KR20140068320A - 광전모듈 - Google Patents
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Abstract
본 발명에서는 광전모듈이 개시된다. 상기 광전모듈은 기판과, 기판상에 형성되며, 제1 분리 패턴에 의해 개별화된 제1, 제2 배면 전극과, 제1, 제2 배면 전극 상에 형성되며, 제2 분리 패턴에 의해 개별화된 광 흡수층과, 광 흡수층 상에 형성되며, 제3 분리 패턴에 의해 개별화된 제1, 제2 전면 전극;을 포함하고, 제1 분리 패턴은 제1 배면 전극의 배면 접속부를 둘러싸도록 굴절된 형태로 형성되고, 제3 분리 패턴은 제2 전면 전극의 전면 접속부를 둘러싸도록 굴절된 형태로 형성되며, 배면 접속부와 전면 접속부는 상하방향으로 서로 마주하게 배치되고 전기적으로 연결되어, 서로 이웃하는 제1, 제2 광전 셀이 연결된다.
본 발명에 의하면, 이웃한 광전 셀들을 전기적으로 연결하기 위한 접속영역의 폭을 줄임으로써, 광전변환효율이 향상되는 광전모듈이 제공된다.
본 발명에 의하면, 이웃한 광전 셀들을 전기적으로 연결하기 위한 접속영역의 폭을 줄임으로써, 광전변환효율이 향상되는 광전모듈이 제공된다.
Description
본 발명은 광전모듈에 관한 것이다.
최근, 에너지 자원의 고갈 문제와 지구 환경 문제 등으로 인하여, 클린 에너지의 개발이 가속화되고 있다. 클린(clean) 에너지로서, 태양전지를 이용한 태양광 발전은, 태양광을 직접 전기로 변환하기 때문에, 새로운 에너지의 원천으로 기대되고 있다.
그러나, 현재 공업적으로 생산되고 있는 태양전지의 발전 비용은 화력 발전과 비교할 때 아직 높은 편이고, 태양전지의 광범위한 분야의 응용을 위해서는 태양전지의 발전 효율을 높이는 것이 필요하다. 발전 효율을 높이기 위해서는 출력 성능이 상대적으로 떨어지는 이른바, 사-영역(dead-area)을 줄이는 것이 바람직하며, 특히, 다수의 광전 셀들이 직렬 또는 병렬로 접속되어 모듈화된 구성에서, 이웃한 광전 셀의 접속을 위한 영역을 최소화시킴으로써, 광전변환효율을 높이는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태는, 이웃한 광전 셀들을 전기적으로 연결하기 위한 접속영역의 폭을 줄임으로써, 광전변환효율이 향상되는 광전모듈을 제공한다.
상기와 같은 과제 및 그 밖의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 광전모듈은,
기판;
상기 기판상에 형성되며, 제1 분리 패턴에 의해 개별화된 제1, 제2 배면 전극;
상기 제1, 제2 배면 전극 상에 형성되며, 제2 분리 패턴에 의해 개별화된 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 형성되며, 제3 분리 패턴에 의해 개별화된 제1, 제2 전면 전극;을 포함하고,
상기 제1 분리 패턴은 제1 배면 전극의 배면 접속부를 둘러싸도록 굴절된 형태로 형성되고,
상기 제3 분리 패턴은 제2 전면 전극의 전면 접속부를 둘러싸도록 굴절된 형태로 형성되며,
상기 배면 접속부와 전면 접속부는 상하방향으로 서로 마주하게 배치되고 전기적으로 연결되어, 서로 이웃하는 제1, 제2 광전 셀이 연결된다.
예를 들어, 상기 제1 광전 셀은, 상기 제1 배면 전극과, 상기 제1 전면 전극과, 상기 광흡수층을 포함하고,
상기 제2 광전 셀은, 상기 제2 배면 전극과, 상기 제2 전면 전극과, 상기 광 흡수층을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 배면 접속부는 상기 제1 배면 전극의 단부를 형성하되, 제2 배면 전극 측으로 돌출된 단부를 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 배면 접속부는 상기 제1 배면 전극의 일부로서 일체적으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 전면 접속부는, 상기 제2 전면 전극의 단부를 형성하되, 제1 전면 전극 측으로 돌출된 단부를 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 전면 접속부는 상기 제2 전면 전극의 일부로서 일체적으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 배면 접속부는 상기 제1 광전 셀로부터 제2 광전 셀을 향하여 돌출되고,
상기 전면 접속부는 상기 제2 광전 셀로부터 제1 광전 셀을 향하여 돌출되며,
상기 제1 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은 서로 반대 방향으로 돌출된 배면 접속부와 전면 접속부를 둘러싸도록 서로 반대 방향으로 굴절될 수 있다.
예를 들어, 상기 배면 접속부와 전면 접속부 사이에는 상기 광 흡수층의 접속패턴이 개재될 수 있다.
