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KR20130036447A - 백라이트 유닛 - Google Patents

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KR20130036447A
KR20130036447A KR1020110100530A KR20110100530A KR20130036447A KR 20130036447 A KR20130036447 A KR 20130036447A KR 1020110100530 A KR1020110100530 A KR 1020110100530A KR 20110100530 A KR20110100530 A KR 20110100530A KR 20130036447 A KR20130036447 A KR 20130036447A
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light emitting
reflector
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cavity
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오남석
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시예에 따른 백라이트 유닛은 회로 패턴이 형성된 기판과, 상기 기판 상에 배치되는 적어도 하나의 발광소자를 포함하는 발광 모듈; 상기 발광 모듈의 상부에 배치되는 확산 플레이트; 상기 발광소자의 상부면과 마주보도록 상기 확산 플레이트의 하부면 상에 배치되는 파장변환 시트를 포함한다.

Description

백라이트 유닛{BACK LIGHT UNIT}
실시예는 백라이트 유닛에 관한 것이다.
일반적으로, 대표적인 대형 디스플레이 장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 등이 있다.
자발광 방식의 PDP와는 다르게 LCD는 자체적인 발광소자의 부재로 인해 별도의 백라이트 유닛이 필수적이다.
LCD에 사용되는 백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 에지(edge) 방식의 백라이트 유닛과 직하 방식의 백라이트 유닛으로 구분되는데, 기존 에지 방식이나 직하 방식의 백라이트 유닛의 광원으로는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)를 이용하였다.
그러나, CCFL을 이용한 백라이트 유닛은 항상 CCFL에 전원이 인가되므로 상당량의 전력이 소모되며, CRT에 비해 약 70% 수준의 색 재현율, 수은이 첨가됨에 따른 환경 오염 문제들이 단점으로 지적되고 있다.
상기 문제점을 해소하기 위한 대체품으로 현재 LED(Light Emitting diode)를 이용한 백라이트 유닛에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
LED를 백라이트 유닛으로 사용하는 경우, LED 어레이의 부분적인 온/오프가 가능하여 소모전력을 획기적으로 줄일 수 있으며, RGB LED의 경우, NTSC (National Television System Committee) 색 재현 범위 사양의 100%를 상회하여 보다 생생한 화질을 소비자에게 제공할 수 있다.
또한, 반도체 공정으로 제작되는 LED는 환경에 무해한 것이 특징이다.
현재 상기와 같은 장점을 가진 LED를 채용한 LCD제품들이 속속들이 출시되고 있으나, 기존 CCFL 광원과 구동 메커니즘이 상이하므로, 구동 드라이버, PCB 기판 등이 고가이다. 따라서, LED 백라이트 유닛은 아직 고가의 LCD 제품에만 적용되고 있다.
에지 방식의 백라이트 유닛은 LCD 패널의 좌우 측면 또는 상하 측면에 광원을 배치하고 도광판을 이용하여 빛을 전면에 고르게 분산시키므로 빛의 균일성이 좋고 패널 두께의 초박형화가 가능하다.
직하 방식의 백라이트 유닛은 보통 20인치 이상의 디스플레이에 사용되는 기술로써, 패널 하부에 광원을 복수 개로 배치하므로 에지 방식에 비해 광효율이 우수한 장점이 있어 고휘도를 요구하는 대형 디스플레이에 주로 사용된다.
직하 방식의 백라이트 유닛에 일반적으로 사용되는 발광소자 패키지는 지향각을 조절하기 위하여 렌즈를 사용하는데, 발광소자 패키지에 사용되는 파장변환체의 불균일성 및 렌즈의 사용으로 인해 각도별 색 편차(yellow ring)나 무라(mura)와 같은 현상이 발생하여 색 균일도가 저하되는 문제점이 존재한다.
실시예는 백라이트 유닛의 색 균일도(color uniformity)를 개선하고자 한다.
실시예에 따른 백라이트 유닛은 회로 패턴이 형성된 기판과, 상기 기판 상에 배치되는 적어도 하나의 발광소자를 포함하는 발광 모듈; 상기 발광 모듈의 상부에 배치되는 확산 플레이트; 상기 발광소자의 상부면과 마주보도록 상기 확산 플레이트의 하부면 상에 배치되는 파장변환 시트를 포함한다.
