KR20200052910A

KR20200052910A - 무선 통신 디바이스, 기저귀 및 수분 검지 시스템

Info

Publication number: KR20200052910A
Application number: KR1020207009870A
Authority: KR
Inventors: 쇼타 가와이; 요시히로 가리야; 준지 와키타; 세이이치로 무라세
Original assignee: 도레이 카부시키가이샤
Priority date: 2017-09-11
Filing date: 2018-08-29
Publication date: 2020-05-15
Anticipated expiration: 2038-08-29
Also published as: US20200261278A1; JP7205229B2; CN111094957B; TWI805609B; TW201930869A; JPWO2019049758A1; US11399988B2; EP3683573A4; WO2019049758A1; CN111094957A; KR102611138B1; EP3683573B1; EP3683573A1

Abstract

무선 통신 디바이스는, 회로부와, 상기 회로부에 접속되어 있고, 비접촉으로 송수신 장치와 신호의 송수신을 행하는 안테나를 구비하고, 상기 회로부의 적어도 일부와 수분의 접촉의 유무에 따라 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신한다.

Description

무선 통신 디바이스, 기저귀 및 수분 검지 시스템

본 발명은, 무선 통신 디바이스, 해당 무선 통신 디바이스를 사용한 기저귀 및 수분 검지 시스템에 관한 것이다.

종래, 수분의 존재를 검지하는 기술로서, RFID(Radio Frequency Identification(무선 주파수 식별))를 사용한 시스템이 알려져 있다. 특히, 의료 용도로서, 피개호자의 배뇨 등에 기인해서 발생하는 수분을 검지하기 위해서, 기저귀에 IC 태그 등의 무선 통신 디바이스를 매립하는 기술이 알려져 있다.

예를 들어, 비특허문헌 1에서는, 리더가 주파수 950㎒(UHF대)인 전파 신호를 IC 태그로 송신하고, 그 반사 신호를 사용해서 수분을 검지하는 기술이 개시되어 있다. 이 기술에서는, 안테나가 젖어서 반사 계수가 변화하는 것을 이용해서 수분의 발생을 검지하고 있다.

또한, 특허문헌 1에서는, 습윤 검지 단자를 구비한 IC 태그를 기저귀에 마련함으로써, 습윤 검지 단자의 전압값의 변동에 따라서 수분의 유무를 검지하는 기술이 개시되어 있다. 이 기술에서는, 습윤 검지 단자가 습윤을 검지한 경우, IC 태그가 마른 상태와는 다른 신호를 발신하거나, 또는 신호를 발신하지 않기 때문에, IC 태그와 통신하는 리더는, 수신하는 신호의 종류 또는 신호의 유무에 따라 IC 태그의 습윤 상태를 검출한다.

일본특허공개 제2006-349418호 공보

나카지마 히로마사, 외3명, 「RFID 기술을 사용한 배뇨 검지 시스템의 개발」, 전자 정보 통신 학회 논문지 B Vol.J96-B No.12 pp.1378-1385, 2013년 12월 1일

그러나, 비특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 수분의 발생에 수반하여 전파가 흡수됨과 함께 안테나의 임피던스가 크게 변화하여, IC 태그의 수신 감도가 현저하게 저하되어 리더와의 통신을 할 수 없게 되기 때문에, 리더측에서는 IC 태그 내의 IC 칩이 깨진 경우의 판별을 할 수 없다.

또한, 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 습윤 검지 단자의 검지 결과에 따라서 IC 칩의 상태 또는 기능을 변화시키기 위한 복잡한 구성이 필요하다.

본 발명은, 상기를 감안하여 이루어진 것으로, 간이한 구성에 의해 수분의 발생을 적확하게 검지할 수 있는 무선 통신 디바이스, 기저귀 및 수분 검지 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 회로부와, 상기 회로부에 접속되어 있고, 비접촉으로 송수신 장치와 신호의 송수신을 행하는 안테나를 구비한 무선 통신 디바이스로서, 상기 회로부의 적어도 일부와 수분의 접촉의 유무에 따라 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 회로부가 카본 나노 튜브, 그래핀, 풀러렌 및 유기 반도체로 이루어지는 군의 하나 이상의 재료를 사용해서 구성된 소자이며 수분과의 접촉에 의해 특성이 변화하는 소자를 갖는다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 소자의 특성이 변화한 경우, 상기 송수신 장치로부터 수신한 신호에 대하여 회신하는 신호의 적어도 하나의 파라미터가 변화한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 소자는 다이오드를 포함하고, 상기 회로부는, 상기 다이오드가 수분과 접촉한 경우에, 상기 다이오드가 수분과 접촉하지 않은 경우와는 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 다이오드는 가변 용량 다이오드이며, 상기 회로부는, 상기 가변 용량 다이오드가 수분과 접촉한 경우에, 상기 가변 용량 다이오드가 수분과 접촉하지 않은 경우와는 강도가 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 회로부는 발진 회로를 더 갖고, 상기 회로부는, 상기 다이오드가 수분과 접촉한 경우에, 상기 다이오드가 수분과 접촉하지 않은 경우와는 주파수가 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 발진 회로가 링 오실레이터를 포함한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 소자는 링 오실레이터이며, 상기 회로부는, 상기 링 오실레이터가 수분과 접촉한 경우에, 상기 링 오실레이터가 수분과 접촉하지 않은 경우와는 주파수가 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 소자는 메모리 소자이며, 상기 회로부는, 상기 메모리 소자가 수분과 접촉한 경우에, 상기 메모리 소자가 수분과 접촉하지 않은 경우와는 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 소자는 카본 나노 튜브를 사용해서 구성된다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 소자의 반도체층이 카본 나노 튜브를 사용해서 구성된다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 회로부가 갖는 배선의 적어도 일부와 수분의 접촉의 유무에 따라 다른 정보를 포함하는 신호를 상기 송수신 장치로 송신한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 회로부가 디지털 회로를 갖고, 상기 디지털 회로의 배선의 적어도 일부가 수분과 접촉한 경우에, 상기 디지털 회로의 특성이 변화하고, 상기 배선의 적어도 일부가 수분과 접촉하지 않은 경우와는 다른 정보를 포함하는 신호를 상기 송수신 장치로 송신한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 배선의 적어도 일부가 수분과 접촉한 경우에, 상기 배선의 전기 저항이 변화한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 배선의 적어도 일부가 도전성 입자 및 수용성 수지를 포함한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 배선의 적어도 일부가 수용성 도전성 고분자를 포함한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 배선의 적어도 일부가 도전성 입자 및 흡수성 수지를 포함한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 배선의 적어도 일부가 수용성 수지를 포함하는 층 상에 배치되어 있고, 상기 층이 수분과 접촉한 경우에, 상기 배선의 전기 저항이 변화한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 배선의 적어도 일부가 흡수성 수지를 포함하는 층 상에 배치되어 있고, 상기 층이 수분과 접촉한 경우에, 상기 배선의 전기 저항이 변화한다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 회로부는, 상기 배선과 접속함과 함께 소정의 정보를 기록하는 메모리 소자와, 상기 메모리 소자로부터 정보를 판독해서 상기 송수신 장치로 송신하는 제어 회로를 갖고, 상기 제어 회로가 상기 메모리 소자로부터 판독하는 정보는 상기 배선과 수분의 접촉의 유무에 따라 다르다.

본 발명에 관한 무선 통신 디바이스는, 상기 발명에 있어서, 상기 회로부는, 어레이 형상으로 배열되어 있는 복수의 메모리 소자와, 상기 복수의 메모리 소자로부터 정보를 판독해서 상기 송수신 장치로 송신하는 제어 회로를 갖고, 상기 제어 회로가 상기 복수의 메모리 소자로부터 판독하는 정보는 상기 배선과 수분의 접촉의 유무에 따라 다르다.

본 발명에 관한 기저귀는, 수분을 흡수해서 유지하는 흡수재와, 방수 기능을 갖고, 상기 흡수재를 외장하는 방수재를 구비하고, 인체에 장착되어 해당 인체에 의해 배출된 수분을 흡수 가능한 기저귀로서, 상기 발명에 기재한 무선 통신 디바이스를 구비했다.

본 발명에 관한 기저귀는, 상기 발명에 있어서, 상기 무선 통신 디바이스가 상기 흡수재와 상기 방수재 사이에 위치한다.

본 발명에 관한 수분 검지 시스템은, 상기 발명에 기재된 무선 통신 디바이스와, 상기 무선 통신 디바이스와 비접촉으로 통신 가능하고, 상기 무선 통신 디바이스로 송신한 신호에 대하여 회신되는 신호에 기초하여 상기 무선 통신 디바이스의 수분과의 접촉의 유무를 검지하는 송수신 장치를 구비했다.

본 발명에 관한 수분 검지 시스템은, 상기 발명에 있어서, 상기 송수신 장치는 UHF대 또는 마이크로파대의 주파수를 갖는 신호를 송신한다.

