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KR20170015483A - 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물의 제조 방법 - Google Patents

헤테로 방향족 술폰아미드 화합물의 제조 방법 Download PDF

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KR20170015483A
KR20170015483A KR1020177000332A KR20177000332A KR20170015483A KR 20170015483 A KR20170015483 A KR 20170015483A KR 1020177000332 A KR1020177000332 A KR 1020177000332A KR 20177000332 A KR20177000332 A KR 20177000332A KR 20170015483 A KR20170015483 A KR 20170015483A
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South Korea
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carbon atoms
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general formula
producing
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야스히토 야마모토
마사요시 오우에
마사히코 하기하라
유키노리 와다
겐 미즈노
야스노리 츠자키
겐이치 아라이
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우베 고산 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 일반식 (2)로 표시되는 술폰산 화합물과, 퍼플루오로알킬술폰산 무수물 또는 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드를 반응시키는 것에 의한, 일반식 (1)로 표시되는 혼합 술폰산 무수물의 제조 방법; 및 일반식 (3)으로 표시되는 아민 화합물과, 일반식 (1)로 표시되는 혼합 술폰산 무수물을 반응시킴으로써 얻어지는 일반식 (4)로 표시되는 술폰아미드 화합물의 제조 방법을 제공한다.

Description

헤테로 방향족 술폰아미드 화합물의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING HETEROAROMATIC SULFONAMIDE COMPOUND}
본 발명은 헤테로 방향족 술폰산 화합물과 퍼플루오로알킬술폰산 무수물 또는 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드로부터 얻어지는 혼합 술폰산 무수물, 및 얻어진 혼합 술폰산 무수물과 아민을 반응시키는 것에 의한 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물의 제조 방법은, 종래보다 안전한 방법이며, 수율도 높고 부생성물이 적은 공업적으로도 매우 유용한 방법이다. 또한 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물은 의약 중간체 및 원체로서 유용한 화합물이다.
헤테로 방향족 술폰아미드 화합물은 의농약품 및 유기 재료로서, 혹은 그들의 원료 및 중간체로서, 여러 분야에서 유용한 화합물이다. 그 중에서도 근년 의약품으로서 유용한 것이 보고되고, 현재도 또한 안전하고 간편한 제조 방법이 요망되고 있다(예를 들어, 비특허문헌 1 참조).
지금까지 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물의 합성법으로서, 헤테로 방향족 술포닐클로라이드와 아민의 반응에 의한 술폰아미드 화합물을 제조하는 방법이 수많이 보고되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1, 비특허문헌 2 참조).
또한, 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물의 합성법으로서, 헤테로 방향족 술폰산과, 5염화인(PCl5) 또는 옥시염화인(POCl3)을 사용하여 헤테로 방향족 술포닐클로라이드로 한 뒤에, 아민과의 반응에 의한 술폰아미드 화합물을 제조하는 방법이 보고되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).
헤테로 방향족 술폰아미드 화합물의 합성법으로서는, 헤테로 방향족 티올을 출발 물질로 하여, 차아염소산나트륨 또는 트리클로로이소시아누르산으로 헤테로 방향족 술포닐클로라이드로 한 뒤에 아민과의 반응에 의한 술폰아미드 화합물을 제조하는 방법이 보고되어 있다(예를 들어, 비특허문헌 3, 비특허문헌 4 참조).
한편, 헤테로 방향족 술폰산과 p-니트로벤젠술폰산의 혼합 술폰산 무수물을 아민과 반응시켜 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물을 합성하는 방법이 보고되어 있다(예를 들어, 비특허문헌 5 참조).
WO2010-125831호 공보 WO2011-028741호 공보
Tetrahedron Letters, 2007, Vol. 48, No. 50, 2185-2188 Journal of Medicinal Chemistry, 1980, Vol. 23, No. 12, 1376-1380 Journal of Organic Chemistry, 2006, Vol. 71, 1080-1084 Synthetic Communication, 2007, Vol. 37, 2039-2050 Bioorganic & Medicinal Chemistry, 1998, Vol. 6, 678-686
지금까지 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물의 합성에 사용되고 있는 헤테로 방향족 술포닐클로라이드는, 물에 불안정하고 취급도 어렵고 장기 보존도 바람직하지 않다. 또한, 대량으로 사용하는 경우 입수가 곤란하고, 열 안정성도 낮아, 가열에 의해 이상 발열을 수반하여 분해되는 위험한 화합물이어서 공업적으로 사용하는 화합물로서 바람직하지 않다.
또한, 5염화인(PCl5) 및 옥시염화인(POCl3)은 독성이 높고, 또한 환경에 악 영향을 미치는 점에서, 또한 티올은 악취가 있는 점에서, 이들을 사용하는 방법은 공업적인 제법으로서 바람직하지 않다. 또한 산화제의 사용도, 그의 처리 등으로 조작이 번잡해지는 점에서 공업적인 제법으로서 바람직하지 않다.
또한, 헤테로 방향족 술폰산과 p-니트로벤젠술폰산의 혼합 술폰산 무수물을 아민과 반응시켜 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물을 합성하는 방법에서는, 목적물인 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물 이외에, p-니트로벤젠술폰아미드 화합물이 부생성물로서 대량으로 생성되고, 제거하는 데 칼럼 크로마토그래피 등의 번잡한 후처리가 필요하게 되어 있다.
이와 같이, 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물의 합성 방법으로서, 안전하고, 환경에 대한 영향이 적고, 또한 부생물이 적고, 후처리가 용이한 방법이 요망되고 있었다.
본 발명의 과제는, 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물을 수율 높고, 안전하게 취득할 수 있는, 간편하며 또한 공업적으로도 적합한 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은, 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물을 합성하는 방법에 대하여, 예의 검토를 행한 결과, 헤테로 방향환 술폰산 화합물과 퍼플루오로알킬술폰산 무수물 또는 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드로부터 합성되는 혼합 술폰산 무수물과, 아민을 반응시킴으로써, 단시간에 선택성 좋게 반응이 진행되고, 부반응이 적은, 안전하고 고수율·고순도의 헤테로 방향족 술폰아미드를 얻는, 공업적으로도 우수한 제조법을 발견하고, 본 발명에 이르렀다.
즉, 본 발명은
1) 일반식 (2):
Figure pct00001
(식 중 R1은 치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기이다)
로 표시되는 술폰산 화합물과, 퍼플루오로알킬술폰산 무수물 및 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 술포닐화제를 반응시키는 것에 의한, 일반식 (1):
Figure pct00002
(식 중 R1은 상기와 동의이며, R3은 퍼플루오로알킬기이다)로 표시되는 혼합 술폰산 무수물의 제조 방법;
2) 일반식 (3):
Figure pct00003
(식 중 R2는 치환기를 갖고 있을 수도 있는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아르알킬기 또는 헤테로아릴알킬기이다)으로 표시되는 아민 화합물과, 일반식 (1)로 표시되는 혼합 술폰산 무수물을 반응시킴으로써 얻어지는 일반식 (4):
Figure pct00004
(식 중 R1, R2는 상기와 동의이다)로 표시되는 술폰아미드 화합물의 제조 방법; 및
3) (A) 일반식 (2):
Figure pct00005
(식 중 R1은 치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기이다)
로 표시되는 술폰산 화합물과, 퍼플루오로알킬술폰산 무수물 또는 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 술포닐화제를 반응시키는 공정, 계속하여
(B) 공정 (A)에서 얻어진 반응액에, 일반식 (3):
Figure pct00006
(식 중 R2는 치환기를 갖고 있을 수도 있는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아르알킬기 또는 헤테로아릴알킬기이다)
으로 표시되는 아민 화합물을 첨가하여, 반응시키는 공정을 포함하는, 일반식 (4):
Figure pct00007
(식 중 R1, R2는 상기와 동의이다)
로 표시되는 술폰아미드 화합물의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, 일반식 (1):
Figure pct00008
(식 중 R1, R3은 상기와 동의이다)로 표시되는 혼합 술폰산 무수물을 제공하는 것이다.
