KR20140052676A - 터치 센싱 패널의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 상호간 이격되어 배열되는 다수의 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과 교차되며, 상호간 이격되어 위치하는 다수의 포토레지스트 제거 영역을 상기 포토레지스트층에 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트층 상에 TMR 소자층 및 제2 전극층을 형성하는 단계; 를 포함하는 터치 센싱 패널의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 고속 구동이 가능하고, 제조 비용 및 제조 시간을 줄일 수 있는 터치 센싱 패널의 제조 방법을 제공할 수 있다.

Description

터치 센싱 패널의 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF TOUCH SENSING PANEL}

본 발명은 터치 센싱 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고속 구동이 가능하고, 제조 비용 및 제조 시간을 줄일 수 있는 터치 센싱 패널의 제조 방법에 관한 것이다.

자기 랜덤 액세스 메모리(magnetic random access memory; MRAM)나 고밀도 자기 기록 헤드(high density magnetic recording head)의 재료로 가장 주목받고 있는 것은 전자의 터널링 효과를 이용한 TMR 소자(tunneling magnetoresistance element)이다.

TMR 소자는 현재 상용화되어 되어 있는 GMR(giant magnetoresistance) 소자에 비해 높은 자기 저항비(magnetoresistance ratio)를 보인다.

이러한 특징을 이용하여 TMR 소자는 하드디스크 드라이브의 헤드 재료로 많이 사용되고 있는 GMR 소자를 대체할 소자로 주목받고 있다. 또한, 반도체 메모리 분야에 있어서도 높은 집적도를 달성할 수 있을 것으로 보고 있다.

또한, 최근에는 TMR 소자를 사용자의 터치를 인식하는 터치 센싱 패널에 활용하는 방안도 제안되고 있다.

예를 들어, 일본공개특허 제2005-149486호에서는 TMR 소자를 활용한 디지타이징 장치(digitizing device)를 제안하고 있다.

그러나, 상기 종래의 디지타이징 장치에서는 TMR 소자의 형상이 정육면체로 가공되고 있어, 터치 인식 동작 이후 초기화를 위한 리프레시(refresh) 동작이 매번 필요하므로, 그 효율성이 떨어지는 문제가 있었다.

즉, 종래의 디지타이징 장치는 기존의 MRAM 구조를 단순히 터치 센서에 적용하는 구조로서, TMR 소자가 메모리 특성을 가지므로, 터치 센싱 동작 후 동작 상태를 기억하게 된다.

또한, 종래의 디지타이징 장치에서는 3번의 포토리소그래피(photolithography) 공정이 적용되므로, 공정 단가가 상승되는 문제점을 가지고 있었다.

상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 목적은 TMR 패턴의 메모리 특성을 제거함으로써 리프레시 동작이 필요 없게 되며, 이에 따라 고속 구동이 가능한 터치 센싱 패널의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 포토리소그래피 공정을 감소시킴으로써, 제조 비용 및 제조 시간 등을 줄일 수 있는 터치 센싱 패널의 제조 방법을 제공하기 위함이다.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명은 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 상호간 이격되어 배열되는 다수의 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 제1 전극과 교차되며, 상호간 이격되어 위치하는 다수의 포토레지스트 제거 영역을 상기 포토레지스트층에 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트층 상에 TMR 소자층 및 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.

또한, 상기 TMR 소자층은, 상기 포토레지스트층에 위치하는 부분과 상기 포토레지스트 제거 영역을 통해 상기 제1 전극 및 기판 상에 위치하는 TMR 패턴으로 분리되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제2 전극층은, 상기 포토레지스트 층에 위치하는 부분과 상기 포토레지스트 제거 영역을 통해 상기 TMR 패턴 상에 위치하는 제2 전극으로 분리되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제2 전극층의 상측으로 보호층을 형성하는 단계를 더 포함한다.

또한, 상기 포토레지스트 제거 영역은, 상기 제1 전극과 교차되는 교차 영역 및 상기 교차 영역 상호간을 연결하는 연결 영역을 포함한다.

