KR20150071768A - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
이미지 센서 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150071768A KR20150071768A KR1020130158162A KR20130158162A KR20150071768A KR 20150071768 A KR20150071768 A KR 20150071768A KR 1020130158162 A KR1020130158162 A KR 1020130158162A KR 20130158162 A KR20130158162 A KR 20130158162A KR 20150071768 A KR20150071768 A KR 20150071768A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- trench
- region
- film
- barrier film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 66
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8057—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
- H10D44/454—Output structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
- H10D44/456—Structures for regeneration, refreshing or leakage compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/199—Back-illuminated image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
- H10F39/8033—Photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
- H10F39/8037—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements the integrated elements comprising a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8053—Colour filters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
- H10F39/8063—Microlenses
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 기술은 신호대잡음비 증가에 기인한 특성 열화를 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이미지 센서는 기판 전면 상에 형성된 트랜스퍼 게이트; 상기 트랜스퍼 게이트 일측 기판에 형성된 광전변환영역; 및 상기 트랜스퍼 게이트 타측 기판에 형성된 트렌치, 적어도 상기 트렌치의 저면을 덮는 배리어막 및 상기 트렌치에 갭필된 도전막을 포함하는 플로팅디퓨전영역을 포함할 수 있다.
Description
본 발명의 실시예들은 반도체 장치 제조 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 이미지(Optical image)을 전기 신호로 변환하는 장치이다. 이미지 센서는 2차원 매트릭스 형태로 배열된 복수의 픽셀들을 구비하고, 각각의 픽셀들은 광전변환영역(photoelectric conversion region)을 구비한다. 입사광에 응답하여 광전변환영역에서 광전하가 생성되고, 생성된 광전하를 이용하여 각각의 픽셀들은 입사광에 상응하는 픽셀신호(pixel signal)를 출력한다.
그러나, 종래의 이미지 센서는 광전변환영역 이외의 다른 영역에서 의도하지 않은 불필요한 광전하가 생성된다. 불필요한 광전하는 픽셀신호에 대한 잡음(noise)로 작용하여 신호대잡음비(signal to noise ratio, SNR)를 증가시키기 때문에 이미지 센서의 특성이 열화된다.
본 발명의 실시예들은 신호대잡음비 증가에 기인한 특성 열화를 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 기판 전면 상에 형성된 트랜스퍼 게이트; 상기 트랜스퍼 게이트 일측 기판에 형성된 광전변환영역; 및 상기 트랜스퍼 게이트 타측 기판에 형성된 트렌치, 적어도 상기 트렌치의 저면을 덮는 배리어막 및 상기 트렌치에 갭필된 도전막을 포함하는 플로팅디퓨전영역을 포함할 수 있다. 아울러, 상기 기판 후면 상에 형성된 컬러필터; 및 상기 컬러필터 상에 형성된 마이크로렌즈를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서는 기판 전면 상에 형성된 트랜스퍼 게이트; 상기 트랜스퍼 게이트 일측 기판에 형성된 광전변환영역; 상기 트랜스퍼 게이트 타측 기판에 형성된 트렌치, 적어도 상기 트렌치의 저면을 덮는 배리어막 및 상기 트렌치에 갭필된 도전막을 포함하는 플로팅디퓨전영역; 및 상기 트렌치 아래 기판에 형성된 트랩영역을 포함할 수 있다. 아울러, 상기 기판 후면 상에 형성된 컬러필터; 및 상기 컬러필터 상에 형성된 마이크로렌즈를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서 제조방법은 기판을 선택적으로 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 적어도 상기 트렌치의 저면을 덮는 배리어막을 형성하는 단계; 상기 트렌치를 갭필하는 도전막을 형성하여 상기 트렌치, 상기 배리어막 및 상기 도전막을 포함하는 플로팅디퓨전영역을 형성하는 단계; 상기 기판에 광전변환영역을 형성하는 단계; 및 일측 및 타측에 각각 상기 광전변환영역 및 상기 플로팅디퓨전영역이 위치하도록 상기 기판상에 트랜스퍼 게이트를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상술한 과제의 해결 수단을 바탕으로 하는 본 기술은 배리어막을 포함한 플로팅디퓨전영역을 구비함으로써, 플로팅디퓨전영역에서 잡음 소스로 작용하는 광전하가 생성되는 것을 원천적으로 차단할 수 있다. 이를 통해, 신호대잡음비 증가를 방지하여 이미지 센서의 특성을 개선할 수 있다.
도 1은 본 실시예 및 비교예에 따른 이미지 센서의 등가회로도.
도 2는 본 실시예 및 비교예에 따른 이미지 센서의 픽셀 평면도.
도 3은 비교예에 따른 이미지 센서를 도 2에 도시된 A-A'절취선을 따라 도시한 단면도.
도 4는 본 실시예에 따른 이미지 센서를 도 2에 도시된 A-A'절취선을 따라 도시한 단면도.
도 5a 및 도 5b는 본 실시예에 따른 이미지 센서의 변형예를 도 2에 도시된 A-A'절취선을 따라 도시한 단면도.
도 6a 내지 도 6e는 본 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 도시한 공정단면도.
도 7은 본 실시예에 따른 이미지 처리 시스템의 개략적인 블럭도.
도 8은 도 7에 도시된 이미지 센서에 대한 구체적인 블럭도.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 또 다른 이미지 처리 시스템의 개략적인 블럭도.
도 2는 본 실시예 및 비교예에 따른 이미지 센서의 픽셀 평면도.
도 3은 비교예에 따른 이미지 센서를 도 2에 도시된 A-A'절취선을 따라 도시한 단면도.
도 4는 본 실시예에 따른 이미지 센서를 도 2에 도시된 A-A'절취선을 따라 도시한 단면도.
도 5a 및 도 5b는 본 실시예에 따른 이미지 센서의 변형예를 도 2에 도시된 A-A'절취선을 따라 도시한 단면도.
도 6a 내지 도 6e는 본 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 도시한 공정단면도.
도 7은 본 실시예에 따른 이미지 처리 시스템의 개략적인 블럭도.
도 8은 도 7에 도시된 이미지 센서에 대한 구체적인 블럭도.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 또 다른 이미지 처리 시스템의 개략적인 블럭도.
이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 도면은 반드시 일정한 비율로 도시된 것이라 할 수 없으며, 몇몇 예시들에서, 실시예들의 특징을 명확히 보여주기 위하여 도면에 도시된 구조물 중 적어도 일부의 비례는 과장될 수도 있다. 도면 또는 상세한 설명에 둘 이상의 층을 갖는 다층 구조물이 개시된 경우, 도시된 것과 같은 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 특정 실시예를 반영할 뿐이어서 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 달라질 수도 있다. 또한, 다층 구조물의 도면 또는 상세한 설명은 특정 다층 구조물에 존재하는 모든 층들을 반영하지 않을 수도 있다(예를 들어, 도시된 두 개의 층 사이에 하나 이상의 추가 층이 존재할 수도 있다). 예컨대, 도면 또는 상세한 설명의 다층 구조물에서 제1 층이 제2 층 상에 있거나 또는 기판상에 있는 경우, 제1 층이 제2 층 상에 직접 형성되거나 또는 기판상에 직접 형성될 수 있음을 나타낼 뿐만 아니라, 하나 이상의 다른 층이 제1 층과 제2 층 사이 또는 제1 층과 기판 사이에 존재하는 경우도 나타낼 수 있다.
본 실시예들을 설명하기에 앞서, 이미지 센서는 CCD(Charge Coupled Device)형 이미지 센서와 CMOS형 이미지 센서(CMOS Image Sensor, CIS)로 구분할 수 있다. 그리고, CMOS형 이미지 센서는 전면조사 방식의 이미지 센서(Front-side illumination image sensor, FSI)와 후면조사 방식의 이미지 센서(Back-side illumination image sensor, BSI)로 구분할 수 있다. 여기서, 후면조사 방식의 이미지 센서는 다른 종류의 이미지 센서(예컨대, CCD 또는 FSI) 대비 우수한 동작 특성, 낮은 제조 단가, 높은 제조 수율등의 장점을 갖는 것으로 알려져 있다. 반면에, 상대적으로 잡음(noise)이 쉽게 발생하고, 신호대잡음비 증가에 기인한 특성 열화에 취약하다는 단점이 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 후면조사 방식의 이미지 센서를 예시하여 본 실시예들의 기술사상을 구체적으로 설명하기로 한다.
또한, 이하의 설명에서 제1도전형과 제2도전형은 서로 상보적인 도전형을 의미한다. 즉, 제1도전형이 P형인 경우에 제2도전형은 N형이고, 제1도전형이 N형인 경우에 제2도전형은 P형이다. 설명의 편의를 위하여 이하에서 제1도전형은 P형이고, 제2도전형은 N형으로 한다.
후술할 실시예들은 광전변환영역 이외의 다른 영역에서 의도하지 않은 불필요한 광전하의 생성을 방지하여 신호대잡음비 증가에 기인한 특성 열화를 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다. 여기서, 이미지 센서의 특성이 열화될 정도의 불필요한 광전하가 생성되는 지역은 플로팅디퓨전영역(Floating Diffusion region, FD)일 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 이미지 센서를 설명하기에 앞서 광전변환영역 이외의 다른 영역 예컨대, 플로팅디퓨전영역에서 의도하지 않은 불필요한 광전하가 생성되는 이유를 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 실시예 및 비교예에 따른 이미지 센서의 등가회로도이다. 도 2는 본 실시예 및 비교예에 따른 이미지 센서의 픽셀 평면도이다. 그리고, 도 3은 비교예에 따른 이미지 센서를 도 2에 도시된 A-A'절취선을 따라 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 실시예 및 비교예에 따른 이미지 센서의 픽셀은 광전변환영역(PD), 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 드라이브 트랜지스터(Dx), 리셋 트랜지스터(Rx), 및 선택 트랜지스터(Sx)를 포함할 수 있다. 광전변환영역(PD)은 수직적으로 중첩되는 복수개의 광전변환부들을 포함할 수 있다. 광전변환부들 각각은 N형 불순물영역(120)과 P형 불순물영역(130)을 포함하는 포토다이오드일 수 있다. 트랜스퍼 트랜지스터(Tx, transfer transistor)의 트랜스퍼 게이트는 기판 내부로 연장될 수 있다. 즉, 트랜스퍼 게이트는 리세스게이트(Recess Gate), 세들핀게이트(Saddle-Fin Gate) 또는 매립게이트(Buried Gate) 형태를 가질 수 있다. 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 드레인(Drain)은 플로팅디퓨전영역(FD)으로 이해될 수 있다. 플로팅디퓨전영역(FD)은 리셋 트랜지스터(Rx, reset transistor)의 소스(Source)일 수 있다. 플로팅디퓨전영역(FD)은 드라이브 트랜지스터(Dx, drive transistor)의 드라이브 게이트와 전기적으로 연결될 수 있다. 드라이브 트랜지스터(Dx)와 리셋 트랜지스터(Rx)는 일렬로 연결될 수 있다. 드라이브 트랜지스터(Dx)는 선택 트랜지스터(Sx, select transistor)에 연결된다. 도면에 도시하지는 않았지만, 리셋 트랜지스터(Rx), 드라이브 트랜지스터(Dx) 및 선택 트랜지스터(Sx)는 이웃하는 픽셀들에 의해 서로 공유될 수도 있다. 이를 통해, 집적도를 향상시킬 수 있다,
실시예 및 비교예에 따른 이미지 센서의 동작을 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 먼저, 빛이 차단된 상태에서 리셋 트랜지스터(Rx)의 드레인과 드라이브 트랜지스터(Dx)의 드레인에 전원전압(VDD)을 인가하여 플로팅디퓨전영역(FD)에 잔류하는 전하들을 방출시킨다. 그 후, 리셋 트랜지스터(Rx)를 오프(OFF)시키고, 외부로부터의 빛 즉, 피사체로부터 반사된 입사광을 광전변환영역(PD)에 입사시키면, 광전변환영역(PD)에서 전자-정공 쌍(Electrin-Hole Pair, EHP) 즉, 광전하가 생성된다. 생성된 정공은 P형 불순물영역으로, 생성된 전자는 N형 불순물영역으로 이동하여 축적된다. 이어서, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 온(ON) 시키면, 축적된 전자 및 정공과 같은 전하가 플로팅디퓨전영역(FD)으로 전달되어 축적된다. 축적된 전하량에 비례하여 드라이브 트랜지스터(Dx)의 게이트 바이어스가 변하여, 드라이브 트랜지스터(Dx)의 소스 전위의 변화를 초래하게 된다. 이때, 선택 트랜지스터(Sx)를 온(ON) 시키면, 칼럼 라인으로 전하에 의한 픽셀신호가 읽히게 된다.
도 3을 참조하여 비교예에 따른 이미지 센서를 살펴보면, 기판(100)에 복수의 픽셀을 정의하는 소자분리막(110)이 형성되어 있다. 기판(100) 상에는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트 및 리셋 트랜지스터(Rx) 게이트가 형성되어 있다. 트랜스퍼 게이트 일측 기판(100)에는 광전변환영역(PD)이 형성되어 있고, 트랜스퍼 게이트 타측 기판(100)에는 플로팅디퓨전영역(FD)이 형성되어 있다. 광전변환영역(PD) 및 플로팅디퓨전영역(FD)은 기판(100)에 불순물을 이온주입하여 형성된 불순물영역이다. 기판(100) 전면(FS) 상에는 내부에 신호생성회로를 포함하는 층간절연막(140)이 형성되어 있고, 기판(100)의 후면(BS) 상에는 컬러필터(150) 및 마이크로렌즈(160)가 형성되어 있다.
여기서, 후면조사 방식의 이미지 센서는 기판(100)의 후면(BS)에서 빛이 입사되어 수광면적을 획기적으로 증가시킬 수 있으나, 흡수깊이(Absorption depth) 큰 대역의 파장 예컨대, 레드(Red) 또는 그린(Green) 대역의 파장은 광전변환영역(PD) 이외의 영역에서도 광전하를 생성할 수 있다. 구체적으로, 흡수깊이가 큰 대역의 파장은 기판(100) 전면(FS)측에 위치하는 플로팅디퓨전영역(FD)까지 도달할 수 있기 때문에 플로팅디퓨전영역(FD)에서도 광전하가 생성될 수 있다. 플로팅디퓨전영역(FD)은 광전변환영역(PD)에서 생성되어 픽셀신호로 작용하는 광전하가 축적되는 영역이기 때문에 플로팅디퓨전영역(FD)에서 생성된 광전하는 직접적인 픽셀신호의 잡음 소스(noise source)로 작용하여 이미지 센서의 특성을 저하시킨다. 특히, 강한 조도의 입사광이 조사되어 광전변환영역(PD)에서 생성할 수 있는 최대치의 광전하가 생성되는 경우 즉, 광전변환영역(PD)에서 생성되는 광전하량이 포화상태일 경우에 플로팅디퓨전영역(FD)에서 생성되는 광전하에 기인하여 신호대잡음비가 급격하게 증가하기 때문에 이미지 센서의 특성은 더욱더 저하된다.
따라서, 후술하는 본 실시예들은 플로팅디퓨전영역(FD)에서 불필요한 광전하가 생성되는 것을 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
도 4는 본 실시예에 따른 이미지 센서를 도 2에 도시된 A-A'절취선을 따라 도시한 단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 이미지 센서는 기판(100)에 형성되어 복수의 픽셀을 정의하는 소자분리막(110), 기판(100) 상에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 트랜스퍼 게이트 및 리셋 트랜지스터(Rx)의 리셋 게이트, 트랜스퍼 게이트 일측 기판(100)에 형성된 광전변환영역(PD), 트랜스퍼 게이트 타측 기판(100)에 형성된 플로팅디퓨전영역(FD), 기판(100) 전면(FS) 상에 형성되어 내부에 신호생성회로를 포함하는 층간절연막(140), 기판(100) 후면(BS) 상에 형성된 컬러필터(150) 및 컬러필터(150) 상에 형성된 마이크로렌즈(160)를 포함할 수 있다.
이하, 본 실시예에 따른 이미지 센서의 각 구성요소에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
본 실시예에 따른 이미지 센서는 제1도전형을 갖는 기판(100) 및 기판(100) 전면(FS)으로부터 형성되어 복수의 픽셀들을 정의하는 소자분리막(110)을 포함할 수 있다. 기판(100)은 반도체 기판을 포함할 수 있다, 반도체 기판은 단결정 상태(Single crystal state)일 수 있으며, 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 즉, 기판(100)은 단결정의 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 일례로, 기판(100)은 벌크 실리콘 기판이거나, 또는 핸들웨이퍼(handle wafer, 미도시)에서 분리된 실리콘에피층일 수 있다. 소자분리막(110)은 STI(Shallow Trench Isolation) 공정으로 형성된 것일 수 있으며, 절연막을 포함할 수 있다. 소자분리막(110)의 저면은 기판(100)의 후면(BS)에 접하도록 확장된 형태를 가질 수도 있다.
본 실시예에 따른 이미지 센서는 기판(100) 전면(FS) 상에 형성되어 신호생성회로를 포함하는 층간절연막(140)을 포함할 수 있다. 층간절연막(140)은 산화막, 질화막 및 산화질화막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 단일막 또는 둘 이상의 적층막을 포함할 수 있다. 층간절연막(140) 내부에 형성된 신호생성회로는 복수의 트랜지스터, 다층의 금속배선(미도시) 및 이들을 상호 연결하는 콘택플러그(미도시)를 포함할 수 있다. 신호생성회로는 광전변환영역(PD)에서 생성된 광전하에 상응하는 픽셀신호를 생성하는 역할을 수행한다. 복수의 트랜지스터는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 리셋 트랜지스터(Rx), 드라이브 트랜지스터(Dx) 및 선택 트랜지스터(Ax)를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 이미지 센서는 트랜스퍼 게이트의 일측에 형성된 광전변환영역(PD)을 포함할 수 있다. 광전변환영역(PD)은 수직적으로 중첩되는 적어도 하나 이상의 광전변환부들을 포함할 수 있다. 광전변환부들 각각은 제1도전형의 제1불순물영역(120)(즉, P형 불순물영역)과 제2도전형의 제2불순물영역(130)(즉, N형 불순물영역)을 포함하는 포토다이오드일 수 있다. 제1불순물영역(120)은 제2불순물영역(130)보다 작은 두께를 갖고, 기판(100) 전면(FS)에 접할 수 있다. 제2불순물영역(130)의 저면은 기판(100) 후면(BS)으로부터 소정 간격 이격되거나, 또는 기판(100) 후면(BS)에 접할 수도 있다.
본 실시예에 따른 이미지 센서는 트랜스퍼 게이트 타측 기판(100)에 형성된 플로팅디퓨전영역(FD)을 포함할 수 있다. 이때, 플로팅디퓨전영역(FD)은 트랜스퍼 게이트의 타측 기판(100)에 형성된 트렌치(210), 적어도 트렌치(210)의 저면을 덮는 배리어막(220) 및 트렌치(210)에 갭필된 도전막(230)을 포함할 수 있다.
트렌치(210)는 플로팅디퓨전영역(FD)에 대응하는 기판(100)을 식각하여 형성된 것일 수 있다. 기판(100) 전면(FS)을 기준으로 트렌치(210)는 불순물 이온주입공정을 통해 플로팅디퓨전영역(FD)을 형성한 경우(즉, 비교예에 따른 플로팅디퓨전영역)에 상응하는 깊이를 가질 수 있다.
배리어막(220)은 기판(100) 후면(BS)으로부터 조사되는 입사광이 플로팅디퓨전영역(FD)으로 유입되는 것을 차단하는 역할을 수행한다. 기판(100) 후면(BS)으로부터 조사되는 입사광을 효율적으로 차단하기 위해 배리어막(220)은 적어도 트렌치(210)의 저면을 덮는 형태를 가질 수 있다. 이때, 배리어막(220)은 입사광을 보다 효과적으로 차단하기 위해 트렌치(210)의 저면을 덮고 일부가 트렌치(210)의 측면으로 연장된 형태를 가질 수도 있다. 즉, 배리어막(220)은 트렌치(210)의 저면 및 트렌치(210)의 측면 일부를 덮는 형태를 가질 수도 있다. 배리어막(220)이 트렌치(210)의 측면으로 연장되는 경우, 광전변환영역(PD)과 플로팅디퓨전영역(FD) 사이 및 플로팅디퓨전영역(FD)과 리셋 트랜지스터의 채널영역 사이의 전류패스를 제공하기 위해 배리어막(220)은 기판(100) 전면(FS)으로부터 소정 간격 이격될 수 있다.
배리어막(220)은 입사광을 흡수하거나, 또는 반사시키는 방법으로 플로팅디퓨전영역(FD)으로 유입되는 입사광을 차단할 수 있다. 이를 위해, 배리어막(220)은 입사광(예컨대, 가시광)을 흡수 또는 반사시킬 수 있는 절연막을 포함할 수 있다. 참고로, 입사광의 흡수 또는 반사시키기 위하여 일반적으로는 금속성막을 사용하나, 배리어막(220)으로 금속성막을 사용하면 반도체-금속 접합에 따른 특성에 기인하여 배리어막(220)과 도전막(230)이 접하는 계면 또는 배리어막(220)과 기판(100)이 접하는 계면에서 입사광에 의해 불필요한 광전하가 생성될 수 있다. 따라서, 배리어막(200)으로 금속성막을 사용하는 것은 부적절하다.
배리어막(220)은 산화막, 질화막 및 산화질화막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 단일 절연막 또는 둘 이상의 적층된 적층막을 포함할 수 있다. 배리어막(220)이 단일 절연막이거나, 또는 적층막인 경우에도 이들의 두께는 동일할 수 있다. 이때, 배리어막(220)이 적층막인 경우에 입사광의 흡수율 또는 반사율을 조절하기 위해 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 절연막이 적층된 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 서로 다른 굴절률을 갖는 제1절연막과 제2절연막이 적어도 1회 이상 교번 적층된 구조를 가질 수 있다. 일례로, 배리어막(220)이 단일 절연막인 경우 배리어막(220)은 실리콘산화막(SiO2)일 수 있다. 그리고, 배리어막(220)이 적층막인 경우 실리콘산화막(SiO2)과 실리콘질화막(Si3N4)이 적어도 1회 이상 교번 적층된 적층막일 수 있다.
한편, 배리어막(220)에서 반사된 입사광은 광전변환영역(PD)으로 유입되거나, 또는 외부로 빠져나갈 수 있다. 배리어막(220)에서 반사된 입사광에 의해 불필요한 광전하가 생성될 수는 있으나, 그 확률이 매우 낮으며, 플로팅디퓨전영역(FD) 이외의 영역에서 생성된 불필요한 광전하가 신호대잡음비에 미치는 영향은 무시할 수 있는 정도이다.
트렌치(210)에 갭필된 도전막(230)은 제2도전형을 가질 수 있으며, 실질적으로 트랜스퍼 트랜지스터의 드레인 및 리셋 트렌지스터의 소스로 작용할 수 있다. 트렌치(210) 내에 배리어막(220)이 형성되지 않은 부분을 통해 도전막(230)은 기판(100)과 접하는 형태를 가질 수 있다. 즉, 도전막(230)과 기판(100)은 전기적으로 연결될 수 있다. 도전막(230)은 기판(100)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 도전막(230)을 실리콘 함유 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 도전막(230)은 폴리실리콘막 또는 단결정 실리콘막을 포함할 수 있다.
상술한 본 실시예에 따른 이미지 센서는 배리어막(220)을 포함한 플로팅디퓨전영역(FD)을 구비함으로써, 플로팅디퓨전영역(FD)으로 유입되는 입사광을 차단하여 불필요한 광전하가 생성되는 것을 원천적으로 차단할 수 있다. 따라서, 신호대잡음비 증가에 기인한 특성 열화를 방지할 수 있다. 특히, 강한 조도의 입사광이 조사되는 환경에서 신호대잡음비가 증가하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
이하에서는, 도 5a 및 도 5b를 참조하여 본 실시예에 따른 이미지 센서의 변형예를 살펴보기로 한다. 설명의 편의를 위해 동일한 도면부호를 사용하였으며, 동일 구성요소에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 5a 및 도 5b는 본 실시예에 따른 이미지 센서의 변형예를 도 2에 도시된 A-A'절취선을 따라 도시한 단면도이다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 플로팅디퓨전영역(FD)에서 트렌치(210)에 갭필된 도전막(230)은 제1도전형을 갖는 제1영역(232)과 제2도전형을 갖는 제2영역(234)이 수직적으로 중첩된 형태를 가질 수 있다. 제1영역(232) 및 제2영역(234)은 트렌치(210)에 배리어막(220)이 형성되지 않은 부분을 통해 기판(100)과 접할 수 있다. 즉, 제1영역(232) 및 제2영역(234)은 기판(100)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1영역(232)은 암전류 발생을 억제하는 역할을 수행한다. 따라서, 기판(100) 전면(FS)에 접하는 형태를 갖거나, 또는 트렌치(210)의 저면 및 측면에 접하는 형태를 가질 수 있다. 제2영역(234)은 실질적으로 트랜스퍼 트랜지스터의 드레인 및 리셋 트렌지스터의 소스로 작용할 수 있다. 제2영역(234)은 제1영역(232) 하부에 위치하거나, 또는 제1영역(232) 상부에 위치할 수 있다. 즉, 제1영역(232)이 기판(100) 전면(FS)에 접하고, 제2영역(234)이 제1영역(232) 하부에 배치되거나, 또는 그 반대도 가능하다.
이처럼, 도전막(230)이 제1영역(232) 및 제2영역(234)을 구비하는 경우 플로팅디퓨전영역(FD)에서 불필요한 광전하기 생성되는 것을 방지함과 동시에 암전류 특성을 개선하여 이미지 센서의 특성을 더욱더 향상시킬 수 있다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 플로팅디퓨전영역(FD) 아래 기판(100)에 형성된 트랩영역(250)을 포함할 수 있다. 트랩영역(250)은 트렌치(210) 표면(특히, 저면)에서의 암전류 소스를 제거하고, 배리어막(220)에 의해 반사된 입사광에 의하여 생성된 불필요한 광전하를 제거하는 역할을 수행한다.
트랩영역(250)은 기판(100)에 제1도전형의 불순물을 이온주입하여 형성된 불순물영역일 수 있다. 즉, 트랩영역(250)은 제1도전형을 가질 수 있다. 트랩영역(250)과 도전막(230) 사이의 접합에 기인한 광전하 생성을 방지하기 위해 트랩영역(250)은 배리어막(220)에 의해 도전막(230)과 전기적으로 분리될 수 있다. 트랩영역(250)에는 접지전압이 인가될 수 있다.
이처럼, 플로팅디퓨전영역(FD) 아래 트랩영역(250)을 구비하는 경우 플로팅디퓨전영역(FD)에서 불필요한 광전하기 생성되는 것을 방지함과 동시에 암전류 특성을 개선하여 이미지 센서의 특성을 더욱더 향상시킬 수 있다.
또한, 배리어막(220)에 의해 반사된 입사광에 의해 생성된 불필요한 광전하를 제거함으로써, 신호대잡음비를 보다 효과적으로 감소시킬 수 있다.
도 6a 내지 도 6e는 본 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 도시한 공정단면도이다. 여기서는, 도 4에 도시된 이미지 센서의 제조방법에 대한 일례를 설명하기로 한다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 제1도전형을 갖는 기판(10)을 준비한다. 기판(10)은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 반도체 기판은 단결정 상태(Single crystal state)일 수 있으며, 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 즉, 기판(10)은 단결정의 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다.
다음으로, 기판(10)에 복수의 픽셀들을 정의하는 소자분리막(12)을 형성한다. 소자분리막(12)은 STI(Shallow Trench Isolation) 공정으로 형성할 수 있다. 즉, 소자분리막(12)은 기판(10)을 선택적으로 식각하여 소자분리 트렌치를 형성하고, 소자분리 트렌치 내부를 절연막으로 갭필하는 일련의 공정을 통해 형성할 수 있다.
다음으로, 플로팅디퓨전영역(FD)에 대응하는 기판(10)을 식각하여 트렌치(14)를 형성한다. 트렌치(14)는 플로팅디퓨전영역(FD)이 형성될 공간을 제공하기 위한 것으로 전식식각법을 사용하여 형성할 수 있다.
도 6b에 도시된 바와 같이, 트렌치(14)를 포함한 구조물 표면을 따라 배리어막(16)을 형성한다. 배리어막(16)은 플로팅디퓨전영역(FD)에서 광전하가 생성되는 것을 방지하기 위한 것으로, 플로팅디퓨전영역(FD)으로 유입되는 입사광을 차단한다. 따라서, 배리어막(16)은 입사광을 흡수하거나, 또는 반사시킬 수 있는 물질로 형성할 수 있다. 예컨대, 배리어막(16)은 절연막으로 형성할 수 있다. 구체적으로, 배리어막(16)은 산화막, 질화막 및 산화질화막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 단일막 또는 둘 이상의 적층된 적층막으로 형성할 수 있다. 일례로, 배리어막(16)은 실리콘산화막으로 형성하거나, 또는 실리콘산화막과 실리콘질화막이 적어도 1회 이상 교번 적층된 적층막으로 형성할 수 있다.
한편, 배리어막(16)을 형성하기 이전에 트렌치(14)를 형성하는 과정에서 트렌치(14) 표면의 결함을 치유하기 위한 전처리를 진행할 수 있다. 전처리는 어닐(anneal) 예컨대, 급속열처리 또는 레이저어닐을 사용하여 진행할 수 있다. 또한, 전처리는 트렌치(14)를 포함한 구조물 표면에 열산화법으로 희생막을 형성하여 트렌치(14) 표면 결함을 치유한 이후에 희생막을 제거하는 일련의 공정으로 진행할 수도 있다. 참고로, 트렌치(14) 표면의 결함은 암전류(dark current) 소스로 작용할 수 있다.
도 6c에 도시된 바와 같이, 배리어막(16)을 선택적으로 식각하여 적어도 트렌치(14)의 저면을 덮도록 형성한다. 이하, 적어도 트렌치(14)의 저면을 덮도록 식각된 배리어막(16)의 도면부호를 '16A'로 변경하여 표기하기로 한다.
적어도 트렌치(14)의 저면을 덮도록 배리어막(16A)을 식각하는 것은 입사광이 플로팅디퓨전영역(FD)으로 유입되는 것을 차단함과 동시에 후속 공정을 통해 형성될 광전변환영역(PD)과 플로팅디퓨전영역(FD) 사이 및 플로팅디퓨전영역(FD)과 리셋 트랜지스터(Rx)의 채널영역 사이의 전류패스를 제공하기 위함이다. 따라서, 배리어막(16A)은 트렌치(14)의 저면을 덮고, 일부가 트렌치(14)의 측면으로 확장된 형태를 가질 수도 있다.
배리어막(16A)에 대한 식각공정은 배리어막(16A) 상에 트렌치(14)를 일부 매립하도록 희생막(미도시)을 형성한 이후에 노출된 배리어막(16A)을 식각하고, 연속해서 희생막을 제거하는 방법으로 진행할 수 있다. 이때, 식각공정은 기판(10)에 결함이 발생하는 것을 방지하기 위해 습식식각으로 진행할 수 있다.
도 6d에 도시된 바와 같이, 트렌치(14) 내부에 제2도전형의 도전막(18)을 갭필한다. 도전막(18) 갭필공정은 트렌치(14)를 포함한 기판(10) 전면을 덮도록 도전막(18)을 형성한 이후에 기판(10) 표면이 노출될때까지 평탄화공정 예컨대, 화학적기계적연마법(CMP)를 진행하는 방법을 사용할 수 있다. 이때, 도전막(18)을 형성하는 과정에서 인시튜로 제2도전형의 불순물을 주입하거나, 제2도전막(18)을 형성한 이후에 제2도전형의 불순물을 이온주입할 수 있다.
도전막(18)은 기판(10)과 동일한 물질막을 포함할 수 있다. 구체적으로, 도전막(18)은 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 즉, 도전막(18)은 폴리실리콘막 또는 단결정 실리콘막을 포함할 수 있다. 단결정 실리콘막은 배리어막(16A)이 형성되지 않은 트렌치(14) 표면을 시드(seed)로 에피택셜 성장법을 이용하여 형성할 수 있다.
이로써, 트렌치(14), 적어도 트렌치(14) 저면을 덮는 배리어막(16A) 및 트렌치(14)에 갭필된 도전막(18)을 포함하는 플로팅디퓨전영역(FD)을 형성할 수 있다.
한편, 플로팅디퓨전영역(FD)의 도전막(18)을 기판(10)과 상이한 결정구조를 갖는 물질막 예컨대, 폴리실리콘막으로 형성한 경우에는 기판(10)과 도전막(18)이 접하는 계면특성을 개선하기 위해 후처리를 진행할 수 있다. 후처리는 레이져어닐로 할 수 있다.
도 6e에 도시된 바와 같이, 기판(10)에 광전변환영역(PD)을 형성한다. 광전변환영역(PD)은 제1도전형의 제1불순물영역(20)과 제2도전형의 제2불순물영역(22)이 수직적으로 중첩된 형태를 갖도록 형성할 수 있다. 제1불순물영역(20) 및 제2불순물영역(22)은 이온주입공정을 통해 형성할 수 있다.
다음으로, 일측 및 타측에 각각 광전변환영역(PD) 및 플로팅디퓨전영역(FD)이 위치하도록 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)(또는, 트랜스퍼 게이트)를 형성한다. 아울러, 리셋 트렌지스터(Rx), 드라이브 트랜지스터(Dx) 및 선택 트랜지스터(Sx), 다층 금속배선, 복수의 콘택플러그 등의 신호생성회로를 포함하는 층간절연막(24)을 형성한다.
다음으로, 기판(10) 후면 상에 컬러필터(26)를 형성하고, 연속해서 컬러필터(26) 상에 마이크로렌즈(28)를 형성한다.
이후 도면에 도시하지는 않았지만 공지된 제조기술을 이용하여 이미지 센서를 완성할 수 있다.
도 7은 본 실시예에 따른 이미지 처리 시스템의 개략적인 블럭도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 이미지 처리 시스템(1000)은 본 실시예에 따른 플로팅디퓨전영역(FD)을 포함한 이미지 센서(1100), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor, DSP, 1200), 디스플레이 유닛(1300) 및 렌즈 모듈(1500)을 포함할 수 있다.
이미지 센서(1100)는 본 실시예에 따른 플로팅디퓨전영역(FD)을 포함하는 픽셀 어레이(pixel array, 1110), 로우 드라이버(row driver, 1120), 상관 이중 샘플링(correlated double sampling, CDS) 블록(1130), 아날로그 디지털 컨버터(analog digital converter, ADC) 블록(1140), 램프 신호 발생기(ramp signal generator, 1160), 타이밍 발생기(timing generator, 1170), 제어 레지스터 블록(control register block, 1180) 및 버퍼(buffer, 1190)를 포함할 수 있다.
픽셀 어레이(1110)는 상술한 본 실시예에 따른 플로팅디퓨전영역(FD)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 픽셀 어레이(1110)에서 복수의 픽셀 각각은 기판상에 형성된 트랜스퍼 게이트, 트랜스퍼 게이트 일측 기판에 형성된 광전변환영역, 트랜스퍼 게이트 타측 기판에 형성된 트렌치, 적어도 트렌치 저면을 덮는 배리어막 및 트렌치를 갭필하는 도전막을 포함하는 플로팅디퓨전영역을 포함할 수 있다. 상술한 플로팅디퓨전영역은 배리어막을 구비함으로써, 플로팅디퓨전영역으로 유입되는 입사광을 차단하여 불필요한 광전하 생성을 원천적으로 차단할 수 있다. 따라서, 불필요한 광전하 생성에 기인한 신호대잡음비 증가를 방지하여 이미지 센서의 특성을 향상시킬 수 있다.
이미지 센서(1100)는 DSP(1200)의 제어에 따라, 렌즈 모듈(1500)을 통해 촬영된 물체(1400)의 광학 이미지를 감지하고, DSP(1200)는 이미지 센서(1100)에 의해 감지되어 출력된 이미지를 디스플레이 유닛(1300)으로 출력할 수 있다. 이때, 디스플레이 유닛(1300)은 DSP(1200)로부터 출력된 이미지를 디스플레이할 수 있는 장치를 의미한다. 예컨대, 디스플레이 유닛(1300)은 컴퓨터, 이동 통신 장치, 및 기타 영상 출력 장치의 단말(terminal)을 의미할 수 있다.
DSP(1200)는 카메라 컨트롤러(1201), 이미지 신호 프로세서(image signal processor, ISP, 1203) 및 인터페이스(interface(I/F), 1205)를 포함할 수 있다.
카메라 컨트롤러(1201)는 제어 레지스터 블록(1180)의 동작을 제어한다. 카메라 컨트롤러(1201)는 I2C(inter-integrated circuit)를 이용하여 이미지 센서(1100), 즉, 제어 레지스터 블록(1180)의 동작을 제어할 수 있으나 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니다.
ISP(1203)는 이미지(또는 이미지 데이터)를 수신하고, 수신된 이미지를 사람이 보기 좋도록 가공 또는 처리하고, 가공된 또는 처리된 이미지를 I/F(1205)를 통해 디스플레이 유닛(1300)으로 출력한다. 도 7에서는 ISP(1203)가 DSP(1200)의 내부에 위치하는 것으로 도시하였으나 실시예에 따라 ISP(1203)는 이미지 센서(1100)의 내부에 위치할 수도 있다. 또한, 이미지 센서(1100)와 ISP(1203)는 하나의 패키지, 예컨대 멀티-칩 패키지(multi-chip package, MCP)로 구현될 수도 있다.
도 8은 도 7에 도시된 이미지 센서에 대한 구체적인 블럭도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 타이밍 발생기(1170)는 로우 드라이버(1120), CDS 블록(1130), ADC 블록(1140), 및 램프 신호 발생기(1160) 각각의 동작을 제어하기 위한 적어도 하나의 제어 신호를 생성한다. 제어 레지스터 블록(1180)은 램프 신호 발생기(1160), 타이밍 발생기(1170), 및 버퍼(1190) 각각의 동작을 제어하기 위한 적어도 하나의 제어 신호를 생성한다. 제어 레지스터 블록(1180)은 카메라 컨트롤러(1201)의 제어 하에 동작한다.
로우 드라이버(1120)는 픽셀 어레이(1110)를 행(row) 단위로 구동한다. 예컨대, 로우 드라이버(1120)는 다수의 행들 중에서 어느 하나의 행을 선택할 수 있는 선택 신호를 생성할 수 있다. 다수의 행들 각각은 복수의 픽셀들을 포함한다. 도 8에 도시된 복수의 픽셀 배열은 설명의 편의를 위해 간략하게 도시된 것이다.
복수의 픽셀들 각각은 입사광을 감지하여 이미지 리셋 신호와 이미지 신호를 CDS 블록(1130)으로 출력한다. 여기서, 본 실시예에 따른 이미지 센서는 신호대잡음비를 증가를 방지함으로써, 양질의 픽셀 신호(즉, 이미지 리셋 신호와 이미지 신호)를 출력할 수 있다. CDS 블록(1130)은 수신된 이미지 리셋 신호와 이미지 신호 각각에 대하여 상관 이중 샘플링을 수행한다. ADC 블록(1140)은 램프 신호 발생기(1160)로부터 출력된 램프 신호(Ramp)와 CDS 블록(1130)으로부터 출력되는 상관 이중 샘플링된 신호를 서로 비교하고 비교 신호를 출력하고, 클락 신호(CNT_CLK)에 따라 상기 비교 신호의 레벨 전이(transition) 시간을 카운트하고 카운트 값을 버퍼(1190)로 출력한다.
ADC 블록(1140)은 비교 블록(1145)과 카운터 블록(1150)을 포함한다. 비교 블록(1145)은 다수의 비교기들(Comp)을 포함한다. 다수의 비교기들(Comp) 각각은 CDS 블록(1130)과 램프 신호 생성기(1160)에 접속된다. CDS 블록(1130)으로부터 출력된 다수의 출력 신호들 각각은 다수의 비교기들(Comp) 각각의 제1입력 단자(예컨대, (-)입력 단자)로 입력되고, 램프 신호 생성기(1160)로부터 출력된 램프 신호(Ramp)는 다수의 비교기들(Comp) 각각의 제2입력 단자(예컨대, (+)입력 단자)로 입력된다.
다수의 비교기들(Comp) 각각은 CDS 블록(1130)으로부터 출력된 각 출력 신호와 램프 신호 생성기(1160)로부터 출력된 램프 신호(Ramp)를 수신하여 서로 비교하고 비교 신호를 출력한다. 예컨대, 복수의 픽셀들 각각으로부터 출력된 신호와 램프 신호(Ramp)를 비교하기 위한 제1비교기(1147)로부터 출력된 비교 신호는 외부로부터 입사된 빛의 조도에 따라 달라지는 이미지 신호와 이미지 리셋 신호의 차이에 해당할 수 있다.
램프 신호 생성기(1160)는 타이밍 발생기(170)의 제어 하에 동작할 수 있다.
카운터 블록(1150)은 다수의 카운터들(1151)을 포함한다. 다수의 카운터들 (1151) 각각은 다수의 비교기들(Comp) 각각의 출력 단자에 접속된다. 카운터 블록 (1150)은 타이밍 발생기(1170)로부터 출력된 클락 신호(CNT_CLK)에 따라 상기 비교 신호의 레벨 전이 시간을 카운트하여 디지털 신호, 즉 카운트 값을 출력한다. 즉 카운터 블록(1150)은 다수의 디지털 이미지 신호들을 출력한다. 다수의 카운터들(1151) 각각은 업/다운 카운터(Up/Down Counter) 또는 비트-와이즈 카운터(bit-wise inversion counter)로 구현될 수 있다.
버퍼(1190)는 ADC 블록(1140)으로부터 출력된 다수의 디지털 이미지 신호들 각각을 저장한 후 이들 각각을 감지 증폭하여 출력한다. 버퍼(1190)는 메모리 블록(1191)과 감지 증폭기(1192)를 포함한다. 메모리 블록(1191)은 각각이 다수의 카운터들(1151) 각각으로부터 출력된 카운트 값을 저장하기 위한 다수의 메모리들(1193)을 포함한다. 예컨대, 상기 카운트 값은 복수의 픽셀들로부터 출력된 신호에 연관된 카운트 값을 의미한다.
감지 증폭기(1192)는 메모리 블록(1191)으로부터 출력되는 각각의 카운트 값을 감지하여 증폭한다. 이미지 센서(1100)는 이미지 데이터를 DSP(1200)로 출력한다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 또 다른 이미지 처리 시스템의 개략적인 블럭도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 이미지 처리 시스템(2000)은 MIPI(Mobile Industry Processor Interface) 인터페이스를 사용 또는 지원할 수 있는 데이터 처리 장치, 예컨대 PDA(personal digital assistant), PMP(portable media player), 또는 이동 전화기나 스마트 폰(smart phone)과 같은 이동 통신 장치로 구현될 수 있다. 이미지 처리 시스템(2000)은 태블릿 컴퓨터와 같은 휴대용 장치로서 구현될 수 있다.
이미지 처리 시스템(2000)은 애플리케이션 프로세서(2010), 이미지 센서 (2040), 및 디스플레이(2050)를 포함한다.
애플리케이션 프로세서(2010)에 구현된 CSI(camera serial interface) 호스트(2012)는 카메라 시리얼 인터페이스(CSI)를 통하여 이미지 센서(2040)의 CSI 장치(2041)와 시리얼 통신할 수 있다. 여기서, 이미지 센서(2040)는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 포함한다. 애플리케이션 프로세서(2010)에 구현된 DSI 호스트(2011)는 디스플레이 시리얼 인터페이스(display serial interface(DSI))를 통하여 디스플레이(2050)의 DSI 장치(2051)와 시리얼 통신할 수 있다.
이미지 처리 시스템(2000)은 애플리케이션 프로세서(2010)와 통신할 수 있는 RF 칩(2060)을 더 포함할 수 있다. 애플리케이션 프로세서(2010)의 PHY(2013)와 RF 칩(2060)의 PHY(2061)는 MIPI DigRF에 따라 데이터를 주고받을 수 있다.
이미지 처리 시스템(2000)은 GPS(2020), 데이터 저장 장치(2070), 마이크 (2080), DRAM과 같은 메모리(2085), 및 스피커(2090)를 더 포함할 수 있으며, 이미지 처리 시스템(2000)은 Wimax(2030), WLAN(Wireless LAN, 2100) 및 UWB(Ultra-wideband, 2110) 등을 이용하여 통신할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내의 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 기판
110 : 소자분리막
120 : 제1불순물영역 130 : 제2불순물영역
140 : 층간절연막 150 : 컬러필터
160 : 마이크로렌즈 210 : 트렌치
220 : 배리어막 230 : 도전막
232 : 제1영역 234 : 제2영역
250 : 트랩영역 PD : 광전변환영역
FD : 플로팅디퓨전영역
120 : 제1불순물영역 130 : 제2불순물영역
140 : 층간절연막 150 : 컬러필터
160 : 마이크로렌즈 210 : 트렌치
220 : 배리어막 230 : 도전막
232 : 제1영역 234 : 제2영역
250 : 트랩영역 PD : 광전변환영역
FD : 플로팅디퓨전영역
Claims (20)
- 기판 전면 상에 형성된 트랜스퍼 게이트;
상기 트랜스퍼 게이트 일측 기판에 형성된 광전변환영역; 및
상기 트랜스퍼 게이트 타측 기판에 형성된 트렌치, 적어도 상기 트렌치의 저면을 덮는 배리어막 및 상기 트렌치에 갭필된 도전막을 포함하는 플로팅디퓨전영역
을 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 배리어막은 상기 트렌치의 저면 및 상기 트렌치 측면 일부를 덮는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 배리어막은 입사광을 흡수하거나, 또는 반사시키는 절연막을 포함하는 이미지 센서.
- 제3항에 있어서,
상기 배리어막은 단일 절연막이거나, 또는 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 절연막의 적층된 적층막을 포함하는 이미지 센서.
- 제3항에 있어서,
상기 배리어막은 서로 다른 굴절률을 갖는 제1절연막과 제2절연막이 적어도 1회 이상 교번 적층된 적층막을 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 도전막은 상기 기판과 동일한 물질을 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 도전막은 제1도전형을 갖는 제1영역과 상기 제1도전형과 상보적인 제2도전형을 갖는 제2영역이 수직적으로 중첩된 형태를 갖는 이미지 센서.
- 제7항에 있어서,
상기 제1영역 및 제2영역은 상기 기판과 전기적으로 연결된 이미지 센서. - 제1항에 있어서,
상기 기판 후면 상에 형성된 컬러필터; 및
상기 컬러필터 상에 형성된 마이크로렌즈
를 더 포함하는 이미지 센서.
- 기판 전면 상에 형성된 트랜스퍼 게이트;
상기 트랜스퍼 게이트 일측 기판에 형성된 광전변환영역;
상기 트랜스퍼 게이트 타측 기판에 형성된 트렌치, 적어도 상기 트렌치의 저면을 덮는 배리어막 및 상기 트렌치에 갭필된 도전막을 포함하는 플로팅디퓨전영역; 및
상기 트렌치 아래 기판에 형성된 트랩영역
을 포함하는 이미지 센서.
- 제10항에 있어서,
상기 트랩영역은 상기 배리어막에 의해 상기 도전막과 전기적으로 분리되는 이미지 센서.
- 제10항에 있어서,
상기 트랩영역에는 접지전압이 인가되는 이미지 센서.
- 제10항에 있어서,
상기 배리어막은 상기 트렌치의 저면 및 상기 트렌치 측면 일부를 덮는 이미지 센서.
- 제10항에 있어서,
상기 배리어막은 입사광을 흡수하거나, 또는 반사시키는 절연막을 포함하는 이미지 센서.
- 제10항에 있어서,
상기 도전막은 상기 기판과 동일한 물질을 포함하는 이미지 센서.
- 제10항에 있어서,
상기 도전막은 제1도전형을 갖는 제1영역과 상기 제1도전형과 상보적인 제2도전형을 갖는 제2영역이 수직적으로 중첩된 형태를 갖는 이미지 센서.
- 제16항에 있어서,
상기 제1영역 및 제2영역은 상기 기판과 전기적으로 연결된 이미지 센서.
- 제10항에 있어서,
상기 기판 후면 상에 형성된 컬러필터; 및
상기 컬러필터 상에 형성된 마이크로렌즈
를 더 포함하는 이미지 센서.
- 기판을 선택적으로 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;
적어도 상기 트렌치의 저면을 덮는 배리어막을 형성하는 단계;
상기 트렌치를 갭필하는 도전막을 형성하여 상기 트렌치, 상기 배리어막 및 상기 도전막을 포함하는 플로팅디퓨전영역을 형성하는 단계;
상기 기판에 광전변환영역을 형성하는 단계; 및
일측 및 타측에 각각 상기 광전변환영역 및 상기 플로팅디퓨전영역이 위치하도록 상기 기판상에 트랜스퍼 게이트를 형성하는 단계
를 포함하는 이미지 센서 제조방법.
- 제19항에 있어서,
상기 배리어막을 형성하는 단계는,
상기 트렌치를 포함한 구조물 표면을 따라 배리어막을 형성하는 단계;
상기 트렌치를 일부 갭필하는 희생막을 형성하는 단계;
상기 희생막에 의해 노출된 상기 배리어막을 식각하는 단계; 및
상기 희생막을 제거하는 단계
를 포함하는 이미지 센서 제조방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130158162A KR20150071768A (ko) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US14/300,948 US9190440B2 (en) | 2013-12-18 | 2014-06-10 | Image sensor and method for fabricating the same |
| CN201410775820.8A CN104733485B (zh) | 2013-12-18 | 2014-12-15 | 图像传感器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130158162A KR20150071768A (ko) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150071768A true KR20150071768A (ko) | 2015-06-29 |
Family
ID=53369486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130158162A Ceased KR20150071768A (ko) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9190440B2 (ko) |
| KR (1) | KR20150071768A (ko) |
| CN (1) | CN104733485B (ko) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015095468A (ja) * | 2013-11-08 | 2015-05-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法、並びに電子機器 |
| US9443900B2 (en) * | 2014-08-25 | 2016-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pixel with multigate structure for charge storage or charge transfer |
| US9613916B2 (en) | 2015-03-12 | 2017-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Protection ring for image sensors |
| KR102174346B1 (ko) | 2015-12-21 | 2020-11-04 | 구글 엘엘씨 | 메시징 애플리케이션들을 위한 자동적인 제안들 및 다른 콘텐츠 |
| KR20180093040A (ko) | 2015-12-21 | 2018-08-20 | 구글 엘엘씨 | 메시지 교환 스레드들에 대한 자동적인 제안들 |
| CN117634495A (zh) | 2016-09-20 | 2024-03-01 | 谷歌有限责任公司 | 基于消息贴纸的建议响应 |
| US10015124B2 (en) | 2016-09-20 | 2018-07-03 | Google Llc | Automatic response suggestions based on images received in messaging applications |
| JP6659910B2 (ja) | 2016-09-20 | 2020-03-04 | グーグル エルエルシー | データへのアクセス許可を要求するボット |
| US10416846B2 (en) | 2016-11-12 | 2019-09-17 | Google Llc | Determining graphical element(s) for inclusion in an electronic communication |
| KR102380819B1 (ko) * | 2017-04-12 | 2022-03-31 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| WO2018212822A1 (en) | 2017-05-16 | 2018-11-22 | Google Inc. | Suggested actions for images |
| US10348658B2 (en) | 2017-06-15 | 2019-07-09 | Google Llc | Suggested items for use with embedded applications in chat conversations |
| US10404636B2 (en) | 2017-06-15 | 2019-09-03 | Google Llc | Embedded programs and interfaces for chat conversations |
| US10686996B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-06-16 | Facebook Technologies, Llc | Digital pixel with extended dynamic range |
| US10598546B2 (en) | 2017-08-17 | 2020-03-24 | Facebook Technologies, Llc | Detecting high intensity light in photo sensor |
| US10891526B2 (en) | 2017-12-22 | 2021-01-12 | Google Llc | Functional image archiving |
| US11906353B2 (en) | 2018-06-11 | 2024-02-20 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel with extended dynamic range |
| US11463636B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-10-04 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having multiple photodiodes |
| US10897586B2 (en) | 2018-06-28 | 2021-01-19 | Facebook Technologies, Llc | Global shutter image sensor |
| US10931884B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-02-23 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having adaptive exposure time |
| US11956413B2 (en) | 2018-08-27 | 2024-04-09 | Meta Platforms Technologies, Llc | Pixel sensor having multiple photodiodes and shared comparator |
| US11595602B2 (en) | 2018-11-05 | 2023-02-28 | Meta Platforms Technologies, Llc | Image sensor post processing |
| US11218660B1 (en) | 2019-03-26 | 2022-01-04 | Facebook Technologies, Llc | Pixel sensor having shared readout structure |
| CN109979955B (zh) * | 2019-04-03 | 2021-06-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种半导体结构及其制造方法 |
| US11943561B2 (en) | 2019-06-13 | 2024-03-26 | Meta Platforms Technologies, Llc | Non-linear quantization at pixel sensor |
| US11936998B1 (en) | 2019-10-17 | 2024-03-19 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having extended dynamic range |
| US11902685B1 (en) | 2020-04-28 | 2024-02-13 | Meta Platforms Technologies, Llc | Pixel sensor having hierarchical memory |
| US11910114B2 (en) | 2020-07-17 | 2024-02-20 | Meta Platforms Technologies, Llc | Multi-mode image sensor |
| US11956560B2 (en) | 2020-10-09 | 2024-04-09 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having reduced quantization operation |
| US12022218B2 (en) | 2020-12-29 | 2024-06-25 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital image sensor using a single-input comparator based quantizer |
| CN114267692B (zh) * | 2021-12-20 | 2024-12-03 | 上海微阱电子科技有限公司 | 背照式全局曝光像元结构及其制备方法 |
| US12235889B2 (en) | 2022-08-26 | 2025-02-25 | Google Llc | Device messages provided in displayed image compilations based on user content |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6399973B1 (en) | 2000-12-29 | 2002-06-04 | Intel Corporation | Technique to produce isolated junctions by forming an insulation layer |
| KR100907884B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2009-07-15 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 포토 다이오드 및 이의 제조 방법 |
| KR100806783B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-02-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
| KR100799111B1 (ko) | 2007-01-19 | 2008-01-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| US8618459B2 (en) | 2011-04-27 | 2013-12-31 | Aptina Imaging Corporation | Image sensor array for the back side illumination with junction gate photodiode pixels |
| CN103227183B (zh) * | 2013-04-08 | 2015-08-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种抑制背照式cmos图像传感器电学互扰的方法 |
| US9369648B2 (en) * | 2013-06-18 | 2016-06-14 | Alexander Krymski | Image sensors, methods, and pixels with tri-level biased transfer gates |
-
2013
- 2013-12-18 KR KR1020130158162A patent/KR20150071768A/ko not_active Ceased
-
2014
- 2014-06-10 US US14/300,948 patent/US9190440B2/en active Active
- 2014-12-15 CN CN201410775820.8A patent/CN104733485B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20150171133A1 (en) | 2015-06-18 |
| CN104733485A (zh) | 2015-06-24 |
| CN104733485B (zh) | 2019-02-01 |
| US9190440B2 (en) | 2015-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20150071768A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| US11764247B2 (en) | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus | |
| KR101931658B1 (ko) | 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서 | |
| US9000493B2 (en) | Solid-state imaging device, method for producing same, and camera | |
| US9202839B2 (en) | Solid-state imaging device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus to form high-concentration impurity region in semiconductor substrate | |
| CN101079967B (zh) | 固态成像装置及其制造方法、以及摄像机 | |
| US9553119B2 (en) | Methods of forming an image sensor | |
| US9202950B2 (en) | Image sensor having 3D photoelectric conversion device | |
| US20150001663A1 (en) | Cmos image sensor | |
| KR20160087427A (ko) | 이미지 센서 및 그 형성 방법 | |
| US10854660B2 (en) | Solid-state image capturing element to suppress dark current, manufacturing method thereof, and electronic device | |
| US10032811B2 (en) | Image sensor and method for fabricating the same | |
| US20130248954A1 (en) | Unit Pixel of Image Sensor and Image Sensor Including the Same | |
| KR20100120875A (ko) | 투과도가 향상된 반사 방지막을 갖는 후면 수광 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR101476035B1 (ko) | 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 고체 촬상 장치 | |
| US9911775B2 (en) | Image sensor and method for fabricating the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20131218 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20180824 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20131218 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20191203 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20200206 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20191203 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |