JP2012109352A - 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＬＥＤを固着するための接着剤の広がりを抑制する構造を有すととともに、小型化及び形状の変更が容易であって且つ高い放熱性を有する半導体発光装置、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、多層金属膜からなり、基板上に形成された導体配線と、導体配線上に接着剤を介して実装された少なくとも１つの半導体発光素子と、導体配線の少なくとも１つの層を貫通し、少なくとも１つの半導体発光素子の周囲に設けられた溝と、を有し、溝の底面に露出した金属層は、多層金属膜の最上層の金属層よりも接着剤に対して低いぬれ性を備えること。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）等の半導体発光素子を素子実装用の基板に実装した半導体発光装置及びその製造方法に関する。

導体配線が設けられた基板にＬＥＤを実装した半導体発光装置が、照明、バックライト、産業機器等の種々の機器に従来から用いられてきた。近年においては、半導体発光装置の高輝度化の要求が高まり、ＬＥＤのサイズを大きくする方法や、複数のＬＥＤを基板上に実装する方法が用いられている。

ＬＥＤを基板上に実装するために、基板上に接着剤を塗布し、当該接着剤上にＬＥＤを載置し且つ押圧してＬＥＤを基板上に固着している。しかしながら、接着剤の塗布量及びＬＥＤの押圧力によっては当該接着剤がＬＥＤの実装領域からはみ出てしまい、他のＬＥＤの実装領域やＬＥＤと導体配線とを電気的に接続するボンディングワイヤのボンディング領域にまで広がる問題点があった。

かかる問題を解決する方法として、接着剤の塗布領域をソルダーレジストによって包囲する方法、ボンディングワイヤが接続される導体配線とＬＥＤが実装される導体配線とを不連続にし、ＬＥＤの直下の導体配線を他の導体配線から分離する方法があった。また、接着剤が塗布される領域に溝を形成し、当該溝に沿って接着剤が流れるようにする方法もあった。接着剤の塗布領域をソルダーレジストによって包囲する方法は、例えば特許文献１に開示され、接着剤が塗布される領域に溝を形成する方法は、例えば特許文献２に開示されている。

特開２００４−２０７３６９号公報 特開２００３−１７４２０１号公報

しかしながら、接着剤の塗布領域をソルダーレジストによって包囲する方法において、当該ソルダーレジストの幅は約２００μｍ〜３００μｍであるため、半導体発光装置の小型化を図ることが困難であった。更に、当該方法においてはパターンマスクを用いてソルダーレジストをパターニングするため、ソルダーレジストのパターンを容易に変更することが困難であった。

また、ボンディングワイヤが接続される導体配線とＬＥＤが実装される導体配線とを不連続にし、ＬＥＤの直下の導体配線を他の導体配線から分離する方法において、ＬＥＤの直下の導体配線と他の導体配線間の溝幅は導体配線の厚さ（例えば、５０μｍ）の約２倍の長さ（例えば、１００μｍ）になるため、半導体発光装置の小型化を図ることが困難であった。更に、当該方法においてはパターンマスクを用いたエッチング等で導体配線間の溝を形成するため、導体配線間の溝のパターンを容易に変更することが困難であった。そして、ＬＥＤの直下の導体配線が他の導体配線から独立して島状に形成されるため、ＬＥＤの熱を半導体発光装置の外部に効率よく放熱することが困難であった。これは、導体配線は高い熱伝導率を有するが、基板自体は高い熱伝導率を有さないためである。基板内にＬＥＤの熱が蓄積されると、半導体発光装置の光度低下及び基板劣化等の問題が生じていた。

また、接着剤が塗布される領域に溝を形成する方法においては、接着剤が溝に沿って広がるものの、溝の数量及び幅に起因して溝以外の部分にも接着剤が広がってしまう。接着剤の広がりを抑制しようとすると、溝の数量の増加又は溝の幅の拡大等を行わなければならず、半導体発光装置の小型化を図ることが困難であった。

