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KR20210069574A - 가공 장치 - Google Patents

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KR20210069574A
KR20210069574A KR1020200161830A KR20200161830A KR20210069574A KR 20210069574 A KR20210069574 A KR 20210069574A KR 1020200161830 A KR1020200161830 A KR 1020200161830A KR 20200161830 A KR20200161830 A KR 20200161830A KR 20210069574 A KR20210069574 A KR 20210069574A
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axis
unit
area
workpiece
Prior art date
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Application number
KR1020200161830A
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English (en)
Inventor
요시마사 고지마
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 피가공물의 이면측에 형성된 홈이 피가공물의 표면측에 설정된 분할 예정 라인을 따라 형성되어 있는지의 여부를 작업자가 확인할 수 있는 가공 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일면으로부터 타면까지 투명재로 형성되어 있는 소정의 영역을 갖는 유지 테이블과, 피가공물을 가공하는 가공 유닛과, 유지 테이블의 상방에 설치된 제1 촬상 유닛과, 유지 테이블의 하방에 설치된 제2 촬상 유닛과, 표시 유닛과, 유지 테이블의 일면으로 표면측이 유지된 피가공물을 제2 촬상 유닛으로 촬상함으로써 취득된 표면측의 화상에 포함되는 소정의 패턴의 위치 정보를 기억하는 기억부를 포함하고, 피가공물의 두께 방향에 있어서 피가공물의 이면측의 제1 영역에 대응하는 표면측의 제2 영역에 포함되는 소정의 패턴과, 제1 영역의 화상을 겹쳐 표시 유닛에 표시시키는 제어부를 구비하는 가공 장치를 제공한다.

Description

가공 장치{MACHINING APPARATUS}
본 발명은 표면측에 소정의 패턴이 형성된 피가공물의 표면측을 유지한 상태에서, 피가공물의 이면측을 가공하는 가공 장치에 관한 것이다.
휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용되는 반도체 디바이스 칩은, 예컨대 실리콘 등의 반도체 재료로 형성된 원반형의 웨이퍼(피가공물)를 가공함으로써 제조된다. 피가공물의 표면측에는 복수의 분할 예정 라인이 설정되어 있고, 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에는, IC(Integrated Circuit), LSI(Large Scale Integration), MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 등의 디바이스가 형성되어 있다.
피가공물로부터 디바이스 칩을 제조하기 위해서는, 예컨대 피가공물의 이면측을 연삭함으로써 피가공물을 소정의 두께로 박화(薄化)한 후, 피가공물을 각 분할 예정 라인을 따라 절삭함으로써, 피가공물을 디바이스 단위로 분할하여 디바이스 칩을 제조한다.
피가공물을 절삭하는 절삭 공정에서는, 스핀들의 일단에 절삭 블레이드가 장착된 절삭 유닛과, 피가공물을 흡인하여 유지하는 유지 테이블을 구비하는 절삭 장치가 사용된다. 통상의 절삭 공정에서는, 먼저, 피가공물의 표면측을 상향으로 하여, 피가공물의 이면측을 유지 테이블로 흡인하여 유지한다.
이면측을 유지한 후, 유지 테이블의 상방에 설치되어 있는 카메라로 피가공물의 표면측을 촬상함으로써 얼라인먼트를 행한다. 얼라인먼트에서는, 피사체를 가시광으로 촬상하기 위한 CCD(Charge-Coupled Device) 이미지 센서 또는 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 이미지 센서 등의 촬상 소자를 갖는 카메라가 이용된다.
이 카메라로, 얼라인먼트 마크 등이 형성되어 있는 피가공물의 표면측을 촬상한 결과에 기초하여, 피가공물의 위치 보정 등의 얼라인먼트를 행한다. 얼라인먼트 후에, 각 분할 예정 라인을 따라 절삭 블레이드로 피가공물을 절삭한다.
그러나, 최근, 디바이스의 다양화에 따라, 피가공물의 이면측으로부터 피가공물을 절삭하는 경우가 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이 경우, 피가공물의 표면측은 하향으로 배치되어 유지 테이블로 유지되기 때문에, 유지 테이블의 상방에 설치되어 있는 전술한 카메라로 피가공물의 이면측을 촬상해도, 얼라인먼트 마크 등을 촬상할 수 없다.
그래서, 가시광에 대해 투명한 재료로 형성된 유지 테이블과, 유지 테이블의 하방에 배치된 가시광용의 카메라를 구비하는 절삭 장치가 개발되었다(예컨대, 특허문헌 2 참조). 이 절삭 장치를 이용하면, 피가공물의 표면측을 유지 테이블로 유지한 상태에서, 유지 테이블의 하방으로부터 피가공물의 표면측을 촬상할 수 있다. 그 때문에, 피가공물의 이면측을 상향으로 하여, 피가공물의 표면측을 유지 테이블로 유지한 경우에도, 얼라인먼트를 행할 수 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2006-140341호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2010-87141호 공보
그러나, 유지 테이블의 하방에 전술한 카메라가 배치된 절삭 장치를 이용하는 경우라도, 피가공물에 형성된 절삭홈이 분할 예정 라인을 따라 형성되어 있는지의 여부를 확인할 수 없는 경우가 있다.
예컨대, 피가공물의 이면측으로부터 피가공물의 표면에 도달하지 않는 소정의 깊이까지 부분적으로 피가공물이 제거된 절삭홈(즉, 하프 커트 홈)이 형성된 경우, 작업자는 절삭홈이 표면측에 설정된 분할 예정 라인을 따라 형성되어 있는지의 여부를 확인할 수 없다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 피가공물의 이면측에 형성된 홈이 피가공물의 표면측에 설정된 분할 예정 라인을 따라 형성되어 있는지의 여부를 작업자가 확인할 수 있는 가공 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 일면과 상기 일면과는 반대측에 위치하는 타면을 포함하고, 상기 일면으로부터 상기 타면까지 투명재로 형성되어 있는 소정의 영역을 갖는 판형의 유지 테이블과, 표면측에 소정의 패턴을 갖는 피가공물의 상기 표면측이 상기 유지 테이블의 상기 일면으로 유지되고, 또한 상기 피가공물의 이면측이 상방으로 노출된 상태에서, 상기 피가공물을 가공하는 가공 유닛과, 상기 유지 테이블의 상방에 있어서 상기 일면에 대향하도록 설치된 제1 촬상 유닛과, 상기 유지 테이블의 하방에 있어서 상기 타면에 대향하도록 설치된 제2 촬상 유닛과, 상기 제1 촬상 유닛 및 상기 제2 촬상 유닛 중 적어도 어느 하나로 취득된 화상을 표시하는 표시 유닛과, 상기 유지 테이블의 상기 일면으로 상기 표면측이 유지된 상기 피가공물을 상기 제2 촬상 유닛으로 촬상함으로써 취득된 상기 표면측의 화상에 포함되는 상기 소정의 패턴의 위치 정보를 기억하는 기억부를 포함하고, 상기 피가공물의 두께 방향에 있어서 상기 피가공물의 상기 이면측의 제1 영역에 대응하는 상기 표면측의 제2 영역에 포함되는 상기 소정의 패턴과, 상기 제1 영역의 화상을 겹쳐 상기 표시 유닛에 표시시키는 제어부를 구비하는 가공 장치가 제공된다.
바람직하게는, 상기 표시 유닛에 표시되는 상기 제1 영역의 화상은, 상기 가공 유닛에 의해 형성된 가공홈을 나타내는 영역을 포함하고, 상기 제어부는, 상기 가공홈을 나타내는 영역을 포함하는 상기 제1 영역의 화상에, 상기 제2 영역에 있어서의 상기 소정의 패턴을 표시시킨다.
또한, 바람직하게는, 상기 표시 유닛에는, 상기 제2 영역의 화상이 표시되고, 상기 제1 영역의 화상은, 상기 가공 유닛에 의해 형성된 가공홈을 나타내는 영역을 포함하며, 상기 제어부는, 상기 제2 영역의 화상에, 상기 제1 영역의 화상의 적어도 상기 가공홈을 나타내는 영역을 표시시킨다.
또한, 바람직하게는, 상기 제어부는, X축 방향 및 Y축 방향의 방향을, 상기 제1 영역의 화상과 상기 제2 영역의 화상에서 동일하게 한 상태에서, 상기 표시 유닛에 상기 제1 영역의 화상과 상기 제2 영역의 화상을 겹쳐 표시시킨다.
또한, 바람직하게는, 상기 가공 유닛은, 절삭 블레이드가 장착되는 절삭 유닛, 또는 레이저 빔을 조사하는 레이저 조사 유닛이다.
본 발명의 일 양태에 따른 가공 장치의 유지 테이블은, 일면으로부터 타면까지 투명재로 형성되어 있는 소정의 영역을 갖는다. 유지 테이블의 상방에 있어서 유지 테이블의 일면에 대향하도록 제1 촬상 유닛이 설치되어 있고, 유지 테이블의 하방에 있어서 유지 테이블의 타면에 대향하도록 제2 촬상 유닛이 설치되어 있다.
제어부는, 기억부를 포함하고, 이 기억부에는, 유지 테이블의 일면으로 표면측이 유지된 피가공물을 제2 촬상 유닛으로 촬상함으로써 취득된 표면측의 화상에 포함되는 소정의 패턴의 위치 정보가 기억된다.
또한, 제어부는, 피가공물의 두께 방향에 있어서 피가공물의 이면측의 제1 영역에 대응하는 표면측의 제2 영역에 포함되는 소정의 패턴과, 제1 영역의 화상을 표시 유닛에 겹쳐 표시시킨다. 그 때문에, 작업자는, 피가공물에 형성되는 홈이 분할 예정 라인을 따라 형성되어 있는지의 여부를 확인할 수 있다.
도 1은 절삭 장치의 사시도이다.
도 2는 피가공물 유닛의 사시도이다.
도 3은 유지 테이블 등의 사시도이다.
도 4는 유지 테이블 등의 일부 단면 측면도이다.
도 5는 도 4의 영역(A)의 확대도이다.
도 6은 Z축 이동 기구 등의 확대 사시도이다.
도 7은 절삭 단계를 도시한 도면이다.
도 8은 이면 표시 단계를 도시한 도면이다.
도 9의 (a)는 제1 영역의 화상의 일례이고, 도 9의 (b)는 제2 영역의 화상의 일례이다.
도 10은 이면 표시 단계에서 표시되는 화상의 일례이다.
도 11은 이면 표시 단계에서 표시되는 화상의 다른 예이다.
도 12는 레이저 가공 장치의 사시도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 양태에 따른 실시형태에 대해 설명한다. 도 1은 제1 실시형태에 따른 절삭 장치(2)의 사시도이다. 또한, 도 1에서는, 구성 요소의 일부를 기능 블록도로 도시한다. 또한, 이하의 설명에 이용되는 X축 방향(가공 이송 방향), Y축 방향(인덱싱 이송 방향) 및 Z축 방향(연직 방향, 절입 이송 방향)은, 서로 수직이다.
절삭 장치(가공 장치)(2)는, 각 구성 요소를 지지하는 베이스(4)를 구비한다. 베이스(4)의 전방(+Y 방향)의 모서리부에는, 개구(4a)가 형성되어 있고, 이 개구(4a) 내에는, 카세트 엘리베이터(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 카세트 엘리베이터의 상면에는, 복수의 피가공물(11)(도 2 참조)을 수용하기 위한 카세트(6)가 실린다.
도 1에서는, 설명의 편의상, 카세트(6)의 윤곽만을 도시하고 있다. 피가공물(11)은, 예컨대 실리콘 등의 반도체 재료를 포함하는 원반형의 웨이퍼이다. 단, 피가공물(11)의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 예컨대, 다른 반도체, 세라믹스, 수지, 금속 등의 재료를 포함하는 기판 등을 피가공물(11)로서 이용할 수도 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 피가공물(11)의 표면(11a)측은, 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(13)에 의해 복수의 영역으로 구획되어 있다. 표면(11a)측의 각 영역에는, IC(Integrated Circuit) 등의 디바이스(15), 얼라인먼트 마크[도 9의 (b)의 마크(98)] 등이 형성되어 있다. 단, 디바이스(15)의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에도 제한은 없다. 피가공물(11)에는, 디바이스(15)가 형성되어 있지 않아도 좋다.
피가공물(11)의 표면(11a)측에는, 피가공물(11)보다 대직경의 테이프(다이싱테이프)(17)가 접착되어 있다. 테이프(17)는, 가시광이 투과하는 투명재로 형성되어 있다. 테이프(17)는, 예컨대 기재층과, 점착층(풀층)의 적층 구조를 갖는다.
기재층은, 예컨대 폴리올레핀(PO) 등으로 형성되어 있다. 점착층은, 예컨대 자외선(UV) 경화형의 아크릴 수지 등의 점착성 수지로 형성되어 있다. 이 테이프(17)의 점착층측이 표면(11a)측에 접착된다.
테이프(17)의 외주 부분에는, 금속으로 형성된 환형의 프레임(19)이 접착되어 고정된다. 이와 같이, 피가공물(11)은, 테이프(17)를 통해 프레임(19)으로 지지된 피가공물 유닛(21)의 상태로 카세트(6)에 수용된다. 도 2는 피가공물 유닛(21)의 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 개구(4a)의 후방(-Y 방향)에는, X축 방향으로 긴 개구(4b)가 형성되어 있다. 개구(4b)에는, 유지 테이블(척 테이블)(10)이 배치되어 있다. 유지 테이블(10)의 외주부에는, 원주 방향을 따라 이산적으로 흡인구가 형성된 원환형의 프레임 흡인판(도시하지 않음)이 설치된다.
여기서, 도 3 내지 도 5를 참조하여, 유지 테이블(10) 등에 대해 더욱 상세히 설명한다. 도 3은 유지 테이블(10) 등의 사시도이고, 도 4는 유지 테이블(10) 등의 일부 단면 측면도이다. 단, 도 4에서는, 편의상 해칭을 생략하고 있다. 도 5는 도 4의 영역(A)의 확대도이다. 도 5에서는, 구성 요소의 일부를 기능 블록도로 도시한다.
유지 테이블(10)은 원반형(판형)의 유지 부재(12)를 갖는다. 유지 부재(12)는, 대략 평탄한 일면(12a)과, 상기 일면(12a)과는 반대측에 위치하는 타면(12b)(도 5 참조)을 포함한다. 유지 부재(12)는, 소다 유리, 붕규산 유리, 석영 유리 등의 가시광이 투과하는 투명재로 형성되어 있다.
유지 부재(12)의 내부에는 복수의 유로가 형성되어 있다. 본 실시형태의 유지 부재(12)의 내부에는, 유지 부재(12)를 Z축 방향에서 본 경우에, 원반의 중심축을 가로지르도록 직선형의 제1 흡인로(12c1)가 형성되어 있다. 또한, XY 평면 방향에 있어서 제1 흡인로(12c1)와 직교하는 양태로, 직선형의 제2 흡인로(12c2)가 형성되어 있다.
제1 흡인로(12c1) 및 제2 흡인로(12c2)는, 원반의 중심축에 위치하는 교점(12c3)에서 교차하고 있고, 서로 접속되어 있다. 일면(12a)의 외주부에는, 원주 방향에 있어서 서로 떨어지도록, 복수의 개구부(12d)가 형성되어 있다. 각 개구부(12d)는, 타면(12b)에는 도달하지 않는 일면(12a)으로부터 소정의 깊이까지 형성되어 있다.
제1 흡인로(12c1)의 양단부와, 제2 흡인로(12c2)의 양단부에는, 각각 개구부(12d)가 형성되어 있다. 각 개구부(12d)는, 유지 부재(12)의 외주부의 소정의 깊이로 형성되어 있는 외주 흡인로(12e)에 의해 원주 방향으로 접속되어 있다.
개구부(12d)의 외주측에는 유지 부재(12)의 직경 방향으로 연장되는 흡인로(12f)가 형성되어 있고, 흡인로(12f)에는, 이젝터 등의 흡인원(14)이 접속되어 있다(도 5 참조). 흡인원(14)을 동작시켜 부압을 발생시키면, 개구부(12d)에는 부압이 발생한다. 그 때문에, 일면(12a)은, 피가공물 유닛(21)[피가공물(11)]을 흡인하여 유지하는 유지면으로서 기능한다.
그런데, 제1 흡인로(12c1), 제2 흡인로(12c2), 개구부(12d), 외주 흡인로(12e), 흡인로(12f) 등의 유지 부재(12)의 유로에서는, 입사한 광의 일부가 산란 또는 반사된다. 그 때문에, 유지 부재(12)의 유로는, 일면(12a) 또는 타면(12b)에서 본 경우에, 가시광에 대해 완전히 투명하지 않고, 투광성을 갖는 경우나 불투명한 경우가 있다.
그러나, 유지 부재(12)의 유로를 제외한 소정의 영역은, 일면(12a)으로부터 타면(12b)까지 투명하다. 구체적으로는, 제1 흡인로(12c1) 및 제2 흡인로(12c2)에 의해 4분할되고, 또한 유지 부재(12)의 직경 방향에 있어서 외주 흡인로(12e)보다 내측에 위치하는 영역은, 일면(12a)으로부터 타면(12b)까지 투명하다.
유지 부재(12)의 외주에는, 스테인리스 등의 금속 재료로 형성된 원통형의 프레임체(16)가 설치되어 있다. 프레임체(16)의 상부에는 개구부(16a)가 형성되어 있고(도 5 참조), 유지 부재(12)는, 이 개구부(16a)를 막도록 배치되어 있다.
프레임체(16)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, X축 이동 테이블(18)에 지지되어 있다. X축 이동 테이블(18)은, Z축 방향에서 본 형상이 직사각형인 바닥판(18a)을 포함한다. 바닥판(18a)의 전방(+Y 방향)의 일단에는, Y축 방향에서 본 형상이 직사각형인 측판(18b)의 하단이 접속되어 있다.
측판(18b)의 상단에는, Z축 방향에서 본 형상이 바닥판(18a)과 동일한 직사각형인 상부판(18c)의 전방의 일단이 접속되어 있다. 바닥판(18a)과 상부판(18c) 사이에는, 후방(-Y 방향)의 일단 및 X축 방향의 양단이 개방된 공간(18d)이 형성되어 있다.
바닥판(18a)의 하방(-Z 방향)에는, 바닥판(18a)이 슬라이드 가능한 양태로, X축 방향에 대략 평행한 한 쌍의 X축 가이드 레일(20)이 설치되어 있다. 한 쌍의 X축 가이드 레일(20)은, 정지 베이스(도시하지 않음)의 상면에 고정되어 있다.
X축 가이드 레일(20)에 인접하는 위치에는, X축 이동 테이블(18)의 X축 방향의 위치를 검출할 때에 사용되는 X축 리니어 스케일(20a)이 설치되어 있다. 또한, X축 이동 테이블(18)의 하면측에는 판독 헤드(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
X축 이동 테이블(18)의 이동 시에는, X축 리니어 스케일(20a)의 눈금을 판독 헤드로 검출함으로써, X축 이동 테이블(18)의 X축 방향의 위치(좌표)나, X축 방향의 이동량이 산출된다.
X축 이동 테이블(18)의 바닥판(18a)의 하면측에는, 너트부(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, X축 가이드 레일(20)에 대략 평행한 X축 볼 나사(22)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
X축 볼 나사(22)의 일단부에는, X축 펄스 모터(24)가 연결되어 있다. X축 펄스 모터(24)로 X축 볼 나사(22)를 회전시키면, X축 이동 테이블(18)은, X축 가이드 레일(20)을 따라 X축 방향으로 이동한다. X축 가이드 레일(20), X축 볼 나사(22), X축 펄스 모터(24) 등은, X축 이동 테이블(18)을 이동시키는 X축 이동 기구(26)를 구성한다.
X축 이동 테이블(18)의 상부판(18c)의 상면측에는, 프레임체(16)가, Z축 방향에 대략 평행한 회전축의 주위로 회전할 수 있는 양태로, 상부판(18c)에 지지되어 있다. 프레임체(16)는, 원통형의 측면인 풀리부(16b)를 포함한다. 풀리부(16b)는, 프레임체(16)가 X축 이동 테이블(18)로 지지된 경우에, 상부판(18c)보다 상방에 위치한다.
X축 이동 테이블(18)의 측판(18b)에는, 모터 등의 회전 구동원(30)이 설치되어 있다. 회전 구동원(30)의 회전축에는, 풀리(30a)가 설치되어 있다. 풀리(30a) 및 풀리부(16b)에는, 하나의 회전 무단 벨트[벨트(28)]가 걸려 있다.
회전 구동원(30)을 동작시켜 풀리(30a)를 회전시키면, 벨트(28)를 통해 전달되는 힘에 의해, 프레임체(16)는, Z축 방향에 대략 평행한 회전축의 주위로 회전한다. 풀리(30a)의 회전을 제어함으로써, 회전축의 주위에서 임의의 각도만큼 유지 테이블(10)을 회전시킬 수 있다.
X축 이동 기구(26)의 X축 방향의 연장선 상에는, Y축 이동 기구(32)가 설치되어 있다. Y축 이동 기구(32)는, Y축 방향에 대략 평행한 한 쌍의 Y축 가이드 레일(34)을 구비한다. 한 쌍의 Y축 가이드 레일(34)은, 정지 베이스(도시하지 않음)의 상면에 고정되어 있다.
Y축 가이드 레일(34) 상에는, Y축 이동 테이블(36)이 슬라이드 가능하게 부착되어 있다. Y축 이동 테이블(36)의 하면측에는, 너트부(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, Y축 가이드 레일(34)에 대략 평행한 Y축 볼 나사(38)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
Y축 볼 나사(38)의 일단부에는, Y축 펄스 모터(40)가 연결되어 있다. Y축 펄스 모터(40)로 Y축 볼 나사(38)를 회전시키면, Y축 이동 테이블(36)은, Y축 가이드 레일(34)을 따라 Y축 방향으로 이동한다.
