KR20200015643A - Flexible printed circuit - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 얇은 또는 좁은 전자 기기의 광체 내에 사용한 경우에도, 배선 회로의 단선이나 균열을 방지할 수 있는 우수한 내절곡성을 갖는 플렉시블 회로 기판을 제공한다.
전자 기기의 광체 내에 절첩하여 수납되는 플렉시블 회로 기판은, 두께 5 내지 30 ㎛의 범위 내, 인장 탄성률 4 내지 10 GPa의 범위 내인 폴리이미드층 (A)와, 폴리이미드층 (A)의 적어도 한쪽면에 적층된 두께 6 내지 20 ㎛의 범위 내, 인장 탄성률 25 내지 35 GPa의 범위 내의 동박 (B)로 이루어진 구비 배선을 갖고 있다. 플렉시블 회로 기판은, 폴리이미드층 (A)와 접하는 측의 면의 동박 (B)의 십점 평균 거칠기(Rz)가 0.7 내지 2.2 ㎛의 범위 내이고, 플렉시블 회로 기판의 갭 0.3 mm에서의 절곡 시험에서의, 하기 식 (I)에 의해 계산되는 접힘성 계수 [PF]가 0.96±0.025의 범위에 있다.
(식 (I)에 있어서, |ε|은 구리 배선의 굴곡 평균 왜곡값의 절대값이고, εC는 구리 배선의 인장 탄성 한계 왜곡임)This invention provides the flexible circuit board which has the outstanding bending resistance which can prevent the disconnection or a crack of a wiring circuit, even when used in the optical body of a thin or narrow electronic device.
The flexible circuit board folded and accommodated in the housing of an electronic device has at least one surface of the polyimide layer (A) and the polyimide layer (A) which exist in the range of the tensile modulus of 4-10 GPa in the range of thickness 5-30 micrometers. In the range of 6-20 micrometers in thickness laminated | stacked on, it has the provided wiring which consists of copper foil (B) in the range of 25-35 GPa of tensile modulus. The flexible circuit board has a ten-point average roughness Rz of the copper foil (B) on the side in contact with the polyimide layer (A) in the range of 0.7 to 2.2 µm, in a bending test at a gap of 0.3 mm of the flexible circuit board. The foldability coefficient [PF] calculated by the following formula (I) is in the range of 0.96 ± 0.025.
(In formula (I), | ε | is the absolute value of the bending average distortion value of the copper wiring, and ε C is the tensile elastic limit distortion of the copper wiring.)
Description
본 발명은 플렉시블 회로 기판에 관한 것이며, 상세하게는 전자 기기의 광체 내에 절첩하여 수납되어 사용되는 플렉시블 회로 기판(FPC)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flexible circuit board, and more particularly, to a flexible circuit board (FPC) used by being folded and housed in an optical body of an electronic device.
최근, 전자 기기의 소형화나 고기능화에 따라, 이들을 구성하는 전자 부품 중 하나인 FPC에 있어서도 전기 특성, 기계 특성, 내열성 등, 보다 고성능인 것이 요구되고 있다. FPC의 대부분은, 금속층인 동박에 절연층인 폴리이미드를 적층한 플렉시블 동장 적층판의 동박에 회로를 형성함으로써 제조된다. 이러한 폴리이미드를 절연층으로 한 동장 적층판은, 폴리이미드와 동박 사이의 에폭시 수지 등의 열경화성 접착제층을 통해 폴리이미드와 동박을 적층한 동장 적층판(「3층 CCL」이라고도 함)과, 열경화성 접착제층을 통하지 않고 폴리이미드와 동박을 직접 적층한 동장 적층판(「2층 CCL」이라고도 함)으로 크게 구별된다.In recent years, with the miniaturization and high functionalization of electronic devices, the FPC, which is one of the electronic components constituting these devices, is required to have higher performance such as electrical characteristics, mechanical characteristics, and heat resistance. Most of FPC is manufactured by forming a circuit in the copper foil of the flexible copper clad laminated board which laminated | stacked the polyimide which is an insulating layer on the copper foil which is a metal layer. The copper clad laminated board which used this polyimide as an insulation layer is a copper clad laminated board ("3 layer CCL") which laminated | stacked polyimide and copper foil through the thermosetting adhesive bond layer, such as an epoxy resin between polyimide and copper foil, and a thermosetting adhesive bond layer It is largely divided into the copper clad laminated board (also called "two-layer CCL") which laminated | stacked polyimide and copper foil directly, without passing through.
상기 3층 CCL은 접착제층으로 에폭시 수지 등을 이용하고 있기 때문에, 내열성에 문제가 있다. 구체적으로는, 땜납이나 히트 툴을 이용하여 FPC의 배선 상의 전극과, 모니터 패널 기판, 리지드 기판, 반도체칩 등을 접합하는 공정과 같이, 고온가공을 요하는 공정에서 문제가 발생하기 쉽다. 또한, 3층 CCL은 2층 CCL에 비해 접착제층의 두께가 가산되는 점, 이종 재료간의 열팽창 계수차에 의한 치수 제어가 어려운 점, 나아가 유전 특성의 관점에서 하이 엔드 전자 기기로의 탑재에는 문제가 있다. 따라서, 특히 내열성이나 신뢰성의 요구가 높은 용도에 있어서는, 에폭시 수지 등의 열경화성 접착제 등을 사용하지 않는 2층 CCL이 출시되고 있다.Since the said 3-layer CCL uses epoxy resin etc. as an adhesive bond layer, there exists a problem in heat resistance. Specifically, problems are likely to occur in a process requiring high temperature processing, such as a process of bonding an electrode on an FPC wiring, a monitor panel substrate, a rigid substrate, a semiconductor chip, etc. using a solder or a heat tool. In addition, the three-layer CCL has a problem in mounting to a high-end electronic device in view of the fact that the thickness of the adhesive layer is added compared to the two-layer CCL, dimensional control due to the difference in thermal expansion coefficient between dissimilar materials, and furthermore, in terms of dielectric properties. have. Therefore, two-layer CCL which does not use thermosetting adhesives, such as an epoxy resin, etc. is marketed especially in the use which has high heat resistance and reliability requirements.
따라서, 최근의 휴대 단말기 기기의 모델의 다양화에 따라 여기에 사용되는 FPC의 사용 형태도 변화되고 있다. 종래의 휴대 전화에서 볼 수 있는 힌지 굴곡부나 슬라이드 굴곡부와 같은 굴곡 반경이 일정량 확보되는 사용 형태와는 달리, 얇은 광체에 수납하기 위해 접음선을 넣어 절곡되는 보다 엄격한 내절곡성이 요구되게 되었다. 이하, 본 명세서에서는, FPC의 상면측이 대략 180도 반전하여 하면측이 되도록 절곡되는 것을 「폴딩」이라 부르는 경우가 있다.Therefore, with the recent diversification of models of portable terminal devices, the form of use of the FPC used therein also changes. Unlike use forms in which a certain amount of bending radius, such as a hinge bend or a slide bend, can be secured in a conventional mobile phone, a more stringent bending resistance is required to be folded by folding a fold line for storing in a thin ore body. Hereinafter, in this specification, what is bent so that the upper surface side of an FPC may be inverted by about 180 degrees and becomes a lower surface side may be called "folding."
이러한 용도로의 적용을 의도한 것으로서, 특허문헌 1에서는 높은 굴곡성을 나타내고, 치수 안정성이 우수한 고굴곡성 플렉시블 회로 기판이 제안되어 있다. 그러나, 특허문헌 1의 발명은, 폴리이미드 베이스 필름 상에 접착제층을 통해 금속 배선 패턴이 형성된 것이며, 비교적 낮은 탄성률 범위의 폴리이미드를 베이스 기재로 하는 것이다. 또한, 접착제층을 필요로 하는 것이기 때문에, 폴리이미드만에 의한 2층 CCL의 내열성 등의 특성을 충분히 살릴 수 없는 것이었다.As intended for such use, Patent Document 1 proposes a highly flexible flexible circuit board that exhibits high flexibility and is excellent in dimensional stability. However, the invention of patent document 1 forms a metal wiring pattern on the polyimide base film through the adhesive bond layer, and uses the polyimide of a comparatively low elasticity modulus range as a base base material. Moreover, since an adhesive bond layer was needed, it was not able to fully utilize the characteristics, such as heat resistance of two-layer CCL only by polyimide.
또한, 특허문헌 2에서는, 전자 기기 내에 절곡한 상태로 사용되는 회로 기판에 적합한 폴리이미드 금속 적층체가 제안되어 있다. 그러나, 여기에 개시된 폴리이미드 금속 적층체는, 폴리이미드층을 구성하는 비열가소성 폴리이미드 필름의 탄성률에 주목하지만, 함께 사용되는 동박측의 탄성률에 대해서는 주목하지 않고, 폴딩 내성도 1회 정도밖에 보이지 않기 때문에 실용적으로도 불충분한 것이었다.Moreover, in patent document 2, the polyimide metal laminated body suitable for the circuit board used by the state bent in the electronic device is proposed. However, although the polyimide metal laminated body disclosed here pays attention to the elasticity modulus of the non-thermoplastic polyimide film which comprises a polyimide layer, it does not pay attention to the elasticity modulus on the copper foil side used together, and shows only one folding resistance. It wasn't practical enough.
또한, FPC의 설계에 있어서, 접합선 기판과의 임피던스 정합의 관점에서, 플렉시블 동장 적층판의 절연층인 폴리이미드층의 두께가 두꺼우면 배선을 굵게 할 수 있다. 즉, 배선 가공은 용이한 반면, 얇은 또는 좁은 광체에 수납하고자 하는 경우, 기판의 반발력이 영향을 줘서 절첩하기 어려워 FPC의 취급상의 문제가 있다. 한편, 폴리이미드층의 두께가 얇으면, 마찬가지로 임피던스 정합의 관점에서 배선을 가늘게 할 필요가 있다. 즉, 배선 가공성의 난이도가 높아지는 반면, 저반발이기 때문에 얇은 또는 좁은 광체로의 수납이 비교적 용이하고, FPC의 취급성이 양호하다.In the design of the FPC, the wiring can be thickened if the thickness of the polyimide layer, which is an insulating layer of the flexible copper clad laminate, is thick, from the viewpoint of impedance matching with the bonded line substrate. That is, while wiring is easy, when it is intended to be housed in a thin or narrow body, the repulsive force of the substrate is influenced, making it difficult to fold, which causes problems in handling of the FPC. On the other hand, when the thickness of a polyimide layer is thin, it is necessary to thin a wiring similarly from a impedance matching viewpoint. That is, while the difficulty of wiring workability increases, storage of a thin or narrow body is relatively easy because of low repulsion, and the handleability of the FPC is good.
본 발명은, 얇은 또는 좁은 전자 기기의 광체 내에 사용한 경우에도, 배선 회로의 단선이나 균열을 방지할 수 있는 우수한 내절곡성을 갖는 FPC를 부여하는 플렉시블 동장 적층판을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a flexible copper clad laminate that provides an FPC having excellent bending resistance that can prevent disconnection or cracking of a wiring circuit even when used in an optical body of a thin or narrow electronic device.
본 발명자들은 예의 검토한 결과, 동박 및 폴리이미드 필름의 특성을 최적화함과 함께, 플렉시블 동장 적층판을 배선 회로 가공한 배선 회로 기판의 특성에 주목함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 플렉시블 동장 적층판을 제공할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining, it is providing the flexible copper clad laminated board which can solve the said subject by optimizing the characteristic of copper foil and a polyimide film, and paying attention to the characteristic of the wiring circuit board which wire-processed the flexible copper clad laminated board. It has been found that the present invention can be completed.