本発明は、上述した点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＬＥＤを固着するための接着剤の広がりを抑制する構造を有すととともに、小型化及び形状の変更が容易であって且つ高い放熱性を有する半導体発光装置、及びその製造方法を提供することである。

上述した課題を解決するために、本発明の半導体発光装置は、基板と、多層金属膜からなり、前記基板上に形成された導体配線と、前記導体配線上に接着剤を介して実装された少なくとも１つの半導体発光素子と、前記導体配線の少なくとも１つの層を貫通し、前記少なくとも１つの半導体発光素子の周囲に設けられた溝と、を有し、前記溝の底面に露出した金属層は、前記多層金属膜の最上層の金属層よりも前記接着剤に対して低いぬれ性を備えることを特徴とする。

また、上述した課題を解決するために、本発明の半導体発光装置の製造方法は、基板上に接着剤を介して少なくとも１つの半導体発光素子を実装して半導体発光装置を形成する半導体発光装置の製造方法であって、前記接着剤に対するぬれ性が異なる金属を基板上に成膜して多層金属膜からなる導体配線を形成する工程と、前記導体配線上の素子実装領域の外側に、レーザ照射によって前記導体配線の少なくとも１つの層を貫通し、前記導体配線の最上層の金属層のぬれ性よりも低いぬれ性を有する金属層を露出させる溝を形成する工程と、前記素子実装領域に前記接着剤を介して前記少なくとも１つの半導体発光素子を実装する工程と、を有し、前記半導体発光素子を実装する工程において、前記接着剤は前記多層金属膜の最上層の金属層上のみに広がることを特徴とする。

本発明の半導体発光装置においては、半導体発光装置の周囲に多層金属膜からなる導体配線の少なくとも１つの層を貫通する溝を有し、当該溝の底面に露出した金属層が多層金属膜の最上層の金属層よりも接着剤に対して低いぬれ性を備えている。このような構造により、本発明の半導体発光装置においては、半導体発光素子を固着するための接着剤の広がりを抑制することができる。更には、ＬＥＤの直下の導体配線を他の導体配線から孤立せずに形成することができるため、本発明の半導体発光装置は高い放熱性を有することができる。

また、本発明の半導体発光装置の製造方法においては、接着剤に対するぬれ性が異なる金属から構成される多層金属膜からなる導体配線上の素子実装領域の外側に、レーザ照射によって導体配線の少なくとも１つの層を貫通し、導体配線の最上層の金属層のぬれ性よりも低いぬれ性を有する金属層を露出させる溝を形成する工程を有している。このような工程を有することにより、ＬＥＤを固着するための接着剤の広がりを抑制させ、半導体発光装置自体の小型化及び形状の変更を容易化することができ、更には高い放熱性を有する半導体発光装置を製造することができる。

（ａ）は本実施例に係る半導体発光装置の平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）の線１ｂ−１ｂ）に沿った断面図であり、（ｃ）は図１（ａ）の線１ｃ−１ｃに沿った断面図である。 図１（ｂ）の破線で囲まれた領域２の拡大図である。 半導体発光装置を構成する発光ダイオードの実装部分の拡大平面図である。 本実施例に係る半導体発光装置を構成する半導体発光素子の拡大部分断面図である。 本実施例に係る半導体発光装置の製造方法における各製造工程を示す断面図である。 本実施例に係る半導体発光装置の製造方法における各製造工程を示す断面図である。

以下、本発明の実施例について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。

先ず、図１乃至図３を参照しつつ本実施例に係る半導体発光装置の構造を説明する。図１（ａ）は本実施例に係る半導体発光装置の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の線１ｂ−１ｂ（破線で示す）に沿った断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）の線１ｃ−１ｃ（破線で示す）に沿った断面図である。図２は図１（ｂ）の破線で囲まれた領域２の拡大図である。図３は半導体発光装置を構成する発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）の実装部分の拡大平面図である。