Y축 가이드 레일(34)에 인접하는 위치에는, Y축 이동 테이블(36)의 Y축 방향의 위치를 검출할 때에 사용되는 Y축 리니어 스케일(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 또한, Y축 이동 테이블(36)의 하면측에는 판독 헤드(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
Y축 이동 테이블(36)의 이동 시에는, Y축 리니어 스케일의 눈금을 판독 헤드로 검출함으로써, Y축 이동 테이블(36)의 Y축 방향의 위치(좌표)나, Y축 방향의 이동량이 산출된다.
Y축 이동 테이블(36)의 상면에는, Z축 이동 기구(42)가 설치되어 있다. 도 6은 Z축 이동 기구(42) 등의 확대 사시도이다. Z축 이동 기구(42)는, Y축 이동 테이블(36)의 상면에 고정된 지지 구조(42a)를 갖는다.
지지 구조(42a)의 X축 이동 테이블(18)측의 측면에는, Z축 방향에 대략 평행한 한 쌍의 Z축 가이드 레일(44)이 고정되어 있다. Z축 가이드 레일(44)에는, Z축 이동 플레이트(46)가 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
Z축 이동 플레이트(46)의 측면의 Z축 가이드 레일(44)측에는, 너트부(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, Z축 가이드 레일(44)에 대략 평행한 Z축 볼 나사(48)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
Z축 볼 나사(48)의 일단부에는, Z축 펄스 모터(50)가 연결되어 있다. Z축 펄스 모터(50)로 Z축 볼 나사(48)를 회전시키면, Z축 이동 플레이트(46)는, Z축 가이드 레일(44)을 따라 Z축 방향으로 이동한다.
Z축 가이드 레일(44)에 인접하는 위치에는, Z축 리니어 스케일(도시하지 않음)이 설치되어 있고, Z축 이동 플레이트(46)의 Z축 가이드 레일(44)측에는, 판독 헤드(도시하지 않음)가 설치되어 있다. Z축 이동 플레이트(46)의 이동 시에는, Z축 리니어 스케일의 눈금을 판독 헤드로 검출함으로써, Z축 이동 플레이트(46)의 Z축 방향의 위치(좌표) 등이 산출된다.
Z축 이동 플레이트(46)에는, X축 방향으로 긴 지지 아암(52)을 통해 하방 촬상 유닛(제2 촬상 유닛)(54)이 고정되어 있다. 본 실시형태의 하방 촬상 유닛(54)은, 유지 테이블(10)보다 하방에 배치되어 있고, 촬상 렌즈 등이 유지 부재(12)의 타면(12b)에 대향하도록 각각 설치된, 저배율 카메라(56)와, 고배율 카메라(58)를 포함한다.
단, 하방 촬상 유닛(54)은, 저배율 카메라(56) 및 고배율 카메라(58)의 2개의 카메라를 갖지 않아도 좋다. 하방 촬상 유닛(54)은, 소정 배율의 카메라를 하나만 가져도 좋다.
저배율 카메라(56) 및 고배율 카메라(58)의 각각은, 소정의 광학계와, CCD(Charge-Coupled Device) 이미지 센서 또는 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 이미지 센서 등의 촬상 소자를 갖는다.
저배율 카메라(56)의 측방에는, 상방에 위치하는 피사체[예컨대, 피가공물(11)]에 대해 가시광을 조사하는 조명 장치(56a)가 설치되어 있다. 마찬가지로, 고배율 카메라(58)의 측방에도, 조명 장치(58a)가 설치되어 있다.
하방 촬상 유닛(54)으로 피사체를 촬상하는 경우에는, X축 이동 테이블(18)을 Y축 이동 테이블(36)측으로 이동시켜, 공간(18d)에 하방 촬상 유닛(54)을 배치한다. 이에 의해, 유지 부재(12)의 일면(12a)측에 배치되는 피가공물(11)을, 하방으로부터 촬상할 수 있다.
다음으로, 도 1로 되돌아가서, 절삭 장치(2)의 다른 구성 요소에 대해 설명한다. X축 이동 테이블(18)의 상부판(18c)보다 좌측(+X 방향) 및 우측(-X 방향)에는, 개구(4b)를 덮는 양태로 신축 가능한 주름상자형의 방진 방적 커버가 부착되어 있다.
개구(4b)의 상방에는, 개구(4b)를 걸치도록 문형의 지지 구조(4c)가 설치되어 있다. 지지 구조(4c)의 측면 중 개구(4a)측에 위치하는 일측면에는, 2개의 가공 유닛 이동 기구(인덱싱 이송 유닛, 절입 이송 유닛)(60)가 설치되어 있다.
각 가공 유닛 이동 기구(60)는, 지지 구조(4c)의 일측면에 고정되고 또한 Y축 방향에 대략 평행한 한 쌍의 Y축 가이드 레일(62)을 공유하고 있다. Y축 가이드 레일(62)에는, 2개의 Y축 이동 플레이트(64)가 서로 독립적으로 슬라이드 가능한 양태로 부착되어 있다.
Y축 이동 플레이트(64)의 지지 구조(4c)측에 위치하는 일면에는, 너트부(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, Y축 가이드 레일(62)에 대략 평행한 Y축 볼 나사(66)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다. 또한, 전방측에 위치하는 Y축 이동 플레이트(64)의 너트부와, 후방측에 위치하는 Y축 이동 플레이트(64)의 너트부는, 각각 상이한 Y축 볼 나사(66)에 연결되어 있다.
각 Y축 볼 나사(66)의 일단부에는, Y축 펄스 모터(68)가 연결되어 있다. Y축 펄스 모터(68)로 Y축 볼 나사(66)를 회전시키면, Y축 이동 플레이트(64)는, Y축 가이드 레일(62)을 따라 Y축 방향으로 이동한다.
각 Y축 이동 플레이트(64)의 지지 구조(4c)와는 반대측에 위치하는 타면에는, Z축 방향에 대략 평행한 한 쌍의 Z축 가이드 레일(72)이 각각 설치되어 있다. Z축 가이드 레일(72)에는, Z축 이동 플레이트(70)가 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
Z축 이동 플레이트(70)의 지지 구조(4c)측에 위치하는 일면에는, 너트부(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, Z축 가이드 레일(72)에 평행한 Z축 볼 나사(74)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
Z축 볼 나사(74)의 일단부에는, Z축 펄스 모터(76)가 연결되어 있다. Z축 펄스 모터(76)로 Z축 볼 나사(74)를 회전시키면, Z축 이동 플레이트(70)는, Z축 가이드 레일(72)을 따라 Z축 방향으로 이동한다.
Z축 이동 플레이트(70)의 하부에는, 절삭 유닛(가공 유닛)(78)이 설치되어 있다. 절삭 유닛(78)은, 통형의 스핀들 하우징(80)을 구비하고 있다. 스핀들 하우징(80) 내에는, 원기둥형의 스핀들(82a)(도 7 참조)의 일부가 회전 가능한 양태로 수용되어 있다.
스핀들(82a)의 일단에는, 스핀들(82a)을 회전시키는 서보 모터 등의 회전 구동 기구(도시하지 않음)가 연결되어 있다. 또한, 스핀들(82a)의 타단에는, 원환형의 절삭날을 갖는 절삭 블레이드(82b)가 장착되어 있다.
