[go: up one dir, main page]

KR20210054325A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210054325A
KR20210054325A KR1020190140340A KR20190140340A KR20210054325A KR 20210054325 A KR20210054325 A KR 20210054325A KR 1020190140340 A KR1020190140340 A KR 1020190140340A KR 20190140340 A KR20190140340 A KR 20190140340A KR 20210054325 A KR20210054325 A KR 20210054325A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
unit
space
support
exhaust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020190140340A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102404571B1 (ko
Inventor
유광성
강정현
강성훈
Original Assignee
피에스케이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피에스케이 주식회사 filed Critical 피에스케이 주식회사
Priority to KR1020190140340A priority Critical patent/KR102404571B1/ko
Priority to TW108143185A priority patent/TWI729592B/zh
Priority to JP2019218542A priority patent/JP6954565B2/ja
Priority to US16/701,197 priority patent/US20210134567A1/en
Priority to CN201911345202.9A priority patent/CN112768334B/zh
Publication of KR20210054325A publication Critical patent/KR20210054325A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102404571B1 publication Critical patent/KR102404571B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지고, 배기홀이 형성된 하우징과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 하우징의 하부에 제공되고, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 중공이 형성되고, 내부에 상기 처리 공간과 연통되는 버퍼 공간을 가지는 바디와; 상기 버퍼 공간 내 가스를 배출하는 배기관을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 플레이트와; 상기 지지 플레이트와 연결되고, 상기 중공 및 상기 배기홀에 삽입되며 상기 중공보다 작은 직경을 가지는 지지축을 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{A substrate processing apparatus}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 기판 상의 박막을 제거하는 애싱 또는 식각 공정을 포함한다. 애싱 또는 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다.
도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 플라즈마 처리 장치(2000)는 처리부(2100), 그리고 플라즈마 발생부(2300)를 가진다.
처리부(2100)는 플라즈마 발생부(2300)에서 발생되는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 처리부(2100)에는 하우징(2110), 지지 유닛(2120), 그리고 배플(2130)이 제공된다. 하우징(2110)은 내부 공간(2112)을 가지며, 지지 유닛(2120)은 내부 공간(2112)에서 기판(W)을 지지 한다. 배플(2130)에는 다수의 홀이 형성되어 있으며, 이는 지지 유닛(2120)의 상부에 제공된다.
플라즈마 발생부(2300)에서는 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마 발생부(2300)에는 플라즈마 발생 챔버(2310), 가스 공급부(2320), 전력 인가부(2330), 그리고 확산 챔버(2340)가 제공된다. 가스 공급부(2320)에서 공급하는 공정 가스는 전력 인가부(2330)에서 인가하는 고주파 전력에 의해 플라즈마 상태로 여기된다. 그리고 발생된 플라즈마는 확산 챔버(2340)를 거쳐 내부 공간(2112)으로 공급된다.
내부 공간(2112)으로 공급된 플라즈마(P)와 공정 가스는 기판(W)으로 전달되어 기판(W)을 처리한다. 이후, 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스는 하우징(2110)과 연결된 배기 포트(2114)를 통해 외부로 배출된다. 일반적인 기판 처리 장치(2000)에서 배기 포트(2114)는 하우징(2110)의 가장자리 영역에 연결된다. 이는 지지 유닛(2120)이 포함하는 지지축이 내부 공간(2112)의 중심 영역에 배치되기 때문이다. 배기 포트(2114)가 하우징(2110)의 가장자리 영역과 연결되는 경우 내부 공간(2112) 내 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스는 내부 공간(2112)의 가장자리 영역을 향해 흐른다. 이 경우, 플라즈마(P)가 기판(W)으로 적절히 전달되지 못해 기판(W) 처리 효율이 떨어질 수 있다. 이에, 배기 포트(2114)를 지지축과 인접하게 연결하는 방안을 고려할 수 있으나, 이 경우 플라즈마(P) 및/또는 가스의 배기가 비대칭적으로 이루어질 수 있다. 이에, 기판(W) 처리의 균일성을 떨어 뜨린다. 또한, 배기 포트(2114)를 하우징(2110)의 중앙 영역에 배치하는 것은 지지 유닛(2120)의 지지축과 간섭을 일으켜 공간적인 제약을 가진다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 하우징 내 플라즈마 및/또는 가스의 유동이 하우징 내 공간에서 균일하게 이루어져 기판 처리를 균일하게 수행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 지지축으로 인한 배기관 배치의 공간적인 제약을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지고, 배기홀이 형성된 하우징과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 하우징의 하부에 제공되고, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 중공이 형성되고, 내부에 상기 처리 공간과 연통되는 버퍼 공간을 가지는 바디와; 상기 버퍼 공간 내 가스를 배출하는 배기관을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 플레이트와; 상기 지지 플레이트와 연결되고, 상기 중공 및 상기 배기홀에 삽입되며 상기 중공보다 작은 직경을 가지는 지지축을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 유닛은, 상기 버퍼 공간에 제공되며, 복수의 타공이 형성된 타공 플레이트를 포함하고, 상기 타공 플레이트는, 상기 지지축의 둘레를 감싸고, 상기 지지축과 이격되어 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기관은, 상부에서 바라볼 때 상기 버퍼 공간의 가장자리에 연결될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 바디는, 링 형상을 가지고, 상기 중공이 형성되는 삽입부와; 상기 삽입부로부터 상기 지지축으로부터 멀어지는 방향으로 연장되는 배출부를 포함하고, 상기 배기관은 상기 배출부에 연결될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 바디의 상면은 블로킹 플레이트(Blocking Plate)로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 바디는, 상기 하우징과 조합되어 상기 버퍼 공간을 형성할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 상기 지지축과 상기 중공의 중심은 서로 일치되도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지축은, 상하 방향으로 이동 가능하게 제공되고, 상기 장치는, 상기 지지축을 감싸며, 상기 바디와 결합되는 벨로우즈를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛의 상부에 위치되며, 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛의 상부에 위치되며, 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 전력 인가 유닛을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 플레이트는, 원판 형상을 가지고, 그 측부가 상기 하우징의 내벽와 서로 이격되도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기홀은, 상기 하우징의 바닥면 중심에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 플레이트는, 전원과 연결되어 정전기력을 발생시키고, 상기 전원과 상기 지지 플레이트를 연결하는 인터페이스 라인은 상기 지지축 내에 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 플레이트에는, 상기 지지 플레이트의 온도를 조절하는 온도 조절 부재가 제공되고, 상기 온도 조절 부재와 전원을 연결하는 인터페이스 라인은 상기 지지축 내에 제공되는 기판 처리 장치.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 플레이트에는, 하부 전극이 제공되고, 상기 하부 전극은 상기 하부 전극으로 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과 연결되고, 상기 지지축 내에는 상기 하부 전극과 상기 고주파 전원을 연결하는 전원 라인이 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 기판이 수납된 캐리어가 안착되는 로드 포트를 가지는 설비 전방 단부 모듈과; 상기 설비 전방 단부 모듈로부터 기판을 반송 받아 기판을 처리하는 처리 모듈을 포함하고, 상기 처리 모듈은, 기판을 반송하는 트랜스퍼 챔버와; 상기 트랜스퍼 챔버와 인접하게 배치되고, 기판을 처리하는 프로세스 챔버를 포함하고, 상기 프로세스 챔버는, 내부에 처리 공간을 가지고, 배기홀이 형성된 하우징과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛의 상부에 위치되며, 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 지지 유닛의 상부에 위치되며, 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛과; 상기 하우징의 하부에 제공되고, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 중공이 형성되고, 내부에 상기 처리 공간과 연통되는 버퍼 공간을 가지는 바디와; 상기 버퍼 공간 내 가스를 배출하는 배기관을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 플레이트와; 상기 지지 플레이트와 연결되고, 상기 중공 및 상기 배기홀에 삽입되며 상기 중공보다 작은 직경을 가지는 지지축을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 유닛은, 상기 버퍼 공간에 제공되며, 복수의 타공이 형성된 타공 플레이트를 포함하고, 상기 타공 플레이트는, 상기 지지축의 둘레를 감싸고, 상기 지지축과 이격되어 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 바디는, 링 형상을 가지고, 상기 중공이 형성되는 삽입부와; 상기 삽입부로부터 상기 지지축으로부터 멀어지는 방향으로 연장되는 배출부를 포함하고, 상기 배기관은 상기 배출부에 연결될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 내부에 처리 공간을 가지고, 배기홀이 형성된 하우징과; 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 중공을 가지고, 내부에 버퍼 공간을 가지는 바디와; 상기 버퍼 공간과 연결되는 배기관을 포함하고, 상기 처리 공간 내 가스는 상기 배기홀과 상기 버퍼 공간을 거쳐 상기 배기관을 통해 외부로 배기될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 유닛은, 상기 하우징의 하부에 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 상기 중공 및 상기 배기홀에 삽입되며 상기 중공보다 작은 직경을 가지는 지지축을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 유닛은, 상기 버퍼 공간에 제공되며, 복수의 타공이 형성된 타공 플레이트를 포함하고, 상기 타공 플레이트는, 상기 지지축의 둘레를 감싸고, 상기 지지축과 이격되어 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 하우징 내 플라즈마 및/또는 가스의 유동이 하우징 내 공간에서 균일하게 이루어져 기판 처리의 균일성을 높일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 하우징 내 플라즈마 및/또는 가스의 유동이 하우징 내 공간에서 균일하게 이루어져 기판 처리를 균일하게 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 지지축으로 인한 배기관 배치의 공간적인 제약을 최소화 할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 프로세스 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 배기 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치에서 플라즈마 및/또는 가스가 유동하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 배기 유닛을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 배기 유닛을 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하 도 2 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 처리 모듈(30)을 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다.
설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송 프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(12)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 들어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송 프레임(21)은 로드 포트(10)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(12)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송한다.
처리 모듈(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함한다. 처리 모듈(30)은 설비 전방 단부 모듈(20)로부터 기판(W)을 반송 받아 기판(W)을 처리할 수 있다.
로드락 챔버(40)는 이송 프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다.
트랜스퍼 챔버(50)는 기판(W)을 반송할 수 있다. 트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 도 3을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 프로세스 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 프로세스 챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송하는 제 2 이송로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)로 이송하거나, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 프로세스 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(60)간에 기판(W)을 이송한다. 도 3과 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(60)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.
프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)와 인접하게 배치될 수 있다. 프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(60)는 복수개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정 처리를 수행할 수 있다. 프로세스 챔버(60)는 제 2 이송로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정 처리를 하고, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송로봇(53)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(60)에서 진행되는 공정 처리는 서로 상이할 수 있다.
이하, 프로세스 챔버(60) 중 플라즈마 공정을 수행하는 기판 처리 장치(1000)에 대해서 상술한다.
도 3은 도 2의 프로세스 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W) 상의 박막을 식각 또는 애싱할 수 있다. 박막은 폴리 실리콘막, 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 또한, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다.
기판 처리 장치(1000)는 공정 처리부(200), 플라즈마 발생부(400), 그리고 배기 유닛(600)을 포함할 수 있다.
공정 처리부(200)는 기판(W)이 놓이고 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 플라즈마 발생부(400)는 공정 처리부(200)의 외부에서 공정 가스로부터 플라즈마(Plasma)를 생성시키고, 이를 공정 처리부(200)로 공급한다. 배기 유닛(600)은 공정 처리부(200) 내부에 머무르는 가스 및 기판 처리 과정에서 발생한 반응 부산물 등을 외부로 배출하고, 공정 처리부(200) 내의 압력을 설정 압력으로 유지한다.
공정 처리부(200)는 하우징(210), 지지 유닛(230), 그리고 배플(250)을 포함할 수 있다.
하우징(210)의 내부에는 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간(212)을 가질 수 있다. 하우징(210)은 상부가 개방되고, 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판(W)은 개구를 통하여 하우징(210) 내부로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 또한, 하우징(210)의 바닥면에는 배기홀(214) 형성될 수 있다. 배기홀(214)은 하우징(210)의 바닥면 중심에 형성될 수 있다. 처리 공간(212)으로 유입되는 플라즈마(P) 및/또는 가스는 배기홀(214)을 통해 외부로 배기될 수 있다. 또한, 배기홀(214)은 처리 공간(212)을 배기할 수 있다. 배기홀(214)은 처리 공간(212) 내의 플라즈마 및/또는 가스를 외부로 배기할 수 있다. 배기홀(214)은 후술하는 지지 유닛(230)의 지지축(233)이 삽입될 수 있다. 또한, 배기홀(214)은 지지축(233)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 또한, 상부에서 바라볼 때 배기홀(214)의 중심과 지지축(223)의 중심은 서로 일치할 수 있다. 또한, 배기홀(214)은 후술하는 배기 유닛(600)의 버퍼 공간(612)과 서로 연통할 수 있다.
지지 유닛(230)은 처리 공간(212)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(230)은 지지 플레이트(232), 지지축(233), 정전 전극(234), 그리고 온도 조절 부재(235)를 포함할 수 있다. 지지 플레이트(232)는 처리 공간(212)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 플레이트(232)는 원판 형상을 가질 수 있다. 지지 플레이트(232)는 기판(W)이 안착되는 안착면을 가질 수 있다. 예컨대, 지지 플레이트(232)의 상면은 기판(W)이 안착되는 안착면일 수 있다. 또한, 지지 플레이트(232)의 측부는 하우징(210)의 내벽과 서로 이격되도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 지지 플레이트(232)는 처리 공간(212)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 지지 플레이트(232)는 지지축(233)과 연결될 수 있다. 지지축(233)은 지지 플레이트(232)의 하면과 연결될 수 있다. 지지축(233)은 하우징(210)에 형성된 배기홀(214)에 삽입될 수 있다. 지지축(233)은 배기홀(214)보다 작은 직경을 가질 수 있다.
지지 플레이트(232)에는 정전 전극(234)이 제공될 수 있다. 정전 전극(234)은 판 형상을 가질 수 있다. 정전 전극(234)은 제1전원(238)과 연결될 수 있다. 제1전원(238)은 정전 전극(234)으로 전력을 인가할 수 있다. 정전 전극(234)은 정전기력을 발생시켜 기판(W)을 지지 플레이트(232)에 안착시킬 수 있다. 정전 전극(234)과 제1전원(238)을 연결하는 제1인터페이스 라인(236)은 지지축(233) 내에 제공될 수 있다.
또한, 지지 플레이트(232)에는 지지 플레이트(232)의 온도를 조절하는 온도 조절 부재(235)가 제공될 수 있다. 온도 조절 부재(235)는 냉열 또는 온열을 발생시킬 수 있다. 온도 조절 부재(235)는 제2전원(239)과 연결될 수 있다. 제2전원(239)은 온도 조절 부재(235)로 전력을 인가할 수 있다. 온도 조절 부재(235)는 냉열 또는 온열을 발생시켜 지지 플레이트(232)의 온도를 조절하고, 이에 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 온도 조절 부재(235)와 제2전원(239)을 연결하는 제2인터페이스 라인(237)은 지지축(233) 내에 제공될 수 있다.
