KR20190073258A - 반도체 발광장치, 범용실장기판, 및 그것을 이용한 반도체 발광장치의 제조방법 - Google Patents
반도체 발광장치, 범용실장기판, 및 그것을 이용한 반도체 발광장치의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190073258A KR20190073258A KR1020180138198A KR20180138198A KR20190073258A KR 20190073258 A KR20190073258 A KR 20190073258A KR 1020180138198 A KR1020180138198 A KR 1020180138198A KR 20180138198 A KR20180138198 A KR 20180138198A KR 20190073258 A KR20190073258 A KR 20190073258A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- light emitting
- mounting
- semiconductor light
- outer periphery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
- H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
-
- H01L27/156—
-
- H01L33/005—
-
- H01L33/38—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
도 2는 도 1의 반도체 발광장치에 다른 사이즈의 LED칩을 실장한 상태를 설명하는 상면도이다.
도 3은 제1 실시형태의 범용실장기판의 실장패드 부분을 나타내는 도면이다.
도 4는 제1 실시형태의 범용실장기판에 대한 LED칩의 실장을 설명하는 도면으로, (a)는 라지칩 실장시, (b)는 스몰칩 실장시를 각각 나타낸다.
도 5는 제1 실시형태의 반도체 발광장치의 제조방법을 설명하는 공정도이다.
도 6의 (a)~(c)는, 제1 실시형태의 범용실장기판에 스몰칩을 실장하는 순서를 나타내는 도면이다.
도 7의 (a)~(c)는, 제1 실시형태의 범용실장기판에 라지칩을 실장하는 순서를 나타내는 도면이다.
도 8은 제2 실시형태의 범용실장기판의 실장패드 부분을 나타내는 도면이다.
도 9의 (a), (b)는, 제2 실시형태의 범용실장기판에 LED칩을 실장할 때의 접합재의 공급부분을 설명하는 도면이다.
도 10의 (a), (b)는, 각각 제2 실시형태의 범용실장기판의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 11은 제3 실시형태의 범용실장기판의 실장패드를 나타내는 상면도이다.
도 12는 제3 실시형태의 변형예를 나타내는 상면도이다.
11: 도체배선
13: 실장패드
20: 접합재
30: LED칩(반도체 발광소자)
30L: 라지칩
30S: 스몰칩
31: 전극(금속막)
40: 선재
50: 밀봉수지
60: 벽재
130: 실장패드
130A: 실장패드
130B: 실장패드
131: 제1 영역
132: 제2 영역
133: 제3 영역
135: 절결부
137: 슬릿
137A: 슬릿
137B: 슬릿
1300: 실장패드
Claims (14)
- 금속막으로 이루어지는 실장패드를 가지는 실장기판과, 상기 금속막에 대하여 습윤성을 가지는 재료로 이루어지는 접합재에 의하여, 이면이 상기 실장패드에 접합된 반도체 발광소자를 구비하고,
상기 실장패드는, 제1 영역과, 그 제1 영역에 내측에 위치하는 제2 영역을 가지며, 상기 제2 영역은 일부가 상기 제1 영역에 연속하고, 그 연속하는 부분을 제외하는 외주가 상기 제1 영역과 접하고 있지 않은 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 반도체 발광소자는, 크기가 다른 복수의 발광소자 중 어느 것이고, 상기 제2 영역의 상기 외주는, 상기 복수의 발광소자 중 최대의 발광소자의 외주보다 작으며, 또한 2번째로 큰 발광소자의 외주와 동일한 크기이거나, 그보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1 영역의 상기 외주는, 상기 제1 영역에 형성된 절결부 또는 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 형성된 슬릿에 의하여 둘러싸여져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 실장패드는, 상면에서 본 형상이, 사각형의 네 변의 각각 일부를 절결한 형상을 가지고, 상기 제2 영역은 네 변의 절결부로 둘러싸인 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 절결부의 상기 네 변과 평행한 방향의 폭은, 같은 방향에 있어서의 상기 제2 영역의 폭의 1/2 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 실장패드는, 상면에서 본 형상이 사각형이며,
상기 제1 영역과, 상기 제2 영역 사이에, 상기 사각형의 변과 평행한 슬릿을 가지고, 상기 제2 영역은 상기 슬릿으로 둘러싸인 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 슬릿의 상기 사각형의 변과 평행한 방향의 폭은, 같은 방향에 있어서의 상기 제2 영역의 폭의 1/2 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 반도체 발광소자는, 외주의 크기가, 상기 제2 영역의 상기 외주의 크기와 같거나 그 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 반도체 발광소자는, 외주의 크기가, 상기 제1 영역의 외주의 크기와 같거나 그 이하이며, 상기 제2 영역의 상기 외주의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제2 영역의 내측에 상기 접합재는 설치되고,
상기 반도체 발광소자는 상기 제2 영역의 외주와 같거나 그보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 영역 및 상기 제2 영역까지 확산되도록 상기 접합재는 설치되고,
상기 반도체 발광소자는 상기 제2 영역의 외주보다 크고 상기 제1 영역의 외주와 같거나 그보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치. - 크기가 다른 복수의 반도체 발광소자 중 어느 것을 접합하기 위한 실장패드가 형성된 범용실장기판으로서,
상기 실장패드는, 제1 영역과, 그 제1 영역에 내측에 위치하는 제2 영역을 가지고, 상기 제2 영역은 일부가 상기 제1 영역에 연속하며, 그 연속하는 부분을 제외하는 외주가 상기 제1 영역과 접하고 있지 않고, 상기 제2 영역의 외주는, 상기 복수의 발광소자 중 최대의 발광소자의 외주보다 작으며, 또한 2번째로 큰 발광소자의 외주와 동일한 크기이거나, 그보다 큰 것을 특징으로 하는 범용실장기판. - 표면에 실장패드가 형성된 실장기판에, 이면에 전극면을 가지는 반도체 발광소자의 상기 전극면을 상기 실장패드에 접합재에 의하여 접합하고, 제 8 항에 기재된 반도체 발광장치를 제조하는 방법으로서,
상기 실장기판으로서, 제 12 항에 기재된 범용실장기판을 준비하는 스텝과,
상기 실장패드의 상기 제2 영역에, 상기 전극면을 덮기에 충분한 양의 상기 접합재를 공급하며, 상기 반도체 소자의 전극면을 탑재하는 스텝과,
상기 접합재를 가열하고, 상기 제2 영역에서 확산되는 상기 접합재에 의하여 상기 전극면과 상기 실장패드를 접합하는 스텝을 포함하는 반도체 발광장치의 제조방법. - 표면에 실장패드가 형성된 실장기판에, 이면에 전극면을 가지는 반도체 발광소자의 상기 전극면을 상기 실장패드에 접합재에 의하여 접합하고, 제 9 항에 기재된 반도체 발광장치를 제조하는 방법으로서,
상기 실장기판으로서, 제 12 항에 기재된 범용실장기판을 준비하는 스텝과,
상기 실장패드의 상기 제2 영역 및 상기 제1 영역에, 상기 전극면을 덮기에 충분한 양의 상기 접합재를 공급하며, 상기 반도체 소자의 전극면을 탑재하는 스텝과,
접합재에 의하여 상기 전극면과 상기 실장패드를 접합하는 스텝을 포함하는 반도체 발광장치의 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2017-242065 | 2017-12-18 | ||
JP2017242065A JP7064324B2 (ja) | 2017-12-18 | 2017-12-18 | 半導体発光装置、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190073258A true KR20190073258A (ko) | 2019-06-26 |
KR102637463B1 KR102637463B1 (ko) | 2024-02-16 |