예를 들어, 상기 접속패턴은 상기 제2 광전 셀에 속한 광 흡수층의 단부를 형성하되, 상기 제1 광전 셀의 광 흡수층 측을 향하여 돌출된 단부를 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 분리 패턴은 상기 접속패턴을 둘러싸도록 굴절된 형태로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 배면 접속부는 상기 제1 광전 셀로부터 제2 광전 셀을 향하여 돌출되고,
상기 전면 접속부는 상기 제2 광전 셀로부터 제1 광전 셀을 향하여 돌출되며,
상기 접속패턴은 상기 제2 광전 셀로부터 제1 광전 셀 측을 향하여 돌출되고,
상기 제1 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은 서로 반대 방향으로 돌출된 배면 접속부와 전면 접속부를 둘러싸도록 서로 반대 방향으로 굴절되고,
상기 제2 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은 서로 같은 방향으로 돌출된 접속패턴과 전면 접속부를 둘러싸도록 같은 방향으로 굴절될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은, 서로 다른 방향으로 연장되는 라인 패턴을 포함하여 굴절된 형태로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은, 곡선 패턴을 포함하여 굴절된 형태로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은, 각진 모서리를 따라 굴절된 형태를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은, 라운드진 모서리를 따라 굴절된 형태를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층은 황동계 반도체(chalcopyrite semiconductor)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(CIGS계) 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 다수의 광전 셀들이 직렬 또는 병렬로 접속되어 모듈화된 구성에서, 이웃한 광전 셀들을 분할하는 한편으로, 분할된 광전 셀들을 전기적으로 접속하기 위한 접속영역의 면적을 최소화시킴으로써, 동일한 기판 면적 대비, 상대적으로 유효 발전영역의 면적이 증대될 수 있으며, 이에 따라, 발전 효율이 향상되는 광전모듈이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 광전모듈의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 광전모듈의 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 III-III 선을 따라 취한 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 각각, 본 발명의 일 실시형태에 따른 배면 전극, 광 흡수층 및 전면 전극의 평면구조를 보여주는 도면들이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 제1 분리 패턴을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 제2 분리 패턴 및 제3 분리 패턴을 함께 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 제1 분리 패턴, 제2 분리 패턴 및 제3 분리 패턴을 함께 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명과 대비되는 비교예에 따른 광전모듈의 단면도이다.
도 11은 비교예에 따른 광전모듈의 분리 패턴을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 광전모듈의 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 III-III 선을 따라 취한 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 각각, 본 발명의 일 실시형태에 따른 배면 전극, 광 흡수층 및 전면 전극의 평면구조를 보여주는 도면들이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 제1 분리 패턴을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 제2 분리 패턴 및 제3 분리 패턴을 함께 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 제1 분리 패턴, 제2 분리 패턴 및 제3 분리 패턴을 함께 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명과 대비되는 비교예에 따른 광전모듈의 단면도이다.
도 11은 비교예에 따른 광전모듈의 분리 패턴을 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 일 실시형태에 관한 광전소자에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 광전모듈의 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 광전모듈의 분해 사시도이다. 그리고, 도 3은 도 2의 III-III 선을 따라 취한 단면도이다.
도면들을 참조하면, 상기 광전모듈은 다수의 광전 셀(C1,C2)들을 포함하며, 적어도 둘 이상 다수의 광전 셀(C1,C2)들을 포함할 수 있다. 이해의 편의를 위하여, 도면들에서는 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)이 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 전기적으로 서로 연결되어 모듈화된 다수의 광전 셀(C1,C2)들을 포함하는 구조라면, 이하에서 설명되는 기술적 원리는 사실상 동일하게 적용될 수 있다.
도면을 참조하면, 상기 광전모듈은, 기판(100)과, 배면 전극(110)과, 광 흡수층(150)과, 전면 전극(120)을 포함한다. 본 발명의 일 실시형태에서, 상기 기판(100)은 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)들에 의해 공유될 수 있으며, 상기 배면 전극(110), 광 흡수층(150) 및 전면 전극(120)은 각각의 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)들에 대해 각각 개별화될 수 있다. 후술하는 바와 같이, 상기 배면 전극(110), 광 흡수층(150) 및 전면 전극(120)은, 제1 분리 패턴(P1), 제2 분리 패턴(P2) 및 제3 분리 패턴(P3)에 의해 각각의 제1 광전 셀(C1)과 제2 광전 셀(C2)에 대해 개별화될 수 있다.
예를 들어, 상기 배면 전극(110)은, 제1 광전 셀(C1)의 제1 배면 전극(111) 및 제2 광전 셀(C2)의 제2 배면 전극(112)을 포함할 수 있고, 상기 광 흡수층(150)은, 제1 광전 셀(C1)의 제1 광 흡수층(151) 및 제2 광전 셀(C2)의 제2 광 흡수층(152)을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 전면 전극(120)은, 제1 광전 셀(C1)의 제1 전면 전극(121) 및 제2 광전 셀(C2)의 제2 전면 전극(122)을 포함할 수 있다. 이에 대해서는 후에 상세히 설명하기로 한다.
상기 기판(100)으로는, 유리기판이 사용될 수 있으며, 보다 구체적으로 소다라임 유리(sodalime glass)가 사용될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 예를 들어, 상기 기판(100)으로는, 알루미나를 포함하는 세라믹 기판이나, 스테인레스 스틸 또는 티타늄을 포함하는 금속 기판이나, 폴리이미드를 포함하는 폴리머 기판이 사용될 수도 있다.
상기 배면 전극(110)은 전기 전도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 배면 전극(110)은 몰리브덴(Mo) 박막으로 형성될 수 있으며, 몰리브덴을 타켓(target)으로 사용하는 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다. 배면 전극(110)의 소재로서 몰리브덴(Mo)은, 높은 전기 전도도를 가지며, 광 흡수층(150)과 오믹 접합(ohmic contact)을 형성할 수 있고, 셀레늄(Se) 분위기 하에서 고온 안정성을 가질 수 있다. 상기 배면 전극(110)은 낮은 비저항을 갖는 것이 바람직하며, 열팽창 계수(thermal expansion coefficient)의 차이로 인한 박리 현상이 일어나지 않도록 기판(100)에 대한 부착성이 좋은 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 상기 배면 전극(110)은, 몰리브덴(Mo) 이외에 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 등의 금속 소재로 형성되거나, 또는 인듐 틴 옥사이드(ITO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등과 같은 금속 산화물로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 상기 배면 전극(110)은 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 배면 전극(110)은 서로 다른 물질을 포함하는 층들을 포함할 수 있다.
서로 이웃하는 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 배면 전극(111,112)들은 제1 분리 패턴(P1)에 의해 서로 격리되며, 상호 전기적인 절연될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 분리 패턴(P1)은, 레이저 스크라이빙(laser scribing) 또는 미케니컬 스크라이빙(mechanical scribing)으로 형성될 수 있으며, 기판(100)상에 형성된 배면 전극(110)은 제1 분리 패턴(P1)에 의해 각각의 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)에 대응되는 제1, 제2 배면 전극(111,112)으로 분리될 수 있다.
상기 광 흡수층(150)은, 입사광을 입력으로 하는 광전효과에 따라 광 기전력을 생성할 수 있다. 상기 광 흡수층(150)은, 황동계 반도체(chalcopyrite semiconductor)를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 광 흡수층(150)은, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2, CIGS 계) 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 상기 광 흡수층(150)은, 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS 계) 화합물을 포함할 수도 있고, 또 다른 실시형태에서 상기 광 흡수층(150)은 구리-갈륨-셀레나이드(CuGaSe2, CIGS 계) 화합물을 포함할 수도 있다. 상기 광 흡수층(150)은, 증착법(evaporaion) 또는 셀렌화법(selenization)에 의해 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 증착법(evaporation)에서는, 배면 전극(110) 상에 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 또는 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se)을 증착하여 광 흡수층(150)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 셀렌화법에서는, 스퍼터링을 통하여 구리-갈륨 합금층(Cu-Ga)과 인듐층(In)을 포함하는 CuGa/In 층으로 전구체(precursor)를 형성하고, 셀렌화(selenization) 또는 황화(sulfurization) 공정을 통하여 광 흡수층(150)을 형성할 수 있다.
이웃한 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 광 흡수층(151,152)은 제2 분리 패턴(P2)에 의해 서로 격리될 수 있으며, 상호 전기적으로 절연될 수 있다. 상기 제2 분리 패턴(P2)은, 레이저 스크라이빙(laser scribing) 또는 미케니컬 스크라이빙(mechanical scribing)으로 형성될 수 있으며, 기판(100) 상에 형성된 광 흡수층(150)은 제2 분리 패턴(P2)에 의해 각각의 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)에 대응되는 제1, 제2 광 흡수층(151,152)으로 분리될 수 있다.
도면상에 도시되어 있지는 않지만, 상기 광 흡수층(150) 상에는 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층은 광 흡수층(150)과 전면 전극(120) 사이의 양호한 접합을 형성할 수 있다. 예를 들어, p형 광 흡수층(150)과 n형 전면 전극(120)이 p-n 접합을 형성할 때, 이 두 물질 간의 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에, 밴드 갭이 두 물질의 중간에 위치하는 버퍼층이 개재될 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층으로는, CdS 박막이나 ZnS 박막으로 형성될 수 있으며, 이외에, InS 박막으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 버퍼층은 광 흡수층(150)과 함께 제2 분리 패턴(P2)에 의해 서로 격리될 수 있으며, 제2 분리 패턴(P2)을 통하여 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 버퍼층이 상호 전기적으로 절연될 수 있다.
상기 광 흡수층(150) 상에는 전면 전극(120)이 형성될 수 있다. 상기 전면 전극(120)은 광 흡수층(150)과 p-n 접합을 형성할 수 있고, 광전모듈의 전면에 배치되며 전극으로서의 역할을 하기 때문에, 광 투과율이 높고 전기 전도성이 우수한 투명한 도전 소재로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 전면 전극(120)은 금속 산화물, 예를 들어, 인듐 틴 옥사이드(ITO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속 산화물에 하나 이상의 불순물을 혼합한 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 상기 전면 전극(120)은, 전기 전도도를 높이기 위해, 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 등이 도핑된 산화아연(ZnO)으로 형성될 수 있다.
이웃한 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 전면 전극(120)은, 제3 분리 패턴(P3)에 의해 서로 격리될 수 있으며, 상호 전기적으로 절연될 수 있다. 상기 제3 분리 패턴(P3)은, 레이저 스크라이빙(laser scribing) 또는 미케니컬 스크라이빙(mechanical scribing)으로 형성될 수 있으며, 기판(100) 상에 형성된 전면 전극(120)은 제3 분리 패턴(P3)에 의해 각각의 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)에 대응되는 제1, 제2 전면 전극(121,122)으로 분리될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 광전모듈은, 입사광의 입력을 전기적인 출력으로 변환하기 위한 유효 발전영역(GA)을 포함한다. 예를 들어, 상기 유효 발전영역(GA)은 각 광전 셀(C1,C2) 중에서 분리 패턴(P1,P2,P3)으로 구획되지 않은 온전한 광전 셀(C1,C2)이 점유하는 영역에 해당될 수 있다. 그리고, 유효 발전영역(GA)들 사이에는 이웃한 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)을 전기적으로 분리시킴과 동시에 분리된 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)을 직렬 또는 병렬로 접속하여 모듈화시키기 위한 접속영역(CA)이 형성될 수 있다.
상기 접속영역(CA)에도 광 흡수층(150)이 형성되어 있으므로, 입사광으로부터 전기적인 출력을 생성할 수는 있으나, 광전모듈의 전체적인 출력은 상기 유효 발전영역(GA)의 출력에 따라 좌우될 수 있다. 예를 들어, 상기 접속영역(CA)은 제1 분리 패턴(P1)으로부터 제3 분리 패턴(P3)까지의 영역을 의미할 수 있다.
상기 제1 분리 패턴(P1)은, 서로 이웃하는 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 제1, 제2 배면 전극(111,112)을 개별화하여 상호 절연시키고, 상기 제2 분리 패턴(P2)은 서로 이웃하는 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 제1, 제2 광 흡수층(151,152)들을 개별화하여 상호 절연시킬 수 있다. 그리고, 상기 제3 분리 패턴(P3)은 서로 이웃하는 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 제1, 제2 전면 전극(121,122)을 개별화하여 상호 절연시킬 수 있다.
