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KR20180075693A - 태양광 조절층을 포함하는 투명 복합체 및 이의 형성 방법 - Google Patents

태양광 조절층을 포함하는 투명 복합체 및 이의 형성 방법 Download PDF

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KR20180075693A
KR20180075693A KR1020187017627A KR20187017627A KR20180075693A KR 20180075693 A KR20180075693 A KR 20180075693A KR 1020187017627 A KR1020187017627 A KR 1020187017627A KR 20187017627 A KR20187017627 A KR 20187017627A KR 20180075693 A KR20180075693 A KR 20180075693A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
trench
control layer
solar control
layer
microns
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Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
KR1020187017627A
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English (en)
Inventor
파비앙 린하트
Original Assignee
생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 filed Critical 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션
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Abstract

투명 복합체는 요철 기판 및 태양광 조절층을 포함한다. 태양광 조절층 일부는 요철 기판의 측벽에 의해 서로 분리된 상이한 높이들에서 형성된다. 일부는 서로 전기적으로 연결되지 않거나 또는 높은 저항의 다른 일부를 포함한다. 실시태양에서, 태양광 조절층은 비-정합적으로 요철 기판 상에 적층된다. 태양광 조절층은 태양광 조절층의 일부들 사이 측방 갭을 가지지 않도록 형성된다. 특정 실시태양에서, 투명 복합체는 양호한 가시광선 전달 및 고주파 신호 전송을 가지면서도 여전히 적당히 낮은 근적외선 전달을 달성한다.

Description

태양광 조절층을 포함하는 투명 복합체 및 이의 형성 방법{TRANSPARENT COMPOSITE INCLUDING A SOLAR CONTROL LAYER AND A METHOD OF FORMING THE SAME}
본 개시는 태양광 조절층을 포함하는 투명 복합체 및 이의 형성 방법에 관한 것이다.
더욱 많은 정부에서 및 소비자는 태양으로부터 건물 또는 차량 내부로 열전달을 감소시키는 창문을 요구하고 있다. 대부분의 열은 파장 범위가 800 nm 내지 2500 nm인 근적외선으로 전달된다. 수년 동안 태양광 조절층이 사용되었고 이는 파장 범위가 400 nm 내지 700 nm인 허용 가능한 가시광선을 전달시키면서도 근적외선 전달을 효과적으로 감소시킨다.
휴대폰, 스마트폰, 태블릿 컴퓨터 등은 전형적으로 셀룰러 타워 또는 기타 인프라 구조 설비와 전형적으로 주파수 범위 0.8 GHz 내지 2.5 GHz 및 더욱 높은 주파수에서 무선 통신한다. 이러한 폰, 컴퓨터, 및 기타 셀룰러 설비 사용자는 장치들이 건물 및 차량 창문을 통해 무선 통신될 필요가 있다. 유리 또는 플라스틱 시트를 통한 무선 송신은 상당한 신호 손실이 동반된다. 태양광 조절층은 가시광선을 유의하게 감소시키지 않고 근적외선 전달을 상당히 감소시키지만, 이러한 태양광 조절층은 무선 통신용 전자기 복사 전송을 상당히 감쇠시킨다. 이들 문제를 해결하기 위한 많은 시도는 너무 많은 근적외선이 통과되거나 또는 제조 경로를 복합하게 하였다.
실시태양들은 예시로서 설명되고 첨부 도면들에 한정되지 않는다.
도 1은 시트 저항에 따른 1.8 GHz에서의 신호 전송 도표를 도시한 것이다.
도 2는 실시태양에 의한 요철 기판 (textured substrate) 및 태양광 조절층의 부분 단면도이다.
도 3은 도 2의 태양광 조절층 회로 모델을 포함한다.
도 4는 실시태양에 의한 요철 기판 및 태양광 조절층의 부분 단면도를 도시한 것이다.
도 5는 도 4의 태양광 조절층 회로 모델을 포함한다.
도 6 및 7은 각각 실시태양에 의한 지지 기판 및 요철 기판을 포함하는 가공물의 부분 단면도 및 사시도를 포함한다.
도 8은 대안 실시태양에 의한 지지 기판 및 요철 기판을 포함하는 가공물의 부분 사시도를 포함한다.
도 9는 또 다른 대안 실시태양에 의한 요철 기판을 포함하는 가공물의 부분 평면도를 도시한 것이다.
도 10 및 11은 실시태양에 의한 태양광 조절층 형성 후 도 6 및 7 가공물의 단면도 및 사시도를 도시한 것이다.
도 12는 실시태양에 의한 트렌치 충전 (trench-fill) 재료로 나머지 트렌치 일부 (portions)를 채운 후의 도 10 및 11 가공물 단면도를 포함한다.
도 13은 실시태양에 의한 실질적으로 완료된 투명 복합체의 단면도를 포함한다.
도 14는 대안 실시태양에 의한 지지 기판 및 요철 기판을 포함하는 가공물 부분 단면도를 포함한다.
도 15는 대안 실시태양에 의한 몸체 및 캡핑 층들 일부를 식각한 후 지지 기판, 몸체 층, 캡핑 (capping) 층, 및 마스킹 (masking) 층을 포함하는 가공물의 부분 단면도를 도시한 것이다.
도 16은 대안 실시태양에 의한 몸체 층 내의 트렌치 일부를 선택적으로 확대한 후의 도 15 가공물의 단면도를 도시한 것이다.
도 17 및 18은 요철 기판 및 요철 기판 상에 적층되는 금속층에 대한 주사전자현미경사진이다.
도 19는 샘플을 통한 (시험 중인 장치) 무선 주파수 신호 전송 감쇠 시험을 위한 설정 시스템을 보인다.
도 20은 시트 저항 함수로서 전송 감쇠 (신호 손실)를 보이는 그래프이다.
당업자들은 도면들에서 요소들이 단순하고 간결하게 도시되며 반드시 척도에 따라 도시된 것이 아니라는 것을 이해할 것이다. 예를들면 도면들에서 일부 요소들의 치수는 본 발명 실시태양들에 대한 이해를 돕기 위하여 다른 요소들보다 과장될 수 있다.
하기 상세한 설명은 도면들과 함께 본원의 교시의 이해를 위하여 제공된다. 하기 논의는 본 발명의 특정 구현예들 및 실시태양들에 집중될 것이다. 이러한 논의는 본 교시를 설명하기 위한 것이고 본 발명의 범위 또는 적용 가능성을 제한하는 것으로 해석되어서는 아니된다.
용어 “유효 시트 저항”이란 패턴으로 조정된 재료 또는 층의 시트 저항을 의미한다. 예를들면, 평탄면 상에 형성될 때 층의 시트 저항은 200 옴/면적 (ohms/square)이다. 패턴화 후, 층 폭 (두께에 직교 방향으로 측정됨)은 원래 형성된 층 폭의 단지 10%일 수 있다. 유효 시트 저항은 시트 저항 (200 옴/면적)과 패턴화 후 잔류 층 폭의 분수 (0.1)를 곱한 것으로, 본 예에서는 2000 옴/면적이다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 가시광선 투과율 (VLT)이란 창문 필름/유리 시스템에 도달하는 총 가시광선에 대한 창문 필름/유리 시스템을 통과하여 전달되는 총 가시광선의 비율을 의미한다.
가시광선 반사율 (VLR)이란 창문 필름/유리 시스템에 도달하는 총 가시광선에 대한 창문 필름/유리 시스템에 의해 반사되는 총 가시광선의 비율을 의미한다.
총 태양에너지 차단율 (TSER)이란 창문 필름/유리 시스템에 의해 차단되는 총 태양에너지 (열)를 의미한다.
일사획득계수 (SHGC)란 식: SHGC = 1 - TSER로 측정되는 총 태양에너지 (예를들면, 창문 필름/유리 시스템을 통해 전달되는 열)를 의미한다.
선택도(들) 또는 광 대 일사 획득계수 (LTSHGC)는 다음 식: s = LTSHGC = VLT/SHGC으로 측정되는 VLT를 SHGC로 나눈 비율을 의미한다.
VLT, VLR, TSER, SHGC 및 LTSHGC는 ASTM 표준 (예를들면, NFRC-100, NFRC-200 및 NFRC-300 참고)에 따라 계산된다.
본원에서 제공되는 성능 값들은 투명 복합체 필름을 3 mm (1/8 inch) 투명 유리 시트에 인가할 때 또는 3 mm (1/8 inch) 투명 유리 시트로 투명 복합체를 제작하여 측정된 값들에 상당한다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 감쇠 (attenuation)는 매질, 예컨대 창문 필름/유리 시스템을 통과하는 전자기 복사선에서 전자기 복사선의 강도 손실이다. 감쇠는 동일 감쇠 정도에 대하여 실제 값 (예를들면, -5 dB) 또는 절대값 (예를들면, 5 dB)으로 표기된다.
본원에서 사용되는 용어 "구성한다(comprises)", "구성하는(comprising)", "포함한다(includes)", "포함하는(including)", "가진다(has)", 가지는(having)" 또는 이들의 임의의 다른 변형은 비배타적인 포함을 커버하기 위한 것이다. 예를들면, 특징부들의 목록을 포함하는 공정, 방법, 물품, 또는 장치는 반드시 이러한 특징부들에만 한정될 필요는 없으며 명시적으로 열거되지 않거나 이와 같은 공정, 방법, 물품, 또는 장치에 고유한 다른 특징부들을 포함할 수 있다. 게다가, 명시적으로 반대로 기술되지 않는다면, "또는"은 포괄적인 의미의 "또는"을 가리키며 배타적인 의미의 "또는"을 가리키지 않는다. 예를들면, 조건 A 또는 B는 다음 중의 어느 하나에 의해 만족된다: A가 참이고 (또는 존재하고) B는 거짓이며 (또는 존재하지 않으며), A가 거짓이고 (또는 존재하지 않고) B는 참이며 (또는 존재하며), A와 B 모두가 참 (또는 존재한다)이다.
"하나의 (a)" 또는 "하나의 (an)"은 여기에서 설명되는 요소들과 구성요소들을 설명하는데 사용된다. 이는 단지 편의성을 위해 그리고 본 발명의 범위의 일반적인 의미를 부여하기 위해 행해진다. 이 설명은 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 것으로 읽혀져야 하며, 다르게 의미한 다는 것이 명백하지 않다면 단수는 또한 복수를 포함한다.
달리 정의되지 않는 한, 본원에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 분야의 통상의 기술자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 재료, 방법 및 실시예들은 예시적인 것일 뿐이고 제한적이지 않다. 본원에 기재되지 않는 한, 특정 재료 및 공정과 관련된 많은 상세 사항들은 통상적이고 참고 서적들 및 태양광 조절 및 창문 분야의 기타 자료들에서 발견될 수 있다.
투명 복합체는 요철 기판 및 태양광 조절층을 포함한다. 태양광 조절층 일부는 측벽에 의해 서로 분리된 상이한 높이들 (elevations)에서 형성된다. 실시태양에서, 요철 기판이 형성될 때 요철 기판 내부에 트렌치가 존재하거나, 또는 트렌치는 층 내부에 형성되거나, 또는 층 상부에 재료를 적층하여 형성될 수 있다. 트렌치 바닥 및 트렌치 외부 표면 사이 높이 차이로 인하여 태양광 조절층은 트렌치 내부 및 외부에 차별되고, 이격되는 부분들 (portions)을 가질 수 있다. 실시태양에서, 태양광 조절층은 요철 기판 상에 비-정합적으로 적층된다. 태양광 조절층은 파쇄, 균열되거나, 또는 차별되고 이격되는 부분들로부터 일부가 레이저 융삭 또는 달리 제거될 필요는 없다. 투명 복합체 주요 표면에 수직 방향에서, 태양광 조절층은 임의의 측방향 갭을 가지고 않고, 따라서, 태양광 조절층이 형성된 후 태양광 조절층이 균열 조각들을 포함하는 종래 창문 필름과 비교할 때 근적외선 전달은 상당히 줄어든다. 나노입자들을 가지는 종래 태양광 조절층은 (1) 양호한 근적외선 (IR) 성능 그러나 불량한 가시광선 전달을 제공하거나, 또는 (2) 양호한 가시광선 전달 그러나 너무 많은 근 IR 복사선이 전달되는 나노입자들을 가진다. 또한, 투명 복합체는 단지 하나의 태양광 조절층으로 형성된다. 따라서, 다중 태양광 조절층이 적층되고 패턴화될 필요가 없다. 투명 복합체는 헤이즈가 낮게 제조된다. 헤이즈는 BYK Gardner의 Haze-Gard™-브랜드 헤이즈 미터 장치로 측정된다. 특정 실시태양에서, 헤이즈는 ASTM D 1003에 의거하여 측정된다.
특정 실시태양들 설명 전에, 태양광 조절층에 의한 고주파 신호 감쇠 관련 문제를 언급한다. 태양광 조절층에서 사용되는 일부 재료, 예컨대 Ag, Au, Cu, Al, 또는 일반적으로 투명 전도성 산화물 (TCO), 예컨대 인듐 주석 산화물 (ITO), Al 또는 Ga 도핑된 아연 산화물 (ZnO)은 아주 높은 도전성을 가진다. 도 1은 층의 시트 저항 함수로서 1.8 GHz 주파수에서 층을 통과하는 전자기 복사 전송 도표를 도시한 것이다. 도표에서 보이듯, 시트 저항이 감소하면 신호 감쇠는 상당하다. 특히, 1 옴/면적 (도면에서 Ω□ 로 표기)에서 전송은 -46 dB, 10 옴/면적에서-27 dB, 및 100 옴/면적에서-10 dB이다. 따라서, 시트 저항이 너무 낮으면 무선 통신을 위한 전자기 복사선의 충분한 전송이 되지 않는다. 그러나, 10,000 옴/면적 이상에서 전송은 0 dB 내지 -1dB이다.
이하 도시되지만 청구범위를 제한하지 않는 예시적 실시태양들을 설명한다. 도 2는 요철 기판 (200) 일부 및 태양광 조절층 일부의 단면도를 도시한 것이다. 태양광 조절층은 근 IR 복사선 전달을 크게 감소시키고 충분한 가시광선 전달을 가능하게 한다. 도 2의 실시태양에서, 요철 기판 (200)은 트렌치 (220)를 가지고 이는 실질적으로 수직 측벽 (222)을 가진다. 태양광 조절층 일부 (242, 244, 246)는 트렌치 (220) 외부의 요철 기판 (200) 최상면에 적층된다. 태양광 조절층 일부 (262, 264)는 트렌치 (220) 바닥면에 적층된다. 일부 (242, 244, 246)는 트렌치 측벽 (222)에 의해 일부 (262, 264)와 분리된다.
도 2의 실시태양을 전기적으로 모델화하면, 각각의 일부는 도 3에 도시된 바와 같이 상당하는 저항 R242, R244, R, 246, R262, 및 R264 를 가진다. 태양광 조절층의 일부 (242, 244, 246, 262, 264)는 분리되므로, 이러한 일부는 서로 전기적으로 연결되지 않은 저항들로 나타내고, 따라서, 개방 회로이다. 전압 차가 일부 (242, 246) 사이 태양광 조절층에 걸쳐 인가되면, 전류가 흐르지 않는다. 도 1을 참조하면, 이러한 상황은 (100,000 옴/면적보다 상당히 더 큰) 매우 높은 시트 저항을 가져오고 상당한 무선 통신 신호 감쇠는 발생되지 않는다.
또 다른 실시태양에서, 요철 기판은 메사 (mesa) 및 메사 사이 상호연결된 트렌치 형태일 수 있다. 본 실시태양에서, 저항기 R262 및 R264 는 연결된다. 트렌치 폭을 조정하여 트렌치 내부의 태양광 조절층 일부에 대한 원하는 유효 시트 저항을 달성할 수 있다. 예를들면, 더욱 높은 유효 시트 저항이 필요하거나 바람직하다면, 트렌치는 더욱 좁혀질 수 있다. 메사 상부의 태양광 조절층 일부에 상당하는 저항기 R242, R244, 및 R246은 서로 및 상호 연결된 트렌치 내부의 태양광 조절층 일부와 전기적으로 연결되지 않은 상태이다.
도 4는 대안 실시태양을 도시한 것이고 태양광 조절층 (400)은 요철 기판 (200) 상에 형성된 연속 층이다. 도 4의 실시태양에서, 태양광 조절층의 일부 (442, 444, 446)는 트렌치 (220) 외부의 요철 기판 (200) 최상면에 적층된다. 태양광 조절층의 일부 (462, 464)는 트렌치 (220) 바닥면 상에 적층된다. 본 실시태양에서, 일부 (452, 454, 456, 458)는 트렌치 바닥면을 따라 놓이는 태양광 조절층 (200) 일부 및 트렌치 (220) 외부에 놓이는 다른 일부 사이 트렌치 (220) 측벽 (222)을 따라 적층된다. 각각의 일부 (452, 454, 456, 458)의 두께는 실질적으로 각각의 일부 (442, 444, 446, 462, 464) 두께보다 얇다.
도 4 실시태양을 전기적으로 모델화하면, 도 5에 도시된 바와 같이 각각의 일부는 상당하는 저항 R442, R444, R, 446, R452, R454, R456, R458, R462, 및 R464 를 가진다. 태양광 조절층 (400)이 요철 기판 (400)을 따라 연속하므로 저항기들은 직렬로 연결된다. 일부 (452, 454, 456, 458) 두께는 실질적으로 일부 (442, 444, 446, 462, 464)보다 얇으므로, 각각의 R452, R454. R456, 및 R458 은 각각의 R442, R444, R, 446, R462, 및 R464보다 상당히 크고, 회로 내의 등가 저항은 측벽 일부 (452, 454, 456, 458)에 상당하는 R452, R454. R456, 및 R458에 의해 지배된다. 따라서, 전압 차가 일부 (442, 446) 사이 태양광 조절층에 걸쳐 인가되면, 전류가 흐르지만, 이러한 전류는 매우 낮다. 도 1을 참조하면, 이러한 상황은 도 2 실시태양에서보다는 더 낮은 시트 저항에 상당하지만, 도 4 실시태양의 유효 시트 저항은 얇은 측벽 일부 (452, 454, 456, 458)로 인하여 적어도 1000 옴/면적에 상당한다. 태양광 조절층 (400)을 통한 전송 손실은 -1 dB 이하이다. 따라서, 태양광 조절층의 일부가 요철 기판 (200)의 트렌치 (220) 측벽에 적층되면, 무선 통신에 대한 전송 손실은 여전히 허용되는 한계 내이다.
이하 태양광 조절층을 가지는 투명 복합체 형성에 적용되는 제조 공정을 위한 예시적이고 비-제한적 실시태양들을 설명한다. 대부분의 논의는 창문에 적용되는 필름 형태의 투명 복합체에 관한 것이나, 공정에 변형들이 가능하여 태양광 조절층은 창문 내부 또는 상에 형성될 수 있다.
투명 복합체 형성 방법은 요철 기판 제공 단계로부터 개시된다. 도 6을 참조하면, 요철 기판 (600)은 실질적으로 서로 평행한 주요 표면 (602, 604)를 가진다. 요철 기판 (600)의 두께는 도 6에 도시된 실시태양의 수직 방향으로 주요 표면 (602, 604) 간의 거리이다. 일 실시태양에서, 요철 기판 (600) 두께는 적어도 110 nm, 적어도 200 nm, 적어도 500 nm, 또는 적어도 1.1 미크론이고, 또 다른 실시태양에서, 요철 기판 두께는 20 미크론 이하, 또는 9 미크론 이하, 또는 7 미크론 이하이다. 요철 기판 (600) 두께는 상기 임의의 최소값 및 최대값의 범위이고, 예컨대, 110 nm 내지 20 미크론, 500 nm 내지 9 미크론, 또는 1.1 미크론 내지 7 미크론이다.
요철 기판 (600)은 유기 또는 무기 재료를 포함한다. 실시태양에서, 요철 기판 (600)은 투명 고분자를 포함한다. 투명 고분자는 폴리아크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리실록산, 폴리에테르, 폴리비닐 화합물, 또 다른 적합한 투명 고분자 등급, 또는 이의 혼합물을 포함한다.
특정 실시태양에서, 투명 고분자는 폴리아크릴레이트를 포함한다. 폴리아크릴레이트는 폴리(메틸아크릴레이트), 폴리(에틸아크릴레이트), 폴리(프로필아크릴레이트), 폴리(비닐아크릴레이트), 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리(에틸 메타크릴레이트), 폴리(프로필 메타크릴레이트), 폴리(비닐 메타크릴레이트), 또는 이의 혼합물일 수 있다. 또 다른 실시태양에서, 폴리아크릴레이트는 2, 3, 또는 그 이상의 아크릴 전구체의 공중합체일 수 있다. 아크릴 전구체는 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 프로필 아크릴레이트, 비닐 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 프로필 메타크릴레이트, 비닐 메타크릴레이트를 포함한다. 예를들면 공중합체 폴리아크릴레이트는 폴리(메틸 메타크릴레이트 비닐 메타크릴레이트)를 포함한다. 하나의 특정 실시태양에서, 투명 고분자는 폴리(메틸 메타크릴레이트)를 포함한다. 하나의 다른 특정 실시태양에서, 투명 고분자는 실질적으로 폴리(메틸 메타크릴레이트) 로 이루어진다. 하나의 추가 실시태양에서, 투명 고분자는 폴리(비닐 메타크릴레이트)를 포함한다. 하나의 다른 특정 실시태양에서, 투명 고분자는 실질적으로 폴리(비닐 메타크릴레이트)로 이루어진다.
일 실시태양에서, 투명 고분자는 폴리에스테르를 포함한다. 폴리에스테르는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 이소나프탈레이트, 또는 임의의 이들 조합을 포함한다. 하나의 특정 실시태양에서, 투명 고분자는 PET를 포함한다. 또 다른 특정 실시태양에서, 투명 고분자는 실질적으로 PET로 이루어진다.
일 실시태양에서, 투명 고분자는 폴리에테르를 포함한다. 폴리에테르는 폴리에틸렌 에테르, 폴리프로필렌 에테르, 폴리부틸렌 에테르, 또는 임의의 이들 조합일 수 있다. 또 다른 실시태양에서, 폴리에테르는 2, 3, 또는 그 이상의 폴리올의 공중합체일 수 있다. 예를들면, 폴리에테르는 1,2-에탄디올, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1,2-부탄디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올의 공중합체일 수 있다.
일 실시태양에서, 투명 고분자는 폴리비닐 화합물일 수 있다. 폴리비닐 화합물은 폴리비닐 알코올, 폴리비닐 에스테르, 폴리비닐 아세탈, 또는 임의의 이들 조합일 수 있다. 일 실시태양에서, 폴리비닐 아세탈은 폴리비닐 부티랄을 포함한다. 하나의 특정 실시태양에서, 투명 고분자는 실질적으로 폴리비닐 부티랄로 이루어진다. 또 다른 실시태양에서, 폴리비닐 화합물은 비닐 알코올 유도체 및 올레핀의 공중합체일 수 있다. 비닐 알코올 유도체는 비닐 아세테이트일 수 있다. 일 실시태양에서, 폴리비닐 화합물은 폴리(에틸렌 비닐 아세테이트)일 수 있다.
또 하나의 추가 실시태양에서, 투명 고분자의 굴절률은 인접 층으로부터0.03 유닛 이내일 수 있다. 예를들면, 인접 층이 굴절률 1.47 내지 1.55의 유리인 경우, 투명 고분자는 유리 굴절률과 0.03 유닛 이내인 재료로 제작된다. 일 실시태양에서, 인접 층의 굴절률이 1.49이고 투명 고분자는 굴절률 약 1.49인 재료일 수 있다. 예를들면, 투명 고분자는 굴절률 1.49인 폴리(메틸 메타크릴레이트)일 수 있다. 또 다른 실시태양에서, 인접 층은 굴절률 1.55이고 투명 고분자는 굴절률 약 1.57의 재료일 수 있다. 예를들면, 투명 고분자는 굴절률 1.57의 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)일 수 있다. 더욱 특정한 실시태양에서, 요철 기판 (600)은 폴리알킬메타크릴레이트를 포함하고, 이때 알킬기는 1 내지 3개의 탄소원자를 가진다.
헤이즈가 중요한 특정 실시태양에서, 요철 기판 (600)은 적어도 부분적으로 높은 헤이즈 수준을 유발하는 상당히 다른 굴절률을 가지는 결정질 및 비정질 상들로 인하여 폴리올레핀, 예컨대 폴리에틸렌을 포함하지 않는다. 실시태양에서, 요철 기판 (600)은 나노입자들 예컨대 실리카, TiO2, ITO, Sb 도핑된 SnO2를 포함한다. 나노입자들은 요철 기판 (600)의 (ITO, Sb 도핑된 SnO2, TiO2 경우) 굴절률을 증가시키거나 (실리카의 경우) 감소시킬 의도이다. 또 다른 실시태양에서, 요철 기판 (600)은 유리, 사파이어, 스피넬, 또는 산질화 알루미늄 (“AlON”)을 포함한다.
또 다른 실시태양에서, 요철 기판 (600) 두께는 1 mm 이상이고 자체-지지되고, 지지 기판, 예컨대 지지 기판 (610)이 필요하지 않을 수 있다. 많은 실시태양들에서, 요철 기판 (600)은 1 mm보다 훨씬 더 얇고, 지지 기판 (610)이 사용된다. 지지 기판 (610)의 두께 및 조성은 적용 분야에 따라 결정될 수 있다. 생산된 투명 복합체가 창문에 적용되는 필름일 때, 지지 기판 (610)은 유연하다. 일 실시태양에서, 지지 기판 (610) 두께는 적어도 11 미크론, 적어도 17 미크론, 또는 적어도 25 미크론, 또 다른 실시태양에서, 지지 기판 (610) 두께는 900 미크론 이하, 600 미크론 이하, 또는 300 미크론 이하이다. 지지 기판 (610) 두께는 상기 임의의 최소값 및 최대값의 범위이고, 예컨대, 11 미크론 내지 900 미크론, 17 미크론 내지 600 미크론, 또는 25 미크론 내지 300 미크론이다. 지지 기판 (610)은 요철 기판 (600)과 관련하여 전기된 임의의 재료를 포함할 수 있다. 실시태양에서, 지지 기판 (610)은 요철 기판 (600)과는 상이한 조성을 가진다. 예를들면, 지지 기판 (610)은 PET를 포함한다.