본 발명에 의해, 온화한 조건 하에서, 간편하며 또한 공업적으로 적합한 방법에 의해, 일반식 (2)로 표시되는 헤테로 방향족 술폰산 화합물과, 일반식 (3)으로 표시되는 아민 화합물로부터, 고수율로, 선택성 좋게, 고순도의 일반식 (4)로 표시되는 술폰아미드 화합물을 제조할 수 있다.
본 발명의 일반식 (4)로 표시되는 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물은, 염기의 존재 하에서, 일반식 (2)로 표시되는 헤테로 방향족 술폰산과 퍼플루오로알킬술폰산 무수물 또는 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드로부터, 일반식 (1)로 표시되는 혼합 술폰산 무수물을 합성하고(반응 A), 그 후, 얻어진 혼합 술폰산 무수물과 일반식 (4)로 표시되는 아민을 반응시킴으로써(반응 B) 얻을 수 있다(하기 〔반응식 I〕 참조; 단, 퍼플루오로알킬술폰산 무수물을 사용한 예만 나타낸다).
Figure pct00009
(식 중 R1, R2 및 R3은 상기와 동의이다)
본 발명에 있어서, 이하의 용어는 다른 언급이 없는 한, 단독으로 또는 다른 용어와의 조합에 있어서, 이하에 기재된 의미를 갖는다.
「알킬기」는 직쇄상 또는 분지상의 포화 지방족 탄화수소의 1가의 기를 의미한다. 전형적으로는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기 또는 데실기 등(각종 이성체를 포함한다)을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기 또는 헥실기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기 또는 이소부틸기이다.
「퍼플루오로알킬기」 및 「퍼플루오로알킬술폰산」의 「퍼플루오로알킬」 부분은, 상기 「알킬기」의 수소가 모두 불소 원자로 치환된 알킬기를 의미한다. 전형적으로는, 탄소수 1 내지 6의 퍼플루오로알킬기, 예를 들어 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기(퍼플루오로에틸기), 헵타플루오로프로필기(퍼플루오로프로필기), 노나플루오로부틸기(퍼플루오로부틸기), 운데카플루오로펜틸기(퍼플루오로펜틸기), 트리데카플루오로헥실기(퍼플루오로헥실기) 등(각종 이성체를 포함한다)을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬기, 예를 들어 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기, 노나플루오로부틸기이며, 보다 바람직하게는 트리플루오로메틸기이다.
「알케닐기」는 직쇄상 또는 분지상의, 적어도 1개의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는, 불포화 지방족 탄화수소의 1가의 기를 의미한다. 전형적으로는, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 예를 들어 비닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 노네닐기 또는 데세닐기 등(각종 이성체를 포함한다)을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 2 내지 6의 알케닐기, 예를 들어 비닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기 또는 헥세닐기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 4의 알케닐기, 예를 들어 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 1-부테닐기 또는 2-부테닐기이다.
「알키닐기」는 직쇄상 또는 분지상의, 적어도 1개의 탄소-탄소 삼중 결합을 포함하는, 불포화 지방족 탄화수소의 1가의 기를 의미한다. 전형적으로는, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 예를 들어 에티닐기, 프로피닐기, 부티닐기, 펜티닐기, 헥시닐기, 헵티닐기, 옥티닐기, 노니닐기 또는 데시닐기 등(각종 이성체를 포함한다)을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 2 내지 6의 알키닐기, 예를 들어 에티닐기, 프로피닐기, 부티닐기, 펜티닐기 또는 헥시닐기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 4의 알키닐기, 예를 들어 에티닐기, 2-프로피닐기, 3-부티닐기 또는 2-부티닐기이다.
「시클로알킬기」는 환상의 포화 지방족 탄화수소의 1가의 기를 의미한다. 전형적으로는, 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기, 예를 들어 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기 또는 시클로데실기 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 3 내지 8의 시클로알킬기, 예를 들어 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 또는 시클로옥틸기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 3 내지 6의 시클로알킬기, 예를 들어 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기이다.
「아릴기」는 단환식 또는 축합 다환식 방향족 탄화수소의 1가의 기를 의미한다. 전형적으로는, 탄소수 6 내지 14의 아릴기, 예를 들어 페닐기, 나프틸기 또는 안트릴기 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 예를 들어 페닐기, 1-나프틸기 또는 2-나프틸기이다.
「헤테로아릴기」는, 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 헤테로 원자를 포함하는, 단환식 또는 축합 다환식 방향족 복소환 화합물의 1가의 기를 의미한다. 전형적으로는, 5 내지 10원의 헤테로아릴기, 예를 들어 피롤릴기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 트리아졸릴기, 피리딜기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 인돌릴기, 퀴놀릴기; 티에닐기, 벤조티에닐기; 푸릴기, 벤조푸라닐기; 옥사졸릴기, 이속사졸릴기, 티아졸릴기, 이소티아졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기 등(각종 이성체를 포함한다)을 들 수 있다. 바람직하게는, 5 내지 6원의 헤테로아릴기, 예를 들어 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 1-피라졸릴기, 1,2,4-트리아졸-1-일기, 2-피리딜기, 3-피리딜기, 4-피리딜기, 2-피리미디닐기, 4-피리다지닐기, 2-티에닐기, 3-티에닐기, 2-푸릴기, 3-푸릴기, 2-티아졸릴기 또는 4-티아졸릴기이다.
「아르알킬기」는 아릴기로 치환된 알킬기를 의미한다. 여기서 「아릴기」 및 「알킬기」는 상기와 동의이다. 전형적으로는, 탄소수 7 내지 14의 아르알킬기, 예를 들어 벤질기, 페네틸기, 페닐프로필기, 페닐부틸기, 나프틸메틸기 또는 나프틸에틸기 등(각종 이성체를 포함한다)을 들 수 있으며, 바람직하게는 탄소수 7 내지 10의 아르알킬기, 예를 들어 벤질기, 1-페네틸기, 2-페네틸기, 3-페닐프로필기 또는 4-페닐부틸기이다.
「헤테로아릴알킬기」는 헤테로아릴기로 치환된 알킬기를 의미한다. 여기서 「헤테로아릴기」 및 「알킬기」는 상기와 동의이다. 전형적으로는, 6 내지 14원의 헤테로아릴알킬기, 예를 들어 피롤릴메틸기, 피롤릴에틸기, 이미다졸릴메틸기, 이미다졸릴에틸기, 피라졸릴메틸기, 피라졸릴에틸기, 트리아졸릴메틸기, 트리아졸릴에틸기, 피리딜메틸기, 피리딜에틸기, 피리미디닐메틸기, 피리미디닐에틸기, 피리다지닐메틸기, 피리다지닐에틸기, 인돌릴메틸기, 인돌릴에틸기, 퀴놀릴메틸기, 퀴놀릴메틸에틸기; 티에닐메틸기, 티에닐에틸기, 벤조티에닐메틸기, 벤조티에닐에틸기; 푸릴메틸기, 푸릴에틸기, 벤조푸라닐메틸기, 벤조푸라닐에틸기; 옥사졸릴메틸기, 옥사졸릴에틸기, 이속사졸릴메틸기, 이속사졸릴에틸기, 티아졸릴메틸기, 티아졸릴에틸기, 이소티아졸릴메틸기, 이소티아졸릴에틸기, 옥사디아졸릴메틸기, 옥사디아졸릴에틸기, 티아디아졸릴메틸기, 티아디아졸릴에틸기 등(각종 이성체를 포함한다)을 들 수 있다. 바람직하게는, 6 내지 10원의 헤테로아릴알킬기, 예를 들어 2-피리딜메틸기, 3-피리딜메틸기, 2-피리미디닐메틸기, 5-피리미디닐메틸기, 2-인돌릴메틸기, 5-인돌릴메틸기, 2-벤조푸라닐메틸기, 5-인돌릴메틸기, 2-벤조티에닐메틸기 또는 5-벤조티에닐메틸기이다.
「퍼플루오로알킬술폰산 할라이드」 등의 「할라이드」는 할로겐 원자를 의미하는데, 예를 들어 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자이며, 바람직하게는 염소 원자 또는 브롬 원자이며, 보다 바람직하게는 염소 원자이다.
일반식 (1), (2) 및 (4)에 있어서, R1은 치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기를 나타낸다.
본 발명에 있어서 「치환기를 갖고 있을 수도 있다」란, 다른 언급이 없는 한, 뒤에 이어지는 기가, 적어도 1개의 치환기를 갖는 경우와 치환기를 갖고 있지 않은 경우(즉, 비치환인 경우) 양쪽을 포함하는 것을 의미한다. 예를 들어, 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기」는 「치환기를 갖고 있지 않은 헤테로아릴기」 또는 「치환기를 갖는 헤테로아릴기」이다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에서는, 일반식 (1)에 있어서, R1은 치환기를 갖고 있을 수도 있는 피리딜기이다.
R1에 있어서의 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기(특히는, 피리딜기)」는, 바람직하게는 5 내지 10원의 헤테로아릴기(특히는, 피리딜기); 혹은 할로겐 원자, 히드록시기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 아미노기, 시아노기 및 니트로기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개, 2개 또는 3개의 치환기로 치환된 5 내지 10원의 헤테로아릴기(특히는, 피리딜기)이다. 2 이상의 치환기는 동일할 수도, 상이할 수도 있다.
