KR20150123179A - Resin composition for insulating layer of printed wiring board - Google Patents
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Abstract
[과제] 양호한 분산 안정성과 적당한 용융 점도를 나타내는 동시에, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있는, 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물을 제공한다.
[해결수단] 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물로서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고, 수학식: A = SRρ/6[여기서, S는 무기 충전재의 비표면적(㎡/g)이고, R은 무기 충전재의 평균 입자 직경(㎛)이고, ρ는 무기 충전재의 밀도(g/㎤)이다.]으로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 A가 20≤6A≤40을 충족시키는, 수지 조성물. [PROBLEMS] To provide a resin composition for an insulating layer of a printed wiring board which exhibits good dispersion stability and an appropriate melt viscosity, and which can suppress warping in a component mounting step.
[MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A resin composition for an insulating layer of a printed wiring board, wherein the content of the inorganic filler is 40 to 75% by volume and the formula: A = SRρ / 6, where 100% by volume of the non- S is the specific surface area (m 2 / g) of the inorganic filler, R is the average particle diameter (탆) of the inorganic filler and ρ is the density (g / Satisfies 20? 6A? 40.
Description
본 발명은, 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a resin composition for an insulating layer of a printed wiring board.
프린트 배선판의 제조 기술로서는, 내층 기판에 절연층과 도체층을 교대로 적층하는 빌드업 방식에 의한 제조 방법이 알려져 있다. 빌드업 방식에 의한 제조 방법에 있어서, 절연층은, 예를 들면, 수지 조성물층을 포함하는 접착 필름 등을 사용하여 수지 조성물층을 내층 기판에 적층하고, 수지 조성물층을 경화시킴으로써 형성된다. 절연층의 형성에 사용되는 수지 조성물은, 수득되는 절연층의 열팽창율을 저하시켜, 절연층과 도체층의 열팽창의 차이에 의한 크랙이나 회로 변형의 발생을 방지하는 관점에서, 일반적으로, 무기 충전재를 함유한다. 당해 무기 충전재로서는, 구상의 무기 충전재가 적합하게 사용된다(특허문헌 1). As a manufacturing technique of a printed wiring board, a manufacturing method by a build-up method in which an insulating layer and a conductor layer are alternately laminated on an inner layer substrate is known. In the manufacturing method according to the build-up method, the insulating layer is formed by laminating a resin composition layer on an inner layer substrate using, for example, an adhesive film containing a resin composition layer, and curing the resin composition layer. From the viewpoint of reducing the coefficient of thermal expansion of the obtained insulating layer and preventing the occurrence of cracks and circuit deformation due to the difference in thermal expansion between the insulating layer and the conductor layer, the resin composition used for forming the insulating layer generally has, Lt; / RTI > As the inorganic filler, a spherical inorganic filler is suitably used (Patent Document 1).
최근 납 함유 땜납에서 납 프리 땜납으로 대체됨에 따라, 부품의 실장 공정에 있어서의 땜납 리플로우 온도는 상승하고 있다. 또한 최근, 전자 기기의 소형화를 달성하기 위해, 프린트 배선판의 한층 박형화가 진행되고 있다. In recent years, the solder reflow temperature in the mounting process of parts has been rising as the lead-free solder is replaced by lead-free solder. In addition, in recent years, in order to achieve miniaturization of electronic devices, printed wiring boards have been further thinned.
프린트 배선판의 박형화가 진행됨에 따라, 부품의 실장 공정에 있어서 프린트 배선판에 휘어짐이 발생하여, 회로 변형이나 부품의 접촉 불량 등의 문제가 발생하는 경우가 있다. 본 발명자들은 구상의 무기 충전재 대신 파쇄상의 무기 충전재를 사용함으로써, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있는 것을 밝혀내었다. 그러나, 파쇄상의 무기 충전재를 함유하는 수지 조성물은, 분산 안정성이 떨어지는 동시에, 높은 용융 점도로 귀착되기 쉬워 적층 불량을 초래하는 경우가 있다. As the printed wiring board is made thinner, warping occurs in the printed wiring board in the process of mounting the components, and problems such as circuit deformation and poor contact of components may occur. The inventors of the present invention have found that use of a crushing inorganic filler in place of a spherical inorganic filler makes it possible to suppress warping in a component mounting process. However, the resin composition containing the inorganic filler on the fracture tends to have a low dispersion stability and a high melt viscosity, resulting in poor lamination.
본 발명의 과제는, 양호한 분산 안정성과 적당한 용융 점도를 나타내는 동시에, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있는, 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물을 제공하는 것에 있다. An object of the present invention is to provide a resin composition for an insulating layer of a printed wiring board which exhibits good dispersion stability and an appropriate melt viscosity and can suppress warping in a component mounting process.
본 발명자들은, 상기의 과제에 관해서 예의 검토한 결과, 특정한 형상을 갖는 무기 충전재를 소정량 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 밝혀내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. The inventors of the present invention have conducted intensive studies on the above problems, and as a result, they have found that the above problems can be solved by using a predetermined amount of an inorganic filler having a specific shape, and have completed the present invention.
즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다. That is, the present invention includes the following contents.
[1] 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물로서,[1] A resin composition for an insulating layer of a printed wiring board,
수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고,Wherein the content of the inorganic filler in the resin composition is 40 to 75% by volume,
수학식: A = SRρ/6[여기서, S는 무기 충전재의 비표면적(㎡/g)이고, R은 무기 충전재의 평균 입자 직경(㎛)이고, ρ는 무기 충전재의 밀도(g/㎤)이다]으로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 A가 20≤6A≤40을 충족시키는, 수지 조성물. Wherein S is the specific surface area (m 2 / g) of the inorganic filler, R is the average particle diameter (탆) of the inorganic filler and ρ is the density (g / cm 3) of the inorganic filler Wherein the shape parameter A of the inorganic filler satisfies 20? 6A? 40.
[2] 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물로서,[2] A resin composition for an insulating layer of a printed wiring board,
수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고, Wherein the content of the inorganic filler in the resin composition is 40 to 75% by volume,
수학식: B = Lc/L[여기서, L은 소정의 단면에서의 무기 충전재의 주위 길이(周圍長)(㎛)이고, Lc는 상기 단면에서의 무기 충전재의 단면적과 등면적(等面積)의 진원(眞圓)의 주위 길이(㎛)이다.]로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 B의 평균값이 0.8 이상 0.9 이하인, 수지 조성물. Where L is the peripheral length (mu m) of the inorganic filler in a predetermined cross-section, Lc is the cross-sectional area of the inorganic filler in the cross section, Wherein the average value of the shape parameter B of the inorganic filler represented by the following formula is a peripheral length (탆) of a true circle of 0.8 or more and 0.9 or less.
[3] 무기 충전재의 평균 결정자(結晶子) 직경이 1800Å 이하인, [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물. [3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the average crystallite diameter of the inorganic filler is 1800 Å or less.
[4] 무기 충전재의 비표면적이 3 내지 10㎡/g인, [1] 내지 [3] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the inorganic filler has a specific surface area of 3 to 10 m 2 / g.
[5] 무기 충전재의 평균 입자 직경이 4㎛ 이하인, [1] 내지 [4] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [5] The resin composition according to any one of [1] to [4], wherein the inorganic filler has an average particle diameter of 4 μm or less.
[6] 무기 충전재의 평균 입자 직경이 3㎛ 이하인, [1] 내지 [5] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the inorganic filler has an average particle diameter of 3 μm or less.
[7] 무기 충전재가, 평균 결정자 직경 1800Å 이하의 미결정(微結晶) 입자의 송이상(房狀) 응집물을 분산시켜 수득되고, 당해 송이상 응집물의 최대 입자 직경이 20㎛ 이하인, [1] 내지 [6] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [7] The method according to any one of [1] to [6], wherein the inorganic filler is obtained by dispersing monolithic aggregates of microcrystalline particles having an average crystallite diameter of 1800 Å or less and the maximum particle diameter of the monolith aggregates is 20 탆 or less. [6] The resin composition according to any one of [1] to [6].
[8] 무기 충전재가 결정성 무기 충전재를 함유하고, 당해 결정성 무기 충전재의 함유량이, 무기 충전재 전체를 100질량%로 했을 때, 50질량% 이상인, [1] 내지 [7] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [8] The method for producing a magnetic recording medium according to any one of [1] to [7], wherein the inorganic filler contains a crystalline inorganic filler and the content of the crystalline inorganic filler is 50% by mass or more based on 100% ≪ / RTI >
[9] 결정성 무기 충전재가 결정 실리카인, [8]에 기재된 수지 조성물. [9] The resin composition according to [8], wherein the crystalline inorganic filler is crystalline silica.
[10] 또한 에폭시 수지 및 경화제를 함유하는, [1] 내지 [9] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [10] The resin composition according to any one of [1] to [9], further comprising an epoxy resin and a curing agent.
[11] 층간 절연층용 수지 조성물인, [1] 내지 [10] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물. [11] The resin composition according to any one of [1] to [10], which is a resin composition for an interlayer insulating layer.
[12] [1] 내지 [11] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층을 포함하는, 시트상 적층 재료. [12] A sheet-stacked material comprising a resin composition layer formed from the resin composition according to any one of [1] to [11].
[13] [1] 내지 [11] 중의 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는, 프린트 배선판. [13] A printed wiring board comprising an insulating layer formed by a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [11].
[14] [13]에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.[14] A semiconductor device comprising the printed wiring board according to [13].
본 발명에 의하면, 양호한 분산 안정성과 적당한 용융 점도를 나타내는 동시에, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있는, 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물을 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a resin composition for an insulating layer of a printed wiring board, which exhibits good dispersion stability and an appropriate melt viscosity, and which can suppress warping in a component mounting step.
[프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물][Resin composition for insulating layer of printed wiring board]
본 발명의 프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물(이하, 단순히「본 발명의 수지 조성물」이라고도 한다.)은, 종래 공지의 구상의 무기 충전재, 파쇄상의 무기 충전재와는 상이한 형상을 갖는 무기 충전재를 소정량 함유하는 것을 특징으로 한다. The resin composition for insulating layer of the printed wiring board of the present invention (hereinafter, simply referred to as " resin composition of the present invention ") may be prepared by mixing conventionally known spherical inorganic fillers, inorganic fillers having a shape different from that of crushed- .
본 발명에서 사용하는 무기 충전재는, 구상의 무기 충전재와는 달리, 각진 형상을 가진다. 이 점, 파쇄상의 무기 충전재는 날카롭게 각진 형상을 가지고 있으며, 본 발명에서 사용하는 무기 충전재는 약간 둥그스름한 점에서, 파쇄상의 무기 충전재와도 상이한 형상을 가진다. Unlike the spherical inorganic filler, the inorganic filler used in the present invention has an angular shape. In this respect, the inorganic filler on the fracture has a sharp angled shape, and the inorganic filler used in the present invention has a shape that is different from that of the crushing inorganic filler in that it is somewhat rounded.
평면으로의 투영 형상에 있어서 비교하면, 각이 명확하게 인식되지 않는 구상의 무기 충전재와는 달리, 본 발명에서 사용하는 무기 충전재는, 명확하게 각을 인식할 수 있다. 여기서, 「평면으로의 투영 형상에 있어서 각을 인식할 수 있다」란, 평면으로의 투영 형상에 있어서, 어느 직선 또는 대략 직선과, 당해 직선 또는 대략 직선과 일정한 각도(θ)(투영 형상 내측의 각도)를 가지고 접하는 직선 또는 대략 직선을 인식할 수 있는 것을 말한다. 그리고 본 발명에서 사용하는 무기 충전재에 관해서는, 당해 각도(θ)의 평균값이, 파쇄상의 무기 충전재에 비해 크다. 예를 들면, 본 발명에서 사용하는 무기 충전재는, 파쇄상의 무기 충전재에 비해, 당해 각도(θ)의 평균값이 바람직하게는 5°, 보다 바람직하게는 7.5°, 더욱 바람직하게는 10°, 12.5°, 15°, 17.5°, 또는 20° 크다. Unlike the spherical inorganic filler in which the angle is not clearly recognized, the inorganic filler used in the present invention can clearly recognize the angle when compared with the projected shape on the plane. Here, " an angle can be recognized in a projection shape in a plane " means that, in a projected shape in a plane, a certain straight line or a substantially straight line and a straight line or a substantially straight line Angle), which is capable of recognizing a straight line or an approximate straight line. With respect to the inorganic filler used in the present invention, the average value of the angle? Is larger than that of the inorganic filler on the fracture surface. For example, the inorganic filler used in the present invention is preferably such that the average value of the angle? Is preferably 5 °, more preferably 7.5 °, more preferably 10 °, 12.5 ° , 15 [deg.], 17.5 [deg.], Or 20 [deg.].
이하, 본 발명에서 사용하는 무기 충전재의 형상을 2개의 형상 파라미터, 즉 형상 파라미터 A 및 형상 파라미터 B를 사용하여 설명한다. 또한, 형상 파라미터 A 및 형상 파라미터 B는, 3차원적 어프로치에 의해 도출된 파라미터인지 2차원적 어프로치에 의해 도출된 파라미터인지의 차이는 있지만, 어느 쪽도 무기 충전재의 형상에 관해서, 진구(眞球)로부터의 변형 정도를 나타내는 파라미터이다. Hereinafter, the shape of the inorganic filler used in the present invention will be described using two shape parameters, that is, a shape parameter A and a shape parameter B. In addition, the shape parameter A and the shape parameter B differ from each other depending on whether the parameter is derived from a three-dimensional approach or a two-dimensional approach. However, in both cases, In the case of the second embodiment.
<형상 파라미터 A><Configuration parameter A>
형상 파라미터 A는, 하기의 수학식 1로 표시된다. The shape parameter A is expressed by the following equation (1).
[수학식 1][Equation 1]
A=SRρ/6A = SR? / 6
상기 수학식 1에 있어서, In Equation (1) above,
S는 무기 충전재의 비표면적(㎡/g)이고,S is the specific surface area (m 2 / g) of the inorganic filler,
R은 무기 충전재의 평균 입자 직경(㎛)이고,R is the average particle diameter (mu m) of the inorganic filler,
ρ는 무기 충전재의 밀도(g/㎤)이다.and rho is the density (g / cm < 3 >) of the inorganic filler.
복수의 진구가 존재하는 계(이하, 「진구 모델계」라고도 한다.)를 고려한다. 이들 진구의 평균 입자 직경(직경)이 R일 때, 진구 모델계 내에 존재하는 복수의 진구의 평균 표면적은 πR2로 표시되고, 평균 체적은 πR3/6으로 표시된다. 또한, 진구의 밀도가 ρ일 때, 진구 모델계 내에 존재하는 복수의 진구의 평균 질량은 πρR3/6으로 표시된다. (Hereinafter, also referred to as " jingu model system ") in which a plurality of jinguids exist. The average particle size (diameter) of the average surface area of the plurality of sphericity present in, Jingu modelgye when the R of sphericity thereof is represented by πR 2, an average volume is represented by the πR 3/6. In addition, when the density ρ of the sphericity, the average mass of the plurality of sphericity present in modelgye sphericity is represented by πρR 3/6.
다음에, 진구 모델계와 평균 체적 및 밀도가 동일한 무기 충전재의 계를 고려한다. 동일 체적의 물체에 있어서 진구가 가장 작은 표면적을 갖는다는 사실에 기초하면, 이러한 무기 충전재의 계에 존재하는 복수의 무기 충전재의 평균 표면적은, AπR2로 표시할 수 있다. 여기서, A는 무기 충전재의 형상 파라미터이고, 이의 하한은 1(무기 충전재가 진구인 경우)이다. 또한, 진구 모델계와 평균 체적 및 밀도가 동일하다는 조건에 기초하면, 무기 충전재의 계내에 존재하는 복수의 무기 충전재의 평균 질량은 πρR3/6으로 표시할 수 있다. 그리고, 무기 충전재의 계에 있어서, 무기 충전재의 비표면적(S)은, [무기 충전재의 계내에 존재하는 복수의 무기 충전재의 평균 표면적(AπR2)]/[무기 충전재의 계내에 존재하는 복수의 무기 충전재의 평균 질량(πρR3/6)]으로 표시할 수 있고, 이것은 6A/(Rρ)가 된다. 즉, S = 6A/(Rρ)의 관계식이 성립하고, 당해 수학식을 파라미터 A에 관해서 변형하면, 상기 수학식 1이 수득된다. Next, a system of an inorganic filler having the same average volume and density as the sphericity model system is considered. Based on the fact that the sieve has the smallest surface area in an object of the same volume, the average surface area of a plurality of inorganic fillers present in the system of such an inorganic filler can be expressed as AπR 2 . Here, A is a shape parameter of the inorganic filler, and the lower limit thereof is 1 (when the inorganic filler is spheric). In addition, Based on modelgye sphericity and average volume, and a density equal to that condition, the average mass of the plurality of the inorganic filler present in the system of the inorganic filler can be represented by πρR 3/6. In the system of the inorganic filler, the specific surface area S of the inorganic filler is defined as the average surface area (AπR 2 ) of the plurality of inorganic fillers existing in the system of the inorganic filler / It can be represented by the average mass of the inorganic filler (πρR 3/6)], which is a 6A / (Rρ). That is, a relation of S = 6A / (Rρ) holds, and when this equation is modified with respect to the parameter A, the above formula (1) is obtained.
본 발명에서 사용하는 무기 충전재는, 상기 수학식 1로 표시되는 형상 파라미터 A가 20≤6A≤40을 충족시키는 것을 특징으로 한다. 형상 파라미터 A의 적합한 범위에 관해서는 후술한다. The inorganic filler used in the present invention is characterized in that the shape parameter A represented by the formula (1) satisfies 20? 6A? 40. A suitable range of the shape parameter A will be described later.
형상 파라미터 A를 수득할 때 필요한 무기 충전재의 비표면적(S)은, BET법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 흡착 점유 면적이 기지의 분자를 액체 질소의 온도로 무기 충전재 시료에 흡착시키고, 이의 흡착량으로부터 무기 충전재 시료의 비표면적을 구할 수 있다. 흡착 점유 면적이 기지의 분자로서는, 질소, 헬륨 등의 불활성 가스가 적합하게 사용된다. 무기 충전재의 비표면적(S)은, 자동 비표면적 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있고, 당해 자동 비표면적 측정 장치로서는, 예를 들면, (주) 마운텍 제조 「Macsorb HM-1210」을 들 수 있다. The specific surface area S of the inorganic filler required for obtaining the shape parameter A can be measured by the BET method. Specifically, the specific surface area of the inorganic filler sample can be determined from the adsorption amount of the inorganic filler sample by adsorbing the known molecules having the adsorption occupied area at the temperature of the liquid nitrogen. An inert gas such as nitrogen or helium is suitably used as a molecule having an adsorption occupying area. The specific surface area S of the inorganic filler can be measured using an automatic specific surface area measuring apparatus. Examples of the automatic specific surface area measuring apparatus include "Macsorb HM-1210" manufactured by Moon Tec Co., have.
또한, 무기 충전재의 평균 입자 직경(R)은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 이의 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치로서는, 예를 들면, (주) 시마즈세사쿠쇼 제조「SALD2200」, (주) 호리바세사쿠쇼 제조 「LA-500」, 「LA-750」,「LA-950」을 들 수 있다. The average particle diameter (R) of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be measured by using a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus, and the median diameter of the inorganic filler is determined as the average particle diameter. The measurement sample can be preferably those in which an inorganic filler is dispersed in water by ultrasonic waves. Examples of the laser diffraction particle size distribution measuring apparatus include "SALD2200" manufactured by Shimadzu Corporation, "LA-500", "LA-750", and "LA-950" manufactured by Horiba Seisakusho Co., .
<형상 파라미터 B>≪ Configuration parameter B &
형상 파라미터 B는, 하기 수학식 2로 표시된다. The shape parameter B is expressed by the following equation (2).
[수학식 2]&Quot; (2) "
B = Lc/LB = Lc / L
상기 수학식 2에 있어서,In Equation (2) above,
L은 소정의 단면에서의 무기 충전재의 주위 길이(㎛)이고,L is a circumferential length (mu m) of the inorganic filler at a predetermined cross section,
Lc는 상기 단면에서의 무기 충전재의 단면적과 등면적의 진원의 주위 길이(㎛)이다. Lc is the cross-sectional area of the inorganic filler in the cross-section and the circumferential length (탆) of the center of the equal area.
형상 파라미터 B는, 동일 면적의 도형에 있어서 진원이 가장 작은 주위 길이를 갖는다는 사실에 기초하여 도출되는 파라미터이고, 이의 상한은 1(소정의 단면에 있어서 무기 충전재의 단면 형상이 진원인 경우)이다. The shape parameter B is a parameter derived based on the fact that the circle has the smallest circumference in the figure of the same area, and the upper limit thereof is 1 (when the sectional shape of the inorganic filler in the predetermined cross section is a circle) .
형상 파라미터 B는, 무기 충전재의 개개의 입자에 관해서 성립하는 파라미터이고, 무기 충전재를 구성하는 충분한 수의 입자에 관해서 형상 파라미터 B를 구함으로써, 무기 충전재의 형상에 관한 전체적인 특성을 파악하는 것이 가능하다. 본 발명의 일 실시형태에 있어서는, 무기 충전재를 구성하는 충분한 수의 입자에 관해서 형상 파라미터 B를 구하고, 이의 평균값에 의해 무기 충전재의 형상을 특성짓는다. 이러한 실시형태에 있어서, 본 발명에서 사용하는 무기 충전재는, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 평균값이 0.8 이상 0.9 이하인 것을 특징으로 한다. 형상 파라미터 B의 평균값의 적합한 범위에 관해서는 후술한다. The shape parameter B is a parameter that is established with respect to individual particles of the inorganic filler and it is possible to grasp the overall characteristics of the shape of the inorganic filler by obtaining the shape parameter B with respect to a sufficient number of particles constituting the inorganic filler . In one embodiment of the present invention, the shape parameter B is determined for a sufficient number of particles constituting the inorganic filler, and the shape of the inorganic filler is characterized by the average value thereof. In this embodiment, the inorganic filler used in the present invention is characterized in that the average value of the shape parameter B represented by the formula (2) is 0.8 or more and 0.9 or less. A suitable range of the average value of the shape parameter B will be described later.
또는, 무기 충전재를 구성하는 충분한 수의 입자에 관해서 형상 파라미터 B를 구하고, 수득된 형상 파라미터 B의 값에 기초하여, 무기 충전재를 구성하는 입자의 형상 분포를 파악하는 것도 가능하다. 본 발명에서 사용하는 무기 충전재에 있어서, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 값이 0.8 미만인 입자의 함유량은, 통상 50개수% 이하이다. 또한, 본 발명에서 사용하는 무기 충전재에 있어서, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 값이 0.9보다 큰 입자의 함유량은, 통상 30개수% 이하이다. 이들 함유량의 적합한 범위에 관해서 후술한다. Alternatively, the shape parameter B may be determined for a sufficient number of particles constituting the inorganic filler, and the shape distribution of particles constituting the inorganic filler may be grasped based on the value of the obtained shape parameter B. In the inorganic filler used in the present invention, the content of the particles having a value of the shape parameter B represented by the formula (2) below 0.8 is usually 50% by number or less. Further, in the inorganic filler used in the present invention, the content of the particles having a value of the shape parameter B expressed by the above-mentioned formula (2) larger than 0.9 is usually 30% by number or less. A suitable range of these contents will be described later.
형상 파라미터 B를 수득할 때 필요한, 소정의 단면에서의 무기 충전재의 주위 길이(L) 및 당해 단면에서의 무기 충전재의 단면적은, 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성되는 층에 관해서, 단면 관찰을 실시함으로써 측정할 수 있다. 단면 관찰에는, FIB-SEM 복합 장치가 적합하게 사용된다. 수득된 FIB-SEM 상으로부터, (주) Leica 제조「QWin V3」등의 화상 처리 소프트를 사용하여, 층 내에 존재하는 무기 충전재의 주위 길이 및 면적(단면적)을 구할 수 있다. FIB-SEM 복합 장치로서는, 예를 들면, SII 나노테크놀로지(주) 제조「SMI3050SE」를 들 수 있다. The peripheral length (L) of the inorganic filler at a predetermined cross section required for obtaining the shape parameter B and the cross-sectional area of the inorganic filler at the cross section of the cross section of the cross section of the cross section of the layer formed using the resin composition of the present invention Can be measured. For the cross-sectional observation, an FIB-SEM hybrid apparatus is suitably used. From the obtained FIB-SEM image, the peripheral length and area (cross-sectional area) of the inorganic filler existing in the layer can be obtained by using image processing software such as " QWin V3 " As the FIB-SEM hybrid device, for example, "SMI3050SE" manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd. can be mentioned.
Lc는, 수득된 무기 충전재의 단면적과 등면적의 진원의 주위 길이(원주)를 계산하면 된다. Lc can be obtained by calculating the circumferential length (circumference) of the cross section of the cross-sectional area and the equivalent area of the obtained inorganic filler.
일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고, 상기 수학식 1로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 A가 20≤6A≤40을 충족시키는 것을 특징으로 한다(이하, 「제1 실시형태의 수지 조성물」이라고도 한다.). In one embodiment, the resin composition of the present invention contains 40 to 75% by volume of an inorganic filler when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by volume, and the shape of the inorganic filler represented by the formula And the parameter A satisfies 20? 6A? 40 (hereinafter, also referred to as " resin composition of the first embodiment ").
양호한 분산 안정성과 적당한 용융 점도를 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점에서, 상기 6A의 값은, 40 이하인 것이 중요하다. 더욱 양호한 분산 안정성과 용융 점도를 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점에서, 상기 6A의 값은, 39.8 이하, 39.6 이하, 39.4 이하, 39.2 이하, 39 이하, 38 이하, 37 이하, 36 이하, 35 이하, 34 이하, 33 이하, 32 이하, 31 이하, 또는 30 이하인 것이 바람직하다. 상기 6A의 하한은, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 충분히 억제하는 관점에서, 20 이상인 것이 중요하다. 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 한층 억제할 수 있는 관점에서, 상기 6A의 하한값은, 21 이상, 22 이상, 또는 23 이상인 것이 바람직하다. From the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting good dispersion stability and an appropriate melt viscosity, it is important that the value of 6A is 40 or less. The value of 6A is preferably 39.8 or less, 39.6 or less, 39.4 or less, 39.2 or less, 39 or less, 38 or less, 37 or less, 36 or less, 35 or less, 34 or less, 33 or less, 32 or less, 31 or less, or 30 or less. It is important that the lower limit of 6A is 20 or more from the viewpoint of sufficiently suppressing the warping in the component mounting process. From the viewpoint of further suppressing the warping in the mounting process of the component, the lower limit value of 6A is preferably 21 or more, 22 or more, or 23 or more.
다른 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고, 상기 수학식 2로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 B의 평균값이 0.8 이상 0.9 이하인 것을 특징으로 한다(이하, 「제2 실시형태의 수지 조성물」이라고도 한다.). In another embodiment, the resin composition of the present invention is characterized in that the content of the inorganic filler is 40 to 75% by volume when the nonvolatile component in the resin composition is taken as 100% by volume, the shape of the inorganic filler represented by the formula And the average value of the parameter B is 0.8 or more and 0.9 or less (hereinafter, also referred to as " resin composition of the second embodiment ").
양호한 분산 안정성과 적당한 용융 점도를 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점에서, 형상 파라미터 B의 평균값은, 0.8 이상인 것이 중요하다. 더욱 양호한 분산 안정성과 용융 점도를 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점에서, 형상 파라미터 B의 평균값은, 0.81 이상, 또는 0.82 이상인 것이 바람직하다. 형상 파라미터 B의 평균값의 상한은, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 충분히 억제하는 관점에서, 0.9 이하인 것이 중요하다. 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 한층 억제할 수 있는 관점에서, 형상 파라미터 B의 평균값의 상한은, 0.89 이하, 0.88 이하, 0.87 이하, 0.86 이하, 또는 0.85 이하인 것이 바람직하다. From the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting good dispersion stability and an appropriate melt viscosity, it is important that the average value of the shape parameter B is 0.8 or more. From the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting better dispersion stability and melt viscosity, the average value of the shape parameter B is preferably 0.81 or more, or 0.82 or more. It is important that the upper limit of the average value of the shape parameter B is 0.9 or less from the viewpoint of sufficiently suppressing the warping in the component mounting process. It is preferable that the upper limit of the average value of the shape parameter B is 0.89 or less, 0.88 or less, 0.87 or less, 0.86 or less, or 0.85 or less from the viewpoint that the warpage in the mounting process of the component can be further suppressed.
제1 실시형태 및 제2 실시형태를 불문하고, 무기 충전재의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 충분히 억제하는 관점, 수득되는 절연층의 열팽창율을 충분히 저하시키는 관점에서, 40체적% 이상이고, 바람직하게는 42체적% 이상, 보다 바람직하게는 44체적% 이상, 더욱 바람직하게는 46체적% 이상, 더욱 보다 바람직하게는 48체적% 이상, 특히 바람직하게는 50체적% 이상, 52체적% 이상, 54체적% 이상, 56체적% 이상, 58체적% 이상, 또는 60체적% 이상이다. 파쇄상의 무기 충전재를 사용하는 경우에는, 당해 무기 충전재의 함유량이 높아짐에 따라 용융 점도가 과도하게 상승하는 경향이 있다. 이것에 대해, 본 발명에서 사용하는, 특정한 형상 파라미터 조건을 충족시키는 무기 충전재에 관해서는, 양호한 용융 점도를 실현하면서, 더욱 함유량을 높일 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 수지 조성물에 있어서, 당해 무기 충전재의 함유량은, 62체적% 이상, 64체적% 이상, 66체적% 이상, 또는 68체적% 이상으로까지 높여도 좋다. 당해 무기 충전재의 함유량의 상한은, 적당한 용융 점도를 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점, 표면 조도(粗度)가 작고 도체층과의 밀착 강도(필 강도)가 우수한 절연층을 수득하는 관점에서, 75체적% 이하이고, 바람직하게는 74체적% 이하, 보다 바람직하게는 73체적% 이하, 더욱 바람직하게는 72체적% 이하, 더욱 보다 바람직하게는 71체적% 이하, 특히 바람직하게는 70체적% 이하이다. 특히 프린트 배선판의 제조에 있어서 진공 라미네이트법에 의해 수지 조성물층과 내층 기판의 적층을 실시하는 경우에는, 당해 무기 충전재의 함유량의 상한은, 70체적% 이하인 것이 적합하다. 무기 충전재의 함유량(체적%)은, 수지 조성물의 조제에 사용하는 무기 충전재의 질량 및 밀도와, 수지 조성물의 조제에 사용하는 무기 충전재 이외의 불휘발 성분의 질량 및 밀도에 기초하여 산출할 수 있다. Regardless of the first embodiment and the second embodiment, the content of the inorganic filler is preferably from 100% by volume to 100% by volume, from the viewpoint of sufficiently suppressing warping in the component mounting step, Is preferably 40 vol% or more, preferably 42 vol% or more, more preferably 44 vol% or more, further preferably 46 vol% or more, still more preferably 48 vol% or more, in view of sufficiently lowering the thermal expansion coefficient of the layer More preferably 50 vol.% Or more, 52 vol.% Or more, 54 vol.% Or more, 56 vol.% Or more, 58 vol.% Or more, or 60 vol.% Or more. In the case of using a crushing inorganic filler, the melt viscosity tends to increase excessively as the content of the inorganic filler increases. On the other hand, with respect to the inorganic filler satisfying the specific shape parameter conditions used in the present invention, the content can be further increased while realizing a good melt viscosity. For example, in the resin composition of the present invention, the content of the inorganic filler may be increased to 62 vol% or more, 64 vol% or more, 66 vol% or 68 vol% or more. From the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting an appropriate melt viscosity, an insulating layer having a small surface roughness and excellent adhesion strength (fill strength) to the conductor layer, the upper limit of the content of the inorganic filler is preferably 75 , Preferably not more than 74 vol.%, More preferably not more than 73 vol.%, Further preferably not more than 72 vol.%, Still more preferably not more than 71 vol.%, Particularly preferably not more than 70 vol.% . Particularly in the production of a printed wiring board, when the resin composition layer and the inner layer substrate are laminated by a vacuum laminating method, the upper limit of the content of the inorganic filler is preferably 70 vol% or less. The content (volume%) of the inorganic filler can be calculated based on the mass and density of the inorganic filler used for preparing the resin composition and the mass and density of the nonvolatile component other than the inorganic filler used for preparing the resin composition .
제1 실시형태 및 제2 실시형태를 불문하고, 양호한 분산 안정성 및 용융 점도를 나타내는 수지 조성물을 수득하는 관점에서, 무기 충전재 중의, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 값이 0.8 미만인 입자의 함유량은 낮은 것이 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물에 있어서, 무기 충전재 중의, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 값이 0.8 미만인 입자의 함유량은, 통상 50개수% 이하이고, 바람직하게는 48개수% 이하, 보다 바람직하게는 46개수% 이하, 더욱 바람직하게는 44개수% 이하, 더욱 보다 바람직하게는 42개수% 이하, 또는 40개수% 이하이다. 특히 형상 파라미터 B의 값이 0.75 이하인 입자의 함유량은, 20개수% 이하, 18개수% 이하, 또는 16개수% 이하인 것이 바람직하다. From the viewpoint of obtaining a resin composition exhibiting good dispersion stability and melt viscosity regardless of the first embodiment and the second embodiment, it is preferable that the ratio of the particle diameter of particles having a value of the shape parameter B represented by the formula (2) The content is preferably low. In the resin composition of the present invention, the content of particles having a value of the shape parameter B represented by the formula (2) below 0.8 in the inorganic filler is usually 50% by number or less, preferably 48% by number or less, Is preferably 46% by number or less, more preferably 44% by number or less, still more preferably 42% by number or less, or 40% by number or less. Particularly, the content of the particles having the value of the shape parameter B of 0.75 or less is preferably 20% by number or less, 18% by number or less, or 16% by number or less.
제1 실시형태 및 제2 실시형태를 불문하고, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 충분히 억제하는 관점에서, 무기 충전재 중의, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 값이 0.9보다 큰 입자의 함유량은 낮은 것이 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물에 있어서, 무기 충전재 중의, 상기 수학식 2로 표시되는 형상 파라미터 B의 값이 0.9보다 큰 입자의 함유량은, 통상 30개수% 이하이며, 바람직하게는 28개수% 이하, 보다 바람직하게는 26개수% 이하, 더욱 바람직하게는 24개수% 이하, 더욱 보다 바람직하게는 22개수% 이하, 또는 20개수% 이하이다. 특히 형상 파라미터 B의 값이 0.94 이상인 입자의 함유량은, 6개수% 이하, 4개수% 이하, 2개수% 이하, 1개수% 이하, 0.8개수% 이하, 0.6개수% 이하, 0.4개수% 이하, 0.2개수% 이하인 것이 바람직하다. From the viewpoint of sufficiently suppressing the warping in the component mounting step regardless of the first embodiment and the second embodiment, it is preferable that the value of the shape parameter B represented by the formula (2) in the inorganic filler is larger than 0.9 The content is preferably low. In the resin composition of the present invention, the content of the particles having a value of the shape parameter B represented by the formula (2) in the inorganic filler of more than 0.9 is usually 30% by number or less, preferably 28% by number or less, more preferably , Preferably not more than 26%, more preferably not more than 24%, still more preferably not more than 22%, or not more than 20%. In particular, the content of the particles having the value of the shape parameter B of 0.94 or more is 6% or less, 4% or less, 2% or less, 1% or less, 0.8% or less, 0.6% or less, 0.4% or less, 0.2% % Or less.
본 발명의 수지 조성물에 있어서, 무기 충전재의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 활석, 점토, 운모 분말, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄 및 인산텅스텐산지르코늄 등을 들 수 있고, 실리카가 특히 적합하다. 무기 충전재는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 무기 충전재를 2종 이상 조합하여 사용하는 경우, 형상 파라미터 A를 수득할 때 필요해지는 평균 입자 직경(R), 비표면적(S) 및 밀도(ρ)로서는, 각각, 수득된 무기 충전재 혼합물의 평균 입자 직경, 비표면적 및 밀도를 사용하면 좋다. In the resin composition of the present invention, the material of the inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide Magnesium hydroxide, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, Titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate, barium titanate zirconate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate and zirconium tungstate phosphate, and silica is particularly suitable. The inorganic fillers may be used singly or in combination of two or more kinds. When two or more inorganic fillers are used in combination, the average particle diameter (R), the specific surface area (S) and the density (rho) required to obtain the shape parameter A are preferably the average particle size Diameter, specific surface area and density may be used.
무기 충전재의 평균 입자 직경(R)은, 회로 배선의 미세화의 관점에서, 4㎛ 이하가 바람직하며, 3.5㎛ 이하가 보다 바람직하며, 3㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 무기 충전재의 평균 입자 직경의 하한은, 수지 조성물을 사용하여 수지 바니쉬를 형성할 때에 적당한 점도를 가져 취급성이 양호한 수지 바니쉬를 수득하는 관점에서, 0.01㎛ 이상이 바람직하며, 0.03㎛ 이상이 보다 바람직하며, 0.05㎛ 이상이 더욱 바람직하며, 0.07㎛ 이상이 더욱 보다 바람직하며, 0.1㎛ 이상이 특히 바람직하다. The average particle diameter R of the inorganic filler is preferably 4 mu m or less, more preferably 3.5 mu m or less, and further preferably 3 mu m or less from the viewpoint of refinement of the circuit wiring. The lower limit of the average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.01 탆 or more, more preferably 0.03 탆 or more from the viewpoint of obtaining a resin varnish having a suitable viscosity at the time of forming a resin varnish by using the resin composition and having good handling properties More preferably at least 0.05 탆, even more preferably at least 0.07 탆, and particularly preferably at least 0.1 탆.
무기 충전재의 비표면적(S)은, 평균 입자 직경(R) 및 밀도(ρ)와의 관계에 있어서 상기의 형상 파라미터 조건을 충족시키는 한에 있어서 특별히 한정되지 않는다. 무기 충전재의 비표면적은, 예를 들면, 3 내지 10㎡/g의 범위라도 좋고, 3 내지 8㎡/g의 범위인 것이 바람직하다. The specific surface area S of the inorganic filler is not particularly limited as long as it satisfies the shape parameter condition in relation to the average particle diameter R and the density p. The specific surface area of the inorganic filler may be, for example, in the range of 3 to 10 m 2 / g, and preferably in the range of 3 to 8 m 2 / g.
무기 충전재는, 상기의 형상 파라미터 조건을 충족시키는 한에 있어서, 비정성, 결정성의 어느 것이라도 좋다. 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물은, 결정성 무기 충전재를 함유한다. 무기 충전재 중의 결정성 무기 충전재의 함유량은, 무기 충전재 전체를 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70질량% 이상, 더욱 보다 바람직하게는 80질량% 이상, 특히 바람직하게는 90질량% 이상, 92질량% 이상, 94질량% 이상, 96질량% 이상, 98질량% 이상, 또는 99질량% 이상이다. 무기 충전재는, 불가피적으로 함유되는 불순물을 제거하고, 실질적으로 결정성 무기 충전재로 이루어져도 좋다. 이러한 실시형태에 있어서, 무기 충전재의 평균 결정자 직경은, 바람직하게는 1800Å 이하, 보다 바람직하게는 1600Å 이하, 더욱 바람직하게는 1400Å 이하이다. 당해 평균 결정자 직경의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상 100Å 이상, 200Å 이상 등으로 할 수 있다. 무기 충전재의 결정자 직경은, X선 회절(XRD) 장치를 사용하여 측정할 수 있다. XRD 장치로서는, 예를 들면, (주) 리가쿠 제조「Multi FLEX」를 들 수 있다. The inorganic filler may be amorphous or crystalline insofar as the above shape parameter conditions are satisfied. In one embodiment, the resin composition of the present invention contains a crystalline inorganic filler. The content of the crystalline inorganic filler in the inorganic filler is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, further preferably 70% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, Preferably 90 mass% or more, 92 mass% or more, 94 mass% or more, 96 mass% or more, 98 mass% or more, or 99 mass% or more. The inorganic filler may be made of a substantially crystalline inorganic filler by removing impurities inevitably contained therein. In this embodiment, the average crystallite diameter of the inorganic filler is preferably 1800 ANGSTROM or less, more preferably 1600 ANGSTROM or less, and further preferably 1400 ANGSTROM or less. The lower limit of the average crystallite diameter is not particularly limited, but it is usually 100 angstroms or more, 200 angstroms or more. The crystallite diameter of the inorganic filler can be measured using an X-ray diffraction (XRD) apparatus. As the XRD apparatus, for example, "Multi FLEX" manufactured by Rigaku Corporation can be mentioned.
이 중에서도, 결정성 무기 충전재로서는, 결정 실리카를 사용하는 것이 바람직하다. Of these, crystalline silica is preferably used as the crystalline inorganic filler.
상기의 형상 파라미터 조건을 충족시키는 무기 충전재는, 예를 들면, 날카롭게 각진 형상을 갖는 파쇄상의 무기 충전재의 표면을, 물리적 및/또는 화학적으로 연마하는 방법, 열처리하는 방법 등에 의해, 약간 둥그스름하게 함으로써 조제하면 된다. 물리적 연마 및 화학적 연마의 방법은 특별히 한정되지 않으며, 종래 공지의 임의의 방법을 사용하면 좋다. 파쇄 실리카의 시판품으로서는, 예를 들면, 타츠모리(주) 제조「VX-SR」등을 들 수 있다. The inorganic filler satisfying the above-mentioned shape parameter condition is slightly rounded by, for example, a method of physically and / or chemically polishing the surface of the fractured inorganic filler having a sharp-angled shape and a heat treatment method, . The method of physical polishing and chemical polishing is not particularly limited, and any conventionally known method may be used. Commercially available products of the crushed silica include, for example, " VX-SR " manufactured by Tatsumori Co., Ltd. and the like.
또한, 천연적으로 산출되는 무기 산화물 중에는, 상기의 형상 파라미터 조건을 적합하게 충족시키는 무기 산화물이 존재한다. 예를 들면, 평균 결정자 직경 1800Å 이하의 미결정 입자의 송이상 응집물로서 산출되는 천연 실리카(특히 송이상 응집물의 최대 입자 직경이 20㎛ 이하인 경우)는, 수지 조성물의 조제시에 분산 조작을 거침으로써, 송이상 응집물이 풀어져 상기의 형상 파라미터 조건을 충족시키게 된다. 따라서 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물에 함유되는 무기 충전재는, 평균 결정자 직경 1800Å 이하의 미결정 입자의 송이상 응집물을 분산시켜 수득되고, 당해 송이상 응집물의 최대 입자 직경이 20㎛ 이하인 것을 특징으로 한다. 이러한 천연 실리카의 시판품으로서는, 예를 들면, Unimin사 제조「IMSIL A-8」,「IMSIL A-10」,「IMSIL A-15」,「IMSIL A-25」등을 들 수 있다. Further, among the inorganic oxides which are naturally produced, inorganic oxides that suitably satisfy the above shape parameter conditions exist. For example, when the natural silica (in particular, the maximum particle diameter of the agglomerates having a maximum particle size of 20 mu m or less) calculated as agglomerates of fine crystalline particles having an average crystallite diameter of 1800 ANGSTROM or less is dispersed during the preparation of the resin composition, The agglomerates are released and the above shape parameter condition is satisfied. Accordingly, in one embodiment, the inorganic filler contained in the resin composition of the present invention is obtained by dispersing the fine aggregate of microcrystalline particles having an average crystallite diameter of 1800 Å or less and the maximum particle diameter of the aggregate of the microcrystalline particles is 20 μm or less . Examples of commercially available natural silica include "IMSIL A-8", "IMSIL A-10", "IMSIL A-15" and "IMSIL A-25" manufactured by Unimin Corporation.
본 발명의 수지 조성물에 사용하는 무기 충전재는, 분산성, 내습성을 향상시키는 관점에서, 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제를 들 수 있다. 표면 처리제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교(주) 제조「SZ-31」(헥사메틸디실라잔) 등을 들 수 있다. The inorganic filler to be used in the resin composition of the present invention is preferably surface-treated with a surface treatment agent from the viewpoint of improving dispersibility and moisture resistance. Examples of the surface treatment agent include an amino silane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, a silane coupling agent, an organosilazane compound and a titanate coupling agent. The surface treatment agent may be used singly or in combination of two or more kinds. As commercially available products of the surface treatment agent, for example, KBM403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM803 (3-mercapto KBE903 "(3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.," KBM573 "(manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Methoxysilane), "SZ-31" (hexamethyldisilazane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and the like.
무기 충전재의 표면 처리후, 무기 충전재의 표면에 결합하고 있는 단위 표면적당 카본량은, 바람직하게는 0.05mg/㎡ 이상, 보다 바람직하게는 0.08mg/㎡ 이상, 더욱 바람직하게는 0.11mg/㎡ 이상, 더욱 보다 바람직하게는 0.14mg/㎡ 이상, 특히 바람직하게는 0.17mg/㎡ 이상, 0.20mg/㎡ 이상, 0.23mg/㎡ 이상, 또는 0.26mg/㎡ 이상이다. 당해 카본량의 상한은, 바람직하게는 1.00mg/㎡ 이하, 보다 바람직하게는 0.75mg/㎡ 이하, 더욱 바람직하게는 0.70mg/㎡ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 0.65mg/㎡ 이하, 0.60mg/㎡ 이하, 0.55mg/㎡ 이하, 0.50mg/㎡ 이하이다. The amount of carbon per unit surface area bonded to the surface of the inorganic filler after surface treatment of the inorganic filler is preferably 0.05 mg / m 2 or more, more preferably 0.08 mg / m 2 or more, still more preferably 0.11 mg / m 2 or more More preferably 0.14 mg / m 2 or more, particularly preferably 0.17 mg / m 2 or more, 0.20 mg / m 2 or more, 0.23 mg / m 2 or more, or 0.26 mg / m 2 or more. The upper limit of the amount of carbon is preferably 1.00 mg / m 2 or less, more preferably 0.75 mg / m 2 or less, still more preferably 0.70 mg / m 2 or less, still more preferably 0.65 mg / M 2 or less, 0.55 mg / m 2 or less, and 0.50 mg / m 2 or less.
무기 충전재의 표면에 결합하고 있는 단위 면적당 카본량은, 이하의 수순으로 산출할 수 있다. 표면 처리후의 무기 충전재에 용제로서 충분한 양의 메틸에틸케톤(MEK)을 가하고, 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 표면에 결합하고 있는 카본량을 측정한다. 수득된 카본량을 무기 충전재의 비표면적으로 나눔으로써, 무기 충전재에 결합하고 있는 단위 표면적당 카본량을 산출한다. 카본 분석계로서는, 예를 들면, (주) 호리바세사쿠쇼 제조 「EMIA-320V」등을 들 수 있다. The amount of carbon per unit area bonded to the surface of the inorganic filler can be calculated by the following procedure. A sufficient amount of methyl ethyl ketone (MEK) as a solvent is added to the inorganic filler after the surface treatment, followed by ultrasonic cleaning. After the supernatant is removed and the solid content is dried, the amount of carbon bonded to the surface of the inorganic filler is measured using a carbon analyzer. By dividing the obtained amount of carbon by the specific surface area of the inorganic filler, the amount of carbon per unit surface area bonded to the inorganic filler is calculated. As the carbon analyzer, for example, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. and the like can be mentioned.
본 발명의 수지 조성물은, 추가로 열경화성 수지 및 경화제를 함유하는 것이 바람직하다. 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지가 바람직하다. 따라서 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물은, 무기 충전재에 더하여, 에폭시 수지 및 경화제를 함유한다. The resin composition of the present invention preferably further contains a thermosetting resin and a curing agent. As the thermosetting resin, an epoxy resin is preferable. Therefore, in one embodiment, the resin composition of the present invention contains an epoxy resin and a curing agent in addition to the inorganic filler.
-에폭시 수지-- Epoxy resin -
에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, bisphenol AF epoxy resin, dicyclopentadiene epoxy resin, trisphenol epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, Epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, Cresol novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, linear aliphatic epoxy resins, epoxy resins having a butadiene structure, alicyclic epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, spirocyclic epoxy resins, cyclohexanedimethanol type epoxy resins, Tylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, tetraphenyl ethane type epoxy resin And the like. The epoxy resin may be used singly or in combination of two or more kinds.
에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 적어도 50질량% 이상은 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 이 중에서도, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 가지며, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하「액상 에폭시 수지」라고 한다.)와, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 가지며, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하「고체상 에폭시 수지」라고 한다.)를 함유하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용함으로써, 우수한 가요성을 갖는 수지 조성물이 수득된다. 또한, 수지 조성물의 경화물의 파단 강도도 향상된다. The epoxy resin preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. When the nonvolatile component of the epoxy resin is 100% by mass, it is preferable that at least 50% by mass or more of the epoxy resin is an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Among them, epoxy resins having two or more epoxy groups in one molecule and having a liquid phase at 20 占 폚 (hereinafter referred to as " liquid epoxy resin ") and three or more epoxy groups in one molecule, It is preferable to contain an epoxy resin (hereinafter referred to as " solid epoxy resin "). When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, a resin composition having excellent flexibility is obtained. Further, the fracture strength of the cured product of the resin composition is also improved.
액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하며, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC(주) 제조의 「HP4032」,「HP4032H」,「HP4032D」,「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「jER828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER807」(비스페놀 F형 에폭시 수지), 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지), 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품), 나가세켐텍스(주) 제조의「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지), 다이셀가가쿠고교(주) 제조의「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지)를 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. The liquid epoxy resin is preferably a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, a glycidyl ester type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure. Type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin are more preferable. Specific examples of the liquid epoxy resin include "HP4032", "HP4032H", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, "jER828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol A type (Epoxy resin), "jER807" (bisphenol F type epoxy resin), "jER152" (phenol novolak type epoxy resin), "ZX1059" manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd. (bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy EX-721 " (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., " PB-3600 " (epoxy resin having a butadiene structure ). These may be used singly or in combination of two or more kinds.
고체상 에폭시 수지로서는, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하며, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC(주) 제조의 「HP-4700」,「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지), 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지), 「EXA7311」,「EXA7311-G3」,「EXA7311-G4」,「EXA7311-G4S」,「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지), 니혼가야쿠(주) 제조의「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지), 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 「NC3000H」,「NC3000」,「NC3000L」,「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지), 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조의「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지), 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「YX4000H」,「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지),「YX4000H」,「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지), 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지), 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지), 오사카가스케미칼(주) 제조의「PG-100」,「CG-500」, 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. Examples of the solid epoxy resin include naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, trisphenol type epoxy resins, naphthol type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins Naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, An epoxy resin, and a tetraphenyl ethane type epoxy resin are more preferable. Specific examples of the solid epoxy resin include "HP-4700", "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin), "N-690" (cresol novolak type epoxy resin) EXA7311-G3 "," EXA7311-G4 "," EXA7311-G4S "," HP6000 "(dicyclopentadiene type epoxy resin) (Naphthylene ether type epoxy resin), "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin), "NC7000L" (naphthol novolak type epoxy resin), "NC3000H", "NC3000" manufactured by Nippon Kayaku Co., , "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin), "ESN475V" (naphthol type epoxy resin), "ESN485" (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Shinnetsu Tatsu Sumika Kagaku Co., YX4000H "," YL6121 "(biphenyl type epoxy resin)," YX4000H "," YL6121 "(biphenyl type epoxy resin)," YX4000HK " "PG-100", "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd., "YL7800" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (fluorene type epoxy resin "JER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin) and "jER1031S" (tetraphenyl ethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., and the like.
에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용하는 경우, 이들의 양비(量比)(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.1 내지 1:4의 범위가 바람직하다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비를 이러한 범위로 함으로써, i) 시트상 적층 재료의 형태로 사용하는 경우에 적당한 점착성이 초래되고, ii) 시트상 적층 재료의 형태로 사용하는 경우에 충분한 가요성이 수득되어, 취급성이 향상되고, 및 iii) 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 수득할 수 있는 등의 효과가 수득된다. 상기 i) 내지 iii)의 효과의 관점에서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 1:0.3 내지 1:3.5의 범위가 보다 바람직하며, 1:0.6 내지 1:3의 범위가 더욱 바람직하다. When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, the amount ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) thereof is preferably in the range of 1: 0.1 to 1: 4 by mass ratio. By setting the proportions of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin in this range, suitable adhesiveness is obtained in the case of using in the form of a sheet-like laminate material, and ii) sufficient flexibility in the case of using in the form of a sheet- Is obtained, handling is improved, and (iii) a cured product having sufficient breaking strength can be obtained. From the viewpoint of the effects of i) to iii), the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is more preferably in the range of 1: 0.3 to 1: 3.5, : 0.6 to 1: 3.
수지 조성물 중의 에폭시 수지의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 3 내지 40질량%, 보다 바람직하게는 5 내지 35질량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 30질량%이다. The content of the epoxy resin in the resin composition is preferably 3 to 40% by mass, more preferably 5 to 35% by mass, further preferably 10 to 30% by mass, based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition %to be.
에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 더욱 보다 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이 범위가 됨으로써, 경화물의 가교 밀도가 충분해져 표면 조도가 작은 절연층을 초래할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있고, 1당량의 에폭시기를 함유하는 수지의 질량이다. The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, still more preferably 110 to 1000. With this range, the cross-linking density of the cured product becomes sufficient, resulting in an insulating layer having a small surface roughness. The epoxy equivalent can be measured in accordance with JIS K7236, and is the mass of the resin containing one equivalent of an epoxy group.
에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 여기서, 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다. The weight average molecular weight of the epoxy resin is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and still more preferably 400 to 1500. Here, the weight average molecular weight of the epoxy resin is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.
-경화제-- hardener -
경화제로서는, 에폭시 수지를 경화하는 기능을 갖는 한 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 및 시아네이트에스테르계 경화제를 들 수 있다. 경화제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. The curing agent is not particularly limited as long as it has a function of curing the epoxy resin, and examples thereof include a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent, a benzoxazine-based curing agent and a cyanate ester-based curing agent. The curing agent may be used singly or in combination of two or more kinds.
페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제, 또는 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제가 바람직하다. 또한, 도체층과의 밀착 강도의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제 또는 함질소 나프톨계 경화제가 바람직하며, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제 또는 트리아진 골격 함유 나프톨계 경화제가 보다 바람직하다. 이 중에서도, 내열성, 내수성, 및 도체층과의 밀착 강도를 고도로 만족시키는 관점에서, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락 수지가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. As the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent, a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolak structure is preferable from the viewpoints of heat resistance and water resistance. From the viewpoint of adhesion strength with the conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent or a nitrogen-containing naphthol-based curing agent is preferable, and a phenol-based curing agent containing a triazine skeleton or a naphthol-based curing agent containing a triazine skeleton is more preferable. Of these, a phenazine novolac resin containing a triazine skeleton is preferable from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesion strength with a conductor layer. These may be used singly or in combination of two or more kinds.
페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들면, 메이와가세이(주) 제조의 「MEH-7700」,「MEH-7810」,「MEH-7851」, 니혼가야쿠(주) 제조의「NHN」,「CBN」,「GPH」, 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조의「SN-170」,「SN-180」,「SN-190」,「SN-475」,「SN-485」,「SN-495」,「SN-375」,「SN-395」, DIC(주) 제조의「LA-7052」,「LA-7054」,「LA-3018」,「LA-1356」,「TD2090」 등을 들 수 있다. Specific examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei Co., SN-170 "," SN-180 "," SN-190 "," SN-475 "and" SN-485 "manufactured by Shinnetsu Tsushin Kagaku Co., LA-7054 "," LA-3018 "," LA-1356 "," SN-395 " &Quot; TD2090 ", and the like.
활성 에스테르계 경화제로서는, 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 당해 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물의 축합 반응에 의해 수득되는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하며, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들면 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화비스페놀 A, 메틸화비스페놀 F, 메틸화비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 수득되는 디페놀 화합물을 말한다. The active ester-based curing agent is not particularly limited, but generally includes ester groups having high reactivity such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, Are preferably used. It is preferable that the active ester-based curing agent is obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and / or a thiol compound. From the viewpoint of heat resistance improvement, an active ester type curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester type curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and / or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid and pyromellitic acid. Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenol phthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o- , p-cresol, catechol, alpha -naphthol, beta -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, tri Hydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compounds, phenol novolak, and the like. Here, the "dicyclopentadiene type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol in one dicyclopentadiene molecule.
활성 에스테르계 경화제로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르 화합물, 페놀노볼락의 벤조일화물을 함유하는 활성 에스테르 화합물이 바람직하며, 이 중에서도 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물이 보다 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 한편,「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜탈렌-페닐렌으로 이루어지는 2가의 구조 단위를 나타낸다. Examples of the active ester curing agent include active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, active ester compounds containing a naphthalene structure, active ester compounds containing an acetylated phenol novolak, benzoylated phenol novolacs Among these, active ester compounds containing a naphthalene structure and active ester compounds containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure are more preferable. These may be used singly or in combination of two or more kinds. On the other hand, the "dicyclopentadiene type diphenol structure" refers to a divalent structural unit comprising phenylene-dicyclopentalene-phenylene.
활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서, 「EXB9451」,「EXB9460」,「EXB9460S」,「HPC-8000-65T」(DIC(주) 제조), 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르 화합물로서「EXB9416-70BK」(DIC(주) 제조), 페놀노볼락의 아세틸화물을 함유하는 활성 에스테르 화합물로서「DC808」(미쯔비시가가쿠(주) 제조), 페놀노볼락의 벤조일화물을 함유하는 활성 에스테르 화합물로서「YLH1026」(미쯔비시가가쿠(주) 제조) 등을 들 수 있다. EXB9451 "," EXB9460 "," EXB9460S "," HPC-8000-65T "(manufactured by DIC Corporation) as the active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure as a commercially available product of the active ester type curing agent, , "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC Corporation) as an active ester compound containing a naphthalene structure, "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corp.) as an active ester compound containing acetylated phenol novolak, phenol And YLH1026 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester compound containing benzoylated novolak.
벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와코훈시(주) 제조의「HFB2006M」, 시코쿠가세이고교(주) 제조의 「P-d」,「F-a」를 들 수 있다. Specific examples of the benzoxazine type curing agent include "HFB2006M" manufactured by Shawako Co., Ltd., "P-d" and "F-a" manufactured by Shikoku Kasei Corporation.
시아네이트에스테르계 경화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 노볼락형(페놀노볼락형, 알킬페놀노볼락형 등) 시아네이트에스테르계 경화제, 디사이클로펜타디엔형 시아네이트에스테르계 경화제, 비스페놀형(비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형 등) 시아네이트에스테르계 경화제, 및 이들이 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 구체예로서는, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디사이네이트, 헥사플루오로비스페놀A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 및 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 론자재팬(주) 제조의 「PT30」및「PT60」(모두 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프레폴리머) 등을 들 수 있다. Examples of the cyanate ester curing agent include, but are not limited to, cyanate ester curing agents such as novolak type (phenol novolac type, alkylphenol novolak type and the like), dicyclopentadiene type cyanate ester type curing agents, (Bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, etc.) cyanate ester type curing agents, and partially triarylated prepolymers thereof. Specific examples thereof include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'-methylene bis (2,6-dimethyl phenyl cyanate) Bis (4-cyanate phenylmethane), bis (4-cyanate) phenylpropane, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, Benzene, bis (4-cyanate phenyl) thioether, and bis (4-cyanate-3,5-dimethylphenyl) (4-cyanate phenyl) ether, polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolak and cresol novolak, and prepolymers in which these cyanate resins are partly triarized As commercially available products of the cyanate ester curing agent, "PT30" and "PT60" (both of phenol novolak type polyfunctional epoxy resin Sites ester resin), "BA230" (a part or the whole of bisphenol A dish ah carbonate triazol evolution of prepolymer trimer), and the like.
에폭시 수지와 경화제의 양비는, 수득되는 절연층의 기계 강도나 내수성을 향상시키는 관점에서, [에폭시 수지의 에폭시기의 합계수]:[경화제의 반응기의 합계수]의 비율로, 1:0.2 내지 1:2의 범위가 바람직하며, 1:0.3 내지 1:1.5의 범위가 보다 바람직하며, 1:0.4 내지 1:1의 범위가 더욱 바람직하다. 여기서, 경화제의 반응기란, 활성 수산기, 활성 에스테르기 등이며, 경화제의 종류에 따라 상이하다. 또한, 에폭시 수지의 에폭시기의 합계수란, 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 관해서 합계한 값이며, 경화제의 반응기의 합계수란, 각 경화제의 고형분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모든 경화제에 관해서 합계한 값이다. The ratio of the epoxy resin to the curing agent is preferably from 1: 0.2 to 1: 1 in terms of the ratio of [the total number of epoxy groups of the epoxy resin]: [the total number of the reactors of the curing agent] from the viewpoint of improving the mechanical strength and water resistance of the resulting insulating layer. : 2, more preferably in the range of 1: 0.3 to 1: 1.5, further preferably in the range of 1: 0.4 to 1: 1. Here, the reactive group of the curing agent is an active hydroxyl group, an active ester group or the like and varies depending on the kind of the curing agent. The total number of epoxy groups in the epoxy resin refers to a value obtained by dividing the solid component mass of each epoxy resin by the epoxy equivalent in terms of all epoxy resins and the total number of reactors in the curing agent means that the solid mass of each curing agent is equivalent to the reactor Of the total amount of the curing agent.
일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물은, 상기의 무기 충전재, 에폭시 수지 및 경화제를 함유한다. 이 중에서도, 수지 조성물은, 무기 충전재로서 결정 실리카를, 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 혼합물(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지의 질량비는 바람직하게는 1:0.1 내지 1:4, 보다 바람직하게는 1:0.3 내지 1:3.5, 더욱 바람직하게는 1:0.6 내지 1:3)을, 경화제로서 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제 및 시아네이트에스테르계 경화제로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을, 각각 함유하는 것이 바람직하다. 이러한 특정한 성분을 조합하여 함유하는 수지 조성물층에 관해서도, 무기 충전재, 에폭시 수지, 및 경화제의 적합한 함유량은 상기한 바와 같다. In one embodiment, the resin composition of the present invention contains the inorganic filler, the epoxy resin and the curing agent. Among them, the resin composition preferably contains crystalline silica as an inorganic filler, a mixture of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as an epoxy resin (a mass ratio of liquid epoxy resin: solid epoxy resin is preferably 1: 0.1 to 1: 4, (1: 0.3 to 1: 3.5, more preferably 1: 0.6 to 1: 3) is used as the curing agent, and a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent and a cyanate ester- It is preferable to contain at least one of them. As for the resin composition layer containing these specific components in combination, the preferable contents of the inorganic filler, the epoxy resin and the curing agent are as described above.
본 발명의 수지 조성물은, 필요에 따라, 열가소성 수지, 경화 촉진제, 난연제 및 유기 충전재로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 첨가제를 추가로 함유하고 있어도 좋다. The resin composition of the present invention may further contain at least one additive selected from the group consisting of a thermoplastic resin, a curing accelerator, a flame retardant, and an organic filler, if necessary.
-열가소성 수지-- Thermoplastic resin -
열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지를 들 수 있다. 열가소성 수지는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the thermoplastic resin include thermoplastic resins such as phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyether sulfone resin, Ether resins, polycarbonate resins, polyetheretherketone resins, and polyester resins. The thermoplastic resin may be used singly or in combination of two or more kinds.
열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 8,000 내지 70,000의 범위가 바람직하며, 10,000 내지 60,000의 범위가 보다 바람직하며, 20,000 내지 60,000의 범위가 더욱 바람직하다. 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정된다. 구체적으로는, 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 측정 장치로서 (주) 시마즈세사쿠쇼 제조 LC-9A/RID-6A를, 칼럼으로서 쇼와덴코(주) 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하고, 칼럼 온도 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다. The weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene is preferably in the range of 8,000 to 70,000, more preferably in the range of 10,000 to 60,000, and still more preferably in the range of 20,000 to 60,000. The weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene was measured using LC-9A / RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device and Shodex K-800P / K (manufactured by Showa Denko K.K. -804L / K-804L can be measured using a calibration curve of standard polystyrene at a column temperature of 40 ° C using chloroform or the like as the mobile phase.
페녹시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세트페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기라도 좋다. 페녹시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는, 미쯔비시가가쿠(주) 제조의 「1256」및「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지), 「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지), 및 「YX6954」(비스페놀아세트페논 골격 함유 페녹시 수지)를 들 수 있고, 그 외에도, 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조의「FX280」및「FX293」, 미쯔비시가가쿠(주) 제조의「YL7553」,「YL6794」,「YL7213」,「YL7290」및「YL7482」등을 들 수 있다. Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, A phenoxy resin having at least one skeleton selected from the group consisting of a skeleton, an anthracene skeleton, an adamantane skeleton, a terpene skeleton, and a trimethyl cyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. The phenoxy resin may be used singly or in combination of two or more kinds. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" (both phenol resins containing a bisphenol A skeleton), "YX8100" (phenoxy resin containing a bisphenol S skeleton), and "YX6954" (Phenoxy resin containing a bisphenol acetophenone skeleton), and "FX280" and "FX293" manufactured by Shin Nitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd., "YL7553" and "YL6794" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., YL7213 ", " YL7290 ", and " YL7482 ".
폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 덴키가가쿠고교(주) 제조의 덴카부티랄 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP, 세키스이가가쿠고교(주) 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈, KS 시리즈, BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다. Specific examples of the polyvinyl acetal resin include DENKA BUTYRAL 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP manufactured by Denki Kagaku Kogyo K.K., , BX series, KS series, BL series, BM series and the like.
폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신니혼리카(주) 제조의「리카코트 SN20」및「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 반응시켜 수득되는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호에 기재된 것), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호 등에 기재된 것) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다. Specific examples of the polyimide resin include "Rika Coat SN20" and "Rika Coat PN20" manufactured by Shin-Nihon Rika K.K. Specific examples of the polyimide resin include linear polyimide obtained by reacting a bifunctional hydroxyl-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride (described in JP-A 2006-37083), a polysiloxane And modified polyimides such as skeleton-containing polyimide (JP-A-2002-12667 and JP-A-2000-319386).
폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요보세키(주) 제조의「하이로맥스HR11NN」및「하이로맥스HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는 또한, 히타치가세이고교(주) 제조의 폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드「KS9100」,「KS9300」등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다. Specific examples of the polyamide-imide resin include "Hiromax HR11NN" and "Hiromax HR16NN" manufactured by Toyo Boseki K.K. Specific examples of the polyamideimide resin include modified polyamideimide such as polyamideimide "KS9100" and "KS9300" containing polysiloxane skeleton manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 스미토모가가쿠(주) 제조의「PES5003P」등을 들 수 있다. Specific examples of the polyether sulfone resin include "PES 5003P" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., and the like.
폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이어드밴스트폴리머즈(주) 제조의 폴리설폰「P1700」,「P3500」등을 들 수 있다. Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone "P1700" and "P3500" manufactured by Solvay Advanced Polymers Co., Ltd.
수지 조성물 중의 열가소성 수지의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 0.1 내지 20질량%, 보다 바람직하게는 0.5 내지 10질량%, 더욱 바람직하게는 1 내지 5질량%이다. The content of the thermoplastic resin in the resin composition is preferably 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, and still more preferably 1 to 5% by mass based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition %to be.
-경화 촉진제-- Curing accelerator -
경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제 등을 들 수 있고, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하다. 경화 촉진제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 경화 촉진제의 함유량은, 에폭시 수지와 경화제의 불휘발 성분의 합계를 100질량%로 했을 때, 0.05 내지 3질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다. Examples of the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators and guanidine-based curing accelerators, and phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators and imidazole- . The curing accelerator may be used singly or in combination of two or more kinds. The content of the curing accelerator is preferably in the range of 0.05 to 3% by mass based on 100% by mass of the total of the nonvolatile component of the epoxy resin and the curing agent.
-난연제-- Flame retardant -
난연제로서는, 예를 들면, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 난연제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 수지 조성물 중의 난연제의 함유량은 특별히 한정은 되지 않지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 바람직하게는 0.5 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 1 내지 9질량%이다. Examples of the flame retardant include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicon-based flame retardant, a metal hydroxide, and the like. The flame retardant may be used singly or in combination of two or more kinds. The content of the flame retardant in the resin composition is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 10 mass%, more preferably 1 to 9 mass%, based on 100 mass% of the nonvolatile component in the resin composition.
-유기 충전재-- Organic filler -
유기 충전재로서는, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 사용할 수 있는 임의의 유기 충전재를 사용하면 좋으며, 예를 들면, 고무 입자, 폴리아미드 미립자, 실리콘 입자 등을 들 수 있고, 고무 입자가 바람직하다. As the organic filler, any organic filler that can be used in forming the insulating layer of the printed wiring board may be used. Examples thereof include rubber particles, polyamide fine particles, and silicone particles. Rubber particles are preferred.
고무 입자로서는, 고무 탄성을 나타내는 수지에 화학적 가교 처리를 가하고, 유기 용제에 불용, 불융으로 한 수지의 미립자체인 한 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 아크릴로니트릴부타디엔 고무 입자, 부타디엔 고무 입자, 아크릴 고무 입자 등을 들 수 있다. 고무 입자로서는, 구체적으로는, XER-91(니혼고세고무(주) 제조), 스타필로이드AC3355, AC3816, AC3816N, AC3832, AC4030, AC3364, IM101(이상, 아이카고교(주) 제조), 파라로이드EXL2655, EXL2602(이상, 쿠레하가가쿠고교(주) 제조) 등을 들 수 있다. The rubber particles are not particularly limited as long as they are fine particles of a resin which is chemically crosslinked to a rubber elasticity and rendered insoluble or non-soluble in an organic solvent. Examples thereof include acrylonitrile butadiene rubber particles, butadiene rubber particles, Rubber particles and the like. Specific examples of the rubber particles include XER-91 (manufactured by Nihon Gosei Rubber Co., Ltd.), Stypylloid AC3355, AC3816, AC3816N, AC3832, AC4030, AC3364, IM101 (manufactured by Aika Kogyo Co., EXL2655, and EXL2602 (manufactured by Kureha Chemical Industry Co., Ltd.).
유기 충전재의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.005 내지 1㎛의 범위이고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 0.6㎛의 범위이다. 고무 입자의 평균 입자 직경은, 동적 광산란법을 사용하여 측정할 수 있다. 예를 들면, 적당한 유기 용제에 고무 입자를 초음파 등에 의해 균일하게 분산시켜, 농후계 입자 직경 애널라이저(오츠카덴시(주) 제조「FPAR-1000」)를 사용하여, 고무 입자의 입도 분포를 질량 기준으로 작성하고, 이의 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 수지 조성물 중의 고무 입자의 함유량은, 바람직하게는 1 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 2 내지 5질량%이다. The average particle diameter of the organic filler is preferably in the range of 0.005 to 1 占 퐉, and more preferably in the range of 0.2 to 0.6 占 퐉. The average particle diameter of the rubber particles can be measured using a dynamic light scattering method. For example, rubber particles are uniformly dispersed in an appropriate organic solvent by ultrasonic waves or the like, and the particle size distribution of the rubber particles is measured on the basis of mass, using a dense particle diameter analyzer (FPAR-1000 manufactured by Otsuka Denshi Co., Ltd.) , And measuring the median diameter of the particles as the average particle diameter. The content of the rubber particles in the resin composition is preferably 1 to 10% by mass, and more preferably 2 to 5% by mass.
-기타 성분-- Other ingredients -
본 발명의 수지 조성물은, 필요에 따라, 기타 성분을 함유하고 있어도 좋다. 이러한 기타 성분으로서는, 예를 들면, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물, 및 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 착색제 및 경화성 수지 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다. The resin composition of the present invention may contain other components as required. Examples of such other components include organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds and organic cobalt compounds, and resin additives such as thickeners, defoaming agents, leveling agents, adhesion promoters, colorants and curable resins. have.
본 발명의 수지 조성물의 조제 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 배합 성분을, 필요에 따라 용매 등을 첨가하여, 회전 믹서 등을 사용하여 혼합·분산하는 방법 등을 들 수 있다. The method for preparing the resin composition of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a method of mixing and dispersing the compounding ingredients with a solvent or the like, if necessary, using a rotary mixer or the like.
본 발명의 수지 조성물은, 양호한 분산 안정성과 적당한 용융 점도를 나타내는 동시에, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은, 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(프린트 배선판의 층간 절연층용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있고, 게다가 도금에 의해 도체층이 형성되는 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(도금에 의해 도체층을 형성하는 프린트 배선판의 층간 절연층용 수지 조성물)로서 더욱 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은 또한, 접착 필름, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료, 솔더레지스트, 언더필재, 다이본딩재, 반도체 봉지재, 구멍 매립 수지, 부품 매립 수지 등, 수지 조성물을 필요로 하는 용도에 광범위하게 사용할 수 있다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The resin composition of the present invention exhibits good dispersion stability and appropriate melt viscosity, and can suppress warpage in the component mounting process. The resin composition of the present invention can be suitably used as a resin composition (a resin composition for an interlayer insulating layer of a printed wiring board) for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board and further forms an interlayer insulating layer in which a conductor layer is formed by plating (A resin composition for an interlayer insulating layer of a printed wiring board on which a conductor layer is formed by plating). The resin composition of the present invention can also be applied to various uses such as a sheet-like laminated material such as an adhesive film and a prepreg, a resin composition such as a solder resist, an underfill material, a die bonding material, a semiconductor encapsulant, Can be widely used.
[시트상 적층 재료][Sheet-like laminated material]
본 발명의 수지 조성물은, 바니쉬 상태에서 도포하여 사용할 수도 있지만, 공업적으로는 일반적으로, 당해 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층을 포함하는 시트상 적층 재료의 형태로 사용하는 것이 적합하다. The resin composition of the present invention may be applied in a varnish state, but it is industrially generally used in the form of a sheet-like laminate material including a resin composition layer formed of the resin composition.
시트상 적층 재료로서는, 이하에 나타내는 접착 필름, 프리프레그가 바람직하다. As the sheet-like laminated material, the following adhesive films and prepregs are preferable.
일 실시형태에 있어서, 접착 필름은, 지지체와, 당해 지지체와 접합하고 있는 수지 조성물층(접착층)을 포함하고 있고, 수지 조성물층(접착층)이 본 발명의 수지 조성물로 형성된다. In one embodiment, the adhesive film includes a support and a resin composition layer (adhesive layer) bonded to the support, and a resin composition layer (adhesive layer) is formed from the resin composition of the present invention.
수지 조성물층의 두께는, 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 60㎛ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 50㎛ 이하 또는 40㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로 10㎛ 이상이다. The thickness of the resin composition layer is preferably 100 占 퐉 or less, more preferably 80 占 퐉 or less, still more preferably 60 占 퐉 or less, still more preferably 50 占 퐉 or less or 40 占 퐉 or less to be. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, but is usually 10 占 퐉 or more.
지지체로서는, 예를 들면, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름, 금속박이 바람직하다. As the support, for example, a film made of a plastic material, a metal foil and a release paper can be mentioned, and a film or a metal foil made of a plastic material is preferable.
지지체로서 플라스틱 재료로 이루어지는 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하「PET」라고 약칭하는 경우가 있다), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있다.) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하「PC」라고 약칭하는 경우가 있다.), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하며, 염가의 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다. When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter may be abbreviated as "PET"), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PEN" (TAC), polyether sulfide (PES), and the like, such as polyesters, polycarbonates (hereinafter, sometimes abbreviated as PC) and polymethylmethacrylate ), Polyether ketone, polyimide and the like. Of these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.
지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 구리박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 구리박이 바람직하다. 구리박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어지는 박을 사용해도 좋고, 구리와 기타 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어지는 박을 사용해도 좋다. In the case of using a metal foil as a support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil, and copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used or a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) It is also good.
지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 측의 표면에 매트 처리, 코로나 처리가 가해져 있어도 좋다. 또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 측의 표면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제의 시판품으로서는, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제인, 린텍(주) 제조의「SK-1」,「AL-5」,「AL-7」등을 들 수 있다. The support may be subjected to a mat treatment or a corona treatment on the surface of the support on the side to be bonded with the resin composition layer. As the support, a release layer-adhered support having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. As the releasing agent to be used for the release layer of the release layer-adhered support, for example, one or more release agents selected from the group consisting of an alkyd resin, an olefin resin, a urethane resin, and a silicone resin can be mentioned. Examples of commercially available products of the release agent include SK-1, AL-5, and AL-7 manufactured by Lintec Corporation, which are alkyd resin-based release agents.
지지체의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 5 내지 75㎛의 범위가 바람직하며, 10 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 한편, 지지체가 이형층 부착 지지체인 경우, 이형층 부착 지지체 전체 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다. The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 to 75 탆, more preferably in the range of 10 to 60 탆. On the other hand, when the support is a release layer-attached support, it is preferable that the total thickness of the release layer-adhered support is in the above range.
접착 필름은, 예를 들면, 유기 용제에 수지 조성물을 용해한 수지 바니쉬를 조제하고, 이 수지 바니쉬를, 다이코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 또한 건조시켜 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다. The adhesive film can be produced, for example, by preparing a resin varnish obtained by dissolving a resin composition in an organic solvent, coating the resin varnish on a support using a die coater or the like, and drying the resin varnish to form a resin composition layer .
유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥산온 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르류, 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등을 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone, acetic acid esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate, Carbitol such as cellosolve and butyl carbitol, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, and amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. The organic solvent may be used singly or in combination of two or more kinds.
건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법에 의해 실시하면 좋다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니쉬 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 30 내지 60질량%의 유기 용제를 함유하는 수지 바니쉬를 사용하는 경우, 50 내지 150℃에서 3 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다. Drying may be carried out by a known method such as heating, hot air blowing, or the like. The drying conditions are not particularly limited, but the drying is carried out so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is 10 mass% or less, preferably 5 mass% or less. When a resin varnish containing, for example, 30 to 60 mass% of an organic solvent is used, the resin varnish is dried at 50 to 150 ° C for 3 to 10 minutes to form a resin composition layer .
접착 필름에 있어서, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름을 추가로 적층할 수 있다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1 내지 40㎛이다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 접착 필름은, 롤상으로 감아 보존하는 것이 가능하다. 접착 필름이 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 박리함으로써 사용 가능해진다. In the adhesive film, a protective film conforming to the support may be further laminated on the surface of the resin composition layer not bonded to the support (that is, the surface opposite to the support). The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 to 40 탆. By laminating a protective film, it is possible to prevent adhesion and scratching of dust or the like to the surface of the resin composition layer. The adhesive film can be rolled up and stored. When the adhesive film has a protective film, it can be used by peeling the protective film.
일 실시형태에 있어서, 프리프레그는 시트상 섬유 기재에 본 발명의 수지 조성물을 함침시켜 형성된다. In one embodiment, the prepreg is formed by impregnating a sheet-like fibrous substrate with the resin composition of the present invention.
프리프레그에 사용하는 시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않으며, 글래스클로스, 아라미드 부직포, 액정 중합체 부직포 등의 프리프레그용 기재로서 상용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는, 바람직하게는 50㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 40㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 30㎛ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 20㎛ 이하이다. 시트상 섬유 기재의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로 10㎛ 이상이다. The sheet-like fibrous substrate used in the prepreg is not particularly limited, and those commonly used as prepreg substrates such as glass cloth, aramid nonwoven fabric, and liquid crystal polymer nonwoven fabric can be used. The thickness of the sheet-like fiber base material is preferably 50 占 퐉 or less, more preferably 40 占 퐉 or less, further preferably 30 占 퐉 or less, still more preferably 20 占 퐉 or less, from the viewpoint of reducing the thickness of the printed wiring board. The lower limit of the thickness of the sheet-like fibrous substrate is not particularly limited, but is usually 10 占 퐉 or more.
프리프레그는, 핫멜트법, 솔벤트법 등의 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다. And can be produced by a known method such as prepreg, hot melt method, solvent method and the like.
프리프레그의 두께는, 상기의 접착 필름에 있어서의 수지 조성물층과 같은 범위로 할 수 있다. The thickness of the prepreg can be the same as that of the resin composition layer in the above-mentioned adhesive film.
시트상 적층 재료에 있어서, 수지 조성물층의 최저 용융 점도는, 프린트 배선판의 제조시에 수지가 스며나오는 것을 억제하는 관점에서, 바람직하게는 300포이즈 이상, 보다 바람직하게는 500포이즈 이상, 더욱 바람직하게는 700포이즈 이상, 900포이즈 이상, 또는 1000포이즈 이상이다. 수지 조성물층의 최저 용융 점도의 상한은, 프린트 배선판의 제조시에 양호한 적층성(회로 매립성)을 달성하는 관점에서, 바람직하게는 30000포이즈 이하, 보다 바람직하게는 25000포이즈 이하, 더욱 바람직하게는 20000포이즈 이하, 15000포이즈 이하, 10000포이즈 이하, 5000포이즈 이하 또는 3500포이즈 이하이다. 특히 프린트 배선판의 제조에 있어서 진공 라미네이트법에 의해 수지 조성물층과 내층 기판의 적층을 실시하는 경우에는, 수지 조성물층의 최저 용융 점도의 상한은, 5000포이즈 이하, 또는 3500포이즈 이하인 것이 적합하다. 여기서, 수지 조성물층의 「최저 용융 점도」란, 수지 조성물층의 수지가 용융되었을 때에 수지 조성물층이 나타내는 최저 점도를 말한다. 상세하게는, 일정한 승온 속도로 수지 조성물층을 가열하여 수지를 용융시키면, 초기 단계는 용융 점도가 온도 상승과 함께 저하되고, 그 후, 일정 온도를 초과하면 온도 상승과 함께 용융 점도가 상승한다. 「최저 용융 점도」란, 이러한 극소점의 용융 점도를 말한다. 수지 조성물층의 최저 용융 점도는, 동적 점탄성법에 의해 측정할 수 있고, 예를 들면, 후술하는 <최저 용융 점도의 측정>에 기재된 방법에 따라 측정할 수 있다. In the sheet-like laminated material, the minimum melt viscosity of the resin composition layer is preferably 300 poise or more, more preferably 500 poise or more, and still more preferably 500 poise or more from the viewpoint of suppressing resin seeping during production of the printed wiring board Is at least 700 poise, at least 900 poise, or at least 1000 poise. The upper limit of the lowest melt viscosity of the resin composition layer is preferably 30,000 poise or less, more preferably 25000 poise or less, still more preferably 25000 poise or less, and still more preferably 25000 poise or less, from the viewpoint of achieving good lamination 20,000 poise or less, 15000 poise or less, 10000 poise or less, 5000 poise or less or 3500 poise or less. Particularly in the production of a printed wiring board, when the resin composition layer and the inner layer substrate are laminated by a vacuum laminating method, the upper limit of the minimum melt viscosity of the resin composition layer is preferably 5,000 poise or less or 3500 poise or less. Here, the " minimum melt viscosity " of the resin composition layer means the lowest viscosity exhibited by the resin composition layer when the resin of the resin composition layer is melted. Specifically, when the resin composition is heated by heating at a constant heating rate to melt the resin, the melt viscosity of the resin is lowered at the initial stage as the temperature rises. Thereafter, when the temperature exceeds the predetermined temperature, the melt viscosity increases with the temperature rise. The "minimum melt viscosity" refers to the melt viscosity of such a minimum point. The lowest melt viscosity of the resin composition layer can be measured by a dynamic viscoelasticity method, and can be measured, for example, by the method described in " Measurement of Minimum Melting Viscosity "
특정한 형상 파라미터 조건을 충족시키는 무기 충전재를 소정량 사용하는 본 발명에 있어서는, 상기 적합한 범위의 최저 용융 점도를 나타내는 수지 조성물층을 유리하게 형성할 수 있고, 프린트 배선판의 제조시에 양호한 적층성을 나타내는 시트상 적층 재료를 초래할 수 있다. 또한, 본 발명의 수지 조성물은 양호한 분산 안정성을 나타내기 때문에, 수득되는 시트상 적층 재료에 있어서, 수지 조성물층 중에 조대한 응집 입자가 석출되는 것을 억제할 수 있다. In the present invention using a predetermined amount of an inorganic filler satisfying a specific shape parameter condition, it is possible to advantageously form a resin composition layer exhibiting the lowest melt viscosity in the above-mentioned preferable range and to exhibit a good lamination property at the time of production of a printed wiring board Resulting in sheet-over-stack material. Further, since the resin composition of the present invention exhibits good dispersion stability, precipitation of coarse aggregated particles in the resin composition layer can be suppressed in the obtained sheet-like laminated material.
본 발명의 시트상 적층 재료는, 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위해(프린트 배선판의 절연층용) 적합하게 사용할 수 있고, 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위해(프린트 배선판의 층간 절연층용) 보다 적합하게 사용할 수 있고, 게다가 도금에 의해 도체층이 형성되는 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(도금에 의해 도체층을 형성하는 프린트 배선판의 층간 절연층용)에 더욱 적합하게 사용할 수 있다. The sheet-like laminated material of the present invention can be suitably used for forming an insulating layer of a printed wiring board (for an insulating layer of a printed wiring board), and can be suitably used for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board (For an interlayer insulating layer of a printed wiring board on which a conductor layer is formed by plating) for forming an interlayer insulating layer which can be suitably used and on which a conductor layer is formed by plating.
[프린트 배선판][Printed circuit board]
본 발명의 프린트 배선판은, 본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함한다. The printed wiring board of the present invention includes an insulating layer formed by a cured product of the resin composition of the present invention.
일 실시형태에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판은, 상기의 접착 필름을 사용하여, 하기 (I) 및 (II)의 공정을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다. In one embodiment, the printed wiring board of the present invention can be produced by a method including the following steps (I) and (II) using the above-mentioned adhesive film.
(I) 내층 기판 위에, 접착 필름을, 당해 접착 필름의 수지 조성물층이 내층 기판과 접합하도록 적층하는 공정(I) Step of laminating an adhesive film on the inner layer substrate and bonding the resin composition layer of the adhesive film to the inner layer substrate
(II) 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하는 공정(II) a step of thermally curing the resin composition layer to form an insulating layer
공정 (I)에서 사용하는 「내층 기판」이란, 주로, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판, 또는 당해 기판의 편면 또는 양면에 패턴 가공된 도체층(회로)이 형성된 회로 기판을 말한다. 또한 프린트 배선판을 제조할 때, 또한 절연층 및/또는 도체층이 형성되어야 하는 중간 제조물의 내층 회로 기판도 본 발명에서 말하는「내층 기판」에 포함된다. The term " inner layer substrate " used in the step (I) mainly refers to a substrate such as a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate, Or circuit boards (circuits) patterned on both sides are formed. Further, when manufacturing a printed wiring board, an inner layer circuit board of an intermediate product in which an insulating layer and / or a conductor layer is to be formed is also included in the " inner layer board "
내층 기판의 두께는, 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 800㎛ 이하, 보다 바람직하게는 400㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 200㎛ 이하이다. 본 발명에 의하면, 더욱 얇은 내층 기판을 사용하는 경우라도, 실장 공정에 있어서의 프린트 배선판의 휘어짐을 억제할 수 있다. 예를 들면, 190㎛ 이하, 180㎛ 이하, 170㎛ 이하, 160㎛ 이하, 150㎛ 이하, 140㎛ 이하, 130㎛ 이하, 120㎛ 이하, 110㎛ 이하 또는 100㎛ 이하의 두께의 내층 기판을 사용하는 경우라도, 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있다. 내층 기판의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 프린트 배선판 제조시의 취급성 향상의 관점에서, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상이다. The thickness of the inner layer substrate is preferably 800 占 퐉 or less, more preferably 400 占 퐉 or less, and still more preferably 200 占 퐉 or less, from the viewpoint of reducing the thickness of the printed wiring board. According to the present invention, even when a thinner inner-layer substrate is used, the warp of the printed wiring board in the mounting process can be suppressed. An inner layer substrate having a thickness of, for example, 190 μm or less, 180 μm or less, 170 μm or less, 160 μm or less, 150 μm or less, 140 μm or less, 130 μm or less, 120 μm or less, 110 μm or less, It is possible to suppress the warping in the mounting process. The lower limit of the thickness of the inner layer substrate is not particularly limited, but is preferably 10 占 퐉 or more, and more preferably 20 占 퐉 or more, from the viewpoint of improvement in handling during production of a printed wiring board.
내층 기판의 굴곡 탄성율은, 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에 있어서는, 내층 기판의 굴곡 탄성율에 의하지 않고, 부품의 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 억제할 수 있다. The flexural modulus of the inner layer substrate is not particularly limited. In the present invention, it is possible to suppress warping in a component mounting process, regardless of the flexural modulus of the inner layer substrate.
내층 기판과 접착 필름의 적층은, 예를 들면, 지지체측에서 접착 필름을 내층 기판에 가열 압착함으로써 실시할 수 있다. 접착 필름을 내층 기판에 가열 압착하는 부재(이하,「가열 압착 부재」라고도 한다.)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 한편, 가열 압착 부재를 접착 필름에 직접 프레스하지 않고, 내층 기판의 표면 요철에 접착 필름이 충분히 추수(追隨)하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다. The lamination of the inner layer substrate and the adhesive film can be carried out, for example, by thermally bonding an adhesive film to the inner layer substrate on the support side. Examples of the member for heating and pressing the adhesive film to the inner layer substrate (hereinafter also referred to as " hot pressing member ") include a heated metal plate (SUS hard plate) or a metal roll (SUS roll). On the other hand, it is preferable to press the heat-press member through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the adhesive film sufficiently sucks the surface unevenness of the surface of the inner layer substrate without directly pressing the adhesive member.
내층 기판과 접착 필름의 적층은, 진공 라미네이트법에 의해 실시하면 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80 내지 140℃의 범위이고, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29 내지 1.47MPa의 범위이고, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건하에서 실시한다. The lamination of the inner layer substrate and the adhesive film may be carried out by a vacuum lamination method. In the vacuum laminating method, the heat pressing temperature is preferably in the range of 60 to 160 占 폚, more preferably 80 to 140 占 폚, and the heat pressing pressure is preferably 0.098 to 1.77 MPa, 1.47 MPa, and the heat pressing time is preferably in the range of 20 to 400 seconds, and more preferably 30 to 300 seconds. The lamination is preferably performed under a reduced pressure of 26.7 hPa or less.
적층은, 시판 진공 라미네이터에 의해 실시할 수 있다. 시판 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, (주) 메이키세사쿠쇼 제조의 진공 가압식 라미네이터, 니치고·모튼(주) 제조의 배큠 어플리케이터 등을 들 수 있다. The lamination can be performed by a commercial vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, for example, a vacuum pressurized laminator manufactured by Meikishesakusho Co., Ltd., a vacuum applicator manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd., and the like can be given.
적층후에, 상압하(대기압하), 예를 들면, 가열 압착 부재를 지지체측에서 프레스함으로써, 적층된 접착 필름의 평활화 처리를 실시해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 같은 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는, 시판 라미네이터에 의해 실시할 수 있다. 한편, 적층과 평활화 처리는, 상기의 시판 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 실시해도 좋다. After lamination, the laminated adhesive film may be subjected to smoothing treatment under atmospheric pressure (at atmospheric pressure), for example, by pressing the hot press member on the support side. The pressing condition of the smoothing treatment can be set to the same conditions as the hot pressing conditions of the lamination. The smoothing process can be performed by a commercial laminator. On the other hand, the lamination and smoothing process may be carried out continuously using the above-mentioned commercial vacuum laminator.
내층 기판과 접착 필름의 적층은 또한, 진공 핫프레스기를 사용하여 실시해도 좋다. 진공 핫프레스기를 사용함으로써, 무기 충전재 함유량이 높은 수지 조성물을 사용하는 경우라도, 양호한 적층성(회로 매립성)을 달성할 수 있다. 가열 및 가압은, 1단계로 실시해도 좋지만, 수지가 스며나오는 것을 억제하는 관점에서, 2단계 이상으로 조건을 나누어 실시하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 1단계째의 프레스를, 온도가 70 내지 150℃, 압력이 0.098 내지 1.77MPa의 범위, 2단계째의 프레스를, 온도가 150 내지 200℃, 압력이 0.098 내지 3.92MPa의 범위에서 실시하는 것이 바람직하다. 각 단계의 시간은, 30 내지 120분간인 것이 바람직하다. 프레스는, 통상 1×10-2MPa 이하, 바람직하게는 1×10-3MPa 이하의 감압하에서 실시한다. 시판 진공 핫프레스기로서는, 예를 들면, (주) 메이키세사쿠쇼 제조 「MNPC-V-750-5-200」, 키타가와세이키(주) 제조「VH1-1603」등을 들 수 있다. 진공 핫프레스기를 사용하여 공정 (I)을 실시하는 경우, 당해 공정은 수지 조성물층의 열경화(즉, 공정 (II))를 겸해도 좋다. The lamination of the inner layer substrate and the adhesive film may also be carried out using a vacuum hot press. By using a vacuum hot press machine, even when a resin composition having a high content of inorganic filler is used, good lamination performance (circuit embedding property) can be achieved. The heating and pressurization may be carried out in one step, but it is preferable to carry out the heating and pressurization in two or more stages from the viewpoint of inhibiting the resin from leaching out. For example, the first-stage press is carried out at a temperature of 70 to 150 DEG C, a pressure of 0.098 to 1.77 MPa, and a second-stage press at a temperature of 150 to 200 DEG C and a pressure of 0.098 to 3.92 MPa . The time for each step is preferably 30 to 120 minutes. Presses, of usually 1 × 10 -2 MPa or less, and preferably is carried out under a reduced pressure of less than 1 × 10 -3 MPa. As a commercially available vacuum hot press, for example, "MNPC-V-750-5-200" manufactured by Meikishesakusho Co., Ltd. and "VH1-1603" manufactured by Kitagawa Seiki Co., Ltd. can be mentioned. When the step (I) is carried out using a vacuum hot press, the step may also serve as a thermosetting (i.e., step (II)) of the resin composition layer.
지지체는, 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (II) 후에 제거해도 좋다. The support may be removed between the step (I) and the step (II), or may be removed after the step (II).
공정 (II)에 있어서, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다. In the step (II), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer.
수지 조성물층의 열경화 조건은 특별히 한정되지 않으며, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때 통상 채용되는 조건을 사용하면 좋다. The thermosetting conditions of the resin composition layer are not particularly limited, and conditions that are generally employed when forming the insulating layer of the printed wiring board may be used.
예를 들면, 수지 조성물층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 따라서도 상이하지만, 경화 온도는 120 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150 내지 210℃의 범위, 보다 바람직하게는 170 내지 190℃의 범위), 경화 시간은 5 내지 90분간의 범위(바람직하게는 10 내지 75분간, 보다 바람직하게는 15 내지 60분간)로 할 수 있다. For example, the thermosetting condition of the resin composition layer varies depending on the kind of the resin composition and the like, but the curing temperature is in the range of 120 to 240 캜 (preferably in the range of 150 to 210 캜, more preferably in the range of 170 to 190 ° C.), and the curing time is in the range of 5 to 90 minutes (preferably 10 to 75 minutes, and more preferably 15 to 60 minutes).
수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열해도 좋다. 예를 들면, 수지 조성물층을 열경화시키는데 앞서, 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물층을 5분간 이상(바람직하게는 5 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다. The resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature before thermosetting the resin composition layer. For example, before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer is heated to a temperature of not less than 50 ° C and not more than 120 ° C (preferably not less than 60 ° C and not more than 110 ° C, more preferably not less than 70 ° C and not more than 100 ° C) (Preferably 5 to 150 minutes, more preferably 15 to 120 minutes).
본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층은, 낮은 열팽창율을 나타낸다. 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층은, 바람직하게는 30ppm/℃ 이하, 보다 바람직하게는 28ppm/℃ 이하의 선열팽창 계수를 가진다. 절연층의 선열팽창 계수의 하한은 특별히 제한되지 않지만, 통상적으로 1ppm/℃ 이상이다. 절연층의 선열팽창 계수는, 예를 들면, 열기계 분석 등의 공지의 방법에 의해 측정할 수 있다. 열기계 분석 장치로서는, 예를 들면, (주) 리가쿠 제조의 「Thermo Plus TMA8310」을 들 수 있다. 본 발명에 있어서, 절연층의 선열팽창 계수는, 인장 가중법으로 열기계 분석을 실시했을 때의, 평면 방향의 25 내지 150℃의 선열팽창 계수이다. The insulating layer formed by the cured product of the resin composition of the present invention exhibits a low coefficient of thermal expansion. In one embodiment, the insulating layer formed by the cured product of the resin composition of the present invention preferably has a coefficient of linear thermal expansion of 30 ppm / ° C or lower, more preferably 28 ppm / ° C or lower. The lower limit of the linear thermal expansion coefficient of the insulating layer is not particularly limited, but is usually 1 ppm / DEG C or more. The coefficient of linear thermal expansion of the insulating layer can be measured by a known method such as thermomechanical analysis. As a thermomechanical analyzer, for example, "Thermo Plus TMA8310" manufactured by Rigaku Corporation can be mentioned. In the present invention, the coefficient of linear thermal expansion of the insulating layer is a coefficient of linear thermal expansion in the plane direction of 25 to 150 캜 when thermomechanical analysis is performed by a tensile weighting method.
프린트 배선판을 제조할 때에는, (III) 절연층에 천공하는 공정, (IV) 절연층을 조화(粗化) 처리하는 공정, (V) 절연층 표면에 도체층을 형성하는 공정을 추가로 실시해도 좋다. 이들 공정 (III) 내지 (V)는, 프린트 배선판의 제조에 사용되는, 당업자에게 공지의 각종 방법에 따라 실시하면 좋다. 한편, 지지체를 공정 (II) 후에 제거하는 경우, 당해 지지체의 제거는, 공정 (II)와 공정 (III) 사이, 공정 (III)과 공정 (IV) 사이, 또는 공정 (IV)와 공정 (V) 사이에 실시하면 좋다.(III) the step of piercing the insulating layer, (IV) the step of roughening the insulating layer, and (V) the step of forming the conductor layer on the surface of the insulating layer. good. These steps (III) to (V) may be carried out according to various methods known to those skilled in the art, which are used in the production of printed wiring boards. On the other hand, when the support is removed after the step (II), the removal of the support is carried out between the step (II) and the step (III), between the step (III) ).
공정 (III)은, 절연층에 천공하는 공정이며, 이것에 의해 절연층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 공정 (III)은, 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성 등에 따라, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용하여 실시하면 좋다. 홀의 치수나 형상은, 프린트 배선판의 디자인에 따라 적절히 결정하면 좋다. 상기한 바와 같이, 본 발명의 수지 조성물은 양호한 분산 안정성을 나타내기 때문에, 수지 조성물층 중, 나아가서는 절연층 중에 조대한 응집 입자가 석출되는 것을 억제할 수 있다. 이러한 균일한 조성을 갖는 절연층에 있어서는, 공정 (III)에 있어서 원하는 단면 형상을 갖는 홀을 형성할 수 있다. 따라서, 홀을 도체 금속으로 충전하여 필드 비아를 형성하는 경우에도, 홀 내를 원활하게 도체 금속으로 충전할 수 있다. 이 점, 파쇄상의 무기 충전재를 사용하는 경우와 같이 날카롭게 각진 무기 충전재 또는 이의 조대한 응집 입자가 홀의 벽면에 존재하면, 당해 무기 충전재 또는 이의 조대한 응집 입자를 기점으로 하여 우선적으로 도금이 신장되기 때문에 필드 비아 중에 보이드가 발생하는 경우가 있다. 특정한 형상 파라미터 조건을 충족시키는 무기 충전재를 사용하는 본 발명에 있어서는, 홀의 벽면에 이러한 응집 입자 등이 존재하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 홀 벽면 전체에 걸쳐 균일하게 도금이 신장되어, 필드 비아 중의 보이드의 발생을 유리하게 억제할 수 있다. The step (III) is a step of perforating the insulating layer, whereby holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. The step (III) may be carried out using, for example, a drill, a laser or a plasma, depending on the composition of the resin composition used for forming the insulating layer. The dimensions and shape of the holes may be suitably determined in accordance with the design of the printed wiring board. As described above, since the resin composition of the present invention exhibits good dispersion stability, precipitation of coarse aggregated particles in the resin composition layer and further in the insulating layer can be suppressed. In the insulating layer having such a uniform composition, a hole having a desired cross-sectional shape in the step (III) can be formed. Therefore, even when the holes are filled with the conductor metal to form the field via, the holes can be smoothly filled with the conductor metal. On the other hand, when sharpened angular inorganic fillers or coarsely agglomerated particles thereof exist on the wall surface of the hole as in the case of using the inorganic filler on the fracture surface, the plating is preferentially stretched from the inorganic filler or its coarse agglomerated particle as a starting point Voids may be generated in the field vias. In the present invention using an inorganic filler satisfying a specific shape parameter condition, it is possible to suppress the presence of such aggregated particles on the wall surface of the hole, so that the plating is uniformly extended over the entire wall surface of the hole, Can be advantageously suppressed.
공정 (IV)는, 절연층을 조화 처리하는 공정이다. 조화 처리의 수순, 조건은 특별히 한정되지 않으며, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때 통상 사용되는 공지의 수순, 조건을 채용할 수 있다. 예를 들면, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순서로 실시하여 절연층을 조화 처리할 수 있다. 팽윤액으로서는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 용액, 계면활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이고, 당해 알칼리 용액으로서는, 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬(주) 제조의 스웰링·딥·세큐리간트 P, 스웰링·딥·세큐리간트 SBU 등을 들 수 있다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 30 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1 내지 20분간 침지함으로써 실시할 수 있다. 산화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨이나 과망간산나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10 내지 30분간 침지시켜 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에 있어서의 과망간산염의 농도는 5 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들면, 아토텍재팬(주) 제조의 콘센트레이트·콤팩트 CP, 도징솔류션·세큐리간트 P 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 중화액으로서는, 산성의 수용액이 바람직하며, 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬(주) 제조의 리덕션솔류션·세큐리간트 P를 들 수 있다. 중화액에 의한 처리는, 산화제 용액에 의한 조화 처리가 이루어진 처리면을 30 내지 80℃의 중화액에 5 내지 30분간 침지시킴으로써 실시할 수 있다. Step (IV) is a step of roughening the insulating layer. The procedure and condition of the roughening treatment are not particularly limited, and a known procedure and condition commonly used in forming the insulating layer of the printed wiring board can be adopted. For example, the swelling treatment with a swelling liquid, the harmonization treatment with an oxidizing agent, and the neutralization treatment with a neutralizing liquid can be carried out in this order to roughen the insulating layer. The swelling liquid is not particularly limited, but an alkaline solution, a surfactant solution and the like can be mentioned, and an alkaline solution is preferable, and a sodium hydroxide solution and a potassium hydroxide solution are more preferable as the alkaline solution. Examples of commercially available swelling liquids include Swelling Dip · Sucrygant P, Swelling Dip · Sucrygant SBU manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., and the like. The swelling treatment with the swelling liquid is not particularly limited, and can be carried out, for example, by immersing the insulating layer in a swelling solution at 30 to 90 캜 for 1 to 20 minutes. The oxidizing agent is not particularly limited, and for example, an alkaline permanganic acid solution obtained by dissolving potassium permanganate or sodium permanganate in an aqueous solution of sodium hydroxide may be mentioned. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably carried out by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated to 60 to 80 캜 for 10 to 30 minutes. The concentration of the permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5 to 10% by mass. Examples of the commercially available oxidizing agent include alkaline permanganic acid solutions such as Concentrate Compact CP manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., and Dozing Solution · Sucry Gent P (trade name). As the neutralization solution, an acidic aqueous solution is preferable, and as a commercial product, for example, Reduction Solution · Sucrygant P manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. may be mentioned. The treatment with the neutralizing liquid can be carried out by immersing the treated surface subjected to the roughening treatment with the oxidizing agent solution in a neutralizing solution at 30 to 80 캜 for 5 to 30 minutes.
본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성된 절연층은, 조화 처리후에 낮은 표면 조도를 나타낸다. 일 실시형태에 있어서, 조화 처리후의 절연층 표면의 산술 평균 조도(Ra)는, 바람직하게는 500nm 이하, 보다 바람직하게는 480nm 이하, 더욱 바람직하게는 450nm 이하, 더욱 보다 바람직하게는 400nm 이하, 360nm 이하 또는 320nm 이하이다. 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성된 절연층은, 이와 같이 Ra가 작은 경우라도, 도체층에 대해 우수한 밀착 강도를 나타낸다. Ra값의 하한은 특별히 한정은 되지 않지만, 0.5nm 이상이 바람직하며, 1nm 이상이 보다 바람직하다. 절연층 표면의 산술 평균 조도(Ra)는, 비접촉형 표면 조도계를 사용하여 측정할 수 있다. 비접촉형 표면 조도계의 구체예로서는, 비코인스트루먼트사 제조의 「WYKO NT3300」을 들 수 있다. The insulating layer formed using the resin composition of the present invention exhibits a low surface roughness after the roughening treatment. In one embodiment, the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 500 nm or less, more preferably 480 nm or less, still more preferably 450 nm or less, still more preferably 400 nm or less, Or 320 nm or less. The insulating layer formed using the resin composition of the present invention exhibits excellent adhesion strength to the conductor layer even when the Ra is small. The lower limit of the Ra value is not particularly limited, but is preferably 0.5 nm or more, more preferably 1 nm or more. The arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the insulating layer can be measured using a non-contact surface roughness meter. As a specific example of the non-contact type surface roughness meter, "WYKO NT3300" manufactured by Vico Instruments Inc. can be mentioned.
공정 (V)는, 절연층 표면에 도체층을 형성하는 공정이다. Step (V) is a step of forming a conductor layer on the surface of the insulating layer.
도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 함유한다. 도체층은, 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는, 예를 들면, 상기의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 이 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티탄 합금의 합금층이 바람직하며, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하며, 구리의 단금속층이 더욱 바람직하다. The conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer contains at least one metal selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, do. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. Examples of the alloy layer include alloys of two or more metals selected from the above-mentioned group (for example, nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy, Alloy). Among them, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy And an alloy layer of a copper-titanium alloy is preferable and a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper or an alloy layer of a nickel- chromium alloy is more preferable, Is more preferable.
도체층은, 단층 구조라도, 상이한 종류의 금속 또는 합금으로 이루어지는 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은, 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다. The conductor layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure in which two or more single-metal layers or alloy layers made of different kinds of metals or alloys are stacked. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of a nickel-chromium alloy.
도체층의 두께는, 원하는 프린트 배선판의 디자인에 따르지만, 일반적으로 3 내지 35㎛, 바람직하게는 5 내지 30㎛이다. The thickness of the conductor layer depends on the design of the desired printed wiring board, but is generally from 3 to 35 mu m, preferably from 5 to 30 mu m.
도체층은, 도금에 의해 형성하면 좋다. 예를 들면, 세미어디티브법, 풀어디티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. 이하, 도체층을 세미어디티브법에 의해 형성하는 예를 나타낸다. The conductor layer may be formed by plating. For example, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by plating the surface of the insulating layer by a conventionally known technique such as a semi-custom method or a pull-on-wet method. Hereinafter, an example in which the conductor layer is formed by the semi-
우선, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다. First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Subsequently, a mask pattern is formed on the formed plating seed layer to expose a part of the plating seed layer corresponding to the desired wiring pattern. A metal layer is formed on the exposed plating seed layer by electrolytic plating, and then the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer is removed by etching or the like, and a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed.
본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성된 절연층은, 도체층에 대해 충분한 밀착 강도를 나타낸다. 일 실시형태에 있어서, 절연층과 도체층의 밀착 강도는, 바람직하게는 0.50kgf/cm 이상, 보다 바람직하게는 0.55kgf/cm 이상, 더욱 바람직하게는 0.60kgf/cm 이상이다. 밀착 강도의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 1.2kgf/cm 이하, 0.90kgf/cm 이하 등이 된다. 본 발명에 있어서는, 조화 처리후의 절연층의 표면 조도(Ra)가 작음에도 불구하고, 이와 같이 높은 밀착 강도를 나타내는 절연층을 형성할 수 있기 때문에, 회로 배선의 미세화에 현저하게 기여하는 것이다. 또한 본 발명에 있어서, 절연층과 도체층의 밀착 강도란, 도체층을 절연층에 대해 수직 방향(90도 방향)으로 박리했을 때의 박리 강도(90도 필 강도)를 말하고, 도체층을 절연층에 대해 수직 방향(90도 방향)으로 박리했을 때의 박리 강도를 인장 시험기로 측정함으로써 구할 수 있다. 인장 시험기로서는, 예를 들면, (주) TES 제조의 「AC-50C-SL」등을 들 수 있다. The insulating layer formed using the resin composition of the present invention exhibits sufficient adhesion strength to the conductor layer. In one embodiment, the adhesion strength between the insulating layer and the conductor layer is preferably 0.50 kgf / cm or more, more preferably 0.55 kgf / cm or more, and still more preferably 0.60 kgf / cm or more. The upper limit value of the adhesion strength is not particularly limited, but is 1.2 kgf / cm or less and 0.90 kgf / cm or less. In the present invention, since the insulating layer exhibiting such high adhesion strength can be formed even though the surface roughness (Ra) of the insulating layer after the roughening treatment is small, it contributes significantly to miniaturization of the circuit wiring. In the present invention, the adhesion strength between the insulating layer and the conductor layer refers to the peel strength (90 degree fill strength) when the conductor layer is peeled in the direction perpendicular to the insulating layer (90 degrees direction) And the peel strength when peeling in the direction perpendicular to the layer (in the direction of 90 degrees) is measured by a tensile tester. As the tensile tester, for example, "AC-50C-SL" manufactured by TES Co., Ltd. and the like can be mentioned.
다른 실시형태에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판은, 상기의 프리프레그를 사용하여 제조할 수 있다. 제조 방법은 기본적으로 접착 필름을 사용하는 경우와 같다. In another embodiment, the printed wiring board of the present invention can be produced by using the above prepreg. The manufacturing method is basically the same as the case of using an adhesive film.
[반도체 장치][Semiconductor device]
본 발명의 프린트 배선판을 사용하여, 반도체 장치를 제조할 수 있다. 본 발명의 프린트 배선판은 박형임에도 불구하고, 높은 땜납 리플로우 온도를 채용하는 부품의 실장 공정에 있어서도 휘어짐을 억제할 수 있어, 회로 변형이나 부품의 접촉 불량 등의 문제를 유리하게 경감시킬 수 있다. By using the printed wiring board of the present invention, a semiconductor device can be manufactured. Although the printed wiring board of the present invention is thin, warpage can be suppressed even in a mounting process of a component employing a high solder reflow temperature, and problems such as circuit deformation and poor contact of parts can be advantageously reduced.
일 실시형태에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판은, 피크 온도가 260℃로 높은 땜납 리플로우 온도를 채용하는 실장 공정에 있어서, 프린트 배선판의 휘어짐을, 40㎛ 미만으로 억제할 수 있다. 본 발명에 있어서, 프린트 배선판의 휘어짐은, 프린트 배선판 중앙의 10mm 각 부분의 휘어짐 거동을 쉐도우 모아레 장치로 관찰했을 때의, 변위 데이터의 최대 높이와 최소 높이의 차이의 값이다. 측정시에는, IPC/JEDEC J-STD-020C(「Moisture/Reflow Sensitivity Classification For Nonhermetic Solid State Surface Mount Devices」, 2004년 7월)에 기재되는 리플로우 온도 프로파일(납 프리 어셈블리용 프로파일; 피크 온도 260℃)을 재현하는 리플로우 장치에 프린트 배선판을 1회 통과시킨 후, 상기 IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거한 리플로우 온도 프로파일로 프린트 배선판의 편면을 가열 처리하여, 프린트 배선판의 다른쪽 면에 형성한 격자선에 관해서 변위 데이터를 구하였다. 한편, 리플로우 장치로서는, 예를 들면, 니혼안톰(주) 제조「HAS-6116」을 들 수 있고, 쉐도우 모아레 장치로서는, 예를 들면, Akrometrix 제조「TherMoire AXP」를 들 수 있다. 특정한 형상 파라미터 조건을 충족시키는 무기 충전재를 소정량 함유하는 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층을 포함하는 본 발명의 프린트 배선판은, 박형이라도, 실장 공정에 있어서의 휘어짐을 유리하게 억제할 수 있다. In one embodiment, the printed wiring board of the present invention can suppress the warpage of the printed wiring board to less than 40 mu m in a mounting process employing a solder reflow temperature which has a peak temperature as high as 260 deg. In the present invention, the warp of the printed wiring board is a value of the difference between the maximum height and the minimum height of the displacement data when the warping behavior of each 10 mm portion in the center of the printed wiring board is observed with a shadow moire apparatus. For the measurement, the reflow temperature profile (profile for lead-free assembly, peak temperature 260 (as described in IPC / JEDEC J-STD-020C (Moisture / Reflow Sensitivity Classification for Nonhermetic Solid State Surface Mount Devices, ° C.), and one side of the printed wiring board was subjected to a heat treatment with a reflow temperature profile conforming to IPC / JEDEC J-STD-020C, and the other side of the printed wiring board The displacement data was obtained with respect to the lattice lines formed on the substrate. On the other hand, as the reflow apparatus, for example, "HAS-6116" manufactured by Nihon Anthom Co., Ltd. can be mentioned, and as the shadow moiré apparatus, for example, TherMoire AXP manufactured by Akrometrix. The printed wiring board of the present invention including the insulating layer formed by the cured product of the resin composition containing a predetermined amount of the inorganic filler satisfying the specific shape parameter condition can advantageously suppress the warping in the mounting step even if it is thin .
반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털카메라 및 텔레비젼 등) 및 탈 것(예를 들면, 자동이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다. Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided in electrical products (such as a computer, a mobile phone, a digital camera, and a television) and a vehicle (such as a motorcycle, a car, a train, .
본 발명의 반도체 장치는, 본 발명의 프린트 배선판의 도통개소(導通箇所)에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통개소」란, 「프린트 배선판에 있어서의 전기 신호를 전달하는 개소」로서, 그 장소는 표면이라도, 매립된 개소라도 어느 것이라도 상관없다. 또한, 반도체 칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자이면 특별히 한정되지 않는다. The semiconductor device of the present invention can be manufactured by mounting a component (semiconductor chip) on a conductive portion (conductive portion) of the printed wiring board of the present invention. The " conduction site " is a " location for transmitting electrical signals in a printed wiring board ", and may be a surface or a buried site. The semiconductor chip is not particularly limited as long as it is an electric circuit element made of a semiconductor material.
본 발명의 반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은, 반도체 칩이 유효하게 기능하기만 하면, 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립칩 실장 방법, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법, 등을 들 수 있다. 여기서, 「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체 칩을 프린트 배선판의 오목부(凹部)에 직접 매립하고, 반도체 칩과 프린트 배선판 위의 배선을 접속시키는 실장 방법」을 말한다. The method of mounting the semiconductor chip when manufacturing the semiconductor device of the present invention is not particularly limited as long as the semiconductor chip effectively functions. Specifically, the semiconductor chip mounting method, the flip chip mounting method, the bump- (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), a mounting method using a non-conductive film (NCF), and the like. Here, the "mounting method using the bumpless buildup layer (BBUL)" refers to a mounting method in which "the semiconductor chip is directly buried in the concave portion of the printed wiring board and the semiconductor chip is connected to the wiring on the printed wiring board" .
[실시예][Example]
이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 한편, 이하에 있어서, 「부」및「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」및「질량%」를 의미한다. Hereinafter, the present invention will be described concretely with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following description, "parts" and "%" mean "part by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified.
우선 각종 측정 방법·평가 방법에 관해서 설명한다. First, various measurement methods and evaluation methods will be described.
〔평가용 기판 1의 조제〕[Preparation of evaluation substrate 1]
(1) 내층 회로 기판의 준비(1) Preparation of inner layer circuit board
내층 회로를 형성한 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(구리박의 두께 18㎛, 기판의 두께 0.3mm, 마츠시타덴코(주) 제조「R5715ES」)의 양면을 멕(주) 제조「CZ8100」으로 1㎛ 에칭하여 구리 표면의 조화 처리를 실시하였다. Both surfaces of a glass cloth base epoxy resin double-sided copper clad laminate (thickness of copper foil of 18 탆, thickness of the substrate of 0.3 mm, "R5715ES" manufactured by Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.) Mu] m to conduct coarsening treatment of the copper surface.
(2) 접착 필름의 적층(2) lamination of an adhesive film
실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을, 배치식 진공 가압 라미네이터((주) 메이키세사쿠쇼 제조「MVLP-500」)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 회로 기판과 접합하도록, 내층 회로 기판의 양면에 적층하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착함으로써 실시하였다. The adhesive films produced in the examples and the comparative examples were laminated on the inner layer circuit board such that the resin composition layer was bonded to the innerlayer circuit board using a batch type vacuum laminator ("MVLP-500" manufactured by Meikisha Sakusho Co., Ltd.) Respectively. The lamination was carried out by reducing the pressure for 30 seconds to bring the air pressure to 13 hPa or less, followed by pressing at 100 DEG C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds.
(3) 수지 조성물층의 경화(3) Curing of the resin composition layer
적층후, 기판의 양면으로부터 지지체를 박리하였다. 이어서, 100℃에서 30분간, 또한 170℃에서 30분간의 경화 조건으로 수지 조성물층을 열경화시켜 절연층을 형성하였다. After lamination, the support was peeled from both sides of the substrate. Subsequently, the resin composition layer was thermally cured at 100 占 폚 for 30 minutes and at 170 占 폚 for 30 minutes to form an insulating layer.
(4) 조화 처리(4) Harmonization processing
절연층의 형성후, 기판을 팽윤액(아토텍재팬(주) 제조「스웰링딥·세큐리간트 P」, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 및 수산화나트륨을 함유하는 수용액)에 80℃에서 5분간, 산화제(아토텍재팬(주) 제조「콘센트레이트·콤팩트 CP」, KMnO4: 60g/L, NaOH: 40g/L의 수용액)에 80℃에서 10분간, 마지막에 중화액(아토텍재팬(주) 제조「리덕션솔류션·세큐리간트 P」, 황산하이드록실아민 수용액)에 40℃에서 5분간 침지하였다. 이어서, 80℃에서 30분간 건조시켰다. 수득된 기판을 「기판(1a)」라고 칭한다. After the formation of the insulating layer, the substrate was immersed in a swelling liquid (aqueous solution containing "Swelling Dip · Sucuregent P", diethylene glycol monobutyl ether and sodium hydroxide manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) at 80 ° C for 5 minutes, (Aqueous solution of KMnO 4 : 60 g / L, NaOH: 40 g / L) at 80 ° C for 10 minutes, and finally with a neutralizing solution (manufactured by Atotech Japan K.K. &Quot; Reduction Solution · Sucuregent P ", aqueous solution of hydroxylamine sulfate) at 40 ° C for 5 minutes. Then, it was dried at 80 DEG C for 30 minutes. The resulting substrate is referred to as " substrate 1a ".
한편, 실시예 6 및 비교예 5에 관해서는, 상기 (2) 내지 (4)의 조작을 하기와 같이 실시하여 기판(1a)을 수득하였다. On the other hand, regarding the example 6 and the comparative example 5, the operations (2) to (4) were carried out as described below to obtain the substrate 1a.
실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을, 진공 프레스 장치(키타가와세이키(주) 제조「VH1-1603」)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 회로 기판과 접합하도록, 내층 회로 기판의 양면에 적층하였다. 적층은, 1×10-3MPa의 감압하, 100℃, 압력 1.0MPa로 30분간 압착하고, 이어서 180℃까지 10분에 걸쳐 승온시킨 후, 180℃, 압력 1.0MPa로 30분간 압착함으로써 실시하였다. 이것에 의해, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하였다. 조화 처리는, 팽윤액에 60℃에서 5분간, 산화제에 80℃에서 5분간 침지한 것 이외에는 상기 (4)와 같이 하였다. The adhesive films produced in Examples and Comparative Examples were laminated on both surfaces of the inner layer circuit board so that the resin composition layer was bonded to the inner layer circuit board using a vacuum press apparatus ("VH1-1603" manufactured by Kitagawa Seiki Co., Ltd.) Respectively. The lamination was performed by pressing the laminate at a reduced pressure of 1 x 10 -3 MPa at 100 캜 and a pressure of 1.0 MPa for 30 minutes, then heating the laminate to 180 캜 for 10 minutes, and then pressing the laminate at 180 캜 and a pressure of 1.0 MPa for 30 minutes . Thus, the resin composition layer was thermally cured to form an insulating layer. The roughening treatment was carried out in the same manner as in the above (4) except that the roughening treatment was carried out at 60 캜 for 5 minutes and at 80 캜 for 5 minutes in an oxidizing agent.
(5) 도체층의 형성(5) Formation of conductor layer
세미어디티브법에 따라, 하기와 같이, 절연층 표면에 도체층을 형성하였다. According to the semi-specific method, a conductor layer was formed on the surface of the insulating layer as follows.
기판(1a)을, PdCl2를 함유하는 무전해 도금액에 40℃에서 5분간 침지한 후, 무전해 구리 도금액에 25℃에서 20분간 침지하였다. 이어서, 150℃에서 30분간 가열하여 어닐 처리를 실시한 후, 에칭 레지스트를 형성하고, 에칭에 의해 패턴 형성하였다. 그 후, 황산구리 전해 도금을 실시하여, 두께 25㎛의 도체층을 형성하고, 어닐 처리를 180℃에서 30분간 실시하였다. 수득된 기판을「기판(1b)」라고 칭한다. The substrate 1a was immersed in an electroless plating solution containing PdCl 2 at 40 ° C for 5 minutes and immersed in an electroless copper plating solution at 25 ° C for 20 minutes. Subsequently, annealing was performed by heating at 150 占 폚 for 30 minutes, etching resist was formed, and a pattern was formed by etching. Thereafter, copper sulfate electroplating was performed to form a conductor layer having a thickness of 25 mu m, and annealing was performed at 180 DEG C for 30 minutes. The resulting substrate is referred to as " substrate 1b ".
〔평가용 기판 2의 조제〕[Preparation of Evaluation Substrate 2]
(1) 내층 기판의 준비(1) Preparation of inner layer substrate
내층 기판으로서, 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판의 양면 구리박을 모두 제거한 언클래드판(두께 100㎛)을 준비하였다. 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판으로서는, 미쯔비시가스가가쿠(주) 제조「HL832NSF-LCA」(사이즈 100mm×150mm, 베이스 기재의 두께 100㎛, 열팽창율 4ppm/℃, 굴곡 탄성율 34GPa, 표면 구리 회로의 두께 16㎛)를 사용하였다. As an inner layer substrate, an unclad plate (thickness 100 탆) was prepared by removing all the copper foils on both sides of a copper clad epoxy resin double-sided copper clad laminate. As the glass cloth epoxy resin double-sided copper-clad laminate, "HL832NSF-LCA" (size: 100 mm × 150 mm, thickness of base substrate: 100 μm, coefficient of thermal expansion: 4 ppm / ° C., flexural modulus: 34 GPa, manufactured by Mitsubishi Gas Kagaku Co., Thickness 16 mu m) was used.
(2) 접착 필름의 적층(2) lamination of an adhesive film
실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을, 배치식 진공 가압 라미네이터(리치고·모튼(주) 제조의 2스테이지 빌드업 라미네이터「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 기판과 접하도록, 내층 기판의 양면에 적층하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa에서 30초간 압착시킴으로써 실시하였다. 이어서, 100℃, 압력 0.5MPa에서 60초간 열프레스를 실시하였다. The adhesive films prepared in Examples and Comparative Examples were laminated by using a batch type vacuum laminator (CVP700, two-stage build-up laminator manufactured by Ricoh Morton Co., Ltd.) And laminated on both surfaces of the inner layer substrate. The lamination was carried out by reducing the pressure for 30 seconds to bring the air pressure to 13 hPa or less, followed by compression at 100 DEG C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. Then, hot pressing was performed at 100 占 폚 and a pressure of 0.5 MPa for 60 seconds.
(3) 수지 조성물층의 경화(3) Curing of the resin composition layer
적층후, 기판으로부터 지지체를 박리하였다. 이어서, 190℃에서 90분간의 경화 조건으로 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하였다. 수득된 기판을「기판(2a)」라고 칭한다. After lamination, the support was peeled from the substrate. Subsequently, the resin composition layer was thermally cured at 190 占 폚 for 90 minutes to form an insulating layer. The resulting substrate is referred to as " substrate 2a ".
<무기 충전재의 비표면적(S)의 측정>≪ Measurement of specific surface area (S) of inorganic filler &
무기 충전재의 비표면적은, 자동 비표면적 측정 장치((주) 마운텍 제조「Macsorb HM-1210」)를 사용하여, 질소 BET법에 의해 구하였다. The specific surface area of the inorganic filler was determined by the nitrogen BET method using an automatic specific surface area measuring apparatus (Macsorb HM-1210 manufactured by Moon Tec Co., Ltd.).
<무기 충전재의 평균 입자 직경(R)의 측정>≪ Measurement of average particle diameter (R) of inorganic filler >
20ml의 바이알병에, 무기 충전재 0.01g, 비이온계 분산제(니혼유시(주) 제조「T208.5」) 0.2g, 순수 10g을 가하고, 초음파 세정기로 10분간 초음파 분산을 실시하여, 샘플을 조제하였다. 이어서 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치((주) 시마즈세사쿠쇼 제조「SALD2200」)에 샘플을 투입하고, 순환시키면서 초음파를 10분간 조사하였다. 그 후, 초음파를 멈추고, 샘플의 순환을 유지한 채 입도 분포의 측정을 실시하여, 무기 충전재의 평균 입자 직경(R)을 구하였다. 한편, 측정시의 굴절율은 1.45-0.001i로 설정하였다. 0.2 g of a nonionic dispersant ("T208.5" manufactured by Nippon Oil Co., Ltd.) and 10 g of pure water were added to a vial bottle of 20 ml, and ultrasonic dispersion was performed for 10 minutes using an ultrasonic cleaner to prepare a sample Respectively. Subsequently, the sample was introduced into a laser diffraction particle size distribution analyzer ("SALD2200" manufactured by Shimadzu Corporation) and subjected to ultrasonic irradiation for 10 minutes while circulating the sample. Thereafter, the ultrasonic wave was stopped, and the particle size distribution was measured while the circulation of the sample was maintained to obtain the average particle diameter (R) of the inorganic filler. On the other hand, the refractive index at the time of measurement was set to 1.45-0.001i.
<형상 파라미터 A의 산출><Calculation of Form Parameter A>
무기 충전재의 비표면적(S), 평균 입자 직경(R), 및 밀도(ρ)의 값을 하기 수학식 1에 대입하여, 형상 파라미터 A를 산출하였다. The shape parameter A was calculated by substituting the values of the specific surface area (S), the average particle diameter (R), and the density (?) Of the inorganic filler into the following equation (1).
[수학식 1][Equation 1]
A = SRρ/6A = SR? / 6
<형상 파라미터 B의 산출>≪ Calculation of shape parameter B >
기판(1a)의 편면에 적층된 절연층에 관해서, FIB-SEM 복합 장치(SII나노테크놀로지(주) 제조「SMI3050SE」)를 사용하여, 관찰 배율 14,000배로 단면 관찰을 실시하였다. 수득된 FIB-SEM 상으로부터, 화상 처리 소프트((주) Leica 제조「QWin V3」)를 사용하여, 절연층 내에 존재하는 무기 충전재 입자의 주위 길이(L) 및 면적을 측정하였다. 한편, 측정은, 전체 상의 분명하지 않은 무기 충전재 입자나 윤곽이 선명하지 않은 무기 충전재 입자를 회피하고, 1 샘플당 임의의 50개의 무기 충전재 입자에 관해서 실시하였다. 수득된 무기 충전재 입자의 면적에서, 그것과 등면적의 진원의 주위 길이(원주; Lc)를 산출하였다. 그리고, L과 Lc의 값을 하기 수학식 2에 대입하여, 각 무기 충전재 입자에 관해서 형상 파라미터 B를 산출하고, 형상 파라미터 B의 평균값과 이의 분포를 수득하였다. Sections were observed at an observation magnification of 14,000 times using an FIB-SEM composite device (" SMI3050SE ", manufactured by SII Nanotechnology) with respect to the insulating layer laminated on one surface of the substrate 1a. From the obtained FIB-SEM image, the peripheral length (L) and area of the inorganic filler particles existing in the insulating layer were measured using image processing software ("QWin V3" manufactured by Leica). On the other hand, the measurement was carried out with respect to any 50 inorganic filler particles per one sample, avoiding unrecognized inorganic filler particles or unsharp inorganic filler particles as a whole. The circumferential length (circumference; Lc) of a circle of the same area as that of the obtained inorganic filler particle was calculated. Then, the values of L and Lc were substituted into the following equation (2), and the shape parameter B was calculated for each inorganic filler particle, and the average value of the shape parameter B and its distribution were obtained.
[수학식 2]&Quot; (2) "
B = Lc/LB = Lc / L
<무기 충전재의 평균 결정자 직경의 측정>≪ Measurement of average crystallite diameter of inorganic filler &
무기 충전재의 평균 결정자 직경은, 이하의 수순에 따라 구하였다. 우선, 유리 시험판에 무기 충전재를 고정시키고 샘플 플레이트를 조제하였다. 당해 샘플 플레이트를, 광각 X선 회절 장치((주) 리가쿠 제조「Multi FLEX」)에 세트하고, 광각 X선 회절 반사법에 의해 회절 프로파일을 측정하였다. X선원은 CuKα, 검출기는 신틸레이션 카운터, 출력은 40kV, 40mA이었다. 수득된 회절 프로파일의 SiO2 Quarts(101)면에 기초하는 회절선으로부터, Scherrer의 식을 사용하여 결정자 직경을 산출하였다. The average crystallite diameter of the inorganic filler was determined according to the following procedure. First, an inorganic filler was fixed to a glass test plate and a sample plate was prepared. The sample plate was set in a wide-angle X-ray diffractometer ("Multi FLEX" manufactured by Rigaku Corporation) and the diffraction profile was measured by the wide-angle X-ray diffraction reflection method. The X-ray source was CuK alpha, the detector was a scintillation counter, and the output was 40 kV, 40 mA. From the diffraction line based on the SiO 2 Quarts (101) plane of the obtained diffraction profile, the crystallite diameter was calculated using Scherrer's equation.
<분산 안정성의 평가>≪ Evaluation of dispersion stability &
실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름에 관해서, 수지 조성물층 중의 응집 입자를 마이크로스코프((주) KEYENCE 제조「VH-2250」)를 사용하여 관찰 배율 1000배로 관찰하였다. 수지 조성물의 분산 안정성은, 이하의 기준에 따라 평가하였다. With regard to the adhesive films produced in Examples and Comparative Examples, the aggregated particles in the resin composition layer were observed at a magnification of 1000 times using a microscope ("VH-2250" manufactured by KEYENCE Co., Ltd.). The dispersion stability of the resin composition was evaluated according to the following criteria.
평가 기준:Evaluation standard:
○: 10㎛ 이상의 응집 입자가 10 시야 중 2개 미만○: agglomerated particles having a size of 10 μm or more were less than 2 in 10 visual fields
×: 10㎛ 이상의 응집 입자가 10 시야 중 2개 이상X: Cohesive particles having a size of 10 탆 or more were observed at 2 or more out of 10 fields
<최저 용융 점도의 측정><Measurement of Minimum Melting Viscosity>
실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름의 수지 조성물층에 관해서, 동적 점탄성 측정 장치((주) 유·비·엠 제조「Rheosol-G3000」)를 사용하여 용융 점도를 측정하였다. 시료 수지 조성물 1g에 관해서, 직경 18mm의 패러렐 플레이트를 사용하여, 개시 온도 60℃에서 200℃까지 승온 속도 5℃/분으로 승온하고, 측정 온도 간격 2.5℃, 진도 1Hz, 변형 1deg의 측정 조건으로 동적 점탄성율을 측정하고, 최저 용융 점도를 측정하였다. 적층성은, 이하의 기준에 따라 평균하였다. The melt viscosity of the resin composition layer of the adhesive film prepared in the examples and comparative examples was measured using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus ("Rheosol-G3000" manufactured by Yu-Bu Co., Ltd.). With respect to 1 g of the sample resin composition, a parallel plate having a diameter of 18 mm was used to raise the temperature from a starting temperature of 60 ° C to 200 ° C at a temperature raising rate of 5 ° C / min, and a dynamic temperature of 2.5 ° C, The modulus of viscoelasticity was measured and the lowest melt viscosity was measured. The lamination properties were averaged according to the following criteria.
평가 기준:Evaluation standard:
○: 최저 용융 점도가 30000포이즈 이하?: The lowest melt viscosity was 30000 poise or less
×: 최저 용융 점도가 30000포이즈보다 높다X: Minimum melt viscosity is higher than 30000 poise
<휘어짐의 평가><Evaluation of warpage>
기판(2a)(n=5)를, 피크 온도 260℃의 땜납 리플로우 온도를 재현하는 리플로우 장치(니혼안톰(주) 제조「HAS-6116」)에 1회 통과시켰다(리플로우 온도 프로파일은 IPC/JEDEC J-STD-020C에 준거). 이어서, 쉐도우 모아레 장치(Akrometrix사 제조「TherMoire AXP」)를 사용하여, IPC/JEDEC J-STD-020C(피크 온도 260℃)에 준거한 리플로우 온도 프로파일로 기판 하면을 가열하고, 기판 상면에 배치한 격자선에 기초하여 기판 중앙의 10mm 각 부분의 변위를 측정하였다. 휘어짐은, 이하의 평가 기준에 따라 평가하였다. The substrate 2a (n = 5) was passed once through a reflow apparatus ("HAS-6116" manufactured by Nihon Anthom Co., Ltd.) for reproducing the solder reflow temperature at a peak temperature of 260 ° C IPC / JEDEC J-STD-020C). Subsequently, the substrate was heated with a reflow temperature profile conforming to IPC / JEDEC J-STD-020C (peak temperature 260 ° C) using a shadow moire apparatus ("TherMoire AXP" manufactured by Akrometrix) Based on one grating line, the displacement of each 10 mm square at the center of the substrate was measured. The warpage was evaluated according to the following evaluation criteria.
평가 기준:Evaluation standard:
○: 전체 5 샘플에 관해서, 전체 온도 범위에 있어서의 변위 데이터의 최대 높이와 최소 높이의 차이가 40㎛ 미만?: With respect to all 5 samples, the difference between the maximum height and the minimum height of the displacement data in the entire temperature range was less than 40 占 퐉
×: 적어도 1 샘플에 관해서, 전체 온도 범위에 있어서의 변위 데이터의 최대 높이와 최소 높이의 차이가 40㎛ 이상X: With respect to at least one sample, if the difference between the maximum height and the minimum height of the displacement data in the entire temperature range is 40 占 퐉 or more
<산술 평균 조도(Ra)의 측정>≪ Measurement of arithmetic mean roughness (Ra) >
기판(1a)에 관해서, 비접촉형 표면 조도계(비코인스트루먼트사 제조「WYKO NT3300」)를 사용하여, VSI 콘택트 모드, 50배 렌즈에 의해 측정 범위를 121㎛×92㎛로 하여 수득되는 수치에 의해 Ra값을 구하였다. 무작위로 선택한 10점의 평균값을 구함으로써 측정값으로 하였다. With respect to the substrate 1a, a value obtained by setting the measurement range to 121 占 퐉 92 占 퐉 by using a VSI contact mode and a 50x lens using a non-contact surface roughness meter ("WYKO NT3300" manufactured by Vico Instruments Inc.) Respectively. The average value of 10 randomly selected points was obtained as a measurement value.
<도체층의 밀착 강도의 측정>≪ Measurement of adhesion strength of conductor layer >
절연층과 도체층의 밀착 강도의 측정은, 평가 기판(1b)에 관해서, JIS C6481에 준거하여 실시하였다. 구체적으로는, 기판(1b)의 도체층에, 폭 10mm, 길이 100mm 부분의 노치를 넣고, 이 일단을 박리하여 집게로 집어, 실온 중에서, 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 35mm를 박리했을 때의 하중(kgf/cm)을 측정하고, 밀착 강도를 구하였다. The adhesion strength between the insulating layer and the conductor layer was measured according to JIS C6481 with respect to the evaluation board 1b. Specifically, a notch in a portion of a width of 10 mm and a length of 100 mm was inserted into the conductor layer of the substrate 1b, the one end was peeled off and picked up by a forceps, and 35 mm was peeled in a vertical direction at a rate of 50 mm / (Kgf / cm) was measured, and the adhesion strength was determined.
<선열팽창 계수의 측정><Measurement of Linear Thermal Expansion Coefficient>
실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을 190℃에서 90분간 가열하여 수지 조성물층을 열경화시켰다. 이어서, 지지체를 박리하여 시트상의 경화물을 수득하였다. 수득된 시트상의 경화물을, 폭 약 5mm, 길이 약 15mm의 시험편으로 절단하고, 열기계 분석 장치((주) 리가쿠 제조「Thermo Plus TMA8310」)를 사용하여, 인장가중법으로 열기계 분석을 실시하였다. 상세하게는, 시험편을 상기 열기계 분석 장치에 장착한 후, 하중 1g, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로 연속하여 2회 측정하였다. 그리고 2회째의 측정에 있어서, 25℃에서 150℃까지의 범위에 있어서의 평균 선열팽창 계수를 산출하였다. The adhesive films prepared in Examples and Comparative Examples were heated at 190 占 폚 for 90 minutes to thermally cure the resin composition layer. Then, the support was peeled off to obtain a sheet-like cured product. The obtained sheet-like cured product was cut into test pieces each having a width of about 5 mm and a length of about 15 mm and subjected to thermomechanical analysis by the tensile weighting method using a thermomechanical analyzer ("Thermo Plus TMA8310" manufactured by Rigaku Corporation) Respectively. Specifically, after the test piece was mounted on the thermomechanical analyzer, the test piece was continuously measured twice under the measurement conditions of a load of 1 g and a temperature raising rate of 5 캜 / minute. Then, in the second measurement, the average linear thermal expansion coefficient in a range from 25 ° C to 150 ° C was calculated.
<필드 비아의 보이드의 평가>≪ Evaluation of voids of field vias &
필드 비아의 보이드의 평가는, 이하의 수순에 따라 실시하였다. The evaluation of the voids of the via vias was carried out according to the following procedure.
(1) 비아홀의 형성(1) Formation of via hole
탄산 가스 레이저 가공기((주) 히타치세사쿠쇼 제조「LC-2E21B/1C」)를 사용하여, 기판(1a)의 편면에 적층된 절연층에, 톱 직경 60㎛, 보이드 직경 50㎛의 비아홀을 형성하였다. A via hole having a top diameter of 60 占 퐉 and a void diameter of 50 占 퐉 was formed in an insulating layer laminated on one surface of the substrate 1a using a carbon dioxide gas laser processing machine ("LC-2E21B / 1C" manufactured by Hitachi, .
(2) 필드 비아의 형성(2) Formation of field vias
비아홀의 형성후, 절연층을 조화 처리하고, 도체층을 형성하였다. 조화 처리 및 도체층의 형성은 〔평가용 기판 1의 조제〕와 같이 하여 실시하였다. 이것에 의해, 비아홀 내부에도 도체 금속이 충전되어, 필드 비아가 수득되었다. After the formation of the via hole, the insulating layer was roughened to form a conductor layer. The roughening treatment and the formation of the conductor layer were carried out in the same manner as in [Preparation of evaluation substrate 1]. Thereby, the conductor metal was also filled in the via hole, and a field via was obtained.
(3) 보이드의 평가(3) Evaluation of void
형성된 필드 비아를, 주사형 전자 현미경(SEM)((주) 히타치하이테크놀로지즈 제조, 형식 「SU-1500」)을 사용하여 단면 관찰하였다. 그리고, 필드 비아 10개 중 보이드의 수가 2개 미만인 경우를 「○」, 2개 이상인 경우를 「×」로 하였다. The formed field vias were observed with a scanning electron microscope (SEM) (model "SU-1500", manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). The case where the number of voids was less than 2 was defined as " ", and the case where the number of voids was 2 or more was defined as " x ".
실시예 및 비교예에서 사용한 무기 충전재의 각 물성 및 형상 파라미터 A, B를 표 1에 함께 기재한다. Table 1 shows physical properties and shape parameters A and B of the inorganic filler used in Examples and Comparative Examples.
또한, IMSIL A-8에 관해서, 형상 파라미터 B가 0.8 미만인 입자의 함유량은 36개수%, 특히 형상 파라미터 B가 0.75 이하인 입자의 함유량은 16개수%이고, 형상 파라미터 B가 0.9보다 큰 입자의 함유량은 12개수%, 특히 형상 파라미터 B가 0.94 이상인 입자의 함유량은 0개수%이었다. 또한, IMSIL A-25에 관해서, 형상 파라미터 B가 0.8 미만인 입자의 함유량은 26개수%, 특히 형상 파라미터 B가 0.75 이하인 입자의 함유량은 20개수%이고, 형상 파라미터 B가 0.9보다 큰 입자의 함유량은 14개수%, 특히 형상 파라미터 B가 0.94 이상인 입자의 함유량은 0개수%이었다. With respect to IMSIL A-8, the content of particles having a shape parameter B of less than 0.8 is 36% by number, particularly the content of particles having a shape parameter B of 0.75 or less is 16% 12% by number, particularly, the content of particles having the shape parameter B of 0.94 or more was 0% by number. With respect to IMSIL A-25, the content of particles having a shape parameter B of less than 0.8 is 26% by number, particularly the content of particles having a shape parameter B of 0.75 or less is 20% 14% by number, particularly, the content of particles having the shape parameter B of 0.94 or more was 0% by number.
<실시예 1>≪ Example 1 >
(1) 수지 바니쉬의 조제(1) Preparation of resin varnishes
액상 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 187, 미쯔비시가가쿠(주) 제조「jER828EL」) 20부, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 276, 니혼가야쿠(주) 제조「NC3000」) 30부, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지(에폭시 당량 198, 미쯔비시가가쿠(주) 제조「jER1031S」) 5부, 고형 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 3000 내지 5000, 미쯔비시가가쿠(주) 제조「jER1010」)를 메틸에틸케톤(MEK)과 사이클로헥산온의 질량비가 1:1인 혼합 용매에 용해한 불휘발 성분 50질량%의 수지 용액 5부를, MEK 20부 및 사이클로헥산온 10부의 혼합 용매에 교반하면서 가열 용해시켰다. 거기에, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락계 경화제(수산기 당량 125, DIC(주) 제조「LA-7054」, 고형분 60%의 MEK 용액) 10부, 페놀노볼락계 경화제(수산기 당량 105, DIC(주) 제조「TD2090」) 6부, 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 3부, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」, 평균 입자 직경 1.38㎛, 최대 입자 직경 20㎛, 비표면적 6.54㎡/g, 밀도 2.65g/㎤, 평균 결정자 직경 1000Å) 180부, 난연제(산코(주) 제조「HCA-HQ」, 10-(2,5-디하이드록시페닐)-10-하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 평균 입자 직경 2㎛) 5부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산시켜, 수지 바니쉬를 조제하였다. 한편, 수지 바니쉬의 조제에 사용한 무기 충전재 이외의 불휘발 성분의 전체 밀도는 약 1.2g/㎤이었다. 20 parts of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 187, "jER828EL" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 30 parts of biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent 276, "NC3000" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) , 5 parts of a phenol ethane type epoxy resin (epoxy equivalent 198, "jER1031S" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 5 parts of a solid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent weight about 3000 to 5000, "jER1010" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) 5 parts of a 50% by mass resin solution of a nonvolatile component dissolved in a mixed solvent of methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone in a mass ratio of 1: 1 was dissolved by heating in a mixed solvent of 20 parts of MEK and 10 parts of cyclohexanone with stirring . 10 parts of a phenol novolak type curing agent containing a triazine skeleton (hydroxyl equivalent 125, "LA-7054" manufactured by DIC Corporation, MEK solution having a solid content of 60%), 10 parts of phenol novolak type curing agent (hydroxyl equivalent 105, DIC , 3 parts of an amine-based curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), 5% by mass of a solid content of MEK solution), 3 parts of N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (IMSIL A-8, manufactured by Unimin Co., Ltd.) having an average particle diameter of 1.38 mu m, a maximum particle diameter of 20 mu m, a specific surface area of 6.54 m2 / g and a density of 2.65 g / , 180 parts of an average crystallite diameter of 1000 Å), 180 parts of a flame retardant ("HCA-HQ" manufactured by Sanko Corporation, 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene- 10-oxide, average particle diameter 2 占 퐉) were mixed and uniformly dispersed in a high-speed rotary mixer to prepare a resin varnish. On the other hand, the total density of the nonvolatile component other than the inorganic filler used for preparing the resin varnish was about 1.2 g / cm 3.
(2) 접착 필름의 제작(2) Production of adhesive film
지지체로서, 알키드 수지계 이형층 부착 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛, 린텍(주) 제조, 「AL5」)을 준비하였다. 상기에서 조제한 수지 바니쉬를, 당해 지지체 위에, 다이코터로 균일하게 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 6분간 건조시켜 수지 조성물층을 형성하였다. 수지 조성물층의 두께는 40㎛, 수지 조성물 중의 잔류 용매량은 약 2질량%이었다. 이어서 수지 조성물층의 표면에, 보호 필름으로서 폴리프로필렌 필름(오시토쿠슈시(주) 제조, 「알팬MA-411」의 평활면측, 두께 15㎛를 붙이면서 롤상으로 감았다. 롤상의 접착 필름을 폭 507mm으로 슬릿하고, 507mm×336mm 사이즈의 접착 필름을 수득하였다. As the support, a polyethylene terephthalate film (thickness 38 mu m, "AL5", manufactured by Lintec Corporation) having an alkyd resin-based release layer was prepared. The resin varnish prepared above was uniformly coated on the support by a die coater and dried at 80 to 120 캜 (average 100 캜) for 6 minutes to form a resin composition layer. The thickness of the resin composition layer was 40 占 퐉, and the residual solvent amount in the resin composition was about 2% by mass. Next, a roll of a polypropylene film ("ALPAN MA-411", manufactured by Oshitoku Shusho Co., Ltd.) was wound on the surface of the resin composition layer in a rolled state while sticking a thickness of 15 μm on the smooth surface side. Slit to 507 mm, and an adhesive film having a size of 507 mm x 336 mm was obtained.
<실시예 2>≪ Example 2 >
비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 276, 니혼가야쿠(주) 제조「NC3000」) 30부 대신, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 276, 니혼가야쿠(주) 제조「NC3000」) 10부 및 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(에폭시 당량 250, DIC(주) 제조「HP6000」) 18부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. , 10 parts of a biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent 276, "NC3000" manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd.) was used instead of 30 parts of a biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent 276, "NC3000" manufactured by Nippon Kayaku Co., A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 18 parts of a tylene ether type epoxy resin (epoxy equivalent 250, "HP6000" manufactured by DIC Corporation) was used to prepare an adhesive film.
<실시예 3>≪ Example 3 >
페놀노볼락계 경화제(수산기 당량 105, DIC(주) 제조「TD2090」) 6부 대신 나프톨노볼락계 경화제(수산기 당량 215, 신닛테츠스미킨가가쿠(주) 제조「SN485」) 12부를 사용한 점, 및 N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」)의 사용량을 210부로 변경한 점 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. 12 parts of a naphthol novolak type curing agent (hydroxyl equivalent number 215, "SN485" manufactured by Shinnitetsu Sumikin Kagaku Co., Ltd.) was used in place of 6 parts of phenol novolac type curing agent (hydroxyl equivalent 105, "TD2090" ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin Co., Ltd.) surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (KBM573 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except for that, and an adhesive film was produced.
<실시예 4><Example 4>
고형 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 약 3000 내지 5000, 미쯔비시가가쿠(주) 제조「jER1010」) 대신, 페녹시 수지(미쯔비시가가쿠(주) 제조「YL7553BH30」, 고형분 30질량%의 MEK/사이클로헥산온=1/1 용액) 8부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. (YL7553BH30 manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd .; MEK / cyclohexane having a solid content of 30% by mass) in place of the solid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent weight about 3000 to 5000, "jER1010" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) Hexane = 1/1 solution) was used in place of the resin varnish prepared in Example 1, and an adhesive film was prepared.
<실시예 5>≪ Example 5 >
N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」) 180부 대신, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-25」, 평균 입자 직경 2.55㎛, 최대 입자 직경 20㎛, 비표면적 5.87㎡/g, 밀도 2.65g/㎤, 평균 결정자 직경 1400Å)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Instead of 180 parts of crystalline silica ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin Co., Ltd.) surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (KBM573 manufactured by Shin- (IMSIL A-25, manufactured by Unimin Co., Ltd.) having an average particle diameter of 2.55 占 퐉, a maximum particle diameter of 20 占 퐉, a specific surface area 5.87 m < 2 > / g, density: 2.65 g / cm < 3 >, average crystallite diameter: 1400 ANGSTROM) was used to prepare an adhesive film.
<실시예 6>≪ Example 6 >
N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」, 평균 입자 직경 1.38㎛, 최대 입자 직경 20㎛, 비표면적 6.54㎡/g, 밀도 2.65g/㎤, 평균 결정자 직경 1000Å)의 사용량을 400부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin Co., Ltd.) surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (KBM573 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., 20 mu m, specific surface area of 6.54 m < 2 > / g, density of 2.65 g / cm3, average crystallite diameter of 1000 angstroms) was changed to 400 parts.
<비교예 1>≪ Comparative Example 1 &
N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」) 180부 대신, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 구상 실리카(아도마텍스(주) 제조「SO-C2」, 평균 입자 직경 0.90㎛, 비표면적 5.75㎡/g, 밀도 2.2g/㎤) 150부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Instead of 180 parts of crystalline silica ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin Co., Ltd.) surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (KBM573 manufactured by Shin- ("SO-C2" manufactured by Adomatex Co., Ltd.) having an average particle diameter of 0.90 탆 and a specific surface area of 5.75 m 2 / g, which had been surface-treated with aminopropyltrimethoxysilane (KBM573 manufactured by Shin- g and a density of 2.2 g / cm 3) were used in place of the resin varnish prepared in Example 1, to prepare an adhesive film.
<비교예 2>≪ Comparative Example 2 &
N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」) 180부 대신, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 구상 실리카(아도마텍스(주) 제조「SO-C6」, 평균 입자 직경 2.06㎛, 비표면적 2.15㎡/g, 밀도 2.2g/㎤) 150부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Instead of 180 parts of crystalline silica ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin Co., Ltd.) surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (KBM573 manufactured by Shin- ("SO-C6" manufactured by Adomatex KK) having an average particle diameter of 2.06 mu m and a specific surface area of 2.15 m < 2 > / g, which had been surface-treated with aminopropyltrimethoxysilane (KBM573 manufactured by Shin- g and a density of 2.2 g / cm 3) were used in place of the resin varnish prepared in Example 1, to prepare an adhesive film.
<비교예 3>≪ Comparative Example 3 &
N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」) 180부 대신, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 파쇄상 실리카(타츠모리(주) 제조「VX-SR」, 평균 입자 직경 1.30㎛, 비표면적 11.94㎡/g, 밀도 2.65g/㎤, 평균 결정자 직경 1900Å) 180부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Instead of 180 parts of crystalline silica ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin Co., Ltd.) surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (KBM573 manufactured by Shin- (VX-SR, manufactured by Tatsumori KK) having an average particle diameter of 1.30 mu m and a specific surface area of 11.94 m < 2 >, which was surface-treated with aminopropyltrimethoxysilane (KBM573 manufactured by Shin- g, density: 2.65 g / cm < 3 >, average crystallite diameter: 1900 angstroms) was used as a binder resin.
<비교예 4>≪ Comparative Example 4 &
N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」)의 사용량을 80부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Except that the amount of crystalline silica ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin Co., Ltd.) surface-treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (KBM573 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was changed to 80 parts , A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 to prepare an adhesive film.
<비교예 5>≪ Comparative Example 5 &
N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주) 제조「KBM573」)으로 표면 처리한 결정 실리카(Unimin사 제조「IMSIL A-8」)의 사용량을 480부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 수지 바니쉬를 조제하고, 접착 필름을 제작하였다. Except that the amount of crystalline silica ("IMSIL A-8" manufactured by Unimin Co., Ltd.) treated with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (KBM573 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was changed to 480 parts , A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 to prepare an adhesive film.
Claims (14)
수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고,
수학식: A = SRρ/6[여기서, S는 무기 충전재의 비표면적(㎡/g)이고, R은 무기 충전재의 평균 입자 직경(㎛)이고, ρ는 무기 충전재의 밀도(g/㎤)이다]으로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 A가 20≤6A≤40을 충족시키는, 수지 조성물. A resin composition for an insulating layer of a printed wiring board,
Wherein the content of the inorganic filler in the resin composition is 40 to 75% by volume,
Wherein S is the specific surface area (m 2 / g) of the inorganic filler, R is the average particle diameter (탆) of the inorganic filler and ρ is the density (g / cm 3) of the inorganic filler Wherein the shape parameter A of the inorganic filler satisfies 20? 6A? 40.
수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 했을 때, 무기 충전재의 함유량이 40 내지 75체적%이고,
수학식: B = Lc/L[여기서, L은 소정의 단면에서의 무기 충전재의 주위 길이(周圍長)(㎛)이고, Lc는 상기 단면에서의 무기 충전재의 단면적과 등면적(等面積)의 진원(眞圓)의 주위 길이(㎛)이다.]로 표시되는 무기 충전재의 형상 파라미터 B의 평균값이 0.8 이상 0.9 이하인, 수지 조성물. A resin composition for an insulating layer of a printed wiring board,
Wherein the content of the inorganic filler in the resin composition is 40 to 75% by volume,
Where L is the peripheral length (mu m) of the inorganic filler in a predetermined cross-section, Lc is the cross-sectional area of the inorganic filler in the cross section, Wherein the average value of the shape parameter B of the inorganic filler represented by the following formula is a peripheral length (탆) of a true circle of 0.8 or more and 0.9 or less.
A semiconductor device comprising the printed wiring board according to claim 13.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11414554B2 (en) * | 2016-03-29 | 2022-08-16 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. | Conductive coating material and production method for shielded package using conductive coating material |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6657865B2 (en) * | 2015-12-01 | 2020-03-04 | 味の素株式会社 | Resin sheet |
JP6947246B2 (en) * | 2015-12-16 | 2021-10-13 | 味の素株式会社 | Prepreg |
JP6710955B2 (en) * | 2015-12-16 | 2020-06-17 | 味の素株式会社 | Prepreg |
JP6672953B2 (en) * | 2016-03-29 | 2020-03-25 | 味の素株式会社 | Resin sheet |
JP7114214B2 (en) * | 2016-05-24 | 2022-08-08 | 味の素株式会社 | adhesive film |
CN106010128B (en) * | 2016-07-26 | 2018-08-24 | 江苏中任油漆有限公司 | A kind of flame-resistant insulation epoxy coating and preparation method thereof that wiring board uses |
JP7279319B2 (en) * | 2017-09-04 | 2023-05-23 | 味の素株式会社 | resin composition |
CN109757023B (en) * | 2017-11-08 | 2022-04-26 | 广东生益科技股份有限公司 | Printed circuit board and manufacturing method thereof |
JP6965823B2 (en) * | 2018-05-09 | 2021-11-10 | 味の素株式会社 | Adhesive sheet with support |
WO2020129248A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | 日立化成株式会社 | Sealing resin composition and electronic component device |
CN110831350A (en) * | 2019-11-14 | 2020-02-21 | 四会富仕电子科技股份有限公司 | Method for manufacturing bottomless copper circuit board |
JP7264194B2 (en) * | 2020-06-25 | 2023-04-25 | 味の素株式会社 | resin composition |
JP7615892B2 (en) | 2021-06-01 | 2025-01-17 | 味の素株式会社 | Resin Sheet |
CN113621216B (en) * | 2021-08-16 | 2023-06-02 | 广东生益科技股份有限公司 | Resin composition and application thereof |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003147173A (en) * | 2001-11-14 | 2003-05-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition, resin-coated metal foil, and multilayer printed circuit board |
JP2007126498A (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Method for producing insulating resin adhesive sheet and method for producing printed wiring board using insulating resin adhesive sheet |
JP2009215457A (en) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Resin composition, prepreg, and metal-clad laminated plate |
JP2010238667A (en) | 2010-04-28 | 2010-10-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Insulation sheet, insulation sheet with base material, and multilayer printed circuit board |
KR20130135106A (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-10 | 아지노모토 가부시키가이샤 | Method for manufacturing multilayered printed wiring board |
KR20130135107A (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-10 | 아지노모토 가부시키가이샤 | Resin composition |
KR20140016820A (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-10 | 아지노모토 가부시키가이샤 | Resin composition |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH038715A (en) * | 1989-06-06 | 1991-01-16 | Showa Denko Kk | Aluminum hydroxide fine particle |
JPH065743A (en) * | 1992-06-16 | 1994-01-14 | Tonen Chem Corp | Liquid epoxy resin composition for sealing semiconductor |
JP4654475B2 (en) * | 1999-11-02 | 2011-03-23 | 住友ベークライト株式会社 | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
JP2003105064A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device |
JP4911795B2 (en) * | 2008-09-01 | 2012-04-04 | 積水化学工業株式会社 | Manufacturing method of laminate |
KR20110006627A (en) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | 아지노모토 가부시키가이샤 | Copper foil laminate |
US20130023618A1 (en) * | 2010-01-25 | 2013-01-24 | Shinichi Miyake | Profile extrusion molding resin composition and profile extrusion resin molded product |
JP5830718B2 (en) * | 2011-05-02 | 2015-12-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Thermosetting resin composition, prepreg, laminate, metal foil-clad laminate, and circuit board |
-
2014
- 2014-04-24 JP JP2014090644A patent/JP6269294B2/en active Active
-
2015
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- 2015-04-22 KR KR1020150056579A patent/KR102293385B1/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003147173A (en) * | 2001-11-14 | 2003-05-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition, resin-coated metal foil, and multilayer printed circuit board |
JP2007126498A (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Method for producing insulating resin adhesive sheet and method for producing printed wiring board using insulating resin adhesive sheet |
JP2009215457A (en) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Resin composition, prepreg, and metal-clad laminated plate |
JP2010238667A (en) | 2010-04-28 | 2010-10-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Insulation sheet, insulation sheet with base material, and multilayer printed circuit board |
KR20130135106A (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-10 | 아지노모토 가부시키가이샤 | Method for manufacturing multilayered printed wiring board |
KR20130135107A (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-10 | 아지노모토 가부시키가이샤 | Resin composition |
KR20140016820A (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-10 | 아지노모토 가부시키가이샤 | Resin composition |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11414554B2 (en) * | 2016-03-29 | 2022-08-16 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. | Conductive coating material and production method for shielded package using conductive coating material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105017721A (en) | 2015-11-04 |
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TWI666268B (en) | 2019-07-21 |
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