요철 기판 (600)은 트렌치 (620)를 형성하고 이는 바닥면 (624) 및 주요 표면 (602) 및 바닥면 (624) 사이 측벽을 가진다. 도 6에 도시된 실시태양에서, 바닥면 (624)은 실질적으로 주요 표면 (602)과 평행하고, 측벽 (622)은 도 6에 알파 (α)로 표기된 측벽 각을 가진다. 측벽 각은 이상적으로 90°이지만; 측벽 각은 90°일 필요는 없다. 측벽 각은 적어도 50°, 적어도 80°, 적어도 85°, 적어도 88°, 또는 적어도 89°일 수 있다. 측벽 각은 상기 임의의 최소값 및 최대값의 범위이고, 예컨대, 50° 내지 90°, 80° 내지 90°, 85° 내지 90°, 88° 내지 90°, 또는 89° 내지 90°이다. 태양광 조절층이 측벽에 형성되지 않거나 또는 적층 되더라도 상대적으로 얇은 경우, 측벽 각은 적어도 85°이고, 측벽 각 범위는 85° 내지 90°이다. 헤이즈가 감소되어야 하는 특정 실시태양에서, 측벽 각은 90°에 가깝고, 예컨대 88° 내지 90°이다. 도시되지는 않지만, 트렌치 (620) 코너는 주요 표면 (602) 또는 바닥면 (624) 근처에서 만곡될 수 있다.
트렌치 (620)는 주요 표면 (602)에 상당하는 높이에서 바닥면 (620) 높이까지 측정되는 깊이를 가진다. 트렌치 (620) 깊이는 연속-형성되는 태양광 조절층 두께보다 상당히 크고, 따라서 차별되고, 이격되는 태양광 조절층의 일부는 주요 표면 (602) 및 바닥면 (624) 상에 상도되고, 또는 측벽 (622)을 따르는 태양광 조절층의 두께는 주요 표면 (602) 또는 바닥면 (624) 상에 상도되는 태양광 조절층의 일부보다 실질적으로 더욱 얇다. 트렌치 (620)는 요철 기판 (600) 두께를 완전히 관통 또는 일부만을 연장한다. 또 다른 실시태양에서, 트렌치 (620)는 실질적으로 모든 요철 기판 (620)을 통하여 연장할 수 있다. 실시태양에서, 트렌치 (620) 깊이는 적어도 50 nm, 적어도 300 nm, 또는 적어도 1000 nm, 또 다른 실시태양에서, 깊이는 10 미크론 이하, 4 미크론 이하, 또는 1 미크론 이하이다. 트렌치 깊이는 상기 임의의 최소값 및 최대값의 범위이고, 예컨대, 50 nm 내지 10 미크론, 300 nm 내지 4 미크론이다.
트렌치 (620) 폭은 연속-형성되는 태양광 조절층의 유효 시트 저항을 조절하기 위하여 사용된다. 태양광 조절층의 시트 저항은 대면적을 가지는 평탄면을 따라 20 옴/면적일 수 있다. 층 폭이 90% 감소되면, 유효 시트 저항은 200 옴/면적이 된다. 따라서, 위에서 관찰할 때, 태양광 조절층이 형성되는 총 표면적에 대한 트렌치 (620) 내부 면적 비율을 이용하여 특정 조성의 태양광 조절층에 대하여 필요하거나 바람직한 값으로 유효 시트 저항을 조정한다. 실시태양에서, 위에서 관찰할 때, 요철 기판 표면적에 대한 트렌치 (620) 바닥면 (624)을 따르는 면적 비율은 50% 이하, 1% 이하, 또는 0.01% 이하, 또 다른 실시태양에서, 비율은 적어도 1x10-5%, 적어도 1x10-4%, 또는 적어도 1x10-3% 이다. 요철 기판 표면적에 대한 트렌치 (620) 바닥면 (624)을 따르는 면적 비율은 상기 임의의 최소값 및 최대값의 범위이고, 예컨대, 1x10-5% 내지 50%, 1x10-4% 내지 1%, 또는 1x10-3% 내지 .01%이다.
또 다른 실시태양에서, 태양광 조절층의 상이한 일부는 프레임 또는 창문 지지의 또 다른 구조체 부재의 전도성 일부와 접촉하지 않는다. 본 실시태양에서, 태양광 조절층의 시트 저항은 유의한 문제가 아닐 수 있다.
실시태양에서, 트렌치 폭은 트렌치를 따라 중간점에서 측정되고 90 미크론 이하, 70 미크론 이하, 또는 50 미크론 이하, 또는 30 미크론 이하, 9 미크론 이하, 및 5 미크론 이하, 또 다른 실시태양에서, 폭은 적어도 0.11 미크론, 적어도 1.1 미크론, 적어도 2 미크론, 적어도 3 미크론, 적어도 4 미크론, 적어도 5 미크론, 또는 적어도 11 미크론이다. 폭은 상기 임의의 최소값 및 최대값의 범위이고, 예컨대, 0.11 미크론 내지 90 미크론, 1.1 미크론 내지 70 미크론, 적어도 5 미크론 내지 50 미크론, 또는 2 미크론 내지 30 미크론, 또는 3 미크론 내지 9 미크론이다.
도 7은 처리 중 이 시점의 사시도를 도시한 것이다. 도 6 및 7에서 도시된 것은 단지 예시적 실시태양을 도시한 것이고 척도를 고려한 것은 아니다. 도 7을 참조하면, 트렌치 (620)의 바닥면 (624)은 요철 기판 (600)의 더욱 낮은 노출 표면에 해당된다. 따라서, 특정 실시태양에서, 단지 단일 트렌치가 형성되고 요철 기판 (600)의 더욱 낮은 노출 표면 위에 있는 요철 기판의 일부는 메사로서 도 6에서 주요 표면 (602)에 상당하는 상부 표면을 가진다. 도 7에 도시된 실시태양은 피치 (700)를 가지고 이는 형상 (메사 폭) 및 간격 (트렌치 폭)의 합이다. 실시태양에서, 피치 (700)는 적어도 0.11 미크론, 적어도 0.5 미크론, 또는 적어도 1.1 미크론 또는 적어도 5 미크론, 적어도 1.1 mm, 적어도 2 mm, 또 다른 실시태양에서, 피치 (700)는 9 cm 이하 9 mm 이하, 5 mm 이하, 4 mm 이하, 또는 900 미크론 이하이다. 피치 (700)는 상기 임의의 최소값 및 최대값의 범위이고, 예컨대, 0.11 미크론 내지 9 cm, 0.5 미크론 내지 9 mm, 1.1 미크론 내지 5 mm, 또는 2 mm 내지 4 mm이다.
요철 기판은 부분적으로 요철 기판 재료 및 요철 기판 패턴에 따라 많은 상이한 방식으로 형성된다. 실시태양에서, 요철 기판은 고분자를 포함하고 몰드 또는 다이를 이용하여 형성된다. 특정 실시태양에서, 지지 기판 (610) 상에 고분자 층을 도포하고 고분자 층이 경화되는 동안 몰드로 표면을 양각하여 요철 기판 (600)을 형성한다. 경화는 조사, 예컨대 자외선, 또는 열 (즉, 열적 경화)로 수행된다. 또 다른 실시태양에서, 몰드를 지지 기판 (610) 상부에 배치하고, 요철 기판을 지지 기판 (610) 상부에 사출 성형한다. 추가 실시태양에서, 고분자 층을 형성하고 지지 기판 (610) 상부에서 요철 기판 (600)으로 이송 성형하거나 또는 지지 기판 (610)과 분리한다. 요철 기판 (600)은 메사 및 메사 사이에서 상호 연결된 트렌치를 가진다.
도 8에 도시된 바와 같이 또 다른 실시태양에서, 요철 기판 (720)은 자체 압출되거나 또는 지지 기판 (610)과 공-압출되어 부분적으로 완료된 가공물을 형성한다. 본 실시태양에서, 다이는 요철 기판 (720) 형상에 상당하는 형상을 가지고, 이격되는 (상호 연결되지 않은) 트렌치 (722, 724)는 요철 기판 (720)이 압출된 방향으로 연장된다. 추가 실시태양에서, 부분적으로 완료된 가공물 부분 평면도를 포함하는 도 9에 도시된 바와 같이 체커보드 패턴이 형성되고 이는 메사 (812) 및 함몰부 (822)를 포함하는 체커보드 패턴의 요철 기판 (800)을 포함한다. 요철 기판 (800) 패턴은 요철 기판 (600) 형성에 적용되는 임의의 기술로 형성될 수 있다.
다른 기술을 이용하여 고분자 또는 또 다른 재료, 예컨대 무기 재료를 포함하는 요철 기판을 형성할 수 있다. 실시태양에서, 초기 기판은 대략 평탄한 표면을 가지고, 초기 기판 일부가 제거되어 요철 기판을 형성한다. 제거는 레이저 또는 이온 빔으로 수행되거나 또는 마스크-및-식각 기술로 수행된다. 또 다른 실시태양에서, 요철 기판은 공제 (즉, 재료 제거) 가공보다 적층 (즉, 재료 부가) 가공으로 형성될 수 있다. 실시태양에서, 초기 기판은 요철 기판 형성을 위하여 초기 기판 상에 선택적으로 형성되는 투명 재료를 가진다. 도 7을 참조하면, 이러한 가공으로 초기 기판 상에 메사를 형성하여 요철 기판 (610)으로 성형한다. 특정 실시태양에서, 스텐실 마스크를 초기 기판 표면 상에 배치하고, 투명 재료를 스텐실 마스크의 개구를 통하여 적층함으로써 투명 재료의 형상은 메사 형성의 개구 형상에 상당한다. 첨부된 청구범위에서 일탈되지 않는 다른 성형 기술을 이용할 수 있다.
이어 지는 가공 순서는 도 6 및 7에 도시된 바와 같이 요철 기판 (600) 및 지지 기판 (610)에 기초한다. 다른 요철 기판 예컨대 도 8 및 9에서의 요철 기판을 위한 가공은, 실질적으로 도 6 및 7에 대하여 기술된 바와 같이 수행된다.
태양광 조절층은 도 10에 도시된 바와 같이 요철 기판 (600) 상에 형성된다. 태양광 조절층은 주요 표면 (602)을 따라 적층되는 일부 (802), 및 트렌치 (620) 바닥면 (624)을 따라 적층되는 일부 (824)를 포함한다. 도 10 및 11에 도시된 바와 같이, 태양광 조절층은 실질적으로 모든 측벽 (622)을 따라 적층되지 않고, 따라서, 도 11에 도시된 실시태양에서, 측벽 (622) 일부는 태양광 조절층 일부 (802, 824) 사이에 노출된다. 태양광 조절층이 하나 이상의 전도성 재료 층을 포함할지라도, 일부 (802)는 서로 및 일부 (824)와 격리된다. 따라서, 일부 (802, 824)는 서로 전기적으로 연결되지 않는다. 주요 표면 (602)에 수직 방향인 평면에서 관찰할 때, 일부 (802)는 일부 (824) 상에 놓이지 않는다. 또 다른 실시태양에서, 단지 적은 부분만이, 예컨대 5% 미만의 일부 (802)가 일부 (824) 상에 놓인다.
수직면, 예컨대 트렌치 (620) 측벽 (622)과 비교하여 수평면, 예컨대 주요 표면 (602) 및 트렌치 (620) 바닥면 (624)을 따라 더욱 용이하게 태양광 조절층을 형성하는 기술을 이용하여 태양광 조절층이 형성된다. 태양광 조절층은 요철 기판 (620) 상에 비-정합적 (non-conformally)으로 적층된다. 실시태양에서, 비-정합적 적층은 진공 하에서 물리증착 또는 화학증착 기술로 수행된다. 특정 실시태양에서, 비-정합 적층은 스퍼터링, 이온 빔 적층, 도금, 또는 플라즈마 화학증착을 이용하여 수행된다. 특정 실시태양에서, 태양광 조절층은 금속 또는 세라믹 금속산화물로 제작된 회전식 또는 평탄 타겟을 이용하여 DC 마그네트론, 펄스 DC, 이중 펄스 DC, 또는 이중 펄스 AC 스퍼터링으로 형성된다. 필요하거나 바람직하다면, 스퍼터링 할 때 측벽 (622)을 따른 태양광 조절층 적층을 방지하거나 줄이는데 도움이 되는 시준기 또는 또 다른 유사 장치를 이용할 수 있다.
태양광 조절층은 일부 (802)가 일부 (824)와 접촉되지 않는 두께로 적층될 수 있다. 두께는 트렌치 깊이로서 표현될 수 있고, 두께는 (근접 효과 감소를 위해) 측벽 (622)에서 이격되는 주요 표면 (602) 상부에서 측정된다. 실시태양에서, 태양광 조절층의 두께는 주요 표면 (602) 및 바닥면 (624) 간 높이 차이의 80% 이하, 50% 이하, 40% 이하, 30% 이하, 또는 9 % 이하이다. 또 다른 실시태양에서, 태양광 조절층의 두께는 주요 표면 (602) 및 바닥면 (624) 간 높이 차이의 적어도 0.02%, 적어도 0.05%, 적어도 0.2%, 적어도 0.5%, 적어도 2%, 적어도 11%, 또는 적어도 20%이다. 주요 표면 (602) 및 바닥면 (624) 간 높이 차이에 대한 비율은 상기 임의의 최소값 및 최대값의 범위이고, 예컨대, 주요 표면 (602) 및 바닥면 (624) 간 높이 차이의 0.02% 내지 80%, 0.05% 내지 30%, 또는 0.2% 내지 9%이다. 대안으로, 태양광 조절층 두께는 상대 기준이 아닌 측정 단위로 표현될 수 있다. 실시태양에서, 태양광 조절층의 두께는 1500 nm 이하, 400 nm 이하, 160 nm 이하, 100 nm 이하, 또 다른 실시태양에서, 태양광 조절층의 두께는 적어도 10 nm, 적어도 20 nm, 적어도 40 nm, 또는 적어도 200 nm이다. 두께는 상기 임의의 최소값 및 최대값의 범위이고, 예컨대, 10 nm 내지 1500 nm, 20 nm 내지 400 nm, 40 nm 내지 160 nm, 또는 50 nm 내지 100 nm이다.
태양광 조절층 내의 층의 수, 조성 및 두께는 실질적인 가시광선 전달이 가능하지만 상당한 근 IR 복사선이 감쇠되도록 선택된다. 태양광 조절층 내의 층은 은-계 층, 금속-계열 층 (은-계 층 외), 금속산화물 층, 금속 질화물 층을 포함하고 장벽층을 더욱 포함할 수 있다. 상기 임의의 하나 이상의 은-계 층은 은을 함유하고, 특정 실시태양들에서 실질적으로 은으로 이루어진다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 어구 “실질적으로 은으로 이루어진다”란 적어도 95 원자 % 은을 함유하는 은계 층을 언급하는 것이다. 다른 실시태양들에서, 하나 이상의 은-계 층은 30 원자 % 이하, 20 원자 % 이하, 또는 10 원자 % 이하의 또 다른 금속, 예컨대, 금, 백금, 팔라듐, 구리, 알루미늄, 인듐, 아연, 또는 임의의 이들 조합을 가진다. 본원에 기재된 임의의 하나 이상의 금속-계열 층은 실질적으로 금속으로 이루어진다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 어구 “실질적으로 금속으로 이루어진다”란 적어도 95 원자 %의 금속을 언급하는 것이다.
임의의 하나 이상의 은-계 층의 두께는 적어도 0.1 nm, 적어도 0.5 nm, 또는 적어도 1 nm이다. 또한, 임의의 하나 이상의 은-계 층의 두께는 약 100 nm 이하, 50 nm 이하, 25 nm 이하, 또는 20 nm 이하이다. 추가로, 임의의 하나 이상의 은-계 층의 두께는 상기 임의의 최소값 및 최대값의 범위이고, 예컨대 0.5 nm 내지 약 25 nm, 또는 1 nm 내지 20 nm이다.
실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 하나 이상의 금속 계열 층은 실질적으로 순수 금속 또는 다른 실시태양들에서, 금속 합금을 함유한다. 다른 실시태양들에서, 임의의 하나 이상의 금속 계열 층은 예컨대 금속 계열 층의 총 중량 기준으로 주요 금속 농도는 적어도 70 원자 %이고 소수 금속 농도는 30 원자 % 미만인 금속 합금을 함유한다. 본원에 기재된 임의의 하나 이상의 금속 계열 층의 금속은 금, 티타늄, 알루미늄, 백금, 팔라듐, 구리, 인듐, 아연 또는 이들 조합을 포함한다. 특정 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 하나 이상의 금속 계열 층은 금을 함유한다. 다른 특정 실시태양들에서, 금속 계열 층(들)은 실질적으로 금이 부재이다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 어구 “실질적으로 금이 부재이다”란 금속 계열 층은 5 원자 % 미만의 금을 함유한다는 것을 의미한다.
상기 임의의 하나 이상의 금속-계열 층은 금속-계열 층이 실질적으로 투명하고 은-계 층을 충분히 보호할 수 있는 두께를 가진다. 특정 실시태양에서, 상기 임의의 하나 이상의 금속-계열 층의 두께는 적어도 0.1 nm, 적어도 0.5 nm, 또는 적어도 1 nm이다. 또한, 상기 임의의 하나 이상의 금속-계열 층의 두께는 100 nm 이하, 55 nm 이하, 5 nm 이하, 또는 약 2 nm 이하이다.
상기 임의의 하나 이상의 금속-계열 층들은 동일한 두께 또는 상이한 두께를 가질 수 있다. 특정 실시태양에서, 하나 이상의 금속-계열 층 각각은 실질적으로 동일한 두께를 가진다. 본원에서 사용되는 바와 같이, “실질적으로 동일한 두께”란 서로10% 이내의 두께를 의미한다. 금속산화물 계열의 층은 은계 층 반대측에 금속 계열 층 주요 표면과 인접하거나 또는 직접 접촉하여 적층된다.
상기된 임의의 하나 이상의 금속산화물 층(들)은 금속산화물 예컨대 산화티탄 (예를들면, TiO2), 산화알루미늄, BiO2, PbO, NbO, SnZnO, SnO2, SiO2, ZnO, 또는 임의의 이들 조합을 함유한다. 특정 실시태양에서, 금속산화물 층은 산화티탄 또는 산화알루미늄을 함유하고 실질적으로 구성된다. 금속산화물 층(들)의 두께는 적어도 약 0.5 nm, 적어도 1 nm, 또는 적어도 2 nm, 또 다른 실시태양에서, 두께는 100 nm 이하, 50 nm 이하, 20 nm 이하, 또는 10 nm 이하이다. 추가로, 상기된 임의의 하나 이상의 금속산화물 층(들) 두께는 상기 임의의 최소값 및 최대값의 범위이고, 예컨대, 0.5 nm 내지 100 nm, 또는 2 nm 내지 50 nm이다.
도 12는 트렌치-충전 재료 (1002)가 트렌치 (620) 나머지를 채운 후 도시한 것이다. 도 12에 도시된 실시태양에서, 트렌치-충전 재료 (1002)는 또한 태양광 조절층 일부 (802) 상에 적층된다. 일부 (802) 상의 트렌치-충전 재료 (1002) 두께는 적어도 0.2 미크론, 적어도 0.5 미크론, 적어도 0.8 미크론 또는 적어도 1.1 미크론, 또 다른 실시태양에서, 두께는 7 미크론 이하, 5 미크론 이하, 4 미크론 이하, 또는 3 미크론 이하이다. 두께는 상기 임의의 최소값 및 최대값의 범위이고, 예컨대, 0.2 미크론 내지 7 미크론, 0.5 미크론 내지 5 미크론, 0.8 미크론 내지 4 미크론, 또는 1.1 미크론 내지 3 미크론이다. 또 다른 실시태양에서, 실질적으로 어떠한 트렌치-충전 재료 (1002)도 일부 (802) 상에 적층되지 않는다. 이러한 실시태양에서, 트렌치-충전 재료 (1002) 상부 표면은 주요 표면 (602) 높이 및 트렌치 (620) 근처 일부 (802)의 상부 표면 사이 높이에 있다. 헤이즈가 중요한 실시태양에서, 트렌치-충전 재료 (1002)는 트렌치 (620)를 채우고 일부 (802) 상부에 적층되어 도 12에 도시된 바와 같이 트렌치 (620) 내부 및 바로 위의 재료의 계면 개수를 줄인다.
특정 실시태양에서, 헤이즈는 요철 기판 (600) 및 트렌치-충전 재료 (1002)의 굴절률이 동일할 때 또한 감소한다. 트렌치-충전 재료 (1002) 두께는 300 nm 미만일 수 있고, 요철 기판 (600) 및 연속-형성되는 투명 내후성 층과의 굴절률은 동일할 수 있다. 트렌치 바닥 (624) (도 6) 및 지지 기판 (610) 간의 거리가 300 nm 미만이면, 지지 기판 (610) 및 트렌치-충전 재료 (1002)의 굴절률은 동일할 수 있다.
트렌치-충전 재료 (1002)는 요철 기판 (600)과 관련하여 전기된 임의의 재료를 포함할 수 있다. 실시태양에서, 트렌치-충전 재료 (1002)는 접착제, 예컨대 적층 접착제 또는 감압 접착제를 포함한다. 실시태양에서, 트렌치-충전 재료 (1002)는 폴리에스테르, 아크릴레이트, 폴리비닐 아세테이트 (“PVAc”), 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 알코올 (“PVA”), 실리콘 고무, 또 다른 적합한 접착제, 또는 임의의 이의 혼합물을 포함한다. 또 다른 실시태양에서, 트렌치-충전 재료 (1002)는 접착제가 아니다. 이러한 실시태양에서, 트렌치-충전 재료 (1002)는 나노입자들 예컨대 실리카, TiO2, ITO, Sb 도핑된 SnO2를 포함한다. 나노입자들은 요철 기판 (600) 재료 굴절률에 대한 트렌치-충전 재료 (1002) 굴절률을 (ITO, Sb 도핑된 SnO2, TiO2경우) 증가 또는 (실리카 경우) 감소시킬 목적 및 따라서, 헤이즈를 감소시킬 목적이다. 이러한 실시태양에서, 트렌치-충전 재료 (1002)는 코팅되고 경화된다. 본 특정 실시태양은 트렌치-충전 재료 (1002)를 연속 부착 층, 예컨대 내후성 층에 부착하기 위하여 별도의 접착제 층이 필요하다.
요철 기판 (600) 재료 및 트렌치-충전 재료 (1002) 선택은 특정 특성을 달성하도록 수행된다. 예를들면, 헤이즈가 중요하고, 헤이즈를 줄이기 위하여, 요철 기판 (600) 재료 및 트렌치-충전 재료 (1002)의 굴절률은 서로0.03, 0.02, 또는 0.01 이내이다. 굴절률은 589 nm 광 (황색 광)을 방출하는 복사원으로 20°C에서 측정된다. 굴절률이 상이할 때, 요철 기판 (600) 재료 굴절률은 트렌치-충전 재료 (1002)보다 크거나, 또는 반대일 수 있다. 특정 실시태양에서, 요철 기판 (600)은 굴절률 약 1.49의 아크릴레이트를 포함하고, 트렌치-충전 재료 (1002)는 굴절률 약 1.47의 PVAc를 포함한다. 또 다른 특정 실시태양에서, 요철 기판 (600)은 굴절률 약 1.54의 유리 (SiO2)를 포함하고, 트렌치-충전 재료 (1002)는 굴절률 약 1.53의 PVA를 포함한다. 따라서, 본 명세서를 읽은 후, 상대적으로 낮은 헤이즈를 달성하기 위하여 당업자는 요철 기판 (600) 재료 및 트렌치-충전 재료 (1002)의 쌍을 결정할 수 있다.
도 13은 실질적으로 완성된 투명 복합체 (1100)를 도시한 것이고, 이는 창문 (미도시)에 적용되는 투명 필름일 수 있다. 경질 코트층 (1110)은 요철 기판 (600) 반대측 표면에서 지지 기판 (610)을 따라 놓인다. 경질 코트층 (1110)은 내마모성을 개선시켜, 지지 층 (610)은 스크래치가 덜 생긴다. 경질 코트층 (1110)은 가교화 아크릴레이트, 나노입자들, 예컨대 SiO2 또는 Al2O3, 또는 임의의 이들 조합 함유 아크릴레이트를 포함한다. 경질 코트층 (1110)의 두께 범위는 1 미크론 내지 5 미크론이다.
투명 복합체 (1100)는 트렌치-충전 재료 (1002) 상부에 투명 내후성 층 (1102)을 더욱 포함한다. 투명 내후성 층 (1102)은 태양광 조절층 보호에 조력한다. 투명 내후성 층 (1102)은 높은 가시광선 전달을 가지고 상대적으로 장시간 태양 노출에 따른 황변 또는 균열에 강하다. 투명 내후성 층 (1102)은 지지 기판 (610)에 대하여 전기된 임의의 재료를 포함할 수 있다. 투명 내후성 층 (1102) 두께 범위는 10 미크론 내지 50 미크론이다. 트렌치-충전 재료 (1002)가 적층 접착제 또는 감압 접착제이면, 투명 내후성 층 (1102)은 트렌치-충전 재료 (1002)에 인가된다. 트렌치-충전 재료 (1002)가 접착제가 아니면, 접착제, 예컨대 감압 접착제를 사용하여, 투명 내후성 층 (1102)을 트렌치-충전 재료 (1002)에 부착시킨다.
접착제 층 (1104)은 투명 내후성 층 (1102) 및 이형층 (1106) 사이에 적층된다. 접착제 층 (1104)은 트렌치-충전 재료 (1002)가 접착제인 경우 트렌치-충전 재료 (1002)에 대하여 전기된 임의의 접착제 재료 및 두께를 포함할 수 있다. 또 다른 실시태양에서, 접착제 층 (1104)은 투명하고 특정 접착제 층 (1104) 두께에 있어서 적어도 85% 가시광선 투명도를 가지는 임의의 접착제를 포함할 수 있다. 일 실시태양에서, 접착제 층은 감압 접착제이다. 일부 경우에서, 창문에 설치되면, 접착제 층 (1104)은 투명 복합체 내에서 태양광이 지나는 제1 층이다. 이러한 경우, 내UV 층 예컨대 아크릴레이트가 접착제 층 (1104)으로 사용될 수 있다. 첨가제, 예컨대 UV 흡수제가 첨가되어, 전체 투명 복합체 (1100) 내구성을 증가시킬 수 있다. 이형 라이너 (1106)는 투명 복합체 (1100) 이송 및 취급 과정에서 접착제 층 (1104)을 보호한다. 이형 라이너 (1106)가 제거된 후 투명 복합체 (1100)가 창문에 적용된다. 따라서, 이형 라이너 (1106)의 전달 특성은 중요하지 않고; 이형 라이너 (1106)는 가시광선에 불투명하거나 또는 반투명일 수 있다. 따라서, 이형층 (1106) 조성 및 두께는 핵심적인 것은 아니다. 투명 복합체 (1100)가 롤로 보관되는 특정 실시태양에서, 투명 복합체 (1100)가 유연하도록 이형 라이너 (1106) 두께가 선택된다. 또 다른 실시태양에서, 이형 라이너 (1106)는 사용되지 않는다. 예를들면, 투명 복합체 (1100)는 투명 복합체 (1100)가 제작된 직후 창문에 설치될 수 있다. 접착제 층 (1104)이 인가된 후, 투명 복합체 (1100)는 창문에 설치된다.
다른 실시태양에서, 투명 복합체는 창문 상에 또는 이를 이용하여 제작될 수 있다. 특정 실시태양에서, 지지 기판 (610) 및 경질 코트 층 (610)는 창문으로 대체된다. 창문은 유리, 사파이어, 스피넬, AlON, 또는 임의의 상기 복합체, 예컨대 투명 외장 (armor)를 포함한다. 요철 기판 (600)은 창문 표면에 형성되거나 또는 도포된다. 태양광 조절층은 전기된 바와 같이 형성된다. 전기된 바와 같이 트렌치 충전 재료 (1002) 및 투명 내후성 층 (1104)이 사용된다. 본 실시태양에서, 투명 내후성 층 (1104)의 두께는 최대 1000 미크론이다. 이어 경질 코트 층이 투명 내후성 층 (1104) 상에 형성되고, 경질 코트 층은 경질 코트층 (1110)에 대하여 전기된 바와 같은 조성 및 두께를 가진다.
또 다른 상이한 실시태양에서, 창문은 또한 요철 기판 (600)을 대체할 수 있다. 본 실시태양에서, 창문 표면은 마스킹 층에 의해 덮이고, 창문 일부는 식각 또는 달리 제거되어 요철 기판 (600)에 대하여 전기된 메사 및 트렌치를 가지는 표면을 형성한다. 마스크 제거 후, 태양광 조절층, 투명 내후성 층, 및 경질 코트 층 제작은 선행 실시태양에서 기술된 바와 실질적으로 동일하다. 추가 실시태양에서, 창문은 스텐실 마스크를 이용하고 선택적으로 투명 재료를 창문에 적층하여 표면 처리하여 요철 기판을 형성한다. 추가 실시태양에서, 요철 기판 (600)은 유리를 포함한다. 태양광 조절층 형성 후, 트렌치 나머지를 유리와 근사하게 또는 동일하도록 트렌치-충전 재료 굴절률을 증가시키기 위하여 나노입자들로 도핑된 폴리비닐 부티랄 (PVB)을 포함하는 트렌치-충전 재료로 채운다.
도 4를 참조하면, 특정 실시태양들에서 태양광 조절층을 형성할 때, 측벽을 따라 일부 적층이 진행된다. 이러한 측벽 적층은 태양광 조절층의 측벽 일부 저항이 충분히 크다면 문제되지 않는다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 단차 피복 (step coverage)은 측벽에 수직으로 측정되는 측벽을 따르는 층의 최소 두께를 임의의 토폴로지 변경에서 떨어진 수평면을 따르는 층의 두께로 나눈 비율이다. 예컨대 도 4에 도시된 실시태양에서, 단차 피복은 50% 이하이다. 또 다른 실시태양에서, 단차 피복은 20% 미만, 9% 미만, 5% 미만, 또는 0.9% 미만이다. 단차 피복이 0%일 때, 층은 측벽을 따라 불연속적이다. 따라서, 도 2는 단차 피복이 0%인 실시태양을 보인다.
90°의 측벽 각은 임의의 측벽 적층을 가지지 못하지만, 태양광 조절층 일부는 측벽 각이 90°일 때에도 측벽에 적층될 수 있다. 태양광 조절층의 불연속이 필요하거나 바람직하다면, 트렌치 최상부에서 트렌치 폭이 트렌치 최상부에서 떨어진 지점에서의 트렌치 폭보다 작도록 트렌치 형상이 변경될 수 있다. 도 14를 참조하면, 요철 기판 (1200)은 주요 표면 (1202, 1204) 및 삼각홈 (dovetailed) 형상의 트렌치 (1220)를 가진다. 트렌치 (1220)는 측벽 (1222)을 가지고 이는 둔각인 측벽 각 알파 (α)를 가진다. 측벽 각 범위는 90° 내지 120°이다. 요철 기판 (600)은 삼각홈 형상의 트렌치 (1220)에 상당하는 패턴을 가지는 다이로 압출하여 형성된다.
또 다른 실시태양에서, 언더컷 부분을 가지는 트렌치가 형성될 수 있다. 도 15를 참조하면, 몸체 층 (1300) 및 캡핑 층 (1310)이 지지 기판 (610) 상에 형성된다. 특정 실시태양에서, 지지 기판 (610)은 창문일 수 있고, 몸체 층 (1300)은 도핑된 유리를 포함하고, 캡핑 층 (1310)은 도핑되지 않은 유리 층을 포함한다. 마스킹 층 (1340)이 캡핑 층 (1310) 상부에 형성되고 패턴화되어 트렌치 (1320)가 형성되는 지점들에 상당하는 개구들을 형성한다. 캡핑 층 (1310) 및 몸체 층 (1300)은 이방성으로 식각되어 실질적으로 수직 측벽을 가지는 트렌치 (1320)를 형성한다. 가공물을 도 16에 도시된 바와 같이 몸체 층 (1400)을 캡핑 층 (1410)보다 더 빨리 식각하는 등방성 부식액에 노출시킨다. 특정 실시태양에서, 인 도핑된 유리는 HF 산 용액에 노출되면 도핑되지 않은 유리보다 더욱 빨리 식각되므로 몸체 층 (1300)은 인 도핑된 유리이고, 부식액은 HF 산 용액일 수 있다. 따라서, 몸체 층 (1400) 내의 트렌치 (1420) 폭 (1440)은 캡핑 층 (1410) 내의 트렌치 (1420) 폭 (1410)보다 넓다. HF 산 용액에 노출되기 전 또는 후에 마스킹 층 (1340)은 제거될 수 있다.
도 17 및 18은 양각 기술로 형성되는 요철 기판 및 요철 기판 상에 비-정합적으로 적층되는 금속층에 대한 주사전자현미경사진이다. 트렌치 폭은 2.2 미크론 내지 2.4 미크론이고 깊이는 5 미크론 미만이다. 트렌치 깊이 범위는 3.5 내지 4.5 미크론이다. 다른 실시태양들에서, 폭 및 깊이 값들은 상이할 수 있다.
도 14 및 16 내지 18에 설명되고 도시된 각각의 실시태양들에 있어서, 태양광 조절층 및 트렌치-충전 재료 (1002)는 전기된 바와 같이 형성된다. 태양광 조절층은 트렌치 형상으로 인하여 불연속 일부를 가질 수 있다. 특히, 트렌치는 요철 기판 최상면에서와 비교할 때 최상면에서 이격된 지점에서 더욱 넓을 수 있다. 도 14에서, 바닥에서 트렌치 폭은 트렌치 최상부 및 바닥 사이 중간 높이에서와 동일하다. 도 16에서, 트렌치는 트렌치 최상부 및 바닥 사이 중간 높이에서와 비교할 때 트렌치 바닥에서 더 넓다. 도 18에서, 트렌치는 트렌치 내부에서 수직하게 연장되는 (요철 기판 최상면과 수직) 중앙선들로부터 외향 연장되어, 폭은 트렌치 최상부 및 바닥 사이 높이에서 가장 넓다. 도 14, 16, 및 18에서 임의의 형상의 트렌치는 태양광 조절층 형성에 유용하여 태양광 조절층은 트렌치 벽들을 따라 불연속일 수 있다.
또 다른 유리 시트가 도 14 내지 18에서 설명되고 도시된 실시태양들에 부착될 수 있다. PVB 층이 유리 층에 인가되고, 유리 층 및 태양광 조절층을 가지는 요철 기판이 함께 압착된다. PVB 굴절률을 유리 층에 더욱 양호하게 일치하기 위하여 PVB 층은 나노입자들을 포함한다.
본원에 기재된 실시태양들은 다른 구조체 및 공정보다 이점들을 가진다. 표면과 수직 방향으로 관찰하면, 태양광 조절층 피복에는 측방향 간격이 존재하지 않는다. 예컨대 JP 2005-104793에 도시된 종래 창문 필름은, 태양광 조절층이 적층되고 이어 태양광 조절층 일부를 서로 전기적으로 접속시키지 않도록 층을 파쇄 또는 다른 달리 절단 또는 균열시켜 태양광 조절층을 여러 조각들로 분할한다. 다른 종래 창문 필름은 나노입자들을 가지는 필름을 포함한다. 또 다른 종래 창문 필름에서는 태양광 조절층 일부는 레이저 융제 또는 다른 제거 기술에 의해 제거된다. 태양광 조절층 일부들 간의 측방향 간격들 (분할된 조각들, 나노입자들, 또는 레이저 융제된 태양광 조절층)으로 상당한 근 IR 복사선이 종래 창문 필름을 통과한다.
또 다른 실시태양에서, 요철 기판 내의 트렌치 폭 및 종횡비 (폭에 대한 깊이 비율)로 인하여 트렌치 바닥면을 따라 태양광 조절층 또는 태양광 조절층 두께는 형성되지 않는다. 특정 실시태양에서, 태양광 조절층이 트렌치 바닥면을 따라 거의 또는 전혀 형성되지 않을 속도로 요철 기판은 타겟에 대하여 이동된다. 추가 실시태양에서, 스퍼터링 되는 재료는 요철 기판의 주요 표면에 직교하지 않는 각으로 적층되도록 가공물은 타겟에 대하여 경사를 이룬다. 또 다른 특정 실시태양에서, 트렌치 폭은 5 미크론 미만, 4 미크론 미만, 3 미크론 미만, 1.5 미크론 미만, 1 미크론 미만, 또는 0.5 미크론 미만이고, 추가 특정 실시태양에서, 종횡비는 적어도 1:1, 적어도 1.5:1, 적어도 2:1, 적어도 4:1 또는 적어도 8:1이다. 트렌치 중심 내부에서 측정될 때, 트렌치 바닥을 따르는 두께는 인접 메사 상의 태양광 조절층 두께의 70%, 50%, 30%, 또는 9% 이하 이다.
상기된 바와 같이, 새로운 투명 복합체는 태양광 조절층이 형성되는 요철 기판을 포함한다. 형성될 때, 태양광 조절층은 서로 이격되고 전기적으로 접속되지 않는 일부를 포함하고 또는 이러한 일부는 충분히 높은 유효 시트 저항을 가져 고주파 신호 감쇠는 허용 가능하게 낮다. 따라서, 본원에 기재된 실시태양에 의한 투명 복합체는 태양광 조절층 일부들 사이 측방향 간격을 가지지 않고, 따라서, 근 IR 복사선 전달을 감소시키기에 아주 적합하다. 따라서, 본원에 기재된 실시태양들은 적어도 1.05, 적어도 1.3, 적어도 1.4, 적어도 1.5, 또는 적어도 1.6의 LTSHGC 및1.8 GHz, 4 GHz, 6 GHz, 또는 이들 사이 임의의 주파수, 예컨대 4.5 GHz 전자기 복사에서 10 dB 이하, 8 dB 이하, 또는 7dB 이하, 5 dB 이하, 3 dB 이하, 또는 1 dB 이하의 감쇠를 달성할 수 있다. 따라서, 양호한 가시광선 전달 및 고주파 전송이 달성되면서 근 IR 복사선의 낮은 전달이 유지된다. 일 실시태양에서, VLT는 70% 이상이고, SHGC는 47% 이하이고 1.8 GHz에서 전자기 복사선 감쇠는 10 dB 이하, 또는 7dB 이하, 5 dB 이하, 3 dB 이하, 또는 1 dB 이하이다. 일 실시태양에서, VLT는 73% 이상이고, SHGC는 69% 이하이고 1.8 GHz에서 전자기 복사선 감쇠는 10 dB 이하, 또는 7dB 이하, 5 dB 이하, 3 dB 이하, 또는 1 dB 이하이다. 본원에 기재된 투명 복합체 성형 공정은 패턴화 태양광 조절층의 다중 층 형성을 포함하지 않고, 따라서, 요구되는 공정 조작이 더욱 적다. 또한, 상면으로부터, 투명 복합체가 사람 눈에 (확대 없이) 균등하게 보이도록 트렌치 메사 및 폭의 크기가 선택된다. 따라서, 투명 복합체의 행 또는 열 또는 약간 밝거나 또는 어두운 일부들은 형성되지 않는다.
모든 수평적 계면들을 서로 평행하게 유지하고, 수직적 계면들을 90°에 근사하게 유지하고 (수평적 계면에 대하여 측정될 때), 및 이러한 수직적 계면들에서, 수직적 계면들 반대 측에 있는 재료 굴절률을 일치시키면 투명 복합체의 헤이즈는 낮게 유지될 수 있다. 따라서, 도 12 에 도시된 실시태양은 낮은 헤이즈를 달성하기에 적합하다. 약간 더 높은 헤이즈가 바람직하다면, 예컨대 도 14 실시태양에 도시된 바와 같이 계면들은 수직일 필요가 없고, 수직 계면을 따르는 재료 굴절률은 근사하게 일치될 필요는 없거나 (수직 계면을 따르는 재료 굴절률 간 차이는0.03 이상), 또는 임의의 이들 조합일 수 있다. 따라서, 계면들 배향 및 재료 선택은 투명 복합체가 사용되는 특정 분야에 의해 영향을 받는다.
많은 상이한 양태들 및 실시태양들이 가능하다. 일부 이들 양태들 및 실시태양들이 본원에 기재된다. 본 명세서를 읽은 후, 당업자들은 이들 양태들 및 실시태양들은 단지 예시적인 것이고 본 발명의 범위를 제한하는 것이 아니라는 것을 이해할 것이다. 실시태양들은 임의의 하나 이상의 하기 항목들에 의한다.
항목 1. 투명 복합체로서,
제1 표면 및 제2 표면을 가지고 제1 표면 및 제2 표면 사이에 놓인 측벽을 가지는 트렌치를 형성하는 요철 기판;
제1 일부 (portion) 및 제2 일부를 가지고, 제1 일부는 제1 표면 상에 적층되고, 제1 일부와 트렌치 측벽에 의해 분리되는 제2 일부는 트렌치의 제2 표면 상에 적층되는 태양광 조절층; 및
트렌치 내부에 연장되어 적층되고 태양광 조절층의 제2 일부에 적층되는 트렌치-충전 재료를 포함하고,
투명 복합체는 5% 이하의 헤이즈를 갖는, 투명 복합체.
항목 2. 투명 복합체로서,
제1 표면 및 제2 표면을 가지고 제1 표면 및 제2 표면 사이에 놓인 측벽을 가지는 트렌치를 형성하고 제1 굴절률을 가지는 요철 기판;
제1 일부 및 제2 일부를 가지고, 제1 일부는 제1 표면 상에 적층되고, 제2 일부는 제2 표면 상에 적층되는 태양광 조절층; 및
트렌치 내부 및 태양광 조절층 제2 일부 상에 적층되는 트렌치-충전 재료를 포함하고, 트렌치-충전 재료는 제2 굴절률을 가지는, 투명 복합체.
항목 3. 투명 복합체로서,
제1 표면, 제2 표면, 및 측벽을 가지는 요철 기판,
측벽은 제1 표면에서 제2 표면을 향해 연장되고, 트렌치는 제1 표면에서와 비교할 때 제1 표면에서 떨어진 지점에서 더욱 넓고,
제1 표면은 제2 표면과 비교하여 상이한 높이에 놓이고 제2 표면과 적어도 요철 기판 측벽에 의해 분리되고; 및
제1 일부 및 제1 일부와 요철 기판 측벽에 의해 분리되는 제2 일부를 가지는 태양광 조절층을 포함하는, 투명 복합체.
항목 4. 투명 복합체로서,
제1 표면, 제2 표면, 및 측벽을 가지는 요철 기판,
측벽은 제1 표면에서 제2 표면을 향해 연장되고 적어도 50°에 상당하는 측벽 각을 가지고,
제1 표면은 제2 표면과 비교하여 상이한 높이에 놓이고 제2 표면과 적어도 요철 기판 측벽에 의해 분리되고; 및
제1 일부 및 제1 일부와 요철 기판 측벽에 의해 분리되는 제2 일부를 가지는 태양광 조절층을 포함하는, 투명 복합체.
항목 5. 투명 복합체로서,
제1 표면 및 제2 표면을 가지고 제1 표면 및 제2 표면 사이에 놓인 측벽을 가지는 트렌치를 형성하는 요철 기판; 및
제1 표면 상에 제1 두께를 가지는 제1 일부 및 제2 표면 상에2 두께를 가지는 제2 일부를 가지고, 트렌치 중심에서 측정될 때, 제2 두께는 제1 두께의70% 이하인, 태양광 조절층을 포함하는, 투명 복합체.
항목 6. 투명 복합체로서,
제1 표면 및 제2 표면을 가지고 제1 표면 및 제2 표면 사이에 놓인 측벽을 가지는 트렌치를 형성하는 요철 기판, 이때 트렌치의 폭은 4 미크론 이하이고 깊이:폭의 종횡비는 1:1 이상이고; 및
제1 표면 상에 제1 두께를 가지는 제1 일부를 가지고 실질적으로 트렌치 내의 제2 표면에 적층되지 않는 태양광 조절층을 포함하고,
제1 굴절률은 제2 굴절률의0.03 이내인, 투명 복합체.
항목 7. 투명 복합체로서,
제1 표면 및 제2 표면을 가지고, 제2 표면은 서로 이격되고 제1 표면과 비교할 때 상이한 높이에 놓이는 요철 기판; 및
제1 표면 상에 적층되는 연속 층을 포함하고, 일부는 제2 표면 상에 적층되고, 연속 층의 유효 시트 저항은 적어도 100 옴/면적인 태양광 조절층을 포함하는, 투명 복합체.
항목 8. 투명 복합체로서,
제1 표면을 가지고 제1 표면에서 바닥을 따라 제2 표면을 향해 연장되는 트렌치를 형성하는 요철 기판, 이때 트렌치는 제1 표면에 가까운 높이에서 제1 폭, 제1 표면에서 떨어진 높이에서 제2 폭을 가지고, 제2 폭은 제1 폭보다 크고; 및
제1 일부 및 제2 일부를 가지고, 평면에서 관찰할 때, 제1 일부는 제1 표면 상에 적층되고, 제2 일부는 제2 표면 상에 적층되는 태양광 조절층을 포함하는, 투명 복합체.
항목 9. 투명 복합체로서,
제1 표면, 측벽, 및 제1 표면과 비교할 때 상이한 높이에 놓이는 제2 표면을 가지고, 측벽은 제1 표면에서 제2 표면을 향해 연장되는 요철 기판; 및
제1 일부 및 제2 일부를 가지고, 제1 일부는 제1 표면 상에 적층되고, 제2 일부는 제2 표면 상에 적층되는 태양광 조절층을 포함하고,
투명 복합체는:
1.05 이상의 광 대 일사 획득계수 (LTSHGC)를 가지고; 및
주파수 1.8 GHz에서 전자기 복사는 7 dB 이하로 감쇠, 또는 주파수 4.5 GHz에서 전자기 복사는 15 dB 이하로 감쇠되는, 투명 복합체.
항목 10. 투명 복합체로서,
제1 표면, 측벽, 및 제1 표면과 비교할 때 상이한 높이에 놓이는 제2 표면을 가지고, 측벽은 제1 표면에서 제2 표면을 향해 연장되는 요철 기판; 및
제1 일부 및 제2 일부를 가지고, 제1 일부는 제1 표면 상에 적층되고, 제2 일부는 제2 표면 상에 적층되는 태양광 조절층을 포함하고,
투명 복합체는:
얇은 금속 필름을 포함하는 태양광 조절층을 가지고; 및
주파수 1.8 GHz에서 전자기 복사는 7 dB 이하로 감쇠, 또는 주파수 4.5 GHz에서 전자기 복사는 15 dB 이하로 감쇠되는, 투명 복합체.
항목 11. 투명 복합체 형성 방법으로서,
제1 표면, 측벽, 및 제1 표면과 비교할 때 상이한 높이에 놓이는 제2 표면을 가지고, 측벽은 제1 표면에서 제2 표면을 향해 연장되는 요철 기판을 제공하는 단계; 및
요철 기판 상에 비-정합적으로 태양광 조절층을 적층하는 단계를 포함하고, 측벽을 따르는 지점에서 단차 피복은 50% 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 12. 항목 11에 있어서, 태양광 조절층은 제1 표면 상에 적층되는 제1 일부 및 제2 표면 상에 적층되는 제2 일부를 가지는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 13. 항목 11 또는 12에 있어서, 비-정합적 적층은 진공 하에서 물리증착 또는 화학증착 기술로 수행되는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 14. 항목 11 내지 13 중 어느 하나에 있어서, 비-정합적 적층은 스퍼터링, 이온 빔 적층, 도금, 또는 플라즈마 (plasma-enhanced) 화학증착으로 수행되는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 15. 항목 11 내지 14 중 어느 하나에 있어서, 측벽을 따라 놓이는 태양광 조절층의 부분을 제거하는 단계를 더욱 포함하고, 태양광 조절층의 부분을 제거한 후, 태양광 조절층의 제1 및 제2 일부들은 서로 연결되지 않는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 16. 항목 11 내지 15 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판 제공 단계는 요철 기판에 상당하는 몰드 또는 다이를 이용하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 17. 항목 16에 있어서, 요철 기판 제공 단계는 다이를 이용한 고분자 압출을 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 18. 항목 16에 있어서, 기판 제공 단계는 몰드를 이용한 고분자의 사출 성형을 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 19. 항목 16에 있어서, 기판 제공 단계는 몰드를 이용한 고분자의 이송 성형을 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 20. 항목 16에 있어서, 기판 제공 단계는,
하부 기판 코팅 단계;
다이로 층 양각 단계; 및
양각 과정 중 층 경화 단계를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 21. 항목 11 내지 15 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판 제공 단계는,
대체로 평탄한 제1 표면을 가지는 초기 기판 제공 단계; 및
초기 기판 일부를 제거하여 요철 기판을 형성하는 단계를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 22. 항목 11 내지 15 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판 제공 단계는,
대체로 평탄한 제1 표면을 가지는 초기 기판 제공 단계; 및
초기 기판의 제1 표면 상에 선택적으로 투명 재료를 형성하여 요철 기판을 형성하는 단계를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 23. 항목 22에 있어서, 선택적 적층 단계는,
초기 기판의 제1 표면 상에 스텐실 마스크를 배치하는 단계; 및
초기 기판의 제1 표면 상의 투명 재료 형상은 개구 형상에 상응하도록 스텐실 마스크의 개구를 통해 투명 재료를 적층하는 단계를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 24. 항목 11 내지 15 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판 형성 단계는,
제1 층을 지지 기판 상에 형성하는 단계;
제2 층을 제1 층 상에 형성하는 단계;
패턴화 마스킹 층을 제2 층 상에 형성하는 단계; 및
제2 층보다 더 빠른 식각 속도로 제1 층을 식각하는 부식액으로 제1 층을 식각하는 단계를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 25. 항목 11 내지 24 중 어느 하나에 있어서, 태양광 조절층이 제2 표면을 따라 형성되지 않고, 또는 제2 표면을 따르는 태양광 조절층 두께는 제1 표면을 따르는 태양광 조절층 두께의70% 이하가 되도록 요철 기판을 타겟에 대하여 이동하는 단계를 더욱 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 26. 항목 11 내지 25 중 어느 하나에 있어서, 태양광 조절층이 제2 표면을 따라 형성되지 않고, 또는 제2 표면을 따르는 태양광 조절층 두께는 제1 표면을 따르는 태양광 조절층 두께의70% 이하가 되도록 요철 기판을 타겟에 대하여 경사시키는 단계를 더욱 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 27. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 측벽은 적어도 50°, 적어도 80°, 적어도 85°, 적어도 88°, 또는 적어도 89°의 상당하는 측벽 각을 가지는, 투명 복합체 또는 방법.
항목 28. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 측벽의 상당하는 측벽 각 범위는 50° 내지 90°, 80° 내지 90°, 85° 내지 90°, 88° 내지 90°, 또는 89° 내지 90°인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 29. 항목 1 내지 26 중 어느 하나에 있어서, 측벽의 상당하는 측벽 각은 90° 이상인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 30. 항목 29에 있어서, 측벽의 상당하는 측벽 각 범위는 90.5 내지 120°인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 31. 항목 1, 2, 및 4 내지 30 중 어느 하나에 있어서, 트렌치는 제1 표면에서와 비교할 때 제1 표면에서 떨어진 지점에서 더욱 넓은, 투명 복합체 형성 방법.
항목 32. 항목 3 또는 31에 있어서, 단면도에서 관찰할 때, 트렌치는 트렌치 중앙선으로부터 외향 만곡되는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 33. 항목 3 또는 31에 있어서, 단면도에서 관찰할 때, 트렌치는 트렌치 최상부에서와 비교할 때 트렌치 바닥에서 더욱 넓은, 투명 복합체 형성 방법.
항목 34. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서,
요철 기판은 제1 표면에서 연장되는 트렌치를 형성하고; 및
태양광 조절층은 제1 표면 상에 제1 두께를 가지는 제1 일부 및 제2 표면 상에 제2 두께를 가지는 제2 일부를 가지고, 트렌치 중심에서 측정될 때, 제2 두께는 제1 두께의 70% 이하, 50% 이하, 30% 이하, 또는 9% 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 35. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서,
요철 기판은 제1 표면에서 연장되는 트렌치를 형성하고; 및
태양광 조절층은 제1 표면 상에 제1 두께를 가지는 제1 일부 및 제2 표면 상에 제2 두께를 가지는 제2 일부를 가지고, 트렌치 중심에서 측정될 때, 제2 두께는 제1 두께의 적어도 1%인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 36. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 제1 표면 및 제2 표면을 가지고 제1 표면 및 제2 표면 사이에 놓이는 측면을 가지는 트렌치를 형성하고, 트렌치 폭은 5 미크론 이하, 4 미크론 이하, 3 미크론 이하, 2.5 미크론 이하, 1.5 미크론 이하, 0.9 미크론 이하, 또는 0.5 미크론 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 37. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 제1 표면 및 제2 표면을 가지고 제1 표면 및 제2 표면 사이에 놓이는 측면을 가지는 트렌치를 형성하고, 트렌치 폭은 적어도 0.3 미크론 또는 적어도 0.5 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 38. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 제1 표면 및 제2 표면을 가지고 제1 표면 및 제2 표면 사이에 놓이는 측면을 가지는 트렌치를 형성하고, 트렌치 깊이:폭의 종횡비는 1:1 이상, 적어도 1.5:1, 적어도 2:1, 적어도 4:1, 또는 적어도 8:1인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 39. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 제1 표면 및 제2 표면을 가지고 제1 표면 및 제2 표면 사이에 놓이는 측면을 가지는 트렌치를 형성하고, 트렌치 깊이:폭의 종횡비는 1000:1 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 40. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 복합체는 5% 이하, 4% 이하, 3% 이하, 2% 이하, 또는 1 % 이하의 헤이즈를 갖는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 41. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 복합체의 헤이즈는 적어도 0.01%인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 42. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 제2 굴절률을 가지는 트렌치-충전 재료를 더욱 포함하고, 요철 기판은 제1 표면에서 연장되는 트렌치를 형성하고 제1 굴절률을 가지고, 트렌치-충전 재료는 트렌치 내부에 있고; 및:
제1 굴절률은 제2 굴절률의 0.03 이내이고;
제1 굴절률은 제2 굴절률의 0.02 이내이고; 또는
제1 굴절률은 제2 굴절률의 0.01 이내인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 43. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 태양광 조절층은 제1 표면 상에 적층되는 연속 층을 포함하고, 연속 층의 유효 시트 저항은 적어도 100 옴/면적, 적어도 200 옴/면적, 적어도 400 옴/면적, 적어도 700 옴/면적, 적어도 1000 옴/면적, 또는 적어도 2000 옴/면적인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 44. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 태양광 조절층은 제1 표면 상에 적층되는 연속 층을 포함하고, 연속 층의 유효 시트 저항은 1 M옴/면적 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 45. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 복합체의 광 대 일사획득계수 (LTSHGC)는 1.05 이상, 1.3 이상, 1.4 이상, 1.5 이상, 또는 1.6 이상인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 46. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 복합체의 광 대 일사획득계수 (LTSHGC)는 2.3 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 47. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 복합체는 주파수 1.8 GHz에서 전자기 복사를 7 dB 이하, 5 dB 이하, 3 dB 이하, 또는 1 dB 이하로 감쇠하거나, 또는 전자기 복사를 주파수 4.5 GHz에서 10 dB 이하, 9 dB 이하, 8 dB 이하, 또는 7 dB 이하로 감쇠하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 48. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 복합체는 전자기 복사를 주파수 1.8 GHz에서 적어도 0.01 dB 감쇠하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 49. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판의 제1 표면 및 요철 기판의 제2 표면 사이 높이 차이는 적어도 50 nm, 적어도 300 nm, 또는 적어도 1000 nm인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 50. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판의 제1 표면 및 요철 기판의 제2 표면 사이 높이 차이는 10 미크론 이하, 4 미크론 이하, 1 미크론 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 51. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판의 제1 표면 및 요철 기판의 제2 표면 사이 높이 차이는 범위는 50 nm 내지 10 미크론, 300 nm 내지 4 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 52. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판의 피치는 9 cm 이하, 9 mm 이하, 5 mm 이하, 4 mm 이하, 또는 900 미크론 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 53. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판의 피치는 적어도 0.11 미크론, 적어도 0.5 미크론, 적어도 1.1 미크론, 또는 적어도 2 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 54. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판의 피치 범위는 0.11 미크론 내지 9 cm, 0.5 미크론 내지 9 mm, 1.1 미크론 내지 5 미크론, 또는 적어도 2 미크론 내지 4 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 55. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 트렌치를 형성하고 깊이는 10 미크론 이하, 6 미크론 이하, 또는 5 미크론 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 56. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 트렌치를 형성하고 깊이는 적어도 0.05 미크론, 적어도 0.3 미크론, 적어도 1 미크론, 또는 적어도 2 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 57. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 트렌치를 형성하고 깊이 범위는 0.3 미크론 내지 10 미크론, 1 미크론 내지 6 미크론, 또는 2 미크론 내지 5 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 58. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 폭 및 깊이를 가지는 트렌치를 형성하고, 폭은 깊이를 따라 중간점에서 측정되고, 폭은 90 미크론 이하, 70 미크론 이하, 50 미크론 이하, 30 미크론 이하 9 미크론 이하, 또는 5 미크론 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 59. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 폭 및 깊이를 가지는 트렌치를 형성하고, 폭은 깊이를 따라 중간점에서 측정되고, 폭은 적어도 0.11 미크론, 적어도 1.1 미크론, 적어도 2 미크론, 적어도 3 미크론, 적어도 4 미크론, 적어도 5 미크론, 또는 적어도 11 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 60. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 폭 및 깊이를 가지는 트렌치를 형성하고, 폭은 깊이를 따라 중간점에서 측정되고, 폭 범위는 0.11 미크론 내지 90 미크론, 1.1 미크론 내지 70 미크론, 5 미크론 내지 50 미크론, 또는 2 미크론 내지 30 미크론, 또는 3 미크론 내지 9 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 61. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 바닥면을 가지는 트렌치를 형성하고, 상부에서 관찰할 때, 트렌치 바닥면을 따르는 면적을 요철 기판의 표면적으로 나눈 비율은 50% 이하, 0.1% 이하, 또는 0.01% 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 62. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 트렌치를 형성하고, 제2 표면은 트렌치 바닥면이고, 상부에서 관찰할 때, 트렌치 바닥면을 따르는 면적을 요철 기판의 표면적으로 나눈 비율은 적어도 1x10-5%, 적어도 1x10-4%, 또는 적어도 1x10-3%인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 63. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 트렌치를 형성하고, 제2 표면은 바닥면이고, 상부에서 관찰할 때, 트렌치 바닥면을 따르는 면적을 요철 기판의 표면적으로 나눈 비율 범위는 1x10-5% 내지 50%, 1x10-4% 내지 1%, 또는 1x10-3% 내지 0.01%인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 64. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 태양광 조절층의 두께는 요철 기판 제1 표면 및 요철 기판 제2 표면 간 높이 차이의 80% 이하, 50% 이하, 40% 이하, 30% 이하, 90% 이하, 또는 9% 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 65. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 태양광 조절층의 두께는 요철 기판 제1 표면 및 요철 기판 제2 표면 간 높이 차이의 적어도 0.02%, 적어도 0.05%, 적어도 0.2%, 적어도 0.5%, 적어도 2%, 적어도 11%, 또는 적어도 20%인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 66. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 태양광 조절층의 두께 범위는 요철 기판 제1 표면 및 요철 기판 제2 표면 간 높이 차이의 0.02% 내지 80%, 0/05% 내지 30%, 또는 0.2% 내지 9%인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 67. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 제1 표면 상의 태양광 조절층 두께는 1500 nm 이하, 400 nm 이하, 160 nm 이하, 또는 100 nm 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 68. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 제1 표면 상의 태양광 조절층 두께는 적어도 10 nm, 적어도 20 nm, 적어도 40 nm, 또는 적어도 200 nm인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 69. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 제1 표면 상의 태양광 조절층 두께 범위는 10 nm 내지 1500 nm, 20 nm 내지 400 nm, 40 nm 내지 160 nm, 또는 50 nm 내지 200 nm인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 70. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서,
제1 표면은 요철 기판의 제1 주요 표면이고;
요철 기판은 제1 주요 표면 반대측에 제2 주요 표면을 가지고; 및
요철 기판의 두께는 제1 및 제2 주요 표면들 간 거리에 상당하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 71. 항목 70에 있어서, 요철 기판의 두께는 적어도 110 nm, 적어도 200 nm, 적어도 500 nm, 또는 적어도 1.1 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 72. 항목 70 또는 71에 있어서, 요철 기판의 두께는 20 미크론 이하, 9 미크론 이하, 7 미크론 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 73. 항목 69 내지 72 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판의 두께 범위는 110 nm 내지 20 미크론, 500 nm 내지 9 미크론, 또는 1.1 미크론 내지 7 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 74. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 지지 기판을 더욱 포함하고, 요철 기판은 지지 기판 및 태양광 조절층 사이에 배치되는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 75. 항목 74에 있어서, 지지 기판의 두께는 적어도 11 미크론, 적어도 17 미크론, 또는 적어도 25 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 76. 항목 74 또는 75에 있어서, 지지 기판의 두께는 900 미크론 이하, 600 미크론 이하, 또는 300 미크론 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 77. 항목 74 내지 76 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판의 두께 범위는 11 미크론 내지 900 미크론, 17 미크론 내지 600 미크론, 또는 25 미크론 내지 300 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 78. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 트렌치-충전 재료를 더욱 포함하고,
요철 기판은 제1 표면 및 제2 표면 사이에 놓인 측벽을 가지는 트렌치를 형성하고; 및
트렌치-충전 재료는 트렌치 내부에 있고 태양광 조절층의 제2 일부 상에 적층되는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 79. 항목 78에 있어서, 트렌치-충전 재료는 제1 표면 상에 적층되고, 제1 표면 상의 트렌치-충전 재료 층 두께는 적어도 0.2 미크론, 적어도 0.5 미크론, 적어도 0.8 미크론, 또는 적어도 1.1 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 80. 항목 78 또는 79에 있어서, 트렌치-충전 재료는 제1 표면 상에 적층되고, 제1 표면 상의 트렌치-충전 재료 층 두께는 7 미크론 이하, 5 미크론 이하, 4 미크론 이하, 또는 3 미크론 이하인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 81. 항목 78 내지 80 중 어느 하나에 있어서, 트렌치-충전 재료는 제1 표면 상에 적층되고, 제1 표면 상의 트렌치-충전 재료 층 두께 범위는 0.2 미크론 내지 7 미크론, 0.5 미크론 내지 5 미크론, 0.8 미크론 내지 4 미크론, 또는 1.1 미크론 내지 3 미크론인, 투명 복합체 형성 방법.
항목 82. 항목 78 내지 81 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 트렌치-충전 재료와는 상이한 제1 재료를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 83. 항목 82에 있어서, 요철 기판은 아크릴레이트를 포함하고, 트렌치-충전 재료는 아세테이트를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 84. 항목 82에 있어서, 요철 기판은 유리를 포함하고, 트렌치-충전 재료는 폴리비닐 알코올을 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 85. 항목 82에 있어서, 요철 기판은 유리를 포함하고, 트렌치-충전 재료는 나노입자들이 없는 폴리비닐 부티랄과 비교할 때 유리 굴절률에 더욱 근사하게 일치하도록 나노입자들을 가지는 폴리비닐 부티랄을 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 86. 항목 1 내지 16, 21 내지 83, 및 85 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 무기 재료를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 87. 항목 86에 있어서, 요철 기판은 유리, 사파이어, 스피넬, 또는 알루미늄 산질화물을 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 88. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 트렌치-충전 재료는 적층 접착제 또는 감압 접착제를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 89. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 트렌치-충전 재료는 폴리에스테르, 아크릴레이트, 폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 알코올, 실리콘 고무, 또는 임의의 이의 혼합물을 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 90. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 트렌치-충전 재료는 나노입자들을 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 91. 항목 90에 있어서, 나노입자들은 실리카, TiO2, 인듐 주석 산화물, 또는 Sb 도핑된 SnO2를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 92. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 투명 고분자를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 93. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 폴리아크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리실록산, 폴리에테르, 또는 폴리비닐 화합물을 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 94. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 태양광 조절층은 금속, 금속 합금, 금속산화물, 또는 금속 합금을 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 95. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 태양광 조절층은 하나 또는 다수의 Ag 층 및:
(1) 금, 백금, 팔라듐, 구리, 알루미늄, 인듐, 아연, 또는 임의의 이들 조합의 하나 또는 다수의 층;
(2) 산화티탄 (예를들면, TiO2), 산화알루미늄, BiO2, PbO, NbO, SnZnO, SnO2, SiO2, ZnO, 또는 임의의 이들 조합의 하나 또는 다수의 층; 또는
(1) 및 (2) 모두를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 96. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판 아래의 지지 기판을 더욱 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 97. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 경질 코트층을 더욱 포함하고, 요철 기판은 태양광 조절층 및 경질 코트 층 사이에 배치되는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 98. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 이형층을 더욱 포함하고, 태양광 조절층은 요철 기판 및 이형층 사이에 배치되는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 99. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 메사 및 메사들 사이에 상호 연결된 트렌치 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 100. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 이격된 (spaced apart) 트렌치를 포함하는, 투명 복합체 형성 방법.
항목 101. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 요철 기판은 메사 및 홈 (recession)의 체커보드 패턴을 가지는, 투명 복합체 형성 방법.
포괄적인 설명 또는 실시예들에서 상기되는 모든 작용들이 요구되지는 않으며, 특정한 작용의 일부는 요구되지 않을 수 있으며, 하나 이상의 다른 작용이 기술된 것들에 추가하여 실행될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 게다가, 작용들이 나열되는 순서가 반드시 이들이 실행되는 순서일 필요는 없다.
실시예들
실시예들은 단지 예시로서 제공되고 청구항으로 정의되는 본 발명의 범위를 제한하지 않는다. 실시예들은 태양광 조절층을 포함하는 투명 복합체는 양호한 태양광 성능을 가지고 고주파 신호에 대한 과도한 신호 전송 감쇠 없이 형성될 수 있다는 것을 보인다.
실시예 1은 50 미크론 (2 밀)의 투명 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET) 기판을 이용하여 수행된다. 자외선으로 경화되는 아크릴레이트 수지 (UV-아크릴레이트 수지)를 PET 기판 일측에 도포하고 UV 경화 과정에서 패턴화 스탬프를 이용하여 양각된다. 패턴화 스탬프는 감광액의 포토리소그래피에 의해 제작되는 패턴이 있는 실리콘 웨이퍼를 포함한다. PET 기판에 양각되는 패턴화 UV-아크릴레이트 수지는 다음 치수의 그리드 패턴을 가진다: 피치 3 mm, 트렌치 폭 2.2 미크론; 및 트렌치 깊이 4 미크론.
연속하여, 파일럿 패치 (pilot batch) 스퍼터링 도구를 이용하여 태양광 조절층을 양각된 구조체 상부에 스퍼터링 하였다. PET 기판을 평탄 유리 조작에 테이프로 붙인 후 진공 증착실에 넣었다. 태양광 조절층은 다음 조성을 가지고 다음 순서로 형성되는 다중 필름을 포함한다: 30 nm의 TiO2/<1 nm의 Au/10 nm의 Ag/<1 nm의 Au/30 nm의 TiO2. 두께는 기계적 조면계를 이용하여 유리에 적층되는 단층 두께를 측정함으로써 사전 증착 조건 교정에 기초한다.
실시예 2는 실시예 1과 단지 트렌치 폭에서 다르고, 2.2 미크론이 아닌 4 미크론이다.
실시예 3은 실시예 1과 단지 UV-아크릴레이트 수지가 양각되지 않은 것이 다르다. 따라서, 실시예 3은 패턴이 없다.
실시예 4는 실시예 2와 단지 태양광 조절층 조성 순서가 다르다. 실시예 4에서, 태양광 조절층은 다음 조성을 가지고 다음 순서로 형성되는 다중 필름을 포함한다: <1 nm의 Au/10 nm의 Ag/<1 nm의 Au.
실시예 5는 실시예 3과 단지 태양광 조절층 조성 순서가 다르다. 실시예 5에서, 태양광 조절층은 다음 조성을 가지고 다음 순서로 형성되는 다중 필름을 포함한다: <1 nm의 Au/10 nm의 Ag/<1 nm의 Au.
시트 저항은 장비, 예컨대 Nagy 시스템을 이용하여 비-접촉 시트 저항을 이용하여 측정되었다.
무선주파수 신호 전송 측정은 도 19에 도시된 특수 설계된 전송 설정 기구에서 수행되었다. 2개의 혼 안테나를 수직 편파 구성으로 서로 반대측에 장착하였다. 네트워크 분석기를 신호원 및 수신기로 이용하였다. 네트워크 분석기를 4.5 GHz에서 작동되는 전송 안테나 및 수신 안테나에 연결하였다. 전송 안테나에서, 전자기장이 발생되고 이는 피시험 장치 (DUT) 위치에서 평면판로 가정된다. 이러한 측정 설정 기구에 대한 교정은 내부에 샘플이 없는 개구를 통과하는 즉 공기를 통과하는 전송 신호로 수행된다. 다음 모든 측정치들은 따라서 (측정 설정 기구의 개구 한계에서) 공기를 통해 전파되는 신호에 대하여 샘플을 통과하는 전송 값에 해당된다. 아래 표 1은 얻어진 데이터를 포함한다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5
설명
패턴 - 트렌치 폭 2.2 um 4 um 패턴 없음 4 um 패턴 없음
스택 TiO2/Au/Ag/Au/TiO2 TiO2/Au/Ag/Au/TiO2 TiO2/Au/Ag/Au/TiO2 Au/Ag/Au Au/Ag/Au
측정
측정된 비-접촉 시트 저항 (Ω□ ) 213 108 10.9 81 16.7
측정된 무선주파수 전송 감쇠 @ 4.5 GHz (dB) -5.8 -7.4 -22.4 -5.5 -21.4
실시예 1, 2 및 4는 본원에 기재된 개념에 의해 제조된 것이고, 실시예들 3 및 5는 비교 실시예들이다. 도 20은 시트 저항에 따른 전송 감쇠 도표이다. 명백한 것은 상기 치수에 의한 패턴 그리드 추가로 상당한 무선주파수 전송 개선이 있고 (> -15 dB 감쇠), 따라서, 창문이 패턴화되지 않은 층에 형성되는 태양광 조절층과는 달리 패턴화 층에 형성되는 태양광 조절층을 가질 때 고주파 무선 통신 신호 강도 손실은 상당히 감소된다는 것이다.장점들, 다른 이점들, 및 문제점들에 대한 해결방안이 특정한 실시태양들과 관련하여 상기되었다. 그러나, 장점들, 이점들, 문제들에 대한 해결방안, 및 임의의 장점, 이점, 또는 해결방안을 발생하게 하거나 더 현저하게 할 수 있는 임의의 특징(들)이 청구항들의 일부 또는 전부의 중요하거나, 요구되거나, 또는 필수적인 특징으로 해석되지 말아야 한다.
명세서 및 본원에 개시된 실시태양들은 다양한 실시태양들 구조에 대한 포괄적인 이해를 돕기 위할 목적으로 제공된다. 명세서 및 설명들은 본원에 기재된 구조 또는 방법들을 이용하는 모든 요소들 및 장치 및 시스템의 특징부들에 대한 전적이고 종합적인 설명으로 기능하지 않을 수 있다. 명백성을 위하여 개별 실시태양들에서 기재된 소정의 특징부들은 단일 실시태양의 조합으로도 제공된다. 반대로, 간결성을 위하여 단일 실시태양에 기술된 다양한 특징부들은, 개별적 또는 임의의 부조합으로도 제공될 수 있다. 또한, 범위 값들에 대한 언급은 범위에 속하는 각각 및 모든 값들을 포함한다. 본 명세서를 읽은 후 당업자들에게 많은 기타 실시태양들이 명백할 수 있다. 기타 실시태양들이 적용될 수 있고 본 발명에서 유래될 수 있고, 따라서 구조적 치환, 논리적 치환, 또는 다른 변형은 본 발명의 범위를 일탈하지 않고 가능하다. 따라서, 본 발명은 제한적이 아닌 단지 예시적으로 간주된다.

Claims (10)

  1. 투명 복합체로서,
    제1 표면, 제2 표면, 및 측벽을 갖는 트렌치를 포함하는 요철 기판으로서, 상기 제1 표면은 상기 트렌치 외측의 상부 표면이고, 상기 제2 표면은 상기 트렌치의 바닥면이며, 상기 측벽은 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 사이에 놓이는, 상기 요철 기판;
    제1 일부(portion) 및 제2 일부를 가지는 태양광 조절층으로서, 상기 제1 일부는 상기 제1 표면에 적층되고, 상기 제2 일부는 상기 제2 표면에 적층되며, 상기 제2 일부는 상기 트렌치의 측벽에 의해 상기 제1 일부로부터 분리되는, 상기 태양광 조절층; 및
    상기 트렌치 내로 연장되고 상기 태양광 조절층의 상기 제2 일부에 적층되는 트렌치-충전 재료;를 포함하고,
    상기 태양광 조절층은 상기 요철 기판의 제1 표면과 상기 요철 기판의 제2 표면 사이의 높이 차이의 0.2% 내지 9% 범위의 두께를 가지며,
    상기 요철 기판은 투명 중합체를 포함하고,
    상기 투명 복합체는 5% 이하의 헤이즈를 갖는, 투명 복합체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 요철 기판은 제1 굴절률을 갖고,
    상기 트렌치-충전 재료는 제2 굴절률을 가지며,
    상기 제1 굴절률은 상기 제2 굴절률의 0.03 이내인, 투명 복합체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 태양광 조절층의 어느 것도 상기 트렌치 내에서 상기 제2 표면을 따라 놓이지 않는, 투명 복합체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 일부는 제1 두께를 갖고,
    상기 제2 일부는 제2 두께를 가지며,
    상기 트렌치의 중심에서 측정될 때, 상기 제2 두께는 상기 제1 두께의 70% 이하인, 투명 복합체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 측벽은 적어도 50°에 상당하는 측벽 각을 갖는, 투명 복합체.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 요철 기판은 복수의 제2 표면을 포함하고,
    상기 복수의 제2 표면들은 서로 이격되고 상기 제1 표면과 비교할 때 상이한 높이에 놓이며,
    상기 태양광 조절층은 상기 제1 표면에 적층되는 연속 층을 포함하고
    상기 태양광 조절층의 일부들은 상기 복수의 제2 표면에 적층되며,
    상기 연속 층은 적어도 100 옴/면적의 유효 시트 저항을 갖는, 투명 복합체.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표면은 상기 트렌치의 바닥을 따라 놓이고,
    상면 관찰로부터, 상기 제1 일부는 상기 제1 표면에 적층되며, 상기 제2 일부는 상기 제2 표면에 적층되는, 투명 복합체.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 일부는 상기 제1 표면에 적층되고, 상기 제2 일부는 상기 제2 표면에 적층되며,
    상기 투명 복합체는 1.05 보다 큰 광 대 일사 획득계수(LTSHGC)를 갖고,
    상기 투명 복합체는 1.8 GHz의 주파수에서 7 dB 이하로 전자기 복사를 감쇠하거나, 또는 4.5 GHz의 주파수에서 15 dB 이하로 전자기 복사를 감쇠하는, 투명 복합체.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 일부는 상기 제1 표면에 적층되고, 상기 제2 일부는 상기 제2 표면에 적층되고,
    상기 태양광 조절층 얇은 금속 필름을 포함하며,
    상기 투명 복합체는 1.8 GHz의 주파수에서 7 dB 이하로 전자기 복사를 감쇠하거나, 또는 4.5 GHz의 주파수에서 15 dB 이하로 전자기 복사를 감쇠하는, 투명 복합체.
  10. 투명 복합체를 형성하는 방법으로서,
    제1 표면, 측벽, 및 상기 제1 표면과 비교할 때 상이한 높이에 놓이는 제2 표면을 가지는 요철 중합체 기판을 제공하는 단계로서, 상기 측벽은 상기 제1 표면으로부터 상기 제2 표면을 향해 연장하는, 상기 요철 중합체 기판을 제공하는 단계; 및
    상기 요철 기판 상에 태양광 조절층을 비-정합적으로 적층하는 단계;를 포함하며,
    상기 측벽을 따르는 지점에서의 단차 피복은 50% 이하이고,
    상기 태양광 조절층은 제1 일부(portion) 및 제2 일부를 가지며, 상기 제1 일부는 상기 제1 표면에 적층되고, 상기 제2 일부는 상기 제2 표면에 적층되는, 투명 복합체 형성 방법.
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