또한, 상기 교차 영역은, 제1 폭과 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 교차 영역의 제1 폭은, 상기 교차 영역의 제2 폭과 수직되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 교차 영역은, 타원 또는 마름모 형상인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 TMR 패턴은, 상기 포토레지스트 제거 영역과 동일한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제2 전극은, 상기 TMR 패턴과 동일한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 TMR 패턴은, 상기 제1 전극과 교차되는 제1 교차부 및 상기 제1 교차부 상호간을 연결하는 제1 연결부를 포함한다.

또한, 상기 제1 교차부는, 제1 폭과 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1 교차부의 제1 폭은, 상기 제1 교차부의 제2 폭과 수직되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1 교차부는, 타원 또는 마름모 형상인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제2 전극은, 상기 TMR 패턴과 동일한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제2 전극층은, 상기 TMR 소자층 상에 위치하는 것을 특징으로 한다.

이상 살펴본 바와 같은 본 발명에 따르면, TMR 패턴의 메모리 특성을 제거함으로써 리프레시 동작이 필요 없게 되며, 이에 따라 고속 구동이 가능한 터치 센싱 패널의 제조 방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면 포토리소그래피 공정을 감소시킴으로써, 제조 비용 및 제조 시간 등을 줄일 수 있는 터치 센싱 패널의 제조 방법을 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 기판 준비 단계를 나타낸 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 제1 전극 형성 단계를 나타낸 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 포토레지스트층 형성 단계를 나타낸 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 포토레지스트 제거 영역 형성 단계를 나타낸 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 TMR 소자층 형성 단계를 나타낸 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 제2 전극층 형성 단계를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 보호막 형성 단계를 나타낸 도면이다.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 본 발명과 관계없는 부분은 본 발명의 설명을 명확하게 하기 위하여 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.

이하, 본 발명의 실시예들 및 이를 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법에 대해 설명하도록 한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 기판 준비 단계를 나타낸 도면이다.

본 발명의 실시예에 따른 터치 센싱 패널의 제조 방법은 기판 준비 단계를 포함할 수 있다.

도 1을 참조하면, 기판 준비 단계에서는 소정의 기판(10)을 준비한다. 예를 들어, 기판(10)은 유리, 플라스틱, 실리콘 또는 합성수지와 같은 절연성을 가지는 재질로 이루어질 수 있다.

또한, 기판(10)은 휘거나 접힘이 가능하도록 유연성을 가지는 필름으로 구현될 수 있다.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 제1 전극 형성 단계를 나타낸 도면이다. 특히, 도 2b에서는 A2-B2 선을 기준으로 하는 도 2a의 단면을 도시하였다.

본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법에서는 상술한 기판 준비 단계 이후에 제1 전극 형성 단계를 진행할 수 있다.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 제1 전극 형성 단계에서는 기판(10) 상에 상호간 이격되어 배열되는 다수의 제1 전극(20)을 형성할 수 있다.

이러한 제1 전극 형성 단계는 일반적인 포토리소그래피 공정을 통하여 진행될 수 있다.

예를 들어, 기판(10) 상에 제1 전극층(미도시)과 포토레지스트(미도시)를 전면적으로 증착한 뒤, 마스크(미도시)를 이용한 포토레지스트의 노광(exposure) 및 현상(develop) 공정을 수행함으로써 상기 포토레지스트를 패터닝할 수 있다.

그 후, 상기 포토레지스트를 통해 외부로 노출된 제1 전극층의 일부분을 제거하는 식각(etching) 공정 및 상기 포토레지스트를 제거하는 스트립(strip) 공정을 진행할 수 있다.

이에 따라, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같은 다수의 제1 전극(20)을 형성할 수 있다.

예를 들어, 제1 전극(20)은 제1 방향(예를 들어, X축 방향)으로 길게 형성되어 제1 방향과 교차하는 제2 방향(예를 들어, Y축 방향)을 따라 복수개가 배열될 수 있다.

또한, 제1 전극(20)은 투명 도전성 물질로 형성되는 것이 바람직하나, 불투명 금속 등과 같은 여타 도전성 물질로도 형성될 수 있다.

일례로, 제1 전극(20)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 그래핀(Graphene), 탄소나노튜브(Carbon nanotube), AgNWs(Silver Nanowires) 등으로 형성될 수 있다.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 포토레지스트층 형성 단계를 나타낸 도면이다. 특히, 도 3b에서는 A3-B3 선을 기준으로 하는 도 3a의 단면을 도시하였다.

본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법에서는 상술한 제1 전극 형성 단계 이후에 포토레지스트층 형성 단계를 진행할 수 있다.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 포토레지스트층 형성 단계에서는 다수의 제1 전극(20) 상에 포토레지스트층(30)을 적층할 수 있다.

이 때, 포토레지스트층(30)은 기판(10)과 제1 전극(20) 상에 전면적으로 형성될 수 있다.

또한, 포토레지스트층(30)은 하측(기판(10) 측) 포토레지스트가 상측 포토레지스트보다 더 많이 식각될 수 있도록 네거티브 타입(negative type) 포토레지스트로 이루어지는 것이 바람직하다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 포토레지스트 제거 영역 형성 단계를 나타낸 도면이다. 특히, 도 4b에서는 A4-B4 선을 기준으로 하는 도 4a의 단면을 도시하였다.

본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법에서는 상술한 포토레지스트층 형성 단계 이후에 포토레지스트 제거 영역 형성 단계를 진행할 수 있다.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 포토레지스트 제거 영역 형성 단계에서는 제1 전극(20)과 교차되며, 상호간 이격되어 위치하는 다수의 포토레지스트 제거 영역(40)을 상기 포토레지스트층(30)에 형성할 수 있다.

예를 들어, 포토레지스트 제거 영역(40)은 제2 방향(예를 들어, Y축 방향)으로 길게 형성되고, 제1 방향(예를 들어, X축 방향)을 따라 다수가 위치할 수 있다.

포토레지스트층(30) 내에 존재하는 포토레지스트 제거 영역(40)을 통해 제1 전극(20)의 일부분이 노출될 수 있다.

포토레지스트 제거 영역(40)의 형성은 일반적인 포토리소그래피 공정을 이용하여 진행될 수 있다.

예를 들어, 마스크(미도시)를 이용한 포토레지스트층(30)의 노광 및 현상 공정을 수행함으로써, 포토레지스트 제거 영역(40) 내에 위치하던 포토레지스트를 제거할 수 있다.

이러한 포토레지스트 제거 영역(40)은 상기 제1 전극(20)과 교차되는 교차 영역(41)과 상기 교차 영역(41) 상호간을 연결하는 연결 영역(42)으로 구성될 수 있다.

예를 들어, 제1 전극(20)과 중첩되는 교차 영역(41)은 제2 방향을 따라 다수가 배열될 수 있으며, 상기 교차 영역(41) 상호간은 연결 영역(42)에 의해 연결될 수 있다.

교차 영역(41)은 제1 전극(20)에 인접하여 위치하는 영역으로서, 제1 폭(W1)과 상기 제1 폭(W1) 보다 큰 제2 폭(W2)을 갖는 것이 바람직하다.

이는 후속 공정에서 형성될 TMR 패턴(110) 및 제2 전극(210)의 형상을 정의하기 위함이다.

또한, 교차 영역(41)의 제1 폭(W1)과 교차 영역(41)의 제2 폭(W2)은 상호 수직 방향으로 설정될 수 있다.

예를 들어, 장폭과 단폭을 갖는 교차 영역(41)은 도 4a에 도시된 바와 같은 타원 형상을 가질 수 있으며, 그 외 마름모 형상 등을 가질 수도 있다.

연결 영역(42)은 교차 영역(41) 상호간을 연결하는 영역으로서, 기판(10)에 인접하여 위치할 수 있다.

또한, 연결 영역(42)은 그 폭이 교차 영역(41)의 폭(W1, W2) 보다 작게 설정되는 것이 바람직하다.

이 때, 포토레지스트 제거 영역(40)은 하측으로부터 상측으로 갈수록 그 폭이 좁아지는 형상으로 형성될 수 있다.

이를 위하여, 포토레지스트층(30)은 네거티브 타입 포토레지스트로 이루어지는 것이 바람직하다.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 TMR 소자층 형성 단계를 나타낸 도면이다. 특히, 도 5b에서는 A5-B5 선을 기준으로 하는 도 5a의 단면을 도시하였다.

본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법에서는 상술한 포토레지스트 제거 영역 형성 단계 이후에 TMR 소자층 형성 단계를 진행할 수 있다.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, TMR 소자층 형성 단계에서는 포토레지스트층(30) 상에 TMR 소자층(100)을 형성할 수 있다.

즉, TMR 소자층(100)은 포토레지스트 제거 영역(40)이 존재하는 포토레지스트층(30) 상에 전면적으로 적층될 수 있다.

이에 따라, TMR 소자층(100)은 포토레지스트층(30) 상에 위치하는 부분(120)과 포토레지스트 제거 영역(40)을 통해 제1 전극(20) 및 기판(10) 상에 위치하는 TMR 패턴(110)으로 분리될 수 있다.

즉, 포토레지스트 제거 영역(40)에서 발생하는 단차로 인하여, TMR 소자층(100)은 다수의 TMR 패턴(110)으로 분할 형성될 수 있다.

이 때, 다수의 TMR 패턴(110)은 포토레지스트 제거 영역(40)과 동일한 형상으로 형성되므로, 상기 교차 영역(41)과 동일한 형상의 제1 교차부(111) 및 연결 영역(42)과 동일한 형상의 제1 연결부(112)로 구성될 수 있다.

즉, TMR 패턴(110)은 제1 전극(20)과 교차되는 제1 교차부(111)와 상기 제1 교차부(111) 상호간을 연결하는 제1 연결부(112)로 구성될 수 있다.

예를 들어, 제1전극(20)과 중첩되는 제1 교차부(111)는 제2 방향을 따라 다수가 배열될 수 있으며, 상기 제1 교차부(111) 상호간은 제1 연결부(112)에 의해 연결될 수 있다.

제1 교차부(111)는 제1 전극(20) 상에 위치하는 부분으로서, 제1 폭(P1)과 상기 제1 폭(P1) 보다 큰 제2 폭(P2)을 갖는 것이 바람직하다.

즉, TMR 패턴(110)의 메모리 특성을 제거하기 위한 것으로서, 제1 교차부(111)의 폭이 상이하게 설정되는 경우에는 비선형적 분포를 가지는 보자력(coercive force)를 가지게 되고, 이에 따라 제1 교차부(111)의 메모리 특성이 사라지게 된다.

따라서, 초기화를 위한 리프레시 동작이 필요 없게 되며, 이에 따라 고속 구동이 가능하게 된다.

또한, 제1 교차부(111)의 제1 폭(P1)과 제1 교차부(111)의 제2 폭(P2)는 상호 수직 방향으로 설정될 수 있다.

예를 들어, 장폭과 단폭을 갖는 제1 교차부(111)는 도 5a에 도시된 바와 같은 타원 형상을 가질 수 있으며, 그 외 마름모 형상 등을 가질 수도 있다.

제1 연결부(112)는 제1 교차부(111) 상호간을 연결하는 부분으로서, 기판(10) 상에 위치할 수 있다.

또한, 제1 연결부(112)는 그 폭이 제1 연결부(112)의 폭(P1, P2) 보다 작게 설정되는 것이 바람직하다.

도 5b를 참조하면, TMR 소자층(100)은 고정층(pinned layer, 310), 절연층(insulation layer, 320) 및 자유층(free layer)(330)을 포함할 수 있다.

고정층(310)은 강자성체(ferromagnetic substance)로 구성될 수 있다. 강자성체는 외부에서 강한 자기장을 걸어주었을 때 그 자기장의 방향으로 강하게 자화된 뒤 외부 자기장이 사라져도 자화가 남아 있는 물질을 말한다. 고정층(310)은 자화 방향과 반대 방향의 외부 자기장이 가해지더라도, 자화 방향이 쉽게 변하지 않는 강자성체로 구성된다.

절연층(320)은 유전체로 구성될 수 있다. 그리고, 절연층(320)은 자연상태에서 자화를 가지지 않는 것이 바람직하다.

자유층(330)은 강자성체로 구성될 수 있다. 하지만, 자유층(330)은 자화 방향을 제어할 수 있어야 한다. 따라서, 자유층(330)은 자화 방향과 반대 방향의 외부 자기장이 가해지면, 자화 방향이 바뀌는 강자성체로 구성될 수 있다.

이 때, 고정층(310)과 자유층(330)의 위치는 서로 바뀔 수 있다.