본 발명에 있어서, 「할로겐 원자」 또는 「할로」는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자를 의미한다. 바람직하게는, 불소 원자, 염소 원자 또는 브롬 원자이며, 보다 바람직하게는 불소 원자 또는 염소 원자이며, 특히 바람직하게는 불소 원자이다.
본 발명에 있어서 「탄소수 1 내지 4의 알콕시기」는 기 -OR(여기서, R은 상기와 동의의 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다)을 의미한다. 탄소수 1 내지 4의 알콕시기의 예로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, 이소프로필옥시기, 부틸옥시기 또는 이소부틸옥시기를 들 수 있다.
「치환기를 갖고 있지 않은 헤테로아릴기」로서는, 예를 들어 2-푸릴기, 3-푸릴기, 2-피리딜기, 3-피리딜기, 4-피리딜기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 2-티에닐기, 3-티에닐기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 2-이미다졸릴기, 4-이미다졸릴기, 3-피라졸릴기, 2-피리미디닐기, 4-피리미디닐기 또는 퀴놀릴기 등의 헤테로아릴기(이들 기는 각종 이성체를 포함한다)를 들 수 있으며, 바람직하게는 2-피리딜기, 3-피리딜기 또는 4-피리딜기이다.
「치환기를 갖는 헤테로아릴기」로서는, 예를 들어 2-(3-메틸)푸릴기, 2-(4-메틸)푸릴기, 2-(3-에틸)푸릴기, 2-(4-에틸)푸릴기, 2-(3-플루오로)푸릴기, 2-(3-클로로)푸릴기, 2-(3-히드록시)푸릴기, 2-(3-메톡시)푸릴기, 2-(3-아미노)푸릴기, 2-(3-니트로)푸릴기, 2-(3-시아노)푸릴기, 2-(3-메틸)피리딜기, 2-(4-메틸)피리딜기, 2-(3-에틸)피리딜기, 2-(4-에틸)피리딜기, 2-(3-플루오로)피리딜기, 2-(4-클로로)피리딜기, 2-(3-히드록시)피리딜기, 2-(3-메톡시)피리딜기, 2-(3-아미노)피리딜기, 2-(3-니트로)피리딜기, 2-(3-시아노)피리딜기, 2-(3,5-디클로로)피리딜기, 3-(2-클로로)피리딜기, 2-(3-메틸)피롤릴기 또는 2-(3-메틸)티에닐기 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 2-(3-메틸)푸릴기, 2-(3-플루오로)푸릴기, 2-(3-메틸)피리딜기, 2-(3-플루오로)피리딜기, 2-(3-니트로)피리딜기, 2-(3-시아노)피리딜기 또는 2-(3,5-디클로로)피리딜기이다.
일반식 (3) 및 (4)에 있어서, R2는 치환기를 갖고 있을 수도 있는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아르알킬기 또는 헤테로아릴알킬기이다.
R2에 있어서의 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 알킬기」, 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 알케닐기」, 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 알키닐기」 또는 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 시클로알킬기」의 치환기의 예로서는, 할로겐 원자; 히드록시기; 탄소수 1 내지 10의 알콕시기; 치환기를 갖고 있을 수도 있는 아미노기; 시아노기; 또는 니트로기 등을 들 수 있다. 2 이상의 치환기는 동일할 수도, 상이할 수도 있다.
R2에 있어서의 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 아릴기」, 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기」, 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 아르알킬기」 또는 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴알킬기」의 치환기의 예로서는, 할로겐 원자; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 2 내지 10의 알케닐기; 탄소수 2 내지 10의 알키닐기; 치환기를 갖고 있을 수도 있는 아릴기; 치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기; 치환기를 갖고 있을 수도 있는 아르알킬기; 치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴알킬기; 탄소수 1 내지 10의 알콕시기; 탄소수 2 내지 20의 알콕시알콕시기; 탄소수 2 내지 11의 아실기; 탄소수 2 내지 11의 알콕시카르보닐기; 탄소수 3 내지 21의 알콕시카르보닐알킬기; 탄소수 3 내지 21의 알콕시카르보닐알콕시기; 탄소수 6 내지 14의 아릴옥시기; 탄소수 7 내지 14의 아르알킬옥시기; 탄소수 1 내지 4의 할로알킬기; 치환기를 갖고 있을 수도 있는 아미노기; 시아노기; 또는 니트로기 등을 들 수 있다. 2 이상의 치환기는 동일할 수도, 상이할 수도 있다. 또한 인접하는 환 원자에 치환된 2개의 치환기는, 이러한 환 원자와 하나가 되어 환을 형성할 수도 있다.
상기 치환기의 예에 있어서의 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 아릴기」, 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기」, 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 아르알킬기」 또는 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴알킬기」의 치환기의 예로서는, 할로겐 원자; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 2 내지 10의 알케닐기; 탄소수 2 내지 10의 알키닐기; 탄소수 1 내지 10의 알콕시기; 탄소수 1 내지 4의 할로알킬기; 시아노기; 또는 니트로기 등을 들 수 있다. 2 이상의 치환기는 동일할 수도, 상이할 수도 있다.
본 발명에 있어서 「탄소수 1 내지 10의 알콕시기」는 기 -OR(여기서, R은 상기와 동의의 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다)을 의미한다. 탄소수 1 내지 10의 알콕시기의 예로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 노닐옥시기 또는 데실옥시기 등(각종 이성체를 포함한다)을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 예를 들어 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, 이소프로필옥시기, 부틸옥시기, 이소부틸옥시기 또는 헥실옥시기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 예를 들어 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, 이소프로필옥시기, 부틸옥시기 또는 이소부틸옥시기이다.
마찬가지로 「탄소수 2 내지 20의 알콕시알콕시기」는 탄소수 1 내지 10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시기를 의미한다. 여기서 「탄소수 1 내지 10의 알콕시기」는 상기와 동의이다. 바람직하게는, 탄소수 2 내지 8의 알콕시알콕시기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 4의 알콕시알콕시기, 예를 들어 메톡시메톡시기, 메톡시에톡시기, 에톡시메톡시기 또는 에톡시에톡시기이다.
마찬가지로 「탄소수 2 내지 11의 아실기」는 기 -C(=O)-R(여기서, R은 상기와 동의의 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다)을 의미한다. 탄소수 2 내지 11의 아실기의 예로서는, 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 발레릴기, 헥사노일기, 옥타노일기 또는 데카노일기 등(각종 이성체를 포함한다)을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 2 내지 7의 알콕시카르보닐기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 5의 알콕시카르보닐기, 예를 들어 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 이소부티릴기, 발레릴기, 이소발레릴기 또는 피발로일기이다.
마찬가지로 「탄소수 2 내지 11의 알콕시카르보닐기」는 기 -C(=O)-OR(여기서, R은 상기와 동의의 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다)을 의미한다. 탄소수 2 내지 11의 알콕시카르보닐기의 예로서는, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 프로폭시카르보닐기, 부톡시카르보닐기, 펜틸옥시카르보닐기, 헥실옥시카르보닐기, 헵틸옥시카르보닐기, 옥틸옥시카르보닐기, 노닐옥시카르보닐기 또는 데실옥시카르보닐기 등(각종 이성체를 포함한다)을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 2 내지 7의 알콕시카르보닐기, 예를 들어 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 프로폭시카르보닐기, 이소프로폭시카르보닐기, 부톡시카르보닐기, tert-부톡시카르보닐기 또는 헥실옥시기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 5의 알콕시카르보닐기, 예를 들어 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 프로폭시카르보닐기, 이소프로폭시카르보닐기, 부톡시카르보닐기 또는 tert-부톡시카르보닐기이다.