상기 파장변환 시트는 발광소자 각각에 대응하여 복수 개의 영역으로 나뉘어 형성될 수 있다.
상기 기판 상에 배치되고 상기 발광소자를 둘러싸는 리플렉터를 더 포함할 수 있다.
상기 리플렉터는 하부가 개방된 적어도 하나의 캐비티가 형성될 수 있다.
상기 리플렉터의 캐비티의 수평 단면 형상이 원형, 타원형, 또는 다각형일 수 있다.
상기 리플렉터의 캐비티의 측벽이, 상기 발광소자가 배치된 기판과 둔각을 이루는 경사면으로 이루어질 수 있다.
상기 리플렉터의 캐비티의 측벽이 기설정된 곡률을 가진 경사면으로 이루어질 수 있다.
상기 리플렉터의 캐비티의 측벽이 적어도 하나의 변곡점을 갖는 적어도 두 개의 경사면으로 이루어질 수 있다.
상기 리플렉터의 캐비티 하나에 둘 이상의 발광소자가 배치될 수 있다.
상기 리플렉터는 강화 유리 또는 PET로 이루어질 수 있다.
상기 파장변환 시트의 수평 단면 형상이 원형, 타원형, 또는 다각형일 수 있다.
상기 리플렉터는 인접하는 캐비티들의 측벽 상부가 서로 연결되어 일체형으로 형성될 수 있다.
상기 기판 상에 배치되는 반사 시트를 더 포함할 수 있다.
상기 발광소자는 상기 파장변환 시트와 이격되어 배치될 수 있다.
상기 발광 모듈의 배면에 부착되는 방열패드를 더 포함할 수 있다.
실시예에 따른 백라이트 유닛에 의하면, 렌즈를 사용하지 않고 확산 플레이트 하부면 상에 균일한 파장변환체를 도포함으로써 색 균일도를 개선할 수 있고, 백라이트 유닛의 두께를 줄일 수 있다.
도 1 및 도 2는 일실시예에 따른 직하 방식의 백라이트 유닛의 측단면도를 도시한 도면이고,
도 3 내지 도 6은 다른 실시예에 따른 직하 방식의 백라이트 유닛의 측단면도를 도시한 도면이고,
도 7 및 도 8은 실시예에 따른 직하 방식의 백라이트 유닛에서 확산 플레이트와 파장변환 시트를 위에서 내려다 본 모습을 도시한 평면도이고,
도 9 내지 도 10은 실시예에 따른 리플렉터를 위에서 내려다 본 모습을 도시한 평면도이고,
도 11 및 도 12는 리플렉터의 캐비티 내에 배치된 발광소자의 모습을 도시한 도면이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1 및 도 2는 일실시예에 따른 직하 방식의 백라이트 유닛의 측단면도를 도시한 도면이다.
일실시예에 따른 직하 방식의 백라이트 유닛(100)에는 광을 방출하는 복수 개의 광원이 배치되는데, 복수 개의 발광소자(110)를 칩 형태로 기판(115)에 직접 실장하는 COB(Chip On Board) 타입의 광원이 사용될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 백라이트 유닛(100)은 회로 패턴이 형성된 기판(115)과 상기 기판(115) 상에 배치되는 적어도 하나의 발광소자(110)를 포함하는 발광 모듈(117)과, 상기 발광 모듈(117)의 상부에 배치되는 확산 플레이트(140)와, 상기 발광소자(110)의 상부면과 마주보도록 상기 확산 플레이트(140)의 하부면 상에 배치되는 파장변환 시트(150)를 포함한다.
도 1에는 편의상 세 개의 발광소자(110)만이 포함된 발광 모듈(117)이 도시되어 있으나, 네 개 이상의 발광소자(110)가 사용될 수 있음은 물론이다상기 기판(115)에는 회로 패턴이 형성되어 있어 상기 발광소자(110)에 전류를 공급할 수 있다.
