KR20220010948A - 이온전도도 향상을 위한 충진제를 포함한 막-전극 접합체용 전해질막 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 저분자량의 고분자 화합물(올리고머, Oligomer)인 충진제를 포함하는 막-전극 접합체용 전해질막에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 술폰산기(Sulfonic Acid)를 함유하는 저분자량의 폴리비닐피롤리돈(Oligomeric polyvinylpyrrolidone) 화합물 및 이를 포함하는 전해질막에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 수소이온 전도도가 향상된 막-전극 접합체용 전해질막을 얻을 수 있다.
본 발명에 따르면 수소이온 전도도가 향상된 막-전극 접합체용 전해질막을 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 이온전도도 향상을 위한 충진제를 포함하는 막-전극 접합체용 전해질막에 관한 것이다.
수소이온 교환막 연료전지(PEMFC, Proton Exchange Membrane Fuel Cell)는 기본적으로 연료극(anode), 산소극(cathode) 및 두 전극 사이에 배치되는 고분자 전해질막(polymer electrolyte membrane)을 포함하며, 이러한 구성을 막-전극 접합체(Membrane-Electrode Assembly)라 한다.
연료극에는 연료인 수소가 공급되고 산소극에는 산화제인 산소가 공급되며, 연료극에 공급되는 수소는 전자를 잃고 수소이온(H+, proton)이 되어 고분자 전해질막을 통하여 산소극으로 이동한다.
이때, 수소에서 발생한 전자는 전지 외부회로에서 전기적 일을 하고 산소극에 이르게 되고, 산소극에서는 수소이온이 산소 및 전자와 결합해 물이 생성된다.
여기서, 고분자 전해질막은 이온 교환막으로 대표되는 나피온(Nafion)을 사용할 수 있으며, 이는 연료극에서 발생한 수소이온을 산소극으로 전달해주는 역할 및 연료인 수소가 직접 산소와 만나지 않도록 하는 격막 역할을 담당한다.
이때, 수소 이온 전도는 수분의 존재하에 술폰산 작용기(-SO3H group)를 통한 수소이온의 교환에 의존하기 때문에 고분자 전해질막의 수화레벨(hydration level)을 최적으로 유지해야 한다.
한편, 이러한 수소이온 교환 특징, 즉 수소이온 전도도를 증가시키기 위해서 다양한 무기 충진제(inorganic filler)가 연구되었는데, TiO2, TiSiO4, SiO2, zeolite, graphene, graphene oxide 등이 나피온 분리막의 충진제로 사용되었다.
상기 무기 충진제는 고분자 무기 복합 분리막(polymer inorganic composite membranes)에서 분리막의 수화를 유지시켜 주면서 양성자 전도성도 향상시키는 것으로 알려져 있다.
그러나 이러한 무기 충진제의 크기는 일반적으로 100nm이므로, 나피온 전해질막의 사슬의 길이 혹은 이의 수화된 미세 구조보다 10배에서 100배 더 큰 크기이다. 이러한 적절하지 않은 크기의 무기 충진제 사용은 고분자 전해질 안에서 분산 문제를 일으킬 수 있으며, 그 결과 전해질막의 기계적 강도 등 물성을 저하시킬 수 있다. 그러므로 전해질막의 분자 수준의 미세 구조에 알맞은 적절한 크기의 충진제를 사용하는 것이 중요하다.
W. Wu et al., Adv. Mater. 2018, 30, 1707516.
D. C. Lee et al., J. Membr. Sci. 2014, 452, 20.
Y. Li et al., J. Hydrogen Energy 2010, 35, 10560.
본 발명은 수소이온 전도도가 향상된 막-전극 접합체용 전해질막을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 충진제가 고르게 분산되어 있는 막-전극 접합체용 전해질막을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않는다. 본 발명의 목적은 이하의 설명으로 보다 분명해 질 것이며, 특허청구범위에 기재된 수단 및 그 조합으로 실현될 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 막-전극 접합용 전해질막은 과불소 술폰산계 고분자를 포함하는 이오노머; 및 상기 이오노머에 분산된 충진제를 포함하고, 상기 충진제는 중량평균분자량이 10,000 g/mol 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 전해질막은 상기 충진제의 수화반경(Radius of hydration)이 5nm 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 전해질막은 상기 충진제의 수화반경이 2nm 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 전해질막은 상기 충진제의 중량평균분자량이 5,000 g/mol 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 충진제는 하기 화학식1로 표현되는 반복단위를 함유하는 올리고머를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식1]
(M-B)A
상기 M은 , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , 및 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 것을 포함하고, 상기 B는 수소(H) 및 술폰산기(SO3H)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 것을 포함하고, 상기 A는 HSO4 -, NO3 -, PO4 3-, Cl-, BF4 -, PF6 -, CF3SO3 - 및 C2F6NO4S2 -로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 음이온을 포함하고, 상기 M과 B는 상기 M 중 산소(O), 질소(N) 및 황(S)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 원소를 통해 연결된다.
상기 충진제는 폴리비닐피롤리돈(PVP: Poly(vinylpyrrolidone))의 유도체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 충진제는 산 도핑된 올리고머(Acid doped oligomer)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 충진제는 하기 화학식1A로 표현되는 올리고머를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식1A]
상기 충진제는 하기 화학식1B로 표현되는 올리고머를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식1B]
상기 A는 HSO4 -, NO3 -, PO4 3-, Cl-, BF4 -, PF6 -, CF3SO3 - 및 C2F6NO4S2 -로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 음이온을 포함한다.
상기 충진제는 하기 화학식2 내지 화학식9로 표현되는 화합물 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식2]
[화학식3]
[화학식4]
[화학식5]
[화학식6]
[화학식7]
[화학식8]
[화학식9]
상기 전해질막은 상기 충진제의 함량이 1중량% 내지 3중량%인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 막-전극 접합체용 전해질막의 제조방법은 과불소 술폰산계 고분자를 포함하는 이오노머 및 충진제를 포함하는 혼합용액을 준비하는 단계; 상기 혼합용액을 기재상에 도포하는 단계; 및 도포된 결과물을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 수소이온 전도도가 향상된 막-전극 접합체용 전해질막을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 충진제가 고르게 분산되어 있는 막-전극 접합체용 전해질막을 얻을 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과로 한정되지 않는다. 본 발명의 효과는 이하의 설명에서 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.
도 1a는 종래의 전해질막 내에서 수화된 이오노머의 미세 분자 구조인 클러스터-네트워크 모델(Cluster-network model)을 도시한 것이다.
도 1b는 본 발명에 따른 전해질막 내에서 수화된 이오노머 및 충진제의 미세 분자 구조인 클러스터-네트워크 모델을 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 전해질막의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도 1b는 본 발명에 따른 전해질막 내에서 수화된 이오노머 및 충진제의 미세 분자 구조인 클러스터-네트워크 모델을 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 전해질막의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
달리 명시되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 성분, 반응 조건, 폴리머 조성물 및 배합물의 양을 표현하는 모든 숫자, 값 및/또는 표현은, 이러한 숫자들이 본질적으로 다른 것들 중에서 이러한 값을 얻는 데 발생하는 측정의 다양한 불확실성이 반영된 근사치들이므로, 모든 경우 "약"이라는 용어에 의해 수식되는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 기재에서 수치범위가 개시되는 경우, 이러한 범위는 연속적이며, 달리 지적되지 않는 한 이러한 범 위의 최소값으로부터 최대값이 포함된 상기 최대값까지의 모든 값을 포함한다. 더 나아가, 이러한 범위가 정수를 지칭하는 경우, 달리 지적되지 않는 한 최소값으로부터 최대값이 포함된 상기 최대값까지를 포함하는 모든 정수가 포함된다.
본 발명에 따른 막-전극 접합체용 전해질막은 과불소 술폰산계 고분자를 포함하는 이오노머 및 상기 이오노머에 분산된 충진제를 포함한다.
상기 이오노머는 수소이온 전도성 작용기를 갖는 고분자일 수 있다. 상기 수소이온 전도성 작용기는 술폰산, 술폰산염, 카르복실산, 카르복실산염, 인산, 인산염 등을 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 이오노머는 상기 수소이온 전도성 작용기를 포함하는 과불소 술폰산계 이오노머(PFSA: Perfluorinated Sulfonic Acid Ionomer)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 이오노머는 나피온(Nafion)을 포함할 수 있다.
본 발명은 상기 이오노머에 충진제를 첨가하여 전해질막의 수소이온 전도도를 향상시킨 것을 특징으로 한다.
구체적으로 도 1a에 도시된 수화된 이오노머의 미세 분자 구조인 클러스터-네트워크 모델(Cluster-network model)에 따르면 이오노머의 술폰산기(-SO3 -)에 흡수된 물은 지름이 수 나노미터인 구(球) 형태의 클러스터를 이루며, 연속된 클러스터를 연결하는 약 1nm 폭의 좁은 채널이 형성된다. 따라서 종래와 같이 지름이 약 100nm인 TiO2, TiSiO4, SiO2, 제올라이트, 그래핀, 산화 그래핀 등의 충진제를 사용하면 상기 클러스터 및/또는 채널에 영향을 미치지 못하고 오히려 전해질막 내에서 뭉쳐버리거나 전해질막의 기계적 강도 등의 물성을 저하시킬 수 있다.
따라서 본 발명은 도 1b와 같이 수화된 이오노머의 미세 분자 구조에 알맞은 크기의 충진제를 사용함으로써, 미세 분자 구조 수준에서 상기 이오노머와 상기 충진제가 서로 혼합될 수 있도록 하였다.
이와 함께 본 발명은 상기 충진제로 산 도핑된 올리고머(Acid doped oligomer) 또는 태생적으로 수소이온 전도성이 있는 올리고머를 사용한 것을 특징으로 한다. 따라서 도 1b와 같이 수화된 이오노머의 클러스터 내에 상기 충진제가 삽입되면 추가적인 수소이온의 이동 경로가 제공되어 전해질막의 수소이온 전도도가 향상될 수 있다.
이하 상기 충진제에 대해 구체적으로 설명한다.
상기 충진제는 수화반경(Radius of hydration)이 5nm 이하, 또는 2nm 이하인 것일 수 있다. 상기 충진제의 수화반경이 5nm를 초과하면 수화된 이오노머의 미세 분자 구조와 혼합되지 않을 수 있다. 또한, 상기 충진제의 수화반경의 하한값은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 0.1nm, 또는 0.5nm, 또는 1nm일 수 있다.
상기 충진제는 중량평균분자량이 10,000g/mol 이하, 또는 5,000g/mol 이하, 또는 2,500g/mol 이하인 것일 수 있다. 상기 충진제의 중량평균분자량이 10,000g/mol을 초과하면 상기 충진제의 수화반경이 너무 커져서 수화된 이오노머의 미세 분자 구조와 혼합되지 않을 수 있다. 또한, 상기 충진제의 중량평균분자량의 하한값은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 500g/mol, 도는 1,000g/mol일 수 있다.
상기 충진제는 산 도핑된 올리고머; 및/또는 수소이온 전도성이 있는 올리고머를 포함할 수 있다.
상기 산 도핑된 올리고머는 질소 혹은 황의 불포화 배위 자리를 가지는 올리고머에 산을 처리하여 얻을 수 있다. 구체적으로 상기 산 도핑된 올리고머는 하기 화학식1로 표현되는 반복단위를 함유하는 올리고머를 포함할 수 있다.
[화학식1]
(M-B)A
여기서 상기 M은 산 도핑된 올리고머의 모체가 되는 질소 혹은 황의 불포화 배위 자리를 가지는 고분자의 반복단위이고, 구체적으로 , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , 및 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 것을 포함할 수 있다.
