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KR20160071091A - Film Touch Sensor and Method for Fabricating the Same - Google Patents

Film Touch Sensor and Method for Fabricating the Same Download PDF

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KR20160071091A
KR20160071091A KR1020140178377A KR20140178377A KR20160071091A KR 20160071091 A KR20160071091 A KR 20160071091A KR 1020140178377 A KR1020140178377 A KR 1020140178377A KR 20140178377 A KR20140178377 A KR 20140178377A KR 20160071091 A KR20160071091 A KR 20160071091A
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South Korea
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layer
touch sensor
polymer
film
film touch
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유병묵
윤억근
최용석
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 분리층; 상기 분리층 상에 위치한 제1 보호층; 및 상기 제1 보호층 상의 센싱 영역에 형성된 센싱 전극 및 패드 영역에 형성된 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층;을 포함하며, 상기 제1 보호층 상의 패드 영역에서 패드 전극 이외의 영역은 제1 보호층 소재로 채워짐으로써, 기재 필름의 열 손상 등을 방지하고, 용이하게 패턴층의 형성이 가능하며, 분리층의 에천트 등에 노출에 의한 손상을 막을 수 있는 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a film touch sensor and a method of manufacturing the same, and more particularly, A first protective layer located on the isolation layer; And a pad electrode formed on a sensing region formed on a sensing region on the first passivation layer and a pad region, wherein a region other than the pad electrode in the pad region on the first passivation layer is a first passivation layer, The present invention relates to a film touch sensor capable of preventing thermal damage or the like of a base film by being filled with a material and capable of easily forming a pattern layer and preventing damage to an isolation layer caused by exposure to an etchant or the like and a manufacturing method thereof.

Description

필름 터치 센서 및 이의 제조 방법{Film Touch Sensor and Method for Fabricating the Same}Technical Field [0001] The present invention relates to a film touch sensor and a fabrication method thereof,

본 발명은 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a film touch sensor and a method of manufacturing the same.

터치입력방식이 차세대 입력방식으로 각광받으면서 좀더 다양한 전자기기에 터치입력방식을 도입하려는 시도들이 이루어지고 있으며, 따라서 다양한 환경에 적용할 수 있고 정확한 터치인식이 가능한 터치센서에 대한 연구개발도 활발히 이루어지고 있다.There have been attempts to introduce a touch input method into a wider variety of electronic devices while the touch input method is being watched as a next generation input method. Accordingly, research and development on a touch sensor capable of being applied to various environments and capable of accurate touch recognition are actively performed have.

예를 들어, 터치 방식의 디스플레이를 갖는 전자기기의 경우 초경량, 저전력을 달성하고 휴대성이 향상된 초박막의 유연성 디스플레이가 차세대 디스플레이로 주목받으면서 이러한 디스플레이에 적용 가능한 터치센서의 개발이 요구되어 왔다.For example, in the case of an electronic device having a touch-type display, an ultra-thin flexible display which achieves light weight, low power and improved portability has been attracting attention as a next generation display, and development of a touch sensor applicable to such a display has been required.

유연성 디스플레이란 특성의 손실 없이 휘거나 구부리거나 말 수 있는 유연한 기판상에 제작된 디스플레이를 의미하며, 유연성 LCD, 유연성 OLED, 및 전자종이와 같은 형태로 기술개발이 진행중에 있다.Flexible display means a display made on a flexible substrate that can bend, bend or twist without loss of properties, and technology development is underway in the form of flexible LCDs, flexible OLEDs, and electronic paper.

이러한 유연성 디스플레이에 터치입력방식을 적용하기 위해서는 휘어짐 및 복원력이 우수하고 유연성 및 신축성이 뛰어난 터치센서가 요구된다.In order to apply the touch input method to such a flexible display, a touch sensor having excellent flexing and restoring force and excellent flexibility and stretchability is required.

이와 같은 유연성 디스플레이 제조를 위한 필름 터치 센서에 관하여 투명 수지 기재 중에 매설된 배선을 포함하는 배선 기판이 제시되고 있다.As for the film touch sensor for manufacturing such a flexible display, a wiring board including wiring buried in a transparent resin base is proposed.

기판상에 금속배선을 형성하는 배선형성공정과, 상기 금속배선을 덮도록 투명 수지 용액을 도포 건조하여 투명 수지 기재를 형성하는 적층 공정 및 상기 기판으로부터 투명 수지 기재를 박리시키는 박리공정을 포함하는 것이다.A wiring forming step of forming a metal wiring on the substrate; a lamination step of forming a transparent resin base material by applying and drying a transparent resin solution so as to cover the metal wiring; and a peeling step of peeling the transparent resin base material from the substrate .

이와 같은 제조 방법에서는 박리공정을 원활하게 수행하기 위하여, 실리콘 수지나 불소수지와 같은 유기 박리재, 다이아몬드 라이크 카본(Diamond Like Carbon, DLC) 박막, 산화 지르코늄 박막 등의 무기 박리재를 기판의 표면에 미리 형성시키는 방법을 사용한다.In order to smoothly carry out the peeling process, an organic peeling material such as silicone resin or fluororesin, a diamond like carbon (DLC) thin film, a zirconium oxide thin film, or other inorganic peeling material is applied to the surface of the substrate A method of forming in advance is used.

그러나 무기 박리재를 이용하는 경우, 기판으로부터 기재 및 금속 배선을 박리시킬 때, 배선 및 기재의 박리가 원활하게 진행되지 않아 기판 표면에 금속 배선 및 기재의 일부가 잔류하는 문제가 있으며, 박리재로 사용된 유기 물질이 배선 및 기재의 표면에 묻어나오는 문제가 있다.However, when an inorganic stripping material is used, there is a problem that the metal wiring and the substrate remain on the surface of the substrate because the separation of the wiring and the substrate does not proceed smoothly when the substrate and the metal wiring are separated from the substrate. There is a problem in that the organic material is buried on the surface of the wiring and the substrate.

즉, 박리재를 이용하더라도 배선기판의 금속배선을 기판으로부터 완벽하게 박리시킬 수 없는 문제가 있다.That is, there is a problem that the metal wiring of the wiring substrate can not be completely peeled off from the substrate even when the peeling material is used.

이러한 문제를 해결하기 위하여 대한민국 등록특허 제10-1191865호에서 제시되고 있는 방법은, 금속배선이 매립된 형태의 유연기판을 제조하는 단계에서 빛이나 용매에 의해 제거될 수 있는 희생층, 금속배선 및 고분자 물질(유연기판)을 기판상에 형성시킨 후, 빛이나 용매를 이용하여 희생층을 제거함으로써 금속배선 및 고분자 물질(유연기판)을 기판으로부터 박리시킨다.In order to solve such a problem, Korean Patent No. 10-1191865 discloses a method for manufacturing a flexible substrate in the form of a buried metal wiring, a sacrificial layer which can be removed by light or a solvent, After the polymer material (flexible substrate) is formed on the substrate, the sacrificial layer is removed by using light or a solvent to separate the metal wiring and the polymer material (flexible substrate) from the substrate.

하지만, 이와 같은 방법은 대형 사이즈에서의 희생층 제거 공정이 어렵고, 고온공정이 불가능하여 다양한 필름기재를 사용할 수 없는 문제가 있다.
However, such a method has a problem that it is difficult to remove the sacrificial layer in a large size, and a high temperature process can not be performed, so that various film substrates can not be used.

한국등록특허 제1191865호Korean Patent No. 1191865

본 발명은 캐리어 기판 상에서 공정이 진행되어, 패턴층 등의 형성이 용이한 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a film touch sensor in which a pattern layer and the like are easily formed on a carrier substrate, and a manufacturing method thereof.

본 발명은 캐리어 기판으로부터의 박리가 용이한 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
An object of the present invention is to provide a film touch sensor which is easy to peel off from a carrier substrate and a method of manufacturing the same.

1. 분리층;1. separation layer;

상기 분리층 상에 위치한 제1 보호층; 및A first protective layer located on the isolation layer; And

상기 제1 보호층 상의 센싱 영역에 형성된 센싱 전극 및 패드 영역에 형성된 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층;을 포함하며,And an electrode pattern layer including a sensing electrode formed on a sensing region on the first passivation layer and a pad electrode formed on the pad region,

상기 제1 보호층 상의 패드 영역에서 패드 전극 이외의 영역은 제1 보호층 소재로 채워진, 필름 터치 센서.Wherein a region other than the pad electrode in the pad region on the first passivation layer is filled with the first passivation layer material.

2. 위 1에 있어서, 상기 분리층은 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스타일렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 고분자로 제조된 것인, 필름 터치 센서.2. The separator of claim 1, wherein the separating layer is selected from the group consisting of a polyimide-based polymer, a poly vinyl alcohol-based polymer, a polyamic acid-based polymer, a polyamide-based polymer, Based polymer, a polystyrene-based polymer, a polynorbornene-based polymer, a phenylmaleimide copolymer-based polymer, a polyazobenzene-based polymer, a polyphenylenephthalamide-based polymer A polymer such as a polyester, a polymethyl methacrylate polymer, a polyarylate polymer, a cinnamate polymer, a coumarin polymer, a phthalimidine polymer, phthalimidine-based polymer, chalcone-based polymer, and aromatic acetylene-based polymer.

3. 위 1에 있어서, 상기 분리층은, 먼저 캐리어 기판 상에 형성되고 이로부터 분리된 것인, 필름 터치 센서.3. The film touch sensor of claim 1, wherein the separation layer is formed on and separated from the carrier substrate first.

4. 위 3에 있어서, 상기 분리층은 캐리어 기판에 대한 박리력이 1N/25mm 이하인, 필름 터치 센서.4. The film touch sensor according to 3 above, wherein the separation layer has a peeling force of not more than 1 N / 25 mm on the carrier substrate.

5. 위 3에 있어서, 상기 분리층은 캐리어 기판에 대한 박리력이 0.1N/25mm 이하인, 필름 터치 센서.5. The film touch sensor according to 3 above, wherein the separating layer has a peeling force of 0.1 N / 25 mm or less with respect to the carrier substrate.

6. 위 3에 있어서, 상기 캐리어 기판은 글라스 기판인, 필름 터치 센서.6. The film touch sensor according to 3 above, wherein the carrier substrate is a glass substrate.

7. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층은 분리층 측면의 적어도 일부를 덮는, 필름 터치 센서.7. The film touch sensor of 1 above, wherein said first protective layer covers at least a part of the side of the separation layer.

8. 위 1에 있어서, 상기 패드 전극은 분리층 및 제1 보호층과의 표면 에너지 차이가 20 mN/m 이하인, 필름 터치 센서.8. The film touch sensor of claim 1, wherein the pad electrode has a surface energy difference of 20 mN / m or less with respect to the separation layer and the first passivation layer.

9. 위 1에 있어서, 상기 전극 패턴층은 금속산화물류, 금속류, 금속 나노와이어, 탄소계 물질류 및 전도성 고분자 물질류로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 재료로 형성된 것인, 필름 터치 센서.9. The film touch sensor of 1 above, wherein the electrode pattern layer is formed of at least one material selected from the group consisting of metal oxide materials, metals, metal nanowires, carbon-based materials, and conductive high-molecular materials.

10. 위 1에 있어서, 상기 전극 패턴층이 형성된 제1 보호층 상에 위치한 제2 보호층을 더 포함하는, 필름 터치 센서.10. The film touch sensor of claim 1, further comprising a second protective layer located on the first protective layer on which the electrode pattern layer is formed.

11. 위 10에 있어서, 상기 제2 보호층은 접착층이고, 상기 제1 보호층과 제2 보호층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서.11. The film touch sensor of 10, wherein the second protective layer is an adhesive layer, and the first protective layer and the second protective layer have a difference in elastic modulus at 25 DEG C of 300 MPa or less.

12. 위 10에 있어서, 상기 제2 보호층 상에 부착된 기재 필름을 더 포함하는, 필름 터치 센서.12. The film touch sensor of claim 10, further comprising a substrate film deposited on the second protective layer.

13. 위 12에 있어서, 상기 기재 필름은 접착층을 통해 제2 보호층 상에 부착되고, 상기 제2 보호층과 접착층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서.13. The film touch sensor according to 12 above, wherein the base film is attached to the second protective layer through an adhesive layer, and the difference between the elastic modulus at 25 DEG C of the second protective layer and the adhesive layer is 300 MPa or less.

14. 위 12에 있어서, 상기 기재 필름은 편광판 또는 투명 필름인, 필름 터치 센서.14. The film touch sensor according to 12 above, wherein the base film is a polarizing plate or a transparent film.

15. 위 1에 있어서, 상기 패드 전극과 전기적으로 연결되는 회로기판을 더 포함하는, 필름 터치 센서.15. The film touch sensor of claim 1, further comprising a circuit board electrically connected to the pad electrode.

16. 위 1 내지 15 중 어느 한 항의 필름 터치 센서를 포함하는 터치 스크린 패널.16. A touch screen panel comprising a film touch sensor according to any one of claims 1 to 15.

17. 위 16의 터치 스크린 패널을 포함하는 화상 표시 장치.17. An image display device comprising the above sixteen touch screen panels.

18. 캐리어 기판 상에 분리층을 형성하는 단계;18. A method comprising: forming a separation layer on a carrier substrate;

상기 분리층 상에 제1 보호층을 형성하는 단계;Forming a first passivation layer on the isolation layer;

상기 제1 보호층 상의 패드 영역 중, 패드 전극이 형성될 부위만 선택적으로 에칭하는 단계; 및Selectively etching only a portion of the pad region on the first passivation layer where a pad electrode is to be formed; And

상기 제1 보호층 상의 센싱 영역에 센싱 전극을 형성하고, 상기 에칭된 부위에 패드 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.Forming a sensing electrode on the sensing region on the first passivation layer and forming a pad electrode on the etched region.

19. 위 18에 있어서, 상기 센싱 전극 및 패드 전극이 형성된 제1 보호층 상에 제2 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.19. The method of claim 18, further comprising forming a second passivation layer on the first passivation layer on which the sensing electrode and the pad electrode are formed.

20. 위 19에 있어서, 상기 제2 보호층은 접착층이고, 상기 제1 보호층과 제2 보호층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서의 제조 방법.20. The method of manufacturing a film touch sensor according to 19 above, wherein the second protective layer is an adhesive layer, and the first protective layer and the second protective layer have a difference in elastic modulus at 25 DEG C of 300 MPa or less.

21. 위 19에 있어서, 상기 제2 보호층 상에 기재 필름을 부착하는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.21. The method of manufacturing a film touch sensor according to 19 above, further comprising the step of attaching a base film on the second protective layer.

22. 위 21에 있어서, 상기 기재 필름을 접착층을 통해 제2 보호층 상에 부착하고, 상기 제2 보호층과 접착층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서.22. The film touch sensor according to 21 above, wherein the base film is attached to the second protective layer through an adhesive layer, and the difference in elastic modulus at 25 캜 between the second protective layer and the adhesive layer is 300 MPa or less.

23. 위 18에 있어서, 상기 분리층을 캐리어 기판으로부터 박리하는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.23. The method of claim 18, further comprising peeling the separation layer away from the carrier substrate.

24. 위 18에 있어서, 상기 분리층은 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스타일렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 고분자로 형성되는, 필름 터치 센서의 제조 방법.24. The separator of claim 18, wherein the separating layer is selected from the group consisting of a polyimide-based polymer, a poly vinyl alcohol-based polymer, a polyamic acid-based polymer, a polyamide-based polymer, Based polymer, a polystyrene-based polymer, a polynorbornene-based polymer, a phenylmaleimide copolymer-based polymer, a polyazobenzene-based polymer, a polyphenylenephthalamide-based polymer, A polymer such as a polyester, a polymethyl methacrylate polymer, a polyarylate polymer, a cinnamate polymer, a coumarin polymer, a phthalimidine polymer, phthalimidine-based polymer, chalcone-based polymer, and aromatic acetylene-based polymer. Gt;

25. 위 18에 있어서, 상기 분리층은 캐리어 기판에 대한 박리력이 1N/25mm 이하인, 필름 터치 센서의 제조 방법.25. The method of manufacturing a film touch sensor according to 18 above, wherein the separation layer has a peeling force of not more than 1 N / 25 mm on the carrier substrate.

26. 위 18에 있어서, 상기 캐리어 기판은 글라스 기판인, 필름 터치 센서의 제조 방법.26. The method of manufacturing a film touch sensor according to 18 above, wherein the carrier substrate is a glass substrate.

27. 위 18에 있어서, 상기 제1 보호층을 분리층 측면의 적어도 일부를 덮도록 형성하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.27. The method of claim 18, wherein the first passivation layer is formed to cover at least a portion of a side surface of the isolation layer.

28. 위 23에 있어서, 상기 박리 이후에 상기 분리층의 패드 영역 상에 회로기판을 부착하고, 상기 회로기판을 상기 패드 전극과 전기적으로 연결시키는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.28. The method of claim 23, further comprising attaching a circuit board on the pad region of the separation layer after said peeling, and electrically connecting said circuit board to said pad electrode.

29. 위 28에 있어서, 분리층 상의 패드 영역에 도전볼을 갖는 이방도전성 필름을 위치시킨 다음 가열 및 가압하여, 상기 도전볼이 분리층을 관통하여 패드 전극과 접속되도록 하고, 상기 회로기판을 이방도전성 필름과 접속시키는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
29. A method of manufacturing a circuit board as described in 28 above, wherein an anisotropic conductive film having a conductive ball is placed in a pad region on a separation layer, followed by heating and pressing to connect the conductive ball to the pad electrode through the separation layer, And the conductive film is connected to the conductive film.

본 발명은 캐리어 기판 상에서 필름 터치 센서를 구현하기 위한 패턴층 형성 등의 공정을 진행하고 이후에 기재 필름을 부착하므로, 기재 필름의 열 손상 등을 방지할 수 있다.In the present invention, a process such as formation of a pattern layer for realizing a film touch sensor is performed on a carrier substrate, and then a base film is attached, so that heat damage or the like of the base film can be prevented.

본 발명은 캐리어 기판이 충분한 지지 역할을 수행하여, 용이하게 패턴층을 형성할 수 있다.The present invention can sufficiently form a pattern layer by performing a sufficient supporting function of the carrier substrate.

본 발명은 캐리어 기판으로부터의 박리시에 분리층도 캐리어 기판으로부터 함께 박리하므로 전극 패턴층을 보호할 수 있고, 이후에 회로기판의 전기적 접속이 용이하다.The present invention can protect the electrode pattern layer by separating the separation layer from the carrier substrate at the time of peeling from the carrier substrate, and the electrical connection of the circuit board thereafter is easy.

뿐만 아니라, 상기 제1 보호층 상의 패드 영역에서 패드 전극 이외의 영역은 제1 보호층 소재로 채워짐으로써, 분리층의 에천트 등에 노출에 의한 손상을 막을 수 있다.
In addition, since the region other than the pad electrode in the pad region on the first passivation layer is filled with the material of the first passivation layer, damage to the separating layer due to exposure to the etchant or the like can be prevented.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따라 형성된 패드 전극(a) 및 그렇지 않은 경우의 패드 전극(b)의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 단면도이다.
도 6 내지 도 14는 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 제조 방법의 개략적인 공정도이다.
1 is a cross-sectional view of a film touch sensor according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of the pad electrode (a) formed according to the present invention and the pad electrode (b) not otherwise formed.
3 is a cross-sectional view of a film touch sensor according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a film touch sensor according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a film touch sensor according to an embodiment of the present invention.
6 to 14 are schematic process drawings of a method of manufacturing a film touch sensor according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 분리층; 상기 분리층 상에 위치한 제1 보호층; 및 상기 제1 보호층 상의 센싱 영역에 형성된 센싱 전극 및 패드 영역에 형성된 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층;을 포함하며, 상기 제1 보호층 상의 패드 영역에서 패드 전극 이외의 영역은 제1 보호층 소재로 채워짐으로써, 기재 필름의 열 손상 등을 방지하고, 용이하게 패턴층의 형성이 가능하며, 분리층의 에천트 등에 노출에 의한 손상을 막을 수 있는 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a semiconductor device, A first protective layer located on the isolation layer; And a pad electrode formed on a sensing region formed on a sensing region on the first passivation layer and a pad region, wherein a region other than the pad electrode in the pad region on the first passivation layer is a first passivation layer, The present invention relates to a film touch sensor capable of preventing thermal damage or the like of a base film and facilitating formation of a pattern layer and preventing damage of the separation layer due to exposure to an etchant and the like.

본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서는 분리층, 제1 보호층 및 전극 패턴층을 포함한다.A film touch sensor according to an embodiment of the present invention includes a separation layer, a first protective layer, and an electrode pattern layer.

도 1 내지 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 단면도, 패드 전극의 평면도이고, 도 6 내지 14는 필름 터치 센서 제조 공정이 도시되어 있는데, 이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.FIGS. 1 to 5 are cross-sectional views of a film touch sensor and a pad electrode according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 6 to 14 illustrate a film touch sensor manufacturing process. do.

분리층(20)은 캐리어 기판(10)과의 분리를 위해 형성되는 층이며, 전극 패턴층(40, 50)을 피복하여 전극 패턴층(40, 50)을 보호하는 층이 된다.The separation layer 20 is a layer formed for separation from the carrier substrate 10 and covers the electrode pattern layers 40 and 50 to protect the electrode pattern layers 40 and 50.

분리층(20)은 고분자 유기막일 수 있으며, 예를 들면 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스타일렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자 등의 고분자로 제조된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The separation layer 20 may be a polymer organic film, and may be a polyimide-based polymer, a poly vinyl alcohol-based polymer, a polyamic acid-based polymer, a polyamide-based polymer , A polymer based on polyethylene, a polymer based on polystyrene, a polymer based on polynorbornene, a polymer based on phenylmaleimide copolymer, a polymer based on polyazobenzene, a polymer based on polyphenylene phthalamide based polymer, a polyphenylenephthalamide-based polymer, a polyester-based polymer, a polymethyl methacrylate-based polymer, a polyarylate-based polymer, a cinnamate-based polymer, a coumarin- A phthalimidine-based polymer, a chalcone-based polymer, and an aromatic acetylene-based polymer may be used. It is not limited. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 분리층(20)은 캐리어 기판(10)으로부터 용이하게 박리되며, 박리시에 후술할 제1 보호층(30)으로부터는 박리되지 않도록, 상기 소재 중 캐리어 기판(10)에 대한 박리력이 1N/25mm 이하인 소재, 보다 바람직하게는 캐리어 기판(10)에 대한 박리력이 0.1N/25mm 이하인 소재로 제조되는 것이 바람직하다.The separating layer 20 is easily peeled off from the carrier substrate 10 and is peeled off from the first protective layer 30 to be described later when peeling off, / 25 mm or less, more preferably a material having a peeling force of 0.1 N / 25 mm or less with respect to the carrier substrate 10.

캐리어 기판(10)으로는 공정 중에 쉽게 휘거나 뒤틀리지 않고 고정될 수 있도록 적정 강도를 제공하며 열이나 화학 처리에 영향이 거의 없는 재료라면 특별한 제한이 없이 사용될 수 있다. 예를 들면 글라스, 석영, 실리콘 웨이퍼, 서스 등이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 글라스가 사용될 수 있다.The carrier substrate 10 may be used without any particular limitation if it is a material that provides adequate strength to be fixed without being bent or twisted during the process, and has little influence on heat or chemical treatment. For example, glass, quartz, silicon wafer, cloth or the like can be used, and preferably, glass can be used.

제1 보호층(30)은 상기 분리층(20) 상에 위치한다.The first protective layer 30 is located on the separation layer 20.

제1 보호층(30)은 상기 분리층(20)과 마찬가지로 후술할 전극 패턴층(40, 50)을 피복하여 전극 패턴층(40, 50)을 보호하며, 본 발명의 필름 터치 센서의 제조 공정 중에 분리층(20)이 전극 패턴층(40, 50) 형성을 위한 에천트에 노출되지 않도록 하는 역할을 한다.The first protective layer 30 protects the electrode pattern layers 40 and 50 by covering the electrode pattern layers 40 and 50 to be described later in the same manner as the separation layer 20, The separating layer 20 is not exposed to the etchant for forming the electrode pattern layers 40 and 50. [

제1 보호층(30)으로는 당분야에 공지된 고분자가 제한없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 유기 절연막으로 제조된 것일 수 있다.As the first protective layer 30, a polymer known in the art may be used without limitation, for example, it may be made of an organic insulating film.

제1 보호층(30)은 후술할 패턴들의 패터닝 등의 공정 중에 분리층(20)의 측면이 에천트 등에 노출되는 것을 최소화 할 수 있도록 분리층(20) 측면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 분리층(20) 측면의 노출을 완전히 차단한다는 측면에서 바람직하게는 제1 보호층(30)은 분리층(20) 측면 전부를 덮을 수 있다.The first passivation layer 30 may cover at least a part of the side surface of the isolation layer 20 so that the side surface of the isolation layer 20 may be minimized from being exposed to the etchant during the patterning process of patterns to be described later. The first protective layer 30 preferably covers all the side surfaces of the separation layer 20 in terms of completely blocking the exposure of the side surface of the separation layer 20. [

제1 보호층(30) 상에 전극 패턴층(40, 50)이 위치한다.The electrode pattern layers (40, 50) are located on the first protective layer (30).

전극 패턴층(40, 50)은 센싱 전극(50) 및 패드 전극(40)을 포함한다.The electrode pattern layers 40 and 50 include a sensing electrode 50 and a pad electrode 40.

센싱 전극(50)은 제1 보호층 상의 센싱 영역에, 패드 전극(40)은 제1 보호층 상의 패드 영역에 위치할 수 있다. 다만, 센싱 전극(50)과 패드 전극(40)은 전기적으로 연결되어야 하므로, 센싱 전극(50)의 적어도 일부가 패드 영역에 위치할 수도 있고, 패드 전극(40)의 적어도 일부가 센싱 영역에 위치할 수도 있다.The sensing electrode 50 may be located in a sensing region on the first passivation layer and the pad electrode 40 may be located in a pad region on the first passivation layer. At least a part of the sensing electrode 50 may be located in the pad region and at least a portion of the sensing electrode 50 may be located in the sensing region. You may.

센싱 영역은 필름 터치 센서에서 터치가 수행되는 표시부에 대응되는 영역을 의미하고, 패드 영역은 패드부에 대응되는 영역을 의미한다. 즉, 제1 보호층 상의 센싱 영역은 제1 보호층 상에서 표시부에 대응되는 영역을 의미하고, 패드 영역은 제1 보호층 상에서 패드부에 대응되는 영역을 의미한다.The sensing region means an area corresponding to a display portion to be touched by the film touch sensor, and the pad region means an area corresponding to the pad portion. That is, the sensing region on the first protection layer means a region corresponding to the display portion on the first protection layer, and the pad region means the region corresponding to the pad portion on the first protection layer.

전극 패턴층(40, 50)으로는 전도성 물질이라면 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 예를 들면 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군에서 선택된 금속산화물류; 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀 (graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류; 및 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 및 폴리아닐린(PANI)으로 이루어진 군에서 선택된 전도성 고분자 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the electrode pattern layers 40 and 50, any conductive material may be used without limitation, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (ITO-Ag-ITO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium tin oxide Metal oxide oxides selected from the group consisting of indium zinc tin oxide-silver-indium zinc tin oxide (IZTO-Ag-IZTO) and aluminum zinc oxide-silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO); Metals selected from the group consisting of gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), molybdenum (Mo) and APC; Nanowires of metals selected from the group consisting of gold, silver, copper and lead; Carbon-based materials selected from the group consisting of carbon nanotubes (CNT) and graphene; And a conductive polymer material selected from the group consisting of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polyaniline (PANI). These may be used alone or in combination of two or more.

전극 패턴층(40, 50)의 단위 패턴들은 서로 독립적으로 예컨대 3각형, 4각형, 5각형, 6각형 또는 7각형 이상의 다각형 패턴일 수 있다.The unit patterns of the electrode pattern layers 40 and 50 may be polygonal patterns independent of each other, for example, triangular, tetragonal, pentagonal, hexagonal, or hexagonal.

또한, 전극 패턴층(40, 50)은 규칙 패턴을 포함할 수 있다. 규칙 패턴이란, 패턴의 형태가 규칙성을 갖는 것을 의미한다. 예컨대, 단위 패턴들은 서로 독립적으로 직사각형 또는 정사각형과 같은 메쉬 형태나, 육각형과 같은 형태의 패턴을 포함할 수 있다.In addition, the electrode pattern layers 40 and 50 may include a regular pattern. A rule pattern means that the pattern form has regularity. For example, the unit patterns may include, independently of each other, a mesh shape such as a rectangle or a square, or a pattern such as a hexagon.

또한, 전극 패턴층(40, 50)은 불규칙 패턴을 포함할 수 있다. 불규칙 패턴이란 패턴의 형태가 규칙성을 갖지 아니한 것을 의미한다.In addition, the electrode pattern layers 40 and 50 may include an irregular pattern. The irregular pattern means that the shape of the pattern does not have regularity.

전극 패턴층(40, 50)이 금속 나노와이어, 탄소계 물질류, 고분자 물질류 등의 재료로 형성된 경우, 전극 패턴층(40, 50)은 망상 구조를 가질 수 있다.When the electrode pattern layers 40 and 50 are formed of a material such as a metal nanowire, a carbon-based material, or a polymer material, the electrode pattern layers 40 and 50 may have a network structure.

망상 구조를 갖는 경우, 서로 접촉하여 인접하는 패턴들에 순차적으로 신호가 전달되므로, 높은 감도를 갖는 패턴을 실현할 수 있다.In the case of having a network structure, since signals are sequentially transmitted to adjacent patterns in contact with each other, a pattern having high sensitivity can be realized.

패드 전극(40)은 후술할 회로기판(80)과 전기적으로 연결될 수 있다.The pad electrode 40 may be electrically connected to the circuit board 80 to be described later.

도 2는 패드 전극(40)을 형성한 직후의 평면도인데(붉은색 직사각형은 패드 영역을 의미), 도 2 (a)에 예시된 바와 같이 상기 제1 보호층(30) 상의 패드 영역에서 패드 전극(40) 이외의 영역은 제1 보호층(30) 소재로 채워진다.2 (a), in the pad region on the first passivation layer 30, the pad electrode 40 is formed in a plan view immediately after the pad electrode 40 is formed (the red rectangle means the pad region) (40) is filled with the material of the first protective layer (30).

이와 같은 패드 전극(40)은 제1 보호층(30) 상의 패드 영역에서 패드 전극(40)이 형성될 부위만 선택적으로 패터닝하여 형성된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The pad electrode 40 may be formed by selectively patterning only a portion where the pad electrode 40 is to be formed in the pad region on the first passivation layer 30, but the present invention is not limited thereto.

도 2 (a)와 같이 제1 보호층(30) 상의 패드 영역에서 패드 전극(40) 이외의 영역은 제1 보호층(30) 소재로 채워진 경우, 분리층(20)의 패드 영역이 노출되지 않으므로 전극 패턴층(40, 50)의 형성시에 분리층(20)의 패드 영역이 에천트 등에 노출되지 않는다. 이에 따라 에천트 등에 의한 화학적 충격으로 인하여 크랙, 박리, 열화 등의 문제가 발생하지 않은, 우수한 분리층(20)을 얻을 수 있다.2 (a), when the pad region on the first passivation layer 30 is filled with the material of the first passivation layer 30, the pad region of the separation layer 20 is not exposed The pad region of the separation layer 20 is not exposed to the etchant or the like when the electrode pattern layers 40 and 50 are formed. As a result, it is possible to obtain an excellent separation layer 20 free from problems such as cracking, peeling and deterioration due to a chemical impact caused by an etchant or the like.

그러나 도 2 (b)와 같이 패드 영역 전체를 에칭하여 패드 전극(40)을 형성하는 경우는, 이후 전극 패턴층(40, 50)의 형성시 분리층(20)의 패드 영역이 에천트에 노출된다.However, when the pad electrode 40 is formed by etching the entire pad region as shown in FIG. 2B, the pad region of the separation layer 20 is exposed to the etchant when the electrode pattern layers 40 and 50 are formed. do.

분리층(20)의 패드 영역의 에천트에 대한 노출을 최소화한다는 측면에서 바람직하게는, 패드 전극(40)은 분리층(20) 및 제1 보호층(30)과의 표면 에너지 차이가 각각 20 mN/m 이하일 수 있다.The pad electrode 40 preferably has a surface energy difference between the isolation layer 20 and the first passivation layer 30 of 20 mN / m or less.

도 2(a) 및 도 10에 예시된 바와 같이, 패드 전극(40)은 분리층(20) 및 제1 보호층(30)과 인접하게 되는데, 패드 전극(40)의 분리층(20)및 제1 보호층(30)과의 표면 에너지 차이가 20 mN/m 이하(ASTM D7490에 따라 측정)인 경우 패드 전극(40)의 분리층(20) 및 제1 보호층(30)에 대한 밀착력이 우수하여, 빈틈으로 에천트가 흘러 들어가는 것을 억제할 수 있다.The pad electrode 40 is adjacent to the isolation layer 20 and the first passivation layer 30 as illustrated in Figures 2A and 10 except that the isolation layer 20 of the pad electrode 40, The adhesion of the pad electrode 40 to the separation layer 20 and the first passivation layer 30 is less than 20 mN / m (measured according to ASTM D7490) when the difference in surface energy with the first passivation layer 30 is less than 20 mN / So that it is possible to suppress the flow of the etchant into the gap.

도 3에 예시된 바와 같이, 본 발명의 필름 터치 센서는 상기 전극 패턴층(40, 50)이 형성된 제1 보호층 상에 위치한 제2 보호층(60)을 더 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 3, the film touch sensor of the present invention may further include a second passivation layer 60 disposed on the first passivation layer on which the electrode pattern layers 40 and 50 are formed.

제2 보호층(60)은 그 자체로서 기재의 역할, 그리고 패시베이션층의 역할을 할 수 있다. 뿐만 아니라, 전극 패턴층(40, 50)의 부식을 막고, 표면을 평탄화하여 기재 필름(70)과의 접착시 미세기포의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 접착층의 역할을 할 수 있다.The second passivation layer 60 itself can serve as a substrate and serve as a passivation layer. In addition, corrosion of the electrode pattern layers 40 and 50 is prevented, and the surface is planarized, whereby generation of minute bubbles can be suppressed when the electrode pattern layers 40 and 50 are bonded to the base film 70. It can also serve as an adhesive layer.

제2 보호층(60)이 기재 또는 패시베이션층의 역할을 하는 경우, 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리오르가노실록산(POS) 등의 실리콘계 고분자; 폴리이미드계 고분자; 폴리우레탄계 고분자 등으로 제조된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.When the second protective layer 60 serves as a substrate or a passivation layer, a silicone-based polymer such as polydimethylsiloxane (PDMS) or polyorganosiloxane (POS); Polyimide-based polymers; Polyurethane-based polymers, and the like, but the present invention is not limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more.

제2 보호층(60)이 접착층의 역할을 하는 경우, 당 분야에 공지된 열경화 또는 광경화성 점착제 또는 접착제를 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리에스테르계, 폴리에테르계, 우레탄계, 에폭시계, 실리콘계, 아크릴계 등의 열경화 또는 광경화성 점착제 또는 접착제를 사용할 수 있다.When the second protective layer 60 serves as an adhesive layer, a thermosetting or photo-curable pressure-sensitive adhesive or adhesive known in the art can be used without limitation. For example, thermosetting or photo-curable pressure-sensitive adhesives or adhesives such as polyester-based, polyether-based, urethane-based, epoxy-based, silicone-based or acrylic-

제2 보호층(60)이 접착층의 역할을 하는 경우, 본 발명의 필름 터치 센서에 있어서, 상기 제1 보호층(30)과 제2 보호층(60)은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인 것이 탄성율 차에 의한 크랙 발생 억제의 측면에서 바람직하다. 탄성율은 레오미터 또는 UTM장비 등으로 측정될 수 있다.When the second protective layer 60 serves as an adhesive layer, the first protective layer 30 and the second protective layer 60 of the film touch sensor of the present invention have a difference in elastic modulus at 25 ° C of 300 MPa or less This is preferable in terms of suppressing the occurrence of cracks due to the difference in elastic modulus. The modulus of elasticity can be measured with a rheometer or UTM equipment.

도 4에 예시된 바와 같이, 본 발명의 필름 터치 센서는 상기 제2 보호층(60) 상에 부착된 기재 필름(70)을 더 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 4, the film touch sensor of the present invention may further include a base film 70 adhered on the second protective layer 60.

제2 보호층(60)이 접착층인 경우 기재 필름(70)은 제2 보호층(60) 상에, 그렇지 않은 경우, 도 5에 예시된 바와 같이 제2 보호층(60) 상의 접착층을 통해 부착될 수 있다.When the second protective layer 60 is an adhesive layer, the base film 70 is adhered on the second protective layer 60, otherwise, as shown in Fig. 5, through the adhesive layer on the second protective layer 60 .

그러한 경우, 제2 보호충(60)과 접착층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인 것이 탄성율 차에 의한 크랙 발생 억제의 측면에서 바람직하다In such a case, it is preferable that the difference in elastic modulus at 25 캜 between the second protective layer 60 and the adhesive layer is 300 MPa or less in terms of suppressing the generation of cracks due to the difference in modulus of elasticity

기재 필름(70)으로는 당 분야에 널리 사용되는 소재로 제조된 투명 필름이 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 예를 들면, 셀룰로오스 에스테르(예: 셀룰로오스 트리아세테이트, 셀룰로오스 프로피오네이트, 셀룰로오스 부티레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 및 니트로셀룰로오스), 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스테르(예: 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리-1,4-시클로헥산디메틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌 1,2-디페녹시에탄-4,4´-디카르복실레이트 및 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리스티렌(예: 신디오택틱(syndiotactic) 폴리스티렌), 폴리올레핀(예: 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 및 폴리메틸펜텐), 폴리술폰, 폴리에테르 술폰, 폴리아릴레이트, 폴리에테르-이미드, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에테르 케톤, 폴리비닐알코올 및 폴리염화비닐로 이루어진 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물로 제조된 필름일 수 있다.As the base film 70, a transparent film made of a material widely used in the art can be used without limitation, and examples thereof include cellulose esters (e.g., cellulose triacetate, cellulose propionate, cellulose butyrate, cellulose acetate Propionate, and nitrocellulose), polyimides, polycarbonates, polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, poly-1,4-cyclohexanedimethylene terephthalate, polyethylene 1,2-diphenoxyethane 4,4'-dicarboxylate and polybutylene terephthalate, polystyrenes such as syndiotactic polystyrenes, polyolefins such as polypropylene, polyethylene and polymethylpentene, polysulfone, polyethersulfone , Polyarylate, polyether-imide, polymethylmethacrylate, polyetherketone, Polyvinyl alcohol and polyvinyl chloride, or a film made of a mixture thereof.

또한, 투명 필름은 등방성 필름 또는 위상차 필름일 수 있다.Further, the transparent film may be an isotropic film or a retardation film.

등방성 필름일 경우 면내 위상차(Ro, Ro=[(nx-ny)ⅹd], nx, ny는 필름 평면 내의 주굴절률, nz는 필름 두께 방향의 굴절률, d는 필름 두께이다) 가 40nm 이하이고, 15nm 이하가 바람직하며, 두께방향 위상차(Rth, Rth=[(nx+ny)/2-nz]ⅹd) 가 -90nm 내지 +75nm이며, 바람직하게는 -80nm 내지 +60nm, 특히 -70nm 내지 +45nm가 바람직하다.Nx and ny are the main indices of refraction in the film plane, nz is the refractive index in the film thickness direction, d is the film thickness) is 40 nm or less, and 15 nm And the retardation in the thickness direction (Rth, Rth = [(nx + ny) / 2-nz] xd) is from -90 nm to +75 nm, preferably -80 nm to +60 nm, desirable.

위상차 필름은 고분자필름의 일축 연신, 이축 연신, 고분자코팅, 액정코팅의 방법으로 제조된 필름이며, 일반적으로 디스플레이의 시야각보상, 색감개선, 빛샘개선, 색미조절 등의 광학특성 향상 및 조절을 위하여 사용된다.The retardation film is a film produced by the uniaxial stretching, biaxial stretching, polymer coating and liquid crystal coating method of a polymer film, and is generally used for improving the viewing angle of the display, improving the color feeling, improving the light leakage, do.

또한, 기재 필름(70)으로 편광판을 사용할 수도 있다.A polarizing plate may also be used as the base film 70.

편광판은 폴리비닐알콜계 편광자의 일면 또는 양면에 편광자 보호필름이 부착된 것일 수 있다.The polarizing plate may be one having a polarizer protective film attached on one side or both sides of a polyvinyl alcohol polarizer.

또한, 기재 필름(70)으로 보호필름을 사용할 수도 있다.Further, a protective film may be used as the base film 70.

보호필름은 고분자 수지로 이루어진 필름의 적어도 일면에 점착층을 포함하는 필름이거나 폴리프로필렌 등의 자가점착성을 가진 필름일 수 있으며, 터치 센서 표면의 보호, 공정정 개선을 위하여 사용될 수 있다.The protective film may be a film including an adhesive layer on at least one side of a film made of a polymer resin, or a self-adhesive film such as polypropylene, and may be used for protecting the surface of the touch sensor and improving the process precision.

기재 필름(70)의 광투과율은 바람직하게는 85% 이상이며, 보다 바람직하게는 90% 이상일 수 있다. 또한, 상기 기재 필름(70)은 JIS K7136에 따라 측정되는 전체 헤이즈값이 10% 이하인 것이 바람직하고, 7% 이하인 것이 보다 바람직하다.The light transmittance of the base film 70 is preferably 85% or more, and more preferably 90% or more. The haze value of the base film 70 measured according to JIS K7136 is preferably 10% or less, and more preferably 7% or less.

상기 기재 필름(70)의 두께는 제한되지 않지만 바람직하게는 30 내지 150㎛이며, 보다 바람직하게는 70 내지 120 ㎛이다.The thickness of the base film 70 is not limited, but is preferably 30 to 150 占 퐉, and more preferably 70 to 120 占 퐉.

또한, 본 발명의 필름 터치 센서는 회로기판(80)를 더 포함할 수 있다.In addition, the film touch sensor of the present invention may further include a circuit board (80).

회로기판(80)은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)일 수 있다.The circuit board 80 may be a flexible printed circuit board (FPCB).

회로기판(80)은 패드 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.The circuit board 80 may be electrically connected to the pad electrode.

분리층(20) 측에 부착되는 경우를 구체적으로 설명하면, 회로기판(80)은 이방도전성 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)을 통하여 패드 전극(40)과 연결될 수 있다.The circuit board 80 may be connected to the pad electrode 40 through an anisotropic conductive film (ACF).

이방도전성 필름은 경화성 수지에 전도성 입자인 도전볼이 분산된 형태를 가질 수 있다.The anisotropic conductive film may have a form in which conductive balls, which are conductive particles, are dispersed in a curable resin.

도전볼은 니켈 또는 니켈, 금 합금일 수 있으며, 경화성 수지는 아크릴계 또는 에폭시계 수지일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The conductive ball may be nickel, nickel, or a gold alloy, and the curable resin may be an acrylic or epoxy resin, but is not limited thereto.

시판되는 도전볼로는 예를 들면, H&C High Tech사의 TGP 시리즈를 들 수 있다.Examples of commercially available conductive balls include the TGP series manufactured by H & C High Tech.

상기와 같은 본 발명의 필름 터치 센서는 캐리어 기판(10)으로부터 박리된 이후에 필름 터치 센서로서 사용될 수 있다.The film touch sensor of the present invention as described above can be used as a film touch sensor after being peeled off from the carrier substrate 10.

또한, 본 발명은 상기 필름 터치 센서를 포함하는 터치 스크린 패널, 그리고 이를 포함하는 화상 표시 장치를 제공한다.The present invention also provides a touch screen panel including the film touch sensor, and an image display device including the touch screen panel.

본 발명의 터치 스크린 패널은 통상의 액정 표시 장치뿐만 아니라, 전계 발광 표시 장치, 플라스마 표시 장치, 전계 방출 표시 장치 등 각종 화상 표시 장치에 적용이 가능하다. 그리고, 플렉서블 특성을 갖는 화상 표시 장치에 대하여 특히 유용하게 적용될 수 있다.
The touch screen panel of the present invention is applicable not only to a conventional liquid crystal display but also to various image display devices such as an electroluminescence display device, a plasma display device, and a field emission display device. It can be particularly usefully applied to an image display device having a flexible characteristic.

또한, 본 발명은 상기 필름 터치 센서의 제조 방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing the film touch sensor.

이하 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 제조 방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a film touch sensor according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

본 발명의 필름 터치 센서의 제조 방법의 일 구현예에 따르면, 먼저, 도 6와 같이, 캐리어 기판(10) 상에 분리층(20)을 형성한다.According to an embodiment of the method of manufacturing a film touch sensor of the present invention, a separation layer 20 is first formed on a carrier substrate 10 as shown in FIG.

캐리어 기판(10)으로는 공정 중에 쉽게 휘거나 뒤틀리지 않고 고정될 수 있도록 적정 강도를 제공하며 열이나 화학 처리에 영향이 거의 없는 재료라면 특별한 제한이 없이 사용될 수 있다. 예를 들면 글라스, 석영, 실리콘 웨이퍼, 서스 등이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 글라스가 사용될 수 있다.The carrier substrate 10 may be used without any particular limitation if it is a material that provides adequate strength to be fixed without being bent or twisted during the process, and has little influence on heat or chemical treatment. For example, glass, quartz, silicon wafer, cloth or the like can be used, and preferably, glass can be used.

분리층(20)은 전술한 고분자 소재로 형성될 수 있다.The separation layer 20 can be formed of the above-described polymer material.

후술할 금속 소재로 형성되는 패드 전극(40)의 경우 캐리어 기판(10)으로부터의 박리가 어려울 수 있는데, 분리층(20)의 경우 캐리어 기판(10)으로부터의 잘 박리되므로, 분리층(20)을 형성하는 경우 캐리어 기판(10)으로부터 박리시에 필름 터치 센서에 가해지는 충격이 적어 전극 패턴층(40, 50) 손상 등의 문제를 줄일 수 있다.It is difficult to separate the pad electrode 40 formed from the carrier substrate 10 from the carrier substrate 10 in the case of the separation layer 20 and therefore the separation layer 20 can be easily separated from the carrier substrate 10, It is possible to reduce problems such as damage to the electrode pattern layers 40 and 50 due to less impact applied to the film touch sensor at the time of peeling from the carrier substrate 10. [

상기 박리시 가해지는 물리적 손상을 최소화한다는 측면에서 바람직하게는 분리층(20)은 캐리어 기판(10)에 대한 박리력이 1N/25mm 이하, 바람직하게는 0.1N/25mm 이하일 수 있다.Preferably, the separating layer 20 may have a peeling force of 1 N / 25 mm or less, preferably 0.1 N / 25 mm or less, from the viewpoint of minimizing physical damage to the carrier substrate 10.

분리층(20)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 슬릿 코팅법, 나이프 코팅법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 딥 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법, 노즐 코팅법, 모세관 코팅법 등의 당 분야에 공지된 방법에 의할 수 있다.The method of forming the separation layer 20 is not particularly limited and may be a slit coating method, a knife coating method, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, A dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, a gravure printing method, a flexo printing method, an offset printing method, an ink jet coating method, a dispenser printing method, a nozzle coating method, Can be done.

전술한 방법에 의해 분리층(20)을 형성한 이후에, 추가적인 경화 공정을 더 거칠 수 있다.After the separation layer 20 is formed by the above-described method, an additional curing process may be further carried out.

분리층(20)의 경화 방법은 특별히 한정되지 않고 광경화 또는 열경화에 의하거나, 상기 2가지 방법을 모두 사용 가능하다. 광경화 및 열경화를 모두 수행시 그 순서는 특별히 한정되지 않는다.The curing method of the separating layer 20 is not particularly limited, and it is possible to use both of the above methods by photocuring or thermosetting. The order of the photo-curing and the thermal curing is not particularly limited.

경화 조건으로는 구체적인 예를 들면, 열경화의 경우 50 내지 300℃에서 1분 내지 60분간 수행 가능하며, 바람직하게는 100 내지 200℃에서 5분 내지 30분간 수행 가능하다. 광경화의 경우 0.01 내지 10J/cm2의 UV를 1초 내지 500초간 조사할 수 있고, 바람직하게는 0.05 내지 1J/ cm2의 UV를 1초 내지 120초간 조사할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.As the curing condition, for example, in the case of thermosetting, it can be carried out at 50 to 300 ° C for 1 minute to 60 minutes, preferably 100 to 200 ° C for 5 to 30 minutes. In the case of photo-curing, UV irradiation at 0.01 to 10 J / cm 2 can be performed for 1 second to 500 seconds, preferably UV irradiation at 0.05 to 1 J / cm 2 for 1 second to 120 seconds, but the present invention is not limited thereto .

이후에, 도 7과 같이, 상기 분리층(20) 상에 제1 보호층(30)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 7, a first passivation layer 30 is formed on the isolation layer 20.

제1 보호층(30)은 전술한 소재로 형성될 수 있으며, 그 형성 방법도 특별히 한정되지 않고 분리층(20)의 형성 방법과 동일한 방법이 사용 가능하다.The first protective layer 30 may be formed of the above-described material, and the method of forming the first protective layer 30 is not particularly limited, and the same method as the method of forming the separation layer 20 may be used.

제1 보호층(30)은 후술할 패턴들의 패터닝 등의 공정 중에 분리층(20)의 측면이 에천트 등에 노출되는 것을 최소화 할 수 있도록 분리층(20) 측면의 적어도 일부를 덮도록 형성할 수 있다. 분리층(20) 측면의 노출을 완전히 차단한다는 측면에서 바람직하게는 제1 보호층(30)은 분리층(20) 측면 전부를 덮도록 형성할 수 있다.The first protective layer 30 may be formed to cover at least a part of the side surface of the isolation layer 20 so as to minimize the exposure of the side surface of the isolation layer 20 to the etchant during the patterning process, have. The first protective layer 30 may be formed so as to cover all the side surfaces of the isolation layer 20 in terms of completely blocking the exposure of the side surface of the isolation layer 20. [

다음으로, 도 8 및 도 2(a)와 같이, 상기 제1 보호층(30) 상의 패드 영역 중 패드 전극(40)이 형성될 부위만 선택적으로 에칭한다.Next, as shown in FIG. 8 and FIG. 2 (a), only the portion of the pad region on the first passivation layer 30 where the pad electrode 40 is to be formed is selectively etched.

도 2 (b)와 같이 제1 보호층(30) 상의 패드 영역 전체를 에칭하는 경우 패드 전극(40) 형성시 또는 형성한 이후에도 분리층(20)의 패드 영역 일부가 노출된다. 이에 따라 분리층(20)의 노출 부위가 패드 전극(40) 형성시 또는 후술할 센싱 전극(50)의 형성시에 에천트, 스트리퍼 등의 화학약품에 노출되어 크랙, 박리, 열화되는 등의 문제가 발생할 수 있다.As shown in FIG. 2 (b), when the entire pad region on the first passivation layer 30 is etched, a part of the pad region of the isolation layer 20 is exposed during or after the pad electrode 40 is formed. The exposed portion of the separation layer 20 is exposed to chemical agents such as a cantilever or a stripper at the time of forming the pad electrode 40 or at the time of forming the sensing electrode 50 to be described later to crack, May occur.

그러나, 본 발명은 제1 보호층(30) 상의 패드 영역 중 패드 전극(40)이 형성될 부위만 선택적으로 에칭하므로, 에칭 부위에 패드 전극(40)을 형성하고 나면 제1 보호층(30) 하부의 분리층(20)이 전혀 노출되지 않는다. 이에 따라 상기 에천트 등에 대한 노출 문제를 해결할 수 있다.However, since the pad electrode 40 is selectively etched in the pad region on the first passivation layer 30, the first passivation layer 30 is formed after the pad electrode 40 is formed at the etched portion. The lower isolation layer 20 is not exposed at all. Thus, the problem of exposure to the etchant can be solved.

이후에, 도 9 및 도 10과 같이, 상기 에칭된 부위에 패드 전극(40)을 형성한다.Thereafter, as shown in Figs. 9 and 10, a pad electrode 40 is formed on the etched portion.

패드 전극(40)은 전술한 금속 또는 금속 산화물로 형성될 수 있다.The pad electrode 40 may be formed of the above-described metal or metal oxide.

패드 전극(40)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 물리적 증착법, 화학적 증착법, 플라즈마 증착법, 플라즈마 중합법, 열 증착법, 열 산화법, 양극 산화법, 클러스터 이온빔 증착법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법 등의 당 분야에 공지된 방법에 의할 수 있다.The method of forming the pad electrode 40 is not particularly limited and may be selected from a physical vapor deposition method, a chemical vapor deposition method, a plasma deposition method, a plasma polymerization method, a thermal polymerization method, a thermal deposition method, a thermal oxidation method, an anodic oxidation method, a cluster ion beam deposition method, A printing method, an offset printing method, an ink jet coating method, a dispenser printing method, and the like.

상기 분리층(20)의 에천트 등에 대한 노출을 보다 확실히 방지한다는 측면에서 바람직하게는 패드 전극(40)은 상기 에칭 부위를 벗어나 에칭 부위보다 더 넓은 폭으로 형성되어, 제1 보호층(30) 상의 패드 영역 중 일부를 더 덮도록 형성될 수 있다.The pad electrode 40 is preferably formed so as to have a width larger than that of the etched portion and to have a larger width than the etched portion of the first passivation layer 30 in view of more reliably preventing the separation layer 20 from being exposed to the etchant, May further be formed to cover a part of the pad regions on the pad.

도 11은 패드 전극(40)까지 형성한 이후에, 필름 터치 센서를 패드 영역측에서 바라본 도면으로, 이와 같이 패드 전극(40)의 폭이 에칭 부위보다 더 넓은 폭을 갖도록 형성하는 경우, 에칭된 틈으로 에천트가 흘러 들어가는 것을 보다 확실히 차단할 수 있다.FIG. 11 is a view showing the film touch sensor viewed from the pad region side after forming the pad electrode 40. When the width of the pad electrode 40 is formed to have a width wider than the etching region, It is possible to more reliably block the flow of the air into the gap.

도 12 및 도 13과 같이, 상기 제1 보호층(30) 상의 센싱 영역에는 센싱 전극(50)을 형성한다.As shown in FIGS. 12 and 13, a sensing electrode 50 is formed in a sensing region on the first passivation layer 30.

센싱 전극(50)은 전술한 금속산화물류, 금속류, 나노와이어, 탄소계 물질류, 고분자 물질류 등으로 형성될 수 있다.The sensing electrode 50 may be formed of the above-described metal oxide materials, metals, nanowires, carbon-based materials, high-molecular materials, and the like.

센싱 전극(50)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 패드 전극(40)의 형성 방법과 동일한 방법이 사용 가능하다.The method of forming the sensing electrode 50 is not particularly limited, and the same method as the method of forming the pad electrode 40 can be used.

센싱 전극(50) 및 패드 전극(40)의 단위 패턴의 형성의 경우 포토에칭법에 의할 수 있다.In the case of forming a unit pattern of the sensing electrode 50 and the pad electrode 40, a photoetching method can be used.

포토에칭법이란 패터닝의 대상이 되는 층 상에 포토레지스트를 도포하고, 도포된 포토레지스트를 마스크를 이용하여 선택적으로 경화시키고, 경화되지 않은 포토레지스트를 현상시켜 제거한 다음, 에칭하여 패턴을 형성하고, 경화된 포토레지스트를 제거하는 당 분야에 공지된 일련의 공정을 거쳐 패턴을 형성하는 방법이다.In the photoetching method, a photoresist is coated on a layer to be patterned, the applied photoresist is selectively cured using a mask, the uncured photoresist is developed and removed, and then etched to form a pattern, And a pattern is formed through a series of processes known in the art for removing the cured photoresist.

포토레지스트의 경우 포지티브형 포토레지스트와 네거티브형 포토레지스트로 구분될 수 있는데, 포지티브형의 경우 UV 노출시에 현상액에 대해 가용성으로 되는 포토레지스트이고, 네거티브형의 경우 UV 노출시에 현상액에 대해 불용성으로 되는 포토레지스트이다.In the case of a photoresist, it can be classified into a positive type photoresist and a negative type photoresist. In the case of a positive type, it is a photoresist which becomes soluble in a developing solution upon UV exposure. In the case of a negative type, it is insoluble Lt; / RTI >

따라서, 포지티브형을 사용하는 경우 UV에 노출된 부분을 현상시키고, 이후 공정을 거쳐 패턴을 형성할 수 있고, 네거티브형의 경우 UV에 노출되지 않은 부분을 현상시키고, 이후 공정을 거쳐 패턴을 형성할 수 있다.Therefore, when a positive type is used, a portion exposed to UV can be developed, and a pattern can be formed through a subsequent process. In the case of a negative type, a portion not exposed to UV is developed, .

포토레지스트의 경화시의 조건은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 0.01 내지 10J/cm2의 UV를 1초 내지 500초간 조사할 수 있고, 바람직하게는 0.05 내지 1J/ cm2의 UV를 1초 내지 120초간 조사할 수 있다.The conditions for curing the photoresist are not particularly limited. For example, UV of 0.01 to 10 J / cm 2 can be irradiated for 1 second to 500 seconds, preferably UV of 0.05 to 1 J / cm 2 for 1 second to It can be irradiated for 120 seconds.

본 발명은 센싱 전극(50) 및 패드 전극(40)이 형성된 제1 보호층(30) 상에 제2 보호층(60)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming a second passivation layer 60 on the first passivation layer 30 having the sensing electrode 50 and the pad electrode 40 formed thereon.

제2 보호층(60)은 그 자체로서 기재의 역할, 그리고 패시베이션층의 역할을 할 수 있다. 뿐만 아니라, 전극 패턴층(40, 50)의 부식을 막고, 표면을 평탄화하여 기재 필름(70)과의 접착시 미세기포의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 접착층의 역할을 할 수 있다.The second passivation layer 60 itself can serve as a substrate and serve as a passivation layer. In addition, corrosion of the electrode pattern layers 40 and 50 is prevented, and the surface is planarized, whereby generation of minute bubbles can be suppressed when the electrode pattern layers 40 and 50 are bonded to the base film 70. It can also serve as an adhesive layer.

제2 보호층(60)은 전술한 고분자 또는 전술한 점착제 또는 접착제로 형성될 수 있다.The second protective layer 60 may be formed of the above-described polymer or the above-mentioned pressure-sensitive adhesive or adhesive.

제2 보호층(60)이 접착층의 역할을 하는 경우, 제1 보호층(30)과 제2 보호층(60)은 전술한 탄성율 차를 가질 수 있다.When the second protective layer 60 serves as an adhesive layer, the first protective layer 30 and the second protective layer 60 may have the above-described elastic modulus difference.

본 발명은 도 14와 같이 상기 제2 보호층(60) 상에 기재 필름(70)을 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다.The present invention may further include a step of attaching the base film 70 on the second protective layer 60 as shown in FIG.

기재 필름(70)은 전술한 소재로 제조된 필름, 또는 편광판, 위상차 필름, 또는 보호 필름일 수 있다.The base film 70 may be a film made of the above-mentioned material, or a polarizing plate, a retardation film, or a protective film.

편광판은 폴리비닐알콜계 편광자의 일면 또는 양면에 편광자 보호필름이 부착된 것일 수 있다.The polarizing plate may be one having a polarizer protective film attached on one side or both sides of a polyvinyl alcohol polarizer.

제2 보호층(60)이 기재의 역할을 하는 경우, 기재 필름(70)은 전술한 열경화 또는 광경화성 접착제를 통해 제2 보호층(60) 상에 부착될 수 있다. 그러한 경우, 제2 보호층(60)과 접착층은 전술한 탄성율 차를 가질 수 있다.When the second protective layer 60 serves as a substrate, the base film 70 may be adhered onto the second protective layer 60 through the above-described thermosetting or photo-curable adhesive. In such a case, the second protective layer 60 and the adhesive layer may have the above-described elastic modulus difference.

기재 필름(70)은 가압 하에 부착될 수 있고, 가해지는 압력 범위는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1 내지 200Kg/cm2 바람직하게는 10 내지 100Kg/cm2일 수 있다.The base film 70 can be adhered under pressure, and the pressure range to be applied is not particularly limited, and may be, for example, 1 to 200 kg / cm 2 , and preferably 10 to 100 kg / cm 2 .

기재 필름(70)의 부착시에, 기재 필름(70)과 제2 보호층(60) 간의 접착성을 향상시키기 위해 기재 필름(70)의 부착되는 면에 코로나 처리, 화염 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사, 프라이머 도포 처리, 비누화 처리 등의 표면 처리를 실시할 수 있다.The surface to which the base film 70 is adhered is subjected to corona treatment, a flame treatment, a plasma treatment, an ultraviolet ray (ultraviolet ray) treatment, or the like to improve adhesion between the base film 70 and the second protective layer 60, Surface treatment such as irradiation, primer coating treatment and saponification treatment can be carried out.

이후에, 상기 분리층(20)을 상기 캐리어 기판(10)으로부터 박리한다.Thereafter, the separation layer 20 is separated from the carrier substrate 10.

상기 박리 이후에도 분리층(20)은 제거되지 않고 필름 터치 센서측에 잔존하여, 전극 패턴층(40, 50)을 보호하는 피복의 역할을 할 수 있다.The separating layer 20 remains on the film touch sensor side without being removed even after the peeling, so that it can serve as a covering for protecting the electrode pattern layers 40 and 50.

상기 분리층(20)을 상기 캐리어 기판(10)으로부터 박리하고 나면, 도 15와 같이, 상기 분리층(20)의 패드 영역 상에 회로기판(80)을 부착할 수 있다.After the separation layer 20 is peeled from the carrier substrate 10, the circuit board 80 may be mounted on the pad region of the separation layer 20 as shown in FIG.

회로기판(80)은 상기 패드 전극(40)과 전기적으로 연결된다.The circuit board 80 is electrically connected to the pad electrode 40.

회로기판(80)과 패드 전극(40)간의 전기적 연결은 이방도전성 필름을 통해 수행될 수 있다.Electrical connection between the circuit board 80 and the pad electrode 40 can be performed through the anisotropic conductive film.

이방도전성 필름은 경화성 수지에 전도성 입자인 도전볼이 분산된 형태를 가질 수 있다.The anisotropic conductive film may have a form in which conductive balls, which are conductive particles, are dispersed in a curable resin.

도전볼은 니켈 또는 니켈, 금 합금일 수 있으며, 경화성 수지는 아크릴계 또는 에폭시계 수지일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The conductive ball may be nickel, nickel, or a gold alloy, and the curable resin may be an acrylic or epoxy resin, but is not limited thereto.

상기 전기적 연결은 구체적으로, 먼저, 분리층(20) 상의 패드 영역에 도전볼을 갖는 이방도전성 필름을 위치시킨 다음 가열 및 가압한다. 그러면 상기 도전볼이 분리층(20)을 관통하여 패드 전극(40)과 접속된다. 그러고 나서, 회로기판(80)을 이방도전성 필름과 접속시킴으로써, 회로기판(80)이 패드 전극(40)과 전기적으로 연결되도록 할 수 있다.Specifically, first, an anisotropic conductive film having a conductive ball is placed in a pad region on the separation layer 20, followed by heating and pressing. The conductive ball penetrates the separation layer 20 and is connected to the pad electrode 40. Then, by connecting the circuit board 80 to the anisotropic conductive film, the circuit board 80 can be electrically connected to the pad electrode 40.

본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 분리층(20)을 캐리어 기판(10)으로부터 박리 후, 패드 영역의 분리층(20)을 화학적으로 제거할 수도 있다.According to another embodiment of the present invention, after the separation layer 20 is separated from the carrier substrate 10, the separation layer 20 of the pad region may be chemically removed.

분리층(20)의 제거에 사용되는 약액으로는 당 분야에서 고분자의 제거에 사용되는 약액을 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들면, KOH, TMAH, 아민류 등의 염기성 약액; 인산, 초산, 질산 등의 산성 약액을 사용할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the chemical solution used for removing the separation layer 20, a chemical solution used for removing the polymer in the art can be used without limitation, for example, a basic chemical solution such as KOH, TMAH, and amines; Acidic chemicals such as phosphoric acid, acetic acid, and nitric acid may be used. These may be used alone or in combination of two or more.

분리층(20)을 제거하고 나면, 회로기판(80)을 제1 보호층 측에 부착하여 패드 전극(40)과 전기적으로 연결시킬 수 있다.After the separation layer 20 is removed, the circuit board 80 may be attached to the first protective layer side and electrically connected to the pad electrode 40.

상기와 같은 단계를 포함하는 본 발명의 필름 터치 센서의 제조 방법은 캐리어 기판(10) 상에서 필름 터치 센서를 구현하기 위한 패턴층 형성 등의 공정을 진행하고 이후에 기재 필름(70)을 부착하므로, 기재 필름(70)의 열 손상 등을 방지할 수 있다.In the method of manufacturing a film touch sensor of the present invention including the above steps, a process such as forming a pattern layer for implementing a film touch sensor is performed on the carrier substrate 10, and then the base film 70 is attached, Heat damage or the like of the base film 70 can be prevented.

그리고, 통상의 방법에 따라 기재 필름(70) 상에 패턴층을 형성한다면, 박막의 기재 필름(70)을 사용하는 경우 기재 필름(70)이 충분한 지지 역할을 하지 못할 수도 있으나, 본 발명은 캐리어 기판(10) 상에 패턴층을 형성하므로 그러한 문제의 발생 없이 용이하게 패턴층을 형성할 수 있다.If the patterned layer is formed on the base film 70 in accordance with a conventional method, the base film 70 may not sufficiently serve as a support when the thin base film 70 is used. However, The pattern layer is formed on the substrate 10, so that the pattern layer can be easily formed without causing such a problem.

또한, 캐리어 기판(10)으로부터의 박리시에 분리층(20)도 캐리어 기판(10)으로부터 함께 박리하므로 전극 패턴층(40, 50)을 보호할 수 있고, 이후에 회로기판(80)의 전기적 접속이 용이하다.The separation layer 20 is also peeled from the carrier substrate 10 at the time of peeling from the carrier substrate 10 so that the electrode pattern layers 40 and 50 can be protected. Connection is easy.

뿐만 아니라, 제1 보호층(30) 상의 패드 영역을 선택적으로 에칭하여 패드 전극(40)을 형성하므로, 분리층(20)의 에천트 등에 노출에 의한 손상을 막을 수 있다.
In addition, since the pad electrode 40 is formed by selectively etching the pad region on the first passivation layer 30, the damage of the isolation layer 20 due to exposure to the etchant or the like can be prevented.

상기와 같이 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하였으나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made in the examples, and it is obvious that such variations and modifications fall within the scope of the appended claims.

10: 캐리어 기판 20: 분리층
30: 제1 보호층 40: 패드 전극
50: 센싱 전극 60: 제2 보호층
70: 기재 필름 80: 회로기판
90: 접착층
10: carrier substrate 20: separation layer
30: first protection layer 40: pad electrode
50: sensing electrode 60: second protection layer
70: base film 80: circuit board
90: Adhesive layer

Claims (29)

분리층;
상기 분리층 상에 위치한 제1 보호층; 및
상기 제1 보호층 상의 센싱 영역에 형성된 센싱 전극 및 패드 영역에 형성된 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층;을 포함하며,
상기 제1 보호층 상의 패드 영역에서 패드 전극 이외의 영역은 제1 보호층 소재로 채워진, 필름 터치 센서.
A separation layer;
A first protective layer located on the isolation layer; And
And an electrode pattern layer including a sensing electrode formed on a sensing region on the first passivation layer and a pad electrode formed on the pad region,
Wherein a region other than the pad electrode in the pad region on the first passivation layer is filled with the first passivation layer material.
청구항 1에 있어서, 상기 분리층은 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스타일렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 고분자로 제조된 것인, 필름 터치 센서.
[5] The method of claim 1, wherein the separation layer is formed of a material selected from the group consisting of a polyimide-based polymer, a polyvinyl alcohol-based polymer, a polyamic acid-based polymer, a polyamide-based polymer, A polymer such as a polystyrene type polymer, a polynorbornene type polymer, a phenylmaleimide copolymer type polymer, a polyazobenzene type polymer, a polyphenylenephthalamide type polymer, A polymer such as a polyester type polymer, a polymethyl methacrylate type polymer, a polyarylate type polymer, a cinnamate type polymer, a coumarin type polymer, a phthalimidine type polymer, Based polymer, a chalcone-based polymer, and an aromatic acetylene-based polymer, .
청구항 1에 있어서, 상기 분리층은, 먼저 캐리어 기판 상에 형성되고 이로부터 분리된 것인, 필름 터치 센서.
The film touch sensor of claim 1, wherein the separation layer is first formed on and separated from the carrier substrate.
청구항 3에 있어서, 상기 분리층은 캐리어 기판에 대한 박리력이 1N/25mm 이하인, 필름 터치 센서.
4. The film touch sensor according to claim 3, wherein the separating layer has a peeling force of not more than 1 N / 25 mm on the carrier substrate.
청구항 3에 있어서, 상기 분리층은 캐리어 기판에 대한 박리력이 0.1N/25mm 이하인, 필름 터치 센서.
4. The film touch sensor of claim 3, wherein the separating layer has a peel force of 0.1 N / 25 mm or less on the carrier substrate.
청구항 3에 있어서, 상기 캐리어 기판은 글라스 기판인, 필름 터치 센서.
The film touch sensor according to claim 3, wherein the carrier substrate is a glass substrate.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층은 분리층 측면의 적어도 일부를 덮는, 필름 터치 센서.
The film touch sensor of claim 1, wherein the first passivation layer covers at least a portion of a side of the isolation layer.
청구항 1에 있어서, 상기 패드 전극은 분리층 및 제1 보호층과의 표면 에너지 차이가 20 mN/m 이하인, 필름 터치 센서.
The film touch sensor of claim 1, wherein the pad electrode has a surface energy difference between the isolation layer and the first passivation layer of 20 mN / m or less.
청구항 1에 있어서, 상기 전극 패턴층은 금속산화물류, 금속류, 금속 나노와이어, 탄소계 물질류 및 전도성 고분자 물질류로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 재료로 형성된 것인, 필름 터치 센서.
The film touch sensor of claim 1, wherein the electrode pattern layer is formed of at least one material selected from the group consisting of metal oxide materials, metals, metal nanowires, carbon-based materials, and conductive high-molecular materials.
청구항 1에 있어서, 상기 전극 패턴층이 형성된 제1 보호층 상에 위치한 제2 보호층을 더 포함하는, 필름 터치 센서.
The film touch sensor of claim 1, further comprising a second protective layer located on a first protective layer on which the electrode pattern layer is formed.
청구항 10에 있어서, 상기 제2 보호층은 접착층이고, 상기 제1 보호층과 제2 보호층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서.
The film touch sensor of claim 10, wherein the second protective layer is an adhesive layer, and the first protective layer and the second protective layer have a difference in elastic modulus at 25 캜 of 300 MPa or less.
청구항 10에 있어서, 상기 제2 보호층 상에 부착된 기재 필름을 더 포함하는, 필름 터치 센서.
11. The film touch sensor of claim 10, further comprising a substrate film deposited on the second protective layer.
청구항 12에 있어서, 상기 기재 필름은 접착층을 통해 제2 보호층 상에 부착되고, 상기 제2 보호층과 접착층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서.
The film touch sensor according to claim 12, wherein the base film is attached to the second protective layer through an adhesive layer, and the difference in elastic modulus at 25 캜 is not more than 300 MPa.
청구항 12에 있어서, 상기 기재 필름은 편광판 또는 투명 필름인, 필름 터치 센서.
The film touch sensor according to claim 12, wherein the base film is a polarizing plate or a transparent film.
청구항 1에 있어서, 상기 패드 전극과 전기적으로 연결되는 회로기판을 더 포함하는, 필름 터치 센서.
The film touch sensor of claim 1, further comprising a circuit board electrically connected to the pad electrode.
청구항 1 내지 15 중 어느 한 항의 필름 터치 센서를 포함하는 터치 스크린 패널.
A touch screen panel comprising the film touch sensor of any one of claims 1 to 15.
청구항 16의 터치 스크린 패널을 포함하는 화상 표시 장치.
The image display apparatus according to claim 16, comprising the touch screen panel.
캐리어 기판 상에 분리층을 형성하는 단계;
상기 분리층 상에 제1 보호층을 형성하는 단계;
상기 제1 보호층 상의 패드 영역 중, 패드 전극이 형성될 부위만 선택적으로 에칭하는 단계; 및
상기 제1 보호층 상의 센싱 영역에 센싱 전극을 형성하고, 상기 에칭된 부위에 패드 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
Forming a separation layer on the carrier substrate;
Forming a first passivation layer on the isolation layer;
Selectively etching only a portion of the pad region on the first passivation layer where a pad electrode is to be formed; And
Forming a sensing electrode on the sensing region on the first passivation layer and forming a pad electrode on the etched region.
청구항 18에 있어서, 상기 센싱 전극 및 패드 전극이 형성된 제1 보호층 상에 제2 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
[Claim 19] The method of claim 18, further comprising forming a second passivation layer on the first passivation layer having the sensing electrode and the pad electrode.
청구항 19에 있어서, 상기 제2 보호층은 접착층이고, 상기 제1 보호층과 제2 보호층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서의 제조 방법.
The method of manufacturing a film touch sensor according to claim 19, wherein the second protective layer is an adhesive layer, and the first protective layer and the second protective layer have a difference in elastic modulus at 25 ° C of 300 MPa or less.
청구항 19에 있어서, 상기 제2 보호층 상에 기재 필름을 부착하는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
21. The method of claim 19, further comprising attaching a substrate film on the second passivation layer.
청구항 21에 있어서, 상기 기재 필름을 접착층을 통해 제2 보호층 상에 부착하고, 상기 제2 보호층과 접착층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서.
The film touch sensor according to claim 21, wherein the base film is attached to the second protective layer through an adhesive layer, and the difference in elastic modulus at 25 ° C between the second protective layer and the adhesive layer is 300 MPa or less.
청구항 18에 있어서, 상기 분리층을 캐리어 기판으로부터 박리하는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
19. The method of claim 18, further comprising peeling the separation layer away from the carrier substrate.
청구항 18에 있어서, 상기 분리층은 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스타일렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 고분자로 형성되는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
[Claim 18] The method of claim 18, wherein the separation layer comprises at least one of polyimide polymer, poly vinyl alcohol polymer, polyamic acid polymer, polyamide polymer, A polymer such as a polystyrene type polymer, a polynorbornene type polymer, a phenylmaleimide copolymer type polymer, a polyazobenzene type polymer, a polyphenylenephthalamide type polymer, A polymer such as a polyester type polymer, a polymethyl methacrylate type polymer, a polyarylate type polymer, a cinnamate type polymer, a coumarin type polymer, a phthalimidine type polymer, Based polymer, a chalcone-based polymer, and an aromatic acetylene-based polymer. Method.
청구항 18에 있어서, 상기 분리층은 캐리어 기판에 대한 박리력이 1N/25mm 이하인, 필름 터치 센서의 제조 방법.
19. The method of manufacturing a film touch sensor according to claim 18, wherein the separating layer has a peeling force of not more than 1 N / 25 mm on the carrier substrate.
청구항 18에 있어서, 상기 캐리어 기판은 글라스 기판인, 필름 터치 센서의 제조 방법.
The method of manufacturing a film touch sensor according to claim 18, wherein the carrier substrate is a glass substrate.
청구항 18에 있어서, 상기 제1 보호층을 분리층 측면의 적어도 일부를 덮도록 형성하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
19. The method of claim 18, wherein the first passivation layer is formed to cover at least a portion of a side surface of the isolation layer.
청구항 23에 있어서, 상기 박리 이후에 상기 분리층의 패드 영역 상에 회로기판을 부착하고, 상기 회로기판을 상기 패드 전극과 전기적으로 연결시키는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
24. The method of claim 23, further comprising attaching a circuit board on the pad area of the separation layer after the peeling and electrically connecting the circuit board to the pad electrode.
청구항 28에 있어서, 분리층 상의 패드 영역에 도전볼을 갖는 이방도전성 필름을 위치시킨 다음 가열 및 가압하여, 상기 도전볼이 분리층을 관통하여 패드 전극과 접속되도록 하고, 상기 회로기판을 이방도전성 필름과 접속시키는, 필름 터치 센서의 제조 방법.The method of manufacturing a circuit board according to claim 28, wherein an anisotropic conductive film having a conductive ball is placed in a pad region on the separation layer, and then heated and pressed to connect the conductive ball to the pad electrode through the separation layer, Of the film touch sensor.
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