지지축(233)은 대상물을 이동시킬 수 있다. 예컨대, 지지축(233)은 지지 플레이트(232)와 연결되고, 지지 플레이트(232)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 이에, 지지 플레이트(232)에 안착된 기판(W)은 상하 방향으로 이동될 수 있다. 또한, 벨로우즈(231)는 지지축(233)을 감쌀 수 있다. 벨로우즈(231)는 지지축(233)의 일부를 감쌀 수 있다. 벨로우즈(231)는 신축 가능한 재질로 제공될 수 있다. 벨로우즈(231)는 지지축(233)이 상하 방향으로 이동되더라도, 처리 공간(212) 내 가스가 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 벨로우즈(231)는 후술하는 배기 유닛(600)과 결합될 수 있다.
배플(250)은 지지 유닛(230)과 마주보도록 지지 유닛(230)의 상부에 위치한다. 배플(250)은 지지 유닛(230)과 플라즈마 발생부(400)의 사이에 배치될 수 있다. 플라즈마 발생부(400)에서 발생되는 플라즈마는 배플(250)에 형성된 복수의 홀(252)들을 통과할 수 있다.
배플(250)은 처리 공간(212)으로 유입되는 플라즈마가 기판(W)으로 균일하게 공급되도록 한다. 배플(250)에 형성된 홀(252)들은 배플(250)의 상면에서 하면까지 제공되는 관통홀로 제공되며, 배플(250)의 각 영역에 균일하게 형성될 수 있다.
플라즈마 발생부(400)는 하우징(210)의 상부에 위치되어 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 플라즈마 발생부(400)는 공정 가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 처리 공간(212)으로 공급한다. 플라즈마 발생부(400)는 플라즈마 챔버(410), 가스 공급 유닛(420), 전력 인가 유닛(430), 그리고 확산 챔버(440)를 포함한다.
플라즈마 챔버(410)에는 상면 및 하면이 개방된 플라즈마 발생 공간(412)이 내부에 형성된다. 플라즈마 챔버(410)의 상단은 가스 공급 포트(414)에 의해 밀폐된다. 가스 공급 포트(414)는 가스 공급 유닛(420)과 연결된다. 가스 공급 유닛(420)은 가스 공급 포트(414)로 공정 가스를 전달할 수 있다. 가스 공급 유닛(420)이 공급하는 공정 가스는 플라즈마 발생 공간(412)과 확산 공간(442)을 거쳐 처리 공간(212)으로 전달될 수 있다.
전력 인가 유닛(430)은 플라즈마 발생 공간(412)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 인가 유닛(430)은 안테나(432), 전원(434)을 포함한다.
안테나(432)는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 안테나로, 코일 형상으로 제공된다. 안테나(432)는 플라즈마 챔버(410) 외부에서 플라즈마 챔버(410)에 복수 회 감긴다. 안테나(432)는 플라즈마 발생 공간(412)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(410)에 감긴다. 전원(434)은 안테나(432)에 고주파 전력을 공급한다. 안테나(432)에 공급된 고주파 전력은 플라즈마 발생 공간(412)에 인가된다. 고주파 전류에 의해 플라즈마 발생 공간(412)에는 유도 전기장이 형성되고, 플라즈마 발생 공간(412)내 공정 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환된다.
확산 챔버(440)는 플라즈마 챔버(410)에서 발생된 플라즈마를 확산시킨다. 확산 챔버(440)는 확산 공간(442)을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)는 전체적으로 역 깔대기 형상을 가질 수 있고, 상부와 하부가 개방된 구성을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)에서 발생된 플라즈마는 확산 챔버(440)를 거치면서 확산되고, 배플(250)을 거쳐 처리 공간(212)으로 유입될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 배기 유닛(600)에 대하여 상세히 설명한다. 배기 유닛(600)은 하우징(210)의 하부에 제공될 수 있다. 배기 유닛(600)은 하우징(210)의 하부와 결합될 수 있다. 도 4는 도 3의 배기 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
배기 유닛(600)은 처리 공간(212) 내 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스를 외부로 배기할 수 있다. 배기 유닛(600)은 바디(610), 타공 플레이트(630), 그리고 배기관(650)을 포함할 수 있다.
바디(610)는 내부에 버퍼 공간(612)을 가질 수 있다. 버퍼 공간(612)은 배기홀(214), 그리고 처리 공간(212)과 연통될 수 있다. 처리 공간(212)에 잔류하는 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스는 배기홀(214)과 버퍼 공간(612)을 거쳐 후술하는 배기관(650)을 통해 외부로 배기될 수 있다. 바디(610)는 하우징(210)의 하부에 제공될 수 있다. 바디(610)는 하우징(210)의 하부와 결합될 수 있다. 바디(610)는 상부가 개방된 형상을 가질 수 있다. 바디(610)가 가지는 버퍼 공간(612)은 하우징(210)과 서로 조합되어 형성될 수 있다. 또한, 바디(610)에는 중공(614)이 형성될 수 있다. 중공(614)은 지지축(233)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 중공(614)에는 지지축(233)이 삽입될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 중공(614)의 중심과 지지축(233)의 중심은 서로 일치되도록 제공될 수 있다. 또한, 상술한 벨로우즈(231)는 바디(610) 하면에 결합될 수 있다.
