KR20150064152A - Application liquid capable of fine application, for forming inorganic oxide coating film, and method for manufacturing fine inorganic oxide coating film - Google Patents
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Abstract
미세한 금속 산화물 피막을 형성하는 것에 적합한 금속 산화물 피막 형성용 도포액을 제공한다.
특정한 금속 알콕시드와, 특정한 금속염과, 유기 용매와, 물과, 석출 방지제를 함유하고, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,2-부탄디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,2-펜탄디올, 1,3-펜탄디올, 1,4-펜탄디올, 1,5-펜탄디올, 2,4-펜탄디올, 2,5-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 및 N-메틸피롤리돈으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이, 전체 유기 용매 중에 30 질량% 이상 함유되고, 또한 표면 장력이 28 mN/m 이상인 미세 액적 토출 장치에 의한 도포에 사용하는 금속 산화물 피막 형성용 도포액.There is provided a coating liquid for forming a metal oxide film suitable for forming a fine metal oxide coating.
A process for producing a polyurethane foam, which comprises a specific metal alkoxide, a specific metal salt, an organic solvent, water, and an anti-precipitation agent and is selected from the group consisting of ethylene glycol, propylene glycol, 1,2-butanediol, - pentanediol, 1,3-pentanediol, 1,4-pentanediol, 1,5-pentanediol, 2,4-pentanediol, 2,5-hexanediol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol , And N-methylpyrrolidone in an amount of 30 mass% or more in the total organic solvent and having a surface tension of 28 mN / m or more, Coating liquid for forming a film.
Description
본 발명은 미세 액적 토출 장치에 의한 도포에 사용하는 금속 산화물 피막 형성용 도포액, 이것을 사용하여 얻어지는 금속 산화물 피막, 및 그 금속 산화물 피막의 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a coating liquid for forming a metal oxide film to be used for coating with a fine droplet discharging device, a metal oxide film obtained by using the coating liquid, and a method for producing the metal oxide film.
최근, 스마트폰의 보급과 함께, 휴대전화의 표시 화면이 대형화되고 있다. 이 때문에, 디스플레이의 표시를 이용한 입력 조작이 가능한 터치 패널의 개발이 활발히 실시되고 있다. 터치 패널에 의하면, 압하식 스위치 등의 입력 수단이 불필요해지므로 표시 화면의 대형화를 도모할 수 있다.Recently, with the spread of smart phones, the display screen of cellular phones has become larger. For this reason, a touch panel capable of performing an input operation using a display on a display is actively developed. According to the touch panel, since input means such as a push-down switch is not required, the display screen can be enlarged.
터치 패널은 손가락이나 펜 등이 닿은 조작 영역의 접촉 위치를 검출한다. 이 기능을 이용하여 터치 패널은 입력 장치로서 사용된다. 접촉 위치의 검출 방식에는 저항막 방식이나 정전 용량 방식 등이 있다. 저항막 방식은 대향하는 2 장의 기판을 사용하는 것에 반해, 정전 용량 방식에서는 사용하는 기판을 1 장으로 할 수 있다. 이 때문에, 정전 용량 방식에 의하면, 박형의 터치 패널을 구성할 수 있어 휴대 기기 등에 바람직한 것으로부터, 최근 활발히 개발이 진행되고 있다.The touch panel detects the contact position of the operation area that the finger or the pen touches. Using this function, the touch panel is used as an input device. The contact position detection method includes a resistance film method and a capacitance method. In the resistive film type, two opposing substrates are used, whereas in the electrostatic capacity type, one substrate can be used. For this reason, according to the electrostatic capacity method, a thin touch panel can be constructed, and therefore, development has been actively under progress since it is preferable for a portable device and the like.
터치 패널은 액정 표시 장치 등의 표시 장치에 장착되어, 터치 위치를 검출 가능한 터치 패널 기능이 있는 표시 장치로서 사용된다. 터치 패널을 조작하는 자는 터치 패널을 통해 표시 장치를 시인하기 때문에, 투명 전극에는 광의 투과 특성이 우수한 부재가 사용된다. 예를 들어, ITO (Indium Tin Oxide) 등의 무기 재료가 사용되고 있다. 또, 층간 절연막으로는, 패터닝이 가능하고 절연성인 아크릴 재료 등이 사용되고 있다.The touch panel is mounted on a display device such as a liquid crystal display device and is used as a display device having a touch panel function capable of detecting a touch position. A member operating the touch panel visually observes the display device through the touch panel, and therefore, a member having excellent light transmission characteristics is used for the transparent electrode. For example, inorganic materials such as indium tin oxide (ITO) have been used. As the interlayer insulating film, an acrylic material which can be patterned and is insulating is used.
정전 용량 방식의 터치 패널의 경우, X 축 방향과 그것과 직교하는 Y 방향의 2 방향의 전극이 필요시되어, 손가락이 닿았을 때의 정전 용량의 변화를 검출함으로써 그 좌표를 검출하고, 터치 위치나 터치 동작을 인식하도록 되어 있다. 그 때, X 축 방향의 전극과, Y 축 방향의 전극이 중첩하는 지점에서, 위치 검출 오작동을 방지하기 위해서, X 축 방향의 전극과 Y 축 방향의 전극 사이를 절연하는 가교 구조를 취함으로써 교차시키고 있다.In the case of a capacitive touch panel, two directions of electrodes in the X-axis direction and the Y-direction perpendicular to the X-axis direction are required. By detecting a change in capacitance when a finger touches the touch panel, its coordinates are detected, And the touch operation is recognized. At this time, in order to prevent the position detection malfunction at the point where the electrode in the X-axis direction overlaps the electrode in the Y-axis direction, a cross-linking structure for insulating the electrode in the X- I have to.
이 가교 구조 부분에 사용되는 절연막 (이하, 여기에 사용하는 절연막을 전극 교차부 미세 절연층 (OC1) 이라고도 칭한다) 으로는, 유기의 아크릴 수지가 일반적으로 사용되고 있다. 그러나, 가교 구조 부분의 절연막에 유기 수지를 사용하고, 상층에 무기 재료의 층간 절연막을 사용한 경우, 유기 수지의 열신축성에 의해, 무기의 층간 절연막에 크랙이 발생된다. 또, 유기 수지에 의해 가교 구조를 작성하는 경우, 한 번 기판 전체면에 제막한 후, 그 피막의 대부분을 제거하는 공정을 갖기 때문에 제조 효율 면에서 문제가 있다.An organic acrylic resin is generally used as an insulating film used in the cross-linked structure portion (hereinafter, the insulating film used herein is also referred to as an electrode intersection portion fine insulating layer OC1). However, when an organic resin is used for the insulating film of the crosslinked structure portion and an interlayer insulating film of an inorganic material is used for the upper layer, cracks are generated in the inorganic interlayer insulating film due to the thermal stretchability of the organic resin. When a crosslinked structure is formed with an organic resin, there is a problem in terms of production efficiency because a film is formed on the entire surface of the substrate once, and most of the film is removed.
그러한 상황 안에서, 무기 재료를 성분으로 하는 금속 산화물 피막의 검토가 이루어지고 있다. 무기 재료를 성분으로 하는 막의 경우, 일반적으로 경도가 높아 터치 패널의 전극 보호막으로서 높은 신뢰성을 기대할 수 있다. 또, 가교 부분의 절연막을 무기 재료로 함으로써, 상층에 무기 재료를 적용하는 경우라고 하더라도, 크랙의 발생을 방지할 수 있다. 그러나, 무기 재료를 성분으로 하는 금속 산화물 피막에 있어서는, 상기 패터닝에 의한 제막이 곤란하다.Under such circumstances, studies have been made on metal oxide films containing inorganic materials as components. In the case of a film made of an inorganic material as a component, since the hardness is generally high, high reliability can be expected as an electrode protective film of a touch panel. In addition, by using the insulating film of the cross-linked portion as the inorganic material, occurrence of cracks can be prevented even when an inorganic material is applied to the upper layer. However, in a metal oxide film containing an inorganic material as a component, it is difficult to form the film by the above patterning.
그래서, 투명 전극 사이의 가교 부분에만, 금속 산화물 피막을 성막하기 위해, 잉크젯 도포 장치, 제트 디스펜스 도포 장치 등의 미세 액적 토출 장치를 사용한 Dot 도포가 제안, 검토되고 있지만, 현행의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에서는, 기판에 착액된 후의 액적의 크기, 젖음 확대성의 제어가 곤란하기 때문에 미세한 패턴의 형성이 곤란하다.Therefore, in order to deposit a metal oxide film only on the cross-linked portion between the transparent electrodes, Dot coating using a fine droplet discharging device such as an ink jet coating device or a jet dispensing coating device is proposed and examined. However, In the coating liquid, it is difficult to control the size of the droplet and the widening property after being immersed in the substrate, so that it is difficult to form a fine pattern.
본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이다. 즉, 본 발명의 목적은 미세 액적 토출 장치를 사용하는 미세한 금속 산화물 피막의 형성에 적합한 금속 산화물 피막 형성용 도포액을 제공하는 것에 있다. 또, 그러한 방법으로 형성되어 신뢰성이 우수한 금속 산화물 피막 및, 제트 디스펜서를 사용한 금속 산화물 피막의 형성 방법을 제공하는 것에 있다.The present invention has been made in view of this point. That is, an object of the present invention is to provide a coating liquid for forming a metal oxide film suitable for formation of a fine metal oxide coating using a fine droplet discharging apparatus. Another object of the present invention is to provide a metal oxide film formed by such a method and having high reliability and a method for forming a metal oxide film using the jet dispenser.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위한 것으로, 하기를 요지로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides the following.
(1) 하기 일반식 (I) 로 나타내는 금속 알콕시드와, 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 금속염과, 유기 용매와, 물과, 석출 방지제를 함유하고, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,2-부탄디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,2-펜탄디올, 1,3-펜탄디올, 1,4-펜탄디올, 1,5-펜탄디올, 2,4-펜탄디올, 2,5-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 및 N-메틸피롤리돈으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 전체 유기 용매 중에 30 질량% 이상 함유되고, 또한 표면 장력이 28 mN/m 이상인 것을 특징으로 하는, 미세 액적 토출 장치에 의한 도포에 사용하는 금속 산화물 피막 형성용 도포액.(1) A process for producing a metal alkoxide, which comprises reacting a metal alkoxide represented by the following general formula (I), a metal salt represented by the following general formula (II), an organic solvent, water, Butanediol, 1,4-butanediol, 1,2-pentanediol, 1,3-pentanediol, 1,4-pentanediol, 1,5-pentanediol, , At least one member selected from the group consisting of 5-hexanediol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, and N-methylpyrrolidone is contained in the total organic solvent in an amount of 30 mass% or more, m < 2 > / m < 2 > / m < 2 > or more.
M1(OR1)n (I)M 1 (OR 1 ) n (I)
(M1 은, 규소, 티탄, 탄탈, 지르코늄, 붕소, 알루미늄, 마그네슘 및 아연으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 나타낸다. R1 은, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 아세톡시기를 나타낸다. n 은 2 ∼ 5 의 정수를 나타낸다.)Wherein M 1 represents at least one metal selected from the group consisting of silicon, titanium, tantalum, zirconium, boron, aluminum, magnesium and zinc, R 1 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or an acetoxy group and n represents an integer of 2 to 5.)
M2(X)k (Ⅱ)M 2 (X) k (II)
(M2 는, 알루미늄, 인듐, 아연, 지르코늄, 비스무트, 란탄, 탄탈, 이트륨 및 세륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 나타낸다. X 는, 염산, 질산, 황산, 아세트산, 옥살산, 스파민산, 술폰산, 아세토아세트산 혹은 아세틸아세토네이트의 잔기, 또는 이들의 염기성염을 나타낸다. k 는, M2 의 가수를 나타낸다.)(M 2 represents at least one metal selected from the group consisting of aluminum, indium, zinc, zirconium, bismuth, lanthanum, tantalum, yttrium and cerium.) X is at least one metal selected from the group consisting of hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, acetic acid, A residue of a carboxylic acid, a carboxylic acid, a sulfonic acid, acetoacetic acid or acetylacetonate, or a basic salt thereof, and k represents a mantissa of M 2 .
(2) 추가로, 하기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 제 2 금속 알콕시드를 함유하는, 상기 (1) 에 기재된 금속 산화물 피막 형성용 도포액.(2) The coating liquid for forming a metal oxide film according to (1), further comprising a second metal alkoxide represented by the following general formula (III).