즉, 본 발명의 플렉시블 동장 적층판은 전자 기기의 광체 내에 절첩하여 수납되는 플렉시블 회로 기판에 이용되는 플렉시블 동장 적층판으로서,In other words, the flexible copper clad laminate of the present invention is a flexible copper clad laminate used for a flexible circuit board that is folded and housed in an optical body of an electronic device.
두께 5 내지 30 ㎛의 범위 내, 인장 탄성률 4 내지 10 GPa의 범위 내인 폴리이미드층 (A)와,Polyimide layer (A) in the range of 5-30 micrometers in thickness, and the range of tensile elasticity modulus 4-10 GPa,
상기 폴리이미드층 (A)의 적어도 한쪽면에 적층된 두께 6 내지 20 ㎛의 범위 내, 인장 탄성률 25 내지 35 GPa의 범위 내의 동박 (B)를 갖고 있고,It has copper foil (B) in the range of the tensile elasticity modulus 25-35 GPa in the range of 6-20 micrometers in thickness laminated | stacked on at least one surface of the said polyimide layer (A),
상기 폴리이미드층 (A)와 접하는 측의 면의 동박 (B)의 십점 평균 거칠기(Rz)가 0.7 내지 2.2 ㎛의 범위 내이고, 상기 동박 (B)를 배선 회로 가공하여 구리 배선을 형성한 임의의 플렉시블 회로 기판의 갭 0.3 mm에서의 절곡 시험에서의, 하기 식 (I)에 의해 계산되는 접힘성 계수 [PF]가 0.96±0.025의 범위 내에 있는 것을 특징으로 한다.The ten point average roughness Rz of the copper foil (B) of the surface which contact | connects the said polyimide layer (A) exists in the range of 0.7-2.2 micrometers, and the said copper foil (B) was circuit-processed, and the copper wiring was formed arbitrarily The folding coefficient [PF] calculated by the following formula (I) in the bending test at a gap of 0.3 mm of the flexible circuit board is in the range of 0.96 ± 0.025.
[식 (I)에 있어서, |ε|은 구리 배선의 굴곡 평균 왜곡값의 절대값이고, εC는 구리 배선의 인장 탄성 한계 왜곡임][Equation (I), | ε | is the absolute value of the bending average distortion value of the copper wiring, and ε C is the tensile elastic limit distortion of the copper wiring.
본 발명의 플렉시블 동장 적층판은, 폴리이미드층 (A)가 열팽창 계수 30×10-6/K 미만의 저열팽창성의 폴리이미드층 (i)과 열팽창 계수 30×10-6/K 이상의 고열팽창성의 폴리이미드층 (ii)를 포함하며, 고열팽창성의 폴리이미드층 (ii)가 직접 동박 (B)와 접하고 있는 것이 바람직하다.A flexible copper clad laminate of the present invention, the polyimide layer (A) has a thermal expansion coefficient 30 × 10 -6 / K is less than the low thermal expansion of the polyimide layer (i) and the thermal expansion coefficient 30 × 10 -6 / K or more high thermal expansion properties of the polyimide It is preferable that a mid layer (ii) is included and the high thermally expandable polyimide layer (ii) is in direct contact with the copper foil (B).
또한, 본 발명의 플렉시블 동장 적층판은 상기 폴리이미드층 (A)의 두께가 8 내지 15 ㎛의 범위 내이고, 인장 탄성률이 6 내지 10 GPa의 범위 내인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the thickness of the said polyimide layer (A) exists in the range of 8-15 micrometers, and the tensile elasticity modulus of the flexible copper clad laminated board of this invention exists in the range of 6-10 GPa.
또한, 본 발명의 플렉시블 동장 적층판은 폴리이미드층 (A)와 동박 (B)의 두께비[폴리이미드층 (A)/동박 (B)]가 0.9 내지 1.1의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the thickness ratio (polyimide layer (A) / copper foil (B)) of a polyimide layer (A) and copper foil (B) exists in the range of 0.9-1.1 in the flexible copper clad laminated board of this invention.
또한, 본 발명의 플렉시블 동장 적층판은 상기 동박 (B)가 전해 동박인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said copper foil (B) is an electrolytic copper foil in the flexible copper clad laminated board of this invention.
본 발명의 플렉시블 동장 적층판은 배선 기판에 요구되는 높은 내절곡성을 발현할 수 있기 때문에, 전자 기기 내에 절곡된 상태에서의 접속 신뢰성이 우수한 플렉시블 회로 기판용 재료를 제공할 수 있다. 따라서, 본 발명의 플렉시블 동장 적층판은, 특히 스마트폰 등의 소형 액정 주위의 절곡 부분 등의 내절곡성이 요구되는 전자 부품에 바람직하게 이용된다.Since the flexible copper clad laminated board of this invention can express the high bending resistance calculated | required by a wiring board, it can provide the flexible circuit board material excellent in the connection reliability in the state bent in an electronic device. Therefore, especially the flexible copper clad laminated board of this invention is used suitably for the electronic component which requires bending resistance, such as a bending part around small liquid crystals, such as a smartphone.
[도 1] 본 발명의 플렉시블 동장 적층판의 동박을 배선 회로 가공하여 얻은 플렉시블 회로 기판의 중요 부분을 나타내는 사시 설명도이다.
[도 2] 실시예에서 이용한 시험 회로 기판편의 구리 배선의 모습을 나타내는 평면 설명도이다.
[도 3] 절곡 시험에서의 시료 스테이지와 시험 회로 기판편의 모습을 나타내는 측면 설명도이다(시료 스테이지 상에 시험 회로 기판편을 고정한 상태도).
[도 4] 절곡 시험에서의 시료 스테이지와 시험 회로 기판편의 모습을 나타내는 측면 설명도이다(시험 회로 기판편의 절곡 개소를 롤러로 누르기 직전의 상태도).
[도 5] 절곡 시험에서의 시료 스테이지와 시험 회로 기판편의 모습을 나타내는 측면 설명도이다(시험 회로 기판편의 절곡 개소를 롤러로 누른 상태도).
[도 6] 절곡 시험에서의 시료 스테이지와 시험 회로 기판편의 모습을 나타내는 측면 설명도이다(절곡 개소를 펴서 시험편을 평평한 상태로 되돌린 상태도).
[도 7] 절곡 시험에서의 시료 스테이지와 시험 회로 기판편의 모습을 나타내는 측면 설명도이다(절곡 개소의 접음선 부분을 롤러로 눌러서 고르게 한 상태도).
[도 8] 플렉시블 회로 기판의 단면 설명도(일부)이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective explanatory drawing which shows the important part of the flexible circuit board obtained by carrying out the wiring circuit process of the copper foil of the flexible copper clad laminated board of this invention.
FIG. 2 is a plan explanatory diagram showing a state of copper wiring of a test circuit board piece used in the Example. FIG.
It is a side explanatory drawing which shows the state of a sample stage and a test circuit board piece in a bending test (state figure which fixed the test circuit board piece on the sample stage).
Fig. 4 is a side explanatory diagram showing a state of a sample stage and a test circuit board piece in the bending test (state diagram immediately before pressing a bending point of the test circuit board piece with a roller).
FIG. 5: is a side explanatory drawing which shows the state of a sample stage and a test circuit board piece in a bending test (FIG. State which pressed the bending part of a test circuit board piece with a roller). FIG.
It is a side explanatory drawing which shows the state of a sample stage and a test circuit board piece in a bending test (the state figure which extended | folded the bending point and returned the test piece to the flat state).
The side explanatory drawing which shows the state of the sample stage and test circuit board piece in a bending test (the state figure which pressed the fold line part of a bending point with a roller, and was even).
8 is an explanatory diagram (partly) of a cross section of a flexible circuit board.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 본 실시 형태의 플렉시블 동장 적층판은, 폴리이미드층 (A)와 동박 (B)로 구성된다. 동박 (B)는 폴리이미드층 (A)의 편면 또는 양면에 설치되어 있으며, 전해 동박이 바람직하다. 이 플렉시블 동장 적층판은, 동박을 에칭 등을 행하여 배선 회로 가공하여 구리 배선을 형성하여, 전자 기기의 광체 내에 절첩하여 수납되는 FPC에 사용된다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described. The flexible copper clad laminated board of this embodiment is comprised from a polyimide layer (A) and copper foil (B). The copper foil (B) is provided on one side or both sides of the polyimide layer (A), and an electrolytic copper foil is preferable. This flexible copper clad laminated board is used for FPC which etches copper foil, etc., performs wiring circuit processing, forms copper wiring, and is folded and accommodated in the housing of an electronic device.
<폴리이미드층><Polyimide layer>
본 실시 형태의 플렉시블 동장 적층판에 있어서는, 폴리이미드층 (A)의 두께는 5 내지 30 ㎛의 범위 내이며, 8 내지 15 ㎛의 범위 내에 있는 것이 바람직하고, 9 내지 12 ㎛의 범위 내에 있는 것이 특히 바람직하다. 폴리이미드층 (A)의 두께가 30 ㎛를 초과하면, FPC를 절곡했을 때에 구리 배선에 의해 큰 굽힘 응력이 가해지게 되어, 그의 내절곡성을 현저히 저하시킨다.In the flexible copper clad laminate of the present embodiment, the thickness of the polyimide layer (A) is in the range of 5 to 30 µm, preferably in the range of 8 to 15 µm, and particularly in the range of 9 to 12 µm. desirable. When the thickness of the polyimide layer (A) exceeds 30 µm, large bending stress is applied by the copper wiring when the FPC is bent, thereby significantly reducing the bending resistance.
또한, 폴리이미드층 (A)의 인장 탄성률은 4 내지 10 GPa의 범위 내이며, 바람직하게는 6 내지 10 GPa의 범위 내일 수 있다. 폴리이미드층 (A)의 인장 탄성률이 4 GPa를 만족하지 않으면 폴리이미드 자체의 강도가 저하됨으로써, 플렉시블 동장 적층판을 회로 기판으로 가공할 때에 필름의 찢어짐 등의 취급상의 문제가 발생하는 경우가 있다. 반대로 폴리이미드층 (A)의 인장 탄성률이 10 GPa를 초과하면, 플렉시블 동장 적층판의 절곡에 대한 강성이 상승하는 결과, FPC를 절곡했을 때에 구리 배선에 가해지는 굽힘 응력이 상승하여, 내절곡성이 저하된다.The tensile modulus of the polyimide layer (A) is in the range of 4 to 10 GPa, and preferably in the range of 6 to 10 GPa. When the tensile elasticity modulus of a polyimide layer (A) does not satisfy 4 GPa, the intensity | strength of polyimide itself falls, and when handling a flexible copper clad laminated board with a circuit board, handling problems, such as a tearing of a film, may arise. On the contrary, when the tensile modulus of elasticity of the polyimide layer (A) exceeds 10 GPa, the rigidity against bending of the flexible copper clad laminate increases, and as a result, the bending stress applied to the copper wiring when the FPC is bent increases, and the bending resistance decreases. do.