바디(610)는 삽입부와 배출부를 포함할 수 있다. 바디(610)의 삽입부에는 중공이 형성될 수 있다. 바디(610)의 삽입부는 링 또는 도넛 형상을 가질 수 있다. 바디(610)의 배출부는 삽입부로부터 지지축으로부터 멀어지는 방향으로 연장될 수 있다. 바디(610)의 배출부에는 배기관(650)이 연결될 수 있다.
타공 플레이트(630)는 버퍼 공간(612)에 제공될 수 있다. 타공 플레이트(630)에는 복수의 타공(632)이 형성될 수 있다. 타공 플레이트(630)는 상부에서 바라볼 때, 링 형상을 가질 수 있다. 타공 플레이트(630)는 상부에서 바라볼 때 지지축(233)과 중공(614)을 감싸도록 제공될 수 있다. 타공 플레이트(630)는 지지축(233) 및/또는 중공(614)보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 타공 플레이트(630)는 지지축(233)의 둘레를 감싸고 지지축(233)과 이격되도록 제공될 수 있다. 또한, 상부에서 바라볼 때, 타공 플레이트(630), 지지축(233), 그리고 중공(614)의 중심은 서로 일치되도록 제공될 수 있다.
배기관(650)은 바디(610)와 연결될 수 있다. 배기관(650)은 버퍼 공간(612)과 연결될 수 있다. 배기관(650)은 상술한 바디(610)의 배출부에 연결될 수 있다. 배기관(650)은 원통 형상을 가질 수 있다. 배기관(650)은 감압을 제공하는 감압 부재와 연결될 수 있다. 예컨대, 감압 부재는 펌프일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 감압 부재는 감압을 제공할 수 있는 공지의 기재로 다양하게 변형될 수 있다. 감압 부재가 배기관(650) 내로 감압을 제공하면, 처리 공간(212) 내 플라즈마(P) 및/또는 가스는 배기홀(214), 그리고 버퍼 공간(612)을 거쳐 배기관(650)을 통해 외부로 배기될 수 있다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치에서 플라즈마 및/또는 가스가 유동하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 플라즈마 발생 챔버(410)에서는 플라즈마(P)가 발생된다. 구체적으로, 가스 공급 유닛(420)은 플라즈마 발생 챔버(410)의 방전 공간(412)으로 공정 가스를 공급하고, 전력 인가 유닛(430)은 고주파 전자계를 형성한다. 가스 공급 유닛(420)이 공급한 공정 가스는 고주파 전자계에 의해 플라즈마 상태로 여기된다. 플라즈마(P)와 공정 가스는 방전 공간(412)과 확산 공간(442)을 거쳐 처리 공간(212)으로 공급될 수 있다. 처리 공간(212)으로 공급된 플라즈마(P)와 공정 가스는 기판(W)으로 전달될 수 있다.
그리고, 처리 공간(212) 내 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스는 배기홀(214)을 통해 외부로 배기된다. 배기홀(214)로 유입된 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스는 버퍼 유닛(600)을 통해 외부로 배기된다. 배기홀(214)로 유입된 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스는 버퍼 공간(612)과 배기관(650)을 거쳐 외부로 배기될 수 있다. 일반적인 기판 처리 장치에서는 공정 챔버 내를 배기하는 배기 포트가 공정 챔버의 가장자리 영역 하부에 연결된다. 그러나, 이 경우, 공정 챔버 내에서 플라즈마 및/또는 공정 가스의 유동이 가장자리 영역을 향하여 흐르기 때문에 기판(W)에 대한 처리 효율이 떨어진다. 이에, 배기 포트를 공정 챔버의 중앙 영역 하부에 연결하는 방안을 고려할 수 있으나, 이는 지지축과 배치 간섭을 일으키기 때문에 용이하지 않다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 배기 유닛(600)은 하우징(210)의 하부에 배치되며, 버퍼 공간(212)을 형성한다. 그리고, 버퍼 공간(212)에 연결된 배기관(650)을 통해 처리 공간(212)의 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스를 외부로 배기한다. 본 발명의 배기 유닛(600)을 통해, 처리 공간(212) 내 기재들의 배치가 완전한 대칭을 이루게 하여 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스의 유동을 균일하게 할 수 있다. 또한, 지지축(233)과 배기홀(214) 사이의 간극이 상부에서 바라볼 때 지지축(233)의 중심을 따라 동일하게 제공된다. 즉, 처리 공간(212) 내 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스는 처리 공간(212)의 중앙 영역을 통해 배기되기 때문에, 기판(W) 처리 효율이 떨어지는 문제를 최소화 할 수 있다. 또한, 배기관(650)은 버퍼 공간(612)과 연결됨으로써, 배기관(650) 배치의 공간적인 제약을 최소화 할 수 있다. 또한, 타공 플레이트(630)가 버퍼 공간(612)에 제공되고, 상부에서 바라볼 때 타공 플레이트(630)가 지지축(233)을 감싸며, 지지축(233)의 중심과 일치되도록 제공된다. 즉, 타공 플레이트(630)는 배기관(650)이 버퍼 공간(612)의 가장자리에 연결되면서 발생할 수 있는 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스의 유동이 불균일 할 수 있는 문제를 완충할 수 있다.