서로 이웃한 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)은 상호 직렬 또는 병렬로 접속되어 모듈화될 수 있다. 예를 들어, 서로 이웃한 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)은 요구되는 출력 전압 및 출력 전류에 대응하여, 상호 직렬로 접속되거나 또는 병렬로 접속될 수 있다. 도 3에 도시된 실시형태에서는 서로 이웃한 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 배면 전극(110)과 전면 전극(120)이 서로 접속되어 직렬 접속을 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 광전 셀(C1)의 배면 전극(111)과 제2 광전 셀(C2)의 전면 전극(122)이 서로 전기적으로 연결됨으로써, 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)이 직렬로 연결될 수 있다.
도 2를 참조하면, 제1 광전 셀(C1)의 배면 전극(111)은, 이웃한 제2 광전 셀(C2)의 전면 전극(122)과 연결되며, 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 배면 전극(111)과 전면 전극(122)은 접속영역(T)을 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이렇게 배면 전극(111)과 전면 전극(122)이 서로 연결됨으로써, 이웃한 서로 다른 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)이 직렬로 연결될 수 있다.
예를 들어, 서로 이웃한 광전 셀(C1,C2)의 제1 배면 전극(111)과 제2 전면 전극(122)은, 적층방향을 따라 서로 마주하는 위치로 돌출된 접속부(115,125)를 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
예를 들어, 제1 광전 셀(C1)의 배면 전극(111)은 이웃한 제2 광전 셀(C2)을 향하여 돌출된 배면 접속부(115)를 포함할 수 있다. 상기 배면 접속부(115)는 제1 배면 전극(111)의 단부를 형성하며, 상기 제1 배면 전극(111)의 일부로서 제1 배면 전극(111)의 다른 부분과 함께 일체적으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 제2 광전 셀(C2)의 전면 전극(122)은 이웃한 제1 광전 셀(C1)을 향하여 돌출된 전면 접속부(125)를 포함할 수 있다. 상기 전면 접속부(125)는 제2 전면 전극(122)의 단부를 형성하며, 상기 제2 전면 전극(122)의 일부로서 제2 전면 전극(122)의 다른 부분과 함께 일체적으로 형성될 수 있다.
상기 배면 및 전면 접속부(115,125)는 서로 대면하는 위치에 형성되며, 예를 들어, 상기 배면 및 전면 접속부(115,125) 사이에 개재된 광 흡수층(150)의 접속패턴(155)을 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이렇게 제1 배면 전극(111)과 제2 전면 전극(122)이 서로 전기적으로 연결됨으로써, 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)이 직렬 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 배면 및 전면 접속부(115,125) 사이에는 광 흡수층(150)의 접속패턴(155)이 형성될 수 있으며, 상기 접속패턴(155)은 배면 및 전면 접속부(115,125)의 전기적인 연결을 매개할 수 있다.
상기 배면 접속부(115)는 이웃한 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 배면 전극(111,112)을 분리시키는 제1 분리 패턴(P1)에 의해 정의되며, 상기 전면 접속부(125)는 이웃한 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 전면 전극(121,122)을 분리시키는 제3 분리 패턴(P3)에 의해 정의될 수 있다. 그리고, 상기 배면 접속부(115)와 전면 접속부(125)를 연결시켜주는 광 흡수층(150)의 접속패턴(155)은, 서로 이웃한 광전 셀(C1,C2)의 광 흡수층(150)을 분리시키는 제2 분리 패턴(P2)에 의해 정의될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제2, 제3 분리 패턴(P2,P3)은 실질적으로 동일한 영역에 형성될 수 있으며, 이에 따라 제1 분리 패턴(P1)으로부터 제3 분리 패턴(P3)까지의 접속영역(CA)의 면적을 감소시킬 수 있다. 이렇게 이웃한 광전 셀(C1,C2)의 직렬 또는 병렬 접속을 위한 접속영역(CA)의 면적을 줄임으로써, 상대적으로 유효 발전영역(GA)의 면적을 증대시킬 수 있고, 이것은 전체 광전모듈의 출력 성능이 향상됨을 의미한다.
도 4 내지 도 6에는 도 3에 도시된 배면 전극(110), 광 흡수층(150) 및 전면 전극(120)의 평면 구조를 보여주는 도면들이 도시되어 있다.
도 4를 참조하면, 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 배면 전극(111,112)은 제1 분리 패턴(P1)에 의해 분리되며, 제1 분리 패턴(P1)에 의해 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 분리 패턴(P1)은 굴절된 형태로 형성될 수 있으며, 각진 모서리 또는 라운드진 모서리를 따라 굴절된 형태로 형성될 수 있다. 굴절된 형태의 제1 분리 패턴(P1)을 경계로, 제1, 제2 배면 전극(111,112)이 형성될 수 있으며, 상기 제1, 제2 배면 전극(111,112)은 각각 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 일부를 구성할 수 있다. 이때, 상기 제1 분리 패턴(P1)을 경계로 하여, 제1 배면 전극(111) 측에는 제2 배면 전극(112)을 향하여 돌출된 배면 접속부(115)가 형성될 수 있다. 그리고, 제2 배면 전극(112)은 상기 배면 접속부(115)에 상보적으로 인입된 형상으로 형성될 수 있다.
도시된 일 실시형태에서, 상기 제1 분리 패턴(P1)은 제1 배면 전극(111) 측의 일부를 둘러싸도록 굴절되므로, 제1 배면 전극(111) 측에는 돌출된 형태의 배면 접속부(115)가 형성되고, 제2 배면 전극(112)은 상보적으로 인입된 형상을 가질 수 있다.
도 5를 참조하면, 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 광 흡수층(150)은 제2 분리 패턴(P2)에 의해 분리되며, 제2 분리 패턴(P2)에 의해 정의될 수 있다.