Family
ID=66984660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180138198A Active KR102637463B1 (ko) | 2017-12-18 | 2018-11-12 | 반도체 발광장치, 범용실장기판, 및 그것을 이용한 반도체 발광장치의 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7064324B2 (ko) |
KR (1) | KR102637463B1 (ko) |
CN (1) | CN109935672B (ko) |
TW (1) | TWI803537B (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111863758B (zh) * | 2020-06-04 | 2022-08-23 | 上海美仁半导体有限公司 | 一种安装基板、半导体器件和家用电器 |
JP7482072B2 (ja) * | 2021-03-22 | 2024-05-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP7700641B2 (ja) * | 2021-11-04 | 2025-07-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
WO2024034482A1 (ja) * | 2022-08-10 | 2024-02-15 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
CN116525576B (zh) * | 2023-06-09 | 2025-01-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008117900A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2008118071A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 実装用部品、および半導体装置 |
JP2009076524A (ja) | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2012109352A (ja) | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
JP2014022576A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子実装部材及び半導体装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3924481B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2007-06-06 | ローム株式会社 | 半導体チップを使用した半導体装置 |
KR20080042012A (ko) * | 2006-11-08 | 2008-05-14 | 산요덴키가부시키가이샤 | 소자 탑재용 기판, 그 제조 방법, 반도체 모듈 및 휴대기기 |
US20120007117A1 (en) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | Andrews Peter S | Submount for Electronic Die Attach with Controlled Voids and Methods of Attaching an Electronic Die to a Submount Including Engineered Voids |
JP2013012567A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
2017
- 2017-12-18 JP JP2017242065A patent/JP7064324B2/ja active Active
-
2018
- 2018-11-12 KR KR1020180138198A patent/KR102637463B1/ko active Active
- 2018-11-20 CN CN201811381698.0A patent/CN109935672B/zh active Active
- 2018-11-21 TW TW107141399A patent/TWI803537B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008117900A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2008118071A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 実装用部品、および半導体装置 |
JP2009076524A (ja) | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2012109352A (ja) | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
JP2014022576A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子実装部材及び半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI803537B (zh) | 2023-06-01 |
CN109935672B (zh) | 2024-09-03 |
JP7064324B2 (ja) | 2022-05-10 |
KR102637463B1 (ko) | 2024-02-16 |
TW201929190A (zh) | 2019-07-16 |
JP2019110203A (ja) | 2019-07-04 |
CN109935672A (zh) | 2019-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102637463B1 (ko) | 반도체 발광장치, 범용실장기판, 및 그것을 이용한 반도체 발광장치의 제조방법 | |
US10892393B2 (en) | Light emitting device having external connection with different width | |
JP7364970B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5585013B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5803926B2 (ja) | 発光装置、及び発光装置用パッケージアレイ | |
KR102513954B1 (ko) | 박막 패드를 구비하는 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2006012916A (ja) | 発光素子 | |
US9472738B2 (en) | Light emitting member having a wiring board with through hole exposing a light emitting semiconductor element with a light reflecting member covering a peripheral wall portion of the through hole | |
CN103579129B (zh) | 半导体元件安装构件以及半导体装置 | |
JP2012094689A (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
US20180159006A1 (en) | Light emitting device and solder bond structure | |
JP6102253B2 (ja) | 発光装置用パッケージ成形体 | |
US11367813B2 (en) | Resin package and semiconductor light-emitting device | |
KR102744597B1 (ko) | 반도체 발광장치, 범용실장기판, 및 그것을 이용한 반도체 발광장치의 제조방법 | |
JP5998716B2 (ja) | 発光装置 | |
KR102434982B1 (ko) | 배선기판 | |
JP2020053644A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20181112 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20211018 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20181112 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20230630 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20231230 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20240213 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20240214 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |