[go: up one dir, main page]

KR20170092497A - 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170092497A
KR20170092497A KR1020170095428A KR20170095428A KR20170092497A KR 20170092497 A KR20170092497 A KR 20170092497A KR 1020170095428 A KR1020170095428 A KR 1020170095428A KR 20170095428 A KR20170095428 A KR 20170095428A KR 20170092497 A KR20170092497 A KR 20170092497A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
film
sensitive adhesive
pressure
dicing tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020170095428A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101823830B1 (ko
Inventor
나오히데 다카모토
고지 시가
후미테루 아사이
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20170092497A publication Critical patent/KR20170092497A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101823830B1 publication Critical patent/KR101823830B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B25/00—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber
    • B32B25/04—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising rubber as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B25/08—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising rubber as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B25/00—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber
    • B32B25/12—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising natural rubber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B25/00—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber
    • B32B25/14—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising synthetic rubber copolymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B25/00—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber
    • B32B25/18—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising butyl or halobutyl rubber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/10—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of paper or cardboard
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/12—Layered products comprising a layer of synthetic resin next to a fibrous or filamentary layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/306—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl acetate or vinyl alcohol (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/34—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B32B27/365—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters comprising polycarbonates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B29/00—Layered products comprising a layer of paper or cardboard
    • B32B29/002—Layered products comprising a layer of paper or cardboard as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
    • B32B5/02—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by structural features of a fibrous or filamentary layer
    • B32B5/022—Non-woven fabric
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
    • B32B5/02—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by structural features of a fibrous or filamentary layer
    • B32B5/028—Net structure, e.g. spaced apart filaments bonded at the crossing points
    • C09J7/02—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/44—Number of layers variable across the laminate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2270/00—Resin or rubber layer containing a blend of at least two different polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2274/00—Thermoplastic elastomer material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/202—Conductive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
    • B32B2307/302—Conductive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
    • B32B2307/306—Resistant to heat
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/414—Translucent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/514—Oriented
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/54—Yield strength; Tensile strength
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3512—Cracking
    • H01L2924/35121—Peeling or delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

본 발명은 요철 가공면을 갖는 기재 및 이 기재 상에 적층된 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프와, 이 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 반도체 이면용 필름을 포함하는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름으로서, 상기 다이싱 테이프의 헤이즈가 45% 이하인 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 관한 것이다.

Description

다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법{DICING TAPE-INTEGRATED FILM FOR SEMICONDUCTOR BACK SURFACE AND METHOD FOR PRODUCING THE FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 이면용 필름은 반도체 칩 등의 반도체 소자의 이면 보호 및 강도 향상을 위해 사용된다. 또한, 본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치 및 그의 패키지의 박형화 및 소형화가 한층 더 요구되어 왔다. 그 때문에, 반도체 장치 및 그의 패키지로서, 반도체 칩 등의 반도체 소자가 기판 상에 플립 칩 본딩에 의해 실장된(플립 칩 접속된) 플립 칩형 반도체 장치가 널리 이용되어 왔다. 이와 같은 플립 칩 접속에서, 반도체 칩은 그의 회로면이 기판의 전극 형성 면에 대향되는 형태로 기판에 고정된다. 이와 같은 반도체 장치 등에서는, 반도체 칩의 이면을 보호 필름에 의해 보호하여 반도체 칩의 손상 등을 방지하는 경우가 있다(특허문헌 1 내지 3 참조).
그러나, 상기 보호 필름에 의해 반도체 칩의 이면을 보호하기 위해서는, 다이싱 공정에서 얻어진 반도체 칩의 이면에 보호 필름을 부착하는 새로운 공정을 추가할 필요가 있다. 그 결과, 가공 공정수가 늘어나, 제조 비용 등이 증가하게 된다. 그래서, 본 발명자들은 제조 비용의 저감을 목적으로 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 개발하고, 이에 대하여 특허 출원하였다(이 출원은 본 출원의 출원시에는 미공개됨). 이 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름은 기재 및 이 기재 상의 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 이 다이싱 테이프의 점착제층 상에 형성된 플립 칩형 반도체 이면용 필름을 포함하는 구조이다.
반도체 장치의 제조에 있어서, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름은 일반적으로 다음과 같이 사용된다. 우선, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에서의 플립 칩형 반도체 이면용 필름 상에 반도체 웨이퍼를 부착한다. 다음에, 이 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 형성한다. 계속해서, 반도체 칩을 상기 플립 칩형 반도체 이면용 필름과 함께 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 박리하고 픽업한 후, 반도체 칩을 기판 등의 피착체 상에 플립 칩 접속시킨다. 이렇게 하여, 플립 칩형 반도체 장치가 얻어진다.
여기서, 다이싱 후, 얻어진 반도체 칩에 발생하는 치핑(chipping) 등과 같은 임의의 불량 존재 유무를 확인하기 위해, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 그의 다이싱 테이프 측(반도체 칩이 접합되어 있는 측과는 반대 측)으로부터 광학 현미경에 의해 또는 적외선 조사를 통해 검사하는 경우가 있다. 그러나, 종래의 장치에서는, 다이싱 테이프의 기재가 희고 흐리게 보이는 경우가 있으며, 이러한 경우, 다이싱 테이프 측으로부터의 관찰시 시인성이 충분하다고는 할 수 없고 반도체 칩 화상이 불명료할 수 있어, 반도체 칩의 불량을 검출할 수 없는 사태가 되어 버린다.
일본 특허공개 2008-166451호 공보 일본 특허공개 2008-006386호 공보 일본 특허공개 2007-261035호 공보
본 발명은 상기 문제점을 고려하여 이루어진 것으로, 그 목적은 다이싱 공정 후의 반도체 칩 검사에서 광선 투과율이 높고 반도체 칩 화상의 시인성이 우수한 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 그 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 문제점을 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 제조의 전단계(pre-stage)에서, 기재는 롤 형상으로 감기고, 기재 표면에의 요철 가공 시공에 의해 기재끼리의 블록킹을 방지하여 작업성을 좋게 하는 것을 목적으로 예컨대 엠보싱 가공 등에 의해 기재 표면에 요철 가공이 특별히 실시되는 바, 이 요철 가공 시공으로 인해 다이싱 테이프의 기재가 희고 흐리게 보일 것이라고 생각하기에 이르렀다.
이상과 같은 지견으로부터, 본 발명자들은 하기 구성을 채용하면 다이싱 공정 후의 검사 공정에서 높은 광선 투과율을 갖고 반도체 칩 화상의 시인성이 우수한 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 제공할 수 있다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 요철 가공면을 갖는 기재 및 이 기재 상에 적층된 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프와, 이 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 반도체 이면용 필름을 포함하는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(이하, "일체형 필름"이라 칭하는 경우가 있음)으로서, 상기 다이싱 테이프의 헤이즈가 45% 이하인 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 제공한다. 상기 일체형 필름에서는, 요철 가공면을 갖는 기재 및 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프의 헤이즈가 45% 이하이기 때문에, 반도체 칩의 검사 공정에서 상기 필름의 광선 투과율을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 광선 조사를 통한 반도체 칩의 시인성을 높일 수 있어 반도체 칩에서의 불량 발생을 효율적으로 검출할 수 있다. 본 발명에서 광선은 적외선을 포함하는 개념이다.
바람직하게는, 상기 점착제층은 상기 기재의 상기 요철 가공면 측에 적층된다. 이러한 구성을 구체적으로 채용함으로써, 다이싱 테이프의 헤이즈를 용이하게 본 발명의 규정 범위 내에 들도록 조절될 수 있다. 구체적으로는, 기재의 요철 가공면과 그 위에 적층된 점착제층을 접합함으로써, 요철 가공면과 점착제층이 서로 밀착되어 둘 사이의 간극(gap)을 메울 수 있다. 따라서, 다이싱 테이프를 통과하는 광선의 산란을 방지할 수 있고, 이로써 다이싱 테이프의 투과율을 증가시켜 그의 헤이즈를 저감할 수 있다.
바람직하게는, 상기 요철 가공면은 엠보싱 가공면이다. 엠보싱 가공은 기재에의 시공이 용이하고, 기재끼리의 박리 용이성이 우수하다. 게다가, 엠보싱 가공에 의한 요철 가공 시공을 통해 표면에 가공된 요철은 적절한 크기를 갖기 때문에, 요철 가공면과 점착제층 간의 밀착성을 높일 수 있고, 이에 의해 다이싱 테이프의 헤이즈를 용이하게 저감할 수 있다.
바람직하게는, 상기 기재와 상기 점착제층이 열 라미네이트에 의해 적층된다. 열 라미네이트시의 가열에 의해 점착제층의 유연성을 높일 수 있기 때문에, 요철 가공면의 요철에의 점착제층의 추종성을 향상시킬 수 있고, 기재와 점착제층 사이의 간극을 효율적으로 제거할 수 있어 다이싱 테이프의 헤이즈를 더욱 저감할 수 있다.
바람직하게는, 상기 점착제층의 두께는 10㎛ 내지 50㎛이다. 점착제층의 두께가 상기 범위 내에 있으면, 기재의 요철 가공면과 점착제층 간의 밀착성을 충분히 높일 수 있고, 또한 다이싱되고 있는 반도체 웨이퍼의 유지력을 확보할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 제조 방법(이하, "제조 방법 (i)"이라 칭하는 경우가 있음)으로서, 요철 가공면을 갖는 기재를 준비하는 공정, 상기 기재의 상기 요철 가공면 측에 점착제층을 적층하는 공정, 및 상기 점착제층 상에 반도체 이면용 필름을 적층하는 공정을 포함하는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법 (i)에 의하면, 기재의 요철 가공면 측에 점착제층을 적층하고 있기 때문에, 요철 가공면의 간극을 점착제층이 충분히 메울 수 있고, 그 결과, 헤이즈가 저감된 다이싱 테이프를 구비하는 일체형 필름을 효율적으로 제조할 수 있다.
상기 제조 방법 (i)에 있어서, 상기 기재와 상기 점착제층을 열 라미네이트에 의해 적층함으로써 기재와 점착제층 간의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있고, 이로써 다이싱 테이프의 헤이즈를 용이하게 저감할 수 있다.
나아가, 본 발명은 반도체 장치의 제조 방법(이하, "제조 방법 (I)"이라 칭하는 경우가 있음)으로서, 상기 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에서의 반도체 이면용 필름 상에 반도체 웨이퍼를 부착하는 공정, 상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 형성하는 공정, 상기 반도체 칩을 검사하는 공정, 상기 반도체 칩을 상기 반도체 이면용 필름과 함께 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 박리하는 공정, 및 상기 반도체 칩을 피착체 상에 플립 칩 접속하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법 (I)에서는, 상기 일체형 필름을 사용하고 있기 때문에, 다이싱 후의 검사 공정에서 반도체 칩의 불량 발생을 효율적으로 검출할 수 있고, 그 결과, 반도체 장치 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 일 실시형태를 나타내는 단면 모식도이다.
도 2a 내지 2d는 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 단면 모식도이다.
본 발명의 실시형태에 관하여 도 1을 참조하면서 설명하지만, 본 발명은 이들 실시형태에 한정되지 않는다. 도 1은 본 발명에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 일 실시형태를 나타내는 단면 모식도이다. 한편, 본 명세서의 도면에 있어서, 설명에 불필요한 부분은 생략하고, 또한 설명을 용이하게 하기 위해 확대, 축소 등을 하여 도시한 부분이 있다.
(다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름)
도 1에 도시된 바와 같이, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)(이하, "일체형 필름", "다이싱 테이프 일체형 반도체 이면 보호 필름", "다이싱 테이프를 갖는 반도체 이면용 필름" 또는 "다이싱 테이프를 갖는 반도체 이면 보호 필름"이라 칭하는 경우도 있음)은, 요철 가공면(31a)을 갖는 기재(31) 상에 형성된 점착제층(32)을 포함하는 다이싱 테이프(3)와, 상기 점착제층 상에 형성되고 플립 칩형 반도체에 적합한 반도체 이면용 필름(2)(이하, "반도체 이면용 필름" 또는 "반도체 이면 보호 필름"이라 칭하는 경우도 있음)을 포함하는 구성을 갖는다. 또한, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름은, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분(33)에만 반도체 이면용 필름(2)이 형성되도록 설계될 수도 있지만, 점착제층(32)의 전체 면에 걸쳐 반도체 이면용 필름이 형성될 수도 있고, 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분(33)보다 크지만 점착제층(32)의 전체 면보다도 작은 부분에 반도체 이면용 필름이 형성될 수도 있다. 한편, 반도체 이면용 필름(2)의 표면(웨이퍼의 이면에 부착되는 표면)은 웨이퍼 이면에 부착될 때까지 세퍼레이터 등에 의해 보호될 수도 있다. 이하에서, 반도체 이면용 필름 및 다이싱 테이프를 순서대로 설명한다.
(반도체 이면용 필름)
반도체 이면용 필름(2)은 필름 형상을 갖는다. 반도체 이면용 필름(2)은, 통상, 제품으로서의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 실시형태에서는 미경화 상태(반경화 상태를 포함함)이며, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 반도체 웨이퍼에 부착시킨 후에 열경화된다.
반도체 이면용 필름(2)은 적어도 열경화성 수지로 형성되는 것이 바람직하고, 적어도 열경화성 수지와 열가소성 수지로 형성되는 것이 보다 바람직하다. 또한, 반도체 이면용 필름(2)을 구성하는 수지에 열경화 촉진 촉매를 혼입할 수도 있다. 반도체 이면용 필름이 적어도 열경화성 수지로 형성되면 그의 접착 기능을 유효하게 발휘할 수 있다.
상기 열가소성 수지의 예로는, 천연 고무, 뷰틸 고무, 아이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스터 공중합체, 폴리뷰타다이엔 수지, 폴리카보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론 및 6,6-나일론과 같은 폴리아마이드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트) 또는 PBT(폴리뷰틸렌 테레프탈레이트)와 같은 포화 폴리에스터 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 불소 수지를 들 수 있다. 열가소성 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물을 소량 함유하고 내열성이 높으며 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.
상기 아크릴 수지는 특별히 제한되지 않고, 그 예로는 탄소수 30 이하, 바람직하게는 탄소수 4 내지 18, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 10, 특히 탄소수 8 또는 9의 직쇄 또는 분기 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스터 1종 또는 2종 이상을 성분(들)으로서 함유하는 중합체를 들 수 있다. 즉, 본 발명에서, 아크릴 수지는 메타크릴 수지도 포함하는 광의의 의미를 갖는다. 상기 알킬기의 예로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, t-뷰틸기, 아이소뷰틸기, 펜틸기, 아이소펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 아이소옥틸기, 노닐기, 아이소노닐기, 데실기, 아이소데실기, 운데실기, 도데실기(라우릴기), 트라이데실기, 테트라데실기, 스테아릴기 및 옥타데실기를 들 수 있다.
또한, 상기 아크릴 수지를 형성하기 위한 다른 단량체(알킬기의 탄소수가 30 이하인 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬 에스터 이외의 단량체)는 특별히 제한되지 않고, 그 예로는 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 및 크로톤산과 같은 카복실기 함유 단량체; 무수 말레산 및 무수 이타콘산과 같은 산 무수물 단량체; (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 4-하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴 및 (4-하이드록시메틸사이클로헥실)-메틸아크릴레이트와 같은 하이드록실기 함유 단량체; 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아미도프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산과 같은 설폰산기 함유 단량체; 및 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트와 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다. 이와 관련하여, (메트)아크릴산은 아크릴산 및/또는 메타크릴산을 의미하고, (메트)아크릴레이트는 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 의미하며, (메트)아크릴은 아크릴 및/또는 메타크릴을 의미하는 등 하는데, 이는 전체 명세서에 걸쳐 적용되어야 한다.
또한, 상기 열경화성 수지의 예로는, 에폭시 수지 및 페놀 수지 이외에, 아미노 수지, 불포화 폴리에스터 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지 및 열경화성 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 열경화성 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 열경화성 수지로서는, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물을 단지 소량 함유하는 에폭시 수지가 적합하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지를 적합하게 사용할 수 있다.
에폭시 수지는 특별히 제한되지 않고, 예컨대 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수첨 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메테인형 에폭시 수지 및 테트라페닐올에테인형 에폭시 수지와 같은 이작용성 에폭시 수지 또는 다작용성 에폭시 수지, 또는 하이단토인형 에폭시 수지, 트리스글리시딜아이소사이아누레이트형 에폭시 수지 또는 글리시딜아민형 에폭시 수지와 같은 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
에폭시 수지로서는, 상기 예시된 것들 중 노볼락형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메테인형 에폭시 수지 및 테트라페닐올에테인형 에폭시 수지가 바람직하다. 이는, 이들 에폭시 수지는 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 높고 내열성 등이 우수하기 때문이다.
또한, 상기 페놀 수지는 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하며, 그 예로는 페놀 노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-뷰틸페놀 노볼락 수지 및 노닐페놀 노볼락 수지와 같은 노볼락형 페놀 수지; 레졸형 페놀 수지; 및 폴리-p-옥시스타이렌과 같은 폴리옥시스타이렌을 들 수 있다. 페놀 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀 노볼락 수지 및 페놀 아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 이는, 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 혼합 비율은, 예컨대 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1 당량 당 페놀 수지 중의 하이드록실기가 0.5 내지 2.0 당량이 되도록 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.8 내지 1.2 당량이다. 즉, 상기 혼합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 경화 반응이 충분히 진행되지 않고, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉽다.
상기 열경화성 수지의 함유량은 반도체 이면용 필름에서의 전체 수지 성분을 기준으로 5 중량% 내지 90 중량%인 것이 바람직하고, 10 중량% 내지 85 중량%인 것이 보다 바람직하며, 15 중량% 내지 80 중량%인 것이 보다 더 바람직하다. 상기 함유량이 5 중량% 이상이면 열경화 수축량을 2체적% 이상으로 쉽게 조절할 수 있다. 또한, 봉지 수지를 열경화시킬 때에, 반도체 이면용 필름을 충분히 열경화시킬 수 있어 반도체 소자의 이면에 확실히 접착 고정시켜, 박리 불량의 위험이 없는 플립 칩형 반도체 장치를 제공할 수 있게 된다. 한편, 상기 함유량이 90 중량% 이하이면, 패키지(PKG: 플립 칩형 반도체 장치)의 휨을 방지할 수 있다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 열경화 촉진 촉매는 특별히 한정되지 않고, 공지된 열경화 촉진 촉매 중에서 적절히 선택될 수 있다. 1종 이상의 열경화 촉진 촉매를 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다. 열경화 촉진 촉매로서는, 예컨대 아민계 경화 촉진 촉매, 인계 경화 촉진 촉매, 이미다졸계 경화 촉진 촉매, 붕소계 경화 촉진 촉매 또는 인-붕소계 경화 촉진 촉매를 사용할 수 있다.
상기 반도체 이면용 필름은 에폭시 수지 및 페놀 수지를 함유하는 수지 조성물, 또는 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지를 함유하는 수지 조성물로 형성되는 것이 특히 적합하다. 이들 수지는 이온성 불순물을 단지 소량 함유하고 내열성이 높기 때문에 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다.
반도체 이면용 필름(2)은 반도체 웨이퍼의 이면(회로 비형성 면)에 대하여 접착성(밀착성)을 갖고 있는 것이 중요하다. 반도체 이면용 필름(2)은, 예컨대 열경화성 수지 성분으로서의 에폭시 수지를 함유하는 수지 조성물로 형성될 수 있다. 반도체 이면용 필름(2)을 미리 어느 정도 경화시키는 경우, 그의 제조시에, 중합체의 분자쇄 말단의 작용기 등과 반응할 수 있는 다작용성 화합물을 가교제로서 첨가하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시키고, 필름의 내열성 개선을 달성할 수 있다.
반도체 이면용 필름의 반도체 웨이퍼에 대한 접착력(23℃, 박리 각도 180도, 박리 속도 300mm/분)은 바람직하게는 0.5N/20mm 내지 15N/20mm, 보다 바람직하게는 0.7N/20mm 내지 10N/20mm의 범위 내에 있다. 상기 접착력이 0.5N/20mm 이상이면, 상기 필름이 우수한 접착성으로 반도체 웨이퍼 및 반도체 소자에 접착될 수 있고 필름 들뜸 등의 접착 불량이 없다. 또한, 반도체 웨이퍼의 다이싱시에 칩이 비산되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 상기 접착력이 15N/20mm 이하이면, 다이싱 테이프로부터 용이하게 박리할 수 있다.
상기 가교제는 특별히 제한되지 않고, 공지된 가교제를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예컨대 아이소사이아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 멜라민계 가교제 및 과산화물계 가교제뿐만 아니라, 요소계 가교제, 금속 알콕사이드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카보다이이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다. 가교제로서는, 아이소사이아네이트계 가교제 또는 에폭시계 가교제가 적합하다. 상기 가교제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 아이소사이아네이트계 가교제의 예로는, 1,2-에틸렌 다이아이소사이아네이트, 1,4-뷰틸렌 다이아이소사이아네이트 및 1,6-헥사메틸렌 다이아이소사이아네이와 같은 저급 지방족 폴리아이소사이아네이트류; 사이클로펜틸렌 다이아이소사이아네이트, 사이클로헥실렌 다이아이소사이아네이트, 아이소포론 다이아이소사이아네이트, 수소 첨가 톨릴렌 다이아이소사이아네이트 및 수소 첨가 자일릴렌 다이아이소사이아네이트와 같은 지환족 폴리아이소사이아네이트류; 및 2,4-톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 2,6-톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 4,4'-다이페닐메테인 다이아이소사이아네이트 및 자일릴렌 다이아이소사이아네이트와 같은 방향족 폴리아이소사이아네이트류를 들 수 있다. 또한, 트라이메틸올프로페인/톨릴렌 다이아이소사이아네이트 삼량체 부가물[닛폰폴리우레탄공업(주)제의 상품명 "콜로네이트 L"], 트라이메틸올프로페인/헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 삼량체 부가물[닛폰폴리우레탄공업(주)제의 상품명 "콜로네이트 HL"] 등도 사용된다. 또한, 상기 에폭시계 가교제의 예로는, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일렌다이아민, 다이글리시딜아닐린, 1,3-비스(N,N-글리시딜아미노메틸)사이클로헥세인, 1,6-헥세인다이올 다이글리시딜 에테르, 네오펜틸 글리콜 다이글리시딜 에테르, 에틸렌 글리콜 다이글리시딜 에테르, 프로필렌 글리콜 다이글리시딜 에테르, 폴리에틸렌 글리콜 다이글리시딜 에테르, 폴리프로필렌 글리콜 다이글리시딜 에테르, 소르비톨 폴리글리시딜 에테르, 글리세롤 폴리글리시딜 에테르, 펜타에리트리톨 폴리글리시딜 에테르, 폴리글리세롤 폴리글리시딜 에테르, 소르비탄 폴리글리시딜 에테르, 트라이메틸올프로페인 폴리글리시딜 에테르, 아디프산 다이글리시딜 에스터, o-프탈산 다이글리시딜 에스터, 트라이글리시딜-트리스(2-하이드록시에틸)아이소사이아누레이트, 레조르신 다이글리시딜 에테르, 및 비스페놀-S-다이글리시딜 에테르, 그리고 분자 내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시계 수지를 들 수 있다.
가교제의 사용량은 특별히 제한되지 않고, 가교 정도에 따라 적절히 선택될 수 있다. 구체적으로, 가교제의 사용량은 중합체 성분(특히, 분자쇄 말단의 작용기를 갖는 중합체) 100 중량부를 기준으로 통상 7 중량부 이하(예컨대 0.05 중량부 내지 7 중량부)인 것이 바람직하다. 가교제의 사용량이 중합체 성분 100 중량부를 기준으로 7 중량부보다 많으면, 접착력이 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 응집력 향상의 관점에서, 가교제의 사용량은 중합체 성분 100 중량부를 기준으로 0.05 중량부 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에서는, 가교제를 사용하는 대신에 또는 가교제의 사용과 함께, 전자선, 자외선 등의 조사에 의해 가교 처리를 수행하는 것도 가능하다.
상기 반도체 이면용 필름은 착색되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 우수한 레이저 마킹성 및 우수한 외관성이 발휘될 수 있으며, 부가가치 있는 외관성을 갖는 반도체 장치를 제조하는 것이 가능해진다. 이와 같이, 착색된 반도체 이면용 필름은 우수한 마킹성을 갖기 때문에, 반도체 소자 또는 이 반도체 소자를 사용하는 반도체 장치의 비회로면 측의 면에, 반도체 이면용 필름을 통해 인쇄 방법 및 레이저 마킹 방법과 같은 임의의 각종 마킹 방법을 이용함으로써 마킹을 수행하여 문자 정보 및 도형 정보와 같은 각종 정보를 부여할 수 있다. 특히, 착색의 색을 조절함으로써, 마킹에 의해 부여된 정보(예컨대 문자 정보 및 도형 정보)를 우수한 시인성으로 관찰하는 것이 가능해진다. 또한, 반도체 이면용 필름이 착색되어 있으면, 다이싱 테이프와 반도체 이면용 필름을 서로 용이하게 구별할 수 있어, 작업성 등을 향상시킬 수 있다. 나아가, 예컨대 반도체 장치로서, 상이한 색을 사용함으로써 제품을 분류하는 것이 가능하다. 반도체 이면용 필름이 착색되는 경우(상기 필름이 무색도 아니고 투명하지도 않은 경우), 착색에 의해 나타내는 색은 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 흑색, 청색 또는 적색과 같은 농색(濃色)인 것이 바람직하고, 특히 흑색인 것이 적합하다.
본 실시형태에서, 농색이란 기본적으로는 L*a*b* 표색계에서 규정되는 L*이 60 이하(0 내지 60), 바람직하게는 50 이하(0 내지 50), 보다 바람직하게는 40 이하(0 내지 40)인 짙은 색을 의미한다.
또한, 흑색이란 기본적으로는 L*a*b* 표색계에서 규정되는 L*이 35 이하(0 내지 35), 바람직하게는 30 이하(0 내지 30), 보다 바람직하게는 25 이하(0 내지 25)인 흑색계 색을 의미한다. 이와 관련하여, 흑색에서, L*a*b* 표색계에서 규정되는 a* 및 b*는 각각 L*의 값에 따라 적절히 선택될 수 있다. 예컨대 a* 및 b*는 양쪽 모두 바람직하게는 -10 내지 10, 보다 바람직하게는 -5 내지 5, 더 바람직하게는 -3 내지 3의 범위 내(특히 0 또는 약 0)에 있다.
본 실시형태에서, L*a*b* 표색계에서 규정되는 L*, a*, b*는 색채 색차계(상품명 "CR-200", 미놀타사제; 색채 색차계)를 사용한 측정에 의해 구할 수 있다. L*a*b* 표색계는 국제조명위원회(CIE)가 1976년에 권장한 색 공간이며, CIE1976(L*a*b*) 표색계라고 불리는 색 공간을 의미한다. 또한, L*a*b* 표색계는 일본공업규격에서는 JIS Z8729에 규정되어 있다.
반도체 이면용 필름의 착색시에는, 목적하는 색에 따라 색재(착색제)를 사용할 수 있다. 그러한 색재로서는, 흑색계 색재, 청색계 색재 및 적색계 색재와 같은 각종 농색계 색재를 적합하게 사용할 수 있고, 흑색계 색재가 보다 적합하다. 색재는 안료 및 염료 중 임의의 것일 수 있다. 색재는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이와 관련하여, 염료로서는, 산성 염료, 반응 염료, 직접 염료, 분산 염료 및 양이온 염료와 같은 임의 형태의 염료를 사용하는 것이 가능하다. 또한, 안료에 관해서도, 그의 형태는 특별히 제한되지 않고, 공지된 안료 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
특히, 색재로서 염료를 사용하면, 염료가 반도체 이면용 필름 중에 용해에 의해 균일 또는 거의 균일하게 분산된 상태로 되어, 착색 농도가 균일 또는 거의 균일한 반도체 이면용 필름(결과적으로는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름)을 용이하게 제조할 수 있다. 그 때문에, 색재로서 염료를 사용하면, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에서의 반도체 이면용 필름은 착색 농도가 균일 또는 거의 균일할 수 있으며 마킹성 및 외관성을 향상시킬 수 있다.
흑색계 색재는 특별히 제한되지 않고, 예컨대 무기 흑색계 안료 및 흑색계 염료로부터 적절히 선택될 수 있다. 또한, 흑색계 색재는 사이안계 색재(청록색계 색재), 마젠타계 색재(적자색계 색재) 및 옐로우계 색재(황색계 색재)가 혼합된 색재 혼합물일 수도 있다. 흑색계 색재는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 물론, 흑색계 색재는 흑색 이외 색의 색재와 병용할 수도 있다.
흑색계 색재의 구체적인 예로는, 카본 블랙(예컨대 퍼니스 블랙, 채널 블랙, 아세틸렌 블랙, 써멀 블랙 또는 램프 블랙), 그래파이트, 산화구리, 이산화망간, 아조계 안료(예컨대 아조메틴 아조 블랙), 아닐린 블랙, 페릴렌 블랙, 타이타늄 블랙, 사이아닌 블랙, 활성탄, 페라이트(예컨대 비자성 페라이트 또는 자성 페라이트), 마그네타이트, 산화크로뮴, 산화철, 이황화몰리브덴, 크로뮴 착체, 복합 산화물계 흑색 안료, 및 안트라퀴논계 유기 흑색 안료를 들 수 있다.
본 발명에서는, 흑색계 색재로서, C.I. 솔벤트 블랙 3, 7, 22, 27, 29, 34, 43, 70, C.I. 다이렉트 블랙 17, 19, 22, 32, 38, 51, 71, C.I. 애시드 블랙 1, 2, 24, 26, 31, 48, 52, 107, 109, 110, 119, 154 및 CI. 디스퍼스 블랙 1, 3, 10, 24 등의 흑색계 염료; C.I. 피그먼트 블랙 1, 7 등의 흑색계 안료 등도 이용할 수 있다.
이러한 흑색계 색재로서는, 예컨대 상품명 "Oil Black BY", 상품명 "Oil Black BS", 상품명 "Oil Black HBB", 상품명 "Oil Black 803", 상품명 "Oil Black 860", 상품명 "Oil Black 5970", 상품명 "Oil Black 5906", 상품명 "Oil Black 5905"(오리엔트화학공업주식회사제) 등이 시판되고 있다.
흑색계 색재 이외의 색재의 예로는, 사이안계 색재, 마젠타계 색재 및 옐로우계 색재를 들 수 있다. 사이안계 색재의 예로는, C.I. 솔벤트 블루 25, 36, 60, 70, 93, 95; C.I. 애시드 블루 6, 45 등의 사이안계 염료; C.I. 피그먼트 블루 1, 2, 3, 15, 15:1, 15:2, 15:3, 15:4, 15:5, 15:6, 16, 17, 17:1, 18, 22, 25, 56, 60, 63, 65, 66; C.I. 배트 블루 4, 60; 및 C.I. 피그먼트 그린 7 등의 사이안계 안료를 들 수 있다.
또한, 마젠타계 색재 중에서, 마젠타계 염료의 예로는, C.I. 솔벤트 레드 1, 3, 8, 23, 24, 25, 27, 30, 49, 52, 58, 63, 81, 82, 83, 84, 100, 109, 111, 121, 122; C.I. 디스퍼스 레드 9; C.I. 솔벤트 바이올렛 8, 13, 14, 21, 27; C.I. 디스퍼스 바이올렛 1; C.I. 베이직 레드 1, 2, 9, 12, 13, 14, 15, 17, 18, 22, 23, 24, 27, 29, 32, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40; C.I. 베이직 바이올렛 1, 3, 7, 10, 14, 15, 21, 25, 26, 27, 28을 들 수 있다.
마젠타계 색재 중에서, 마젠타계 안료의 예로는, C.I. 피그먼트 레드 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 21, 22, 23, 3O, 31, 32, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 48:1, 48:2, 48:3, 48:4, 49, 49:1, 50, 51, 52, 52:2, 53:1, 54, 55, 56, 57:1, 58, 60, 60:1, 63, 63:1, 63:2, 64, 64:1, 67, 68, 81, 83, 87, 88, 89, 90, 92, 101, 104, 105, 106, 108, 112, 114, 122, 123, 139, 144, 146, 147, 149, 150, 151, 163, 166, 168, 170, 171, 172, 175, 176, 177, 178, 179, 184, 185, 187, 190, 193, 202, 206, 207, 209, 219, 222, 224, 238, 245; C.I. 피그먼트 바이올렛 3, 9, 19, 23, 31, 32, 33, 36, 38, 43, 50; C.I. 배트 레드 1, 2, 10, 13, 15, 23, 29, 35를 들 수 있다.
또한, 옐로우계 색재의 예로는, C.I. 솔벤트 옐로우 19, 44, 77, 79, 81, 82, 93, 98, 103, 104, 112, 162 등의 옐로우계 염료; C.I. 피그먼트 오렌지 31, 43; C.I. 피그먼트 옐로우 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 23, 24, 34, 35, 37, 42, 53, 55, 65, 73, 74, 75, 81, 83, 93, 94, 95, 97, 98, 100, 101, 104, 108, 109, 110, 113, 114, 116, 117, 120, 128, 129, 133, 138, 139, 147, 150, 151, 153, 154, 155, 156, 167, 172, 173, 180, 185, 195; C.I. 배트 옐로우 1, 3, 20 등의 옐로우계 안료를 들 수 있다.
사이안계 색재, 마젠타계 색재 및 옐로우계 색재와 같은 각종 색재는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이와 관련하여, 사이안계 색재, 마젠타계 색재 및 옐로우계 색재와 같은 각종 색재를 2종 이상 사용하는 경우, 이들 색재의 혼합 비율(또는 배합 비율)은 특별히 제한되지 않고, 각 색재의 종류, 목적하는 색 등에 따라 적절히 선택될 수 있다.
반도체 이면용 필름(2)을 착색시키는 경우, 착색 형태는 특별히 제한되지 않는다. 예컨대 반도체 이면용 필름은 착색제가 첨가된 단층의 필름 형상물일 수도 있다. 또한, 적어도 열경화성 수지로 형성된 수지층과 착색제층이 적어도 적층된 적층 필름일 수도 있다. 이와 관련하여, 반도체 이면용 필름(2)이 수지층과 착색제층의 적층 필름인 경우, 적층 형태의 반도체 이면용 필름(2)은 수지층/착색제층/수지층의 적층 형태를 갖고 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 착색제층 양측의 2개의 수지층은 동일한 조성을 갖는 수지층일 수도 있고, 상이한 조성을 갖는 수지층일 수도 있다.
반도체 이면용 필름(2)에는, 필요에 따라 다른 첨가제를 적당히 배합할 수 있다. 다른 첨가제의 예로는, 충전제, 난연제, 실레인 커플링제 및 이온 트래핑제 이외에, 증량제, 노화 방지제, 산화 방지제 및 계면 활성제를 들 수 있다.
상기 충전제는 무기 충전제 및 유기 충전제 중 임의의 것일 수 있지만, 무기 충전제가 바람직하다. 무기 충전제와 같은 충전제를 혼입하면, 반도체 이면용 필름에 도전성을 부여하고, 필름의 열 전도성을 향상시키고, 필름의 탄성률을 조절하는 것이 가능해진다. 반도체 이면용 필름(2)은 도전성이거나 비도전성일 수 있다. 상기 무기 충전제로서는, 예컨대 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소 등의 세라믹류; 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크로뮴, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등의 금속; 이들의 합금류; 및 기타 카본으로 이루어진 각종 무기 분말을 들 수 있다. 본 발명에서는 이러한 충전제 1종 이상을 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다. 충전제로서는 실리카가 바람직하고, 용융 실리카가 보다 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은 0.1㎛ 내지 80㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은 레이저 회절형 입도분포 측정장치에 의해 측정된다.
상기 충전제(특히 무기 충전제)의 배합량은 유기 수지 성분 100 중량부를 기준으로 80 중량부 이하(0 중량부 내지 80 중량부)인 것이 바람직하고, 0 중량부 내지 70 중량부인 것이 보다 바림직하다.
상기 난연제의 예로는, 삼산화안티몬, 오산화안티몬 및 브롬화에폭시 수지를 들 수 있다. 난연제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 상기 실레인 커플링제의 예로는, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실레인, γ-글리시독시프로필트라이메톡시실레인 및 γ-글리시독시프로필메틸다이에톡시실레인을 들 수 있다. 실레인 커플링제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 상기 이온 트래핑제의 예로는, 하이드로탈사이트류 및 수산화비스무트를 들 수 있다. 이온 트래핑제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
반도체 이면용 필름(2)은, 예컨대 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 및 필요에 따라 아크릴 수지와 같은 열가소성 수지, 및 임의의 용매나 기타 첨가제를 혼합하여 수지 조성물을 조제하고, 이어서 이를 필름 형상의 층으로 형성하는 것을 포함하는 관용의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 예컨대 상기 수지 조성물을 다이싱 테이프의 점착제층(32) 상에 도포하는 것을 포함하는 방법; 적당한 세퍼레이터(예컨대 박리지) 상에 상기 수지 조성물을 도포하여 수지층(또는 접착제층)을 형성한 다음, 이를 점착제층(32) 상에 전사(이착)하는 것을 포함하는 방법 등에 의해, 반도체 이면용 필름으로서의 필름 형상의 층(접착제층)을 형성할 수 있다. 이와 관련하여, 상기 수지 조성물은 용액 또는 분산액일 수 있다.
한편, 반도체 이면용 필름(2)이 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지를 함유하는 수지 조성물로 형성되는 경우, 반도체 이면용 필름은, 이를 반도체 웨이퍼에 적용하기 전의 단계에서는 열경화성 수지가 미경화 또는 부분 경화된 상태다. 이 경우, 반도체 이면용 필름을 반도체 웨이퍼에 적용한 후에(구체적으로는, 통상, 플립 칩 본딩 공정에서 봉지재를 경화시킬 때에), 반도체 이면용 필름 중의 열경화성 수지를 완전히 또는 거의 완전히 경화시킨다.
상기와 같이, 반도체 이면용 필름은 열경화성 수지를 함유하고 있는 경우에도 상기 열경화성 수지가 미경화 또는 부분 경화의 상태이기 때문에, 반도체 이면용 필름의 겔 분율은 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 50 중량% 이하(0 내지 50 중량%)의 범위로부터 적절히 선택되고, 바람직하게는 30 중량% 이하(0 내지 30 중량%)이며, 특히 바람직하게는 10 중량% 이하(0 내지 10 중량%)이다. 반도체 이면용 필름의 겔 분율은 하기 측정 방법에 의해 측정할 수 있다.
<겔 분율의 측정 방법>
반도체 이면용 필름(2)으로부터 약 0.1g의 샘플을 샘플링하여 정밀하게 칭량하고(시료의 중량), 그 샘플을 메쉬형 시트로 싼 후, 약 50ml의 톨루엔 중에 실온에서 1주일 동안 침지시킨다. 그 후, 용제 불용분(메쉬형 시트의 내용물)을 톨루엔으로부터 취출하고, 130℃에서 약 2시간 동안 건조시키고, 건조 후의 용제 불용분을 칭량하여(침지·건조 후의 중량), 다음 수삭식 a에 따라 겔 분율(중량%)을 산출한다.
[수학식 a]
겔 분율(중량%)=[(침지·건조 후의 중량)/(시료의 중량)]×100
반도체 이면용 필름의 겔 분율은 수지 성분의 종류 및 함유량, 및 가교제의 종류 및 함유량 이외에, 가열 온도, 가열 시간 등에 의해 조절할 수 있다.
본 발명에서, 반도체 이면용 필름은, 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지를 함유하는 수지 조성물로 형성된 필름 형상물인 경우, 반도체 웨이퍼에 대한 밀착성을 유효하게 발휘할 수 있다.
한편, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정에서는 절삭수(cutting water)를 사용하기 때문에, 반도체 이면용 필름이 수분을 흡수하여 통상 이상의 함수율을 갖는 경우가 있다. 이와 같은 높은 함수율을 여전히 유지하면서 플립 칩 본딩을 수행하는 경우, 반도체 이면용 필름과 반도체 웨이퍼 또는 그의 가공체(반도체) 간의 접착 계면에 수증기가 남고 들뜸이 발생하는 경우가 있다. 따라서, 투습성이 높은 코어 재료를 양면에 설치한 형태로 반도체 이면용 필름을 구성함으로써, 수증기가 확산되어 이와 같은 문제를 회피하는 것이 가능해진다. 이와 같은 관점에서, 코어 재료의 한 면 또는 양면에 반도체 이면용 필름을 형성한 다층 구조를 반도체 이면용 필름으로서 사용할 수도 있다. 상기 코어 재료의 예로는, 필름(예컨대 폴리이미드 필름, 폴리에스터 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름, 폴리카보네이트 필름 등), 유리 섬유 또는 플라스틱제 부직 섬유로 강화된 수지 기판, 실리콘 기판, 및 유리 기판을 들 수 있다.
반도체 이면용 필름(2)의 두께(적층 필름의 경우는 총 두께)는 특별히 제한되지 않고, 예컨대 약 2㎛ 내지 200㎛의 범위로부터 적절히 선택될 수 있다. 또한, 상기 두께는 약 4㎛ 내지 160㎛가 바람직하고, 약 6㎛ 내지 100㎛가 보다 바람직하며, 특히 약 10㎛ 내지 80㎛이다.
상기 반도체 이면용 필름(2)의 미경화 상태에서의 23℃에서의 인장 저장 탄성률은 1GPa 이상(예컨대 1GPa 내지 50GPa)인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2GPa 이상이고, 특히 3GPa 이상인 것이 적합하다. 상기 인장 저장 탄성률이 1GPa 이상이면, 반도체 칩을 반도체 이면용 필름(2)과 함께 다이싱 테이프의 점착제층(32)으로부터 박리시킨 후에 반도체 이면용 필름(2)을 지지체 상에 탑재하여 수송 등을 수행할 때에, 반도체 이면용 필름이 지지체에 부착되는 것을 유효하게 억제 또는 방지할 수 있다. 이와 관련하여, 상기 지지체는, 예컨대 캐리어 테이프에서의 탑 테이프, 바텀 테이프 등이다. 반도체 이면용 필름(2)이 열경화성 수지를 함유하는 수지 조성물로 형성되는 경우, 전술한 바와 같이, 열경화성 수지는 통상 미경화 또는 부분 경화된 상태이기 때문에, 반도체 이면용 필름의 23℃에서의 인장 저장 탄성률은 열경화성 수지가 미경화 또는 부분 경화된 상태에서의 23℃에서의 인장 저장 탄성률이다.
여기서, 반도체 이면용 필름(2)은 단층일 수도 있고 복수의 층이 적층된 적층 필름일 수도 있다. 적층 필름의 경우, 상기 미경화 상태에서의 인장 저장 탄성률은 적층 필름 전체로서 1GPa 이상(예컨대 1GPa 내지 50GPa)이면 충분하다. 또한, 반도체 이면용 필름의 미경화 상태에서의 상기 인장 저장 탄성률(23℃)은 수지 성분(열가소성 수지 및/또는 열경화성 수지)의 종류 및 함유량, 또는 실리카 충전제와 같은 충전제의 종류 및 함유량을 적절히 설정함으로써 조절할 수 있다. 반도체 이면용 필름(2)이 복수의 층이 적층된 적층 필름인 경우(반도체 이면용 필름이 적층의 형태를 갖고 있는 경우), 그 적층 형태로서는, 예컨대 웨이퍼 접착층과 레이저 마킹층으로 이루어지는 적층 형태를 예시할 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼 접착층과 레이저 마킹층 사이에는 다른 층(중간층, 광선 차단층, 보강층, 착색층, 기재층, 전자파 차단층, 열 전도층, 점착제층 등)이 설치될 수도 있다. 이와 관련하여, 웨이퍼 접착층은 웨이퍼에 대하여 우수한 밀착성(접착성)을 발휘하는 층이고, 웨이퍼의 이면과 접촉하는 층이다. 한편, 레이저 마킹층은 우수한 레이저 마킹성을 발휘하는 층이고, 반도체 칩의 이면에 레이저 마킹할 때에 이용되는 층이다.
상기 인장 저장 탄성률은, 다이싱 테이프(3) 상에 적층시키지 않고서 미경화 상태의 반도체 이면용 필름(2)을 제작하고, 레오메트릭스사제의 동적 점탄성 측정 장치 "Solid Analyzer RS A2"를 사용하여 인장 모드로, 샘플 폭 10mm, 샘플 길이 22.5mm, 샘플 두께 0.2mm, 주파수 1Hz 및 승온 속도 10℃/분의 조건 하에, 질소 분위기 하 소정의 온도(23℃)에서 탄성률을 측정함으로써 구하며, 측정된 탄성률을 얻어진 인장 저장 탄성률의 값으로 한다.
바람직하게는, 상기 반도체 이면용 필름(2)은 적어도 한 면이 세퍼레이터(박리 라이너)에 의해 보호된다(도시안됨). 예컨대, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)에서, 반도체 이면용 필름의 적어도 한 면에 세퍼레이터가 설치될 수 있다. 한편, 다이싱 테이프와 일체화되어 있지 않은 반도체 이면용 필름에서, 반도체 이면용 필름의 한 면 또는 양면에 세퍼레이터가 설치될 수도 있다. 세퍼레이터는 반도체 이면용 필름이 실제로 사용될 때까지 상기 필름을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖는다. 또한, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)에서, 세퍼레이터는 다이싱 테이프의 기재의 점착제층(32) 상에 반도체 이면용 필름(2)을 전사할 때 지지 기재로서 추가로 기능할 수 있다. 세퍼레이터는 반도체 이면용 필름 상에 반도체 웨이퍼를 부착할 때에 박리된다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌의 필름뿐만 아니라, 불소계 박리제 또는 장쇄 알킬 아크릴레이트계 박리제와 같은 박리제에 의해 표면이 코팅된 플라스틱 필름(예컨대 폴리에틸렌 테레프탈레이트), 종이 등도 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 종래 공지된 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 세퍼레이터의 두께 등은 특별히 제한되지 않는다.
반도체 이면용 필름(2)이 다이싱 테이프(3)에 적층되지 않는 경우, 반도체 이면용 필름(2)은, 양면에 박리층을 갖는 세퍼레이터 1장과 함께 롤 형상으로 감겨져 상기 필름(2)이 양면에 박리층을 갖는 세퍼레이터에 의해 보호될 수도 있고, 상기 필름(2)이 적어도 한 면에 박리층을 갖는 세퍼레이터에 의해 보호될 수도 있다.
또한, 반도체 이면용 필름(2)에서의 가시광의 광선 투과율(가시광 투과율, 파장: 400nm 내지 800nm)은 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 20% 이하(0% 내지 20%)의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10% 이하(0% 내지 10%), 특히 바람직하게는 5% 이하(0% 내지 5%)이다. 반도체 이면용 필름(2)의 가시광 투과율이 20%보다 크면, 광선 투과가 반도체 소자에 악영향을 미칠 우려가 있다. 상기 가시광 투과율(%)은 반도체 이면용 필름(2)의 수지 성분의 종류 및 함유량, 착색제(안료나 염료 등)의 종류 및 함유량, 무기 충전제의 함유량 등에 의해 조절할 수 있다.
반도체 이면용 필름(2)의 가시광 투과율(%)은 다음과 같이 측정할 수 있다. 즉, 두께(평균 두께) 20㎛의 반도체 이면용 필름(2) 자체를 제작한다. 다음에, 상기 반도체 이면용 필름(2)에, 파장 400nm 내지 800nm의 가시광선[장치: 시마즈제작소제 가시광 발생 장치(상품명 "ABSORPTION SPECTROPHOTOMETER")]을 소정의 강도로 조사하고, 투과된 가시광선의 강도를 측정한다. 또한, 가시광선이 반도체 이면용 필름(2)을 투과하기 전후의 강도 변화에 근거하여 가시광 투과율(%)을 구할 수 있다. 이와 관련하여, 20㎛의 두께가 아닌 반도체 이면용 필름(2)의 가시광 투과율(%; 파장: 400nm 내지 800nm)의 값으로부터, 두께 20㎛의 반도체 이면용 필름(2)의 가시광 투과율(%; 파장: 400nm 내지 800nm)을 도출해 내는 것도 가능하다. 본 발명에서는, 두께 20㎛의 반도체 이면용 필름(2)의 경우에서의 가시광 투과율(%)을 구하고 있지만, 본 발명에 따른 반도체 이면용 필름은 두께 20㎛의 것에 한정되지 않는다.
또한, 반도체 이면용 필름(2)으로서는, 흡습률이 낮은 것이 보다 바람직하다. 구체적으로, 상기 흡습률은 1 중량% 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.8 중량% 이하이다. 상기 흡습률을 1 중량% 이하로 조정함으로써, 레이저 마킹성을 향상시킬 수 있다. 또한, 예컨대 리플로우 공정에서, 반도체 이면용 필름(2)과 반도체 소자 사이의 보이드 발생을 억제 또는 방지할 수도 있다. 상기 흡습률은 반도체 이면용 필름(2)을 온도 85℃ 및 습도 85% RH의 분위기 하에서 168시간 동안 방치하기 전후의 중량 변화로부터 산출된 값이다. 반도체 이면용 필름(2)이 열경화성 수지를 함유하는 수지 조성물로 형성되는 경우, 상기 흡습률은 열경화 후의 반도체 이면용 필름을 온도 85℃ 및 습도 85% RH의 분위기 하에서 168시간 방치했을 때 얻어진 값을 의미한다. 또한, 상기 흡습률은 예컨대 무기 충전제의 첨가량을 변화시킴으로써 조정할 수 있다.
또한, 반도체 이면용 필름(2)으로서는, 휘발분의 비율이 적은 것이 보다 바람직하다. 구체적으로는, 가열 처리 후의 반도체 이면용 필름(2)의 중량 감소율(중량 감소량의 비율)이 1 중량% 이하인 것이 바람직하고, 0.8 중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 가열 처리의 조건은 가열 온도 250℃ 및 가열 시간 1시간이다. 상기 중량 감소율을 1 중량% 이하로 조정함으로써, 레이저 마킹성을 향상시킬 수 있다. 또한, 예컨대 리플로우 공정에서 플립 칩형 반도체 장치에 균열이 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 상기 중량 감소율은 예컨대 무납(lead-free) 땜납 리플로우시의 균열 발생을 감소시킬 수 있는 무기 물질을 첨가함으로써 조정할 수 있다. 반도체 이면용 필름(2)이 열경화성 수지를 함유하는 수지 조성물로 형성되는 경우, 상기 중량 감소율은, 열경화 후의 반도체 이면용 필름을 가열 온도 250℃ 및 가열 시간 1시간의 조건 하에서 가열했을 때 얻어진 값이다.
(다이싱 테이프)
다이싱 테이프(3)는 요철 가공면(31a)을 갖는 기재(31) 상에 형성된 점착제층(32)을 갖도록 설계된다. 이와 같이, 다이싱 테이프(3)는 요철 가공면(31a)을 갖는 기재(31)와 점착제층(32)이 적층된 구성을 갖고 있으면 충분하다.
(기재)
기재(지지 기재)는 점착제층 등의 지지 모체로서 사용할 수 있다. 상기 기재(31)는 방사선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 상기 기재(31)로서는, 예컨대 적당한 박엽체, 예를 들어 종이와 같은 종이계 기재; 천, 부직포, 펠트 및 네트와 같은 섬유계 기재; 금속박 및 금속판과 같은 금속계 기재; 플라스틱 필름 및 시트와 같은 플라스틱계 기재; 고무 시트와 같은 고무계 기재; 발포 시트와 같은 발포체; 및 이들의 적층체[특히, 플라스틱계 기재와 다른 기재의 적층체, 플라스틱 필름(또는 시트)끼리의 적층체 등]를 사용할 수 있다. 본 발명에서, 기재로서는, 플라스틱 필름 및 시트와 같은 플라스틱계 기재를 적합하게 사용할 수 있다. 이러한 플라스틱재에 대한 소재의 예로는, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 및 에틸렌-프로필렌 공중합체와 같은 올레핀계 수지; 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체(EVA), 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 및 에틸렌-(메트)아크릴산 에스터 (랜덤, 교대) 공중합체와 같은 에틸렌을 단량체 성분으로 하는 공중합체; 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 및 폴리뷰틸렌 테레프탈레이트(PBT)와 같은 폴리에스터; 아크릴계 수지; 폴리염화바이닐(PVC); 폴리우레탄; 폴리카보네이트; 폴리페닐렌 설파이드(PPS); 폴리아마이드(나일론) 및 전방향족 폴리아마이드(아라마이드)와 같은 아마이드계 수지; 폴리에테르 에테르 케톤(PEEK); 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리염화바이닐리덴; ABS(아크릴로나이트릴-뷰타다이엔-스타이렌 공중합체); 셀룰로스계 수지; 실리콘 수지; 및 불소 수지를 들 수 있다.
또한 기재(31)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체와 같은 중합체를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은 연신 없이 사용할 수도 있고, 필요에 따라 1축 또는 2축 연신 처리를 실시한 후에 사용할 수도 있다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 기재(31)의 열 수축에 의해 점착제층(32)과 반도체 이면용 필름(2)의 접착 면적을 저하시켜, 반도체 칩의 회수를 용이하게 할 수 있다.
기재(31)는 요철 가공면(31a)(본원에서 "조면"이라 칭할 수도 있음)을 갖고 있다. 이 요철 가공면(31a)은, 일체형 필름(1) 제조의 전단계에서 롤 형상으로 감긴 기재(31)끼리의 블록킹을 방지하여 작업성을 확보하는 것을 목적으로 설치된다. 요철 가공면(31a)이 노출된 상태로 점착제층(32)이 적층되면, 요철 가공면(31a)에 기인하여 광 산란이 발생할 수도 있고, 따라서 다이싱 테이프(3)의 헤이즈가 증가할 수도 있다. 이러한 경우, 다이싱 공정 후의 검사 공정에서 반도체 칩을 관찰할 때, 광선 투과율이 낮을 수 있어, 반도체 칩의 치핑 등과 같은 불량 발생을 검출할 수 없는 사태가 된다. 이에 반하여, 상기 일체형 필름(1)에서는, 다이싱 테이프(3)의 헤이즈가 45% 이하이고, 따라서 광선의 투과율을 높일 수 있어 반도체 칩을 용이하고 효율적으로 검사할 수 있다.
헤이즈는 시판 헤이즈 미터를 이용하여 다음 식에 따라 구할 수 있다.
헤이즈(%)=Td/Tt×100
(상기 식에서, Td는 확산 투과율을 의미하고, Tt는 전체 광선 투과율을 의미한다)
다이싱 테이프(3)의 헤이즈를 45% 이하로 조절하는 방책은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 요철 가공면(31a)과 점착제층(32)을 서로 대향시켜 적층하여 점착제층(32)에 의해 요철을 흡수시키는 방법; 기재끼리의 블록킹을 억제할 정도로, 그리고 헤이즈가 45% 이하가 될 수 있을 정도로, 요철 가공에 의해 형성되는 요철의 정도를 조절하는 방법; 노출되는 요철 가공면(31a)에 대하여 점착제층 등의 요철을 흡수할 수 있는 층을 추가로 적층하는 방법 등을 채용할 수 있다. 이들 중에서도, 점착제층(32)을 기재(31)의 요철 가공면(31a) 상에 적층하는 방법이 바람직하다. 기재(31)에 형성된 요철 가공면(31a)과 점착제층(32)을 접합함으로써, 점착제층(32)이 요철 가공면(31a)의 요철에 추종하여 기재와 점착제층이 서로 밀착되어 양자 간의 간극을 메울 수 있다. 그 결과, 임의의 추가적 부재를 필요로 하는 일 없이, 다이싱 테이프를 통과할 때의 광의 산란을 방지할 수 있고, 또한 투과율을 향상시켜 헤이즈를 효율적으로 저감할 수 있다. 요철 가공면(31a)의 요철의 정도는 통상적인 것과 동일한 정도일 수 있고, 따라서 기재(31)끼리의 블록킹을 방지하기 위한 작업성을 확보할 수 있다.
기재(31)의 한쪽 면만을 요철 가공면으로 가공할 수도 있고, 양면을 요철 가공면으로 가공할 수도 있다, 한쪽 면만을 요철 가공면으로 가공하는 경우는, 요철 가공면이 점착제층과 대향될 수 있도록 기재와 점착제층을 적층하는 것이 바람직하다. 양면을 요철 가공면으로 가공하는 경우는, 점착제층을 적층하는 면과 반대 측의 기재의 면에 요철을 흡수할 수 있는 추가적인 층을 형성하는 것이 좋을 수도 있다.
요철 가공면(31a)을 제조하기 위한 요철 가공은 형성된 요철이 기재(31)끼리의 블록킹을 억제할 수 있는 한 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 상기 요철 가공으로서는, 엠보싱 가공, 그레이닝(graining) 가공, 샌드 블라스팅 가공, 플라즈마 가공 등을 들 수 있다. 이들 요철 가공 중에서도, 시공 용이성, 블록킹 방지성 및 기재와 점착제층 간의 밀착성의 관점에서 엠보싱 가공이 바람직하다.
또한, 기재(31)의 표면에는, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해, 관용의 표면 처리, 예컨대 크로메이트 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로 또는 이온화 방사선 처리와 같은 화학적 또는 물리적 처리, 또는 하도제(예컨대 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수도 있다.
요철 가공면(31a)의 표면 조도(Ra)는 기재의 블록킹을 방지할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 0.5 내지 20㎛가 바람직하고, 1 내지 10㎛가 보다 바람직하며, 1 내지 5㎛가 보다 더 바람직하다. 표면 조도(Ra)는 JIS B0601에 따라 비코(Veeco)사의 비접촉 삼차원 표면 조도 측정 장치(NT3300)를 사용하여 측정할 수 있다. 측정 조건에 관해서는, 파워가 지시된 것의 50배이고, 측정 데이터는 메디안 필터(median filter)를 통해 처리한다. 각 샘플을, 그 표면 상의 상이한 5 개소에서 분석하고, 그 데이터를 평균하여 샘플의 표면 조도(Ra)로 한다.
상기 기재(31)로서는 동종 또는 이종의 것을 적당히 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 수종의 것을 블렌딩하여 사용할 수 있다. 또한, 기재(31)에는, 대전 방지능을 부여하기 위해, 상기 기재(31) 상에 금속, 합금 또는 이들의 산화물로 이루어지는 두께 약 30 내지 500Å 정도의 도전성 물질의 증착층을 형성할 수 있다. 기재(31)는 단층 또는 2종 이상의 복층일 수 있다.
기재(31)의 두께(적층체의 경우는 총 두께)는 특별히 제한되지 않고, 강도, 유연성, 의도된 사용 목적 등에 따라 적당히 선택될 수 있다. 예컨대, 상기 두께는 일반적으로는 1,000㎛ 이하(예컨대 1㎛ 내지 1,000㎛), 바람직하게는 10㎛ 내지 500㎛, 더 바람직하게는 20㎛ 내지 300㎛, 특히 바람직하게는 약 30㎛ 내지 200㎛이지만, 이에 한정되지 않는다.
한편, 기재(31)는, 본 발명의 이점 등을 손상시키지 않는 범위에서 각종 첨가제(착색제, 충전제, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 난연제 등)를 함유할 수도 있다.
(점착제층)
점착제층(32)은 점착제로 형성되고 점착성을 갖는다. 점착제층(32)은 점착성 및 유연성으로 의해 기재(31)의 요철 가공면(31a)의 요철에 잘 추종하여, 기재(31)와 점착제층(32) 사이의 간극을 메워 다이싱 테이프(3)의 헤이즈를 저감시킬 수 있다.
상기 점착제는 특별히 한정되지 않고, 공지된 점착제 중에서 적절히 선택될 수 있다. 구체적으로, 점착제로서는, 예컨대 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 바이닐 알킬 에테르계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스터계 점착제, 폴리아마이드계 점착제, 우레탄계 점착제, 불소계 점착제, 스타이렌-다이엔 블록 공중합체계 점착제, 및 이들 점착제에 융점이 약 200℃ 이하인 열용융성 수지를 혼입하여 제조된 크리프 특성 개량형 점착제와 같은 공지된 점착제(예컨대, 본원에 참고로 인용된 일본 특허공개 소56-61468호 공보, 일본 특허공개 소61-174857호 공보, 일본 특허공개 소63-17981호 공보, 일본 특허공개 소56-13040호 공보 참조) 중에서, 상기 특성을 갖는 점착제를 적절히 선택하여 본 발명에서 사용할 수 있다. 또한, 점착제로서는, 방사선 경화형 점착제(또는 에너지선 경화형 점착제) 및 열팽창성 점착제를 사용할 수도 있다. 이러한 점착제 1종 이상을 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명에서 상기 점착제로서는, 아크릴계 점착제 및 고무계 점착제를 사용하는 것이 바람지하고, 아크릴계 점착제가 보다 바람직하다. 아크릴계 점착제로서는, 알킬 (메트)아크릴이트 1종 이상을 단량체 성분(들)으로 하는 아크릴계 중합체(단독중합체 또는 공중합체)를 베이스 중합체로서 포함하는 아크릴계 점착제를 들 수 있다.
상기 아크릴계 점착제에 대한 알킬 (메트)아크릴레이트로서는, 예컨대 (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 프로필, (메트)아크릴산 아이소프로필, (메트)아크릴산 뷰틸, (메트)아크릴산 아이소뷰틸, (메트)아크릴산 s-뷰틸, (메트)아크릴산 t-뷰틸, (메트)아크릴산 펜틸, (메트)아크릴산 헥실, (메트)아크릴산 헵틸, (메트)아크릴산 옥틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 아이소옥틸, (메트)아크릴산 노닐, (메트)아크릴산 아이소노닐, (메트)아크릴산 데실, (메트)아크릴산 아이소데실, (메트)아크릴산 운데실, (메트)아크릴산 도데실, (메트)아크릴산 트라이데실, (메트)아크릴산 테트라데실, (메트)아크릴산 펜타데실, (메트)아크릴산 헥사데실, (메트)아크릴산 헵타데실, (메트)아크릴산 옥타데실, (메트)아크릴산 노나데실, (메트)아크릴산 에이코실 등을 들 수 있다. 알킬 (메트)아크릴레이트로서는, 알킬기의 탄소수가 4 내지 18인 알킬 (메트)아크릴레이트가 바람직하다. 알킬 (메트)아크릴레이트에서, 알킬기는 직쇄상 또는 분기쇄상일 수 있다.
상기 아크릴계 중합체는 그의 응집력, 내열성 및 가교성의 개질을 목적으로, 필요에 따라, 상기 알킬 (메트)아크릴레이트와 공중합 가능한 임의의 다른 단량체 성분(공중합성 단량체 성분)에 대응하는 단위를 함유할 수도 있다. 이러한 공중합성 단량체 성분으로서는, 예컨대 (메트)아크릴산(아크릴산, 메타크릴산), 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물기 함유 단량체; (메트)아크릴산 하이드록시에틸, (메트)아크릴산 하이드록시프로필, (메트)아크릴산 하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 하이드록시헥실, (메트)아크릴산 하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 하이드록시데실, (메트)아크릴산 하이드록시라우릴, (4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸 메타크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 단량체; 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아마이드-프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 단량체; 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; (메트)아크릴아마이드, N,N-다이메틸 (메트)아크릴아마이드, N-뷰틸 (메트)아크릴아마이드, N-메틸올 (메트)아크릴아마이드, N-메틸올프로페인 (메트)아크릴아마이드 등의 (N-치환) 아마이드계 단량체; (메트)아크릴산 아미노에틸, (메트)아크릴산 N,N-다이메틸아미노에틸, (메트)아크릴산 t-뷰틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산 아미노알킬계 단량체; (메트)아크릴산메톡시에틸, (메트)아크릴산 에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산 알콕시알킬계 단량체; 아크릴로나이트릴, 메타크릴로나이트릴 등의 사이아노아크릴레이트 단량체; (메트)아크릴산 글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 단량체; 스타이렌, α-메틸스타이렌 등의 스타이렌계 단량체; 아세트산 바이닐, 프로피온산 바이닐 등의 바이닐 에스터계 단량체; 아이소프렌, 뷰타다이엔, 아이소뷰틸렌 등의 올레핀계 단량체; 바이닐 에테르 등의 바이닐 에테르계 단량체; N-바이닐피롤리돈, 메틸바이닐피롤리돈, 바이닐피리딘, 바이닐피페리돈, 바이닐피리미딘, 바이닐피페라진, 바이닐피라진, 바이닐피롤, 바이닐이미다졸, 바이닐옥사졸, 바이닐모폴린, N-바이닐카본아마이드류, N-바이닐카프로락탐 등의 질소 함유 단량체; N-사이클로헥실말레이미드, N-아이소프로필말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드 등의 말레이미드계 단량체; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-뷰틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-사이클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 단량체; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌석신이미드, N-(메트)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌석신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌석신이미드 등의 석신이미드계 단량체; (메트)아크릴산 폴리에틸렌 글리콜, (메트)아크릴산 폴리프로필렌 글리콜, (메트)아크릴산 메톡시에틸렌 글리콜, (메트)아크릴산 메톡시폴리프로필렌 글리콜 등의 아크릴 글리콜레이트계 단량체; (메트)아크릴산 테트라하이드로퍼퓨릴, 플루오로(메트)아크릴레이트, 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 헤테로환, 할로젠 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴레이트계 단량체; 헥세인다이올 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스터 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 다이바이닐벤젠, 뷰틸 다이(메트)아크릴레이트, 헥실 다이(메트)아크릴레이트 등의 다작용성 단량체 등을 들 수 있다. 이들 공중합성 단량체 성분 1종 이상을 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용 가능한 방사선 경화형 점착제(또는 에너지선 경화형 점착제)(조성물)로서는, 예컨대 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중, 또는 주쇄 말단에 갖는 중합체를 베이스 중합체로서 포함한 내재형의 방사선 경화형 점착제, 및 점착제 중에 자외선 경화성의 단량체 성분 또는 올리고머 성분을 혼입하여 제조된 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 또한 열팽창성 점착제도 본 발명에서 사용 가능하며, 그 예로는 점착제와 발포제(특히 열팽창성 미소구)를 포함하는 열팽창성 점착제를 들 수 있다.
본 발명에서, 점착제층(32)은, 본 발명의 이점을 손상시키지 않는 범위에서 각종 첨가제(예컨대, 점착 부여 수지, 착색제, 증점제, 증량제, 충전제, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 가교제 등)를 함유할 수도 있다.
상기 가교제는 특별히 제한되지 않고, 공지된 가교제를 사용할 수 있다. 구체적으로, 가교제로서는, 아이소사이아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 멜라민계 가교제 및 과산화물계 가교제뿐만 아니라, 요소계 가교제, 금속 알콕사이드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카보다이이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있고, 아이소사이아네이트계 가교제 또는 에폭시계 가교제가 적합하다. 가교제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 한편, 가교제의 사용량은 특별히 제한되지 않는다.
상기 아이소사이아네이트계 가교제의 예로는, 1,2-에틸렌 다이아이소사이아네이트, 1,4-뷰틸렌 다이아이소사이아네이트 및 1,6-헥사메틸렌 다이아이소사이아네이와 같은 저급 지방족 폴리아이소사이아네이트류; 사이클로펜틸렌 다이아이소사이아네이트, 사이클로헥실렌 다이아이소사이아네이트, 아이소포론 다이아이소사이아네이트, 수소 첨가 톨릴렌 다이아이소사이아네이트 및 수소 첨가 자일릴렌 다이아이소사이아네이트와 같은 지환족 폴리아이소사이아네이트류; 및 2,4-톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 2,6-톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 4,4'-다이페닐메테인 다이아이소사이아네이트 및 자일릴렌 다이아이소사이아네이트와 같은 방향족 폴리아이소사이아네이트류를 들 수 있다. 또한, 트라이메틸올프로페인/톨릴렌 다이아이소사이아네이트 삼량체 부가물[닛폰폴리우레탄공업(주)제의 상품명 "콜로네이트 L"], 트라이메틸올프로페인/헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 삼량체 부가물(닛폰폴리우레탄공업(주)제, 상품명 "콜로네이트 HL"] 등도 사용된다. 또한, 상기 에폭시계 가교제의 예로는, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일렌다이아민, 다이글리시딜아닐린, 1,3-비스(N,N-글리시딜아미노메틸)사이클로헥세인, 1,6-헥세인다이올 다이글리시딜 에테르, 네오펜틸 글리콜 다이글리시딜 에테르, 에틸렌 글리콜 다이글리시딜 에테르, 프로필렌 글리콜 다이글리시딜 에테르, 폴리에틸렌 글리콜 다이글리시딜 에테르, 폴리프로필렌 글리콜 다이글리시딜 에테르, 소르비톨 폴리글리시딜 에테르, 글리세롤 폴리글리시딜 에테르, 펜타에리트리톨 폴리글리시딜 에테르, 폴리글리세롤 폴리글리시딜 에테르, 소르비탄 폴리글리시딜 에테르, 트라이메틸올프로페인 폴리글리시딜 에테르, 아디프산 다이글리시딜 에스터, o-프탈산 다이글리시딜 에스터, 트라이글리시딜-트리스(2-하이드록시에틸)아이소사이아누레이트, 레조르신 다이글리시딜 에테르, 및 비스페놀-S-다이글리시딜 에테르, 그리고 분자 내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시계 수지를 들 수 있다.
본 발명에서는, 가교제를 사용하는 대신에 또는 가교제를 사용함과 함께, 전자선 또는 자외선의 조사를 통해 점착제층을 가교시킬 수도 있다.
점착제층(32)은, 예컨대 점착제(감압 접착제)와 임의의 용매 및 기타 첨가제를 혼합한 후, 그 혼합물을 시트 형상의 층으로 형성하는 것을 포함하는 관용의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 예컨대 점착제와 임의의 용매 및 기타 첨가제를 함유하는 혼합물을 기재(31) 상에 도포하는 것을 포함하는 방법; 적당한 세퍼레이터(예컨대 박리지) 상에 상기 혼합물을 도포하여 점착제층(32)을 형성한 후, 이를 기재(31) 상에 전사(이착)하는 것을 포함하는 방법 등을 들 수 있다.
점착제층(32)의 두께는 특별히 제한되지 않고, 예컨대 5㎛ 내지 200㎛이고, 바람직하게는 5㎛ 이상 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상 45㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 5㎛ 이상 40㎛ 이하이다. 점착제층(32)의 두께가 상기 범위 내이면, 점착제층(32)이 적절한 점착력을 발휘할 수 있으며, 기재의 요철 가공면과 점착제층 간의 밀착성을 충분히 높일 수 있고, 또한 다이싱되고 있는 반도체 웨이퍼의 유지력을 확보할 수 있다. 점착제층(32)은 단층 또는 복층일 수 있다.
상기 다이싱 테이프(3)의 점착제층(32)의 플립 칩형 반도체 이면용 필름(2)에 대한 접착력(23℃, 박리 각도 180도, 박리 속도 300mm/분)은 0.02N/20mm 내지 10N/20mm의 범위가 바람직하고, 0.05N/20mm 내지 5N/20mm의 범위가 보다 바람직하다. 상기 접착력이 0.02N/20mm 이상이면, 반도체 웨이퍼의 다이싱시에 반도체 소자의 칩 비산을 방지할 수 있다. 한편, 상기 접착력이 10N/20mm 이하이면, 반도체 소자를 픽업할 때에 상기 반도체 소자의 박리를 용이하게 하고, 점착제가 잔류하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 본 발명에서는, 플립 칩형 반도체 이면용 필름(2) 또는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)에 대전 방지능을 갖게 할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 그의 접착시 및 박리시의 정전기 발생으로 인해 또는 상기 정전기에 의한 반도체 웨이퍼 등의 대전으로 인해 회로가 파괴되는 것을 방지할 수 있다. 대전 방지능의 부여는, 기재(31), 점착제층(32) 및 반도체 이면용 필름(2)에 대전 방지제 또는 도전성 물질을 첨가하는 방법, 또는 기재(31) 상에 전하 이동 착체, 금속막 등으로 이루어지는 도전층을 부설하는 방법과 같은 적당한 방식으로 수행할 수 있다. 이들 방법으로서는, 반도체 웨이퍼를 변질시킬 우려가 있는 불순물 이온이 발생하기 어려운 방법이 바람직하다. 도전성의 부여, 열 전도성의 향상 등을 목적으로 배합되는 도전성 물질(도전 충전제)의 예로는, 은, 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 도전성 합금 등의 구상, 침상 또는 플레이크상 금속 분말; 알루미나와 같은 금속 산화물; 비정질 카본 블랙; 및 흑연을 들 수 있다. 단, 상기 반도체 이면용 필름(2)은 비도전성인 것이, 전기적 누설이 없다는 점에서 바람직하다.
또한, 플립 칩형 반도체 이면용 필름(2) 또는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)은 롤 형상으로 감긴 형태로 형성될 수도 있고, 시트(필름)가 적층된 형태로 형성될 수도 있다. 예컨대, 롤 형상으로 감긴 형태를 갖는 경우, 반도체 이면용 필름(2), 또는 반도체 이면용 필름(2)과 다이싱 테이프(3)의 적층체를, 필요에 따라 세퍼레이터에 의해 보호한 상태로 롤 형상으로 감아, 롤 형상으로 감긴 상태 또는 형태의 반도체 이면용 필름(2) 또는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)으로서 제작할 수 있다. 이와 관련하여, 롤 형상으로 감긴 상태 또는 형태의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)은, 기재(31), 상기 기재(31)의 한쪽 면 상에 형성된 점착제층(32), 상기 점착제층(32) 상에 형성된 반도체 이면용 필름, 및 상기 기재(31)의 다른 쪽 면 상에 형성된 박리 처리층(배면 처리층)으로 구성될 수도 있다.
한편, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)의 두께(반도체 이면용 필름의 두께와 기재(31) 및 점착제층(32)을 포함하는 다이싱 테이프의 두께의 총 두께)는 예컨대 8㎛ 내지 1,500㎛의 범위로부터 선택될 수 있고, 바람직하게는 20㎛ 내지 850㎛, 보다 바람직하게는 31㎛ 내지 500㎛, 특히 바람직하게는 47㎛ 내지 330㎛이다.
이와 관련하여, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)에 있어서, 반도체 이면용 필름(2)의 두께와 다이싱 테이프(3)의 점착제층(32)의 두께의 비, 또는 반도체 이면용 필름(2)의 두께와 다이싱 테이프(3)의 두께(기재(31) 및 점착제층(32)의 총 두께)의 비를 조절함으로써, 다이싱 공정시의 다이싱성, 픽업 공정시의 픽업성 등을 향상시킬 수 있고, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정으로부터 반도체 칩의 플립 칩 본딩 공정까지 유효하게 이용할 수 있다.
(다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 제조 방법)
본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 제조 방법은, 요철 가공면을 갖는 기재를 준비하는 공정, 상기 기재의 상기 요철 가공면 측에 점착제층을 적층하는 공정, 및 상기 점착제층 상에 반도체 이면용 필름을 적층하는 공정을 포함한다. 상기 제조 방법 (i)에 따르면, 기재의 요철 가공면 측에 점착제층을 적층하기 때문에, 요철 가공면에 의해 형성된 간극을 점착제층이 충분히 메울 수 있고, 이에 의해, 결과적으로 다이싱 테이프의 헤이즈가 저감된 다이싱 테이프 일체형 필름을 효율적으로 제조할 수 있다.
본 실시형태에 따른 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 제조 방법에 관하여, 도 1에 도시된 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 예로 하여 설명한다. 우선, 기재(31)는 종래 공지된 제막 방법에 의해 형성할 수 있다. 상기 제막 방법의 예로는, 예컨대 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T 다이 압출법, 공압출법 및 건식 라미네이트법을 들 수 있다.
다음에, 상기와 같이 제막한 기재(31)에 요철 가공을 실시하여 요철 가공면(31a)을 형성한다. 요철은 임의의 통상적인 공지 방법에 의해 가공될 수 있다. 또한, 경우에 따라, 요철 가공이 실시된 시판중의 기재를 본 발명에서 사용할 수도 있다.
다음에, 기재(31)에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜) 점착제층(32)을 형성한다. 도포 방식으로서는, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비어 도공 등을 들 수 있다. 한편, 점착제층 조성물을 직접 기재(31)에 도포하여 기재(31) 상에 점착제층(32)을 형성할 수도 있고, 또한 점착제 조성물을 표면이 윤활 처리된 박리지 등에 도포하여 점착제층(32)을 형성시킨 후, 상기 점착제층(32)을 기재(31) 상에 전사시킬 수도 있다. 이에 의해, 기재(31) 상에 점착제층(32)이 형성된 다이싱 테이프(3)가 형성된다.
전술한 바와 같이, 점착제층(32)은 도포 시스템 또는 전사 시스템에 따라 기재(31) 상에 형성될 수도 있지만, 기재(31)와 점착제층(32) 간의 밀착성을 용이하게 조정한다는 관점에서 전사 시스템이 바람직하다. 전사 시스템에서는, 상기 층을 실온에서 전사할 수도 있고 가열 하에 전사할 수도 있다. 이 경우, 상기 층을 가압 하에 전사하는 것이 바람직하다. 하나의 바람직한 전사 시스템은 기재(31)와 점착제층(32)을 열 라미네이트에 의해 적층하는 시스템이다. 열 라미네이트시의 가열에 의해 점착제층의 점성 및 유연성이 높아지고, 이에 의해, 요철 가공면의 요철에의 점착제층의 추종성을 향상시킬 수 있고, 그 결과, 기재와 점착제층 사이의 간극을 효율적으로 제거하여 다이싱 테이프의 헤이즈를 더욱 저감시킬 수 있다. 열 라미네이트의 조건에 관해서는, 예컨대 30 내지 100℃에서 0.1 내지 10초 동안 0.1 내지 10MPa로 압착시키는 방법을 바람직하게 채용할 수 있다.
한편, 반도체 이면용 필름(2)을 형성하기 위한 형성 재료를 박리지 상에 건조 후 소정 두께를 갖는 도포층을 형성하도록 도포한 후, 소정 조건 하에 건조하여(열경화가 필요한 경우에는 임의로 가열하고, 건조하여) 도포층을 형성한다. 이 도포층을 상기 점착제층(32) 상에 전사함으로써 반도체 이면용 필름(2)을 점착제층(32) 상에 형성한다. 또한, 상기 점착제층(32) 상에, 반도체 이면용 필름(2)을 형성하기 위한 형성 재료를 직접 도포한 후, 소정 조건 하에 건조하는(열경화가 필요한 경우에는 임의로 가열하고, 건조하는) 것에 의해서도 반도체 이면용 필름(2)을 점착제층(32) 상에 형성할 수 있다. 이상과 같은 방법에 의해, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 얻을 수 있다. 한편, 반도체 이면용 필름(2)을 형성할 때에 열경화가 필요한 경우, 도포층이 부분 경화될 수 있을 정도로 열경화를 수행하는 것이 중요하지만, 바람직하게는 도포층을 열경화시키지 않는다.
본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)은 플립 칩 본딩 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조시에 적합하게 사용될 수 있다. 즉, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)은 플립 칩 실장된 반도체 장치를 제조할 때에 사용되어, 반도체 칩의 이면에 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)의 반도체 이면용 필름(2)이 부착되어 있는 상태 또는 형태로 플립 칩 실장된 반도체 장치가 제조된다. 따라서, 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)은 플립 칩 실장된 반도체 장치(반도체 칩이 기판 등의 피착체에 플립 칩 본딩 방식으로 고정된 상태 또는 형태의 반도체 장치)에 사용될 수 있다.
반도체 이면용 필름(2)은, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)에서와 같이, 플립 칩 실장된 반도체 장치(반도체 칩이 기판 등의 피착체에 플립 칩 본딩 방식으로 고정된 상태 또는 형태의 반도체 장치)에 사용될 수 있다.
(반도체 웨이퍼)
반도체 웨이퍼는 공지 또는 관용의 반도체 웨이퍼인 한 특별히 제한되지 않고, 각종 소재로 제조된 반도체 웨이퍼로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 본 발명에서는, 반도체 웨이퍼로서 실리콘 웨이퍼를 적합하게 사용할 수 있다.
(반도체 장치의 제조 방법)
본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 관하여 도 2a 내지 2d를 참조하면서 설명한다. 도 2a 내지 2d는 상기 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 사용한 경우의 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 단면 모식도이다. 간략화를 위해 기재의 요철 가공면은 도면에서 생략되어 있다.
상기 반도체 장치의 제조 방법에 따라, 상기 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 사용하여 반도체 장치를 제조할 수 있다. 구체적으로는, 상기 방법은 상기 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에서의 반도체 이면용 필름 상에 반도체 웨이퍼를 부착하는 공정, 상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 형성하는 공정, 상기 반도체 칩을 검사하는 공정, 상기 반도체 칩을 상기 반도체 이면용 필름과 함께 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 박리하는 공정, 및 상기 반도체 칩을 피착체 상에 플립 칩 접속하는 공정을 적어도 포함한다.
(마운팅 공정)
우선, 도 2a에 도시된 바와 같이, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)의 반도체 이면용 필름(2) 상에 임의로 설치된 세퍼레이터를 적당히 박리하고, 상기 반도체 이면용 필름(2) 상에 반도체 웨이퍼(4)를 부착하여 접착 유지시켜 고정한다(마운팅 공정). 이때, 상기 반도체 이면용 필름(2)은 미경화 상태(반경화 상태를 포함함)에 있다. 또한, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)은 반도체 웨이퍼(4)의 이면에 부착된다. 반도체 웨이퍼(4)의 이면이란, 회로면과는 반대 측의 면(비회로면, 전극 비형성 면 등으로도 지칭됨)을 의미한다. 부착 방법은 특별히 제한되지 않지만, 압착에 의한 방법이 바람직하다. 압착은 통상 압착 롤과 같은 압착 수단으로 압착하면서 수행된다.
(다이싱 공정)
다음에, 도 2b에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(4)를 소정의 크기로 절단하고 개별화하여(작은 조각들로 형성하여) 반도체 칩(5)을 제조한다. 다이싱은 예컨대 반도체 웨이퍼(4)의 회로면 측으로부터 통상적 방법에 따라 수행된다. 또한, 본 공정에서는, 예컨대 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)에 도달하는 슬릿을 형성하는 풀-컷(full-cut)이라 불리는 절단 방법 채용할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치는 특별히 제한되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(4)는, 반도체 이면용 필름을 갖는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)에 의해 우수한 밀착성으로 접착 고정되어 있기 때문에, 칩 균열 및 칩 비산을 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다. 이와 관련하여, 반도체 이면용 필름(2)이 에폭시 수지를 함유하는 수지 조성물로 형성되면, 다이싱에 의해 절단되더라도 그 절단면에서 반도체 이면용 필름의 접착제층으로부터 접착제 밀려나옴의 발생을 억제 또는 방지할 수 있다. 그 결과, 절단면끼리의 재부착(블록킹)을 억제 또는 방지할 수 있어, 후술하는 픽업을 더욱 편리하게 수행할 수 있다.
다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 팽창시키는 경우, 상기 팽창은 종래 공지된 팽창 장치를 사용하여 수행할 수 있다. 팽창 장치는 다이싱 링을 통해 가열 박리 시트 일체형 반도체 이면용 필름(1)을 아래로 밀어낼 수 있는 도넛 형상의 외부 링과, 상기 외부 링보다도 직경이 작고 가열 박리 시트 일체형 반도체 이면용 필름을 지지하는 내부 링을 갖는다. 이 팽창 공정으로 인해, 후술하는 픽업 공정에서 서로의 접촉을 통한 인접 반도체 칩들의 파손을 방지할 수 있다.
