[go: up one dir, main page]

KR20140144243A - 원자층 증착 방법 및 장치 - Google Patents

원자층 증착 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140144243A
KR20140144243A KR1020147029804A KR20147029804A KR20140144243A KR 20140144243 A KR20140144243 A KR 20140144243A KR 1020147029804 A KR1020147029804 A KR 1020147029804A KR 20147029804 A KR20147029804 A KR 20147029804A KR 20140144243 A KR20140144243 A KR 20140144243A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reactor
dry air
reaction chamber
purge gas
precursor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1020147029804A
Other languages
English (en)
Inventor
스벤 린드포르스
Original Assignee
피코순 오와이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피코순 오와이 filed Critical 피코순 오와이
Publication of KR20140144243A publication Critical patent/KR20140144243A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

본 발명의 실시 구현예에 따르면, 순차적 자기 포화(self-saturating) 표면 반응에 의해 적어도 하나의 기판 상에 물질을 증착시키도록 구성된 원자층 증착 반응기를 작동시키는 단계, 및 건조 공기를 상기 반응기 내에서 퍼지 가스로 사용하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.

Description

원자층 증착 방법 및 장치{Atomic layer deposition method and apparatuses}
본 발명은 일반적으로 증착 반응기에 관한 것이다. 보다 특히, 그러나 배타적이지는 않게, 본 발명은 순차적 자기 포화 표면 반응(sequential self-saturating surface reaction)에 의해 표면 상에 물질이 증착되는 그러한 증착 반응기에 관한 것이다.
원자층 에피택시(Atomic Layer Epitaxy (ALE)) 방법은 1970년대 초에 Dr. Tuomo Suntola에 의해 발명되었다. 상기 방법에 대한 또 다른 일반 명칭은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition (ALD))이고, 이것이 요즘에는 ALE 대신에 사용된다. ALD는 적어도 하나의 기판에 적어도 두개의 반응성 전구체 종의 순차적 도입에 기초하는 특수한 화학 증착 방법이다.
ALD에 의해 성장된 박막은 치밀하고, 핀홀이 없으며, 균일한 두께를 갖는다. 예를 들어, 실험에서, 산화 알루미늄은 열 ALD에 의해 트리메틸알루미늄 ((CH3)3Al, TMA로도 지칭됨), 및 250-300℃의 물로부터 성장되고, 이는 기판 웨이퍼 상에서 단지 약 1%의 불균일성만을 초래한다.
전형적인 ALD 반응기는 꽤 복잡한 장치이다. 따라서, 장치 그 자체 또는 상기 장치의 사용을 단순화할 해결책을 만들어 내기 위한 계속적인 요구가 있다.
본 발명의 제 1 실시 형태에 따르면, 순차적 자기 포화 표면 반응에 의해 적어도 하나의 기판 상에 물질을 증착시키도록 구성된 원자층 증착 반응기를 작동시키는 단계; 및 건조 공기를 상기 반응기 내에서 퍼지 가스로 사용하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.
특정한 실시 구현예에서, 건조 공기는 퍼지 가스 공급 라인(in-feed line)을 따라 흐른다(또는 흐르도록 구성된다). 특정한 실시 구현예에서, 퍼지 가스로서의 건조 공기가 불활성 가스 공급원으로부터 퍼지 가스 공급 라인을 거쳐 반응 챔버 내로 흘러 들어간다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 방법은 건조 공기를 캐리어 가스로 사용하는 단계를 포함한다.
특정한 실시 구현예에서, 건조 공기는 전구체 증기 공급 라인을 따라 흐른다(또는 흐르도록 구성된다). 특정한 실시 구현예에서, 이는 ALD 공정 동안 일어날 수 있다. 특정한 실시 구현예에서, 캐리어 가스로서의 건조 공기는 불활성 가스 공급원으로부터 전구체 공급원을 거쳐 반응 챔버내로 흘러 들어간다. 특정한 실시 구현예에서, 캐리어 가스로서의 건조 공기는 상기 전구체 공급원의 압력을 증가시키기 위해 사용된다. 특정한 다른 구현예에서, 캐리어 가스로서의 건조 공기는 상기 전구체 공급원을 통과하지 않고 불활성 기체 공급원으로부터 전구체 증기 공급 라인을 거쳐 반응 챔버내로 흘러 들어간다. 흐름 경로는 상기 전구체 증기의 증기압 자체가 충분히 높은지 여부, 또는 상기 전구체 공급원으로 흘러 들어가는 불활성 기체에 의해 압력이 증가되어야하는지 여부에 기초하여 설계될 수 있다.
단일 건조 공기 공급원 또는 복수의 건조 공기 공급원이 사용될 수 있다. 이와 관련해서 건조 공기(또는 건조된 공기)는 수분 잔류물이 없는 공기를 의미한다. 건조 공기는 압축 가스일 수 있다. 이는 전구체 공급원으로부터 반응 챔버 내로 전구체를 운반하기 위해 사용될 수 있다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 방법은 전체 증착 시퀀스 동안 건조 공기가 상기 반응기의 반응 챔버 내로 흘러 들어가도록 하는 단계를 포함한다. 증착 시퀀스는 하나 이상의 연속적인 증착 사이클로 형성되고, 각각의 사이클은 적어도 제 1 전구체 노출 기간(펄스 A), 이후의 제 1 퍼지 단계(퍼지 A), 이후의 제 2 전구체 노출 기간(펄스 B), 이후의 제 2 퍼지 단계(퍼지 B)로 구성된다.
특정한 실시 구현예에서, 반응 챔버 가열은 적어도 부분적으로 가열된 건조 공기를 상기 반응 챔버 내로 도입하는 것을 통해 실행된다. 이는 초기 퍼지 동안 및/또는 증착 ALD 공정 (증착) 동안 발생할 수 있다.
따라서, 특정한 실시 구현예에서, 상기 방법은 건조 공기를 상기 반응기의 반응 챔버를 가열하는데 사용하는 단계를 포함한다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 방법은 퍼지 가스 공급 밸브의 하류에서 상기 건조 공기를 가열하는 단계를 포함한다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 방법은 상기 반응기의 배출부로부터 퍼지 가스 공급 라인 히터까지 열의 피드백 연결을 제공하는 단계를 포함한다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 배출부는 열 교환기를 포함한다. 상기 배출부는 상기 반응기의 상기 반응 챔버의 배출부일 수 있다. 상기 배출부는 가스 배출부일 수 있다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 방법은 상기 원자층 증착 반응기를 대기압에서 작동시키는 단계를 포함한다.
이러한 구현예에서, 진공 펌프는 요구되지 않는다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 방법은 상기 반응기의 배출부에 부착된 이젝터를 사용하여 상기 반응기 내의 작동 압력을 감소시키는 단계를 포함한다.
대기압 미만에서 작동하도록 요구되지만 진공은 요구되지 않는 경우, 이젝터가 진공 펌프 대신에 사용될 수 있다. 상기 배출부는 반응기 챔버 뚜껑일 수 있다. 상기 이젝터는 상기 뚜껑 또는 배출 채널에 부착된 진공 이젝터일 수 있다.
상기 반응 챔버 내로의 가스의 유입구는 반응 챔버의 바닥면에 위치할 수 있고, 반응 잔류물의 배출구는 반응 챔버의 상단면에 위치할 수 있다. 대안적으로, 상기 반응 챔버 내로의 가스의 유입구는 상기 반응 챔버의 상단면에 위치할 수 있고, 반응 잔류물의 배출구는 상기 반응 챔버의 바닥면에 위치할 수 있다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 반응 챔버는 경량(lightweight)이다. 반응 챔버로서 압력 용기는 필요하지 않다.
본 발명의 제 2 실시 형태에 따르면, 순차적 자기 포화 표면 반응에 의해 적어도 하나의 기판 상에 물질을 증착시키도록 구성된 원자층 증착 반응기; 및 건조 공기 공급원으로부터 건조 공기를 퍼지 가스로 상기 반응기의 반응 챔버 내로 공급하기 위한 건조 공기 공급 라인을 포함하는 장치가 제공된다.
상기 장치는 원자층 증착 (ALD) 반응기일 수 있다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 장치는 건조 공기 공급원으로부터 전구체 공급원을 거쳐 상기 반응 챔버 내로 전구체 증기를 운반하기 위한 전구체 공급 라인을 포함한다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 장치는 상기 건조 공기를 가열하도록 구성된 히터를 포함한다. 특정한 실시 구현예에서, 상기 장치는 퍼지 가스 공급 밸브의 하류에 상기 히터를 포함한다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 장치는 상기 반응기의 배출부로부터 퍼지 가스 공급 라인 히터까지 연장된 열의 피드백 연결부를 포함한다. 특정한 실시 구현예에서, 상기 배출부는 열 교환기를 포함한다. 상기 배출부는 상기 반응기의 상기 반응 챔버의 배출부일 수 있다. 상기 배출부는 가스 배출부일 수 있다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 반응기는 대기압 또는 대기압 부근에서 작동하도록 구성된 경량 반응기(lightweight reactor)이다. 상기 경량 반응기는 진공 펌프를 구비하지 않을 수 있다. 대기압 부근이라는 것은 상기 압력이 감소된 압력일 수 있으나, 진공 압력이 아닌 것을 의미한다. 이러한 구현예들에 있어서, 상기 반응기는 얇은 벽을 가질 수 있다. 특정한 실시 구현예에서, 원자층 증착은 진공 펌프 없이 수행될 수 있다. 또한, 특정한 실시 구현예에서, 원자층 증착은 압력 용기 없이 수행될 수 있다. 따라서, 특정한 실시 구현예에서, 경량(경량 구조화) 반응기는 압력 용기 없이 경량(경량 구조화) 반응 챔버로 실행된다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 장치는 상기 반응기의 작동 압력을 감소시키기 위한 것으로서, 상기 반응기의 배출부에 부착된 이젝터를 포함한다.
이젝터는 대기압 미만에서 작동하도록 요구되지만 진공은 필요하지 않은 경우, 진공 펌프 대신에 사용될 수 있다. 상기 배출부는 반응기 챔버 뚜껑일 수 있다. 상기 이젝터는 뚜껑 또는 배출 채널에 부착된 진공 이젝터일 수 있다.
본 발명의 제 3 실시 형태에 따르면, 제 2 실시 형태의 장치를 생산 라인의 일부로서 포함하는 생산라인이 제공된다.
