KR20210055041A

KR20210055041A - 광학재료용 조성물 및 광학재료

Info

Publication number: KR20210055041A
Application number: KR1020217005685A
Authority: KR
Inventors: 요스케 이마가와; 히로시 호리코시
Original assignee: 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
Priority date: 2018-09-07
Filing date: 2019-08-21
Publication date: 2021-05-14
Anticipated expiration: 2039-08-21
Also published as: JPWO2020050013A1; US20210253798A1; KR102683975B1; CN112639538B; JP7367683B2; EP3848733A1; US11999824B2; EP3848733A4; WO2020050013A1; CN112639538A; EP3848733B1

Abstract

본 발명에 따르면, 하기 (a)화합물 및/또는 (b)화합물, 그리고 (c)화합물을 포함하는 광학재료용 조성물을 제공할 수 있다. 하기 (a)화합물 및/또는 (b)화합물의 비율이, 0.001~30.0질량%인 태양이 바람직하다. (a)화합물: 하기 (1)식으로 표시되는 화합물 (b)화합물: 하기 (2)식으로 표시되는 화합물 (c)화합물: 에피설파이드 화합물
[화학식 1]

[화학식 2]

Description

광학재료용 조성물 및 광학재료

본 발명은, 광학재료용 조성물 등에 관한 것으로, 특히, 플라스틱렌즈, 프리즘, 광화이버, 정보기록기반, 필터 등의 광학재료, 그 중에서도 플라스틱렌즈에 호적한 광학재료용 조성물 등에 관한 것이다.

플라스틱렌즈는 경량이고 인성이 풍부하며, 염색도 용이하다. 플라스틱렌즈에 특히 요구되는 성능은, 저비중, 고투명성 및 저황색도, 광학성능으로서 고굴절률과 고아베수, 고내열성, 고강도 등이다. 고굴절률은 렌즈의 박육화를 가능으로 하고, 고아베수는 렌즈의 색수차를 저감한다.

최근, 고굴절률과 고아베수를 목적으로 하여, 황원자를 갖는 유기화합물이 수많이 보고되어 있다. 그 중에서도 황원자를 갖는 폴리에피설파이드 화합물은 굴절률과 아베수의 밸런스가 좋은 것이 알려져 있다(특허문헌 1). 이들 발명의 폴리에피설파이드 화합물로부터 얻어지는 광학재료에 의해, 굴절률이 1.7 이상인 고굴절률은 달성되었으나, 더욱 고굴절률을 갖는 재료가 요구되어, 황, 셀레늄 또는 텔루륨원자를 포함하는 환상 골격의 유기화합물을 함유하는 광학재료용 조성물을 이용한 광학재료가 제안되고, 굴절률 1.73 이상을 도달해 있다(특허문헌 2).

그러나, 이들 고굴절률을 갖는 광학재료용 조성물을 이용한 광학재료는, 모노머가 합성되기 어렵고 고비용인 점, 경화 후에 이형성이 불충분하여 탈형시에 렌즈가 파손되기 쉬운 점, 경화한 렌즈의 내열성에 더욱 개선의 여지가 있는 점이 과제로 되어 있었다.

일본특허공개 H09-110979호 공보 일본특허공개 2002-40201호 공보

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 이들 고굴절률을 갖는 광학재료용 조성물을 이용한 광학재료에 있어서, 보다 내열성을 확보하고, 이형성을 충분하게 하는 광학재료용 조성물 및 그것으로 이루어지는 광학재료를 제공하는 것이다.

본 발명자들은 이 과제를 해결하기 위해 연구를 행한 결과, 하기 (a)화합물 및/또는 (b)화합물과, (c)화합물을 포함하는 광학재료용 조성물을 중합경화시킴으로써 내열성을 더욱 개선하고, 더욱 이형성을 향상시키는 것과 같은 과제를 해결하여, 본 발명에 이르렀다.

(a)화합물: 하기 (1)식으로 표시되는 화합물

(b)화합물: 하기 (2)식으로 표시되는 화합물

(c)화합물: 에피설파이드 화합물

[화학식 1]

[화학식 2]

본 발명에 따르면, 고굴절률을 갖는 광학재료용 조성물을 이용한 광학재료에 있어서, 저렴하고, 경화 후의 이형성을 충분하게 하고, 경화한 수지의 내열성을 보다 확보하는 광학재료용 조성물 및 그것으로 이루어지는 광학재료를 제공하는 것이 가능해졌다.

이하, 본 발명에 이용하는 원료, 즉 (a), (b), 및 (c)화합물에 대하여 상세히 설명한다.

본 발명에서 사용하는 (a)화합물은, 하기 (1)식으로 표시되는 화합물이다.

[화학식 3]

상기 (a)화합물은, 공지의 수법으로 합성하여 얻을 수 있다. 일례로서, 일본특허공개 H5-279321호 공보에 기재된 수법을 들 수 있다.

본 발명에서 사용하는 (b)화합물은, 하기 (2)식으로 표시되는 화합물이다.

[화학식 4]

상기 (b)화합물은, (a)화합물을 얻는 도중, 혹은 (a)화합물을 얻은 후 공지의 수법으로 환원하여 얻을 수 있다.

본 발명에서 사용하는 (c)에피설파이드 화합물은, 모든 에피설파이드 화합물을 포괄하나, 구체예로서 쇄상 지방족 골격, 분지상 지방족 골격, 지방족 환상 골격, 방향족 골격을 갖는 화합물로 나누어 열거한다.

쇄상 지방족 골격을 갖는 화합물로는, 하기 (3)식으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

[화학식 5]

(단, m은 0~4의 정수, n은 0~2의 정수를 나타낸다.)

분지상 지방족 골격을 갖는 화합물로는, 하기 (4)~(6)식으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

[화학식 6]

[화학식 7]

[화학식 8]

지방족 환상 골격을 갖는 화합물로는, 하기 (7)식 또는 (8)식으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

[화학식 9]

(p, q는 각각 독립적으로 0~4의 정수를 나타낸다.)

[화학식 10]

(p, q는 각각 독립적으로 0~4의 정수를 나타낸다.)

방향족 골격을 갖는 화합물로는, 하기 (9), (10) 또는 (11)식으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

[화학식 11]

(p, q는 각각 독립적으로 0~4의 정수를 나타낸다.)

[화학식 12]

(R₁, R₂는 각각 독립적으로 수소원자, 메틸기, 에틸기, 또는 페닐기를 나타낸다.)

[화학식 13]

(p, q는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수를 나타낸다.)

(3)식의 화합물의 구체예로는, 비스(β-에피티오프로필)설파이드(상기 (3)식에서 n=0), 비스(β-에피티오프로필)디설파이드(상기 (3)식에서 m=0, n=1), 비스(β-에피티오프로필티오)메탄(상기 (3)식에서 m=1, n=1), 1,2-비스(β-에피티오프로필티오)에탄(상기 (3)식에서 m=2, n=1), 1,3-비스(β-에피티오프로필티오)프로판(상기 (3)식에서 m=3, n=1), 1,4-비스(β-에피티오프로필티오)부탄(상기 (3)식에서 m=4, n=1), 비스(β-에피티오프로필티오에틸)설파이드(상기 (3)식에서 m=2, n=2) 등을 들 수 있다.

(7)식의 화합물의 구체예로는, 1,3 또는 1,4-비스(β-에피티오프로필티오)시클로헥산(상기 (7)식에서 p=0, q=0), 1,3 또는 1,4-비스(β-에피티오프로필티오메틸)시클로헥산(상기 (7)식에서 p=1, q=1) 등을 들 수 있다.

(8)식의 화합물의 구체예로는, 2,5-비스(β-에피티오프로필티오)-1,4-디티안(상기 (8)식에서 p=0, q=0), 2,5-비스(β-에피티오프로필티오에틸티오메틸)-1,4-디티안(상기 (8)식에서 p=1, q=1), 등을 들 수 있다.

(9)식의 화합물의 구체예로는, 1,3 또는 1,4-비스(β-에피티오프로필티오)벤젠(상기 (9)식에서 p=0, q=0), 1,3 또는 1,4-비스(β-에피티오프로필티오메틸)벤젠(상기 (9)식에서 p=1, q=1) 등을 들 수 있다.

(10)식의 화합물의 구체예로는, R₁, R₂가 모두 수소원자인 화합물, 모두 메틸기인 화합물 등을 들 수 있다.

(11)식의 화합물의 구체예로는, 상기 (11)식에서 p=0, q=0, 상기 (11)식에서 p=1, q=1 등을 들 수 있다.

이들은 단독으로도, 2종류 이상을 혼합하여 이용해도 상관없다.