본 발명에 관한 수분 검지 시스템은, 상기 발명에 있어서, 상기 무선 통신 디바이스는, 수분을 흡수해서 유지하는 흡수재와, 방수 기능을 갖고, 상기 흡수재를 외장하는 방수재를 구비하고, 인체에 장착되어 해당 인체에 의해 배출된 수분을 흡수 가능한 기저귀에 마련되어 있다.

본 발명에 따르면, 간이한 구성에 의해 수분의 발생을 적확하게 검지할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 관한 수분 검지 시스템의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태 1에 관한 무선 통신 디바이스의 회로 구성을 도시하는 도면이다.
도 3은 기저귀의 주요부 구성을 도시하는 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태 2에 관한 무선 통신 디바이스의 구성을 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태 3에 관한 무선 통신 디바이스의 구성을 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태 3의 변형예 1에 관한 무선 통신 디바이스의 구성을 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태 3의 변형예 2에 관한 무선 통신 디바이스의 구성을 도시하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태 4에 관한 무선 통신 디바이스의 구성을 도시하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태 4에 관한 무선 통신 디바이스가 구비하는 메모리의 주요부 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 10은 메모리 소자의 적층 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 형태 4의 변형예에 관한 무선 통신 디바이스가 구비하는 메모리의 주요부 구성을 도시하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시 형태 5에 관한 무선 통신 디바이스가 구비하는 메모리의 주요부 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 형태(이하, 「실시 형태」라고 한다)를 설명한다.

(실시 형태 1)

도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 관한 수분 검지 시스템의 구성을 도시하는 도면이다. 동일 도면에 도시하는 수분 검지 시스템(1)은, 소정의 주파수 대역의 신호를 무선으로 송수신하는 송수신 장치(2)와, 송수신 장치(2)와 비접촉의 통신(무선 통신)이 가능한 무선 통신 디바이스(3)가 마련되어 있고, 인체에 장착되어 배뇨 시의 수분을 흡수 가능한 기저귀(4)를 구비한다. 수분 검지 시스템(1)은, 기저귀(4)를 찬 사람의 배뇨 등에 기인하는 수분의 발생을 검지하는 시스템으로서, 기저귀(4)를 사용한 습윤 검지 시스템이라고도 할 수 있다.

송수신 장치(2)는, 소정의 주파수 대역의 신호를 송수신하는 안테나, 동작을 제어하는 CPU(Central Processing Unit) 및 각종 정보를 기억하는 메모리를 갖는다. 송수신 장치(2)는, 무선 통신 디바이스(3)에 대하여 소정의 주파수 대역의 신호(반송파)를 송신하고, 그 신호에 대한 회신 신호를 수신한다. 이 회신 신호에는, 무선 통신 디바이스(3)에 고유 정보가 포함된다. 송수신 장치(2)는, 무선 통신 디바이스(3)로부터 수신하는 신호에 기초하여 무선 통신 디바이스(3)를 식별함과 함께, 그 무선 통신 디바이스(3)가 수분과 접촉한 상태에 있는지 여부를 검지한다. 송수신 장치(2)가 송신하는 신호는, 예를 들어 UHF대(860 내지 960㎒) 또는 마이크로파대(2.45㎓)의 주파수를 갖는 전파이다. 이러한 송수신 장치(2)는, 예를 들어 리더라이터와 같은 전용 단말기로서 구성해도 되고, 스마트폰 등의 휴대 단말기를 사용해서 구성해도 된다.

도 2는 무선 통신 디바이스(3)의 회로 구성을 도시하는 도면이다. 무선 통신 디바이스(3)는, 회로부(31)와, 회로부(31)에 접속되는 안테나(32)를 구비한다. 무선 통신 디바이스(3)는, 송수신 장치(2)에 의해 송신된 신호(반송파)를 수신하고, 이 신호를 에너지원으로 하여, 무선 통신 디바이스(3)에 고유 정보를 첨가한 신호(반사파)를 회신한다.

회로부(31)는, 다이오드(33)를 갖는다. 다이오드(33)는 카본 나노 튜브, 그래핀, 풀러렌 및 유기 반도체로 이루어지는 군의 하나 이상의 재료를 사용해서 구성된 소자이다.

다이오드(33)를 구성하는 유기 반도체로서는, 예를 들어 폴리티오펜류, 폴리피롤류, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 등의 폴리(p-페닐렌비닐렌)류, 폴리아닐린류, 폴리아세틸렌류, 폴리디아세틸렌류, 폴리카르바졸류, 폴리푸란류, 폴리헤테로아릴류, 축합 다환계의 저분자 화합물 반도체, 복소 방향환을 갖는 저분자 화합물 반도체를 들 수 있다. 폴리티오펜류로서는, 폴리-3-헥실티오펜, 폴리벤조티오펜 등을 들 수 있다. 폴리푸란류로서는, 폴리푸란, 폴리벤조푸란 등을 들 수 있다. 폴리헤테로아릴류로서는, 피리딘, 퀴놀린, 페난트롤린, 옥사졸, 옥사디아졸 등의 질소 함유 방향환을 구성 단위로 하는 것을 들 수 있다. 축합 다환계의 저분자 화합물 반도체로서는, 안트라센, 피렌, 나프타센, 펜타센, 헥사센, 루브렌 등을 들 수 있다. 복소 방향환을 갖는 저분자 화합물 반도체로서는, 푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 디벤조푸란, 피리딘, 퀴놀린, 페난트롤린, 옥사졸, 옥사디아졸 등을 들 수 있다. 이들 재료는, 도포법에 의해 필름 상으로의 형성이 가능하기 때문에, 통상 사용되는 실리콘 등의 재료와 비교해서 제조가 용이함과 함께, 비용을 낮게 억제할 수 있어 경제적이다.

또한, 200℃ 이하의 저온에서 형성할 수 있는 것 및 반도체 특성이 높은 것 등의 관점에서, 다이오드(33)는, 카본 나노 튜브를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 카본 나노 튜브 중에서도, 그 표면의 적어도 일부에 공액계 중합체가 부착된 카본 나노 튜브 복합체가 특히 바람직하다. 왜냐하면, 카본 나노 튜브가 보유하는 높은 전기 특성을 손상시키지 않고, 카본 나노 튜브를, 용액 중에서 균일하게 분산되는 것이 가능해지기 때문이다. 카본 나노 튜브가 균일하게 분산된 용액을 사용함으로써, 잉크젯법 등의 도포법에 의해, 카본 나노 튜브가 균일하게 분산된 막을 형성할 수 있다.

다이오드(33)는, 예를 들어 절연성 기재의 표면 상에 마련된 한 쌍의 전극과, 한 쌍의 전극 사이에 형성된 반도체층을 갖는다. 반도체층은, 예를 들어 카본 나노 튜브를 함유한다. 또한, 다이오드(33)의 구성은 이것에 한정되는 것이 아니고, 그 밖의 구성은, 예를 들어 국제공개 제2016/158862호에 개시되어 있다.

안테나(32)는, 회로부(31)에 접속되어 있고, 송수신 장치(2)와의 사이에서 신호의 송수신을 행한다. 안테나(32)는, 다이폴 안테나이며, 다이오드(33)와의 임피던스 정합이 취해져 있다. 또한, 안테나(32)는 루프 안테나 등이어도 된다.

도 3은 기저귀(4)의 주요부의 구성을 모식적으로 도시하는 부분 단면도이다. 기저귀(4)는, 부직포 등을 사용해서 구성되고, 사람의 피부가 직접 접촉하는 표면재(41)와, 고흡수성 고분자 등을 사용해서 구성되며, 표면재(41)를 통과한 수분을 흡수해서 유지하는 흡수재(42)와, 방수성을 갖는 시트상의 재료를 포함하고, 흡수재(42)의 표면 중 기저귀(4)의 외표면측의 외장체를 이루는 방수재(43)를 갖는다. 흡수재(42)와 방수재(43) 사이에는, 무선 통신 디바이스(3)가 마련되어 있다. 무선 통신 디바이스(3)의 설치 위치는, 배뇨에 의해 흡수재(42)가 수분을 흡수하기 쉬운 위치, 바꾸어 말하면, 사람이 기저귀(4)를 장착하여 배뇨했을 때 오줌이 닿을 가능성이 높은 영역 내의 위치인 것이 바람직하다.

이상의 구성을 갖는 기저귀(4)를 장착한 사람이 배뇨 등에 의해 수분을 체외로 방출하면, 흡수재(42)가 그 수분을 흡수한다. 흡수재(42)에 의해 흡수된 수분이 다이오드(33)에 도달하면, 다이오드(33)가 수분과 접촉해서 젖은 상태가 됨으로써, 그 정류 특성이 변화한다. 다이오드(33)의 정류 특성이 변화하면, 다이오드(33)가 마른 상태에 있는 경우와 비교하여, 무선 통신 디바이스(3)가 송수신 장치(2)로 회신하는 신호의 파라미터의 하나인 신호의 강도가 변화한다. 송수신 장치(2)는, 무선 통신 디바이스(3)로부터 수신한 신호의 강도에 기초하여, 다이오드(33)가 수분과 접촉하고 있는지 여부, 즉 기저귀(4)가 젖은 상태에 있는지 여부를 검지한다.