Z축 이동 플레이트(70)의 하부에는, 절삭 유닛(78)에 인접하는 양태로, 상방 촬상 유닛(제1 촬상 유닛)(84)이 연결되어 있다. 상방 촬상 유닛(84)은, 유지 테이블(10)의 상방에 위치하고 있고, 촬상 렌즈 등이 유지 부재(12)의 일면(12a)에 대향하도록 설치되어 있다. 상방 촬상 유닛(84)은, 피가공물(11)을 상방으로부터 촬상하기 위한 소정의 광학계와, CCD 이미지 센서 또는 CMOS 이미지 센서 등의 촬상 소자를 갖는다.
개구(4b)에 대해 개구(4a)와 반대측의 위치에는, 개구(4d)가 형성되어 있다. 개구(4d) 내에는, 절삭 후의 피가공물(11) 등을 세정하기 위한 세정 유닛(86)이 설치되어 있다. 세정 유닛(86)은, 피가공물(11)을 유지하는 세정 테이블(88)과, 세정 테이블(88)에 대향하도록 분사구가 배치된 노즐(90)을 포함한다.
베이스(4) 상에는, 도시하지 않은 케이스가 설치되어 있고, 케이스의 전방의 측면에는, 입력 장치와, 표시 장치를 겸하는 터치 패널(표시 유닛)(92)이 설치되어 있다. 터치 패널(92)에는, 하방 촬상 유닛(54) 및 상방 촬상 유닛(84)으로 촬상한 화상, 가공 조건, GUI(Graphical User Interface)의 버튼 등이 표시된다.
절삭 장치(2)는 제어부(94)를 구비한다. 제어부(94)는, 흡인원(14), X축 이동 기구(26), 회전 구동원(30), Y축 이동 기구(32), Z축 이동 기구(42), 하방 촬상 유닛(54), 가공 유닛 이동 기구(60), 상방 촬상 유닛(84), 절삭 유닛(78), 터치 패널(92) 등을 제어한다.
제어부(94)는, 예컨대 CPU(Central Processing Unit) 등의 처리 장치와, DRAM(Dynamic Random Access Memory) 등의 주기억 장치와, 플래시 메모리, 하드 디스크 드라이브 등의 보조 기억 장치를 포함하는 컴퓨터에 의해 구성되어 있다. 보조 기억 장치에 기억되는 소프트웨어에 따라 처리 장치 등을 동작시킴으로써, 제어부(94)의 기능이 실현된다.
보조 기억 장치의 일부는 기억부(96)로서 기능한다. 기억부(96)에는, 패턴 매칭 등의 화상 처리를 행하는 소프트웨어가 기억되어 있다. 예컨대, 화상 처리를 행하는 소프트웨어를 이용하여, 하방 촬상 유닛(54)으로 촬상된 표면(11a)측의 화상으로부터, 표면(11a)측에 형성되어 있는 소정의 패턴이 추출된다.
소정의 패턴은, 예컨대 분할 예정 라인(13), 디바이스(15), 마크(98), 및 회로(100)[도 9의 (b) 등 참조]의 윤곽이다. 또한, 마크(98)는, 얼라인먼트 마크, 키 패턴, 타겟 패턴 등이라고 칭해지는 경우도 있다.
다음으로, 도 7 내지 도 10을 이용하여, 피가공물(11)의 가공 방법에 대해 설명한다. 먼저, 이면(11b)측이 상방으로 노출되는 양태로 피가공물 유닛(21)을 유지 테이블(10)의 일면(12a)에 배치한다(배치 단계 S10).
배치 단계 S10 후, 흡인원(14)을 동작시켜, 테이프(17)를 통해 피가공물(11)의 표면(11a)측을 일면(12a)으로 유지하고, 프레임(19)을 프레임 흡인판(도시하지 않음)으로 유지한다(유지 단계 S20). 유지 단계 S20 후, 티치 단계 S30을 행한다.
티치 단계 S30에서는, 예컨대 하방 촬상 유닛(54)을 이용하여 표면(11a)측을 터치 패널(92)에 표시시킨 상태에서, 작업자가, 표면(11a)측의 마크(98)[도 9의 (b) 등 참조]를 탐색한다.
작업자가 임의의 마크(98)를 발견한 후, 상기 마크(98)를 포함하는 표면(11a)측의 화상을 하방 촬상 유닛(54)으로 취득한다. 마크(98)의 형상, 좌표 등은, 패턴 매칭의 템플릿으로서 기억부(96)에 기억된다. 또한, 마크(98) 및 분할 예정 라인(13)의 좌표 등을 이용하여 산출된, 마크(98)와 분할 예정 라인(13)의 중심선과의 거리가 기억부(96)에 기억된다.
덧붙여, 마크(98)의 좌표 등을 이용하여 산출된, Y축 방향에 있어서 인접하는 2개의 분할 예정 라인(13)의 거리(스트리트 피치)가 기억부(96)에 기억된다. 또한, 기억되는 각 좌표는, 전술한 교점(12c3)을 원점으로 하는 XY 좌표이다.
티치 단계 S30 후, 피가공물(11)의 얼라인먼트를 행한다(얼라인먼트 단계 S40). 얼라인먼트 단계 S40에서는, 먼저, X축 방향을 따르는 하나의 분할 예정 라인(13)에 있어서의 서로 떨어진 복수 개소에서, 하방 촬상 유닛(54)을 이용하여 표면(11a)측의 화상을 취득한다.
그리고, 복수 개소에서 취득된 표면(11a)측의 화상에 있어서, 패턴 매칭 등의 소정의 처리에 의해 템플릿으로서 기억된 마크(98)와 동일한 패턴을 검출한다. 검출된 마크(98)와 동일한 패턴에 기초하여, 유지 부재(12)의 중심축 주위에 있어서의 분할 예정 라인(13)의 θ방향의 어긋남을 특정한다.
그 후, 회전 구동원(30)을 동작시켜, 벨트(28)를 소정의 양만큼 회전시킴으로써, 유지 부재(12)의 θ방향의 어긋남을 보정한다. 이에 의해, 분할 예정 라인(13)을 X축 방향과 대략 평행하게 위치시킨다. 또한, 얼라인먼트 단계 S40에서는, θ방향의 보정 이외의 소정의 처리, 조작 등이 행해져도 좋다.
얼라인먼트 단계 S40 후, 표면(11a)측이 유지 테이블(10)로 유지된 피가공물(11)의 표면(11a)측의 대략 전체를, 하방 촬상 유닛(54)으로 촬상함으로써, 표면(11a)측의 화상을 취득한다(화상 취득 단계 S50).
화상 취득 단계 S50에서는, X축 이동 기구(26), Y축 이동 기구(32) 등을 이용하여, 유지 테이블(10) 및 하방 촬상 유닛(54)의 상대적 위치를 조정하면서, 표면(11a)측을 촬상한다. 단, 화상 취득 단계 S50에서는, 반드시 표면(11a)측의 전체를 촬상하지 않아도 좋다.
즉, 디바이스(15)가 형성되어 있는 디바이스 영역과, 디바이스 영역의 외주부를 둘러싸는 외주 잉여 영역 중, 디바이스 영역만의 전체의 화상이나, 디바이스 영역 중 마크(98)가 포함되어 있는 영역의 화상만을 취득해도 좋다. 촬상 영역을 한정적으로 하면, 화상 취득 단계 S50에 요하는 시간을 단축할 수 있다.
화상 취득 단계 S50 후, 먼저, 제어부(94)가, 화상 처리를 행하여, 취득된 화상의 에지를 검출한다. 다음으로, 제어부(94)는, 패턴 매칭 등의 소정의 처리에 의해, 에지로 규정되는 기하학 형상과, 미리 등록해 놓은 기하학 형상과의 일치도를 산출함으로써, 표면(11a)측에 형성되어 있는 소정의 패턴을 추출한다.
추출된 소정의 패턴, 상기 소정의 패턴의 위치 정보 등은, 기억부(96)에 기억된다(기억 단계 S60). 예컨대, 소정의 패턴으로서 도 9의 (b) 등에 도시된 마크(98)가 이용되는 경우, 마크(98)의 형상과, 마크(98)의 분할 예정 라인(13)측에 위치하는 모서리부(B, C, D) 등의 좌표가, 기억부(96)에 기억된다.
이때, 마크(98)에 대해 상대적인 위치 관계가 미리 정해져 있는 분할 예정 라인(13), 디바이스(15), 및 회로(100) 중 적어도 어느 하나의 좌표도, 기억부에 기억된다.
표면(11a)측의 화상은, 예컨대 이면(11b)측을 본 경우[즉, 피가공물(11)을 상면에서 본 경우]의 X 및 Y축 방향의 방향과 동일하게 한 상태로, 기억 단계 S60에서 기억부(96)에 기억된다.
또한, 표면(11a)측의 화상의 X 및 Y축 방향의 방향을, 이면(11b)측의 화상과 동일한 방향으로 하기 위해서는, 예컨대, 제어부(94)가, 표면(11a)측의 화상에 대해 소정의 좌표 변환[예컨대, X축에 대해 화상을 반전시키는 경상(鏡像) 변환]을 실시하면 된다. 소정의 좌표 변환은, 예컨대 제어부(94)에 기억된 소정의 소프트웨어에 의해 행해진다.
또한, 소정의 좌표 변환을 실시하는 것을 대신하여, XZ 평면에서 X축에 대해 45도 경사진 경면을 통해 표면(11a)측을 촬상함으로써, X축에 대해 경상 변환된 표면(11a)측의 화상을 촬상해도 좋다.
하방 촬상 유닛(54)의 촬상 렌즈(도시하지 않음)가 타면(12b)에 대향하도록 설치되어 있는 본 실시형태에 있어서, XZ 평면에서 X축에 대해 45도 경사진 경면은, 예컨대 하방 촬상 유닛(54)의 촬상 렌즈와 촬상 소자(도시하지 않음) 사이의 소정의 위치에 형성된다. 이것을 대신하여, 상기 경사진 경면은, 타면(12b)에 대향하도록 설치된 커버 유리(도시하지 않음)와, 광축이 X축 방향을 따라 배치된 촬상 렌즈 사이에 형성되어도 좋다.
또한, XZ 평면에서 X축에 대해 45도 경사진 경면은, 하방 촬상 유닛(54)에 대한 위치가 고정된 상태로 하방 촬상 유닛(54)의 외부에 형성되어도 좋다. 이 경우, 하방 촬상 유닛(54)의 촬상 렌즈의 광축은, 상기 경면을 향하도록 X축 방향을 따라 배치된다.
표면(11a)측의 임의의 XY 좌표 위치는, 교점(12c3)을 좌표계의 원점으로 하여 특정 가능하고, 이면(11b)측의 임의의 XY 좌표 위치는, 교점(12c3)을 좌표계의 원점으로 하여 특정 가능하다. 그 때문에, 이면(11b)측의 제1 영역에 대응하는 표면(11a)측의 제2 영역은 특정 가능하다.
기억 단계 S60 후, 피가공물(11)을 절삭한다(절삭 단계 S70). 도 7은 절삭 단계 S70을 도시한 도면이다. 절삭 단계 S70에서는, 먼저, 고속으로 회전하고 있는 절삭 블레이드(82b)를 분할 예정 라인(13)의 연장선 상에 위치시킨다. 이때, 절삭 블레이드(82b)의 하단을, 피가공물(11)의 표면(11a)과 이면(11b) 사이에 위치시킨다.
그리고, X축 이동 기구(26)로 유지 테이블(10)과 절삭 블레이드(82b)를 X축 방향을 따라 상대적으로 이동시킨다. 이에 의해, 피가공물(11)의 두께 방향에 있어서 이면(11b)측으로부터, 표면(11a)에 도달하지 않는 소정의 깊이까지, 피가공물(11)은 절삭 블레이드(82b)에 의해 부분적으로 절삭(가공)되어(즉, 하프 커트되어), 분할 예정 라인(13)을 따라 홈(가공홈)(11c)이 형성된다.
또한, 절삭 단계 S70에서의 절삭은, 하프 커트에 한정되지 않는다. 절삭 단계 S70에서는, 이면(11b)으로부터 표면(11a)까지 절단하도록 피가공물(11)을 절삭(즉, 풀 커트)해도 좋다.
X축 방향에 평행한 하나의 분할 예정 라인(13)을 따라 피가공물(11)을 절삭한 후, 절삭 유닛(78)을 인덱싱 이송함으로써, Y축 방향으로 인접하는 분할 예정 라인(13)의 연장선 상에 절삭 블레이드(82b)를 위치시킨다. 그리고, 마찬가지로, 분할 예정 라인(13)을 따라 피가공물(11)을 절삭한다.
임의의 수의 분할 예정 라인(13)을 절삭한 후, 작업자는, 상방 촬상 유닛(84)을 이용하여, 이면(11b)측의 화상을 취득하고, 터치 패널(92)에 표시시킨다(이면 표시 단계 S80).
도 8은 이면 표시 단계 S80을 도시한 도면이다. 도 8에서는, 제어부(94) 등을 기능 블록도로 도시한다. 또한, 하방 촬상 유닛(54)은, X축 이동 테이블(18)의 공간(18d) 밖으로 퇴피하고 있다.
본 실시형태의 이면 표시 단계 S80에서는, 제어부(94)가, 피가공물(11)의 두께 방향에 있어서 이면(11b)측의 제1 영역에 대응하는 표면(11a)측의 제2 영역에 포함되는 마크(98) 등의 소정의 패턴을, 제1 영역의 화상에 겹쳐 터치 패널(92)에 표시한다.
도 9의 (a)는 이면(11b)측의 제1 영역의 화상의 일례이다. 도 9의 (a)에서는, 이면(11b)측에 형성된 홈(11c)을 나타내는 영역을 검게 칠한 영역으로 나타낸다. 도 9의 (b)는 이면(11b)측의 제1 영역에 대응하는 표면(11a)측의 제2 영역의 화상의 일례이다.
도 9의 (b)에서는, 디바이스(15), 분할 예정 라인(13), 마크(98) 및 회로(100)의 윤곽을 도시한다. 또한, 도 9의 (b)에 도시된 표면(11a)측의 제2 영역의 화상의 X 및 Y축 방향의 방향은, 전술한 바와 같이, 피가공물(11)의 이면(11b)측의 X 및 Y축 방향의 방향과 동일하다.
제어부(94)는, 이면(11b)측의 제1 영역에 대응하는 제2 영역의 화상을 기억부(96)로부터 판독하고, 이면(11b)측의 제1 영역의 화상에, 이 제2 영역의 화상의 소정의 패턴을 겹친 화상(102)(도 10 참조)을 터치 패널(92)에 표시시킨다. 이에 의해, 작업자는, 피가공물(11)에 형성되는 홈(11c)이 분할 예정 라인(13)을 따라 형성되어 있는지의 여부를 확인할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 터치 패널(92)에 표시되는 이면(11b)측의 화상은, 상방 촬상 유닛(84)에 의해 취득되는 이면(11b)측의 리얼 타임 화상이지만, 상방 촬상 유닛(84)에 의해 취득되는 이면(11b)측의 정지 화상이어도 좋다.
도 10은 이면 표시 단계 S80에서 표시되는 화상의 일례[화상(102)]이다. 도 10에서는, 디바이스(15), 분할 예정 라인(13), 마크(98) 및 회로(100)의 윤곽을 파선으로 나타낸다.
도 10에서는, 화상(102)에 디바이스(15), 분할 예정 라인(13), 마크(98) 및 회로(100) 모두를 겹쳐 표시하고 있으나, 어느 하나가[예컨대, 분할 예정 라인(13)만이] 선택적으로 표시되어도 좋다.
또한, 분할 예정 라인(13), 마크(98) 등의 윤곽은, 표면(11a)측의 화상을 2치화 처리한 후에, 눈에 띄도록 소정의 굵기, 소정의 색, 소정의 휘도로 가공된 상태로, 화상(102)에 표시되어도 좋다.
또한, 화상(102)에는, 도 10에 도시된 바와 같이, 분할 예정 라인(13), 마크(98) 등의 윤곽만이 표시되어 있으나, 윤곽이 아니라, 분할 예정 라인(13), 마크(98) 등의 화상이 표시되어도 좋다.
이면 표시 단계 S80 후, 모든 분할 예정 라인(13)을 따라 피가공물(11)이 절삭되어 있지 않은 경우에는, 절삭 단계 S70으로 되돌아가서, 피가공물(11)을 절삭한다. 절삭 단계 S70 및 이면 표시 단계 S80은, 복수 회 반복되어도 좋다.
X축 방향에 평행한 모든 분할 예정 라인(13)을 따라 피가공물(11)을 절삭한 후, 회전 구동원(30)을 동작시켜, 유지 테이블(10)을 90도 회전시킨다. 그리고, 다시, 절삭 단계 S70을 행한다. 이때, 절삭 단계 S70 및 이면 표시 단계 S80을 복수 회 반복해도 좋다.
또한, 이면 표시 단계 S80에서는, 제2 영역에 포함되는 마크(98) 등의 소정의 패턴을 포함하는 화상에 대해 제1 영역의 화상의 적어도 홈(11c)을 나타내는 영역이 겹쳐진 화상을, 터치 패널(92)에 표시해도 좋다. 도 11은 이면 표시 단계 S80에서 표시되는 화상의 다른 예[화상(102a)]이다. 도 11에서는, 홈(11c)의 윤곽을 파선으로 나타낸다.
홈(11c)을 나타내는 영역을 포함하는 화상에서는, 도 11에 도시된 바와 같이 홈(11c)의 윤곽만이 표시되어도 좋고, 촬상에 의해 얻어진 홈(11c)이 그대로 표시되어도 좋다. 어떻든 간에, 제1 영역의 화상에서는, 적어도 홈(11c)을 나타내는 영역이 사용된다. 이와 같이, 화상(102a)을 터치 패널(92)에 표시시키는 경우에도, 작업자는, 피가공물(11)에 형성되는 홈(11c)이 분할 예정 라인(13)을 따라 형성되어 있는지의 여부를 확인할 수 있다.
다음으로, 제2 실시형태에 대해 설명한다. 제2 실시형태에서는, 절삭 장치(2)를 대신하여 레이저 가공 장치(가공 장치)(104)를 이용하여, 피가공물(11)을 가공한다. 단, 전술한 배치 단계 S10으로부터 이면 표시 단계 S80은, 제1 실시형태와 동일하게 행해진다.
도 12는 제2 실시형태에 따른 레이저 가공 장치(104)의 사시도이다. 또한, 제1 실시형태에 따른 절삭 장치(2)와 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙인다. 이하에서는, 절삭 장치(2)와의 차이를 주로 설명한다.
레이저 가공 장치(104)에서는, 정지 베이스(106)에 하방 촬상 유닛(54)이 고정되어 있다. 또한, X축 이동 테이블(18)의 측판(18b)과는 반대측에 위치하는 영역으로부터 하방 촬상 유닛(54)이 공간(18d) 내에 진입할 수 있도록, XY 평면에 있어서의 방향이 90도 회전한 상태로 X축 이동 테이블(18)이 배치되어 있다.
레이저 가공 장치(104)는, 1쌍의 X축 가이드 레일(20)이 고정되는 Y축 이동 테이블(108)을 갖는다. Y축 이동 테이블(108)은, 정지 베이스(106)의 상면에 고정된 한 쌍의 Y축 가이드 레일(110) 상에, 슬라이드 가능하게 부착되어 있다.
또한, Y축 가이드 레일(110)에 인접하는 위치에는, Y축 이동 테이블(108)의 Y축 방향의 위치를 검출할 때에 사용되는 Y축 스케일(110a)이 설치되어 있다. Y축 이동 테이블(108)의 하면측에는, 너트부(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이 너트부에는, Y축 가이드 레일(110)에 대략 평행한 Y축 볼 나사(112)가 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
Y축 볼 나사(112)의 일단부에는, Y축 펄스 모터(114)가 연결되어 있다. Y축 펄스 모터(114)로 Y축 볼 나사(112)를 회전시키면, Y축 이동 테이블(108)은, Y축 가이드 레일(110)을 따라 Y축 방향으로 이동한다. Y축 가이드 레일(110), Y축 볼 나사(112), Y축 펄스 모터(114) 등은, Y축 이동 테이블(108)을 이동시키는 Y축 이동 기구(116)를 구성한다.
하방 촬상 유닛(54)에 인접하는 위치에는, 정지 베이스(106)의 상면으로부터 상방으로 돌출하는 양태로 칼럼(118)이 설치되어 있다. 칼럼(118)에는, X축 방향에 대략 평행한 길이부를 갖는 케이싱(120)이 설치되어 있다.
케이싱(120)에는, 레이저 조사 유닛(122)의 적어도 일부가 설치되어 있다. 레이저 조사 유닛(122)은, 피가공물(11)에 흡수되는 파장, 또는 피가공물(11)을 투과하는 파장을 갖는 레이저 빔을 생성하기 위한 레이저 발진기(도시하지 않음) 등을 갖는다.
레이저 조사 유닛(122)의 X축 방향의 선단부에는, 집광기를 포함하는 조사 헤드(124)가 설치되어 있다. 레이저 조사 유닛(122)에서 생성된 소정의 파장의 레이저 빔은, 소정의 광학계를 거쳐 조사 헤드(124)로부터 하방으로 조사된다. 또한, 케이싱(120)의 선단부에 있어서 조사 헤드(124)에 인접하는 위치에는, 상방 촬상 유닛(84)이 설치되어 있다.
제2 실시형태의 이면 표시 단계 S80에서도, 터치 패널(92)에 표시되는 이면(11b)측의 제1 영역의 화상에, 화상 취득 단계 S50에서 취득된 마크(98) 등의 소정의 패턴을 겹쳐 표시시킬 수 있다. 이에 의해, 작업자는, 피가공물(11)에 형성되는 홈(11c)이 분할 예정 라인(13)을 따라 형성되어 있는지의 여부를 확인할 수 있다.
그 외, 상기 실시형태에 따른 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다. 예컨대, 제2 실시형태에 있어서, 제1 실시형태와 마찬가지로, Z축 이동 기구(42)를 Y축 방향으로 이동시키는 Y축 이동 기구를 추가해도 좋다.
2: 절삭 장치(가공 장치) 4: 베이스
4a, 4b, 4d: 개구 4c: 지지 구조
6: 카세트 10: 유지 테이블
11: 피가공물 11a: 표면
11b: 이면 11c: 홈(가공홈)
12: 유지 부재 12a: 일면
12b: 타면 12c1: 제1 흡인로
12c2: 제2 흡인로 12c3: 교점
12d: 개구부 12e: 외주 흡인로
12f: 흡인로 13: 분할 예정 라인
14: 흡인원 15: 디바이스
16: 프레임체 16a: 개구부
16b: 풀리부 17: 테이프
18: X축 이동 테이블 18a: 바닥판
18b: 측판 18c: 상부판
18d: 공간 19: 프레임
20: X축 가이드 레일 20a: X축 리니어 스케일
21: 피가공물 유닛 22: X축 볼 나사
24: X축 펄스 모터 26: X축 이동 기구
28: 벨트 30: 회전 구동원
30a: 풀리 32: Y축 이동 기구
34: Y축 가이드 레일 36: Y축 이동 테이블
38: Y축 볼 나사 40: Y축 펄스 모터
42: Z축 이동 기구 42a: 지지 구조
44: Z축 가이드 레일 46: Z축 이동 플레이트
48: Z축 볼 나사 50: Z축 펄스 모터
52: 지지 아암 54: 하방 촬상 유닛(제2 촬상 유닛)
56: 저배율 카메라 56a: 조명 장치
58: 고배율 카메라 58a: 조명 장치
60: 가공 유닛 이동 기구 62: Y축 가이드 레일
64: Y축 이동 플레이트 66: Y축 볼 나사
68: Y축 펄스 모터 70: Z축 이동 플레이트
72: Z축 가이드 레일 74: Z축 볼 나사
76: Z축 펄스 모터 78: 절삭 유닛(가공 유닛)
80: 스핀들 하우징 82a: 스핀들
82b: 절삭 블레이드 84: 상방 촬상 유닛(제1 촬상 유닛)
86: 세정 유닛 88: 세정 테이블
90: 노즐 92: 터치 패널(표시 유닛)
94: 제어부 96: 기억부
98: 마크 100: 회로
102, 102a: 화상 104: 레이저 가공 장치(가공 장치)
106: 정지 베이스 108: Y축 이동 테이블
110: Y축 가이드 레일 110a: Y축 스케일
112: Y축 볼 나사 114: Y축 펄스 모터
116: Y축 이동 기구 118: 칼럼
120: 케이싱 122: 레이저 조사 유닛(가공 유닛)
124: 조사 헤드 A: 영역
B, C, D: 모서리부

Claims (5)

  1. 일면과 상기 일면과는 반대측에 위치하는 타면을 포함하고, 상기 일면으로부터 상기 타면까지 투명재로 형성되어 있는 미리 정해진 영역을 갖는 판형의 유지 테이블과,
    표면측에 미리 정해진 패턴을 갖는 피가공물의 상기 표면측이 상기 유지 테이블의 상기 일면으로 유지되고, 상기 피가공물의 이면측이 상방으로 노출된 상태에서, 상기 피가공물을 가공하는 가공 유닛과,
    상기 유지 테이블의 상방에 있어서 상기 일면에 대향하도록 설치된 제1 촬상 유닛과,
    상기 유지 테이블의 하방에 있어서 상기 타면에 대향하도록 설치된 제2 촬상 유닛과,
    상기 제1 촬상 유닛 및 상기 제2 촬상 유닛 중 적어도 어느 하나로 취득된 화상을 표시하는 표시 유닛과,
    상기 유지 테이블의 상기 일면으로 상기 표면측이 유지된 상기 피가공물을 상기 제2 촬상 유닛으로 촬상함으로써 취득된 상기 표면측의 화상에 포함되는 상기 미리 정해진 패턴의 위치 정보를 기억하는 기억부를 포함하고, 상기 피가공물의 두께 방향에 있어서 상기 피가공물의 상기 이면측의 제1 영역에 대응하는 상기 표면측의 제2 영역에 포함되는 상기 미리 정해진 패턴과, 상기 제1 영역의 화상을 겹쳐 상기 표시 유닛에 표시시키는 제어부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 표시 유닛에 표시되는 상기 제1 영역의 화상은, 상기 가공 유닛에 의해 형성된 가공홈을 나타내는 영역을 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 가공홈을 나타내는 영역을 포함하는 상기 제1 영역의 화상에, 상기 제2 영역에 있어서의 상기 미리 정해진 패턴을 표시시키는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 표시 유닛에는, 상기 제2 영역의 화상이 표시되고,
    상기 제1 영역의 화상은, 상기 가공 유닛에 의해 형성된 가공홈을 나타내는 영역을 포함하며,
    상기 제어부는, 상기 제2 영역의 화상에, 상기 제1 영역의 화상의 적어도 상기 가공홈을 나타내는 영역을 표시시키는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, X축 방향 및 Y축 방향의 방향을, 상기 제1 영역의 화상과 상기 제2 영역의 화상에서 동일하게 한 상태에서, 상기 표시 유닛에 상기 제1 영역의 화상과 상기 제2 영역의 화상을 겹쳐 표시시키는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가공 유닛은, 절삭 블레이드가 장착되는 절삭 유닛, 또는 레이저 빔을 조사하는 레이저 조사 유닛인 것을 특징으로 하는 가공 장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7430449B2 (ja) * 2020-02-04 2024-02-13 株式会社ディスコ 加工装置
JP7642292B2 (ja) * 2021-07-28 2025-03-10 株式会社ディスコ 加工システム
JP2023018741A (ja) * 2021-07-28 2023-02-09 株式会社ディスコ 加工システム、及び検査対象の選定方法
JP7680909B2 (ja) * 2021-08-25 2025-05-21 株式会社ディスコ ウエーハの処理方法
CN116598247B (zh) * 2023-07-18 2023-09-12 深圳新控半导体技术有限公司 一种芯片粘贴用自调节粘贴平台及其控制方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140341A (ja) 2004-11-12 2006-06-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2010087141A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03282301A (ja) * 1990-03-30 1991-12-12 Toppan Printing Co Ltd 表裏パターン検査装置
JP2005223270A (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Sony Corp 半導体薄板のスクライブ装置
JP5060821B2 (ja) * 2007-04-10 2012-10-31 ラピスセミコンダクタ株式会社 基板検査装置及び基板検査方法
JP2009224476A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Olympus Corp 欠陥関連性表示装置、基板検査装置、および欠陥関連性表示方法
JP5198203B2 (ja) * 2008-09-30 2013-05-15 株式会社ディスコ 加工装置
JP2010165876A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Olympus Corp 欠陥関連付け装置、基板検査システム、および欠陥関連付け方法
US20110132885A1 (en) * 2009-12-07 2011-06-09 J.P. Sercel Associates, Inc. Laser machining and scribing systems and methods
JP6979296B2 (ja) * 2017-07-28 2021-12-08 株式会社ディスコ 切削方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140341A (ja) 2004-11-12 2006-06-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2010087141A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置

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