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KR20160075936A - 배향막 형성 방법 및 표시 패널의 제조 방법 - Google Patents

배향막 형성 방법 및 표시 패널의 제조 방법 Download PDF

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KR20160075936A
KR20160075936A KR1020140184539A KR20140184539A KR20160075936A KR 20160075936 A KR20160075936 A KR 20160075936A KR 1020140184539 A KR1020140184539 A KR 1020140184539A KR 20140184539 A KR20140184539 A KR 20140184539A KR 20160075936 A KR20160075936 A KR 20160075936A
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KR
South Korea
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substrate
liquid crystal
crystal layer
display panel
alignment film
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Withdrawn
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KR1020140184539A
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Inventor
이재현
민경해
백연하
신호용
이홍범
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to US14/713,173 priority patent/US20160178942A1/en
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Abstract

홈이 형성된 스테이지 상에, 제1 기판, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되며 반응성 메조겐을 포함하는 액정층을 형성하고, 상기 액정층을 노광하여 상기 반응성 메조겐을 경화시켜 배향막을 형성한다. 따라서, 상기 배향막은 표시 패널이 홈이 형성된 스테이지 상에 배치된 후 전계 노광에 의하여 반응성 메조겐이 경화되어 형성되므로, 상하 배향막의 선경사 각이 대칭될 수 있으며 이에 따른 투과율을 향상시킬 수 있다.

Description

배향막 형성 방법 및 표시 패널의 제조 방법{METHOD OF FORMING AN ALIGNMENT LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY PANEL}
본 발명은 배향막 형성 방법 및 표시 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 투과율이 향상된 배향막 형성 방법 및 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 대면적이 용이하고 박형 및 경량화가 가능한 평판 디스플레이(flat panel display, FPD)가 표시 장치로서 널리 이용되고 있으며, 이러한 평판 디스플레이로는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED) 등이 사용되고 있다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 분자 배열을 변환시키고, 이러한 분자 배열의 변환에 의해 발광하는 액정 셀의 복굴절성, 선광성, 2 색성 및 광 산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치이다.
액정 표시 장치는 액정 표시 패널 및 백라이트 어셈블리를 포함한다. 최근, 관찰자의 시선은 표시 패널의 중앙 영역과 양측면 영역까지의 거리가 상이하여 거리감의 편차가 발생하는 문제점이 있어 이를 해결하기 위하여 곡면 형상을 가지는 표시 장치가 적용된다.
액정 표시 패널에서 균일한 밝기와 높은 콘트라스트비(contrast ratio)를 얻기 위해서는 주입된 액정분자를 일정한 방향으로 배열시키는 배향이 필요하다. 이러한 표시 패널은 상기 액정분자를 배향하기 위한 배향막을 포함하는데, 상기 표시 패널을 형성한 이후, 이를 구부림에 따른 상하 배향막의 엇갈림이 발생한다. 따라서, 상기 배향막의 엇갈림에 따라 투과율 저하 및 응답 속도 저하 등이 발생하는 문제점이 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 투과율이 향상된 배향막을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 투과율이 향상된 표시 패널을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 배향막의 형성 방법이 제공된다. 상기 방법에서, 홈이 형성된 스테이지 상에, 제1 기판, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되며 반응성 메조겐을 포함하는 액정층을 형성한다. 상기 액정층을 노광하여 상기 반응성 메조겐을 경화시켜 배향막을 형성한다.
일 실시예에 있어서, 상기 배향막은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 상에 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 기판 상에 형성된 상기 배향막 및 상기 제2 기판 상에 형성된 상기 배향막은 서로 대칭될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반응성 메조겐은 광반응 작용기를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 배향막의 선 경사각은 1° 내지 10°인 것일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 액정층은 자외선으로 노광될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 자외선은 10J/cm2 이상의 세기로 상기 액정층에 조사될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 액정층 내에 전계(electric field)가 형성된 상태에서 노광할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 홈은 좌우가 대칭되도록 상기 스테이지 상에 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 상기 스테이지의 상부 면을 따라 배치될 수 있다.
상기한 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법이 제공된다. 상기 방법에서, 홈이 형성된 스테이지 상에, 제1 기판, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되며 반응성 메조겐을 포함하는 액정층을 포함하는 표시 패널을 배치한다. 상기 표시 패널을 노광하여 상기 반응성 메조겐을 경화시켜 배향막을 형성한다.
일 실시예에 있어서, 상기 배향막은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 상에 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 기판 상에 형성된 상기 배향막 및 상기 제2 기판 상에 형성된 상기 배향막은 서로 대칭될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반응성 메조겐은 광반응 작용기를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 배향막의 선 경사각은 1° 내지 10°인 것일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 액정층은 자외선으로 노광될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 자외선은 10J/cm2 이상의 세기로 상기 액정층에 조사될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 액정층 내에 전계(electric field)가 형성된 상태에서 노광할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 수직 배향 모드로 동작할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 홈은 좌우가 대칭되도록 상기 스테이지 상에 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 배향막은 표시 패널이 홈이 형성된 스테이지 상에 배치된 후 전계 노광에 의하여 반응성 메조겐이 경화되어 형성되므로, 상하 배향막의 선경사 각이 대칭될 수 있으며 이에 따른 투과율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 일 실시예에 따른 표시 패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 제1 기판(100)은 표시 영역(DA) 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역(PA)을 포함하며, 상기 표시 영역(DA) 및 상기 주변 영역(PA)의 경계에 대응하여 실링 부재(S)를 형성할 수 있다.
상기 표시 패널은 복수의 게이트 라인들(GL), 복수의 데이터 라인들(DL) 및 복수의 화소들을 포함한다.
상기 게이트 라인(GL)은 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 상기 데이터 라인(DL)은 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 이와는 달리, 상기 게이트 라인(GL)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있고, 상기 데이터 라인(DL)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다.
상기 화소들은 매트릭스 형태로 배치된다. 상기 화소들은 상기 게이트 라인들(GL) 및 상기 데이터 라인들(DL)에 의해 정의되는 영역에 배치될 수 있다.
각 화소는 인접한 게이트 라인(GL) 및 인접한 데이터 라인(DL)에 연결될 수 있다.
예를 들어, 상기 화소는 직사각형 형상, V자 형상 및 Z 자 형상 등을 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 제1 기판(100) 상에 게이트 절연층(GI), 데이터 절연층(DI), 박막 트랜지스터(TFT), 컬러 필터(CF) 및 화소 전극(PE)이 배치된다.
상기 제1 기판(100)은 투명한 절연기판이다. 예를 들어, 유리기판 또는 투명한 플라스틱 기판일 수 있다. 상기 제1 기판(100)은 영상을 표시하는 복수의 화소 영역을 갖는다. 상기 화소 영역은 복수의 열과 복수의 행을 가진 매트릭스 형태로 배열된다. 상기 화소 영역은 상기 게이트 라인들(GL) 및 상기 데이터 라인들(DL)에 의해 정의될 수 있다.
상기 제1 기판(100) 상에는 스위칭 소자(switching element)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)일 수 있다. 상기 스위칭 소자는 인접한 게이트 라인(GL) 및 인접한 데이터 라인(DL)에 연결될 수 있다. 상기 스위칭 소자는 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 기판(100) 상에 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다.
상기 제1 기판(100) 상에 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인(GL)을 포함하는 게이트 패턴이 배치된다. 상기 게이트 라인(GL)은 상기 게이트 전극(GE)과 전기적으로 연결된다.
상기 게이트 절연층(GI)은 상기 게이트 패턴이 배치된 상기 제1 기판(100) 상에 배치되어, 상기 게이트 패턴을 절연한다.
상기 게이트 절연층(GI)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연층(GI)은 산화실리콘(SiOX) 또는 질화실리콘(SiNX)을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연층(GI) 상에 반도체 패턴(SM)을 형성한다. 상기 반도체 패턴(SM)은 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하여 배치된다.
상기 반도체 패턴(SM)이 형성된 상기 게이트 절연층(GI) 상에 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 데이터 패턴이 배치된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 반도체 패턴(SM)과 중첩하고, 상기 데이터 라인(DL)에 전기적으로 연결된다.
상기 드레인 전극(DE)은 상기 반도체 패턴(SM) 상에 상기 소스 전극(SE)으로부터 이격된다. 상기 반도체 패턴(SM)은 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 사이에서 전도 채널(conductive channel)을 이룬다.
예를 들어, 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 반도체 패턴(SM)을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(100) 상에는 제공되는 광에 색을 제공하기 위한 컬러 필터(CF)가 배치될 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)은 서로 인접한 상기 데이터 라인들(DL) 사이에 배치된다. 상기 컬러 필터(CF)은 상기 액정층(300)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다.
상기 컬러 필터(CF)은 상기 각 화소 영역에 대응하여 제공된다. 예를 들어, 상기 컬러 필터(CF)은 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green) 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(CF)은 서로 인접한 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 컬러 필터(CF)은 제1 방향(D1)으로 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 이격되어 형성될 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)은 제1 방향(D1)으로 상기 데이터 라인들(DL)을 경계로 하여 섬(island) 형태로 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 컬러 필터(CF)은 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(140)에 의해 중첩될 수 있다.
예를 들어, 상기 컬러 필터(CF)는 감광성 유기 물질을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 화소 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 컬러 필터(CF) 상에 배치된다. 상기 화소 전극(PE)은 콘택홀(CH)을 통하여 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)와 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(PE)에는 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 통해 계조 전압(grayscale voltage)이 인가된다.
예를 들어, 상기 화소 전극(PE)은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)와 같은 투명 도전체를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 화소 전극(PE)은 슬릿 패턴을 포함할 수 있다.
상기 화소 전극(PE)은 후술할 제2 기판(200) 상의 공통 전극과 함께 상기 액정층(300) 내에 전계를 형성할 수 있다.
상기 제2 기판(200)은 투명한 절연기판이다. 예를 들어, 유리기판 또는 투명한 플라스틱 기판일 수 있다.
상기 제2 기판(200) 상에는 공통 전극(CE) 및 블랙 매트릭스(BM)이 배치된다.
상기 공통 전극(CE)은 상기 제2 기판(200) 상에 배치된다. 상기 공통 전극(CE)은 상기 제2 기판(200) 전면적에 걸쳐 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 공통 전극(CE)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO)이나 산화 인듐 아연(indium zinc oxide: IZO)과 같은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다.
상기 공통 전극(CE)은 공통 전압이 인가될 수 있다. 상기 공통 전극은 상기 제1 기판(100) 상의 상기 화소 전극(PE)과 함께 상기 액정층(300) 내에 전계를 형성할 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)은 상기 공통 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 신호 배선 및 상기 신호 배선과 중첩하여 광을 차단할 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 상기 데이터 라인(DL)과 중첩하여 광을 차단할 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에 배치될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치되는 영역에 대응하여 배치될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제1 방향(D1)으로 연장된 게이트 라인(GL)과 중첩하여 광을 차단할 수 있다. 예를 들어, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 화소의 비표시 영역(non-display area)에 형성된다.
예를 들어, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 카본 블랙(carbon black) 등의 안료가 첨가된 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다.
상기 액정층(300)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 배치된다.
상기 액정층(300)은 액정(liquid crystal) 분자들을 포함할 수 있다. 상기 액정층(300)은 상기 화소 전극(PE) 및 상기 공통 전극(CE) 사이에 인가되는 전계(electric field)에 의하여 상기 액정 분자들의 배열을 조절하여 상기 화소의 광 투과율을 조절할 수 있다.
상기 표시 패널은 상기 액정층(300)의 상기 액정 분자들을 배향하기 위한 배향막을 포함할 수 있다.
상기 배향막은 상기 액정층(300)의 상기 액정 분자들을 프리 틸트(pre-tilt)시키기 위한 것이다.
상기 배향막은 상기 액정층(300) 내의 반응성 메조겐이 경화하여 형성된 메조겐(M)일 수 있으며, 상기 메조겐(M)은 상기 액정층(300) 내의 상기 액정 분자들을 배향할 수 있다.
도 1 내지 도 4c를 참조하면, 복수의 홈들이 형성된 스테이지(ST)가 제공된다. 상기 스테이지(ST) 상에 형성된 상기 홈들은 상기 스테이지(ST) 상에서 서로 대칭되도록 형성된다. 예를 들어, 상기 홈들은 상기 스테이지(ST) 상에 서로 좌우가 대칭되도록 형성될 수 있다.
상기 홈들은 각각 복수의 표시 패널들을 형성하기 위한 것으로서, 하나의 홈은 하나의 표시 패널에 대응된다. 따라서, 추후, 상기 홈들 상에 형성된 복수의 표시 패널은 커팅 공정을 통하여 분리될 수 있다.
상기 홈들이 형성된 상기 스테이지(ST) 상에 상기 제1 기판(100), 상기 제2 기판(200) 및 상기 액정층(300)이 형성된다.
상기 제2 기판(200)은 상기 제1 기판(100)에 대향하도록 배치된다. 예를 들어, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)은 투명한 절연기판이다. 예를 들어, 유리기판 또는 투명한 플라스틱 기판일 수 있다.
상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)은 상기 스테이지(ST) 상부면을 따라 배치된다. 즉, 예를 들어, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)은 상기 스테이지(ST) 상의 상기 홈들이 형성된 위치에서 이에 따라 휘어져 형성될 수 있다.
상기 액정층(300)은 액정 분자들 및 반응성 메조건(RM)을 포함한다. 상기 반응성 메조겐(RM)은 상기 액정 분자들의 전체 중량에 대하여 0.01 내지 1.0 중량%로 포함될 수 있다.
상기 반응성 메조겐(RM)을 포함하는 상기 액정층(300)에 전계(electric field)가 형성될 수 있다. 상기 제1 기판(100)에 형성된 화소 전극 및 상기 제2 기판(200)에 형성된 공통 전극에 전압을 인가하여 상기 전계를 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 전압은 10V 내지 30V 일 수 있다.
따라서, 상기 전압이 인가되어 상기 액정층(300)에 포함된 상기 액정 분자들은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)에 대하여 일정한 선경사를 이룰 수 있다. 상기 선경사들은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)에 대하여 약 85° 내지 약 89° 일 수 있다.
상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)에 조사되는 광은 자외선이며, 예를 들어, 상기 자외선은 10J/cm2 이상의 세기로 조사될 수 있다.
상기 액정층(300)이 노광되면, 상기 액정층(300) 내의 인접하는 반응성 메조겐들(RM) 사이에서 서로 반응이 일어난다. 이에 따라, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 상에 각각 상기 반응성 메조겐(RM)이 반응하여 결합되며, 이에 따라 선경사를 가지는 메조겐(M)이 형성된다. 따라서, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)에 대하여 일정한 선경사를 이룰 수 있다.
도시하지는 않았으나, 상기 노광 공정 이후, 상기 액정층 내에 남아있는 잔존 반응성 메조겐(RM)을 제거하기 위하여, 반복적으로 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)을 노광할 수 있다. 다만, 이 경우, 상기 노광 공정과 달리 상기 액정층(300) 내에 전계를 형성하지 않을 수 있다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 통상의 기술자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널 및 이의 제조 방법는 다양한 형태의 표시 장치 등에 적용될 수 있다.
ST: 스테이지 GL, DL: 게이트 라인, 데이터 라인
DA: 표시 영역 PA: 주변 영역
100: 제1 기판 200: 제2 기판
300: 액정층 RM: 반응성 메조겐
M: 메조겐 S: 실링 부재

Claims (20)

  1. 홈이 형성된 스테이지 상에, 제1 기판, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되며 반응성 메조겐을 포함하는 액정층을 형성하는 단계; 및
    상기 액정층을 노광하여 상기 반응성 메조겐을 경화시켜 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 배향막의 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 배향막은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 배향막의 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 기판 상에 형성된 상기 배향막 및 상기 제2 기판 상에 형성된 상기 배향막은 서로 대칭되는 것을 특징으로 하는 배향막의 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반응성 메조겐은 광반응 작용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 배향막의 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 배향막의 선 경사각은 1° 내지 10°인 것을 특징으로 하는 배향막의 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 액정층은 자외선으로 노광되는 것을 특징으로 하는 배향막의 형성 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 자외선은 10J/cm2 이상의 세기로 상기 액정층에 조사되는 것을 특징으로 하는 배향막의 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 액정층 내에 전계(electric field)가 형성된 상태에서 노광하는 것을 특징으로 하는 배향막의 형성 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 홈은 좌우가 대칭되도록 상기 스테이지 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 배향막의 형성 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 상기 스테이지의 상부 면을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 배향막의 형성 방법.
  11. 홈이 형성된 스테이지 상에, 제1 기판, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되며 반응성 메조겐을 포함하는 액정층을 포함하는 표시 패널을 배치하는 단계;
    상기 표시 패널을 노광하여 상기 반응성 메조겐을 경화시켜 배향막을 형성하는 단계; 및
    상기 표시 패널을 구부리는 단계를 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 배향막은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 기판 상에 형성된 상기 배향막 및 상기 제2 기판 상에 형성된 상기 배향막은 서로 대칭되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 반응성 메조겐은 광반응 작용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 배향막의 선 경사각은 1° 내지 10°인 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 액정층은 자외선으로 노광되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 자외선은 10J/cm2 이상의 세기로 상기 액정층에 조사되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 액정층 내에 전계(electric field)가 형성된 상태에서 노광하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 표시 패널은 수직 배향 모드로 동작하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  20. 제11항에 있어서, 상기 홈은 좌우가 대칭되도록 상기 스테이지 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
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Comment text: Patent Application

Patent event date: 20141219

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PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid