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CN114269481A - 基片处理装置、喷嘴检查方法和存储介质 - Google Patents

基片处理装置、喷嘴检查方法和存储介质 Download PDF

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CN114269481A CN202080055978.1A CN202080055978A CN114269481A CN 114269481 A CN114269481 A CN 114269481A CN 202080055978 A CN202080055978 A CN 202080055978A CN 114269481 A CN114269481 A CN 114269481A
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Abstract

本发明的基片处理装置包括：从释放口对下方的基片释放处理液的液喷嘴；对液喷嘴的释放口的附近的全周进行拍摄的拍摄部；和控制部，控制部执行：图像获取控制，其获取在拍摄部中拍摄到的液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像；和评价控制，其根据液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像，进行附着物在液喷嘴的释放口的附着状态的评价。

Description

基片处理装置、喷嘴检查方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基片处理装置、喷嘴检查方法和存储介质。
背景技术
在专利文献1中公开了如下技术：在基片处理装置中对供给处理液的液喷嘴的释放口部分进行拍摄，根据异物的状态进行异常的判断。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-153913号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够更适当地评价喷嘴的释放口附近的附着物的附着状态的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括：从释放口对下方的基片释放处理液的液喷嘴；对上述液喷嘴的上述释放口的附近的全周进行拍摄的拍摄部；和控制部，上述控制部执行：图像获取控制，其获取在上述拍摄部中拍摄到的上述液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像；和评价控制，其根据上述液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像，进行附着物在上述液喷嘴的释放口的附着状态的评价。
发明效果
依照本发明，能够更适当地评价喷嘴的释放口附近的附着物的附着状态。
附图说明
图1是表示一个例示性的实施方式所涉及的涂敷显影系统的立体图。
图2是表示图1的II-II线截面图的一例的图。
图3是表示图2的III-III线截面图的一例的图。
图4是表示基片处理装置的截面图的一例。
图5是表示基片处理装置的硬件结构的一例的图。
图6是表示拍摄部的结构例的图。
图7是表示拍摄部的结构例的图。
图8是表示拍摄部的结构例的图。
图9是表示由基片处理装置进行的基片检查方法的一例的流程图。
图10是表示由基片处理装置进行的基片检查方法的一例的流程图。
图11是表示在基片检查方法中使用的图像的一例的图。
图12是表示在基片检查方法中使用的图像的一例的图。
图13是表示由基片处理装置进行的基片检查方法的一例的流程图。
图14是表示在基片检查方法中使用的图像的一例的图。
图15是表示在基片检查方法中使用的图像的一例的图。
图16是表示在基片检查方法中使用的图像的一例的图。
图17是表示与基片清洗方法的选择有关的流程的一例的流程图。
具体实施方式
以下，对各种例示的实施方式进行说明。
在一个例示的实施方式中，基片处理装置包括：从释放口对下方的基片释放处理液的液喷嘴；对上述液喷嘴的上述释放口的附近的全周进行拍摄的拍摄部；和控制部，上述控制部执行：图像获取控制，其获取在上述拍摄部中拍摄到的上述液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像；和评价控制，其根据上述液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像，进行附着物在上述液喷嘴的释放口的附着状态的评价。
依照上述的基片处理装置，基于对液喷嘴的释放口的附近的全周进行拍摄而得的检查图像，进行附着物在液喷嘴的释放口的附着状态的评价。这样，基于对液喷嘴的释放口的附近的全周进行拍摄而得的图像来进行附着物的附着状态的评价，因此能够降低在附着有附着物的状态下液喷嘴动作的可能性。因此，能够更适当地评价附着物在喷嘴的释放口附近的附着状态。
可以构成为，上述控制部还执行判断控制，上述判断控制基于上述评价控制中的评价结果，判断要对上述液喷嘴执行的动作。
如上所述，通过采用控制部基于评价结果来判断要对液喷嘴执行的动作的构成，能够根据评价结果实施适当的处置，能够进行考虑了液喷嘴的异常等的适当的应对。
另外，可以构成为，上述控制部在上述评价控制中，在上述评价控制中，根据上述检查图像来推断在上述液喷嘴附着有附着物的区域，基于上述推断出的区域的像素值来评价附着物在上述液喷嘴的释放口的附着状态，并在上述判断控制中，基于上述评价结果来判断在上述液喷嘴是否存在异常。
如上所述，可以构成为，根据在检查图像中拍摄到附着物的区域的像素值来评价附着物在液喷嘴的释放口的附着状态，根据其结果来判断在液喷嘴是否存在异常。通过采用这样的构成，能够实质上根据附着物的附着量来评价是否存在异常，能够更适当地评价附着物的附着状态。
可以构成为，上述控制部在上述评价控制中，基于根据上述检查图像推断出的拍摄到附着于上述液喷嘴的附着物的区域的外形或大小，推断附着于上述液喷嘴的附着物是液体还是固体。
如上所述，通过推断根据检查图像推断出的附着于液喷嘴的附着物是液体还是固体，能够评价附着物以何种程度牢固地附着于液喷嘴的释放口附近等，能够更适当地评价附着状态。
可以构成为，上述控制部在上述评价控制中，基于上述检查图像来推断附着物在上述液喷嘴的附着位置。
如上所述，通过推断附着物的附着位置，能够更高精度地评价该附着物对使用喷嘴的处理造成何种程度的影响等。