폴리이미드층 (A)는, 시판되어 있는 폴리이미드 필름을 그대로 사용하는 것도 가능하지만, 절연층의 두께나 물성의 컨트롤 용이함 때문에, 폴리아미드산 용액을 동박 상에 직접 도포한 후, 열 처리에 의해 건조, 경화시키는 소위 캐스트(도포)법에 의한 것이 바람직하다. 또한, 폴리이미드층 (A)는, 단층만으로 형성되는 것일 수도 있지만, 폴리이미드층 (A)와 동박 (B)의 접착성 등을 고려하면 복수층으로 이루어지는 것이 바람직하다. 폴리이미드층 (A)를 복수층으로 하는 경우, 상이한 구성 성분을 포함하는 폴리아미드산 용액 상에 다른 폴리아미드산 용액을 순차도포하여 형성할 수 있다. 폴리이미드층 (A)가 복수층으로 이루어지는 경우, 동일한 구성의 폴리이미드 전구체 수지를 2회 이상 사용할 수도 있다.Although the polyimide layer (A) can also use a commercially available polyimide film as it is, since it is easy to control the thickness and physical property of an insulating layer, after apply | coating a polyamic-acid solution directly on copper foil, It is preferable by the so-called cast (coating) method which dries and hardens. In addition, although the polyimide layer (A) may be formed only by a single layer, when it considers the adhesiveness of a polyimide layer (A) and copper foil (B), etc., it is preferable to consist of multiple layers. When making multiple layers of polyimide layer (A), it can form by forming another polyamic-acid solution sequentially on the polyamic-acid solution containing a different structural component. When a polyimide layer (A) consists of multiple layers, polyimide precursor resin of the same structure can also be used 2 or more times.
폴리이미드층 (A)에 대하여 보다 상세하게 설명한다. 상술한 바와 같이, 폴리이미드층 (A)는 복수층으로 하는 것이 바람직하지만, 그의 구체예로서는 폴리이미드층 (A)를 열팽창 계수 30×10-6/K 미만의 저열팽창성의 폴리이미드층 (i)과, 열팽창 계수 30×10-6/K 이상의 고열팽창성의 폴리이미드층 (ii)를 포함하는 적층 구조로 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 폴리이미드층 (A)는 저열팽창성의 폴리이미드층 (i) 중 적어도 한쪽, 바람직하게는 그의 양측에 고열팽창성의 폴리이미드층 (ii)를 갖는 적층 구조로 하여, 고열팽창성의 폴리이미드층 (ii)가 직접 동박 (B)와 접하도록 하는 것이 바람직하다. 여기서,「저열팽창성의 폴리이미드층 (i)」란, 열팽창 계수 30×10-6/K 미만, 바람직하게는 1×10-6 내지 25×10-6/K의 범위 내, 특히 바람직하게는 3×10-6 내지 20×10-6/K의 범위 내인 폴리이미드층을 말한다. 또한, 「고열팽창성의 폴리이미드층 (ii)」란, 열팽창 계수 30×10-6/K 이상의 폴리이미드층을 말하고, 바람직하게는 30×10-6 내지 80×10-6/K의 범위 내, 특히 바람직하게는 30×10-6 내지 70×10-6/K의 범위 내인 폴리이미드층을 말한다. 이러한 폴리이미드층은, 사용하는 원료의 조합, 두께, 건조ㆍ경화 조건을 적절하게변경함으로써 원하는 열팽창 계수를 갖는 폴리이미드층으로 할 수 있다.A polyimide layer (A) is demonstrated in more detail. As mentioned above, although it is preferable to make a polyimide layer (A) into multiple layers, as a specific example, the polyimide layer (A) has a low thermal expansion polyimide layer (i) of less than 30x10 <-6> / K of a thermal expansion coefficient. And it is preferable to set it as the laminated structure containing the polyimide layer (ii) of thermal expansion coefficient 30 * 10 <-6> / K or more high thermal expansion. More preferably, the polyimide layer (A) is a laminated structure having a high thermally expandable polyimide layer (ii) on at least one of the low thermally expandable polyimide layers (i), preferably both sides thereof, It is preferable that the polyimide layer (ii) is in direct contact with the copper foil (B). Here, "a polyimide layer (i) of low thermal expansion" refers to the thermal expansion coefficient 30 × 10 -6 / K, preferably less than 1 × 10 -6 to 25 × 10 -6 / K is the inside, and particularly preferably in the range The polyimide layer in the range of 3x10 -6 to 20x10 -6 / K is mentioned. In addition, "high thermally expandable polyimide layer (ii)" means the polyimide layer of 30 * 10 <-6> / K or more of thermal expansion coefficient, Preferably it is in the range of 30 * 10 <-6> -80 * 10 <-6> / K. , most preferably it refers to a polyimide layer in a range of 30 × 10 -6 to 70 × 10 -6 / K. Such a polyimide layer can be made into the polyimide layer which has a desired thermal expansion coefficient by changing suitably the combination of the raw material to be used, thickness, and drying and hardening conditions.
상기 폴리이미드층 (A)를 제공하는 폴리아미드산 용액은, 공지된 디아민과 산 무수물을 용매의 존재하에 중합하여 제조할 수 있다. 이 때, 중합되는 수지 점도는 예를 들면 500cps 이상 35,000cps 이하의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.The polyamic acid solution which provides the said polyimide layer (A) can be manufactured by superposing | polymerizing well-known diamine and acid anhydride in presence of a solvent. At this time, it is preferable to make the resin viscosity superposed | polymerized into the range of 500 cps or more and 35,000 cps or less, for example.
폴리이미드의 원료로서 이용되는 디아민으로서는, 예를 들면 4,6-디메틸-m-페닐렌디아민, 2,5-디메틸-p-페닐렌디아민, 2,4-디아미노메시틸렌, 4,4'-메틸렌디- o-톨루이딘, 4,4'-메틸렌디-2,6-크실리딘, 4,4'-메틸렌-2,6-디에틸아닐린, 2,4-톨루엔디아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐프로판, 3,3'-디아미노디페닐프로판, 4,4'-디아미노디페닐에탄, 3,3'-디아미노디페닐에탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 3,3'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3-디아미노디페닐에테르, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 벤지딘, 3,3'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메톡시벤지딘, 4,4'-디아미노-p-터페닐, 3,3'-디아미노-p-터페닐, 비스(p-아미노시클로헥실)메탄, 비스(p-β-아미노-t-부틸페닐)에테르, 비스(p-β-메틸-δ-아미노펜틸)벤젠, p-비스(2-메틸-4-아미노펜틸)벤젠, p-비스(1,1-디메틸-5-아미노펜틸)벤젠, 1,5-디아미노나프탈렌, 2,6-디아미노나프탈렌, 2,4-비스(β-아미노-t-부틸)톨루엔, 2,4-디아미노톨루엔, m-크실렌-2,5-디아민, p-크실렌-2,5-디아민, m-크실릴렌디아민, p-크실릴렌디아민, 2,6-디아미노피리딘, 2,5-디아미노피리딘, 2,5-디아미노-1,3,4-옥사디아졸, 피페라진, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,7-디아미노디벤조푸란, 1,5-디아미노플루오렌, 디벤조-p-디옥신-2,7-디아민, 4,4'-디아미노벤질 등을 들 수 있다.As a diamine used as a raw material of a polyimide, it is 4, 6- dimethyl- m-phenylenediamine, 2, 5- dimethyl- p-phenylenediamine, 2, 4- diamino methylene, 4, 4 ', for example. -Methylenedi-o-toluidine, 4,4'-methylenedi-2,6-xyldine, 4,4'-methylene-2,6-diethylaniline, 2,4-toluenediamine, m-phenylene Diamine, p-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenylethane, 3,3'-diaminodiphenyl Ethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 4,4'-diamino Diphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3-diaminodiphenylether, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) Benzene, benzidine, 3,3'-diaminobiphenyl, 3 , 3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, 4,4'-diamino-p-terphenyl, 3,3'-diamino-p-terphenyl , Bis (p-aminocyclohexyl) methane, bis (p-β-amino-t-butylphenyl) ether, bis (p-β-methyl-δ-aminopentyl) benzene, p-bis (2-methyl-4 -Aminopentyl) benzene, p-bis (1,1-dimethyl-5-aminopentyl) benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,4-bis (β-amino-t -Butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, 2,6 -Diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, piperazine, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,7-diaminodibenzofuran, 1,5-diaminofluorene, dibenzo-p-dioxin-2,7-diamine, 4,4'- diaminobenzyl, etc. are mentioned.
또한, 폴리이미드의 원료로서 이용되는 산 무수물로서는, 예를 들면 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 4,8-디메틸-1,2,3,5,6,7-헥사히드로나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 4,8-디메틸-1,2,3,5,6,7-헥사히드로나프탈렌-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 2,6-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 2,7-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-테트라클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 1,4,5,8-테트라클로로나프탈렌-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3",4,4"-p-터페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2",3,3"-p-터페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,3,3",4"-p-터페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)-프로판 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-프로판 이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)에테르 이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐) 메탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)술폰 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 이무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 페릴렌-2,3,8,9-테트라카르복실산 이무수물, 페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실산 이무수물, 페릴렌-4,5,10,11-테트라카르복실산 이무수물, 페릴렌-5,6,11,12-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,7,8-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,9,10-테트라카르복실산 이무수물, 시클로펜탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 피라진-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 피롤리딘-2,3,4,5-테트라카르복실산 이무수물, 티오펜-2,3,4,5-테트라카르복실산 이무수물, 4,4'-옥시디프탈산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물 등을 들 수 있다.Moreover, as an acid anhydride used as a raw material of a polyimide, a pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'- benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3 ' -Benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ', 4'- benzophenone tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1, 2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 4,8 -Dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6, 7-hexahydronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,7-dichloronaphthalene- 1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-tetrachloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8- rim Lachloronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-biphenyl Tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ", 4,4" -p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ", 3,3" -p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ", 4" -p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (2,3-di Carboxyphenyl) -propane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl ) Methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1,1 -Bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, perylene-2,3,8,9-tetracarboxylic dianhydride , Reylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride, perylene-4,5,10,11-tetracarboxylic dianhydride, perylene-5,6,11,12-tetracarboxylic acid Dianhydrides, phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,9,10- Tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3, 4,5-tetracarboxylic dianhydride, thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalene tetra Carboxylic acid dianhydride etc. are mentioned.
상기 디아민 및 산 무수물은 각각 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 또한, 중합에 사용되는 용매는 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리디논, 2-부타논, 디글라임, 크실렌 등을 들 수 있고, 1종 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수도 있다.Only 1 type may be used for the said diamine and acid anhydride, respectively, and it may use 2 or more types together. Moreover, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidinone, 2-butanone, diglyme, xylene etc. are mentioned as a solvent used for superposition | polymerization, It can also be used 1 type or in combination or 2 or more types.
본 실시 형태에서, 열팽창 계수 30×10-6/K 미만의 저열팽창성의 폴리이미드층 (i)로 하기 위해서는, 원료의 산 무수물 성분으로서 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물을, 디아민 성분으로서는 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2-메톡시-4,4'-디아미노벤즈아닐리드를 이용하는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 피로멜리트산 이무수물 및 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐을 원료 각 성분의 주성분으로 하는 것이 바람직하다.In the present embodiment, pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4' is used as the acid anhydride component of the raw material in order to obtain a low thermally expandable polyimide layer (i) having a thermal expansion coefficient of less than 30 x 10 -6 / K. It is preferable to use 2,2'- dimethyl-4,4'- diamino biphenyl and 2-methoxy-4,4'- diamino benzanilide as a diamine component for -biphenyl tetracarboxylic dianhydride, In particular, pyromellitic dianhydride and 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl are particularly preferred as main components of the raw materials.
또한, 열팽창 계수 30×10-6/K 이상의 고열팽창성의 폴리이미드층 (ii)로 하기 위해서는, 원료의 산 무수물 성분으로서 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물을, 디아민 성분으로서는 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠을 이용하는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 피로멜리트산 이무수물 및 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판을 원료 각 성분의 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 이와 같이 하여 얻어지는 고열팽창성의 폴리이미드층 (ii)의 바람직한 유리 전이 온도는, 300 내지 400℃의 범위 내이다.In addition, in order to make a high thermal expansion polyimide layer (ii) of 30 * 10 <-6> / K or more of thermal expansion coefficient, a pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyl tetra as an acid anhydride component of a raw material Carboxylic acid dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'- diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride is 2 as a diamine component. Preference is given to using, 2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, and in particular Preferably, pyromellitic dianhydride and 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane are preferred as main components of the raw materials. In addition, the preferable glass transition temperature of the high thermal expansion polyimide layer (ii) obtained in this way exists in the range of 300-400 degreeC.
