KR20170048149A - Substrate separating method - Google Patents
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Abstract
(과제) 기판에 형성되어 있는 회로에 광이 조사되는 것을 방지하면서, 적층체로부터 신속하게 지지체를 분리한다.
(해결 수단) 회로가 형성된 기판 (1) 에 있어서 회로 형성 영역의 전체 둘레를 둘러싸고, 또한 비회로 형성 영역의 반경 방향에 있어서의 폭의 65 % 이상, 100 % 미만의 영역을 차지하는 소정 영역에 대향하도록 적층되어 있는 분리층 (4) 의 적어도 일부에, 서포트 플레이트 (2) 를 개재하여 레이저 광 (L) 을 조사하여, 적층체 (10) 로부터 서포트 플레이트를 분리한다.A support is quickly separated from a laminate while preventing light from being irradiated onto a circuit formed on the substrate.
(Solution) In a substrate 1 on which a circuit is formed, a predetermined area surrounding the entire circumference of the circuit formation region and occupying an area of 65% or more and less than 100% of the width in the radial direction of the non- Laser light L is irradiated to at least a part of the separation layer 4 laminated to the support plate 2 via the support plate 2 to separate the support plate from the laminate 10. [
Description
본 발명은 지지체 분리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a support separation method.
최근, IC 카드, 휴대 전화 등의 전자 기기의 박형화, 소형화, 경량화 등이 요구되고 있다. 이들 요구를 만족시키기 위해서는, 장착되는 반도체 칩에 대해서도 박형의 반도체 칩을 사용해야 한다. 이 때문에, 반도체 칩의 기초가 되는 웨이퍼 기판의 두께 (막두께) 는, 현상황에서는 125 ㎛ ∼ 150 ㎛ 이지만, 차세대의 칩용으로는 25 ㎛ ∼ 50 ㎛ 로 해야 한다고 일컬어지고 있다. 따라서, 상기의 막두께의 웨이퍼 기판을 얻기 위해서는, 웨이퍼 기판의 박판화 공정이 필요 불가결하다.BACKGROUND ART [0002] In recent years, electronic equipment such as IC cards and cellular phones have been required to be made thinner, smaller, and lighter. In order to satisfy these requirements, a thin semiconductor chip must be used for the mounted semiconductor chip. For this reason, it is said that the thickness (film thickness) of the wafer substrate as a base of the semiconductor chip should be 125 μm to 150 μm in the current situation, but should be 25 μm to 50 μm in the next generation chip. Therefore, in order to obtain a wafer substrate having the above-described film thickness, a step of thinning the wafer substrate is indispensable.
웨이퍼 기판은, 박판화에 의해 강도가 저하되므로, 박판화된 웨이퍼 기판의 파손을 방지하기 위해, 제조 프로세스 중은, 웨이퍼 기판에 서포트 플레이트를 첩합 (貼合) 된 상태로 자동 반송하면서, 웨이퍼 기판 상에 회로 등의 구조물을 실장한다. 그리고, 제조 프로세스 후에, 웨이퍼 기판을 서포트 플레이트로부터 분리한다. 그래서, 지금까지 웨이퍼 기판으로부터 지지체를 박리하는 여러 가지 방법이 사용되고 있다.In order to prevent breakage of the thinned wafer substrate, the wafer substrate is automatically transferred to the wafer substrate in a state in which the support plate is stuck to the wafer substrate, Circuits and other structures are mounted. Then, after the manufacturing process, the wafer substrate is separated from the support plate. So far, various methods for peeling the support from the wafer substrate have been used.
특허문헌 1 에는, 제 1 주면의 외측 가장자리의 적어도 일부에, 광열 변환층을 배치하는 스텝과, 광열 변환층을 제 1 주면과 제 2 주면 사이에 배치하도록 하여, 제 1 주면과 상기 제 2 주면을 접착층을 개재하여 서로 접합하는 스텝과, 광열 변환층에 레이저 광을 조사하는 스텝과, 제 1 부재 및 제 2 부재 중 어느 일방의 부재의 외주 부분에, 제 1 부재 및 제 2 부재 중 타방의 부재로부터 멀어지는 방향으로 힘을 가하여, 제 1 부재를 제 2 부재로부터 적어도 부분적으로 박리하는 스텝을 포함하는 부재 박리 방법이 기재되어 있다.
특허문헌 1 에 기재된 부재 박리 방법보다 더욱, 분리층 (광열 변환층) 에 광을 조사하는 면적을 작게 하면서, 순조롭게 적층체로부터 지지체를 분리할 수 있는 신규한 지지체 분리 방법이 있으면, 기판에 형성되어 있는 회로에 광이 조사되는 것을 회피하면서, 적층체로부터 신속하게 지지체를 분리할 수 있기 때문에 유용하므로, 당해 지지체 분리 방법이 요망되고 있다.In addition to the member peeling method described in
본 발명은 상기의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 기판에 형성되어 있는 회로에 광이 조사되는 것을 방지하면서, 적층체로부터 신속하게 지지체를 분리할 수 있는 신규한 지지체 분리 방법을 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a novel method for separating a support member from a laminate body while preventing light from being irradiated onto a circuit formed on the substrate It is on.
상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관련된 지지체 분리 방법은, 기판과, 광을 투과하는 지지체를, 접착층과, 광을 흡수함으로써 변질되는 분리층을 개재하여 적층하여 이루어지는 적층체로부터, 상기 지지체를 분리하는 지지체 분리 방법으로서, 상기 기판은, 회로가 형성된 회로 형성 영역과, 당해 회로 형성 영역의 전체 둘레를 둘러싸는, 상기 회로가 형성되어 있지 않은 비회로 형성 영역을 갖고, 상기 기판에 있어서 상기 회로 형성 영역의 전체 둘레를 둘러싸고, 또한 상기 비회로 형성 영역의 반경 방향에 있어서의 폭의 65 % 이상, 100 % 미만의 영역을 차지하는 소정 영역에 대향하도록 적층되어 있는 분리층의 적어도 일부에, 상기 지지체를 개재하여 광을 조사하는 광 조사 공정과, 상기 광을 조사한 적층체에 힘을 가하여, 당해 적층체로부터 상기 지지체를 분리하는 분리 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.In order to solve the above problems, a supporting body separating method according to the present invention is a method for separating a supporting body from a laminate composed of a substrate, a support for transmitting light, and an adhesive layer and a separating layer deformed by absorbing light, Wherein the substrate has a circuit formation region in which a circuit is formed and a non-circuit formation region that surrounds the entire periphery of the circuit formation region and in which the circuit is not formed, wherein in the substrate, And at least a part of the separation layer which surrounds the entire circumference of the circuit formation region and is stacked so as to face a predetermined region occupying an area of 65% or more and less than 100% of the width in the radial direction of the non- A light irradiation step of irradiating light through a support, and a step of applying a force to the laminate to which the light is irradiated, Emitter and is characterized in that it comprises a separation step of separating the support.
본 발명에 의하면, 기판에 형성되어 있는 회로에 광이 조사되는 것을 방지하면서, 적층체로부터 신속하게 지지체를 분리할 수 있는 신규한 지지체 분리 방법을 제공할 수 있다는 효과를 발휘한다.According to the present invention, it is possible to provide a novel method for separating a support member from a laminate body while preventing light from being irradiated on a circuit formed on the substrate.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법의 개략을 설명하는 도면이다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에 있어서, 분리층에 있어서의 광을 조사하는 영역의 개략을 설명하는 도면이다.
도 3 은, 본 발명의 일 실시형태 및 변형예에 관련된 지지체 분리 방법이 포함하고 있는 광 조사 단계의 개략을 설명하는 도면이다.
도 4 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에 있어서의 광의 조사 패턴의 개략을 설명하는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view for explaining an outline of a support separating method according to an embodiment of the present invention. FIG.
Fig. 2 is a view for explaining the outline of a region for irradiating light in the separation layer in the support separation method according to one embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 3 is a view for explaining the outline of a light irradiation step which is included in a support separation method according to one embodiment and a modification of the present invention. Fig.
4 is a view for explaining an outline of an irradiation pattern of light in a support separation method according to an embodiment of the present invention.
<제 1 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법> ≪ Support member separation method according to the first embodiment >
도 1 ∼ 4 를 사용하여, 본 발명의 일 실시형태 (제 1 실시형태) 에 관련된 지지체 분리 방법에 대해, 보다 상세하게 설명한다.1 to 4, a support separating method according to an embodiment (first embodiment) of the present invention will be described in more detail.
도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법은, 실리콘으로 이루어지는 기판 (1) 과, 실리콘으로 이루어지는 서포트 플레이트 (지지체) (2) 를, 접착층 (3) 과, 레이저 광 (L) 을 흡수함으로써 변질되는 분리층 (4) 을 개재하여 적층하여 이루어지는 적층체 (10) 로부터, 서포트 플레이트 (2) 를 분리한다. 또한, 적층체 (10) 는, 상면에서 보았을 때의 형상이 원형이다. 또, 적층체 (10) 는, 기판 (1) 측에 다이싱 테이프 (5) 가 첩부 (貼付) 되어 있고, 다이싱 테이프 (5) 는, 다이싱 프레임 (6) 을 구비하고 있다.As shown in Fig. 1A, a support separation method according to the present embodiment is a method of separating a
도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법은, 광 조사 공정을 포함하고 있고, 광 조사 공정은, 광 조사 단계와 회동 (回動) 단계를 교대로 반복함으로써, 분리층 (4) 에 있어서의 영역 (4C) 의 전역에 레이저 광 (L) 을 조사한다 (도 2(a)). 또한, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 회동 단계와 광 조사 단계는, 동시에 실시하지 않으면 되고, 어느 것을 먼저 실시하면 된다.As shown in Fig. 1 (b), the supporting body separating method according to the present embodiment includes a light irradiation step, and the light irradiation step is performed by alternately repeating the light irradiation step and the pivoting step The laser light L is irradiated to the
또, 도 1(c) 및 (d) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법은, 레이저 광 (L) 을 조사한 적층체 (10) 에 힘을 가하여, 적층체 (10) 로부터 서포트 플레이트 (2) 를 분리하는 분리 공정을 포함하고 있다.1 (c) and 1 (d), the supporting body separation method according to the present embodiment is a method in which a force is applied to the
[광 조사 공정][Light irradiation step]
본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법이 포함하고 있는 광 조사 공정에 대해, 보다 상세하게 설명한다. 도 1(b) 및 도 2(a) 에 나타내는 바와 같이, 광 조사 공정에서는, 광 조사 단계와 회동 단계를 교대로 반복함으로써, 기판 (1) 에 있어서 회로 형성 영역의 전체 둘레를 둘러싸고, 또한 비회로 형성 영역의 반경 방향에 있어서의 폭의 65 % 이상, 100 % 미만의 영역을 차지하는 소정 영역에 대향하도록 적층되어 있는 분리층 (4) 의 영역 (4C) 에, 서포트 플레이트 (2) 를 개재하여 광을 조사한다.The light irradiation step included in the support member separation method according to the present embodiment will be described in more detail. As shown in Fig. 1 (b) and Fig. 2 (a), in the light irradiation step, the light irradiation step and the pivoting step are alternately repeated to surround the entire circumference of the circuit formation region of the
이로써, 분리층 (4) 에 레이저 광 (L) 을 조사하는 면적을 작게 할 수 있다. 이 때문에, 광 조사 공정을 실시하기 위해서 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.This makes it possible to reduce the area irradiated with the laser light (L) to the separation layer (4). Therefore, the time required for carrying out the light irradiation step can be shortened.
(회로 형성 영역)(Circuit forming region)
회로 형성 영역이란, 기판 (1) 에 있어서의 내주부에 있어서, 예를 들어, 집적 회로 등의 구조물이 형성되어 있는 영역을 의미한다. 또한, 회로 형성 영역에 있어서, 집적 회로 등의 구조물은, 기판 (1) 에 있어서의 적층체 (10) 의 외부에 노출되는 측의 면, 및 기판 (1) 의 접착층 (3) 에 대향하는 측의 면의 양방 또는 어느 일방에 형성될 수 있다. 기판 (1) 에 있어서의 회로 형성 영역은, 적층체 (10) 에 있어서, 분리층 (4) 에 있어서의 점선 (A1) 보다 내측에 위치하는 영역 (4A) 에 대향하도록 배치되어 있다 (도 2(a)).The circuit formation region means an area where a structure such as an integrated circuit is formed in the inner periphery of the
(비회로 형성 영역)(Non-circuit forming region)
비회로 형성 영역이란, 기판 (1) 에 있어서 회로 형성 영역의 전체 둘레를 둘러싸고, 당해 회로 형성 영역의 외주 단부보다 외측, 기판 (1) 의 외주 단부보다 내측을 차지하는 영역을 의미한다. 기판 (1) 에 있어서의 비회로 형성 영역은, 적층체 (10) 에 있어서, 분리층 (4) 에 있어서의 점선 (A1) 과 점선 (A2) 사이에 위치하는 영역 (4B) 에 대향하도록 배치되어 있다 (도 2(a)). 여기서, 기판 (1) 의 외주 단부는, 분리층 (4) 에 있어서의 점선 (A2) 상에 배치되어 있다.The non-circuit forming region means a region surrounding the entire circumference of the circuit forming region of the
(소정 영역)(Predetermined area)
소정 영역이란, 회로 형성 영역의 전체 둘레를 둘러싸고, 또한 비회로 형성 영역의 반경 방향에 있어서의 폭의 65 % 이상, 100 % 미만의 영역을 차지하는 영역이고, 분할 소정 영역으로 이루어지는 영역을 의미한다. 또, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 기판 (1) 에 있어서의 소정 영역의 내주 단부는, 회로 형성 영역의 외주 단부와 이간되어 있고, 소정 영역의 외주 단부는 기판 (1) 의 외주 단부와 이간되어 있다. 적층체 (10) 에서는, 기판 (1) 에 있어서의 소정 영역은, 분리층 (4) 에 있어서, 파선 (B1) 과 파선 (B2) 사이에 위치하는 영역 (4C) 에 대향하도록 배치되어 있다 (도 2(a)).The predetermined region is an area surrounding the whole circumference of the circuit formation area and occupying an area of 65% or more and less than 100% of the width in the radial direction of the non-circuit formation area, and means a region formed by the predetermined divided area. In the supporting body separating method according to the present embodiment, the inner circumferential end of the predetermined region of the
(분할 소정 영역)(Divided predetermined area)
분할 소정 영역이란, 적층체 (10) 의 중심점을 중심으로 하여, 기판 (1) 에 있어서의 소정 영역을 소정의 각도로 등분할한 영역을 의미한다. 기판 (1) 에 있어서의 분할 소정 영역은, 적층체 (10) 에 있어서, 도 2(a) 에 나타내는 분리층 (4) 에 있어서의 일점 쇄선 (C1 ∼ C3) 에 의해 영역 (4C) 으로부터 분할되어 있는 분할 영역 (4C-1 및 4C-2) 에 의해 예시되어 있는 분할 영역마다 대응하도록 배치되어 있다. 또한, 기판 (1) 의 소정 영역을 등분할하는 각도는, 적층체 (10) 의 중심점을 중심으로 하여 등분할할 수 있는 각도이면 되고, 예를 들어, 20°, 30°또는 45°인 것이 바람직하고, 20°인 것이 보다 바람직하다.The divided predetermined region means a region in which a predetermined region of the
(광 조사 단계)(Light irradiation step)
광 조사 단계에서는, 적층체 (10) 에 있어서, 서포트 플레이트 (2) 를 개재하여 분리층 (4) 의 분할 영역마다 광을 조사한다. 예를 들어, 소정의 각도를 20°로 하여 등분할한 분할 영역마다 레이저 광 (L) 을 조사한다. 이로써, 레이저 조사 장치 (50) 로부터 조사되는 레이저 광 (L) 의 주사 범위를 좁게 할 수 있어, 레이저 광 (L) 을 주사시킬 때에 발생하는 조사 패턴의 형상의 변형을 저감시킬 수 있다. 따라서, 분리층 (4) 의 분할 영역 (4C-1) 에 조사되는 레이저 광 (L) 이, 당해 분할 영역으로부터 벗어나서 조사되는 것을 방지할 수 있고, 기판 (1) 에 형성된 회로 및 다이싱 테이프 (5) 에 광이 조사되는 것을 바람직하게 방지할 수 있다.In the light irradiation step, light is irradiated to each divided region of the
또, 도 3(a) 에 나타내는 바와 같이, 광 조사 단계에서는, 기판 (1) 의 반경 방향에 있어서 폭 (W1) 을 가지고 있는 비회로 형성 영역의 65 % 이상, 100 % 미만의 폭 (W2) 의 영역을 차지하는 분할 소정 영역에 대향하는 분리층 (4) 에 레이저 광 (L) 을 조사한다. 또한, 폭 (W1) 은, 도 2(a) 에 나타내는 분리층 (4) 에 있어서의 영역 (4B) 의 반경 방향에 있어서의 폭이기도 하다. 또, 폭 (W2) 은, 도 2(a) 에 나타내는 분리층 (4) 에 있어서의 분할 영역 (4C-1) 의 반경 방향에 있어서의 폭이기도 하다.3 (a), in the light irradiation step, a width W2 of not less than 65% and less than 100% of the non-circuit forming area having the width W1 in the radial direction of the
비회로 형성 영역의 폭 (W1) 은, 기판의 크기에 따라 적절히 설정되기 때문에, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 본 실시형태에 있어서 사용되고 있는 직경이 300 ㎜ 정도 (12 인치) 의 기판이면, 1.0 ㎜ 보다 크고, 3.0 ㎜ 이하의 폭의 범위 내인 것이 바람직하고, 1.3 ㎜ 보다 크고, 2.0 ㎜ 이하의 폭의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.The width W1 of the non-circuit forming area is appropriately set according to the size of the substrate. For example, if the substrate used in this embodiment has a diameter of about 300 mm (12 inches) More preferably greater than 1.0 mm and less than 3.0 mm, more preferably greater than 1.3 mm and less than 2.0 mm.
또, 분할 소정 영역의 폭 (W2) (바꿔 말하면, 분리층 (4) 에 있어서의 분할 영역 (4C-1) 의 폭) 은, 비회로 형성 영역의 폭 (W1) 의 65 % 이상, 100 % 미만의 범위 내의 폭인 것이 바람직하고, 폭 (W1) 이 작을수록, 폭 (W1) 에 대해 폭 (W2) 이 차지하는 비율을 크게 하는 것이 바람직하다. 이로써, 이후에 분리 공정을 실시함으로써 적층체 (10) 로부터 서포트 플레이트 (2) 를 바람직하게 분리할 수 있도록, 분리층 (4) 의 적어도 일부를 변질시킬 수 있다.The width W2 of the divided predetermined region (in other words, the width of the divided
광 조사 단계에서는, 서포트 플레이트 (2) 를 개재하여 영역 (4C-1) 에 있어서의 분리층 (4) 을 향하여 레이저 광 (L) 을 조사했을 때, 당해 레이저 광 (L) 은, 분리층 (4) 을 변질시키면서, 당해 분리층 (4) 을 투과하여, 기판 (1) 에 있어서의 분할 소정 영역에 조사된다. 여기서, 기판 (1) 에 있어서, 폭 (W2) 을 차지하는 분할 소정 영역은, 기판 (1) 의 회로 형성 영역으로부터 이간되어 있다. 이 때문에, 분할 소정 영역의 내측이 회로 형성 영역에 접하도록 설정되어 있는 경우보다, 레이저 광 (L) 이 기판 (1) 에 있어서의 회로 형성 영역에 형성된 회로에 조사되는 것을 순조롭게 방지할 수 있다. 이 때문에, 회로가 레이저 광 (L) 에 의해 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다. 또, 기판 (1) 에 있어서, 폭 (W2) 을 차지하는 분할 소정 영역은, 기판 (1) 의 외주 단부로부터 이간되어 있다. 이 때문에, 분할 소정 영역의 외주 단부가 기판 (1) 의 외주 단부에 겹치도록 설정되어 있는 경우보다, 레이저 광 (L) 이 기판 (1) 의 외주 단부보다 외측에 조사되는 것을 순조롭게 방지할 수 있다. 따라서, 기판 (1) 의 외주 단부보다 외측에 위치하는 다이싱 테이프 (5) 에 레이저 광 (L) 이 조사됨으로써, 당해 다이싱 테이프 (5) 가 데미지를 받는 것을 보다 바람직하게 방지할 수 있다.In the light irradiation step, when the laser light L is irradiated to the
또한, 본 명세서에 있어서, 분리층이 「변질되는」 이란, 분리층이 약간의 외력을 받아 파괴될 수 있는 상태, 또는 분리층과 접하는 층과의 접착력이 저하된 상태로 하게 하는 현상을 의미한다. 광을 흡수함으로써 발생하는 분리층의 변질의 결과로서, 분리층은, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 상실한다. 요컨대, 광을 흡수함으로써, 분리층 (4) 은 취약해진다. 분리층의 변질이란, 분리층을 구성하는 물질이, 흡수한 광의 에너지에 의한 분해, 입체 배치의 변화 또는 관능기의 해리 등을 발생시키는 것일 수 있다. 분리층 (4) 의 변질은, 광을 흡수하는 것의 결과로서 발생한다.In the present specification, the "deteriorated" of the separation layer means a phenomenon in which the separation layer receives a slight external force and can be broken, or a state in which the adhesive force between the separation layer and the layer in contact with the separation layer is reduced . As a result of the deterioration of the separation layer caused by the absorption of light, the separation layer loses its strength or adhesion before being subjected to light irradiation. In short, by absorbing light, the
따라서, 예를 들어, 서포트 플레이트를 들어 올리는 것만으로 파괴되도록 변질시켜, 서포트 플레이트와 기판을 용이하게 분리할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어, 지지체 분리 장치 등에 의해, 적층체에 있어서의 기판 및 서포트 플레이트의 일방을 재치대 (載置臺) 에 고정하고, 흡착 수단을 구비한 흡착 패드 (유지부) 등에 의해 타방을 유지하여 들어 올림으로써, 서포트 플레이트와 기판을 분리하거나, 또는 서포트 플레이트의 둘레 가장자리 부분 단부의 모따기 (面取) 부위를, 클램프 (폴부) 등을 구비한 분리 플레이트에 의해 파지함으로써 힘을 가하여, 기판과 서포트 플레이트를 분리하면 된다. 또, 예를 들어, 접착제를 박리하기 위한 박리액을 공급하는 박리 수단을 구비한 지지체 분리 장치에 의해, 적층체에 있어서의 기판으로부터 서포트 플레이트를 박리해도 된다. 당해 박리 수단에 의해 적층체에 있어서의 접착층의 둘레단부의 적어도 일부에 박리액을 공급하고, 적층체에 있어서의 접착층을 팽윤시킴으로써, 당해 접착층이 팽윤된 시점에서 분리층에 힘이 집중되도록 하여, 기판과 서포트 플레이트에 힘을 가할 수 있다. 이 때문에, 기판과 서포트 플레이트를 바람직하게 분리할 수 있다.Therefore, for example, it is possible to easily detach the support plate from the substrate by altering the support plate to be destroyed only by lifting the support plate. More specifically, for example, one of the substrate and the support plate in the laminate is fixed to a mounting table by a support separating device or the like, and a suction pad (holding portion) provided with suction means The supporting plate and the substrate are separated or the chamfered portion of the end portion of the periphery of the support plate is held by a separating plate provided with a clamp or the like To separate the substrate and the support plate. In addition, for example, the support plate may be peeled off from the substrate in the laminate by the support separating apparatus provided with the peeling means for supplying the peeling liquid for peeling the adhesive. The peeling liquid is supplied to at least a part of the peripheral edge portion of the adhesive layer in the laminate by the peeling means and the adhesive layer in the laminate is swelled so that the force is concentrated on the separating layer at the time when the adhesive layer is swollen, Force can be applied to the substrate and the support plate. Therefore, the substrate and the support plate can be preferably separated.
또한, 적층체에 대해 외부로부터 가하는 힘, 즉 외력은, 적층체의 크기, 그리고 유리 및 실리콘 등의 서포트 플레이트 (지지체) 의 재질 등에 의해 적절히 조정하면 되고, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 직경이 300 ㎜ 정도인 적층체이면, 예를 들어, 0.1 ∼ 5 ㎏f 정도의 힘이다. 0.1 ∼ 5 ㎏f 정도의 외력을 가함으로써, 기판과 서포트 플레이트를 바람직하게 분리할 수 있다.The external force applied to the laminate, that is, the external force may be properly adjusted by the size of the laminate, the material of the support plate (support) such as glass and silicon, and the like. For example, about 0.1 to 5 kgf. By applying an external force of about 0.1 to 5 kgf, the substrate and the support plate can be preferably separated.
본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 분리층 (4) 에 조사하는 광을 발사하는 레이저 광 (L) 으로서 CO2 레이저 (탄산 레이저) 를 사용한다. 이로써, 실리콘으로 이루어지는 서포트 플레이트 (2) 를 투과하는 레이저 광 (L) 을 발생시킬 수 있기 때문이다.In the support material separation method according to the present embodiment, a CO 2 laser (carbonic acid laser) is used as the laser light L for emitting light to the
광 조사 단계에 있어서의 레이저 광 조사 조건은, 레이저 광의 평균 출력값이 1.0 W 이상, 5.0 W 이하인 것이 바람직하고, 3.0 W 이상, 4.0 W 이하인 것이 보다 바람직하다. 레이저 광의 반복 주파수는, 20 ㎑ 이상, 60 ㎑ 이하인 것이 바람직하고, 30 ㎑ 이상, 50 ㎑ 이하인 것이 보다 바람직하다. 레이저 광의 주사 속도는, 100 ㎜/s 이상, 10000 ㎜/s 이하인 것이 바람직하다. 이로써, 분리층 (4) 을 변질시키기 위한 적절한 조건으로 레이저 조사 조건을 설정할 수 있다.The laser light irradiation condition in the light irradiation step preferably has an average output value of 1.0 W or more and 5.0 W or less, more preferably 3.0 W or more and 4.0 W or less. The repetition frequency of the laser light is preferably 20 kHz or more and 60 kHz or less, more preferably 30 kHz or more and 50 kHz or less. The scanning speed of the laser beam is preferably 100 mm / s or more and 10000 mm / s or less. Thereby, laser irradiation conditions can be set under appropriate conditions for deteriorating the
여기서, 레이저 광 (L) 의 조사 패턴은, 예를 들어, 도 4(a) ∼ (f) 에 나타내는 바와 같이, 라인 형상, 나선 형상, 다각 도트 형상, 원 도트 형상, 다각 링 형상 또는 링 형상 중 어느 것인 것이 바람직하다. 광 조사 단계에서는, 분리층 (4) 에 있어서의 반경 방향의 경계인 파선 (B1 및 B2) 사이에 있어서, 분할 영역 (4C-1 및 4C-2) 을 비롯한 분할 영역의 면적의 50 % 이상의 면적을 차지하도록 광의 조사 패턴을 형성한다. 이로써, 분할 영역 (4C-1) 에 있어서의 분리층 (4) 을 바람직하게 변질시킬 수 있어, 취약하게 할 수 있다.Here, as shown in Figs. 4 (a) to 4 (f), the irradiation pattern of the laser light L may be a line shape, a spiral shape, a polygonal dot shape, a circular dot shape, Is preferable. In the light irradiation step, an area of 50% or more of the area of the divided areas including the divided
예를 들어, 도 4(a) 에 나타내는 바와 같이, 직선적인 라인 형상의 패턴을 채용하는 경우, 당해 라인 형상의 패턴의 방향은 한정되지 않는다. 또, 분할 영역의 면적의 50 % 이상으로 패턴을 형성할 수 있으면, 당해 라인 형상의 패턴의 굵기 및 라인의 수는 한정되지 않는다. 또한, 도 4(a) ∼ (f) 에 나타내는 각 패턴 중, 분할 영역에 대한 레이저 광 (L) 의 조사 시간을 가장 단축시킬 수 있다는 점에 있어서, 직선적인 라인 형상의 패턴이 가장 바람직하다.For example, as shown in Fig. 4 (a), when adopting a linear line-shaped pattern, the direction of the line-shaped pattern is not limited. If the pattern can be formed at 50% or more of the area of the divided area, the thickness of the line-shaped pattern and the number of lines are not limited. Among the respective patterns shown in Figs. 4 (a) to 4 (f), a linear line-shaped pattern is most preferable in that the irradiation time of the laser light L to the divided area can be shortened most.
또, 도 4(b) 에 나타내는 바와 같이, 레이저 광 (L) 의 조사 패턴은, 나선 형상의 패턴이어도 된다. 나선을 그리는 라인 형상의 패턴은, 라인 형상의 패턴과 동일하게, 분리층 (4) 의 분할 영역에 연속적으로 형성할 수 있어, 레이저 광 (L) 의 조사 시간을 단축시킬 수 있다는 점에 있어서 보다 바람직하다. 또한, 분리층 (4) 에 있어서의 분할 영역 (4C-1) 에 조사할 때에 있어서, 나선 형상의 패턴에서는, 레이저 광 (L) 이 중복되어 조사되는 지점을 발생시킨다. 그러나, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 분리층 (4) 을 투과한 레이저 광 (L) 은, 기판 (1) 에 있어서의 분할 소정 영역에 조사되기 때문에, 기판 (1) 에 형성된 회로 및 다이싱 테이프 (5) 에 조사되지 않는다. 이 때문에, 레이저 광 (L) 이 중복되어 조사되는 지점에 있어서, 레이저 광 (L) 의 조사 출력을 과도하게 약하게 하도록 조정하지 않아도, 기판 (1) 에 형성된 집적 회로 및 다이싱 테이프 (5) 가 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다.As shown in Fig. 4 (b), the irradiation pattern of the laser light L may be a helical pattern. The line-shaped pattern for drawing the helix can be continuously formed in the divided region of the
또, 도 4(c) 에 나타내는 바와 같이, 레이저 광 (L) 의 조사 패턴은, 다각 도트 형상으로서, 예를 들어, 사각 도트 형상이어도 된다. 여기서, 사각 도트 형상의 각 도트의 크기는, 분할 영역 (4C-1) 의 내주부에 있어서, 분할 영역의 면적의 50 % 이상의 면적을 차지하도록 패턴을 형성할 수 있으면 한정되지 않는다. 동일하게, 도 4(d) 에 나타내는 바와 같이, 레이저 광 (L) 의 조사 패턴은, 원 도트 형상이어도 된다. 이들 다각 도트 형상 및 원 도트 형상과 같은 도트상의 패턴은, 라인 형상에 이어 분할 영역에 조사하는 시간을 단축시킬 수 있고, 분할 영역에 있어서 치밀하게 패턴을 형성할 수 있다는 점에 있어서 바람직하다.As shown in Fig. 4 (c), the irradiation pattern of the laser light L may be a polygonal dot shape, for example, a rectangular dot shape. Here, the size of each dot of the rectangular dot shape is not limited as long as the pattern can be formed so as to occupy an area of 50% or more of the area of the divided area in the inner peripheral portion of the divided
또, 도 4(e) 에 나타내는 바와 같이, 레이저 광 (L) 의 조사 패턴은, 다각 링 형상이어도 된다. 또, 도 4(f) 에 나타내는 바와 같이, 레이저 광 (L) 의 조사 패턴은, 링 형상이어도 된다. 이들 다각 링 형상 및 링 형상의 패턴을 형성함으로써, 분할 영역 (4C-1) 에 있어서의 분리층 (4) 을 바람직하게 변질시킬 수 있다. 또한, 각 링 형상의 패턴에 있어서도, 링상 패턴의 굵기, 및 패턴의 크기는, 적절히 조정할 수 있다.4 (e), the irradiation pattern of the laser light L may be a polygonal ring shape. 4 (f), the irradiation pattern of the laser light L may be ring-shaped. By forming these multiple ring-shaped and ring-shaped patterns, the
(회동 단계)(Conversion step)
회동 단계는, 광 조사 단계에 의해, 분할 영역에 레이저 광 (L) 을 조사한 적층체 (10) 를, 당해 적층체 (10) 의 중심점을 중심으로 하여, 당해 적층체 (10) 의 평면을 소정의 각도에 있어서 회동시킨다. 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 분리층 (4) 에 있어서의 영역 (4C) 은, 소정의 각도인 20°로 등분할되어 있다. 따라서, 회동 단계에서는, 광 조사 단계에 의해, 분리층 (4) 의 분할 영역 (4C-1) 에 레이저 광 (L) 을 조사한 적층체 (10) 를 소정의 각도 20°로 회동시킨다. 이로써, 레이저 조사 장치 (50) 가, 적층체 (10) 에 있어서의 분리층 (4) 의 분할 영역 (4C-2) 상에 배치한다.The turning step is a step in which the layered
그 후, 광 조사 단계에 의해, 분할 영역 (4C-2) 에 있어서의 분리층 (4) 을 변질시킨다. 또한 회동 단계 및 광 조사 단계를 교대로 반복하여, 분리층 (4) 에 있어서의 영역 (4C) 의 전역에 레이저 광 (L) 을 조사한다.Thereafter, the
또한, 회동 단계에서는, 다이싱 프레임 (6) 을 구비한 다이싱 테이프 (5) 를 기판 (1) 측에 첩부한 적층체 (10) 를, 예를 들어, 포러스부를 구비하고, 회동 가능한 스테이지 (도시 생략) 등의 재치대에 고정시켜, 소정의 각도로 회동시키면 된다.The dicing
[분리 공정][Separation Process]
분리 공정에서는, 레이저 광 (L) 을 조사한 적층체 (10) 에 힘을 가하여, 적층체 (10) 로부터 서포트 플레이트 (2) 를 분리한다 (도 1(c)). 보다 구체적으로는, 예를 들어, 회동 가능한 스테이지에 의해 적층체 (10) 의 기판 (1) 측을 고정시킨 상태에서, 벨로우즈 패드 등의 흡착 패드를 구비한 분리 플레이트 (유지부, 도시 생략) 에 의해 서포트 플레이트 (2) 의 상면부를 흡착 유지하면서, 당해 분리 플레이트를 들어 올린다. 이로써, 적층체 (10) 에 힘을 가하여, 당해 적층체 (10) 로부터 서포트 플레이트 (2) 를 분리한다.In the separation step, a force is applied to the laminate 10 irradiated with the laser light L to separate the
또한, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 광 조사 공정에 있어서, 광 조사 단계와 회동 단계를 교대로 실시함으로써, 영역 (4C) 의 전역에 있어서의 분리층 (4) 을 변질시키고 있다. 요컨대, 적층체 (10) 에 있어서, 분리층 (4) 의 둘레 가장자리 부분 전체 둘레가 변질되어 있다. 이 때문에, 광 조사 공정 후, 적층체 (10) 의 방향을 특정하지 않고, 적층체 (10) 에 있어서의 서포트 플레이트 (2) 의 둘레 가장자리 부분을 유지하고, 분리 공정을 실시할 수 있다. 또, 분리 공정에서는, 적층체 (10) 에 힘을 가하면, 영역 (4C) 에 있어서 변질된 분리층 (4) 에 힘이 집중한다. 이로써, 먼저, 영역 (4C) 에 있어서의 분리층 (4) 이 파괴되고, 계속해서, 영역 (C) 이외의 분리층 (4) 에 힘이 집중됨으로써, 영역 (C) 이외의 분리층 (4) 이 파괴된다. 이로써, 적층체 (10) 로부터 서포트 플레이트 (2) 를 바람직하게 분리할 수 있다.In the supporting member separation method according to the present embodiment, in the light irradiation step, the light irradiation step and the pivoting step are carried out alternately to deteriorate the
또한, 분리 공정에서는, 예를 들어, 플로팅 조인트나 유니버설 조인트 등의 조인트 (도시 생략) 를 개재하여, 분리 플레이트를 들어 올림으로써, 적층체 (10) 로부터 서포트 플레이트 (2) 를 분리한다. 이와 같은 조인트는, 회동 가능하고, 또한 스테이지에 고정된 적층체 (10) 의 평면에 대해 기울어지도록 가동된다.In the separation step, the
플로팅 조인트 등을 개재하여 분리 플레이트로부터 적층체 (10) 에 힘을 가하면, 적층체 (10) 의 외주 단부의 일부에 힘이 집중되었을 때, 당해 플로팅 조인트가 가동되어, 당해 외주 단부의 일부를 향하여 흡착 패드가 서포트 플레이트 (2) 에 접하는 면을 향하도록 분리 플레이트가 기울어진다. 이에 수반하여, 적층체 (10) 로부터 분리되고 있는 도중의 서포트 플레이트 (2) 가 기울어진다. 이로써, 서포트 플레이트 (2) 및 기판 (1) 의 일부에 과도한 힘이 가해지는 것을 방지할 수 있고, 또한 서포트 플레이트 (2) 와 접착층 (3) 사이에 적층되어 있는 분리층 (4) 에 힘을 집중시킬 수 있다. 따라서, 서포트 플레이트 (2) 및 기판 (1) 이 과도한 힘에 의해 파손되는 것을 방지하면서, 바람직하게 기판 (1) 으로부터 서포트 플레이트 (2) 를 박리할 수 있다.When a force is applied to the laminate 10 from the separation plate via a floating joint or the like, when the force concentrates on a part of the outer peripheral end of the laminate 10, the floating joint is activated, The separation plate is inclined such that the adsorption pad faces the surface contacting the
[그 밖의 공정][Other processes]
분리 공정을 실시한 후, 도 1(d) 에 나타내는 서포트 플레이트 (2) 를 분리한 기판 (1) 에는, 다이싱 테이프 (5) 가 첩부된 상태에서, 예를 들어, 유기 용제를 함유하고 있는 박리액 등에 의해 접착층 (3) 및 분리층 (4) 의 잔사를 제거하는 세정 공정을 실시한다. 또, 세정 공정 후, 다이싱 테이프 (5) 를 첩부한 기판 (1) 으로부터 반도체 칩을 제조하는 다이싱 공정을 실시한다. 여기서, 기판 (1) 에 첩부한 다이싱 테이프 (5) 는, 레이저 광 (L) 이 조사됨으로써 데미지를 받는 것이 방지되어 있다. 이 때문에, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에 의하면, 적층체 (10) 에 다이싱 테이프 (5) 를 첩부한 상태에서, 기판 (1) 으로부터 반도체 칩을 제조할 때까지의 일련의 공정을 순조롭게 실시할 수 있다. 따라서, 기판 (1) 에 회로를 형성하는 공정에 있어서 박화된 기판 (1) 이, 다이싱 테이프 (5) 를 첩부할 때에 파손되는 것을 회피할 수 있다.After the separation process is performed, the
[적층체 (10)][Layered product (10)]
본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에 사용되는 적층체 (10) 에 대해, 보다 상세하게 설명한다. 적층체 (10) 는, 기판 (1) 과, 접착층 (3) 과, 분리층 (4) 과, 서포트 플레이트 (2) 를 이 순서로 적층하여 이루어진다.The laminate 10 used in the support member separation method according to the present embodiment will be described in more detail. The laminate 10 is formed by laminating a
[기판 (1)][Substrate (1)]
본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 기판 (1) 으로서, 실리콘으로 이루어지는 웨이퍼 기판을 사용하고 있다. 기판 (1) 은, 접착층 (3) 및 분리층 (4) 을 개재하여 서포트 플레이트 (2) 에 지지된 상태에서, 박화, 실장 등의 프로세스에 제공될 수 있다. 또, 기판 (1) 의 회로 형성 영역에는, 예를 들어, 집적 회로나 금속 범프 등의 구조물이 실장되어 있다.In the support member separation method according to the present embodiment, a wafer substrate made of silicon is used as the
또한, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 기판으로서, 실리콘 웨이퍼 기판을 사용하고 있지만, 기판 (1) 은, 실리콘 웨이퍼 기판에 한정되지 않고, 세라믹스 기판, 얇은 필름 기판, 플렉시블 기판 등의 임의의 재질로 이루어지는 기판을 사용해도 된다.In the support member separation method according to the present embodiment, a silicon wafer substrate is used as the substrate. However, the
[서포트 플레이트 (2)][Support plate (2)]
서포트 플레이트 (지지체) (2) 는, 기판 (1) 을 지지하는 지지체이고, 접착층 (3) 을 개재하여 기판 (1) 에 첩부된다. 그 때문에, 서포트 플레이트 (2) 로는, 기판 (1) 의 박화, 반송, 실장 등의 프로세스시에, 기판 (1) 의 파손 또는 변형을 방지하기 위해 필요한 강도를 가지고 있으면 된다. 또, 분리층 (4) 을 변질시키기 위한 광을 투과시키는 것이면 된다.The support plate (support) 2 is a support for supporting the
지지체에는, 유리, 실리콘 또는 아크릴계 수지로 이루어지는 서포트 플레이트 등을 사용할 수 있지만, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 실리콘으로 이루어지는 서포트 플레이트 (2) 를 사용하고 있다. 실리콘으로 이루어지는 서포트 플레이트 (2) 를 기판 (1) 에 적층함으로써, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 의 열팽창 계수의 차를 작게 할 수 있어, 가열에 의한 적층체 (10) 의 휨을 저감시킬 수 있기 때문이다.A support plate made of glass, silicon, or acrylic resin can be used as the support, but in the support separation method according to this embodiment, the
또한, 서포트 플레이트 (2) 에는, 당해 서포트 플레이트 (2) 의 방향을 특정하기 위한 절결부 (노치, 도시 생략) 가 형성되어 있다.The
[접착층 (3)][Adhesive Layer (3)]
접착층 (3) 은, 기판 (1) 과, 분리층 (4) 이 형성된 서포트 플레이트 (2) 를 첩부하기 위해서 사용된다. 또, 접착층 (3) 은, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩부하기 위해서 사용되는 접착제에 의해 형성되는 층이다.The
접착층 (3) 의 두께는, 첩부의 대상이 되는 기판 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 의 종류, 첩부 후의 기판 (1) 에 실시되는 처리 등에 따라 적절히 설정하면 되지만, 10 ∼ 150 ㎛ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 15 ∼ 100 ㎛ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the
접착층 (3) 은, 예를 들어, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해 접착제를 도포함으로써 형성할 수 있다. 또, 접착층 (3) 은, 예를 들어, 접착제를 직접 기판 (1) 에 도포하는 대신에, 접착제가 양면에 미리 도포되어 있는 필름 (이른바, 드라이 필름) 을, 기판 (1) 에 첩부함으로써 형성해도 된다.The
접착층 (3) 을 형성하는 접착제로서 예를 들어, 아크릴계, 노볼락계, 나프토퀴논계, 탄화수소계, 폴리이미드계, 엘라스토머, 폴리술폰계 등의 당해 분야에 있어서 공지된 여러 가지 접착제가 사용 가능하다.As the adhesive for forming the
접착제가 함유하는 수지, 요컨대, 접착층 (3) 이 함유하는 수지로는, 접착성을 구비한 것이면 되고, 예를 들어, 탄화수소 수지, 아크릴-스티렌계 수지, 말레이미드계 수지, 엘라스토머 수지, 폴리술폰계 수지 등, 또는 이들을 조합한 것 등을 보다 바람직하게 사용할 수 있다. 이하, 본 실시형태에 있어서의 접착층 (3) 이 함유하는 수지의 조성에 대해 설명한다.The resin contained in the adhesive, that is, the resin contained in the
(탄화수소 수지)(Hydrocarbon resin)
탄화수소 수지는, 탄화수소 골격을 갖고, 단량체 조성물을 중합하여 이루어지는 수지이다. 탄화수소 수지로서, 시클로올레핀계 폴리머 (이하, 「수지 (A)」 라고 하는 경우가 있다), 그리고 테르펜 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지 (이하, 「수지 (B)」 라고 하는 경우가 있다) 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.The hydrocarbon resin is a resin having a hydrocarbon skeleton and polymerizing the monomer composition. (Hereinafter sometimes referred to as " resin (A) ") and at least one resin selected from the group consisting of terpene resin, rosin resin and petroleum resin (B) "), but the present invention is not limited to this.
수지 (A) 는, 시클로올레핀계 모노머를 함유하는 단량체 성분을 중합하여 이루어지는 수지이어도 된다. 구체적으로는, 시클로올레핀계 모노머를 함유하는 단량체 성분의 개환 (공)중합체, 시클로올레핀계 모노머를 함유하는 단량체 성분을 부가 (공)중합시킨 수지 등을 들 수 있다.The resin (A) may be a resin obtained by polymerizing a monomer component containing a cycloolefin-based monomer. Specific examples thereof include a ring-opening (co) polymer of a monomer component containing a cycloolefin-based monomer, and a resin obtained by addition (co) polymerization of a monomer component containing a cycloolefin-based monomer.
수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분에 함유되는 상기 시클로올레핀계 모노머로는, 예를 들어, 노르보르넨, 노르보르나디엔 등의 2 고리체, 디시클로펜타디엔, 하이드록시디시클로펜타디엔 등의 3 고리체, 테트라시클로도데센 등의 4 고리체, 시클로펜타디엔 3 량체 등의 5 고리체, 테트라시클로펜타디엔 등의 7 고리체, 또는 이들 다고리체의 알킬 (메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등) 치환체, 알케닐 (비닐 등) 치환체, 알킬리덴 (에틸리덴 등) 치환체, 아릴 (페닐, 톨릴, 나프틸 등) 치환체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히, 노르보르넨, 테트라시클로도데센, 또는 이들의 알킬 치환체로 이루어지는 군에서 선택되는 노르보르넨계 모노머가 바람직하다.Examples of the cycloolefin-based monomer contained in the monomer component constituting the resin (A) include bicyclic compounds such as norbornene and norbornadiene, dicyclopentadiene, hydroxydicyclopentadiene and the like (Methyl, ethyl, propyl, butyl (meth) acrylate of a cyclic compound such as a cyclic compound such as a cyclic compound such as cyclopentadiene or cyclopentadiene or a cyclic compound such as a cyclic compound such as a cyclic compound Etc.), alkenyl (vinyl, etc.) substituents, alkylidene (ethylidene etc.) substituents, aryl (phenyl, tolyl, naphthyl, etc.) substituents and the like. Of these, norbornene monomers selected from the group consisting of norbornene, tetracyclododecene, and alkyl substituents thereof are particularly preferable.
수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분은, 상기 서술한 시클로올레핀계 모노머와 공중합 가능한 다른 모노머를 함유하고 있어도 되고, 예를 들어, 알켄 모노머를 함유하는 것이 바람직하다. 알켄 모노머로는, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-헥센, α-올레핀 등을 들 수 있다. 알켄 모노머는, 직사슬형이어도 되고, 분기 사슬형이어도 된다.The monomer component constituting the resin (A) may contain other monomer copolymerizable with the cycloolefin-based monomer described above, and preferably contains, for example, an alkene monomer. Examples of the alkene monomer include ethylene, propylene, 1-butene, isobutene, 1-hexene, and -olefin. The alkene monomer may be linear or branched.
또, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분으로서, 시클로올레핀 모노머를 함유하는 것이, 고내열성 (낮은 열분해, 열중량 감소성) 의 관점에서 바람직하다. 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은, 5 몰% 이상인 것이 바람직하고, 10 몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 20 몰% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 시클로올레핀 모노머의 비율은, 특별히 한정되지 않지만, 용해성 및 용액에서의 시간 경과적 안정성의 관점에서는 80 몰% 이하인 것이 바람직하고, 70 몰% 이하인 것이 보다 바람직하다.In addition, it is preferable that a monomer component constituting the resin (A) contains a cycloolefin monomer in view of high heat resistance (low thermal decomposition and thermogravimetric reduction). The proportion of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, and still more preferably 20 mol% or more. The ratio of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is not particularly limited, but from the viewpoints of solubility and stability over time in the solution, it is preferably 80 mol% or less, more preferably 70 mol% Is more preferable.
또, 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분으로서, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알켄 모노머를 함유해도 된다. 수지 (A) 를 구성하는 단량체 성분 전체에 대한 알켄 모노머의 비율은, 용해성 및 유연성의 관점에서는 10 ∼ 90 몰% 인 것이 바람직하고, 20 ∼ 85 몰% 인 것이 보다 바람직하고, 30 ∼ 80 몰% 인 것이 더욱 바람직하다.The monomer component constituting the resin (A) may contain linear or branched alkene monomers. The proportion of the alkene monomer to the whole monomer component constituting the resin (A) is preferably from 10 to 90 mol%, more preferably from 20 to 85 mol%, still more preferably from 30 to 80 mol%, from the viewpoints of solubility and flexibility, Is more preferable.
또한, 수지 (A) 는, 예를 들어, 시클로올레핀계 모노머와 알켄 모노머로 이루어지는 단량체 성분을 중합시켜 이루어지는 수지와 같이, 극성기를 갖지 않는 수지인 것이, 고온하에서의 가스의 발생을 억제하는 데에 있어서 바람직하다.The resin (A) is, for example, a resin having no polar group, such as a resin obtained by polymerizing a monomer component comprising a cycloolefin-based monomer and an alkene monomer. In suppressing the generation of gas under high temperature desirable.
단량체 성분을 중합할 때의 중합 방법이나 중합 조건 등에 대해서는, 특별히 제한은 없고, 통상적인 방법에 따라 적절히 설정하면 된다.The polymerization method, polymerization conditions, and the like at the time of polymerizing the monomer component are not particularly limited and may be suitably set according to a conventional method.
예를 들어, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 일반식 (2) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 시클로올레핀 코폴리머를 접착 성분의 수지 (A) 로서 사용할 수 있다.For example, a cycloolefin copolymer which is a copolymer of a repeating unit represented by the following general formula (1) and a repeating unit represented by the following general formula (2) can be used as the resin (A) of the adhesive component.
[화학식 1][Chemical Formula 1]
(일반식 (2) 중, n 은 0 또는 1 ∼ 3 의 정수이다)(In the general formula (2), n is 0 or an integer of 1 to 3)
이와 같은 시클로올레핀 코폴리머로는, APL 8008T, APL 8009T, 및 APL 6013T (모두 미츠이 화학 주식회사 제조) 등을 사용할 수 있다.As such cycloolefin copolymers, APL 8008T, APL 8009T, and APL 6013T (both manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) can be used.
또, 수지 (A) 로서 사용할 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 폴리플라스틱스 주식회사 제조의 「TOPAS」, 미츠이 화학 주식회사 제조의 「APEL」, 닛폰 제온 주식회사 제조의 「ZEONOR」 및 「ZEONEX」, JSR 주식회사 제조의 「ARTON」 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products that can be used as the resin (A) include "TOPAS" manufactured by Polyplastics Co., Ltd., "APEL" manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., "ZEONOR" and "ZEONEX" manufactured by Nippon Zeon Co., &Quot; ARTON " manufactured by Kokusan Co., Ltd., and the like.
수지 (A) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 60 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 70 ℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 수지 (A) 의 유리 전이 온도가 60 ℃ 이상이면, 적층체가 고온 환경에 노출되었을 때에 접착층 (3) 의 연화를 더욱 억제할 수 있다.The glass transition temperature (Tg) of the resin (A) is preferably 60 占 폚 or higher, and particularly preferably 70 占 폚 or higher. When the glass transition temperature of the resin (A) is 60 DEG C or more, softening of the adhesive layer (3) can be further suppressed when the laminate is exposed to a high temperature environment.
수지 (B) 는, 테르펜계 수지, 로진계 수지 및 석유 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지이다. 구체적으로는, 테르펜계 수지로는, 예를 들어, 테르펜 수지, 테르펜페놀 수지, 변성 테르펜 수지, 수첨 테르펜 수지, 수첨 테르펜페놀 수지 등을 들 수 있다. 로진계 수지로는, 예를 들어, 로진, 로진에스테르, 수첨 로진, 수첨 로진에스테르, 중합 로진, 중합 로진에스테르, 변성 로진 등을 들 수 있다. 석유 수지로는, 예를 들어, 지방족 또는 방향족 석유 수지, 수첨 석유 수지, 변성 석유 수지, 지환족 석유 수지, 쿠마론·인덴 석유 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수첨 테르펜 수지, 수첨 석유 수지가 보다 바람직하다.The resin (B) is at least one resin selected from the group consisting of a terpene resin, a rosin resin and a petroleum resin. Specifically, examples of the terpene resin include a terpene resin, a terpene phenol resin, a modified terpene resin, a hydrogenated terpene resin, a hydrogenated terpene phenol resin, and the like. Examples of the rosin-based resin include rosin, rosin ester, hydrogenated rosin, hydrogenated rosin ester, polymerized rosin, polymerized rosin ester, and modified rosin. Examples of the petroleum resin include an aliphatic or aromatic petroleum resin, a hydrogenated petroleum resin, a modified petroleum resin, an alicyclic petroleum resin, a coumarone-indene petroleum resin, and the like. Of these, hydrogenated terpene resins and hydrogenated petroleum resins are more preferable.
수지 (B) 의 연화점은 특별히 한정되지 않지만, 80 ∼ 160 ℃ 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 연화점이 80 ∼ 160 ℃ 이면, 적층체가 고온 환경에 노출되었을 때에 연화되는 것을 억제할 수 있고, 접착 불량을 일으키지 않는다.The softening point of the resin (B) is not particularly limited, but is preferably 80 to 160 ° C. When the softening point of the resin (B) is 80 to 160 占 폚, the laminate can be prevented from being softened when exposed to a high temperature environment, and adhesion failure is not caused.
수지 (B) 의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 300 ∼ 3,000 인 것이 바람직하다. 수지 (B) 의 중량 평균 분자량이 300 이상이면, 내열성이 충분한 것이 되고, 고온 환경하에 있어서 탈가스량이 적어진다. 한편, 수지 (B) 의 중량 평균 분자량이 3,000 이하이면, 탄화수소계 용제에 대한 접착층의 용해 속도가 양호한 것이 된다. 이 때문에, 서포트 플레이트를 분리한 후의 기판 상의 접착층의 잔사를 신속하게 용해시켜 제거할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 수지 (B) 의 중량 평균 분자량은, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피 (GPC) 로 측정되는 폴리스티렌 환산의 분자량을 의미하는 것이다.The weight average molecular weight of the resin (B) is not particularly limited, but is preferably 300 to 3,000. When the weight average molecular weight of the resin (B) is 300 or more, the heat resistance becomes sufficient, and the amount of degassing is reduced in a high temperature environment. On the other hand, when the weight average molecular weight of the resin (B) is 3,000 or less, the dissolution rate of the adhesive layer to the hydrocarbon solvent becomes good. Therefore, the residue of the adhesive layer on the substrate after separating the support plate can be quickly dissolved and removed. The weight average molecular weight of the resin (B) in the present embodiment means the molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).
또한, 수지로서, 수지 (A) 와 수지 (B) 를 혼합한 것을 사용해도 된다. 혼합함으로써, 내열성이 양호한 것이 된다. 예를 들어, 수지 (A) 와 수지 (B) 의 혼합 비율로는, (A) : (B) = 80 : 20 ∼ 55 : 45 (질량비) 인 것이, 고온 환경시의 열내성, 및 유연성이 우수하므로 바람직하다.As the resin, a mixture of the resin (A) and the resin (B) may be used. By mixing, the heat resistance becomes good. For example, the mixing ratio of the resin (A) and the resin (B) is preferably from 80:20 to 55:45 (mass ratio) of (A) :( B) Which is preferable.
(아크릴-스티렌계 수지)(Acrylic-styrenic resin)
아크릴-스티렌계 수지로는, 예를 들어, 스티렌 또는 스티렌의 유도체와, (메트)아크릴산에스테르 등을 단량체로서 사용하여 중합한 수지를 들 수 있다.Examples of the acryl-styrene type resin include resins obtained by polymerizing a derivative of styrene or styrene with (meth) acrylic acid ester as a monomer.
(메트)아크릴산에스테르로는, 예를 들어, 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르, 지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르로는, 탄소수 15 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 아크릴계 장사슬 알킬에스테르, 탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 아크릴계 장사슬 알킬에스테르로는, 알킬기가 n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-에이코실기 등인 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다. 또한, 당해 알킬기는 분기 사슬형이어도 된다.(Meth) acrylic esters include, for example, (meth) acrylic acid alkyl esters having a chain structure, (meth) acrylic esters having aliphatic rings, and (meth) acrylic esters having aromatic rings. Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester having a chain structure include an acrylic long-chain alkyl ester having an alkyl group having a carbon number of 15 to 20 and an acrylic alkyl ester having an alkyl group having a carbon number of 1 to 14. Examples of the acrylic long chain alkyl ester include acrylic acid or methacrylic acid in which the alkyl group is n-pentadecyl, n-hexadecyl, n-heptadecyl, n-octadecyl, Of alkyl esters. The alkyl group may be branched.
탄소수 1 ∼ 14 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르로는, 기존의 아크릴계 접착제에 사용되고 있는 공지된 아크릴계 알킬에스테르를 들 수 있다. 예를 들어, 알킬기가, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 이소옥틸기, 이소노닐기, 이소데실기, 도데실기, 라우릴기, 트리데실기 등으로 이루어지는 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르를 들 수 있다.Examples of acrylic alkyl esters having an alkyl group of 1 to 14 carbon atoms include known acrylic alkyl esters used in conventional acrylic adhesives. For example, when the alkyl group is an acrylic acid or methacrylic acid group such as methyl, ethyl, propyl, butyl, 2-ethylhexyl, isooctyl, isononyl, isodecyl, dodecyl, lauryl, And alkyl esters of acrylic acid.
지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 시클로펜틸(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 노르보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 테트라시클로도데카닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있지만, 이소보르닐메타아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Examples of the (meth) acrylic acid ester having an aliphatic ring include cyclohexyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, 1-adamantyl (meth) acrylate, norbornyl (meth) (Meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, tetracyclododecanyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate and the like can be given, but isobornyl methacrylate, Cyclopentanyl (meth) acrylate is more preferable.
방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 방향족 고리로는, 예를 들어 페닐기, 벤질기, 톨릴기, 자일릴기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페녹시메틸기, 페녹시에틸기 등을 들 수 있다. 또, 방향족 고리는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 가지고 있어도 된다. 구체적으로는, 페녹시에틸아크릴레이트가 바람직하다.The (meth) acrylic ester having an aromatic ring is not particularly limited, and examples of the aromatic ring include a phenyl group, a benzyl group, a tolyl group, a xylyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, , A phenoxyethyl group, and the like. The aromatic ring may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specifically, phenoxyethyl acrylate is preferable.
(말레이미드계 수지)(Maleimide resin)
말레이미드계 수지로는, 예를 들어, 단량체로서, N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-n-프로필말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-n-부틸말레이미드, N-이소부틸말레이미드, N-sec-부틸말레이미드, N-tert-부틸말레이미드, N-n-펜틸말레이미드, N-n-헥실말레이미드, N-n-헵틸말레이미드, N-n-옥틸말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-스테아릴말레이미드 등의 알킬기를 갖는 말레이미드, N-시클로프로필말레이미드, N-시클로부틸말레이미드, N-시클로펜틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-시클로헵틸말레이미드, N-시클로옥틸말레이미드 등의 지방족 탄화수소기를 갖는 말레이미드, N-페닐말레이미드, N-m-메틸페닐말레이미드, N-o-메틸페닐말레이미드, N-p-메틸페닐말레이미드 등의 아릴기를 갖는 방향족 말레이미드 등을 중합하여 얻어진 수지를 들 수 있다.Examples of the maleimide-based resin include monomers such as N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, Nn-propylmaleimide, N-isopropylmaleimide, N-butylmaleimide, N- N-heptylmaleimide, Nn-octylmaleimide, N-laurylmaleimide, N-heptylmaleimide, N-heptylmaleimide, N-heptylmaleimide, N-tert-butylmaleimide, Maleimide having an alkyl group such as stearyl maleimide, N-cyclopropyl maleimide, N-cyclobutyl maleimide, N-cyclopentyl maleimide, N-cyclohexyl maleimide, N-cycloheptyl maleimide, N- Maleimide having an aliphatic hydrocarbon group such as cyclooctylmaleimide, aromatic maleimide having an aryl group such as N-phenylmaleimide, Nm-methylphenylmaleimide, No-methylphenylmaleimide and Np-methylphenylmaleimide, etc. Can be .
(엘라스토머)(Elastomer)
엘라스토머는, 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 함유하고 있는 것이 바람직하고, 당해 「스티렌 단위」 는 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시알킬기, 아세톡시기, 카르복실기 등을 들 수 있다. 또, 당해 스티렌 단위의 함유량이 14 중량% 이상, 50 중량% 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또한 엘라스토머는, 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내인 것이 바람직하다.The elastomer preferably contains a styrene unit as a constitutional unit of the main chain, and the " styrene unit " may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group of 1 to 5 carbon atoms, an alkoxyalkyl group of 1 to 5 carbon atoms, an acetoxy group, and a carboxyl group. It is more preferable that the content of the styrene unit is within a range of 14 wt% or more and 50 wt% or less. The elastomer preferably has a weight average molecular weight of 10,000 or more and 200,000 or less.
스티렌 단위의 함유량이 14 중량% 이상, 50 중량% 이하의 범위 내이고, 엘라스토머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내이면, 후술하는 탄화수소계의 용제에 용이하게 용해되므로, 보다 용이하고 또한 신속하게 접착층을 제거할 수 있다. 또, 스티렌 단위의 함유량 및 중량 평균 분자량이 상기의 범위 내임으로써, 웨이퍼 기판이 레지스트 리소그래피 공정에 제공될 때에 노출되는 레지스트 용제 (예를 들어 PGMEA, PGME 등), 산 (불화수소산 등), 알칼리 (TMAH 등) 에 대해 우수한 내성을 발휘한다.When the content of the styrene unit is in the range of 14% by weight or more and 50% by weight or less and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 or more and 200,000 or less, it is easily dissolved in the hydrocarbon solvent described later Also, the adhesive layer can be quickly removed. When the content of the styrene unit and the weight average molecular weight fall within the above ranges, resist solvents (for example, PGMEA, PGME, etc.) exposed when the wafer substrate is provided to the resist lithography process, acids (hydrofluoric acid, etc.) TMAH and the like).
또한, 엘라스토머에는, 상기 서술한 (메트)아크릴산에스테르를 추가로 혼합해도 된다.The above-mentioned (meth) acrylic acid ester may be further mixed in the elastomer.
스티렌 단위의 함유량은, 보다 바람직하게는 17 중량% 이상이고, 또, 보다 바람직하게는 40 중량% 이하이다.The content of the styrene unit is more preferably 17% by weight or more, and still more preferably 40% by weight or less.
중량 평균 분자량의 보다 바람직한 범위는 20,000 이상이고, 또, 보다 바람직한 범위는 150,000 이하이다.A more preferable range of the weight average molecular weight is 20,000 or more, and a more preferable range is 150,000 or less.
엘라스토머로는, 스티렌 단위의 함유량이 14 중량% 이상, 50 중량% 이하의 범위 내이고, 엘라스토머의 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내이면, 여러 가지 엘라스토머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리스티렌-폴리(에틸렌/프로필렌) 블록 코폴리머 (SEP), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머 (SIS), 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 코폴리머 (SBS), 스티렌-부타디엔-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SBBS), 및 이들의 수첨물, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEBS), 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머) (SEPS), 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEEPS), 스티렌 블록이 반응 가교형의 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (SeptonV9461 (주식회사 쿠라레 제조), SeptonV9475 (주식회사 쿠라레 제조)), 스티렌 블록이 반응 가교형의 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (반응성의 폴리스티렌계 하드 블록을 갖는 SeptonV9827 (주식회사 쿠라레 제조)), 폴리스티렌-폴리(에틸렌-에틸렌/프로필렌) 블록-폴리스티렌 블록 코폴리머 (SEEPS-OH : 말단 수산기 변성) 등을 들 수 있고, 엘라스토머의 스티렌 단위의 함유량 및 중량 평균 분자량이 상기 서술한 범위 내인 것을 사용할 수 있다.As the elastomer, various elastomers can be used so long as the styrene unit content is in the range of 14 wt% or more and 50 wt% or less and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 to 200,000. Styrene block copolymer (SIS), styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-butadiene-butylene-styrene block copolymers (Styrene-isoprene-styrene block copolymer) (hereinafter referred to as " styrene-ethylene-styrene block copolymer " SEPE), styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (SEEPS), styrene block copolymer styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (Septon V9461, manufactured by Kuraray Co., Ltd., Septon V9475 Styrene block copolymer having a reactive styrene block (Septon V9827 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.) having a reactive polystyrene-based hard block), styrene-ethylene-butylene- (Ethylene-ethylene / propylene) block-polystyrene block copolymer (SEEPS-OH: terminal hydroxyl group-modified), and the elastomer having a styrene unit content and a weight average molecular weight within the above- have.
또, 엘라스토머 중에서도 수첨물이 보다 바람직하다. 수첨물이면 열에 대한 안정성이 향상되고, 분해나 중합 등의 변질이 잘 일어나지 않는다. 또, 탄화수소계 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.Among the elastomers, hydrous materials are more preferable. If it is a water-soluble material, stability against heat is improved, and deterioration such as decomposition or polymerization does not occur. It is more preferable from the viewpoints of solubility in a hydrocarbon solvent and resistance to a resist solvent.
또, 엘라스토머 중에서도 양단이 스티렌의 블록 중합체인 것이 보다 바람직하다. 열안정성이 높은 스티렌을 양 말단에 블록함으로써 보다 높은 내열성을 나타내기 때문이다.Further, among the elastomers, styrene block polymers at both ends are more preferable. This is because styrene having high heat stability is blocked at both ends to exhibit higher heat resistance.
보다 구체적으로는, 엘라스토머는, 스티렌 및 공액 디엔의 블록 코폴리머의 수첨물인 것이 보다 바람직하다. 열에 대한 안정성이 향상되고, 분해나 중합 등의 변질이 잘 일어나지 않는다. 또, 열안정성이 높은 스티렌을 양 말단에 블록함으로써 보다 높은 내열성을 나타낸다. 또한 탄화수소계 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.More specifically, it is more preferable that the elastomer is a hydrogenated product of a block copolymer of styrene and a conjugated diene. The stability to heat is improved, and deterioration such as decomposition or polymerization does not occur well. Further, styrene having high thermal stability is blocked at both ends to exhibit higher heat resistance. From the viewpoints of solubility in a hydrocarbon solvent and resistance to a resist solvent.
접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 함유되는 엘라스토머로서 사용될 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 주식회사 쿠라레 제조 「셉톤 (상품명)」, 주식회사 쿠라레 제조 「하이브라 (상품명)」, 아사히 화성 주식회사 제조 「터프텍 (상품명)」, JSR 주식회사 제조 「다이나론 (상품명)」 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products that can be used as the elastomer contained in the adhesive constituting the
접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 함유되는 엘라스토머의 함유량으로는, 예를 들어, 접착제 조성물 전체량을 100 중량부로 하여, 50 중량부 이상, 99 중량부 이하의 범위 내가 바람직하고, 60 중량부 이상, 99 중량부 이하의 범위 내가 보다 바람직하고, 70 중량부 이상, 95 중량부 이하의 범위 내가 가장 바람직하다. 이들 범위 내로 함으로써, 내열성을 유지하면서, 기판과 서포트 플레이트를 바람직하게 첩합할 수 있다.The content of the elastomer contained in the adhesive constituting the
또, 엘라스토머는, 복수의 종류를 혼합해도 된다. 요컨대, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제는 복수의 종류의 엘라스토머를 함유하고 있어도 된다. 그리고, 복수의 종류의 엘라스토머 중 적어도 하나가, 주사슬의 구성 단위로서 스티렌 단위를 함유하고 있으면 된다. 또, 복수의 종류의 엘라스토머 중 적어도 하나가, 스티렌 단위의 함유량이 14 중량% 이상, 50 중량% 이하의 범위 내이거나, 또는 중량 평균 분자량이 10,000 이상, 200,000 이하의 범위 내이면, 본 발명의 범주이다. 또, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 있어서, 복수의 종류의 엘라스토머를 함유하는 경우, 혼합한 결과, 스티렌 단위의 함유량이 상기의 범위 내가 되도록 조정해도 된다. 예를 들어, 스티렌 단위의 함유량이 30 중량% 인 주식회사 쿠라레 제조의 셉톤 (상품명) 의 Septon4033 과, 스티렌 단위의 함유량이 13 중량% 인 셉톤 (상품명) 의 Septon2063 을 중량비 1 대 1 로 혼합하면, 접착제에 함유되는 엘라스토머 전체에 대한 스티렌 함유량은 21 ∼ 22 중량% 가 되고, 따라서 14 중량% 이상이 된다. 또, 예를 들어, 스티렌 단위가 10 중량% 인 것과 60 중량% 인 것을 중량비 1 대 1 로 혼합하면 35 중량% 가 되어, 상기의 범위 내가 된다. 본 발명은 이와 같은 형태이어도 된다. 또, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제에 함유되는 복수의 종류의 엘라스토머는, 모두 상기의 범위 내에서 스티렌 단위를 함유하고, 또한 상기의 범위 내의 중량 평균 분자량인 것이 가장 바람직하다.The elastomer may be mixed with a plurality of kinds. In short, the adhesive constituting the
또한, 광 경화성 수지 (예를 들어, UV 경화성 수지) 이외의 수지를 사용하여 접착층 (3) 을 형성하는 것이 바람직하다. 광 경화성 수지 이외의 수지를 사용함으로써, 접착층 (3) 의 박리 또는 제거 후에, 기판 (1) 의 미소한 요철의 주변에 잔사가 생기는 것을 방지할 수 있다. 특히, 접착층 (3) 을 구성하는 접착제로는, 모든 용제에 용해되는 것은 아니며, 특정한 용제에 용해되는 것이 바람직하다. 이것은, 기판 (1) 에 물리적인 힘을 가하지 않고, 접착층 (3) 을 용제에 용해시킴으로써 제거 가능하기 때문이다. 접착층 (3) 의 제거시에, 강도가 저하된 기판 (1) 에서조차, 기판 (1) 을 파손시키거나, 변형시키거나 하지 않고, 용이하게 접착층 (3) 을 제거할 수 있다.Further, it is preferable to form the
(폴리술폰계 수지)(Polysulfone resin)
접착층 (3) 을 형성하기 위한 접착제는, 폴리술폰계 수지를 함유하고 있어도 된다. 접착층 (3) 을 폴리술폰계 수지에 의해 형성함으로써, 고온에 있어서 적층체를 처리해도, 그 후의 공정에 있어서 접착층을 용해시켜, 기판으로부터 서포트 플레이트를 박리하는 것이 가능한 적층체를 제조할 수 있다. 접착층 (3) 이 폴리술폰 수지를 함유하고 있으면, 예를 들어, 어닐링 등에 의해 적층체를 300 ℃ 이상이라는 고온에서 처리하는 고온 프로세스에 있어서도, 적층체를 바람직하게 사용할 수 있다.The adhesive for forming the
폴리술폰계 수지는, 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 구성 단위, 및 하기 일반식 (4) 로 나타내는 구성 단위 중 적어도 1 종의 구성 단위로 이루어지는 구조를 가지고 있다.The polysulfone resin has a structure composed of at least one constituent unit of a constituent unit represented by the following general formula (3) and a constituent unit represented by the following general formula (4).
[화학식 2](2)
(여기서, 일반식 (3) 의 R1, R2 및 R3, 그리고 일반식 (4) 중의 R1 및 R2 는, 각각 독립적으로 페닐렌기, 나프틸렌기 및 안트릴렌기로 이루어지는 군에서 선택되고, X' 는 탄소수가 1 이상, 3 이하인 알킬렌기이다)(Wherein R 1 , R 2 and R 3 in the general formula (3) and R 1 and R 2 in the general formula (4) are each independently selected from the group consisting of a phenylene group, a naphthylene group and an anthrylene group And X 'is an alkylene group having a carbon number of 1 or more and 3 or less)
폴리술폰계 수지는, 식 (3) 으로 나타내는 폴리술폰 구성 단위 및 식 (4) 로 나타내는 폴리에테르술폰 구성 단위 중 적어도 1 개를 구비하고 있음으로써, 기판 (1) 과 서포트 플레이트 (2) 를 첩부한 후, 높은 온도 조건에 있어서 기판 (1) 을 처리해도, 분해 및 중합 등에 의해 접착층 (3) 이 불용화되는 것을 방지할 수 있는 적층체를 형성할 수 있다. 또, 폴리술폰계 수지는, 상기 식 (3) 으로 나타내는 폴리술폰 구성 단위로 이루어지는 폴리술폰 수지이면, 보다 높은 온도로 가열해도 안정적이다. 이 때문에, 세정 후의 기판 (1) 에 접착층에서 기인하는 잔사가 생기는 것을 방지할 수 있다.The polysulfone resin includes at least one of the polysulfone constituent unit represented by the formula (3) and the polyether sulfone constituent unit represented by the formula (4), whereby the
폴리술폰계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 30,000 이상, 70,000 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 30,000 이상, 50,000 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 폴리술폰계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 이, 30,000 이상의 범위 내이면, 예를 들어, 300 ℃ 이상의 높은 온도에 있어서 사용할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있다. 또, 폴리술폰계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 이 70,000 이하의 범위 내이면, 용제에 의해 바람직하게 용해될 수 있다. 요컨대, 용제에 의해 바람직하게 제거할 수 있는 접착제 조성물을 얻을 수 있다.The weight average molecular weight (Mw) of the polysulfone resin is preferably 30,000 or more and 70,000 or less, more preferably 30,000 or more and 50,000 or less. When the weight average molecular weight (Mw) of the polysulfone resin is within a range of 30,000 or more, an adhesive composition which can be used at a high temperature of, for example, 300 DEG C or more can be obtained. When the weight average molecular weight (Mw) of the polysulfone resin is within a range of 70,000 or less, it can be preferably dissolved by a solvent. In short, an adhesive composition which can be preferably removed by a solvent can be obtained.
(희석 용제)(Diluting solvent)
접착층 (3) 을 형성할 때에 사용하는 희석 용제로는, 예를 들어, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 메틸옥탄, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸 등의 직사슬형의 탄화수소, 탄소수 4 내지 15 의 분기 사슬형의 탄화수소, 예를 들어, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 나프탈렌, 데카하이드로나프탈렌, 테트라하이드로나프탈렌 등의 고리형 탄화수소, p-멘탄, o-멘탄, m-멘탄, 디페닐멘탄, 1,4-테르핀, 1,8-테르핀, 보르난, 노르보르난, 피난, 투우잔, 카란, 롱기폴렌, 게라니올, 네롤, 리날롤, 시트랄, 시트로넬롤, 멘톨, 이소멘톨, 네오멘톨, α-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 테르피넨-1-올, 테르피넨-4-올, 디하이드로터피닐아세테이트, 1,4-시네올, 1,8-시네올, 보르네올, 카르본, 요논, 투욘, 캄파, d-리모넨, l-리모넨, 디펜텐 등의 테르펜계 용제 ; γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 (CH), 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 (이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다) ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 메톡시부틸아세테이트, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레실메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르 등의 방향족계 유기 용제 등을 들 수 있다.Examples of the diluting agent for use in forming the
(그 밖의 성분)(Other components)
접착층 (3) 을 구성하는 접착제는, 본질적인 특성을 저해하지 않는 범위에 있어서, 혼화성이 있는 다른 물질을 추가로 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 접착제의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 가소제, 접착 보조제, 안정제, 착색제, 열중합 금지제 및 계면 활성제 등, 관용되고 있는 각종 첨가제를 추가로 사용할 수 있다.The adhesive constituting the
[분리층 (4)][Separation layer (4)]
다음으로, 분리층 (4) 이란, 서포트 플레이트 (2) 를 개재하여 조사되는 광을 흡수함으로써 변질되는 재료로 형성되어 있는 층이다.Next, the
분리층 (4) 의 두께는, 예를 들어, 0.05 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ㎛ 이상, 1 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 더욱 바람직하다. 분리층 (4) 의 두께가 0.05 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 범위에 들어가 있으면, 단시간의 광의 조사 및 저에너지의 광의 조사에 의해, 분리층 (4) 에 원하는 변질을 발생시킬 수 있다. 또, 분리층 (4) 의 두께는, 생산성의 관점에서 1 ㎛ 이하의 범위에 들어가 있는 것이 특히 바람직하다.The thickness of the
또한, 적층체 (10) 에 있어서, 분리층 (4) 과 서포트 플레이트 (2) 사이에 다른 층이 추가로 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 다른 층은 광을 투과하는 재료로 구성되어 있으면 된다. 이로써, 분리층 (4) 으로의 광의 입사를 방해하지 않고, 적층체 (10) 에 바람직한 성질 등을 부여하는 층을 적절히 추가할 수 있다. 분리층 (4) 을 구성하고 있는 재료의 종류에 따라, 사용할 수 있는 광의 파장이 상이하다. 따라서, 다른 층을 구성하는 재료는, 모든 광을 투과시킬 필요는 없고, 분리층 (4) 을 구성하는 재료를 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과시킬 수 있는 재료에서 적절히 선택할 수 있다.Further, another layer may be additionally formed between the
또, 분리층 (4) 은, 광을 흡수하는 구조를 갖는 재료만으로 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 본 발명에 있어서의 본질적인 특성을 저해하지 않는 범위에 있어서, 광을 흡수하는 구조를 갖지 않는 재료를 첨가하여, 분리층 (4) 을 형성해도 된다. 또, 분리층 (4) 에 있어서의 접착층 (3) 에 대향하는 측의 면이 평탄한 (요철이 형성되어 있지 않은) 것이 바람직하고, 이로써, 분리층 (4) 의 형성이 용이하게 실시되고, 또한 첩부에 있어서도 균일하게 첩부하는 것이 가능해진다.Although it is preferable that the
분리층 (4) 은, 기판 및 서포트 플레이트 (2) 의 종류, 그리고 적층체에 요구되는 성능에 따라 그 재료를 적절히 선택하면 된다. 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에 있어서는, 이하에 나타내는 분리층 중, 실리콘으로 이루어지는 서포트 플레이트 (2) 를 투과시킬 수 있는 적외선을 조사할 수 있는 CO2 레이저에 의해 변질되는 분리층을 보다 바람직하게 사용할 수 있다.The
(플루오로카본)(Fluorocarbon)
분리층 (4) 은, 플루오로카본으로 이루어져 있어도 된다. 분리층 (4) 은, 플루오로카본에 의해 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 상실한다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 서포트 플레이트 (2) 를 들어 올리는 등) 으로써, 분리층 (4) 이 파괴되어, 서포트 플레이트 (2) 와 기판 (1) 을 분리하기 쉽게 할 수 있다. 분리층 (4) 을 구성하는 플루오로카본은, 플라즈마 CVD (화학 기상 퇴적) 법에 의해 바람직하게 성막할 수 있다.The
플루오로카본은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층 (4) 에 사용한 플루오로카본이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사함으로써, 플루오로카본을 바람직하게 변질시킬 수 있다. 또한, 분리층 (4) 에 있어서의 광의 흡수율은 80 % 이상인 것이 바람직하다.Fluorocarbon absorbs light having a wavelength in a specific range depending on its kind. By irradiating the separation layer with light having a wavelength in the range that the fluorocarbon used in the
분리층 (4) 에 조사하는 광으로는, 플루오로카본이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는 비레이저 광을 적절히 사용하면 된다. 플루오로카본을 변질시킬 수 있는 파장으로는, 이것에 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 600 ㎚ 이하의 범위의 것을 사용할 수 있다.As the light to be irradiated to the
(광 흡수성을 가지고 있는 구조를 그 반복 단위에 함유하고 있는 중합체)(A polymer containing a structure having light absorptivity in the repeating unit)
분리층 (4) 은, 광 흡수성을 가지고 있는 구조를 그 반복 단위에 함유하고 있는 중합체를 함유하고 있어도 된다. 그 중합체는 광의 조사를 받아 변질된다. 그 중합체의 변질은, 상기 구조가 조사된 광을 흡수함으로써 발생한다. 분리층 (4) 은, 중합체의 변질의 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 상실하고 있다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 서포트 플레이트 (2) 를 들어 올리는 등) 으로써, 분리층 (4) 이 파괴되어, 서포트 플레이트 (2) 와 기판 (1) 을 분리하기 쉽게 할 수 있다.The
광 흡수성을 가지고 있는 상기 구조는, 광을 흡수하여, 반복 단위로서 그 구조를 함유하고 있는 중합체를 변질시키는 화학 구조이다. 그 구조는, 예를 들어, 치환 혹은 비치환의 벤젠 고리, 축합 고리 또는 복소 고리로 이루어지는 공액 π 전자계를 함유하고 있는 원자단이다. 보다 상세하게는, 그 구조는, 카르도 구조, 또는 상기 중합체의 측사슬에 존재하는 벤조페논 구조, 디페닐술폭사이드 구조, 디페닐술폰 구조 (비스페닐술폰 구조), 디페닐 구조 혹은 디페닐아민 구조일 수 있다.The above structure having light absorption property is a chemical structure which absorbs light and changes a polymer containing the structure as a repeating unit. The structure thereof is, for example, an atomic group containing a conjugated pi-electron system comprising a substituted or unsubstituted benzene ring, a condensed ring or a heterocyclic ring. More specifically, the structure may be a carbodiimide structure or a benzophenone structure, a diphenyl sulfoxide structure, a diphenyl sulfone structure (biphenyl sulfone structure), a diphenyl structure or a diphenylamine structure in a side chain of the polymer Structure.
상기 구조가 상기 중합체의 측사슬에 존재하는 경우, 그 구조는 이하의 식에 의해 나타낼 수 있다.When the structure is present in the side chain of the polymer, its structure can be represented by the following formula.
[화학식 3](3)
(식 중, R 은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 할로겐, 수산기, 케톤기, 술폭사이드기, 술폰기 또는 N(R4)(R5) 이고 (여기서, R4 및 R5 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다), Z 는 존재하지 않거나, 또는 -CO-, -SO2-, -SO- 혹은 -NH- 이고, n 은 0 또는 1 ∼ 5 의 정수이다)(Wherein, R is each independently an alkyl group, an aryl group, a halogen, a hydroxyl group, a ketone group, a sulfoxide group, a sulfone group or an N (R 4) (R 5 ) , and (wherein, R 4 and R 5 are each independently is a hydrogen atom or an alkyl group having a carbon number of 1-5), Z is absent, or -CO-, -SO 2 -, and -SO- or -NH-, n is an integer of 0 or 1 to 5)
또, 상기 중합체는, 예를 들어, 이하의 식 중, (a) ∼ (d) 중 어느 것에 의해 나타내는 반복 단위를 함유하고 있거나, (e) 에 의해 나타내거나, 또는 (f) 의 구조를 그 주사슬에 함유하고 있다.The polymer may contain, for example, a repeating unit represented by any one of the following formulas (a) to (d), or may be represented by (e) It is contained in the main chain.
[화학식 4][Chemical Formula 4]
(식 중, l 은 1 이상의 정수이고, m 은 0 또는 1 ∼ 2 의 정수이고, X 는 (a) ∼ (e) 에 있어서 상기의 "화학식 3" 에 나타낸 식 중 어느 것이고, (f) 에 있어서 상기의 "화학식 3" 에 나타낸 식 중 어느 것이거나, 또는 존재하지 않고, Y1 및 Y2 는 각각 독립적으로 -CO- 또는 SO2- 이다. l 은 바람직하게는 10 이하의 정수이다.)(1) wherein l is an integer of 1 or more, m is 0 or an integer of 1 to 2, X is any one of the formulas shown in the above formula (3) in (a) to (e) And Y 1 and Y 2 are each independently -CO- or SO 2 -, and l is preferably an integer of 10 or less.
상기의 "화학식 3" 에 나타나는 벤젠 고리, 축합 고리 및 복소 고리의 예로는, 페닐, 치환 페닐, 벤질, 치환 벤질, 나프탈렌, 치환 나프탈렌, 안트라센, 치환 안트라센, 안트라퀴논, 치환 안트라퀴논, 아크리딘, 치환 아크리딘, 아조벤젠, 치환 아조벤젠, 플루오림, 치환 플루오림, 플루오리몬, 치환 플루오리몬, 카르바졸, 치환 카르바졸, N-알킬카르바졸, 디벤조푸란, 치환 디벤조푸란, 페난트렌, 치환 페난트렌, 피렌 및 치환 피렌을 들 수 있다. 예시한 치환기가 추가로 치환기를 가지고 있는 경우, 그 치환기는, 예를 들어, 알킬, 아릴, 할로겐 원자, 알콕시, 니트로, 알데히드, 시아노, 아미드, 디알킬아미노, 술폰아미드, 이미드, 카르복실산, 카르복실산에스테르, 술폰산, 술폰산에스테르, 알킬아미노 및 아릴아미노에서 선택된다.Examples of the benzene ring, condensed ring and heterocyclic ring shown in the above-mentioned "
상기의 "화학식 3" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 가지고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -SO2- 인 경우의 예로는, 비스(2,4-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,4-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,5-디하이드록시페닐)술폰, 비스(3,6-디하이드록시페닐)술폰, 비스(4-하이드록시페닐)술폰, 비스(3-하이드록시페닐)술폰, 비스(2-하이드록시페닐)술폰, 및 비스(3,5-디메틸-4-하이드록시페닐)술폰 등을 들 수 있다.Among the substituents represented by the above-mentioned "
상기의 "화학식 3" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 가지고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -SO- 인 경우의 예로는, 비스(2,3-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(5-클로로-2,3-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(2,4-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(2,4-디하이드록시-6-메틸페닐)술폭사이드, 비스(5-클로로-2,4-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(2,5-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(3,4-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(3,5-디하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(2,3,4-트리하이드록시-6-메틸페닐)-술폭사이드, 비스(5-클로로-2,3,4-트리하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(2,4,6-트리하이드록시페닐)술폭사이드, 비스(5-클로로-2,4,6-트리하이드록시페닐)술폭사이드 등을 들 수 있다.Among the substituents represented by the above-mentioned "
상기의 "화학식 3" 에 나타내는 치환기 중, 페닐기를 2 개 가지고 있는 5 번째의 치환기로서, Z 가 -C(=O)- 인 경우의 예로는, 2,4-디하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,2',5,6'-테트라하이드록시벤조페논, 2-하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-옥톡시벤조페논, 2-하이드록시-4-도데실옥시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,6-디하이드록시-4-메톡시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4,4'-디메톡시벤조페논, 4-아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디에틸아미노-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-4'-메톡시-2'-하이드록시벤조페논, 4-디메틸아미노-2',4'-디하이드록시벤조페논, 및 4-디메틸아미노-3',4'-디하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다.Among the substituents represented by the above-mentioned "
상기 구조가 상기 중합체의 측사슬에 존재하고 있는 경우, 상기 구조를 함유하고 있는 반복 단위의, 상기 중합체에서 차지하는 비율은, 분리층 (4) 의 광의 투과율이 0.001 % 이상, 10 % 이하가 되는 범위 내에 있다. 그 비율이 이와 같은 범위에 들어가도록 중합체가 조제되어 있으면, 분리층 (4) 이 충분히 광을 흡수하여, 확실하고 또한 신속하게 변질될 수 있다. 즉, 적층체 (10) 로부터의 서포트 플레이트 (2) 의 제거가 용이하고, 그 제거에 필요한 광의 조사 시간을 단축시킬 수 있다.When the structure is present in the side chain of the polymer, the proportion of the repeating unit containing the structure in the polymer is in the range of not less than 0.001% and not more than 10% of the light transmittance of the
상기 구조는, 그 종류의 선택에 따라, 원하는 범위의 파장을 가지고 있는 광을 흡수할 수 있다. 예를 들어, 상기 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 100 ㎚ 이상, 2,000 ㎚ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 이 범위 내 중, 상기 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 보다 단파장측이고, 예를 들어, 100 ㎚ 이상, 500 ㎚ 이하의 범위 내이다. 예를 들어, 상기 구조는, 바람직하게는 대략 300 ㎚ 이상, 370 ㎚ 이하의 범위 내의 파장을 가지고 있는 자외광을 흡수함으로써, 그 구조를 함유하고 있는 중합체를 변질시킬 수 있다.The structure can absorb light having a wavelength in a desired range according to the selection of the kind. For example, the wavelength of the absorbable light of the above structure is more preferably in the range of 100 nm or more and 2,000 nm or less. Within this range, the wavelength of the light absorbable by the above structure is on the shorter wavelength side, for example, in the range of 100 nm or more and 500 nm or less. For example, the structure may deform the polymer containing the structure, preferably by absorbing ultraviolet light having a wavelength within a range of about 300 nm to 370 nm inclusive.
상기 구조가 흡수 가능한 광은, 예를 들어, 고압 수은 램프 (파장 : 254 ㎚ 이상, 436 ㎚ 이하), KrF 엑시머 레이저 (파장 : 248 ㎚), ArF 엑시머 레이저 (파장 : 193 ㎚), F2 엑시머 레이저 (파장 : 157 ㎚), XeCl 레이저 (파장 : 308 ㎚), XeF 레이저 (파장 : 351 ㎚) 혹은 고체 UV 레이저 (파장 : 355 ㎚) 로부터 발해지는 광, 또는 g 선 (파장 : 436 ㎚), h 선 (파장 : 405 ㎚) 혹은 i 선 (파장 : 365 ㎚) 등이다.(Wavelength: 254 nm or more, 436 nm or less), KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), F2 excimer laser (Wavelength: 157 nm), XeCl laser (wavelength: 308 nm), XeF laser (wavelength: 351 nm), or solid UV laser (wavelength: 355 nm) Line (wavelength: 405 nm) or an i-line (wavelength: 365 nm).
상기 서술한 분리층 (4) 은, 반복 단위로서 상기 구조를 함유하고 있는 중합체를 함유하고 있지만, 분리층 (4) 은 추가로, 상기 중합체 이외의 성분을 함유할 수 있다. 그 성분으로는, 필러, 가소제, 및 서포트 플레이트 (2) 의 박리성을 향상시킬 수 있는 성분 등을 들 수 있다. 이들 성분은, 상기 구조에 의한 광의 흡수, 및 중합체의 변질을 방해하지 않거나, 또는 촉진시키는 종래 공지된 물질 또는 재료에서 적절히 선택된다.Although the above-described
(무기물)(Mineral)
분리층 (4) 은, 무기물로 이루어져 있어도 된다. 분리층 (4) 은, 무기물에 의해 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 상실한다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 서포트 플레이트 (2) 를 들어 올리는 등) 으로써, 분리층 (4) 이 파괴되어, 서포트 플레이트 (2) 와 기판 (1) 을 분리하기 쉽게 할 수 있다.The
상기 무기물은, 광을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어, 금속, 금속 화합물 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 바람직하게 사용할 수 있다. 금속 화합물이란, 금속 원자를 함유하는 화합물을 가리키고, 예를 들어, 금속 산화물, 금속 질화물일 수 있다. 이와 같은 무기물의 예시로는, 이것에 한정되는 것은 아니지만, 금, 은, 구리, 철, 니켈, 알루미늄, 티탄, 크롬, SiO2, SiN, Si3N4, TiN, 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 무기물을 들 수 있다. 또한, 카본이란 탄소의 동소체도 포함될 수 있는 개념이고, 예를 들어, 다이아몬드, 플러렌, 다이아몬드 라이크 카본, 카본 나노 튜브 등일 수 있다.The inorganic material may be modified so as to absorb light. For example, one or more inorganic materials selected from the group consisting of metals, metal compounds and carbon may be preferably used. The metal compound refers to a compound containing a metal atom, and may be, for example, a metal oxide or a metal nitride. In this example of such minerals it includes, but are not limited to this, but gold is selected from copper, iron, nickel, aluminum, titanium, chromium, SiO 2, SiN, Si 3 N 4, the group consisting of TiN, and carbon And at least one kind of inorganic substance. Also, carbon is a concept that can include carbon isotopes, and can be, for example, diamond, fullerene, diamond like carbon, carbon nanotubes, and the like.
상기 무기물은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층 (4) 에 사용한 무기물이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사함으로써, 상기 무기물을 바람직하게 변질시킬 수 있다.The inorganic material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on the kind thereof. By irradiating the separation layer with light having a wavelength in the range that the inorganic material used in the
무기물로 이루어지는 분리층 (4) 에 조사하는 광으로는, 상기 무기물이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는 비레이저 광을 적절히 사용하면 된다.As the light to be irradiated to the
무기물로 이루어지는 분리층 (4) 은, 예를 들어 스퍼터, 화학 증착 (CVD), 도금, 플라즈마 CVD, 스핀 코트 등의 공지된 기술에 의해, 서포트 플레이트 (2) 상에 형성될 수 있다. 무기물로 이루어지는 분리층 (4) 의 두께는 특별히 한정되지 않고, 사용하는 광을 충분히 흡수할 수 있는 막두께이면 되지만, 예를 들어, 0.05 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이하의 범위 내의 막두께로 하는 것이 보다 바람직하다. 또, 분리층 (4) 을 구성하는 무기물로 이루어지는 무기막 (예를 들어, 금속막) 의 양면 또는 편면에 미리 접착제를 도포하여, 서포트 플레이트 (2) 및 기판 (1) 에 첩부해도 된다.The
또한, 분리층 (4) 으로서 금속막을 사용하는 경우에는, 분리층 (4) 의 막질, 레이저 광원의 종류, 레이저 출력 등의 조건에 따라서는, 레이저의 반사나 막에 대한 대전 등이 일어날 수 있다. 그 때문에, 반사 방지막이나 대전 방지막을 분리층 (4) 의 상하 또는 어느 일방에 형성함으로써, 그들의 대책을 도모하는 것이 바람직하다.Further, when a metal film is used as the
(적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물)(A compound having an infrared absorbing structure)
분리층 (4) 은, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물에 의해 형성되어 있어도 된다. 그 화합물은, 적외선을 흡수함으로써 변질된다. 분리층 (4) 은, 화합물의 변질의 결과로서, 적외선의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 상실하고 있다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 서포트 플레이트 (2) 를 들어 올리는 등) 으로써, 분리층 (4) 이 파괴되어, 서포트 플레이트 (2) 와 기판 (1) 을 분리하기 쉽게 할 수 있다.The
적외선 흡수성을 가지고 있는 구조, 또는 적외선 흡수성을 가지고 있는 구조를 함유하는 화합물로는, 예를 들어, 알칸, 알켄 (비닐, 트랜스, 시스, 비닐리덴, 3 치환, 4 치환, 공액, 쿠물렌, 고리형), 알킨 (1 치환, 2 치환), 단고리형 방향족 (벤젠, 1 치환, 2 치환, 3 치환), 알코올 및 페놀류 (자유 OH, 분자 내 수소 결합, 분자간 수소 결합, 포화 제 2 급, 포화 제 3 급, 불포화 제 2 급, 불포화 제 3 급), 아세탈, 케탈, 지방족 에테르, 방향족 에테르, 비닐에테르, 옥시란 고리 에테르, 과산화물에테르, 케톤, 디알킬카르보닐, 방향족 카르보닐, 1,3-디케톤의 에놀, o-하이드록시아릴케톤, 디알킬알데히드, 방향족 알데히드, 카르복실산 (2 량체, 카르복실산 아니온), 포름산에스테르, 아세트산에스테르, 공액 에스테르, 비공액 에스테르, 방향족 에스테르, 락톤 (β-, γ-, δ-), 지방족 산염화물, 방향족 산염화물, 산무수물 (공액, 비공액, 고리형, 비고리형), 제 1 급 아미드, 제 2 급 아미드, 락탐, 제 1 급 아민 (지방족, 방향족), 제 2 급 아민 (지방족, 방향족), 제 3 급 아민 (지방족, 방향족), 제 1 급 아민염, 제 2 급 아민염, 제 3 급 아민염, 암모늄 이온, 지방족 니트릴, 방향족 니트릴, 카르보디이미드, 지방족 이소니트릴, 방향족 이소니트릴, 이소시안산에스테르, 티오시안산에스테르, 지방족 이소티오시안산에스테르, 방향족 이소티오시안산에스테르, 지방족 니트로 화합물, 방향족 니트로 화합물, 니트로아민, 니트로소아민, 질산에스테르, 아질산에스테르, 니트로소 결합 (지방족, 방향족, 단량체, 2 량체), 메르캅탄 및 티오페놀 및 티올산 등의 황 화합물, 티오카르보닐기, 술폭사이드, 술폰, 염화술포닐, 제 1 급 술폰아미드, 제 2 급 술폰아미드, 황산에스테르, 탄소-할로겐 결합, Si-A1 결합 (A1 은 H, C, O 또는 할로겐), P-A2 결합 (A2 는 H, C 또는 O), 또는 Ti-O 결합일 수 있다.Examples of the compound containing a structure having an infrared absorbing property or a structure having an infrared absorbing property include an alkane, an alkene (vinyl, a trans, a cis, a vinylidene, a trisubstituted, a tetrasubstituted, a conjugated, Alcohol, and phenols (free OH, intramolecular hydrogen bonds, intermolecular hydrogen bonds, saturated secondary alcohols, saturated aliphatic alcohols), monocyclic aromatic (benzene, monosubstituted, Unsaturated secondary, and tertiary unsaturated), acetal, ketal, aliphatic ether, aromatic ether, vinyl ether, oxirane ring ether, peroxide ether, ketone, dialkylcarbonyl, aromatic carbonyl, 1,3 (Dicarboxylic acid anhydrides), formic acid esters, acetic acid esters, conjugated esters, non-conjugated esters, aromatic esters, carboxylic acid esters, Lactones (? -,? -,? -), (Aliphatic, aromatic, aliphatic, aromatic, aliphatic, aromatic, or aromatic), an aliphatic acid chloride, an aromatic acid chloride, an acid anhydride (conjugated, non-conjugated, cyclic, acyclic), primary amide, secondary amide, lactam, Aromatic amines, aliphatic amines, aliphatic amines, aliphatic amines, aliphatic amines, aromatic amines, aromatic amines, aliphatic amines, aliphatic amines, aliphatic amines, An aliphatic nitro compound, an aromatic nitro compound, a nitroamine, a nitrosoamine, a nitrate ester, a nitrite ester, a nitroso bond, a nitrile bond, a nitrile bond, an isocyanate bond, a nitrile bond, an isocyanate bond, a thiocyanate bond, an aliphatic isothiocyanate bond, an aromatic isothiocyanate bond, (Aliphatic, aromatic, monomeric, dimeric), mercaptans and sulfur compounds such as thiophenol and thiol acid, thiocarbonyl groups, sulfoxide, sulfone, sulfonyl chloride, primary sulfonamides, secondary Sulfonamides, sulfate esters, the carbon-halogen bond, a bond Si-A 1 (A 1 is H, C, O, or halogen), PA 2 bond (A 2 is H, C, or O), or be a Ti-O bond have.
상기 탄소-할로겐 결합을 함유하는 구조로는, 예를 들어, -CH2Cl, -CH2Br, -CH2I, -CF2-, -CF3, -CH=CF2, -CF=CF2, 불화아릴, 및 염화아릴 등을 들 수 있다.The structure containing the carbon-halogen bond includes, for example, -CH 2 Cl, -CH 2 Br, -CH 2 I, -CF 2 -, -CF 3 , -CH═CF 2 , -CF═CF 2 2 , fluoroaryl, and aryl chloride.
상기 Si-A1 결합을 함유하는 구조로는, SiH, SiH2, SiH3, Si-CH3, Si-CH2-, Si-C6H5, SiO-지방족, Si-OCH3, Si-OCH2CH3, Si-OC6H5, Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF2, 및 SiF3 등을 들 수 있다. Si-A1 결합을 함유하는 구조로는, 특히, 실록산 골격 및 실세스퀴옥산 골격을 형성하고 있는 것이 바람직하다.A structure containing the combination Si-A 1 is, SiH, SiH 2, SiH 3 , Si-
상기 P-A2 결합을 함유하는 구조로는, PH, PH2, P-CH3, P-CH2-, P-C6H5, A3 3-P-O (A3 은 지방족 또는 방향족), (A4O)3-P-O (A4 는 알킬), P-OCH3, P-OCH2CH3, P-OC6H5, P-O-P, P-OH, 및 O=P-OH 등을 들 수 있다.A structure containing the PA 2 is coupled, PH, PH 2, P-
상기 구조는, 그 종류의 선택에 따라, 원하는 범위의 파장을 가지고 있는 적외선을 흡수할 수 있다. 구체적으로는, 상기 구조가 흡수 가능한 적외선의 파장은, 예를 들어 1 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이하의 범위 내이고, 2 ㎛ 이상, 15 ㎛ 이하의 범위 내를 보다 바람직하게 흡수할 수 있다. 또한 상기 구조가 Si-O 결합, Si-C 결합 및 Ti-O 결합인 경우에는, 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하의 범위 내일 수 있다. 또한, 각 구조가 흡수할 수 있는 적외선의 파장은 당업자이면 용이하게 이해할 수 있다. 예를 들어, 각 구조에 있어서의 흡수대로서, 비특허문헌 : SILVERSTEIN·BASSLER·MORRILL 저 「유기 화합물의 스펙트럼에 의한 동정법 (제 5 판) -MS, IR, NMR, UV 의 병용-」 (1992년 발행) 제 146 페이지 ∼ 제 151 페이지의 기재를 참조할 수 있다.The above structure can absorb infrared rays having a desired wavelength range according to the selection of the type. Specifically, the wavelength of infrared rays capable of absorbing the above structure is, for example, in the range of 1 占 퐉 or more and 20 占 퐉 or less and more preferably in a range of 2 占 퐉 to 15 占 퐉. When the structure is Si-O bond, Si-C bond and Ti-O bond, it may be within the range of 9 탆 or more and 11 탆 or less. In addition, the wavelength of infrared rays that each structure can absorb is easily understood by those skilled in the art. For example, as an absorption band in each structure, a method of determining the absorption spectrum of an organic compound (fifth edition) -SM, IR, NMR, and UV together (1992), Non-Patent Document: SILVERSTEIN BASSLER MORRILL Published on pages 146 to 151 can be referred to.
분리층 (4) 의 형성에 사용되는 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물로는, 상기 서술한 바와 같은 구조를 가지고 있는 화합물 중, 도포를 위해 용매에 용해될 수 있고, 고화되어 고층 (固層) 을 형성할 수 있는 것이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 그러나, 분리층 (4) 에 있어서의 화합물을 효과적으로 변질시켜, 서포트 플레이트 (2) 와 기판 (1) 의 분리를 용이하게 하기 위해서는, 분리층 (4) 에 있어서의 적외선의 흡수가 큰 것, 즉, 분리층 (4) 에 적외선을 조사했을 때의 적외선의 투과율이 낮은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 분리층 (4) 에 있어서의 적외선의 투과율이 90 % 보다 낮은 것이 바람직하고, 적외선의 투과율이 80 % 보다 낮은 것이 보다 바람직하다.As the compound having the infrared absorbing structure used in the formation of the
일례를 들어 설명하면, 실록산 골격을 갖는 화합물로는, 예를 들어, 하기 일반식 (5) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 일반식 (6) 으로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 수지, 혹은 하기 일반식 (5) 로 나타내는 반복 단위 및 아크릴계 화합물 유래의 반복 단위의 공중합체인 수지를 사용할 수 있다.For example, the compound having a siloxane skeleton may be a resin that is a copolymer of a repeating unit represented by the following general formula (5) and a repeating unit represented by the following general formula (6) ) And a repeating unit derived from an acrylic compound can be used.
[화학식 5][Chemical Formula 5]
(일반식 (6) 중, R6 은 수소, 탄소수 10 이하의 알킬기, 또는 탄소수 10 이하의 알콕시기이다)(In the general formula (6), R 6 is hydrogen, an alkyl group having 10 or less carbon atoms, or an alkoxy group having 10 or less carbon atoms)
그 중에서도, 실록산 골격을 갖는 화합물로는, 상기 일반식 (5) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 일반식 (7) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 t-부틸스티렌 (TBST)-디메틸실록산 공중합체가 보다 바람직하고, 상기 일반식 (5) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 일반식 (7) 로 나타내는 반복 단위를 1 : 1 로 함유하는 TBST-디메틸실록산 공중합체가 더욱 바람직하다.Among them, the compound having a siloxane skeleton is preferably a t-butylstyrene (TBST) -dimethylsiloxane copolymer which is a copolymer of a repeating unit represented by the formula (5) and a repeating unit represented by the following formula (7) , And a TBST-dimethylsiloxane copolymer containing a repeating unit represented by the general formula (5) and a repeating unit represented by the following general formula (7) at a ratio of 1: 1.
[화학식 6][Chemical Formula 6]
또, 실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 예를 들어, 하기 일반식 (8) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 일반식 (9) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체인 수지를 사용할 수 있다.As the compound having a silsesquioxane skeleton, for example, a resin which is a copolymer of a repeating unit represented by the following general formula (8) and a repeating unit represented by the following general formula (9) can be used.
[화학식 7](7)
(일반식 (8) 중, R7 은 수소 또는 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기이고, 일반식 (9) 중, R8 은 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기, 또는 페닐기이다)(In the general formula (8), R 7 is hydrogen or an alkyl group having a carbon number of 1 or more and 10 or less, and in the general formula (9), R 8 is an alkyl group having a carbon number of 1 or more and 10 or less,
실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 이 밖에도, 일본 공개특허공보 2007-258663호 (2007년 10월 4일 공개), 일본 공개특허공보 2010-120901호 (2010년 6월 3일 공개), 일본 공개특허공보 2009-263316호 (2009년 11월 12일 공개), 및 일본 공개특허공보 2009-263596호 (2009년 11월 12일 공개) 에 있어서 개시되어 있는 각 실세스퀴옥산 수지를 바람직하게 이용할 수 있다.Examples of compounds having a silsesquioxane skeleton include compounds disclosed in JP-A-2007-258663 (published on October 4, 2007), JP-A-2010-120901 (published on June 3, 2010) Each silsesquioxane resin disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2009-263316 (published on November 12, 2009) and Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2009-263596 (published on November 12, 2009) Can be used.
그 중에서도, 실세스퀴옥산 골격을 갖는 화합물로는, 하기 일반식 (10) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 일반식 (11) 로 나타내는 반복 단위의 공중합체가 보다 바람직하고, 하기 일반식 (10) 으로 나타내는 반복 단위 및 하기 일반식 (11) 로 나타내는 반복 단위를 7 : 3 으로 함유하는 공중합체가 더욱 바람직하다.Among them, a compound having a silsesquioxane skeleton is more preferably a copolymer of a repeating unit represented by the following general formula (10) and a repeating unit represented by the following general formula (11) And a repeating unit represented by the following general formula (11) in a ratio of 7: 3 is more preferable.
[화학식 8][Chemical Formula 8]
실세스퀴옥산 골격을 갖는 중합체로는, 랜덤 구조, 래더 구조, 및 바구니형 구조가 있을 수 있지만, 어느 구조이어도 된다.The polymer having a silsesquioxane skeleton may have a random structure, a ladder structure, and a basket structure, but any structure may be used.
또, Ti-O 결합을 함유하는 화합물로는, 예를 들어, (i) 테트라-i-프로폭시티탄, 테트라-n-부톡시티탄, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)티탄, 및 티타늄-i-프로폭시옥틸렌글리콜레이트 등의 알콕시티탄 ; (ii) 디-i-프로폭시·비스(아세틸아세토나토)티탄, 및 프로판디옥시티탄비스(에틸아세토아세테이트) 등의 킬레이트티탄 ; (iii) i-C3H7O-[-Ti(O-i-C3H7)2-O-]n-i-C3H7, 및 n-C4H9O-[-Ti(O-n-C4H9)2-O-]n-n-C4H9 등의 티탄 폴리머 ; (iv) 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트, 티타늄스테아레이트, 디-i-프로폭시티탄디이소스테아레이트, 및 (2-n-부톡시카르보닐벤조일옥시)트리부톡시티탄 등의 아실레이트티탄 ; (v) 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 등의 수용성 티탄 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the compound containing a Ti-O bond include (i) tetra-i-propoxytitan, tetra-n-butoxytitanium, tetrakis (2-ethylhexyloxy) alkoxytitaniums such as -i-propoxy octylene glycolate; (ii) titanium chelates such as di-i-propoxy bis (acetylacetonato) titanium and propanedioxy titanium bis (ethylacetoacetate); (iii) iC 3 H 7 O - [- Ti (OiC 3 H 7) 2 -O-] n -iC 3 H 7, and nC 4 H 9 O - [- Ti (OnC 4 H 9) 2 -O- ] n- nC 4 H 9 ; (iv) an acyl group such as tri-n-butoxytitanium monostearate, titanium stearate, di-i-propoxytitanium diisostearate, and (2-n-butoxycarbonylbenzoyloxy) Lattice titanium; (v) water-soluble titanium compounds such as di-n-butoxy-bis (triethanolaminato) titanium and the like.
그 중에서도, Ti-O 결합을 함유하는 화합물로는, 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 (Ti(OC4H9)2[OC2H4N(C2H4OH)2]2) 가 바람직하다.Among these, a compound containing a Ti-O bond, di -n- butoxy-bis (triethanolamine Oh Minato) titanium (Ti (OC 4 H 9) 2 [OC 2 H 4 N (C 2
상기 서술한 분리층 (4) 은, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물을 함유하고 있지만, 분리층 (4) 은 추가로, 상기 화합물 이외의 성분을 함유할 수 있다. 그 성분으로는, 필러, 가소제, 및 서포트 플레이트 (2) 의 박리성을 향상시킬 수 있는 성분 등을 들 수 있다. 이들 성분은, 상기 구조에 의한 적외선의 흡수, 및 화합물의 변질을 방해하지 않거나, 또는 촉진시키는 종래 공지된 물질 또는 재료에서 적절히 선택된다.Although the above-described
(적외선 흡수 물질)(Infrared absorbing material)
분리층 (4) 은, 적외선 흡수 물질을 함유하고 있어도 된다. 분리층 (4) 은, 적외선 흡수 물질을 함유하여 구성됨으로써, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과로서, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 상실한다. 따라서, 약간의 외력을 가함 (예를 들어, 서포트 플레이트 (2) 를 들어 올리는 등) 으로써, 분리층 (4) 이 파괴되어, 서포트 플레이트 (2) 와 기판 (1) 을 분리하기 쉽게 할 수 있다.The
적외선 흡수 물질은, 적외선을 흡수함으로써 변질되는 구성이면 되고, 예를 들어, 카본 블랙, 철 입자, 또는 알루미늄 입자를 바람직하게 사용할 수 있다. 적외선 흡수 물질은, 그 종류에 따라 고유의 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층 (4) 에 사용한 적외선 흡수 물질이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층 (4) 에 조사함으로써, 적외선 흡수 물질을 바람직하게 변질시킬 수 있다.The infrared absorbing material can be any structure that is altered by absorbing infrared rays. For example, carbon black, iron particles, or aluminum particles can be preferably used. The infrared absorbing material absorbs light having a wavelength in a specific range depending on its type. The infrared absorbing material can be preferably altered by irradiating the
(반응성 폴리실세스퀴옥산)(Reactive polysilsesquioxane)
분리층 (4) 은, 반응성 폴리실세스퀴옥산을 중합시킴으로써 형성할 수 있고, 이로써, 분리층 (4) 은 높은 내약품성과 높은 내열성을 구비하고 있다.The
본 명세서 중에 있어서, 반응성 폴리실세스퀴옥산이란, 폴리실세스퀴옥산 골격의 말단에 실란올기, 또는 가수분해함으로써 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 갖는 폴리실세스퀴옥산이고, 당해 실란올기 또는 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 축합함으로써, 서로 중합할 수 있는 것이다. 또, 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 실란올기, 또는 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 구비하고 있으면, 랜덤 구조, 바구니형 구조, 래더 구조 등의 실세스퀴옥산 골격을 구비한 것을 채용할 수 있다.In the present specification, the reactive polysilsesquioxane is a polysilsesquioxane having a silanol group at the end of the polysilsesquioxane skeleton or a functional group capable of forming a silanol group by hydrolysis, and the silanol group or Can be polymerized with each other by condensing a functional group capable of forming a silanol group. When the reactive polysilsesquioxane is provided with a silanol group or a functional group capable of forming a silanol group, those having a silsesquioxane skeleton such as a random structure, a basket structure and a ladder structure can be employed have.
또, 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 하기 식 (12) 에 나타내는 구조를 가지고 있는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that the reactive polysilsesquioxane has a structure represented by the following formula (12).
[화학식 9][Chemical Formula 9]
식 (12) 중, R" 는 각각 독립적으로 수소 및 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되고, 수소 및 탄소수 1 이상, 5 이하의 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 보다 바람직하다. R" 가 수소 또는 탄소수 1 이상, 10 이하의 알킬기이면, 분리층 형성 공정에 있어서의 가열에 의해, 식 (12) 에 의해 나타내는 반응성 폴리실세스퀴옥산을 바람직하게 축합시킬 수 있다.In the formula (12), R "is independently selected from the group consisting of hydrogen and alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms and more preferably selected from the group consisting of hydrogen and alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms. When R "is hydrogen or an alkyl group having a carbon number of 1 or more and 10 or less, the reactive polysilsesquioxane represented by the formula (12) can be preferably condensed by heating in the separation layer formation step.
식 (12) 중, p 는 1 이상, 100 이하의 정수인 것이 바람직하고, 1 이상, 50 이하의 정수인 것이 보다 바람직하다. 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 식 (12) 로 나타내는 반복 단위를 구비함으로써, 다른 재료를 사용하여 형성하는 것보다도 Si-O 결합의 함유량이 높고, 적외선 (0.78 ㎛ 이상, 1000 ㎛ 이하), 바람직하게는 원적외선 (3 ㎛ 이상, 1000 ㎛ 이하), 더욱 바람직하게는 파장 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하에 있어서의 흡광도가 높은 분리층 (4) 을 형성할 수 있다.In the formula (12), p is preferably an integer of 1 or more and 100 or less, more preferably 1 or more and 50 or less. The reactive polysilsesquioxane has a repeating unit represented by the formula (12), so that the content of Si-O bonds is higher than that formed by using other materials, and the infrared rays (0.78 탆 or more and 1000 탆 or less) It is possible to form the
또, 식 (12) 중, R' 는 각각 독립적으로 서로 동일하거나 또는 상이한 유기기이다. 여기서, R 은, 예를 들어, 아릴기, 알킬기, 및 알케닐기 등이고, 이들 유기기는 치환기를 가지고 있어도 된다.In the formula (12), R 'are each independently an identical or different organic group. Here, R is, for example, an aryl group, an alkyl group, an alkenyl group and the like, and these organic groups may have a substituent.
R' 가 아릴기인 경우, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있고, 페닐기인 것이 보다 바람직하다. 또, 아릴기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기를 개재하여 폴리실세스퀴옥산 골격에 결합되어 있어도 된다.When R 'is an aryl group, examples thereof include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group, and more preferably a phenyl group. The aryl group may be bonded to the polysilsesquioxane skeleton via an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms.
R' 가 알킬기인 경우, 알킬기로는, 직사슬형, 분기 사슬형, 또는 고리형의 알킬기를 들 수 있다. 또, R 이 알킬기인 경우, 탄소수는 1 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하다. 또, R 이 고리형의 알킬기인 경우, 단고리형 또는 2 ∼ 4 고리형의 구조를 한 알킬기이어도 된다.When R 'is an alkyl group, examples of the alkyl group include a linear, branched, or cyclic alkyl group. When R is an alkyl group, the number of carbon atoms is preferably 1 to 15, more preferably 1 to 6. When R is a cyclic alkyl group, it may be a monocyclic or an alkyl group having 2 to 4 ring structures.
R' 가 알케닐기인 경우, 알킬기의 경우와 동일하게, 직사슬형, 분기 사슬형, 또는 고리형의 알케닐기를 들 수 있고, 알케닐기는, 탄소수가 2 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하다. 또, R 이 고리형의 알케닐기인 경우, 단고리형 또는 2 ∼ 4 고리형의 구조를 한 알케닐기이어도 된다. 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 및 알릴기 등을 들 수 있다.When R 'is an alkenyl group, examples of the alkyl group include a linear, branched, or cyclic alkenyl group. The alkenyl group preferably has 2 to 15 carbon atoms, 6 is more preferable. When R is a cyclic alkenyl group, it may be a monocyclic or an alkenyl group having 2 to 4 ring structures. Examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group and the like.
또, R' 가 가질 수 있는 치환기로는, 수산기 및 알콕시기 등을 들 수 있다. 치환기가 알콕시기인 경우, 직사슬형, 분기 사슬형, 또는 고리형의 알킬알콕시기를 들 수 있고, 알콕시기에 있어서의 탄소수는 1 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하다.Examples of the substituent that R 'may have include a hydroxyl group and an alkoxy group. When the substituent is an alkoxy group, there may be mentioned a linear, branched, or cyclic alkylalkoxy group, and the number of carbon atoms in the alkoxy group is preferably 1 to 15, more preferably 1 to 10.
또, 하나의 관점에 있어서, 반응성 폴리실세스퀴옥산의 실록산 함유량은, 70 몰% 이상, 99 몰% 이하인 것이 바람직하고, 80 몰% 이상, 99 몰% 이하인 것이 보다 바람직하다. 반응성 폴리실세스퀴옥산의 실록산 함유량이 70 몰% 이상, 99 몰% 이하이면, 적외선 (바람직하게는 원적외선, 더욱 바람직하게는 파장 9 ㎛ 이상, 11 ㎛ 이하의 광) 을 조사함으로써 바람직하게 변질시킬 수 있는 분리층을 형성할 수 있다.In one aspect, the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is preferably 70 mol% or more and 99 mol% or less, and more preferably 80 mol% or more and 99 mol% or less. When the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is 70 mol% or more and 99 mol% or less, it is preferably modified by irradiating with infrared rays (preferably far-infrared rays, more preferably light having a wavelength of 9 탆 or more and 11 탆 or less) A separation layer can be formed.
또, 하나의 관점에 있어서, 반응성 폴리실세스퀴옥산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 500 이상, 50,000 이하인 것이 바람직하고, 1,000 이상, 10,000 이하인 것이 보다 바람직하다. 반응성 폴리실세스퀴옥산의 중량 평균 분자량 (Mw) 이 500 이상, 50,000 이하이면, 용제에 바람직하게 용해시킬 수 있고, 서포트 플레이트 상에 바람직하게 도포할 수 있다.In one aspect, the weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is preferably 500 or more and 50,000 or less, and more preferably 1,000 or more and 10,000 or less. When the weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is 500 or more and 50,000 or less, the reactive polysilsesquioxane can be preferably dissolved in a solvent and can be preferably applied onto a support plate.
반응성 폴리실세스퀴옥산으로서 사용할 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 코니시 화학 공업 주식회사 제조의 SR-13, SR-21, SR-23 및 SR-33 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products usable as the reactive polysilsesquioxane include SR-13, SR-21, SR-23 and SR-33 manufactured by Konishi Chemical Industry Co., Ltd.
[기타][Other]
본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 그 밖의 구성으로서, 다이싱 프레임 (6) 을 구비한 다이싱 테이프 (5) 가 사용된다.In the supporting body separating method according to the present embodiment, the dicing
(다이싱 테이프 (5))(Dicing tape 5)
적층체 (10) 의 기판 (1) 측에는, 다이싱 테이프 (5) 가 첩합되어 있다. 다이싱 테이프 (5) 는, 서포트 플레이트 (2) 를 박리한 후의 기판 (1) 을 다이싱함으로써, 반도체 칩을 제조하기 위해 사용된다.On the side of the
다이싱 테이프 (5) 로는, 예를 들어 베이스 필름에 점착층이 형성된 구성의 다이싱 테이프 (5) 를 사용할 수 있다. 베이스 필름으로는, 예를 들어, PVC (폴리염화비닐), 폴리올레핀 또는 폴리프로필렌 등의 수지 필름을 사용할 수 있다. 다이싱 테이프 (5) 의 외경은 기판 (1) 의 외경보다 크고, 이들을 첩합하면 기판 (1) 의 외측 가장자리 부분에 다이싱 테이프 (5) 의 일부가 노출된 상태로 되어 있다.As the dicing
(다이싱 프레임 (6))(Dicing frame 6)
다이싱 테이프 (5) 의 노출면의 더욱 외주에는, 다이싱 테이프 (5) 의 휨을 방지하기 위한 다이싱 프레임 (6) 이 장착되어 있다. 다이싱 프레임 (6) 으로는, 예를 들어, 알루미늄 등의 금속제의 다이싱 프레임, 스테인리스 스틸 (SUS) 등의 합금제의 다이싱 프레임, 및 수지제의 다이싱 프레임을 들 수 있다.A
<변형예에 관련된 지지체 분리 방법>≪ Support Separation Method Related to Modification Examples >
본 발명에 관련된 지지체 분리 방법은, 상기 실시형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 일 변형예에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 도 3(b) 에 나타내는 바와 같이, 적층체 (10) 에 있어서, 회로 형성 영역의 전체 둘레를 둘러싸고, 반경 방향에 있어서의 폭 (W'1) 의 범위를 차지하는 비회로 형성 영역 중, 폭 (W'2) 의 범위를 차지하는 소정 영역이, 기판 (1) 에 있어서의 회로 형성 영역에 대해 이간되어 있지 않은 구성이다. 본 변형예에 관련된 지지체 분리 방법은, 예를 들어, 폭 (W'1) 의 값이 2 ㎜ 보다 작은 경우에 있어서, 레이저 광 (L) 이 조사되는 분리층 (4) 에 있어서의 분할 영역의 폭 (W'2) 을 1.3 ㎜ 정도 이상으로 확보하기 쉽게 할 수 있다는 점에 있어서 유효하다.The support separation method according to the present invention is not limited to the above embodiment. For example, as shown in Fig. 3 (b), in the support separating method according to one modification, in the laminate 10, the width W 'in the radial direction is set so as to surround the entire circumference of the circuit formation region, 1), the predetermined area occupying the range of the width W'2 is not spaced apart from the circuit formation area of the
상기의 구성에 의해서도, 기판 (1) 의 회로 형성 영역에 대해 직접적으로 레이저 광 (L) 이 조사되는 것을 방지할 수 있으므로, 기판 (1) 에 형성되어 있는 집적 회로가 당해 레이저 광 (L) 에 의해 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다.It is possible to prevent the laser light L from directly irradiating the circuit formation region of the
또, 다른 변형예에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 도 3(c) 에 나타내는 바와 같이, 회로 형성 영역의 전체 둘레를 둘러싸는, 소정 영역의 반경 방향에 있어서의 폭 (W"2) 의 범위는, 비회로 형성 영역의 폭의 100 % 미만의 범위를 차지한다.3 (c), the range of the width (W "2) in the radial direction of the predetermined region surrounding the entire circumference of the circuit formation region is, for example, Occupies less than 100% of the width of the non-circuit forming area.
상기의 구성에 의해서도, 기판 (1) 의 외주 단부보다 외측에 레이저 광 (L) 이 조사되는 것을 방지할 수 있어, 기판 (1) 에 있어서의 회로 형성 영역에 레이저 광 (L) 이 조사되는 것을 방지할 수 있다. 본 변형예는, 예를 들어, 기판 (1) 에 있어서의 비회로 형성 영역의 폭이 1.3 ㎜ 정도인 경우에 있어서, 분리층 (4) 에 있어서의 레이저 광 (L) 을 조사하는 영역을 확보할 수 있다는 점에 있어서 유효하다.The laser light L can be prevented from being irradiated to the outside of the outer peripheral end portion of the
<제 2 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법>≪ Support member separation method according to the second embodiment >
본 발명에 관련된 지지체 분리 방법은, 상기의 실시형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 일 실시형태 (제 2 실시형태) 에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 광 조사 공정 전에, 적층체 (10) 의 방향을 검지하는 검지 공정을 추가로 포함하고, 분리 공정에 있어서, 검지 공정에서 검지한 적층체 (10) 의 방향에 기초하여, 적층체 (10) 에 힘을 가하기 위해 서포트 플레이트 (지지체) (2) 를 유지하는 흡착 패드를 구비한 분리 플레이트 (유지부, 도시 생략) 가, 레이저 광 (L) 을 조사한 분할 영역 (4C-1 ∼ 4C-6) 상에 배치되도록 적층체 (10) 를 회동시키는 구성이다. 여기서, 분리 플레이트는, 서포트 플레이트 (2) 를 유지했을 때, 당해 서포트 플레이트 (2) 의 둘레 가장자리 부분에 있어서 등간격으로 배치되는 4 개의 흡착 패드를 구비하고 있다.The support separation method according to the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the support separation method related to the embodiment (the second embodiment), the detection step of detecting the direction of the
상기의 구성에 따르면, 분리층 (4) 에 있어서의 영역 (4C) 의 전역에 레이저 광 (L) 을 조사하지 않아도, 검지 공정에 있어서 특정한 적층체 (10) 의 방향에 기초하여, 적층체 (10) 에 있어서, 분리 플레이트의 흡착 패드가 배치되는 위치에 해당하는 분할 영역에만 광 조사 단계를 실시함으로써 충분하다. 따라서, 분리층 (4) 에 레이저 광 (L) 을 조사하는 시간을 더욱 단축시킬 수 있어, 보다 신속하게 적층체 (10) 로부터 서포트 플레이트 (2) 를 분리할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에 대해서는, 제 1 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법과의 차이점만 설명하고, 일치점에 대해서는 그 설명을 생략한다.According to the above configuration, even if the laser light L is not irradiated to the
[검지 공정][Detection process]
검지 공정에서는, 광 조사 공정을 실시하기 전에 있어서, 서포트 플레이트 (2) 에 형성된 절결부 (노치, 도시 생략) 를 검지하는 광학 얼라이먼트 장치 (도시 생략) 에 의해, 당해 절결부를 기준으로 하여, 적층체 (10) 의 방향을 특정한다. 이로써, 이후의 광 조사 공정에 있어서, 분리층 (4) 에 있어서의 어느 분할 영역에 광을 조사했는지를 특정할 수 있도록 할 수 있다.In the detection step, the optical alignment apparatus (not shown) that detects the notch (notch, not shown) formed on the
검지 공정에서는, 예를 들어, 도 2(b) 에 나타내는 일점 쇄선 (C1) 의 위치에 있어서, 서포트 플레이트 (2) 에 있어서의 절결부가 배치되도록, 광 조사 공정 전의 적층체 (10) 의 방향을 설정하면 된다.In the detection step, for example, the direction of the laminate 10 before the light irradiation step is set so that the cutout portion in the
[광 조사 공정][Light irradiation step]
도 2(b) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법이 포함하고 있는 광 조사 공정에서는, 검지 공정 후, 광 조사 단계와 회동 단계를 반복함으로써, 일점 쇄선 (C1 ∼ C10) 에 의해 분할된 분할 영역 (4C-1 ∼ 4C-6) 에 있어서의 분리층 (4) 을 변질시킨다. 이로써, 분리층 (4) 의 둘레 가장자리 부분에 있어서 등간격으로 이간되도록 합계 4 지점으로 나누어져 배치되어 있는 분할 영역 (4C-1 ∼ 4C-6) 의 분리층 (4) 을 변질시킨다.As shown in Fig. 2 (b), in the light irradiation step included in the support member separation method according to the present embodiment, by repeating the light irradiation step and the pivoting step after the detection step, And detaches the
[분리 공정][Separation Process]
분리 공정에서는, 먼저, 검지 공정에서 검지한 적층체 (10) 의 방향에 기초하여, 서포트 플레이트 (2) 를 유지하는 분리 플레이트에 있어서의 4 개의 흡착 패드가, 레이저 광 (L) 을 조사한 분할 영역 (4C-1 ∼ 4C-6) 상에 배치되도록, 상기 적층체 (10) 를 회동시킨다. 그 후, 각 흡착 패드에 의해, 분할 영역 (4C-1 ∼ 4C-6) 상에 위치하는 서포트 플레이트 (2) 를 유지하고, 들어 올린다. 이로써, 분할 영역 (4C-1 ∼ 4C-6) 에 있어서 변질된 분리층 (4) 에 분리 플레이트로부터 가해지는 힘을 집중시킬 수 있다. 이 때문에, 분할 영역 (4C-1 ∼ 4C-6) 에 있어서 변질된 분리층 (4) 이 파괴된 후, 레이저 광 (L) 을 조사하고 있지 않은 영역에 있어서의 분리층 (4) 에 대해 힘을 집중시킬 수 있다. 이로써, 적층체 (10) 로부터 서포트 플레이트 (2) 를 바람직하게 분리할 수 있다.In the separation step, first, the four adsorption pads in the separation plate for holding the
[다른 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법][Method for separating support body according to another embodiment]
본 발명에 관련된 지지체 분리 방법은, 상기 실시형태 (제 1 실시형태 및 제 2 실시형태) 에 한정되지 않는다. 예를 들어, 다른 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 서포트 플레이트 (지지체) 및 분리층의 재료는, 적층체에 요구되는 성능에 따라 적절히 선택할 수 있다. 이 때문에, 분리층에 조사하는 광을 발사하는 레이저는 CO2 레이저에 한정되지 않고, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는 비레이저 광 등을, 분리층 (4) 을 구성하는 재료를 변질시킬 수 있는 파장에 따라 적절히 선택하여 사용해도 된다.The support separation method according to the present invention is not limited to the above-described embodiments (the first embodiment and the second embodiment). For example, in the support separation method according to another embodiment, the material of the support plate (support) and the separation layer can be appropriately selected in accordance with the performance required for the laminate. Therefore, the laser for emitting the light to be irradiated to the separation layer is not limited to the CO 2 laser, and may be a solid laser such as a YAG laser, a ruby laser, a glass laser, a YVO 4 laser, an LD laser or a fiber laser, A laser such as a gas laser such as a laser, a CO 2 laser, an excimer laser, an Ar laser or a He-Ne laser, a laser beam such as a semiconductor laser or a free electron laser, And may be appropriately selected depending on the wavelength that can be used.
또, 또 다른 본 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 적층체 (10) 에 있어서의 서포트 플레이트 (2) 를 유지하는 유지부는, 예를 들어, 서포트 플레이트 (2) 의 외주 단부를 파지하는 복수의 클램프 (폴부, 도시 생략) 를 구비한 분리 플레이트이어도 된다.In the supporting member separating method according to still another embodiment of the present invention, the holding portion for holding the
또, 또 다른 실시형태에 관련된 지지체 분리 방법에서는, 광 조사 공정에 있어서, 광을 조사해야 할 분할 영역의 수 및 배치는, 유지부가 갖는 흡착 패드의 수나 배치에 따라 적절히 설계를 변경해도 된다.In the supporting member separating method according to still another embodiment, the number and arrangement of the divided regions to be irradiated with light in the light irradiation step may be appropriately changed depending on the number and arrangement of the adsorption pads of the holding portion.
본 발명은 상기 서술한 각 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 청구항에 나타낸 범위에서 여러 가지 변경이 가능하고, 상이한 실시형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.It is to be understood that the present invention is not limited to the embodiments described above and that various changes and modifications can be made to the technical scope of the present invention without departing from the scope of the present invention. .
산업상 이용가능성Industrial availability
본 발명에 관련된 지지체 분리 방법은, 미세화된 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 바람직하게 이용할 수 있다.The support separating method according to the present invention can be suitably used in the manufacturing process of the miniaturized semiconductor device.
1
기판
2
서포트 플레이트 (지지체)
3
접착층
4
분리층
4A
영역 (분리층)
4B
영역 (분리층)
4C
영역 (분리층)
4C-1, 4C-2, … 분할 영역 (분리층)
5
다이싱 테이프
10
적층체
L
광1 substrate
2 Support plate (support)
3 adhesive layer
4 separating layer
4A region (separation layer)
4B region (separation layer)
4C region (separation layer)
4C-1, 4C-2, ... The partition (separation layer)
5 Dicing Tape
10 laminate
L light
Claims (10)
상기 기판은, 회로가 형성된 회로 형성 영역과, 당해 회로 형성 영역의 전체 둘레를 둘러싸는, 상기 회로가 형성되어 있지 않은 비회로 형성 영역을 갖고,
상기 기판에 있어서 상기 회로 형성 영역의 전체 둘레를 둘러싸고, 또한 상기 비회로 형성 영역의 반경 방향에 있어서의 폭의 65 % 이상, 100 % 미만의 영역을 차지하는 소정 영역에 대향하도록 적층되어 있는 분리층의 적어도 일부에, 상기 지지체를 개재하여 광을 조사하는 광 조사 공정과,
상기 광을 조사한 적층체에 힘을 가하여, 당해 적층체로부터 상기 지지체를 분리하는 분리 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.A supporting body separating method for separating a supporting body from a laminate comprising a substrate and a supporting body that transmits light through an adhesive layer and a separating layer which is deformed by absorbing light,
Wherein the substrate has a circuit formation region in which a circuit is formed and a non-circuit formation region in which the circuit is not formed and which surrounds the entire periphery of the circuit formation region,
Wherein the substrate is provided with a separation layer which surrounds the entire circumference of the circuit formation region and is stacked so as to face a predetermined region occupying an area of 65% or more and less than 100% of the width in the radial direction of the non- A light irradiation step of irradiating light at least partly through the support,
And separating the support from the laminate by applying a force to the laminate to which the light is irradiated.
상기 소정 영역의 내주 단부와, 상기 회로 형성 영역의 외주 단부는 이간되어 있고, 또한 상기 소정 영역의 외주 단부와, 상기 기판의 외주 단부는 이간되어 있는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.The method according to claim 1,
Wherein an inner circumferential end of the predetermined region and an outer circumferential end of the circuit forming region are spaced apart from each other and an outer circumferential end of the predetermined region and an outer circumferential end of the substrate are spaced apart.
상기 비회로 형성 영역의 반경 방향에 있어서의 폭은, 1.3 ㎜ 보다 크고, 2.0 ㎜ 이하의 범위 내이고, 상기 소정 영역의 반경 방향에 있어서의 폭은, 1.3 ㎜ 이상, 2.0 ㎜ 미만인 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the width in the radial direction of the non-circuit forming region is larger than 1.3 mm and smaller than 2.0 mm and the width in the radial direction of the predetermined region is smaller than 1.3 mm and smaller than 2.0 mm Support separation method.
상기 광 조사 공정은, 상기 적층체의 평면의 중심을 중심점으로 하여, 상기 소정 영역을 소정의 각도로 등분할하는 분할 소정 영역에 대향하도록 적층되어 있는 상기 분리층 중 적어도 일부에 광을 조사하는 광 조사 단계와,
상기 적층체의 평면의 중심을 중심점으로 하여, 상기 적층체의 평면을 상기 소정의 각도에 있어서 회동시키는 회동 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the light irradiation step is a step of irradiating light to at least a part of the separation layer which is laminated so as to face a predetermined divided area which equally divides the predetermined area at a predetermined angle with the center of the plane of the laminate as a center point An irradiation step,
And a rotating step of rotating the plane of the laminate at the predetermined angle with the center of the plane of the laminate as a center point.
상기 광 조사 공정 전에, 상기 적층체의 방향을 검지하는 검지 공정을 추가로 포함하고,
상기 분리 공정에 있어서, 상기 검지 공정에서 검지한 상기 적층체의 방향에 기초하여, 상기 적층체에 힘을 가하기 위해 상기 지지체를 유지하는 유지부가, 상기 광을 조사한 분할 소정 영역 상에 배치되도록, 상기 적층체를 회동시키는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.5. The method of claim 4,
Further comprising a detecting step of detecting a direction of the laminate before the light irradiation step,
A holding portion for holding the supporting body for applying a force to the laminated body based on the direction of the laminated body detected in the detecting step is disposed on the divided predetermined region irradiated with the light, Thereby rotating the laminate.
상기 분리 공정 전에, 상기 광 조사 단계와, 상기 회동 단계를 교대로 반복하여, 모든 상기 분할 소정 영역에 대향하도록 적층되어 있는 상기 분리층에 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.The method according to claim 4 or 5,
Wherein the light irradiation step and the rotation step are alternately repeated to irradiate light to the separation layer laminated so as to face all the divided predetermined areas before the separation step.
상기 분할 소정 영역에 대향하도록 적층되어 있는 상기 분리층의 50 % 이상의 면적에 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.7. The method according to any one of claims 4 to 6,
Wherein light is irradiated to an area of 50% or more of the separation layer laminated so as to face the divided predetermined area.
상기 광의 조사 패턴이, 라인 형상, 원 도트 형상, 링 형상, 다각 도트 형상, 다각 링 형상 또는 나선 형상 중 어느 것인 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the irradiation pattern of the light is any of a line shape, a circular dot shape, a ring shape, a polygonal dot shape, a polygonal ring shape, or a spiral shape.
상기 지지체는 실리콘으로 이루어지고,
상기 광은 탄산 레이저인 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the support is made of silicon,
Wherein the light is a carbonic acid laser.
상기 적층체에 있어서의 기판측에는, 다이싱 테이프가 첩부되어 있고, 당해 다이싱 테이프의 일부는, 상기 기판의 외측 가장자리 부분에 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 지지체 분리 방법.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein a dicing tape is pasted on a substrate side of the laminate, and a part of the dicing tape is exposed on an outer edge portion of the substrate.
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