본 발명의 제 4 실시 형태에 따르면, 순차적 자기 포화 표면 반응에 의해 적어도 하나의 기판 상에 물질을 증착시키도록 구성된 원자층 증착 반응기를 작동시키기 위한 수단; 및 건조 공기를 상기 반응기 내에서 퍼지 가스로 사용하기 위한 수단을 포함하는 장치가 제공된다.
본 발명의 다양한 비결합 실시 형태 및 구현예들이 상기에서 설명되었다. 상기 구현예들은 단지 본 발명을 실행하는데 이용될 수 있는 선택된 형태 또는 단계를 설명하기 위해 사용된다. 일부 구현예들은 오직 본 발명의 특정한 실시 형태를 참조해서만 제시될 수 있다. 상응하는 구현예들이 또한 다른 실시 형태에도 적용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 구현예들의 임의의 적절한 조합이 형성될 수 있다.
본 발명은 이제 첨부된 도면을 참조하여 오직 실시예에 의해서만 설명될 것이다:
도 1은 실시 구현예에 따른 증착 반응기 및 로딩 방법을 나타내는 도면이다.
도 2는 퍼지 단계 동안 작동 중인 도 1의 증착 반응기를 나타내는 도면이다.
도 3은 제 1 전구체 노출 기간 동안 작동 중인 도 1의 증착 반응기를 나타내는 도면이다.
도 4는 제 2 전구체 노출 기간 동안 작동 중인 도 1의 증착 반응기를 나타내는 도면이다.
도 5는 일 실시 구현예에 따른 로딩 방식을 나타내는 도면이다.
도 6은 다른 실시 구현예에 따른 증착 반응을 나타내는 도면이다.
도 7은 또 다른 실시 구현예에 따른 증착 반응을 나타내는 도면이다.
도 8은 또 다른 구현예를 나타내는 도면이다.
도 9는 특정한 실시 구현예에 따른 증착 반응기의 특정한 세부 사항을 더욱 자세히 나타내는 도면이다.
도 10은 특정한 실시 구현예에 따른 생산 라인의 일부로서의 증착 반응기를 나타내는 도면이다.
다음의 설명에서, 원자층 증착 (ALD) 기술이 일례로서 사용된다. ALD 성장 메커니즘의 기초는 통상의 기술자에게 알려져 있다. 본 특허 출원의 도입 부분에서 언급한 바와 같이, ALD는 적어도 하나의 기판에 적어도 두개의 반응성 전구체 종의 순차적 도입에 기초하는 특수한 화학 증착 방법이다. 기판, 또는 많은 경우에 있어서 일단의 기판들이 반응 공간 내에 위치된다. 상기 반응 공간은 전형적으로 가열된다. ALD의 기본적인 성장 메커니즘은 화학적 흡착(chemisorption) 및 물리적 흡착(physisorption) 사이의 결합 강도 차이에 의존한다. ALD는 증착 공정 동안 화학흡착을 이용하고, 물리흡착을 제거한다. 화학흡착 동안 고상 표면의 원자(들) 및 가스상으로부터 도착하는(arriving) 분자 사이에 강한 화학 결합이 형성된다. 물리흡착에 의한 결합은 오직 반데르발스 힘(van der Waals force)만이 관여되기 때문에 훨씬 약하다. 물리흡착 결합들은 국소 온도가 분자의 응축 온도 보다 높을 경우 열 에너지에 의해 쉽게 끊어진다.
ALD 반응기의 반응 공간은, 박막 또는 코팅의 증착에 사용되는 각각의 ALD 전구체에 교대로 및 순차적으로 노출될 수 있는, 모든 전형적으로 가열된 표면들을 포함한다. 기본적인 ALD 증착 사이클은 4개의 순차적인 단계들(펄스 A, 퍼지 A, 펄스 B 및 퍼지 B)로 구성된다. 펄스 A는 전형적으로 금속 전구체 증기로 구성되고 펄스 B는 비금속 전구체 증기, 특히 질소 또는 산소 전구체 증기로 구성된다. 질소 또는 아르곤과 같은 불활성 기체, 및 진공 펌프는 전형적으로 퍼지 A 및 퍼지 B 동안 상기 반응 공간으로부터 가스 반응 부산물 및 잔류 반응물 분자를 퍼지하기 위해 사용된다. 증착 시퀀스는 적어도 하나의 증착 사이클을 포함한다. 증착 사이클들은 증착 시퀀스가 원하는 두께의 박막 또는 코팅을 생성할 때까지 반복된다.
전형적인 ALD 공정에서, 전구체 종들은 화학흡착을 통해 가열된 표면의 반응성 사이트에 화학 결합을 형성한다. 조건들은 전형적으로 하나의 전구체 펄스 동안 표면 상에 오직 고체 물질의 분자 단층(molecular monolayer)만이 형성되는 방식으로 설정된다. 따라서, 성장 공정은 자기 종결적(self-terminating) 또는 포화적이다. 예를 들어, 제 1 전구체는 흡착된 종에 부착된 상태로 잔류하여 표면을 포화시키는 리간드들을 포함할 수 있으며, 이는 추가적인 화학흡착을 방지한다. 반응 공간 온도는 상기 이용된 전구체의 응축 온도 보다는 높고 열 분해 온도 보다는 낮게 유지되어 전구체 분자 종이 기판(들)상에 본질적으로 온전하게 (essentially intact) 화학흡착된다. 본질적으로는 온전하다는 것의 의미는 전구체 분자 종이 표면상에 화학흡착될 경우 휘발성 리간드가 전구체 분자로부터 떨어질 수 있다는 것을 의미한다. 표면은 반응성 사이트의 제 1 타입, 즉, 제 1 전구체 분자의 흡착 종(adsorbed species)으로 본질적으로 포화된다. 이 화학흡착 단계 후에는 전형적으로 제 1 퍼지 단계(퍼지 A)가 뒤따르고, 상기 제1 퍼지 단계에서는 과량의 제 1 전구체 및 가능한 반응 부산물들이 상기 반응 공간으로부터 제거된다. 이후, 제 2 전구체 증기가 상기 반응 공간 내로 도입된다. 제 2 전구체 분자들은 전형적으로 제 1 전구체 분자들의 흡착 종들과 반응하고, 이에 의해 원하는 박막 물질 또는 코팅을 형성한다. 이러한 성장은 상기 흡착된 제 1 전구체의 전체 양이 소비되었을 경우 종료되고, 표면은 반응성 사이트의 제 2 타입으로 본질적으로 포화된다. 그 후, 과량의 제 2 전구체 증기 및 가능한 반응 부산물 증기들이 제 2 퍼지 단계 (퍼지 B)에 의해 제거된다. 그 후, 상기 사이클은 필름 또는 코팅이 원하는 두께로 성장할 때까지 반복된다. 또한, 증착 사이클은 더욱 복잡할 수 있다. 예를 들어, 상기 사이클들은 퍼지 단계들에 의해 분리된 세 개 이상의 반응물 증기 펄스를 포함할 수 있다. 모든 이러한 증착 사이클은 논리 유닛 또는 마이크로프로세서에 의해 제어되는 시간 조절된(timed) 증착 시퀀스를 형성한다.
도 1은 실시 구현예에 따른 증착 반응기 및 로딩 방법을 나타낸다. 상기 증착 반응기는 적어도 하나의 기판(135)을 운반하는 기판 홀더(130)을 수용하기 위한 공간을 형성하는 반응 챔버(110)를 포함한다. 상기 적어도 하나의 기판은 실제로 일단의(a batch of) 기판들일 수 있다. 도 1에 도시된 구현예에서, 적어도 하나의 기판(135)은 기판 홀더(130)에 수직으로 배치된다. 이 구현예에서, 기판 홀더(130)는 그 바닥면 상의 제 1 흐름 제한기(131) 및 그 상단면 상의 제 2 (선택적) 흐름 제한기(132)를 포함한다. 제 2 흐름 제한기(132)는 전형적으로 제 1 흐름 제한기(131)보다 더 거칠다(coarser). 대안적으로, 흐름 제한기들(131, 132) 중의 하나 또는 모두는 기판 홀더(130)로부터 분리될 수 있다. 반응 챔버(110)는 반응 챔버(110)의 상부면 상의 반응 챔버 뚜껑(120)에 의해 밀폐된다. 뚜껑(120)에 부착된 것은 배출 밸브(125)이다.
상기 증착 반응기는 상기 증착 반응기의 바닥부에 전구체 증기 공급 라인(101 및 102)을 포함한다. 제 1 전구체 증기 공급 라인(101)은 불활성 캐리어 가스 공급원(141)으로부터 제 1 전구체 공급원(142) (여기서는 TMA)을 거쳐, 제 1 전구체 공급 밸브(143)를 통해 반응 챔버(110)의 바닥부 내로 연장된다. 제 1 전구체 공급 밸브(143)는 작동기(144)에 의해 제어된다. 유사하게, 제 2 전구체 증기 공급 라인(102)은 불활성 캐리어 가스 공급원(151)으로부터 제 2 전구체 공급원(152) (여기서는 H2O)을 거쳐, 제 2 전구체 공급 밸브(153)를 통해 반응 챔버(110)의 바닥부 내로 연장된다. 제 2 전구체 공급 밸브(153)는 작동기(154)에 의해 제어된다. 불활성 캐리어 가스 공급원 (141, 151)은 단일 공급원 또는 별개의 공급원들에 의해 실행될 수 있다. 도 1에 도시된 구현예에서, 질소가 불활성 캐리어 가스로 사용된다. 그러나, 높은 증기압을 갖는 전구체 공급원이 사용되는 경우, 캐리어 가스는 일부 경우에 전혀 사용될 필요가 없다. 대안적으로, 그러한 경우에, 캐리어 가스의 경로는 캐리어 가스가 문제의 전구체 증기 공급 라인을 통해 흐르지만, 문제의 전구체 공급원을 지나치도록 구성될 수 있다.
상기 증착 반응기는 상기 증착 반응기의 바닥부에 퍼지 가스 공급 라인(105)을 더 포함한다. 퍼지 가스 공급 라인(105)은 퍼지 가스 공급원(162)으로부터 퍼지 가스 밸브(163)를 통해 반응 챔버(110)의 바닥부 내로 연장된다. 퍼지 가스 밸브(163)는 작동기(164)에 의해 제어된다. 도 1에 도시된 구현예에서, 건조 공기(또는 건조된 공기)와 같은 압축 가스가 퍼지 가스로 사용된다. 본 명세서에서, 건조 공기 및 건조된 공기라는 표현은 수분 잔류물이 없는 공기를 의미한다.
반응 챔버(110)는 증착 반응기의 상단 부분으로부터 반응 챔버(110) 내로 기판 홀더(130)를 내림으로써 적어도 하나의 기판으로 로딩된다. 증착 후에, 반응 챔버(110)는 반대 방향으로, 즉 반응 챔버(110)로부터 기판 홀더(130)를 들어 올림으로써 언로딩된다. 로딩 및 언로딩 목적을 위해, 상기 반응 챔버의 뚜껑(120)은 옆으로 이동되었다.
이전에 언급한 바와 같이, 증착 시퀀스는 하나 이상의 연속적인 증착 사이클로 형성되고, 각각의 사이클은 적어도 제 1 전구체 노출 기간(펄스 A), 이후의 제 1 퍼지 단계(퍼지 A), 이후의 제 2 전구체 노출 기간(펄스 B), 이후의 제 2 퍼지 단계(퍼지 B)로 구성된다. 로딩 후이지만, 상기 증착 시퀀스의 개시(commencement) 전에, 반응 챔버(110)는 또한 초기에 퍼지된다.
도 2는 그러한 퍼지 단계, 즉 초기 퍼지 동안 또는 퍼지 A 또는 퍼지 B 동안 작동 중인 도 1의 증착 반응기를 나타낸다.
이 실시 구현예에서, 이전에 언급된 바와 같이, 건조 공기와 같은 압축 가스가 퍼지 가스로 사용된다. 퍼지 가스 밸브(163)는 개방된 상태로 유지되어 상기 퍼지 가스는 퍼지 가스 공급원(162)으로부터 퍼지 가스 공급 라인(105)을 거쳐 반응 챔버(110) 내로 흘러 들어간다. 상기 퍼지 가스는 제 1 흐름 제한기(131) 상류의 팽창 부피(expansion volume)(171)에서 반응 챔버(110)로 들어간다. 흐름 제한기(131) 때문에, 상기 퍼지 가스는 팽창 부피(171)의 좌우로(laterally) 퍼진다. 팽창 부피(171)의 압력은 기판 영역, 즉, 부피(volume)(172)의 압력보다 높다. 상기 퍼지 가스는 흐름 제한기(131)를 통해 상기 기판 영역 내로 흘러 들어간다. 제 2 흐름 제한기(132) 하류의 뚜껑 부피(173)의 압력은 기판 영역(172)의 압력보다 낮기 때문에, 상기 퍼지 가스는 기판 영역(172)으로부터 제 2 흐름 제한기(132)를 통해 뚜껑 부피(173) 내로 흘러 들어간다. 뚜껑 부피(173)로부터, 상기 퍼지 가스는 배출 밸브(125)를 거쳐 배출 채널로 흐른다. 퍼지 A 및 B 동안, 퍼지의 목적은 기상의 반응 부산물 및 잔류 반응물 분자를 밀어내는 것이다. 초기 퍼지 동안 그 목적은 전형적으로 잔류 습도/수분 및 임의의 불순물을 밀어내는 것이다.
실시 구현예에서, 상기 퍼지 가스는 반응 챔버(110)를 가열하기 위해 사용된다. 상기 퍼지 가스에 의한 가열은 상황에 따라 상기 초기 퍼지 동안, 또는 상기 초기 퍼지 및 상기 증착 시퀀스 모두 동안, 작동될 수 있다. 반응 챔버(110)를 가열하기 위해 사용되는, 건조 공기와 같은, 압축 가스가 상기 사용된 전구체 및 상기 사용된 캐리어 가스(존재하는 경우)에 대하여 불활성인 경우, 상기 퍼지 가스에 의한 상기 가열이 상기 전구체 노출 기간들(펄스 A 및 펄스 B) 동안 사용될 수 있다.
가열 구현예에서, 상기 퍼지 가스는 퍼지 가스 공급 라인(105)에서 가열된다. 상기 가열된 퍼지 가스는 반응 챔버(110) 내로 들어가서, 반응 챔버(100) 및 특히 상기 적어도 하나의 기판(135)을 가열시킨다. 따라서 상기 사용된 열 전달 방법은 일반적으로 대류, 보다 상세하게는, 강제 대류이다.
수분 잔류물이 없는 공기를 의미하는 건조 공기(또는 건조된 공기)는, 예를 들어, 일반적으로 알려진 종래의 깨끗한 건조 공기 생성 장치(깨끗한 건조 공기 공급원)에 의해, 용이하게 제공될 수 있다. 그러한 장치는 퍼지 가스 공급원(162)으로 사용될 수 있다.
도 3은 상기 사용된 전구체(제 1 전구체)가 트리에틸알루미늄 (TMA)인 경우, 펄스 A 동안 작동 중인 도 1의 증착 반응기를 나타낸다. 이 구현예에서, 질소(N2)가 불활성 캐리어 가스로 사용된다. 상기 불활성 캐리어 가스는 제 1 전구체 공급원(142)을 통해 흘러 전구체 증기를 반응 챔버(110) 내로 운반한다. 기판 영역(172)으로 들어가기 전에, 상기 전구체 가스는 팽창 부피(171)에서 좌우로 퍼진다. 제 1 전구체 공급 밸브(143)는 개방된 상태로 유지되고, 제 2 전구체 공급 밸브(153)는 폐쇄된 상태로 유지된다.
동시에, 상기 가열된 불활성 퍼지 가스는 상기 개방된 퍼지 가스 밸브(163)를 통해 퍼지 가스 라인(105)을 거쳐 반응 챔버(110) 내로 흘러 들어가서 반응 챔버(110)를 가열시킨다.
도 4는 상기 사용된 전구체(제 2 전구체)가 물(H2O)인 경우 펄스 B 동안 작동 중인 도 1의 증착 반응기를 나타낸다. 이 구현예에서, 질소(N2)가 불활성 캐리어 가스로 사용된다. 상기 불활성 캐리어 가스는 제 2 전구체 공급원(152)을 통해 흘러 전구체 기체를 반응 챔버(110) 내로 운반한다. 기판 영역(172)으로 들어가기 전에, 상기 전구체 증기는 팽창 부피(171)내에서 좌우로 퍼진다. 제 2 전구체 공급 밸브(153)는 개방된 상태로 유지되고, 제 1 전구체 공급 밸브(143)는 폐쇄된 상태로 유지된다.
동시에, 상기 가열된 불활성 퍼지 가스는 상기 개방된 퍼지 가스 밸브(163)를 통해 퍼지 가스 라인(105)을 거쳐 반응 챔버(110) 내로 흘러 들어가서 반응 챔버(110)를 가열시킨다.
도 5는 일 실시 구현예에 따른 로딩 방식을 나타낸다. 이 구현예에서, 반응 챔버(110)는 양 측면에 문들(doors)을 가지며, 기판 홀더(130)는 일 측면으로부터 로딩되어, 타 측면, 예를 들어, 반대 측면으로부터 언로딩된다. 반응 챔버 뚜껑(120)은 제거 가능할 필요가 없다.
특정한 실시 구현예에서, 상기 증착 반응기에서의 증착 시퀀스는 대기압(전형적으로 실내압), 또는 1 표준 기압(1 atm)에 가까운 압력에서 수행될 수 있다. 이러한 구현예들에 있어서, 진공 펌프 또는 이와 유사한 것이 배출 채널에서 필요하지 않다. 또한, 임의의 진공 챔버가 반응 챔버(110)를 수용하기 위해 필요하지 않다. 압력 용기가 생략될 수 있다. 경량 반응기 챔버(110)가 사용될 수 있다. 반응 챔버(110)의 벽은 얇을 수 있고, 예를 들어 판금(sheet metal)으로 제조될 수 있다. 상기 벽은 이를 수동층(passive layer)으로 코팅함으로써 사용 전에 부동태화(passivated)될 수 있다. ALD 방법이 사용될 수 있다. 사실상, 반응 챔버(110)의 내부 표면은 적합한 전구체와 함께 상기 증착 반응기 자체를 사용하여 미리(기판 상에 증착 시퀀스가 수행되기 전에) 부동태화될 수 있다.
대기압 미만에서 작동하도록 요구되는 경우, 상기 증착 반응기는 일반적으로 알려진 진공 이젝터를 구비할 수 있다. 도 6은 상기 증착 반응기의 상기 배출 채널에 부착된 그러한 진공 이젝터(685)를 보여준다. 진공 이젝터(685)에서, 적합한 불활성 구동 가스가 상기 이젝터로 유입되어 반응 챔버(110)로부터 가스 및 작은 입자를 흡입하는 저압 영역을 생성하며, 이에 의해 반응 챔버(110)의 압력을 감소시킨다.
도 7은 또 다른 실시 구현예에 따른 증착 반응을 나타낸다. 이 구현예에서, 퍼지 가스 라인(105)에서 퍼지 가스로 사용되는 가스와 동일한 가스가 불활성 캐리어 가스로도 사용된다. 작동하는 동안, 건조 공기와 같은 상기 압축 가스는 교대로 공급원(141)으로부터 제 1 전구체 공급원(142)을 거쳐 반응 챔버(110) 내로 흘러 들어가고, 공급원(151)으로부터 제 2 전구체 공급원(152)을 거쳐 반응 챔버(110) 내로 흘러 들어가서 이와 함께 전구체 증기를 운반한다. 또한, 상기 불활성 퍼지 가스는 퍼지 가스 공급 라인(105)을 거쳐 반응 챔버(110) 내로 흘러 들어간다. 대안적으로, 상기 캐리어 가스의 경로는 캐리어 가스가 문제의 상기 전구체 증기 공급 라인을 통해 흐르지만, 문제의 상기 전구체 공급원을 지나치도록 구성될 수 있다. 일 실시 구현예에서, 상기 불활성 캐리어 가스는 문제의 상기 전구체 공급원을 통해 흐르지 않고 문제의 상기 불활성 가스 공급원으로부터 문제의 상기 전구체 증기 공급 라인을 거쳐 흐른다. 가스 공급원(141, 151 및 162)은 단일 공급원 또는 별개의 공급원들에 의해 실행될 수 있다.
도 8은 또 다른 실시 구현예에 따른 증착 반응을 나타낸다. 이 구현예는 상기 증착 시퀀스 동안 공급 라인(105)의 퍼지 가스가 반응 챔버(110)로 들어가는 것이 허용될 수 없는 상황(예를 들어, 퍼지 가스가 상기 사용된 전구체에 대하여 불활성이 아닌 경우)의 경우에 특히 적합하다. 이 구현예에서, 퍼지 가스 공급 라인(105)은 초기 퍼지 동안 개방되어 있다. 상기 초기 퍼지 동안, 가열된 퍼지 가스는 반응 챔버(110)를 가열시키기 위해 퍼지 가스 공급 라인(105)으로부터 반응 챔버(110) 내로 흘러 들어간다. 상기 초기 퍼지 이후에, 퍼지 가스 밸브(163)는 폐쇄되고, 이는 전체 증착 시퀀스 동안 폐쇄된 상태로 유지된다.
도 9는 특정한 실시 구현예에 따른 증착 반응기의 특정한 세부 사항을 더 자세히 나타낸다. 도 9에서는, 반응 챔버 히터(또는 히터들)(902), 열 교환기(905), 퍼지 가스 공급 라인 히터(또는 히터들)(901), 및 열의 피드백 연결 (950)이 보여진다.
반응 챔버(110) 주위에 위치한 반응 챔버 히터(902)는 원하는 경우 반응 챔버(110)에 열을 제공한다. 히터(902)는 전기 히터 또는 유사한 것일 수 있다. 상기 사용된 열 전달 방법은 주로 복사(radiation)이다.
퍼지 가스 공급 라인 히터(901)는, 공급 라인(105)에서, 상기 퍼지 가스를 가열하고, 상기 퍼지 가스는 차례로 반응 챔버(110)를 가열한다. 상기 사용된 열 전달 방법은 전술한 바와 같은 강제 대류이다. 도 9에서 공급 라인(105)에서 가스 공급 라인 히터(901)의 위치는 퍼지 가스 밸브(163)의 하류이다. 대안적으로, 퍼지 가스 공급 라인 히터(901)의 위치는 퍼지 가스 공급원(162)과 더 가까운 퍼지 가스 밸브(163)의 상류일 수 있다.
상기 반응 챔버의 상단부 또는 뚜껑(120), 또는 상기 배출 채널에 부착된 열 교환기(905)는 피드백 연결(950)을 실행하기 위해 사용될 수 있다. 특정한 구현예에서, 상기 배출 가스로부터 수집된 열 에너지는 히터(901)에 의해 상기 퍼지 가스를 가열하는데 사용되고, 및/또는 상기 열 에너지는 히터(902)에 활용될 수 있다.
상기 제시된 구현예들 각각에서, 반응 챔버 뚜껑(120) 또는 상기 증착 반응기의 상기 배출 채널은 가스 세정기(scrubber)를 포함할 수 있다. 그러한 가스 세정기는 상기 증착 반응기로부터 방출될 것으로 예상되지 않는 그러한 가스들, 화합물들 및/또는 입자들을 흡수하는 활성 물질을 포함한다.
특정한 구현예에서, 전구체 공급원(142, 152)은 가열될 수 있다. 그들의 구조에 있어서, 공급원(142, 152)은 관통형한 공급원(flow-through source)일 수 있다. 흐름 제한기(131, 132), 특히 더 거친 것, 즉, 제 2 흐름 제한기(132)는 특정한 구현예들에서 선택적일 수 있다. 증착 시퀀스 동안 성장 메커니즘이 느린 경우, 특정한 구현예에서, 전구체 소비를 감소시키기 위해, 배출 밸브(125)는 펄스 A 및 B 동안 폐쇄될 수 있고, 그 외에는 개방될 수 있다. 특정한 구현예에서, 상기 증착 반응기는 본 명세서에서 제시된 구현예들에 비해 거꾸로(upside down) 실행된다.
도 10은 생산 라인의 일부로서의 증착 반응기, 즉 ALD 반응기, 따라서 인-라인(in-line) ALD 반응기(또는 반응기 모듈)를 나타낸다. 이전에 제시된 상기 ALD 반응기와 유사한 증착 반응기가 생산 라인에서 사용될 수 있다. 도 10의 실시 구현예는 생산 라인에서 세 개의 인접한 모듈 또는 기계를 나타낸다. 적어도 하나의 기판, 또는 상기 적어도 하나의 기판을 운반하는 기판 홀더 또는 카세트 또는 유사한 것은, ALD 반응기 모듈(1020) 이전의 모듈 또는 기계(1010)로부터 입력 포트 또는 문(1021)을 통해 수용된다. 상기 적어도 하나의 기판은 ALD 반응기 모듈(1020)에서 ALD 처리되고, 추가 처리를 위해 출력 포트 또는 문(1022)을 통해 다음 모듈 또는 기계(1030)로 보내어진다. 출력 포트 또는 문(1022)은 입력 포트 또는 문(1021)보다 상기 ALD 반응기 모듈의 반대측에 위치할 수 있다.
특허청구범위의 범위 및 해석을 제한하지 않으면서, 본 명세서에 개시된 하나 이상의 실시 구현예들의 특정한 기술적 효과들이 아래에 열거된다: 하나의 기술적 효과는 더욱 단순하고 더욱 경제적인 증착 반응기 구조이다. 다른 기술적 효과는 강제 대류에 의해 반응 챔버 및 기판 표면을 가열 또는 예열시키는 것이다. 또 다른 기술적 효과는 ALD 증착 시퀀스 동안 건조 공기를 퍼지 가스 및 캐리어 가스 모두로 사용하는 것이다. 또 다른 기술적 특징은 대기압 또는 대기압보다 약간 아래에서 ALD 처리를 하는 것으로, 이에 의해 ALD 반응기 / ALD 반응기 모듈이 생산 라인에서 편리하게 사용되게 할 수 있다. 전술한 설명은 본 발명의 특별한 실시예들 및 구현예들의 비제한적인 예를 통해 본 발명을 수행하기 위해 본 발명자들이 현재 고려한 최선의 실시예의 완전하고 유익한 설명을 제공하였다. 그러나, 본 발명이 상기 제시된 구현예들의 세부 사항에 한정되지 않으며, 본 발명의 특징으로부터 벗어나지 않고 동등한 수단들을 사용하여 다른 구현예들에서 실시될 수 있다는 것은 본 기술분야의 통상의 기술자에게 명백하다.
더욱이, 본 발명의 상기 개시된 구현예들의 특징들 중의 일부는 다른 특징들의 대응하는 사용없이 유리하게 사용될 수 있다. 이와 같이, 상기 설명은 단지 본 발명의 원리를 예시하는 것으로 간주되어야 하며, 이를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다. 따라서, 본 발명의 범위는 오직 첨부된 특허청구범위에 의해서만 제한된다.

