KR20140002360A - Method for patterning silver nanowires - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 상에 은 나노와이어 층을 형성하는 단계; 상기 은 나노와이어 층의 상측에 마스크를 위치시키는 단계; 및 상기 은 나노와이어 층에 대하여 아르곤 플라즈마 처리를 먼저 진행한 후, 산소 플라즈마 처리를 진행하는 단계; 를 포함하는 은 나노와이어의 패터닝 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 공정을 대폭 삭제함으로써 비용 절감 및 제조 시간 감소 등을 달성할 수 있으며, 환경에 유해한 식각액을 사용할 필요 없이 은 나노와이어의 패턴 형성이 가능한 은 나노와이어의 패터닝 방법을 제공할 수 있다.The present invention includes forming a silver nanowire layer on a substrate; Positioning a mask on top of the silver nanowire layer; And performing an argon plasma treatment on the silver nanowire layer first, followed by an oxygen plasma treatment. It relates to a patterning method of silver nanowires comprising a. According to the present invention, it is possible to achieve a cost reduction and a reduction in manufacturing time by greatly eliminating the process, and to provide a patterning method of silver nanowires capable of forming patterns of silver nanowires without using an etchant that is harmful to the environment. .
Description
본 발명은 은 나노와이어의 패터닝 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정을 대폭 삭제함으로써 비용 절감 및 제조 시간 감소 등을 달성할 수 있으며, 환경에 유해한 식각액을 사용할 필요 없이 은 나노와이어의 패턴 형성이 가능한 은 나노와이어의 패터닝 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for patterning silver nanowires, and more particularly, to reduce costs and to reduce manufacturing time by drastically eliminating a process, and to form a pattern of silver nanowires without using an environmentally harmful etchant. Possible silver nanowires are patterned.
액정 표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 유기 전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display: OLED), 터치 스크린(Touch Screen) 등과 같은 다양한 전자 제품에는 산화인듐주석(indium tin oxide: ITO)이 투명 전극으로 널리 사용되어 왔다. Indium tin oxide (ITO) is a transparent electrode for various electronic products such as a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting display (OLED), a touch screen, and the like. It has been widely used.
그러나, 산화인듐주석(ITO)은 깨지기가 쉬워 유연성을 갖는 디스플레이, 태양 전지 등에 이용되기가 어려우며 가격 또한 상승되고 있어, 산화인듐주석(ITO)의 대체 물질에 대한 연구가 최근 활발해지고 있다. However, since indium tin oxide (ITO) is fragile and difficult to be used for flexible displays, solar cells, and the like, and prices are rising, research on alternative materials for indium tin oxide (ITO) has been actively conducted in recent years.
다양한 대체 물질 중 유연성, 전도도 및 광학적 투명도가 높은 은 나노와이어(Silver Nanowires: AgNWs)가 주목받고 있다. Among the various alternative materials, silver nanowires (AgNWs), which have high flexibility, conductivity and optical transparency, are drawing attention.
종래에는 은 나노와이어(AgNWs)을 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 통해 패터닝 하였다. Conventionally, silver nanowires (AgNWs) were patterned through a photolithography process.
즉, 은 나노와이어(AgNWs)의 세척(Cleaning) 공정, 은 나노와이어(AgNWs) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 코팅하는 공정, 노광(Exposure) 공정, 현상(Develop) 공정, 식각(Etching) 공정, 스트립(Strip) 공정을 통해 원하는 은 나노와이어(AgNWs)의 패턴을 형성할 수 있었다. That is, a cleaning process of silver nanowires (AgNWs), a process of coating a photoresist on silver nanowires (AgNWs), an exposure process, a development process, an etching process Using a strip process, a desired pattern of silver nanowires (AgNWs) could be formed.
그러나, 종래 패터닝 공정은 7단계의 공정을 거쳐야 하므로 비용 및 제조 시간이 증가되는 문제점이 있었으며, 특히 습식 식각(Wet Etching) 공정을 이용함에 따라 환경에 유해한 식각액(Etchant)를 사용해야 하는 문제점이 있었다. However, the conventional patterning process has a problem that the cost and manufacturing time is increased because it has to go through a seven-step process, in particular, there is a problem to use an etchant (Etchant) harmful to the environment by using a wet etching (Wet Etching) process.
상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 목적은 공정을 대폭 삭제함으로써 비용 절감 및 제조 시간 감소 등을 달성할 수 있는 은 나노와이어의 패터닝 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention devised to solve the above problems is to provide a method for patterning silver nanowires that can achieve cost reduction and manufacturing time reduction by greatly eliminating the process.