예를 들어, 제2 분리 패턴(P2)은 굴절된 형태로 형성될 수 있으며, 각진 모서리 또는 라운드진 모서리를 따라 굴절된 형태로 형성될 수 있다. 굴절된 형태의 제2 분리 패턴(P2)을 경계로, 제1, 제2 광 흡수층(151,152)이 형성될 수 있으며, 상기 제1, 제2 광 흡수층(151,152)은 각각 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 일부를 구성할 수 있다. 이때, 제2 분리 패턴(P2)을 경계로 하여, 제2 광 흡수층(152) 측에는 제1 광 흡수층(152)을 향하여 돌출된 접속패턴(155)이 형성될 수 있다. 그리고, 제1 광 흡수층(151)은 상기 접속패턴(155)에 상보적으로 인입된 형상으로 형성될 수 있다.
도시된 일 실시형태에서, 상기 제2 분리 패턴(P2)은 제2 광 흡수층(152)의 일부를 둘러싸도록 굴절되므로, 제2 광 흡수층(152) 측에는 돌출된 형태의 접속패턴(155)이 형성되고, 제1 광 흡수층(151)은 상보적으로 인입된 형상을 가질 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 제1, 제2 분리 패턴(P1,P2)은 서로 반대 방향으로 굴절된 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 분리 패턴(P1)이 제1 광전 셀(C1) 측의 일부, 그러니까, 배면 접속부(115)를 둘러싸도록 굴절된다면, 상기 제2 분리 패턴(P2)은 제2 광전 셀(C2) 측의 일부, 그러니까, 접속패턴(155)을 둘러싸도록 굴절될 수 있다. 이렇게, 제1, 제2 분리 패턴(P1,P2)에 의해 제1 광전 셀(C1) 측에 형성된 배면 접속부(115)와 제2 광전 셀(C2) 측의 접속패턴(155)이 상호 접속될 수 있으며, 이에 따라, 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)이 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6을 참조하면, 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 전면 전극(121,122)은 제3 분리 패턴(P3)에 의해 분리되며, 제3 분리 패턴(P3)에 의해 정의될 수 있다. 예를 들어, 제3 분리 패턴(P3)은 굴절된 형태로 형성될 수 있으며, 각진 모서리 또는 라운드진 모서리를 따라 굴절된 형태로 형성될 수 있다. 굴절된 형태의 제3 분리 패턴(P3)을 경계로, 제1, 제2 전면 전극(121,122)이 형성될 수 있다. 굴절된 형태의 제3 분리 패턴(P3)을 경계로, 제1, 제2 전면 전극(121,122)이 형성될 수 있으며, 상기 제1, 제2 전면 전극(121,122)은 각각 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)의 일부를 구성할 수 있다. 이때, 상기 제3 분리 패턴(P3)을 경계로 하여, 제2 전면 전극(122) 측에는 제1 전면 전극(121)을 향하여 돌출된 전면 접속부(125)가 형성될 수 있다. 그리고, 제1 전면 전극(121)은 상기 전면 접속부(125)에 상보적으로 인입된 형상으로 형성될 수 있다.
도시된 일 실시형태에서, 상기 제3 분리 패턴(P3)은 제2 전면 전극(122) 측의 일부를 둘러싸도록 굴절되므로, 제2 전면 전극(122) 측에는 돌출된 형태의 전면 접속부(125)가 형성되고, 제1 전면 전극(121)은 상보적으로 인입된 형상을 가질 수 있다.
도 5 내지 도 6을 참조하면, 상기 제2, 제3 분리 패턴(P2,P3)은 서로 같은 방향으로 굴절된 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2, 제3 분리 패턴(P2,P3)은, 제2 광전 셀(C2)의 일부를 둘러싸도록 굴절될 수 있으며, 이에 따라 제2 광전 셀(C2) 측에는 돌출된 형상의 접속패턴(155)과 전면 접속부(125)가 각각 형성될 수 있다.
도 4 및 도 6을 참조하면, 상기 제1, 제3 분리 패턴(P1,P3)은 서로 다른 방향으로 굴절된 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 분리 패턴(P1)이 제1 광전 셀(C1) 측의 일부, 그러니까, 배면 접속부(115)를 둘러싸도록 굴절된다면, 상기 제3 분리 패턴(P3)은 제2 광전 셀(C2) 측의 일부, 그러니까, 전면 접속부(125)를 둘러싸도록 굴절될 수 있다. 이렇게, 제1, 제3 분리 패턴(P1,P3)에 의해 제1 광전 셀(C1) 측에 형성된 배면 접속부(115)와, 제2 광전 셀(C2) 측에 형성된 전면 접속부(125)가 적층방향으로 서로 마주하는 위치에 형성되고 상호 접속됨으로써, 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)이 전기적으로 연결될 수 있다.
도 7 내지 도 9에는 본 발명의 일 실시형태에 따른 광전모듈의 분리 패턴이 도시되어 있다. 도 7에는 제1 분리 패턴(P1)의 형상이 도시되어 있고, 도 8에는 제2 분리 패턴(P2)과 제3 분리 패턴(P3)의 형상이 각각 도시되어 있다. 그리고, 도 9에는 상기 제1 분리 패턴(P1)과, 제2 분리 패턴(P2) 및 제3 분리 패턴(P3)이 서로 중첩되도록 함께 도시되어 있다.
상기 제1 분리 패턴(P1)이 제1 광전 셀(C1)의 일부, 그러니까 배면 접속부(115)를 둘러싸도록 굴절된 형태로 형성된다고 할 때, 상기 제2, 제3 분리 패턴(P2,P3)은 제2 광전 셀(C2)의 일부를 둘러싸도록 제1 분리 패턴(P1)과 반대 방향으로 굴절된 형태로 형성될 수 있다.
상기 제1 분리 패턴(P2)과, 제2 분리 패턴(P2)과, 제3 분리 패턴(P3)은 굴절된 형태를 가지며, 서로 다른 방향으로 연장되는 라인 패턴을 포함하여 굴절된 형태로 형성될 수 있다. 본 발명의 다른 실시형태에서 상기 제1 분리 패턴(P1)과, 제2 분리 패턴(P2)과, 제3 분리 패턴(P3)은 오목하게 라운드진 곡선 패턴을 포함하여 굴절된 형태로 형성될 수도 있다.
보다 구체적으로, 상기 제1 분리 패턴(P1)과, 제2 및 제3 분리 패턴(P2,P3)은 서로 반대 방향으로 굴절된 패턴을 가질 수 있으며, 상기 제2 및 제3 분리 패턴(P2,P3)은 서로 같은 방향으로 굴절된 패턴을 갖고 서로 중첩되게 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제1 분리 패턴(P1)과, 제2 및 제3 분리 패턴(P2,P3) 사이에 형성된 접속부(T)를 통하여 이웃한 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 접속부(T)는, 배면 접속부(115), 접속패턴(155) 및 전면 접속부(125)를 포함할 수 있다.
상기 제1 분리 패턴(P1)과, 제2 및 제3 분리 패턴(P2,P3)은 굴절되지 않은 부분에서 일 방향으로 연장되는 스트라이프 패턴(L1,L2)을 가지며, 상기 제1 분리 패턴(P1) 내지 제3 분리 패턴(P3)은 스트라이프 패턴(L1,L2)에서 서로 겹쳐지며 중첩될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 분리 패턴(P1), 제2 분리 패턴(P2) 및 제3 분리 패턴(P3)이 형성된 접속영역(CA)은, 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)을 분할하는 한편으로, 분할된 제1, 제2 광전 셀(C1,C2)을 직렬 또는 병렬로 연결하기 위한 영역이 된다. 상기 접속영역(CA)에서도 광전변환에 따른 발전이 이루어질 수 있으나, 분할되지 않은 온전한 광전 셀(C1,C2)들로 이루어진 유효 발전영역(GA)과 비교할 때, 상대적으로 낮은 출력 성능을 가질 수 있다.
상기한 점들을 고려할 때, 전체 광전모듈의 면적 중에서 접속영역(CA)의 면적을 최소화시키는 것이 바람직하며, 본 발명의 일 실시형태에서는, 제1 분리 패턴(P1)의 굴절된 패턴(B1)과, 제2 및 제3 분리 패턴(P2,P3)의 굴절된 패턴(B2)을 서로 이격시키되, 제2 및 제3 분리 패턴(P2,P3)을 실질적으로 동일한 영역에 형성함으로써, 제1 분리 패턴(P1)으로부터 제3 분리 패턴(P3)까지 접속영역의 폭(Wd)을 그만큼 감소시킬 수 있다.
더욱이, 상기 제1 내지 제3 분리 패턴(P1,P2,P3)을 굴절된 형상으로 형성됨으로써, 제1 분리 패턴(P1)과, 제2 및 제3 분리 패턴(P2,P3) 사이의 접속부(T)가 간헐적인 위치에 형성될 수 있고, 접속부(T)가 형성되지 않는 위치의 스트라이프 패턴(L1,L2)을 모두 동일한 위치에 중첩되게 형성함으로써, 접속영역(CA)의 폭(Wd1)을 한층 감소시킬 수 있다.
도 10에는 본 발명과 대비되는 비교예에 따른 광전모듈의 단면구조가 도시되어 있다. 도면을 참조하면, 상기 광전모듈은 제1, 제2 광전 셀(C1`,C2`)을 포함하며, 제1, 제2 광전 셀(C1`,C2`)이 서로 전기적으로 접속되어 모듈화된 구조를 갖는다. 상기 광전모듈은 입사광으로부터 전기적인 출력을 형성하기 위한 유효 발전영역(GA`)을 포함하고, 유효 발전영역(GA`) 사이에는 서로 이웃하는 광전 셀(C1`,C2`)을 전기적으로 연결하기 위한 접속영역(CA`)이 형성되어 있다.
보다 구체적으로, 상기 광전모듈은, 기판(10)과, 상기 기판(10) 상에 순차적으로 형성된 배면 전극(11), 광 흡수층(15), 및 전면 전극(12)을 포함할 수 있다. 상기 기판(10)은 각 광전 셀(C1`,C2`)들에 대해 공유될 수 있으며, 배면 전극(11), 광흡수층(15) 및 전면 전극(12)은 각 광전 셀(C1`,C2`)마다 개별화될 수 있다. 상기 배면 전극(11)은 제1 분리 패턴(P1`)에 의해 각 광전 셀(C1`,C2`) 마다 분리될 수 있으며, 광흡수층(15)은 제2 분리 패턴(P2`)에 의해 각 광전 셀(C1`,C2`) 마다 분리될 수 있다. 그리고, 전면 전극(12)은 제3 분리 패턴(P3`)에 의해 각 광전 셀(C1`,C2`) 마다 분리될 수 있다.
상기 제1 분리 패턴(P1`)으로부터 제3 분리 패턴(P3`)까지의 접속영역(CA`)은, 제1, 제2 광전 셀(C1`,C2`)들을 전기적으로 분리시키는 한편으로, 이웃한 제1, 제2 광전 셀(C1`,C2`)을 직렬로 접속하기 위한 영역을 형성한다. 상기 접속영역(CA`)에서는, 제1, 제2 광전 셀(C1`,C2`)의 배면 전극(11)과 전면 전극(12)이 서로 전기적으로 접속되어 있으므로, 캐리어를 전하 분리하고 축적할 수 없다. 이에 따라, 상기 접속영역(CA`)은 실질적으로 발전에 기여하지 않는 사-영역(dead-area)을 형성하게 된다.
상기 제1 분리 패턴(P1`), 제2 분리 패턴(P2`) 및 제3 분리 패턴(P3`)은, 서로 다른 영역에 형성되며, 공정상의 여유를 고려하여 충분한 마진을 두고 형성되므로, 결과적으로 접속영역(CA`)의 폭(Wd`)이 증가하고 넓은 범위의 사-영역(dead-area)이 형성되어 전체적인 광전모듈의 효율이 그만큼 떨어지게 된다.
도 3에 도시된 본 발명의 일 실시형태에서는, 제1 분리 패턴(P1)으로부터 제3 분리 패턴(P3)에 이르는 접속영역(CA)이 상대적으로 좁은 폭(Wd)으로 형성될 수 있으므로, 사-영역(dead-area)을 줄일 수 있고, 이에 따라 전체적인 광전모듈의 효율을 향상시킬 수 있다. 보다 구체적으로, 도 10의 비교예에서는, 제1 분리 패턴(P1`), 제2 분리 패턴(P2`) 및 제3 분리 패턴(P3`)이 서로 다른 영역에 형성되므로, 그만큼 접속영역(CA`)의 폭(Wd)이 증가하게 된다. 그러나, 도 3에 도시된 본 발명의 일 실시형태에서는, 제2 분리 패턴(P2)과 제3 분리 패턴(P3)이 서로 같은 영역에 형성되므로, 그만큼 접속영역(CA)의 폭(Wd)을 줄일 수 있고, 광전모듈의 효율을 향상시킬 수 있다.
도 11은 도 10에 도시된 비교예에 따른 광전모듈의 분리 패턴을 도시한 도면이다. 도면을 참조하면, 상기 광전모듈에는 제1, 제2 광전 셀(C1`,C2`)을 분할하고, 분할된 제1, 제2 광전 셀(C1`,C2`)을 전기적으로 연결하기 위한 제1 분리 패턴(P1`)과, 제2 분리 패턴(P2`)과, 제3 분리 패턴(P3`)이 형성될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 분리 패턴(P1`.P2`,P3`) 각각은, 서로 이웃한 제1, 제2 광전 셀(C1`,C2`)의 배면 전극(10), 광 흡수층(15) 및 전면 전극(12)을 분할하기 위한 것으로, 일 방향을 따르는 스트라이프 패턴으로 나란하게 형성된다. 이때, 상기 제1 내지 제3 분리 패턴(P1`,P2`,P3`)은 공정상의 오차를 고려하여 충분한 마진을 두고 서로 이격되게 형성되며, 이에 따라 상기 제1 분리 패턴(P1`)으로부터 제3 분리 패턴(P3`)에 이르는 접속영역(CA`)은 상대적으로 넓은 폭(Wd`)으로 형성된다.
도 9에 도시된 본 발명과 비교할 때, 본 발명에서는 제2 분리 패턴(P2)과, 제3 분리 패턴(P2)의 굴절된 패턴(B2)을 같은 영역에 형성함으로써, 제1 분리 패턴(P1)으로부터 제3 분리 패턴(P3)까지의 접속영역(CA)이 상대적으로 좁은 폭(Wd)으로 형성될 수 있다. 이것은 유효 발전영역(GA)에 비하여, 상대적으로 출력 성능이 떨어질 수 있는 접속영역(CA)을 좁은 폭(Wd)으로 제한함으로써, 그만큼 전체적인 광전모듈의 출력이 향상될 수 있음을 의미한다.
또한, 도 9에 도시된 본 발명에서는 제1 내지 제3 분리 패턴(P1,P2,P3)이 굴절된 패턴(B1,B2)으로 형성됨으로써, 제1 분리 패턴(P1)과, 제2 및 제3 분리 패턴(P2,P3) 사이의 접속부(T)가 간헐적인 위치에 형성될 수 있고, 접속부(T)가 형성되지 않는 위치의 스트라이프 패턴(L1,L2)을 모두 동일한 위치에 중첩되게 형성함으로써, 접속영역(CA)의 폭(Wd1)을 한층 감소시킬 수 있다.
도 11의 비교예와 대비할 때, 도 9에 도시된 본 발명에서 접속영역(CA)의 폭(Wd,Wd1)이 감소되는 효과는 이하와 같은 개략적인 계산을 통하여 가늠해볼 수 있다.
비교예에서, 제1 분리 패턴(P1`)의 폭은 53μm, 제1 분리 패턴(P1`)과 제2 분리 패턴(P2`) 사이의 이격은 162μm, 제2 분리 패턴(P2`)의 폭은 73μm, 제2 분리 패턴(P2`)과 제3 분리 패턴(P3`) 사이의 이격은 162μm, 제3 분리 패턴(P3`)의 폭은 54μm 라고 하면, 전체 접속영역의 폭(Wd`)은 504μm가 된다. 그리고, 전체 광전모듈에서 접속영역(CA)의 라인 개수가 170개라고 하고, 접속영역(CA)이 연장되는 광전모듈의 전체 길이가 154.9cm 라고 하면, 광전모듈 내 전체 접속영역(CA`)의 면적은 1327.18cm2가 되며, 이것은 전체 광전모듈의 면적인 11337cm2의 약 12%에 해당된다.
도 9에 도시된 본 발명에서, 사각 형상의 접속부(T)의 면적을 산출하기 위해, 접속부(T)의 일 변을 0.1219cm라고 하고, 접속부(T)의 다른 변을 1cm라고 하면, 접속부의 면적은 0.1219cm2이 된다. 이때, 접속영역(CA)의 일 라인당 접속부(T)가 26개 존재한다면, 전체 접속부의 면적은 3.1694cm2이 된다. 그리고, 제1 내지 제3 분리 패턴(P1,P2,P3)이 중첩되는 스트라이프 패턴(L1,L2)의 폭을 73μm, 접속영역(CA)의 라인이 연장되는 광전모듈의 전체 길이가 154.9cm 라고 하면, 전체 스트라이프 패턴(L1,L2)의 면적은 1.13077cm2이 된다. 따라서, 접속영역(CA)의 일 라인당 전체 접속영역(CA)의 면적은 4.30017cm2이 된다. 전체 접속영역(CA)의 라인 개수가 170개 라면, 광전모듈 내 전체 접속영역(CA)의 면적은 731.03cm2이 되며, 이것은 전체 광전모듈의 면적인 11337cm2의 약 6%에 해당된다. 상기로부터, 비교예와 대비하여, 본 발명에서 접속영역(CA)의 면적은 대략 6% ~ 8% 감소함을 알 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
100 : 기판 110 : 배면 전극
111 : 제1 배면 전극 112 : 제2 배면 전극
115 : 배면 접속부 120 : 전면 전극
121 : 제1 전면 전극 122 : 제2 전면 전극
125 : 전면 접속부 150 : 광 흡수층
151 : 제1 광 흡수층 152 : 제2 광 흡수층
155 : 접속패턴
C1 : 제1 광전 셀 C2 : 제2 광전 셀
T : 접속부 CA : 접속영역
GA : 유효 발전영역 P1 : 제1 분리 패턴
P2 : 제2 분리 패턴 P3 : 제3 분리 패턴
Wd,Wd1: 접속영역의 폭 L1,L2 : 스트라이프 패턴
B1,B2 : 굴절된 패턴
111 : 제1 배면 전극 112 : 제2 배면 전극
115 : 배면 접속부 120 : 전면 전극
121 : 제1 전면 전극 122 : 제2 전면 전극
125 : 전면 접속부 150 : 광 흡수층
151 : 제1 광 흡수층 152 : 제2 광 흡수층
155 : 접속패턴
C1 : 제1 광전 셀 C2 : 제2 광전 셀
T : 접속부 CA : 접속영역
GA : 유효 발전영역 P1 : 제1 분리 패턴
P2 : 제2 분리 패턴 P3 : 제3 분리 패턴
Wd,Wd1: 접속영역의 폭 L1,L2 : 스트라이프 패턴
B1,B2 : 굴절된 패턴
Claims (17)
- 기판;
상기 기판상에 형성되며, 제1 분리 패턴에 의해 개별화된 제1, 제2 배면 전극;
상기 제1, 제2 배면 전극 상에 형성되며, 제2 분리 패턴에 의해 개별화된 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 형성되며, 제3 분리 패턴에 의해 개별화된 제1, 제2 전면 전극;을 포함하고,
상기 제1 분리 패턴은 제1 배면 전극의 배면 접속부를 둘러싸도록 굴절된 형태로 형성되고,
상기 제3 분리 패턴은 제2 전면 전극의 전면 접속부를 둘러싸도록 굴절된 형태로 형성되며,
상기 배면 접속부와 전면 접속부는 상하방향으로 서로 마주하게 배치되고 전기적으로 연결되어, 서로 이웃하는 제1, 제2 광전 셀이 연결되는 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제1항에 있어서,
상기 제1 광전 셀은, 상기 제1 배면 전극과, 상기 제1 전면 전극과, 상기 광흡수층을 포함하고,
상기 제2 광전 셀은, 상기 제2 배면 전극과, 상기 제2 전면 전극과, 상기 광 흡수층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제1항에 있어서,
상기 배면 접속부는 상기 제1 배면 전극의 단부를 형성하되, 제2 배면 전극 측으로 돌출된 단부를 형성하는 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제3항에 있어서,
상기 배면 접속부는 상기 제1 배면 전극의 일부로서 일체적으로 형성된 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제1항에 있어서,
상기 전면 접속부는, 상기 제2 전면 전극의 단부를 형성하되, 제1 전면 전극 측으로 돌출된 단부를 형성하는 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제5항에 있어서,
상기 전면 접속부는 상기 제2 전면 전극의 일부로서 일체적으로 형성된 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제1항에 있어서,
상기 배면 접속부는 상기 제1 광전 셀로부터 제2 광전 셀을 향하여 돌출되고,
상기 전면 접속부는 상기 제2 광전 셀로부터 제1 광전 셀을 향하여 돌출되며,
상기 제1 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은 서로 반대 방향으로 돌출된 배면 접속부와 전면 접속부를 둘러싸도록 서로 반대 방향으로 굴절된 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제1항에 있어서,
상기 배면 접속부와 전면 접속부 사이에는 상기 광 흡수층의 접속패턴이 개재되는 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제8항에 있어서,
상기 접속패턴은 상기 제2 광전 셀에 속한 광 흡수층의 단부를 형성하되, 상기 제1 광전 셀의 광 흡수층 측을 향하여 돌출된 단부를 형성하는 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제8항에 있어서,
상기 제2 분리 패턴은 상기 접속패턴을 둘러싸도록 굴절된 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제8항에 있어서,
상기 배면 접속부는 상기 제1 광전 셀로부터 제2 광전 셀을 향하여 돌출되고,
상기 전면 접속부는 상기 제2 광전 셀로부터 제1 광전 셀을 향하여 돌출되며,
상기 접속패턴은 상기 제2 광전 셀로부터 제1 광전 셀 측을 향하여 돌출되고,
상기 제1 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은 서로 반대 방향으로 돌출된 배면 접속부와 전면 접속부를 둘러싸도록 서로 반대 방향으로 굴절되고,
상기 제2 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은 서로 같은 방향으로 돌출된 접속패턴과 전면 접속부를 둘러싸도록 같은 방향으로 굴절된 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제1항에 있어서,
상기 제1 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은, 서로 다른 방향으로 연장되는 라인 패턴을 포함하여 굴절된 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제1항에 있어서,
상기 제1 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은, 곡선 패턴을 포함하여 굴절된 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제1항에 있어서,
상기 제1 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은, 각진 모서리를 따라 굴절된 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제1항에 있어서,
상기 제1 분리 패턴과, 제3 분리 패턴은, 라운드진 모서리를 따라 굴절된 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제1항에 있어서,
상기 광 흡수층은 황동계 반도체(chalcopyrite semiconductor)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전모듈. - 제16항에 있어서,
상기 광 흡수층은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(CIGS계) 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전모듈.
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