R2 lM3(OR3)m-l (Ⅲ)R 2 1 M 3 (OR 3 ) ml (III)
(M3 은, 규소, 티탄, 탄탈, 지르코늄, 붕소, 알루미늄, 마그네슘 및 아연으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 나타낸다. R2 는, 수소 원자 또는 불소 원자, 또는, 할로겐 원자, 할로겐 원자, 비닐기, 글리시독시기, 메르캅토기, 메타크릴옥시기, 아크릴옥시기, 이오시아네이트기, 아미노기 또는 우레이드기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 헤테로 원자를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 탄화수소기를 나타낸다. R3 은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타낸다. m 은 2 ∼ 5 의 정수를 나타내고, l 은 m 이 3 인 경우 1 또는 2 이고, m 이 4 인 경우 1 ∼ 3 의 정수이며, m 이 5 인 경우 1 ∼ 4 의 정수이다.)Wherein M 3 represents at least one metal selected from the group consisting of silicon, titanium, tantalum, zirconium, boron, aluminum, magnesium and zinc, R 2 represents a hydrogen atom or a fluorine atom, Which may be substituted with an atom, a vinyl group, a glycidoxy group, a mercapto group, a methacryloxy group, an acryloxy group, an isocyanate group, an amino group or a ureide group, M is an integer of 2 to 5, 1 is 1 or 2 when m is 3, and is an integer of 1 to 3 when m is 4, and R 3 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, When m is 5, it is an integer of 1 to 4.)
(3) 상기 제 2 금속 알콕시드의 함유량이, 전체 금속 알콕시드에 대하여 15 몰% 이상인, 상기 (2) 에 기재된 금속 산화물 피막 형성용 도포액.(3) The coating liquid for forming a metal oxide film according to (2), wherein the content of the second metal alkoxide is 15 mol% or more with respect to the total metal alkoxide.
(4) 상기 석출 방지제가 N-메틸-피롤리돈, 에틸렌글리콜, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜 및 이들의 유도체로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 종 이상의 물질인, 상기 (1) ∼ (3) 중 어느 한 항에 기재된 금속 산화물 피막 형성용 도포액.(4) The process according to any one of (1) to (4), wherein the precipitation inhibitor is at least one substance selected from the group consisting of N-methyl-pyrrolidone, ethylene glycol, dimethylformamide, dimethylacetamide, diethylene glycol, propylene glycol, hexylene glycol, The coating liquid for forming a metal oxide film according to any one of (1) to (3) above.
(5) 금속염의 금속 원자 (M2) 와, 금속 알콕시드의 금속 원자의 합계 (M) 의 몰비가 0.01 ≤ M2/M ≤ 0.7 인, 상기 (1) ∼ (4) 중 어느 한 항에 기재된 금속 산화물 피막 형성용 도포액.(5) The positive resist composition as described in any one of (1) to (4) above, wherein the molar ratio of the metal atom (M 2 ) of the metal salt to the total amount (M) of the metal atom of the metal alkoxide is 0.01 ≦ M 2 / A coating liquid for forming a metal oxide film described above.
(6) 제 1 금속 알콕시드는, 실리콘알콕시드 또는 그 부분 축합물과, 티탄알콕시드의 혼합물인, 상기 (1) ∼ (5) 중 어느 한 항에 기재된 금속 산화물 피막 형성용 도포액.(6) The coating liquid for forming a metal oxide film according to any one of (1) to (5), wherein the first metal alkoxide is a mixture of a silicon alkoxide or a partial condensate thereof and a titanium alkoxide.
(7) 금속염이 금속 질산염, 금속 황산염, 금속 아세트산염, 금속 염화물, 금속 옥살산염, 금속 스파민산염, 금속 술폰산염, 금속 아세토아세트산염, 금속 아세틸아세토네이트 또는 이들의 염기성염인, 상기 (1) ∼ (6) 중 어느 한 항에 기재된 금속 산화물 피막 형성용 도포액.(7) The process according to the above (1), wherein the metal salt is at least one selected from the group consisting of metal nitrate, metal sulfate, metal acetate, metal chloride, metal oxalate, metal spanate, metal sulfonate, metal acetoacetate, metal acetylacetonate, To (6) above. ≪ EMI ID = 1.0 >
(8) 제 1 금속 알콕시드가 실리콘알콕시드 또는 그 부분 축합물과, 티탄알콕시드의 혼합물이고, 유기 용매는 알킬렌글리콜류 또는 그 모노에테르 유도체를 함유하는, 상기 (1) ∼ (7) 중 어느 한 항에 기재된 금속 산화물 피막 형성용 도포액.(8) The process for producing a polymerizable composition according to any one of (1) to (7), wherein the first metal alkoxide is a mixture of a silicon alkoxide or a partial condensate thereof and a titanium alkoxide and the organic solvent comprises an alkylene glycol or a monoether derivative thereof A coating liquid for forming a metal oxide film according to any one of claims 1 to 6.
(9) 상기 (1) ∼ (8) 중 어느 한 항에 기재된 금속 산화물 피막 형성용 도포액을 미세 액적 토출 장치로 도포하여 얻어지는 금속 산화물 피막.(9) A metal oxide film obtained by coating the coating liquid for forming a metal oxide film according to any one of (1) to (8) with a fine droplet discharging device.
(10) 상기 (1) ∼ (8) 중 어느 한 항에 기재된 금속 산화물 피막 형성용 도포액을 제트 디스펜서에 의해 도포하여 얻어지는 금속 산화물 피막.(10) A metal oxide film obtained by applying the coating liquid for forming a metal oxide film according to any one of (1) to (8) by means of a jet dispenser.
(11) 상기 (1) ∼ (8) 중 어느 한 항에 기재된 금속 산화물 피막 형성용 도포액을 피에조 방식 제트 디스펜서에 의해 도포하여 얻어지는 금속 산화물 피막.(11) A metal oxide film obtained by applying the coating liquid for forming a metal oxide film according to any one of (1) to (8) by means of a piezo jet dispenser.
(12) 상기 (1) ∼ (8) 중 어느 한 항에 기재된 금속 산화물 피막 형성용 도포액을, 제트 디스펜서를 사용하여 전극 교차부 미세 절연층을 형성하는 금속 산화물 피막의 형성 방법.(12) A method for forming a metal oxide film coating liquid as described in any one of (1) to (8) above, wherein the electrode intersection micro-insulating layer is formed using a jet dispenser.
(13) 상기 (1) ∼ (8) 중 어느 한 항에 기재된 금속 산화물 피막 형성용 도포액을, 피에조 방식 제트 디스펜서를 사용하여 전극 교차부 미세 절연층을 형성하는 금속 산화물 피막의 형성 방법.(13) A method for forming a metal oxide film coating liquid as described in any one of (1) to (8) above, wherein an electrode intersection micro-insulating layer is formed using a piezo system jet dispenser.
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액을 사용함으로써, Dot 직경이 작은 미세한 패턴의 금속 산화물 피막을 형성할 수 있다. 또, 얻어진 금속 산화물 피막은 신뢰성이 높은 특징을 갖는다.By using the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention, it is possible to form a metal oxide film of a fine pattern with a small Dot diameter. Moreover, the obtained metal oxide film has a feature of high reliability.
<금속 산화물 피막 형성용 도포액>≪ Coating liquid for forming a metal oxide film &
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액은, 상기 일반식 (I) 로 나타내는 제 1 금속 알콕시드와, 상기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 금속염과, 유기 용매와, 수분과, 석출 방지제를 함유한다.The coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention contains a first metal alkoxide represented by the general formula (I), a metal salt represented by the general formula (II), an organic solvent, water, and an precipitation inhibitor .
<제 1 금속 알콕시드><First metal alkoxide>
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액은, 하기 일반식 (I) 로 나타내는 구조의 제 1 금속 알콕시드를 함유한다.The coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention contains a first metal alkoxide having a structure represented by the following general formula (I).
M1(OR1)n (I)MOne(OROne)n (I)
식 (I) 중, M1, R1, n 은 상기에 정의한 바와 같다. 그 중에서도, M1 은, 규소, 티탄, 지르코늄, 또는 알루미늄이 바람직하고, 특히는, 규소 또는 티탄이 바람직하다. 또, n 은 3 또는 4 가 바람직하다.In the formula (I), M 1 , R 1 , n are as defined above. Among them, M 1 is preferably silicon, titanium, zirconium or aluminum, particularly preferably silicon or titanium. Also, n is preferably 3 or 4.
식 (I) 로 나타내는 금속 알콕시드로서 실리콘알콕시드 또는 그 부분 축합물을 사용하는 경우, 일반식 (Ⅳ) 로 나타내는 화합물의 1 종 혹은 2 종 이상의 혼합물 또는 부분 축합물 (바람직하게는 5 량체 이하) 이 사용된다.When a silicon alkoxide or a partial condensate thereof is used as the metal alkoxide represented by the formula (I), one or a mixture or partial condensate of the compound represented by the general formula (IV) ) Is used.
Si(OR')4 (Ⅳ)Si (OR ') 4 (IV)
식 (Ⅳ) 중, R' 는 탄소수 1 ∼ 5, 바람직하게는 1 ∼ 3 의 알킬기 또는 아세톡시기를 나타낸다.In the formula (IV), R 'represents an alkyl group or an acetoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably 1 to 3 carbon atoms.
보다 구체적으로는 실리콘알콕시드로서, 예를 들어, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란, 테트라부톡시실란, 테트라아세톡시실란 등의 테트라알콕시실란류 등이 사용된다.More specifically, examples of the silicon alkoxide include tetraalkoxysilanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, tetrabutoxysilane and tetraacetoxysilane.
또, 식 (I) 로 나타내는 금속 알콕시드로서, 티탄알콕시드 또는 부분 축합물을 사용하는 경우, 일반식 (Ⅴ) 로 나타내는 화합물의 1 종 또는 2 종 이상의 혼합물 또는 부분 축합물 (바람직하게는 5 량체 이하) 이 사용된다.When a titanium alkoxide or a partial condensate is used as the metal alkoxide represented by the formula (I), one or a mixture or partial condensate of the compound represented by the general formula (V) (preferably 5 Or less) is used.
Ti(OR")4 (Ⅴ)Ti (OR ") 4 (V)
식 (Ⅴ) 중, R" 는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타낸다.In the formula (V), R "represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
식 (I) 로 나타내는 금속 알콕시드로서, 구체적으로는, 티탄알콕시드로서 티타늄테트라에톡사이드, 티타늄테트라프로폭사이드, 티타늄테트라부톡사이드 등의 티타늄테트라알콕시드 화합물 또는 티타늄테트라-n-부톡사이드 테트라머 등의 부분 축합물 등이 사용된다.Specific examples of the metal alkoxide represented by the formula (I) include titanium alkoxide such as titanium tetraethoxide, titanium tetra propoxide, titanium tetraalkoxide compound such as titanium tetrabutoxide, or titanium tetra-n-butoxide And partial condensates such as tetramer.
식 (I) 로 나타내는 금속 알콕시드의 다른 예로는, 지르코늄테트라에톡사이드, 지르코늄테트라프로폭사이드, 지르코늄테트라부톡사이드 등의 지르코늄테트라알콕시드 화합물 ; 알루미늄트리부톡사이드, 알루미늄트리이소프로폭사이드, 알루미늄트리에톡사이드 등의 알루미늄트리알콕시드 화합물 ; 탄탈륨펜타프로폭사이드, 탄탈륨펜타부톡사이드 등의 탄탈륨펜타알콕시드 화합물 등을 들 수 있다.Other examples of the metal alkoxide represented by the formula (I) include zirconium tetraalkoxide compounds such as zirconium tetraethoxide, zirconium tetrapropoxide and zirconium tetrabutoxide; Aluminum trialkoxide compounds such as aluminum tri-butoxide, aluminum triisopropoxide and aluminum triethoxide; And tantalum pentaalkoxide compounds such as tantalum pentapropoxide and tantalum pentabutoxide.
<제 2 금속 알콕시드>≪ Second metal alkoxide &
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에는, 추가로 하기 식 (Ⅲ) 으로 나타내는 제 2 금속 알콕시드를, 상기 제 1 금속 알콕시드와 함께 사용할 수 있다.In the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention, a second metal alkoxide represented by the following formula (III) may be used together with the first metal alkoxide.
R2 lM3(OR3)m-l (Ⅲ)R 2 1 M 3 (OR 3 ) ml (III)
식 (Ⅲ) 중, M3, R2, R3, m 은 상기에 정의한 바와 같다. 그 중에서도, M3 은, 규소 (Si), 티탄 (Ti), 지르코늄 (Zr), 또는 알루미늄 (Al) 이 바람직하고, 특히는 규소 (Si) 또는 티탄 (Ti) 이 바람직하다.In the formula (III), M 3 , R 2 , R 3 , m are as defined above. Among them, M 3 is preferably silicon (Si), titanium (Ti), zirconium (Zr), or aluminum (Al), particularly preferably silicon (Si) or titanium (Ti).
