다. 3개의 카메라(27)를 배치하는 경우, 예를 들어 평면으로 보아, 인접하는 카메라(27)와 액 노즐 N의 토출구 Na를 연결하는 선과, 자기 카메라와 토출구 Na를 연결하는 선이 이루는 각도가 각각 120°가 되도록 3개의 카메라(27)를 둘레 방향으로 균등하게 배치할 수 있다. 이에 의해, 3개의 카메라(27)에 의해 토출구 Na 근방의 전체 둘레를 균등하게 촬상하는 구성으로 할 수 있다. 또한, 복수의 카메라(27)는 동일한 수평면(XY 평면)에 배치해도 되지만, 예를 들어 상하 방향(Z축 방향)의 높이 위치를 서로 다르게 하여 배치해도 된다. 카메라(27)는, 예를 들어 처리액 공급부(24)에 마련되어 있어도 되고, 컵(30)의 외벽(32) 등에 설치되어 있어도 된다. 즉, 카메라(27)를 현상 처리 유닛 U1의 어느 위치(부재)에 설치할지는 특별히 한정되지 않는다.
도 6의 (b)는 1개의 카메라(27)와 1개의 미러(28)에 의해 촬상부(26)가 구성되어 있는 상태를 나타내고 있다. 이와 같은 구성의 경우, 카메라(27)는, 미러(28)에 비치는 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 상을 촬상한다. 미러(28)는, 예를 들어 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이 토출구 Na의 하방(Z축 부방향)에 배치하고, 카메라(27)의 위치에 따라서 그 반사면의 각도를 조정한다. 한편, 카메라(27)는, 미러(28)의 반사면에 대향하는 배치로 한다. 이에 의해, 카메라(27)에서는, 미러(28)에 있어서 반사된 토출구 Na 근방의 상을 촬상할 수 있다. 또한, 미러(28)를 사용하는 구성으로 함으로써, 카메라(27)로부터는 사각이 되는 측의 토출구 Na 근방도 촬상할 수 있게 되어, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에서의 전체 둘레의 화상을 취득할 수 있다. 또한, 카메라(27) 및 미러(28)의 배치는 적절히 변경할 수 있다.
도 6의 (c)는 1개의 카메라(27)에 의해 촬상부(26)가 구성되어 있는 상태를 나타내고 있다. 카메라(27)는 액 노즐 N의 토출구 Na의 바로 아래(Z축 부방향)에 배치된다. 이와 같은 구성의 경우, 카메라(27)는, 액 노즐 N의 토출구 Na의 하단의 전체 둘레를 한 번에 촬상할 수 있다. 즉, 도 6의 (c)에 도시한 구성의 경우에도, 토출구 Na 근방의 전체 둘레에 관한 촬상을 행할 수 있다. 또한, 도 6 등에 도시한 액 노즐 N과 같이 토출구 Na를 향하여 선단이 가늘어지는 형상의 경우, 도 6의 (c)에 도시한 카메라(27)는 토출구 Na의 하단뿐만 아니라 그 상방의 경사 부분도 촬상하는 것이 가능하다고 할 수 있다. 또한, 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이 카메라(27)를 토출구 Na의 바로 아래에 배치하고, 또한, 미러(28)를 이용하여 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 측면의 상에 대해서도 카메라(27)로 촬상 가능한 구성으로 해도 된다.
도 7은 카메라(27)와 미러(28)의 배치의 일례이며, 헤드부(24c)에 연결되는 암(24e)에 카메라(27)를 설치하고, 액 노즐 N의 하방에 미러(28)를 배치한 예이다. 암(24e)의 높이 위치는 도 4의 구성에 한정되지 않고, 예를 들어 헤드부(24c)의 구성을 변경하는 등 다른 부재의 구성을 변경함으로써, 적절히 변경할 수 있는 것으로 한다. 또한, 미러(28) 대신에, 척(20c)에 보유 지지된 표면이 평탄한 기판(베어 웨이퍼)을 사용해도 된다. 이 경우, 베어 웨이퍼에 비치는 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 상을 카메라(27)에 있어서 촬상하는 구성으로 된다.
도 8은 카메라(27)와 미러(28)의 배치의 다른 일례이며, 헤드부(24c)에 연결되는 암(24e)에 카메라(27)를 설치하고, 액 노즐 N의 주위에 미러(28)를 배치한 예이다. 도 8의 (a)는 상기 구성을 측면으로부터 본 도면이며, 도 8의 (b)는 상방으로부터 본 경우의 액 노즐 N, 카메라(27) 및 미러(28)의 위치 관계를 모식적으로 도시한 도면이다. 도 8에 도시한 예는, 카메라(27)의 설치 위치는 도 7에 도시한 예와 같지만, 미러(28)의 배치가 다르다. 구체적으로는, 카메라(27)에 대하여 사각이 되는 액 노즐 N의 측면의 외벽이 미러(28)에 비치도록 미러(28)가 배치되어 있다. 따라서, 카메라(27)는 미러(28)에 비치는 액 노즐 N의 측면의 상도 촬상함으로써 사각의 부분의 촬상도 행할 수 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 카메라(27)는 한 번의 촬상으로 액 노즐 N의 측면의 전체 둘레의 촬상을 행할 수 있다.
상기와 같이, 촬상부(26)의 구성은 특별히 한정되지 않고, 다양한 구성을 적용할 수 있다. 상기에서 나타낸 구성예를 조합해도 된다. 또한, 액 노즐 N에 대하여 그 위치를 변경 가능한 이동 기구를 갖는 카메라(27)를 촬상부(26)로서 사용해도 된다. 또한, 카메라(27)를 토출구 Na의 근방에 배치하는 경우, 카메라(27) 및 카메라(27)를 지지하기 위한 기구가 현상 처리 유닛 U1의 각 부의 동작에 간섭하지 않도록, 각 부의 구성을 적절히 조정할 수 있다.
[노즐 검사 방법]
다음에, 도 9 내지 도 16을 참조하면서, 현상 처리 유닛 U1에 있어서의 액 노즐 N의 토출구 Na의 검사 방법의 수순에 대하여 설명한다. 도 9는 검사 방법에 관한 일련의 수순을 설명하는 흐름도이다. 또한, 도 10 및 도 13은 화상 처리 및 부착 상태의 평가에 관한 수순을 설명하는 흐름도이며, 도 11, 도 12, 도 14 내지 도 16은 상기 수순을 실시할 때 사용하는 화상의 예를 설명하는 도면이다.
먼저, 제어 장치 CU의 제어부 CU2는, 스텝 S01을 실행한다. 스텝 S01에서는, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에 있어서의 부착물의 상태를 평가하기 위한 기준 화상을 취득한다. 이 기준 화상이란, 부착물이 부착되어 있지 않은 상태에서의 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 화상이며, 검사 시에 취득하는 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 전체 둘레의 화상에 대응하는 것이다. 제어부 CU2는 촬상부(26)를 제어하여, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에 관한 기준 화상을 취득한다. 취득한 기준 화상은, 기억부 CU1에 있어서 기억하는 구성으로 해도 된다.
다음에, 제어부 CU2는, 스텝 S02를 실행한다. 스텝 S02에서는, 제어부 CU2는, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 전체 둘레에 관한 검사 화상을 취득한다(화상 취득 제어). 검사 화상이란, 부착물에 관한 평가 등을 행하는 대상이 되는 화상이다. 제어부 CU2는 촬상부(26)를 제어하여, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에 관한 검사 화상을 취득한다. 스텝 S02를 실행하는 타이밍은, 미리 설정한 타이밍(예를 들어 로트 단위의 웨이퍼 W에 관한 처리가 끝난 후)이어도 된다. 또한, 현상 처리 유닛 U1에 있어서의 처리 후의 웨이퍼 W 등을 평가한 결과에 기초하여 스텝 S02를 실행하는 구성으로 해도 된다. 또한, 복수의 화상을 조합하여 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 전체 둘레의 화상이 얻어지는 경우, 일련의 복수의 화상을 하나의 검사 화상으로서 취급하는 구성으로 해도 된다. 취득한 검사 화상은, 기억부 CU1에 있어서 기억하는 구성으로 해도 된다.
다음에, 제어부 CU2는, 스텝 S03을 실행한다. 스텝 S03에서는, 제어부 CU2는, 스텝 S01에서 취득한 기준 화상과, 스텝 S02에서 취득한 검사 화상을 사용하여, 부착물의 평가에 관한 화상 처리를 행한다(평가 제어). 다음에, 제어부 CU2는, 스텝 S04를 실행한다. 스텝 S04에서는, 스텝 S03에서 처리를 행한 화상에 기초하여, 부착물의 부착 상태에 관한 평가를 행한다(평가 제어). 상기 스텝 S03 및 스텝 S04에 대해서는 후술한다.
다음에, 제어부 CU2는, 스텝 S05를 실행한다. 스텝 S05에서는, 스텝 S04에 있어서의 부착 상태의 평가의 결과, 액 노즐 N에 이상이 있는지 여부를 판정한다(판정 제어). 이 단계에서의 이상 있는지 여부의 판정이란, 이대로 액 노즐 N을 사용하여 웨이퍼 W에 대한 처리를 행해도 되는지의 판정이다. 따라서, 이상이 없다고 판정한 경우에는, 액 노즐 N의 검사 결과에 기초하여 액 노즐 N에 대하여 실행해야 할 동작은 없다고 판단하고, 일련의 처리를 종료한다.
스텝 S05에 있어서 이상이 있다고 판정한 경우에는, 제어부 CU2는, 스텝 S06을 실행한다. 스텝 S06에서는, 금회의 판정에 있어서 이상이 있다고 판정한 경우에, 장치의 이상에 기초하는 강제 정지(이상 정지) 등의 액 노즐 N에 대하여 실행해야 할 동작을 실시할 필요가 있는지를 판정한다(판정 제어). 이상이 있다고 판정하는 경우에는, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에 부착물이 부착되어 있는 것을 검출한 경우가 되지만, 이와 같은 경우에는 통상 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 세정을 행함으로써 대처한다. 그러나, 예를 들어 반복 이상이 있다고 판정되는 등, 노즐의 세정 이외의 어떠한 대응을 채용할 필요가 있는 경우에는, 이상 정지가 필요하다고 판단한다. 이 경우, 제어부 CU2는 스텝 S07을 실행한다. 즉, 스텝 S07에서는, 제어부 CU2는 현상 처리 유닛 U1에 있어서의 기판 처리의 강제 정지를 행한다. 또한, 도 8에서는 이상 정지의 필요 여부 판단 및 이상 정지를 행하는 경우에 대하여 설명하였지만, 이상 정지가 아니라 경보의 통지만을 행하는 구성으로 해도 된다. 또한, 스텝 S06에 있어서, 이상 정지 및 경보의 통지 중 어느 쪽을 실시할지에 대해서도 판정하는 구성으로 해도 된다.
스텝 S06에 있어서 이상 정지는 필요하지 않다고 판정한 경우, 제어부 CU2는, 스텝 S08을 실행한다. 스텝 S08에서는, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 세정을 행한다(판정 제어·세정 제어). 제어부 CU2는 현상 처리 유닛 U1을 제어하여, 액 노즐 N의 세정에 관한 처리를 행한다. 또한, 부착 상태의 평가 결과에 기초하여 스텝 S08에 있어서의 액 노즐 N의 세정 방법을 변경하는 구성으로 해도 된다. 이 점에 대해서는 후술한다.
[화상 처리부터 이상 판정까지의 구체적인 수순]
다음에, 도 10 내지 도 12를 참조하면서, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 이상의 유무를 판정할 때의 구체적인 수순에 대하여 설명한다. 여기서 설명하는 수순은 도 9에 있어서의 스텝 S03 내지 스텝 S06의 구체적인 수순의 하나의 방법이다.
먼저, 제어부 CU2는, 스텝 S11을 실행한다. 스텝 S11에서는, 제어부 CU2는, 기억부 CU1에 보유되어 있는 기준 화상과 검사 화상으로부터 차분을 산출한다. 차분을 산출함으로써, 검사 화상에 있어서의 각 픽셀이 기준 화상에 대하여 어느 정도 변화되어 있는지를 휘도값으로부터 파악할 수 있다. 기준 화상에 대한 검사 화상의 변화, 즉, 휘도값이 0과는 다른 부분은, 그 대부분이 부착물의 부착의 영향을 받는 것이 생각된다. 즉, 차분에 관한 화상을 작성하는 처리를 행함으로써, 부착물의 영역을 추정할 수 있다.
제어부 CU2는, 스텝 S12를 실행한다. 스텝 S12에서는, 제어부 CU2는, 차분 화상에 있어서의 각 픽셀에서의 휘도값의 평균값을 산출한다. 즉, 차분 화상에 포함되는 모든 픽셀에서의 휘도값의 평균값을 산출한다.
제어부 CU2는, 스텝 S13을 실행한다. 스텝 S13에서는, 스텝 S12에서 산출된 휘도값의 평균값에 기초하여 이상 판정을 행한다. 구체적으로는, 평균값이 역치 이상인 경우에는 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에 이상이 있다고 판정한다. 또한, 스텝 S13에 있어서 이상이 있다고 판정한 경우, 제어부 CU2에서는, 도 9에 도시한 수순에 기초하여 한층 더한 판정을 실시하여, 이상 정지 또는 세정 등의 제어를 행한다.
구체적인 예에 대하여, 도 11을 참조하면서 설명한다. 도 11에서는, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방을 하방 경사 방향으로부터 촬상한 화상의 예를 나타내고 있다. 도 11에서는, 세로 480픽셀×가로 640픽셀의 합계 307200픽셀의 화상을 사용하고 있다. 도 11의 (a)는 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 기준 화상에 상당하는 것이다. 이에 반해, 도 11의 (b)는 검사 화상에 상당하는 화상이며, 부착물이 거의 존재하지 않는 상태를 나타내는 화상이다. 이와 같은 2개의 화상의 차분을 구한 결과를 도 11의 (c)에 도시하고 있다. 도 11의 (c)에 도시한 화상은 2개의 화상의 각 픽셀에 있어서의 휘도값(화소값)의 차분을 각 픽셀에 대응하는 위치에 나타낸 모노크롬 화상이다. 기준 화상 및 검사 화상이 컬러 화상인 경우에는, 각각 그레이스케일화한 후에 휘도값의 차분을 산출하는 구성으로 해도 된다. 컬러 화상인 경우에는, 도 11의 (c)는 각 픽셀의 휘도값(0 내지 255)을 그레이스케일로서 나타낸 것이며, 휘도값이 클수록 백색이 되도록 나타내고 있다. 도 11의 (c)에서는, 참고를 위해 화상 전체에서의 밝기 조정을 행한 상태의 것을 나타내고 있다. 또한, 기준 화상 및 검사 화상이 컬러 화상인 경우, 그레이스케일화와는 다른 방법으로 각 픽셀의 화소값을 산출하는 방법을 사용해도 된다.
도 11의 (b)에 도시한 검사 화상과 같이, 부착물이 거의 존재하지 않는 상태를 촬상한 화상이 검사 화상인 경우, 도 11의 (c)에 도시한 바와 같이, 차분의 화상에서는 휘도값을 갖는 픽셀은 상당히 적어지고, 그 결과, 휘도값의 평균값은 작아진다. 도 11의 (c)에 도시한 예에서는, 휘도값의 평균값이 2.95가 된다. 한편, 도 11의 (d)는 도 11의 (b)와는 다른 검사 화상에 상당하는 화상이며, 액 노즐 N의 토출구 Na의 선단 부근에 부착물이 존재하고 있는 상태를 나타내는 화상이다. 이와 같은 2개의 화상의 차분을 산출한 경우, 도 11의 (e)에 도시한 바와 같이, 부착물이 부착되어 있다고 생각되는 영역에서는, 어느 정도의 휘도값을 갖는(희게 보이는) 픽셀이 존재한다. 이 경우, 휘도값의 평균값은 커진다. 도 11의 (e)에 도시한 예에서는, 휘도값의 평균값이 2.95가 된다. 이와 같이, 부착물의 부착 상황에 따라, 기준 화상을 사용한 차분 화상의 휘도값의 평균값이 변화된다. 따라서, 이 평균값이 소정의 역치보다도 크게 되어 있는 경우에는, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에 부착물이 부착되어 있다고 판단하여 이상 있음으로 판정하는 구성으로 할 수 있다. 또한, 도 11의 (e)에서는, 참고를 위해 화상 전체에서의 밝기 조정을 행한 상태의 것을 나타내고 있다.
도 11과는 다른 구체예에 대하여, 도 12를 참조하면서 설명한다. 도 12에서는, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방을 토출구 Na의 바로 아래로부터 촬상한 화상의 예를 나타내고 있다. 도 12에서는, 세로 640픽셀×가로 480픽셀의 합계 307200픽셀의 화상을 사용하고 있다. 도 12의 (a)는 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 기준 화상에 상당하는 것이다. 이에 반해, 도 12의 (b)는 액 노즐 N의 토출구 Na의 선단 부근에 부착물이 존재하고 있는 상태를 나타내는 화상이다. 이와 같은 2개의 화상의 차분을 산출한 결과를 도 12의 (c)에 나타내고 있다. 도 12의 (c)는 도 11의 (c), (e)와 마찬가지의 방법으로 차분의 휘도값을 산출한 결과를 나타낸 화상이다. 또한, 도 12의 (c)에 대해서도, 화상 전체에서의 밝기 조정을 행한 상태의 것을 나타내고 있다. 도 12의 (c)에 도시한 바와 같이, 부착물이 부착되어 있다고 생각되는 영역에서는, 어느 정도의 휘도값을 갖는(희게 보이는) 픽셀이 존재한다. 이 경우도, 모든 픽셀에서의 휘도값의 평균값은 어느 정도 커진다고 생각되므로, 평균값이 소정의 역치보다도 크게 되어 있는 경우에는, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에 부착물이 부착되어 있다고 판단하여 이상 있음으로 판정하는 구성으로 할 수 있다.
또한, 도 12의 (c)에 도시한 차분 화상에서는, 액 노즐 N의 토출구 Na의 내벽측 및 외벽측의 각각에 부착되어 있는 부착물의 화상을 구별할 수 있다. 즉, 토출구 Na의 하단의 단부면에 대응하는 영역에서는, 기준 화상 및 검사 화상의 양쪽이 동일 정도의 휘도로 되어 있으므로 차분 화상에서는 휘도가 0 또는 0에 가깝게 되어 있다. 한편, 내벽 표면보다 내측 및 외벽 표면보다 외측은, 도 12의 (b)에 도시한 바와 같이 기준 화상과 비교하여 검사 화상에 있어서의 부착물이 눈에 띈다. 그 때문에, 도 12의 (c)에 도시한 바와 같이 차분 화상에 있어서도 각 영역에 있어서 휘도값이 큰 영역이 보인다.
도 12에 도시한 예의 경우, 상술한 바와 같이 내벽의 부착물과 외벽의 부착물을 구별할 수 있다. 그래서, 이와 같은 화상을 사용하여 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 부착물의 평가를 행하는 경우, 내벽측의 부착물과 외벽측의 부착물을 구별하여 평가를 행할 수 있다. 또한, 도 12에 도시한 예와 같이, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방을 촬상한 화상의 해상도가 높은 경우, 부착물의 특성이 화상에 반영된다. 따라서, 검사 화상 또는 차분 화상으로부터 부착물의 특성에 관한 정보를 취득하여, 부착물의 종류를 특정하는 것이 가능해진다.
그래서, 도 13 내지 도 16을 참조하면서, 부착물의 부착 위치를 구별한 평가 및 부착물의 종류의 평가 등에 기초하여, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 이상의 유무를 판정할 때의 구체적인 수순에 대하여 설명한다. 여기서 설명하는 수순은 도 9에 있어서의 스텝 S03 내지 스텝 S06의 구체적인 수순의 하나의 방법이다.
도 14 내지 도 16에서는, 도 12와 마찬가지로 액 노즐 N의 토출구 Na의 하단을 촬상한 화상을 사용한 구체예를 나타내고 있다. 단, 도 11에서 설명한 액 노즐 N의 토출구 Na를 경사 하방으로부터 촬상한 화상을 검사 화상으로 한 경우에도 마찬가지의 수순을 행할 수 있다. 또한, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 측면의 전체 둘레를 촬상한 화상을 검사 화상으로 한 경우에도, 마찬가지의 수순을 행할 수 있다. 단, 검사 화상에 있어서의 액 노즐 N의 방향에 따라서는 액 노즐 N의 토출구 Na의 하면의 부착물은 검출이 곤란하다는 등, 검사 화상에 있어서의 액 노즐 N의 방향에 따라, 이상 판정을 행하는 대상이 되는 장소(액 노즐 N의 측면, 하단 등)가 변화될 수 있다.
먼저, 제어부 CU2는, 스텝 S21을 실행한다. 스텝 S21에서는, 제어부 CU2는, 기억부 CU1에 보유되어 있는 기준 화상과 검사 화상으로부터 차분을 산출한다. 이 수순은, 스텝 S11과 마찬가지이다.
다음에, 제어부 CU2는, 스텝 S22를 실행한다. 스텝 S22에서는, 제어부 CU2는, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 노즐 형상 정보에 기초하여 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에 있어서의 부착물의 부착 위치를 추정한다. 노즐 형상 정보란, 액 노즐 N의 형상을 특정하는 것이다. 본 실시 형태에서는, 액 노즐 N의 하단부의 외형, 즉 하단부의 윤곽이 노즐 형상 정보가 되지만, 예를 들어 검사 화상에 있어서의 액 노즐 N의 방향에 따라서는, 그 다른 부분의 형상을 특정하는 정보가 노즐 형상 정보가 될 수 있다. 즉, 노즐 형상 정보란, 부착물이 부착되어 있지 않은 상태에서의 노즐의 형상을 특정할 수 있는 정보를 말한다.
도 12의 (c)에 도시한 바와 같이, 기준 화상과 검사 화상의 차분 화상에서는, 액 노즐 N의 토출구 Na의 하단의 윤곽을 특정할 수 있다. 즉, 도 14의 (a)에 도시한 바와 같이, 차분 화상으로부터 액 노즐 N의 토출구 Na의 하단의 윤곽, 즉, 하단부면의 내벽과의 경계부와, 외벽과의 경계부를 특정할 수 있다. 또한, 노즐 형상 정보는, 차분 화상으로부터 취득하는 것 대신에, 미리 제어 장치 CU의 기억부 CU1에 있어서 대응하는 정보를 유지해 두는 양태로 해도 된다. 촬상부(26)에 의해 촬상되는 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 화상은, 상기와 같이 촬상 위치가 기본적으로 결정되어 있는 것이다. 따라서, 검사 화상에 있어서의 액 노즐 N의 토출구 Na의 하단의 위치는 기본적으로 변하지 않는 것으로 하여, 미리 검사 화상에 포함되는 액 노즐 N의 토출구 Na의 노즐 형상 정보를 유지해 두는 것으로 해도 가능하다.
상기와 같이 노즐 형상 정보를 사용하면, 차분 화상에 있어서 휘도값이 높은 영역이 되는 부착물이 부착된 영역이, 액 노즐 N의 내벽측에 있는 것인지 외벽측에 있는 것인지를 추정할 수 있다. 즉, 차분 화상에 포함되는 노즐 형상 정보를 사용하여, 부착물의 부착 위치를 추정할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 이 단계의 부착물의 부착 위치의 추정이란 부착 위치가 내벽측/외벽측 중 어느 쪽인 경우에 대하여 설명하고 있다. 그러나, 보다 상세한 부착 위치로서, 예를 들어 액 노즐 N의 중심을 기준으로 하여 어느 쪽의 방향에 부착물이 있는 것인지, 액 노즐 N의 토출구 Na로부터의 거리가 어느 정도인 위치에 있는 것인지 등을 추정하는 구성으로 해도 된다. 검사 화상이 어느 쪽으로부터 촬상한 화상인지에 따라, 화상으로부터 추정할 수 있는 부착 위치(상하 방향, 직경 방향에서의 위치 관계 등)는 변화할 수 있다.
다음에, 제어부 CU2는, 스텝 S23을 실행한다. 스텝 S23에서는, 제어부 CU2는, 부착 위치마다 부착물이 촬상된 픽셀의 수로부터 부착물의 부착량을 평가한다. 도 14의 (b)는 도 12의 (c)에 도시한 화상에 대하여 소정의 역치를 기준으로 2치화 처리를 행한 후에, 외벽측의 부착물을 촬상하였다고 생각되는 영역만을 추출한 예를 나타내고 있다. 또한, 도 14의 (c)는 도 12의 (c)에 도시한 화상에 대하여 소정의 역치를 기준으로 2치화 처리를 행한 후에, 내벽측의 부착물을 촬상하였다고 생각되는 영역만을 추출한 예를 나타내고 있다. 이와 같이, 2치화 처리를 행한 후에, 외벽측/내벽측의 부착물을 촬상한 영역을 추출함으로써, 액 노즐 N의 외벽측/내벽측에 부착된 부착물의 촬상된 픽셀의 수(픽셀수)를 산출할 수 있다. 예를 들어, 도 14의 (b)에 도시한 예에서는, 외벽측에서 부착물을 촬상한 픽셀수는 12649 픽셀로 카운트할 수 있다. 또한, 도 14의 (c)에 도시한 예에서는, 내벽측에서 부착물을 촬상한 픽셀수는 5426픽셀로 카운트할 수 있다. 이와 같이, 부착물을 촬상한 픽셀수, 즉 부착물을 촬상한 면적으로부터 부착물의 부착량을 평가할 수 있다. 이와 같이 산출된 부착량은 이상의 유무를 판정할 때의 정보로서 이용할 수 있다.
다음에, 제어부 CU2는, 스텝 S24를 실행한다. 스텝 S24에서는, 제어부 CU2는, 부착물의 종류를 평가한다. 부착물의 종류로서는 상술한 바와 같이 큰 틀로서 액체(액적)와 고체(고형물)로 나누어진다. 스텝 S24에서는, 제어부 CU2는 검사 화상 또는 차분 화상에 기초하여 이 2종류를 구별한다.
부착물의 종류를 특정하기 위한 수순의 일례에 대하여, 도 15를 참조하면서 설명한다. 도 15의 (a)는 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 외벽측에 액적이 부착되어 있는 상태를 촬상한 검사 화상이다. 도 15의 (b)는 도 15의 (a)에 도시한 검사 화상에 대하여 소정의 역치를 기준으로 2치화 처리를 행한 화상이다. 한편, 도 15의 (c)는 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 외벽측에 고형물이 부착되어 있는 상태를 촬상한 검사 화상이다. 도 15의 (d)는 도 15의 (c)에 도시한 검사 화상에 대하여 소정의 역치를 기준으로 2치화 처리를 행한 화상이다.
도 15의 (a)와 도 15의 (c)의 비교로부터 알 수 있는 바와 같이, 액적이 부착된 경우와 고형물이 부착된 경우에서는, 촬상 화상에 있어서도 외견이 변화된다. 구체적으로는, 액적이 부착된 경우에는, 부착물의 외형이 완만하게 되어 빛나는 방식이 균일해지기 때문에, 화상 상에서도 완만한 형상이 된다. 한편, 고형물이 부착된 경우에는, 부착물의 외형에 미세한 요철이 남을 수 있음(당연히 고형물에 따라 그 형상은 다를 수 있음)으로써 빛나는 방식이 일정치 않게 되어, 화상 상에서도 요철이 분명히 남는다. 상기 상위점은, 도 15의 (b) 및 도 15의 (d)에 도시한 2치화 화상에 있어서도 파악할 수 있다. 따라서, 부착량을 평가한 2치화 화상을 이용하여, 부착물의 외형(요철)을 추정함으로써 부착물이 액체인지 고체인지를 판정할 수도 있다. 또한, 2치화 화상이 아니라, 검사 화상(도 15의 (a), (c)에 도시한 화상)으로부터 직접 부착물의 종류를 판정하는 구성으로 해도 된다. 또한, 외형(요철)을 추정할 때, 극좌표 전개를 행하는 것으로 해도 된다.