이상 설명한 본 발명의 실시 형태 1에 의하면, 카본 나노 튜브, 그래핀, 풀러렌 및 유기 반도체로 이루어지는 군의 하나 이상의 재료를 사용해서 구성되는 다이오드(33)를 사용해서 회로부(31)를 구성하고, 다이오드(33)가 수분에 접촉하면, 그 반도체 특성 또는 절연층의 정전 용량이 변화함으로써 수분에 접촉하지 않은 경우와 강도가 다른 신호를 출력하기 때문에, 간이한 구성에 의해 수분의 발생을 적확하게 검지할 수 있다.

또한, 본 실시 형태 1에 의하면, 회로부(31)에 필름 형성이 가능한 재료를 적용하고 있기 때문에, 통상 반도체가 재료로서 사용할 수 있는 실리콘 등의 재료와 비교해서 제조가 용이함과 함께, 비용을 낮게 억제할 수 있어 경제적이다. 이러한 의미에서, 본 실시 형태 1의 무선 통신 디바이스(3)는 기저귀(4)와 같은 양산품에 적합하다.

(실시 형태 2)

도 4는 본 발명의 실시 형태 2에 관한 수분 검지 시스템이 구비하는 무선 통신 디바이스의 구성을 도시하는 도면이다. 동일 도면에 도시하는 무선 통신 디바이스(3A)는, 실시 형태 1과 마찬가지로 기저귀(4)에 마련되어 있고, 회로부(31A)와, 안테나(32)를 구비한다. 회로부(31A)는 인가 전압에 따라서 정전 용량이 변화하는 가변 용량 다이오드(34)를 갖는다. 회로부(31A)를 제외한 수분 검지 시스템의 구성은, 실시 형태 1과 마찬가지이다.

가변 용량 다이오드(34)는, 카본 나노 튜브, 그래핀, 풀러렌 및 유기 반도체로 이루어지는 군의 하나 이상의 재료를 사용해서 구성된 소자이다. 상술한 재료를 사용해서 구성되는 가변 용량 다이오드(34)는, 수분과의 접촉에 의해 그 특성이 변화한다. 여기에서 말하는 가변 용량 다이오드(34)의 특성이란, 반도체 특성 또는 절연층의 정전 용량이다. 가변 용량 다이오드(34)의 특성이 변화한 결과, 송수신 장치(2)로 회신하는 신호의 파라미터의 하나인 강도가, 마른 상태에서 회신하는 신호의 강도와 다르다.

이상 설명한 본 발명의 실시 형태 2에 의하면, 실시 형태 1과 마찬가지로, 간이한 구성에 의해 수분의 발생을 적확하게 검지할 수 있다. 또한, 본 실시 형태 2에 의하면, 실시 형태 1과 마찬가지로, 제조도 용이하고 경제적이다.

(실시 형태 3)

도 5는 본 발명의 실시 형태 3에 관한 수분 검지 시스템이 구비하는 무선 통신 디바이스의 구성을 도시하는 도면이다. 동일 도면에 도시하는 무선 통신 디바이스(3B)는, 실시 형태 1과 마찬가지로 기저귀(4)에 마련되어 있고, 회로부(31B)와, 안테나(32)를 구비한다. 회로부(31B)는, 다이오드(33)와, 전압 제어 발진기(VCO: Voltage Controlled Oscillator)(35)를 갖는다. 회로부(31B)를 제외한 수분 검지 시스템의 구성은, 실시 형태 1과 마찬가지이다.

전압 제어 발진기(35)는, 전압에 의해 발진 주파수를 제어하는 발진기이다. 전압 제어 발진기(35)는, 예를 들어 코일이나 캐패시터를 사용해서 구성되는 발진 회로이다. 또한, 회로부(31B)는, 추가로 트랜지스터 등의 스위칭 소자를 가져도 된다. 이 경우, 스위칭 소자는, 전압 제어 발진기(35)에 의해 제어되는 발진 주파수의 신호에 따라서 온, 오프된다. 이 스위칭 소자의 온, 오프에 따라, 무선 통신 디바이스(3B)로부터 송수신 장치(2)로 신호를 회신할지 여부가 결정된다. 또한, 전압 제어 발진기(35)는 링 오실레이터를 사용해서 구성되어도 된다. 링 오실레이터를 사용함으로써, 코일이나 캐패시터를 사용해서 구성하는 것 보다 심플한 발진 회로를 구성할 수 있다. 또한, 링 오실레이터는, 실리콘 등의 재료를 사용해서 구성되어 있고, 수분의 접촉에 기인한 특성의 변화는 발생하지 않는다.

이상의 구성을 갖는 무선 통신 디바이스(3B)에 있어서, 다이오드(33)가 수분과 접촉해서 젖은 상태가 되어 그 정류 특성이 변화하면, 전압 제어 발진기(35)의 발진 특성이 변화한다. 이 결과, 회로부(31B)를 통과하는 신호의 파라미터의 하나인 주파수가 변화한다. 따라서, 다이오드(33)가 젖은 상태에 있는 무선 통신 디바이스(3B)가 송수신 장치(2)에 대하여 회신하는 신호의 주파수는, 다이오드(33)가 수분과 접촉하지 않고 마른 상태에 있는 무선 통신 디바이스(3B)가 회신하는 신호의 주파수와 다르다. 송수신 장치(2)는, 무선 통신 디바이스(3B)로부터 수신한 신호의 주파수에 기초하여 수분의 유무를 검지한다.

이상 설명한 본 발명의 실시 형태 3에 의하면, 실시 형태 1과 마찬가지로, 간이한 구성에 의해 수분의 발생을 적확하게 검지할 수 있다. 또한, 본 실시 형태 3에 의하면, 실시 형태 1과 마찬가지로, 제조도 용이하고 경제적이다.

또한, 본 실시 형태 3에 의하면, 송수신 장치(2)가 수신하는 신호의 주파수 변화에 기초하여 수분을 검지하기 때문에, 거리의 변화에 민감한 파라미터인 강도의 변화를 검출하는 실시 형태 1과 비교하여, 적절한 통신을 행하기 위한 송수신 장치(2)와 무선 통신 디바이스(3B)의 위치 관계의 자유도가 높다.

(실시 형태 3의 변형예 1)

도 6은 본 발명의 실시 형태 3의 변형예 1에 관한 무선 통신 디바이스의 구성을 도시하는 도면이다. 동일 도면에 도시하는 무선 통신 디바이스(3C)는, 회로부(31C)와, 안테나(32)를 구비한다. 회로부(31C)는, 다이오드(33)와, 캐소드측이 다이오드(33)에 병렬 접속되는 반면, 애노드측이 그라운드에 접속된 가변 용량 다이오드(36)를 갖는다.

가변 용량 다이오드(36)는, 전압 제어 발진기의 기능을 갖는다. 가변 용량 다이오드(36)는, 카본 나노 튜브, 그래핀, 풀러렌 및 유기 반도체로 이루어지는 군의 하나 이상의 재료를 사용해서 구성된 소자이며, 수분의 접촉에 의해 반도체 특성 또는 절연층의 정전 용량이 변화한다.

이와 같은 구성을 갖는 무선 통신 디바이스(3C)에 있어서, 다이오드(33)가 젖은 상태에 있는 경우에 송수신 장치(2)에 대하여 회신하는 신호의 주파수는, 다이오드(33)가 마른 상태에 있는 경우에 송수신 장치(2)에 대하여 회신하는 신호의 주파수와 다르다. 또한, 가변 용량 다이오드(36)가 젖은 상태에 있는 경우에 송수신 장치(2)에 대하여 회신하는 신호의 강도는, 가변 용량 다이오드(36)가 마른 상태에 있는 경우에 송수신 장치(2)에 대하여 회신하는 신호의 강도와 다르다. 송수신 장치(2)는, 무선 통신 디바이스(3C)로부터 수신한 신호의 주파수 및/또는 강도에 기초하여 수분의 유무를 검지한다.

이상 설명한 실시 형태 3의 변형예 1에 의하면, 실시 형태 3과 마찬가지 효과를 얻을 수 있다.

(실시 형태 3의 변형예 2)

도 7은 본 발명의 실시 형태 3의 변형예 2에 관한 무선 통신 디바이스의 구성을 도시하는 도면이다. 동일 도면에 도시하는 무선 통신 디바이스(3D)는, 회로부(31D)와, 안테나(32)를 구비한다. 회로부(31D)는, 다이오드(37)와, 다이오드(37)에 직렬 접속된 링 오실레이터(RO)(38)를 갖는다. 본 변형예 2에 있어서, 다이오드(37)는, 실리콘 등의 재료를 사용해서 구성되어 있고, 수분의 접촉에 기인한 특성의 변화는 발생하지 않는다.

링 오실레이터(38)는, 전압 제어 발진기의 기능을 갖는다. 링 오실레이터(38)는, 카본 나노 튜브, 그래핀, 풀러렌 및 유기 반도체로 이루어지는 군의 하나 이상의 재료를 사용해서 구성된 트랜지스터를 갖는다. 이러한 트랜지스터를 사용해서 구성되는 링 오실레이터(38)는, 수분의 접촉에 의해 발진 특성이 변화한다. 링 오실레이터(38)의 발진 특성이 변화하면, 회로부(31D)를 통과하는 신호의 주파수가 변화한다. 또한, 회로부(31D)는, 추가로 트랜지스터 등의 스위칭 소자를 가져도 된다. 스위칭 소자는, 링 오실레이터(38)에 의해 제어되는 발진 주파수의 신호에 따라서 온, 오프된다. 이 스위칭 소자의 온, 오프에 따라, 무선 통신 디바이스(3D)로부터 송수신 장치(2)로 신호를 회신할지 여부가 결정된다. 또한, 링 오실레이터(38)의 구성에 따라서는, 발진 특성이 변화함으로써 회로부(31D)를 통과하는 신호의 강도가 변화하는 경우도 있다. 링 오실레이터(38)는, 예를 들어 복수의 박막 트랜지스터를 조합하여 이루어진다. 박막 트랜지스터의 반도체층은, 예를 들어 카본 나노 튜브를 함유하고 있다.

이와 같은 구성을 갖는 무선 통신 디바이스(3D)에 있어서, 링 오실레이터(38)가 젖은 상태에 있는 경우에 송수신 장치(2)에 대하여 회신하는 신호의 주파수는, 링 오실레이터(38)가 마른 상태에 있는 경우에 송수신 장치(2)에 대하여 회신하는 신호의 주파수와 다르다. 송수신 장치(2)는, 무선 통신 디바이스(3D)로부터 수신한 신호의 주파수에 기초하여 수분의 유무를 검지한다.

이상 설명한 실시 형태 3의 변형예 2에 의하면, 실시 형태 3과 마찬가지 효과를 얻을 수 있다.

또한, 본 변형예 2에 있어서, 다이오드(37) 대신에, 실시 형태 1에서 적용한 다이오드(33)를 적용해도 된다. 이 경우, 송수신 장치(2)는, 무선 통신 디바이스에 의해 회신되는 신호의 강도를 더 사용해서 수분의 유무를 검지해도 된다.

또한, 본 변형예 2에 있어서, 다이오드(37) 대신에, 실시 형태 1에서 적용한 다이오드(33)를 적용하고, 다이오드(33)에 대하여 보호층을 마련함으로써, 다이오드(33)를 수분의 영향으로부터 보호해도 된다. 이 경우, 송수신 장치(2)는, 무선 통신 디바이스로부터 수신한 신호의 주파수에 기초하여 수분의 유무를 검지한다.

보호층은, 적어도 다이오드(37)의 반도체층을 덮고 있으면 되고, 다이오드(37) 전체를 덮고 있어도 된다. 또한, 보호층은, 링 오실레이터(38)을 제외한 송수신 장치(2) 전체를 덮고 있어도 된다.

보호층에 사용되는 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 이하와 같은 재료를 들 수 있다.

·산화 실리콘이나 알루미나 등의 무기 재료

·폴리이미드나 그의 유도체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐 클로라이드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리불화비닐리덴, 폴리실록산이나 그의 유도체, 폴리비닐페놀이나 그의 유도체 등 등의 유기 고분자 재료

·무기 재료 분말과 유기 고분자 재료의 혼합물, 유기 저분자 재료와 유기 고분자 재료의 혼합물

이들 중에서도, 도포법으로 제작할 수 있는 유기 고분자 재료를 사용하는 것이 바람직하다.

(실시 형태 4)

도 8은 본 발명의 실시 형태 4에 관한 수분 검지 시스템이 구비하는 무선 통신 디바이스의 구성예를 도시하는 도면이다. 동일 도면에 도시하는 무선 통신 디바이스(3E)는, 실시 형태 1과 마찬가지로 기저귀(4)에 마련되어 있고, 회로부(31E)와, 안테나(32)를 구비한다. 회로부(31E)는, 제어 회로(39)와, 메모리(40)를 갖는 디지털 회로이다. 제어 회로(39)는, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 회로나 정류 회로 등을 포함한다. 제어 회로(39)는, 송수신 장치(2)로부터의 신호를 수신하면, 메모리(40)가 기록하고 있는 정보를 알아내서 송수신 장치(2)로 회신한다. 회로부(31E)를 제외한 수분 검지 시스템의 구성은, 실시 형태 1과 마찬가지이다.

도 9는 메모리(40)의 주요부 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다. 메모리(40)는, 1개의 메모리 소자(50)를 구비한다. 메모리 소자(50)는 소스(51), 게이트(52) 및 드레인(53)을 갖는 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)이다. 소스(51)는 배선(W1)을 통해서 비트선(BL)에 접속하고, 게이트(52)는 배선(W2)을 통해서 워드선(WL)에 접속하고, 드레인(53)은 접지되어 있다.

도 10은 메모리 소자(50)의 적층 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다. 또한, 도 10은 각 층의 위치 관계를 나타내기 위한 도면이며, 각 층의 두께에는 의미가 없다. 메모리 소자(50)는, 기판(54) 상에 게이트(52), 배선(W2) 및 워드선(WL)이 일괄 형성되어 있고, 그 위에 절연층(55)이 적층되어 있다. 절연층(55) 상에는, 반도체층(56)이 형성되어 있다. 반도체층(56)은, 소스(51), 드레인(53), 배선(W1) 및 비트선(BL)과 일괄 형성되어 있다. 이와 같이, 메모리 소자(50)는, 소위 보텀 게이트형의 구성을 갖고 있다. 또한, 메모리 소자(50)를 톱 게이트형의 구성으로 하는 것도 가능하다.

기판(54)은, 적어도 전극계가 배치되는 면이 절연성을 갖고 있으면, 어떠한 재료여도 된다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 유리, 사파이어, 알루미나 소결체 등의 무기 재료, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리비닐클로라이드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리불화비닐리덴, 폴리실록산, 폴리비닐페놀(PVP), 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌, 폴리페닐렌술피드, 폴리파라크실렌 등의 유기 재료 등이 적합하게 사용된다. 또한, 예를 들어 실리콘 웨이퍼 상에 PVP막을 형성한 것이나 폴리에틸렌테레프탈레이트 상에 폴리실록산막을 형성한 것 등, 복수의 재료를 적층한 것이어도 된다.

절연층(55)의 재료는, 정상적으로 기능하는 정도의 절연성을 나타내는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어 폴리실록산, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리벤즈이미다졸, 폴리비닐알코올, 폴리비닐페놀, 폴리아세탈, 폴리카르보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르케톤, 폴리프탈아미드, 폴리에테르니트릴, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메타크릴아미드, 폴리불화비닐리덴, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리스티렌, 폴리에스테르, 방향족 폴리에테르, 노볼락 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 올레핀 수지, 지환식 올레핀 수지, 염화비닐 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 요소 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들의 폴리머에 다른 폴리머를 공중합한 것, 혼합한 것을 사용할 수도 있다. 이들 중, 트랜지스터의 온 전류의 향상, 누설 전류의 저감 관점에서, 폴리실록산이 바람직하게 사용된다.

절연층(55)은, 단층 또는 복수층을 포함한다. 복수층의 경우에는, 절연층(55)을 복수 적층해도 되고, 절연층(55)과 공지된 게이트 절연층을 적층해도 된다. 또한, 절연층(55)과 반도체층(56) 사이에 배향성층을 마련할 수도 있다. 배향성층에는, 실란 화합물, 티타늄 화합물, 유기산, 헤테로 유기산 등, 공지된 재료를 사용할 수 있고, 특히 유기 실란 화합물이 바람직하다.

반도체층(56)은, 카본 나노 튜브, 그래핀, 풀러렌 및 유기 반도체로 이루어지는 군의 하나 이상의 재료를 사용해서 구성된다.

반도체층(56)을 구성하는 유기 반도체로서는, 예를 들어 폴리티오펜류, 폴리피롤류, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 등의 폴리(p-페닐렌비닐렌)류, 폴리아닐린류, 폴리아세틸렌류, 폴리디아세틸렌류, 폴리카르바졸류, 폴리푸란류, 폴리헤테로아릴류, 축합 다환계의 저분자 화합물 반도체, 복소 방향환을 갖는 저분자 화합물 반도체를 들 수 있다. 폴리티오펜류로서는, 폴리-3-헥실티오펜, 폴리벤조티오펜 등을 들 수 있다. 폴리푸란류로서는, 폴리푸란, 폴리벤조푸란 등을 들 수 있다. 폴리헤테로아릴류로서는, 피리딘, 퀴놀린, 페난트롤린, 옥사졸, 옥사디아졸 등의 질소 함유 방향환을 구성 단위로 하는 것을 들 수 있다. 축합 다환계의 저분자 화합물 반도체로서는, 안트라센, 피렌, 나프타센, 펜타센, 헥사센, 루브렌 등을 들 수 있다. 복소 방향환을 갖는 저분자 화합물 반도체로서는, 푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 디벤조푸란, 피리딘, 퀴놀린, 페난트롤린, 옥사졸, 옥사디아졸 등을 들 수 있다. 이들 재료는, 도포법에 의해 필름 상으로의 형성이 가능하기 때문에, 통상 사용되는 실리콘 등의 재료와 비교해서 제조가 용이함과 함께, 비용을 낮게 억제할 수 있어 경제적이다.

또한, 반도체층(56)은, 200℃ 이하의 저온에서 형성할 수 있는 것 및 반도체 특성이 높은 것 등의 관점에서, 카본 나노 튜브를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 카본 나노 튜브 중에서도, 그 표면의 적어도 일부에 공액계 중합체가 부착된 카본 나노 튜브 복합체가 특히 바람직하다. 카본 나노 튜브 복합체는, 카본 나노 튜브가 보유하는 높은 전기 특성을 손상시키지 않고, 카본 나노 튜브를 용액 중에서 균일하게 분산되는 것이 가능하기 때문이다. 카본 나노 튜브가 균일하게 분산된 용액을 사용함으로써 잉크젯법 등의 도포법에 의해, 카본 나노 튜브가 균일하게 분산된 막을 형성할 수 있다.

이상의 구성을 갖는 무선 통신 디바이스(3E)에 있어서, 메모리(40)가 수분과 접촉해서 젖은 상태가 되어, 메모리(40)가 갖는 메모리 소자(50)의 반도체층 특성이 변화한다. 그 결과, 회로부(31E)의 회로 특성, 구체적으로는 전기 저항이 변화하고, 제어 회로(39)가 메모리(40)로부터 알아내는 정보(신호값)가 변화한다. 예를 들어, 메모리(40)가 수분에 접촉하지 않은 통상 상태에 있어서의 1비트의 정보로서 「1」을 기록하고 있는 경우에 있어서, 반도체층(56)이 수분에 접촉했을 때, 제어 회로(39)가 메모리(40)로부터 알아내서 송수신 장치(2)로 송신하는 1비트의 정보는 「0」으로 변환한다. 송수신 장치(2)는, 무선 통신 디바이스(3E)로부터 수신하는 신호에 포함되는 1비트의 정보가 통상 상태와 다른 경우, 무선 통신 디바이스(3E)에 수분이 부착된 것을 검지한다.

이상 설명한 본 발명의 실시 형태 4에 의하면, 실시 형태 1과 마찬가지로, 간이한 구성에 의해 수분의 발생을 적확하게 검지할 수 있다. 또한, 본 실시 형태 4에 의하면, 실시 형태 1과 마찬가지로, 제조도 용이하고 경제적이다.

또한, 본 실시 형태 4에 의하면, 송수신 장치(2)가 수신하는 메모리(40)에 기록하고 있는 정보의 변화에 기초하여 수분을 검지하기 때문에, 거리의 변화에 민감한 파라미터인 강도의 변화를 검출하는 실시 형태 1과 비교하여, 적절한 통신을 행하기 위한 송수신 장치(2)와 무선 통신 디바이스(3E)와의 위치 관계의 자유도가 높다.

(실시 형태 4의 변형예)

도 11은 실시 형태 4의 변형예에 관한 무선 통신 디바이스가 구비하는 메모리의 주요부 구성을 도시하는 도면이다. 동일 도면에 도시하는 메모리(40A)는, 2개의 메모리 소자(50a, 50b)를 어레이 형상으로 배치하여 이루어진다. 메모리 소자(50a)의 소스(51a)는 배선(W11)을 통해서 비트선(BL1)에 접속하고, 메모리 소자(50b)의 소스(51b)는 배선(W12)을 통해서 비트선(BL2)에 접속하고, 메모리 소자(50a)의 게이트(52a) 및 메모리 소자(50b)의 게이트(52b)는, 배선(W21 및 W22)을 각각 통해서 공통의 워드선(WL)에 접속하고 있다. 메모리 소자(50a)의 드레인(53a) 및 메모리 소자(50b)의 드레인(53b)은 각각 접지되어 있다.

메모리 소자(50a)의 기판(54a), 절연층(55a) 및 반도체층(56a)은, 메모리 소자(50b)의 기판(54b), 절연층(55b) 및 반도체층(56b)과 각각 공통의 층을 이뤄도 되고, 개별로 층을 이뤄도 된다. 2개의 메모리 소자(50a 및 50b)를 1개의 구조체로서 일체 형성하면, 제조도 용이하고 소형화에도 기여할 수 있으므로 보다 바람직하다.

본 변형예에 있어서, 제어 회로(39)는, 메모리(40A)로부터 2비트의 정보를 알아내서 송수신 장치(2)로 송신한다. 예를 들어, 통상 시의 2비트의 정보가 「11」인 경우, 제어 회로(39)가 다른 2비트의 정보 「10」, 「01」 또는 「00」을 메모리(40A)로부터 알아내서 송수신 장치(2)로 송신했을 때, 송수신 장치(2)는, 본 변형예에 관한 무선 통신 디바이스가 수분에 접촉한 것을 검지한다.

이상 설명한 실시 형태 4의 변형예에 의하면, 실시 형태 4와 마찬가지 효과를 얻을 수 있다. 또한, 메모리를 구성하는 메모리 소자의 수는 3 이상이어도 된다. 이 경우에도, 워드선을 공통으로 해서 복수의 메모리 소자를 어레이 형상으로 배치하면 된다.

(실시 형태 5)

도 12는 본 발명의 실시 형태 5에 관한 무선 통신 디바이스가 구비하는 메모리의 주요부 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다. 본 실시 형태 5에 관한 수분 검지 시스템이 구비하는 무선 통신 디바이스의 구성예는, 도 8에 도시하는 실시 형태 4에 관한 수분 검지 시스템이 구비하는 무선 통신 디바이스와 마찬가지 구성예를 취할 수 있다. 동일 도면에 도시하는 메모리(40B)는, 보텀 게이트형의 메모리 소자(50B)를 구비한다. 메모리 소자(50B)는, 소스(51), 게이트(52), 드레인(53), 기판(54), 절연층(55), 반도체층(56) 및 제2 절연층(57)을 갖는다. 소스(51)는, 배선(W3)을 통해서 비트선(BL)에 접속된다. 게이트(52)는, 배선(W4)을 통해서 워드선(WL)에 접속된다. 메모리 소자(50B)는, 기판(54) 상에 게이트(52), 배선(W4) 및 워드선(WL)이 일괄 형성되어 있고, 그 위에 절연층(55)이 적층되어 있다. 절연층(55) 상에는 반도체층(56)이 형성되어 있다. 반도체층(56)은, 소스(51), 드레인(53), 배선(W3) 및 비트선(BL)과 일괄 형성되어 있다. 제2 절연층(57)은, 반도체층(56)에 대하여 절연층(55)과 반대측에 형성된다. 반도체층(56)에 대하여 절연층(55)과 반대측이란, 도 12에 도시하는 바와 같이 반도체층(56)의 하측에 절연층(55)을 갖는 경우에는, 반도체층(56)의 상측을 가리킨다. 또한, 메모리 소자(50B)를 톱 게이트형의 구성으로 하는 것도 가능하다.

반도체층(56)을 구성하는 반도체 재료로서는, 실시 형태 4와 마찬가지와 마찬가지로, 펜타센이나 폴리티오펜 유도체 등의 유기 반도체, 카본 나노 튜브나 그래핀, 풀러렌 등의 카본 반도체를 들 수 있다.

제2 절연층(57)에 사용되는 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 이하와 같은 재료를 들 수 있다.

·산화 실리콘이나 알루미나 등의 무기 재료

메모리 소자(50B)는 제2 절연층(57)을 갖기 때문에, 외부로부터의 반도체 재료에 대한 수분의 접촉을 방지하여, 수분의 접촉에 기인한 특성의 변화를 발생시키지 않는다. 또한, 제2 절연층(57)을 형성하는 대신에, 실리콘 등과 같이 원래 수분의 접촉에 기인해서 특성이 변화하지 않는 재료를 사용해서 반도체층을 구성해도 된다.

배선(W3, W4)은 수용성 도전성 고분자를 포함한다. 배선(W3, W4)이 포함하는 수용성 도전성 고분자는, 자기 도핑형보다는 외부 도핑형의 것 쪽이 바람직하다. 구체적으로는, 수용성 도전성 고분자로서, 비치환 또는 치환기를 갖는 폴리파라페닐렌, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리아세틸렌, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리이소티아나프텐, 폴리푸란, 폴리카르바졸, 폴리디아미노안트라퀴논, 폴리인돌로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종의 π 공액계 고분자 중의 골격에, 술폰산기 및/또는 카르복시기, 또는 이들의 알칼리 금속염, 암모늄염 혹은 치환 암모늄염 또는 술폰산기 및/또는 카르복실기, 또는 이들의 알칼리 금속염, 암모늄염 혹은 치환 암모늄염으로 치환된 알킬기 혹은 에테르 결합을 포함하는 알킬기를 갖고 있는 것을 들 수 있다. 또한, 수용성 도전성 고분자로서, π 공액계 고분자 중의 질소 원자 상에, 술폰산기 및/또는 카르복시기, 또는 이들의 알칼리 금속염, 암모늄염 혹은 치환 암모늄염 또는 술폰산기 및/또는 카르복실기, 또는 이들의 알칼리 금속염, 암모늄염 혹은 치환 암모늄염으로 치환된 알킬기 혹은 에테르 결합을 포함하는 알킬기를 갖고 있는 것을 들 수 있다.

도 12에 도시하는 보텀 게이트형의 메모리 소자(50B)의 경우에는, 배선(W4)보다 수분과 접촉하기 쉬운 배선(W3)이, 적어도 상술한 재료를 사용해서 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 배선(W4)은 도전성 재료를 사용해서 구성해도 된다. 또한, 톱 게이트형의 메모리 소자의 경우에는, 게이트(52)와 접속하는 배선(W4)이 소스(51)와 접속하는 배선(W3)보다 수분과 접촉하기 쉽기 때문에, 적어도 배선(W4)이 상술한 재료를 사용해서 구성되어 있는 것이 바람직하고, 배선(W3)은 도전성 재료를 사용해서 구성해도 된다.

본 실시 형태 5에 관한 무선 통신 디바이스에 있어서, 메모리(40B)가 수분과 접촉해서 젖은 상태가 되고, 배선(W3 및/또는 W4)이 수분에 접촉하면, 수용성 도전성 고분자가 용해해서 단선을 일으켜서 고저항화한다. 그 결과, 실시 형태 4와 마찬가지로, 제어 회로(39)가 메모리(40B)로부터 알아내는 정보가 변화한다. 송수신 장치(2)는, 본 실시 형태 5에 관한 무선 통신 디바이스로부터 수신하는 신호에 포함되는 1비트의 정보가 통상 상태와 다른 경우, 본 실시 형태 5에 관한 무선 통신 디바이스에 수분이 부착된 것을 검지한다.

본 실시 형태 5는, 도 11에 도시하는 실시 형태 4의 변형예와 마찬가지로, 2개의 메모리 소자를 어레이 형상으로 배치함으로써, 실시 형태 4의 변형예와 마찬가지 효과를 얻을 수 있다. 또한, 메모리를 구성하는 메모리 소자의 수는 3 이상이어도 된다. 이 경우에도, 워드선을 공통으로 하여 복수의 메모리 소자를 어레이 형상으로 배치하면 된다.

이상 설명한 본 발명의 실시 형태 5에 의하면, 회로부(31E)가 갖는 배선의 적어도 일부와 수분의 접촉의 유무에 따라, 다른 정보를 포함하는 신호를 송수신 장치(2)로 송신하기 때문에, 간이한 구성에 의해 수분의 발생을 적확하게 검지할 수 있다. 또한, 본 실시 형태 5에 의하면, 실시 형태 4와 마찬가지로, 제조도 용이하고 경제적이다.

(실시 형태 6)

본 발명의 실시 형태 6에 관한 수분 검지 시스템이 구비하는 무선 통신 디바이스의 구성은, 실시 형태 5와 마찬가지이다. 본 실시 형태 6에 있어서 실시 형태 5와 다른 점은, 메모리(40B)의 배선(W3, W4)이, 도전성 입자 및 수용성 수지를 포함하는 점이다.

도전성 입자로서는, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 주석(Sn), 비스무트(Bi), 납(Pb), 아연(Zn), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 또는 탄소(C) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 금, 은, 구리, 니켈, 주석, 비스무트, 납, 아연, 팔라듐, 백금, 알루미늄 및 탄소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 원소를 함유하는 도전성 입자인 것이 바람직하다.

수용성 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴아미드, 폴리아크릴산나트륨, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산메틸, 폴리아크릴산에틸, 폴리-2-아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, 폴리스티렌술폰산나트륨, 폴리스티렌술폰산, 폴리비닐술폰산, 폴리알릴아민, 폴리에틸렌이민 등의 호모 폴리머 및 그들의 성분을 포함하는 코폴리머 등을 들 수 있다. 또한, 메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 카제인 등도 들 수 있다. 또한, 카르복실기 혹은 술폰기 등의 친수기를 도입한 수용성 폴리에스테르 또는 수용성 폴리우레탄 등도 들 수 있다.

이상의 구성을 갖는 배선(W3 및 W4)은, 수분에 접촉하면 수용성 수지가 용해해서 그 조성이 변화해서 전기 저항이 고저항화한다. 이에 의해, 실시 형태 4와 마찬가지로, 제어 회로(39)가 메모리(40B)로부터 알아내는 1비트의 정보가 변화한다. 송수신 장치(2)는, 본 실시 형태 6에 관한 무선 통신 디바이스로부터 수신하는 신호에 포함되는 1비트의 정보가 통상 상태와 다른 경우, 본 실시 형태 6에 관한 무선 통신 디바이스에 수분이 부착된 것을 검지한다.

이상 설명한 본 발명의 실시 형태 6에 의하면, 실시 형태 4와 마찬가지로, 간이한 구성에 의해 수분의 발생을 적확하게 검지할 수 있다. 또한, 본 실시 형태 6에 의하면, 실시 형태 4와 마찬가지로, 제조도 용이하고 경제적이다.

(실시 형태 7)

본 발명의 실시 형태 7에 관한 수분 검지 시스템이 구비하는 무선 통신 디바이스의 구성은, 실시 형태 5와 마찬가지이다. 본 실시 형태 7에 있어 실시 형태 5와 다른 점은, 메모리(40B)의 배선(W3, W4)이, 도전성 입자 및 흡수성 수지를 포함하는 점이다. 이 중, 도전성 입자는, 실시 형태 6과 마찬가지 재료를 사용해서 구성된다.

흡수성 수지로서는, 예를 들어 전분 또는 셀룰로오스와, 카르복실기 혹은 술폰기 등의 친수기를 함유하는 수용성 단량체 및/또는 가수분해에 의해 수용성이 되는 단량체와, 가교제를 필수 성분으로서 중합시켜서, 필요에 따라 가수분해를 행함으로써 얻어지는 흡수성 수지, 전분-아크릴로니트릴 그래프트 중합체의 가수분해물, 전분-아크릴산 그래프트 중합체의 가수분해물, 셀룰로오스-아크릴로니트릴 그래프트 중합물의 가수분해물, 카르복시메틸셀룰로오스의 가교물, 가교 폴리아크릴아미드의 부분 가수분해물, 가교된 아크릴산-아크릴아미드 공중합체, 가교된 술폰화폴리스티렌, 비닐에스테르-불포화 카르복실산 공중합체 비누화물, 폴리아크릴산 나트륨 등이 가교된 폴리아크릴산(염), 가교된 아크릴산-아크릴산 에스테르 공중합체, 이소부틸렌-무수 말레산 공중합물, 나트륨염 가교물 무수 말레산 등이 가교된 이소부틸렌-무수 말레산 공중합체, 가교된 카르복실산 변성 폴리비닐알코올, 자기 가교형 폴리아크릴산염, 가교된 아세트산 비닐-아크릴산 에스테르 공중합체물, 비이온형 폴리알킬렌 옥사이드 등을 제시할 수 있다. 흡수성 수지로서는, 상기 이외에도 종래 공지된 흡수성 수지를 사용할 수 있고, 특별히 한정되는 것이 아니다.

이상의 구성을 갖는 배선(W3 및 W4)은, 수분에 접촉하면 흡수성 수지가 흡수해서 배선(W3 및 W4)이 팽윤하고, 도전성 입자가 이격함으로써 실질적인 단선을 일으켜서, 고저항화한다. 그 결과, 실시 형태 1과 마찬가지로, 제어 회로(39)가 메모리(40)로부터 알아내는 정보가 변화한다. 송수신 장치(2)는, 무선 통신 디바이스(3)로부터 수신하는 신호에 포함되는 1비트의 정보가 통상 상태와 다른 경우, 무선 통신 디바이스(3)에 수분이 부착된 것을 검지한다.

이상 설명한 본 발명의 실시 형태 7에 의하면, 실시 형태 5와 마찬가지로, 간이한 구성에 의해 수분의 발생을 적확하게 검지할 수 있다. 또한, 본 실시 형태 7에 의하면, 실시 형태 5와 마찬가지로, 제조도 용이하고 경제적이다.

(실시 형태 8)

본 발명의 실시 형태 8에 관한 무선 통신 시스템은, 실시 형태 5에 관한 무선 통신 시스템과 마찬가지 구성을 갖는다. 본 실시 형태 8에 있어서 실시 형태 5와 다른 점은, 메모리 소자(50B)의 절연층(55)이, 추가로 감광성 유기 성분으로서 라디칼 중합성 화합물의 부가 반응체를 포함하는 점과, 배선(W3, W4)이 도전성 재료를 사용해서 구성되는 점이다.