마찬가지로 「탄소수 3 내지 21의 알콕시카르보닐알킬기」는 탄소수 2 내지 11의 알콕시카르보닐기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 의미한다. 여기서 「탄소수 2 내지 11의 알콕시카르보닐기」 및 「탄소수 1 내지 10의 알킬기」는 상기와 동의이다. 바람직하게는, 탄소수 3 내지 11의 알콕시카르보닐알킬기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 5의 알콕시카르보닐기로 치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬기(즉, 탄소수 3 내지 9의 알콕시카르보닐알킬기), 예를 들어 메톡시카르보닐메틸기, 에톡시카르보닐메틸기, 프로폭시카르보닐메틸기, 이소프로폭시카르보닐메틸기, 부톡시카르보닐메틸기, tert-부톡시카르보닐메틸기, 메톡시카르보닐에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 프로폭시카르보닐에틸기, 이소프로폭시카르보닐에틸기, 부톡시카르보닐에틸기 또는 tert-부톡시카르보닐에틸기이다.
마찬가지로 「탄소수 3 내지 21의 알콕시카르보닐알콕시기」는 탄소수 2 내지 11의 알콕시카르보닐기로 치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시기를 의미한다. 여기서 「탄소수 2 내지 11의 알콕시카르보닐기」 및 「탄소수 1 내지 10의 알콕시기」는 상기와 동의이다. 바람직하게는, 탄소수 3 내지 11의 알콕시카르보닐알콕시기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 5의 알콕시카르보닐기로 치환된 탄소수 1 내지 4의 알콕시기(즉, 탄소수 3 내지 9의 알콕시카르보닐알콕시기), 예를 들어 메톡시카르보닐메톡시기, 에톡시카르보닐메톡시기, 프로폭시카르보닐메톡시기, 이소프로폭시카르보닐메톡시기, 부톡시카르보닐메톡시기, tert-부톡시카르보닐메톡시기, 메톡시카르보닐에톡시기, 에톡시카르보닐에톡시기, 프로폭시카르보닐에톡시기, 이소프로폭시카르보닐에톡시기, 부톡시카르보닐에톡시기 또는 tert-부톡시카르보닐에톡시기이다.
마찬가지로 「탄소수 6 내지 14의 아릴옥시기」는 기 -OR'(여기서, R'은 상기와 동의의 탄소수 6 내지 14의 아릴이다)을 의미한다. 탄소수 6 내지 14의 아릴옥시기의 예로서는, 페녹시기, 나프틸옥시기 또는 안트릴옥시기 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 6 내지 10의 아릴옥시기, 예를 들어 페녹시기, 1-나프틸옥시기 또는 2-나프틸옥시기이다.
마찬가지로 「탄소수 7 내지 14의 아르알킬옥시기」는 기 -OR"(여기서, R"은 상기와 동의의 아르알킬기이다)을 의미한다. 전형적으로는, 탄소수 7 내지 14의 아르알킬옥시기, 예를 들어 벤질옥시기, 페네틸옥시기, 페닐프로필옥시기, 페닐부틸옥시기, 나프틸메틸옥시기 또는 나프틸에틸옥시기 등(각종 이성체를 포함한다)을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 7 내지 10의 아르알킬옥시기, 예를 들어 벤질옥시기, 1-페네틸옥시기, 2-페네틸옥시기, 3-페닐프로필옥시기 또는 3-페닐부틸옥시기이다.
마찬가지로 「탄소수 1 내지 4의 할로알킬기」는 1개 이상의 할로겐 원자로 치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 의미한다. 여기서 「할로」 및 「탄소수 1 내지 4의 알킬기」는 상기와 동의이다. 탄소수 1 내지 4의 할로알킬기의 예로서는, 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 2-플루오로에틸기, 2,2-디플루오로에틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 펜타플루오로에틸기 또는 노나플루오로부틸기를 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 1 내지 2의 플루오로알킬기, 예를 들어 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 2-플루오로에틸기, 2,2-디플루오로에틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기 또는 펜타플루오로에틸기이다.
상기 치환기의 예에 있어서의 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 아미노기」는 아미노기 또는 1 혹은 2의 치환기를 갖는 아미노기를 의미한다. 치환기의 예로서는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 3 내지 20의 알콕시카르보닐알킬기; 또는 탄소수 2 내지 10의 아실기 등을 들 수 있다. 2의 치환기는 동일할 수도, 상이할 수도 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에서는, 일반식 (1), (3) 및 (4)에 있어서의 R2는 치환기를 갖고 있을 수도 있는 아르알킬기이다. 본 발명의 특히 바람직한 실시 형태에서는, 일반식 (1), (3) 및 (4)에 있어서의 R2는 치환기를 갖고 있을 수도 있는 벤질기이다.
R2에 있어서의 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 아르알킬기(특히, 벤질기)」로서는, 아르알킬기(특히, 벤질기); 또는 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 2 내지 10의 알키닐기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 아르알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 2 내지 20의 알콕시알콕시기, 탄소수 6 내지 14의 아릴옥시기, 탄소수 7 내지 14의 아르알킬옥시기, 탄소수 1 내지 4의 할로알킬기, 시아노기 및 니트로기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개, 2개 또는 3개의 치환기로 치환된 아르알킬기(특히, 벤질기)를 들 수 있다. 여기서, 2 이상의 치환기는 동일할 수도, 상이할 수도 있다. 또한 인접하는 환 원자에 치환된 2개의 치환기는, 이러한 환 원자와 하나가 되어 환을 형성할 수도 있다.
R2에 있어서의 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 아르알킬기(특히, 벤질기)」는, 바람직하게는 탄소수 7 내지 10의 아르알킬기(특히, 벤질기); 혹은 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 아릴기, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 탄소수 2 내지 4의 알콕시알콕시기, 탄소수 6 내지 10의 아릴옥시기, 탄소수 7 내지 10의 아르알킬옥시기, 탄소수 1 내지 4의 할로알킬기, 시아노기 및 니트로기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개, 2개 또는 3개의 치환기로 치환된 탄소수 7 내지 10의 아르알킬기(특히, 벤질기)이다. 2 이상의 치환기는 동일할 수도, 상이할 수도 있다.
R2에 있어서의 「치환기를 갖고 있을 수도 있는 아르알킬기(특히, 벤질기)」는, 보다 바람직하게는 탄소수 7 내지 10의 아르알킬기(특히, 벤질기); 혹은 치환기를 갖고 있을 수도 있는 아릴기 또는 치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기로 치환된 탄소수 7 내지 10의 아르알킬기(특히, 벤질기)이다.
R2에 있어서의 치환기를 갖고 있을 수도 있는 아르알킬기는, 더욱 바람직하게는 벤질기, 페네틸기, 3-페닐프로필기 또는 4-페닐부틸기; 비페닐-4-일메틸기, 2'-에톡시비페닐-4-일메틸기, 3'-에톡시비페닐-4-일메틸기, 4'-에톡시비페닐-4-일메틸기, 2'-(1-프로페닐)비페닐-4-일메틸기, 2'-(1-프로페닐)비페닐-4-일메틸기, 3'-(1-프로페닐)비페닐-4-일메틸기, 4'-(1-프로페닐)비페닐-4-일메틸기, 2'-(1-프로피닐)비페닐-4-일메틸기, 3'-(1-프로피닐)비페닐-4-일메틸기 또는 4'-(1-프로피닐)비페닐-4-일메틸기; 4-(티아졸-2-일)벤질기, 3-(티아졸-2-일)벤질기, 2-(티아졸-2-일)벤질기, 4-(티아졸-4-일)벤질기, 4-(4-메틸티아졸-2-일)벤질기, 4-(5-메틸티아졸-2-일)벤질기, 4-(4,5-디메틸티아졸-2-일)벤질기, 4-(5-플루오로티아졸-2-일)벤질기, 4-(5-클로로티아졸-2-일)벤질기, 4-(4-트리플루오로메틸티아졸-2-일)벤질기, 4-(5-트리플루오로메틸메틸티아졸-2-일)벤질기, 4-((1H)-피라졸-1-일)벤질기, 3-((1H)-피라졸-1-일)벤질기, 2-((1H)-피라졸-1-일)벤질기, 4-(3-메틸-(1H)-피라졸-1-일)벤질기, 4-(5-메틸-(1H)-피라졸-1-일)벤질기, 4-(옥사졸-1-일)벤질기, 3-(옥사졸-1-일)벤질기, 2-(옥사졸-1-일)벤질기, 4-(5-메틸옥사졸-1-일)벤질기 또는 4-(4-메틸옥사졸-1-일)벤질기이다.
R3에 있어서의, 「퍼플루오로알킬기」로서는, 탄소수 1 내지 6의 퍼플루오로알킬기, 예를 들어 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기, 노나플루오로부틸기, 운데카플루오로펜틸기, 트리데카플루오로헥실기 등(각종 이성체를 포함한다)을 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬기, 예를 들어 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기, 노나플루오로부틸기이며, 보다 바람직하게는 트리플루오로메틸기 또는 노나플루오로부틸기이며, 특히 바람직하게는 트리플루오로메틸기이다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에서는, 일반식 (3)으로 표시되는 아민 화합물은, 일반식 (5):
Figure pct00010
로 표시되는 아민 화합물이다.
본 발명은, 일반식 (2)로 표시되는 헤테로 방향족 술폰산 화합물에, 유기 용매의 존재 하 또는 비존재 하에서, 염기의 존재 하 또는 비존재 하에서, 퍼플루오로알킬술폰산 무수물 또는 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드를 반응시켜 혼합 술폰산 무수물 (1)을 합성하고(반응 A), 계속해서, 얻어진 혼합 술폰산 무수물 (1)에 일반식 (3)으로 표시되는 아민 화합물을 반응시켜 술폰아미드 화합물 (4)를 합성하는(반응 B) 방법에 의해 행하여진다. 반응 A에서 얻어진 혼합 술폰산 무수물 (1)은 단리되지 않고, 반응 B에 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 일반식 (2)로 표시되는 헤테로 방향족 술폰산 화합물은 시판품일 수도 있고, 공지의 방법으로 합성할 수도 있다. 본 발명에서 사용되는 헤테로 방향족 술폰산 화합물은, 예를 들어 피리딘-2-술폰산, 피리딘-3-술폰산, 피리딘-4-술폰산, 4-메틸피리딘-2-술폰산, 1H-피롤-2-술폰산, 티오펜-2-술폰산, 티오펜-3-술폰산, 푸란-2-술폰산 또는 푸란-3-술폰산이며, 실시예에서는 시판품을 사용했다.