可以构成为，上述控制部在上述判断控制中，当判断为在上述液喷嘴中存在异常时，基于上述评价结果，选择上述液喷嘴的清洗方法。
如上所述，通过采用基于评价控制中的评价结果来选择液喷嘴的清洗方法的构成，能够进行与附着物的附着状况相应的适当的清洗，因此能够适当地从喷嘴除去附着部。
在一个例示的实施方式中，喷嘴检查方法是具有从释放口向下方的基片释放处理液的液喷嘴的基片处理装置的喷嘴检查方法，该喷嘴检查方法获取对上述液喷嘴的上述释放口的附近的全周进行拍摄而得的检查图像，根据上述液喷嘴的上述释放口的附近的全周的检查图像，进行附着物在上述液喷嘴的释放口的附着状态的评价。
依照上述的喷嘴检查方法，基于对液喷嘴的释放口的附近的全周进行拍摄而得的图像来进行附着物在液喷嘴的释放口的附着状态的评价，能够降低在附着有附着物的状态下液喷嘴进行动作的可能性。因此，能够更适当地评价附着物在喷嘴的释放口附近的附着状态。
在一个例示的实施方式中，计算机可读取的存储介质存储用于使装置执行上述的喷嘴检查方法的程序。
以下，参照附图，对各种例示性的实施方式详细地进行说明。另外，在各附图中，对相同或相应的部分标注相同的附图标记。以下，为了明确位置关系，根据需要规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为铅垂向上方向。
[涂敷显影装置的动作]
首先，对图1～图3所示的涂敷显影装置1的结构的概要进行说明。涂敷显影装置1在曝光装置E1的曝光处理之前，进行在晶片(基片)W的正面Wa涂敷抗蚀剂材料而形成抗蚀剂膜的处理。涂敷显影装置1在曝光装置E1的曝光处理之后，进行形成于晶片W的正面Wa的抗蚀剂膜的显影处理。在本实施方式中，晶片W呈圆板状，但也可以是圆形的一部分被切除的形状，此外也可以使用呈多边形等圆形以外的形状的晶片。
如图1和图2所示，涂敷显影装置1包括：承载器区块S1；处理区块S2；接口区块S3；作为涂敷显影装置1的控制部发挥功能的控制装置CU；和能够显示控制装置CU的处理结果的显示部D。在本实施方式中，承载器区块S1、处理区块S2、接口区块S3和曝光装置E1依次串联排列。
如图1和图3所示，承载器区块S1具有承载器站12和送入送出部13。承载器站12支承多个承载器11。承载器11以密封状态收纳多个晶片W。承载器11在一个侧面11a侧具有用于使晶片W出入的开闭门(未图示)。承载器11以侧面11a面向送入送出部13侧的方式可拆装地设置在承载器站12上。
如图1至图3所示，送入送出部13具有与承载器站12上的多个承载器11分别对应的开闭门13a。当侧面11a的开闭门和送入送出部13的开闭门13a同时开放时，承载器11内与送入送出部13内连通。如图2和图3所示，送入送出部13内置有交接臂A1。交接臂A1从承载器11取出晶片W并交送至处理区块S2。交接臂A1从处理区块S2接受晶片W并将其送回承载器11内。
如图1至图3所示，处理区块S2与承载器区块S1相邻，并且与承载器区块S1连接。如图1和图2所示，处理区块S2具有下层防反射膜形成(BCT)区块14、抗蚀剂膜形成(COT)区块15、上层防反射膜形成(TCT)区块16和显影处理(DEV)区块17。DEV区块17、BCT区块14、COT区块15和TCT区块16从底面侧依次排列地配置。
如图2所示，BCT区块14内置有涂敷单元(未图示)、加热冷却单元(未图示)和向这些单元输送晶片W的输送臂A2。涂敷单元将防反射膜形成用的药液涂敷在晶片W的正面Wa。加热冷却单元例如利用热板对晶片W进行加热，然后例如利用冷却板对晶片W进行冷却。这样，在晶片W的正面Wa上形成下层防反射膜。
如图2所示，COT区块15内置有涂敷单元(未图示)、加热冷却单元(未图示)和向这些单元输送晶片W的输送臂A3。涂敷单元将抗蚀剂膜形成用的药液(抗蚀剂材料)涂敷在下层防反射膜上。加热冷却单元例如利用热板对晶片W进行加热，然后例如利用冷却板对晶片W进行冷却。这样，在晶片W的下层防反射膜上形成抗蚀剂膜。抗蚀剂材料可以是正型的，也可以是负型的。
如图2所示，TCT区块16内置有涂敷单元(未图示)、加热冷却单元(未图示)和向这些单元输送晶片W的输送臂A4。涂敷单元将防反射膜形成用的药液涂敷在抗蚀剂膜上。加热冷却单元例如利用热板对晶片W进行加热，然后例如利用冷却板对晶片W进行冷却。这样，在晶片W的抗蚀剂膜上形成上层防反射膜。
如图2和图3所示，DEV区块17具有多个显影处理单元(基片处理装置)U1和多个加热冷却单元(热处理部)U2。而且，DEV区块17内置有向这些单元输送晶片W的输送臂A5和不经过这些单元而在处理区块S2的前后间输送晶片W的输送臂A6。
显影处理单元U1如后所述进行曝光后的抗蚀剂膜的显影处理。加热冷却单元U2例如通过由热板进行的晶片W的加热，对晶片W上的抗蚀剂膜进行加热。加热冷却单元U2例如利用冷却板对加热后的晶片W进行冷却。加热冷却单元U2进行曝光后烘烤(PEB)、后烘烤(PB)等加热处理。PEB是在显影处理前对抗蚀剂膜进行加热的处理。PB是在显影处理后对抗蚀剂膜进行加热的处理。
如图1至图3所示，在处理区块S2中的承载器区块S1侧设有搁架单元U10。搁架单元U10具有多个小室C30～C38。小室C30～C38在DEV区块17与TCT区块16之间在上下方向(Z轴方向)上排列地配置。在搁架单元U10的附近设有升降臂A7。升降臂A7在小室C30～C38之间输送晶片W。
在处理区块S2中的接口区块S3侧设有搁架单元U11。搁架单元U11具有多个小室C40～C42。小室C40～C42与DEV区块17相邻，在上下方向(Z轴方向)上排列配置。
如图1至图3所示，接口区块S3位于处理区块S2与曝光装置E1之间，并且分别与处理区块S2和曝光装置E1连接。如图2和图3所示，接口区块S3内置有交接臂A8。交接臂A8将晶片W从处理区块S2的搁架单元U11交送到曝光装置E1。交接臂A8从曝光装置E1接收晶片W，并将晶片W送回搁架单元U11。
[控制装置的动作]
控制装置CU由一个或多个控制用计算机构成。例如，控制装置100具有图5所示的电路120。电路120具有一个或多个处理器121、内存122、存储器123和输入输出端口124。存储器123例如具有硬盘等能够计算机可读取的存储介质。存储介质存储用于使控制装置CU执行后述的工艺处理流程的程序。存储介质也可以是非易失性的半导体存储器、磁盘和光盘等可取出的介质。内存122暂时存储从存储器123的存储介质加载的程序和处理器121的运算结果。处理器121通过与内存122协作来执行上述程序，而构成上述的各功能模块。输入输出端口124按照来自处理器121的指令，在与作为控制对象的部件之间进行电信号的输入输出。
另外，控制装置CU的硬件结构不一定限于利用程序来构成各功能模块。例如，控制装置100的各功能模块也可以由专用的逻辑电路或者将它们集成而得的ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。
另外，如图1所示，控制装置CU包括存储部CU1和控制部CU2。存储部CU1存储用于使涂敷显影装置1的各部、曝光装置E1的各部动作的程序。存储部CU1还存储有各种数据(例如，异物的大小数据、异物的位置数据)、由拍摄部26，详细内容在后文说明。存储部CU1例如是半导体存储器、光记录盘、磁记录盘、光磁记录盘。该程序也可以包含在与存储部CU1分体的外部存储器、传播信号等无形的介质中。也可以从这些其他介质将该程序安装到存储部CU1，使存储部CU1存储该程序。控制部CU2基于从存储部CU1读出的程序，控制涂敷显影装置1的各部、曝光装置E1的各部的动作。
控制装置CU也可以与显示部D连接，使显示部D显示处理条件的设定画面、涂敷显影装置1对晶片W的处理过程、处理结果等。涂敷显影装置1还可以具有操作者能够输入处理条件的输入部(未图示)。在该情况下，控制装置CU也可以按照通过输入部输入到控制装置CU的条件，使涂敷显影装置1的各部、曝光装置E1的各部动作。作为输入部，例如能够例举鼠标、触摸面板、手写板、键盘。
[涂敷显影装置的动作]
下面，对涂敷显影装置1的动作的概要进行说明。首先，将承载器11设置于承载器站12。此时，承载器11的一个侧面11a朝向送入送出部13的开闭门13a。接着，将承载器11的开闭门和送入送出部13的开闭门13a一起开放，利用交接臂A1将承载器11内的晶片W取出，并依次输送到处理区块S2的搁架单元U10中的任一者。
在利用交接臂A1将晶片W输送到搁架单元U10中的任一者之后，利用升降臂A7将晶片W依次输送到与BCT区块14对应的小室C33。被输送到小室C33的晶片W由输送臂A2输送到BCT区块14内的各单元。在利用输送臂A2将晶片W输送到BCT区块14内的过程中，在晶片W的正面Wa上形成下层防反射膜。
形成有下层防反射膜的晶片W由输送臂A2输送至小室C33上方的小室C34。被输送到小室C34的晶片W由升降臂A7输送到与COT区块15对应的小室C35。被输送到小室C35的晶片W由输送臂A3输送到COT区块15内的各单元。在利用输送臂A3将晶片W输送至COT区块15内的过程中，在下层防反射膜上形成抗蚀剂膜。
形成有抗蚀剂膜的晶片W由输送臂A3输送到小室C35上方的小室C36。被输送到小室C36的晶片W由升降臂A7输送到与TCT区块16对应的小室C37。被输送到小室C37的晶片W由输送臂A4输送到TCT区块16内的各单元。在利用输送臂A4将晶片W输送到TCT区块16内的过程中，在抗蚀剂膜上形成上层防反射膜。
形成有上层防反射膜的晶片W由输送臂A4输送至小室C37上方的小室C38。被输送到小室C38的晶片W在由升降臂A7输送到小室C32之后，由输送臂A6输送到搁架单元U11的小室C42。被输送到小室C42的晶片W由接口区块S3的交接臂A8交送到曝光装置E1，在曝光装置E1中进行抗蚀剂膜的曝光处理。进行了曝光处理的晶片W由交接臂A8输送到小室C42下方的小室C40、C41。
被输送到小室C40、C41的晶片W由输送臂A5输送到DEV区块17内的各单元，并进行显影处理。由此，在晶片W的正面Wa上形成抗蚀剂图案(凹凸图案)。形成有抗蚀剂图案的晶片W由输送臂A5输送到搁架单元U10中的与DEV区块17对应的小室C30、C31。被输送到小室C30、C31的晶片W由升降臂A7输送到交接臂A1可访问的小室，利用交接臂A1将其送回承载器11内。
上述的涂敷显影装置1的结构和动作只不过是一个例子。涂敷显影装置1包括涂敷单元和显影处理单元等液处理单元、加热冷却单元等前处理和后处理单元、输送装置即可。即，这些各单元的个数、种类、布局等能够适当改变。
[显影处理单元(基片处理装置)]
下面，进一步详细地说明显影处理单元(基片处理装置)U1。显影处理单元U1对多个晶片W逐一执行向晶片W的正面Wa释放处理液的释放处理。如图4所示，显影处理单元U1包括旋转保持部20、升降装置22和处理液供给部24。
旋转保持部20包括内置有电动马达等动力源的主体部20a、从主体部20a向铅垂上方延伸的旋转轴20b和设置于旋转轴20b的前端部的卡盘20c。主体部20a通过动力源使旋转轴20b和卡盘20c旋转。卡盘20c支承晶片W的中心部，例如通过吸附将晶片W保持为大致水平。即，旋转保持部20在晶片W的姿势为大致水平的状态下，使晶片W绕与晶片W的正面Wa垂直的中心轴(铅垂轴)旋转。如图4所示，旋转保持部20使晶片W从上方观察时例如顺时针地旋转。
升降装置22安装于旋转保持部20，使旋转保持部20升降。具体而言，升降装置22在上升位置(交接位置)与下降位置(显影位置)之间使旋转保持部20(卡盘20c)升降，上升位置是用于在输送臂A5与卡盘20c之间进行晶片W的交接的位置，下降位置是用于进行液处理的位置。
在旋转保持部20的周围设置有杯状体30。当晶片W旋转时，被供给至晶片W的正面Wa的处理液被甩到周围而落下，但杯状体30作为承接该落下的处理液的收容器发挥功能。杯状体30包括：包围旋转保持部20的圆环形状的底板31；从底板31的外缘向铅垂上方突出的圆筒状的外壁32；和从底板31的内缘向铅垂上方突出的圆筒状的内壁33。
外壁32的整个部分位于比由卡盘20c保持的晶片W靠外侧的位置。外壁32的上端32a位于比由处于下降位置的旋转保持部20保持的晶片W靠上方的位置。外壁32的上端32a侧的部分成为随着去往上方而向内侧倾斜的倾斜壁部32b。内壁33的整个部分位于比由卡盘20c保持的晶片W的周缘靠内侧的位置。内壁33的上端33a位于比由处于下降位置的旋转保持部20保持的晶片W靠下方的位置。
在内壁33与外壁32之间设置有从底板31的上表面向铅垂上方突出的分隔壁34。即，分隔壁34包围内壁33。在底板31中的外壁32与分隔壁34之间的部分形成有液体排出孔31a。排液管35与液体排出孔31a连接。在底板31中的分隔壁34与内壁33之间的部分形成有气体排出孔31b。气体排出孔31b与排气管36连接。
在内壁33上设置有比分隔壁34更向外侧伸出的伞状部37。从晶片W上被甩向外侧而落下的处理液被引导至外壁32与分隔壁34之间，并从液体排出孔31a被排出。从处理液产生的气体等进入分隔壁34与内壁33之间，该气体从气体排出孔31b被排出。
由内壁33包围的空间的上部被分隔板38封闭。旋转保持部20的主体部20a位于分隔板38的下方。卡盘20c位于分隔板38的上方。旋转轴20b插通于在分隔板38的中心部形成的贯通孔内。
如图4所示，处理液供给部24具有处理液的供给源24a、头部24c、移动体24d和拍摄部26。供给源24a具有处理液的贮存容器、泵和阀等。处理液例如为清洗液(冲洗液)或显影液。清洗液例如是纯水或DIW(Deionized Water：去离子水)。头部24c经由供给管24b与供给源24a连接。头部24c在供给处理液时位于晶片W的正面Wa的上方。设置于头部24c的液喷嘴N以朝向晶片W的正面Wa的方式向下方开口。因此，头部24c接收来自控制装置CU的控制信号，将从供给源24a供给的处理液从液喷嘴N释放到晶片W的正面Wa。
移动体24d经由臂24e与头部24c连接。移动体24d接收来自控制装置CU的控制信号，在导轨(未图示)上沿水平方向(例如X轴方向)移动。由此，在从液喷嘴N的释放口Na向晶片W的正面Wa释放处理液的释放处理中，头部24c在处于下降位置的晶片W的上方且与晶片W的中心轴正交的直线上，沿着晶片W的径向在水平方向上移动。移动体24d接收来自控制装置CU的控制信号，使臂24e升降。由此，头部24c在上下方向上移动，接近或远离晶片W的正面Wa。
如图4所示，拍摄部26设置于头部24c的前端附近，与头部24c一起移动。拍摄部26拍摄液喷嘴N的释放口Na部分。由拍摄部26拍摄到的拍摄图像被发送到控制装置CU的控制部CU2。控制部CU2对接收到的拍摄图像进行图像处理，获取液喷嘴N的释放口Na附近的附着物的存在与否、附着物的量等信息。作为本实施方式中的附着物，例如能够例举液滴、固态物(处理液固化、结晶化而成的物质、异物)等。控制部CU2基于液喷嘴N的释放口Na附近的附着物的结果，进行与液喷嘴N有关的异常判断，在异常的情况下进行液喷嘴N的清洗。另外，在异常持续的情况下等，实施异常时的措施(例如发出警报、通知异常等)。
拍摄部26构成为能够对液喷嘴N的释放口Na附近拍摄其全周。液喷嘴N的释放口Na附近是指从释放口Na释放的处理液能够附着的区域。根据处理液的释放速度(每单位时间的释放量)、晶片W的转速等，能够改变处理液附着的区域。因此，能够将通常动作时处理液能够附着的部位作为释放口Na附近进行处理。具体而言，例如，从释放口Na的下端起0.5mm～几mm左右。
当从释放口Na释放处理液时，若处理液附着地残留在释放口Na的下端部或其周缘，则在之后再次释放处理液时，有时附着物与释放初始阶段的处理液一起向晶片W流动。在对于晶片W的处理液的供给量多的情况下，释放初始阶段的处理液从晶片W上被排出，因此附着物也从晶片W上被排出。但是，在处理液的供给量少的情况下，释放初始阶段的处理液也残留在晶片W上，因此成为附着物残留在晶片W上的情形。在这样的情况下，附着物成为晶片W上的异物，有可能对基片的处理精度等造成影响。根据上述那样的观点，拍摄部26在液喷嘴N的释放口Na附近拍摄其全周。另外，在拍摄部26中，只要能够拍摄释放口Na附近的全周处的附着物即可。因此，拍摄部26获取的图像只要至少在释放口Na附近的一部分包含全周的图像即可。另外，关于拍摄液喷嘴N的释放口Na附近的全周而得的图像，可以不同时拍摄全周，也可以是将具有少许时间差而拍摄到的多个图像组合而得的图像。如上所述，附着于释放口Na附近的附着物主要来源于从液喷嘴N释放的处理液，在经过某一时间后，其状态可能因干燥、吸湿等而变化。对于拍摄部26而言，也可以构成为：在具有不引起上述附着物的状态变化的程度的时间差的状态(例如，数秒～数分钟)下拍摄多张图像，由此来获取全周的图像。
在图4中，示意性地示出了拍摄部26，但用于拍摄全周的拍摄部26的结构没有特别限定。图6～图8是说明拍摄部26的结构例的图。
图6的(a)表示由多个摄像机27构成拍摄部26，而拍摄液喷嘴N的释放口Na附近的全周的结构。在图6的(a)中表示配置有3个摄像机27的例子，但拍摄部26的数量没有特别限定。通过将多个拍摄部26配置为能够从相互不同的方向对释放口Na附近的全周进行拍摄，能够获取与液喷嘴N的释放口Na附近的全周有关的图像。在配置3个摄像机27的情况下，例如，在俯视观察时，能够将3个摄像机27均等地配置在周向上，以使连结相邻的摄像机27和液喷嘴N的释放口Na的线与连结本摄像机和释放口Na的线所成的角度均为120°。由此，能够成为利用3个摄像机27均等地拍摄释放口Na附近的全周的结构。另外，多个摄像机27也可以配置在同一水平面(XY平面)，但也可以例如使上下方向(Z轴方向)的高度位置彼此不同地配置。摄像机27例如可以设置于处理液供给部24，也可以安装于杯状体30的外壁32等。即，没有特别限定将摄像机27安装于显影处理单元U1的哪个位置(部件)。
图6的(b)表示由1个摄像机27和1个反射镜28构成拍摄部26的状态。在这样的结构的情况下，摄像机27拍摄映照在反射镜28中的液喷嘴N的释放口Na附近的像。反射镜28例如如图6的(b)所示那样配置在释放口Na的下方(Z轴负方向)，根据摄像机27的位置来调整其反射面的角度。另一方面，摄像机27被配置为与反射镜28的反射面相对。由此，利用摄像机27，能够拍摄在反射镜28中反射出的释放口Na附近的像。另外，通过采用使用反射镜28的结构，也能够从摄像机27拍摄成为死角的一侧的释放口Na附近，能够获取液喷嘴N的释放口Na附近的全周的图像。另外，能够适当改变摄像机27和反射镜28的配置。
图6的(c)表示由1个摄像机27构成拍摄部26的状态。摄像机27配置在液喷嘴N的释放口Na的正下方(Z轴负方向)。在这样的结构的情况下，摄像机27能够一次性地拍摄液喷嘴N的释放口Na的下端的全周。即，在图6的(c)所示的结构的情况下，也能够进行释放口Na附近的全周的拍摄。另外，在如图6等所示的液喷嘴N那样随着去往释放口Na而前端变细的形状的情况下，图6的(c)所示的摄像机27不仅能够拍摄释放口Na的下端，还能够拍摄其上方的倾斜部分。另外，如图6的(c)所示，也可以构成为将摄像机27配置在释放口Na的正下方，进而，能够利用反射镜28由摄像机27对液喷嘴N的释放口Na附近的侧面的像进行拍摄。
图7是摄像机27和反射镜28的配置的一例，是在与头部24c相连的臂24e上安装摄像机27，在液喷嘴N的下方配置反射镜28的例子。臂24e的高度位置并不限定于图4的结构，例如通过改变头部24c的结构等改变其他部件的结构，而能够适当地改变。另外，也可以代替反射镜28而使用由卡盘20c保持的表面平坦的基片(裸晶片)。在该情况下，成为在摄像机27中拍摄映照到裸晶片中的液喷嘴N的释放口Na附近的像的结构。