라디칼 중합성 화합물이란, 분자 중에 복수의 에틸렌성 불포화 이중 결합 기를 갖는 화합물이다. 자외(UV: Ultraviolet)광의 조사에 의해, 후술하는 광중합 개시제로부터 발생하는 라디칼에 의해, 라디칼 중합성 화합물의 라디칼 중합이 진행되고, 절연층(55)의 가교 밀도가 향상되어, 절연층(55)의 경도를 향상시킬 수 있다.

라디칼 중합성 화합물로서는, 라디칼 중합이 진행되기 쉬운, (메트)아크릴기를 갖는 화합물이 바람직하다. UV 광의 조사 시의 감도 향상 및 절연층(55)의 경도 향상의 관점에서, (메트)아크릴기를 분자 내에 2개 이상 갖는 화합물이 보다 바람직하다.

라디칼 중합성 화합물로서는, UV 광의 조사 시의 감도 향상 및 경화막의 내균열성 향상의 관점에서, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨옥타(메트)아크릴레이트, 1,3,5-트리스((메트)아크릴옥시에틸)이소시아누르산 혹은 9,9-비스[4-(2-(메트)아크릴옥시에톡시)페닐]플루오렌 또는 그들의 산 변성체가 바람직하다. 또한, 라디칼 중합성 화합물로서는, UV 광의 조사 시의 감도 향상 및 경화막의 내균열성 향상의 관점에서, 에틸렌옥시드 변성체 또는 프로필렌옥시드 변성체도 바람직하다.

절연층(55)은, 추가로 감광성 유기 성분으로서, UV 광의 조사에 의해 결합 개열 및/또는 반응해서 라디칼을 발생하는 화합물(이하, 「광중합 개시제」라고 한다)을 포함해도 된다. 광중합 개시제를 포함함으로써, 전술한 라디칼 중합성 화합물의 라디칼 중합이 진행되어, UV 광의 조사 시의 부가 반응을 촉진할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 벤질 케탈계 광중합 개시제, α-히드록시케톤계 광중합 개시제, α-아미노케톤계 광중합 개시제, 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제, 옥심에스테르계 광중합 개시제, 아크리딘계 광중합 개시제, 티타노센계 광중합 개시제, 벤조페논계 광중합 개시제, 아세토페논계 광중합 개시제, 방향족 케토에스테르계 광중합 개시제 또는 벤조산 에스테르계 광중합 개시제가 바람직하고, UV 광의 조사 시의 감도 향상의 관점에서, α-히드록시케톤계 광중합 개시제, α-아미노케톤계 광중합 개시제, 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제, 옥심에스테르계 광중합 개시제, 아크리딘계 광중합 개시제 또는 벤조페논계 광중합 개시제가 보다 바람직하고,α-아미노케톤계 광중합 개시제, 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제, 옥심에스테르계 광중합 개시제가 더욱 바람직하다. 광중합 개시제의 구체적인 예로서는, 옥심에스테르계 광중합 개시제로서, 1-[4-(페닐티오)페닐]옥탄-1,2-디온-2-(O-벤조일)옥심 및 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에타논-1-(O-아세틸)옥심을 들 수 있지만, 다른 공지된 재료도 이용할 수 있다.

절연층(55)은, 추가로 감광성 유기 성분으로서, 광에 의해 산을 발생하는 화합물(이하, 「광산 발생제」라고 한다)을 함유해도 된다. 광산 발생제로서는, 오늄염 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조케톤 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물, 술폰이미드 화합물 등을 예시할 수 있다. 디아조케톤 화합물의 구체적인 예로서는, 1,3-디케토-2-디아조 화합물, 디아조벤조퀴논 화합물, 디아조나프토퀴논 화합물 등을 들 수 있고, 패턴 가공 정밀도나 절연층(55)의 내균열성 관점에서, 디아조나프토퀴논 화합물이 바람직하다. 바람직한 디아조케톤 화합물로서, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산과 2,2,3,4,4'-펜타히드록시벤조페논과의 에스테르, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산과 1,1,1-트리스(4-히드록시페닐)에탄과의 에스테르 등을 들 수 있다.

광중합 개시제 및 광산 발생제는, 감광성 유기 성분인 증감제와 조합해서 사용되는 것이 바람직하다. 증감제는, 광퇴색 반응으로 착색을 일으키지 않기 때문에, 절연층(55) 중에서도, 높은 투명성을 유지하면서, 고감도화를 달성할 수 있다. 증감제로서는 특별히 제한은 없으며 공지된 재료를 사용할 수 있지만, 9,10-이치환안트라센계 화합물이 특히 바람직하다.

절연층(55)은, 감광성 유기 성분으로서, 연쇄 이동제의 부가 반응체를 더 포함해도 된다. 연쇄 이동제란, UV 광의 조사 시의 라디칼 중합에 의해 얻어지는 폴리머쇄의, 폴리머 성장 말단으로부터 라디칼을 수취하고, 다른 폴리머쇄로의 라디칼 이동을 개재하는 것이 가능한 화합물을 말한다. 연쇄 이동제를 포함함으로써, UV 광의 조사 시의 감도를 향상시킬 수 있다. 이것은, UV 광의 조사에 의해 발생한 라디칼이, 연쇄 이동제에 의해 다른 폴리머쇄로 라디칼 이동함으로써, 막의 심부에까지 라디칼 가교를 하기 때문이라 추측된다. 연쇄 이동제로서는, 티올계 연쇄 이동제가 바람직하다.

절연층(55)은, 감광성 유기 성분으로서, 중합 금지제를 더 포함해도 된다. 중합 금지제란, UV 광의 조사 시에 발생한 라디칼 또는 UV 광조사 시의 라디칼 중합에 의해 얻어지는 폴리머쇄의, 폴리머 성장 말단의 라디칼을 포착하고, 안정 라디칼로서 유지함으로써, 라디칼 중합을 정지하는 것이 가능한 화합물을 말한다. 중합 금지제를 적량 함유시킴으로써, UV 광조사 시에 발생하는 과잉량의 라디칼을 억제하고, 라디칼 중합을 제어할 수 있다. 중합 금지제로서는, 페놀계 중합 금지제가 바람직하다.

절연층(55)은, 무기 입자가 결합한 폴리머에 더하여, 추가로 폴리머가 결합하지 않은 무기 입자를 함유해도 된다. 폴리머가 결합하지 않은 무기 입자가 바람직한 재질이나 형상으로서는, 상술한 바와 같은, 폴리머가 결합된 경우의 것과 마찬가지이다.

절연층(55)은, 필요에 따라, 점도 조정제, 계면 활성제, 안정화제 등을 함유 해도 된다. 또한, 절연층(55)은 잔류 용매를 함유하고 있어도 상관없다. 계면 활성제로서는, 예를 들어 불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제, 폴리알킬렌 옥시드계 계면 활성제, 아크릴계 계면 활성제 등을 들 수 있다. 불소계 계면 활성제의 구체적인 예로서는, 메가팍 F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183(이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주)제), NBX-15, FTX-218, DFX-18((주)네오스제) 등을 들 수 있다. 또한, 실리콘계 계면 활성제로서는, BYK-333(빅 케미·재팬(주)제) 등을 들 수 있다.

본 실시 형태 8에 있어서는, 감광성 유기물을 포함하는 절연층(55)을 갖는 박막 트랜지스터를 사용해서 메모리 소자(50B)를 구성하고 있기 때문에, 포토리소그래피에 의해, 선택적으로 비아를 형성할 수 있다. 이에 의해, 예를 들어 배선(W3, W4)이 접촉하는 절연층(55)의 영역에 대하여 선택적으로 비아를 형성하고, 이 비아에 대하여, 잉크젯법이나 디스펜서법 등의 도포법에 의해 수용성 수지를 포함하는 막(수용성 수지막)을 도포 형성하면, 수용성 수지막이 수분과 접촉했을 때에 용해하고, 그것에 수반하여, 수용성 수지막과 접해 있는 배선이 단선해서 고저항화한다. 또한, 절연층(55)에 대하여, 수용성 수지막 대신에 흡수성 수지를 포함하는 막(흡수성 수지막)을 마찬가지로 도포 형성해도 된다. 이 경우에는, 흡수성 수지막이 수분에 접촉하면 흡수성 수지막이 팽윤하여, 흡수성 수지막과 접해 있는 배선이 단선한다.

이상 설명한 본 발명의 실시 형태 8에 의하면, 실시 형태 5와 마찬가지로, 간이한 구성에 의해 수분의 발생을 적확하게 검지할 수 있다. 또한, 본 실시 형태 8에 의하면, 실시 형태 5와 마찬가지로, 제조도 용이하고 경제적이다.

(그 밖의 실시 형태)

여기까지, 본 발명을 실시하기 위한 형태를 설명해 왔지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 의해서만 한정되어야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 기저귀에 복수의 무선 통신 디바이스를 설치해도 된다. 구체적으로는, 남성과 여성에서는 배뇨 시에 젖기 쉬운 장소가 다르기 때문에, 오줌의 방출이 상정되는 모든 장소에 무선 통신 디바이스를 설치해도 된다. 이에 의해, 기저귀를 사용하는 사람의 성별에 구애받지 않고, 정확한 수분 검지를 행할 수 있어, 범용성이 높은 기저귀를 제공하는 것이 가능하게 된다.