발광소자(110)는 제1 전극 패턴이 형성된 기판(115) 상의 영역에 배치되어 제1 전극 패턴과는 직접 통전되고 기판(115)에 형성된 제2 전극 패턴과는 와이어(미도시)를 이용하여 연결되어 전류를 공급받을 수도 있고, 제1, 2 전극 패턴 모두와 와이어를 이용하여 연결되어 전류를 공급받을 수도 있다.
발광소자(110)가 배치된 기판(115)의 상부면에는 발광소자(110)로부터 방출되는 빛을 백라이트 유닛(100)의 상부 방향으로 전달하는 반사 시트(120)가 배치될 수 있다.
반사 시트(120)는 반사율이 높고 초박형이 가능한 소재를 사용할 수 있다.
상기 반사 시트(120)는 발광소자(110)가 위치할 부분에 오픈 영역이 형성된 상태로 상기 기판(115) 상에 배치되며, 상기 오픈 영역에서 발광소자(110)와 기판(115)이 접촉하여 발광소자(110)에 전류가 공급될 수 있다.
상기 기판(115)의 하부에 기판(115)의 바닥면을 지지하여 바텀 커버(130)가 배치된다.
상기 바텀 커버(130)와 발광 모듈(117) 사이에는 발광소자(110)에서 발생한 열을 외부로 방출하기 위한 방열패드(미도시)가 배치될 수 있다.
즉, 상기 방열패드는 발광 모듈(11)의 기판(115)의 배면에 배치될 수 있다.
발광소자(110)에서 발생한 열이 방열패드를 거쳐 바텀 커버(130)를 통해 외부로 방출됨으로써 백라이트 유닛의 신뢰성을 확보할 수 있다.
그리고, 상기 발광소자(110)의 상부에 이격되어 확산 플레이트(diffusion plate, 140)가 배치되며, 확산 플레이트의 양 가장자리가 상기 바텀 커버(130)의 가장자리에 지지될 수 있다.
확산 플레이트(140)는 소정의 강도를 가져서 확산 플레이트(140)가 발광소자(110) 쪽으로 휘지 않고 평평한 모양을 유지할 수 있다.
확산 플레이트(140)는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 발광소자(110)로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다.
확산 플레이트(140)의 상부에는 제1 프리즘 시트와 제2 프리즘 시트 및 보호 시트(미도시)가 배치될 수 있으며, 이들 시트의 배치 순서는 변경될 수 있다.
제1 프리즘 시트는 지지필름의 일면에 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 제 1 프리즘 시트에는 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비되어 패턴이 형성될 수 있다.
제2 프리즘 시트에서의 마루와 골의 방향은 제1 프리즘 시트 내의 지지필름의 일면의 마루와 골의 방향과 수직하게 배치되어, 발광소자(110)와 반사 시트(120)로부터 전달된 빛을 패널의 전방향으로 고르게 분산시킬 수 있다.
상기 확산 플레이트(140)의 하부면 상에, 상기 발광소자들(110)과 마주보도록 파장변환 시트(150)가 배치될 수 있다.
발광소자(110)는 상기 파장변환 시트(150)와 이격되어 배치될 수 있다.
파장변환 시트(150)는 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체를 포함하여 이루어질 수 있다.
예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +) 또는 TAG(Tb3Al5O12:Ce3 +)일 수 있고, 상기 실리케이트계 형광체는 (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 +일 수 있고, 상기 니트라이드계 형광체는 SiN을 포함하는 CaAlSiN3:Eu2 +일 수 있고, 상기 옥시니트라이드계 형광체는 SiON을 포함하는 Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 +(0<x<6)일 수 있다.
실시예에서는 파장변환체가 일체형으로 포함된 발광소자 패키지를 사용하지 않고, 확산 플레이트(140)의 하부면에 파장변환체가 고르게 분포되어 이루어진 파장변환 시트(150)를 배치할 수 있다.
파장변환 시트(150)는 도 1에 도시된 바와 같이, 확산 플레이트(140)의 하부면 전체를 덮도록 배치될 수도 있고, 도 2에 도시된 바와 같이, 발광소자들(110) 각각에 대응하도록 복수 개의 영역으로 나뉘어 배치될 수도 있다.
도 3 내지 도 6은 다른 실시예에 따른 직하 방식의 백라이트 유닛의 측단면도를 도시한 도면이다.
다른 실시예에 따른 백라이트 유닛(200)은 회로 패턴이 형성된 기판(215)과 상기 기판(215) 상에 배치되는 적어도 하나의 발광소자(210)를 포함하는 발광 모듈(217)과, 상기 발광 모듈(217) 상부에 배치되는 확산 플레이트(240)와, 상기 발광소자(210)의 상부면과 마주보도록 상기 확산 플레이트(240) 하부면 상에 배치되는 파장변환 시트(250)를 포함할 수 있다.
바텀 커버(230), 기판(215), 발광소자(210), 확산 플레이트(240) 및 파장변환 시트(250)와 발광소자(210)의 배치 관계에 관한 내용은 전술된 실시예에서 설명한 바와 같으므로 다시 설명하지 않는다.
본 실시예와 전술된 실시예의 차이점은 발광소자(210)를 둘러싸면서 상기 기판(215) 상에 배치되는 리플렉터(260)를 더 포함한다는 점이다.
상기 리플렉터(260)는 반사율이 높고 초박형이 가능한 소재를 사용할 수 있으며, 예를 들어 강화 유리 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate: PET)를 사용할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이 리플렉터(260)는 하부가 개방된 복수 개의 캐비티(263)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 리플렉터(260)는 바닥면이 존재하지 않고 발광소자(210) 각각을 둘러싸는 측벽(265)만으로 이루어질 수 있다.
상기 리플렉터(260)는 발광소자(210)에서 방출된 빛을 반사하여 상부 방향, 즉 파장변환 시트(250) 및 확산 플레이트(240)의 방향으로 전달하는 광 가이드의 역할을 할 수 있다.
하부가 개방된 캐비티(263)를 통해 노출된 기판(215) 상의 영역에 반사 시트(220)가 배치될 수 있다. 상기 리플렉터(260)가 발광소자(210)로부터 방출된 빛을 반사하여 상부 방향으로 가이드하는 역할을 수행하므로 기판(215) 상에 별도의 반사 시트(220)를 배치하지 않을 수도 있으나, 반사 시트(220)가 배치될 경우 광 추출 효율이 좀 더 향상되는 효과를 기대할 수 있다.
또는, 도시되지는 않았으나, 상기 리플렉터(260)의 캐비티(263)의 측벽(265) 하부가 기판(215) 상의 영역의 일부분까지 연장 형성되어 바닥면을 형성함으로써, 별도의 반사 시트 없이 바닥면에서도 빛을 반사시키도록 할 수도 있다.
파장변환 시트(250)는 도 3에 도시된 바와 같이 확산 플레이트(240)의 하부면 전체를 덮도록 배치할 수도 있고, 도 4a에 도시된 바와 같이 발광소자들(210) 각각에 대응하여 복수 개의 영역으로 나뉘어 배치될 수도 있다.
이하에서는 파장변환 시트(250)가 복수 개의 영역으로 나뉘어 배치된 경우를 가정하여 설명하기로 한다.
리플렉터(260)의 캐비티(263)의 측벽(265)은 도 4a에 도시된 바와 같이, 직선의 경사면으로 이루어질 수도 있고, 도 5a에 도시된 바와 같이 기설정된 곡률을 가진 경사면으로 이루어질 수도 있고, 도 6a에 도시된 바와 같이 적어도 하나의 변곡점을 갖는 두 개의 경사면으로 이루어질 수도 있다.
도 4b 내지 도 6b는 도 4a 내지 도 6a에 도시된 발광소자와 기판 및 리플렉터의 일부를 확대하여 도시한 도면이다. 도 4b 내지 도 6b를 참조하여 발광소자(210)와 기판(215) 및 리플렉터(260)의 배치 관계를 자세히 설명한다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 리플렉터(260)의 캐비티(263)의 측벽(265)은 발광소자(210)가 배치된 기판(215)과 둔각(θ1)을 이루는 직선의 경사면으로 이루어질 수 있다.
리플렉터(260)의 높이 h와, 리플렉터(260)로 덮여 있어 발광소자(210)가 배치되지 않은 기판(215) 상의 영역과 캐비티(263)의 측벽(265)이 이루는 각도 θ2는 발광소자(210)의 지향각이 120도가 되도록 조절될 수 있다.
또는 도 5b에 도시된 바와 같이, 리플렉터(260)의 캐비티(263)의 측벽(265)은 기설정된 곡률 R을 가진 경사면으로 이루어질 수 있다. 곡률 R이 너무 작으면 발광소자(210)에서 발광된 빛이 상부의 어느 영역에만 집중되어 발광소자들의 이격 거리에 따라 암부가 발생할 수 있으므로 빛이 고르게 확산되어 분포될 수 있도록 R 값이 정해질 수 있다.
리플렉터(260)의 높이 h와, 리플렉터(260)로 덮여 있어 발광소자(210)가 배치되지 않은 기판(215) 상의 영역과 캐비티(263)의 측벽(265)이 이루는 각도 θ3는 발광소자(210)의 지향각이 120도가 되도록 조절될 수 있다.
도 5b에서 캐비티(263)의 측벽(265)은 곡률을 가진 경사면이기 때문에 상기 θ3는 상기 측벽(265)이 기판(215)과 만나는 지점에서 상기 경사면에 접하는 접선과 기판(215)이 이루는 각도를 의미한다.
또는 도 6b에 도시된 바와 같이, 리플렉터(260)의 캐비티(623)의 측벽(265)은 적어도 하나의 변곡점 P를 갖는 적어도 두 개의 경사면으로 이루어질 수 있다.
도 6b에서는 일 예시로서 하나의 변곡점 P를 갖는 두 개의 경사면으로 이루어진 측벽(265)을 갖는 리플렉터(260)를 도시하고 있다.
두 개의 경사면은 각각 R1과 R2의 곡률을 가질 수 있고, R1과 R2는 서로 같거나 다를 수 있다. 곡률 R1과 R2는 발광소자들의 이격 거리에 따라 암부가 발생하지 않고 빛이 고르게 확산되어 분포될 수 있도록 정해질 수 있다.
리플렉터(260)의 높이 h와, 곡률 R2를 가지는 캐비티(263)의 측벽(265)이 가상의 수평선 S와 이루는 각도 θ4는 발광소자(210)의 지향각이 120도가 되도록 조절될 수 있다.
상기 θ4는 측벽(265)이 곡률을 가진 경사면이기 때문에 곡률 R2를 가지는 캐비티(263)의 측벽(265)이 가상의 수평선 S와 만나는 지점에서 상기 경사면에 접하는 접선과 수평선 S가 이루는 각도를 의미한다.
도 7 및 도 8은 실시예에 따른 직하 방식의 백라이트 유닛에서 확산 플레이트와 파장변환 시트를 위에서 내려다 본 모습을 도시한 평면도이다.
파장변환 시트(250)의 수평 단면 형상은 원형, 타원형, 또는 다각형일 수 있다. 도 7에는 단면 형상이 정사각형인 파장변환 시트(250)가, 도 8에는 단면 형상이 원형인 파장변환 시트(250)가 예시로서 도시되어 있다.
필요에 따라 단면 형상이 원형, 타원형, 또는 다각형인 파장변환 시트들(250)이 혼합되어 하나의 백라이트 유닛에 포함될 수도 있다.
도 9 내지 도 10은 실시예에 따른 리플렉터를 위에서 내려다 본 모습을 도시한 평면도이다.
상술한 바와 같이, 리플렉터(260)는 하부가 개방된 복수 개의 캐비티(263)가 형성될 수 있다.
상기 캐비티(263)의 수평 단면 형상은 원형, 타원형, 또는 다각형일 수 있다. 도 9에는 캐비티(263)의 단면 형상이 정사각형인 리플렉터(260)가, 도 10에는 캐비티(263)의 단면 형상이 원형인 리플렉터(260)가 예시로서 도시되어 있다.
필요에 따라 하나의 리플렉터에 형성된 복수 개의 캐비티들의 단면 형상이 원형, 타원형, 또는 다각형이 혼합되어 이루어질 수도 있다.
도 11 및 도 12는 리플렉터의 캐비티 내에 배치된 발광소자의 모습을 도시한 도면이다.
일실시예에서, 상술한 바와 같이 기판(215) 위에 하부가 개방된 캐비티(263)가 형성된 리플렉터(260)가 배치되고, 상기 캐비티(263) 내의 기판(215) 상에 발광소자(210)가 배치될 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이 리플렉터(260)의 캐비티(263) 하나 당 한 개의 발광소자(210)만이 배치될 수도 있고, 도 12에 도시된 바와 같이 둘 이상의 발광소자(210)가 배치될 수도 있다.
리플렉터(260)의 캐비티(263) 내에 복수 개의 발광소자(210)가 배치된 경우, 하나의 캐비티(263) 내에 배치된 발광소자들(210)이 하나의 단위를 이루어 로컬 디밍(Local Dimming) 영역을 이룰 수 있다.
도 12에서와 같이 리플릭터(260)의 캐비티(263) 내에 복수 개의 발광소자(210)가 배치되는 경우에는 도 11에서와 같이 리플렉터(260)의 캐비티(263) 내에 하나의 발광소자(210)만이 배치되는 경우보다 리플렉터(260)에 형성된 캐비티(263)의 개수는 감소하고 캐비티(263) 하나의 크기는 더 커질 수 있다.
상술한 실시예들에 따른 백라이트 유닛(100, 200)에 패널(미도시)이 배치되어 영상표시장치를 이룰 수 있다. 패널로는 액정 표시 패널(Liquid crystal display)이 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수도 있다.
패널은, 한 쌍의 투명 기판 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 각각의 투명 기판에 올린 상태로 되어 있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.
표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.
패널의 전면에는 컬러 필터가 구비되어 있어 상기 패널에서 투사된 빛을 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.
상술한 실시예들에 따르면 발광소자에 렌즈를 사용하지 않고 확산 플레이트 하부에 균일한 파장변환체를 도포함으로써 색 편차나 무라와 같은 현상을 제거하여 색 균일도를 향상시키고, 백라이트 유닛의 두께가 감소될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다.
예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110, 210: 발광소자 115, 215: 기판
117, 217: 발광 모듈 120, 220: 반사 시트
130, 230: 바텀 커버 140, 240: 확산 플레이트

Claims (15)

  1. 회로 패턴이 형성된 기판과, 상기 기판 상에 배치되는 적어도 하나의 발광소자를 포함하는 발광 모듈;
    상기 발광 모듈의 상부에 배치되는 확산 플레이트;
    상기 발광소자의 상부면과 마주보도록 상기 확산 플레이트의 하부면 상에 배치되는 파장변환 시트를 포함하는 백라이트 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 파장변환 시트는 발광소자 각각에 대응하여 복수 개의 영역으로 나뉘어 형성된 백라이트 유닛.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치되고 상기 발광소자를 둘러싸는 리플렉터를 더 포함하는 백라이트 유닛.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 리플렉터는 하부가 개방된 적어도 하나의 캐비티가 형성된 백라이트 유닛.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 리플렉터의 캐비티의 수평 단면 형상이 원형, 타원형, 또는 다각형인 백라이트 유닛.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 리플렉터의 캐비티의 측벽이, 상기 발광소자가 배치된 기판과 둔각을 이루는 경사면으로 이루어진 백라이트 유닛.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 리플렉터의 캐비티의 측벽이 기설정된 곡률을 가진 경사면으로 이루어진 백라이트 유닛.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 리플렉터의 캐비티의 측벽이 적어도 하나의 변곡점을 갖는 적어도 두 개의 경사면으로 이루어진 백라이트 유닛.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 리플렉터의 캐비티 하나에 둘 이상의 발광소자가 배치된 백라이트 유닛.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 리플렉터는 강화 유리 또는 PET로 이루어진 백라이트 유닛.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 파장변환 시트의 수평 단면 형상이 원형, 타원형, 또는 다각형인 백라이트 유닛.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 리플렉터는 인접하는 캐비티들의 측벽 상부가 서로 연결되어 일체형으로 형성된 백라이트 유닛.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치되는 반사 시트를 더 포함하는 백라이트 유닛.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광소자는 상기 파장변환 시트와 이격되어 배치되는 백라이트 유닛.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 모듈의 배면에 부착되는 방열패드를 더 포함하는 백라이트 유닛.
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