또한, 폴리이미드층 (A)를 저열팽창성의 폴리이미드층 (i)과 고열팽창성의 폴리이미드층 (ii)의 적층 구조로 한 경우, 바람직하게는 저열팽창성의 폴리이미드층 (i)과 고열팽창성의 폴리이미드층 (ii)의 두께비(저열팽창성의 폴리이미드층 (i)/고열팽창성의 폴리이미드층 (ii))가 2 내지 15의 범위 내인 것이 바람직하다. 이 비의 값이 2를 만족하지 않으면 폴리이미드층 전체에 대한 저열팽창성 폴리이미드층이 얇아지기 때문에, 폴리이미드 필름의 치수 특성의 제어가 곤란해지고, 동박을 에칭했을 때의 치수 변화율이 커지며, 15를 초과하면 고열팽창성 폴리이미드층이 얇아지기 때문에, 폴리이미드 필름과 동박의 접착 신뢰성이 저하된다. 또한, 폴리이미드층 (A)가 복수층으로 이루어지는 경우에도, 상기 접힘성 계수 [PF]의 산출에 있어서는 폴리이미드층 (A) 전체의 두께, 탄성률을 이용할 수 있다.When the polyimide layer (A) is a laminated structure of the low thermally expandable polyimide layer (i) and the high thermally expandable polyimide layer (ii), preferably the low thermally expandable polyimide layer (i) and the high thermal expandability It is preferable that the thickness ratio (low thermally expandable polyimide layer (i) / high thermally expandable polyimide layer (ii)) of the polyimide layer (ii) in the range of 2-15. When the value of this ratio does not satisfy 2, since the low thermally expandable polyimide layer with respect to the whole polyimide layer becomes thin, it becomes difficult to control the dimensional characteristics of a polyimide film, and the rate of dimensional change at the time of etching copper foil becomes large, 15 If it exceeds, since a high thermally expansible polyimide layer becomes thin, the adhesive reliability of a polyimide film and copper foil will fall. In addition, even when a polyimide layer (A) consists of multiple layers, in the calculation of the said foldability coefficient [PF], the thickness and the elasticity modulus of the whole polyimide layer (A) can be used.
<동박><Copper foil>
본 실시 형태의 플렉시블 동장 적층판에서 동박 (B)의 두께는 6 내지 20 ㎛의 범위 내이고, 8 내지 15 ㎛의 범위 내가 바람직하다. 동박 (B)의 두께가 6 ㎛를 만족하지 않으면, 플렉시블 동장 적층판의 제조시, 예를 들면 동박 상에 폴리이미드층을 형성하는 공정에서 동박 자체의 강성이 저하되고, 그 결과 플렉시블 동장 적층판 상에 주름 등이 발생한다는 문제가 있다. 또한, 동박 (B)의 두께가 20 ㎛를 초과하면, FPC를 절곡했을 때의 구리 배선에 가해지는 굽힘 응력이 커짐으로써, 내절곡성이 저하되게 된다.In the flexible copper clad laminated board of this embodiment, the thickness of copper foil (B) exists in the range of 6-20 micrometers, and the inside of the range of 8-15 micrometers is preferable. If the thickness of copper foil (B) does not satisfy 6 micrometers, the rigidity of copper foil itself will fall at the time of manufacture of a flexible copper clad laminated board, for example in the process of forming a polyimide layer on copper foil, and as a result, on a flexible copper clad laminated board There is a problem that wrinkles and the like occur. Moreover, when the thickness of copper foil (B) exceeds 20 micrometers, bending stress applied to the copper wiring at the time of bending FPC will become large, and bending resistance will fall.
또한, 본 실시 형태에서는 폴리이미드층 (A)와 동박 (B)의 두께비[폴리이미드층 (A)/동박 (B)]가 0.9 내지 1.1의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 이 두께비가 0.9 미만 또는 1.1보다 커지면, 절곡시에 소성 변형된 부분이 늘려질 때의 최대 인장 왜곡이 커짐으로써, 내절곡성이 저하되게 된다.Moreover, in this embodiment, it is preferable that the thickness ratio (polyimide layer (A) / copper foil (B)) of a polyimide layer (A) and copper foil (B) exists in the range of 0.9-1.1. When the thickness ratio is less than 0.9 or larger than 1.1, the maximum tensile distortion when the plastically deformed portion is increased at the time of bending becomes large, thereby reducing the bending resistance.
또한, 동박 (B)의 인장 탄성률에 대해서는 25 내지 35 GPa의 범위 내이다. 동박 (B)의 인장 탄성률이 25 GPa를 만족하지 않으면, 플렉시블 동장 적층판의 제조시, 예를 들면 동박 상에 폴리이미드층을 형성하는 공정에서 동박 자체의 가열 조건 등이 영향을 주어 강성이 저하된다. 그 결과, 플렉시블 동장 적층판 상에 주름 등이 발생한다는 문제가 있다. 한편, 인장 탄성률이 35 GPa를 초과하면, FPC를 절곡했을 때에 구리 배선에 의해 큰 굽힘 응력이 가해지게 되어, 그의 내절곡성이 현저하게 저하된다.Moreover, it is in the range of 25-35 GPa about the tensile elasticity modulus of copper foil (B). If the tensile elasticity modulus of copper foil (B) does not satisfy 25 GPa, heating conditions of copper foil itself will be influenced at the time of manufacturing a flexible copper clad laminated board, for example in the process of forming a polyimide layer on copper foil, and rigidity will fall. . As a result, there exists a problem that wrinkles etc. generate | occur | produce on a flexible copper clad laminated board. On the other hand, when the tensile elasticity modulus exceeds 35 GPa, when bending FPC, a big bending stress is added by copper wiring, and the bending resistance falls remarkably.
동박 (B)의 표면은 조화 처리되어 있을 수도 있으며, 폴리이미드층 (A)와 접하는 동박 표면의 표면 거칠기(십점 평균 거칠기; Rz)는 0.7 내지 2.2 ㎛의 범위 내이고, 0.8 내지 1.6 ㎛의 범위 내가 바람직하다. 동박 (B)의 표면 거칠기(Rz) 값이 0.7 ㎛를 만족하지 않으면 폴리이미드 필름과의 접착 신뢰성의 보장이 곤란해지고, 2.2 ㎛를 초과하면 FPC를 반복하여 절곡했을 때에 그의 조화 입자의 요철이 균열 발생의 기점이 되기 쉽다. 그 결과, FPC의 내절곡성을 저하시키게 된다. 또한, 표면 거칠기 Rz는 JIS B0601의 규정에 준하여 측정되는 값이다.The surface of copper foil (B) may be roughened, and the surface roughness (ten point average roughness; Rz) of the copper foil surface which contact | connects a polyimide layer (A) exists in the range of 0.7-2.2 micrometers, and is the range of 0.8-1.6 micrometers I prefer If the surface roughness (Rz) value of the copper foil (B) does not satisfy 0.7 μm, it is difficult to ensure the adhesion reliability with the polyimide film. If the surface roughness exceeds 2.2 μm, irregularities of the roughened particles are cracked when the FPC is repeatedly bent. It is likely to be a starting point of occurrence. As a result, the bending resistance of the FPC is lowered. In addition, surface roughness Rz is a value measured based on the provision of JISB0601.
본 실시 형태의 플렉시블 동장 적층판에 사용하는 동박은 상기 특성을 충족하는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 전해 동박일 수도 압연 동박일 수도 있지만, 얇은 동박을 사용하는 경우의 제조 용이함이나 가격의 관점에서 전해 동박을 사용하는 것이 바람직하다. 전해 동박으로서는 시판품을 사용 가능하며, 그의 구체예로서는 후루카와 덴끼 고교 가부시끼가이샤 제조 WS박, 닛본 덴까이 가부시끼가이샤 제조 HL박, 미쯔이 긴조꾸 고교 가부시끼가이샤 제조 HTE박 등을 들 수 있다. 또한, 이들 시판품을 포함하여 그 이외의 것을 사용한 경우에도, 상술한 동박 상에 폴리이미드층 (A)를 형성할 때의 열 처리 조건 등에 따라 동박 (B)의 인장 탄성률은 변화될 수 있기 때문에, 본 실시 형태에서는 결과적으로 얻어진 플렉시블 동장 적층판이 이들 소정의 범위가 되는 것이 바람직하다.The copper foil used for the flexible copper clad laminated board of this embodiment will not be specifically limited if it satisfy | fills the said characteristic, Although it may be an electrolytic copper foil or a rolled copper foil, it is an electrolytic copper foil from the viewpoint of the ease of manufacture or price when using a thin copper foil. Preference is given to using. A commercial item can be used as an electrolytic copper foil, As a specific example, the WS foil manufactured by Furukawa Denki Kogyo Co., Ltd., HL foil by Nippon Denkai Co., Ltd., HL foil, Mitsui Ginzo Kogyo Co., Ltd. HTE foil, etc. are mentioned. Moreover, even when using these other than that including these commercial items, since the tensile elasticity modulus of copper foil (B) may change with heat processing conditions at the time of forming a polyimide layer (A) on copper foil mentioned above, In this embodiment, it is preferable that the resultant flexible copper clad laminated board becomes these predetermined ranges.
본 실시 형태의 플렉시블 동장 적층판은, 예를 들면 동박 표면에 폴리이미드 전구체 수지 용액(폴리아미드산 용액이라고도 함)을 도공하고, 이어서 건조, 경화시키는 열 처리 공정을 거쳐서 제조할 수 있다. 열 처리 공정에서의 열 처리 조건은, 도공된 폴리아미드산 용액을 160℃ 미만의 온도에서 폴리아미드산 용액 중의 용매를 건조 제거한 후, 130℃ 내지 400℃의 온도 범위 내에서 단계적으로 승온하고, 경화시킴으로써 행해진다. 이와 같이 하여 얻어진 편면 플렉시블 동장 적층판을 양면 동장 적층판으로 하기 위해서는, 상기 편면 플렉시블 동장 적층판과, 이것과는 별도로 준비한 동박을 300 내지 400℃의 범위 내의 온도에서 열 압착하는 방법을 들 수 있다.The flexible copper clad laminated board of this embodiment can be manufactured through the heat processing process which coats a polyimide precursor resin solution (also called polyamic acid solution) on the copper foil surface, and then dries and hardens | cures it, for example. The heat treatment conditions in the heat treatment step, after drying the solvent in the polyamic acid solution of the coated polyamic acid solution at a temperature of less than 160 ℃, stepped up in a temperature range of 130 ℃ to 400 ℃, and cured By doing so. In order to make the single-sided flexible copper clad laminated board obtained in this way as a double-sided copper clad laminated board, the said single-sided flexible copper clad laminated board and the method of thermocompression bonding the copper foil prepared separately from this at the temperature within the range of 300-400 degreeC are mentioned.
<FPC><FPC>
본 실시 형태의 플렉시블 동장 적층판은, 주로 FPC 재료로서 유용하다. 즉, 본 실시 형태의 플렉시블 동장 적층판의 동박을 통상법에 의해 패턴상으로 가공하여 배선층을 형성함으로써, 본 발명의 일 실시 형태인 FPC를 제조할 수 있다.The flexible copper clad laminate of this embodiment is mainly useful as an FPC material. That is, FPC which is one Embodiment of this invention can be manufactured by processing the copper foil of the flexible copper clad laminated board of this embodiment in a pattern form by a conventional method, and forming a wiring layer.