또한, 본 발명의 다른 목적은 환경에 유해한 식각액을 사용할 필요 없이 은 나노와이어의 패턴 형성이 가능한 은 나노와이어의 패터닝 방법을 제공하기 위함이다.Another object of the present invention is to provide a patterning method of silver nanowires capable of forming patterns of silver nanowires without using an etchant that is harmful to the environment.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명은 기판 상에 은 나노와이어 층을 형성하는 단계, 상기 은 나노와이어 층의 상측에 마스크를 위치시키는 단계 및 상기 은 나노와이어 층에 대하여 아르곤 플라즈마 처리를 먼저 진행한 후, 산소 플라즈마 처리를 진행하는 단계를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the present invention comprises the steps of forming a silver nanowire layer on a substrate, placing a mask on top of the silver nanowire layer and the silver nanowire layer The argon plasma treatment may be performed first, and then the oxygen plasma treatment may be performed.
또한, 상기 플라즈마 처리를 진행하는 단계는, 상기 은 나노와이어 층 중 상기 마스크를 통해 노출되는 부분을 선택적으로 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 한다.In the step of performing the plasma treatment, the portion of the silver nanowire layer exposed through the mask may be selectively plasma treated.
또한, 상기 은 나노와이어 층 중 선택적으로 플라즈마 처리된 부분은, 비전도성을 띄는 것을 특징으로 한다.In addition, the plasma-treated portion of the silver nanowire layer is characterized in that it is non-conductive.
또한, 상기 마스크는, 상기 은 나노와이어 층으로부터 상측으로 소정 거리 이격되어 위치하는 것을 특징으로 한다.The mask may be positioned to be spaced apart from the silver nanowire layer upward by a predetermined distance.
또한, 상기 마스크는, 상기 은 나노와이어 층 상에 직접 적층된 것을 특징으로 한다.In addition, the mask is characterized in that directly laminated on the silver nanowire layer.
또한, 상기 마스크를 위치시키는 단계는, 인쇄 공정을 통하여 상기 은 나노와이어 층 상에 상기 마스크를 형성하는 것을 특징으로 한다.In the positioning of the mask, the mask may be formed on the silver nanowire layer through a printing process.
또한, 상기 마스크는, 포토레지스트인 것을 특징으로 한다.The mask may be a photoresist.
또한, 상기 플라즈마 처리를 진행하는 단계의 종료 이후, 상기 마스크를 제거하는 단계를 더 포함한다.The method may further include removing the mask after completion of the plasma processing.
이상 살펴본 바와 같은 본 발명에 따르면, 공정을 대폭 삭제함으로써 비용 절감 및 제조 시간 감소 등을 달성할 수 있는 은 나노와이어의 패터닝 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention as described above, it is possible to provide a method for patterning silver nanowires that can achieve cost reduction and manufacturing time by greatly eliminating the process.
또한, 본 발명에 따르면 환경에 유해한 식각액을 사용할 필요 없이 은 나노와이어의 패턴 형성이 가능한 은 나노와이어의 패터닝 방법을 제공할 수 있다.In addition, according to the present invention can provide a patterning method of silver nanowires capable of pattern formation of silver nanowires without the use of an environmentally harmful etching solution.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 은 나노와이어의 패터닝 방법을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 은 나노와이어의 패터닝 방법을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a patterning method of silver nanowires according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a patterning method of silver nanowires according to another embodiment of the present invention.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 본 발명과 관계없는 부분은 본 발명의 설명을 명확하게 하기 위하여 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in various forms. In the following description, it is assumed that a part is connected to another part, But also includes a case in which other elements are electrically connected to each other in the middle thereof. In the drawings, parts not relating to the present invention are omitted for clarity of description, and like parts are denoted by the same reference numerals throughout the specification.
이하, 본 발명의 실시예들 및 이를 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예에 의한 은 나노와이어의 패터닝 방법에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a patterning method of silver nanowires according to an embodiment of the present invention will be described with reference to embodiments of the present invention and drawings for describing the same.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 은 나노와이어의 패터닝 방법을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a patterning method of silver nanowires according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 은 나노와이어의 패터닝 방법은 은 나노와이어 층 형성 단계(S110), 마스크 설치 단계(S120), 플라즈마 처리 단계(S130)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the method for patterning silver nanowires according to an embodiment of the present invention includes a silver nanowire layer forming step S110, a mask installing step S120, and a plasma processing step S130.
은 나노와이어 층 형성 단계(S110)에서는 준비된 기판(100)의 일면 상에 은 나노와이어 층(110)을 형성한다. In the silver nanowire layer forming step (S110), the
은 나노와이어 층(110)은 은 나노와이어(AgNWs)로 이루어진 층으로서, 기판(100)의 일면 상에 소정의 두께로 형성될 수 있다. The
이 때, 은 나노와이어는 탄소나노튜브(Carbon Nanotube), 폴리카보네이트 멤브레인(Polycarbonate Membrane) 등의 주형을 이용하는 방법, 나노 미세결정의 브로민화은(AgBr)과 질산은(AgNO3)을 사용하는 방법, 두 개의 은 전극을 질산나트륨(NaNO3)수용액에 넣고 아크 방전시키는 방법, PVA(Poly Vinylalcohol), PVP(Poly Vinlypyrrolidone) 등의 고분자를 이용하여 환원시키는 방법 등을 통해 합성될 수 있다. In this case, silver nanowires are formed using carbon nanotubes, polycarbonate membranes, and the like, and silver nanobromide (AgBr) and silver nitrate (AgNO3). The silver electrode may be synthesized through a method of arc discharge in an aqueous solution of sodium nitrate (NaNO 3), reduction using a polymer such as polyvinylalcohol (PVA), polyvinlypyrrolidone (PVP), or the like.
다만, 은 나노와이어의 합성은 상기 기재된 방법에만 국한되지 않고, 그 외 다양한 방법에 의해 이루어질 수 있다. However, the synthesis of silver nanowires is not limited to the above-described method, but may be performed by various other methods.
이러한 은 나노와이어는 소정의 용매와 함께 은 나노와이어 층(110)을 구성할 수 있다. Such silver nanowires may constitute the
이 때, 기판(100)은 일례로 유리, 플라스틱, 실리콘 또는 합성수지와 같은 절연성을 가지는 재질로 이루어질 수 있으며, 그 외 금속 등으로 형성될 수 있다.In this case, the
또한, 기판(100)은 휘거나 접힘이 가능하도록 유연성을 가지는 필름으로 구현될 수 있다. 일례로, 기판(10)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(Polymethylmetharcylate; PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate; PEN), 폴리에테르술폰(Polyethersulfone; PES), 고리형 올레핀 고분자(Cyclic olefin copolymer; COC), TAC(Triacetylcellulose), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol; PVA), 폴리이미드(Polyimide; PI), 폴리스틸렌(Polystyrene; PS) 등으로 형성될 수 있다.In addition, the
마스크 설치 단계(S120)에서는 은 나노와이어 층 형성 단계(S110)에서 형성된 은 나노와이어 층(110)의 상측에 마스크(120)를 위치시킨다. In the mask installation step S120, the
마스크(120)에는 소정의 패턴으로 형성된 개구부(125)가 존재하고 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이 마스크(120)는 은 나노와이어 층(110)과 소정 거리 이격되어 있을 수 있다. An
플라즈마 처리 단계(S130)에서는 은 나노와이어 층(110)에 대하여 아르곤(Ar) 플라즈마 처리를 먼저 진행한 후, 산소(O2) 플라즈마 처리를 재차 진행한다. In the plasma treatment step S130, the argon (Ar) plasma treatment is first performed on the
은 나노와이어 층(110)의 상측에 위치하는 마스크(120)에는 개구부(125)가 형성되어 있으므로, 은 나노와이어 층(110) 중 개구부(125)를 통해 노출되는 부분만이 선택적으로 플라즈마 처리되게 된다. Since the
패턴 완성 단계(S140)를 참조하면, 은 나노와이어 층(110) 중 선택적으로 플라즈마 처리된 부분(130)은 아래와 같은 산화 반응에 의하여 비전도성(Nonconductive)을 띄게 된다. Referring to the pattern completion step S140, the selectively plasma-treated
4Ag(s) + Os(g) --> 2Ag2O(s)4Ag (s) + Os (g)-> 2Ag 2 O (s)
즉, 마스크(120)를 통해 플라즈마에 노출된 영역(130)은 산화 반응을 통해 비전도성을 갖게 되고, 이에 따라 플라즈마에 노출되지 않은 영역(140)은 비전도성을 띄는 영역에 의해 구분될 수 있으므로, 상기 플라즈마 처리되지 않은 영역(140)은 소정의 형상을 갖는 전도성 패턴이 될 수 있다. That is, the
그러므로, 상기와 같은 패터닝 방법을 통해 공정을 대폭 삭제함으로써 비용 절감 및 제조 시간 감소 등을 달성할 수 있으며, 환경에 유해한 식각액을 사용할 필요 없이 은 나노와이어의 패턴 형성이 가능하다.
Therefore, cost reduction and manufacturing time can be achieved by drastically eliminating the process through the patterning method as described above, and it is possible to form a pattern of silver nanowires without using an etchant that is harmful to the environment.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 은 나노와이어의 패터닝 방법을 나타낸 도면이다.2 is a view showing a patterning method of silver nanowires according to another embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 은 나노와이어의 패터닝 방법은 은 나노와이어 층 형성 단계(S210), 마스크 설치 단계(S220), 플라즈마 처리 단계(S230) 및 마스크 제거 단계(S240)를 포함한다. 2, the silver nanowire patterning method according to another embodiment of the present invention is a silver nanowire layer forming step (S210), mask installation step (S220), plasma treatment step (S230) and mask removal step (S240) ).
은 나노와이어 층 형성 단계(S210)에서는 준비된 기판(200)의 일면 상에 은 나노와이어 층(210)을 형성한다. In the silver nanowire layer forming step (S210), the
은 나노와이어 층(210)은 다수의 은 나노와이어(AgNWs)를 함유하고 있는 층으로서, 기판(200)의 일면 상에 소정의 두께로 코팅될 수 있다. The
이 때, 은 나노와이어는 탄소나노튜브(Carbon Nanotube), 폴리카보네이트 멤브레인(Polycarbonate Membrane) 등의 주형을 이용하는 방법, 나노 미세결정의 브로민화은(AgBr)과 질산은(AgNO3)을 사용하는 방법, 두 개의 은 전극을 질산나트륨(NaNO3)수용액에 넣고 아크 방전시키는 방법, PVA(Poly Vinylalcohol), PVP(Poly Vinlypyrrolidone) 등의 고분자를 이용하여 환원시키는 방법 등을 통해 합성될 수 있다. In this case, silver nanowires are formed using carbon nanotubes, polycarbonate membranes, and the like, and silver nanobromide (AgBr) and silver nitrate (AgNO3). The silver electrode may be synthesized through a method of arc discharge in an aqueous solution of sodium nitrate (NaNO 3), reduction using a polymer such as polyvinylalcohol (PVA), polyvinlypyrrolidone (PVP), or the like.
다만, 은 나노와이어의 합성은 상기 기재된 방법에만 국한되지 않고, 그 외 다양한 방법에 의해 이루어질 수 있다. However, the synthesis of silver nanowires is not limited to the above-described method, but may be performed by various other methods.
이러한 은 나노와이어는 소정의 용매와 함께 은 나노와이어 층(210)을 구성할 수 있다. Such silver nanowires may constitute the
이 때, 기판(200)은 일례로 유리, 플라스틱, 실리콘 또는 합성수지와 같은 절연성을 가지는 재질로 이루어질 수 있으며, 그 외 금속 등으로 형성될 수 있다.In this case, the
또한, 기판(200)은 휘거나 접힘이 가능하도록 유연성을 가지는 필름으로 구현될 수 있다. 일례로, 기판(200)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(Polymethylmetharcylate; PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate; PEN), 폴리에테르술폰(Polyethersulfone; PES), 고리형 올레핀 고분자(Cyclic olefin copolymer; COC), TAC(Triacetylcellulose), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol; PVA), 폴리이미드(Polyimide; PI), 폴리스틸렌(Polystyrene; PS) 등으로 형성될 수 있다.In addition, the
마스크 설치 단계(S220)에서는 은 나노와이어 층 형성 단계(S210)에서 형성된 은 나노와이어 층(210) 상에 마스크(220)를 직접 적층할 수 있다. In the mask installation step S220, the
이 때, 마스크(220)는 인쇄 공정을 통하여 상기 은 나노와이어 층(210) 상에 직접 형성될 수 있다. In this case, the
또한, 상기 마스크(220)는 포토레지스트(Photoresist) 일 수 있다. In addition, the
플라즈마 처리 단계(S230)에서는 은 나노와이어 층(210)에 대하여 아르곤(Ar) 플라즈마 처리를 먼저 진행한 후, 산소(O2) 플라즈마 처리를 재차 진행한다. In the plasma treatment step (S230), argon (Ar) plasma treatment is first performed on the
은 나노와이어 층(210)의 상측에 위치하는 마스크(220)에는 소정의 패턴을 갖는 개구부(225)가 존재하고 있으므로, 은 나노와이어 층(210) 중 개구부(225)를 통해 노출되는 부분만이 선택적으로 플라즈마 처리되게 된다. Since the
마스크 제거 단계(S240)에서는 플라즈마 처리 단계(S230)가 종료되면, 은 나노와이어 층(210) 상에 존재하는 마스크(220)를 제거한다. In the mask removing step S240, when the plasma processing step S230 ends, the
결국, 은 나노와이어 층(210) 중 선택적으로 플라즈마 처리된 부분(230)은 아래와 같은 산화 반응에 의하여 비전도성(Nonconductive)을 띄게 된다. As a result, the selectively plasma-treated
4Ag(s) + Os(g) --> 2Ag2O(s)4Ag (s) + Os (g)-> 2Ag 2 O (s)
즉, 마스크(220)를 통해 플라즈마에 노출된 영역(230)은 산화 반응을 통해 비전도성을 갖게 되고, 이에 따라 플라즈마에 노출되지 않은 영역(240)은 비전도성을 띄는 영역에 의해 구분될 수 있으므로, 상기 플라즈마 처리되지 않은 영역(240)은 소정의 형상을 갖는 전도성 패턴이 될 수 있다. That is, the
그러므로, 상기와 같은 패터닝 방법을 통해 공정을 대폭 삭제함으로써 비용 절감 및 제조 시간 감소 등을 달성할 수 있으며, 환경에 유해한 식각액을 사용할 필요 없이 은 나노와이어의 패턴 형성이 가능하다. Therefore, cost reduction and manufacturing time can be achieved by drastically eliminating the process through the patterning method as described above, and it is possible to form a pattern of silver nanowires without using an etchant that is harmful to the environment.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the foregoing detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and the equivalents thereof are included in the scope of the present invention Should be interpreted.
100, 200: 기판
110, 210: 은 나노와이어 층
120, 220: 마스크 100, 200: substrate
110, 210: silver nanowire layer
120, 220: mask
Claims (8)
상기 은 나노와이어 층의 상측에 마스크를 위치시키는 단계; 및
상기 은 나노와이어 층에 대하여 아르곤 플라즈마 처리를 먼저 진행한 후, 산소 플라즈마 처리를 진행하는 단계; 를 포함하는 은 나노와이어의 패터닝 방법.Forming a silver nanowire layer on the substrate;
Positioning a mask on top of the silver nanowire layer; And
Performing an argon plasma treatment on the silver nanowire layer first, followed by an oxygen plasma treatment; Patterning method of silver nanowires comprising a.
상기 은 나노와이어 층 중 상기 마스크를 통해 노출되는 부분을 선택적으로 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어의 패터닝 방법.The method of claim 1, wherein the performing of the plasma process comprises:
And selectively plasma treating a portion of the silver nanowire layer exposed through the mask.
상기 은 나노와이어 층 중 선택적으로 플라즈마 처리된 부분은, 비전도성을 띄는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어의 패터닝 방법. 3. The method of claim 2,
The selectively plasma-treated portion of the silver nanowire layer is non-conductive, characterized in that the patterning method of silver nanowires.
상기 은 나노와이어 층으로부터 상측으로 소정 거리 이격되어 위치하는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어의 패터닝 방법.The method of claim 1, wherein the mask,
Method of patterning silver nanowires, characterized in that located at a predetermined distance spaced upwards from the silver nanowire layer.
상기 은 나노와이어 층 상에 직접 적층된 것을 특징으로 하는 은 나노와이어의 패터닝 방법.The method of claim 1, wherein the mask,
The silver nanowire patterning method, characterized in that directly stacked on the silver nanowire layer.
인쇄 공정을 통하여 상기 은 나노와이어 층 상에 상기 마스크를 형성하는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어의 패터닝 방법.The method of claim 6, wherein positioning the mask comprises:
The patterning method of silver nanowires, characterized in that to form the mask on the silver nanowire layer through a printing process.
포토레지스트인 것을 특징으로 하는 은 나노와이어의 패터닝 방법.The method of claim 5, wherein the mask,
It is a photoresist, The patterning method of the silver nanowire.
상기 플라즈마 처리를 진행하는 단계의 종료 이후, 상기 마스크를 제거하는 단계; 를 더 포함하는 은 나노와이어의 패터닝 방법.The method of claim 5,
After the completion of the plasma processing, removing the mask; Patterning method of silver nanowires further comprising.
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|---|---|---|---|
| KR1020120070848A KR20140002360A (en) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | Method for patterning silver nanowires |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170000692A (en) | 2015-06-24 | 2017-01-03 | 광주과학기술원 | Printing apparatua and method for nano-scale substance |
| US10438715B2 (en) | 2014-11-12 | 2019-10-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanostructure, method of preparing the same, and panel units comprising the nanostructure |
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2012
- 2012-06-29 KR KR1020120070848A patent/KR20140002360A/en not_active Withdrawn
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| KR20170000692A (en) | 2015-06-24 | 2017-01-03 | 광주과학기술원 | Printing apparatua and method for nano-scale substance |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20120629 |
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| N231 | Notification of change of applicant | ||
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