그 중에서도 바람직한 화합물은, 쇄상 지방족 골격을 갖는 상기 (3)식으로 표시되는 화합물 및 분지상 지방족 골격을 갖는 상기 (4)~(6)식으로 표시되는 화합물이며, 특히 바람직한 화합물은, 비스(β-에피티오프로필)설파이드(상기 (3)식에서 n=0), 비스(β-에피티오프로필)디설파이드(상기 (3)식에서 m=0, n=1), (4)식으로 표시되는 화합물이며, 더욱 바람직한 화합물은, 비스(β-에피티오프로필)설파이드(상기 (3)식에서 n=0) 및 (4)식으로 표시되는 화합물이며, 가장 바람직한 화합물은 (4)식으로 표시되는 화합물이다.

이상, 본 발명에서 사용되는 (c)화합물을 예시하였으나, 이들 예시화합물로 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 (c)화합물은, 단독으로도 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 상관없다.

본 발명의 광학재료용 조성물 중의 (a)화합물 및/또는 (b)화합물의 비율은, 0.001~30.0질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005~10.0질량%, 특히 바람직하게는 0.01~5.0질량%이다. (a)화합물 및/또는 (b)화합물이 0.001질량%를 하회하면 충분한 효과가 얻어지지 않는 경우가 있으며, 30.0질량% 초과하면 조합액의 점도가 상승하여, 렌즈성형이 하기 어려워지는 경우가 있다.

본 발명의 광학재료용 조성물은, 필요에 따라 (2)식으로 표시되는 화합물 이외의 폴리티올을 포함할 수도 있다. 폴리티올은, 1분자당 메르캅토기를 2개 이상 갖는 티올 화합물이다. 폴리티올은 본 발명의 광학재료용 조성물로부터 얻어지는 수지의 가열시의 색조를 개선시키는 효과가 있다.

본 발명에 있어서 사용되는 폴리티올은 특별히 한정되지 않으나, 색조개선효과가 높은 점에서, 바람직한 구체예로서, 1,2,6,7-테트라메르캅토-4-티아헵탄, 메탄디티올, (설파닐메틸디설파닐)메탄티올, 비스(2-메르캅토에틸)설파이드, 2,5-비스(메르캅토메틸)-1,4-디티안, 1,2-비스(2-메르캅토에틸티오)-3-메르캅토프로판, 4,8-디메르캅토메틸-1,11-디메르캅토-3,6,9-트리티아운데칸, 4,7-디메르캅토메틸-1,11-디메르캅토-3,6,9-트리티아운데칸, 5,7-디메르캅토메틸-1,11-디메르캅토-3,6,9-트리티아운데칸, 1,1,3,3-테트라키스(메르캅토메틸티오)프로판, 테트라메르캅토펜타에리스리톨, 1,3-비스(메르캅토메틸)벤젠, 1,4-비스(메르캅토메틸)벤젠, 및 티이란메탄티올을 들 수 있고, 특히 비스(2-메르캅토에틸)설파이드, 1,2,6,7-테트라메르캅토-4-티아헵탄, 1,2-비스(2-메르캅토에틸티오)-3-메르캅토프로판, 1,3-비스(메르캅토메틸)벤젠이 바람직하고, 비스(2-메르캅토에틸)설파이드, 1,2,6,7-테트라메르캅토-4-티아헵탄이 가장 바람직하다. 이들은 시판품이나 공지의 방법에 의해 합성한 것이 사용가능하며, 또한 2종 이상을 병용할 수 있다.

본 발명의 광학재료용 조성물에 있어서, (2)식으로 표시되는 화합물 이외의 폴리티올의 비율은, 조성물 총량에 대하여, 바람직하게는 0~25질량%(예를 들어 0.1~25질량%), 보다 바람직하게는 0~20질량%(예를 들어 0.5~20질량%)이며, 더욱 바람직하게는 0~10질량%(예를 들어 0.5~10질량%)이며, 특히 바람직하게는 0~5질량%(예를 들어 0.5~5질량%)이다.

본 발명의 광학재료용 조성물은, 필요에 따라 황 및/또는 1,2,3,5,6-펜타티에판(렌티오닌)을 포함할 수도 있다. 황 및/또는 1,2,3,5,6-펜타티에판은, 본 발명의 광학재료용 조성물로부터 얻어지는 광학재료(수지)의 굴절률을 향상시키는 효과가 있다.

본 발명에서 이용하는 황의 형상은 어떠한 형상이어도 상관없다. 구체적으로는, 황으로는, 미분황, 콜로이드황, 침강황, 결정황, 승화황 등을 들 수 있고, 용해속도의 관점에서 바람직하게는, 입자가 미세한 미분황이다.

본 발명에 이용하는 황의 입경(직경)은 10메쉬보다 작은 것이 바람직하다. 황의 입경이 10메쉬보다 큰 경우, 황이 완전히 용해되기 어렵다. 황의 입경은, 30메쉬보다 작은 것이 보다 바람직하고, 60메쉬보다 작은 것이 가장 바람직하다.

본 발명에 이용하는 황의 순도는, 바람직하게는 98% 이상이며, 보다 바람직하게는 99.0% 이상이며, 더욱 바람직하게는 99.5% 이상이며, 가장 바람직하게는 99.9% 이상이다. 황의 순도가 98% 이상이면, 98% 미만인 경우에 비해, 얻어지는 광학재료의 색조가 보다 개선된다.

상기 조건을 만족시키는 황은, 시판품을 용이하게 입수가능하며, 호적하게 이용할 수 있다.

1,2,3,5,6-펜타티에판의 입수방법은 특별히 제한되지 않는다. 시판품을 이용해도 되고, 원유나 동식물 등의 천연물로부터 채취추출해도, 또한 공지의 방법으로 합성해도 상관없다.

합성법의 일례로는, N.Takeda 등, Bull. Chem. Soc. Jpn., 68, 2757(1995), F.Feher 등, Angew. Chem. Int. Ed., 7,301(1968), G.W.Kutney 등, Can. J. Chem, 58,1 233(1980) 등에 기재된 방법을 들 수 있다.

본 발명의 광학재료용 조성물에 있어서, 황 및/또는 1,2,3,5,6-펜타티에판의 비율은, 조성물 총량에 대하여, 바람직하게는 0~40질량%(예를 들어 1~40질량%)이며, 보다 바람직하게는 0~30질량%(예를 들어 5~30질량%, 10~30질량%), 더욱 바람직하게는 0~25질량%(예를 들어 5~25질량%)이며, 특히 바람직하게는 0~20질량%(예를 들어 5~20질량%)이다.

본 발명의 광학재료용 조성물을 중합경화하여 광학재료를 얻을 때, 중합촉매를 첨가하는 것이 바람직하다. 중합촉매로는 아민, 포스핀, 오늄염 등이 이용되는데, 특히 오늄염, 그 중에서도 제4급암모늄염, 제4급포스포늄염, 제3급설포늄염, 제2급요오도늄염이 바람직하고, 그 중에서도 광학재료용 조성물과의 상용성이 양호한 제4급암모늄염 및 제4급포스포늄염이 보다 바람직하고, 제4급포스포늄염이 더욱 바람직하다. 보다 바람직한 중합촉매로는, 테트라-n-부틸암모늄브로마이드, 트리에틸벤질암모늄클로라이드, 세틸디메틸벤질암모늄클로라이드, 1-n-도데실피리디늄클로라이드 등의 제4급암모늄염, 테트라-n-부틸포스포늄브로마이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드 등의 제4급포스포늄염을 들 수 있다. 이들 중에서, 더욱 바람직한 중합촉매는, 테트라-n-부틸암모늄브로마이드, 트리에틸벤질암모늄클로라이드, 테트라-n-부틸포스포늄브로마이드이다.

중합촉매의 첨가량은, 조성물의 성분, 혼합비 및 중합경화방법에 따라 변화하기 때문에 일괄적으로는 결정할 수 없으나, 통상은 광학재료용 조성물의 합계 100질량부에 대하여, 0.0001~10질량부, 바람직하게는 0.001~5질량부, 보다 바람직하게는 0.01~1질량부, 가장 바람직하게는 0.01~0.5질량부이다. 중합촉매의 첨가량이 10질량부보다 많으면 급속히 중합되는 경우가 있다. 또한, 중합촉매의 첨가량이 0.0001질량부보다 적으면 광학재료용 조성물이 충분히 경화되지 않고 내열성이 불량해지는 경우가 있다.

또한, 본 발명의 제조방법으로 광학재료를 제조할 때, 광학재료용 조성물에 자외선흡수제, 블루잉제, 안료 등의 첨가제를 첨가하여, 얻어지는 광학재료의 실용성을 보다 향상시키는 것도 물론 가능하다.

자외선흡수제의 바람직한 예로는 벤조트리아졸계 화합물이며, 특히 바람직한 화합물은, 2-(2-하이드록시-5-메틸페닐)-2H-벤조트리아졸, 5-클로로-2-(3,5-디-tert-부틸-2-하이드록시페닐)-2H-벤조트리아졸, 2-(2-하이드록시-4-옥틸페닐)-2H-벤조트리아졸, 2-(2-하이드록시-4-메톡시페닐)-2H-벤조트리아졸, 2-(2-하이드록시-4-에톡시페닐)-2H-벤조트리아졸, 2-(2-하이드록시-4-부톡시페닐)-2H-벤조트리아졸, 2-(2-하이드록시-4-옥틸옥시페닐)-2H-벤조트리아졸, 2-(2-하이드록시-5-t-옥틸페닐)-2H-벤조트리아졸이다.

이들 자외선흡수제의 첨가량은, 통상, 광학재료용 조성물의 합계 100질량부에 대하여 0.01~5질량부이다.

광학재료용 조성물을 중합경화시킬 때에, 포트라이프의 연장이나 중합발열의 분산화 등을 목적으로 하여, 필요에 따라 중합조정제를 첨가할 수 있다. 중합조정제는, 장기주기율표에 있어서의 제13~16족의 할로겐화물을 들 수 있다. 이들 중 바람직한 것은, 규소, 게르마늄, 주석, 안티몬의 할로겐화물이며, 보다 바람직한 것은 알킬기를 갖는 게르마늄, 주석, 안티몬의 염화물이다. 더욱 바람직한 화합물은, 디부틸주석디클로라이드, 부틸주석트리클로라이드, 디옥틸주석디클로라이드, 옥틸주석트리클로라이드, 디부틸디클로로게르마늄, 부틸트리클로로게르마늄, 디페닐디클로로게르마늄, 페닐트리클로로게르마늄, 트리페닐안티몬디클로라이드이며, 가장 바람직한 화합물은, 디부틸주석디클로라이드이다. 중합조정제는 단독으로도 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 상관없다.

중합조정제의 첨가량은, 광학재료용 조성물의 총계 100질량부에 대하여, 0.0001~5.0질량부이며, 바람직하게는 0.0005~3.0질량부이며, 보다 바람직하게는 0.001~2.0질량부이다. 중합조정제의 첨가량이 0.0001질량부보다도 적은 경우, 얻어지는 광학재료에 있어서 충분한 포트라이프를 확보할 수 없고, 중합조정제의 첨가량이 5.0질량부보다도 많은 경우는, 광학재료용 조성물이 충분히 경화되지 않고, 얻어지는 광학재료의 내열성이 저하되는 경우가 있다.

이와 같이 하여 얻어진 광학재료용 조성물은 몰드 등의 형틀에 주형하고, 중합시켜 광학재료로 한다.

본 발명의 광학재료용 조성물의 주형에 있어서, 0.1~5μm 정도의 구멍직경의 필터 등으로 불순물을 여과하여 제거하는 것은, 본 발명의 광학재료의 품질을 높임에 있어서도 바람직하다.

본 발명의 광학재료용 조성물의 중합은 통상, 이하와 같이 하여 행해진다. 즉, 경화시간은 통상 1~100시간이며, 경화온도는 통상 -10℃~140℃이다. 중합은 소정의 중합온도에서 소정시간 유지하는 공정, 0.1℃~100℃/h의 승온을 행하는 공정, 0.1℃~100℃/h의 강온을 행하는 공정에 의해, 또는 이들 공정을 조합하여 행한다.

또한, 경화종료 후, 얻어진 광학재료를 50~150℃의 온도에서 10분~5시간 정도 어닐처리를 행하는 것은, 본 발명의 광학재료의 변형을 제거하기 위해 바람직한 처리이다. 추가로 얻어진 광학재료에 대하여, 필요에 따라 염색, 하드코트, 내충격성코트, 반사방지, 방담성 부여 등의 표면처리를 행할 수도 있다.

본 발명의 광학재료는 광학렌즈로서 호적하게 이용할 수 있다.

실시예

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다. 한편, 평가는 이하의 방법으로 행하였다.