또한, 회로부가, 1개의 제어 회로와, 서로 다른 위치에 배치된 복수의 메모리를 구비해도 된다. 이 경우에는, 안테나도 1개여도 된다. 이 경우에도, 복수의 무선 통신 디바이스를 설치하는 경우와 마찬가지 효과를, 보다 간이한 구성에 의해 얻을 수 있다.

또한, 전지를 내장한 액티브형의 무선 통신 디바이스에, 카본 나노 튜브, 그래핀, 풀러렌 및 유기 반도체로 이루어지는 군의 하나 이상의 재료를 사용해서 구성된 소자를 적용해도 된다.

또한, 무선 통신 디바이스가 수분과 접촉한 경우에는, 무선 통신 디바이스가 송수신 장치에 대하여 신호를 회신하지 않는 회로 구성으로 해도 된다.

또한, 송수신 장치와 무선 통신 디바이스 사이의 통신을 주파수가 13.56㎒인 NFC(Near Field Co㎜unication(근거리 통신)) 통신에 의해 실현해도 된다. 이 경우에는, 예를 들어 무선 통신 디바이스를 침대 시트 등에 설치해서 수분을 검지하는 것도 가능하다.

또한, 수분 검지 시스템으로서, 자동차의 제조 시에 있어서의 실내의 방수 체크, 터널 제조 시에 있어서의 물 습윤 검지, 배수관의 누수 검지 등을 목적으로 하는 시스템에 적용하는 것도 가능하다.

이와 같이, 본 발명은, 여기에서는 기재하지 않은 다양한 실시 형태 등을 포함할 수 있는 것이다.

1 : 수분 검지 시스템
2 : 송수신 장치
3, 3A, 3B, 3C, 3D, 3E : 무선 통신 디바이스
4 : 기저귀
31, 31A, 31B, 31C, 31D, 31E : 회로부
32 : 안테나
33, 37 : 다이오드
34, 36 : 가변 용량 다이오드
35 : 전압 제어 발진기
38 : 링 오실레이터
39 : 제어 회로
40, 40A : 메모리
41 : 표면재
42 : 흡수재
43 : 방수재
50, 50a, 50b, 50B : 메모리 소자
51, 51a, 51b : 소스
52, 52a, 52b : 게이트
53, 53a, 53b : 드레인
54, 54a, 54b : 기판
55, 55a, 55b : 절연층
56, 56a, 56b : 반도체층
57 : 제2 절연층
BL, BL1, BL2 : 비트선
W1, W2, W3, W4, W11, W12, W21, W22 : 배선
WL : 워드선

Claims

회로부와, 상기 회로부에 접속되어 있고, 비접촉으로 송수신 장치와 신호의 송수신을 행하는 안테나를 구비한 무선 통신 디바이스로서,
상기 회로부의 적어도 일부와 수분의 접촉의 유무에 따라 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신하는 무선 통신 디바이스.
제1항에 있어서, 상기 회로부가 카본 나노 튜브, 그래핀, 풀러렌 및 유기 반도체로 이루어지는 군의 하나 이상의 재료를 사용해서 구성된 소자이며 수분과의 접촉에 의해 특성이 변화하는 소자를 갖는 무선 통신 디바이스.
제2항에 있어서, 상기 소자의 특성이 변화한 경우, 상기 송수신 장치로부터 수신한 신호에 대하여 회신하는 신호의 적어도 하나의 파라미터가 변화하는 무선 통신 디바이스.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 소자는 다이오드를 포함하고,
상기 회로부는, 상기 다이오드가 수분과 접촉한 경우에, 상기 다이오드가 수분과 접촉하지 않은 경우와는 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신하는 무선 통신 디바이스.
제4항에 있어서, 상기 다이오드는 가변 용량 다이오드이며,
상기 회로부는, 상기 가변 용량 다이오드가 수분과 접촉한 경우에, 상기 가변 용량 다이오드가 수분과 접촉하지 않은 경우와는 강도가 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신하는 무선 통신 디바이스.
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 회로부는 발진 회로를 더 갖고,
상기 회로부는, 상기 다이오드가 수분과 접촉한 경우에, 상기 다이오드가 수분과 접촉하지 않은 경우와는 주파수가 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신하는 무선 통신 디바이스.
제6항에 있어서, 상기 발진 회로가 링 오실레이터를 포함하는 무선 통신 디바이스.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 소자는 링 오실레이터이며,
상기 회로부는, 상기 링 오실레이터가 수분과 접촉한 경우에, 상기 링 오실레이터가 수분과 접촉하지 않은 경우와는 주파수가 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신하는 무선 통신 디바이스.
제2항에 있어서, 상기 소자는 메모리 소자이며,
상기 회로부는, 상기 메모리 소자가 수분과 접촉한 경우에, 상기 메모리 소자가 수분과 접촉하지 않은 경우와는 다른 신호를 상기 송수신 장치로 송신하는 무선 통신 디바이스.
제2항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소자는 카본 나노 튜브를 사용해서 구성되는 무선 통신 디바이스.
제2항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소자의 반도체층이 카본 나노 튜브를 사용해서 구성되는 무선 통신 디바이스.
제1항에 있어서, 상기 회로부가 갖는 배선의 적어도 일부와 수분의 접촉의 유무에 따라 다른 정보를 포함하는 신호를 상기 송수신 장치로 송신하는 무선 통신 디바이스.
제12항에 있어서, 상기 회로부가 디지털 회로를 갖고, 상기 디지털 회로의 배선의 적어도 일부가 수분과 접촉한 경우에, 상기 디지털 회로의 특성이 변화하고, 상기 배선의 적어도 일부가 수분과 접촉하지 않은 경우와는 다른 정보를 포함하는 신호를 상기 송수신 장치로 송신하는 무선 통신 디바이스.
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 배선의 적어도 일부가 수분과 접촉한 경우에, 상기 배선의 전기 저항이 변화하는 무선 통신 디바이스.
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선의 적어도 일부가 도전성 입자 및 수용성 수지를 포함하는 무선 통신 디바이스.
제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선의 적어도 일부가 수용성 도전성 고분자를 포함하는 무선 통신 디바이스.
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선의 적어도 일부가 도전성 입자 및 흡수성 수지를 포함하는 무선 통신 디바이스.
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선의 적어도 일부가 수용성 수지를 포함하는 층 상에 배치되어 있고, 상기 층이 수분과 접촉한 경우에, 상기 배선의 전기 저항이 변화하는 무선 통신 디바이스.
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선의 적어도 일부가 흡수성 수지를 포함하는 층 상에 배치되어 있고, 상기 층이 수분과 접촉한 경우에, 상기 배선의 전기 저항이 변화하는 무선 통신 디바이스.
제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 회로부는,
상기 배선과 접속함과 함께 소정의 정보를 기록하는 메모리 소자와,
상기 메모리 소자로부터 정보를 판독해서 상기 송수신 장치로 송신하는 제어 회로
를 갖고,
상기 제어 회로가 상기 메모리 소자로부터 판독하는 정보는 상기 배선과 수분의 접촉의 유무에 따라 다른 무선 통신 디바이스.
제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 회로부는,
어레이 형상으로 배열되어 있는 복수의 메모리 소자와, 상기 복수의 메모리 소자로부터 정보를 판독해서 상기 송수신 장치로 송신하는 제어 회로
를 갖고,
상기 제어 회로가 상기 복수의 메모리 소자로부터 판독하는 정보는 상기 배선과 수분의 접촉의 유무에 따라 다른 무선 통신 디바이스.
수분을 흡수해서 유지하는 흡수재와, 방수 기능을 갖고, 상기 흡수재를 외장하는 방수재를 구비하고, 인체에 장착되어 해당 인체에 의해 배출된 수분을 흡수 가능한 기저귀로서,
제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 기재된 무선 통신 디바이스를 구비한 기저귀.
제22항에 있어서, 상기 무선 통신 디바이스가 상기 흡수재와 상기 방수재 사이에 위치하는 기저귀.
제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 기재된 무선 통신 디바이스와,
상기 무선 통신 디바이스와 비접촉으로 통신 가능하고, 상기 무선 통신 디바이스로 송신한 신호에 대하여 회신되는 신호에 기초하여 상기 무선 통신 디바이스의 수분과의 접촉의 유무를 검지하는 송수신 장치
를 구비한 수분 검지 시스템.
제24항에 있어서, 상기 송수신 장치는 UHF대 또는 마이크로파대의 주파수를 갖는 신호를 송신하는 수분 검지 시스템.
제24항 또는 제25항에 있어서, 상기 무선 통신 디바이스는,
수분을 흡수해서 유지하는 흡수재와,
방수 기능을 갖고, 상기 흡수재를 외장하는 방수재를 구비하고,
인체에 장착되어 해당 인체에 의해 배출된 수분을 흡수 가능한 기저귀에 마련되어 있는 수분 검지 시스템.