또한, 상기와 같이 부착물의 외형의 요철을 기준으로 판정하는 것 대신에, 예를 들어 1개의 부착물을 촬상한 영역의 크기(픽셀수)를 기준으로 판정하는 것으로 해도 된다. 예를 들어, 액적은 어느 정도의 크기로 되지 않으면 단체로 존재하지 않기 때문에, 액적을 촬상한 화상에 있어서는 부착물을 촬상한 영역이 어느 정도 커진다고 추정할 수 있다. 한편, 고형물은 액적보다도 작아도 단체로 존재할 수 있다. 이것에 기초하여, 1개의 부착물을 촬상하였다고 추정되는 연속하는 영역의 크기(픽셀수)에 기초하여, 소정의 역치보다 큰 영역에는 액적이 존재한다고 판정하고, 그것 이외의 영역에는 고형물이 존재한다고 판정하는 구성으로 해도 된다. 이와 같이, 검사 화상 또는 검사 화상으로부터 가공된 화상(예를 들어, 2치화 후의 화상)으로부터, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방에 있어서의 부착물의 종류를 판정하는 방법은, 특별히 한정되지 않고 다양한 방법을 적용할 수 있다.
다음에, 제어부 CU2는, 스텝 S25를 실행한다. 스텝 S25에서는, 제어부 CU2는, 상기 스텝 S23, S24에서 얻어진 각종 정보로부터 이상의 유무를 판정한다. 예를 들어, 스텝 S23을 실행함으로써, 제어부 CU2에서는 부착물의 부착량에 관한 정보를 얻을 수 있다. 또한, 스텝 S24를 실행함으로써, 제어부 CU2에서는 부착물의 종류에 관한 정보를 얻을 수 있다. 이들 정보를 이용하여, 이상의 유무를 판정하는 양태로 할 수 있다.
부착물의 부착량으로부터 이상의 유무를 판정할 때의 기준은, 단순히 부착물을 촬상한 픽셀의 픽셀수로 해도 되지만, 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 부착물을 촬상한 픽셀의 휘도값(화소값)이 대소에 기초하여 이상의 유무를 판정해도 된다. 또한, 부착물이 어떻게 부착되어 있는지에 대해서도 이상의 유무를 판정할 때의 기준에 포함시키는 구성으로 해도 된다. 도 16은 부착물이 부착되어 있는 「상태」도 고려하는 경우도 일례에 대하여 설명하는 도면이다. 도 16에서는, 도 14의 (b)에 도시한 외벽의 부착물을 촬상한 영역을 추출한 화상에 대하여 이상의 유무를 판정하기 위한 2개의 기준선 L1, L2를 추가한 것이다. 기준선 L1, L2는, 각각 액 노즐 N의 토출구 Na의 중심을 기준으로 하면서 외벽으로부터의 거리가 서로 다른 원이다. 즉, 기준선 L1은 외벽에 대하여 100㎛ 외측을 나타내는 선이며, 기준선 L2는 외벽에 대하여 50㎛ 외측을 나타내는 선이다. 이 기준선 L1, L2를 사전에 마련해 두고, 부착물을 촬상한 픽셀과 기준선 L1, L2의 위치 관계로부터 이상의 유무를 판정하는 양태로 할 수 있다. 예를 들어, 부착물이 기준선 L1보다도 외측으로 돌출되어 있는 경우에는 이상 정지가 필요하다고 판정하는 양태로 할 수 있다. 또한, 부착물이 기준선 L1보다도 외측으로 돌출되어 있지 않지만, 기준선 L2보다도 외측으로 돌출되어 있는 경우에는 이상이 있다고 판정하고 경고를 발하는 것으로 판정하는 양태로 해도 된다. 또한, 기준선 L1 또는 기준선 L2보다도 외측으로 돌출되어 있는 부착물(을 촬상한 영역의 픽셀수)이 소정량보다도 초과한 경우에는 이상이라고 판정하는 양태로 할 수도 있다. 이와 같이, 이상의 유무를 판정할 때의 기준으로서, 기준선 L1, L2를 이용하는 구성으로 해도 된다.
다음에, 제어부 CU2는, 스텝 S26을 실행한다. 스텝 S26에서는, 제어부 CU2는, 이상의 판정의 결과에 따라서 액 노즐 N의 세정이 필요하다고 판정된 경우에, 판정의 결과에 따른 세정 방법을 선택하여, 세정을 실행한다.
구체적인 세정 방법의 선택에 관한 제어부 CU2에서의 판단의 플로의 일례를 도 17에 도시한다. 먼저, 제어부 CU2는, 스텝 S31을 실행한다. 스텝 S31에서는, 제어부 CU2는 부착물의 위치 특정(스텝 S22)의 결과에 기초하여, 액 노즐 N의 토출구 Na 근방의 내벽측에 오염이 있는지(부착물이 있는지)를 판정한다. 이 결과, 내벽측에 부착물이 있다고 판정된 경우에는, 제어부 CU2는 스텝 S32를 실행한다. 즉, 제어부 CU2는, 스텝 S32로서, 액 노즐 N의 내벽이 세정 가능하게 되는 방법으로 액 노즐 N의 세정을 실시한다. 이 경우, 액 노즐 N 내부의 세정과 함께 외벽의 세정도 행하는 양태로 할 수 있다. 한편, 스텝 내벽측에 부착물이 없다고 판정된 경우에는, 제어부 CU2는 스텝 S33을 실행한다. 즉, 제어부 CU2는 노즐 팁의 세정을 행한다. 노즐 팁의 세정이란, 노즐의 외벽을 주로 세정하는 방법이며, 내벽의 세정을 행하는 경우와 비교하여, 공정수가 적은 방법이다. 이와 같이, 부착물의 부착 위치에 따라서 세정 방법을 변경하는 양태로 해도 된다. 또한, 부착물의 부착 위치에 따른 세정 방법의 선택(스텝 S26)은 행하지 않고, 세정이 필요한 경우에는 소정의 세정 방법을 실행하는 양태로 해도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 도 10 및 도 13을 참조하면서 2개의 수순에 대하여 설명하였다. 단, 특히 액 노즐 N의 이상의 유무의 판정에 관하여, 도 10 및 도 13에서 설명하는 수순을 제어부 CU2가 양쪽 동시에 행하는 구성으로 해도 되고, 어느 한쪽만을 행하는 구성으로 해도 된다.
[작용]
상기 현상 처리 유닛(기판 처리 장치) U1 및 노즐 검사 방법에 의하면, 액 노즐 N의 토출구 Na의 근방에 관한 전체 둘레를 촬상한 검사 화상에 기초하여, 액 노즐 N의 토출구 Na에 대한 부착물의 부착 상태의 평가가 행해진다. 또한, 보다 상세하게는, 액 노즐 N에 부착된 부착물을 촬상한 영역이 추정되고, 그 결과에 기초하여 이상의 유무가 판정된다. 이와 같이, 액 노즐 N의 토출구 Na의 근방에 관한 전체 둘레를 촬상한 화상에 기초한 평가가 행해지고, 그 일 양태로서, 이상의 유무가 판정된다. 따라서, 부착물이 부착된 상태에서 액 노즐 N이 동작할 가능성을 저감시킬 수 있기 때문에, 노즐의 토출구 Na 부근에 있어서의 부착물의 부착 상태를 보다 적절하게 평가할 수 있다.
종래부터, 기판 처리 장치에 있어서의 처리액을 공급하는 액 노즐의 상태를 평가할 때 화상을 사용하는 것은 검토되었다. 그러나, 액 노즐을 일방향으로부터 촬상한 화상을 사용하여 평가를 행하는 구성으로 한 경우, 화상으로는 촬상할 수 없는 장소에 부착물이 부착된 경우에는, 부착물이 부착되어 있는 것을 알아차리지 못하는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 액 노즐의 이상 판정에 대하여 잘못 판정해 버릴 가능성이 있다. 그러나, 상술한 바와 같이, 종래는 기판에 대하여 공급되는 처리액의 공급량이 많기 때문에, 토출 초기 단계의 처리액과 함께 기판 표면에 낙하하는 부착물이, 기판 처리에 있어서 문제가 될 가능성이 낮았다. 그 때문에, 상기 구성이어도 큰 문제가 될 가능성은 적었다.
이에 반해, 근년 검토가 진행되고 있는, 종래의 액 처리와 비교하여 기판에 대하여 공급하는 처리액의 공급량을 저감하는 제어에서는, 토출 초기 단계의 처리액에 부착물이 혼합되는 것은 기판에 있어서의 액 처리에서 결함을 야기할 가능성이 있다. 따라서, 노즐에 대한 부착물의 부착을 보다 높은 정밀도로 검지하는 구성이 요구되었다. 상기 기판 처리 장치 및 노즐 검사 방법에 의하면, 종래의 구성과 비교하여, 보다 높은 정밀도로 노즐에 대한 부착물의 부착에 관한 평가를 행할 수 있고, 또한, 이상의 유무를 판정하는 것을 가능하게 한다. 따라서, 처리액의 공급량을 저감한 기판 처리의 제어에도 대응 가능해진다.
또한, 상기 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 평가 결과에 기초하여 액 노즐에 대하여 실행해야 할 동작을 판정하는 구성으로 함으로써, 평가 결과에 따라서 적절한 처치를 실시하는 것이 가능해져, 액 노즐 N의 이상 등을 고려한 적절한 대응을 행할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 검사 화상에 있어서 부착물을 촬상한 영역의 화소값 또는 픽셀 상당에 기초하여 부착물의 부착 상태를 평가하고, 그 결과에 기초하여 액 노즐 N에 있어서의 이상의 유무를 판정하는 양태로 한다. 이와 같은 양태로 함으로써, 부착물의 부착 상태에 따라서 이상의 유무를 평가할 수 있다. 따라서, 이와 같은 구성으로 함으로써, 부착물의 부착 상태를 보다 적절하게 평가할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 검사 화상으로부터 추정된 액 노즐 N에 부착된 부착물이 액체인지 고체인지를 추정한다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 액 노즐 N의 토출구 Na 부근에 있어서의 부착물이 어느 정도 강고하게 부착되어 있는 것인지 등을 평가할 수 있어, 부착 상태를 보다 적절하게 평가할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 검사 화상에 기초하여, 부착물의 부착 위치를 추정함으로써, 당해 부착물이 액 노즐 N을 사용한 처리에 어느 정도 영향을 주는지 등을 보다 고정밀도로 평가할 수 있는 것이 가능하다. 특히, 부착물이 액 노즐 N의 내벽측 및 외벽측 중 어느 쪽에 부착되어 있는지에 따라서, 부착물이 처리액과 함께 배출되는 리스크도 변화될 수 있다. 따라서, 부착물이 액 노즐 N의 내벽측 및 외벽측 중 어느 쪽에 부착되어 있는지를 추정하는 구성을 가짐으로써, 보다 부착물이 기판 처리에 미치는 영향을 보다 적절하게 평가할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 평가 제어에서의 평가 결과에 기초하여 액 노즐 N의 세정 방법을 선택하는 구성으로 하고 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 부착물의 부착 상황에 따른 적절한 세정을 행하는 것이 가능해진다. 따라서, 액 노즐 N으로부터의 부착부의 제거를 적합하게 행할 수 있다.
이상, 다양한 예시적 실시 형태에 대하여 설명해 왔지만, 상술한 예시적 실시 형태에 한정되지 않고, 다양한 생략, 치환 및 변경이 이루어져도 된다. 또한, 다른 실시 형태에 있어서의 요소를 조합하여 다른 실시 형태를 형성하는 것이 가능하다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 제어 장치 CU의 제어부 CU2에 있어서, 노즐 검사에 관한 제어를 행하는 경우에 대하여 설명하였다. 그러나 노즐 검사에 관한 제어를 행하는 기능부는, 1개의 장치에 집중해도 되고, 복수의 장치에 분산배치 되어 있어도 된다.
또한, 액 노즐 N 및 그 토출구 Na의 형상은 적절히 변경할 수 있다. 토출구 Na의 형상에 따라, 촬상부(26)의 구성을 변경할 수 있다. 또한, 액 노즐 N의 형상에 따라서 검사 화상으로서 사용하는 화상을 변경할 수 있다.
또한, 검사 화상으로부터 부착물을 촬상한 영역을 추정하는 방법은 상기 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 액 노즐 N의 토출구 Na의 바로 아래로부터 촬상한 화상에 대해서는, 토출구 Na의 하단(하면)의 부착물에 대하여 평가를 행하는 것에 대해서는 설명을 하고 있지 않다. 이에 반해, 예를 들어 검사 화상에 있어서의 각 픽셀의 휘도값의 분포 등에 기초하여 하단의 부착물에 대해서도 평가를 행하는 구성으로 해도 된다. 또한, 상기 실시 형태에서는, 기준 화상을 이용하여 생성한 차분 화상에 기초하여 이상의 판정을 행하는 경우에 대하여 설명하였지만, 차분 화상을 이용하지 않는 구성으로 해도 된다. 또한, 기준 화상도 이용하지 않는 구성으로 해도 된다.
이상의 설명으로부터, 본 개시의 다양한 실시 형태는, 설명의 목적으로 본 명세서에서 설명되고 있고, 본 개시의 범위 및 주지로부터 일탈하지 않고 다양한 변경을 이룰 수 있는 것이, 이해될 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시한 다양한 실시 형태는 한정되는 것을 의도하고 있지 않고, 참된 범위와 주지는, 첨부의 특허 청구 범위에 의해 나타내어진다.
1: 도포·현상 장치
26: 촬상부
27: 카메라
28: 미러
CU: 제어 장치
CU1: 기억부
CU2: 제어부
D: 표시부
N: 액 노즐
Na: 토출구
U1: 현상 처리 유닛(기판 처리 장치)
W: 웨이퍼(기판)
Wa: 표면

Claims (8)

  1. 하방의 기판에 대하여 토출구로부터 처리액을 토출하는 액 노즐과,
    상기 액 노즐의 상기 토출구의 근방에 관한 전체 둘레를 촬상하는 촬상부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 촬상부에 있어서 촬상된 상기 액 노즐의 토출구 근방에 관한 전체 둘레의 검사 화상을 취득하는 화상 취득 제어와,
    상기 액 노즐의 토출구 근방에 관한 전체 둘레의 검사 화상으로부터, 상기 액 노즐의 토출구에 대한 부착물의 부착 상태의 평가를 행하는 평가 제어를 실행하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 평가 제어에서의 평가 결과에 기초하여, 상기 액 노즐에 대하여 실행해야 할 동작을 판정하는 판정 제어를 더 실행하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 평가 제어에 있어서, 상기 검사 화상으로부터 상기 액 노즐에 부착된 부착물의 영역을 추정하고, 상기 추정한 영역의 화소값에 기초하여 상기 액 노즐의 토출구에 대한 부착물의 부착 상태를 평가하고,
    상기 판정 제어에 있어서, 상기 평가 결과에 기초하여 상기 액 노즐에 있어서의 이상의 유무를 판정하는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 평가 제어에 있어서, 상기 검사 화상으로부터 추정된 상기 액 노즐에 부착된 부착물을 촬상한 영역의 외형 또는 크기에 기초하여, 상기 액 노즐에 부착된 부착물이 액체인지 고체인지를 추정하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 평가 제어에 있어서, 상기 검사 화상에 기초하여, 상기 액 노즐에 있어서의 부착물의 부착 위치를 추정하는, 기판 처리 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 판정 제어에 있어서, 상기 액 노즐에 있어서 이상이 있다고 판정한 경우에, 상기 평가 결과에 기초하여, 상기 액 노즐의 세정 방법을 선택하는, 기판 처리 장치.
  7. 하방의 기판에 대하여 토출구로부터 처리액을 토출하는 액 노즐을 갖는 기판 처리 장치에 관한 노즐 검사 방법이며,
    상기 액 노즐의 상기 토출구의 근방에 관한 전체 둘레를 촬상한 검사 화상을 취득하고,
    상기 액 노즐의 상기 토출구의 근방에 관한 전체 둘레의 검사 화상으로부터, 상기 액 노즐의 토출구에 대한 부착물의 부착 상태의 평가를 행하는, 노즐 검사 방법.
  8. 제7항에 기재된 노즐 검사 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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