상기 B와 A는 처리되는 산에 기인한 것들로서, 상기 B는 수소(H) 및 술폰산기(SO3H)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 것을 포함하고, 상기 A는 HSO4 -, NO3 -, PO4 3-, Cl-, BF4 -, PF6 -, CF3SO3 - 및 C2F6NO4S2 -로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 음이온을 포함할 수 있다.
또한, 상기 M과 B는 상기 M 중 산소(O), 질소(N) 및 황(S)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 원소를 통해 연결될 수 있다.
보다 구체적으로 상기 산 도핑된 올리고머는 하기 화학식1A 또는 화학식1B로 표현되는 올리고머를 포함할 수 있다.
[화학식1A]
[화학식1B]
상기 화학식1A 및 화학식1B에서 n은 전술한 충진제의 중량평균분자량에 맞게 적절한 값을 취할 수 있고, 상기 화학식1B의 A는 전술한 바와 같다.
상기 화학식1A 및 화학식1B는 질소 혹은 황의 불포화 배위 자리를 가지는 고분자인 폴리비닐피롤리돈(PVP: Poly(vinylpyrrolidone))에 산을 처리하여 얻을 수 있는 올리고머이다.
상기 폴리비닐피롤리돈은 흡습성이 있으며, 물과 알코올에 잘 녹고 독성이나 자극성이 없는 생체적합성 고분자이다. 상기 폴리비닐피롤리돈은 아마이드 (RC(=O)NR'R")의 극성(polarity)을 지니고 있다. 즉, 상기 폴리비닐피롤리돈은 극성을 지니는 다른 고분자들과 호환성이 우수하여 첨가제로 널리 사용된다.
하기 표 1은 중량평균분자량에 따른 폴리비닐피롤리돈의 수화반경을 동적 광 산란(DLS, Dynamic Light Scattering)과 겔 투과 크로마토그래피(GPC, Gel Permeation Chromatography)로 측정한 결과이다. 또한, 폴리비닐피롤리돈의 고분자 사슬의 회전 반경 반지름 (Rg, Radius of Gyration)을 다 각도 광 산란 기기 (MALS, Multi Angel Light Scattering)로 측정한 결과이다.
PVP 중량평균분자량 [g/mol] |
수화반경[nm] | 회전 반경 반지름1 ) [nm] |
|
DLS | GPC | ||
2,500 | 2 | -2) | -2) |
5,000 | 3 | 2 | -2) |
10,000 | 5 | 4 | 6 |
40,000 | 8 | 6 | 10 |
1) 18 Angles 이용;
2) 입자가 너무 작아서 측정 불가
상기 이오노머의 수화된 클러스터의 지름을 고려하면 중량평균분자량이 10,000 g/mol 이하인 폴리비닐피롤리돈을 산처리하여 충진제를 제조하는 것이 바람직할 수 있다.
상기 폴리비닐피롤리돈을 산 처리하여 상기 화학식1A로 표현되는 올리고머를 얻는 반응 경로는 다음과 같다.
상기 화학식1A로 표현되는 올리고머의 반응 경로는 H. R. Safaei et al., RSC Adv., 2015, 5, 6797.에 따른 것으로서, 그 구체적인 방법은 생략한다.
상기 폴리비닐피롤리돈을 산 처리하여 상기 화학식1B로 표현되는 올리고머를 얻는 반응 경로는 다음과 같다.
구체적으로 PVP 수용액에 황산, 질산, 인산, 염산, HBF4, HPF6, HCF3SO3, HC2F6NO4S2 등의 산을 첨가하며 교반한다. 교반 후, 아세톤 용매 등을 이용해 침전시킨다. 원심 분리를 통해 젤 형태의 생성물을 얻고 오븐에서 건조하여 상기 화학식1B로 표현되는 올리고머를 얻을 수 있다.
상기 충진제는 태생적으로 수소이온 전도성이 있는 올리고머를 포함할 수 있다.
상기 수소이온 전도성이 있는 올리고머는 하기 화학식2 내지 화학식9로 표현되는 화합물 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
[화학식2]
[화학식3]
[화학식4]
[화학식5]
[화학식6]
[화학식7]
[화학식8]
[화학식9]
상기 충진제의 함량은 1중량% 내지 5중량%, 또는 1중량% 내지 3중량%일 수 있다. 함량이 1중량% 미만이면 수소이온 전도성의 향상 효과가 미미할 수 있고, 5중량%를 초과하면 이오노머 내에서 충진제의 분산성이 낮아질 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 막-전극 접합체용 전해질막의 제조방법을 도시한 흐름도이다. 이를 참조하면, 상기 제조방법은 과불소 술폰산계 고분자를 포함하는 이오노머 및 충진제를 포함하는 혼합용액을 준비하는 단계(S10), 상기 혼합용액을 이형지 등의 기재 상에 도포하는 단계(S20) 및 도포된 결과물을 열처리하는 단계(S30)를 포함한다.
상기 이오노머와 충진제는 전술하였는바, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
상기 혼합용액의 도포 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 스크린 프린팅법, 스프레이 코팅법, 닥터 블레이드를 이용한 코팅법, 그라비어 코팅법, 딥코팅법, 실크 스크린법, 페인팅법 또는 슬롯 다이를 이용한 코팅법 등으로 도포할 수 있다.
상기 혼합용액을 기재 상에 도포한 뒤, 건조하는 단계를 더 포함할 수 있다. 건조는 100℃ 이하의 온도로 30분 이상 수행할 수 있다. 건조 온도가 100℃를 초과하면 상기 이오노머가 열분해될 수 있다. 한편, 건조 시간이 30분 미만이면 건조가 제대로 이루어지지 않을 수 있다.
상기 열처리는 110℃ 이상의 온도에서 20분 이하로 수행할 수 있다. 열처리의 시간이 너무 길면 이오노머가 열분해될 수 있다.
이하 실시예를 통해 본 발명의 다른 형태를 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
제조예1
중량평균분자량이 2,500 g/mol인 폴리비닐피롤리돈을 사용하고, 상기 폴리비닐피롤리돈에 대해 H. R. Safaei et al., RSC Adv., 2015, 5, 6797.에 따른 방법으로 산 처리를 하여 상기 화학식1A로 표현되는 산 도핑 올리고머를 제조하였다.
제조예2
중량평균분자량이 2,500g/mol인 폴리비닐피롤리돈의 함량이 10중량%인 수용액을 준비하였다. 상기 수용액을 아이스 배스에 담고, 상기 수용액에 황산의 함량이 50중량%인 황산 희석 수용액을 한 방울씩 떨어뜨리며 교반하였다. 교반 후, 아세톤 용매를 이용하여 침진시키고, 원심 분리를 통해 젤 형태의 생성물을 얻었다. 상기 생성물을 진공 오븐에서 약 12시간 동안 건조하여 상기 화학식1B(A가 HSO4 -)로 표현되는 산 도핑 올리고머를 얻었다.
실시예1
이오노머로 나피온을 사용하고, 상기 제조예1에 따른 산 도핑 올리고머를 충진제로 사용하였다.
상기 충진제의 함량이 각각 1중량%, 3중량% 및 5중량%가 되도록 상기 이오노머와 혼합한 혼합용액을 준비하였다.
상기 혼합용액을 이형지의 일면에 도포하고, 이를 건조 및 열처리하여 전해질막을 얻었다.
실시예2
상기 제조예2에 따른 산 도핑 올리고머를 충진제로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예1과 동일한 방법으로 전해질막을 제조하였다.
비교예
산 처리를 하지 않은 폴리비닐피롤리돈(중량평균분자량 2,500g/mol)을 충진제로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예1과 동일한 방법으로 전해질막을 제조하였다.
실험예 - 수소이온 전도도 측정
상기 실시예1, 실시예2 및 비교예에 따른 전해질막의 수소이온 전도도를 측정하였다. 구체적으로 상기 전해질막의 면 방향(In-Plane)으로 온도 80℃ 및 상대습도 50%의 조건에서 수소이온 전도도를 측정하였다. 그 결과는 하기 표 2와 같다.
충진제 함량 | 전해질막 두께 [㎛] |
수소이온 전도도 [mS/cm] | ||
비교예 | 실시예1 | 실시예2 | ||
0중량%1 ) | 21 | 36.7 | ||
1중량% | 17 | 25.1 | 43.9 | 42.2 |
3중량% | 19 | 18.6 | 45.2 | 46.9 |
5중량% | 20 | 17.3 | 37.1 | 32.2 |
1) 충진제를 첨가하지 않은 전해질막
상기 표 2를 참조하면, 비교예의 경우 충진제가 수소이온의 전도를 방해하는 물질로 작용하여 전체적으로 함량이 증가할수록 수소이온 전도도가 떨어지는 것을 알 수 있다.
충진제로 산 도핑 올리고머를 사용한 실시예1 및 실시예2의 경우 상호간 우열을 가리기는 어렵다. 또한, 실시예1 및 실시예2는 충진제를 첨가하지 않은 전해질막에 비해 수소이온 전도도가 최대 약 10 mS/cm, 비교예에 비해 수소이온 전도도가 최대 약 30 mS/cm 높음을 알 수 있다.
이상으로 본 발명의 실험예 및 실시예에 대해 상세히 설명하였는바, 본 발명의 권리범위는 상술한 실험예 및 실시예에 한정되지 않으며, 다음의 특허청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 포함된다.
Claims (13)
- 과불소 술폰산계 고분자를 포함하는 이오노머; 및
상기 이오노머에 분산된 충진제를 포함하고,
상기 충진제는 중량평균분자량이 10,000g/mol 이하인 것을 특징으로 하는 막-전극 접합체용 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 충진제의 수화반경(Radius of hydration)이 5nm 이하인 것을 특징으로 하는 막-전극 접합체용 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 충진제의 수화반경이 2nm 이하인 것을 특징으로 하는 막-전극 접합체용 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 충진제의 중량평균분자량이 5,000g/mol 이하인 것을 특징으로 하는 막-전극 접합체용 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 충진제는 하기 화학식1로 표현되는 반복단위를 함유하는 올리고머를 포함하는 것을 특징으로 하는 막-전극 접합체용 전해질막.
[화학식1]
(M-B)A
상기 M은 , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , 및 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 것을 포함하고,
상기 B는 수소(H) 및 술폰산기(SO3H)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 것을 포함하고,
상기 A는 HSO4 -, NO3 -, PO4 3-, Cl-, BF4 -, PF6 -, CF3SO3 - 및 C2F6NO4S2 -로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 음이온을 포함하고,
상기 M과 B는 상기 M 중 산소(O), 질소(N) 및 황(S)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 원소를 통해 연결된다. - 제1항에 있어서,
상기 충진제는 폴리비닐피롤리돈(PVP: Poly(vinylpyrrolidone))의 유도체를 포함하는 것인 막-전극 접합체용 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 충진제는 산 도핑된 올리고머(Acid doped oligomer)를 포함하는 것인 막-전극 접합체용 전해질막. - 제1항에 있어서,
상기 충진제의 함량이 1중량% 내지 3중량%인 것을 특징으로 하는 막-전극 접합체용 전해질막. - 과불소 술폰산계 고분자를 포함하는 이오노머 및 충진제를 포함하는 혼합용액을 준비하는 단계;
상기 혼합용액을 기재 상에 도포하는 단계; 및
도포된 결과물을 열처리하는 단계;를 포함하고,
상기 충진제는 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 충진제를 포함하는 것인 막-전극 접합체용 전해질막의 제조방법. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 전해질막;
상기 전해질막의 일면에 형성된 캐소드; 및
상기 전해질막의 타면에 형성된 애노드를 포함하는 막-전극 접합체.
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PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20230626 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20200720 Comment text: Patent Application |