[이형성]

직경 70mm, 중심두께 1.0mm의 -4D렌즈를 10매 제작하고, 이형성을 평가하였다. 10매 모두 이형된 것을 A, 9매 이형된 것을 B, 8매 이형된 것을 C, 7매 이하를 D로 하였다. B 이상이 합격레벨이다.

[광학재료의 내열성(Tg)측정]

샘플을 두께 3mm로 잘라내고, 0.5mmφ의 핀에 10g의 가중을 주고, 30℃로부터 10℃/분으로 승온하여 TMA측정(세이코인스트루먼츠제, TMA/SS6100)을 행하고, 연화점을 측정하였다. 70℃ 이상을 A, 50℃ 이상 70℃ 미만을 B, 50℃ 미만을 C로 하였다. B 이상이 합격레벨이다.

합성예 1

일본특허공개 H5-279321호 공보에 기재된 수법에 의해, (a)화합물을 얻었다. 이어서 (a)화합물 15g을 톨루엔 100ml, 메탄올 150ml의 혼합용매에 용해하였다. 다음에, 5℃에서 교반하면서 수소화붕소나트륨 2.8g을 첨가하였다. 1시간 교반한 후, 물 150ml를 첨가하여 톨루엔층을 추출하였다. 그 후 수세하고, 톨루엔을 유거한 후, 실리카겔컬럼으로 정제하여 (b)화합물을 4.5g 얻었다.

실시예 1

(c)화합물로서 테트라키스(β-에피티오프로필티오메틸)메탄((4)식으로 표시되는 화합물) 99.999질량부에, 합성예 1에서 합성한 (a)화합물 0.001질량부, 중합촉매로서 테트라-n-부틸포스포늄브로마이드 0.05질량부를 첨가 후, 잘 혼합하여 균일하게 하였다. 이어서 1.3kPa의 진공도로 탈기를 행하고, 몰드에 주입하고, 30℃에서 10시간 가열하여, 100℃까지 10시간에 걸쳐 일정속도로 승온시키고, 마지막으로 100℃에서 1시간 가열하여, 중합경화시켰다. 방랭 후, 몰드로부터 이형하고, 120℃에서 30분 아닐처리하여 성형판을 얻었다. 이형성, 내열성의 평가결과를 표 1에 나타낸다.

실시예 2~8, 비교예 1, 2

표 1에 나타낸 조성으로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 행하였다. 평가결과를 표 1에 나타낸다.

[표 1]

실시예 9

(c)화합물로서 비스(β-에피티오프로필)설파이드((3)식으로 표시되는 화합물에서 n=0) 99.999질량부에, 합성예 1에서 합성한 (a)화합물 0.001질량부, 중합촉매로서 테트라-n-부틸포스포늄브로마이드 0.05질량부를 첨가 후, 잘 혼합하여 균일하게 하였다. 이어서 1.3kPa의 진공도로 탈기를 행하고, 몰드에 주입하고, 30℃에서 10시간 가열하여, 100℃까지 10시간에 걸쳐 일정속도로 승온시키고, 마지막으로 100℃에서 1시간 가열하여, 중합경화시켰다. 방랭 후, 몰드로부터 이형하고, 120℃에서 30분 어닐처리하여 성형판을 얻었다. 이형성, 내열성의 평가결과를 표 2에 나타낸다.

실시예 10~16, 비교예 3, 4

표 2에 나타낸 조성으로 한 것 이외는 실시예 9와 동일하게 행하였다. 평가결과를 표 2에 나타낸다.

[표 2]

Claims

하기 (a)화합물 및/또는 (b)화합물, 그리고 (c)화합물을 포함하는 광학재료용 조성물.
(a)화합물: 하기 (1)식으로 표시되는 화합물
(b)화합물: 하기 (2)식으로 표시되는 화합물
(c)화합물: 에피설파이드 화합물
[화학식 1]

[화학식 2]
제1항에 있어서,
(a)화합물 및/또는 (b)화합물의 비율이, 0.001~30.0질량%인 광학재료용 조성물.
제1항 또는 제2항에 기재된 광학재료용 조성물에, 중합촉매를 광학재료용 조성물 100질량부에 대하여 0.0001질량부~10질량부 첨가하고, 중합경화하는 광학재료의 제조방법.
제3항에 기재된 제조방법으로 얻어지는 광학재료.
제4항에 기재된 광학재료로 이루어지는 광학렌즈.