図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されているように、半導体発光装置１０は、略長方形状の平面形状を有する基板１１と、基板１１に載置された半導体発光素子であるＬＥＤ１２、１３及び保護素子１４と、ＬＥＤ１２及び保護素子１４を覆う透光性樹脂１５と、を有している。本実施例においては、基板１１はガラスエポキシ基板であり、ＬＥＤ１２の平面形状は略長方形であり、保護素子１４の平面形状は略正方形である。また、基板１１のＬＥＤ１２、１３が実装されている面を基板１１の表面１１ａ、表面１１ａとは反対側の面を基板１１の裏面１１ｂ、他の面を側面１１ｃと称する。なお、基板１１はガラスエポキシ基板に限られることはなく、例えば、高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）多層基板、又は低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）多層基板であってもよい。

基板１１には４つの導体配線１６ａ〜１６ｄが形成されている。以下において、導体配線１６ａ〜１６ｄのいずれかを選択しない場合には、単に導体配線１６とも称する。具体的な導体配線１６ａ〜１６ｄの構成として、導体配線１６ａ、１６ｄは基板１１の表面１１ａから側面１１ｃを経て裏面１１ｂに至るまで形成され、導体配線１６ｂ、１６ｃは基板１１の表面１１ａ上に島状に形成されている。また、導体配線１６ｂは基板１１を貫通する貫通配線（図示せず）を介して導体配線１６ａに接続されている。

導体配線１６ｃ上には、非導電性のエポキシペーストの接着剤１７を介してＬＥＤ１２、１３が固着されている。導体配線１６ｄ上には、導電性のＡｇペーストの接着剤１８を介して保護素子１４が固着されている。例えば、接着剤１７、１８は、約２０μｍの厚さを有しており、１０〜３０μｍ範囲内で適宜変更することができる。なお、非導電性の接着剤としては、シリコーンペーストの接着剤を用いてもよく、導電性の接着剤としては、ＡｕＳｎペースト及び半田ペーストの接着剤を用いてもよい。

ＬＥＤ１２のｐ側電極１２ａ、ｎ側電極１２ｂのそれぞれは、ボンディングワイヤ１９を介して導体配線１６ａ、１６ｃに接続されている。また、ＬＥＤ１３のｐ側電極１３ａ、ｎ側電極１３ｂのそれぞれは、ボンディングワイヤ１９を介して導体配線１６ｂ、１６ｃに接続されている。更に、保護素子１４のｎ側電極１４ａは、ボンディングワイヤ１９を介して導体配線１６ｃに接続されている。なお、保護素子１４のｐ側電極は接着剤１８を介して導体配線１６ｄに電気的に接続されている。

図２に示されているように、導体配線１６はＣｕ層２１、Ｎｉ層２２及びＡｕ層２３が順次積層された（Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ）金属性の配線である。ここで、Ｃｕ層２１の層厚は約２５μｍ、Ｎｉ層２２の層厚は約１０μｍ、Ａｕ層２３の層厚は約０．４μｍである。また、Ｃｕ層２１の層厚を１８μｍ〜３５μｍの範囲内、Ｎｉ層２２の層厚を５μｍ〜１５μｍの範囲内、Ａｕ層２３の層厚を０．１μｍ〜０．６μｍの範囲内で適宜変更することが可能である。また、導体配線１６ｃにはＡｕ層２３のみを貫通しＮｉ層２２を表出させる溝２０が形成されている。

なお、基板１１にＨＴＣＣ多層基板を用いた場合には、導体配線１６はＷ層（層厚が５μｍ以上）、Ｎｉ層（層厚が約５μｍ）及びＡｕ層（層厚が約０．４μｍ）が順次積層された構造を有していてもよい。この場合に、Ｎｉ層の層厚を２．０μｍ〜８．０μｍの範囲内、Ａｕ層の層厚を０．２μｍ〜０．６μｍの範囲内で適宜変更することが可能である。また、基板１１にＬＴＣＣ多層基板を用いた場合には、導体配線１６はＡｇＰｄ層（層厚が約１５μｍ）、Ｎｉ層（層厚が約１０μｍ）及びＡｕ層（層厚が約０．５μｍ）が順次積層された構造を有していてもよい。この場合に、ＡｇＰｄ層の層厚を１０μｍ〜２０μｍの範囲内、Ｎｉ層の層厚を５μｍ〜１５μｍの範囲内、Ａｕ層の層厚を０．２μｍ〜１．０μｍの範囲内で適宜変更することが可能である。更に、基板１１にＬＴＣＣ多層基板を用いた場合には、ＡｇＰｄ層に代えてＡｇ層（層厚が１５μｍ）を積層した構造を有する導体配線１６を形成してもよい。この場合に、Ａｇ層の層厚を１０μｍ〜２０μｍの範囲内、Ｎｉ層の層厚を３μｍ〜１２μｍの範囲内で適宜変更することが可能である。

図１（ａ）及び図３に示されているように、ＬＥＤ１２の実装領域とＬＥＤ１３の実装領域と区切るように形成された溝２０ａ、２０ｂと、溝２０はＬＥＤ１２を囲むように形成された溝２０ａ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆと、から構成されている。各溝の幅は、例えば約２５μｍである。

溝２０ａは、ＬＥＤ１２を固着する接着剤１７がＬＥＤ１３のボンディングエリア（実装領域）に侵入すること、及びＬＥＤ１３を固着する接着剤１７がＬＥＤ１２のボンディングエリアに侵入することを防止する溝である。溝２０ｂは、ＬＥＤ１３を固着する接着剤１７がＬＥＤ１３のｎ側電極１３ｂから伸長したボンディングワイヤ１９のボンディングエリア２１（ボンディングワイヤ１９と導体配線１６ｃとの接続領域）に侵入することを防止するために設けられている。溝２０ｃは、ＬＥＤ１２を固着する接着剤１７がボンディングエリア２１に侵入することを防止するために設けられている。溝２０ｄは、ＬＥＤ１２を固着する接着剤１７がＬＥＤ１２のｎ側電極１２ｂから伸長したボンディングワイヤ１９のボンディングエリア２２（ボンディングワイヤ１９と導体配線１６ｃとの接続領域）に侵入することを防止するために設けられている。溝２０ｅ、２０ｆは、ＬＥＤ１２を固着する接着剤１７が導体配線１６ｃの外側へ広がることを防止し、ＬＥＤ１２の固着性を高めるために設けられている。

本実施例においては、ＬＥＤ１３を固着する接着剤１７は溝２０ａ、２０ｂには到達していないものの、ＬＥＤ１２を固着する接着ザ１７は溝２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆに到達している。なお、接着の際にＬＥＤ１２、１３に加えられる押圧力によっては、接着剤１７が溝２０に到達しなかったり、又は溝２０に到達したりする。しかしながら、接着の際にＬＥＤ１２、１３に加えられる押圧力が強くなっても、接着剤１７が溝２０を超えて広がることはない。

次に、図４を参照しつつ接着剤１７が溝２０を超えて広がらない理由を説明する。図４は、ＬＥＤ１２のｎ側電極１２ｂ近傍における拡大断面図である。図４に示されているように、導体配線１６にはＡｕ層２３を貫通する溝２０が形成されているため、溝２０の底部においてＮｉ層２２が露出している。ここで、Ｎｉ層２２に対する接着剤１７の濡れ性は、Ａｕ層２３に対する接着剤１７の濡れ性よりも悪く、接着剤１７はＡｕ層２３上に広がりやすい。このようなぬれ性の相違により、接着剤１７が溝２０まで広がると、接着剤１７はＮｉ層２２を覆うようには広がらない。すなわち、接着剤１７は溝２０を充填することはなく、溝２０の側面部分のＡｕ層２３上までしか広がらない。すなわち、接着剤１７は、溝２０を充填しつつ溝２０を越えて広がることはない。

以上のことから、接着剤１７の外縁は、導体配線１６の最上層の金属層であるＡｕ層２３上に位置している。特に、図４においては、接着剤１７は、溝２０の底面の外縁に位置、すなわち、溝２０内に露出したＡｕ層２３とＮｉ層２２との界面に位置している。なお、図４に示された接着剤１７の状態は、接着剤１７が最も広がった状態である。また、接着の際にＬＥＤ１２、１３に加えられる押圧力が図４に示された接着剤１７の状態を形成するような押圧力よりも弱い場合には、接着剤１７の外縁は導体配線１６のＡｕ層２３の表面上、又は溝２０の側部に露出したＡｕ層２３の側面に位置する。つまり、接着剤１７の外縁は、導体配線１６の最上層の金属層であるＡｕ層２３上に位置している。そして、接着剤１７が最も広がったとしても、接着剤１７の最も広がった部分の外縁は溝２０の底面の外縁に位置、すなわち、溝２０内に露出したＡｕ層２３とＮｉ層２２との界面に位置し、それ以上は広がることがない。

以上のように、接着剤１７を塗布する導体配線１６において、導体配線の最上層であるＡｕ層２３を貫通し、Ａｕ層２３の下層のＮｉ層２２を露出する溝２０を接着剤１７を囲むように又は接着剤１７とボンディング領域２１、２２と仕切るように形成することで、接着剤１７の広がりを溝２０で防止することができる。

また、Ｃｕ層２１に対する接着剤１７のぬれ性は、Ａｕ層２３に対する接着剤１７の濡れ性よりも悪い。このため、Ｎｉ層２２を貫通してＣｕ層２１を表出するように溝２０を形成してよく、かかる場合においても溝２０を充填しつつ溝２０を越えて接着剤１７が広がることはない。更に、導体配線１６の最上層はＡｕ層２３に限られることはなく、例えばＡｇ層であってもよい。

上述した実施例においては、非導電性接着剤である接着剤１７の場合を説明したが、導電性接着剤である接着剤１８のぬれ性も同様であるため、接着剤１８が塗布される領域（保護素子１４のボンディング領域）を囲むように、溝２０を形成してもよい。これにより、接着剤１８は溝２０を充填しつつ溝２０を越えて広がることがなくなり、保護素子１４の固着性を高めることができる。

以上のように、本実施例の半導体発光装置１０においては、ＬＥＤ１２を固着するための接着剤１７を囲むように溝２０（溝２０ａ、２０ｃ〜２０ｆ）が設けられ、更には、ＬＥＤ１３を固着する接着剤１７がボンディング領域２１やＬＥＤ１２の実装領域に広がらないように溝２０（溝２０ａ、２０ｂ）が設けられているため、ＬＥＤ１２、１３の実装時においても接着剤１７の広がり容易に防止することができる。

また、溝２０は、Ａｕ層２３のみを貫通しているため、導体配線１６がＬＥＤ１２、１３の実装領域ごとに分離されることがない。これにより、ＬＥＤ１２、１３において発生する熱を導体配線１６を介して半導体発光装置１０の外部に容易に放熱することができる。

次に、本実施例に係る半導体発光装置１０の製造方法について図５及び図６を参照しつつ説明する。図５及び図６は、本実施例に係る半導体発光装置１０の製造方法における各製造工程を示す断面図である。なお、図５（ａ）〜（ｄ）、図６（ａ）〜（ｃ）の断面図は、図１（ａ）の線１ｂ−１ｂに沿った断面図である。

先ず、両面にＣｕ箔の貼られた（図示せず）ガラスエポキシからなる基板１１を準備する。Ｃｕ箔が貼り付けられた状態の基板１１にレジストを塗布する。その後、フォトリソグラフィによって塗布したレジストに所望のパターニングを施す。ここでは、導体配線１６ａ〜１６ｄが設けられる領域にレジストが残るようなパターニングを施す。続いて、パターニングされたレジストをマスクとし、Ｃｕ箔にエッチングを施し、その後に当該パターニングされたレジストを除去することにより、Ｃｕ箔がパターニングされる。そして、電解メッキによりＣｕ、Ｎｉ及びＡｕを基板１１のＣｕ箔上に順次堆積させる。以上により、Ｃｕ層２１、Ｎｉ層２２及びＡｕ層２３が順次積層された層構造を有する導体配線１６ａ〜１６ｄが基板１１上に形成される（図５（ｂ））。

次に、導体配線１６ｃにおいてＡｕ層２３のみを貫通し、Ｎｉ層２２を表出させる溝２０を形成する（図５（ｃ））。具体的には、Ａｕ層２３にグリーンレーザを照射し、約２５μｍの幅を有する溝２０を形成する。グリーンレーザの照射は、後の工程においてＬＥＤ１２を固着するための接着剤１７が塗布される位置を囲むように照射し、更にはＬＥＤ１２を固着するための接着剤１７の塗布領域とＬＥＤ１３を固着するための接着剤１７の塗布領域を区切るように照射する。これにより、図３に示されているような、溝２０ａ〜溝２０ｅよって構成される溝２０を形成する。なお、溝２０の形成方法はグリーンレーザの照射に限定されることなく、例えば、ＹＡＧレーザの照射、又はＣＯ_２レーザの照射であってもよい。ＹＡＧレーザを照射する場合には、形成される溝２０の幅は４０〜６０μｍとなり、ＣＯ_２レーザを照射する場合には、形成される溝２０の幅は約６０μｍとなる。

次に、導体配線１６ｃの所望の位置に非導電性の接着剤１７を塗布し、更には導体配線１６ｄの所望の位置に導電性の接着剤１８を塗布する（図５（ｄ））。続いて、接着剤１７上にＬＥＤ１２、１３を載置し、接着剤１８上に保護素子１４を載置する。その後に、ＬＥＤ１２、１３及び保護素子１４を押圧することにより、ＬＥＤ１２、１３及び保護素子１４の接着剤１７、１８を介した基板１１上への実装が完了する（図６（ａ））。

次に、ＬＥＤ１２のｐ側電極１２ａ、ｎ側電極１２ｂ、ＬＥＤ１３のｐ側電極１３ａ、ｎ側電極１３ｂ、保護素子１４のｐ側電極１４ａのそれぞれと導体配線１６とをボンディングワイヤ１９を介して電気的に接続する（図６（ｂ））。具体的には、ＬＥＤ１２のｐ側電極１２ａと導体配線１６ａと、ＬＥＤ１２のｎ側電極１２ｂと導体配線１６ｃと、ＬＥＤ１３のｐ側電極１３ａと導体配線１６ｂと、ＬＥＤ１３のｎ側電極１３ｂと導体配線１６ｃと、保護素子１４のｐ側電極１４ａと導体配線１６ｄと、をボンディングワイヤ１９を介して電気的に接続する。

次に、基板１１の表面１１ａ上において、モールド用の透光性樹脂１５を塗布成型し、ＬＥＤ１２、１３、保護素子１４及びボンディングワイヤ１９を透光性樹脂１５によって封止する（図６（ｄ））。かかる工程を経ることによって半導体発光装置１０の形成が完了する。

上述したように、本実施例の半導体発光装置１０の製造方法においては、接着剤１７のはみ出しを防止するための溝２０をレーザ加工により形成している。このため、溝２０の幅は従来のソルダーレジストの幅やＬＥＤ実装領域を分離する溝の幅よりも小さくなり、半導体発光装置１０の自体の小型化を図ることができる。また、溝２０の幅が従来よりも小さくなることにより、ＬＥＤ１２、ＬＥＤ１３を近接して設けることが可能になり、異なる発光色のＬＥＤを用いる場合には、混色性が向上する。更に、溝２０の幅が従来よりも小さくなることにより、ＬＥＤ１２、１３から導体配線１６までの距離が短くなり、ボンディングワイヤ１９のループ高さを低くすることができ、半導体発光装置１０の薄型化を図ることができる。そして、ＬＥＤの高密度実装による光源サイズの縮小化を図ることができ、これにより半導体発光装置１０のレンズの設計自由度が向上する。

また、本実施例の半導体発光装置１０の製造方法においては、接着剤１７のはみ出しを防止するための溝２０をレーザ加工により形成しているため、従来のようなレジストを加工するためのマスクが不要となり、溝２０の形状を容易に変更することができる。すなわち、半導体発光装置１０の設計自由度が向上する。

更に、透光性樹脂１５によるモールド直前まで溝２０が露出しているため、溝２０は接着剤１７の塗布及びＬＥＤ１２、１３の実装時における識別マークとしても機能する。これにより、接着剤１７の塗布及びＬＥＤ１２、１３の実装の精度を高めることができる。

なお、上述した実施例においては、半導体発光素子であるＬＥＤを２つ実装したが、１つのＬＥＤを実装する場合であっても、当該ＬＥＤを囲むように溝２０を形成することで、当該ＬＥＤを固着する接着剤の広がりを抑制することができる。これにより、当該ＬＥＤの固着性を高めることができる。

１０ 半導体発光装置
１１ 基板
１２ 発光ダイオード（ＬＥＤ）
１３ 発光ダイオード（ＬＥＤ）
１４ 保護素子
１５ 透光性樹脂
１６ 導体配線
１７ 接着剤
１８ 接着剤
１９ ボンディングワイヤ
２０ 溝
２１ Ｃｕ層
２２ Ｎｉ層
２３ Ａｕ層

Claims (7)

1. 基板と、
   多層金属膜からなり、前記基板上に形成された導体配線と、
   前記導体配線上に接着剤を介して実装された少なくとも１つの半導体発光素子と、
   前記導体配線の少なくとも１つの層を貫通し、前記少なくとも１つの半導体発光素子の周囲に設けられた溝と、を有し、
   前記溝の底面に露出した金属層は、前記多層金属膜の最上層の金属層よりも前記接着剤に対して低いぬれ性を備えることを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記接着剤の外縁は、前記多層金属膜の最上層の金属層上に位置していることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記接着剤の外縁は、前記溝の底面の外縁に位置していることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置。
4. 前記溝は、前記少なくとも１つの半導体発光素子の実装領域と、前記少なくとも１つの半導体発光素子の電極に接続されたボンディングワイヤと前記導体配線との接続領域と、を区切るように設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の半導体発光装置。
5. 前記多層金属膜の最上層の金属層はＡｕ又はＡｇからなり、前記溝の底面に露出した金属層はＮｉ又はＣｕからなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の半導体発光装置。
6. 基板上に接着剤を介して少なくとも１つの半導体発光素子を実装して半導体発光装置を形成する半導体発光装置の製造方法であって、
   前記接着剤に対するぬれ性が異なる金属を基板上に成膜して多層金属膜からなる導体配線を形成する工程と、
   前記導体配線上の素子実装領域の外側に、レーザ照射によって前記導体配線の少なくとも１つの層を貫通し、前記導体配線の最上層の金属層のぬれ性よりも低いぬれ性を有する金属層を露出させる溝を形成する工程と、
   前記素子実装領域に前記接着剤を介して前記少なくとも１つの半導体発光素子を実装する工程と、を有し、
   前記半導体発光素子を実装する工程において、前記接着剤は前記多層金属膜の最上層の金属層上のみに広がることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
7. 前記接着剤の外縁は、前記溝の底面の外縁に位置していることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
   

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