본 발명에서 사용되는 퍼플루오로알킬술폰산 무수물 또는 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드는 시판하는 것으로 충분하지만, 바람직하게는 순도 95％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 순도 98％ 이상이다. 본 발명에서 사용되는 퍼플루오로알킬술폰산 무수물은, 예를 들어 트리플루오로메탄술폰산 무수물, 펜타플루오로에탄술폰산 무수물, 헵타플루오로프로판술폰산 무수물 또는 노나플루오로부탄술폰산 무수물이며, 본 발명에서 사용되는 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드는, 예를 들어 트리플루오로메탄술폰산 클로라이드, 펜타플루오로에탄술폰산 클로라이드, 헵타플루오로프로판술폰산 클로라이드 또는 노나플루오로부탄술폰산 클로라이드이며, 실시예에서는 시판품을 사용했다.
퍼플루오로알킬술폰산 무수물 또는 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드의 사용량은, 일반식 (2)로 표시되는 헤테로 방향족 술폰산 화합물 1몰에 대하여, 예를 들어 0.5 내지 10몰, 바람직하게는 0.5 내지 5몰, 보다 바람직하게는 0.8 내지 2몰, 특히 바람직하게는 0.8 내지 1.5몰이다.
본 발명의 반응(반응 A)은 염기의 존재 하에서 행할 수 있다. 본 발명의 반응에 있어서 사용되는 염기로서는, 반응에 영향을 미치지 않는 염기이면 되는데, 예를 들어 트리에틸아민, 트리부틸아민, 디이소프로필에틸아민 등의 지방족 아민, 피리딘, N,N-디메틸-4-아미노피리딘 등의 방향족 아민이며, 바람직하게는 방향족 아민이며, 보다 바람직하게는 피리딘 또는 N,N-디메틸-4-아미노피리딘이다.
염기의 사용량은, 일반식 (2)로 표시되는 헤테로 방향족 술폰산 화합물 1몰에 대하여, 예를 들어 0.01 내지 10몰, 바람직하게는 0.05 내지 5몰, 보다 바람직하게는 0.1 내지 2몰이다. 또한, 염기가 피리딘 등인 경우에는 용매로서 대량으로 사용할 수도 있다.
본 발명의 반응(반응 B)은, 염기는 특별히 필요로 하지 않지만, 반응 A에서 혼합 술폰산 무수물을 합성하고, 그대로 계 중에서 반응 B를 행하는 경우, 반응 A에서 사용한 염기가 그대로 남아 있을 수도 있다.
본 발명의 반응(반응 A)은 유기 용매의 존재 하에서 행할 수 있다. 본 발명의 반응에 사용되는 유기 용매로서는, 반응에 관여하지 않는 유기 용매이면 되고, 예를 들어 아세토니트릴 또는 벤조니트릴과 같은 니트릴계 유기 용매; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피리돈, 디메틸이미다졸 또는 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논과 같은 아미드계 용매; 염화메틸렌, 클로로포름 또는 1,2-디클로로에탄과 같은 할로겐계 유기 용매; n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, 시클로펜탄, 시클로헥산 또는 시클로펜탄과 같은 지방족 탄화수소계 용매; 벤젠, 톨루엔 또는 크실렌과 같은 방향족 탄화수소계 용매; 디에틸에테르, tert-부틸메틸에테르, 디이소프로필에테르, THF 또는 1,4-디옥산과 같은 에테르계 용매; 또는 피리딘과 같은 본 발명에 있어서 염기로서 사용할 수 있는 방향족 아민계 용매 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 방향족 탄화수소계 유기 용매, 할로겐계 유기 용매, 니트릴계 유기 용매 또는 방향족 아민계 용매이며, 보다 바람직하게는 할로겐계 유기 용매, 니트릴계 유기 용매, 방향족 아민계 용매이며, 특히 바람직하게는 염화메틸렌, 아세토니트릴, 피리딘이다. 또한, 이들 유기 용매는 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
유기 용매의 사용량은, 일반식 (1)로 표시되는 헤테로 방향족 술폰산 화합물 1g에 대하여, 예를 들어 1 내지 200mL, 바람직하게는 2 내지 100mL, 보다 바람직하게는 5 내지 50mL이다.
본 발명의 반응(반응 B)은 유기 용매의 존재 하에서 행할 수 있다. 본 발명의 반응에 사용되는 유기 용매로서는, 반응에 관여하지 않는 유기 용매이면 되고, 반응 A와 동일한 유기 용매를 들 수 있다. 또한, 반응 A에서 혼합 술폰산 무수물을 합성하고, 그대로 계 중에서 반응 B를 행하는 경우, 반응 A에서 사용한 유기 용매를 그대로 사용할 수 있고, 또 새로 첨가할 수도 있다.
본 발명에서 사용되는, 일반식 (3)으로 표시되는 아민 화합물은 시판품일 수도 있고, 공지의 방법으로 합성할 수도 있다. 본 발명의 실시예에서 기재되는 아민 화합물은, 예를 들어 특허문헌 1에서 기재되는 방법으로 합성할 수 있다.
아민 화합물의 사용량은, 일반식 (2)로 표시되는 헤테로 방향족 술폰산 화합물 1몰에 대하여, 예를 들어 0.5 내지 10몰, 바람직하게는 0.8 내지 5몰, 보다 바람직하게는 0.9 내지 2몰이다.
본 발명의 반응(반응 A 및 B)에 있어서의 반응 온도는, 예를 들어 -20 내지 200℃, 바람직하게는 0 내지 100℃, 보다 바람직하게는 10 내지 80℃에서 행하여진다.
본 발명의 반응(반응 A 및 B)에 있어서의 반응 압력은 특별히 제한되지 않지만, 상압 하에서 행하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제조 장치는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 반응 용기, 가열(냉각) 장치, 증류 장치(예를 들어, 딘스타르크 트랩 등) 등, 일반적인 제조 장치로 행할 수 있다.
본 발명의 방법으로 얻어진, 일반식 (3)으로 표시되는 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물은, 또한 증류, 분액, 추출, 정석, 재결정 및 칼럼 크로마토그래피 등의 일반적인 방법에 의해, 더 정제할 수도 있다.
실시예
이어서, 실시예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들에 한정되는 것은 아니다.
얻어진 목적물은 IR, NMR 스펙트럼 분석 등으로 구조 확인을 행했다. 또한 고속 액체 크로마토그래피(HPLC)를 사용하여, 반응 수율(내부 표준화법) 및 화학 순도의 측정을 행했다.
[실시예 1]
N-[4-(1H-피라졸-1-일)벤질]피리딘-3-술폰아미드의 합성
Figure pct00011
교반 장치 및 온도계를 구비한 내용적 약 2L의 유리제 용기에, 피리딘 900mL, 피리딘-3-술폰산 60.0g(0.377㏖, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제), N,N-디메틸-4-아미노피리딘 5.99g(0.049㏖)을 혼합하고, 교반하면서 순도 98％ 이상의 트리플루오로메탄술폰산 무수물 104g(0.369㏖, 도쿄 가세이 고교 가부시키가이샤제)을, 실온에서 적하하고, 30℃에서 1시간 교반했다. 계속해서, 반응 혼합물에 동일 온도에서, 참고예 2에 기재된 바와 마찬가지의 방법으로 합성한 4-(1H-피라졸-1-일)벤질아민염산염 76.7g(0.366mmol)을 소량씩 분할하여 첨가하고, 30℃에서 1시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 감압 하에서 농축하고, 잔사에 아세트산에틸 1500mL 및 물 1260mL을 첨가하여, 분액했다. 얻어진 유기층을 2분할하여, 각각을 포화 염화암모늄 수용액 및 물 600mL로 순차 세정하고, 유기층을 합하여 감압 농축했다. 얻어진 잔사에 디이소프로필에테르 630mL을 첨가하고, 0℃에서 1시간 교반했다. 석출된 고체를 여과하고, 디이소프로필에테르 75mL로 세정하여, 백색 고체 92.7g을 얻었다. 고속 액체 크로마토그래피에 의해 정량 분석을 행한 바, 백색 고체 중에는 표기의 목적 화합물이 84.9g(순도 91.6％) 포함되어 있었다(4-(1H-피라졸-1-일)벤질아민 기준의 수율 74％).
얻어진 표기 화합물의 물성값은 이하와 같았다.
CI-MS(m/z); 315 [M+1].
1H-NMR(DMSO, δ(ppm)); 4.11(2H, s), 6.53(1H, dd, J=1.7Hz), 7.33(2H, d, J=8.8Hz), 7.56-7.61(4H, m), 7.70-7.74(1H, m), 8.12-8.45(2H, m), 8.47(1H, s), 8.92-8.93(1H, m).
IR(KBr ㎝-1); 459, 487, 546, 561, 592, 615, 629, 650, 698, 719, 743, 766, 810, 900, 937, 1029, 1060, 1116, 1163(S=O), 1194, 1209, 1250, 1321, 1333, 1393, 1419, 1466, 1526(C=N), 1582, 1612, 2666, 2779, 2843, 3047, 3126, 3142, 3436(N-H).
원소 분석; 계산값: C, 57.31％; H, 4.49％; N, 17.82％
실측값: C, 57.04％; H, 4.24％; N, 17.71％.
[실시예 2]
N-벤질피리딘-3-술폰아미드의 합성
Figure pct00012
교반 장치 및 온도계를 구비한 내용적 약 25mL의 유리제 용기에, 피리딘 23.9mL, 피리딘-3-술폰산 1.59g(9.99mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제), N,N-디메틸-4-아미노피리딘 0.159g(1.30mmol)을 혼합하고, 교반하면서 순도 98％ 이상 트리플루오로메탄술폰산 무수물 2.76g(9.8mmol, 도쿄 가세이 고교 가부시키가이샤제)을 30℃에서 적하하고, 동일 온도에서 2시간 교반했다. 계속해서, 반응 혼합물에 동일 온도에서, 벤질아민 1.04g(0.97mmol, 도쿄 가세이 고교 가부시키가이샤제)을 30분간에 걸쳐 첨가하고, 동일 온도에서 1시간 교반했다. 얻어진 반응 혼합물을 감압 하에서 농축하고, 잔사에 아세트산에틸 40mL 및 물 33mL을 첨가하여 분액했다. 유기층을 포화 염화암모늄 수용액 33mL 및 물 33mL로 순차 세정 후, 유기층을 감압 농축했다. 얻어진 잔사에 디이소프로필에테르 4.8mL을 첨가하여 감압 농축하는 조작을 2회 반복하고, 디이소프로필에테르 17ml을 더 첨가하여 실온에서 교반했다. 석출된 고체를 여과하고, 디이소프로필에테르 75mL로 세정하고, 실온에서 진공 건조시켜, 등갈색의 고체 1.88g을 얻었다. 고속 액체 크로마토그래피에 의해 정량 분석한 바, 얻어진 고체 중에는 표기의 목적 화합물이 1.52g(순도 81.1％) 포함되어 있었다(벤질아민 기준의 정량 수율 63％).
이어서, 얻어진 순도 81.1％의 N-벤질피리딘-3-술폰아미드 1.00g(순분 0.81g, 3.3mmol)에, 4N의 수산화나트륨 수용액 3.0ml, 물 3.0ml 및 톨루엔 3.2g을 추가하고, 실온에서 1시간 교반했다. 불용물을 여과한 후에 분액하고, 얻어진 수층을 톨루엔 1ml로 세정했다. 수층에 5N의 염산을 pH가 3 내지 4의 범위가 될 때까지 첨가하고, 실온에서 30분간 교반했다. 석출된 고체를 여과하고, 물로 세정한 후 50℃에서 진공 건조시켜, 담갈색의 분말 0.78g을 얻었다. 고속 액체 크로마토그래피에 의해 분석한 바, 얻어진 분말 중에는 목적물의 N-벤질피리딘-3-술폰아미드가 99.7％ 정도 포함되어 있었다(벤질아민 기준의 수율 59％).
얻어진 N-벤질피리딘-3-술폰아미드의 물성값은 이하와 같았다.
CI-MS(m/z); 249 [M+1].
1H-NMR(DMSO, δ(ppm)); 4.07(2H, s), 7.20-7.29(5H, m), 7.55-7.59(1H, m), 8.10-8.13(1H, m), 8.43(1H, s), 8.77(1H, dd, J=1.6Hz, 4.8Hz), 8.90(1H, dd, J=0.7Hz, 2.4Hz).
IR(KBr ㎝-1); 463, 529, 544, 587, 611, 629, 696, 747, 806, 817, 857, 903, 928, 992, 1028, 1036, 1072, 1111, 1123, 1168(S=O), 1196, 1231, 1320, 1339, 1421, 1456, 1484, 1496, 1584, 1954, 2698, 2785, 2859, 3036, 3063, 3440(N-H).
원소 분석; 계산값: C, 58.05％; H, 4.87％; N, 11.28％
실측값: C, 58.08％; H, 4.87％; N, 11.27％.
[실시예 3]
N-[4-(1H-피라졸-1-일)벤질]피리딘-2-술폰아미드의 합성
Figure pct00013
교반 장치 및 온도계를 구비한 내용적 약 50mL의 유리제 용기에, 피리딘 23.9mL, 피리딘-2-술폰산 1.59g(10.0mmol, 도쿄 가세이 고교제), N,N-디메틸-4-아미노피리딘 159㎎(1.30mmol)을 실온에서 혼합하고, 교반하면서 트리플루오로메탄술폰산 무수물 2.76g(9.80mmol, 도쿄 가세이 고교제)을 30℃에서 적하하고, 동일 온도에서 2시간 교반했다. 계속해서, 반응 혼합물에 30℃에서, 참고예 2에 기재된 바와 마찬가지의 방법으로 합성한 4-(1H-피라졸-1-일)벤질아민염산염 2.03g(9.70mmol)을 적하하고, 1시간 교반했다. 밤새 실온에서 방치한 후, 반응 혼합물을 감압 하에서 농축하고, 잔사에 아세트산에틸 39.8mL 및 물 33.4mL을 첨가하여, 분액했다. 얻어진 유기층을 20％ 염화암모늄 수용액 및 물로 세정하고, 감압 농축했다. 얻어진 잔사에 디이소프로필에테르 4.78mL을 첨가하여 감압 농축하는 조작을 2회 반복했다. 얻어진 잔사에 디이소프로필에테르 16.7mL을 더 첨가하여 고형물을 분쇄하고, 분산시킨 후, 감압 여과하고, 디이소프로필에테르로 세정하고, 진공 건조하여, 담갈색 고체 2.66g을 얻었다. 고속 액체 크로마토그래피에 의해 정량 분석을 행한 바, 백색 고체 중에는 표기 화합물이 2.46g(92.5％) 포함되어 있었다(4-(1H-피라졸-1-일)벤질아민 기준의 수율 80.7％).
얻어진 표기 화합물의 물성값은 이하와 같았다(마찬가지로 하여 합성한 표기 화합물의 데이터를 나타냄).
CI-MS(m/z); 315 [M+1].
1H-NMR(DMSO, δ(ppm)); 4.20(2H, s), 6.53(1H, dd, J=2.4Hz, 1.8Hz), 7.35(2H, d, J=8.7Hz), 7.62-7.65(1H, m), 7.72-7.74(3H, m), 7.90-7.92(1H, m), 8.02-8.04(1H, m), 8.44-8.45(2H, m), 8.71-8.73(1H, m).
IR(KBr ㎝-1); 417, 462, 495, 552, 593, 619, 648, 658, 720, 741, 760, 777, 809, 850, 892, 916, 936, 992, 1017, 1031, 1047, 1090, 1122, 1156, 1176(S=O), 1203, 1232, 1253, 1296, 1316, 1331, 1361, 1398, 1410, 1429, 1443, 1452, 1526(C=N), 1564, 1578, 1612, 1683, 1734, 1780, 1898, 2934, 3070, 3113, 3133, 3281, 3441(N-H).
원소 분석; 계산값: C, 57.31％; H, 4.49％; N, 17.82％
실측값: C, 57.33％; H, 4.61％; N, 17.73％.
[실시예 4]
N-부틸피리딘-3-술폰아미드의 합성
Figure pct00014
교반 장치 및 온도계를 구비한 내용적 약 50mL의 유리제 용기에, 피리딘 23.9mL, 피리딘-3-술폰산 1.59g(10.0mmol, 와코 쥰야쿠 고교제), N,N-디메틸-4-아미노피리딘 159㎎(1.30mmol)을 실온에서 혼합하고, 교반하면서 트리플루오로메탄술폰산 무수물 2.76g(9.80mmol, 도쿄 가세이 고교제)을 30℃에서 적하하고, 동일 온도에서 2시간 교반했다. 계속해서, 반응 혼합물에 30℃에서 n-부틸아민 709㎎(9.70mmol, 와코 쥰야쿠 고교제)을 30분간에 걸쳐 적하하고, 동일 온도에서 1시간 교반했다. 밤새 실온에서 방치한 후, 반응 혼합물을 감압 하에서 농축하고, 잔사에 아세트산에틸 39.8mL 및 물 33.4mL을 첨가하여, 분액했다. 얻어진 유기층을 20％ 염화암모늄 수용액 및 물로 세정하고, 감압 농축했다. 얻어진 잔사에, 디이소프로필에테르 4.78mL을 첨가하여 감압 농축하는 조작을 2회 반복하여, 암갈색 유상물 1.63g을 얻었다. 고속 액체 크로마토그래피에 의해 정량 분석을 행한 바, 농축액 중에는 표기 화합물이 1.34g(82.4％) 포함되어 있었다(n-부틸아민 기준의 수율 64.5％).
얻어진 표기 화합물의 물성값은 이하와 같았다(마찬가지로 하여 합성한 표기 화합물의 데이터를 나타냄).
CI-MS(m/z); 215 [M+1].
1H-NMR(DMSO, δ(ppm)); 0.79(3H, dd, J=7.3Hz), 1.18-1.27(2H, m), 1.31-1.38(2H, m), 2.79(2H, ddd, J=5.7Hz), 7.63-7.67(1H, m), 7.82(1H, dd, J=5.2Hz), 8.15-8.18(1H, m), 8.82(1H, dd, J=4.8Hz, 1.6Hz), 8.94(1H, dd, J=2.4Hz, 0.7Hz).
IR(KBr ㎝-1); 456, 572, 592, 622, 704, 742, 807, 866, 906, 981, 1026, 1085, 1109, 1122, 1166(S=O), 1196, 1225, 1323, 1381, 1417, 1467, 1575(C=N), 2874, 2935, 2961, 3095, 3287, 3580.
원소 분석; 계산값: C, 50.45％; H, 6.59％; N, 13.07％
실측값: C, 50.16％; H, 6.58％; N, 12.95％.
[실시예 5]
N-[4-(1H-피라졸-1-일)벤질]피리딘-3-술폰아미드의 합성
교반 장치 및 온도계를 구비한 내용적 약 10mL의 유리제 용기에, 피리딘 4.77mL, 피리딘-3-술폰산 318㎎(2.00mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제), N,N-디메틸-4-아미노피리딘 31.8㎎(0.260mmol)을 혼합하고, 교반하면서 순도 98％ 이상의 트리플루오로메탄술폰산 클로라이드 330㎎(1.96mmol, 도쿄 가세이 고교 가부시키가이샤제)을, 실온에서 적하하고, 30℃에서 1시간 교반했다. 계속해서, 반응 혼합물에 30℃에서, 참고예 2에 기재된 바와 마찬가지의 방법으로 합성한 4-(1H-피라졸-1-일)벤질아민염산염 407㎎(1.94mmol)을 소량씩 분할하여 첨가하고, 동일 온도에서 1시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응 혼합물에 아세토니트릴/물의 혼합 용액(7/3(V/V))을 첨가하여 균일 용액으로 하고, 고속 액체 크로마토그래피에 의해 정량 분석을 행한 바, 목적물이 246㎎ 포함되어 있었다(반응 수율 40.4％).
[실시예 6]
N-[4-(1H-피라졸-1-일)벤질]피리딘-3-술폰아미드의 합성
교반 장치 및 온도계를 구비한 내용적 약 10mL의 유리제 용기에, 피리딘 4.77mL, 피리딘-3-술폰산 318㎎(2.00mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제), N,N-디메틸-4-아미노피리딘 31.8㎎(0.260mmol)을 혼합하고, 교반하면서 순도 97％의 노나플루오로부탄술폰산 무수물 1.18g(1.96mmol, 시그마 알드리치제)을, 30℃에서 적하하고, 동일 온도에서 1시간 교반했다. 계속해서, 반응 혼합물에 30℃에서, 참고예 2에 기재된 바와 마찬가지의 방법으로 합성한 4-(1H-피라졸-1-일)벤질아민염산염 407㎎(1.94mmol)을 소량씩 분할하여 첨가하고, 동일 온도에서 2시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응 혼합물에 아세토니트릴/물의 혼합 용액(7/3(V/V))을 첨가하여 균일 용액으로 하고, 고속 액체 크로마토그래피에 의해 정량 분석을 행한 바, 목적물이 296㎎ 포함되어 있었다(반응 수율 48.6％).
[실시예 7]
N-[4-(1H-피라졸-1-일)벤질]피리딘-3-술폰아미드의 합성
교반 장치 및 온도계를 구비한 내용적 약 10mL의 유리제 용기에, 피리딘 4.77mL, 피리딘-3-술폰산 318㎎(2.00mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제)을 혼합하고, 교반하면서 순도 98％ 이상의 트리플루오로메탄술폰산 무수물 553㎎(1.96mmol, 도쿄 가세이 고교 가부시키가이샤제)을, 실온에서 적하하고, 30℃에서 1시간 교반했다. 계속해서, 반응 혼합물에 30℃에서, 참고예 2에 기재된 바와 마찬가지의 방법으로 합성한 4-(1H-피라졸-1-일)벤질아민염산염 407㎎(1.94mmol)을 소량씩 분할하여 첨가하고, 동일 온도에서 1시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 고속 액체 크로마토그래피에 의해 정량 분석을 행한 바, 목적물이 570㎎ 포함되어 있었다(반응 수율 93.5％).
[실시예 8]
N-[4-(1H-피라졸-1-일)벤질]피리딘-3-술폰아미드의 합성
교반 장치 및 온도계를 구비한 내용적 약 10mL의 유리제 용기에, 피리딘 4.77mL, 피리딘-3-술폰산 318㎎(2.00mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제), N,N-디메틸-4-아미노피리딘 31.8㎎(0.260mmol)을 혼합하고, 교반하면서 순도 98％ 이상의 트리플루오로메탄술폰산 무수물 553㎎(1.96mmol, 도쿄 가세이 고교 가부시키가이샤제)을, 실온에서 적하하고, 60℃에서 1시간 교반했다. 계속해서, 반응 혼합물에 60℃에서, 참고예 2에 기재된 바와 마찬가지의 방법으로 합성한 4-(1H-피라졸-1-일)벤질아민염산염 407㎎(1.94mmol)을 소량씩 분할하여 첨가하고, 동일 온도에서 1시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응액을 실온까지 냉각하고, 고속 액체 크로마토그래피에 의해 정량 분석을 행한 바, 목적물이 577㎎ 포함되어 있었다(반응 수율 94.5％).
[실시예 9]
N-[4-(1H-피라졸-1-일)벤질]피리딘-3-술폰아미드의 합성
교반 장치 및 온도계를 구비한 내용적 약 10mL의 유리제 용기에, 염화메틸렌 4.77mL, 피리딘 633㎎(8.00mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제), 피리딘-3-술폰산 318㎎(2.00mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제)을 혼합하고, 교반하면서 순도 98％ 이상의 트리플루오로메탄술폰산 무수물 553㎎(1.96mmol, 도쿄 가세이 고교 가부시키가이샤제)을, 실온에서 적하하고, 30℃에서 1시간 교반했다. 계속해서, 반응 혼합물에 30℃에서, 참고예 2에 기재된 바와 마찬가지의 방법으로 합성한 4-(1H-피라졸-1-일)벤질아민염산염 407㎎(1.94mmol)을 소량씩 분할하여 첨가하고, 동일 온도에서 1시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응 혼합물에 아세토니트릴/물의 혼합 용액(7/3(V/V))을 첨가하여 균일 용액으로 하고, 고속 액체 크로마토그래피에 의해 정량 분석을 행한 바, 목적물이 494㎎ 포함되어 있었다(반응 수율 81.0％).
[실시예 10]
N-[4-(1H-피라졸-1-일)벤질]피리딘-3-술폰아미드의 합성
교반 장치 및 온도계를 구비한 내용적 약 10mL의 유리제 용기에, 아세토니트릴 4.77mL, 피리딘 316㎎(4.00mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제), 피리딘-3-술폰산 318㎎(2.00mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제)을 혼합하고, 교반하면서 순도 98％ 이상의 트리플루오로메탄술폰산 무수물 553㎎(1.96mmol, 도쿄 가세이 고교 가부시키가이샤제)을, 10℃에서 적하하고, 동일 온도에서 1시간 교반했다. 계속해서, 반응 혼합물에 10℃에서, 참고예 2에 기재된 바와 마찬가지의 방법으로 합성한 4-(1H-피라졸-1-일)벤질아민염산염 407㎎(1.94mmol)을 소량씩 분할하여 첨가하고, 동일 온도에서 2시간 교반했다. 이어서, 반응 혼합물에, 피리딘 158㎎(2.00mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제)을 10℃에서 적하하고, 동일 온도에서 1시간 교반하고, 또한, 피리딘 158㎎(2.00mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제)을 10℃에서 적하하고, 동일 온도에서 1시간 교반했다. 20℃까지 가온하고, 동일 온도에서 1시간 교반한 후, 반응 혼합물에 아세토니트릴/물의 혼합 용액(7/3(V/V))을 첨가하여 균일 용액으로 하고, 고속 액체 크로마토그래피에 의해 정량 분석을 행한 바, 목적물이 470㎎ 포함되어 있었다(반응 수율 77.1％).
[실시예 11]
N-[4-(1H-피라졸-1-일)벤질]피리딘-3-술폰아미드의 합성
교반 장치 및 온도계를 구비한 내용적 약 10mL의 유리제 용기에, 아세토니트릴 4.77mL, 피리딘 633㎎(8.00mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제), 피리딘-3-술폰산 318㎎(2.00mmol, 와코 쥰야쿠 고교 가부시키가이샤제)을 혼합하고, 교반하면서 순도 98％ 이상의 트리플루오로메탄술폰산 무수물 553㎎(1.96mmol, 도쿄 가세이 고교 가부시키가이샤제)을, 실온에서 적하하고, 60℃에서 1시간 교반했다. 계속해서, 반응 혼합물에 60℃에서, 참고예 2에 기재된 바와 마찬가지의 방법으로 합성한 4-(1H-피라졸-1-일)벤질아민염산염 407㎎(1.94mmol)을 소량씩 분할하여 첨가하고, 동일 온도에서 1시간 교반했다. 반응 종료 후, 반응액을 실온까지 냉각하고, 고속 액체 크로마토그래피에 의해 정량 분석을 행한 바, 목적물이 598㎎ 포함되어 있었다(반응 수율 98.1％).
[참고예 1]
4-(1H-피라졸-1-일)벤조니트릴의 합성
교반 장치, 온도계 및 상부 냉각관을 구비한 내용적 약 1L의 유리제 용기에, 4-플루오로벤조니트릴 121g(1.00㏖), 피라졸 81.9g(1.20㏖), 탄산칼륨 165g(1.19㏖), 디메틸술폭시드 320mL을 실온에서 혼합하고, 115℃에서 120℃ 사이에서 7시간 반응시킨 후, 실온에서 밤새 방치했다. 물 500mL 및 톨루엔 500mL을 첨가하여 교반한 후, 여과하고, 여과액을 분액 후, 수층을 톨루엔 300mL로 재추출하고, 얻어진 혼합 유기층을 합하여 내용량이 223g이 될 때까지 감압 농축했다. 디이소프로필에테르 300mL을 첨가하고, 빙욕 중에서 30분간 교반한 후, 여과하고, 여과물을 50℃에서 건조시켜, 표기 화합물 148g을 담황색 고체로서 얻었다. (4-플루오로벤조니트릴 기준의 수율 87.7％).
얻어진 표기 화합물의 물성값은 이하와 같았다(마찬가지로 하여 합성한 표기 화합물의 데이터를 나타냄).
CI-MS(m/z); 170 [M+1].
1H-NMR(CDCl3, δ(ppm)); 6.53-6.55(1H, m), 7.74-7.78(3H, m), 7.84(1H, dd, J=2.1Hz), 7.86(1H, dd, J=2.1Hz), 8.00(1H, d, J=2.6Hz).
IR(KBr ㎝-1); 446, 546, 573, 607, 652, 714, 750, 771, 814, 836, 884, 913, 936, 962, 1032, 1044, 1053, 1128, 1177, 1186, 1200, 1253, 1316, 1344, 1393, 1407, 1438, 1514, 1529, 1611, 1657, 2228(CN), 3067, 3138, 3154, 3421.
원소 분석; 계산값: C, 70.99％; H, 4.17％; N, 24.84％
실측값: C, 71.17％; H, 4.28％; N, 24.88％.
[참고예 2]
4-(1H-피라졸-1-일)벤질아민염산염의 합성
교반 장치 및 온도계를 구비한 내용적 약 2L의 유리제 용기에, 4-(1H-피라졸-1-일)벤조니트릴 70.0g(0.414㏖), 에탄올 826mL을 첨가하고, 용기 내를 아르곤으로 치환했다. 이어서, 농염산 40.2mL(0.482㏖), 5％ 팔라듐탄소 7g(약 50％ 함수품, NE 켐캣제, STD 타입)을 첨가하고, 반응기 내를 수소로 치환했다. 미(微)가압의 수소 분위기 하에서, 26℃ 내지 38℃에서 7.5시간 정도 반응시켜, 용기 내를 질소로 치환한 후, 2.5일 정도 실온 방치했다. 물 500mL을 첨가한 후, 셀라이트 여과하고, 여과액을 액량이 497g이 될 때까지 농축한 후, 에탄올 165mL을 첨가하고, 액량이 371g이 될 때까지 농축했다. 다시 에탄올 165mL을 첨가하고, 액량이 198g이 될 때까지 농축한 후, 아세토니트릴 180mL을 첨가하고, 약 5℃에서 밤새 방치한 후, 여과하고, 불용물을 아세토니트릴 90mL로 세정했다. 얻어진 여과물을 1시간 정도 풍건시킨 후, 50℃에서 감압 건조하여, 표기 화합물 61.0g을 백색 고체로서 얻었다. (4-(1H-피라졸-1-일)벤조니트릴 기준의 수율 70.3％).
얻어진 표기 화합물의 물성값은 이하와 같았다(마찬가지로 하여 합성한 표기 화합물의 데이터를 나타냄).
CI-MS(m/z); 174 [M+1].
1H-NMR(DMSO, δ(ppm)); 4.05(2H, s), 6.56(1H, dd, J=2.4Hz, 1.8Hz), 7.63(2H, d, J=8.6Hz), 7.76(1H, d, J=1.6Hz), 7.88-7.91(2H, m), 8.53-8.55(4H, m).
IR(KCl ㎝-1); 448, 461, 538, 613, 635, 654, 725, 750, 766, 795, 835, 882, 915, 939, 971, 1034, 1055, 1079, 1120, 1208, 1219, 1254, 1318, 1338, 1382, 1397, 1414, 1444, 1470, 1485, 1532, 1597, 1615, 1673, 1728, 1919, 2047, 2224, 2359, 2554, 2584, 2696, 2758, 2897, 2971, 3000, 3113, 3134, 3412.
원소 분석; 계산값: C, 57.28％; H, 5.77％; N, 20.04％
실측값: C, 57.30％; H, 5.77％; N, 20.08％.
본 발명은, 헤테로 방향족 술폰산 화합물과 퍼플루오로알킬술폰산 무수물 또는 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드로부터 얻어지는 혼합 술폰산 무수물 및 얻어진 혼합 술폰산 무수물과 아민을 반응시키는 것에 의한 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물의 제조 방법은 종래보다 안전한 방법이며, 수율도 높고 부생성물이 적은 공업적으로도 매우 유용한 방법이다. 또한 본 제조에 의해 얻어지는 헤테로 방향족 술폰아미드 화합물은 의약 중간체 및 원체로서 유용한 화합물이다.

Claims (15)

  1. 일반식 (2):
    Figure pct00015

    (식 중 R1은 치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기이다)
    로 표시되는 술폰산 화합물과, 퍼플루오로알킬술폰산 무수물 또는 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 술포닐화제를 반응시키는 것에 의한, 일반식 (1):
    Figure pct00016

    (식 중 R1은 상기와 동의이며, R3은 퍼플루오로알킬기이다)
    로 표시되는 혼합 술폰산 무수물의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 술포닐화제가 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬술폰산 무수물 또는 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드인, 혼합 술폰산 무수물의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 술포닐화제가 트리플루오로메탄술폰산 무수물, 펜타플루오로에탄술폰산 무수물, 헵타플루오로프로판술폰산 무수물, 노나플루오로부탄술폰산 무수물, 트리플루오로메탄술폰산 클로라이드, 펜타플루오로에탄술폰산 클로라이드, 헵타플루오로프로판술폰산 클로라이드 또는 노나플루오로부탄술폰산 클로라이드인, 혼합 술폰산 무수물의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, R1이 치환기를 갖고 있을 수도 있는 피리딜기인, 혼합 술폰산 무수물의 제조 방법.
  5. 일반식 (3):
    Figure pct00017

    (식 중 R2는 치환기를 갖고 있을 수도 있는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아르알킬기 또는 헤테로아릴알킬기이다)
    으로 표시되는 아민 화합물과, 일반식 (1):
    Figure pct00018

    (식 중 R1, R3은 상기와 동의이다)
    로 표시되는 혼합 술폰산 무수물을 반응시키는, 일반식 (4):
    Figure pct00019

    (식 중 R1, R2는 상기와 동의이다)
    로 표시되는 술폰아미드 화합물의 제조 방법.
  6. (A) 일반식 (2):
    Figure pct00020

    (식 중 R1은 치환기를 갖고 있을 수도 있는 헤테로아릴기이다)
    으로 표시되는 술폰산 화합물과, 퍼플루오로알킬술폰산 무수물 또는 퍼플루오로알킬술폰산 할라이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 술포닐화제를 반응시키는 공정, 계속하여
    (B) 공정 (A)에서 얻어진 반응액에, 일반식 (3):
    Figure pct00021

    (식 중 R2는 치환기를 갖고 있을 수도 있는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아르알킬기 또는 헤테로아릴알킬기이다)
    으로 표시되는 아민 화합물을 첨가하여, 반응시키는, 일반식 (4):
    Figure pct00022

    (식 중 R1, R2는 상기와 동의이다)
    로 표시되는 술폰아미드 화합물의 제조 방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, R1이 치환기를 갖고 있을 수도 있는 피리딜기인, 술폰아미드 화합물의 제조 방법.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서, R2가 치환기를 갖고 있을 수도 있는 아르알킬기인, 술폰아미드 화합물의 제조 방법.
  9. 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 일반식 (3)으로 표시되는 아민 화합물이 하기 식 (5):
    Figure pct00023

    로 표시되는 아민 화합물인, 술폰아미드 화합물의 제조 방법.
  10. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 반응 온도가 10 내지 80℃로 행하여지는 것을 특징으로 하는 술폰아미드 화합물의 제조 방법.
  11. 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 용매로서, 니트릴계 유기 용매, 할로겐계 유기 용매, 방향족 아민계 용매 또는 그들의 혼합물을 사용하는, 술폰아미드 화합물의 제조 방법.
  12. 제5항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 용매로서, 아세토니트릴, 염화메틸렌, 피리딘 또는 그들의 혼합물을 사용하는, 술폰아미드 화합물의 제조 방법.
  13. 제5항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 염기로서, N,N-디메틸-4-아미노피리딘 또는 피리딘을 사용하는, 술폰아미드 화합물의 제조 방법.
  14. 일반식 (1):
    Figure pct00024

    (식 중 R1, R3은 상기와 동의이다)
    로 표시되는 혼합 술폰산 무수물.
  15. 제14항에 있어서, R1이 치환기를 갖고 있을 수도 있는 피리딜기인, 혼합 술폰산 무수물.
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