(검사 공정)
다음에, 검사 공정에서, 다이싱으로 얻어지는 반도체 칩을 치핑 등과 같은 불량에 대해 검사한다. 검사 방법은 특별히 한정되지 않고, 예컨대 광학 현미경, 적외선 조사, CCD 카메라 등에 의한 화상 인식을 통한 검사를 들 수 있다. 예컨대, 적외선 조사를 통한 검사에서, 다이싱에 의해 형성된 반도체 칩 사이의 간극(소위 다이싱 스트리트(street))을 향해 다이싱 테이프 측으로부터 적외선을 조사하고, 그때의 투시 화상을 적외선 카메라 등에 의해 포착함으로써 반도체 칩의 불량을, 만일 있다면 검출할 수 있다. 상기 제조 방법 (I)에 따르면, 다이싱 테이프의 헤이즈를 저감시킨 상기 일체형 필름을 사용하고 있기 때문에, 다이싱 공정 후의 검사 공정을 적외선 조사를 통해 효율적으로 달성할 수 있다. 그 결과, 양질의 제품과 불량품을 신속하고 용이하게 판별할 수 있기 때문에, 반도체 장치의 제조 수율을 향상시킬 수 있다. 물론, 임의의 다른 검사 방법도 동일한 효과 및 이점을 가져올 수 있다.
(픽업 공정)
다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 회수하기 위해, 도 2c에 도시된 바와 같이, 반도체 칩(5)의 픽업을 수행하여 반도체 칩(5)을 반도체 이면용 필름(2)과 함께 다이싱 테이프(3)로부터 박리시킨다. 픽업의 방법은 특별히 제한되지 않고, 종래 공지된 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 예컨대, 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1)의 기재(31) 측으로부터 니들로 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 것을 포함하는 방법을 들 수 있다. 이와 관련하여, 픽업된 반도체 칩(5)의 이면은 반도체 이면용 필름(2)에 의해 보호된다.
(플립 칩 접속 공정)
픽업한 반도체 칩(5)은, 도 2d에 도시된 바와 같이, 기판 등의 피착체에 플립 칩 본딩 방식(플립 칩 실장 방식)에 의해 고정시킨다. 구체적으로는, 반도체 칩(5)을, 반도체 칩(5)의 회로면(표면, 회로 패턴 형성 면, 전극 형성 면 등으로도 칭함)이 피착체(6)에 대향되는 형태로 피착체(6)에 통상적 방법에 따라 고정시킨다. 예컨대, 반도체 칩(5)의 회로면 측에 형성된 범프(51)를 피착체(6)의 접속 패드에 부착된 접합용 도전재(61)(예컨대 땜납)에 접촉시키고, 도전재(61)를 가압 하에 용융시킴으로써, 반도체 칩(5)과 피착체(6) 간의 전기적 접속을 확보할 수 있고, 반도체 칩(5)을 피착체(6)에 고정시킬 수 있다(플립 칩 본딩 공정). 이때, 반도체 칩(5)과 피착체(6) 사이에는 간극이 형성되고, 그 간극들 간의 거리는 일반적으로 약 30㎛ 내지 300㎛이다. 이와 관련하여, 반도체 칩(5)을 피착체(6) 상에 플립 칩 본딩(플립 칩 접속)한 후에는, 반도체 칩(5)과 피착체(6)의 대향 면 및 간극을 세정하고, 상기 간극에 봉지재(예컨대 봉지 수지)를 충전시켜 봉지를 수행하는 것이 중요하다.
피착체(6)로서는, 리드 프레임 및 회로 기판(배선 회로 기판 등)과 같은 각종 기판을 사용할 수 있다. 상기 기판의 재질은 특별히 제한되지 않고, 세라믹 기판 및 플라스틱 기판을 들 수 있다. 플라스틱 기판의 예로는, 에폭시 기판, 비스말레이미드 트라이아진 기판 및 폴리이미드 기판을 들 수 있다.
플립 칩 본딩 공정에서, 범프 및 도전재의 재질은 특별히 제한되지 않고, 그 예로는 주석-납계 금속재, 주석-은계 금속재, 주석-은-구리계 금속재, 주석-아연계 금속재 및 주석-아연-비스무트계 금속재와 같은 땜납류(합금), 및 금계 금속재 및 구리계 금속재를 들 수 있다.
한편, 플립 칩 본딩 공정에서는, 도전재를 용융시켜 반도체 칩(5)의 회로면 측의 범프와 피착체(6) 표면의 도전재를 접속시킨다. 도전재의 용융시의 온도는 통상 약 260℃(예컨대 250℃ 내지 300℃)이다. 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름은, 반도체 이면용 필름을 에폭시 수지 등으로 형성함으로써 플립 칩 본딩 공정에서의 고온에도 견딜 수 있는 내열성을 갖도록 할 수 있다.
본 공정에서는, 반도체 칩(5)과 피착체(6)의 대향 면(전극 형성 면) 및 간극을 세정하는 것이 바람직하다. 상기 세정에 사용되는 세정액은 특별히 제한되지 않고, 그 예로는 유기계 세정액 및 수계 세정액을 들 수 있다. 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에서의 반도체 이면용 필름은 세정액에 대한 내용제성을 갖고, 이들 세정액에 대해 실질적으로 용해성을 갖지 않는다. 그 때문에, 전술한 바와 같이, 세정액으로서는 각종 세정액을 사용할 수 있며, 특별한 세정액을 필요로 하지 않고 임의의 종래의 방법에 의해 세정을 수행할 수 있다.
다음에, 플립 칩 본딩된 반도체 칩(5)과 피착체(6) 사이의 간극을 봉지하기 위해 봉지 공정을 수행한다. 봉지 공정은 봉지 수지를 사용하여 수행된다. 이때의 봉지 조건은 특별히 제한되지 않지만, 통상 175℃에서 60초 내지 90초 동안 봉지 수지의 경화가 수행된다. 그러나, 본 발명에서는 이에 한정되지 않고, 예컨대 165 내지 185℃의 온도에서 수 분 동안 경화를 수행할 수도 있다. 본 공정에서의 열 처리에 의해, 봉지 수지뿐만 아니라 반도체 이면용 필름(2)도 동시에 열경화된다. 이에 의해, 봉지 수지 및 반도체 이면용 필름(2)이 모두 열경화의 진행에 따라 경화, 수축된다. 그 결과, 봉지 수지의 경화 수축에 기인하여 반도체 칩(5)에 주어지는 응력은 반도체 이면용 필름(2)의 경화 수축을 통해 상쇄 또는 완화될 수 있다. 또한, 본 공정에서, 반도체 이면용 필름(2)을 완전히 또는 거의 완전히 열경화시킬 수 있고, 우수한 밀착성으로 반도체 소자의 이면에 부착시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 이면용 필름(2)은 이것이 미경화 상태에 있을 때에도 상기 봉지 공정에서 봉지재와 함께 열경화될 수 있어, 반도체 이면용 필름(2)을 열경화시키기 위한 공정을 새로 추가할 필요가 없다.
상기 봉지 수지는 절연성을 갖는 수지(절연 수지)인 한 특별히 제한되지 않고, 봉지 수지와 같은 공지된 봉지재 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 상기 봉지 수지는 바람직하게는 탄성을 갖는 절연 수지이다. 봉지 수지의 예로는, 에폭시 수지를 함유하는 수지 조성물을 들 수 있다. 에폭시 수지로서는, 상기에 예시한 에폭시 수지를 들 수 있다. 또한, 에폭시 수지를 함유하는 수지 조성물로 이루어진 봉지 수지는 에폭시 수지 이외에, 에폭시 수지 이외의 열경화성 수지(예컨대 페놀 수지) 또는 열가소성 수지를 함유할 수도 있다. 한편, 페놀 수지는 에폭시 수지의 경화제로서도 이용할 수 있고, 이러한 페놀 수지로서는, 상기에서 예시된 페놀 수지를 들 수 있다.
상기 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1) 또는 반도체 이면용 필름(2)을 사용하여 제조된 반도체 장치(플립 칩 실장된 반도체 장치)에 따르면, 반도체 칩의 이면에 반도체 이면용 필름이 부착되어 있기 때문에, 레이저 마킹을 우수한 시인성으로 적용할 수 있다. 특히, 마킹 방법이 레이저 마킹 방법일 때에도, 우수한 콘트라스트비로 레이저 마킹을 적용할 수 있고, 레이저 마킹에 의해 적용된 각종 정보(예컨대 문자 정보 및 도형 정보)를 양호한 시인성으로 관찰하는 것이 가능하다. 레이저 마킹시에는, 공지된 레이저 마킹 장치를 이용할 수 있다. 또한, 레이저로서는, 기체 레이저, 고체 레이저 및 액체 레이저와 같은 각종 레이저를 이용할 수 있다. 구체적으로, 기체 레이저로서는, 특별한 제한 없이 공지된 기체 레이저를 이용할 수 있지만, 탄산 가스 레이저(CO2 레이저) 및 엑시머 레이저(ArF 레이저, KrF 레이저, XeCl 레이저, XeF 레이저 등)가 적합하다. 고체 레이저로서는, 특별한 제한 없이 공지된 고체 레이저를 이용할 수 있지만, YAG 레이저(예컨대 Nd:YAG 레이저) 및 YVO4 레이저가 적합하다.
본 발명의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름(1) 또는 반도체 이면용 필름(2)을 사용하여 제조된 반도체 장치는 플립 칩 실장 방법으로 실장된 반도체 장치이기 때문에, 다이본딩 실장 방법으로 실장된 반도체 장치와 비교하여 박형화, 소형화된 형상을 갖는다. 따라서, 각종 전자 기기·전자 부품 또는 그들의 재료·부재로서 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 플립 칩 실장된 반도체 장치가 이용되는 전자 기기로서는, 소위 "휴대 전화"나 "PHS", 소형 컴퓨터[예컨대, 소위 "PDA"(휴대 정보 단말), 소위 "노트북 컴퓨터", 소위 "네트 북(상표)", 소위 "웨어러블 컴퓨터" 등], "휴대 전화" 및 컴퓨터가 일체화된 소형 전자 기기, 소위 "디지털 카메라(상표)", 소위 "디지털 비디오 카메라", 소형 텔레비전, 소형 게임 기기, 소형의 디지털 오디오 플레이어, 소위 "전자 수첩", 소위 "전자 사전", 소위 "전자 서적"용 전자 기기 단말, 소형 디지털 타입의 시계 등의 모바일형 전자 기기(운반 가능한 전자 기기) 등을 들 수 있다. 물론 모바일형 이외(설치형 등)의 전자 기기, 예컨대 소위 "데스크탑 퍼스널 컴퓨터", 박형 텔레비전, 녹화·재생용 전자 기기(하드 디스크 리코더, DVD 플레이어 등), 프로젝터, 마이크로머신 등도 들 수 있다. 또한, 전자 부품 또는 전자 기기·전자 부품의 재료·부재는 특별히 제한되지 않고, 그 예로는 소위 "CPU"의 부품 및 각종 기억 장치(소위 "메모리", 하드 디스크 등)의 부재를 들 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 관하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 예 중, 부는 달리 규정하지 않는 한 중량 기준이다.
<다이싱 테이프 A의 제작>
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, "2EHA"라고 함) 86.4부, 아크릴산 2-하이드록시에틸(이하, "HEA"라고 함) 13.6부, 과산화벤조일 0.2부 및 톨루엔 65부를 투입하고, 전체를 질소 기류 중 61℃에서 6시간 중합 처리하여 아크릴계 중합체 A를 얻었다.
아크릴계 중합체 A에 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트(이하, "MOI"라고 함) 14.6부를 가하고, 전체를 공기 기류 중 50℃에서 48시간 동안 부가 반응 처리하여 아크릴계 중합체 A'를 얻었다.
이어서, 아크릴계 중합체 A' 100부에 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 "콜로네이트 L", 닛폰폴리우레탄(주)제) 2부 및 광 중합 개시제(상품명 "이르가큐어 651", 치바스페셜티케미컬즈사제) 5부를 가하여 점착제 조성물 용액 A를 얻었다.
점착제 조성물 용액 A를 PET 박리 라이너의 실리콘 처리된 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분 동안 가열 건조하여 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.
다음에, 상기와 같이 형성된 점착제층에, 요철 가공면으로서 엠보싱 가공면을 갖는 폴리올레핀 필름을 엠보싱 가공면이 점착제층에 대향되도록 이하의 부착 조건 하에서 부착하였다. 이 폴리올레핀 필름은 그의 두께가 100㎛이고, 그의 프레임 부착 영역에 대응하는 부분에 방사선을 차광하는 인쇄층이 미리 형성된 것이다.
(부착 조건)
부착 온도: 40℃
부착 압력: 0.2MPa
그 후, 50℃에서 24시간 동안 가열 하에 가교시키고, 닛토세이키제의 자외선 조사 장치(상품명 UM-810)를 사용하여 조도 20mW/cm에서 적산 광량 400mJ/cm2까지 폴리올레핀 필름 측으로부터 자외선을 조사하여 다이싱 테이프 A를 제작하였다.
<다이싱 테이프 B의 제작>
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, "2EHA"라고 함) 86.4부, 아크릴산 2-하이드록시에틸(이하, "HEA"라고 함) 13.6부, 과산화벤조일 0.2부 및 톨루엔 65부를 투입하고, 전체를 질소 기류 중 61℃에서 6시간 중합 처리하여 아크릴계 중합체 B를 얻었다.
아크릴계 중합체 B에 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트(이하, "MOI"라고 함) 14.6부를 가하고, 전체를 공기 기류 중 50℃에서 48시간 동안 부가 반응 처리하여 아크릴계 중합체 B'를 얻었다.
이어서, 아크릴계 중합체 B' 100부에 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 "콜로네이트 L", 닛폰폴리우레탄(주)제) 8부 및 광 중합 개시제(상품명 "이르가큐어 651", 치바 스페셜티 케미컬즈사제) 5부를 가하여 점착제 조성물 용액 B를 얻었다.
점착제 조성물 용액 B를 PET 박리 라이너의 실리콘 처리된 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분 동안 가열 건조하여 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.
다음에, 상기와 같이 형성된 점착제층에, 요철 가공면으로서 엠보싱 가공면을 갖는 폴리올레핀 필름을 엠보싱 가공면이 점착제층에 대향되도록 <다이싱 테이프 A의 제작>과 동일한 부착 조건 하에서 부착하였다. 이 폴리올레핀 필름은 그의 두께가 100㎛이고, 프레임 부착 영역에 대응하는 부분에 방사선을 차광하는 인쇄층이 미리 형성된 것이다.
그 후, 50℃에서 24시간 동안 가열 하에 가교시키고, 닛토세이키제의 자외선 조사 장치(상품명 UM-810)를 사용하여 조도 20mW/cm에서 적산 광량 400mJ/cm2까지 폴리올레핀 필름 측으로부터 자외선을 조사하여 다이싱 테이프 B를 제작하였다.
<다이싱 테이프 C의 제작>
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, "2EHA"라고 함) 86.4부, 아크릴산 2-하이드록시에틸(이하, "HEA"라고 함) 13.6부, 과산화벤조일 0.2부 및 톨루엔 65부를 투입하고, 전체를 질소 기류 중 61℃에서 6시간 중합 처리하여 아크릴계 중합체 C를 얻었다.
아크릴계 중합체 C에 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트(이하, "MOI"라고 함) 14.6부를 가하고, 전체를 공기 기류 중 50℃에서 48시간 동안 부가 반응 처리하여 아크릴계 중합체 C'를 얻었다.
이어서, 아크릴계 중합체 C' 100부에 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 "콜로네이트 L", 닛폰폴리우레탄(주)제) 8부 및 광 중합 개시제(상품명 "이르가큐어 651", 치바 스페셜티 케미컬즈사제) 5부를 가하여 점착제 조성물 용액 C를 얻었다.
점착제 조성물 용액 C를 PET 박리 라이너의 실리콘 처리된 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하여 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.
다음에, 상기와 같이 형성된 점착제층에, 폴리올레핀 필름의 요철 가공면과는 반대 측의 필름 표면이 점착제층에 대향되도록 <다이싱 테이프 A의 제작>과 동일한 부착 조건 하에서 부착하였다. 이 폴리올레핀 필름은 그의 두께가 100㎛이고, 프레임 부착 영역에 대응하는 부분에 방사선을 차광하는 인쇄층이 미리 형성된 것이다.
그 후, 50℃에서 24시간 동안 가열 하에 가교시키고, 닛토세이키제의 자외선 조사 장치(상품명 UM-810)를 사용하여 조도 20mW/cm에서 적산 광량 400mJ/cm2까지 폴리올레핀 필름 측으로부터 자외선을 조사하여 다이싱 테이프 C를 제작하였다.
<반도체 이면용 필름의 제작>
아크릴산 에틸 및 메타크릴산 메틸을 주성분으로서 함유하는 아크릴산 에스터계 중합체(상품명 "파라크론 W-197CM", 네가미공업주식회사제) 100부를 기준으로 에폭시 수지(상품명 "에피코트 1004", JER주식회사제) 113부, 페놀 수지(상품명 "미렉스 XLC-4L", 미쓰이화학주식회사제) 121부, 구상 실리카(상품명 "SO-25R", 주식회사아드마테크스제) 246부, 염료 1(상품명 "OIL GREEN 502", 오리엔트화학공업주식회사제) 5부 및 염료 2(상품명 "Oil Black BS", 오리엔트화학공업주식회사제) 5부를 메틸 에틸 케톤에 용해시켜 고형분 농도가 23.6 중량%인 접착제 조성물 용액을 조제하였다.
이 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리를 실시한 두께 50㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분 동안 건조시켜 두께(평균 두께) 10㎛의 반도체 이면용 필름 A를 제작하였다.
실시예 1 및 2
<다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 제작>
얻어진 필름 A와 다이싱 테이프 A 또는 B를 핸드 롤러를 사용하여 부착하여 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 제작하였다.
실시예 3
폴리올레핀 필름과 점착제층을 이하의 열 라미네이트 조건 하에 부착한 것 외에는 실시예 1과 같이 하여 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 제작하였다.
(열 라미네이트 조건)
라미네이트 온도: 40℃
라미네이트 압력: 0.2MPa
비교예 1
얻어진 필름 A와 다이싱 테이프 C를 핸드 롤러를 사용하여 부착하여 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 제작하였다.
<다이싱 후의 다이싱 스트리트의 관찰>
다음에, 반도체 웨이퍼(직경: 8인치, 두께: 0.6mm; 실리콘 미러 웨이퍼)를 이면 연마 처리하고, 두께 0.2mm의 미러 웨이퍼를 워크로서 사용하였다. 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름으로부터 세퍼레이터를 박리한 후, 그 반도체 이면용 필름 상에 미러 웨이퍼(워크)를 70℃에서 롤러 압착에 의해 부착하였다. 또한, 미러 웨이퍼의 다이싱을 수행하였다. 상기 다이싱은 10mm 각(square)의 칩 크기가 되도록 풀 컷함으로써 수행하였다. 이와 관련하여, 반도체 웨이퍼 연삭 조건, 부착 조건 및 다이싱 조건은 하기와 같았다.
(반도체 웨이퍼 연삭 조건)
연삭 장치: 디스코사제의 상품명 "DFG-8560"
반도체 웨이퍼: 8인치 직경(두께 0.6mm로부터 깊이 0.2mm까지 이면 연삭)
(부착 조건)
부착 장치: 닛토세이키주식회사제의 상품명 "MA-3000III"
부착 속도: 10mm/분
부착 압력: 0.15MPa
부착시의 스테이지 온도: 70℃
(다이싱 조건)
다이싱 장치: 디스코사제의 상품명 "DFD-6361"
다이싱 링: 디스코사제 "2-8-1"
다이싱 속도: 30mm/sec
다이싱 블레이드;
Z1: 디스코사제 "203O-SE27HCDD"
Z2: 디스코사제 "203O-SE27HCBB"
다이싱 블레이드 회전수:
Z1: 40,000rpm
Z2: 45,000rpm
절단 방식: 스텝 절단
웨이퍼 칩 크기: 10.0mm 각
상기와 같이 얻어진 반도체 칩 부착 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 대하여, 그의 다이싱 테이프 측으로부터 광학 현미경을 사용하여 다이싱 스트리트를 검사하였다. 다이싱 스트리트를 관찰할 수 있었던 샘플을 양호(○), 다이싱 스트리트를 관찰할 수 없었던 샘플을 불량(×)으로 간주하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
<헤이즈의 측정>
헤이즈는 헤이즈 미터 HM-150(무라카미색채기술연구소제)을 사용하여 다음 식에 따라 구하였다.
헤이즈(%)=Td/Tt×100
(상기 식에서, Td는 샘플의 확산 투과율을 의미하고, Tt는 샘플의 전체 광선 투과율을 의미한다)
다이싱 스트리트의 관찰 헤이즈[%]
실시예 1 ○ 23
실시예 2 ○ 43
실시예 3 ○ 16
비교예 1 × 80
표 1로부터도 분명한 바와 같이, 실시예 1 내지 3의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 헤이즈는 45% 미만으로 낮아, 다이싱 스트리트를 충분히 관찰할 수 있었다. 실시예 2의 일체형 필름의 헤이즈는 실시예 1의 일체형 필름의 헤이지보다 높은데, 이는 실시예 2에서는 가교제로서의 폴리아이소사이아네이트 화합물의 양이 실시예 1에서의 양보다 많기 때문에 점착제층이 상대적으로 단단하여 엠보싱 가공면의 요철에의 추종성이 약각 저하되고, 그 결과 기재와 점착제층 사이의 간극이 증가하기 때문일 것이다. 한편, 비교예 1의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 헤이즈는 80%로 높고, 따라서 다이싱 스트리트를 관찰할 수 없었다. 이상으로부터, 실시예 1 내지 3의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 의하면 다이싱 후의 검사 공정에서 광선 투과율이 높을 수 있고, 그 결과, 반도체 칩에서의 불량 존재 유무를 용이하게 검사할 수 있음이 확인된다.
이상에서 본 발명을 그의 특정한 실시형태들을 참고하여 상세히 설명하였지만, 본 발명의 범위로부터 이탈됨 없이 다양한 변화 및 변경을 행할 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다.
본 출원은 2010년 7월 30일자로 출원된 일본 특허 출원 제2010-172489호에 기초하며, 상기 출원의 전체 내용은 본 발명에 참고로 인용된다.
1: 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름
2: 반도체 이면용 필름
3: 다이싱 테이프
31: 기재
31a: 요철 가공면
32: 점착제층
33: 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분
4: 반도체 웨이퍼
5: 반도체 칩
51: 반도체 칩(5)의 회로면 측에 형성된 범프
6: 피착체
61: 피착체(6)의 접속 패드에 피착된 접합용 도전재

Claims (8)

  1. 요철 가공면을 갖는 기재 및 이 기재 상에 적층된 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 이 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 반도체 이면용 필름을 구비하는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름으로서,
    상기 다이싱 테이프의 헤이즈가 45% 이하이고,
    상기 반도체 이면용 필름이 상기 점착제층의 전체 면에 걸쳐 형성되고,
    온도 85℃ 및 습도 85% RH의 분위기 하에서 168시간 방치한 후의 상기 반도체 이면용 필름의 흡습률이 1 중량% 이하인, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층은 기재의 요철 가공면 상에 적층된, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 요철 가공면이 엠보싱 가공면인, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재와 상기 점착제층이 열 라미네이트에 의해 적층되어 있는, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층의 두께는 5㎛ 이상 50㎛ 이하인, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 제조 방법으로서,
    요철 가공면을 갖는 기재를 준비하는 공정,
    상기 기재의 상기 요철 가공면 상에 점착제층을 적층하는 공정, 및
    상기 점착제층 상에 반도체 이면용 필름을 적층하는 공정
    을 구비하는, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기재와 상기 점착제층을 열 라미네이트에 의해 적층하는, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름의 제조 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에서의 반도체 이면용 필름 상에 반도체 웨이퍼를 부착하는 공정,
    상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 형성하는 공정,
    상기 반도체 칩을 검사하는 공정,
    상기 반도체 칩을 상기 반도체 이면용 필름과 함께 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 박리하는 공정, 및
    상기 반도체 칩을 피착체 상에 플립 칩 접속하는 공정
    을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020170095428A 2010-07-30 2017-07-27 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 Active KR101823830B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010172489A JP5432853B2 (ja) 2010-07-30 2010-07-30 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法
JPJP-P-2010-172489 2010-07-30

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160026573A Division KR101765002B1 (ko) 2010-07-30 2016-03-04 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180006321A Division KR101933339B1 (ko) 2010-07-30 2018-01-18 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170092497A true KR20170092497A (ko) 2017-08-11
KR101823830B1 KR101823830B1 (ko) 2018-01-30

Family

ID=45527139

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110075620A Ceased KR20120022589A (ko) 2010-07-30 2011-07-29 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR1020160026573A Active KR101765002B1 (ko) 2010-07-30 2016-03-04 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR1020170095433A Active KR101805367B1 (ko) 2010-07-30 2017-07-27 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR1020170095428A Active KR101823830B1 (ko) 2010-07-30 2017-07-27 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR1020180006321A Active KR101933339B1 (ko) 2010-07-30 2018-01-18 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110075620A Ceased KR20120022589A (ko) 2010-07-30 2011-07-29 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR1020160026573A Active KR101765002B1 (ko) 2010-07-30 2016-03-04 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR1020170095433A Active KR101805367B1 (ko) 2010-07-30 2017-07-27 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180006321A Active KR101933339B1 (ko) 2010-07-30 2018-01-18 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20120028380A1 (ko)
JP (1) JP5432853B2 (ko)
KR (5) KR20120022589A (ko)
CN (2) CN102373020A (ko)
TW (1) TWI444454B (ko)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6010945B2 (ja) * 2012-03-16 2016-10-19 住友ベークライト株式会社 ダイシングフィルム
US9524543B2 (en) * 2012-09-28 2016-12-20 Skyworks Solutions, Inc. Automated detection of potentially defective packaged radio-frequency modules
TWI647295B (zh) * 2012-10-05 2019-01-11 日商琳得科股份有限公司 具有保護膜形成層的切割薄片及晶片的製造方法
AU2013329251A1 (en) 2012-10-09 2015-04-30 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
KR20140063302A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 삼성디스플레이 주식회사 캐리어 기판 제거 장치, 표시장치 제조 시스템, 및 표시장치 제조 방법
HK1216305A1 (zh) * 2012-12-05 2016-11-04 Curonix Llc 用於将可植入装置连接至无线能量的装置和方法
JP6405556B2 (ja) * 2013-07-31 2018-10-17 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法
CN106415819A (zh) * 2014-01-22 2017-02-15 琳得科株式会社 保护膜形成膜、保护膜形成用片、保护膜形成用复合片及检查方法
CN111785673A (zh) * 2014-01-22 2020-10-16 琳得科株式会社 保护膜形成膜、保护膜形成用片、保护膜形成用复合片及加工物的制造方法
WO2015146936A1 (ja) * 2014-03-24 2015-10-01 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シート、ワークまたは加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、および良品と判断された加工物
AU2016215123B2 (en) 2015-02-05 2018-08-09 Avery Dennison Corporation Label assemblies for adverse environments
JP6415383B2 (ja) * 2015-04-30 2018-10-31 日東電工株式会社 半導体素子の裏面を保護するための裏面保護フィルム、一体型フィルム、フィルム、半導体装置の製造方法および保護チップの製造方法
JP6530242B2 (ja) * 2015-06-01 2019-06-12 日東電工株式会社 半導体裏面用フィルム及びその用途
JP6506118B2 (ja) * 2015-06-25 2019-04-24 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シート、ワーク又は加工物の製造方法、検査方法、良品と判断されたワーク、及び良品と判断された加工物
JP6703848B2 (ja) * 2016-02-12 2020-06-03 株式会社ディスコ 樹脂組成物および板状物の固定方法
CN108778721B (zh) * 2016-03-04 2021-06-04 琳得科株式会社 保护膜形成用复合片
CN108778722A (zh) * 2016-03-04 2018-11-09 琳得科株式会社 保护膜形成用复合片
KR102313074B1 (ko) 2016-03-24 2021-10-14 린텍 가부시키가이샤 지지 시트 및 보호막 형성용 복합 시트
US10526511B2 (en) 2016-12-22 2020-01-07 Avery Dennison Corporation Convertible pressure sensitive adhesives comprising urethane (meth)acrylate oligomers
WO2018179475A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート
JP6228343B1 (ja) * 2017-06-20 2017-11-08 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法
JP6401364B2 (ja) * 2017-10-12 2018-10-10 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シートおよびレーザー印字方法
CN110128958A (zh) * 2018-02-09 2019-08-16 日东电工株式会社 切割带
JP7190483B2 (ja) * 2018-03-30 2022-12-15 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート
JP7182610B2 (ja) * 2018-03-30 2022-12-02 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート及び保護膜付き半導体装置の製造方法
JP6445747B1 (ja) * 2018-03-30 2018-12-26 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート
CN111542912B (zh) * 2018-03-30 2023-10-13 琳得科株式会社 保护膜形成用复合片及其制造方法
JP7281873B2 (ja) 2018-05-14 2023-05-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR102220313B1 (ko) * 2018-06-20 2021-02-25 주식회사 엘지화학 점착제 조성물
JP6838018B2 (ja) * 2018-09-06 2021-03-03 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法
JP7166718B2 (ja) * 2018-10-17 2022-11-08 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN118231319A (zh) * 2019-04-26 2024-06-21 琳得科株式会社 第三层叠体、第四层叠体及带背面保护膜的半导体装置的制造方法、以及第三层叠体
KR102718468B1 (ko) 2020-07-10 2024-10-16 삼성전자주식회사 반도체 패키지 제조 방법

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4699843A (en) * 1983-06-14 1987-10-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Azlactone-containing pressure-sensitive adhesives
JPS6269640A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Nippon Carbide Ind Co Ltd ウエハダイシング用貼着フイルム
CA2283890C (en) * 1999-09-27 2007-09-18 Advanced Glazings Ltd. Honeycomb transparent insulation with improved insulating ability
JP5192622B2 (ja) * 2001-02-06 2013-05-08 アキレス株式会社 ダイシング用基体フィルム
JP2002256238A (ja) * 2001-03-05 2002-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4689075B2 (ja) * 2001-05-21 2011-05-25 日東電工株式会社 半導体ウエハ加工用保護シート
JP4266120B2 (ja) * 2002-03-27 2009-05-20 三井化学株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法
JP2004006747A (ja) * 2002-04-18 2004-01-08 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
US7534498B2 (en) * 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
JP4368093B2 (ja) * 2002-06-24 2009-11-18 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー フィルム接着剤、半導体装置及びその製造方法
JP2004300231A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Nitto Denko Corp 熱剥離性両面粘着シート、被着体の加工方法および電子部品
US20050152955A1 (en) * 2003-12-16 2005-07-14 Akhave Jay R. Electrostatically self-assembled antimicrobial coating for medical applications
JP4642436B2 (ja) * 2004-11-12 2011-03-02 リンテック株式会社 マーキング方法および保護膜形成兼ダイシング用シート
JP4876451B2 (ja) * 2005-06-27 2012-02-15 日立化成工業株式会社 接着シート
JP2007027474A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Denki Kagaku Kogyo Kk ウエハフルカット用ダイシングテープの基材フィルム及びそれを有するウエハフルカット用ダイシングテープ
JP4762671B2 (ja) * 2005-10-26 2011-08-31 古河電気工業株式会社 ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法
JP5036270B2 (ja) * 2005-12-02 2012-09-26 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シートおよびこの加熱剥離型粘着シートを用いた半導体チップの製造方法
JP2007250970A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子裏面保護用フィルム及びそれを用いた半導体装置とその製造法
WO2008038345A1 (fr) * 2006-09-27 2008-04-03 Fujitsu Microelectronics Limited Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur
JP2008102271A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Nitto Denko Corp 表面保護フィルムおよび表面保護フィルム付き光学フィルム
KR100800214B1 (ko) * 2006-12-13 2008-02-01 제일모직주식회사 반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 접착 필름
KR101140512B1 (ko) * 2007-03-01 2012-04-30 닛토덴코 가부시키가이샤 열경화형 다이본드 필름
USPP19379P3 (en) 2007-04-12 2008-10-28 S.A.R.L. Agro Selection Fruits Nectarine tree named ‘Nectarjune’
EP2241603A4 (en) * 2008-02-05 2011-07-20 Mitsui Du Pont Polychemical ADHESIVE RESIN COMPOSITION AND PRESSURE-RESISTANT TAPE OR FOIL
JP5124778B2 (ja) * 2008-09-18 2013-01-23 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
RU2557614C2 (ru) * 2010-02-26 2015-07-27 Интерконтинентал Грейт Брэндс ЛЛС Уф-отверждаемый самоклеющийся материал с низкой липкостью для повторно укупориваемых упаковок

Also Published As

Publication number Publication date
CN102373020A (zh) 2012-03-14
KR101933339B1 (ko) 2018-12-27
KR101765002B1 (ko) 2017-08-03
KR20120022589A (ko) 2012-03-12
KR101805367B1 (ko) 2017-12-05
US20120028380A1 (en) 2012-02-02
CN105666976B (zh) 2019-03-19
KR20180009807A (ko) 2018-01-29
TW201213486A (en) 2012-04-01
CN105666976A (zh) 2016-06-15
TWI444454B (zh) 2014-07-11
KR101823830B1 (ko) 2018-01-30
US20160172230A1 (en) 2016-06-16
KR20170092498A (ko) 2017-08-11
JP2012033741A (ja) 2012-02-16
KR20160030159A (ko) 2016-03-16
JP5432853B2 (ja) 2014-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101933339B1 (ko) 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101829585B1 (ko) 가열 박리 시트 일체형 반도체 이면용 필름, 반도체 소자의 회수 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101581643B1 (ko) 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름을 이용하는 반도체 장치의 제조 방법
KR101516028B1 (ko) 플립 칩형 반도체 이면용 필름
KR101823676B1 (ko) 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름
KR101688236B1 (ko) 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름
KR101647260B1 (ko) 플립 칩형 반도체 이면용 필름, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 플립 칩형 반도체 장치
KR101640349B1 (ko) 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름
US9324616B2 (en) Method of manufacturing flip-chip type semiconductor device
KR101539471B1 (ko) 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름
KR101688237B1 (ko) 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20150138835A (ko) 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름
KR20160141664A (ko) 반도체 이면용 필름 및 그의 용도
KR20150097446A (ko) 플립 칩형 반도체 이면용 필름, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 플립 칩형 반도체 장치
JP2014123743A (ja) ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
KR20160129758A (ko) 반도체 소자의 이면을 보호하기 위한 이면 보호 필름, 일체형 필름, 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 보호 칩의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
PA0107 Divisional application

Comment text: Divisional Application of Patent

Patent event date: 20170727

Patent event code: PA01071R01D

Filing date: 20160304

Application number text: 1020160026573

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20171106

A107 Divisional application of patent
PA0107 Divisional application

Comment text: Divisional Application of Patent

Patent event date: 20180118

Patent event code: PA01071R01D

Filing date: 20160304

Application number text: 1020160026573

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20180124

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20180124

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210118

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220104

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230105

Start annual number: 6

End annual number: 6