본 발명의 플렉시블 동장 적층판은 상기 폴리이미드층 (A)와 상기 동박 (B)에 의해 구성되는데, 이 플렉시블 동장 적층판의 동박 (B)를 배선 회로 가공하여 구리 배선을 형성한 임의의 플렉시블 회로 기판의 절곡 시험(갭 0.3 mm)에서의, 하기 식 (I)에 의해 계산되는 접힘성 계수 [PF]가 0.96±0.025의 범위에 있을 필요가 있으며, 0.96±0.02의 범위에 있는 것이 바람직하고, 0.96±0.015의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다. 이 접힘성 계수 [PF]는 사용되는 동박의 일축 인장 시험으로부터 얻어지는 응력-왜곡 곡선에 의해 결정되는 값이다. 이 접힘성 계수 [PF]가 상기 범위로부터 벗어나면, 응력이 국부적(1점 또는 2점)으로 집중함으로써 내절곡성이 저하된다. 반대로, 접힘성 계수 [PF]가 상기 범위에 있으면, 응력이 적절하게 분산됨으로써 폴딩 등의 내절곡성이 향상된다. 예를 들면, 본 발명에서 전해 동박을 이용한 경우, 본 발명에서 규정하는 접힘성 계수 [PF]를 상기 범위로 하기에는, 이용되는 전해 동박의 일축 인장 시험으로부터 얻어지는 응력-왜곡 곡선에 있어서, 초기의 직선 부분의 기울기, 즉 탄성률이 29 GPa 이하, 곡률이 최대가 되는 개소의 응력값이 130 MPa 이하, 왜곡 5%에서 응력이 175 MPa 이하가 되는 동박을 이용하는 양태가 예시된다.The flexible copper clad laminate of the present invention is composed of the polyimide layer (A) and the copper foil (B), and any of the flexible circuit boards in which the copper foil (B) of the flexible copper clad laminate is subjected to wiring circuit processing to form copper wiring In the bending test (gap 0.3 mm), the foldability coefficient [PF] calculated by the following formula (I) needs to be in the range of 0.96 ± 0.025, preferably in the range of 0.96 ± 0.02, preferably 0.96 ± It is more preferable to exist in the range of 0.015. This foldability coefficient [PF] is a value determined by the stress-distortion curve obtained from the uniaxial tensile test of the copper foil used. When this foldability coefficient [PF] is out of the said range, bending resistance will fall by concentrating a stress locally (one point or two points). On the contrary, when the foldability coefficient [PF] is in the above range, the stress is appropriately dispersed to improve the bending resistance such as folding. For example, when an electrolytic copper foil is used in this invention, in order to make the foldability coefficient [PF] prescribed | regulated by this invention into the said range, an initial straight line in the stress-distortion curve obtained from the uniaxial tensile test of the electrolytic copper foil used. The aspect using the copper foil whose inclination of a part, ie, the elasticity modulus is 29 GPa or less, the point where the curvature becomes the maximum stress value is 130 MPa or less, and 5% of distortion at 5% distortion is illustrated.
식 (I)에 있어서, |ε|은 구리 배선의 굴곡 평균 왜곡값의 절대값이고, εc는 구리 배선의 인장 탄성 한계 왜곡이다.In formula (I), | ε | is the absolute value of the bending average distortion value of a copper wiring, and (epsilon) is the tensile elastic limit distortion of a copper wiring.
상기한 바와 같이, 접힘성 계수 [PF]는 구리 배선의 굴곡 평균 왜곡값 ε의 절대값 |ε|과 구리 배선의 인장 탄성 한계 왜곡 εc로 표시되며, 굴곡 평균 왜곡값 ε은 하기 식 (2)에 의해 산출된다. 이하, 접힘성 계수 [PF]에 대하여, 도 8에 도시한 1층의 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드층 (11)의 편면측에, 1층의 동박을 배선 회로 가공한 구리 배선 (12)가 설치된 회로 기판을 모델로 하여, 제1층인 폴리이미드층 (11)의 하면인 기준면 SP가 하측으로 볼록 형상(굴곡부의 외면)이 되도록 회로 기판을 굴곡시키는 경우에 대하여 설명한다. 또한, 도 8에 도시한 회로 기판은, 회로 기판의 길이 방향에 대하여 수직으로 자른 단면(즉, 횡단면) 중, 구리 배선이 존재하는 부분을 나타내는 것이다.As described above, the foldability coefficient [PF] is expressed by the absolute value | ε | of the bending average distortion value ε of the copper wiring and the tensile elastic limit distortion εc of the copper wiring, and the bending average distortion value ε is represented by the following equation (2) Calculated by Hereinafter, the
여기서, 식 (2)에 대하여, 굴곡 평균 왜곡 ε은 회로 기판의 길이 방향을 둘로 접었을 때의 단순 휨에 의해 구리 배선에 발생하는 길이 방향의 굴곡 평균 왜곡이며, 식 중의 yc는 폴리이미드층 (11)의 하면인 기준면 SP부터 구리 배선 (12)의 중앙면까지의 거리이다. 또한, 도면 부호 NP는 회로 기판의 중립면을 나타내고 있다. 여기서, 중립면 NP와 기준면 SP의 거리를 중립면 위치 [NP]로 하고, 이 중립면 위치 [NP]에 대해서는 동박의 배선 회로 가공에 의해 형성된 구리 배선과 구리 배선간에 형성되는 스페이스부에서 각각 계산한다. 중립면 위치 [NP]는, 하기 식 (3)에 의해 산출된다.Here, with respect to equation (2), the bending average distortion ε is the bending average distortion in the longitudinal direction generated in the copper wiring by simple bending when the longitudinal direction of the circuit board is folded in two, and yc in the formula is a
여기서, Ei는 회로 기판에서의 제i층(도 8에 도시한 예에서는, 제1층이 폴리이미드층 (11)이고, 제2층이 구리 배선 (12)임)을 구성하는 재료의 인장 탄성률이다. 이 탄성률 Ei는 본 실시 형태에서의 「각 층에서의 응력과 왜곡의 관계」에 대응한다. Bi는 제i층의 폭이고, 도 8에 도시한 폭 (B)(제1층의 하면에 평행하며, 회로 기판의 길이 방향에 수직인 방향의 치수)에 상당한다.Here, E i is the tension of the material constituting the i th layer in the circuit board (in the example shown in FIG. 8, the first layer is the
구리 배선의 중립면 위치 [NP]를 구하는 경우에는, Bi로서 구리 배선의 선폭 LW 값을 이용하고, 스페이스부의 중립면 위치 [NP]를 구하는 경우에는 Bi로서 구리 배선의 선간 폭 SW 값을 이용한다. hi는, 제i층의 중앙면과 기준면 SP의 거리이다. 또한, 제i층의 중앙면이란, 제i층의 두께 방향의 중앙에 위치하는 가상의 면이다. ti는 제i층의 두께이다. 또한, 부호 은, i가 1부터 n까지의 총 합계를 나타낸다. 또한, 구리 배선에서의 중립면 위치에 대해서는 [NP]Line으로 표기한다.In the case of obtaining the neutral plane position [NP] of the copper wiring, the line width LW value of the copper wiring is used as B i , and when the neutral plane position [NP] of the space portion is obtained, the line width SW value of the copper wiring is determined as B i . I use it. h i is a distance between the center plane of the i-th layer and the reference plane SP. In addition, the center surface of an i-th layer is an imaginary surface located in the center of the thickness direction of an i-th layer. t i is the thickness of the i th layer. Also, the sign Is the total sum of 1 to n. In addition, about the neutral plane position in copper wiring, it expresses with [NP] Line .
또한, 식 (2) 중의 R은 유효 곡률 반경을 나타내고, 유효 곡률 반경 R은 절곡 시험에서 회로 기판을 절곡했을 때의 굴곡부에서의 굴곡 중심부터 구리 배선의 중립면 NP까지의 거리이다. 즉, 유효 곡률 반경 R은 갭 간격 G와 구리 배선의 중립면 위치 [NP]Line으로부터 하기 식 (4)에 의해 산출된다.In addition, R in Formula (2) shows an effective curvature radius, and the effective curvature radius R is the distance from the bending center in the bending part at the time of bending a circuit board in a bending test, to the neutral plane NP of a copper wiring. That is, the effective radius of curvature R is calculated by the following equation (4) from the gap interval G and the neutral plane position [NP] Line of the copper wiring.
상기한 바와 같이, 중립면 위치, 유효 곡률 반경, 굴곡 평균 왜곡을 구함으로써, 회로 기판 전체의 접힘성 정도를 나타내는 접힘성 계수 [PF]가 산출된다. 또한, 이 접힘성 계수 [PF]는 상기한 설명과 같이, 회로 기판을 구성하는 각 층의 두께와, 회로 기판을 구성하는 각 층의 탄성률과, 절곡 시험에서의 갭 간격 G와 구리 배선 (12)에서의 선폭 LW 등의 각 정보를 이용하여 산출할 수 있다.As described above, by determining the neutral plane position, the effective radius of curvature, and the bending average distortion, the folding factor [PF] indicating the folding degree of the entire circuit board is calculated. In addition, as described above, the folding factor [PF] is the thickness of each layer constituting the circuit board, the elastic modulus of each layer constituting the circuit board, the gap spacing G and the
또한, 상기(도 8)에서는, 편의상 회로 기판이 2층인 모델을 나타내어 설명했지만, 상기 설명은 회로 기판이 2층 이상으로 형성되는 경우에도 적합하다. 즉, 회로 기판 (1)의 층의 수를 n으로 한 경우, n은 2 이상의 정수이며, 이 회로 기판을 구성하는 각 층 중 기준면 SP로부터 계산하여 i번째(i=1, 2, …, n)의 층을 제i층이라 한다.In addition, although the model (two-layer circuit board) was shown and demonstrated in said (FIG. 8) for convenience, the said description is suitable also when a circuit board is formed in two or more layers. That is, when the number of layers of the circuit board 1 is n, n is an integer of 2 or more, and it is calculated from the reference plane SP among the layers constituting the circuit board and is i-th (i = 1, 2, ..., n The layer of) is called i-th layer.
또한, 회로 기판은 도 1에 도시한 바와 같이 동박이 배선 회로 가공에 의해 패터닝되어 있으며, 구리 배선 (12)가 존재하는 부분과, 구리 배선 (12)가 존재하지 않는 부분이 있다. 여기서, 구리 배선 (12)가 존재하는 부분을 배선부라 하고, 구리 배선 (12)가 존재하지 않는 부분을 스페이스부라 하면, 배선부와 스페이스부에서는 구성이 상이하다. 예를 들면, 도 1에 도시한 회로 기판 (1)의 경우, 폴리이미드층 (11) 상의 배선부는 10열(도 1에서는 4열만 도시)의 구리 배선 (12)로 구성되며, 스페이스부는 배선부 이외에서 주로 구리 배선 (12)간의 간극으로 구성된다. 이상으로부터, 접힘성 계수 [PF]의 산출은, 배선부와 스페이스부를 나누어 행할 수 있다.Moreover, as shown in FIG. 1, the copper foil is patterned by the wiring circuit process, and there exists a part in which the
[실시예]EXAMPLE
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 또한, 하기의 실시예에서의 각 특성 평가는 이하의 방법에 의해 행하였다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail based on an Example. In addition, each characteristic evaluation in the following Example was performed with the following method.
[인장 탄성률의 측정][Measurement of Tensile Modulus]
가부시끼가이샤 도요 세이끼 세이사꾸쇼 제조 스트로그래프 R-1을 이용하여, 온도 23℃, 상대 습도 50%의 환경하에 인장 탄성률 값을 측정하였다.Tensile modulus values were measured in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50% using Straw Graph R-1 manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd.
[열팽창 계수(CTE)의 측정][Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)]
세이코 인스트루먼트 제조의 서모 메카니컬 애널라이저를 사용하여 250℃까지 승온하고, 이 온도에서 10분간 유지한 후, 5℃/분의 속도로 냉각하고, 240℃부터 100℃까지의 평균 열팽창 계수(선 열팽창 계수)를 구하였다.Temperature increase to 250 degreeC using the Seiko Instruments Thermomechanical Analyzer, hold | maintain at this temperature for 10 minutes, cool at the speed | rate of 5 degree-C / min, and mean thermal expansion coefficient (linear thermal expansion coefficient) from 240 degreeC to 100 degreeC Was obtained.
[표면 거칠기(Rz)의 측정][Measurement of Surface Roughness (Rz)]
접촉식 표면 거칠기 측정기(가부시끼가이샤 고사카 겡뀨쇼 제조 SE1700)를 이용하여, 동박의 폴리이미드층과의 접촉면측의 표면 거칠기를 측정하였다.The surface roughness of the contact surface side with the polyimide layer of copper foil was measured using the contact surface roughness measuring instrument (SE1700 by Kosaka Corporation).
[폴딩의 측정(절곡 시험)][Measurement of Folding (Bending Test)]
플렉시블 동장 적층판의 동박을 에칭 가공하고, 그의 길이 방향에 따라 라인 폭 100 ㎛, 스페이스 폭 100 ㎛로 길이가 40 mm인 10열의 구리 배선을 형성한 시험편(시험 회로 기판편)을 제작하였다(도 2). 시험편에서의 구리 배선만을 나타낸 도 2에 도시한 바와 같이, 이 시험편 (40)에서의 10열의 구리 배선 (51)은 U자부 (52)를 통해 모두 연속적으로 연결되어 있으며, 그의 양단에는 저항값 측정용의 전극 부분(도시하지 않음)을 설치하였다. 이 시험편 (40)을 둘로 접는 것이 가능한 시료 스테이지 (20) 및 (21) 상에 고정하고, 저항값 측정용의 배선을 접속하여 저항값의 모니터링을 개시하였다(도 3). 절곡 시험은 10열의 구리 배선 (51)에 대하여 길이방향의 적확히 중앙 부분에서 우레탄제의 롤러 (22)를 이용하여, 절곡 개소 (40C)의 갭 G가 0.3 mm가 되도록 제어하면서 절곡한 선과 병행하게 롤러를 이동시켜 10열의 구리 배선 (51)을 모두 절곡한 후(도 4 및 도 5), 절곡 부분을 개방하여 시험편을 평평한 상태로 되돌리고(도 6), 접음선이 있는 부분을 다시 롤러로 누른 채 이동시켜(도 7), 이 일련의 공정으로 폴딩 횟수 1회로 카운트하도록 하였다. 이 배선의 저항값을 상시 모니터링하면서 절곡 시험을 반복하고, 소정의 저항값(3000Ω)이 된 시점을 배선의 파단으로 판단하여, 그때까지 반복된 절곡 횟수를 폴딩 측정값으로 하였다. 이 폴딩 측정값이 50회 이상인 경우를 「양호」, 50회 미만인 경우를 「불량」으로 평가하였다.The copper foil of a flexible copper clad laminated board was etched, and the test piece (test circuit board piece) which produced 10 rows of copper wiring of 40 mm in length by 100 micrometers of line width, and 100 micrometers of space width was produced along the longitudinal direction (FIG. 2). ). As shown in FIG. 2 which shows only the copper wiring in the test piece, all 10 rows of
실시예, 비교예에 기재된 플렉시블 동장 적층판의 제조 방법에 대하여 이어서 나타낸다.Next, it demonstrates about the manufacturing method of the flexible copper clad laminated board as described in an Example and a comparative example.
[폴리아믹산 용액의 합성][Synthesis of Polyamic Acid Solution]
(합성예 1)Synthesis Example 1
바텀 수지의 합성:Synthesis of Bottom Resin:
열전대 및 교반기를 구비함과 함께 질소 도입이 가능한 반응 용기에 N,N-디메틸아세트아미드를 넣고, 이 반응 용기에 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(BAPP)을 투입하여 용기 내에서 교반하면서 용해시켰다. 이어서, 피로멜리트산 이무수물(PMDA)을 단량체의 투입 총량이 12 질량%가 되도록 투입하였다. 그 후, 3시간 교반을 계속하여 중합 반응을 행하여, 폴리아미드산 a의 수지 용액을 얻었다. 폴리아미드산 a로 형성된 두께 25 ㎛의 폴리이미드 필름의 열팽창 계수(CTE)는 55×10-6/K였다.N, N-dimethylacetamide was placed in a reaction vessel equipped with a thermocouple and a stirrer and capable of introducing nitrogen, and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP) was placed in the reaction vessel. Was added and dissolved with stirring in the vessel. Subsequently, pyromellitic dianhydride (PMDA) was added so that the total amount of monomers was 12 mass%. Then, stirring was continued for 3 hours and polymerization reaction was performed and the resin solution of polyamic acid a was obtained. The thermal expansion coefficient (CTE) of the polyimide film having a thickness of 25 μm formed of polyamic acid a was 55 × 10 −6 / K.
(합성예 2)Synthesis Example 2
열전대 및 교반기를 구비함과 함께 질소 도입이 가능한 반응 용기에 N,N-디메틸아세트아미드를 넣고, 이 반응 용기에 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(m-TB) 및 4,4'-디아미노디페닐에테르(DAPE)를 각 디아민의 몰 비율(m-TB:DAPE)이 60:40이 되도록 투입하여 용기 내에서 교반하면서 용해시켰다. 이어서, 피로멜리트산 이무수물(PMDA)을 단량체의 투입 총량이 16 질량%가 되도록 투입하였다. 그 후, 3시간 교반을 계속하여 중합 반응을 행하여, 폴리아미드산 b의 수지 용액을 얻었다. 폴리아미드산 b로 형성된 두께 25 ㎛의 폴리이미드 필름의 열팽창 계수(CTE)는 22×10-6/K였다.N, N-dimethylacetamide was placed in a reaction vessel equipped with a thermocouple and a stirrer and capable of introducing nitrogen, and 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB) was placed in the reaction vessel. And 4,4'-diaminodiphenyl ether (DAPE) were added so that the molar ratio (m-TB: DAPE) of each diamine was 60:40, and dissolved with stirring in a vessel. Subsequently, pyromellitic dianhydride (PMDA) was added in such a manner that the total amount of monomers was 16 mass%. Thereafter, stirring was continued for 3 hours to conduct a polymerization reaction to obtain a resin solution of polyamic acid b. The coefficient of thermal expansion (CTE) of the polyimide film having a thickness of 25 μm formed of polyamic acid b was 22 × 10 −6 / K.
(합성예 3)Synthesis Example 3
열전대 및 교반기를 구비함과 함께 질소 도입이 가능한 반응 용기에 N,N-디메틸아세트아미드를 넣고, 이 반응 용기에 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(m-TB)을 투입하여 용기 내에서 교반하면서 용해시켰다. 이어서, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물(BPDA) 및 피로멜리트산 이무수물(PMDA)을 단량체의 투입 총량이 15 질량%, 각 산 무수물의 몰 비율(BPDA:PMDA)이 20:80이 되도록 투입하였다. 그 후, 3시간 교반을 계속하여 중합 반응을 행하여, 폴리아미드산 c의 수지 용액을 얻었다. 폴리아미드산 c로 형성된 두께 25 ㎛의 폴리이미드 필름의 열팽창 계수(CTE)는 22×10-6/K였다.N, N-dimethylacetamide was placed in a reaction vessel equipped with a thermocouple and a stirrer and capable of introducing nitrogen, and 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB) was placed in the reaction vessel. Was added and dissolved with stirring in the vessel. Subsequently, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and pyromellitic dianhydride (PMDA) were charged with 15 mass% of the total amount of monomers and the molar ratio (BPDA) of each acid anhydride. : PMDA) was added so that it was 20:80. Thereafter, stirring was continued for 3 hours to conduct a polymerization reaction to obtain a resin solution of polyamic acid c. The coefficient of thermal expansion (CTE) of the polyimide film having a thickness of 25 μm formed of polyamic acid c was 22 × 10 −6 / K.
(실시예 1)(Example 1)
두께 12 ㎛이며 긴 형상의 시판되어 있는 전해 동박의 한쪽면(표면 거칠기 Rz=1.2 ㎛)에 합성예 1에서 제조한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 2.5 ㎛가 되도록 균일하게 도포한 후, 130℃에서 가열 건조하여 용매를 제거하였다. 이어서, 이 도포면측에 합성예 2에서 제조한 폴리아미드산 b의 수지 용액을 경화 후의 두께가 20.0 ㎛가 되도록 균일하게 도포하고, 120℃에서 가열 건조하여 용매를 제거하였다. 또한, 이 도포면측에 제1층째에서 도포한 것과 동일한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 2.5 ㎛가 되도록 균일하게 도포하고, 130℃에서 가열 건조하여 용매를 제거하였다. 이 긴 형상의 적층체를 130℃부터 개시하여 300℃까지 단계적으로 온도가 높아지도록 설정한 연속 경화로에서 합계 6분 정도의 시간에 걸쳐서 열 처리하여, 폴리이미드층의 두께가 25 ㎛인 편면 플렉시블 동장 적층판을 얻었다. 얻어진 플렉시블 동장 적층판을 구성하는 폴리이미드층 및 동박의 인장 탄성률 등의 물성값, 두께, 폴리이미드층과 동박의 두께비, 접힘성 계수, 및 플렉시블 동장 적층판의 내절곡성(폴딩 횟수)의 평가 결과를 표 1에 나타낸다(실시예 2 이하도 동일함). 또한, 폴리이미드층의 평가는 제조된 플렉시블 동장 적층판으로부터 동박을 에칭 제거한 것을 이용하였다.The resin solution of polyamic acid a prepared in Synthesis Example 1 was uniformly coated on one surface (surface roughness Rz = 1.2 μm) of a commercially available copper foil having a thickness of 12 μm so as to have a thickness of 2.5 μm after curing. Then, the solvent was removed by drying at 130 ° C. by heating. Subsequently, the resin solution of the polyamic acid b manufactured by the synthesis example 2 was apply | coated uniformly so that the thickness after hardening might be set to 20.0 micrometers on this coating surface side, and it heat-dried at 120 degreeC, and removed the solvent. Furthermore, the same resin solution of polyamic acid a which was apply | coated at the 1st layer at this coating surface side was apply | coated uniformly so that the thickness after hardening might be set to 2.5 micrometers, and it dried by heating at 130 degreeC, and removed the solvent. The elongate laminate was heat-treated over a period of about 6 minutes in a continuous curing furnace set to start at 130 ° C. and gradually increasing in temperature to 300 ° C., so that the thickness of the polyimide layer was 25 μm. A copper clad laminate was obtained. Evaluation results of the physical properties such as the tensile modulus of the polyimide layer and the copper foil constituting the obtained flexible copper clad laminate, the thickness, the thickness ratio of the polyimide layer and the copper foil, the foldability coefficient, and the bending resistance (the number of times of folding) of the flexible copper clad laminate are shown in Table 1 (Example 2 or less is also the same). In addition, evaluation of the polyimide layer used what etched and removed copper foil from the manufactured flexible copper clad laminated board.
여기서, 실시예에서 제조한 플렉시블 동장 적층판의 접힘성 계수 [PF]의 산출에 대하여, 실시예 1을 예로 구체적인 계산 순서를 설명한다.Here, with respect to the calculation of the foldability coefficient [PF] of the flexible copper clad laminate produced in the example, a specific calculation procedure will be described as an example.
구리 배선 (12)가 존재하는 배선부에 대하여 도 8에 도시한 바와 같은 2층 구성을 생각하고, 제1층 및 제2층을 구성하는 재료를 각각 폴리이미드 및 구리로 한다. 표 1(실시예 1)에 나타낸 바와 같이, 각 층의 탄성률은 E1=4 GPa, E2=29 GPa, 두께는 t1=25 ㎛, t2=12 ㎛이다. 또한, 각 층에서의 두께 방향에서의 중앙면과 기준면 SP의 거리는 각각 h1=12.5 ㎛, h2=31 ㎛이다. 또한, 폭 B에 대해서는, 구리 배선 (12)의 폭 B2와 스페이스부의 폭 B2'는 모두 100 ㎛였으며, 구리 배선 (12)가 존재하는 바로 아래의 폴리이미드의 폭 B1도 100 ㎛로 하였다(스페이스부의 바로 아래의 폴리이미드의 폭 B1'도 100 ㎛로 함).Considering the two-layer structure shown in FIG. 8 with respect to the wiring part in which the
이들 값을 식 (3)에 대입하면, 우선 구리 배선 (12)가 존재하는 배선부에서의 중립면 위치는 [NP]Line=26.9 ㎛로 계산된다. 이어서, 이 중립면 위치 [NP]Line과 갭 간격 G=0.3 mm를 식 (4)에 대입하면, 유효 굴곡 반경 R=0.123 mm로 계산된다. 또한, 기준면 SP와 구리 배선 (12)의 중앙면까지의 거리 yc는 yc=h2=31 ㎛이기 때문에, 굴곡 평균 왜곡 ε은 이 yc와 앞서 구한 [NP]Line, R 값을 식 (2)에 대입하여 ε=-0.0333으로 계산된다. 여기서 마이너스 부호는 압축 왜곡인 것을 나타내고 있다. 실시예 1에서의 구리 배선으로 되어 있는 동박의 인장 시험으로부터 얻은 응력-왜곡 곡선으로부터 구리 배선의 인장 탄성 한계 왜곡 εc는 εc=0.00058로 결정되었다. 이것과 앞서 구한 굴곡 평균 왜곡 ε 값을 식 (I)에 대입하면 접힘성 계수 [PF]는 [PF]=0.983으로 계산된다. 또한, 본 실시예에서는, 스페이스부는 폴리이미드층만으로 구성되어 있기 때문에 [NP]를 구하는 조작은 필요하지 않으며, 표 1 중의 다른 실시예, 비교예의 접힘성 계수 [PF]도 이상의 순서로 계산된 값이다.Substituting these values into Equation (3), the neutral plane position in the wiring section in which the
(실시예 2)(Example 2)
두께 12 ㎛이며 긴 형상의 시판되어 있는 전해 동박의 한쪽면(표면 거칠기 Rz=1.2 ㎛)에 합성예 1에서 제조한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 2.0 ㎛가 되도록 균일하게 도포한 후, 130℃에서 가열 건조하여 용매를 제거하였다. 이어서, 이 도포면측에 합성예 3에서 제조한 폴리아미드산 c의 수지 용액을 경화 후의 두께가 16 ㎛가 되도록 균일하게 도포하고, 130℃에서 가열 건조하여 용매를 제거하였다. 또한, 이 도포면측에 제1층째에서 도포한 것과 동일한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 2.0 ㎛가 되도록 균일하게 도포하고, 130℃에서 가열 건조하여 용매를 제거하였다. 이 긴 형상의 적층체를 130℃부터 개시하여 300℃까지 단계적으로 온도가 높아지도록 설정한 연속 경화로에서 합계 6분 정도의 시간에 걸쳐서 열 처리하여, 폴리이미드층의 두께가 20 ㎛인 편면 플렉시블 동장 적층판을 얻었다. 얻어진 편면 플렉시블 동장 적층판에 대한 내절곡성의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.The resin solution of polyamic acid a prepared in Synthesis Example 1 was uniformly coated on one surface (surface roughness Rz = 1.2 μm) of a commercially available copper foil having a thickness of 12 μm so as to have a thickness of 2.0 μm after curing. Then, the solvent was removed by drying at 130 ° C. by heating. Subsequently, the resin solution of the polyamic acid c manufactured by the synthesis example 3 was apply | coated uniformly so that the thickness after hardening might be set to 16 micrometers on this application | coating surface side, and it heat-dried at 130 degreeC, and removed the solvent. Furthermore, the same resin solution of the polyamic acid a which was apply | coated in the 1st layer at this coating surface side was apply | coated uniformly so that the thickness after hardening might be 2.0 micrometer, and it heat-dried at 130 degreeC, and removed the solvent. The elongate laminate was heat-treated over a period of about 6 minutes in a continuous curing furnace set to increase the temperature stepwise from 130 ° C. to 300 ° C., and the polyimide layer had a thickness of 20 μm. A copper clad laminate was obtained. Table 1 shows the evaluation results of the bending resistance for the obtained single-sided flexible copper clad laminate.
(실시예 3)(Example 3)
두께 12 ㎛이며 긴 형상의 시판되어 있는 전해 동박의 한쪽면(표면 거칠기 Rz=1.2 ㎛)에 합성예 1에서 제조한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 2.2 ㎛가 되도록 균일하게 도포한 후, 130℃에서 가열 건조하여 용매를 제거하였다. 이어서, 이 도포면측에 합성예 3에서 제조한 폴리아미드산 c의 수지 용액을 경화 후의 두께가 7.6 ㎛가 되도록 균일하게 도포하고, 130℃에서 가열 건조하여 용매를 제거하였다. 또한, 이 도포면측에 제1층째에서 도포한 것과 동일한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 2.2 ㎛가 되도록 균일하게 도포하고, 130℃에서 가열 건조하여 용매를 제거하였다. 이 긴 형상의 적층체를 130℃부터 개시하여 300℃까지 단계적으로 온도가 높아지도록 설정한 연속 경화로에서 합계 6분 정도의 시간에 걸쳐서 열 처리하여, 폴리이미드층의 두께가 12 ㎛인 편면 플렉시블 동장 적층판을 얻었다. 얻어진 편면 플렉시블 동장 적층판에 대한 내절곡성의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.A resin solution of polyamic acid a prepared in Synthesis Example 1 was uniformly coated on one surface (surface roughness Rz = 1.2 μm) of a commercially available copper foil having a thickness of 12 μm so as to have a thickness of 2.2 μm after curing. Then, the solvent was removed by drying at 130 ° C. by heating. Subsequently, the resin solution of the polyamic acid c manufactured by the synthesis example 3 was apply | coated uniformly so that the thickness after hardening might be set to 7.6 micrometers on this coating surface side, and it heat-dried at 130 degreeC, and removed the solvent. Furthermore, the same resin solution of the polyamic acid a which was apply | coated in the 1st layer at this coating surface side was apply | coated uniformly so that the thickness after hardening might be 2.2 micrometer, and it heat-dried at 130 degreeC, and the solvent was removed. The elongate laminate was heat-treated over a period of about 6 minutes in a continuous curing furnace set to increase the temperature stepwise from 130 ° C. to 300 ° C., so that the polyimide layer had a thickness of 12 μm. A copper clad laminate was obtained. Table 1 shows the evaluation results of the bending resistance for the obtained single-sided flexible copper clad laminate.
(실시예 4)(Example 4)
두께 12 ㎛이며 긴 형상의 시판되어 있는 전해 동박의 한쪽면(표면 거칠기 Rz=1.20 ㎛)에 합성예 1에서 제조한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 2.0 ㎛가 되도록 균일하게 도포한 후, 130℃에서 가열 건조하여 용매를 제거하였다. 이어서, 이 도포면측에 합성예 3에서 제조한 폴리아미드산 c의 수지 용액을 경화 후의 두께가 5.0 ㎛가 되도록 균일하게 도포하고, 130℃에서 가열 건조하여 용매를 제거하였다. 또한, 이 도포면측에 제1층째에서 도포한 것과 동일한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 2.0 ㎛가 되도록 균일하게 도포하고, 130℃에서 가열 건조하여 용매를 제거하였다. 이 긴 형상의 적층체를 130℃부터 개시하여 300℃까지 단계적으로 온도가 높아지도록 설정한 연속 경화로에서 합계 6분 정도의 시간에 걸쳐서 열 처리하여, 폴리이미드층의 두께가 9 ㎛인 편면 플렉시블 동장 적층판을 얻었다. 얻어진 편면 플렉시블 동장 적층판에 대한 내절곡성의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.The resin solution of the polyamic acid a prepared in Synthesis Example 1 was uniformly coated on one surface (surface roughness Rz = 1.20 μm) of a commercially available copper foil having a thickness of 12 μm so as to have a thickness of 2.0 μm after curing. Then, the solvent was removed by drying at 130 ° C. by heating. Subsequently, the resin solution of the polyamic acid c manufactured by the synthesis example 3 was apply | coated uniformly so that the thickness after hardening might be set to 5.0 micrometers on this coating surface side, and it heat-dried at 130 degreeC, and removed the solvent. Furthermore, the same resin solution of the polyamic acid a which was apply | coated in the 1st layer at this coating surface side was apply | coated uniformly so that the thickness after hardening might be 2.0 micrometer, and it heat-dried at 130 degreeC, and removed the solvent. This elongate laminate was heat-treated over a period of about 6 minutes in a continuous curing furnace set so that the temperature was gradually increased from 130 deg. C to 300 deg. C, and the polyimide layer had a thickness of 9 mu m. A copper clad laminate was obtained. Table 1 shows the evaluation results of the bending resistance for the obtained single-sided flexible copper clad laminate.
(실시예 5)(Example 5)
두께 9 ㎛이며 긴 형상의 시판되어 있는 전해 동박의 한쪽면(표면 거칠기 Rz=1.2 ㎛)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 플렉시블 동장 적층판을 얻었다. 얻어진 플렉시블 동장 적층판의 내절곡성의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.A flexible copper clad laminate was obtained in the same manner as in Example 4 except that one side (surface roughness Rz = 1.2 μm) of a commercially available electrolytic copper foil having a thickness of 9 μm was used. Table 1 shows the evaluation results of the bend resistance of the obtained flexible copper clad laminate.
(실시예 6)(Example 6)
두께 12 ㎛이며 긴 형상의 시판되어 있는 전해 동박의 한쪽면(표면 거칠기 Rz=1.9 ㎛)을 사용한 것 이외에는, 실시예 3과 동일하게 하여 플렉시블 동장 적층판을 얻었다. 얻어진 플렉시블 동장 적층판의 내절공성의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.A flexible copper clad laminate was obtained in the same manner as in Example 3, except that one surface (surface roughness Rz = 1.9 µm) of a commercially available electrolytic copper foil having a thickness of 12 µm was used. Table 1 shows the evaluation results of the cut resistance of the obtained flexible copper clad laminate.
(실시예 7)(Example 7)
두께 9 ㎛이며 긴 형상의 시판되어 있는 전해 동박의 한쪽면(표면 거칠기Rz=1.2 ㎛)을 사용한 것 이외에는, 실시예 3과 동일하게 하여 플렉시블 동장 적층판을 얻었다. 얻어진 플렉시블 동장 적층판의 내절곡성의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.A flexible copper clad laminate was obtained in the same manner as in Example 3 except that one side (surface roughness Rz = 1.2 μm) of a commercially available electrolytic copper foil having a thickness of 9 μm was used. Table 1 shows the evaluation results of the bend resistance of the obtained flexible copper clad laminate.
(실시예 8)(Example 8)
두께 12 ㎛이며 긴 형상의 시판되어 있는 전해 동박의 한쪽면(표면 거칠기 Rz=2.2 ㎛)을 사용한 것 이외에는, 실시예 3과 동일하게 하여 플렉시블 동장 적층판을 얻었다. 얻어진 플렉시블 동장 적층판의 내절곡성의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.A flexible copper clad laminate was obtained in the same manner as in Example 3, except that one surface (surface roughness Rz = 2.2 μm) of a commercially available electrolytic copper foil having a thickness of 12 μm was used. Table 1 shows the evaluation results of the bend resistance of the obtained flexible copper clad laminate.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
표 1에 나타낸 특성을 갖고, 두께 12 ㎛이며 긴 형상의 시판되어 있는 전해 동박의 한쪽면(표면 거칠기 Rz=1.2 ㎛)을 사용하고, 폴리이미드층의 두께 구성을 이하와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 플렉시블 동장 적층판을 얻었다. 여기서, 폴리이미드층의 두께 구성은, 동박 상에 합성예 1에서 제조한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 4.0 ㎛, 그 위에 합성예 2에서 제조한 폴리아미드산 b의 수지 용액을 경화 후의 두께가 42.0 ㎛, 나아가 그 위에 합성예 1에서 제조한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 4.0 ㎛가 되도록 하였다. 얻어진 플렉시블 동장 적층판에 대한 내절곡성의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.Except having changed the thickness structure of the polyimide layer as follows, using the one surface (surface roughness Rz = 1.2 micrometer) of the commercially available copper foil of
(비교예 2)(Comparative Example 2)
표 1에 나타낸 특성을 갖고, 두께 12 ㎛이며 긴 형상의 시판되어 있는 전해 동박의 한쪽면(표면 거칠기 Rz=2.0 ㎛)을 사용하고, 폴리이미드층의 두께 구성을 이하와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 플렉시블 동장 적층판을 얻었다. 여기서, 폴리이미드층의 두께 구성은, 동박 상에 합성예 1에서 제조한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 3.0 ㎛, 그 위에 합성예 3에서 제조한 폴리아미드산 c의 수지 용액을 경화 후의 두께가 32.0 ㎛, 나아가 그 위에 합성예 1에서 제조한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 3.0 ㎛가 되도록 하였다.Except having changed the thickness structure of the polyimide layer as follows, using the one side (surface roughness Rz = 2.0 micrometer) of the commercially available copper foil of
(비교예 3)(Comparative Example 3)
표 1에 나타낸 특성을 갖고, 두께 12 ㎛이며 긴 형상의 시판되어 있는 전해 동박의 한쪽면(표면 거칠기 Rz=1.8 ㎛)을 사용하고, 폴리이미드층의 두께 구성을 이하와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 플렉시블 동장 적층판을 얻었다. 여기서, 폴리이미드층의 두께 구성은, 동박 상에 합성예 1에서 제조한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 2.5 ㎛, 그 위에 합성예 3에서 제조한 폴리아미드산 c의 수지 용액을 경화 후의 두께가 20.0 ㎛, 나아가 그 위에 합성예 1에서 제조한 폴리아미드산 a의 수지 용액을 경화 후의 두께가 2.5 ㎛가 되도록 하였다.Except having changed the thickness structure of the polyimide layer as follows, using the one side (surface roughness Rz = 1.8 micrometer) of the commercially available copper foil of
표 1로부터 폴리이미드층의 두께가 5 내지 30 ㎛, 인장 탄성률이 4 내지 10 GPa이고, 동박의 두께가 6 내지 20 ㎛의 범위 내, 인장 탄성률이 25 내지 35 GPa의 범위 내이고, 폴리이미드층과 접하는 면의 동박의 십점 평균 거칠기(Rz)가 0.7 내지 2.2 ㎛의 범위 내이고, 접힘성 계수 [PF]가 0.96±0.025의 범위 내에 있는 실시예 1 내지 8의 플렉시블 동장 적층판은 내절곡성이 만족할 수 있는 결과였다. 한편, 폴리이미드층의 두께가 30 ㎛를 초과하는 비교예 1 및 2, 동박의 인장 탄성률이 35 GPa를 초과하는 비교예 3에서는 모두 폴딩 횟수가 적고, 내절곡성이 불량이었다.From Table 1, the polyimide layer has a thickness of 5 to 30 µm, a tensile modulus of 4 to 10 GPa, a thickness of copper foil of 6 to 20 µm, a tensile modulus of 25 to 35 GPa, and a polyimide layer The flexible copper-clad laminates of Examples 1 to 8 in which the ten-point average roughness Rz of the copper foil on the surface in contact with each other are in the range of 0.7 to 2.2 µm and the folding factor [PF] is in the range of 0.96 ± 0.025, the bending resistance may be satisfactory. It was possible result. On the other hand, in the comparative examples 1 and 2 in which the thickness of a polyimide layer exceeds 30 micrometers, and the comparative example 3 in which the tensile elasticity modulus of copper foil exceeds 35 GPa, the number of folding was small and the bending resistance was bad.
이상, 본 발명의 실시 형태를 예시의 목적으로 상세히 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태로 제약되지 않는다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail for the purpose of illustration, this invention is not restrict | limited to the said embodiment.
1: 회로 기판
11: 폴리이미드층
12, 51: 구리 배선
20, 21: 시료 스테이지
22: 롤러
40: 시험편
40C: 시험편의 절곡 개소
52: 구리 배선의 U자부 1: circuit board
11: polyimide layer
12, 51: copper wiring
20, 21: sample stage
22: roller
40: test piece
40C: Bending point of test piece
52: U-shaped portion of copper wiring
Claims (5)
두께 5 내지 30 ㎛의 범위 내, 인장 탄성률 4 내지 10 GPa의 범위 내인 폴리이미드층 (A)와,
상기 폴리이미드층 (A)의 적어도 한쪽면에 적층된 두께 6 내지 20 ㎛의 범위 내, 인장 탄성률 25 내지 35 GPa의 범위 내의 동박 (B)로 이루어진 구리 배선을 갖고 있고,
상기 폴리이미드층 (A)와 접하는 측의 면의 동박 (B)의 십점 평균 거칠기(Rz)가 0.7 내지 2.2 ㎛의 범위 내이고, 상기 플렉시블 회로 기판의 갭 0.3 mm에서의 절곡 시험에서의, 하기 식 (I)에 의해 계산되는 접힘성 계수 [PF]가 0.96±0.025의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 플렉시블 회로 기판.
[식 (I)에 있어서, |ε|은 구리 배선의 굴곡 평균 왜곡값의 절대값이고, εC는 구리 배선의 인장 탄성 한계 왜곡임]A flexible circuit board which is folded and stored in a housing of an electronic device by folding folded at an upper surface side by 180 degrees and turned to a lower surface side,
Polyimide layer (A) in the range of 5-30 micrometers in thickness, and the range of tensile elasticity modulus 4-10 GPa,
It has the copper wiring which consists of copper foil (B) in the range of the tensile modulus of 25-35 GPa in the range of 6-20 micrometers in thickness laminated | stacked on at least one surface of the said polyimide layer (A),
The ten-point average roughness Rz of the copper foil B of the surface which contacts the said polyimide layer (A) exists in the range of 0.7-2.2 micrometers, and in the bending test in 0.3 mm of gaps of the said flexible circuit board, The folding factor [PF] calculated by Formula (I) is in the range of 0.96 ± 0.025, The flexible circuit board.
[Equation (I), | ε | is the absolute value of the bending average distortion value of the copper wiring, and ε C is the tensile elastic limit distortion of the copper wiring.
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US10143083B2 (en) | 2014-12-22 | 2018-11-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate for printed circuit board and method for producing substrate for printed circuit board |
WO2016159104A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 株式会社カネカ | Multilayer polyimide film, flexible metal foil laminate, method for manufacturing flexible metal foil laminate, and method for manufacturing rigid-flexible printed wiring board |
CN106856646A (en) * | 2016-11-13 | 2017-06-16 | 惠州市大亚湾科翔科技电路板有限公司 | A kind of flexibility covers metal lamination |
JP2019126982A (en) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | 宇部エクシモ株式会社 | Metal laminate, female connector, male connector and connector structure |
CN110570768B (en) * | 2019-09-11 | 2022-08-09 | Oppo(重庆)智能科技有限公司 | Folding substrate, folding screen and electronic equipment |
JP7357815B1 (en) | 2023-03-29 | 2023-10-06 | 住友化学株式会社 | laminated film |
JP7336614B1 (en) | 2023-03-29 | 2023-08-31 | 住友化学株式会社 | laminated film |
CN117250207B (en) * | 2023-11-17 | 2024-01-30 | 四川睿杰鑫电子股份有限公司 | Flexible circuit board detection device and detection method |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007208087A (en) | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Kaneka Corp | High turnable flexible printed wiring board |
JP2012006200A (en) | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Asahi Kasei E-Materials Corp | Polyimide metal laminate and printed wiring board obtained by using the same |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4309466A (en) * | 1979-12-17 | 1982-01-05 | Champion International Corporation | Flexible laminated packaging material comprising metallized intermediate layer |
JPS63290735A (en) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Matsushita Electric Works Ltd | Flexible laminated sheet |
JPH04264792A (en) * | 1991-02-19 | 1992-09-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Flexible printed wiring board |
CN2216318Y (en) * | 1994-11-24 | 1995-12-27 | 刘宝申 | Flexible polyester film coated copper foil plate and film-coated circuit board |
JP3490940B2 (en) * | 1999-11-02 | 2004-01-26 | ソニーケミカル株式会社 | Circuit board manufacturing method |
TW591671B (en) * | 2001-06-27 | 2004-06-11 | Shinetsu Chemical Co | Substrate for flexible printed wiring |
JP4443977B2 (en) * | 2004-03-30 | 2010-03-31 | 新日鐵化学株式会社 | Flexible copper clad laminate and manufacturing method thereof |
US20090142607A1 (en) * | 2005-04-04 | 2009-06-04 | Ube Industries Ltd | Copper clad laminate |
JP2007273766A (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nippon Steel Chem Co Ltd | Laminate for wiring board |
JP2008098613A (en) * | 2006-09-12 | 2008-04-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Flexible print circuit board |
JP5031639B2 (en) * | 2008-03-31 | 2012-09-19 | 新日鐵化学株式会社 | Flexible copper clad laminate |
JP2011166078A (en) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Fujikura Ltd | Flexible printed wiring board |
WO2012020677A1 (en) * | 2010-08-09 | 2012-02-16 | 新日鐵化学株式会社 | Flexible circuit board for repeated bending use, and electronic device and cellular phone using same |
JP5833024B2 (en) * | 2010-12-28 | 2015-12-16 | 三井化学東セロ株式会社 | Resin composition, protective film containing the same, dry film, circuit board, and multilayer circuit board |
JP5865759B2 (en) * | 2011-03-31 | 2016-02-17 | 新日鉄住金化学株式会社 | Copper foil, copper-clad laminate, flexible circuit board, and method for producing copper-clad laminate |
TWI599277B (en) * | 2012-09-28 | 2017-09-11 | 新日鐵住金化學股份有限公司 | Flexible copper-clad laminate |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007208087A (en) | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Kaneka Corp | High turnable flexible printed wiring board |
JP2012006200A (en) | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Asahi Kasei E-Materials Corp | Polyimide metal laminate and printed wiring board obtained by using the same |
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Publication number | Publication date |
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