상술한 예에서는, 바디(610)의 상부가 개방되고, 바디(610)가 하우징(210)과 서로 조합되어 버퍼 공간(612)을 형성하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이 바디(610)의 상면은 블로킹 플레이트(Blocking Plate)로 제공될 수 있다.
상술한 예에서는, 배기 유닛(600)이 하우징(210)의 하부에 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 배기 유닛을 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 배기 유닛은 버퍼 플레이트(690)를 포함할 수 있다. 버퍼 플레이트(690)는 처리 공간(212)에 제공될 수 있다. 버퍼 플레이트(690)에는 개구가 형성될 수 있다. 버퍼 플레이트(690)의 개구에는 지지축(233)이 삽입될 수 있다. 버퍼 플레이트(690)의 개구는 지지축(233)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 또한, 버퍼 플레이트(690)는 하우징(210)의 내벽과 서로 조합되어 버퍼 공간을 형성할 수 있다. 이에, 처리 공간(212)으로 유입된 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스는 개구를 거쳐 버퍼 공간으로 유입될 수 있다. 버퍼 공간으로 유입된 플라즈마(P) 및/또는 가스는 하우징(210)의 가장자리 영역에 연결된 배기관(650)을 통해 외부로 배기될 수 있다. 타공 플레이트(630)의 구성 및/또는 효과는 상술한 내용과 동일 또는 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.
상술한 예에서는 기판 처리 장치(1000)가 ICP(Inductively Coupled Plasma) 타입의 플라즈마 처리 장치인 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상술한 배기 유닛(600)은 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 타입의 플라즈마 처리 장치에도 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다. 예컨대, 도 8을 참조하면, 기판 처리 장치(3000)는 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리할 수 있다. 기판 처리 장치(3000)는 CCP 타입의 플라즈마 처리 장치일 수 있다. 기판 처리 장치(3000)는 하우징(3210), 지지 유닛(3230), 상부 전극(3400), 그리고 배기 유닛(3600)을 포함할 수 있다.
하우징(3210)은 내부에 처리 공간(3212)을 가질 수 있다. 또한, 하우징(3210)에는 배기홀(3214)이 형성될 수 있다. 배기홀(3214)은 하우징(3210)의 바닥면에 형성될 수 있다. 배기홀(3214)은 하우징(3210)의 하면 중앙 영역에 형성될 수 있다.
지지 유닛(3230)은 처리 공간(3212)에서 기판을 지지할 수 있다. 지지 유닛(3230)은 벨로우즈(3231), 지지 플레이트(3232), 지지축(3233), 고주파 전원(3238), 그리고 전원 라인(3236)을 포함할 수 있다. 지지 플레이트(3232)에는 하부 전극이 제공될 수 있다. 지지 플레이트(3232)에 제공되는 하부 전극은 후술하는 상부 전극(3400)과 서로 대향될 수 있다. 하부 전극은 상부 전극(3400)과 서로 대향되며, 그 사이 공간에서 플라즈마(P)를 발생시킬 수 있다. 하부 전극은 고주파 전원(3238)과 연결될 수 있다. 고주파 전원(3238)은 하부 전극으로 고주파 전력을 인가할 수 있다. 또한, 지지축(3233) 내에는 고주파 전원(3238)과 하부 전극을 연결하는 전원 라인(3236)이 제공될 수 있다. 이외 지지 유닛(3230)이 포함하는 벨로우즈(3231), 지지축(3233) 등의 구성은 상술한 지지 유닛(230)의 구성과 동일 또는 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.
상부 전극(3400)은 지지 유닛(3230)보다 상부에 배치될 수 있다. 상부 전극(3400)은 처리 공간(3212)에 제공될 수 있다. 상부 전극(3400)은 상술한 하부 전극과 서로 대향되어 플라즈마(P)를 발생시킬 수 있다. 상부 전극(3400)은 상부 전원(3402)과 연결될 수 있다.
배기 유닛(3600)은 하우징(3210)의 하부에 제공될 수 있다. 배기 유닛(3600)의 구성은 상술한 배기 유닛(600)의 구성과 동일 또는 유사하므로 자세한 설명은 생략한다.
상술한 예에서는 기판에 대하여, 플라즈마 처리 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리 공정 챔버 내 가스를 배기하는 다양한 장치에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
배기 유닛 : 600
바디 : 610
버퍼 공간 : 612
타공 플레이트 : 630
타공 : 632
버퍼 플레이트 : 690

Claims (22)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지고, 배기홀이 형성된 하우징과;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 하우징의 하부에 제공되고, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    중공이 형성되고, 내부에 상기 처리 공간과 연통되는 버퍼 공간을 가지는 바디와;
    상기 버퍼 공간 내 가스를 배출하는 배기관을 포함하고,
    상기 지지 유닛은,
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 플레이트와;
    상기 지지 플레이트와 연결되고, 상기 중공 및 상기 배기홀에 삽입되며 상기 중공보다 작은 직경을 가지는 지지축을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 버퍼 공간에 제공되며, 복수의 타공이 형성된 타공 플레이트를 포함하고,
    상기 타공 플레이트는,
    상기 지지축의 둘레를 감싸고,
    상기 지지축과 이격되어 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 배기관은,
    상부에서 바라볼 때 상기 버퍼 공간의 가장자리에 연결되는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 바디는,
    링 형상을 가지고, 상기 중공이 형성되는 삽입부와;
    상기 삽입부로부터 상기 지지축으로부터 멀어지는 방향으로 연장되는 배출부를 포함하고,
    상기 배기관은 상기 배출부에 연결되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 바디의 상면은 블로킹 플레이트(Blocking Plate)로 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 바디는,
    상기 하우징과 조합되어 상기 버퍼 공간을 형성하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 지지축과 상기 중공의 중심은 서로 일치되도록 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 지지축은,
    상하 방향으로 이동 가능하게 제공되고,
    상기 장치는,
    상기 지지축을 감싸며, 상기 바디와 결합되는 벨로우즈를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 지지 유닛의 상부에 위치되며, 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 지지 유닛의 상부에 위치되며, 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 전력 인가 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 지지 플레이트는,
    원판 형상을 가지고,
    그 측부가 상기 하우징의 내벽와 서로 이격되도록 제공되는 기판 처리 장치.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 배기홀은,
    상기 하우징의 바닥면 중심에 형성되는 기판 처리 장치.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 지지 플레이트는,
    전원과 연결되어 정전기력을 발생시키고,
    상기 전원과 상기 지지 플레이트를 연결하는 인터페이스 라인은 상기 지지축 내에 제공되는 기판 처리 장치.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 지지 플레이트에는,
    상기 지지 플레이트의 온도를 조절하는 온도 조절 부재가 제공되고,
    상기 온도 조절 부재와 전원을 연결하는 인터페이스 라인은 상기 지지축 내에 제공되는 기판 처리 장치.
  15. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 지지 플레이트에는,
    하부 전극이 제공되고,
    상기 하부 전극은 상기 하부 전극으로 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과 연결되고,
    상기 지지축 내에는 상기 하부 전극과 상기 고주파 전원을 연결하는 전원 라인이 제공되는 기판 처리 장치.
  16. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판이 수납된 캐리어가 안착되는 로드 포트를 가지는 설비 전방 단부 모듈과;
    상기 설비 전방 단부 모듈로부터 기판을 반송 받아 기판을 처리하는 처리 모듈을 포함하고,
    상기 처리 모듈은,
    기판을 반송하는 트랜스퍼 챔버와;
    상기 트랜스퍼 챔버와 인접하게 배치되고, 기판을 처리하는 프로세스 챔버를 포함하고,
    상기 프로세스 챔버는,
    내부에 처리 공간을 가지고, 배기홀이 형성된 하우징과;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛의 상부에 위치되며, 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 지지 유닛의 상부에 위치되며, 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛과;
    상기 하우징의 하부에 제공되고, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    중공이 형성되고, 내부에 상기 처리 공간과 연통되는 버퍼 공간을 가지는 바디와;
    상기 버퍼 공간 내 가스를 배출하는 배기관을 포함하고,
    상기 지지 유닛은,
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 플레이트와;
    상기 지지 플레이트와 연결되고, 상기 중공 및 상기 배기홀에 삽입되며 상기 중공보다 작은 직경을 가지는 지지축을 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 버퍼 공간에 제공되며, 복수의 타공이 형성된 타공 플레이트를 포함하고,
    상기 타공 플레이트는,
    상기 지지축의 둘레를 감싸고,
    상기 지지축과 이격되어 제공되는 기판 처리 장치.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 바디는,
    링 형상을 가지고, 상기 중공이 형성되는 삽입부와;
    상기 삽입부로부터 상기 지지축으로부터 멀어지는 방향으로 연장되는 배출부를 포함하고,
    상기 배기관은 상기 배출부에 연결되는 기판 처리 장치.
  19. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지고, 배기홀이 형성된 하우징과;
    상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    중공을 가지고, 내부에 버퍼 공간을 가지는 바디와;
    상기 버퍼 공간과 연결되는 배기관을 포함하고,
    상기 처리 공간 내 가스는 상기 배기홀과 상기 버퍼 공간을 거쳐 상기 배기관을 통해 외부로 배기되는 기판 처리 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 하우징의 하부에 제공되는 기판 처리 장치.