Claims (17)

  1. 순차적 자기 포화 표면 반응(self-saturating surface reaction)에 의해 적어도 하나의 기판 상에 물질을 증착시키도록 구성된 원자층 증착 반응기를 작동시키는 단계; 및
    건조 공기를 상기 반응기 내에서 퍼지 가스로 사용하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 건조 공기를 캐리어 가스로 사용하는 단계를 포함하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전체 증착 시퀀스 동안 건조 공기가 상기 반응기의 반응 챔버 내로 흘러 들어가게 하는 단계를 포함하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 건조 공기를 상기 반응기의 반응 챔버를 가열하는데 사용하는 단계를 포함하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 퍼지 가스 공급 밸브(in-feed valve)의 하류에서 상기 건조 공기를 가열하는 단계를 포함하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응기의 배출부로부터 퍼지 가스 공급 라인(in-feed line) 히터까지 연장된 열의 피드백 연결부를 제공하는 단계를 포함하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 원자층 증착 반응기를 대기압에서 작동시켜 순차적 자기 포화 표면 반응에 의해 적어도 하나의 기판 상에 물질을 증착시키는 단계를 포함하는 방법.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응기의 배출부에 부착된 이젝터를 사용하여 상기 반응기의 작동 압력을 감소시키는 단계를 포함하는 방법.
  9. 순차적 자기 포화 표면 반응에 의해 적어도 하나의 기판 상에 물질을 증착시키도록 구성된 원자층 증착 반응 챔버; 및
    건조 공기 공급원으로부터 건조 공기를 퍼지 가스로 상기 반응기의 반응 챔버 내로 공급하기 위한 건조 공기 공급 라인(in-feed line)을 포함하는 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 반응 챔버 내로 전구체 증기를 운반하기 위한 것으로서, 건조 공기 공급원으로부터 전구체 공급원을 거쳐 상기 반응기 챔버 내로 연장된 전구체 공급 라인(in-feed line)을 포함하는 장치.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 건조 공기를 가열하도록 구성된 히터를 포함하는 장치.
  12. 제11항에 있어서, 퍼지 가스 공급 밸브(in-feed valve)의 하류에 상기 히터를 포함하는 장치.
  13. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응기의 배출부로부터 퍼지 가스 공급 라인(in-feed line) 히터까지의 열의 피드백 연결을 포함하는 장치.
  14. 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응기가 대기압 또는 대기압 부근에서 작동하도록 구성된 경량 반응기(lightweight reactor)인 장치.
  15. 제9항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응기 내의 작동 압력을 감소시키기 위한 것으로서, 상기 반응기의 배출부에 부착된 이젝터를 포함하는 장치.
  16. 제9항 내지 제15항 중 어느 한 항의 장치를 생산 라인의 일부로서 포함하는 생산 라인.
  17. 순차적 자기 포화 표면 반응에 의해 적어도 하나의 기판 상에 물질을 증착시키도록 구성된 원자층 증착 반응기를 작동시키기 위한 수단; 및
    건조 공기를 상기 반응기 내에서 퍼지 가스로 사용하기 위한 수단을 포함하는 장치.
KR1020147029804A 2012-03-23 2012-03-23 원자층 증착 방법 및 장치 Withdrawn KR20140144243A (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/FI2012/050296 WO2013140021A1 (en) 2012-03-23 2012-03-23 Atomic layer deposition method and apparatuses