图8是摄像机27和反射镜28的配置的另一例，是在与头部24c相连的臂24e上安装摄像机27，在液喷嘴N的周围配置反射镜28的例子。图8的(a)是从侧面观察上述结构的图，图8的(b)是示意性地表示从上方观察时的液喷嘴N、摄像机27和反射镜28的位置关系的图。在图8所示的例子中，摄像机27的安装位置与图7所示的例子相同，但反射镜28的配置不同。具体而言，以相对于摄像机27成为死角的液喷嘴N的侧面的外壁映照到反射镜28中的方式配置反射镜28。因此，摄像机27也能够通过拍摄映照到反射镜28中的液喷嘴N的侧面的像来进行死角部分的拍摄。通过采用这样的结构，摄像机27能够通过一次性的拍摄来进行液喷嘴N的侧面的全周的拍摄。
如上所述，拍摄部26的结构没有特别限定，能够采用各种结构。也可以将上述所示的结构例组合。另外，也可以将具有相对于液喷嘴N可改变其位置的移动机构的摄像机27用作拍摄部26。此外，在将摄像机27配置于释放口Na的附近的情况下，能够适当调整各部的结构，以使得摄像机27和用于支承摄像机27的机构不干扰显影处理单元U1的各部的动作。
[喷嘴检查方法]
下面，参照图9～图16，对显影处理单元U1中的液喷嘴N的释放口Na的检查方法的流程进行说明。图9是说明检查方法的一连串步骤的流程图。另外，图10和图13是说明与图像处理和附着状态的评价有关的流程的流程图，图11、12、14～16是说明实施上述的流程时使用的图像的例子的图。
首先，控制装置CU的控制部CU2执行步骤S01。在步骤S01中，获取用于评价液喷嘴N的释放口Na附近的附着物的状态的基准图像。该基准图像是没有附着附着物的状态下的液喷嘴N的释放口Na附近的图像，与检查时获取的液喷嘴N的释放口Na附近的全周的图像对应。控制部CU2控制拍摄部26，获取液喷嘴N的释放口Na附近的基准图像。获取到的基准图像也可以存储在存储部CU1中。
接着，控制部CU2执行步骤S02。在步骤S02中，控制部CU2获取液喷嘴N的释放口Na附近的全周的检查图像(图像获取控制)。检查图像是指成为进行与附着物有关的评价等的对象的图像。控制部CU2控制拍摄部26，获取与液喷嘴N的释放口Na附近有关的检查图像。执行步骤S02的时机可以是预先设定的时机(例如与批次单位的晶片W有关的处理结束后)。另外，也可以构成为基于对显影处理单元U1中的处理后的晶片W等进行评价的结果来执行步骤S02。此外，在将多个图像组合而得到液喷嘴N的释放口Na附近的全周的图像的情况下，也可以将一连串的多个图像作为一个检查图像来处理。获取到的检查图像也可以存储在存储部CU1中。
接着，控制部CU2执行步骤S03。在步骤S03中，控制部CU2使用在步骤S01中获取到的基准图像和在步骤S02中获取到的检查图像，进行与附着物的评价有关的图像处理(评价控制)。接着，控制部CU2执行步骤S04。在步骤S04中，基于在步骤S03中进行了处理的图像，进行与附着物的附着状态有关的评价(评价控制)。关于上述的步骤S03和步骤S04，将在后文说明。
接着，控制部CU2执行步骤S05。在步骤S05中，作为步骤S04中的附着状态的评价的结果，判断液喷嘴N是否存在异常(判断控制)。该阶段中的是否有异常的判断，是直接使用液喷嘴N对晶片W进行处理是否合适的判断。因此，在判断为没有异常的情况下，基于液喷嘴N的检查结果判断为没有要对液喷嘴N执行的动作，结束一连串处理。
在步骤S05中判断为存在异常的情况下，控制部CU2执行步骤S06。在步骤S06中，在本次的判断中判断为存在异常的情况下，判断是否需要基于装置的异常的强制停止(异常停止)等要对液喷嘴N实施的动作(判断控制)。在判断为存在异常的情况下，成为检测到在液喷嘴N的释放口Na附近附着有附着物的情况，但在这样的情况下，通过通常对液喷嘴N的释放口Na附近进行清洗来应对。然而，例如在判断为存在反复异常等需要采取喷嘴的清洗以外的某些应对的情况下，判断为需要异常停止。在该情况下，控制部CU2执行步骤S07。即，在步骤S07中，控制部CU2进行显影处理单元U1中的基片处理的强制停止。另外，在图8中，对进行是否需要异常停止的判断和异常停止的情况进行了说明，但也可以构成为仅进行警报的通知而不进行异常停止。另外，在步骤S06中，也可以构成为判断是否实施异常停止和警报的通知中的哪一者。
在步骤S06中判断为不需要异常停止的情况下，控制部CU2执行步骤S08。在步骤S08中，进行液喷嘴N的释放口Na附近的清洗(判断控制/清洗控制)。控制部CU2控制显影处理单元U1，进行与液喷嘴N的清洗有关的处理。另外，也可以构成为基于附着状态的评价结果来改变步骤S08中的液喷嘴N的清洗方法。关于这一点在后文说明。
[从图像处理至异常判断的具体流程]
下面，参照图10～图12，对判断液喷嘴N的释放口Na附近是否存在异常时的具体流程进行说明。此处说明的流程是图9中的步骤S03～步骤S06的具体流程的一种方式。
首先，控制部CU2执行步骤S11。在步骤S11中，控制部CU2根据存储在存储部CU1中的基准图像和检查图像来计算差分。通过计算差分，能够根据亮度值来掌握检查图像中的各像素相对于基准图像变化了何种程度。检查图像相对于基准图像的变化、即亮度值与0不同的部分的大部分受到附着物的附着的影响。即，通过进行制作与差分有关的图像的处理，能够推断附着物的区域。
控制部CU2执行步骤S12。在步骤S12中，控制部CU2计算差分图像中的各像素的亮度值的平均值。即，计算差分图像中包含的全部像素的亮度值的平均值。
控制部CU2执行步骤S13。在步骤S13中，基于在步骤S12中计算出的亮度值的平均值来进行异常判断。具体而言，在平均值为阈值以上的情况下，判断为在液喷嘴N的释放口Na附近存在异常。此外，在步骤S13中判断为存在异常的情况下，在控制部CU2中，基于图9所示的流程实施进一步的判断，进行异常停止或清洗等控制。
参照图11，对具体的例子进行说明。在图11中，表示从向下倾斜方向对液喷嘴N的释放口Na附近进行拍摄而得的图像的例子。在图11中，使用纵480像素×横640像素的合计307200像素的图像。图11的(a)相当于液喷嘴N的释放口Na附近的基准图像。与此相对，图11的(b)是相当于检查图像的图像，是表示几乎不存在附着物的状态的图像。图11的(c)表示求取这样的2个图像的差分而得的结果。图11的(c)所示的图像是将2个图像的各像素中的亮度值(像素值)的差分表示在与各像素对应的位置的单色图像。在基准图像和检查图像是彩色图像的情况下，也可以分别在灰度化之后计算亮度值的差分。在彩色图像的情况下，图11的(c)将各像素的亮度值(0～255)表示为灰度，亮度值越大则表示为白色。在图11的(c)中，为了参考而表示在整个图像中进行了明度调整的状态。此外，在基准图像和检查图像是彩色图像的情况下，也可以使用通过与灰度化不同的方法来计算各像素的像素值的方法。
如图11的(b)所示的检查图像，在拍摄到几乎不存在附着物的状态的图像是检查图像的情况下，如图11的(c)所示，在差分的图像中具有亮度值的像素变得相当少，其结果，亮度值的平均值变小。在图11的(c)所示的例子中，亮度值的平均值为2.95。另一方面，图11的(d)是相当于与图11的(b)不同的检查图像的图像，是表示在液喷嘴N的释放口Na的前端附近存在附着物的状态的图像。在计算出这样的2个图像的差分的情况下，如图11的(e)所示，在被认为附着有附着物的区域中，存在具有某一程度的亮度值(看起来为白色)的像素。在该情况下，亮度值的平均值变大。在图11的(e)所示的例子中，亮度值的平均值为2.95。这样，根据附着物的附着状况，使用基准图像的差分图像的亮度值的平均值发生变化。因此，在该平均值大于规定的阈值的情况下，能够判断为在液喷嘴N的释放口Na附近附着有附着物而判断为存在异常。另外，在图11的(e)中，为了参考而表示在整个图像中进行了明度调整的状态。
参照图12，对与图11不同的具体例进行说明。在图12中，表示从释放口Na的正下方对液喷嘴N的释放口Na附近进行拍摄而得的图像的例子。在图12中，使用纵640像素×横480像素的合计307200像素的图像。图12的(a)相当于液喷嘴N的释放口Na附近的基准图像。与此相对，图12的(b)是表示在液喷嘴N的释放口Na的前端附近存在附着物的状态的图像。图12的(c)表示计算这样的2个图像的差分而得的结果。图12的(c)是表示通过与图11的(c)、(e)同样的方法计算差分的亮度值而得的结果的图像。另外，图12的(c)也表示进行了图像整体的明度调整的状态。如图12的(c)所示，在被认为附着有附着物的区域中，存在具有某一程度的亮度值(看起来为白色)的像素。在该情况下，也认为全部像素的亮度值的平均值变大至某一程度，因此在平均值大于规定的阈值的情况下，判断为在液喷嘴N的释放口Na附近附着有附着物而判断为存在异常。
另外，在图12的(c)所示的差分图像中，能够区别分别附着于液喷嘴N的释放口Na的内壁侧和外壁侧的附着物的图像。即，在与释放口Na的下端的端面对应的区域中，基准图像和检查图像这两者为相同程度的亮度，因此在差分图像中亮度为0或接近0。另一方面，如图12的(b)所示，与基准图像相比，比内壁表面靠内侧和外壁表面的外侧，其检查图像中的附着物明显。因此，如图12的(c)所示，在差分图像中也在各区域中观察到亮度值大的区域。
在图12所示的例子的情况下，如上所述，能够区分内壁的附着物和外壁的附着物。因此，在使用这样的图像进行液喷嘴N的释放口Na附近的附着物的评价的情况下，能够区分内壁侧的附着物和外壁侧的附着物来进行评价。另外，如图12所示的例子，在对液喷嘴N的释放口Na附近进行拍摄而得的图像的分辨率较高的情况下，附着物的特性被反映在图像中。因此，能够从检查图像或差分图像获取与附着物的特性有关的信息，确定附着物的种类。
因此，参照图13～图16，对基于对附着物的附着位置进行了区分的评价和附着物的种类的评价等来判断液喷嘴N的释放口Na附近是否存在异常时的具体流程进行说明。此处说明的流程是图9中的步骤S03～步骤S06的具体流程的一种方式。
在图14～图16中，表示与图12同样地使用对液喷嘴N的释放口Na的下端进行拍摄而得的图像的具体例。但是，在将图11中说明的从斜下方对液喷嘴N的释放口Na进行拍摄而得的图像作为检查图像的情况下，也能够进行同样的流程。另外，在将对液喷嘴N的释放口Na附近的侧面的全周进行拍摄而得的图像作为检查图像的情况下，也能够进行同样的流程。但是，根据检查图像中的液喷嘴N的朝向的不同而液喷嘴N的释放口Na的下表面的附着物难以检测等，根据检查图像中的液喷嘴N的朝向的不同，成为进行异常判断的对象的部位(液喷嘴N的侧面、下端等)可能发生变化。
首先，控制部CU2执行步骤S21。在步骤S21中，控制部CU2根据存储在存储部CU1中的基准图像和检查图像来计算差分。该步骤与步骤S11相同。
接着，控制部CU2执行步骤S22。在步骤S22中，控制部CU2基于液喷嘴N的释放口Na附近的喷嘴形状信息来推断液喷嘴N的释放口Na附近的附着物的附着位置。喷嘴形状信息是指确定液喷嘴N的形状的信息。在本实施方式中，液喷嘴N的下端部的外形即下端部的轮廓成为喷嘴形状信息，但例如根据检查图像中的液喷嘴N的朝向，对其他部分的形状进行确定的信息可能成为喷嘴形状信息。即，所谓喷嘴形状信息，是指能够对在没有附着附着物的状态下的喷嘴的形状进行确定的信息。
如图12的(c)所示，在基准图像与检查图像的差分图像中，能够确定液喷嘴N的释放口Na的下端的轮廓。即，如图14的(a)所示，能够从差分图像中确定液喷嘴N的释放口Na的下端的轮廓，即下端面的与内壁的边界部和与外壁的边界部。另外，也可以代替从差分图像获取喷嘴形状信息，而预先在控制装置CU的存储部CU1中保持对应的信息。由拍摄部26拍摄的液喷嘴N的释放口Na附近的图像，是如上述那样基本上由拍摄位置决定的。因此，检查图像中包含的液喷嘴N的释放口Na的喷嘴形状信息是基本上不变的，也可以预先保持检查图像中的液喷嘴N的释放口Na的下端的位置。
当如上述那样使用喷嘴形状信息时，能够推断在差分图像中成为亮度值高的区域的附着有附着物的区域是位于液喷嘴N的内壁侧还是外壁侧。即，能够使用差分图像中包含的喷嘴形状信息来推断附着物的附着位置。另外，在本实施方式中，对于该阶段的附着物的附着位置的推断，是对附着位置为内壁侧/外壁侧中的哪一者的情况进行说明。然而，作为更详细的附着位置，例如也可以构成为，以液喷嘴N的中心为基准，推断在哪一个方向上有附着物、或者从液喷嘴N的释放口Na起的距离处于何种程度的位置等。根据检查图像是从哪一方拍摄到的图像，可根据图像推断的附着位置(上下方向、径向上的位置关系等)可能变化。
接着，控制部CU2执行步骤S23。在步骤S23中，控制部CU2在每个附着位置根据拍摄到的附着物的像素数来评价附着物的附着量。图14的(b)表示这样的例子，即在针对图12的(c)所示的图像以规定的阈值为基准进行二值化处理后，仅提取被认为拍摄到外壁侧的附着物的区域。另外，图14的(c)表示这样的例子，即在针对图12的(c)所示的图像以规定的阈值为基准进行二值化处理后，仅提取被认为拍摄到内壁侧的附着物的区域。这样，在进行二值化处理之后，通过提取拍摄到外壁侧/内壁侧的附着物的区域，能够计算附着于液喷嘴N的外壁侧/内壁侧的附着物的所拍摄到的像素的数量(像素数)。例如，在图14的(b)所示的例子中，能够将在外壁侧拍摄到附着物的像素数计为12649像素。另外，在图14的(c)所示的例子中，能够将在内壁侧拍摄到附着物的像素数计为5426像素。这样，能够根据对拍摄到附着物的像素数即拍摄到附着物的面积，来评价附着物的附着量。这样计算出的附着量能够作为判断是否存在异常时的信息来利用。
接着，控制部CU2执行步骤S24。在步骤S24中，控制部CU2评价附着物的种类。作为附着物的种类，如上所述大致分为液体(液滴)和固体(固态物)。在步骤S24中，控制部CU2基于检查图像或差分图像来区分这2个种类。
参照图15，对用于确定附着物的种类的流程的一例进行说明。图15的(a)是对液滴附着于液喷嘴N的释放口Na附近的外壁侧的状态进行拍摄而得的检查图像。图15的(b)是对图15的(a)所示的检查图像以规定的阈值为基准进行二值化处理后的图像。另一方面，图15的(c)是对固态物附着于液喷嘴N的释放口Na附近的外壁侧的状态进行拍摄而得的检查图像。图15的(d)是对图15的(c)所示的检查图像以规定的阈值为基准进行二值化处理后的图像。
根据图15的(a)与图15的(c)的比较可知，在附着有液滴的情况和附着有固态物的情况下，在拍摄图像中外观也变化。具体而言，在附着有液滴的情况下，附着物的外形变得平缓，发光方式变得均匀，因此在图像上也成为平缓的形状。另一方面，在附着有固体物的情况下，在附着物的外形上可能残留微小的凹凸(当然，其形状可能因固体物而不同)，由此光散射变得稀疏，即使在图像上也清楚地残留有凹凸。上述的不同点还能够在图15的(b)和图15的(d)所示的二值化图像中掌握。因此，也能够利用评价了附着量的二值化图像来推断附着物的外形(凹凸)，由此判断附着物是液体还是固体。另外，也可以不从二值化图像，而从检查图像(图15的(a)、(c)所示的图像)来直接判断附着物的种类。另外，在推断外形(凹凸)时，也可以进行极坐标展开。
另外，也可以代替如上述那样以附着物的外形的凹凸为基准进行判断，而例如以拍摄到1个附着物的区域的大小(像素数)为基准进行判断。例如，若液滴没有某一程度的大小则不单独存在，因此能够推断为在拍摄到液滴的图像中拍摄到附着物的区域变大至某一程度。另一方面，固态物可以比液滴小，也可以单独存在。基于该情况，也可以基于被推断为拍摄到1个附着物的连续的区域的大小(像素数)，在比规定的阈值大的区域中判断为存在液滴，在除此以外的区域中判断为存在固态物。这样，根据检查图像或由检查图像加工成的图像(例如二值化后的图像)来判断液喷嘴N的释放口Na附近的附着物的种类的方法没有特别限定，能够应用各种方法。
接着，控制部CU2执行步骤S25。在步骤S25中，控制部CU2根据在上述的步骤S23、S24中得到的各种信息来判断是否存在异常。例如，通过执行步骤S23，在控制部CU2中能够得到与附着物的附着量有关的信息。另外，通过执行步骤S24，在控制部CU2中能够得到与附着物的种类有关的信息。能够采用利用这些信息来判断是否存在异常。
根据附着物的附着量来判断是否存在异常时的基准可以单纯地是拍摄到附着物的像素的像素数，但并不限定于此。例如，也可以基于拍摄到附着物的像素的亮度值(像素值)的大小来判断是否存在异常。另外，关于附着物如何附着，也可以包含在判断是否存在异常时的基准中。图16是对还考虑附着有附着物的“状态”的情况的一例进行说明的图。在图16中，在对图14的(b)所示的拍摄到外壁的附着物的区域进行了提取的图像中追加了用于判断是否存在异常的2个基准线L1、L2。基准线L1、L2分别是以液喷嘴N的释放口Na的中心为基准且从外壁起的距离彼此不同的圆。即，基准线L1是表示相对于外壁在其外侧100μm的线，基准线L2是表示相对于外壁在其外侧50μm的线。可采用如下方式：预先设置该基准线L1、L2，根据拍摄到附着物的像素与基准线L1、L2的位置关系来判断是否存在异常。例如，在附着物比基准线L1更向外侧突出的情况下，能够判断为需要异常停止。另外，也可以采用如下方式：附着物没有突出到比基准线L1靠外侧的位置，但在比基准线L2更向外侧突出的情况下，判断为存在异常并发出警告。另外，也可以采用如下方式：在比基准线L1或基准线L2更向外侧突出的附着物(拍摄到附着物的区域的像素数)超过规定量的情况下，判断为异常。这样，也可以采用这样的构成，即作为判断是否存在异常时的基准，利用基准线L1、L2。
接着，控制部CU2执行步骤S26。在步骤S26中，控制部CU2在根据异常的判断的结果而判断为需要进行液喷嘴N的清洗的情况下，选择与判断的结果相应的清洗方法，执行清洗。
在图17中表示与具体的清洗方法的选择有关的、控制部CU2中的判断的流程的一例。首先，控制部CU2执行步骤S31。在步骤S31中，控制部CU2基于附着物的位置的确定(步骤S22)的结果，判断在液喷嘴N的释放口Na附近的内壁侧是否存在污垢(存在附着物)。其结果，当判断为在内壁侧存在附着物时，控制部CU2执行步骤S32。即，作为步骤S32，控制部CU2以能够清洗液喷嘴N的内壁的方法实施液喷嘴N的清洗。在该情况下，能够采用与液喷嘴N内部的清洗一起进行外壁的清洗的方式。另一方面，当判断为在内壁侧没有附着物时，控制部CU2执行步骤S33。即，控制部CU2进行喷嘴尖端的清洗。喷嘴尖端的清洗是主要清洗喷嘴的外壁的方法，是与进行内壁的清洗的情况相比，步骤数较少的方法。这样，也可以采用根据附着物的附着位置来改变清洗方法的方式。另外，也可以采用这样的方式，即不进行与附着物的附着位置相应的清洗方法的选择(步骤S26)，而在需要清洗的情况下执行规定的清洗方法。
另外，在上述实施方式中，参照图10和图13对2个流程进行了说明。但是，特别是关于液喷嘴N是否存在异常的判断，既可以采用控制部CU2同时进行图10和图13这两者中说明的流程的方式，也可以采用仅进行某一者的方式。
[作用]
依照上述的显影处理单元(基片处理装置)U1和喷嘴检查方法，基于对液喷嘴N的释放口Na的附近的全周进行拍摄而得的检查图像，进行附着物在液喷嘴N的释放口Na的附着状态的评价。另外，更详细而言，推断拍摄到在液喷嘴N附着有附着物的区域，并基于其结果来判断是否存在异常。这样，进行基于对液喷嘴N的释放口Na的附近的全周进行拍摄而得的图像的评价，作为其一个方式，判断是否存在异常。因此，能够降低在附着有附着物的状态下液喷嘴N动作的可能性，因此能够更适当地评价附着物在喷嘴的释放口Na附近的附着状态。
以往，研究了在对基片处理装置中的供给处理液的液喷嘴的状态进行评价时，使用图像的技术。然而，当为使用从一个方向拍摄液喷嘴而得的图像来进行评价的构成时，在图像中无法拍摄的部位附着有附着物的情况下，有时不会注意到附着有附着物。在这样的情况下，关于液喷嘴的异常判断，有可能错误地进行判断。然而，如上所述，以往对基片供给的处理液的供给量多，因此与释放初始阶段的处理液一起落到基片表面的附着物在基片处理中成为问题的可能性低。因此，即使是上述的构成，成为较大问题的可能性也较低。
与此相对，在近年来正在进行研究的、与以往的液处理相比降低对基片供给的处理液的供给量的控制中，附着物混合到释放初始阶段的处理液中的情况会在基片上的液处理中引起缺陷。因此，要求以更高的精度检测附着物在喷嘴的附着的技术。依照上述的基片处理装置和喷嘴检查方法，与现有技术相比，能够以更高的精度进行附着物对喷嘴的附着有关的评价，并且能够判断是否存在异常。因此，也能够应对降低了处理液的供给量的基片处理的控制。
另外，如上述实施方式中说明的那样，通过基于评价结果来判断要对液喷嘴执行的动作，能够根据评价结果实施适当的处置，能够进行考虑了液喷嘴N的异常等的适当的应对。
另外，如上述实施方式中说明的那样，基于在检查图像中拍摄到附着物的区域的像素值或者像素数等来评价附着物的附着状态，并基于该结果来判断在液喷嘴N是否存在异常。通过采用这样的方式，能够根据附着物的附着状态来评价是否存在异常。因此，通过采用这样的方式，能够更适当地评价附着物的附着状态。
另外，在上述实施方式中，推断根据检查图像推断出的附着于液喷嘴N上的附着物是液体还是固体。通过采用这样的方式，能够评价附着物是以何种程度牢固地附着在液喷嘴N的释放口Na附近等，能够更适当地评价附着状态。
另外，在上述实施方式中，通过基于检查图像来推断附着物的附着位置，能够更高精度地评价该附着物对使用了液喷嘴N的处理造成何种程度的影响等。特别是，根据附着物附着于液喷嘴N的内壁侧和外壁侧中的哪一者，也能够改变附着物与处理液一起被排出的风险。因此，通过采用推断附着物附着于液喷嘴N的内壁侧和外壁侧中的哪一者的方式，能够更适当地评价附着物对基片处理造成的影响。
另外，在上述实施方式中，基于评价控制中的评价结果来选择液喷嘴N的清洗方法。通过采用这样的方式，能够进行与附着物的附着状况相应的适当的清洗。因此，能够适当地从液喷嘴N除去附着部。
以上，对各种例示的实施方式进行了说明，但并不限定于上述的例示的实施方式，也可以进行各种省略、替换和改变。另外，能够将不同的实施方式中的要素组合而形成其他实施方式。
例如，在上述实施方式中，对在控制装置CU的控制部CU2中进行与喷嘴检查有关的控制的情况进行了说明。但是，进行与喷嘴检查有关的控制的功能部可以集中配置于1个装置，也可以分散地配置于多个装置。
另外，能够适当改变液喷嘴N及其释放口Na的形状。能够根据释放口Na的形状，来改变拍摄部26的结构。另外，能够根据液喷嘴N的形状来改变作为检查图像使用的图像。
另外，对从检查图像推断拍摄到附着物的区域的方法并不限定于上述实施方式。例如，在上述实施方式中，关于从液喷嘴N的释放口Na的正下方拍摄到的图像，没有说明对释放口Na的下端(下表面)的附着物进行评价的情况。与此相对，例如也可以根据检查图像中的各像素的亮度值的分布等对下端的附着物也进行评价。另外，在上述实施方式中，对基于利用基准图像而生成的差分图像来进行异常的判断的情况进行了说明，但也可以采用不利用差分图像的方式。另外，也可以采用不利用基准图像的方式。
根据以上的说明，为进行说明而在本说明书中对本发明的各种实施方式进行了说明，应当理解，在不脱离本发明的范围和主旨的情况下能够进行各种变更。因此，本说明书所公开的各种实施方式并不用于限定，真正范围和主旨由所附的权利要求书给出。
附图标记说明
1……涂敷显影装置，26……拍摄部，27……摄像机，28……反射镜，CU……控制装置，CU1……存储部，CU2……控制部，D……显示部，N……液喷嘴，Na……释放口，U1……显影处理单元(基片处理装置)，W……晶片(基片)，Wa……正面。

Claims (8)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
从释放口对下方的基片释放处理液的液喷嘴；
对所述液喷嘴的所述释放口的附近的全周进行拍摄的拍摄部；和
控制部，
所述控制部执行：
图像获取控制，其获取在所述拍摄部中拍摄到的所述液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像；和
评价控制，其根据所述液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像，进行附着物在所述液喷嘴的释放口的附着状态的评价。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部还执行判断控制，所述判断控制基于所述评价控制中的评价结果，判断要对所述液喷嘴执行的动作。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部在所述评价控制中，根据所述检查图像来推断在所述液喷嘴附着有附着物的区域，基于所述推断出的区域的像素值来评价附着物在所述液喷嘴的释放口的附着状态，
所述控制部在所述判断控制中，基于所述评价结果来判断在所述液喷嘴是否存在异常。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部在所述评价控制中，基于根据所述检查图像推断出的拍摄到附着于所述液喷嘴的附着物的区域的外形或大小，推断附着于所述液喷嘴的附着物是液体还是固体。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部在所述评价控制中，基于所述检查图像来推断附着物在所述液喷嘴的附着位置。
6.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部在所述判断控制中，当判断为在所述液喷嘴中存在异常时，基于所述评价结果，选择所述液喷嘴的清洗方法。
7.一种喷嘴检查方法，其特征在于：
所述喷嘴检查方法是基片处理装置的喷嘴检查方法，所述基片处理装置具有从释放口对下方的基片释放处理液的液喷嘴，
所述喷嘴检查方法：
获取对所述液喷嘴的所述释放口的附近的全周进行拍摄而得的检查图像，
根据所述液喷嘴的所述释放口的附近的全周的检查图像，进行附着物在所述液喷嘴的释放口的附着状态的评价。
8.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：
存储有用于使装置执行权利要求7所述的喷嘴检查方法的程序。
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