  21. 제19항 또는 제20항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하고,
    상기 지지 유닛은,
    상기 중공 및 상기 배기홀에 삽입되며 상기 중공보다 작은 직경을 가지는 지지축을 포함하는 기판 처리 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 버퍼 공간에 제공되며, 복수의 타공이 형성된 타공 플레이트를 포함하고,
    상기 타공 플레이트는,
    상기 지지축의 둘레를 감싸고,
    상기 지지축과 이격되어 제공되는 기판 처리 장치.
KR1020190140340A 2019-11-05 2019-11-05 기판 처리 장치 Active KR102404571B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190140340A KR102404571B1 (ko) 2019-11-05 2019-11-05 기판 처리 장치
TW108143185A TWI729592B (zh) 2019-11-05 2019-11-27 基板處理設備
JP2019218542A JP6954565B2 (ja) 2019-11-05 2019-12-03 基板処理装置
US16/701,197 US20210134567A1 (en) 2019-11-05 2019-12-03 Substrate treating apparatus
CN201911345202.9A CN112768334B (zh) 2019-11-05 2019-12-24 基板处理设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190140340A KR102404571B1 (ko) 2019-11-05 2019-11-05 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210054325A true KR20210054325A (ko) 2021-05-13
KR102404571B1 KR102404571B1 (ko) 2022-06-07

Family

ID=75687726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190140340A Active KR102404571B1 (ko) 2019-11-05 2019-11-05 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210134567A1 (ko)
JP (1) JP6954565B2 (ko)
KR (1) KR102404571B1 (ko)
CN (1) CN112768334B (ko)
TW (1) TWI729592B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102187121B1 (ko) * 2019-04-30 2020-12-07 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치
KR102583557B1 (ko) * 2021-05-26 2023-10-10 세메스 주식회사 기판 처리 설비의 배기 장치 및 배기 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040033831A (ko) * 2002-10-16 2004-04-28 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 장치
KR20060127599A (ko) * 2005-06-08 2006-12-13 삼성전자주식회사 기판처리장치
KR20170123740A (ko) * 2016-04-29 2017-11-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3208008B2 (ja) * 1994-05-24 2001-09-10 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH09168732A (ja) * 1996-12-02 1997-06-30 Hitachi Ltd 真空処理装置
US7011039B1 (en) * 2000-07-07 2006-03-14 Applied Materials, Inc. Multi-purpose processing chamber with removable chamber liner
JP4009100B2 (ja) * 2000-12-28 2007-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法
US6805779B2 (en) * 2003-03-21 2004-10-19 Zond, Inc. Plasma generation using multi-step ionization
JP2006303309A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
KR100830850B1 (ko) * 2006-11-22 2008-05-20 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치
US7572647B2 (en) * 2007-02-02 2009-08-11 Applied Materials, Inc. Internal balanced coil for inductively coupled high density plasma processing chamber
JP2008205327A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR100927375B1 (ko) * 2007-09-04 2009-11-19 주식회사 유진테크 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치
JP4992630B2 (ja) * 2007-09-19 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
KR101312592B1 (ko) * 2012-04-10 2013-09-30 주식회사 유진테크 히터 승강형 기판 처리 장치
KR101518398B1 (ko) * 2013-12-06 2015-05-08 참엔지니어링(주) 기판 처리 장치
JP6581602B2 (ja) * 2014-02-06 2019-09-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 改善されたフローコンダクタンス及び均一性のため軸対称性を可能にするインラインｄｐｓチャンバハードウェア設計
KR102057447B1 (ko) * 2015-10-02 2019-12-19 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치
KR101993712B1 (ko) * 2017-08-09 2019-06-28 피에스케이홀딩스 (주) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 플라즈마 발생 유닛

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040033831A (ko) * 2002-10-16 2004-04-28 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 장치
KR20060127599A (ko) * 2005-06-08 2006-12-13 삼성전자주식회사 기판처리장치
KR20170123740A (ko) * 2016-04-29 2017-11-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP6954565B2 (ja) 2021-10-27
KR102404571B1 (ko) 2022-06-07
CN112768334A (zh) 2021-05-07
JP2021077837A (ja) 2021-05-20
TW202119523A (zh) 2021-05-16
US20210134567A1 (en) 2021-05-06
TWI729592B (zh) 2021-06-01
CN112768334B (zh) 2024-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102380271B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7320874B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7190540B2 (ja) バッフルユニット、これを含む基板処理装置
JP6401839B1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニット
TWI814533B (zh) 基板處理設備
KR102187121B1 (ko) 기판 처리 장치
US20210305015A1 (en) Substrate processing apparatus
KR102334531B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102404571B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102155863B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7343226B2 (ja) プラズマ発生ユニット及びこれを含む基板処理装置
KR20210046150A (ko) 기판 처리 시스템 및 방법
KR102225604B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102212998B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102275509B1 (ko) 지지 유닛 및 기판 처리 장치
KR102665361B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20220083923A (ko) 기판 처리 장치
KR20210039161A (ko) 기판 처리 장치
KR102247468B1 (ko) 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 지지 유닛 제조 방법
KR101603972B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20230060330A (ko) 기판 처리 장치
TW202341229A (zh) 基板處理設備

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20191105

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20210708

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20220316

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20220527

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20220530

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration