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KR20160037060A - 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

발광소자 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20160037060A
KR20160037060A KR1020150054554A KR20150054554A KR20160037060A KR 20160037060 A KR20160037060 A KR 20160037060A KR 1020150054554 A KR1020150054554 A KR 1020150054554A KR 20150054554 A KR20150054554 A KR 20150054554A KR 20160037060 A KR20160037060 A KR 20160037060A
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KR
South Korea
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layer
light emitting
metal layer
emitting structure
electrode
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Withdrawn
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KR1020150054554A
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English (en)
Inventor
이준희
이미희
Original Assignee
서울바이오시스 주식회사
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Publication date
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Priority to PCT/KR2015/010137 priority patent/WO2016048079A1/en
Priority to CN201580044488.0A priority patent/CN106575687B/zh
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Abstract

본 발명은 발광소자 및 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자는, 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상부에 위치하는 제1 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층이 노출되도록 상기 활성층과 제2 도전형 반도체층을 관통하는 제2 홈이 형성된 발광구조체; 상기 발광구조체의 아래에 위치하고, 상기 발광구조체의 일부와 접촉된 반사금속층; 상기 반사금속층 아래에 위치하며, 상기 반사금속층의 적어도 일부와 접촉된 커버금속층; 상기 커버금속층 아래에 위치하고, 상기 반사금속층과 커버금속층을 덮는 제1 절연층; 상기 제1 절연층 아래에 위치하며, 상기 제1 절연층을 덮도록 형성되고, 상기 제2 홈을 채우는 전극층; 및 상기 발광구조체의 상부에 형성된 전극패드를 포함하고, 상기 발광구조체는 상기 커버금속층이 형성된 위치의 상부에 제1 홈이 형성되며, 상기 전극패드는 상기 커버금속층 상부에 위치한 발광구조체 상부에 형성될 수 있다. 본 발명에 의하면, 커버금속층이 제거됨에 따라 발광구조체의 발광 영역이 확대되어 발광소자의 광도가 향상될 수 있는 효과가 있다.

Description

발광소자 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 발광소자 및 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 매립형 전극층을 포함하는 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광소자는 전자와 정공의 재결합으로 빛을 발생시키는 무기 반도체 소자이다. 이러한 발광소자는 디스플레이, 자동차 램프, 일반 조명 등의 다양한 분야에서 이용되고 있으며, 점차 이용범위가 확대되고 있다.
발광소자는 n형 전극과 p형 전극이 수평하게 배치되는 수평형 발광소자가 넓게 사용된다. 수평형 발광소자는 비교적 간단한 제조가 가능한 반면, 하부 반도체층에 전극을 형성하기 위해서는 활성층 일부를 제거하기 때문에 발광면적이 감소하는 문제가 있다. 또한, 전극들이 수평 배치되어 전류 쏠림현상 등이 발생하여 발광소자의 발광 효율이 떨어지는 문제가 있다.
더욱이, 수평형 발광소자의 성장기판으로 사파이어 기판을 가장 많이 사용하는데, 사파이어 기판은 열전도성이 낮아 발광소자의 열방출이 잘 이루어지지 않는 문제도 있다. 이러한 문제로 인해 발광소자의 접합온도가 높아지고, 발광소자의 내부 양자효율이 저하된다.
상기와 같은 수평형 발광소자가 가지는 다양한 문제를 해결하기 위해, 수직형 발광소자와 플립칩형 발광소자가 개발되고 있다.
종래의 발광소자는 도전성 기판, 제1 전극층, 절연층, 제2 전극층, 제2 반도체층, 활성층 및 제1 반도체층을 포함하고, 각각 순차적으로 적층된다. 이때, 제2 반도체층을 전기적으로 연결하기 위해 제2 전극층에서 수평방향으로 연장시켜 노출영역이 형성되고, 형성된 노출영역 상에 전극패드가 형성된다.
하지만, 종래와 같이 발광소자의 구조가 형성되면, 전극패드부가 노출산화 등에 의해 손상을 입을 수 있으며, 전극패드부가 손상되면 접촉저항을 증가시켜 순방향 전압이 증가되는 현상이 발생한다. 이에 따라 발광소자의 출력이 감소할 수 있으며, 이는 곧 발광소자의 신뢰성 감소 및 수명단축을 유발할 수 있는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광소자의 출력이 감소하는 것을 방지하고, 발광소자의 수율을 향상시킬 수 있는 발광소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자는, 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상부에 위치하는 제1 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층이 노출되도록 상기 활성층과 제2 도전형 반도체층을 관통하는 제2 홈이 형성된 발광구조체; 상기 발광구조체의 아래에 위치하고, 상기 발광구조체의 일부와 접촉된 반사금속층; 상기 반사금속층 아래에 위치하며, 상기 반사금속층의 적어도 일부와 접촉된 커버금속층; 상기 커버금속층 아래에 위치하고, 상기 반사금속층과 커버금속층을 덮는 제1 절연층; 상기 제1 절연층 아래에 위치하며, 상기 제1 절연층을 덮도록 형성되고, 상기 제2 홈을 채우는 전극층; 및 상기 발광구조체의 상부에 형성된 전극패드를 포함하고, 상기 발광구조체는 상기 커버금속층이 형성된 위치의 상부에 제1 홈이 형성되며, 상기 전극패드는 상기 커버금속층 상부에 위치한 발광구조체 상부에 형성될 수 있다.
이때, 상기 발광구조체는 상기 제1 홈에 의해 패드설치부가 상기 발광구조체에서 분리 형성되며, 상기 커버금속층은 상기 발광구조체 전체와 패드설치부 일부 영역의 아래에 배치될 수 있다. 또한, 상기 커버금속층은 상기 발광구조체 및 패드설치부의 테두리를 따라 형성될 수 있으며, 상기 커버금속층은 상기 반사금속층의 테두리를 덮도록 형성될 수 있다.
그리고 상기 전극층은 상기 제2 홈을 채워 상기 제1 도전형 반도체층과 오믹 접촉될 수 있고, 상기 반사금속층은 상기 제1 홈이 형성되지 않은 상기 제1 절연층 상부에 위치할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 제조 방법은, 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상부에 위치하는 제1 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광구조에 메사 구조를 형성하는 단계; 상기 메사 구조가 형성된 발광구조체의 일부 영역에 반사금속층을 형성하는 단계; 상기 반사금속층의 일부를 덮도록 커버금속층을 형성하는 단계; 상기 반사금속층 및 커버금속층을 덮도록 제1 절연층을 형성하는 단계; 상기 발광구조체의 제1 도전형 반도체층이 노출되도록 상기 제1 절연층 및 발광구조체에 형성된 제2 홈을 채우면서 상기 제1 절연층을 덮도록 전극층을 형성하는 단계; 상기 발광구조체의 메사 구조가 형성되지 않은 면에 상기 발광구조체의 일부를 제거하여 제1 홈을 형성하는 단계; 및 상기 제1 홈에 의해 상기 발광구조체에서 분리된 패드설치부의 상부면에 전극패드를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 상기 전극패드는 상기 커버금속층이 형성된 위치의 상부에 형성될 수 있고, 상기 커버금속층은 상기 발광구조체의 테두리를 따라 형성될 수 있다. 또한, 상기 커버금속층은 상기 반사금속층의 데두리를 덮도록 형성될 수 있다.
그리고 상기 전극층은 상기 제2 홈을 채워 상기 제1 도전형 반도체층과 오믹 접촉될 수 있으며, 상기 반사금속층은 상기 제2 홈이 형성되지 않은 상기 제1 절연층 상부에 위치할 수 있다.
또 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자는, 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상부에 위치하는 제1 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층이 노출되도록 상기 활성층과 제2 도전형 반도체층을 관통하는 제1 홈 및 제2 홈이 형성된 발광구조체; 상기 발광구조체의 아래에 위치하고, 상기 발광구조체의 일부를 덮도록 형성된 금속층; 상기 금속층의 아래에 형성되며, 상기 금속층을 덮도록 형성된 제1 절연층; 상기 제1 절연층 아래에 위치하고, 상기 제1 절연층을 덮도록 형성되고, 상기 제1 홈 및 제2 홈을 채우는 전극층; 및 상기 금속층과 전기적으로 연결된 전극패드를 포함하고, 상기 제2 홈을 채운 전극층은 라인전극이며, 상기 라인전극은 상기 발광구조체의 평면 형상에서 가장자리를 따라 일 방향의 방향성을 갖도록 형성될 수 있다.
이때, 상기 제1 홈을 채운 전극층은 제1 전극이고, 상기 라인전극의 너비(width)는 상기 제1 전극의 너비보다 얇게 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속층은 상기 발광구조체의 평면 형상에서 상기 라인전극의 내측에 형성될 수 있다.
또한, 상기 라인전극은 상기 전극패드가 형성되지 않은 상기 발광구조체의 하부에 형성될 수 있다.
본 발명에 의하면, 커버금속층이 제거됨에 따라 발광구조체의 발광 영역이 확대되어 발광소자의 광도가 향상될 수 있는 효과가 있다. 더욱이, 반사금속층과 커버금속층의 접촉면적이 줄어듦에 따라 접촉에 의해 메탈 스트레스가 감소하여 발광소자의 수율이 향상되는 효과가 있다.
또한, 발광소자의 가장자리를 따라 라인전극이 형성되어, 발광소자의 중앙으로 전류 스프레이딩이 집중됨에 따라 발광소자의 가장자리의 발광효율이 떨어지는 것을 방지함으로써, 발광소자의 전체에서 균일하게 발광이 이루어질 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 절취선 AA'를 따라 취해진 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5b는 본 발명의 또 다른 실시예에 다른 발광소자의 라인전극이 배치된 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 5a의 절취선 BB'를 따라 취해진 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도 1의 절취선 AA를 따라 취해진 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광소자(100)는 발광구조체(110), 금속층(120, 130), 제1 절연층(140), 전극층(150), 본딩층(160), 기판(170), 전극패드(180) 및 보호층(190)을 포함할 수 있다.
발광구조체(110)는 제1 도전형 반도체층(111), 활성층(113) 및 제2 도전형 반도체층(115)을 포함한다. 제1 도전형 반도체층(111)은 제2 도전형 반도체층(115)의 상부에 위치하고, 활성층(113)은 제1 도전형 반도체층(111)과 제2 도전형 반도체층(115) 사이에 개재될 수 있다. 그리고 본 발명의 일 실시예에서 제1 도전형 반도체층(111) 상부면에 러프니스(R)를 더 포함할 수 있으며, 러프니스(R) 하부에 복수의 하부 메사들이 형성될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(111)과 제2 도전형 반도체층(115)은 각각 III-V 계열의 화합물 반도체를 포함할 수 있는데, 일례로, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 그리고 제1 도전형 반도체층(111)은 Si와 같은 n형 불순물이 도핑된 n형 반도체층을 포함할 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(115)은 Mg와 같은 p형 불순물이 도핑된 p형 반도체층을 포함할 수 있다. 이때, 제1 도전형 반도체층(111)과 제2 도전형 반도체층(115)의 불순물 도핑은 반대로 도핑될 수도 있다.
또한, 제1 도전형 반도체층(111)과 제2 도전형 반도체층(115)은 각각 단일층으로 형성될 수 있고, 다중층을 포함할 수도 있다. 일례로, 제1 도전형 반도체층(111) 및/또는 제2 도전형 반도체층(115)은 클래층 및 컨택층을 포함할 수 있고, 초격자층을 포함할 수도 있다.
활성층(113)은 다중양장우물 구조(MQW)를 포함할 수 있고, 다중양자우물구조에서 원하는 피크 파장의 빛을 방출할 수 있도록 다중양자우물구조의 원소와 조성비 등이 조정될 수 있다. 일례로, 활성층(113)의 우물층은 InGaN 등의 삼성분계 반도체층이거나 AlInGaN 등의 사성분계 반도체층일 수 있으며, 각 성분의 조성비를 조정하여 원하는 피크 파장의 빛이 방출되도록 할 수 있다.
상기와 같은 발광구조체(110)의 일부를 제거하여 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 발광구조체(110)를 관통하는 제1 홈(H1)을 형성할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 두 개의 제1 홈(H1)이 형성되며, 두 개의 제1 홈(H1)에 의해 모서리 부분의 두 개의 패드설치부(111a)가 발광구조체(110)와 구분되도록 형성된다.
도 1을 참조하면, 패드설치부(111a)는 제1 홈(H1)들에 의해 사각형 형상으로 형성되지만, 패드설치부(111a)의 형상은 필요에 따라 변형될 수 있다.
패드설치부(111a)는 도 1에서와 같이, 발광소자(100)의 모서리 측에 각각 설치되고, 도 2를 참조하면, 발광구조체(110)와 동일한 높이로 형성될 수 있다. 패드설치부(111a)는 발광구조체(110)를 형성하는 과정에서 형성됨에 따라 발광구조체(110)의 제1 도전형 반도체층(111)과 동일한 조성을 가지는 반도체층으로 구성될 수 있다. 그리고 발광구조체(110)와 동일한 높이로 형성된다. 그에 따라 패드설치부(111a)에 설치된 전극패드(180)가 발광구조체(110)보다 돌출되어 설치됨에 따라 와이어 본딩 시 불량률을 낮출 수 있다.
러프니스(R)는 제1 도전형 반도체층(111) 상면에 형성될 수 있고, 불규칙한 요철을 포함할 수 있다. 이렇게 발광구조체(110) 상부면에 러프니스(R)를 형성함으로써, 발광구조체(110) 상부면을 통해 빛이 방출되는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
러프니스(R)의 형성은 KOH 및 NaOH 중 적어도 하나를 포함하는 용액을 이용하여 습식 식각하여 형성할 수 있고, 또는 PEC 식각을 이용하여 형성할 수도 있다. 또한, 러프니스(R)는 성장 기판이 제1 도전형 반도체층(111)에서 분리될 때, 자연적으로 형성될 수도 있다. 일례로, 화학적 리프트오프 또는 응력 리프트 오프를 이용하여 제1 도전형 반도체층(111)에서 성장 기판을 분리하는 경우, 성장 기판을 분리하기 위해 추가적으로 형성되는 희생층에 의해 형성된 공동으로부터 제1 도전형 반도체층(111)의 분리면에 러프니스(R)가 형성될 수 있다. 이 처럼 러프니스(R)는 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
발광구조체(110)의 하부에 메사가 형성될 수 있다. 메사는 제2 도전형 반도체층(115), 활성층(113)을 포함할 수 있으며, 제1 도전형 반도체층(111)의 일부를 더 포함할 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서 메사는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 부분적으로 일부분이 다수 돌출 형성된 형상으로 형성될 수 있다. 이는 본 발명에 한정되는 것은 아니며, 메사는 다양한 형상 및 크기를 가질 수 있다.
또한, 메사에 하나 이상의 제2 홈(H2)이 형성될 수 있다. 그에 따라 전극층(150)이 제2 홈(H2)을 채워 전극층(150)과 제1 도전형 반도체층(111)이 전기적으로 접촉될 수 있다. 그리고 도 1에 도시된 바와 같이, 다수의 제2 홈(H2)은 일정 규칙을 따라 배열된 것으로 보이지만, 이는 필요에 따라 위치 및 배열이 다양하게 변경될 수 있다.
금속층(120, 130)은 발광구조체(110)의 하부에 형성되며, 반사금속층(120)과 커버금속층(130)을 포함한다. 금속층(120, 130)은 제2 도전형 반도체층(115)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에서는 금속층(120, 130)과 제2 도전형 반도체층(115)이 직접 접촉된 것을 도면에 도시하였다.
반사금속층(120)은 발광구조체(110)에서 발출된 빛을 반사하는 기능이 있으며, 본 발명의 일 실시예에서는 제2 도전형 반도체층(115)과 전기적으로 연결되는 전극 기능도 있다. 따라서 반사금속층(120)은 높은 반사도를 가지면서 제2 도전형 반도체층(115)과 오믹 접촉을 형성할 수 있는 금속을 포함할 수 있다. 그러므로 반사금속층(120)은 Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag 및 Au 중 하나 이상을 포함할 수 있으며, 필요에 따라 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
또한, 반사금속층(120)은 단일층으로 형성된 경우에도, 도 2에 도시된 바와 같이, 전 영역에 반사금속층(120)을 형성하지 않고, 일부 영역에만 반사금속층(120)을 형성할 수 있다. 즉, 메사에서 경사면이 포함된 영역에는 반사금속층(120)을 형성하지 않고 제2 절연층(140a, 예컨대, SiO2)을 형성하며, 평평한 영역에만 반사금속층(120)을 형성할 수 있다. 이를 통해 반사금속층(120)이 제2 도전형 반도체층(115)의 면적보다 작은 면적을 갖도록 형성되며, 제2 홈(H2)을 채운 전극층(150)과 반사금속층(120)이 직접 접촉하지 않도록 한다. 여기서, 제2 절연층(140a)은 일례로, SiO2 또는 SiN을 포함할 수 있다.
이때, 반사금속층(120)은 제2 홈(H2)이 형성된 위치를 제외한 제2 도전형 반도체층(115)의 대부분 영역에 배치되어 활성층(113)에서 방출된 빛 중 아래를 향하는 빛은 대부분 반사금속층(120)에 도달하여 상부로 반사될 수 있다. 그에 따라 발광소자(100)의 광추출 효율이 향상될 수 있다.
커버금속층(130)은 반사금속층(120)의 일부를 덮도록 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 커버금속층(130)은 전극패드(180)가 형성된 위치를 포함하여 반사금속층(120)의 일부를 덮는다. 종래에는 커버금속층(130)이 반사금속층(120) 전체를 덮도록 형성되어 반사금속층(120)과 커버금속층(130) 간의 메탈 스트레스(metal stress)가 반사금속층(120) 전체에 걸쳐 있었으나, 본 발명의 일 실시예에서는 커버금속층(130)이 반사금속층(120)의 일부만 덮도록 형성되어 커버금속층(130)과 반사금속층(120) 간의 메탈 스트레스를 최소화하여, 이로 인한 필링(peeling)을 최소화할 수 있으며, 반사 효율도 향상할 수 있다.
커버금속층(130)은 반사금속층(120)과 전기적으로 연결되어, 제2 도전형 반도체층(115)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이로 인해 커버금속층(130)은 반사금속층(120)과 함께 일정의 전극 역할을 할 수 있다. 커버금속층(130)은 Au, Ni, Ti, Cr, Pt, W, TiW 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 단일층이나 다중층으로 형성될 수 있다.
제1 절연층(140)은 발광구조체(110)의 아래에 위치한다. 특히, 하부 메사에 형성된 제2 홈(H2)의 주변을 감싸도록 형성된다. 제1 절연층(140)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 절연층(140)은 다중층을 포함할 수 있고, 굴절률이 다른 물질이 교대로 적층된 분포브래그반사기(DBR)를 포함할 수 있다.
상기와 같이, 제1 절연층(140)이 분포브래그반사기가 포함되므로, 제1 절연층(140)을 두께를 두껍게 형성함으로써, 단차를 최소화할 수 있다.
전극층(150)은 제1 절연층(140) 아래에 위치한다. 그리고 전극층(150) 일부에서 돌출된 제1 전극(150a)이 제2 홈(H2)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(111)에 오믹 접촉될 수 있다. 그에 따라 전극층(150)을 통해 공급된 전류는 제1 전극(150a)을 통해 제1 도전형 반도체층(111)에 공급될 수 있다.
제1 전극(150a)은 전극층(150)에서 돌출되어 연장된 형상으로 형성되며, 다수 개가 형성될 수 있다. 또한, 다수의 제1 전극(150a)은 전극층(150) 전체에 배열되며, 배열되는 패턴은 도 1에 도시된 바와 같이, 배열될 수 있고, 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 이렇게 다수의 제1 전극(150a)을 발광소자(100) 전체에 걸쳐 배열함으로써, 전류 분산 효과가 더욱 향상될 수 있다.
본딩층(160)은 전극층(150) 아래에 위치하여, 기판(170)을 전극층(150)에 본딩시킨다. 즉, 본딩층(160)을 통해 기판(170)이 발광구조체(110)에 본딩된다. 또한, 본딩층(160)은 전극층(150)에 형성된 제1 전극(150a)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 기판(170)과 전극층(150)을 전기적으로 연결하는 기능을 할 수 있다. 이를 위해 본딩층(160)은 Au 및 Sn이 포함될 수 있으며, NiSn 또는 AuIn이 포함될 수도 있다.
기판(170)은 본딩층(160) 아래에 위치할 수 있으며 외부의 전원이 공급되어 전극층(150) 및 제1 도전형 반도체층(111)으로 전원을 공급할 수 있다.
또한, 기판(170)은 지지기판으로 역할을 수행할 수 있어, 도전성 기판, 회로기판, 도전 패턴이 형성된 절연기판일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 기판은 금속이 포함될 수 있고, Mo층과 Cu층이 적층된 구조로 형성될 수 있다. 그리고 Ti, Cr, Ni, Al, Cu, Ag, Au, Pt 등이 포함될 수도 있다.
전극패드(180)는 다수 개가 구비되어 패드설치부(111a) 상부에 각각 형성될 수 있다. 전극패드(180)는 러프니스(R)가 형성된 패드설치부(111a)의 상부에 형성되어 제1 도전형 반도체층(111)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 전극패드(180)는 다수의 전극 패드층을 포함할 수 있으며, 상부 전극 패드층과 하부 전극 패드층을 포함할 수 있다. 하부 전극 패드층은 러프니스(R)가 형성된 제1 도전형 반도체에 증착되어 형성되며, 하부 전극 패드층 상부에 상부 전극 패드층이 형성될 수 있다.
상기와 같은 수직형 구조로 형성된 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자(100)에서 도 2에 도시된 바와 같이, 보호층(190)이 더 구비될 수 있다. 보호층(190)은 제1 도전형 반도체층(111)의 상면을 덮을 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(111)의 측면을 덮어 발광구조체(110)를 외부로부터 보호할 수 있고, 또한, 제1 도전형 반도체층(111) 상면의 러프니스(R)의 경사보다 완만한 경사를 갖도록 러프니스(R)를 덮어, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 이때, 보호층(190)은 절연성 물질을 포함할 수 있으며, 일례로, SiO2를 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 제1 도전형 반도체층(111), 활성층(113) 및 제2 도전형 반도체층(115)을 포함하는 발광구조체(110)를 형성한다.
이때, 발광구조체(110)는 성장 기판(10) 상에 성장시키며, 성장 기판(10)은 발광구조체(110)를 성장시킬 수 있는 기판이면 어떤 기판이 이용되든 무관하다. 일례로, 사파이어 기판, 실리콘 카바이트 기판, 실리콘 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판 등일 수 있다.
그리고 제1 도전형 반도체층(111), 활성층(113), 제2 도전형 반도체층(115)은 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition), MBE(molecular beam epitaxy) 또는 HVPE(hydride vapor epitaxy) 등의 기술을 이용하여 성장 기판(10) 상에 성장될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기와 같이, 발광구조체(110)가 형성된 상태에서 발광구조체(110)의 상부에 일부를 식각하여 하부 메사 구조를 형성한다. 이때, 식각을 통해 제1 도전형 반도체층(111)의 일부가 노출될 수 있다.
도 3c를 참조하면, 하부 메사가 형성된 발광구조체(110)의 상면에 반사금속층(120)을 증착시킨다. 이때, 반사금속층(120)은 발광구조체(110) 상면 전체에 형성하지 않고, 평평한 영역의 일부에 형성한다. 반사금속층(120)은 증착 등의 기술을 이용하여 제2 도전형 반도체층(115) 상에 형성되며, 리프트 오프 기술 등을 이용하여 원하는 부분에만 형성할 수 있으므로, 경사진 부분을 제외한 평평한 영역 전체에 형성한다. 그에 따라 반사금속층(120)은 제2 도전형 반도체층(115)이 노출된 영역보다 작은 크기로 형성될 수 있지만, 제2 도전형 반도체층(115)의 거의 대부분을 덮도록 형성될 수 있다. 그리고 반사금속층(120)이 형성되지 않은 영역에는 제2 절연층(140a)이 증착된다.
도 3d를 참조하면, 반사금속층(120)이 형성된 상부에 커버금속층(130)이 증착된다. 커버금속층(130)은 반사금속층(120)의 일부를 덮도록 형성된다.
도 3e를 참조하면, 제1 절연층(140)은 커버금속층(130) 상부 및 커버금속층(130)이 형성되지 않은 반사금속층(120) 전체를 덮도록 형성된다. 그리고 발광구조체(110)의 식각된 위치에 제2 홈(H2)을 형성한다. 그에 따라 제2 홉(H2)의 저면에 제1 도전형 반도체층(111)이 노출될 수 있다. 상기와 같이, 형성된 제2 홈(H2)은 다수 개가 형성될 수 있다.
도 3f를 참조하면, 제1 절연층(140) 상부에 전극층(150)이 형성된다. 이때, 전극층(150)은 제1 절연층(140)에 형성된 제2 홈(H2)을 채워 제2 홈(H2)의 저면에 노출된 제1 도전형 반도체층(111)과 접촉될 수 있다.
도 3g를 참조하면, 전극층(150) 상부에 본딩층(160)이 형성되고, 본딩층(160) 상부에 기판(170)이 차례로 형성될 수 있다. 이때, 성장 기판(10)은 기판(170)이 형성되면서 분리 제거될 수 있다. 그리고 본딩층(160)은 전극층(150)과 오믹 접촉되도록 형성될 수 있다. 본딩층(160)은 전극층(150)과 기판(170)의 사이에 개재한 상태에서 압력과 온도를 조절하여 전극층(150)과 기판(170)을 본딩시킨다.
도 3h 내지 도 3j는 도 3a 내지 도 3g에 도시된 것들과 비교하여 상하가 반대로 도시되어 있다. 그러므로 상하 개념은 도 3h 내지 도 3j에 도시된 것을 기준을 설명하며, 이는 설명의 편의를 위한 것으로 본 발명을 제한하는 것은 아니다.
도 3h를 참조하면, 성장 기판(10)을 제거하면서 제1 도전형 반도체층(111)의 표면에 러프니스(R)가 형성될 수 있다. 또한, 성장 기판(10)이 제거되면서 발광구조체(110)의 측면 일부도 같이 제거될 수 있다.
도 3i를 참조하면, 상기와 같이, 성장 기판(10)이 제거된 상태에서 기판(170)이 본딩된 발광구조체(110)의 배면에 발광구조체(110)의 일부분을 제거하여, 발광구조체(110)를 관통하는 제1 홈(H1)을 형성한다. 제1 홈(H1)은 발광구조체(110)와 패드설치부(111a)를 분리하기 위한 것으로, 건식 식각 등을 통해 제1 도전형 반도체층(111), 활성층(113) 및 제2 도전형 반도체층(115)을 제거하여 형성될 수 있다. 이때, 발광구조체(110)에서 분리된 패드설치부(111a)는 도 3i에 도시된 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(111)만 남은 상태로 형성될 수 있다.
또한, 제1 홈(H1)을 형성한 다음, 제1 도전형 반도체층(111) 상부에 보호층(190)을 추가로 형성할 수 있다. 보호층(190)은 제1 도전형 반도체층(111) 상부와 측면 그리고 제1 홈(H1)을 포함하는 전체에 형성될 수 있다. 그에 따라 발광구조체(110)를 외부에서 보호할 수 있으며, 제1 도전형 반도체층(111) 상부에 형성된 러프니스(R)의 경사를 완만하게 할 수 있어, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 3j를 참조하면, 제1 홈(H1)에 의해 발광구조체(110)와 패드설치부(111a)로 구분된 상태에서, 패드설치부(111a) 상부면에 전극패드(180)를 형성한다. 전극패드(180)는 증착이나 리프트 오프 기술을 통해 형성될 수 있다. 이때, 전극패드(180)는 보호층(190) 일부가 제거된 상태에서 전극패드(180)와 패드설치부(111a)가 접촉할 수 있도록 설치된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 평면도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자(100)는 발광구조체(110), 금속층(120, 130), 제1 절연층(140), 전극층(150), 본딩층(160), 기판(170) 및 전극패드(180)를 포함하고, 보호층(190)을 더 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자(100)에 대한 설명을 하면서, 일 실시예에서와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하되, 필요에 따라 도 1 내지 도 3에 도시된 도면을 참조한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에서 커버금속층(130)은 전극패드(180)가 형성된 위치와 더불어 발광구조체(110)의 테두리를 따라 형성된다. 그리고 커버금속층(130)은 반사금속층(120)의 테두리 부분을 모두 덮도록 형성되므로, 반사금속층(120)이 외부로 드러나지 않도록 한다. 그에 따라 반사금속층(120)이 노출됨에 따라 반사금속층(120)에 외부의 다른 물질이 확산되어 반사금속층(120)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 5a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 평면도이고, 도 5b는 본 발명의 또 다른 실시예에 다른 발광소자의 라인전극이 배치된 것을 설명하기 위한 도면이다. 그리고 도 6은 도 5a의 절취선 BB'를 따라 취해진 단면도이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자(100)는 발광구조체(110), 금속층(120, 130), 제1 절연층(140), 제2 절연층(140a), 전극층(150), 본딩층(160), 기판(170), 전극패드(180) 및 보호층(190)을 포함한다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자(100)를 설명하면서 필요에 따라 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하되, 일 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서 발광소자(100)는 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 다수의 제2 홈(H2)이 형성되되, 다수의 제2 홈(H2)은 규칙적 또는 불규칙적으로 배치될 수 있다. 그리고 발광소자(100)의 모서리 측에는 두 개의 전극패드(180)가 각각 배치될 수 있다. 발광소자(100)의 일부를 제외한 전체에 반사금속층(120) 및 커버금속층(130)이 덮여 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에서 발광소자(100)의 테두리를 따라 라인 전극(150b)이 형성될 수 있다. 라인 전극(150b)은 전극패드(180)가 형성된 위치를 제외한 발광소자(100)의 테두리 전체를 둘러싸도록 형성된다. 즉, 도 5b에 도시된 평면도에서 두 개의 전극패드(180)가 발광소자(100)의 위쪽 모서리 측에 각각 배치된 상태에서 라인 전극(150b)은 두 개의 전극패드(180) 사이와 발광소자(100)의 다른 테두리를 따라 형성될 수 있다.
그리고 도 5a에 도시된 바와 같이, 전극패드(180)가 형성된 위치를 제외한 전체 영역에서 커버금속층(130)은 반사금속층(120)보다 안쪽에 형성될 수 있다. 즉, 반사금속층(120)이 커버금속층(130)보다 발광소자(100)의 전체 영역에서 넓게 형성됨에 따라 발광소자(100)의 반사효율을 높여 발광소자(100)의 발광효율을 보다 높일 수 있다. 이때, 커버금속층(130)은 전극패드(180)와 제2 도전형 반도체층(115)을 전기적으로 연결시키기 위해 전극패드(180) 하부까지 연장되어 형성될 수 있다.
또한, 라인전극(150b)은 반사금속층(120) 및 커버금속층(130)보다 발광소자(100)의 외측에 형성될 수 있다. 그리고 라인전극(150b)의 외측까지 제1 절연층(140)이 형성됨에 따라 발광소자(100)의 측면을 보호할 수 있다.
상기와 같은 발광소자(100)의 세부 구조에 대해 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6을 참조하면, 기판(170) 상부에 본딩층(160)이 형성되고, 본딩층(160)에 의해 전극층(150)이 기판(170)과 결합된다. 전극층(150) 상부에 제1 절연층(140)이 형성되고, 제1 절연층(140) 상부에 커버금속층(130)과 반사금속층(120)을 포함하는 금속층(120, 130)이 차례로 적층된다. 그리고 반사금속층(120)의 측면에 제2 절연층(140a)이 형성된다. 이때, 제2 절연층(140a)은 반사금속층(120) 및 커버금속층(130)의 전체 두께보다 두껍게 형성될 수 있으며, 이에 대해서는 후술한다.
제2 절연층(140a) 및 반사금속층(120)의 상부에 발광구조체(110)가 배치되고, 발광구조체(110)는 다수의 메사를 포함하고, 다수의 메사 사이에 제2 홈(H2) 및 제3 홈(H3)이 형성된다. 제2 홈(H2) 및 제3 홈(H3)은 제1 절연층(140)를 관통하여 제1 도전형 반도체층(111)이 노출되도록 형성된다. 그리고 전극층(150)이 제2 홈(H2) 및 제3 홈(H3)을 채워 전극층(150)과 제1 도전형 반도체층(111)이 전기적으로 접촉될 수 있다. 이때, 제2 홈(H2) 및 제3 홈(H3)의 측면은 제1 절연층(140)에 의해 덮혀 제2 홈(H2) 및 제3 홈(H3)을 채운 전극층(150)이 다른 층과 전기적으로 절연될 수 있도록 한다.
여기서, 제2 홈(H2)은 도 1에 도시된 바와 같이, 평면 형상이 원형 등과 같은 형상으로 형성되며, 제3 홈(H3)은 평면 형상이 일 방향으로 길이를 갖는 라인 형상으로 형성된다. 그에 따라 제2 홈(H2)을 채운 전극층(150)의 구조와 제3 홈(H3)을 채운 전극층(150)의 구조가 서로 달라진다. 이때, 제2 홈(H2)을 채운 전극층(150)을 제1 전극(150a)이라 하고, 제3 홈(H3)을 채운 전극층(150)을 라인 전극(150b)이라 한다.
제1 전극(150a)은 도 1에 도시된 바와 같이, 발광소자(100)의 전체 면에 걸쳐 부분적으로 다수 개가 분포될 수 있으며, 분포 배치는 규칙적 또는 불규칙적으로 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서 라인 전극(150b)은 발광소자(100)의 테두리를 따라 방향성을 가지는 라인 형상으로 형성되고, 전극패드(180)가 배치되는 발광소자(100)의 모서리 측에만 형성되지 않는다. 물론, 라인 전극(150b)의 형상은 일 방향의 방향성을 갖는 라인 형상이 아닌 곡선의 형상으로 형성될 수도 있고, 전극패드(180)가 형성된 위치에도 필요에 따라 형성될 수도 있다.
상기와 같이, 라인 전극(150b)이 발광소자(100)의 테두리에 형성됨에 따라 발광소자(100)의 전류 스프레딩이 발광소자(100)의 평면 형상의 중앙에 집중되면서 상대적으로 발광소자(100)의 테두리 측의 발광효율이 떨어지는 것을 방지할 수 있다. 즉, 라인 전극(150b)이 발광소자(100)의 테두리를 따라 형성됨에 따라 발광소자(100)의 테두리 측의 발광효율을 높일 수 있다. 그렇기 때문에 발광소자(100)의 전체에서 발광이 균일할 수 있어 발광효율이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에서 라인 전극(150b)은 전극패드(180)가 형성되지 않은 발광소자(100)의 모서리 측에 모서리의 형상을 따라 연속적으로 형성되어 발광소자(100)의 끝단의 발광효율을 높일 수 있다.
그리고 라인 전극(150b)의 외측에는 금속층(120, 130)이 형성되지 않는다. 라인 전극(150b)의 외측은 도 2에서 라인 전극(150b)의 왼쪽이며, 라인 전극(150b)의 외측에는 제1 절연층(140)만 형성된다.
도 6을 참조하면, 제2 홈(H2)을 채운 제1 전극(150a)의 너비(d1)와 제3 홈(H3)을 채운 라인 전극(150b)의 너비(d2)는 동일하지 않고, 라인 전극(150b)의 너비(d2)는 제1 전극(150a)의 너비(d1)보다 얇게 형성된다. 라인 전극(150b)은 발광소자(100)의 테두리 측을 따라 형성되고, 제1 전극(150a)들이 배치된 분포와 별도로 형성된다. 그렇기 때문에 라인 전극(150b)의 너비(d2)를 제1 전극(150a)보다 얇게 형성하여 라인 전극(150b)의 전류 스프레딩이 제1 전극(150a)에서 보다 약하게 이루어지도록 할 수 있다.
또한, 제1 전극(150a)이 제1 도전형 반도체층(111)에 컨택되는 너비(d3)와 라인 전극(150b)이 제1 도전형 반도체층(111)에 컨택되는 너비(d4)도 서로 다르게 형성되며, 라인 전극(150b)이 제1 도전형 반도체층(111)에 컨택되는 너비(d4)가 제1 전극(150a)의 너비(d3)보다 얇게 형성된다.
그리고 일 실시예에서와 같이, 제1 절연층(140)은 제2 홈(H2) 및 제3 홈(H3)이 형성된 위치를 제외한 전체에 형성되고, 제2 절연층(140a)은 반사금속층(120)의 양 측에 각각 형성된다. 이때, 제2 절연층(140a)의 두께(d6)는 반사금속층(120)의 두께(d5)보다 두껍게 형성되며, 반사금속층(120)의 두께(d5)와 반사금속층(120)을 덮는 커버금속층(130)의 두께(d8)를 합친 두께(d5 + d8)보다 두껍게 형성된다. 본 발명의 또 다른 실시예에서 반사금속층(120)의 두께(d5)는 예컨대 약 2200Å의 두께로 형성되고, 커버금속층(130)의 두께(d8)는 약 7000Å의 두께로 형성된다. 그리고 반사금속층(120)의 양측에 형성된 제2 절연층(140a)의 두께(d6)는 약 16000Å의 두께로 형성된다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에서 전극패드(180)는 도 1에 도시된 바와 같이, 발광소자(100)의 모서리 측에 형성된다. 그리고 도 2에 도시된 바와 같이, 전극패드(180)가 배치되는 위치에 발광구조체(110)를 식각하여 제거한 상태에서 전극패드(180)가 형성된다. 전극패드(180)가 설치되는 위치의 수직 구조를 살펴보면, 전극층(150) 상부에 제1 절연층(140)이 형성되고, 제1 절연층(140) 상부에 커버금속층(130)이 형성된다. 그리고 커버금속층(130)의 상부에 제2 절연층(140a)이 형성된다.
이때, 커버금속층(130)은 발광구조체(110)의 하부에 형성된 위치에서 연장되어 동일한 두께(d8)로 형성된다. 그리고 커버금속층(130)의 상부에 형성된 제2 절연층(140a)도 발광구조체(110)의 하부에 형성된 제2 절연층(140a)에서 연장되어 형성되되, 발광구조체(110)의 하부에서의 두께(d6)보다 얇은 두께(d7)를 가지도록 형성된다. 본 발명의 또 다른 실시예에서 발광구조체(110)의 하부에 형성된 제2 절연층(140a)의 두께(d6)는 약 16000Å로 형성되고, 전극패드(180)가 배치되는 위치의 제2 절연층(140a)의 두께(d7)는 약 8000Å로 형성된다.
상기와 같이, 발광구조체(110)의 하부에 배치된 제2 절연층(140a)의 두께(d6)가 전극패드(180)의 하부에 배치된 제2 절연층(140a)의 두께(d7) 보다 두껍게 형성된 것은 제2 도전형 반도체와 전극층(150) 간의 전기적 절연이 잘 이루어지도록 하기 위함이다. 이는 최근 발광소자(100)가 고전류 및 고전압이 인가됨에 따라 발광구조체(110)와 전극층(150) 사이의 절연이 더욱 중요한 요인으로 작용할 수 있다.
또한, 전극패드(180)가 형성된 위치에는 발광구조체(110)가 형성되지 않기 때문에 제2 절연층(140a)의 두께를 발광구조체(110)의 아래에서와 같이 두껍게 형성하지 않아도 된다. 단순히 제2 절연층(140a)의 두께를 두껍게 하는 것은 절연 기능은 높아질 수 있지만, 발광 영역이 위치하는 발광구조체(110)의 두께가 상대적으로 감소할 수 있어, 발광소자(100)의 발광 효율을 감소시키는 역효과가 나올 수 있다.
그리고 커버금속층(130)이 발광구조체(110)의 하부에서 연장되어 전극패드(180)가 형성된 위치까지 연장되어 형성됨에 따라 반사면적이 커지기 때문에 발광소자(100)의 발광효율을 높일 수 있다.
그리고 전극패드(180)는 발광구조체(110)가 제거된 위치에 형성되며, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 절연층(140a)의 일부가 제거되어 전극패드(180)는 커버금속층(130)과 접촉된 상태로 형성된다.
그리고 보호층(190)은 발광구조체(110) 전체를 덮도록 형성되며, 전극패드(180)를 제외한 발광소자(100) 전체에 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 조명 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 조명 장치는, 확산 커버(1010), 발광소자 모듈(1020) 및 바디부(1030)를 포함한다. 바디부(1030)는 발광소자 모듈(1020)을 수용할 수 있고, 확산 커버(1010)는 발광소자 모듈(1020)의 상부를 커버할 수 있도록 바디부(1030) 상에 배치될 수 있다.
바디부(1030)는 발광소자 모듈(1020)을 수용 및 지지하여, 발광소자 모듈(1020)에 전기적 전원을 공급할 수 있는 형태이면 제한되지 않는다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 바디부(1030)는 바디 케이스(1031), 전원 공급 장치(1033), 전원 케이스(1035), 및 전원 접속부(1037)를 포함할 수 있다.
전원 공급 장치(1033)는 전원 케이스(1035) 내에 수용되어 발광소자 모듈(1020)과 전기적으로 연결되며, 적어도 하나의 IC칩을 포함할 수 있다. 상기 IC칩은 발광소자 모듈(1020)로 공급되는 전원의 특성을 조절, 변환 또는 제어할 수 있다. 전원 케이스(1035)는 전원 공급 장치(1033)를 수용하여 지지할 수 있고, 전원 공급 장치(1033)가 그 내부에 고정된 전원 케이스(1035)는 바디 케이스(1031)의 내부에 위치할 수 있다. 전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035)의 하단에 배치되어, 전원 케이스(1035)와 결속될 수 있다. 이에 따라, 전원 접속부(115)는 전원 케이스(1035) 내부의 전원 공급 장치(1033)와 전기적으로 연결되어, 외부 전원이 전원 공급 장치(1033)에 공급될 수 있는 통로 역할을 할 수 있다.
발광소자 모듈(1020)은 기판(1023) 및 기판(1023) 상에 배치된 발광소자(1021)를 포함한다. 발광소자 모듈(1020)은 바디 케이스(1031) 상부에 마련되어 전원 공급 장치(1033)에 전기적으로 연결될 수 있다.
기판(1023)은 발광소자(1021)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예를 들어, 배선을 포함하는 인쇄회로기판일 수 있다. 기판(1023)은 바디 케이스(1031)에 안정적으로 고정될 수 있도록, 바디 케이스(1031) 상부의 고정부에 대응하는 형태를 가질 수 있다. 발광소자(1021)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
확산 커버(1010)는 발광소자(1021) 상에 배치되되, 바디 케이스(1031)에 고정되어 발광소자(1021)를 커버할 수 있다. 확산 커버(1010)는 투광성 재질을 가질 수 있으며, 확산 커버(1010)의 형태 및 광 투과성을 조절하여 조명 장치의 지향 특성을 조절할 수 있다. 따라서 확산 커버(1010)는 조명 장치의 이용 목적 및 적용 태양에 따라 다양한 형태로 변형될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
본 실시예의 디스플레이 장치는 표시패널(2110), 표시패널(2110)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU1) 및, 상기 표시패널(2110)의 하부 가장자리를 지지하는 패널 가이드(2100)를 포함한다.
표시패널(2110)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(2110)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB(2112, 2113)는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다.
백라이트 유닛(BLU1)은 적어도 하나의 기판(2150) 및 복수의 발광소자(2160)를 포함하는 광원 모듈을 포함한다. 나아가, 백라이트 유닛(BLU1)은 바텀커버(2180), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 더 포함할 수 있다.
바텀커버(2180)는 상부로 개구되어, 기판(2150), 발광소자(2160), 반사 시트(2170), 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 수납할 수 있다. 또한, 바텀커버(2180)는 패널 가이드(2100)와 결합될 수 있다. 기판(2150)은 반사 시트(2170)의 하부에 위치하여, 반사 시트(2170)에 둘러싸인 형태로 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 반사 물질이 표면에 코팅된 경우에는 반사 시트(2170) 상에 위치할 수도 있다. 또한, 기판(2150)은 복수로 형성되어, 복수의 기판(2150)들이 나란히 배치된 형태로 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 단일의 기판(2150)으로 형성될 수도 있다.
발광소자(2160)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 발광소자(2160)들은 기판(2150) 상에 일정한 패턴으로 규칙적으로 배열될 수 있다. 또한, 각각의 발광소자(2160) 상에는 렌즈(2210)가 배치되어, 복수의 발광소자(2160)들로부터 방출되는 광을 균일성을 향상시킬 수 있다.
확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)은 발광소자(2160) 상에 위치한다. 발광소자(2160)로부터 방출된 광은 확산 플레이트(2131) 및 광학 시트들(2130)을 거쳐 면 광원 형태로 표시패널(2110)로 공급될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자는 본 실시예와 같은 직하형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
도 9는 일 실시예에 따른 발광소자를 디스플레이 장치에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 구비된 디스플레이 장치는 영상이 디스플레이되는 표시패널(3210), 표시패널(3210)의 배면에 배치되어 광을 조사하는 백라이트 유닛(BLU2)을 포함한다. 나아가, 상기 디스플레이 장치는, 표시패널(3210)을 지지하고 백라이트 유닛(BLU2)이 수납되는 프레임(240) 및 상기 표시패널(3210)을 감싸는 커버(3240, 3280)를 포함한다.
표시패널(3210)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 액정층을 포함하는 액정표시패널일 수 있다. 표시패널(3210)의 가장자리에는 상기 게이트 라인으로 구동신호를 공급하는 게이트 구동 PCB가 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 구동 PCB는 별도의 PCB에 구성되지 않고, 박막 트랜지스터 기판상에 형성될 수도 있다. 표시패널(3210)은 그 상하부에 위치하는 커버(3240, 3280)에 의해 고정되며, 하부에 위치하는 커버(3280)는 백라이트 유닛(BLU2)과 결속될 수 있다.
표시패널(3210)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(BLU2)은 상면의 일부가 개구된 하부 커버(3270), 하부 커버(3270)의 내부 일 측에 배치된 광원 모듈 및 상기 광원 모듈과 나란하게 위치되어 점광을 면광으로 변환하는 도광판(3250)을 포함한다. 또한, 본 실시예의 백라이트 유닛(BLU2)은 도광판(3250) 상에 위치되어 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들(3230), 도광판(3250)의 하부에 배치되어 도광판(3250)의 하부방향으로 진행하는 광을 표시패널(3210) 방향으로 반사시키는 반사시트(3260)를 더 포함할 수 있다.
광원 모듈은 기판(3220) 및 상기 기판(3220)의 일면에 일정 간격으로 이격되어 배치된 복수의 발광소자(3110)를 포함한다. 기판(3220)은 발광소자(3110)를 지지하고 발광소자(3110)에 전기적으로 연결된 것이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판일 수 있다. 발광소자(3110)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자를 적어도 하나 포함할 수 있다. 광원 모듈로부터 방출된 광은 도광판(3250)으로 입사되어 광학 시트들(3230)을 통해 표시패널(3210)로 공급된다. 도광판(3250) 및 광학 시트들(3230)을 통해, 발광소자(3110)들로부터 방출된 점 광원이 면 광원으로 변형될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자는 본 실시예와 같은 에지형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 헤드 램프에 적용한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10을 참조하면, 상기 헤드 램프는, 램프 바디(4070), 기판(4020), 발광소자(4010) 및 커버 렌즈(4050)를 포함한다. 나아가, 상기 헤드 램프는, 방열부(4030), 지지랙(4060) 및 연결 부재(4040)를 더 포함할 수 있다.
기판(4020)은 지지랙(4060)에 의해 고정되어 램프 바디(4070) 상에 이격 배치된다. 기판(4020)은 발광소자(4010)를 지지할 수 있는 기판이면 제한되지 않으며, 예컨대, 인쇄회로기판과 같은 도전 패턴을 갖는 기판일 수 있다. 발광소자(4010)는 기판(4020) 상에 위치하며, 기판(4020)에 의해 지지 및 고정될 수 있다. 또한, 기판(4020)의 도전 패턴을 통해 발광소자(4010)는 외부의 전원과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광소자(4010)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자를 적어도 하나 포함할 수 있다.
커버 렌즈(4050)는 발광소자(4010)로부터 방출되는 광이 이동하는 경로 상에 위치한다. 예컨대, 도시된 바와 같이, 커버 렌즈(4050)는 연결 부재(4040)에 의해 발광소자(4010)로부터 이격되어 배치될 수 있고, 발광소자(4010)로부터 방출된 광을 제공하고자하는 방향에 배치될 수 있다. 커버 렌즈(4050)에 의해 헤드 램프로부터 외부로 방출되는 광의 지향각 및/또는 색상이 조절될 수 있다. 한편, 연결 부재(4040)는 커버 렌즈(4050)를 기판(4020)과 고정시킴과 아울러, 발광소자(4010)를 둘러싸도록 배치되어 발광 경로(4045)를 제공하는 광 가이드 역할을 할 수도 있다. 이때, 연결 부재(4040)는 광 반사성 물질로 형성되거나, 광 반사성 물질로 코팅될 수 있다. 한편, 방열부(4030)는 방열핀(4031) 및/또는 방열팬(4033)을 포함할 수 있고, 발광소자(4010) 구동 시 발생하는 열을 외부로 방출시킨다.
이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자는 본 실시예와 같은 헤드 램프, 특히, 차량용 헤드 램프에 적용될 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
100: 발광소자
110: 발광구조체 111: 제1 도전형 반도체층
111a: 패드설치부 113: 활성층
115: 제2 도전형 반도체층 120: 반사금속층
130: 커버금속층 140: 제1 절연층
140a: 제2 절연층 150: 전극층
150a: 제1 전극 150b: 라인 전극
160: 본딩층 170: 기판
180: 전극패드 190: 보호층
H1: 제1 홈 H2: 제2 홈
H3: 제3 홈 R: 러프니스

Claims (16)

  1. 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상부에 위치하는 제1 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층이 노출되도록 상기 활성층과 제2 도전형 반도체층을 관통하는 제2 홈이 형성된 발광구조체;
    상기 발광구조체의 아래에 위치하고, 상기 발광구조체의 일부와 접촉된 반사금속층;
    상기 반사금속층 아래에 위치하며, 상기 반사금속층의 적어도 일부와 접촉된 커버금속층;
    상기 커버금속층 아래에 위치하고, 상기 반사금속층과 커버금속층을 덮는 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 아래에 위치하며, 상기 제1 절연층을 덮도록 형성되고, 상기 제2 홈을 채우는 전극층; 및
    상기 발광구조체의 상부에 형성된 전극패드를 포함하고,
    상기 발광구조체는 상기 커버금속층이 형성된 위치의 상부에 제1 홈이 형성되며,
    상기 전극패드는 상기 커버금속층 상부에 위치한 발광구조체 상부에 형성된 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광구조체는 상기 제1 홈에 의해 패드설치부가 상기 발광구조체에서 분리 형성되며,
    상기 커버금속층은 상기 발광구조체 전체와 패드설치부 일부 영역의 아래에 배치된 발광소자.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 커버금속층은 상기 발광구조체 및 패드설치부의 테두리를 따라 형성된 발광소자.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 커버금속층은 상기 반사금속층의 테두리를 덮도록 형성된 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 전극층은 상기 제2 홈을 채워 상기 제1 도전형 반도체층과 오믹 접촉된 발광소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사금속층은 상기 제1 홈이 형성되지 않은 상기 제1 절연층 상부에 위치하는 발광소자.
  7. 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상부에 위치하는 제1 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광구조에 메사 구조를 형성하는 단계;
    상기 메사 구조가 형성된 발광구조체의 일부 영역에 반사금속층을 형성하는 단계;
    상기 반사금속층의 일부를 덮도록 커버금속층을 형성하는 단계;
    상기 반사금속층 및 커버금속층을 덮도록 제1 절연층을 형성하는 단계;
    상기 발광구조체의 제1 도전형 반도체층이 노출되도록 상기 제1 절연층 및 발광구조체에 형성된 제2 홈을 채우면서 상기 제1 절연층을 덮도록 전극층을 형성하는 단계;
    상기 발광구조체의 메사 구조가 형성되지 않은 면에 상기 발광구조체의 일부를 제거하여 제1 홈을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 홈에 의해 상기 발광구조체에서 분리된 패드설치부의 상부면에 전극패드를 형성하는 단계를 포함하는 발광소자 제조 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 전극패드는 상기 커버금속층이 형성된 위치의 상부에 형성되는 발광소자 제조 방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 커버금속층은 상기 발광구조체의 테두리를 따라 형성되는 발광소자 제조 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 커버금속층은 상기 반사금속층의 데두리를 덮도록 형성된 발광소자 제조 방법.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 전극층은 상기 제2 홈을 채워 상기 제1 도전형 반도체층과 오믹 접촉되는 발광소자 제조 방법.
  12. 청구항 7에 있어서,
    상기 반사금속층은 상기 제2 홈이 형성되지 않은 상기 제1 절연층 상부에 위치하는 발광소자 제조 방법.
  13. 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상부에 위치하는 제1 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층이 노출되도록 상기 활성층과 제2 도전형 반도체층을 관통하는 제1 홈 및 제2 홈이 형성된 발광구조체;
    상기 발광구조체의 아래에 위치하고, 상기 발광구조체의 일부를 덮도록 형성된 금속층;
    상기 금속층의 아래에 형성되며, 상기 금속층을 덮도록 형성된 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 아래에 위치하고, 상기 제1 절연층을 덮도록 형성되고, 상기 제1 홈 및 제2 홈을 채우는 전극층; 및
    상기 금속층과 전기적으로 연결된 전극패드를 포함하고,
    상기 제2 홈을 채운 전극층은 라인전극이며,
    상기 라인전극은 상기 발광구조체의 평면 형상에서 가장자리를 따라 일 방향의 방향성을 갖도록 형성된 발광소자.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 홈을 채운 전극층은 제1 전극이고,
    상기 라인전극의 너비(width)는 상기 제1 전극의 너비보다 얇게 형성된 발광소자.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 금속층은 상기 발광구조체의 평면 형상에서 상기 라인전극의 내측에 형성된 발광소자.
  16. 청구항 13에 있어서,
    상기 라인전극은 상기 전극패드가 형성되지 않은 상기 발광구조체의 하부에 형성된 발광소자.
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DE (1) DE112015004410T5 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018048275A1 (ko) * 2016-09-10 2018-03-15 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
US10593838B2 (en) 2017-08-14 2020-03-17 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device
WO2020241993A1 (ko) * 2019-05-30 2020-12-03 서울바이오시스주식회사 수직형 발광 다이오드
US10910519B2 (en) 2016-09-13 2021-02-02 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device having layers including aluminum and semiconductor device package including same
WO2021242039A1 (ko) * 2020-05-28 2021-12-02 서울바이오시스주식회사 발광 소자 및 그것을 갖는 디스플레이 장치

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017125105A1 (de) * 2017-10-26 2019-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
KR102513082B1 (ko) * 2017-12-19 2023-03-23 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
CN115621387A (zh) * 2017-12-22 2023-01-17 首尔伟傲世有限公司 发光二极管
KR102468815B1 (ko) * 2018-04-04 2022-11-18 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
CN115552618B (zh) * 2021-04-30 2025-03-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板和显示装置

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4223336A (en) * 1978-03-14 1980-09-16 Microwave Semiconductor Corp. Low resistivity ohmic contacts for compound semiconductor devices
US7679097B2 (en) * 2004-10-21 2010-03-16 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
WO2007032638A1 (en) * 2005-09-15 2007-03-22 Epiplus Co., Ltd Arrangement of electrodes for light emitting device
EP1843194A1 (en) * 2006-04-06 2007-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
TWI831616B (zh) * 2006-09-29 2024-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US7842963B2 (en) * 2006-10-18 2010-11-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrical contacts for a semiconductor light emitting apparatus
KR100936810B1 (ko) * 2007-05-23 2010-01-14 삼성전자주식회사 멀티 비트 전기 기계적 메모리 소자 및 그의 제조방법
JP5123573B2 (ja) * 2007-06-13 2013-01-23 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
KR100882978B1 (ko) * 2007-08-30 2009-02-12 주식회사 동부하이텍 엘씨디 구동 칩 및 그 제조방법
KR100932333B1 (ko) * 2007-11-29 2009-12-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 하드 마스크 패턴 및 그 형성 방법
JP5123269B2 (ja) * 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
US8008683B2 (en) * 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
TWI422063B (zh) * 2008-11-14 2014-01-01 Samsung Electronics Co Ltd 半導體發光裝置
KR101106151B1 (ko) * 2009-12-31 2012-01-20 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
WO2011083923A2 (en) * 2010-01-07 2011-07-14 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having electrode pads
JP5725927B2 (ja) 2010-05-18 2015-05-27 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 高効率発光ダイオード及びその製造方法
JP2012054525A (ja) * 2010-08-04 2012-03-15 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP5633477B2 (ja) * 2010-08-27 2014-12-03 豊田合成株式会社 発光素子
KR20120026879A (ko) * 2010-09-10 2012-03-20 콘티넨탈 오토모티브 시스템 주식회사 차량의 긴급 제동 경보 장치 및 방법
US8558960B2 (en) * 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101769048B1 (ko) 2010-12-22 2017-08-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 조명 장치
TWI532214B (zh) * 2010-10-12 2016-05-01 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光元件及其封裝
DE102011011140A1 (de) * 2011-02-14 2012-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
TWI488331B (zh) * 2011-03-23 2015-06-11 Epistar Corp 發光二極體陣列
JP4989773B1 (ja) * 2011-05-16 2012-08-01 株式会社東芝 半導体発光素子
KR101860973B1 (ko) * 2011-05-25 2018-05-24 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 반도체 칩
DE102011112000B4 (de) * 2011-08-31 2023-11-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtdiodenchip
CN103094274B (zh) * 2011-11-01 2016-02-10 三星电子株式会社 半导体发光装置
US20140339566A1 (en) * 2011-12-14 2014-11-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
DE102011056888A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
JP5953155B2 (ja) 2012-02-24 2016-07-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR20130104612A (ko) * 2012-03-14 2013-09-25 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
WO2013187723A1 (ko) * 2012-06-14 2013-12-19 An Sang Jeong 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
KR101956084B1 (ko) * 2012-08-07 2019-03-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101978968B1 (ko) * 2012-08-14 2019-05-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 발광장치
US8946762B2 (en) * 2012-08-20 2015-02-03 Electronics And Telecommunications Research Institute Light emitting diode and light emitting diode package
KR101565122B1 (ko) 2012-11-05 2015-11-02 일진엘이디(주) 열전도성 기판을 갖는 단일칩 반도체 발광소자
KR101769072B1 (ko) 2012-12-11 2017-08-18 서울바이오시스 주식회사 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR20140078977A (ko) * 2012-12-18 2014-06-26 서울바이오시스 주식회사 고효율 발광 다이오드
JP6024506B2 (ja) * 2013-02-18 2016-11-16 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ 族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR101504331B1 (ko) * 2013-03-04 2015-03-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
CN103346218B (zh) * 2013-07-09 2016-03-23 佛山市国星半导体技术有限公司 一种led芯片及其制作方法
JP2015173177A (ja) * 2014-03-11 2015-10-01 株式会社東芝 半導体発光素子
JP6299336B2 (ja) * 2014-03-28 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 発光素子及びそれを用いた発光装置
KR102187487B1 (ko) * 2014-04-03 2020-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 조명 장치
TWI625868B (zh) * 2014-07-03 2018-06-01 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
DE102014112562A1 (de) * 2014-09-01 2016-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102014116512A1 (de) * 2014-11-12 2016-05-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Vorrichtung mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
US9412907B1 (en) * 2015-04-17 2016-08-09 Cree, Inc. Graded vias for LED chip P- and N- contacts

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018048275A1 (ko) * 2016-09-10 2018-03-15 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
US11569416B2 (en) 2016-09-10 2023-01-31 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light emitting semiconductor device
US11961943B2 (en) 2016-09-10 2024-04-16 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light emitting semiconductor device for enhancing light extraction efficiency
US10910519B2 (en) 2016-09-13 2021-02-02 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device having layers including aluminum and semiconductor device package including same
US10593838B2 (en) 2017-08-14 2020-03-17 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device
WO2020241993A1 (ko) * 2019-05-30 2020-12-03 서울바이오시스주식회사 수직형 발광 다이오드
US12080828B2 (en) 2019-05-30 2024-09-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Vertical light-emitting diode
WO2021242039A1 (ko) * 2020-05-28 2021-12-02 서울바이오시스주식회사 발광 소자 및 그것을 갖는 디스플레이 장치
US12040344B2 (en) 2020-05-28 2024-07-16 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device and display apparatus having the same

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