TMR 소자층(100)는 상기와 같이 강자성체/절연체/강자성체의 단일 접합 구조를 가질 수 있다.

또한, TMR 소자층(100)은 강자성체/절연체/강자성체/절연체/강자성체와 같은 이중 접합 구조를 가질 수도 있다.

그러므로, TMR 소자층(100)으로부터 형성되는 TMR 패턴(110) 역시 고정층(310), 절연층(320) 및 자유층(330)으로 구성될 수 있다.

따라서, TMR 패턴(110)의 제1 교차부(111)는 두가지 상태로 설정될 수 있다. 이는 고정층(310)과 자유층(330)의 자화가 동일한 방향인 상태(이하, 평행(parallel) 상태)와, 고정층(310)과 자유층(330)의 자화가 상이한 방향인 상태(이하, 반평행(antiparallel) 상태)이다. 즉, 평행 상태와 반평행 상태를 이용하여 0과 1을 구분할 수 있게 된다.

결국, 자유층(330)의 자화 방향은 외부에서 인가되는 자기장에 의해 변화될 수 있으므로, 사용자는 자기장의 방출이 가능한 스타일러스 펜(stylus pen)을 이용하여 제1 교차부(111)의 상태를 설정할 수 있다.

예를 들어, 특정 위치의 제1 교차부(111)가 스타일러스 펜에 의하여 자극되어 반평행 상태로 천이된 경우, 제1 교차부(111)는 고저항 상태가 되므로, 상기 자극된 제1 교차부(111)와 연결된 제1 전극(20) 및 제2 전극(210)을 통해 상기 제1 교차부(111)의 위치를 검출할 수 있게 된다. 결국, 이에 따라 스타일러스 펜의 접촉(또는 근접) 위치를 검출할 수 있게 된다.

또한, 제1 교차부(111)의 폭(P1, P2)을 상이하게 설정함으로써 제1 교차부(111)의 메모리 특성이 사라지게 되므로, 제1 교차부(111)는 별도의 리프레시 동작 없이도 소정 시간 후 초기 상태(예를 들어, 평행 상태)로 복귀할 수 있다.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 제2 전극층 형성 단계를 나타낸 도면이다. 특히, 도 6b에서는 A6-B6 선을 기준으로 하는 도 6a의 단면을 도시하였다.

본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법에서는 상술한 TMR 소자층 형성 단계 이후에 제2 전극층 형성 단계를 진행할 수 있다.

또한, TMR 소자층 형성 단계와 제2 전극층 형성 단계는 동시에 진행될 수도 있다.

예를 들어, 제2 전극층(200)을 TMR 소자층(100)에 먼저 적층한 뒤, TMR 소자층(100)과 제2 전극층(200)을 함께 포토레지스트층(30) 상에 적층할 수도 있다.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 제2 전극층 형성 단계에서는 TMR 소자층(100) 상에 제2 전극층(200)을 적층할 수 있다.

이에 따라, 제2 전극층(200)은 포토레지스트층(30) 상에 위치하는 부분(220)과 포토레지스트 제거 영역(40)을 통해 TMR 패턴(110) 상에 존재하는 제2 전극(210)으로 분리될 수 있다.

즉, 포토레지스트 제거 영역(40)에서 발생하는 단차로 인하여, 제2 전극층(200)은 다수의 제2 전극(210)으로 분할 형성될 수 있다.

이 때, 다수의 제2 전극(210)은 포토레지스트 제거 영역(40)과 동일한 형상으로 형성될 수 있고, 또한 TMR 패턴(110)과 동일한 형상을 가질 수 있다.

따라서, 다수의 제2 전극(210)은 제1 교차부(111)와 동일한 형상의 제2 교차부(211) 및 제1 연결부(112)와 동일한 형상의 제2 연결부(212)로 구성될 수 있다.

즉, 제2 전극(210)은 제1 교차부(111) 상에 위치하는 제2 교차부(211)와, 제2 교차부(211) 상호간을 연결하며 제1 연결부(112) 상에 위치하는 제2 연결부(212)로 구성될 수 있다.

예를 들어, 제2 교차부(211)는 제2 방향을 따라 다수가 배열될 수 있으며, 상기 제2 교차부(211) 상호간은 제2 연결부(212)에 의해 연결될 수 있다.

결국, TMR 패턴(110)의 제1 교차부(111)는 다수의 제1 전극(10)과 제2 전극(210) 사이에 매트릭스 형태로 배열될 수 있고, 외부의 자기장에 의해 상태가 변화되는 제1 교차부(111)의 위치를 상호 교차되는 제1 전극(10)과 제2 전극(210)을 통하여 검출할 수 있게 된다.

도 7은 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법 중 보호막 형성 단계를 나타낸 도면이다.

본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법에서는 상술한 TMR 소자층 형성 단계 및 제2 전극층 형성 단계 이후에 보호막 형성 단계를 진행할 수 있다.

도 7을 참조하면, 보호막 형성 단계에서는 제2 전극층(200)의 상측으로 보호막(80)이 형성될 수 있다.

즉, 보호막(80)은 기판(10)의 상측으로 전면적으로 적층될 수 있다. 따라서, 내부에 위치하는 제2 전극(210) 등의 구성이 보호될 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 터치 센싱 패널의 제조 방법에서는 두 번의 포토리소그래피 공정만을 진행한다.

즉, 도 2a 및 도 2b와 관련된 제1 전극 형성 단계에서 첫번째 마스크 공정을 진행하고, 도 4a 및 도 4b와 관련된 포토레지스트 제거 영역 형성 단계에서 두번째 마스크 공정을 진행한다.

따라서, 종래의 제조방법 대비 마스크 공정을 2회로 감소시킬 수 있기 때문에 제조 비용 및 제조 시간 등을 줄일 수 있다.

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

10: 기판
20: 제1 전극
30: 포토레지스트층
40: 포토레지스트 제거 영역
100: TMR 소자층
110: TMR 패턴
200: 제2 전극층
210: 제2 전극

Claims (16)

1. 기판을 준비하는 단계;
   상기 기판 상에 상호간 이격되어 배열되는 다수의 제1 전극을 형성하는 단계;
   상기 제1 전극 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
   상기 제1 전극과 교차되며, 상호간 이격되어 위치하는 다수의 포토레지스트 제거 영역을 상기 포토레지스트층에 형성하는 단계; 및
   상기 포토레지스트층 상에 TMR 소자층 및 제2 전극층을 형성하는 단계; 를 포함하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 TMR 소자층은,
   상기 포토레지스트층에 위치하는 부분과 상기 포토레지스트 제거 영역을 통해 상기 제1 전극 및 기판 상에 위치하는 TMR 패턴으로 분리되는 것을 특징으로 하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 제2 전극층은,
   상기 포토레지스트 층에 위치하는 부분과 상기 포토레지스트 제거 영역을 통해 상기 TMR 패턴 상에 위치하는 제2 전극으로 분리되는 것을 특징으로 하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
4. 제3항에 있어서,
   상기 제2 전극층의 상측으로 보호층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 제거 영역은,
   상기 제1 전극과 교차되는 교차 영역 및 상기 교차 영역 상호간을 연결하는 연결 영역을 포함하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
6. 제5항에 있어서, 상기 교차 영역은,
   제1 폭과 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 교차 영역의 제1 폭은,
   상기 교차 영역의 제2 폭과 수직되는 것을 특징으로 하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
8. 제6항에 있어서, 상기 교차 영역은,
   타원 또는 마름모 형상인 것을 특징으로 하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
9. 제3항에 있어서, 상기 TMR 패턴은,
   상기 포토레지스트 제거 영역과 동일한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
10. 제9항에 있어서, 상기 제2 전극은,
    상기 TMR 패턴과 동일한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
11. 제2항에 있어서, 상기 TMR 패턴은,
    상기 제1 전극과 교차되는 제1 교차부 및 상기 제1 교차부 상호간을 연결하는 제1 연결부를 포함하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 제1 교차부는,
    제1 폭과 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 제1 교차부의 제1 폭은,
    상기 제1 교차부의 제2 폭과 수직되는 것을 특징으로 하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
14. 제12항에 있어서, 상기 제1 교차부는,
    타원 또는 마름모 형상인 것을 특징으로 하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
15. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 전극은,
    상기 TMR 패턴과 동일한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.
16. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극층은,
    상기 TMR 소자층 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 터치 센싱 패널의 제조 방법.

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