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140144243A true KR20140144243A (ko) 2014-12-18

Family

ID=49221892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147029804A Withdrawn KR20140144243A (ko) 2012-03-23 2012-03-23 원자층 증착 방법 및 장치

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20150307989A1 (ko)
EP (1) EP2841621A4 (ko)
JP (1) JP2015512471A (ko)
KR (1) KR20140144243A (ko)
CN (1) CN104204290A (ko)
IN (1) IN2014DN07267A (ko)
RU (1) RU2600047C2 (ko)
SG (1) SG11201405417YA (ko)
TW (1) TW201348504A (ko)
WO (1) WO2013140021A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210156216A (ko) * 2020-06-17 2021-12-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법

Families Citing this family (253)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11326255B2 (en) * 2013-02-07 2022-05-10 Uchicago Argonne, Llc ALD reactor for coating porous substrates
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
WO2018070284A1 (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社Ihi 気相プロセス用再熱捕集装置
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
KR102614841B1 (ko) 2017-01-23 2023-12-18 바스프 에스이 캐소드 재료의 제조 방법, 및 상기 방법을 수행하는데 적합한 반응기
EP3559307B1 (en) 2017-02-08 2022-08-03 Picosun Oy Deposition or cleaning apparatus with movable structure and method of operation
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
FI129627B (en) * 2019-06-28 2022-05-31 Beneq Oy Nuclear layer cultivation equipment
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11111578B1 (en) 2020-02-13 2021-09-07 Uchicago Argonne, Llc Atomic layer deposition of fluoride thin films
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
KR102719377B1 (ko) 2020-04-03 2024-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배리어층 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko) 2020-04-21 2021-11-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
RU2748658C1 (ru) * 2020-07-16 2021-05-28 Пикосан Ой Устройство для осаждения или очистки с подвижной конструкцией и способ его эксплуатации
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TWI874701B (zh) 2020-08-26 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
KR20220041751A (ko) 2020-09-25 2022-04-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 처리 방법
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US12065738B2 (en) 2021-10-22 2024-08-20 Uchicago Argonne, Llc Method of making thin films of sodium fluorides and their derivatives by ALD
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
US11901169B2 (en) 2022-02-14 2024-02-13 Uchicago Argonne, Llc Barrier coatings

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3061067B2 (ja) * 1991-04-23 2000-07-10 株式会社ニコン 焦点検出装置
US20040069448A1 (en) * 2001-02-20 2004-04-15 Osamu Suenaga Exhaust heat utilization system, exhaust heat utilization method, and semiconductor production facility
JP4921652B2 (ja) * 2001-08-03 2012-04-25 エイエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． イットリウム酸化物およびランタン酸化物薄膜を堆積する方法
US6893506B2 (en) * 2002-03-11 2005-05-17 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition apparatus and method
US6849464B2 (en) * 2002-06-10 2005-02-01 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a multilayer dielectric tunnel barrier structure
JP2006294750A (ja) * 2005-04-07 2006-10-26 Toshiba Corp 薄膜堆積装置及び方法
US7521356B2 (en) * 2005-09-01 2009-04-21 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition systems and methods including silicon-containing tantalum precursor compounds
EA200801444A1 (ru) * 2005-11-28 2008-12-30 Бенек Ой Способ предотвращения выщелачивания металла из меди и медных сплавов
US7750558B2 (en) * 2006-12-27 2010-07-06 Global Oled Technology Llc OLED with protective electrode
JP2008175948A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Seiko Epson Corp 原子層堆積膜の形成装置
US10041169B2 (en) * 2008-05-27 2018-08-07 Picosun Oy System and method for loading a substrate holder carrying a batch of vertically placed substrates into an atomic layer deposition reactor
GB0816186D0 (en) * 2008-09-05 2008-10-15 Aviza Technologies Ltd Gas delivery device
US8282334B2 (en) * 2008-08-01 2012-10-09 Picosun Oy Atomic layer deposition apparatus and loading methods
JP2012511106A (ja) * 2008-12-05 2012-05-17 ロータス アプライド テクノロジー エルエルシー 改善されたバリア層の性質を有する薄膜の高速成膜
JP5343838B2 (ja) * 2009-12-16 2013-11-13 富士電機株式会社 薄膜製造装置
FI20105906A0 (fi) * 2010-08-30 2010-08-30 Beneq Oy Laite
FI20105903A0 (fi) * 2010-08-30 2010-08-30 Beneq Oy Laite

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210156216A (ko) * 2020-06-17 2021-12-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법

Also Published As

Publication number Publication date
RU2014139815A (ru) 2016-05-20
IN2014DN07267A (ko) 2015-04-24
RU2600047C2 (ru) 2016-10-20
EP2841621A4 (en) 2016-03-16
WO2013140021A1 (en) 2013-09-26
US20150307989A1 (en) 2015-10-29
SG11201405417YA (en) 2014-10-30
CN104204290A (zh) 2014-12-10
EP2841621A1 (en) 2015-03-04
TW201348504A (zh) 2013-12-01
JP2015512471A (ja) 2015-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140144243A (ko) 원자층 증착 방법 및 장치
US11377732B2 (en) Reactant vaporizer and related systems and methods
TWI588286B (zh) 經改良的電漿強化原子層沉積方法、周期及裝置
JP5977886B2 (ja) 原子層堆積法による基板ウェブのコーティング
US20230383404A1 (en) Ald apparatus, method and valve
JP5646463B2 (ja) 堆積反応炉のための方法および装置
KR102197576B1 (ko) 재순환을 이용하는 공간적인 원자 층 증착을 위한 장치 및 사용 방법들
US20100266765A1 (en) Method and apparatus for growing a thin film onto a substrate
WO2010103751A1 (ja) 原子層堆積装置及び薄膜形成方法
TWI555874B (zh) 批量處理技術
JP6814136B2 (ja) Ａｌｄ法およびａｌｄ装置
CN105316654A (zh) 成膜装置和成膜方法
WO2011088024A1 (en) Methods and apparatus for atomic layer deposition on large area substrates
JP2011174128A (ja) 薄膜形成装置および薄膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20141023

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid