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KR20180116756A - 다이싱 다이 본드 필름 - Google Patents

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KR20180116756A
KR20180116756A KR1020180042603A KR20180042603A KR20180116756A KR 20180116756 A KR20180116756 A KR 20180116756A KR 1020180042603 A KR1020180042603 A KR 1020180042603A KR 20180042603 A KR20180042603 A KR 20180042603A KR 20180116756 A KR20180116756 A KR 20180116756A
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KR
South Korea
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adhesive layer
pressure
sensitive adhesive
meth
dicing
Prior art date
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KR1020180042603A
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Inventor
유타 기무라
나오히데 다카모토
겐지 오니시
유이치로 시시도
아키히로 후쿠이
미치코 야마토
신이치 이노우에
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2017145637A external-priority patent/JP7017334B2/ja
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

접착제층 부착 반도체 칩을 얻기 위해서 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 익스팬드 공정에 있어서 다이싱 테이프 위의 접착제층을 양호하게 할단시킴과 함께, 할단 후의 접착제층 부착 반도체 칩에 대하여 양호한 픽업을 실현하는 것이 가능한 다이싱 다이 본드 필름을 제공한다. 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있는 접착제층을 구비하고, 상기 점착제층 표면의, 온도 23℃, 주파수 100㎐의 조건에서의 나노인덴테이션법에 의한 500㎚ 압입 시의 탄성률이 0.1 내지 20MPa인, 다이싱 다이 본드 필름.

Description

다이싱 다이 본드 필름{DICING DIE BOND FILM}
본 발명은, 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 반도체 장치의 제조 과정에서 사용할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 다이 본딩용 칩 상당 사이즈의 접착 필름을 갖는 반도체 칩, 즉, 다이 본딩용 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는 과정에서, 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름은, 가공 대상인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈를 갖고, 예를 들어 기재 및 점착제층으로 이루어지는 다이싱 테이프와, 그 점착제층측에 박리 가능하게 밀착하고 있는 다이 본드 필름(접착제층)을 갖는다.
다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는 방법의 하나로서, 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프를 익스팬드해서 다이 본드 필름을 할단시키기 위한 공정을 거치는 방법이 알려져 있다. 이 방법에서는, 먼저, 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름 위에 반도체 웨이퍼를 접합한다. 이 반도체 웨이퍼는, 예를 들어 후에 다이 본드 필름과 함께 할단되어 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능하도록 가공된 것이다. 이어서, 다이싱 테이프 위의 다이 본드 필름을 할단시키기 위해서, 익스팬드 장치를 사용하여 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 반도체 웨이퍼의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘인다. 이 익스팬드 공정에서는, 다이 본드 필름에서의 할단 개소에 상당하는 개소로 다이 본드 필름 위의 반도체 웨이퍼에 있어서도 할단이 발생하고, 다이싱 다이 본드 필름 또는 다이싱 테이프 위에서 반도체 웨이퍼가 복수의 반도체 칩으로 개편화된다. 이어서, 다이싱 테이프 위의 할단 후의 복수의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩에 대하여 이격 거리를 확장하기 위해서, 다시 익스팬드 공정을 행한다. 이어서, 예를 들어 세정 공정을 거친 후, 각 반도체 칩을 그것에 밀착하고 있는 칩 상당 사이즈의 다이 본드 필름과 함께, 다이싱 테이프의 하측으로부터 픽업 기구의 핀 부재에 의해 밀어올려서 다이싱 테이프 위에서 픽업한다. 이와 같이 하여, 다이 본드 필름 즉 접착제층 부착 반도체 칩이 얻어진다. 이 접착제층 부착 반도체 칩은, 그 접착제층을 개재하고, 실장 기판 등의 피착체에 다이 본딩에 의해 고착되게 된다. 이상과 같이 사용되는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 기술에 대해서는, 예를 들어 하기 특허문헌 1 내지 3에 기재되어 있다.
일본 특허공개 제2007-2173호 공보 일본 특허공개 제2010-177401호 공보 일본 특허공개 제2016-115804호 공보
도 14는, 종래형의 다이싱 다이 본드 필름 Y를 그 단면 모식도로 나타내는 것이다. 다이싱 다이 본드 필름 Y는, 다이싱 테이프(60) 및 다이 본드 필름(70)으로 이루어진다. 다이싱 테이프(60)는, 기재(61)와, 점착력을 발휘하는 점착제층(62)의 적층 구조를 갖는다. 다이 본드 필름(70)은, 점착제층(62)의 점착력에 의해 점착제층(62)에 밀착하고 있다. 이러한 다이싱 다이 본드 필름 Y는, 반도체 장치의 제조 과정에서의 가공 대상 혹은 워크인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈의 원반 형상을 갖고, 전술한 익스팬드 공정에 사용될 수 있다. 예를 들어 도 15에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(81)이 다이 본드 필름(70)에 접합되고, 또한, 링 프레임(82)이 점착제층(62)에 부착된 상태에서, 전술한 익스팬드 공정이 실시된다. 반도체 웨이퍼(81)는, 예를 들어 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능하도록 가공된 것이다. 링 프레임(82)은, 다이싱 다이 본드 필름 Y에 부착된 상태에 있어서, 익스팬드 장치가 구비하는 반송 아암 등의 반송 기구가 워크 반송 시에 기계적으로 맞닿는 프레임 부재이다. 종래형의 다이싱 다이 본드 필름 Y는, 이러한 링 프레임(82)이 다이싱 테이프(60)의 점착제층(62)의 점착력에 의해 당해 필름에 고정될 수 있도록 설계되어 있다. 즉, 다이싱 테이프(60)의 점착제층(62)에 있어서 다이 본드 필름(70)의 주위에 링 프레임 접착용 영역이 확보되는 설계를, 종래형의 다이싱 다이 본드 필름 Y는 갖고 있다. 그러한 설계에 있어서, 점착제층(62)의 외주 단부(62e)와 다이 본드 필름(70)의 외주 단부(70e)의 필름면 내 방향의 거리는 10 내지 30㎜ 정도이다.
본 발명은, 이상과 같은 사정을 기초로 고안해낸 것으로서, 그 목적은, 접착제층 부착 반도체 칩을 얻기 위해서 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 익스팬드 공정에 있어서 다이싱 테이프 위의 접착제층을 양호하게 할단시킴과 함께, 할단 후의 접착제층 부착 반도체 칩에 대해서 양호한 픽업을 실현하는 것이 가능한 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 검토한 결과, 점착제층 표면의 나노인덴테이션법에 의한 500㎚ 압입 시의 탄성률이 특정한 범위 내인 다이싱 다이 본드 필름을 사용하면, 익스팬드 공정에 있어서 다이싱 테이프 위의 접착제층을 양호하게 할단시킴과 함께, 할단 후의 접착제층 부착 반도체 칩에 대하여 양호한 픽업을 실현할 수 있다는 사실을 알아내었다. 본 발명은, 이들의 지견에 기초하여 완성된 것이다.
즉, 본 발명은, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있는 접착제층을 구비하고, 상기 점착제층 표면의, 온도 23℃, 주파수 100㎐의 조건에서의 나노인덴테이션법에 의한 500㎚ 압입 시의 탄성률이 0.1 내지 20MPa인, 다이싱 다이 본드 필름을 제공한다.
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프 및 접착제층을 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 접착제층은, 다이싱 테이프에서의 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있다. 다이싱 테이프의 점착제층은, 당해 점착제층 표면의, 온도 23℃, 주파수 100㎐의 조건에서의 나노인덴테이션법에 의한 500㎚ 압입 시의 탄성률이 0.1 내지 20MPa이다. 이와 같은 구성의 다이싱 다이 본드 필름은, 반도체 장치의 제조 과정에서 접착제층 부착 반도체 칩을 얻기 위해서 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어 세퍼레이터 위에 형성된 접착제층 위에 점착제층 형성용의 조성물을 도포 시공하여 고화시켜 점착제층을 형성하는 과정, 또는, 기재 위에 형성된 점착제층 위에 접착제층 형성용의 조성물을 도포 시공하여 고화시켜 접착제층을 형성하는 과정을 거치는 방법(적층 도포 시공 방법)에 의해 제조하는 것이 가능하다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 전술한 바와 같이, 접착제층 부착 반도체 칩을 얻기 위해서, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정, 즉, 할단을 위한 익스팬드 공정을 실시하는 경우가 있다. 이 익스팬드 공정에서는, 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프 위의 접착제층에 적절하게 할단력이 작용하는 것이 필요하다. 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프의 점착제층은, 전술한 바와 같이, 당해 점착제층 표면의, 온도 23℃, 주파수 100㎐의 조건에서의 나노인덴테이션법에 의한 500㎚ 압입 시의 탄성률이 0.1 내지 20MPa이다. 상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 압자를 점착제층 표면에 압입했을 때의, 압자에 대한 부하 하중과 압입 깊이를, 부하 시 및 제하 시에 걸쳐 연속적으로 측정하고, 얻어진 부하 하중-압입 깊이 곡선으로부터 구해지는 탄성률을 의미한다. 이와 같이, 상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 점착제층 표면의 물리적 특성을 나타내는 지표이며, 점착제층 전체의 물리적 특성을 나타내는 지표인 종래의 점탄성 측정에 의해 얻어지는 인장 탄성률 등의 탄성률과는 상이한 것이다. 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에서의 점착제층의, 이러한 상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이 0.1MPa 이상임으로써, 익스팬드 시에 발생하는 응력이 접착제층에 전해지기 쉬워지기 때문에 접착제층을 양호하게 할단할 수 있고, 또한, 점착제층과 접착제층의 밀착성을 적당하게 할 수 있어, 익스팬드 공정에서의 점착제층과 접착제층 사이의 박리가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이 20MPa 이하인 것에 의해, 익스팬드 공정에서의 점착제층의 균열을 일어나기 어렵게 할 수 있고, 또한, 픽업 공정에서는 할단 후의 접착제층 부착 반도체 칩이 점착제층으로부터 양호하게 박리할 수 있어, 양호한 픽업을 실현하는 것이 가능하다. 또한, 점착제층(12)이 후술하는 방사선 경화형 점착제층인 경우, 방사선 경화 후의 점착제층(12)의 상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이 상기 범위 내인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 그 접착제층에 워크 접착용 영역 외에도 프레임 접착용 영역을 포함하도록, 다이싱 테이프 혹은 그 점착제층과 그 위의 접착제층을 필름면 내 방향에 있어서 실질적으로 동일한 치수로 설계하는 것이 가능하다. 예를 들어, 다이싱 다이 본드 필름의 면 내 방향에 있어서, 접착제층의 외주 단부가 다이싱 테이프의 기재나 점착제층의 각 외주 단부로부터 1000㎛ 이내의 거리에 있는 설계를 채용할 수 있다. 이러한 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어 전술한 적층 도포 시공 방법에 의한 접착제층과 점착제층의 적층 형성의 후에, 기재와 점착제층의 적층 구조를 갖는 하나의 다이싱 테이프를 형성하기 위한 가공과, 하나의 접착제층을 형성하기 위한 가공을, 하나의 펀칭 가공 등의 가공으로 일괄적으로 실시하는 것이 가능하다.
전술한 종래형의 다이싱 다이 본드 필름 Y의 제조 과정에 있어서는, 소정의 사이즈 및 형상의 다이싱 테이프(60)를 형성하기 위한 가공 공정(제1 가공 공정)과, 소정의 사이즈 및 형상의 다이 본드 필름(70)을 형성하기 위한 가공 공정(제2 가공 공정)이, 별개의 공정으로서 필요하다. 제1 가공 공정에서는, 예를 들어 세퍼레이터와, 기재(61)에 형성되게 되는 기재층과, 이들 사이에 위치하여 점착제층(62)에 형성되게 되는 점착제층의 적층 구조를 갖는 적층 시트체에 대하여, 기재층의 측으로부터 세퍼레이터에 이르기까지 가공날을 돌입시키는 가공이 실시된다. 이에 의해, 세퍼레이터 위의 점착제층(62)과 기재(61)의 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프(60)가, 세퍼레이터 위에 형성된다. 제2 가공 공정에서는, 예를 들어 세퍼레이터와, 다이 본드 필름(70)에 형성되게 되는 접착제층의 적층 구조를 갖는 적층 시트체에 대하여, 접착제층의 측으로부터 세퍼레이터에 이르기까지 가공날을 돌입시키는 가공이 실시된다. 이에 의해, 세퍼레이터 위에 다이 본드 필름(70)이 형성된다. 이렇게 별개의 공정으로 형성된 다이싱 테이프(60)와 다이 본드 필름(70)은, 그 후, 위치 정렬되면서 접합된다. 도 16에, 다이 본드 필름(70) 표면 및 점착제층(62) 표면을 덮는 세퍼레이터(83)를 수반하는 종래형의 다이싱 다이 본드 필름 Y를 나타낸다.
이에 반하여, 다이싱 테이프 또는 그 점착제층과 그 위의 접착제층이 필름면 내 방향에 있어서 실질적으로 동일한 설계 치수를 갖는 경우의 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어 전술한 적층 도포 시공 방법에 의한 접착제층과 점착제층의 적층 형성의 후에, 기재와 점착제층의 적층 구조를 갖는 하나의 다이싱 테이프를 형성하기 위한 가공과, 하나의 접착제층을 형성하기 위한 가공을, 하나의 펀칭 가공 등의 가공으로 일괄적으로 실시하는 것 가능하다. 이러한 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 익스팬드 공정에서 접착제층을 양호하게 할단시킴과 함께 픽업 공정에서 접착제층 부착 반도체 칩이 양호한 픽업을 실현하는데 적합할 뿐만 아니라 제조 공정수의 삭감의 관점이나 제조 비용 억제의 관점 등에 있어서 효율적으로 제조하는 데도 적합하다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상기 점착제층은 방사선 경화형 점착제층이며, 온도 23℃, 박리 속도 300㎜/분의 조건에서의 T형 박리 시험에서의, 방사선 경화 후의 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력은 0.06 내지 0.25N/20㎜인 것이 바람직하다. 상기 방사선 경화 후의 상기 T형 박리 시험에서의 박리력이 0.06N/20㎜ 이상이면 다이싱 테이프의 점착제층과 그 위의 접착제층과의 사이의 밀착성을 확보하여, 익스팬드 공정에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩의 점착제층으로부터의 부분적인 박리 즉 들뜸의 발생을 보다 억제할 수 있다. 상기 방사선 경화 후의 상기 T형 박리 시험에서의 박리력이 0.25N/20㎜ 이하이면, 픽업 공정에 있어서 보다 양호한 픽업을 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 온도 23℃, 박리 속도 300㎜/분의 조건에서의 T형 박리 시험에서의, 방사선 경화 전의 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력은 2N/20㎜ 이상인 것이 바람직하다. 상기 방사선 경화 전의 상기 T형 박리 시험에서의 박리력이 2N/20㎜ 이상이면 방사선 경화를 행하지 않는 상태에서 익스팬드 공정을 실시하는 경우에, 다이싱 테이프의 점착제층과 그 위의 접착제층 사이의 밀착성을 확보하여, 익스팬드 공정에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩의 점착제층으로부터의 부분적인 박리 즉 들뜸의 발생을 보다 억제하면서, 접착제층을 보다 양호하게 할단할 수 있다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상기 점착제층과 상기 접착제층의 접촉면에서의, 상기 점착제층 표면의 표면 조도 Ra와 상기 접착제층 표면의 표면 조도 Ra의 차는 100㎚ 이하인 것이 바람직하다. 상기 표면 조도 Ra의 차가 100㎚ 이하이면, 다이싱 테이프의 점착제층과 그 위의 접착제층 사이의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있고, 익스팬드 공정에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩의 점착제층에서의 부분적인 박리 즉 들뜸의 발생을 보다 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상기 점착제층은, 탄소수 10 이상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위 및 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 제1 아크릴계 중합체를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 점착제층이 상기 제1 아크릴계 중합체를 함유함으로써, 픽업 공정에 있어서 다이싱 테이프의 점착제층에서의 접착제층 부착 반도체 칩의 박리가 보다 용이하게 되어, 보다 양호한 픽업을 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상기 제1 아크릴계 중합체에서의, 탄소수 10 이상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위의, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 대한 몰 비율은, 1 내지 40인 것이 바람직하다. 상기 몰 비율이 저하하는 만큼 다이싱 테이프에서의 점착제층과 그 위의 접착제층과의 상호 작용이 강해지는 경향이 있는바, 상기 몰 비율이 1 이상이면 상기 상호 작용을 비교적 낮게 억제할 수 있어, 픽업 공정에 있어서 다이싱 테이프의 점착제층으로부터의 접착제층 부착 반도체 칩의 박리가 보다 용이하게 되어, 보다 양호한 픽업을 실현할 수 있다. 또한, 상기 몰 비율이 40 이하이면, 상기 상호 작용을 어느 정도 유지할 수 있고, 다이싱 테이프의 점착제층과 그 위의 접착제층과의 사이의 밀착성을 확보하여, 익스팬드 공정에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩의 점착제층에서의 부분적인 박리 즉 들뜸의 발생을 보다 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상기 제1 아크릴계 중합체는, 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위를 포함하고, 상기 제1 아크릴계 중합체에서의, 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위의, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 대한 몰 비율은, 0.1 내지 2인 것이 바람직하다. 상기 제1 아크릴계 중합체가 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위를 포함하고, 상기 몰 비율이 0.1 이상이면 방사선 경화 후의 점착제층의, 상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이 향상되는 경향이 있고, 익스팬드 공정에 있어서 접착제층을 보다 양호하게 할단할 수 있다. 상기 몰 비율이 2 이하이면, 방사선 경화 후의 점착제층의, 상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이 저하되는 경향이 있고, 익스팬드 공정에서의 점착제층의 균열을 보다 일어나기 어렵게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상기 접착제층은, 온도 23℃, 박리 속도 300㎜/분, 각도 180°의 조건에서의, SUS에 대한 점착력이 0.1 내지 20N/10㎜인 것이 바람직하다. 상기 점착력이 0.1N/10㎜ 이상이면 익스팬드 공정에 있어서 링 프레임을 상기 접착제층에 부착하는 경우, 접착제층과 링 프레임의 밀착성을 향상시키고, 익스팬드 공정에서는 링 프레임에 의해 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 양호하게 유지할 수 있다. 상기 점착력이 20N/10㎜ 이하이면, 익스팬드 공정에 있어서 링 프레임을 상기 접착제층에 부착하는 경우, 링 프레임으로부터의 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 박리가 용이해진다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상기 접착제층은, 23℃에서의 저장 탄성률이 100 내지 4000MPa인 것이 바람직하다. 상기 저장 탄성률이 100MPa 이상이면 익스팬드 공정에 있어서 링 프레임을 상기 접착제층에 부착할 경우, 링 프레임으로부터의 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 박리가 용이하게 된다. 상기 저장 탄성률이 4000MPa 이하이면, 익스팬드 공정에 있어서 링 프레임을 상기 접착제층에 부착하는 경우, 접착제층과 링 프레임의 밀착성을 향상시켜, 익스팬드 공정에서는 링 프레임에 의해 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 양호하게 유지할 수 있다.
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 접착제층 부착 반도체 칩을 얻기 위해서 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 익스팬드 공정에 있어서 다이싱 테이프 위의 접착제층을 양호하게 할단시킴과 함께, 할단 후의 접착제층 부착 반도체 칩에 대해서 양호한 픽업을 실현하는 것이 가능하다.
도 1은, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태를 나타내는 단면 모식도이다.
도 2는, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름이 세퍼레이터를 갖는 경우의 일례를 나타낸다.
도 3은, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름의 제조 방법의 일례를 나타낸다.
도 4는, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 5는, 도 4에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 6은, 도 5에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 7은, 도 6에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 8은, 도 7에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 9는, 도 8에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 10은, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 11은, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 12는, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 13은, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 14는, 종래의 다이싱 다이 본드 필름의 단면 모식도이다.
도 15는, 도 14에 도시한 다이싱 다이 본드 필름의 사용 형태를 나타낸다.
도 16은, 도 14에 도시한 다이싱 다이 본드 필름의 일 공급 형태를 나타낸다.
[다이싱 다이 본드 필름]
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있는 접착제층을 구비한다. 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태에 대하여, 이하에 설명한다. 도 1은, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태를 나타내는 단면 모식도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름 X는, 다이싱 테이프(10)와, 다이싱 테이프(10)에서의 점착제층(12) 위에 적층된 접착제층(20)을 구비하고, 반도체 장치의 제조에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는 과정에서의 익스팬드 공정에 사용할 수 있는 것이다. 또한, 다이싱 다이 본드 필름 X는, 반도체 장치의 제조 과정에서의 가공 대상의 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈의 원반 형상을 갖는다. 다이싱 다이 본드 필름 X의 직경은, 예를 들어 345 내지 380㎜의 범위 내(12인치 웨이퍼 대응형), 245 내지 280㎜의 범위 내(8인치 웨이퍼 대응형), 195 내지 230㎜의 범위 내(6인치 웨이퍼 대응형), 또는, 495 내지 530㎜의 범위 내(18인치 웨이퍼 대응형)에 있다. 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 다이싱 테이프(10)는, 기재(11)와 점착제층(12)을 포함하는 적층 구조를 갖는다.
(기재)
다이싱 테이프(10)에서의 기재(11)는, 다이싱 테이프(10)나 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 지지체로서 기능하는 요소이다. 기재(11)로서는, 예를 들어 플라스틱 기재(특히 플라스틱 필름)를 들 수 있다. 상기 기재(11)는, 단층이어도 되고, 동종 또는 이종의 기재 적층체여도 된다.
상기 플라스틱 기재를 구성하는 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA), 아이오노머, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체 등의 폴리올레핀 수지; 폴리우레탄; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 폴리카르보네이트; 폴리이미드; 폴리에테르에테르케톤; 폴리에테르이미드; 아라미드, 전방향족 폴리아미드 등의 폴리아미드; 폴리페닐 술피드; 불소 수지; 폴리염화비닐; 폴리염화비닐리덴; 셀룰로오스 수지; 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 기재(11)에 있어서 양호한 열수축성을 확보하고, 후술하는 상온 익스팬드 공정에 있어서 칩 이격 거리를 다이싱 테이프(10) 또는 기재(11)의 부분적 열수축을 이용하여 유지하기 쉬운 관점에서, 기재(11)는, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체를 주성분으로서 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 기재(11)의 주성분이란, 구성 성분 중에서 가장 큰 질량 비율을 차지하는 성분으로 한다. 상기 수지는, 1종만을 사용되고 있어도 되고, 2종 이상을 사용되고 있어도 된다. 점착제층(12)이 후술하는 바와 같이 방사선 경화형 점착제층인 경우, 기재(11)는 방사선 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
기재(11)가 플라스틱 필름인 경우, 상기 플라스틱 필름은, 무배향이어도 되고, 적어도 일 방향(1축 방향, 2축 방향 등)으로 배향하고 있어도 된다. 적어도 일 방향으로 배향하고 있는 경우, 플라스틱 필름은 당해 적어도 일 방향으로 열수축 가능해진다. 열수축성을 갖고 있으면, 다이싱 테이프(10)의, 반도체 웨이퍼의 외주 부분을 히트 슈링크시키는 것이 가능하게 되고, 이에 의해 개편화된 접착제층 부착의 반도체 칩끼리의 간격을 넓힌 상태로 고정할 수 있기 때문에, 반도체 칩의 픽업을 용이하게 행할 수 있다. 기재(11) 및 다이싱 테이프(10)가 등방적인 열수축성을 갖기 위해서는, 기재(11)는 2축 배향 필름인 것이 바람직하다. 또한, 상기 적어도 일 방향으로 배향한 플라스틱 필름은, 비연신의 플라스틱 필름을 당해 적어도 일 방향으로 연신(1축 연신, 2축 연신 등)함으로써 얻을 수 있다. 기재(11) 및 다이싱 테이프(10)는, 가열 온도 100℃ 및 가열 시간 처리 60초의 조건에서 행해지는 가열 처리 시험에서의 열수축률이, 1 내지 30％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 25％, 더욱 바람직하게는 3 내지 20％, 특히 바람직하게는 5 내지 20％이다. 상기 열수축률은, MD 방향 및 TD 방향 중 적어도 1개 방향의 열수축률인 것이 바람직하다.
기재(11)의 점착제층(12)측 표면은, 점착제층(12)과의 밀착성, 유지성 등을 높일 목적으로, 예를 들어 코로나 방전 처리, 플라스마 처리, 샌드매트 가공 처리, 오존 폭로 처리, 화염 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리, 이온화 방사선 처리 등의 물리적 처리; 크롬산 처리 등의 화학적 처리; 코팅제(하도제)에 의한 접착 용이화 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 또한, 대전 방지 능을 부여하기 위해서, 금속, 합금, 이들 산화물 등을 포함하는 도전성의 증착층을 기재(11) 표면에 설치해도 된다. 밀착성을 높이기 위한 표면 처리는, 기재(11)에서의 점착제층(12)측의 표면 전체에 실시되어 있는 것이 바람직하다.
기재(11)의 두께는, 다이싱 테이프(10) 및 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 지지체로서 기재(11)가 기능하기 위한 강도를 확보한다는 관점에서는, 40㎛ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 55㎛ 이상, 특히 바람직하게는 60㎛ 이상이다. 또한, 다이싱 테이프(10) 및 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 적당한 가요성을 실현한다는 관점에서는, 기재(11)의 두께는, 200㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 150㎛ 이하이다.
(점착제층)
다이싱 다이 본드 필름 X에서의 점착제층(12)은, 전술한 바와 같이, 점착제층 표면(12a)의, 온도 23℃, 주파수 100㎐의 조건에서의 나노인덴테이션법에 의한 500㎚ 압입 시의 탄성률이 0.1 내지 20MPa이며, 바람직하게는 0.5 내지 15MPa, 보다 바람직하게는 1 내지 10MPa이다. 상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이 0.1MPa이상임으로써, 익스팬드 시에 발생하는 응력이 접착제층에 전해지기 쉬워지기 때문에 접착제층을 양호하게 할단할 수 있고, 또한, 점착제층과 접착제층과의 밀착성을 적당하게 할 수 있어, 익스팬드 공정에서의 점착제층과 접착제층 사이의 박리가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이 20MPa 이하임으로써, 익스팬드 공정에서의 점착제층의 균열을 일어나기 어렵게 할 수 있고, 또한, 픽업 공정에서는 할단 후의 접착제층 부착 반도체 칩이 점착제층으로부터 양호하게 박리할 수 있어, 양호한 픽업을 실현하는 것이 가능하다.
상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 압자를 점착제층 표면에 압입했을 때의, 압자에 대한 부하 하중과 압입 깊이를, 부하 시 및 제하 시에 걸쳐 연속적으로 측정하고, 얻어진 부하 하중-압입 깊이 곡선으로부터 구해지는 탄성률을 의미한다. 즉, 상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 점착제층 표면의 물리적 특성을 나타내는 지표이며, 점착제층 전체의 물리적 특성을 나타내는 지표인 종래의 점탄성 측정에 의해 얻어지는 인장 탄성률 등의 탄성률과는 상이한 것이다. 상기 점착제층의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 하중: 1mN, 부하·제하 속도: 0.1mN/s, 유지 시간: 1s의 조건하에서의 나노인덴테이션 시험에 의해 얻어지는 탄성률이다.
다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)은, 베이스 중합체로서 아크릴계 중합체를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 아크릴계 중합체는, 중합체의 구성 단위로서, 아크릴계 단량체(분자 중에 (메트)아크릴로일기를 갖는 단량체 성분)에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 중합체이다. 상기 아크릴계 중합체는, (메트)아크릴산 에스테르에서 유래하는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많이 포함하는 중합체인 것이 바람직하다. 또한, 아크릴계 중합체는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴」이란, 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」(「아크릴」 및 「메타크릴」 중, 어느 한쪽 또는 양쪽)을 나타내고, 기타도 마찬가지이다.
상기 (메트)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들어 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르를 들 수 있다. 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르로서는, (메트)아크릴산 알킬에스테르, (메트)아크릴산 시클로알킬에스테르, (메트)아크릴산 아릴에스테르 등의 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르를 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산 알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐 에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실 에스테르, 도데실에스테르(라우릴 에스테르), 트리데실에스테르, 테트라데실 에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산 시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 페닐에스테르, 벤질에스테르를 들 수 있다. 상기 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르로서는, 그 중에서도, (메트)아크릴산 알킬에스테르가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 10 이상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트이다. 즉, 상기 아크릴계 중합체는, 탄소수 10 이상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
상기 탄소수 10 이상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 데실, (메트)아크릴산 이소데실, (메트)아크릴산 운데실, (메트)아크릴산 도데실((메트)아크릴산 라우릴), (메트)아크릴산 트리데실, (메트)아크릴산 테트라데실, (메트)아크릴산 헥사데실, (메트)아크릴산 옥타데실, (메트)아크릴산 에이코실 등의 탄소수 10 내지 25의 알킬기(C10-25 알킬기)를 갖는 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 그 중에서도, (메트)아크릴산 라우릴이 바람직하다.
탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 중합체를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에서의 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르(특히, 탄소수 10 이상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트)의 비율은, 40질량％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.
상기 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에서 유래하는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 단량체 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 단량체, 산 무수물 단량체, 히드록시기 함유 단량체, 글리시딜기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 아크릴아미드, 아크릴니트릴 등의 관능기 함유 단량체 등을 들 수 있다. 상기 카르복시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등을 들 수 있다. 상기 산 무수물 단량체로서는, 예를 들어 무수 말레산, 무수 이타콘산 등을 들 수 있다. 상기 히드록시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 글리시딜기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 글리시딜, (메트)아크릴산 메틸글리시딜 등을 들 수 있다. 상기 술폰산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등을 들 수 있다. 상기 인산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등을 들 수 있다. 상기 다른 단량체 성분으로서는, 그 중에서도, 히드록시기 함유 단량체가 바람직하고, 보다 바람직하게는 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸(2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트)이다. 즉, 상기 아크릴계 중합체는, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 다른 단량체 성분은, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 중합체를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에서의 상기 다른 단량체 성분(특히, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트)의 비율은, 60질량％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다.
상기 아크릴계 중합체는, 특히, 탄소수 10 이상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위 및 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 적어도 포함하는 아크릴계 중합체(「제1 아크릴계 중합체」라고 칭하는 경우가 있음)인 것이 바람직하다. 즉, 점착제층(12)은, 탄소수 10 이상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위 및 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 적어도 포함하는 제1 아크릴계 중합체를 함유하는 것이 바람직하다. 점착제층(12)이 상기 제1 아크릴계 중합체를 함유하면, 픽업 공정에 있어서 다이싱 테이프의 점착제층으로부터의 접착제층 부착 반도체 칩의 박리가 보다 용이하게 되어, 보다 양호한 픽업을 실현할 수 있다.
상기 제1 아크릴계 중합체에서의, 탄소수 10 이상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위의, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 대한 몰 비율은, 1 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 이상, 더욱 바람직하게는 5 이상이다. 또한, 상기 몰 비율은, 40 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 35 이하, 더욱 바람직하게는 30 이하이다. 상기 몰 비율이 저하하는 만큼 다이싱 테이프에서의 점착제층과 그 위의 접착제층과의 상호 작용이 강해지는 경향이 있는바, 상기 몰 비율이 1 이상이면 상기 상호 작용을 비교적 낮게 억제할 수 있고, 픽업 공정에 있어서 다이싱 테이프의 점착제층으로부터의 접착제층 부착 반도체 칩의 박리가 보다 용이하게 되어, 보다 양호한 픽업을 실현할 수 있다. 또한, 상기 몰 비율이 40 이하이면, 상기 상호 작용을 어느 정도 유지할 수 있고, 다이싱 테이프의 점착제층과 그 위의 접착제층 사이의 밀착성을 확보하고, 익스팬드 공정에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩의 점착제층으로부터의 부분적인 박리 즉 들뜸의 발생을 보다 억제할 수 있다.
제1 아크릴계 중합체를 포함하는 상기 아크릴계 중합체는, 그 중합체 골격중에 가교 구조를 형성하기 위해서, 아크릴계 중합체를 형성하는 단량체 성분과 공중합 가능한 다관능성 단량체에서 유래하는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다관능성 단량체로서는, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트(예를 들어, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트), 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등의 분자 내에 (메트)아크릴로일기와 다른 반응성 관능기를 갖는 단량체 등을 들 수 있다. 상기 다관능성 단량체는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(12)에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 중합체를 형성하기 위한 전체 단량체 성분에서의 상기 다관능성 단량체의 비율은, 40질량％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30질량％ 이하이다.
아크릴계 중합체는, 아크릴계 단량체를 포함하는 1종 이상의 단량체 성분을 중합에 부침으로써 얻어진다. 중합 방법으로서는, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등을 들 수 있다.
아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 10만이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20만 내지 300만이다. 수 평균 분자량이 10만 이상이면 점착제층 중의 저분자량 물질이 적은 경향이 있고, 접착제층이나 반도체 웨이퍼 등에의 오염을 보다 억제할 수 있다.
점착제층(12) 혹은 점착제층(12)을 형성하는 점착제는, 가교제를 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 베이스 중합체로서 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 아크릴계 중합체를 가교시켜, 점착제층(12) 중의 저분자량 물질을 보다 저감시킬 수 있다. 또한, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량을 높일 수 있다. 상기 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물(폴리페놀계 화합물 등), 아지리딘 화합물, 멜라민 화합물 등을 들 수 있다. 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 베이스 중합체 100질량부에 대해서, 5질량부 정도 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량부이다.
점착제층(12)은, 방사선 조사나 가열 등 외부로부터의 작용에 의해 의도적으로 점착력을 저감시키는 것이 가능한 점착제층(점착력 저감형 점착제층)이어도 되고, 외부로부터의 작용에 따라서는 점착력이 대부분 또는 완전하게 저감되지 않는 점착제층(점착력 비저감형 점착제층)이어도 되며, 다이싱 다이 본드 필름 X를 사용해서 개편화되는 반도체 웨이퍼의 개편화 방법이나 조건 등에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.
점착제층(12)이 점착력 저감형 점착제층인 경우, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정이나 사용 과정에 있어서, 점착제층(12)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태와 상대적으로 낮은 점착력을 나타내는 상태를 구분지어 사용하는 것이 가능해진다. 예를 들어, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정에서 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 접착제층(20)을 접합할 때나, 다이싱 다이 본드 필름 X가 다이싱 공정에 사용될 때에는, 점착제층(12)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태를 이용하여 점착제층(12)으로부터 접착제층(20) 등의 피착체의 들뜸을 억제·방지하는 것이 가능하게 되는 한편, 그 후, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)로부터 접착제층 부착 반도체 칩을 픽업하기 위한 픽업 공정에서는, 점착제층(12)의 점착력을 저감시킴으로써, 픽업을 용이하게 행할 수 있다.
이와 같은 점착력 저감형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 예를 들어 방사선 경화형 점착제, 가열 발포형 점착제 등을 들 수 있다. 점착력 저감형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 1종의 점착제를 사용해도 되고, 2종 이상의 점착제를 사용해도 된다.
상기 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선, 또는 X선의 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제를 사용할 수 있고, 자외선 조사에 의해 경화하는 타입의 점착제(자외선 경화형 점착제)를 특히 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 상기 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 함유하는 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다.
상기 방사선 중합성의 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄 (메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등 들 수 있다. 상기 방사선 중합성의 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등의 다양한 올리고머를 들 수 있으며, 분자량이 100 내지 30000 정도의 것이 바람직하다. 점착제층(12)을 형성하는 방사선 경화형 점착제중의 상기 방사선 경화성의 단량체 성분 및 올리고머 성분의 함유량은, 상기 베이스 중합체 100질량부에 대해서, 예를 들어 5 내지 500질량부, 바람직하게는 40 내지 150질량부 정도이다. 또한, 첨가형의 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허공개 소60-196956호 공보에 개시된 것을 사용해도 된다.
상기 방사선 경화형 점착제로서는, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 중합체 측쇄나, 중합체 주쇄중, 중합체 주쇄 말단에 갖는 베이스 중합체를 함유하는 내재형의 방사선 경화형 점착제도 들 수 있다. 이러한 내재형의 방사선 경화형 점착제를 사용하면, 형성된 점착제층(12) 내에서의 저분자량성분의 이동에 기인하는 점착 특성의 의도하지 않은 경시적 변화를 억제할 수 있는 경향이 있다.
상기 내재형의 방사선 경화형 점착제에 함유되는 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체(특히, 상기 제1 아크릴계 중합체)가 바람직하다. 아크릴계 중합체에의 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어, 제1 관능기를 갖는 단량체 성분을 포함하는 원료 단량체를 중합(공중합)시켜 아크릴계 중합체를 얻고 난 후, 상기 제1 관능기와 반응할 수 있는 제2 관능기 및 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채 아크릴계 중합체에 대하여 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
상기 제1 관능기와 상기 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 반응 추적의 용이함의 관점에서, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이 바람직하다. 그 중에서도, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 중합체를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높고, 한편으로서 히드록시기를 갖는 아크릴계 중합체의 제작 및 입수의 용이함의 관점에서, 상기 제1 관능기가 히드록시기이며, 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 조합이 바람직하다. 이 경우의 이소시아네이트기 및 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물, 즉, 방사선 중합성의 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 히드록시기를 갖는 아크릴계 중합체로서는, 전술한 히드록시기 함유 단량체나, 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 것을 들 수 있다.
제1 아크릴계 중합체가 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위를 갖는 경우, 제1 아크릴계 중합체에서의, 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위의, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 대한 몰 비율은, 0.1 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 이상, 더욱 바람직하게는 0.3 이상이다. 또한, 상기 몰 비율은, 2 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.5 이하, 더욱 바람직하게는 1 이하이다. 상기 몰 비율이 0.1 이상이면 방사선 경화 후의 점착제층의, 상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이 향상되는 경향이 있어, 익스팬드 공정에 있어서 접착제층을 보다 양호하게 할단할 수 있다. 상기 몰 비율이 2 이하이면, 방사선 경화 후의 점착제층의, 상기 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이 저하되는 경향이 있어, 익스팬드 공정에서의 점착제층의 균열을 보다 일어나기 어렵게 할 수 있다.
상기 방사선 경화형 점착제는, 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드, 아실 포스포네이트 등을 들 수 있다. 상기 α-케톨계 화합물로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등을 들 수 있다. 상기 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1등을 들 수 있다. 상기 벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등을 들 수 있다. 상기 케탈계 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다. 상기 방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐 클로라이드 등을 들 수 있다. 상기 광 활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심 등을 들 수 있다. 상기 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, 벤조일벤조산, 3, 3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다. 상기 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등을 들 수 있다. 방사선 경화형 점착제 중의 광중합 개시제의 함유량은, 베이스 중합체 100질량부에 대해서, 예를 들어 0.05 내지 20질량부이다.
상기 가열 발포형 점착제는, 가열에 의해 발포나 팽창을 하는 성분(발포제, 열팽창성 미소구 등)을 함유하는 점착제이다. 상기 발포제로서는, 여러가지인 무기계 발포제나 유기계 발포제를 들 수 있다. 상기 무기계 발포제로서는, 예를 들어 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산 암모늄, 수소화붕소나트륨, 아지드류 등을 들 수 있다. 상기 유기계 발포제로서는, 예를 들어 트리클로로모노플루오로메탄, 디클로로모노플루오로 메탄 등의 염 불화 알칸; 아조비스이소부티로니트릴, 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물;파라톨루엔술포닐히드라지드, 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물; p-톨루일렌술포닐세미카르바지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물; 5-모르포릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물; N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민, N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물 등을 들 수 있다. 상기 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질이 외피 내에 봉입된 구성의 미소구를 들 수 있다. 상기 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판, 펜탄 등을 들 수 있다. 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을 코아세르베이션법이나 계면 중합법 등에 의해 외피 형성 물질 내에 봉입함으로써, 열팽창성 미소구를 제작할 수 있다. 상기 외피 형성 물질로서는, 열용융성을 나타내는 물질이나, 봉입 물질의 열팽창 작용에 의해 파열될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 그러한 물질로서는, 예를 들어 염화 비닐리덴·아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리술폰 등을 들 수 있다.
상기 점착력 비저감형 점착제층으로서는, 예를 들어 감압형 점착제층을 들 수 있다. 또한, 감압형 점착제층에는, 점착력 저감형 점착제층에 관해서 전술한 방사선 경화형 점착제로 형성된 점착제층을 미리 방사선 조사에 의해 경화시키면서도 일정한 점착력을 갖는 형태의 점착제층이 포함된다. 점착력 비저감형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 1종의 점착제를 사용해도 되고, 2종 이상의 점착제를 사용해도 된다. 또한, 점착제층(12)의 전체가 점착력 비저감형 점착제층이어도 되고, 일부가 점착력 비저감형 점착제층이어도 된다. 예를 들어, 점착제층(12)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(12)의 전체가 점착력 비저감형 점착제층이어도 되고, 점착제층(12)에서의 소정의 부위(예를 들어, 링 프레임의 접착 대상 영역이며, 중앙 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제층이며, 다른 부위(예를 들어, 반도체 웨이퍼의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감형 점착제층이어도 된다. 또한, 점착제층(12)이 적층 구조를 갖는 경우, 적층 구조에서의 모든 점착제층이 점착력 비저감형 점착제층이어도 되고, 적층 구조 중의 일부의 점착제층이 점착력 비저감형 점착제층이어도 된다.
방사선 경화형 점착제로 형성된 점착제층을 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제층(방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층)은, 방사선 조사에 의해 점착력이 저감되어 있도록 해도, 함유하는 중합체 성분에 기인하는 점착성을 나타내고, 다이싱 공정 등에 있어서 다이싱 테이프의 점착제층에 최저한 필요한 점착력을 발휘하는 것이 가능하다. 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층을 사용하는 경우, 점착제층(12)의 면 확대 방향에 있어서, 점착제층(12)의 전체가 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층이어도 되고, 점착제층(12)의 일부가 방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층이며 또한 다른 부분이 방사선 미조사의 방사선 경화형 점착제층이어도 된다.
상기 감압형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 공지 내지 관용의 감압형의 점착제를 사용할 수 있고, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제나 고무계 점착제를 바람직하게 사용할 수 있다. 점착제층(12)이 감압형의 점착제로서 아크릴계 중합체를 함유하는 경우, 당해 아크릴계 중합체는, (메트)아크릴산 에스테르에서 유래하는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함하는 중합체인 것이 바람직하다. 상기 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 전술한 점착제층에 포함될 수 있는 아크릴계 중합체로서 설명된 아크릴계 중합체(예를 들어, 제1 아크릴계 중합체)를 채용할 수 있다.
점착제층(12) 또는 점착제층(12)을 형성하는 점착제는, 전술한 각 성분 이외에, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 착색제(안료, 염료 등) 등의 공지 내지 관용의 점착제층에 사용되는 첨가제가 배합되어 있어도 된다. 상기 착색제로서는, 예를 들어 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물을 들 수 있다. 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물을 함유하는 경우, 방사선 조사된 부분만을 착색할 수 있다. 상기 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물은, 방사선 조사 전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 유색으로 되는 화합물이며, 예를 들어 류코 염료 등을 들 수 있다. 상기 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물의 사용량은 특별히 한정되지 않으며 적절히 선택할 수 있다.
점착제층(12)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제로 형성된 점착제층인 경우에 당해 점착제층(12)의 방사선 경화의 전후에서의 접착제층(20)에 대한 접착력의 균형을 취하는 관점에서, 1 내지 50㎛ 정도가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 5 내지 25㎛이다.
(접착제층)
접착제층(20)은, 다이 본딩용의 열경화성을 나타내는 접착제로서 기능과, 반도체 웨이퍼 등의 워크와 링 프레임 등의 프레임 부재를 유지하기 위한 점착 기능을 병유한다. 접착제층(20)은, 인장 응력을 가함에 따라 할단이 가능하고, 인장 응력을 가함으로써 할단시켜 사용된다.
접착제층(20) 및 접착제층(20)을 구성하는 접착제는, 열경화성 수지와 예를 들어 바인더 성분으로서의 열가소성 수지를 포함하고 있어도 되고, 경화제와 반응해서 결합을 발생할 수 있는 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하고 있어도 된다. 접착제층(20)을 구성하는 접착제가, 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 당해 접착제는 열경화성 수지(에폭시 수지 등)를 포함할 필요는 없다. 접착제층(20)은, 단층 구조를 갖고 있어도 되고, 다층 구조를 갖고 있어도 된다.
상기 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적고 또한 내열성이 높기 때문에 접착제층(20)에 의한 접합 신뢰성을 확보하기 쉽다는 이유에서, 아크릴 수지가 바람직하다.
링 프레임에 대한 접착제층(20)의, 실온 및 그 근방의 온도에서의 접착성과 박리 시 잔사의 방지의 양립의 관점에서는, 접착제층(20)은, 열가소성 수지의 주성분으로서, 유리 전이 온도가 -10 내지 10℃의 중합체를 포함하는 것이 바람직하다. 열가소성 수지의 주성분이란, 열가소성 수지 성분 중에서 가장 큰 질량 비율을 차지하는 수지 성분으로 한다.
중합체의 유리 전이 온도에 대해서는, 하기 Fox의 식에 기초하여 구해지는 유리 전이 온도(이론값)를 사용할 수 있다. Fox의 식은, 중합체의 유리 전이 온도Tg와, 당해 중합체에서의 구성 단량체마다의 단독중합체의 유리 전이 온도 Tgi와의 관계식이다. 하기 Fox의 식에 있어서, Tg는 중합체의 유리 전이 온도(℃)를 나타내고, Wi는 당해 중합체를 구성하는 단량체 i의 중량 분율을 나타내고, Tgi는 단량체 i의 단독중합체의 유리 전이 온도(℃)를 나타낸다. 단독중합체의 유리 전이 온도에 대해서는 문헌치를 사용할 수 있는데, 예를 들어 「신 고분자 문고 7 도료용 합성 수지 입문」(기타오카 교조 저, 고분자 간행회, 1995년)이나 「아크릴에스테르 카탈로그(1997년도 판)」(미츠비시 레이온 가부시키가이샤)에는, 각종 단독중합체의 유리 전이 온도가 예시되어 있다. 한편, 단량체의 단독중합체 유리 전이 온도에 대해서는, 일본 특허공개 제2007-51271호 공보에 구체적으로 기재되어 있는 방법에 의해 구하는 것도 가능하다.
Fox의 식 1/(273+Tg)=Σ[Wi/(273+Tgi)]
상기 아크릴계 수지는, 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르에서 유래하는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함하는 것이 바람직하다. 당해 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들어 전술한 점착제층에 포함될 수 있는 아크릴계 중합체를 형성하는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르로서 예시된 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르를 들 수 있다.
상기 아크릴 수지는, 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에서 유래하는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 단량체 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 단량체, 산 무수물 단량체, 히드록시기 함유 단량체, 글리시딜기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 단량체나, 각종 다관능성 단량체 등을 들 수 있으며, 구체적으로는, 전술한 점착제층에 포함될 수 있는 아크릴계 중합체를 구성하는 다른 단량체 성분으로서 예시된 것을 사용할 수 있다.
상기 아크릴계 수지로서는, 그 중에서도, 니트릴기를 갖는 아크릴계 중합체 (「제2 아크릴계 중합체」라고 칭하는 경우가 있음)인 것이 바람직하다. 특히, 점착제층(12)이 제1 아크릴계 중합체를 포함하고 또한 접착제층(20)이 제2 아크릴계 중합체를 포함하는 것이 바람직하다. 점착제층(12)이 제1 아크릴계 중합체를 포함하고 또한 접착제층(20)이 제2 아크릴계 중합체를 포함하는 구성에 의하면, 양쪽 층간에 있어서 높은 전단 접착력을 확보하면서, 양쪽 층간의 적층 방향으로 작용하는 결합적인 상호 작용을 억제할 수 있기 때문에, 익스팬드 공정에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩의 점착제층으로부터의 들뜸의 발생을 보다 억제하고, 또한 픽업 공정에 있어서 보다 양호한 픽업을 실현할 수 있다. 특히, 전술한 적층 도포 시공 방법을 거쳐 점착제층과 접착제층을 적층 형성하는 경우에는, 일반적으로 당해 양쪽 층간의 적층 방향으로 작용하는 결합적인 상호 작용은 과잉으로 되기 쉽기 때문 상기 구성이 바람직하다.
니트릴기를 갖는 제2 아크릴계 중합체는, 니트릴기 함유 단량체 유래의 구조 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 니트릴기 함유 단량체로서는, 예를 들어 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 시아노스티렌을 들 수 있다.
니트릴기를 갖는 제2 아크릴계 중합체의 적외 흡수 스펙트럼에 있어서, 카르보닐기 유래의 1730㎝-1 부근의 피크(C=O 신축 진동에 귀속되는 흡수의 피크)의 높이에 대한, 니트릴기 유래의 2240㎝-1 부근의 피크(C≡N 신축 진동에 귀속되는 흡수의 피크)의 높이의 비의 값은, 0.01 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.015 이상, 더욱 바람직하게는 0.02 이상이다. 또한, 상기 비의 값은, 0.1 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.09 이하, 더욱 바람직하게는 0.08이하다. 즉, 제2 아크릴계 중합체의 니트릴기 상대 함유량은, 이러한 범위 내에 상기 비의 값이 수렴되는 정도로 설정되는 것이 바람직하다. 상기 비의 값이 0.01 이상이면 픽업 공정에 있어서 보다 양호한 픽업을 실현할 수 있다. 상기 비의 값이 0.1 이하이면, 익스팬드 공정에 있어서, 할단을 거친 접착제층 부착 반도체 칩의 점착제층으로부터의 들뜸의 발생을 보다 억제할 수 있다.
접착제층(20)이, 열경화성 수지를 열가소성 수지와 함께 포함하는 경우, 당해 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 다이 본딩 대상의 반도체 칩의 부식 원인으로 될 수 있는 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 경향이 있다는 이유에서, 상기 열경화성 수지로서는 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.
상기 에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸 노볼락형, 트리스 히드록시페닐메탄형, 테트라 페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 글리시딜아민형의 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하며 또한 내열성이 우수한 점에서, 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스 히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라 페닐올에탄형 에폭시 수지가 바람직하다.
에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시 스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등을 들 수 있다. 상기 페놀 수지는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 그 중에서도, 다이 본딩용 접착제로서의 에폭시 수지의 경화제로서 사용되는 경우에 당해 접착제의 접속 신뢰성을 향상시키는 경향이 있는 관점에서, 페놀노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지가 바람직하다.
접착제층(20)에 있어서, 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시킨다는 관점에서는, 페놀 수지는, 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당, 당해 페놀 수지 중의 수산기가 바람직하게는 0.5 내지 2.0당량, 보다 바람직하게는 0.7 내지 1.5당량이 되는 양으로 포함된다.
접착제층(20)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 상기 열경화성 수지의 함유 비율은, 접착제층(20)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킨다는 관점으로부터, 접착제층(20)의 총 질량에 대해서, 5 내지 60질량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 내지 50질량％이다.
접착제층(20)이 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지(예를 들어, 제2 아크릴계 중합체)를 포함하는 경우, 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에서의 아크릴 수지는, 바람직하게는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르에서 유래하는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함한다. 당해 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들어 전술한 점착제층에 포함될 수 있는 아크릴계 중합체를 형성하는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르로서 예시된 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산 에스테르를 들 수 있다. 한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에서의 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 글리시딜기, 카르복시기가 바람직하다. 즉, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지로서는, 글리시딜기 함유 아크릴 수지, 카르복시기 함유 아크릴 수지가 특히 바람직하다. 또한, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지와 함께 경화제를 포함하는 것이 바람직하고, 당해 경화제로서는, 예를 들어 전술한 점착제층(12) 형성용의 방사선 경화형 점착제에 포함될 수 있는 가교제로서 예시된 것을 들 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에서의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우에는, 경화제로서 폴리페놀계 화합물을 사용하는 것이 바람직하며, 예를 들어 전술한 각종 페놀 수지를 사용할 수 있다.
접착제층(20) 중에 포함될 수 있는 제2 아크릴계 중합체의 에폭시가는, 0.05eq/㎏ 이상이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.1eq/kg 이상, 더욱 바람직하게는 0.2eq/㎏ 이상이다. 또한, 당해 제2 아크릴계 중합체의 에폭시가는, 1eq/㎏ 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.9eq/㎏ 이하이다. 이러한 에폭시가의 제2 아크릴계 중합체의 접착제층(20)에서의 함유 비율은, 5 내지 95질량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 내지 80질량％이다.
접착제층(20)에 포함될 수 있는 제2 아크릴계 중합체의 카르본 산가는, 1mgKOH/g 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3mgKOH/g 이상, 더욱 바람직하게는 5mgKOH/g 이상이다. 또한, 당해 제2 아크릴계 중합체의 카르본 산가는, 20mgKOH/g 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 18mgKOH/g 이하다. 이러한 카르본 산가의 제2 아크릴계 중합체의 접착제층(20)에서의 함유 비율은, 5 내지 95질량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 내지 80질량％이다.
다이 본딩을 위해서 경화되기 전의 접착제층(20)에 대하여, 어느 정도의 가교도를 실현하기 위해서는, 예를 들어 접착제층(20)에 포함될 수 있는 전술한 수지의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하여 결합할 수 있는 다관능성 화합물을 가교 성분으로서 접착제층 형성용 수지 조성물에 배합해 두는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성은, 접착제층(20)에 대하여, 고온하에서의 접착 특성을 향상시키는 관점에서, 또한, 내열성의 개선을 도모하는 관점에서 바람직하다. 상기 가교 성분으로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물을 들 수 있다. 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물 등을 들 수 있다. 접착제층 형성용 수지 조성물에서의 가교 성분의 함유량은, 당해 가교 성분과 반응하여 결합할 수 있는 상기 관능기를 갖는 수지 100질량부에 대해서, 형성되는 접착제층(20)의 응집력 향상의 관점에서는 0.05질량부 이상이 바람직하며, 형성되는 접착제층(20)의 접착력 향상의 관점에서는 7질량부 이하가 바람직하다. 또한, 상기 가교 성분으로서는, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 폴리이소시아네이트 화합물과 병용해도 된다.
접착제층(20)에서의 고분자량 성분의 함유 비율은, 50 내지 100질량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 내지 80질량％이다. 고분자량 성분은, 중량 평균 분자량 10000 이상의 성분으로 한다. 상기 고분자량성분의 함유 비율이 상기 범위 내이면, 링 프레임에 대한 접착제층(20)의, 실온 및 그 근방의 온도에서의 접착성과 박리 시 잔사의 방지의 양립을 도모하는 관점에서 바람직하다. 또한, 접착제층(20)은, 23℃에서 액상인 액상 수지를 포함해도 된다. 접착제층(20)이 상기 액상 수지를 포함하는 경우, 접착제층(20)에서의 당해 액상 수지의 함유 비율은, 1 내지 10질량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 5질량％이다. 상기 액상 수지의 함유 비율이 상기 범위 내이면, 후술하는 링 프레임에 대한 접착제층(20)의, 실온 및 그 근방의 온도에서의 접착성과 박리 시 잔사의 방지의 양립을 도모하는 관점에서 바람직하다.
접착제층(20)은, 필러를 함유하는 것이 바람직하다. 접착제층(20)에의 필러의 배합에 의해, 접착제층(20)의 도전성이나, 열전도성, 탄성률 등의 물성을 조정할 수 있다. 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있고, 특히 무기 필러가 바람직하다. 무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 외에, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 단체나, 합금, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등을 들 수 있다. 필러는, 구 형상, 바늘 형상, 플레이크 형상 등의 각종 형상을 갖고 있어도 된다. 상기 필러로서는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 후술하는 쿨 익스팬드 공정에 있어서 링 프레임에 대한 접착제층(20)의 접착성을 확보하는 관점에서는, 접착제층(20)에서의 필러 함유 비율은, 30질량％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 25질량％ 이하이다.
상기 필러의 평균 입경은, 0.005 내지 10㎛가 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.005 내지 1㎛이다. 상기 평균 입경이 0.005㎛ 이상이면 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대한 습윤성, 접착성이 보다 향상된다. 상기 평균 입경이 10㎛ 이하이면, 상기 각 특성의 부여를 위해 첨가한 필러의 효과를 충분한 것으로 할 수 있음과 함께, 내열성을 확보할 수 있다. 또한, 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식의 입도 분포계(예를 들어, 상품명 「LA-910」, 가부시키가이샤 호리바 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 구할 수 있다.
접착제층(20)은, 필요에 따라서 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 성분으로서는, 예를 들어 경화 촉매, 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 염료 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 하이드로탈사이트류, 수산화 비스무트, 함수 산화안티몬(예를 들어 도아 고세이 가부시키가이샤 제조의 「IXE-300」), 특정 구조의 인산 지르코늄(예를 들어 도아 고세이 가부시키가이샤 제조의 「IXE-100」), 규산마그네슘(예를 들어 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 「교와드 600」), 규산알루미늄(예를 들어 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 「교와드 700」) 등을 들 수 있다. 금속 이온 사이에서 착체를 형성할 수 있는 화합물도 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그와 같은 화합물로서는, 예를 들어 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 비피리딜계 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 금속 이온 사이에서 형성되는 착체의 안정성의 관점에서는 트리아졸계 화합물이 바람직하다. 그러한 트리아졸계 화합물로서는, 예를 들어 1,2,3-벤조트리아졸, 1-{N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸}벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3-t-부틸-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)벤조트리아졸, 6-(2-벤조트리아졸릴)-4-t-옥틸-6'-t-부틸-4'-메틸-2,2'-메틸렌비스페놀, 1-(2',3'-히드록시프로필)벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시디에틸)벤조트리아졸, 1-(2-에틸헥실아미노메틸)벤조트리아졸, 2,4-디-t-펜틸-6-{(H-벤조트리아졸-1-일)메틸}페놀, 2-(2-히드록시-5-t-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸, C7-C9-알킬-3-[3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-(1,1-디메틸에틸)-4-히드록시페닐]프로피온에테르, 옥틸-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-에틸헥실-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-t-부틸페놀, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)-벤조트리아졸, 2-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로-벤조트리아졸, 2-[2-히드록시-3,5-디(1,1-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀], 2-[2-히드록시-3,5-비스(α,α-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 메틸-3-[3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-t-부틸-4-히드록시페닐]프로피오네이트 등을 들 수 있다. 또한, 퀴놀 화합물이나, 히드록시 안트라퀴논 화합물, 폴리페놀 화합물 등의 소정의 수산기 함유 화합물도, 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 수산기 함유 화합물로서는, 구체적으로는, 1,2-벤젠디올, 알리자린, 안트라루핀, 탄닌, 갈산, 갈산메틸, 피로갈롤 등을 들 수 있다. 상기 다른 첨가제는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
접착제층(20)은, 온도 23℃, 박리 속도 300㎜/분, 각도 180°의 조건에서의, SUS에 대한 점착력이, 0.1 내지 20N/10㎜인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 15N/10㎜, 더욱 바람직하게는 1 내지 12N/10㎜이다. 상기 점착력이 0.1N/10㎜ 이상이면 익스팬드 공정에 있어서 링 프레임을 접착제층(20)에 부착하는 경우, 접착제층(20)과 링 프레임의 밀착성을 향상시켜, 익스팬드 공정에서는 링 프레임에 의해 다이싱 다이 본드 필름 X를 양호하게 유지할 수 있다. 상기 점착력이 20N/10㎜ 이하이면, 익스팬드 공정에 있어서 링 프레임을 접착제층(20)에 부착하는 경우, 링 프레임으로부터의 다이싱 다이 본드 필름 X의 박리가 용이해진다. 상기SUS에 대한 점착력은, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용해서 측정할 수 있다. 그 시험에 제공되는 시료편은, 폭 50㎜×길이 120㎜의 사이즈의 시험편인 것이 바람직하다.
접착제층(20)은, 23℃에서의 저장 탄성률이 100 내지 4000MPa인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 300 내지 3000MPa, 더욱 바람직하게는 500 내지 2000MPa이다. 상기 저장 탄성률이 100MPa 이상이면 익스팬드 공정에 있어서 링 프레임을 접착제층(20)에 부착하는 경우, 링 프레임으로부터의 다이싱 다이 본드 필름 X의 박리가 용이해진다. 상기 저장 탄성률이 4000MPa 이하이면, 익스팬드 공정에 있어서 링 프레임을 접착제층(20)에 부착하는 경우, 접착제층(20)과 링 프레임의 밀착성을 향상시켜, 익스팬드 공정에서는 링 프레임에 의해 다이싱 다이 본드 필름 X를 양호하게 유지할 수 있다. 상기 저장 탄성률은, 인장 시험기(상품명 「오토그래프AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 측정할 수 있다. 그 시험에 제공되는 시료편은, 폭 50㎜×길이 120㎜의 사이즈의 시험편인 것이 바람직하다.
접착제층(20)의 두께(적층체의 경우는, 총 두께)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1 내지 200㎛이다. 상한은, 100㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 80㎛이다. 하한은, 3㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5㎛이다.
본 실시 형태에서는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 면 내 방향 D에 있어서, 다이싱 테이프(10)에서의 기재(11)의 외주 단부(11e) 및 점착제층(12)의 외주 단부(12e)로부터, 접착제층(20)의 외주 단부(20e)가, 1000㎛ 이내, 바람직하게는 500㎛ 이내의, 거리에 있다. 즉, 접착제층(20)의 외주 단부(20e)는, 전체 둘레에 걸쳐, 필름면 내 방향 D에 있어서, 기재(11)의 외주 단부(11e)에 대하여 내측 1000㎛ 내지 외측 1000㎛의 사이, 바람직하게는 내측 500㎛ 내지 외측 500㎛의 사이에 있고, 또한, 점착제층(12)의 외주 단부 12e에 대하여 내측 1000㎛ 내지 외측 1000㎛의 사이, 바람직하게는 내측 500㎛ 내지 외측 500㎛의 사이에 있다. 다이싱 테이프(10) 혹은 그 점착제층(12)과 그 위의 접착제층(20)이 면 내 방향 D에 있어서 실질적으로 동일한 치수를 갖는 당해 구성에서는, 접착제층(20)은, 워크 접착용 영역 외에도 프레임 접착용 영역을 포함하게 된다.
다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제층인 경우, 온도 23℃, 박리 속도 300㎜/분의 조건에서의 T형 박리 시험에서의, 방사선 경화 후의 점착제층(12)과 접착제층(20) 사이의 박리력은, 0.06 내지 0.25N/20㎜인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 0.2N/20㎜이다. 상기 박리력이 0.06N/20㎜ 이상이면 다이싱 테이프의 점착제층과 그 위의 접착제층 사이의 밀착성을 확보하여, 익스팬드 공정에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩의 점착제층으로부터의 들뜸의 발생을 보다 억제할 수 있다. 상기 박리력이 0.25N/20㎜ 이하이면, 픽업 공정에 있어서보다 양호한 픽업을 실현할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「방사선 경화형 점착제층」이란, 상기 방사선 경화형 점착제로 형성된 점착제층을 의미하며, 방사선 경화성을 갖는 점착제층 및 당해 점착제층이 방사선 조사에 의해 경화한 후의 점착제층(방사선 조사 완료 방사선 경화형 점착제층)의 양쪽을 포함한다.
다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서, 온도 23℃, 박리 속도 300㎜/분의 조건에서의 T형 박리 시험에서의, 방사선 경화 전의 점착제층(12)과 접착제층(20) 사이의 박리력은, 2N/20㎜ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3N/20㎜ 이상이다. 상기 박리력이 2N/20㎜ 이상이면 방사선 경화를 행하지 않는 상태에서 익스팬드 공정을 실시하는 경우에, 다이싱 테이프의 점착제층과 그 위의 접착제층 사이의 밀착성을 확보하여, 익스팬드 공정에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩의 점착제층에서의 들뜸의 발생을 보다 억제하면서, 접착제층을 보다 양호하게 할단할 수 있다. 또한, 상기 박리력은, 예를 들어 20N/20㎜ 이하, 바람직하게는 10N/20㎜ 이하이다. 또한, 상기 「방사선 경화 전」이란, 방사선 조사에 의해 점착제층이 경화되지 않은 상태를 의미하며, 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제층이 아닌 경우도 포함한다.
상기 T형 박리 시험에 대해서는, 인장 시험기(상품명 「오토그래프AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 행해진다. 그 시험에 제공되는 시료편은, 다음과 같이 하여 제작할 수 있다. 우선, 점착제층이 방사선 경화 전이며 방사선 경화 후의 점착제층(12)을 얻는 경우는, 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 기재(11)의 측으로부터 점착제층(12)에 대하여 350mJ/㎠의 자외선을 조사하여 점착제층(12)을 경화시킨다. 이어서, 다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)측에 보강 테이프(상품명 「BT-315」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)를 접합한 후, 폭 50㎜×길이 120㎜의 사이즈의 시험편을 잘라낸다.
다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서, 점착제층(12)과 접착제층(20)의 접촉면에서의, 점착제층(12)의 표면 조도 Ra와 접착제층(20)의 표면 조도 Ra의 차, 즉 [(접착제층(20)과의 접촉면에서의 점착제층(12)의 표면 조도 Ra)-(점착제층(12)과의 접촉면에서의 접착제층(20)의 표면 조도 Ra)]의 절댓값은, 100㎚ 이하인 것이 바람직하다. 상기 표면 조도 Ra의 차가 100㎚ 이하이면, 다이싱 테이프의 점착제층과 그 위의 접착제층 사이의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있어, 익스팬드 공정에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩의 점착제층으로부터의 부분적인 박리 즉 들뜸의 발생을 보다 억제할 수 있다. 또한, 상기 점착제층(12)과 접착제층(20)의 접촉면에서의 점착제층(12)의 표면 조도 Ra 및 접착제층(20)의 표면 조도 Ra는, 예를 들어 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 점착제층(12)과 접착제층(20)의 계면에서 박리하고, 점착제층(12)의 접착제층(20)이 적층하고 있던 측의 표면 및 접착제층(20)의 점착제층(12)이 적층하고 있던 측의 표면에 대하여 각각 표면 조도 Ra를 측정하여 얻을 수 있다.
다이싱 다이 본드 필름 X는, 도 2에 도시한 바와 같이 세퍼레이터 S를 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, 다이싱 다이 본드 필름 X마다, 세퍼레이터 S를 갖는 시트 형상의 형태이어도 되고, 세퍼레이터 S가 긴 상이며 그 위에 복수의 다이싱 다이 본드 필름 X가 배치되며 또한 당해 세퍼레이터 S가 권회되어서 롤이 형태로 되어 있어도 된다. 세퍼레이터 S는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)의 표면을 피복하여 보호하기 위한 요소이며, 다이싱 다이 본드 필름 X를 사용할 때에는 당해 필름으로부터 박리된다. 세퍼레이터 S로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이류 등을 들 수 있다. 세퍼레이터 S의 두께는, 예를 들어 5 내지 200㎛이다.
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태인 다이싱 다이 본드 필름 X는, 예를 들어 다음과 같이 하여 제조된다.
우선, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 세퍼레이터 S 위에 접착제 필름(20')을 제작한다. 접착제 필름(20')은, 전술한 접착제층(20)에 가공 형성되게 되는 긴 상의 필름이다. 접착제 필름(20')의 제작에 있어서는, 먼저, 수지, 필러, 경화 촉매, 용매 등을 포함하는, 접착제층(20)을 형성하는 조성물(접착제 조성물)을 제작한다. 이어서, 접착제 조성물을 세퍼레이터 위에 도포 시공하여 접착제 조성물층을 형성한다. 접착제 조성물의 도포 시공 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 이어서, 이 접착제 조성물층에 있어서, 필요에 따라서 탈용매나 경화 등에 의해 고화시킨다. 탈용매는, 예를 들어 온도 70 내지 160℃, 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다. 이상과 같이 하여, 세퍼레이터 S 위에 접착제 필름(20')을 제작할 수 있다.
다음으로, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 접착제 필름(20') 위에 점착제층(12')을 적층 형성한다. 점착제층(12')은, 전술한 점착제층(12)에 가공 형성되는 것과 되는 것이다. 점착제층(12')의 형성에 있어서는, 우선, 점착제층(12)을 형성하는 점착제 및 용매 등을 포함하는, 점착제층을 형성하는 조성물(점착제 조성물)을 접착제 필름(20') 위에 도포 시공하여 점착제 조성물층을 형성한다. 점착제 조성물의 도포 시공 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 이어서, 이 점착제 조성물층에 있어서, 필요에 따라 탈용매나 경화 등에 의해 고화시킨다. 탈용매는, 예를 들어 온도 80 내지 150℃, 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다. 접착제층(20)에 가공 형성되는 접착제 필름(20')과, 점착제층(12)에 가공 형성되는 점착제층(12')은, 이러한 적층 도포 시공 방법에 의해 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이, 점착제층(12') 위에 기재(11')를 압착해서 접합한다. 기재(11')는, 전술한 기재(11)에 가공 형성되는 것이다. 수지제의 기재(11')는, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 제막 방법에 의해 제작할 수 있다. 제막 후의 필름 및 기재(11')에는, 필요에 따라 표면 처리를 실시한다. 본 공정에 있어서, 접합 온도는, 예를 들어 30 내지 50℃이며, 바람직하게는 35 내지 45℃이다. 접합 압력(선압)은, 예를 들어 0.1 내지 20kgf/㎝이며, 바람직하게는 1 내지 10kgf/㎝이다. 이에 의해, 세퍼레이터 S와, 접착제 필름(20')과, 점착제층(12')과, 기재(11')의 적층 구조를 갖는 긴 상의 적층 시트체가 얻어진다. 또한, 점착제층(12)이 전술한 바와 같은 방사선 경화형 점착제층인 경우에 접착제 필름(20')의 접합보다 후에 점착제층(12')에 자외선 등의 방사선을 조사할 때에는, 예를 들어 기재(11')의 측으로부터, 점착제층(12')에 대하여 자외선 등의 방사선의 조사를 행한다. 그 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 그 조사 영역은, 예를 들어 접착제층(20)과 밀착하게 되는 점착제층(12)에 형성되는 영역의 전체이다.
다음으로, 도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 상기 적층 시트체에 대하여, 기재(11')의 측으로부터 세퍼레이터 S에 이르기까지 가공날을 돌입시키는 가공을 실시한다(도 3의 (d)에서는 절단 개소를 모식적으로 굵은 선으로 나타냄). 예를 들어, 적층 시트체를 일 방향 F로 일정 속도로 이동시키면서, 그 방향 F에 직교하는 축심 둘레에 회전 가능하게 배치되며 또한 펀칭 가공용 가공날을 롤 표면에 수반하는 가공날 부착 회전 롤(도시생략)의 가공날 부착 표면을, 적층 시트체의 기재(11')측에 소정의 압박력을 수반하여 맞닿게 한다. 이에 의해, 다이싱 테이프(10)(기재(11), 점착제층(12))와 접착제층(20)이 일괄적으로 가공 형성되고, 다이싱 다이 본드 필름 X가 세퍼레이터 S 위에 형성된다. 이 후, 도 3의 (e)에 도시한 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름 X의 주위의 재료 적층부를 세퍼레이터 S 위에서 제거한다.
이상과 같이 하여, 다이싱 다이 본드 필름 X를 제조할 수 있다.
[반도체 장치의 제조 방법]
본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여, 반도체 장치를 제조할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에서의 상기 접착제층측에, 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체, 또는 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼를 부착하는 공정(「공정 A」라고 칭하는 경우가 있음)과, 상대적으로 저온의 조건하에서, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프를 익스팬드하고, 적어도 상기 접착제층을 할단하여 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는 공정(「공정 B」라고 칭하는 경우가 있음)과, 상대적으로 고온의 조건하에서, 상기 다이싱 테이프를 익스팬드하고, 상기 접착제층 부착 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 공정(「공정 C」라고 칭하는 경우가 있음)과, 상기 접착제층 부착 반도체 칩을 픽업하는 공정(「공정 D」라고 칭하는 경우가 있음)을 포함하는 제조 방법에 의해, 반도체 장치를 제조할 수 있다. 도 4 내지 9에, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치 제조 방법의 일 실시 형태를 나타낸다.
공정 A에서 사용하는 상기 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체, 또는 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼는, 이하와 같이 하여 얻을 수 있다. 우선, 도 4의 (a) 및 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W에 분할 홈(30a)을 형성한다(분할 홈 형성 공정). 반도체 웨이퍼 W는, 제1면 Wa 및 제 2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시생략)이 제1면 Wa 위에 이미 형성되어 있다. 그리고, 점착면 T1a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T1을 반도체 웨이퍼 W의 제2면 Wb측에 접합한 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 소정 깊이의 분할 홈(30a)을 다이싱 장치 등의 회전 블레이드를 사용하여 형성한다. 분할 홈(30a)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 공극이다(도 4 내지 6에서는 분할 홈(30a)을 모식적으로 굵은 선으로 나타냄).
다음으로, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 점착면 T2a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T2의, 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 대한 접합과, 반도체 웨이퍼 W로부터의 웨이퍼 가공용 테이프 T1의 박리를 행한다.
다음으로, 도 4의 (d)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화한다(웨이퍼 박화 공정). 연삭 가공은, 연삭숫돌을 구비하는 연삭 가공 장치를 사용하여 행할 수 있다. 이 웨이퍼 박화 공정에 의해, 본 실시 형태에서는, 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)가 형성된다. 반도체 웨이퍼(30A)는, 구체적으로는, 당해 웨이퍼에 있어서 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화되게 되는 부위를 제2면 Wb측에서 연결하는 부위(연결부)를 갖는다. 반도체 웨이퍼(30A)에서의 연결부의 두께, 즉 반도체 웨이퍼(30A)의 제2면 Wb와 분할 홈(30a)의 제2면 Wb측 선단 사이의 거리는, 예를 들어 1 내지 30㎛이며, 바람직하게는 3 내지 20㎛이다.
(공정 A)
공정 A에서는, 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 접착제층(20)측에, 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체, 또는 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼를 부착한다.
공정 A에서의 일 실시 형태에서는, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 유지된 반도체 웨이퍼(30A)를 다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)에 대하여 접합한다. 이 후, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)로부터 웨이퍼 가공용 테이프 T2를 박리한다. 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제층인 경우에는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정에서의 전술한 방사선 조사 대신에, 반도체 웨이퍼(30A)의 접착제층(20)에 대한 접합의 후에, 기재(11)의 측으로부터 점착제층(12)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 점착제층(12)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(도 1에 도시한 조사 영역R)은, 예를 들어 점착제층(12)에서의 접착제층(20) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.
(공정 B)
공정 B에서는, 상대적으로 저온의 조건하에서, 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 다이싱 테이프(10)를 익스팬드하여, 적어도 접착제층(20)을 할단하여 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는다.
공정 B에서의 일 실시 형태에서는, 우선, 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 접착제층(20) 위에 링 프레임(41)을 부착한 후, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)를 수반하는 당해 다이싱 다이 본드 필름 X를 익스팬드 장치의 유지구(42)에 고정한다.
다음으로, 상대적으로 저온의 조건하에서 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이 행하고, 반도체 웨이퍼(30A)를 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화함과 함께, 다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)을 소편의 접착제층(21)으로 할단하고, 접착제층 부착 반도체 칩(31)을 얻는다. 쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)를, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에서 다이싱 테이프(10)에 맞닿게 하여 상승시키고, 반도체 웨이퍼(30A)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)를, 반도체 웨이퍼(30A)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드한다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서 15 내지 32MPa, 바람직하게는 20 내지 32MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행한다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)를 상승시키는 속도)는, 바람직하게는 0.1 내지 100㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드량은, 바람직하게는 3 내지 16㎜이다.
공정 B에서는, 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)를 사용한 경우, 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서 얇아서 갈라지기 쉬운 부위에 할단이 발생하여 반도체 칩(31)으로의 개편화가 발생한다. 이와 함께, 공정 B에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 접착제층(20)에 있어서 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착제층(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈의 수직 방향에 위치하는 개소가 할단되게 된다. 익스팬드에 의한 할단 후, 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이, 밀어올리기 부재(43)를 하강시켜, 다이싱 테이프(10)에서의 익스팬드 상태를 해제한다.
(공정 C)
공정 C에서는, 상대적으로 고온의 조건하에서, 상기 다이싱 테이프(10)를 익스팬드하여, 상기 접착제층 부착 반도체 칩끼리의 간격을 넓힌다.
공정 C에서의 일 실시 형태에서는, 먼저, 상대적으로 고온의 조건하에서 제2 익스팬드 공정(상온 익스팬드 공정)을, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이 행하고, 접착제층 부착 반도체 칩(31) 사이의 거리(이격 거리)를 확장한다. 공정 C에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)를 다시 상승시켜, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)를 익스팬드한다. 제2 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 10℃ 이상이고, 바람직하게는 15 내지 30℃이다. 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)를 상승시키는 속도)는, 예를 들어 0.1 내지 10㎜/초이며, 바람직하게는 0.3 내지 1㎜/초이다. 또한, 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드량은, 예를 들어 3 내지 16㎜이다. 후술하는 픽업 공정에서 다이싱 테이프(10)로부터 접착제층 부착 반도체 칩(31)을 적절하게 픽업 가능한 정도로, 공정 C에서는 접착제층 부착 반도체 칩(31)의 이격 거리를 확장한다. 익스팬드에 의해 이격 거리를 확장한 후, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 밀어올리기 부재(43)를 하강시켜서, 다이싱 테이프(10)에서의 익스팬드 상태를 해제한다. 익스팬드 상태 해제 후에 다이싱 테이프(10) 위의 접착제층 부착 반도체 칩(31)의 이격 거리가 좁아지는 것을 억제하는 관점에서는, 익스팬드 상태를 해제하기보다 전에, 다이싱 테이프(10)에서의 반도체 칩(31) 유지 영역보다 외측의 부분을 가열하여 수축시키는 것이 바람직하다.
공정 C의 후, 접착제층 부착 반도체 칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(10)에서의 반도체 칩(31)측을 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정을 필요에 따라서 갖고 있어도 된다.
(공정 D)
공정 D(픽업 공정)에서는, 개편화된 접착제층 부착 반도체 칩을 픽업한다. 공정 D에서의 일 실시 형태에서는, 필요에 따라 상기 클리닝 공정을 거친 후, 도 8 에 도시한 바와 같이, 접착제층 부착 반도체 칩(31)을 다이싱 테이프(10)로부터 픽업한다. 예를 들어, 픽업 대상의 접착제층 부착 반도체 칩(31)에 대하여, 다이싱 테이프(10)의 도면 중 하측에 있어서 픽업 기구의 핀 부재(44)를 상승시켜 다이싱 테이프(10)를 통해 밀어올린 후, 흡착 지그(45)에 의해 흡착 유지한다. 픽업 공정에 있어서, 핀 부재(44)의 밀어올리기 속도는 예를 들어 1 내지 100㎜/초이며, 핀 부재(44)의 밀어올리기 양은 예를 들어 50 내지 3000㎛이다.
상기 반도체 장치의 제조 방법은, 공정 A 내지 D 이외의 다른 공정을 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 일 실시 형태에 있어서는, 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 픽업한 접착제층 부착 반도체 칩(31)을, 피착체(51)에 대하여 접착제층(21)을 통해 임시 고착한다(임시 고착 공정). 피착체(51)로서는, 예를 들어 리드 프레임, TAB(Tape Automated Bonding) 필름, 배선 기판, 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 접착제층(21)의 임시 고착 시에서의 25℃에서의 전단 접착력은, 피착체(51)에 대하여 0.2MPa 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10MPa이다. 접착제층(21)의 상기 전단 접착력이 0.2MPa 이상이라는 구성은, 후술하는 와이어 본딩 공정에 있어서, 초음파 진동이나 가열에 의해 접착제층(21)과 반도체 칩(31) 또는 피착체(51)의 접착면에서 전단 변형이 발생하는 것을 억제하여 적절하게 와이어 본딩을 행할 수 있다. 또한, 접착제층(21)의 임시 고착 시에서의 175℃에서의 전단 접착력은, 피착체(51)에 대하여 0.01MPa 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5MPa이다.
다음으로, 도 9의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(31)의 전극 패드(도시생략)와 피착체(51)가 갖는 단자부(도시생략)를 본딩 와이어(52)를 통해 전기적으로 접속한다(와이어 본딩 공정). 반도체 칩(31)의 전극 패드나 피착체(51)의 단자부와 본딩 와이어(52)의 결선은, 가열을 수반하는 초음파 용접에 의해 실현할 수 있고, 접착제층(21)을 열경화시키지 않도록 행해진다. 본딩 와이어(52)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선, 구리선 등을 사용할 수 있다. 와이어 본딩에서의 와이어 가열 온도는, 예를 들어 80 내지 250℃이며, 바람직하게는 80 내지 220℃이다. 또한, 그 가열 시간은 수초 내지 수분 간이다.
다음으로, 도 9의 (c)에 도시한 바와 같이, 피착체(51) 위의 반도체 칩(31)이나 본딩 와이어(52)를 보호하기 위한 밀봉 수지(53)에 의해 반도체 칩(31)을 밀봉한다(밀봉 공정). 밀봉 공정에서는, 접착제층(21)의 열경화가 진행된다. 밀봉 공정에서는, 예를 들어 금형을 사용하여 행하는 트랜스퍼 몰드 기술에 의해 밀봉 수지(53)를 형성한다. 밀봉 수지(53)의 구성 재료로서는, 예를 들어 에폭시계 수지를 사용할 수 있다. 밀봉 공정에 있어서, 밀봉 수지(53)를 형성하기 위한 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 60초 내지 수분 간이다. 밀봉 공정에서 밀봉 수지(53)의 경화가 충분하게는 진행되지 않는 경우에는, 밀봉 공정 후에 밀봉 수지(53)를 완전히 경화시키기 위한 후경화 공정을 행한다. 밀봉 공정에 있어서 접착제층(21)이 완전히 열경화되지 않은 경우라도, 후경화 공정에 있어서 밀봉 수지(53)와 함께 접착제층(21)이 완전한 열경화가 가능해진다. 후경화 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 8시간이다.
상기 실시 형태에서는, 전술한 바와 같이, 접착제층 부착 반도체 칩(31)을 피착체(51)에 임시 고착시킨 후, 접착제층(21)을 완전히 열경화시키지 않고 와이어 본딩 공정이 행해진다. 이와 같은 구성 대신에, 상기 반도체 장치의 제조 방법에서는, 접착제층 부착 반도체 칩(31)을 피착체(51)에 임시 고착시킨 후, 접착제층(21)을 열경화시키고 나서 와이어 본딩 공정을 행해도 된다.
상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 다른 실시 형태로서, 도 4의 (d)를 참조하여 전술한 웨이퍼 박화 공정 대신에, 도 10에 도시한 웨이퍼 박화 공정을 행해도 된다. 도 4의 (c)를 참조하여 전술한 과정을 거친 후, 도 10에 도시한 웨이퍼 박화 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 당해 웨이퍼가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화시켜, 복수의 반도체 칩(31)을 포함해서 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 유지된 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성한다. 상기 웨이퍼 박화 공정에서는, 분할 홈(30a)이 제2면 Wb측에 노출될 때까지 웨이퍼를 연삭하는 방법(제1 방법)을 채용해도 되고, 제2면 Wb측에서 분할 홈(30a)에 이르는 것보다 전까지 웨이퍼를 연삭하고, 그 후, 회전 지석으로부터 웨이퍼에 대한 압박력의 작용에 의해 분할 홈(30a)과 제2면 Wb의 사이에 크랙을 발생시켜 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성하는 방법(제2 방법)을 채용해도 된다. 채용되는 방법에 따라서, 도 4의 (a) 및 도 4의 (b)를 참조하여 전술한 바와 같이 형성하는 분할 홈(30a)의, 제1면 Wa로부터의 깊이는, 적절하게 결정된다. 도 10에서는, 제1 방법을 거친 분할 홈(30a), 또는 제2 방법을 거친 분할 홈(30a) 및 이것에 이어지는 크랙에 대하여, 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다. 상기 반도체 장치의 제조 방법에서는, 공정 A에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체로서 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 반도체 웨이퍼(30A)의 대신에 사용하고, 도 5 내지 도 9를 참조하여 전술한 각 공정을 행해도 된다.
도 11의 (a) 및 도 11의 (b)는, 당해 실시 형태에서의 공정 B, 즉 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합한 후에 행하는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 나타낸다. 당해 실시 형태에서의 공정 B에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)를, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿게 하여 상승시키고, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)를, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드한다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서, 예를 들어 5 내지 28MPa, 바람직하게는 8 내지 25MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행한다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 또한 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)를 상승시키는 속도)는, 바람직하게는 1 내지 400㎜/초다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드량은, 바람직하게는 50 내지 200㎜이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)을 소편의 접착제층(21)으로 할단해서 접착제층 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 접착제층(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체 30B의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착제층(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소가 할단되게 된다.
상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 또 다른 실시 형태로서, 공정 A에 있어서 사용하는 반도체 웨이퍼(30A) 또는 반도체 웨이퍼 분할체(30B) 대신에, 이하와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)를 사용해도 된다.
당해 실시 형태에서는, 도 12의 (a) 및 도 12의 (b)에 도시한 바와 같이, 우선, 반도체 웨이퍼 W에 개질 영역(30b)을 형성한다. 반도체 웨이퍼 W는, 제1면 Wa 및 제 2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시생략)이 제1면 Wa 위에 이미 형성되어 있다. 그리고, 점착면 T3a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T3을 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 접합한 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞춰진 레이저광을 웨이퍼 가공용 테이프 T3과는 반대 측으로부터 반도체 웨이퍼 W에 대하여 분할 예정 라인을 따라 조사하고, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의하여 반도체 웨이퍼 W 내에 개질 영역(30b)을 형성한다. 개질 영역(30b)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위에 분리시키기 위한 취약화 영역이다. 반도체 웨이퍼에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인 위에 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허공개 제2002-192370호 공보에 상세히 설명되고 있는데, 당해 실시 형태에서의 레이저광 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절하게 조정된다.
<레이저광 조사 조건>
(A) 레이저광
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저
파장 1064㎚
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스
반복 주파수 100㎑ 이하
펄스폭 1㎲ 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280㎜/초 이하
다음으로, 도 12의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 유지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화되고, 이에 의해 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30C)를 형성한다(웨이퍼 박화 공정). 상기 반도체 장치의 제조 방법에서는, 공정 A에 있어서, 개편화 가능한 반도체 웨이퍼로서 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)를 반도체 웨이퍼(30A)의 대신에 사용하고, 도 5 내지 도 9를 참조하여 전술한 각 공정을 행해도 된다.
도 13의 (a) 및 도 13의 (b)는, 당해 실시 형태에서의 공정 B, 즉 반도체 웨이퍼(30C)를 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합한 후에 행하는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 나타낸다. 쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)를, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿게 하여 상승시키고, 반도체 웨이퍼(30C)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(10)를, 반도체 웨이퍼(30C)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드한다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서, 예를 들어 5 내지 28MPa, 바람직하게는 8 내지 25MPa의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행한다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 또한 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)를 상승시키는 속도)는, 바람직하게는 1 내지 400㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드량은, 바람직하게는 50 내지 200㎜이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 X의 접착제층(20)을 소편의 접착제층(21)으로 할단하여 접착제층 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 쿨 익스팬드 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30C)에 있어서 취약한 개질 영역(30b)에 크랙이 형성되어 반도체 칩(31)에의 개편화가 발생한다. 이와 함께, 쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착하고 있는 접착제층(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼(30C)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 웨이퍼의 크랙 형성 개소의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착제층(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 크랙 형성 개소의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소가 할단되게 된다.
또한, 상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름 X는, 전술한 바와 같이 접착제층 부착 반도체 칩을 얻는 용도로 사용할 수 있지만, 복수의 반도체 칩을 적층하여 3차원 실장을 하는 경우에서의 접착제층 부착 반도체 칩을 얻기 위한 용도에도 사용할 수 있다. 그러한 3차원 실장에서의 반도체 칩(31)사이에는, 접착제층(21)과 함께 스페이서가 개재되어 있어도 되고, 스페이서가 개재되어 있지 않아도 된다.
실시예
이하에 실시예를 들어 본 발명을 보다 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
(접착제층)
아크릴계 중합체 A1(아크릴산 에틸과 아크릴산 부틸과 아크릴로니트릴과 글리시딜메타크릴레이트와의 공중합체이며 전술한 제2 아크릴계 중합체, 중량 평균 분자량은 120만, 유리 전이 온도는 0℃, 에폭시가는 0.4eq/kg) 54질량부와, 고형 페놀 수지(상품명 「MEHC-7851SS」, 23℃에서 고형, 메이와 가세이 가부시키가이샤 제조) 3질량부와, 액상 페놀 수지(상품명 「MEH-8000H」, 23℃에서 액상, 메이와 가세이 가부시키가이샤 제조) 3질량부와, 실리카 필러(상품명 「SO-C2」, 평균 입경은 0.5㎛, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조) 40질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하고, 실온에서의 점도가 700mPa·s가 되도록 농도를 조정하고, 접착제 조성물을 얻었다. 이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 38㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 접착제 조성물을 도포해서 도막을 형성하고, 이 도막에 대하여 130℃에서 2분간의 탈용매를 행하였다. 이상과 같이 하여, 실시예 1에서의 두께 10㎛의 접착제층을 PET 세퍼레이터 위에 제작하였다. 실시예 1에서의 접착제층의 조성을 표 1에 나타낸다(표 1에 있어서, 조성물의 조성을 나타내는 각 수치의 단위는, 후술하는 MOI에 관한 수치를 제외하고, 당해 조성물 내에서의 상대적인 "질량부"임).
(점착제층)
냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 라우릴아크릴레이트(LA) 100몰부와, 2-히드록시에틸아크릴레이트(2HEA) 20몰부와, 이들 단량체 성분 100질량부에 대해서 0.2질량부의 중합 개시제로서의 과산화 벤조일과, 중합 용매로서의 톨루엔을 포함하는 혼합물을, 60℃에서 10시간, 질소 분위기하에서 교반하였다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 중합체 P1을 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 당해 중합체 용액 중의 아크릴계 중합체 P1에 대해서, 중량 평균 분자량(Mw)은 46만이며, 유리 전이 온도는 9.5℃이고, 2HEA 유래의 구성 단위에 대하다 LA 유래의 구성 단위 몰 비율은 5이다. 이어서, 이 아크릴계 중합체 P1을 함유하는 중합체 용액과, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)과, 부가 반응 촉매로서의 디부틸주석디라우릴레이트를 포함하는 혼합물을, 실온에서 48시간, 공기 분위기하에서 교반하였다(부가 반응). 당해 반응 용액에 있어서, MOI의 배합량은, 상기 라우릴 아크릴레이트 100몰부에 대하여 16몰부이며, 아크릴계 중합체 P1에서의 2HEA 유래의 구성 단위 혹은 그 수산기의 총량에 대한 당해MOI 배합량의 몰 비율은 0.8이다. 또한, 당해 반응 용액에 있어서, 디부틸주석디라우릴레이트의 배합량은, 아크릴계 중합체 P1 100질량부에 대해서 0.01질량부이다. 이 부가 반응에 의해, 측쇄에 메타크릴레이트 기를 갖는 아크릴계 중합체 P2(불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위를 포함하는 전술한 제1 아크릴계 중합체)을 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이어서, 당해 중합체 용액에, 아크릴계 중합체 P2 100질량부에 대해서 1질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)과, 2질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 127」, BASF사 제조)를 첨가하여 혼합하고, 또한, 당해 혼합물의 실온에서의 점도가 500mPa·s가 되도록 당해 혼합물에 대해서 톨루엔을 첨가하고 희석하여, 점착제 조성물을 얻었다. 이어서, PET 세퍼레이터 위에 형성된 전술한 접착제층 위에 애플리케이터를 사용하여 점착제 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 이 도막에 대하여 130℃에서 2분간의 탈용매를 행하고, 접착제층 위에 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 이어서, 라미네이터를 사용하고, 이 점착제층의 노출면에 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA)제의 기재(상품명 「RB-0104」, 두께 130㎛, 구라시키 보세키 가부시키가이샤 제조)를 실온에서 접합하였다. 이어서, EVA 기재의 측으로부터 세퍼레이터에 이르기까지 가공날을 돌입시키는 펀칭 가공을 행하였다. 이에 의해, EVA 기재/점착제층/접착제층의 적층 구조를 갖는 직경 370㎜의 원반 형상의 다이싱 다이 본드 필름을 세퍼레이터 위에 형성하였다. 이어서, 다이싱 테이프에서의 점착제층에 대하여 EVA 기재의 측으로부터 자외선을 조사하였다. 자외선 조사에 있어서는, 고압 수은 램프를 사용하여, 조사 적산 광량을 350mJ/㎠로 하였다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프(EVA 기재/점착제층)과 접착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
실시예 2 및 3
점착제층의 형성에 있어서 MOI의 배합량을 16몰부 대신에 12몰부(실시예 2)또는 8몰부(실시예 3)로 한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 2 및 3의 각 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
실시예 4
(점착제층)
냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 2-에틸헥실아크릴레이트(2EHA) 100몰부와, 2-히드록시에틸아크릴레이트(2HEA) 20몰부와, 이들 단량체 성분 100질량부에 대해서 0.2질량부의 중합 개시제로서의 과산화 벤조일과, 중합 용매로서의 톨루엔을 포함하는 혼합물을, 60℃에서 10시간, 질소 분위기하에서 교반하였다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 중합체 P3을 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 당해 중합체 용액 중의 아크릴계 중합체 P3에 대해서, 중량 평균 분자량(Mw)은 40만이며, 유리 전이 온도는 9.5℃이고, 2HEA 유래의 구성 단위에 대한 2EHA 유래의 구성 단위의 몰 비율은 5이다. 이어서, 이 아크릴계 중합체 P3을 함유하는 중합체 용액과, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)와, 부가 반응 촉매로서의 디부틸주석디라우릴레이트를 포함하는 혼합물을, 실온에서 48시간, 공기 분위기하에서 교반하였다(부가 반응). 당해 반응 용액에 있어서, MOI의 배합량은, 상기 2-에틸헥실아크릴레이트100몰부에 대하여 16몰부이며, 아크릴계 중합체 P3에서의 2HEA 유래의 구성 단위 혹은 그 수산기의 총량에 대한 당해MOI 배합량의 몰 비율은 0.8이다. 또한, 당해 반응 용액에 있어서, 디부틸주석디라우릴레이트의 배합량은, 아크릴계 중합체 P3 100질량부에 대해서 0.01질량부이다. 이 부가 반응에 의해, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 중합체 P4(불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위를 포함하는 아크릴계 중합체)을 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이어서, 당해 중합체 용액에, 아크릴계 중합체 P4 100질량부에 대해서 1질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)과, 2질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 127」, BASF사 제조)를 첨가하여 혼합하고, 또한, 당해 혼합물의 실온에서의 점도가 500mPa·s가 되도록 당해 혼합물에 대해서 톨루엔을 첨가하고 희석하여, 점착제 조성물을 얻었다. 그리고, 점착제 조성물로 해서 당해 점착제 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 4의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
실시예 5
(점착제층)
실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 38㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하고, 실시예 4에서 제작한 점착제 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 이 도막에 대해서 130℃에서 2분간의 탈용매를 행하고, PET 세퍼레이터 위에 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 이어서, 라미네이터를 사용하고, 이 점착제층의 노출면에 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA)제의 기재(상품명 「RB-0104」, 두께 130㎛, 구라시키 보세키 가부시키가이샤 제조)를 실온에서 접합하였다. 이상과 같이 하여, EVA 기재/점착제층의 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프를 제작하였다.
(접착제층)
상기 다이싱 테이프로부터 PET 세퍼레이터를 박리하고, 노출한 점착제층에, 실시예 1에서 제작한 접착제층 부착PET 세퍼레이터의 접착제층을 접합하였다. 접합에 있어서는, 다이싱 테이프의 중심과 접착제층의 중심을 위치 정렬하였다. 또한, 접합에는, 핸드 롤러를 사용하였다. 이어서, EVA 기재의 측으로부터 세퍼레이터에 이르기까지 가공날을 돌입시키는 펀칭 가공을 행하였다. 이에 의해, EVA 기재/점착제층/접착제층의 적층 구조를 갖는 직경 370㎜의 원반 형상의 다이싱 다이 본드 필름을 세퍼레이터 위에 형성하였다. 이어서, 다이싱 테이프에서의 점착제층에 대하여 EVA 기재의 측으로부터 자외선을 조사하였다. 자외선 조사에 있어서는, 고압 수은 램프를 사용하여, 조사 적산 광량을 350mJ/㎠로 하였다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프(EVA 기재/점착제층)와 접착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 실시예 5의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
비교예 1
점착제층의 형성에 있어서 MOI의 배합량을 16몰부 대신에 20몰부로 한 것 이외에는 실시예 4의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 1의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
<평가>
실시예 및 비교예에서 얻어진 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 이하의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(나노인덴테이션법에 의한 탄성률)
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 각 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 점착제층 위에서 접착제층을 박리하고, 점착제층의 박리면에 대하여, 나노인덴터(상품명 「TriboIndenter」, HYSITRON Inc.사 제조)를 사용하여, 이하의 조건에서, 점착제층 표면의 나노인덴테이션 측정을 행하였다. 그리고, 얻어진 탄성률을 표 1에 나타낸다.
사용 압자: 버코비치(Berkovich)(삼각추형)
측정 방법: 단일 압입 측정
측정 온도: 23℃
주파수: 100㎐
압입 깊이 설정: 500㎚
하중: 1mN
부하 속도: 0.1mN/s
제하 속도: 0.1mN/s
유지 시간: 1s
(표면 조도)
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 각 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 점착제층 위에서 접착제층을 박리하고, 점착제층 및 접착제층의 박리면에 대해서 각각의 표면 조도 Ra를 측정하였다. 또한, 표면 조도의 측정은 공초점 레이저 현미경(상품명 「OPTELICS H300」, 레이저텍 가부시키가이샤 제조)을 사용하여 행하였다. 그리고, 얻어진 각각의 표면 조도 Ra 및 그 차를 표 1에 나타낸다.
(자외선 경화 후의 T형 박리 시험)
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 각 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 다음과 같이 하여 점착제층과 접착제층 사이의 박리력을 조사하였다. 우선, 각 다이싱 다이 본드 필름으로부터 시험편을 제작하였다. 구체적으로는, 다이싱 다이 본드 필름의 접착제층측에 보강 테이프(상품명 「BT-315」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)를 접합하고, 당해 보강 테이프를 갖는 다이싱 다이 본드 필름으로부터, 폭 50㎜×길이 120㎜의 사이즈의 시험편을 잘라내었다. 그리고, 시험편에 대하여, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 T형 박리 시험을 행하고, 박리력(N/20㎜)을 측정하였다. 본 측정에 있어서는, 온도 조건을 23℃로 하고, 박리 속도를 300㎜/분으로 하였다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
(익스팬드 공정과 픽업 공정의 실시)
실시예 및 비교예에서 각각 얻어진 각 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여, 이하와 같은 접합 공정, 할단을 위한 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정), 이격을 위한 제2 익스팬드 공정(상온 익스팬드 공정) 및 픽업 공정을 행하였다.
접합 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「UB-3083D」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)에 유지된 반도체 웨이퍼 분할체를 다이싱 다이 본드 필름의 접착제층에 대하여 접합, 그 후, 반도체 웨이퍼 분할체로 웨이퍼 가공용 테이프를 박리하였다. 접합에 있어서는, 라미네이터를 사용하여, 접합 속도를 10㎜/초로 하고, 온도 조건을 60℃로 하며, 압력 조건을 0.15MPa로 하였다. 또한, 반도체 웨이퍼 분할체는, 다음과 같이 하여 형성해서 준비한 것이다. 우선, 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「V12S-R2-P」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)에 링 프레임과 함께 유지된 상태에 있는 베어 웨이퍼(직경 12인치, 두께 780㎛, 도쿄 가코 가부시키가이샤 제조)에 대하여, 그 한쪽 면의 측으로부터, 다이싱 장치(상품명 「DFD6260」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여 그 회전 블레이드에 의해 개편화용의 분할 홈(폭 25㎛, 깊이 50㎛, 1 구획 6㎜×12㎜의 격자 형상)을 형성하였다. 이어서, 분할 홈 형성면에 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「UB-3083D」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)를 접합한 후, 상기 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「V12S-R2-P」)를 웨이퍼로부터 박리하였다. 이 후, 백그라인드 장치(상품명 「DGP8760」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여, 웨이퍼의 다른 쪽 면(분할 홈이 형성되어 있지 않은 면)의 측으로부터의 연삭에 의해 당해 웨이퍼를 두께 20㎛에 이르기까지 박화하고, 계속해서, 상기 장치를 사용하여 행하는 드라이 폴리시에 의해 당해 연삭면에 대하여 경면 마무리를 실시하였다. 이상과 같이 하여, 반도체 웨이퍼 분할체(웨이퍼 가공용 테이프에 유지된 상태에 있음)를 형성하였다. 이 반도체 웨이퍼 분할체에는, 복수의 반도체 칩(6㎜×12㎜)이 포함되어 있다.
쿨 익스팬드 공정은, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS3200」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여, 그 쿨 익스팬드 유닛에서 행하였다. 구체적으로는, 먼저, 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 전술한 다이싱 다이 본드 필름에서의 접착제층의 프레임 접착용 영역(워크 접착용 영역의 주위)에, 직경 12인치의 SUS제 링 프레임(가부시키가이샤 디스코 제조)을 실온에서 부착하였다. 이어서, 당해 다이싱 다이 본드 필름을 장치 내에 세트하고, 상기 장치의 쿨 익스팬드 유닛에서, 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드하였다. 이 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 온도는 -15℃이고, 익스팬드 속도는 100㎜/초이며, 익스팬드량은 7㎜이다.
상온 익스팬드 공정은, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS3200」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여, 그 상온 익스팬드 유닛에서 행하였다. 구체적으로는, 전술한 쿨 익스팬드 공정을 거친 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를, 상기 장치의 상온 익스팬드 유닛에서 익스팬드하였다. 이 상온 익스팬드 공정에 있어서, 온도는 23℃이고, 익스팬드 속도는 1㎜/초이며, 익스팬드량은 10㎜이다. 이 후, 상온 익스팬드를 거친 다이싱 다이 본드 필름에 대해서 가열 수축 처리를 실시하였다. 그 처리 온도는 200℃이고, 처리 시간은 20초이다.
픽업 공정에서는, 픽업 기구를 갖는 장치(상품명 「다이 본더 SPA-300」, 가부시키가이샤 신카와 제조)를 사용하여, 다이싱 테이프 위에서 개편화된 접착제층 부착 반도체 칩의 픽업을 시도하였다. 이 픽업에 대하여, 핀 부재에 의한 밀어올리기 속도는 1㎜/초이고, 밀어올리기 양은 2000㎛이며, 픽업 평가수는 5이다.
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 다이싱 다이 본드 필름을 사용해 행한 이상과 같은 과정에 있어서, 쿨 익스팬드 공정에 관해서는, 다이싱 테이프로부터의 접착제층 부착 반도체 칩의 들뜸 면적이 5％ 이하인 경우에 할단 시의 들뜸에 대하여 양호(○)하다고 평가하고, 들뜸의 면적이 5％를 초과하고 40％ 이하인 경우에 할단 시의 들뜸에 대하여 가능(△)하다고 평가하였다. 픽업 공정에 관해서는, 5개의 접착제층 부착 반도체 칩 모두를 다이싱 테이프로부터 픽업할 수 있는 경우를 픽업성이 양호(○)하다고 평가하고, 1 내지 4개가 픽업할 수 있는 경우에 픽업성이 가능(△)하다고 평가하고, 1개도 픽업할 수 없는 경우에 픽업성이 불량(×)하다고 평가하였다. 이들 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001
실시예 1 내지 4의 다이싱 다이 본드 필름에 의하면, 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 다이싱 테이프로부터의 접착제층 부착 반도체 칩의 들뜸을 발생하지 않고 접착제층의 할단을 양호하게 행할 수 있었을 뿐만 아니라, 픽업 공정에 있어서 접착제층 부착 반도체 칩을 적절하게 픽업할 수 있었다.
1: 다이싱 다이 본드 필름
10: 다이싱 테이프
11: 기재
11e: 외주 단부
12: 점착제층
12e: 외주 단부
20, 21: 접착제층
20e: 외주 단부
W, 30A, 30C: 반도체 웨이퍼
30B: 반도체 웨이퍼 분할체
30a: 분할 홈
30b: 개질 영역
31: 반도체 칩

Claims (10)

  1. 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,
    상기 다이싱 테이프에서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착하고 있는 접착제층을 구비하고,
    상기 점착제층 표면의, 온도 23℃, 주파수 100㎐의 조건에서의 나노인덴테이션법에 의한 500㎚ 압입 시의 탄성률이 0.1 내지 20MPa인, 다이싱 다이 본드 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 점착제층은 방사선 경화형 점착제층이며, 온도 23℃, 박리 속도 300㎜/분의 조건에서의 T형 박리 시험에서의, 방사선 경화 후의 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력이 0.06 내지 0.25N/20㎜인, 다이싱 다이 본드 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    온도 23℃, 박리 속도 300㎜/분의 조건에서의 T형 박리 시험에서의, 방사선 경화 전의 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력이 2N/20㎜ 이상인, 다이싱 다이 본드 필름.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 점착제층과 상기 접착제층의 접촉면에서의, 상기 점착제층 표면의 표면 조도 Ra와 상기 접착제층 표면의 표면 조도 Ra의 차가 100㎚ 이하인, 다이싱 다이 본드 필름.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 점착제층이, 탄소수 10 이상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위 및 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 제1 아크릴계 중합체를 함유하는, 다이싱 다이 본드 필름.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 아크릴계 중합체에서의, 탄소수 10 이상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위의, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 대한 몰 비율이 1 내지 40인, 다이싱 다이 본드 필름.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 제1 아크릴계 중합체가, 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위를 포함하고, 상기 제1 아크릴계 중합체에서의, 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위의, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 대한 몰 비율이 0.1 내지 2인, 다이싱 다이 본드 필름.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 접착제층은, 온도 23℃, 박리 속도 300㎜/분, 각도 180°의 조건에서의, SUS에 대한 점착력이 0.1 내지 20N/10㎜인, 다이싱 다이 본드 필름.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 접착제층은, 23℃에서의 저장 탄성률이 100 내지 4000MPa인, 다이싱 다이 본드 필름.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 접착제층의 외주 단부는, 필름면 내 방향에 있어서 상기 점착제층의 외주 단부로부터 1000㎛ 이내의 거리에 있는, 다이싱 다이 본드 필름.
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