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에서는, 제 2 금속 알콕시드를 함유함으로써, 금속 산화물 피막이 아크릴재 등의 유기 재료로 이루어지는 막 상에 형성되는 경우에, 코트막과 유기막 사이의 열신축성의 차이가 완화된다. 그 결과, 유기막 상에 금속 산화물 피막이 형성되는 경우가 있어도, 금속 산화물 피막에 크랙이 발생하는 것이 방지된다. 예를 들어, 터치 패널에 있어서, 상기 서술한 층간 절연막 등에 아크릴 재료로 이루어지는 유기막이 사용되고, 그 위에 금속 산화물 피막이 형성되는 경우가 있어도, 층간 절연막 상의 금속 산화물 피막에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In the coating solution for forming a metal oxide film of the present invention, when the metal oxide film is formed on a film made of an organic material such as an acrylic material by containing the second metal alkoxide, the heat elasticity between the coat film and the organic film The difference is relaxed. As a result, even if a metal oxide film is formed on the organic film, cracking of the metal oxide film is prevented. For example, in the touch panel, cracks can be prevented from occurring in the metal oxide film on the interlayer insulating film even if an organic film made of an acrylic material is used for the above-described interlayer insulating film and a metal oxide film is formed thereon .
제 2 금속 알콕시드가, 본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 사용되는 경우, 제 1 금속 알콕시드의 함유량은 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 함유되는 금속 알콕시드의 합계량에 대해 20 몰% ∼ 85 몰% 인 것이 바람직하고, 30 몰% ∼ 70 몰% 가 보다 바람직하다.When the second metal alkoxide is used in the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention, the content of the first metal alkoxide is preferably from 20 mol% to 20 mol% based on the total amount of the metal alkoxide contained in the coating liquid for forming a metal oxide film, Is preferably 85 mol%, more preferably 30 mol% to 70 mol%.
제 2 금속 알콕시드가, 본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 사용되는 경우, 제 2 금속 알콕시드의 함유량은, 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 함유되는 금속 알콕시드의 합계량에 대해 80 몰% ∼ 15 몰% 바람직하고, 70 % ∼ 30 몰% 가 보다 바람직하다. R2 의 탄소수가 3 이하인 경우, 식 (Ⅲ) 으로 나타내는 금속 알콕시드의 함유량을 30 % 이상으로 하고, R2 의 탄소수가 4 이상인 경우 또는 R2 중에 메르캅토기가 포함되는 경우, 제 2 금속 알콕시드의 함유량이 15 % 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 75 몰% 이하가 보다 바람직하다.When the second metal alkoxide is used in the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention, the content of the second metal alkoxide is preferably 80 mol% or more, more preferably 80 mol% or less, To 15 mol%, and more preferably 70% to 30 mol%. When the carbon number of R 2 is 3 or less and the content of the metal alkoxide represented by the formula (III) is 30% or more and the number of carbon atoms of R 2 is 4 or more, or when a mercapto group is contained in R 2 , The content of the alkoxide is more preferably 15% or more, and still more preferably 75 mol% or less.
제 2 금속 알콕시드의 함유량이 15 몰% 미만인 경우, 상기한 유기막 상에서 얻어지는 코트막에 크랙이 발생하는 경우가 있다. 또, 80 몰% 이상인 경우, 크랙은 생기지 않지만, 균일한 금속 산화물 피막이 얻어지지 않는 것과 같은 현상이 일어나는 경우가 있다. 이와 같은 함유량으로 함으로써, 상기한 금속 산화물 피막에서의 크랙 발생을 억제할 수 있다.When the content of the second metal alkoxide is less than 15 mol%, cracks may be generated in the coat film obtained on the organic film. On the other hand, when it is 80 mol% or more, cracks do not occur, but a phenomenon that a uniform metal oxide film can not be obtained may occur. With such a content, cracking in the metal oxide film can be suppressed.
제 2 금속 알콕시드가, 본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 사용되는 경우, 본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 함유되는 금속 알콕시드의 합계의 함유량은, 바람직하게는 0.5 중량% ∼ 20 중량% 이고, 보다 바람직하게는 1 중량% ∼ 15 중량% 이다. 이 비율이 큰 경우에는, 금속 산화물 피막 형성용 도포액의 저장 안정성이 나빠지는 데다가, 코트막의 막 두께 제어가 곤란해진다. 한편, 작은 경우에는, 얻어지는 코트막의 두께가 얇아져, 소정의 막 두께를 얻기 위해서 여러 번의 도포가 필요해진다.When the second metal alkoxide is used in the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention, the total content of the metal alkoxide contained in the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention is preferably 0.5 wt% 20% by weight, and more preferably 1% by weight to 15% by weight. When the ratio is large, the storage stability of the coating liquid for forming a metal oxide film deteriorates, and it becomes difficult to control the thickness of the coat film. On the other hand, when the thickness is small, the thickness of the obtained coat film becomes thin, and coating is required several times in order to obtain a predetermined film thickness.
식 (Ⅲ) 에 나타나는 바람직한 금속 알콕시드로는, 예를 들어, M3 이 규소 인 경우 이하의 화합물을 들 수 있다.The preferable metal alkoxide represented by the formula (III) includes, for example, the following compounds when M 3 is silicon.
예를 들어, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리아세톡시실란, 메틸트리부톡시실란, 메틸트리펜톡시실란, 메틸트리아밀옥시실란, 메틸트리페녹시실란, 메틸트리벤질옥시실란, 메틸트리페네틸옥시실란, 글리시독시메틸트리메톡시실란, 글리시독시메틸트리에톡시실란, α-글리시독시에틸트리메톡시실란, α-글리시독시에틸트리에톡시실란, β-글리시독시에틸트리메톡시실란, β-글리시독시에틸트리에톡시실란, α-글리시독시프로필트리메톡시실란, α-글리시독시프로필트리에톡시실란, β-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리프로폭시실란, γ-글리시독시프로필트리부톡시실란, γ-글리시독시프로필트리페녹시실란, α-글리시독시부틸트리메톡시실란, α-글리시독시부틸트리에톡시실란, β-글리시독시부틸트리에톡시실란, γ-글리시독시부틸트리메톡시실란, γ-글리시독시부틸트리에톡시실란, δ-글리시독시부틸트리메톡시실란, δ-글리시독시부틸트리에톡시실란, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸트리메톡시실란, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리프로폭시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리부톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리페녹시실란, γ-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란, γ-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리에톡시실란, δ-(3,4-에폭시시클로헥실)부틸트리메톡시실란, δ-(3,4-에폭시시클로헥실)부틸트리에톡시실란, 글리시독시메틸메틸디메톡시실란, 글리시독시메틸메틸디에톡시실란, α-글리시독시에틸메틸디메톡시실란, α-글리시독시에틸메틸디에톡시실란, β-글리시독시에틸메틸디메톡시실란, β-글리시독시에틸에틸디메톡시실란, α-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, α-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, β-글리시독시프로필에틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디프로폭시실란, γ-글리시독시프로필메틸디부톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디페녹시실란, γ-글리시독시프로필에틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필에틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필비닐디메톡시실란, γ-글리시독시프로필비닐디에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리아세톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-클로로프로필트리에톡시실란, γ-클로로프로필트리아세톡시실란, 3,3,3-트리플로로프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리에톡시실란, β-시아노에틸트리에톡시실란, 클로로메틸트리메톡시실란, 클로로메틸트리에톡시실란, N-(β-아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-(β-아미노에틸)γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(β-아미노에틸)γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-(β-아미노에틸)γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 페닐메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐메틸디에톡시실란, γ-클로로프로필메틸디메톡시실란, γ-클로로프로필메틸디에톡시실란, 디메틸디아세톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸디메톡시실란,γ-메르캅토메틸디에톡시실란, 메틸비닐디메톡시실란, 메틸비닐디에톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-우레이도프로필트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리프로폭시실란, (R)-N-1-페닐에틸-N'-트리에톡시실릴프로필우레아, (R)-N-1-페닐에틸-N'-트리메톡시실릴프로필우레아, 알릴트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 브로모프로필트리에톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 트리메틸메톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, p-스티릴트리에톡시실란, p-스티릴트리프로폭시실란 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.For example, there can be mentioned methyltrimethoxysilane, methyltripropoxysilane, methyltriacetoxysilane, methyltributoxysilane, methyltripentoxysilane, methyltriamyloxysilane, methyltriphenoxysilane, methyltribenzyloxy Silane, methyltriphenetyloxysilane, glycidoxymethyltrimethoxysilane, glycidoxymethyltriethoxysilane,? -Glycidoxyethyltrimethoxysilane,? -Glycidoxyethyltriethoxysilane,? -Glycidoxyethyltrimethoxysilane,? -Glycidoxyethyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyl tri Glycidoxypropyltrimethoxysilane, gamma -glycidoxypropyltriethoxysilane, gamma -glycidoxypropyltripropoxysilane, gamma -glycidoxypropyltrimethoxysilane, gamma -glycidoxypropyltrimethoxysilane, gamma -glycidoxypropyltrimethoxysilane, gamma- Glycidoxypropyltributoxysilane,? -Glycidoxypropyl Glycidoxybutyltrimethoxysilane,? -Glycidoxybutyltrimethoxysilane,? -Glycidoxybutyltrimethoxysilane,? -Glycidoxybutyltrimethoxysilane,? -Glycidoxybutyltrimethoxysilane,? -Glycidoxybutyltrimethoxysilane, -Glycidoxybutyltriethoxysilane,? -Glycidoxybutyltrimethoxysilane,? -Glycidoxybutyltriethoxysilane, (3,4-epoxycyclohexyl) methyltrimethoxysilane, (3, ? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltripropoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltripropoxysilane, (3,4-epoxycyclohexyl) propyltrimethoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) propyltriethoxysilane,? - (3,4-epoxycycles Hexyl) butyltriethoxysilane, glycidoxymethylmethyldimethoxysilane, glycidoxymethylmethyldiethoxysilane,? -Glycidoxyethylmethyldimethoxysilane,? -Glycidoxyethylmethyldiethoxysilane,? - Glycidoxyethylmethyldimethoxysilane,? -Glycidoxyethylethyldimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldimethacrylate, Glycidoxypropylethyldimethoxysilane, gamma -glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, gamma -glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, gamma -glycidoxypropylmethyldipropoxysilane, gamma -glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, gamma -glycidoxypropylethyldimethoxysilane, gamma- Glycidoxypropylmethyldibutoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldiphenoxysilane,? -Glycidoxypropylethyldimethoxysilane,? -Glycidoxypropylethyldiethoxysilane,? -Glycidoxypropylvinyl Dimethoxysilane, gamma -glycidoxypropylbis Vinyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltriethoxysilane, 2-hydroxypropyltrimethoxysilane, gamma -chloropropyltrimethoxysilane, gamma -chloropropyltriethoxysilane, gamma -chloropropyltriacetoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, gamma-methacryloxy Propyltrimethoxysilane,? -Mercaptopropyltrimethoxysilane,? -Mercaptopropyltriethoxysilane,? -Cyanoethyltriethoxysilane, chloromethyltrimethoxysilane, chloromethyltriethoxysilane, Aminopropyltrimethoxysilane, N- (? -Aminoethyl)? -Aminopropyltrimethoxysilane, N- (? -Aminoethyl)? -Aminopropylmethyldimethoxysilane,? -Aminopropylmethyldimethoxysilane, N- )? -aminopropyltriethoxysilane, N- (? -aminoethyl)? - amino Dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, phenylmethyldiethoxysilane,? -Chloropropylmethyldimethoxysilane,? -Chloropropylmethyldiethoxysilane, dimethyldiacetoxysilane, dimethyldiethoxysilane, Silane,? -Methacryloxypropylmethyldimethoxysilane,? -Methacryloxypropylmethyldiethoxysilane,? -Mercaptopropylmethyldimethoxysilane,? -Mercaptomethyldiethoxysilane, methylvinyldimethoxysilane, methyl (R) -N-1-phenylethyl-N'-tri (meth) acrylate such as vinyldiethoxysilane,? -Ureidopropyltriethoxysilane,? -Ureidopropyltrimethoxysilane,? -Ureidopropyltripropoxysilane, (R) -N-1-phenylethyl-N'-trimethoxysilylpropylurea, allyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl Triethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltriethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, bromopropyltriethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diphenyl Trimethyl methoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, p-styryltriethoxysilane, p-styryltripropoxysilane, and the like. have. These may be used alone or in combination of two or more.
또, 본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에는, 제 1 금속 알콕시드, 제 2 금속 알콕시드 이외에도, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한에 있어서, 그 밖의 금속 알콕시드를 함유시키는 것도 가능하다.In addition to the first metal alkoxide and the second metal alkoxide, the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention may contain other metal alkoxides as long as the effect of the present invention is not impaired .
<금속염><Metal salt>
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 함유되는 금속염은, 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타낸다.The metal salt contained in the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention is represented by the following general formula (II).
M2(X)k (Ⅱ)M 2 (X) k (II)
식 (Ⅱ) 중, M2, X, k 는 상기에 정의한 바와 같다. 그 중에서도, M2 는, 알루미늄, 인듐, 세륨, 또는 지르코늄이 바람직하다. 또, X 는, 염산, 질산, 아세트산, 술폰산, 아세토아세트산 혹은 아세틸아세토네이트의 잔기, 또는 그들의 염기성염이 바람직하다. 상기 X 에 있어서의 각 산의 잔기는, 예를 들어, 질산은 질산근, 황산은 황산근이라고도 불리고, 그 양은 M2 의 가수와 등가가 되도록 포함된다. 또, 염기성염이란, 상기 각 산의 잔기 중에 OH 기를 포함하는 경우를 의미한다.In the formula (II), M 2 , X and k are as defined above. Among them, M 2 is preferably aluminum, indium, cerium, or zirconium. X is preferably a residue of hydrochloric acid, nitric acid, acetic acid, sulfonic acid, acetoacetic acid or acetylacetonate, or a basic salt thereof. The residue of each acid in X is also referred to as, for example, silver nitrate and nitrate, and sulfuric acid is also referred to as sulfate, and the amount thereof is included so as to be equivalent to the valence of M 2 . Further, the basic salt means a case in which OH groups are contained in the residues of the respective acids.
식 (Ⅱ) 로 나타내는 금속염 중, 특히, 질산염, 염화물염, 옥살산염 또는 그 염기성염이 바람직하다. 이 중, 입수 용이성과, 금속 산화물 피막 형성용 도포액의 저장 안정성 면에서, 알루미늄, 인듐, 또는 세륨의 질산염이 보다 바람직하다.Of the metal salts represented by the formula (II), nitrates, chloride salts, oxalates or basic salts thereof are particularly preferable. Of these, aluminum, indium or cerium nitrates are more preferable from the viewpoints of availability and storage stability of the coating liquid for forming a metal oxide film.
<유기 용매><Organic solvent>
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에는 유기 용매가 함유된다. 그 유기 용매는 금속 산화물 피막 형성용 도포액으로부터 그 도막을 형성하여 금속 산화물 피막을 얻는 경우, 금속 산화물 피막 형성용 도포액의 점도를 조정하고, 도포성을 개선하기 위한 것으로, 금속 산화물 피막 형성용 도포액 중의 유기 용매의 함유량은, 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 함유되는 전체 금속 알콕시드에 대해 80 중량% ∼ 99.5 중량% 인 것이 바람직하고, 85 중량% ∼ 99 중량% 가 보다 바람직하다. 유기 용매의 함유량이 적은 경우에는, 얻어지는 금속 산화물 피막의 두께가 얇아져, 소정의 막 두께를 얻기 위해서 여러 번의 도포가 필요해진다. 한편, 많은 경우에는, 금속 산화물 피막 형성용 도포액의 저장 안정성이 나빠지는 데다가, 금속 산화물 피막의 막 두께의 제어가 곤란해진다.An organic solvent is contained in the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention. The organic solvent is used for adjusting the viscosity of the coating liquid for forming a metal oxide film and improving the coating property when the coating film is formed from the coating liquid for forming a metal oxide film to obtain a metal oxide film. The content of the organic solvent in the coating liquid is preferably 80 wt% to 99.5 wt%, more preferably 85 wt% to 99 wt% with respect to the total metal alkoxide contained in the coating liquid for forming a metal oxide film. When the content of the organic solvent is small, the thickness of the obtained metal oxide coating becomes thin, and a plurality of coatings are required to obtain a predetermined film thickness. On the other hand, in many cases, the storage stability of the coating solution for forming a metal oxide film is deteriorated, and it becomes difficult to control the film thickness of the metal oxide film.
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 사용되는 유기 용매로는, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 2-메틸-1-프로판올, 2-메틸-2-프로판올 등의 알코올류 ; 아세트산에틸에스테르 등의 에스테르류 ; 에틸렌글리콜 등의 글리콜류, 또는 그들의 에스테르 유도체 ; 디에틸에테르 등의 에테르류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류 ; 벤젠, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소류 등을 들 수 있다. 이들은, 단독 또는 조합하여 사용된다.Examples of the organic solvent used in the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention include organic solvents such as methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, Alcohols such as 2-propanol; Esters such as acetic acid ethyl ester; Glycols such as ethylene glycol, and ester derivatives thereof; Ethers such as diethyl ether; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; And aromatic hydrocarbons such as benzene and toluene. These are used alone or in combination.
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,2-부탄디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,2-펜탄디올, 1,3-펜탄디올, 1,4-펜탄디올, 1,5-펜탄디올, 2,4-펜탄디올, 2,5-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 및 N-메틸피롤리돈으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 (이하, 특정 유기 용매라고도 한다) 이, 상기 유기 용매 중에 30 질량% 이상 함유된다. 또한, 본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액은 표면 장력이 28 mN/m 이상이다. 이로써, 제트 디스펜서에 의한 미세한 패턴의 도포가 가능해진다.The coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention may contain at least one selected from the group consisting of ethylene glycol, propylene glycol, 1,2-butanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, A group consisting of 1,4-pentanediol, 1,5-pentanediol, 2,4-pentanediol, 2,5-hexanediol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, (Hereinafter, also referred to as a specific organic solvent) is contained in the organic solvent in an amount of 30 mass% or more. The surface tension of the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention is 28 mN / m or more. This makes it possible to apply a fine pattern by the jet dispenser.
금속 산화물 피막 형성용 도포액에, 티탄알코시드 성분을 함유하는 경우 유기 용매 중에 함유되는 알킬렌글리콜류 또는 그 모노에테르로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜, 또는 그들의 모노메틸, 모노에틸, 모노프로필, 모노부틸 혹은 모노페닐에테르 등을 들 수 있다.Examples of the alkylene glycols or monoethers contained in the organic solvent when the coating liquid for forming a metal oxide film contains a titanium alkoxide component include ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, hexylene glycol , Or monomethyl, monoethyl, monopropyl, monobutyl or monophenyl ether thereof.
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 사용되는 유기 용매에 함유되는 글리콜류 또는 그 모노에테르는, 티탄알콕시드에 대해 몰비가 1 미만이면 티탄알콕시드의 안정성에 효과가 적고, 금속 산화물 피막 형성용 도포액의 저장 안정성이 나빠진다. 한편, 글리콜류 또는 그 모노에테르를 다량으로 사용하는 것은 전혀 문제가 아니다. 예를 들어, 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 사용되는 유기 용매 전부가, 상기 서술한 글리콜류 또는 그 모노에테르여도 지장이 없다. 그러나, 금속 산화물 피막 형성용 도포액이 티탄알콕시드를 함유하지 않는 경우에는, 상기 서술한 글리콜 및/또는 그 모노에테르를 특별히 함유할 필요는 없다.When the molar ratio of the glycol or its monoether contained in the organic solvent used in the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention to the titanium alkoxide is less than 1, the effect on the stability of the titanium alkoxide is small and the formation of the metal oxide film The storage stability of the application liquid is deteriorated. On the other hand, the use of a large amount of glycols or monoethers thereof is not a problem at all. For example, all of the organic solvents used in the coating liquid for forming a metal oxide film may be the above-mentioned glycols or monoethers thereof. However, when the coating solution for forming a metal oxide film does not contain a titanium alkoxide, it is not necessary to specifically contain the above-mentioned glycol and / or monoether thereof.
<석출 방지제><Precipitation inhibitor>
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액은 석출 방지제를 함유한다. 본 발명에 있어서의 석출 방지제란, 금속 산화물 피막 형성용 도포액으로부터 도포 피막을 형성할 때, 도막 중에 금속염이 석출되는 것을 방지하는 기능을 갖는 유기 용매를 가리킨다. 석출 방지제로는, N-메틸-피롤리돈, 에틸렌글리콜, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜 및 이들의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다. 그 중에서도, N-메틸-피롤리돈, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜 또는 그들의 유도체가 보다 바람직하다. 석출 방지제는, 적어도 1 종 이상 사용할 수 있다.The coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention contains a precipitation inhibitor. The anti-precipitation agent in the present invention refers to an organic solvent having a function of preventing the metal salt from precipitating in the coating film when the coating film is formed from the coating solution for forming a metal oxide film. The precipitation inhibitor is preferably at least one selected from the group consisting of N-methyl-pyrrolidone, ethylene glycol, dimethylformamide, dimethylacetamide, diethylene glycol, propylene glycol, hexylene glycol and derivatives thereof . Among them, N-methyl-pyrrolidone, ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, hexylene glycol or derivatives thereof are more preferable. At least one kind of precipitation inhibitor may be used.
금속 산화물 피막 형성용 도포액 중에 있어서의 석출 방지제의 함유량은, 상기 금속염의 금속을 금속 산화물로 환산하여, 하기를 만족하는 비율 (중량비) 로 사용되는 것이 바람직하다.The content of the precipitation inhibitor in the coating liquid for forming a metal oxide film is preferably such that the metal of the metal salt is converted into a metal oxide and the following ratio (weight ratio) is satisfied.
(석출 방지제/금속 산화물) ≥ 1(Precipitation inhibitor / metal oxide) ≥ 1
상기 비율이 1 미만이면 피막 형성시에 있어서의 금속염의 석출 방지 효과가 작아진다. 한편, 석출 방지제를 다량으로 사용하는 것은, 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 전혀 영향을 주지 않지만, 200 이하인 것이 바람직하다.If the ratio is less than 1, the effect of preventing deposition of the metal salt at the time of film formation becomes small. On the other hand, the use of a large amount of the precipitation inhibitor does not affect the coating liquid for forming a metal oxide film at all, but it is preferably 200 or less.
석출 방지제에는 금속 알콕시드, 특히, 실리콘알콕시드, 티탄알콕시드 또는 실리콘알콕시드와 티탄알콕시드가 금속염의 존재하에서 가수분해·축합 반응할 때 첨가되어 있어도 되고, 가수분해·축합 반응 종료 후에 첨가되어 있어도 된다.The precipitation inhibitor may be added when the metal alkoxide, particularly, the silicon alkoxide, the titanium alkoxide or the silicon alkoxide and the titanium alkoxide are subjected to the hydrolysis / condensation reaction in the presence of the metal salt, or may be added after the completion of the hydrolysis and condensation reaction do.
한편, 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 함유되는 금속염의 함유량은, 금속 알콕시드를 구성하는 금속 원자의 합계 몰수 (M) 와 상기 금속염의 금속 원자의 몰수 (M2) 의 합계의 함유 비율이, 하기를 만족하는 비율 (몰비) 인 것이 바람직하다.On the other hand, the content of the metal salt contained in the coating solution for forming a metal oxide film is such that the total content of the total number of moles (M) of the metal atoms constituting the metal alkoxide and the number of moles (M 2 ) (Molar ratio) satisfying the following conditions.
0.01 ≤ M2/M ≤ 0.70.01? M 2 / M? 0.7
이 비율이 0.01 보다 작으면 얻어지는 피막의 기계적 강도가 충분하지 않기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 0.7 을 초과하면 유리 기판이나 투명 전극 등의 기재에 대한 코트막의 밀착성이 저하된다. 또한, 450 ℃ 이하의 저온에서 소성한 경우, 얻어지는 금속 산화물 피막의 내약품성이 저하되는 경향도 있다. 그 중에서도, 이 비율은 0.01 ∼ 0.6 인 것이 보다 바람직하다.If the ratio is less than 0.01, the mechanical strength of the obtained film is not sufficient, which is not preferable. On the other hand, if it exceeds 0.7, adhesion of the coat film to a substrate such as a glass substrate or a transparent electrode is deteriorated. Further, when baking is performed at a low temperature of 450 DEG C or less, the chemical resistance of the obtained metal oxide film tends to be lowered. Among them, the ratio is more preferably 0.01 to 0.6.
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 있어서는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한에 있어서, 상기한 성분 이외의 그 밖의 성분, 예를 들어, 무기 미립자, 메탈옥산 올리고머, 메탈옥산 폴리머, 레벨링제, 계면활성제 등의 성분이 함유되어 있어도 된다.In the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention, as long as the effect of the present invention is not impaired, other components other than the above-mentioned components, for example, an inorganic fine particle, a metal oxo acid oligomer, A surfactant, and the like may be contained.
무기 미립자로는, 실리카 미립자, 알루미나 미립자, 티타니아 미립자, 불화마그네슘 미립자 등의 미립자가 바람직하고, 이들 무기 미립자의 콜로이드 용액이 특히 바람직하다. 이 콜로이드 용액은, 무기 미립자 분말을 분산매에 분산시킨 것이어도 되고, 시판품의 콜로이드 용액이어도 된다.As the inorganic fine particles, fine particles such as silica fine particles, alumina fine particles, titania fine particles, and magnesium fluoride fine particles are preferable, and a colloid solution of these inorganic fine particles is particularly preferable. The colloidal solution may be a dispersion of the inorganic fine particle powder in a dispersion medium, or a colloid solution of a commercially available product.
본 발명에 있어서는, 무기 미립자를 함유시킴으로써, 형성되는 경화 피막의 표면 형상이나 그 밖의 기능을 부여하는 것이 가능해진다. 무기 미립자로는, 그 평균 입자경이 0.001 ∼ 0.2 ㎛ 인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.001 ∼ 0.1 ㎛ 이다. 무기 미립자의 평균 입자경이 0.2 ㎛ 를 초과하는 경우에는, 조제되는 도포액을 사용하여 형성되는 경화 피막의 투명성이 저하되는 경우가 있다.In the present invention, by containing the inorganic fine particles, the surface shape and other functions of the formed cured coating can be imparted. The inorganic fine particles preferably have an average particle diameter of 0.001 to 0.2 탆, more preferably 0.001 to 0.1 탆. When the average particle size of the inorganic fine particles exceeds 0.2 탆, the transparency of the cured coating formed using the coating liquid to be prepared may be lowered.
무기 미립자의 분산매로는 물 및 유기 용제를 들 수 있다. 콜로이드 용액으로는, 피막 형성용 도포액의 안정성의 관점에서, pH 또는 pKa 가 1 ∼ 10 으로 조정되어 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 ∼ 7 이다.The dispersion medium of the inorganic fine particles includes water and an organic solvent. The colloid solution preferably has a pH or pKa adjusted to 1 to 10, more preferably 2 to 7, from the viewpoint of stability of the coating liquid for forming a film.
콜로이드 용액의 분산매에 사용하는 유기 용제로는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부탄디올, 펜탄디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 에틸렌글리콜모노프로필에테르 등의 알코올류 ; 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류 ; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류 ; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류 ; 아세트산에틸, 아세트산부틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르류 ; 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산 등의 에테르류를 들 수 있다. 이들 중에서, 알코올류 또는 케톤류가 바람직하다. 이들 유기 용제는 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합하여 분산매로서 사용할 수 있다.Examples of the organic solvent used in the dispersion medium of the colloid solution include organic solvents such as methanol, ethanol, propanol, butanol, ethylene glycol, propylene glycol, butanediol, pentanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol, diethylene glycol, Alcohols such as ethylene glycol monopropyl ether; Ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Amides such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; Esters such as ethyl acetate, butyl acetate and? -Butyrolactone; And ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane. Of these, alcohols or ketones are preferred. These organic solvents may be used alone or as a dispersion medium by mixing two or more kinds thereof.
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액 중의 고형분 농도는, 상기 금속 알콕시드와 금속염을 금속 산화물로서 환산한 경우 0.5 중량% ∼ 20 중량% 의 범위인 것이 바람직하다. 고형분이 20 중량% 를 초과하면 금속 산화물 피막 형성용 도포액의 저장 안정성이 나빠지는 데다가, 금속 산화물 피막의 막 두께 제어가 곤란해진다. 한편, 고형분이 0.5 중량% 보다 적은 경우에는 얻어지는 금속 산화물 피막의 두께가 얇아져, 소정의 막 두께를 얻기 위해서 여러 번의 도포가 필요해진다. 그 중에서도, 고형분 농도는 1 중량% ∼ 15 중량% 인 것이 보다 바람직하다.The solid content concentration in the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention is preferably in the range of 0.5 wt% to 20 wt% when the metal alkoxide and the metal salt are converted into the metal oxide. If the solid content exceeds 20% by weight, the storage stability of the coating solution for forming a metal oxide film is deteriorated and it becomes difficult to control the film thickness of the metal oxide film. On the other hand, when the solid content is less than 0.5% by weight, the thickness of the obtained metal oxide coating becomes thin, and a plurality of coatings are required to obtain a predetermined film thickness. Among them, the solid concentration is more preferably 1 wt% to 15 wt%.
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액에는, 상기의 제 1 및 제 2 금속 알콕시드를 함유하는 금속 알콕시드를 상기 금속염의 존재하에서 가수분해하고, 축합물을 얻기 위해서 물이 함유된다. 이러한 물의 양은, 상기 제 1 및 제 2 금속 알콕시드의 총 몰에 대하여 2 ∼ 24 몰로 하는 것이 바람직하다. 이 (물의 양 (몰)/(금속 알콕시드의 총 몰수) 의 비율이 2 이하인 경우에는, 금속 알콕시드의 가수분해가 불충분해져, 성막성을 저하시키거나 얻어지는 코트막의 강도를 저하시키거나 하므로 바람직하지 않다. 또, 상기 비율이 24 보다 많은 경우에는, 중축합이 계속 진행되기 때문에 저장 안정성을 저하시키므로 바람직하지 않다. 그 중에서도, 이 몰비는 2 ∼ 20 인 것이 보다 바람직하다.The coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention contains water in order to hydrolyze the metal alkoxide containing the first and second metal alkoxides in the presence of the metal salt to obtain a condensate. The amount of such water is preferably 2 to 24 moles with respect to the total moles of the first and second metal alkoxides. When the ratio of the amount of water (mol) / (total number of moles of metal alkoxide) is 2 or less, the hydrolysis of the metal alkoxide becomes insufficient, and the film forming property is lowered or the strength of the obtained coat film is lowered When the above ratio is more than 24, the polycondensation proceeds continuously, and therefore, the storage stability is lowered, and therefore, the molar ratio is more preferably 2 to 20.
또한, 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 함유되는 금속염이 함수염인 경우에는, 그 함수분이 가수분해 반응에 관여하기 때문에, 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 함유시키는 물의 양에는, 이 금속염의 함수분을 고려할 필요가 있다. 예를 들어, 공존하는 금속염이 알루미늄염의 함수염인 경우에는, 그 함수분이 반응에 관여하기 때문에, 가수분해에 사용하는 물의 양에 대해 알루미늄염의 함수분을 고려할 필요가 있다.When the metal salt contained in the coating liquid for forming a metal oxide film is a hydrated salt, the water content is involved in the hydrolysis reaction. Therefore, the amount of water to be contained in the coating liquid for forming a metal oxide film is not particularly limited, . For example, when the coexisting metal salt is a hydrated salt of an aluminum salt, since the water content of the hydrated salt participates in the reaction, it is necessary to consider the water content of the aluminum salt with respect to the amount of water used for the hydrolysis.
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액은, 터치 패널에 적합한 금속 산화물 피막을 형성할 수 있다. 이 금속 산화물 피막은, 무기물인 금속 산화물을 주된 성분으로 하는 금속 산화물 피막이고, 아크릴 재료 등의 유기 재료의 막에 비해 높은 강도를 갖는다.The coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention can form a metal oxide film suitable for a touch panel. The metal oxide coating is a metal oxide coating mainly composed of a metal oxide, which is an inorganic material, and has a higher strength than a film of an organic material such as an acrylic material.
또, 이 금속 산화물 피막은 열신축성은 거의 존재하지 않기 때문에, 상층의 전극 보호층에 무기 재료를 적용한 경우라고 하더라도, 크랙은 발생하지 않는다.In addition, since this metal oxide film has almost no heat stretchability, even when an inorganic material is applied to the upper electrode protection layer, cracks do not occur.
금속 산화물 피막의 굴절률의 제어에 대해서는, 금속 산화물 피막 형성용 도포액의 조성을 제어함으로써 실현될 수 있다. 즉, 본 발명에 있어서의 금속 산화물 피막은, 상기 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 함유되는 금속 알콕시드를 가수분해·축합시켜 제조되는 것으로, 금속 알콕시드의 조성을 선택함으로써, 형성되는 금속 산화물 피막의 굴절률을 소정의 범위 내에서 조정하는 것이 가능하다. 예를 들어, 금속 알콕시드로서 실리콘알콕시드와 티탄알콕시드를 선택한 경우, 그 혼합 비율을 조정함으로써, 후술하는 소정의 범위 내에서, 구체적으로는 1.45 ∼ 2.1 정도의 범위 내에서, 얻어지는 금속 산화물 피막의 굴절률을 조정하는 것이 가능하다.The control of the refractive index of the metal oxide film can be realized by controlling the composition of the coating liquid for forming a metal oxide film. That is, the metal oxide coating in the present invention is produced by hydrolysis / condensation of a metal alkoxide contained in the coating solution for forming a metal oxide film. By selecting the composition of the metal alkoxide, the metal oxide coating It is possible to adjust the refractive index within a predetermined range. For example, when the silicon alkoxide and the titanium alkoxide are selected as the metal alkoxide, by adjusting the mixing ratio thereof, it is possible to obtain the metal oxide film of the present invention within the predetermined range described later, specifically within the range of about 1.45 to 2.1 It is possible to adjust the refractive index of the liquid crystal layer.
즉, 금속 산화물 피막 형성용 도포액을 도포하여 성막하고, 바람직하게는 건조시킨 후, 소성한 후에 형성되는 금속 산화물 피막에 있어서, 요구되는 굴절률이 결정되어 있는 경우, 그 굴절률을 실현하도록 금속 알콕시드, 예를 들어, 실리콘알콕시드와 티탄알콕시드의 조성 몰비를 결정하는 것이 가능하다. 예를 들어, 실리콘알콕시드만을 가수분해함으로써 얻어지는 금속 산화물 피막 형성용 도포액으로부터의 금속 산화물 피막의 굴절률은 1.45 정도의 값이다. 그리고, 티탄알콕시드만을 가수분해하여 얻어지는 금속 산화물 피막 형성용 도포액으로부터의 금속 산화물 피막의 굴절률은 2.1 정도의 값이다. 따라서, 금속 산화물 피막의 굴절률을 1.45 ∼ 2.1 정도까지의 사이에서 특정한 값으로 설정하고 싶은 경우, 그 굴절률값을 실현하도록 실리콘알콕시드와 티탄알콕시드를 소정의 비율로 사용하여 금속 산화물 피막 형성용 도포액을 제조하는 것이 가능하다.That is, when the desired refractive index is determined in the metal oxide film formed after the coating liquid for forming a metal oxide film is applied to form a film, and preferably after drying and firing, the refractive index of the metal alkoxide , For example, it is possible to determine the compositional molar ratio of the silicon alkoxide and the titanium alkoxide. For example, the refractive index of a metal oxide film from a coating liquid for forming a metal oxide film obtained by hydrolyzing only a silicon alkoxide is a value of about 1.45. The refractive index of the metal oxide film from the coating liquid for forming a metal oxide film obtained by hydrolyzing only titanium alkoxide is a value of about 2.1. Therefore, when it is desired to set the refractive index of the metal oxide film to a specific value between about 1.45 and about 2.1, a silicon oxide and a titanium alkoxide are used at a predetermined ratio so as to realize the refractive index, It is possible to prepare a liquid.
또, 다른 금속 알콕시드를 사용하는 것에 의해서도, 얻어지는 금속 산화물 피막의 굴절률의 조정은 가능하다. 또한, 본 발명에 있어서의 금속 산화물 피막의 굴절률에 대해서는, 조성 조건 이외에 성막 조건을 선택함으로써 조정하는 것도 가능하다. 이렇게 함으로써, 금속 산화물 피막이 높은 경도를 실현함과 함께, 원하는 굴절률값을 실현하는 것이 가능하다.Also, by using another metal alkoxide, the refractive index of the resulting metal oxide film can be adjusted. The refractive index of the metal oxide film in the present invention can be adjusted by selecting film forming conditions other than the composition conditions. By doing so, it is possible to realize a high hardness of the metal oxide coating and realize a desired refractive index value.
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액으로부터 금속 산화물 피막을 얻는 경우, 상기와 같이 금속 산화물 피막 형성용 도포액의 도막을, 바람직하게는 건조시키고 이어서, 소성된다. 건조는, 실온 ∼ 150 ℃ 에서 실시하는 것이 바람직하고, 40 ∼ 120 ℃ 에서 실시하는 것이 보다 바람직하다. 또, 건조 시간은 30 초 ∼ 10 분 정도가 바람직하고, 1 ∼ 8 분 정도가 보다 바람직하다. 건조 방법으로는, 핫 플레이트나 열풍 순환식 오븐 등을 사용하는 것이 바람직하다.When the metal oxide film is obtained from the coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention, the coating film of the coating liquid for forming a metal oxide film is preferably dried and then fired. The drying is preferably carried out at room temperature to 150 ° C, more preferably at 40 to 120 ° C. The drying time is preferably about 30 seconds to 10 minutes, more preferably about 1 to 8 minutes. As the drying method, it is preferable to use a hot plate, a hot-air circulating oven, or the like.
소성은, 터치 패널 외의 구성 부재의 내열성을 고려하여 100 ℃ ∼ 300 ℃ 에서 실시하는 것이 바람직하고, 150 ℃ ∼ 250 ℃ 에서 실시하는 것이 보다 바람직하다. 또, 소성 시간은 5 분 이상이 바람직하고, 15 분 이상이 보다 바람직하다. 소성 방법으로는 핫 플레이트, 열순환식 오븐, 적외선 오븐 등을 사용하는 것이 바람직하다.The firing is preferably carried out at 100 캜 to 300 캜, preferably at 150 캜 to 250 캜, in consideration of the heat resistance of the components other than the touch panel. The baking time is preferably 5 minutes or more, more preferably 15 minutes or more. As the firing method, it is preferable to use a hot plate, a thermocycling oven, an infrared oven, or the like.
금속 산화물 피막 형성용 도포액의 도막을 소성하여 금속 산화물 피막을 제조하는 경우, 소성 온도에 따라 얻어지는 금속 산화물 피막의 굴절률은 변동된다. 이 경우, 소성 온도를 높게 할수록 금속 산화물 피막의 굴절률을 높게 할 수 있다. 따라서, 소성 온도를 적당한 값으로 선택함으로써, 얻어지는 금속 산화물 피막의 굴절률의 조정이 가능하다.In the case of producing a metal oxide film by firing a coating film of a coating liquid for forming a metal oxide film, the refractive index of the metal oxide film obtained by the firing temperature varies. In this case, the higher the firing temperature, the higher the refractive index of the metal oxide film. Therefore, by selecting the firing temperature to an appropriate value, it is possible to adjust the refractive index of the resulting metal oxide coating.
또, 금속 산화물 피막 형성용 도포액으로부터 금속 산화물 피막을 얻는 경우, 소성 전에 도막에 자외선 (UⅤ) 을 조사하면, 얻어지는 금속 산화물 피막의 굴절률이 변동된다. 구체적으로는, 자외선 조사량을 많게 할수록, 금속 산화물 피막의 굴절률을 높게 할 수 있다. 따라서, 원하는 굴절률을 실현하기 위해 자외선 조사의 유무를 선택하는 것이 가능하다. 특히, 금속 산화물 피막 형성용 도포액에 함유되어, 금속 알콕시드가 티탄알콕시드, 지르코늄알콕시드 또는 탄탈알콕시드를 함유하는 경우, 소성 전의 도막에 대한 자외선 (UⅤ) 조사에 의해 얻어지는 금속 산화물 피막의 굴절률이 변동되고, 자외선 조사량을 많게 할수록, 금속 산화물 피막의 굴절률을 높게 할 수 있다. 또한, 금속 산화물 피막에 있어서, 조성 등의 조건 선택에 따라 원하는 굴절률을 실현할 수 있는 경우에는, 자외선 조사는 실시하지 않아도 된다.In the case of obtaining a metal oxide film from a coating liquid for forming a metal oxide film, if the ultraviolet (UV) film is irradiated onto the film before firing, the refractive index of the resulting metal oxide film is changed. Specifically, the refractive index of the metal oxide film can be increased as the ultraviolet ray irradiation amount is increased. Therefore, in order to realize a desired refractive index, it is possible to select the presence or absence of ultraviolet irradiation. Particularly, when the metal alkoxide is contained in the coating liquid for forming a metal oxide film and contains a titanium alkoxide, a zirconium alkoxide or a tantalum alkoxide, the refractive index of the metal oxide film obtained by ultraviolet (UV) And the refractive index of the metal oxide film can be increased as the ultraviolet ray irradiation amount is increased. Further, in the case where a desired refractive index can be realized in the metal oxide film by selecting conditions such as composition, ultraviolet irradiation may not be performed.
자외선 조사를 실시하는 경우에는, 그 조사량을 선택함으로써 금속 산화물 피막의 굴절률을 조정하는 것이 가능하다. 금속 산화물 피막에 있어서, 원하는 굴절률을 얻기 위해서 자외선 조사가 필요한 경우에는, 예를 들어, 고압 수은 램프를 사용할 수 있다. 고압 수은 램프를 사용한 경우, 365 ㎚ 환산으로 전광 조사 1000 mJ/㎠ 이상의 조사량이 바람직하고, 3000 mJ/㎠ ∼ 10000 mJ/㎠ 의 조사량이 보다 바람직하다. 자외선의 광원으로는, 고압 수은 램프 이외에, 저압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, 크세논 램프, 엑시머 램프 등을 사용할 수 있다. 고압 수은 램프를 사용한 경우 이외의 광원을 사용하는 경우에는, 상기 고압 수은 램프를 사용한 경우와 동량의 적산광량이 조사되면 된다. 자외선 조사를 실시하는 경우, 건조 공정과 소성 공정 사이에 자외선 조사 공정을 실시할 수도 있다.In the case of ultraviolet ray irradiation, it is possible to adjust the refractive index of the metal oxide film by selecting the irradiation amount. For example, a high-pressure mercury lamp may be used when ultraviolet irradiation is required to obtain a desired refractive index in a metal oxide coating. In the case of using a high-pressure mercury lamp, an irradiation amount of 1000 mJ / cm 2 or more is preferable, and a dose of 3000 mJ / cm 2 to 10000 mJ / cm 2 is more preferable in terms of 365 nm. As a light source of ultraviolet rays, a low-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, an excimer lamp, etc. may be used in addition to a high-pressure mercury lamp. In the case of using a light source other than the case of using a high-pressure mercury lamp, the same amount of integrated light as that in the case of using the high-pressure mercury lamp may be irradiated. When ultraviolet ray irradiation is performed, an ultraviolet ray irradiation step may be performed between the drying step and the baking step.
금속 산화물 피막 형성용 도포액에, 특히 티탄알콕시드 성분을 함유하는 경우, 실온 보존하에서 서서히 점도가 상승된다는 성질을 갖는다. 이에 따른 실용상 큰 문제가 될 염려는 없지만, 금속 산화물 피막의 두께를 정밀하게 제어하는 경우에는, 온도 등에 대한 신중한 관리가 바람직하다. 또한, 이러한 점도의 상승은, 금속 산화물 피막 형성용 도포액 중의 티탄알콕시드의 조성 비율이 많아짐에 따라 현저해진다. 이것은, 티탄알콕시드가 실리콘알콕시드 등에 비해 가수분해 속도가 커, 축합 반응이 빠르기 때문이라고 생각된다.When the coating liquid for forming a metal oxide film contains a titanium alkoxide component in particular, it has a property that the viscosity is gradually increased under room temperature storage. There is no fear that this will be a big problem in practical use. However, in the case of precisely controlling the thickness of the metal oxide film, it is preferable to carefully manage temperature and the like. Such an increase in viscosity becomes remarkable as the composition ratio of the titanium alkoxide in the coating solution for forming a metal oxide film is increased. This is presumably because the hydrolysis rate of the titanium alkoxide is higher than that of the silicon alkoxide and the condensation reaction is faster.
금속 산화물 피막 형성용 도포액이, 티탄알콕시드 성분을 함유하는 경우에 있어서, 점도 변화를 줄이기 위해서는, 다음의 2 개의 제법 (1) 또는 제법 (2) 가 바람직하다.In the case where the coating solution for forming a metal oxide film contains a titanium alkoxide component, the following two methods (1) and (2) are preferred in order to reduce the viscosity change.
(1) 티탄알콕시드를 금속염의 존재하에서 가수분해할 때, 미리 글리콜류와 티탄알콕시드를 충분히 혼합한 후, 필요에 따라 실리콘알콕시드와 혼합하고, 유기 용매의 존재하에서 가수분해한다. 이렇게 함으로써, 점도 변화가 작은 코팅 조성물이 얻어진다. 이 제법이 유효한 것은, 티탄알콕시드를 글리콜류와 혼합했을 때 발열이 있는 것으로부터, 티탄알콕시드의 알콕시기와 글리콜류 사이에서 에스테르 교환 반응이 일어나, 가수분해·축합 반응에 대해 안정화되기 때문이라고 생각된다.(1) When the titanium alkoxide is hydrolyzed in the presence of the metal salt, the glycols and the titanium alkoxide are thoroughly mixed in advance, and if necessary mixed with the silicon alkoxide and hydrolyzed in the presence of the organic solvent. By doing so, a coating composition having a small change in viscosity is obtained. This production method is effective because it has an exothermic heat when the titanium alkoxide is mixed with the glycol, so that the transesterification reaction takes place between the alkoxy group of the titanium alkoxide and the glycol, and is stabilized by the hydrolysis / condensation reaction do.
(2) 미리 실리콘알콕시드를 금속염의 존재하에서 가수분해 반응시킨 후, 글리콜류와 혼합한 티탄알콕시드 용액에 혼합하여 축합 반응을 실시하고, 금속 산화물 피막 형성용 도포액을 얻는다. 이렇게 함으로써, 점도 변화가 작은 금속 산화물 피막 형성용 도포액이 얻어진다.(2) A silicon alkoxide is subjected to a hydrolysis reaction in advance in the presence of a metal salt, followed by mixing with a titanium alkoxide solution mixed with glycols to carry out a condensation reaction to obtain a coating liquid for forming a metal oxide film. By doing so, a coating liquid for forming a metal oxide film with a small change in viscosity is obtained.
이 제법이 유효한 것은, 다음의 이유에 의한다고 생각된다. 즉, 실리콘알콕시드의 가수분해 반응은 빠른 속도로 실시되지만, 그 후의 축합 반응은 티탄알콕시드와 비교하여 느리다. 그 때문에, 가수분해 반응을 끝낸 후, 신속하게 티탄알콕시드를 첨가하면, 가수분해 반응한 실리콘알콕시드의 실란올기와 티탄알콕시드가 균일하게 반응한다. 이로써, 티탄알콕시드의 축합 반응성을, 가수분해된 실리콘알콕시드가 안정화시킨다고 생각된다.It is considered that this method is effective for the following reasons. That is, the hydrolysis reaction of the silicon alkoxide is carried out at a high speed, but the subsequent condensation reaction is slow compared to the titanium alkoxide. Therefore, when the titanium alkoxide is rapidly added after the hydrolysis reaction is completed, the silanol group of the silicon alkoxide subjected to the hydrolysis reaction reacts uniformly with the titanium alkoxide. As a result, it is considered that the condensation reactivity of the titanium alkoxide stabilizes the hydrolyzed silicon alkoxide.
미리 가수분해된 실리콘알콕시드와 티탄알콕시드를 혼합하는 방법은, 이미 시도되고 있다. 그러나, 반응에 사용되는 유기 용매에 글리콜류가 함유되어 있지 않은 경우에는, 저장 안정성이 우수한 금속 산화물 피막 형성용 도포액이 얻어지지 않는다. 또, (2) 에 나타낸 방법은, 큰 가수분해 속도를 갖는 다른 금속 알콕시드와 실리콘알콕시드로부터 금속 산화물 피막 형성용 도포액을 얻는 경우에도 유용하다.A method of mixing a previously hydrolyzed silicon alkoxide with a titanium alkoxide has already been attempted. However, when the organic solvent used for the reaction does not contain glycols, a coating solution for forming a metal oxide film having excellent storage stability can not be obtained. The method shown in (2) is also useful for obtaining a coating liquid for forming a metal oxide film from another metal alkoxide having a large hydrolysis rate and a silicon alkoxide.
<금속 산화물 피막>≪ Metal oxide film &
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액은, 미세 액적 도포 장치를 적용하여 도포, 제막하여, 금속 산화물 피막이 된다. 미세 액적 도포 장치로는, 잉크젯 도포 방식이나, 디스펜서 도포 방식에 의한 것이 있지만, 본 발명의 금속 산화물 피막용 도포액은, 디스펜서 도포 방식에 의한 미세 액적 도포 장치에 의한 도포에 바람직하게 사용할 수 있다.The coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention is applied and film-formed by applying a fine liquid droplet applying apparatus to form a metal oxide film. The fine liquid droplet applying device may be an ink jet applying method or a dispenser applying method. However, the coating liquid for a metal oxide coating of the present invention can be suitably used for application by a fine droplet applying device by a dispenser applying method.
디스펜서 도포 방법에는, 에어 방식, 밸브 방식, 스크루 방식, 용적 방식, 제트 방식의 디스펜서가 있지만, 미세 패턴 도포의 관점에서 제트 디스펜서가 바람직하다.The dispenser application method includes an air system, a valve system, a screw system, a volumetric system and a jet system dispenser, but a jet dispenser is preferable from the viewpoint of fine pattern application.
또한, 제트 디스펜서에는, 에어 밸브 방식, 솔레노이드 방식, 피에조 방식이 있고, 그 중에서 미세 패턴 도포의 관점에서 피에조 방식이 바람직하다.The jet dispenser includes an air valve system, a solenoid system, and a piezo system. Of these, the piezo system is preferable from the viewpoint of fine pattern coating.
미세 액적 토출 장치로 토출하는 금속 산화물 피막 형성용 도포액의 액적의 크기로는, 터치 패널의 X 축 방향의 전극과 Y 축 방향의 전극 간의 거리의 관계로부터, 250 ㎛ 이하가 바람직하다. 보다 바람직하게는 230 ㎛ 이하이다.The droplet size of the coating liquid for forming a metal oxide film to be discharged by the fine droplet discharging device is preferably 250 占 퐉 or less from the viewpoint of the distance between the electrode in the X axis direction and the electrode in the Y axis direction of the touch panel. More preferably not more than 230 mu m.
실시예Example
이하 본 발명의 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명하지만, 이들에 한정하여 해석되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
본 실시예에서 사용한 화합물에 있어서의 약어는 이하와 같다.The abbreviations of the compounds used in this embodiment are as follows.
TEOS : 테트라에톡시실란TEOS: tetraethoxysilane
MPS : γ-메르캅토프로필트리메톡시실란MPS:? -Mercaptopropyltrimethoxysilane
UPS : γ-우레이도프로필트리에톡시실란UPS:? - ureidopropyltriethoxysilane
ACPS : 아크릴옥시프로필트리메톡시실란ACPS: Acryloxypropyltrimethoxysilane
TIPT : 테트라이소프로폭시티탄TIPT: Tetraisopropoxytitanium
AN : 질산알루미늄구수화물AN: aluminum nitrate hydrate
EG : 에틸렌글리콜EG: ethylene glycol
HG : 2-메틸-2,4-펜탄디올 (별칭 : 헥실렌글리콜)HG: 2-methyl-2,4-pentanediol (alias: hexylene glycol)
NMP : N-메틸-2-피롤리돈NMP: N-methyl-2-pyrrolidone
1,3BDO : 1,3-부탄디올1,3BDO: 1,3-butanediol
BCS : 2-부톡시에탄올 (별칭 : 부틸셀로솔브)BCS: 2-butoxyethanol (alias: butyl cellosolve)
EtOH : 에탄올EtOH: ethanol
<합성예 1>≪ Synthesis Example 1 &
<A1 액><A1>
200 ㎖ 플라스크 중에 AN 12.7 g, 및 물 3.0 g 을 첨가하여 교반하고, AN 을 용해하였다. 거기에, EG 73.1 g, HG 14.6 g, BCS 36.6 g, TEOS 15.5 g, ACPS 10.5 g, MPS 1.5 g, 및 UPS 5.9 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다.12.7 g of AN and 3.0 g of water were added to a 200 ml flask and stirred, and the AN was dissolved. 73.1 g of EG, 14.6 g of HG, 36.6 g of BCS, 15.5 g of TEOS, 10.5 g of ACPS, 1.5 g of MPS and 5.9 g of UPS were added and stirred for 30 minutes at room temperature.
<A2 액>≪ A2 liquid &
300 ㎖ 플라스크 중에 TIPT 4.7 g, 및 HG 21.9 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다. <A1 액> 과 <A2 액> 을 혼합하고, 실온하에서 30 분 교반하여 용액 (K1) 을 얻었다.4.7 g of TIPT and 21.9 g of HG were added to a 300 ml flask, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. The solution (A1 solution) and the solution (A2 solution) were mixed and stirred for 30 minutes at room temperature to obtain a solution (K1).
<합성예 2>≪ Synthesis Example 2 &
<B1 액>≪ B1 liquid &
200 ㎖ 플라스크 중에 AN 12.7 g, 및 물 3.0 g 을 첨가하여 교반하고, AN 을 용해하였다. 그곳에, EG 73.1 g, BCS 29.2 g, 1,3BDO 29.2 g, TEOS 15.5 g, ACPS 10.5 g, MPS 1.5 g, 및 UPS 5.9 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다.12.7 g of AN and 3.0 g of water were added to a 200 ml flask and stirred, and the AN was dissolved. 73.1 g of EG, 29.2 g of BCS, 29.2 g of 1,3BDO, 15.5 g of TEOS, 10.5 g of ACPS, 1.5 g of MPS and 5.9 g of UPS were put and stirred for 30 minutes at room temperature.
<B2 액><B2 Liquid>
300 ㎖ 플라스크 중에 TIPT 4.7 g, 및 HG 14.6 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다. <B1 액> 과 <B2 액> 을 혼합하고, 실온하에서 30 분 교반하여 용액 (K2) 를 얻었다.4.7 g of TIPT and 14.6 g of HG were added to a 300 ml flask, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. The <B1 solution> and the <B2 solution> were mixed and stirred for 30 minutes at room temperature to obtain a solution (K2).
<합성예 3>≪ Synthesis Example 3 &
<C1 액><C1 liquid>
200 ㎖ 플라스크 중에 AN 12.7 g, 및 물 3.0 g 을 첨가하여 교반하고, AN 을 용해하였다. 그곳에, EG 7.3 g, HG 32.2 g, NMP 58.5 g, TEOS 15.5 g, ACPS 10.5 g, MPS 1.5 g, 및 UPS 5.9 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다.12.7 g of AN and 3.0 g of water were added to a 200 ml flask and stirred, and the AN was dissolved. 7.3 g of EG, 32.2 g of HG, 58.5 g of NMP, 15.5 g of TEOS, 10.5 g of ACPS, 1.5 g of MPS and 5.9 g of UPS were added and stirred for 30 minutes at room temperature.
<C2 액>≪ C2 liquid &
300 ㎖ 플라스크 중에 TIPT 4.7 g, 및 HG 48.3 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다. <C1 액> 과 <C2 액> 을 혼합하고, 실온하에서 30 분 교반하여 용액 (K3) 을 얻었다.4.7 g of TIPT and 48.3 g of HG were added to a 300 ml flask, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. <C1 solution> and <C2 solution> were mixed and stirred for 30 minutes at room temperature to obtain a solution (K3).
<합성예 4>≪ Synthesis Example 4 &
<D1 액><D1 amount>
200 ㎖ 플라스크 중에 AN 12.7 g, 및 물 3.0 g 을 첨가하여 교반하고, AN 을 용해하였다. 그곳에, EG 73.1 g, HG 17.6 g, NMP 29.2 g, TEOS 15.5 g, ACPS 10.5 g, MPS 1.5 g, 및 UPS 5.9 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다.12.7 g of AN and 3.0 g of water were added to a 200 ml flask and stirred, and the AN was dissolved. 73.1 g of EG, 17.6 g of HG, 29.2 g of NMP, 15.5 g of TEOS, 10.5 g of ACPS, 1.5 g of MPS and 5.9 g of UPS were added thereto and stirred for 30 minutes at room temperature.
<D2 액><D2 liquid>
300 ㎖ 플라스크 중에 TIPT 4.7 g, 및 HG 26.3 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다. <D1 액> 과 <D2 액> 을 혼합하고, 실온하에서 30 분 교반하여 용액 (K4) 를 얻었다.4.7 g of TIPT and 26.3 g of HG were added to a 300 ml flask, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. The <D1 solution> and the <D2 solution> were mixed and stirred for 30 minutes at room temperature to obtain a solution (K4).
<합성예 5>≪ Synthesis Example 5 &
<E1 액><E1 liquid>
200 ㎖ 플라스크 중에 AN 12.7 g, 및 물 3.0 g 을 첨가하여 교반하고, AN 을 용해하였다. 그곳에, HG 29.2 g, BCS 73.1 g, TEOS 15.5 g, ACPS 10.5 g, MPS 1.5 g, 및 UPS 5.9 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다.12.7 g of AN and 3.0 g of water were added to a 200 ml flask and stirred, and the AN was dissolved. 29.2 g of HG, 73.1 g of BCS, 15.5 g of TEOS, 10.5 g of ACPS, 1.5 g of MPS and 5.9 g of UPS were put and stirred for 30 minutes at room temperature.
<E2 액><E2 liquid>
300 ㎖ 플라스크 중에 TIPT 4.7 g, 및 HG 43.9 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다. <E1 액> 과 <E2 액> 을 혼합하고, 실온하에서 30 분 교반하여 용액 (K5) 를 얻었다.4.7 g of TIPT and 43.9 g of HG were added to a 300 ml flask, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. The <E1 liquid> and the <E2 liquid> were mixed and stirred for 30 minutes at room temperature to obtain a solution (K5).
<합성예 6>≪ Synthesis Example 6 &
<F1 액><F1 sum>
200 ㎖ 플라스크 중에 AN 12.7 g, 물 3.0 g 을 첨가하여 교반하고, AN 을 용해하였다. 그곳에, EG 29.2 g, EtOH 73.1 g, TEOS 15.5 g, ACPS 10.5 g, MPS 1.5 g, UPS 5.9 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다.12.7 g of AN and 3.0 g of water were added to a 200 ml flask and stirred, and the AN was dissolved. 29.2 g of EG, 73.1 g of EtOH, 15.5 g of TEOS, 10.5 g of ACPS, 1.5 g of MPS and 5.9 g of UPS were added and stirred for 30 minutes at room temperature.
<F2 액><F2 liquid>
300 ㎖ 플라스크 중에 TIPT 4.7 g, 및 EG 43.9 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다. <F1 액> 과 <F2 액> 을 혼합하고, 실온하에서 30 분 교반하여 용액 (K6) 을 얻었다.4.7 g of TIPT and 43.9 g of EG were added to a 300 ml flask, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. The <F1 liquid> and the <F2 liquid> were mixed and stirred for 30 minutes at room temperature to obtain a solution (K6).
<합성예 7>≪ Synthesis Example 7 &
<G1 액><G1 liquid>
200 ㎖ 플라스크 중에 AN 12.7 g, 및 물 3.0 g 을 첨가하여 교반하고, AN 을 용해하였다. 그곳에, EG 7.3 g, HG 43.9 g, NMP 29.2 g, TEOS 15.5 g, ACPS 10.5 g, MPS 1.5 g, 및 UPS 5.9 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다.12.7 g of AN and 3.0 g of water were added to a 200 ml flask and stirred, and the AN was dissolved. 7.3 g of EG, 43.9 g of HG, 29.2 g of NMP, 15.5 g of TEOS, 10.5 g of ACPS, 1.5 g of MPS and 5.9 g of UPS were added thereto and stirred for 30 minutes at room temperature.
<G2 액><G2 liquid>
300 ㎖ 플라스크 중에 TIPT 4.7 g, 및 HG 65.8 g 을 넣어 실온하에서 30 분 교반하였다. <G1 액> 과 <G2 액> 을 혼합하고, 실온하에서 30 분 교반하여 용액 (K7) 을 얻었다.4.7 g of TIPT and 65.8 g of HG were added to a 300 ml flask, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes. The <G1 liquid> and the <G2 liquid> were mixed and stirred for 30 minutes at room temperature to obtain a solution (K7).
[표면 장력][Surface tension]
쿄와 계면 과학 주식회사 제조의 AUTO DISPENCER AD-3 을 사용하여 용액 온도 25 ℃ 에서 측정하였다.And the solution temperature was measured at 25 캜 using AUTO DISPENCER AD-3 manufactured by Kyowa Interface Science Co.,
[토출 시험][Discharge test]
제트 디스펜서 도포 장치 Quspa-JET (주식회사 신와 제조) 를 사용하여 토출 시험을 실시하였다. 토출 조건은 이하의 표 1 에 나타낸다.The jetting test was carried out using a jet dispenser application device Quspa-JET (manufactured by Shinwa Co., Ltd.). The discharge conditions are shown in Table 1 below.
[토출성][Dischargeability]
상정되는 액량이 안정적으로 토출된 경우에는 ○, 상정되는 액량보다 적거나 혹은 전혀 토출되지 않는 경우를 × 로 하였다.A case where the assumed liquid amount was stably discharged was rated " Good ", and a case where the estimated amount was less than the assumed liquid amount or not discharged at all was evaluated as " x ".
[Dot 직경][Dot diameter]
상기 액적을 무알칼리 유리 상에 도포, 그 후 열풍 순환식 오븐으로 80 ℃, 5 분간 건조시킨 후, 다른 열풍 순환식 오븐으로 230 ℃, 30 분간 소성하였다. 생성된 피막의 직경을 측정하였다.The droplets were coated on alkali-free glass and then dried in a hot-air circulating oven at 80 DEG C for 5 minutes and then fired in a different hot-air circulating oven at 230 DEG C for 30 minutes. The diameter of the resulting coating was measured.
얻어진 용액 K1 ∼ K4 를 각각 실시예 1 ∼ 4, 용액 K5 ∼ K7 을 각각 비교예 1 ∼ 3 으로 하여, 상기 항목을 평가하였다.The obtained solutions K1 to K4 were respectively used in Examples 1 to 4 and the solutions K5 to K7 were used in Comparative Examples 1 to 3, and the above items were evaluated.
얻어진 결과를 표 2 에 나타낸다.The obtained results are shown in Table 2.
표 2 로부터, 실시예 1 ∼ 4 는 토출성이 얻어지고, Dot 직경을 작게 제어할 수 있는 것을 알 수 있었다.From Table 2, it can be seen that in Examples 1 to 4, ejection properties were obtained and the Dot diameter could be controlled to be small.
비교예 1 에 있어서는, 특정 유기 용매를 함유하고 있지 않기 때문에, 토출성도 얻어지지 않고, Dot 직경도 제어되지 않았다.In Comparative Example 1, since no specific organic solvent was contained, dischargeability was not obtained and the Dot diameter was not controlled.
비교예 2 에 있어서는, 특정 유기 용매를 30 질량% 이상 함유하고 있지만, 표면 장력이 28 mN/m 미만이기 때문에 토출성이 얻어지지 않고, Dot 직경도 제어되지 않았다.In Comparative Example 2, although the specific organic solvent was contained in an amount of 30 mass% or more, the surface tension was less than 28 mN / m, so the dischargeability was not obtained and the Dot diameter was not controlled.
비교예 3 에 있어서는, 표면 장력이 28 mN/m 이상이지만, 특정 유기 용매를 30 질량% 이상 함유하고 있지 않기 때문에 토출성은 얻어지지만, Dot 직경을 제어할 수 없었다.In Comparative Example 3, although the surface tension was 28 mN / m or more, the dischargeability was obtained because the specific organic solvent was not contained in 30 mass% or more, but the Dot diameter could not be controlled.
이로써, 금속 산화물 피막용 도포액의 용매 조성이 특정 유기 용매를 30 질량% 이상 함유하고, 또한 표면 장력이 28 mN/m 임으로써, 토출성이 얻어지고, 또한 미세한 패턴을 도포할 수 있는 것을 알 수 있었다.Thereby, the solvent composition of the coating liquid for a metal oxide coating contains 30 mass% or more of a specific organic solvent and the surface tension is 28 mN / m, whereby the discharge property is obtained and a fine pattern can be coated I could.
산업상 이용가능성Industrial availability
본 발명의 금속 산화물 피막 형성용 도포액은, Dot 직경이 작은 미세한 패턴의 금속 산화물 피막의 형성에 이용할 수 있다.The coating liquid for forming a metal oxide film of the present invention can be used for forming a fine metal oxide film having a small Dot diameter.
또한, 2012년 10월 3일에 출원된 일본 특허출원 2012-221607호의 명세서, 특허청구범위, 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.The entire contents of the specification, claims, and abstract of Japanese Patent Application No. 2012-221607 filed on October 3, 2012 are incorporated herein by reference and the disclosure of the specification of the present invention is hereby incorporated by reference.
Claims (13)
M1(OR1)n (I)
(M1 은, 규소, 티탄, 탄탈, 지르코늄, 붕소, 알루미늄, 마그네슘 및 아연으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 나타낸다. R1 은, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 아세톡시기를 나타낸다. n 은 2 ∼ 5 의 정수를 나타낸다.)
M2(X)k (Ⅱ)
(M2 는, 알루미늄, 인듐, 아연, 지르코늄, 비스무트, 란탄, 탄탈, 이트륨 및 세륨으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 나타낸다. X 는, 염산, 질산, 황산, 아세트산, 옥살산, 스파민산, 술폰산, 아세토아세트산 혹은 아세틸아세토네이트의 잔기, 또는 이들의 염기성염을 나타낸다. k 는 M2 의 가수를 나타낸다.)A process for producing an organic electroluminescent device, which comprises reacting a first metal alkoxide represented by the following general formula (I), a metal salt represented by the following general formula (II), an organic solvent, water and an precipitation inhibitor and reacting with ethylene glycol, propylene glycol, Butanediol, 1,4-butanediol, 1,2-pentanediol, 1,3-pentanediol, 1,4-pentanediol, At least one member selected from the group consisting of 5-hexanediol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, and N-methylpyrrolidone is contained in an amount of 30 mass% or more in the total organic solvent, m < 2 > / m < 2 > / m < 2 > or more.
M 1 (OR 1 ) n (I)
Wherein M 1 represents at least one metal selected from the group consisting of silicon, titanium, tantalum, zirconium, boron, aluminum, magnesium and zinc, R 1 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or an acetoxy group and n represents an integer of 2 to 5.)
M 2 (X) k (II)
(M 2 represents at least one metal selected from the group consisting of aluminum, indium, zinc, zirconium, bismuth, lanthanum, tantalum, yttrium and cerium.) X is at least one metal selected from the group consisting of hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, acetic acid, A residue of a carboxylic acid, a carboxylic acid, a sulfonic acid, acetoacetic acid or acetylacetonate, or a basic salt thereof, and k represents a valence of M 2 .
추가로, 하기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 제 2 금속 알콕시드를 함유하는 금속 산화물 피막 형성용 도포액.
R2 lM3(OR3)m-l (Ⅲ)
(M3 은, 규소, 티탄, 탄탈, 지르코늄, 붕소, 알루미늄, 마그네슘 및 아연으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 나타낸다. R2 는, 수소 원자 또는 불소 원자, 또는 할로겐 원자, 비닐기, 글리시독시기, 메르캅토기, 메타크릴옥시기, 아크릴옥시기, 이오시아네이트기, 아미노기 또는 우레이드기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 헤테로 원자를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 20 의 탄화수소기를 나타낸다. R3 은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타낸다. m 은 2 ∼ 5 의 정수를 나타내고, l 은 m 이 3 인 경우 1 또는 2 이고, m 이 4 인 경우 1 ∼ 3 의 정수이며, m 이 5 인 경우 1 ∼ 4 의 정수이다.)The method according to claim 1,
Further, a coating liquid for forming a metal oxide film containing a second metal alkoxide represented by the following general formula (III).
R 2 1 M 3 (OR 3 ) ml (III)
Wherein M 3 represents at least one metal selected from the group consisting of silicon, titanium, tantalum, zirconium, boron, aluminum, magnesium and zinc, R 2 represents a hydrogen atom or a fluorine atom or a halogen atom, , A glycidoxy group, a mercapto group, a methacryloxy group, an acryloxy group, an isocyanate group, an amino group or a ureide group, and also a hydrocarbon group of 1 to 20 carbon atoms which may have a hetero atom. R 3 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, m represents an integer of 2 to 5, 1 represents 1 or 2 when m is 3, and an integer of 1 to 3 when m is 4, Case is an integer from 1 to 4.)
상기 제 2 금속 알콕시드의 함유량이, 전체 금속 알콕시드에 대하여 15 몰% 이상인 금속 산화물 피막 형성용 도포액.3. The method of claim 2,
Wherein the content of the second metal alkoxide is 15 mol% or more based on the total metal alkoxide.
상기 석출 방지제가 N-메틸-피롤리돈, 에틸렌글리콜, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜 및 이들의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 금속 산화물 피막 형성용 도포액.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the precipitation inhibitor is at least one selected from the group consisting of N-methyl-pyrrolidone, ethylene glycol, dimethylformamide, dimethylacetamide, diethylene glycol, propylene glycol, hexylene glycol and derivatives thereof Application liquid.
금속염의 금속 원자의 몰수 (M2) 와, 금속 알콕시드의 금속 원자의 합계 몰수 (M) 의 몰비가 0.01 ≤ M2/M ≤ 0.7 인 금속 산화물 피막 형성용 도포액.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the molar ratio of the number of moles of metal atoms (M 2 ) of the metal salt to the total number of moles (M) of metal atoms of the metal alkoxide is 0.01 ≦ M 2 / M ≦ 0.7.
제 1 금속 알콕시드가 실리콘알콕시드 또는 그 부분 축합물과, 티탄알콕시드의 혼합물인 금속 산화물 피막 형성용 도포액.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the first metal alkoxide is a mixture of a silicon alkoxide or a partial condensate thereof and a titanium alkoxide.
금속염이 금속 질산염, 금속 황산염, 금속 아세트산염, 금속 염화물, 금속 옥살산염, 금속 스파민산염, 금속 술폰산염, 금속 아세토아세트산염, 금속 아세틸아세토네이트 또는 이들의 염기성염인 금속 산화물 피막 형성용 도포액.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the metal salt is a coating liquid for forming a metal oxide film which is a metal nitrate, a metal sulfate, a metal acetic acid salt, a metal chloride, a metal oxalate, a metal spanate, a metal sulfonate, a metal acetoacetate, a metal acetylacetonate or a basic salt thereof .
제 1 금속 알콕시드가 실리콘알콕시드 또는 그 부분 축합물과, 티탄알콕시드의 혼합물이고, 유기 용매가 알킬렌글리콜류 또는 그 모노에테르 유도체를 함유하는 금속 산화물 피막 형성용 도포액.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the first metal alkoxide is a mixture of a silicon alkoxide or a partial condensate thereof and a titanium alkoxide, and the organic solvent contains an alkylene glycol or a monoether derivative thereof.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2012-221607 | 2012-10-03 | ||
JP2012221607 | 2012-10-03 | ||
PCT/JP2013/076972 WO2014054748A1 (en) | 2012-10-03 | 2013-10-03 | Application liquid capable of fine application, for forming inorganic oxide coating film, and method for manufacturing fine inorganic oxide coating film |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150064152A true KR20150064152A (en) | 2015-06-10 |
Family
ID=50435067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157011217A Ceased KR20150064152A (en) | 2012-10-03 | 2013-10-03 | Application liquid capable of fine application, for forming inorganic oxide coating film, and method for manufacturing fine inorganic oxide coating film |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2014054748A1 (en) |
KR (1) | KR20150064152A (en) |
CN (1) | CN104822783B (en) |
TW (1) | TWI599624B (en) |
WO (1) | WO2014054748A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4352170A4 (en) * | 2021-06-11 | 2025-03-19 | Aist | METAL OXIDE PRECURSOR COMPOSITION |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6641217B2 (en) * | 2016-03-30 | 2020-02-05 | 東京応化工業株式会社 | Coating agent for forming metal oxide film and method for producing substrate having metal oxide film |
CN109680266B (en) * | 2019-02-22 | 2020-08-25 | 吉林大学 | Tantalum atom-doped bioactive ceramic coating prepared on surface of titanium alloy and preparation method thereof |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2881847B2 (en) * | 1988-12-15 | 1999-04-12 | 日産化学工業株式会社 | Coating composition and method for producing the same |
JP3127542B2 (en) * | 1992-01-14 | 2001-01-29 | 日産化学工業株式会社 | Liquid crystal display element insulating film coating liquid |
JP3825813B2 (en) * | 1992-07-17 | 2006-09-27 | 日産化学工業株式会社 | Coating liquid for forming high refractive index insulating coating for liquid crystal display |
JP3517890B2 (en) * | 1993-02-18 | 2004-04-12 | 日産化学工業株式会社 | Coating liquid for insulating film formation for liquid crystal display element |
JP3350363B2 (en) * | 1996-08-29 | 2002-11-25 | 昭和電線電纜株式会社 | Insulation coating paint, inorganic insulated wires and electric coils |
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JP2002146286A (en) * | 2000-11-10 | 2002-05-22 | Toray Ind Inc | Coating fluid for forming metal oxide thin film and method for forming metal oxide thin film by using the same |
US8946320B2 (en) * | 2004-03-22 | 2015-02-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Ink system containing polymer binders |
CN101243149B (en) * | 2005-08-19 | 2011-01-26 | 日产化学工业株式会社 | Method for producing coating liquid for film formation |
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JP5172499B2 (en) * | 2008-06-28 | 2013-03-27 | マツモトファインケミカル株式会社 | Inorganic particle binder composition |
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WO2011118323A1 (en) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Electrochemical display element |
WO2012057165A1 (en) * | 2010-10-26 | 2012-05-03 | 日産化学工業株式会社 | Touch panel |
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TWI542648B (en) * | 2011-01-20 | 2016-07-21 | Nissan Chemical Ind Ltd | A coating composition for a touch panel, a coating film, and a touch panel |
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-
2013
- 2013-10-03 CN CN201380063021.1A patent/CN104822783B/en active Active
- 2013-10-03 KR KR1020157011217A patent/KR20150064152A/en not_active Ceased
- 2013-10-03 JP JP2014539824A patent/JPWO2014054748A1/en active Pending
- 2013-10-03 WO PCT/JP2013/076972 patent/WO2014054748A1/en active Application Filing
- 2013-10-03 TW TW102135841A patent/TWI599624B/en active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI599624B (en) | 2017-09-21 |
TW201439234A (en) | 2014-10-16 |
CN104822783A (en) | 2015-08-05 |
JPWO2014054748A1 (en) | 2016-08-25 |
WO2014054748A1 (en) | 2014-04-10 |
CN104822783B (en) | 2017-09-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20150429 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
AMND | Amendment | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20180807 Comment text: Request for Examination of Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20200116 Patent event code: PE09021S01D |
|
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20200908 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20200116 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
PX0901 | Re-examination |
Patent event code: PX09011S01I Patent event date: 20200908 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20180807 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20150515 Comment text: Amendment to Specification, etc. |
|
PX0601 | Decision of rejection after re-examination |
Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX06014S01D Patent event date: 20201109 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX06012R01I Patent event date: 20201007 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX06011S01I Patent event date: 20200908 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PX06013S01I Patent event date: 20200116 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX06012R01I Patent event date: 20180807 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX06012R01I Patent event date: 20150515 |
|
X601 | Decision of rejection after re-examination |