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KR20120120926A - Liquid crystal display - Google Patents

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KR20120120926A
KR20120120926A KR1020120117797A KR20120117797A KR20120120926A KR 20120120926 A KR20120120926 A KR 20120120926A KR 1020120117797 A KR1020120117797 A KR 1020120117797A KR 20120117797 A KR20120117797 A KR 20120117797A KR 20120120926 A KR20120120926 A KR 20120120926A
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KR
South Korea
Prior art keywords
gate
transistor
voltage
signal
liquid crystal
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Ceased
Application number
KR1020120117797A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김덕성
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120117797A priority Critical patent/KR20120120926A/en
Publication of KR20120120926A publication Critical patent/KR20120120926A/en
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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 스위칭 소자를 각각 포함하는 복수의 화소, 상기 스위칭 소자에 연결되어 있으며, 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 게이트선, 상기 게이트선과 각각 연결되어 있는 회로부 및 상기 회로부와 연결되어 있는 배선부를 포함하는 게이트 구동부를 포함하고, 상기 회로부는 트랜지스터를 포함하고, 상기 배선부는 신호선을 포함하고, 상기 트랜지스터와 상기 신호선은 연결 부재를 통하여 연결되어 있다.The present invention relates to a liquid crystal display device. In an embodiment, a liquid crystal display device includes a substrate, a plurality of pixels formed on the substrate, each pixel including a plurality of switching elements, a plurality of gate lines connected to the switching elements, and extending in a row direction; A gate driver including a circuit portion connected to the gate line and a wiring portion connected to the circuit portion, wherein the circuit portion includes a transistor, the wiring portion includes a signal line, and the transistor and the signal line comprise a connection member. It is connected through.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}[0001] LIQUID CRYSTAL DISPLAY [0002]

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고, 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.The liquid crystal display device is one of the most widely used flat panel display devices, and includes two display panels having an electric field generating electrode such as a pixel electrode and a common electrode, and a liquid crystal layer interposed therebetween. The liquid crystal display displays an image by applying a voltage to the electric field generating electrode to generate an electric field in the liquid crystal layer, thereby determining the orientation of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer and controlling the polarization of the incident light.

액정 표시 장치는 또한 각 화소 전극에 연결되어 있는 스위칭 소자 및 스위칭 소자를 제어하여 화소 전극에 전압을 인가하기 위한 게이트선과 데이터선 등 다수의 신호선을 포함한다. 게이트선은 게이트 구동 회로가 생성한 게이트 신호를 생성하며, 데이터선은 데이터 구동 회로가 생성한 데이터 전압을 전달하며, 스위칭 소자는 게이트 신호에 따라 데이터 전압을 화소 전극에 전달한다.The liquid crystal display device further includes a switching element connected to each pixel electrode, and a plurality of signal lines such as a gate line and a data line for controlling the switching element to apply a voltage to the pixel electrode. The gate line generates a gate signal generated by the gate driving circuit, the data line transfers the data voltage generated by the data driving circuit, and the switching element transfers the data voltage to the pixel electrode in accordance with the gate signal.

게이트 구동부 및 데이터 구동부는 칩 형태로 이루어져 표시 패널에 실장된 다. 그러나, 최근에는 표시장치의 전체적인 사이즈를 감소시키면서 생산성을 증대시키기 위하여 게이트 구동부를 표시판에 집적하는 구조가 개발되고 있다.The gate driver and the data driver are formed in a chip form and mounted on the display panel. However, in recent years, in order to increase productivity while reducing the overall size of the display device, a structure for integrating the gate driver into the display panel has been developed.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 액정 표시 장치의 제조 공정 중 표시판에 집적된 게이트 구동부에 정전기가 유입되는 것을 방지하는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a liquid crystal display that prevents static electricity from flowing into a gate driver integrated in a display panel during a manufacturing process of a liquid crystal display.

이러한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 액정 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 스위칭 소자를 각각 포함하는 복수의 화소, 상기 스위칭 소자에 연결되어 있으며, 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 게이트선, 상기 게이트선과 각각 연결되어 있는 회로부 및 상기 회로부와 연결되어 있는 배선부를 포함하는 게이트 구동부를 포함하고, 상기 회로부는 트랜지스터를 포함하고, 상기 배선부는 신호선을 포함하고, 상기 트랜지스터와 상기 신호선은 연결 부재를 통하여 연결되어 있다.According to an aspect of the present invention, a liquid crystal display device includes a substrate, a plurality of pixels formed on the substrate, each pixel including a plurality of switching elements, and a plurality of gate lines connected to the switching elements and extending in a row direction. And a gate driver including a circuit part connected to the gate line and a wiring part connected to the circuit part, wherein the circuit part includes a transistor, the wiring part includes a signal line, and the transistor and the signal line are connecting members. Connected via

상기 신호선은 상기 트랜지스터에 주사 시작 신호를 전달할 수 있다.The signal line may transmit a scan start signal to the transistor.

상기 트랜지스터 및 상기 신호선은 상기 게이트선과 동일한 재질로 이루어져있다.The transistor and the signal line are made of the same material as the gate line.

상기 연결 부재는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)를 포함할 수 있다.The connection member may include indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

상기 연결 부재와 상기 신호선 및 상기 트랜지스터 사이에 형성되어 있는 보호막을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a passivation layer formed between the connection member, the signal line, and the transistor.

상기 보호막에는 상기 신호선과 상기 연결 부재를 연결하는 제1 접촉 구멍 및 상기 트랜지스터와 상기 연결 부재를 연결하는 제2 접촉 구멍이 형성되어 있을 수 있다.The passivation layer may have a first contact hole connecting the signal line and the connection member and a second contact hole connecting the transistor and the connection member.

상기 트랜지스터는 상기 연결 부재를 통하여 상기 신호선과 연결되는 적어도 하나의 인입선을 포함할 수 있다.The transistor may include at least one lead wire connected to the signal line through the connection member.

본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 스위칭 소자를 각각 포함하는 복수의 화소, 상기 스위칭 소자에 연결되어 있으며, 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 게이트선, 상기 게이트선과 각각 연결되어 있는 복수의 회로부 및 상기 회로부와 연결되어 있는 배선부를 포함하는 게이트 구동부를 포함하고, 상기 배선부는 신호선을 포함하고, 상기 회로부는 신호선과 연결되어 있는 트랜지스터를 포함하며, 상기 트랜지스터는 상기 신호선과 직접 연결되어 있는 적어도 2개 이상의 인입선을 포함한다.A liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention includes a substrate, a plurality of pixels formed on the substrate, each pixel including a plurality of switching elements, a plurality of gate lines connected to the switching elements, and extending in a row direction, A gate driver including a plurality of circuit parts connected to the gate line and a wiring part connected to the circuit part, the wiring part including a signal line, the circuit part including a transistor connected to the signal line, and the transistor Includes at least two lead wires directly connected to the signal line.

상기 신호선은 상기 트랜지스터에 주사 시작 신호를 전달할 수 있다.The signal line may transmit a scan start signal to the transistor.

상기 트랜지스터 및 상기 신호선은 상기 게이트선과 동일한 재질로 이루어질수 있다.The transistor and the signal line may be made of the same material as the gate line.

본 발명에 따르면 액정 표시 장치의 제조 공정 중 표시판에 집적된 게이트 구동부에 정전기가 유입되는 것을 방지하여 게이트 구동부의 손상을 최소화한다.According to the present invention, damage to the gate driver is minimized by preventing static electricity from flowing into the gate driver integrated in the display panel during the manufacturing process of the liquid crystal display.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 블록도.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 평면도.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 구동부의 블록도.
도 5는 도 4에 도시한 게이트 구동부용 시프트 레지스터의 j 번째 스테이지의 회로도의 한 예,
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 구동부 중 첫번째 및 두번째 스테이지의 개략적인 배치도.
도 7은 도 6에 도시한 게이트 구동부의 일부를 확대 도시한 배치도.
도 8은 도 7의 게이트 구동부를 Ⅷ-Ⅷ 선을 따라 잘라 도시한 단면도.
도 9a 및 도 10a는 도 7 및 도 8에 도시한 게이트 구동부의 제조 공정을 설명하는 배치도이며, 도 9b 및 도 10b는 각각 도 9a 및 도 10a를 각각 Ⅸb-Ⅸb 및 Ⅹb-Ⅹb 선을 따라 잘라 도시한 단면도.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 게이트 구동부의 일부를 도시하는 배치도.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 게이트 구동부의 일부를 도시하는 배치도.
1 is a block diagram of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a plan view of a liquid crystal panel assembly according to an embodiment of the present invention.
4 is a block diagram of a gate driver according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is an example of a circuit diagram of the j-th stage of the shift register for gate driver shown in FIG. 4;
6 is a schematic layout view of the first and second stages of a gate driver according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is an enlarged layout view of a portion of the gate driver illustrated in FIG. 6. FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view of the gate driver of FIG. 7 taken along the line VIII-VIII. FIG.
9A and 10A are layout views illustrating a manufacturing process of the gate driver shown in FIGS. 7 and 8, and FIGS. 9B and 10B are cut along the lines VII-b and VII-b, respectively. Shown cross section.
11 is a layout view showing a portion of a gate driver according to another embodiment of the present invention.
12 is a layout view showing a portion of a gate driver according to another embodiment of the present invention.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. When a portion of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on top" of another part, this includes not only when the other part is "right on" but also another part in the middle. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

먼저, 도 1 및 도 2를 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.First, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 블록도이며, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.FIG. 1 is a block diagram of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정 표시판 조립체(liquid crystal panel assembly)(300)와 이에 연결된 게이트 구동부(400) 및 데이터 구동부(500), 데이터 구동부(500)에 연결된 계조 전압 생성부(800), 그리고 이들을 제어하는 신호 제어부(600)를 포함한다.1 and 2, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a liquid crystal panel assembly 300, a gate driver 400, a data driver 500, and a data driver connected thereto. The gray voltage generator 800 connected to the 500 and a signal controller 600 for controlling the gray voltage generator 800 are included.

액정 표시판 조립체(300)는 등가 회로로 볼 때 복수의 신호선(G1-Gn, D1-Dm)과 이에 연결되어 있으며 대략 행렬의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다. 반면, 도 2에 도시한 구조로 볼 때 액정 표시판 조립체(300)는 서로 마주하는 하부 및 상부 표시판(100, 200)과 그 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.The liquid crystal panel assembly 300 may include a plurality of signal lines G 1 -G n and D 1 -D m and a plurality of pixels PX connected to the plurality of signal lines G 1 -G n and D 1 -D m , which are arranged in a substantially matrix form. Include. 2, the liquid crystal display panel assembly 300 includes lower and upper display panels 100 and 200 facing each other and a liquid crystal layer 3 interposed therebetween.

신호선은 게이트 신호("주사 신호"라고도 함)를 전달하는 복수의 게이트선(G1-Gn)과 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(D1-Dm)을 포함한다. 게이트선(G1-Gn)은 대략 행 방향으로 뻗으며 서로가 거의 평행하고, 데이터선(D1-Dm)은 대략 열 방향으로 뻗으며 서로가 거의 평행하다.The signal line includes a plurality of gate lines G 1 -G n transmitting a gate signal (also referred to as a “scan signal”) and a plurality of data lines D 1 -D m transmitting a data signal. The gate lines G 1 to G n extend in a substantially row direction and are substantially parallel to each other, and the data lines D 1 to D m extend in a substantially column direction and are substantially parallel to each other.

각 화소(PX)는 신호선에 연결된 스위칭 소자(Q)와 이에 연결된 액정 축전기(liquid crystal capacitor)(Clc) 및 유지 축전기(storage capacitor)(Cst)를 포함한다. 유지 축전기(Cst)는 필요에 따라 생략할 수 있다.Each pixel PX includes a switching element Q connected to a signal line and a liquid crystal capacitor Clc and a storage capacitor Cst connected thereto. The storage capacitor Cst can be omitted if necessary.

스위칭 소자(Q)는 하부 표시판(100)에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 그 제어 단자는 게이트선(Gi)과 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(Dj)과 연결되어 있으며, 출력 단자는 액정 축전기(Clc) 및 유지 축전기(Cst)와 연결되어 있다.The switching element Q is a three terminal element such as a thin film transistor provided in the lower panel 100. The control terminal is connected to the gate line G i and the input terminal is connected to the data line D j And the output terminal is connected to the liquid crystal capacitor Clc and the storage capacitor Cst.

액정 축전기(Clc)는 하부 표시판(100)의 화소 전극(191)과 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)을 두 단자로 하며 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)은 유전체로서 기능한다. 화소 전극(191)은 스위칭 소자(Q)와 연결되며 공통 전극(270)은 상부 표시판(200)의 전면에 형성되어 있고 공통 전압(Vcom)을 인가받는다. 도 2에서와는 달리 공통 전극(270)이 하부 표시판(100)에 구비되는 경우도 있으며 이때에는 두 전극(191, 270) 중 적어도 하나가 선형 또는 막대형으로 만들어질 수 있다.The liquid crystal capacitor Clc has the pixel electrode 191 of the lower panel 100 and the common electrode 270 of the upper panel 200 as two terminals and the liquid crystal layer 3 between the two electrodes 191 and 270, . The pixel electrode 191 is connected to the switching element Q and the common electrode 270 is formed on the entire surface of the upper panel 200 to receive the common voltage Vcom. 2, the common electrode 270 may be provided on the lower panel 100. At this time, at least one of the two electrodes 191 and 270 may be linear or bar-shaped.

액정 축전기(Clc)의 보조적인 역할을 하는 유지 축전기(Cst)는 하부 표시판(100)에 구비된 별개의 신호선(도시하지 않음)과 화소 전극(191)이 절연체를 사이에 두고 중첩되어 이루어지며 이 별개의 신호선에는 공통 전압(Vcom) 따위의 정해진 전압이 인가된다. 그러나 유지 축전기(Cst)는 화소 전극(191)이 절연체를 매개로 바로 위의 전단 게이트선과 중첩되어 이루어질 수 있다.The storage capacitor Cst serving as an auxiliary capacitor of the liquid crystal capacitor Clc is formed by superimposing a separate signal line (not shown) and a pixel electrode 191 provided on the lower panel 100 with an insulator interposed therebetween, A predetermined voltage such as the common voltage Vcom is applied to the separate signal lines. However, the storage capacitor Cst may be formed by overlapping the pixel electrode 191 with the previous gate line immediately above via an insulator.

한편, 색 표시를 구현하기 위해서는 각 화소(PX)가 기본색(primary color) 중 하나를 고유하게 표시하거나(공간 분할) 각 화소(PX)가 시간에 따라 번갈아 기본색을 표시하게(시간 분할) 하여 이들 기본색의 공간적, 시간적 합으로 원하는 색상이 인식되도록 한다. 기본색의 예로는 적색, 녹색, 청색 등 삼원색을 들 수 있다. 도 2는 공간 분할의 한 예로서 각 화소(PX)가 화소 전극(191)에 대응하는 상부 표시판(200)의 영역에 기본색 중 하나를 나타내는 색 필터(230)를 구비함을 보여주고 있다. 도 2와는 달리 색 필터(230)는 하부 표시판(100)의 화소 전극(191) 위 또는 아래에 형성할 수도 있다.On the other hand, in order to implement color display, each pixel PX uniquely displays one of primary colors (space division), or each pixel PX alternately displays a basic color (time division) So that the desired color is recognized by the spatial and temporal sum of these basic colors. Examples of basic colors include red, green, and blue. 2 shows that each pixel PX has a color filter 230 indicating one of the basic colors in an area of the upper panel 200 corresponding to the pixel electrode 191 as an example of space division. 2, the color filter 230 may be formed on or below the pixel electrode 191 of the lower panel 100. [

액정 표시판 조립체(300)의 바깥 면에는 빛을 편광시키는 적어도 하나의 편광자(도시하지 않음)가 부착되어 있다.At least one polarizer (not shown) for polarizing light is attached to the outer surface of the liquid crystal panel assembly 300.

다시 도 1을 참고하면, 계조 전압 생성부(800)는 화소(PX)의 투과율과 관련된 두 벌의 계조 전압 집합(또는 기준 계조 전압 집합)을 생성한다. 두 벌 중 한 벌은 공통 전압(Vcom)에 대하여 양의 값을 가지고 다른 한 벌은 음의 값을 가진다.Referring again to FIG. 1, the gradation voltage generator 800 generates two sets of gradation voltages (or a set of reference gradation voltages) related to the transmittance of the pixel PX. One of the two has a positive value for the common voltage (Vcom) and the other has a negative value.

게이트 구동부(400)는 액정 표시판 조립체(300)의 게이트선(G1-Gn)과 연결되어 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff)의 조합으로 이루어진 게이트 신호를 게이트선(G1-Gn)에 인가한다. 게이트 구동부(400)는 실질적으로 시프트 레지스터로서 일렬로 배열된 복수의 스테이지(stage)를 포함하며, 신호선(G1-Gn, D1-Dm) 및 박막 트랜지스터 스위칭 소자(Q) 따위와 함께 동일한 공정으로 액정 표시판 조립체(300) 위에 형성되어 집적되어 있다.The gate driver 400 is connected to the gate lines G 1 -G n of the liquid crystal panel assembly 300 and supplies a gate signal composed of a combination of the gate-on voltage Von and the gate-off voltage Voff to the gate line G 1 -G n . The gate driver 400 includes a plurality of stages substantially arranged in a row as a shift register, and together with the signal lines G 1 -G n , D 1 -D m , and the thin film transistor switching element Q. In the same process, the liquid crystal panel assembly 300 is formed and integrated.

데이터 구동부(500)는 액정 표시판 조립체(300)의 데이터선(D1-Dm)에 연결되어 있으며, 계조 전압 생성부(800)로부터의 계조 전압을 선택하고 이를 데이터 신호로서 데이터선(D1-Dm)에 인가한다. 그러나 계조 전압 생성부(800)가 모든 계조에 대한 전압을 모두 제공하는 것이 아니라 정해진 수의 기준 계조 전압만을 제공하는 경우에, 데이터 구동부(500)는 기준 계조 전압을 분압하여 전체 계조에 대한 계조 전압을 생성하고 이 중에서 데이터 신호를 선택한다.The data driver 500 is connected to the data lines D 1 -D m of the liquid crystal panel assembly 300 and selects the gradation voltage from the gradation voltage generator 800 and supplies it as a data signal to the data line D 1 -D m . However, when the gradation voltage generator 800 provides only a predetermined number of reference gradation voltages instead of providing all the voltages for all gradations, the data driver 500 divides the reference gradation voltage and supplies the gradation voltage And selects a data signal among them.

신호 제어부(600)는 게이트 구동부(400) 및 데이터 구동부(500) 등을 제어한다.The signal controller 600 controls the gate driver 400, the data driver 500, and the like.

이러한 구동 장치(500, 600, 800) 각각은 적어도 하나의 집적 회로 칩의 형태로 액정 표시판 조립체(300) 위에 직접 장착되거나, 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되어 TCP(tape carrier package)의 형태로 액정 표시판 조립체(300)에 부착되거나, 별도의 인쇄 회로 기판(printed circuit board)(도시하지 않음) 위에 장착될 수도 있다. 이와는 달리, 이들 구동 장치(500, 600, 800)가 신호선(G1-Gn, D1-Dm) 및 박막 트랜지스터 스위칭 소자(Q) 따위와 함께 액정 표시판 조립체(300)에 집적될 수도 있다. 또한, 구동 장치(500, 600, 800)는 단일 칩으로 집적될 수 있으며, 이 경우 이들 중 적어도 하나 또는 이들을 이루는 적어도 하나의 회로 소자가 단일 칩 바깥에 있을 수 있다.Each of the driving devices 500, 600, and 800 may be mounted directly on the liquid crystal panel assembly 300 in the form of at least one integrated circuit chip, or mounted on a flexible printed circuit film (not shown). And attached to the liquid crystal panel assembly 300 in the form of a tape carrier package (TCP) or mounted on a separate printed circuit board (not shown). Alternatively, these driving devices 500, 600, and 800 may be integrated in the liquid crystal panel assembly 300 together with the signal lines G 1 -G n , D 1 -D m , and the thin film transistor switching element Q. . In addition, the driving apparatuses 500, 600, and 800 may be integrated into a single chip, in which case at least one of them or at least one circuit element constituting them may be outside the single chip.

그러면 이러한 액정 표시 장치의 동작에 대하여 상세하게 설명한다.The operation of the liquid crystal display device will now be described in detail.

신호 제어부(600)는 외부의 그래픽 제어기(도시하지 않음)로부터 입력 영상 신호(R, G, B) 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호를 수신한다. 입력 제어 신호의 예로는 수직 동기 신호(Vsync)와 수평 동기 신호(Hsync), 메인 클록(MCLK), 데이터 인에이블 신호(DE) 등이 있다.The signal controller 600 receives an input control signal for controlling the display of the input image signals R, G, and B from an external graphic controller (not shown). Examples of the input control signal include a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a main clock MCLK, and a data enable signal DE.

신호 제어부(600)는 입력 영상 신호(R, G, B)와 입력 제어 신호를 기초로 입력 영상 신호(R, G, B)를 액정 표시판 조립체(300)의 동작 조건에 맞게 적절히 처리하고 게이트 제어 신호(CONT1) 및 데이터 제어 신호(CONT2) 등을 생성한 후, 게이트 제어 신호(CONT1)를 게이트 구동부(400)로 내보내고 데이터 제어 신호(CONT2)와 처리한 영상 신호(DAT)를 데이터 구동부(500)로 내보낸다.The signal controller 600 properly processes the input image signals R, G, and B according to operating conditions of the liquid crystal panel assembly 300 based on the input image signals R, G, and B and the input control signal, and controls the gate. After generating the signal CONT1 and the data control signal CONT2, the gate control signal CONT1 is sent to the gate driver 400, and the data control signal CONT2 and the processed image signal DAT are transmitted to the data driver 500. Export to).

게이트 제어 신호(CONT1)는 주사 시작을 지시하는 주사 시작 신호(STV)와 게이트 온 전압(Von)의 출력 주기를 제어하는 적어도 하나의 클록 신호를 포함한다. 게이트 제어 신호(CONT1)는 또한 게이트 온 전압(Von)의 지속 시간을 한정하는 출력 인에이블 신호(OE)를 더 포함할 수 있다.The gate control signal CONT1 includes at least one clock signal for controlling the output period of the scan start signal STV indicating the start of scanning and the gate-on voltage Von. The gate control signal CONT1 may further include an output enable signal OE that defines the duration of the gate on voltage Von.

데이터 제어 신호(CONT2)는 한 행[묶음]의 화소(PX)에 대한 영상 데이터의 전송 시작을 알리는 수평 동기 시작 신호(STH)와 데이터선(D1-Dm)에 데이터 신호를 인가하라는 로드 신호(LOAD) 및 데이터 클록 신호(HCLK)를 포함한다. 데이터 제어 신호(CONT2)는 또한 공통 전압(Vcom)에 대한 데이터 신호의 전압 극성(이하 "공통 전압에 대한 데이터 신호의 전압 극성"을 줄여 "데이터 신호의 극성"이라 함)을 반전시키는 반전 신호(RVS)를 더 포함할 수 있다.The data control signal CONT2 includes a horizontal synchronization start signal STH for notifying the start of transmission of video data to the pixel PX of one row and a load for applying a data signal to the data lines D 1 to D m Signal LOAD and a data clock signal HCLK. The data control signal CONT2 is also an inverted signal which inverts the voltage polarity of the data signal with respect to the common voltage Vcom (hereinafter referred to as "the polarity of the data signal by reducing the voltage polarity of the data signal with respect to the common voltage" RVS).

신호 제어부(600)로부터의 데이터 제어 신호(CONT2)에 따라, 데이터 구동부(500)는 한 행[묶음]의 화소(PX)에 대한 디지털 영상 신호(DAT)를 수신하고, 각 디지털 영상 신호(DAT)에 대응하는 계조 전압을 선택함으로써 디지털 영상 신호(DAT)를 아날로그 데이터 신호로 변환한 다음, 이를 해당 데이터선(D1-Dm)에 인가한다.The data driver 500 receives the digital video signal DAT for the pixel PX of one row and outputs the digital video signal DAT for the pixel PX in accordance with the data control signal CONT2 from the signal controller 600. [ ) To convert the digital video signal DAT into an analog data signal, and then applies the analog data signal to the corresponding data lines D 1 -D m .

게이트 구동부(400)는 신호 제어부(600)로부터의 게이트 제어 신호(CONT1)에 따라 게이트 온 전압(Von)을 게이트선(G1-Gn)에 인가하여 이 게이트선(G1-Gn)에 연결된 스위칭 소자(Q)를 턴온시킨다. 그러면, 데이터선(D1-Dm)에 인가된 데이터 신호가 턴온된 스위칭 소자(Q)를 통하여 해당 화소(PX)에 인가된다.Gate driver 400 is a signal control gate lines (G 1 -G n) is applied to the gate line of the gate-on voltage (Von), (G 1 -G n) in accordance with the gate control signal (CONT1) of from 600 The switching element Q is turned on. Then, the data signal applied to the data lines D 1 -D m is applied to the corresponding pixel PX through the turned-on switching element Q.

화소(PX)에 인가된 데이터 신호의 전압과 공통 전압(Vcom)의 차이는 액정 축전기(Clc)의 충전 전압, 즉 화소 전압으로서 나타난다. 액정 분자들은 화소 전압의 크기에 따라 그 배열을 달리하며 이에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 편광이 변화한다. 이러한 편광의 변화는 표시판 조립체(300)에 부착된 편광자에 의하여 빛의 투과율 변화로 나타난다.The difference between the voltage of the data signal applied to the pixel PX and the common voltage Vcom appears as the charging voltage of the liquid crystal capacitor Clc, that is, the pixel voltage. The liquid crystal molecules have different arrangements according to the magnitude of the pixel voltage, and thus the polarization of light passing through the liquid crystal layer 3 changes. Such a change in polarization is caused by a change in the transmittance of light by the polarizer attached to the display panel assembly 300.

1 수평 주기["1H"라고도 쓰며, 수평 동기 신호(Hsync) 및 데이터 인에이블 신호(DE)의 한 주기와 동일함]를 단위로 하여 이러한 과정을 되풀이함으로써, 모든 게이트선(G1-Gn)에 대하여 차례로 게이트 온 전압(Von)을 인가하여 모든 화소(PX)에 데이터 신호를 인가하여 한 프레임(frame)의 영상을 표시한다.This process is repeated in units of one horizontal period (also referred to as "1H ", which is the same as one cycle of the horizontal synchronization signal Hsync and the data enable signal DE), so that all the gate lines G 1 -G n On voltage Von is sequentially applied to all the pixels PX to display an image of one frame by applying a data signal to all the pixels PX.

한 프레임이 끝나면 다음 프레임이 시작되고 각 화소(PX)에 인가되는 데이터 신호의 극성이 이전 프레임에서의 극성과 반대가 되도록 데이터 구동부(500)에 인가되는 반전 신호(RVS)의 상태가 제어된다("프레임 반전"). 이때, 한 프레임 내에서도 반전 신호(RVS)의 특성에 따라 한 데이터선을 통하여 흐르는 데이터 신호의 극성이 바뀌거나(보기: 행 반전, 점 반전), 한 화소행에 인가되는 데이터 신호의 극성도 서로 다를 수 있다(보기: 열 반전, 점 반전).At the end of one frame, the next frame starts and the state of the inversion signal RVS applied to the data driver 500 is controlled such that the polarity of the data signal applied to each pixel PX is opposite to the polarity of the previous frame ( "Frame inversion"). At this time, the polarity of the data signal flowing through one data line changes (for example, row inversion and dot inversion) depending on the characteristics of the inversion signal RVS in one frame, or the polarity of the data signal applied to one pixel row is different (For example, thermal inversion, dot inversion).

그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시판 조립체와 액정 표시판 조립체에 형성되어 있는 게이트 구동부에 대하여 도 3 내지 도 6을 참고하여 상세하게 설명한다.Next, the liquid crystal panel assembly and the gate driver formed in the liquid crystal panel assembly according to the exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시판 조립체를 도시하는 평면도이다.3 is a plan view illustrating a liquid crystal panel assembly according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시판 조립체(300)는 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(도시하지 않음) 및 이들 두 표시판 사이에 들어 있는 액정층(도시하지 않음)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the liquid crystal panel assembly 300 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a thin film transistor array panel 100, a common electrode display panel (not shown), and a liquid crystal layer (not shown) between the two display panels. ).

액정 표시판 조립체(300)는 영상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)으로 나뉜다.The liquid crystal panel assembly 300 is divided into a display area DA displaying an image and a peripheral area PA.

표시 영역(DA)의 기판(110)에는 게이트선(G1-Gn), 게이트선(G1-Gn)과 교차하는 데이터선(D1-Dm), 게이트선(G1-Gn) 및 데이터선(D1-Dm)과 연결되어 있는 박막 트랜지스터(도시하지 않음), 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극(191) 등이 형성된다.The substrate 110 of the display area DA has a gate line G 1 -G n , a data line D 1 -D m intersecting with the gate lines G 1 -G n , and a gate line G 1 -G. n ), a thin film transistor (not shown) connected to the data lines D 1 -D m , a pixel electrode 191 connected to the thin film transistor, and the like are formed.

표시 영역(DA)의 상부 주변 영역(PA)에는 데이터선(D1-Dm)과 연결되는 데이터 구동부(도시하지 않음)가 장착되어 있다. A data driver (not shown) connected to the data lines D 1 -D m is mounted in the upper peripheral area PA of the display area DA.

표시 영역(DA)의 측부 주변 영역(PA)에는 게이트 구동부(400)가 집적되어 형성되어 있다.A gate driver 400 is integrated and formed in a side peripheral area PA of the display area DA.

표시 영역(DA)의 상부 주변 영역(PA)에는 신호 제어부(600) 등으로부터 제어 신호를 게이트 구동부(400)에 입력하기 위한 오엘비(out lead bonding: OLB)(50) 패드가 형성되어 있다. 게이트 구동부(400)와 오엘비 패드(50)는 복수의 제1 연결 배선(81)으로 연결되어 있다.In the upper peripheral area PA of the display area DA, an OLB pad for inputting a control signal from the signal controller 600 or the like to the gate driver 400 is formed. The gate driver 400 and the OELB pad 50 are connected by a plurality of first connection wires 81.

표시 영역(DA)의 측부 주변 영역(PA)에는 게이트 구동부(400)와 이웃하는 테스트 패드부(60)가 형성되어 있다. 테스트 패드부(60)는 복수의 패드를 포함하며, 각 패드에는 액정 표시판 조립체 등을 테스트 하는 클록 신호(CK) 또는 주사 시작 신호(STV) 등이 입력된다. 테스트 패드부(60)는 복수의 제2 연결 배선(82)을 통하여 오엘비 패드(50)에 연결되며, 테스트 신호는 오엘비 패드(50)를 통하여 게이트 구동부(400)에 입력된다.The test pad part 60 adjacent to the gate driver 400 is formed in the side peripheral area PA of the display area DA. The test pad unit 60 includes a plurality of pads, and a clock signal CK or a scan start signal STV for testing the liquid crystal panel assembly or the like is input to each pad. The test pad unit 60 is connected to the OELB pad 50 through the plurality of second connection wires 82, and the test signal is input to the gate driver 400 through the OELB pad 50.

이제 도 4 내지 도 6을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 게이트 구동부(400)에 대하여 상세하게 설명한다.Now, the gate driver 400 of the liquid crystal panel assembly according to the exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 6.

도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 구동부의 블록도이고, 도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 구동부용 시프트 레지스터의 j 번째 스테이지의 회로도이며, 도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 구동부 중 첫번째 및 두번째 스테이지의 배치도이다.4 is a block diagram of a gate driver according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a circuit diagram of the j-th stage of a shift register for a gate driver according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an embodiment of the present invention. The layout of the first and second stages of the gate driver according to the example.

도 4 내지 도 6을 참고하면, 게이트 구동부(400)인 시프트 레지스터(400)에는 주사 시작 신호(STV), 제1 및 제2 클록 신호(CLK1, CLK2)가 입력된다. 각 시프트 레지스터(400)는 게이트선에 각각 연결되어 있는 복수의 스테이지(ST1, STj-1, STj, STj+1, STn+1)를 포함한다. 복수의 스테이지(ST1, STj-1, STj, STj+1, STn+1)는 서로 종속적으로 연결되어 있으며, 주사 시작 신호(STV), 제1 및 제2 클록 신호(CLK1, CLK2)가 입력된다.4 to 6, the scan start signal STV and the first and second clock signals CLK1 and CLK2 are input to the shift register 400 which is the gate driver 400. Each shift register 400 includes a plurality of stages ST1, STj-1, STj, STj + 1, and STn + 1 connected to gate lines, respectively. The plurality of stages ST1, STj-1, STj, STj + 1, and STn + 1 are connected to each other independently, and the scan start signal STV and the first and second clock signals CLK1 and CLK2 are input. .

각 클록 신호(CLK1, CLK2)는 하이인 경우에는 화소의 스위칭 소자(Q)를 구동할 수 있는 게이트 온 전압(Von)이고 로우인 경우는 게이트 오프 전압(Voff)인 것이 바람직하다.Each of the clock signals CLK1 and CLK2 may be a gate on voltage V on capable of driving the switching element Q of the pixel when it is high, and a gate off voltage V off when it is low.

각 스테이지(ST1, STj-1, STj, STj+1, STn+1)는 세트 단자(S), 게이트 전압 단자(GV), 한 쌍의 클록 단자(CK1, CK2), 리세트 단자(R), 프레임 리세트 단자(FR), 그리고 게이트 출력 단자(OUT1) 및 캐리 출력 단자(OUT2)를 가지고 있다.Each stage ST1, STj-1, STj, STj + 1, STn + 1 has a set terminal S, a gate voltage terminal GV, a pair of clock terminals CK1, CK2, and a reset terminal R. And a frame reset terminal FR, and a gate output terminal OUT1 and a carry output terminal OUT2.

각 스테이지, 예를 들면 j번째 스테이지(STj)의 세트 단자(S)에는 전단 스테이지[ST(j-1)]의 캐리 출력, 즉 전단 캐리 출력[Cout(j-1)]이, 리세트 단자(R)에는 후단 스테이지[ST(j+2)]의 게이트 출력, 즉 후단 게이트 출력[Gout(j+1)]이 입력되고, 클록 단자(CK1, CK2)에는 클록 신호(CLK1, CLK2)가 입력되며, 게이트 전압 단자(GV)에는 게이트 오프 전압(Voff)이 입력된다. 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 출력[Gout(j)]을 내보내고 캐리 출력 단자(OUT2)는 캐리 출력[Cout(j)]을 내보낸다.In each stage, for example, the set terminal S of the j-th stage STj, the carry output of the front stage ST (j-1), that is, the front carry output Cout (j-1), is a reset terminal. The gate output of the rear stage [ST (j + 2)], that is, the rear gate output Gout (j + 1), is input to R, and the clock signals CLK1 and CLK2 are supplied to the clock terminals CK1 and CK2. The gate off voltage V off is input to the gate voltage terminal GV. The gate output terminal OUT1 outputs the gate output Gout (j) and the carry output terminal OUT2 outputs the carry output Cout (j).

단, 각 시프트 레지스터(400)의 첫 번째 스테이지에는 전단 캐리 출력 대신 주사 시작 신호(STV)가 입력된다. 또한, j 번째 스테이지(STj)의 제1 클록 단자(CK1)에 제1 클록 신호(CLK1)가, 제2 클록 단자(CK2)에 제2 클록 신호(CLK2)가 입력되는 경우, 이에 인접한 (j-1)번째 및 (j+1)번째 스테이지[ST(j-1), ST(j+1)]의 제1 클록 단자(CK1)에는 제2 클록 신호(CLK2)가, 제2 클록 단자(CK2)에는 제1 클록 신호(CLK1)가 입력된다.However, the scan start signal STV is input to the first stage of each shift register 400 instead of the front carry output. In addition, when the first clock signal CLK1 is input to the first clock terminal CK1 of the j-th stage STj and the second clock signal CLK2 is input to the second clock terminal CK2, it is adjacent to (j). The second clock signal CLK2 is provided to the first clock terminal CK1 of the -1) th and (j + 1) th stages (ST (j-1) and ST (j + 1)), and the second clock terminal ( The first clock signal CLK1 is input to CK2.

도 5를 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 구동부(400)의 각 스테이지, 예를 들면 j 스테이지는, 입력부(420), 풀업 구동부(430), 풀다운 구동부(440) 및 출력부(450)를 포함한다. 이들은 적어도 하나의 NMOS 트랜지스터(T1-T14)를 포함하며, 풀업 구동부(430)와 출력부(450)는 축전기(C1-C3)를 더 포함한다. 그러나 NMOS 트랜지스터 대신 PMOS 트랜지스터를 사용할 수도 있다. 또한, 축전기(C1-C3)는 실제로, 공정시에 형성되는 게이트와 드레인/소스간 기생 용량(parasitic capacitance)일 수 있다.Referring to FIG. 5, each stage of the gate driver 400 according to an embodiment of the present invention, for example, the j stage, includes an input unit 420, a pull-up driver 430, a pull-down driver 440, and an output unit ( 450). These include at least one NMOS transistor T1-T14, and the pull-up driver 430 and output 450 further include capacitors C1-C3. However, PMOS transistors may be used instead of NMOS transistors. Also, the capacitors C1-C3 may actually be the parasitic capacitance between the gate and the drain / source formed in the process.

입력부(420)는 세트 단자(S)와 게이트 전압 단자(GV)에 차례로 직렬로 연결되어 있는 세 개의 트랜지스터(T11, T10, T5)를 포함한다. 트랜지스터(T11, T5)의 게이트는 클록 단자(CK2)에 연결되어 있으며 트랜지스터(T10)의 게이트는 클록 단자(CK1)에 연결되어 있다. 트랜지스터(T11)와 트랜지스터(T10) 사이의 접점은 접점(J1)에 연결되어 있고, 트랜지스터(T10)와 트랜지스터(T5) 사이의 접점은 접점(J2)에 연결되어 있다.The input section 420 includes three transistors T11, T10 and T5 connected in series to the set terminal S and the gate voltage terminal GV in order. Gates of the transistors T11 and T5 are connected to the clock terminal CK2, and gates of the transistor T10 are connected to the clock terminal CK1. The contact between the transistor T11 and the transistor T10 is connected to the contact J1, and the contact between the transistor T10 and the transistor T5 is connected to the contact J2.

풀업 구동부(430)는 세트 단자(S)와 접점(J1) 사이에 연결되어 있는 트랜지스터(T4)와 클록 단자(CK1)와 접점(J3) 사이에 연결되어 있는 트랜지스터(T12), 그리고 클록 단자(CK1)와 접점(J4) 사이에 연결되어 있는 트랜지스터(T7)를 포함한다. 트랜지스터(T4)의 게이트와 드레인은 세트 단자(S)에 공통으로 연결되어 있으며 소스는 접점(J1)에 연결되어 있고, 트랜지스터(T12)의 게이트와 드레인은 클록 단자(CK1)에 공통으로 연결되어 있고 소스는 접점(J3)에 연결되어 있다. 트랜지스터(T7)의 게이트는 접점(J3)에 연결됨과 동시에 축전기(C1)를 통하여 클록 단자(CK1)에 연결되어 있고, 드레인은 클록 단자(CK1)에, 소스는 접점(J4)에 연결되어 있으며, 접점(J3)과 접점(J4) 사이에 축전기(C2)가 연결되어 있다.The pull-up driving unit 430 includes a transistor T4 connected between the set terminal S and the contact J1, a transistor T12 connected between the clock terminal CK1 and the contact J3, and a clock terminal ( And transistor T7 connected between CK1 and contact J4. The gate and the drain of the transistor T4 are commonly connected to the set terminal S, the source is connected to the contact J1, and the gate and the drain of the transistor T12 are commonly connected to the clock terminal CK1. And the source is connected to contact J3. The gate of the transistor T7 is connected to the contact J3 and at the same time connected to the clock terminal CK1 through the capacitor C1, the drain is connected to the clock terminal CK1, the source is connected to the contact J4. , Capacitor C2 is connected between contact J3 and contact J4.

풀다운 구동부(440)는 소스를 통하여 게이트 오프 전압(Voff)을 입력받아 드레인을 통하여 접점(J1, J2, J3, J4)으로 출력하는 복수의 트랜지스터(T6, T9, T13, T8, T3, T2)를 포함한다. 트랜지스터(T6)의 게이트는 프레임 리세트 단자(FR)에, 드레인은 접점(J1)에 연결되어 있고, 트랜지스터(T9)의 게이트는 리세트 단자(R)에, 드레인은 접점(J1)에 연결되어 있으며, 트랜지스터(T13, T8)의 게이트는 접점(J2)에 공통으로 연결되어 있고, 드레인은 각각 접점(J3, J4)에 연결되어 있다. 트랜지스터(T3)의 게이트는 접점(J4)에, 트랜지스터(T2)의 게이트는 리세트 단자(R)에 연결되어 있으며, 두 트랜지스터(T3, T2)의 드레인은 접점(J2)에 연결되어 있다.The pull-down driver 440 receives the gate-off voltage V off through a source and outputs a plurality of transistors T6, T9, T13, T8, T3, and T2 through a drain to the contacts J1, J2, J3, and J4. ). The gate of the transistor T6 is connected to the frame reset terminal FR, the drain is connected to the contact J1, the gate of the transistor T9 is connected to the reset terminal R, and the drain is connected to the contact J1. The gates of the transistors T13 and T8 are commonly connected to the contact J2, and the drains are connected to the contacts J3 and J4, respectively. The gate of the transistor T3 is connected to the contact J4 and the gate of the transistor T2 is connected to the reset terminal R while the drains of the two transistors T3 and T2 are connected to the contact J2.

출력부(450)는 드레인과 소스가 각각 클록 단자(CK1)와 출력 단자(OUT1, OUT2) 사이에 연결되어 있고 게이트가 접점(J1)에 연결되어 있는 한 쌍의 트랜지스터(T1, T14)와 트랜지스터(T1)의 게이트와 드레인 사이, 즉 접점(J1)과 접점(J2) 사이에 연결되어 있는 축전기(C3)를 포함한다. 트랜지스터(T1)의 소스는 또한 접점(J2)에 연결되어 있다.The output unit 450 includes a pair of transistors T1 and T14 having a drain and a source connected between the clock terminal CK1 and the output terminals OUT1 and OUT2 and a gate connected to the contact J1, respectively. And a capacitor C3 connected between the gate and the drain of T1, that is, between the contact J1 and the contact J2. The source of transistor T1 is also connected to contact J2.

그러면 이러한 스테이지의 동작에 대하여 설명한다.The operation of such a stage will now be described.

설명의 편의를 위하여 클록 신호(CLK1, CLK2)의 하이 레벨에 해당하는 전압을 고전압이라 하고, 클록 신호(CLK1, CLK2)의 로우 레벨에 해당하는 전압의 크기는 게이트 오프 전압(Voff)과 동일하고 이를 저전압이라 한다.For convenience of explanation, the voltage corresponding to the high level of the clock signals CLK1 and CLK2 is referred to as a high voltage, and the magnitude of the voltage corresponding to the low level of the clock signals CLK1 and CLK2 is equal to the gate off voltage V off . This is called low voltage.

먼저, 클록 신호(CLK2) 및 전단 캐리 출력[Cout(j-1)](또는 주사 시작 신호(STV))이 하이가 되면, 트랜지스터(T11, T5)와 트랜지스터(T4)가 턴온된다. 그러면 두 트랜지스터(T11, T4)는 고전압을 접점(J1)으로 전달하고, 트랜지스터(T5)는 저전압을 접점(J2)으로 전달한다. 이로 인해, 트랜지스터(T1, T14)가 턴온되어 클록 신호(CLK1)가 출력단(OUT1, OUT2)으로 출력되는데, 이 때 접점(J2)의 전압과 클록 신호(CLK1)가 모두 저전압이므로, 출력 전압[Gout(j), Cout(j)]은 저전압이 된다. 이와 동시에, 축전기(C3)는 고전압과 저전압의 차에 해당하는 크기의 전압을 충전한다.First, when the clock signal CLK2 and the front carry output Cout (j-1) (or the scan start signal STV) become high, the transistors T11 and T5 and the transistor T4 are turned on. Then, the two transistors T11 and T4 transfer a high voltage to the contact J1, and the transistor T5 transfers a low voltage to the contact J2. As a result, the transistors T1 and T14 are turned on so that the clock signal CLK1 is output to the output terminals OUT1 and OUT2. At this time, since the voltage of the contact J2 and the clock signal CLK1 are both low voltages, the output voltage [ Gout (j) and Cout (j)] become low voltage. At the same time, the capacitor C3 charges a voltage having a magnitude corresponding to the difference between the high voltage and the low voltage.

이 때, 클록 신호(CLK1) 및 후단 게이트 출력[Gout(j+1)]은 로우이고 접점(J2) 또한 로우이므로, 이에 게이트가 연결되어 있는 트랜지스터(T10, T9, T12, T13, T8, T2)는 모두 오프 상태이다.
At this time, since the clock signal CLK1 and the rear gate output Gout (j + 1) are low and the contact J2 is also low, the transistors T10, T9, T12, T13, T8, and T2 connected to the gate are connected. ) Are all off.

*이어, 클록 신호(CLK2)가 로우가 되면 트랜지스터(T11, T5)가 턴오프되고, 이와 동시에 클록 신호(CLK1)가 하이가 되면 트랜지스터(T1)의 출력 전압 및 접점(J2)의 전압이 고전압이 된다. 이 때, 트랜지스터(T10)의 게이트에는 고전압이 인가되지만 접점(J2)에 연결되어 있는 소스의 전위가 또한 동일한 고전압이므로, 게이트 소스간 전위차가 0이 되어 트랜지스터(T10)는 턴오프 상태를 유지한다. 따라서, 접점(J1)은 부유 상태가 되고 이에 따라 축전기(C3)에 의하여 고전압만큼 전위가 더 상승한다.When the clock signal CLK2 goes low, the transistors T11 and T5 are turned off, and at the same time, when the clock signal CLK1 goes high, the output voltage of the transistor T1 and the voltage of the contact J2 become high voltage. Becomes At this time, a high voltage is applied to the gate of the transistor T10, but since the potential of the source connected to the contact J2 is also the same high voltage, the potential difference between the gate sources becomes zero, so that the transistor T10 remains turned off. . Accordingly, the contact J1 is in a floating state, whereby the potential is further increased by the high voltage by the capacitor C3.

한편, 클록 신호(CLK1) 및 접점(J2)의 전위가 고전압이므로 트랜지스터(T12, T13, T8)가 턴온된다. 이 상태에서 트랜지스터(T12)와 트랜지스터(T13)가 고전압과 저전압 사이에서 직렬로 연결되며, 이에 따라 접점(J3)의 전위는 두 트랜지스터(T12, T13)의 턴온시 저항 상태의 저항값에 의하여 분압된 전압값을 가진다. 그런데, 두 트랜지스터(T13)의 턴온시 저항 상태의 저항값이 트랜지스터(T12)의 턴온시 저항 상태의 저항값에 비하여 매우 크게, 이를테면 약 10,000배 정도로 설정되어 있다고 하면 접점(J3)의 전압은 고전압과 거의 동일하다. 따라서, 트랜지스터(T7)가 턴온되어 트랜지스터(T8)와 직렬로 연결되고, 이에 따라 접점(J4)의 전위는 두 트랜지스터(T7, T8)의 턴온시 저항 상태의 저항값에 의하여 분압된 전압값을 갖는다. 이 때, 두 트랜지스터(T7, T8)의 저항 상태의 저항값이 거의 동일하게 설정되어 있으면, 접점(J4)의 전위는 고전압과 저전압의 중간값을 가지고 이에 따라 트랜지스터(T3)는 턴오프 상태를 유지한다. 이 때, 후단 게이트 출력[Gout(j+1)]이 여전히 로우이므로 트랜지스터(T9, T2) 또한 턴오프 상태를 유지한다. 따라서, 출력단(OUT1, OUT2)은 클록 신호(CLK1)에만 연결되고 저전압과는 차단되어 고전압을 내보낸다.On the other hand, since the potentials of the clock signal CLK1 and the contact J2 are high voltage, the transistors T12, T13, and T8 are turned on. In this state, the transistor T12 and the transistor T13 are connected in series between the high voltage and the low voltage, so that the potential of the contact J3 is divided by the resistance value of the resistance state at the turn-on of the two transistors T12 and T13. Voltage value. If the resistance value of the resistance state at the time of turn-on of the two transistors T13 is set to be about 10,000 times as large as the resistance value of the resistance state when the transistor T12 is turned on, the voltage of the contact J3 becomes high . Accordingly, the transistor T7 is turned on and connected in series with the transistor T8, so that the potential of the contact J4 is divided by the resistance value of the resistance state at the turn-on of the two transistors T7 and T8. Have At this time, if the resistance values of the resistance states of the two transistors T7 and T8 are set to be almost the same, the potential of the contact J4 has an intermediate value between the high voltage and the low voltage, whereby the transistor T3 is turned off. Keep it. At this time, the transistors T9 and T2 also maintain the turn-off state since the rear-stage gate output Gout (j + 1) is still low. Therefore, the output terminals OUT1 and OUT2 are connected only to the clock signal CLK1 and cut off from the low voltage to emit a high voltage.

한편, 축전기(C1)와 축전기(C2)는 양단의 전위차에 해당하는 전압을 각각 충전하는데, 접점(J3)의 전압이 접점(J5)의 전압보다 낮다.On the other hand, the capacitor C1 and the capacitor C2 charge voltages corresponding to the potential difference between both ends, respectively, and the voltage of the contact J3 is lower than the voltage of the contact J5.

이어, 후단 게이트 출력[Gout(j+1)] 및 클록 신호(CLK2)가 하이가 되고 클록 신호(CLK1)가 로우가 되면, 트랜지스터(T9, T2)가 턴온되어 접점(J1, J2)으로 저전압을 전달한다. 이 때, 접점(J1)의 전압은 축전기(C3)가 방전하면서 저전압으로 떨어지는데, 축전기(C3)의 방전 시간으로 인하여 저전압으로 완전히 내려가는 데는 어느 정도 시간을 필요로 한다. 따라서, 두 트랜지스터(T1, T14)는 후단 게이트 출력[Gout(j+1)]이 하이가 되고도 잠시동안 턴온 상태를 유지하게 되고 이에 따라 출력단(OUT1, OUT2)이 클록 신호(CLK1)와 연결되어 저전압을 내보낸다. 이어, 축전기(C3)가 완전히 방전되어 접점(J1)의 전위가 저전압에 이르면 트랜지스터(T14)가 턴오프되어 출력단(OUT2)이 클록 신호(CLK1)와 차단되므로, 캐리 출력[Cout(j)]은 부유 상태가 되어 저전압을 유지한다. 이와 동시에, 출력단(OUT1)은 트랜지스터(T1)가 턴오프되더라도 트랜지스터(T2)를 통하여 저전압과 연결되므로 계속해서 저전압을 내보낸다.Subsequently, when the rear gate output Gout (j + 1) and the clock signal CLK2 go high and the clock signal CLK1 goes low, the transistors T9 and T2 are turned on to low voltage to the contacts J1 and J2. To pass. At this time, the voltage of the contact J1 falls to the low voltage while the capacitor C3 discharges, but it takes some time to completely lower to the low voltage due to the discharge time of the capacitor C3. Therefore, the two transistors T1 and T14 remain turned on for a while even after the rear gate output Gout (j + 1) becomes high, so that the output terminals OUT1 and OUT2 are connected to the clock signal CLK1. To emit low voltage. Subsequently, when the capacitor C3 is completely discharged and the potential of the contact J1 reaches a low voltage, the transistor T14 is turned off and the output terminal OUT2 is cut off from the clock signal CLK1, so that the carry output Cout (j) is performed. Becomes floating and maintains low voltage. At the same time, the output terminal OUT1 continues to output a low voltage because the transistor T1 is connected to the low voltage through the transistor T2 even when the transistor T1 is turned off.

한편, 트랜지스터(T12, T13)가 턴오프되므로, 접점(J3)이 부유 상태가 된다. 또한 접점(J5)의 전압이 접점(J4)의 전압보다 낮아지는데 축전기(C1)에 의하여 접점(J3)의 전압이 접점(J5)의 전압보다 낮은 상태를 유지하므로 트랜지스터(T7)는 턴오프된다. 이와 동시에 트랜지스터(T8)도 턴오프 상태가 되므로 접점(J4)의 전압도 그만큼 낮아져 트랜지스터(T3) 또한 턴오프 상태를 유지한다. 또한, 트랜지스터(T10)는 게이트가 클록 신호(CLK1)의 저전압에 연결되고 접점(J2)의 전압도 로우이므로 턴오프 상태를 유지한다.On the other hand, since the transistors T12 and T13 are turned off, the contact J3 is in a floating state. In addition, the voltage of the contact J5 is lower than the voltage of the contact J4. The transistor T7 is turned off because the voltage of the contact J3 is kept lower than the voltage of the contact J5 by the capacitor C1. . At the same time, since the transistor T8 is also turned off, the voltage at the contact J4 is lowered by that amount, so that the transistor T3 also remains turned off. In addition, the transistor T10 maintains the turn-off state because the gate is connected to the low voltage of the clock signal CLK1 and the voltage of the contact J2 is low.

다음, 클록 신호(CLK1)가 하이가 되면, 트랜지스터(T12, T7)가 턴온되고, 접점(J4)의 전압이 상승하여 트랜지스터(T3)를 턴온시켜 저전압을 접점(J2)으로 전달하므로 출력단(OUT1)은 계속해서 저전압을 내보낸다. 즉, 비록 후단 게이트 출력[Gout(j+1)]이 출력이 로우라 하더라도 접점(J2)의 전압이 저전압이 될 수 있도록 한다.Next, when the clock signal CLK1 becomes high, the transistors T12 and T7 turn on, the voltage of the contact J4 rises, turns on the transistor T3, and transfers a low voltage to the contact J2. ) Continues to emit low voltage. That is, even if the rear gate output Gout (j + 1) has a low output, the voltage of the contact J2 can be made low.

한편, 트랜지스터(T10)의 게이트가 클록 신호(CLK1)의 고전압에 연결되고 접점(J2)의 전압이 저전압이므로 턴온되어 접점(J2)의 저전압을 접점(J1)으로 전달한다. 한편, 두 트랜지스터(T1, T14)의 드레인에는 클록 단자(CK1)가 연결되어 있어 클록 신호(CLK1)가 계속해서 인가된다. 특히, 트랜지스터(T1)는 나머지 트랜지스터들에 비하여 상대적으로 크게 만드는데, 이로 인해 게이트 드레인간 기생 용량이 커서 드레인의 전압 변화가 게이트 전압에 영향을 미칠 수 있다. 따라서, 클록 신호(CLK1)가 하이가 될 때 게이트 드레인간 기생 용량 때문에 게이트 전압이 올라가 트랜지스터(T1)가 턴온될 수도 있다. 따라서, 접점(J2)의 저전압을 접점(J1)으로 전달함으로써 트랜지스터(T1)의 게이트 전압을 저전압으로 유지하여 트랜지스터(T1)가 턴온되는 것을 방지한다.Meanwhile, since the gate of the transistor T10 is connected to the high voltage of the clock signal CLK1 and the voltage of the contact J2 is a low voltage, the gate of the transistor T10 is turned on to transfer the low voltage of the contact J2 to the contact J1. On the other hand, the clock terminal CK1 is connected to the drains of the two transistors T1 and T14, and the clock signal CLK1 is continuously applied. In particular, the transistor T1 is made relatively larger than the rest of the transistors, so that the parasitic capacitance between gate drains is large, so that the voltage change of the drain may affect the gate voltage. Therefore, when the clock signal CLK1 becomes high, the gate voltage may increase due to the parasitic capacitance between the gate and drain gates, thereby turning on the transistor T1. Therefore, by transmitting the low voltage of the contact J2 to the contact J1, the gate voltage of the transistor T1 is kept at the low voltage to prevent the transistor T1 from being turned on.

이후에는 전단 캐리 출력[Cout(j-1)]이 하이가 될 때까지 접점(J1)의 전압은 저전압을 유지하며, 접점(J2)의 전압은 클록 신호(CLK1)가 하이이고 클록 신호(CLK2)가 로우일 때는 트랜지스터(T3)를 통하여 저전압이 되고, 그 반대의 경우에는 트랜지스터(T5)를 통하여 저전압을 유지한다.Thereafter, the voltage at the contact J1 maintains a low voltage until the front carry output Cout (j-1) becomes high, and the voltage at the contact J2 has the clock signal CLK1 high and the clock signal CLK2. Is low, the low voltage is maintained through the transistor T3, and vice versa, the low voltage is maintained through the transistor T5.

한편, 트랜지스터(T6)는 마지막 더미 스테이지(도시하지 않음)에서 발생되는 초기화 신호(INT)를 입력받아 게이트 오프 전압(Voff)을 접점(J1)으로 전달하여 접점(J1)의 전압을 한번 더 저전압으로 설정한다.On the other hand, the transistor T6 receives the initialization signal INT generated in the last dummy stage (not shown) and transfers the gate-off voltage V off to the contact J1 to transfer the voltage of the contact J1 once more. Set to low voltage.

이러한 방식으로, 스테이지(400)는 전단 캐리 신호[Cout(j-1)] 및 후단 게이트 신호[Gout(j+1)]에 기초하고 클록 신호(CLK1, CLK2)에 동기하여 캐리 신호[Cout(j)] 및 게이트 신호[Gout(j)]를 생성한다.In this manner, the stage 400 is based on the front carry signal Cout (j-1) and the back gate signal Gout (j + 1) and is synchronized with the clock signals CLK1 and CLK2 to carry the carry signal Cout ( j)] and the gate signal Gout (j).

그러면 도 7, 도 8, 그리고 앞서 설명한 도 6을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 구동부와 주사 시작 신호선과의 연결 관계에 대하여 상세하게 설명한다.Next, the connection relationship between the gate driver and the scan start signal line according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 7, 8, and 6 described above.

도 7은 도 6에 도시한 게이트 구동부 중 트랜지스터(T4)와 주사 시작 신호선과 연결 관계를 도시하는 배치도이며, 도 8은 도 7을 Ⅷ-Ⅷ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 7 is a layout view illustrating a connection relationship between the transistor T4 and the scan start signal line among the gate drivers illustrated in FIG. 6, and FIG. 8 is a cross-sectional view of FIG. 7 taken along the line VIII-VIII.

도 6을 참고하면, 시프트 레지스터(400)의 첫번째 스테이지(ST1)는 전단 캐리 신호 대신 주사 시작 신호(STV)가 입력된다. 즉, 주사 시작 신호(STV)를 전달하는 주사 시작 신호선은 첫번째 스테이지(ST1)의 트랜지스터(T4)의 게이트선에 연결되어 있다. 이하 주사 시작 신호선은 첫번째 스테이지(ST1)의 트랜지스터(T4)의 연결 관계에 대하여 상세하게 설명한다.Referring to FIG. 6, the scan start signal STV is input to the first stage ST1 of the shift register 400 instead of the front carry signal. That is, the scan start signal line that transmits the scan start signal STV is connected to the gate line of the transistor T4 of the first stage ST1. Hereinafter, the scanning start signal line will be described in detail with respect to the connection relationship of the transistor T4 of the first stage ST1.

도 7 및 도 8을 참고하면, 기판(110) 위에 트랜지스터(T4)의 인입선(126) 및 주사 시작 신호선(127)이 형성되어 있다. 트랜지스터(T4)의 인입선(126) 및 주사 시작 신호선(127)은 기판(110)의 표시 영역에 형성되어 있는 게이트선(Gi, Gi-1)과 동일한 재질로 이루어져 있는 바, 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 트랜지스터(T4)의 인입선(126) 및 주사 시작 신호선(127)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.7 and 8, a lead line 126 and a scan start signal line 127 of the transistor T4 are formed on the substrate 110. The lead line 126 and the scan start signal line 127 of the transistor T4 are made of the same material as the gate lines G i and G i-1 formed in the display area of the substrate 110. ) And aluminum-based metals such as aluminum alloys, silver-based metals such as silver (Ag) and silver alloys, copper-based metals such as copper (Cu) and copper alloys, molybdenum-based metals such as molybdenum (Mo) and molybdenum alloys, and chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta) and the like. However, the lead line 126 and the scan start signal line 127 of the transistor T4 may have a multilayer structure including two conductive films (not shown) having different physical properties.

또한 트랜지스터(T4)의 인입선(126) 및 주사 시작 신호선(127)의 측면은 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30-80°인 것이 바람직하다.In addition, the side of the lead line 126 and the scan start signal line 127 of the transistor T4 is inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30-80 °.

트랜지스터(T4)의 인입선(126), 주사 시작 신호선(127) 및 기판(110) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) is formed on the lead line 126, the scan start signal line 127, and the substrate 110 of the transistor T4.

게이트 절연막(140) 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물, 유기 절연물, 저유전율 절연물 따위로 만들어진다. 유기 절연물과 저유전율 절연물의 유전 상수는 4.0 이하인 것이 바람직하며 저유전율 절연물의 예로는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등을 들 수 있다. 유기 절연물 중 감광성(photosensitivity)을 가지는 것으로 보호막(180)을 만들 수도 있으며, 보호막의 표면은 평탄할 수 있다. 그러나 보호막(180)은 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.A passivation layer 180 is formed on the gate insulating layer 140. The protective film 180 is made of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide, an organic insulating material, or a low dielectric constant insulating material. The dielectric constant of the organic insulator and the low dielectric insulator is preferably 4.0 or less. Examples of the low dielectric insulator include a-Si: C: O and a-Si: O formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). : F, etc. can be mentioned. The passivation layer 180 may be formed by having photosensitivity among the organic insulators, and the surface of the passivation layer may be flat. However, the passivation layer 180 may have a double layer structure of a lower inorganic layer and an upper organic layer.

보호막(180)에는 트랜지스터(T4)의 인입선(126) 및 주사 시작 신호선(127)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(186, 187)이 형성되어 있다.The passivation layer 180 is provided with a plurality of contact holes 186 and 187 exposing the lead line 126 and the scan start signal line 127 of the transistor T4, respectively.

보호막(180) 위에는 연결 부재(86)가 형성되어 있다. 연결 부재(86)는 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전 물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 이루어진다.The connection member 86 is formed on the passivation layer 180. The connecting member 86 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO, or a reflective metal such as aluminum, silver, or an alloy thereof.

트랜지스터(T4)의 인입선(126)은 접촉 구멍(186, 187)을 통하여 주사 시작 신호선(127)과 물리적, 전기적으로 연결되어 주사 시작 신호선(127)으로부터 주시 시작 신호(STV)를 인가 받는다.The lead line 126 of the transistor T4 is physically and electrically connected to the scan start signal line 127 through the contact holes 186 and 187 to receive the gaze start signal STV from the scan start signal line 127.

이제 도 9a, 도 9b, 도 10a, 도 10b, 그리고 앞서 설명한 도 7 및 도 8을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 구동부 제조 방법의 일부에 대하여 설명한다.A part of a method of manufacturing a gate driver according to an exemplary embodiment of the present invention will now be described with reference to FIGS. 9A, 9B, 10A, 10B, and FIGS. 7 and 8.

도 9a 및 도 10a는 본 발명의 한 실시예에 따라 게이트 구동부를 제조하는 방법의 일부를 도시하는 배치도이며, 도 9b 및 도 10b는 각각 도 9a 및 도 10a를 Ⅸ-Ⅸ 및 Ⅹ-Ⅹ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.9A and 10A are layout views showing a part of a method of manufacturing a gate driver according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 9B and 10B illustrate the V-V and V-V lines of FIGS. 9A and 10A, respectively. It is a cross-sectional view cut along.

이하, 설명의 편의를 위하여 본 발명의 한 실시예에 따른 게이트 구동부(400)중 도 7 및 도 8에 도시한 부분에 대해 중점적으로 설명한다.Hereinafter, for convenience of description, portions of the gate driver 400 according to an embodiment of the present invention shown in FIGS. 7 and 8 will be described.

도 9a 및 도 9b를 참고하면, 투명 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 금속층을 형성한 후, 식각하여 주사 시작 신호선(127), 복수의 트랜지스터 및 트랜지스터(T4)의 인입선(126)을 형성한다.Referring to FIGS. 9A and 9B, after forming a metal layer on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic, the metal layer is etched to scan the signal line 127, the lead lines 126 of the plurality of transistors and the transistor T4. To form.

이어서 도 10a 및 도 10b에 도시한 바와 같이, 트랜지스터(T4)의 인입선(126) 및 주시 신호 시작 신호선(127) 위에 질화규소(SiNx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(140)을 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 방법으로 형성한다.Subsequently, as shown in FIGS. 10A and 10B, the gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) is deposited on the lead line 126 and the start signal start signal line 127 of the transistor T4. vapor deposition, PECVD).

그 후, 게이트 절연막(140) 위에 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 방법으로 보호막(180)을 적층한다. 그 후 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)을 식각하여 트랜지스터(T4)의 인입선(126) 및 주사 시작 신호선(127)의 일부를 노출한다.Thereafter, the passivation layer 180 is deposited on the gate insulating layer 140 by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method. Thereafter, the passivation layer 180 and the gate insulating layer 140 are etched to expose a portion of the lead line 126 and the scan start signal line 127 of the transistor T4.

이어서 도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이, 보호막(180) 위에 IZO 또는 ITO층을 스퍼터링으로 적층하고 감광막을 이용한 사진 공정으로 패터닝하여 연결 부재(86)를 형성한다.Subsequently, as shown in FIGS. 7 and 8, the IZO or ITO layer is deposited on the protective film 180 by sputtering and patterned by a photo process using a photosensitive film to form a connecting member 86.

이와 같은 공정 중에는 정전기가 발생하기 쉽다. 특히 트랜지스터(T4)의 인입선(126) 및 주사 시작 신호선(127)을 형성한 후에 진행되는, 게이트 절연막(140) 및 보호막(180)의 적층 공정과 식각 공정 중에 정전기가 발생하기 쉽다. 정전기가 발생하면, 정전기는 테스트 패드부(60)를 통하여 게이트 구동부(400)로 인입되기 쉽다. 테스트 패드부(60) 중 주사 시작 신호선(127)과 직접 연결되어 있는 트랜지스터(T4)는 정전기 발생에 따른 손상을 입기 쉽다. 따라서 본 발명과 같이 트랜지스터(T4)의 인입선(126) 및 주사 시작 신호선(127)을 직접 연결하지 않고 분리하여 형성한 후에, 정전기가 주로 발생하는 게이트 절연막(140) 및 보호막(180)의 형성 공정 이 후 연결 부재(86)를 통하여 트랜지스터(T4)의 인입선(126) 및 주사 시작 신호선(127)을 연결하면 정전기로 인한 트랜지스터(T4)의 피해를 방지할 수 있다.Static electricity is apt to occur during such a process. In particular, static electricity is likely to be generated during the lamination process and the etching process of the gate insulating layer 140 and the passivation layer 180, which are performed after the lead line 126 and the scan start signal line 127 of the transistor T4 are formed. When static electricity is generated, the static electricity is easily drawn into the gate driver 400 through the test pad unit 60. The transistor T4 directly connected to the scan start signal line 127 among the test pad portions 60 is liable to be damaged by the generation of static electricity. Therefore, after forming the lead line 126 and the scan start signal line 127 of the transistor T4 without being directly connected as in the present invention, a process of forming the gate insulating layer 140 and the passivation layer 180 where static electricity is mainly generated. Thereafter, when the lead line 126 and the scan start signal line 127 of the transistor T4 are connected through the connection member 86, damage of the transistor T4 due to static electricity may be prevented.

이제 도 11을 참고하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 게이트 구동부에 대하여 상세하게 설명한다.A gate driver according to another exemplary embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to FIG. 11.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 게이트 구동부의 일부를 도시하는 배치도이다.11 is a layout view illustrating a part of a gate driver according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 11을 참고하면, 기판(도시하지 않음) 위에 트랜지스터(T4)의 인입선(128) 및 주사 시작 신호선(127)이 형성되어 있다. 트랜지스터(T4)의 인입선(128), 주사 시작 신호선(127) 및 기판 위에는 게이트 절연막(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 게이트 절연막 위에는 보호막(도시하지 않음)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 11, a lead line 128 and a scan start signal line 127 of the transistor T4 are formed on a substrate (not shown). A gate insulating film (not shown) is formed on the lead line 128, the scan start signal line 127, and the substrate of the transistor T4. A protective film (not shown) is formed on the gate insulating film.

도 11의 게이트 구동부는 도 7 및 도 8에 도시한 게이트 구동부와 달리 주사 시작 신호선(127)과 트랜지스터(T4)의 인입선(128)이 직접 연결되어 있다. 트랜지스터(T4)의 인입선(128)은 복수의 가지(128a, 128b, 128c)를 포함하며, 각 가지(128a, 128b, 128c)는 복수의 연결부(128d, 128e)를 통하여 서로 연결되어 있다. 정전기가 발생하여 주사 시작 신호선(127)을 통하여 트랜지스터(T4)로 유입될 때, 정전기는 복수의 가지(128a, 128b, 128c)를 통하여 분산되어 유입된다. 따라서, 주사 시작 신호선(127)과 트랜지스터(T4)의 인입선(128)이 직접 연결되어 있어도, 정전기 발생에 따른 트랜지스터(T4)의 손상을 저하된다.Unlike the gate driver shown in FIGS. 7 and 8, the gate driver of FIG. 11 is directly connected to the scan start signal line 127 and the lead line 128 of the transistor T4. Lead wire 128 of transistor T4 includes a plurality of branches 128a, 128b, and 128c, and each branch 128a, 128b, and 128c is connected to each other through a plurality of connection portions 128d and 128e. When static electricity is generated and introduced into the transistor T4 through the scan start signal line 127, the static electricity is dispersed and introduced through the plurality of branches 128a, 128b, and 128c. Therefore, even when the scan start signal line 127 and the lead wire 128 of the transistor T4 are directly connected, damage to the transistor T4 due to static electricity generation is reduced.

이제 도 12를 참고하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 게이트 구동부에 대하여 상세하게 설명한다.A gate driver according to another exemplary embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to FIG. 12.

도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 게이트 구동부를 도시하는 배치도이다.12 is a layout view illustrating a gate driver according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 12를 참고하면, 기판(도시하지 않음) 위에 트랜지스터(T4)의 인입선(126) 및 주사 시작 신호선(127)이 형성되어 있다. 트랜지스터(T4)의 인입선(128), 주사 시작 신호선(127) 및 기판 위에는 게이트 절연막(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 게이트 절연막 위에는 보호막(도시하지 않음)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 12, a lead line 126 and a scan start signal line 127 of the transistor T4 are formed on a substrate (not shown). A gate insulating film (not shown) is formed on the lead line 128, the scan start signal line 127, and the substrate of the transistor T4. A protective film (not shown) is formed on the gate insulating film.

도 12에 도시한 게이트 구동부 역시 도 11에 도시한 게이트 구동부와 마찬가지로 트랜지스터(T4)의 인입선(126)은 복수의 가지(126a, 126b, 126c)를 포함한다. 그러나 도 11의 게이트 구동부와 달리 복수의 가지(126a, 126b, 126c)가 주사 시작 신호선(127)에 직접 연결되어 있지 않다. 도 12의 게이트 구동부는 도 7 및 도 8에 도시한 게이트 구동부와 유사하게, 각각의 가지(126a, 126b, 126c)와 주시 시작 신호선(127)이 복수의 접촉 구멍(186a, 186b, 186c) 및 복수의 연결 부재(187a, 187b, 187c)를 통하여 서로 연결되어 있다. 각각의 가지(126a, 126b, 126c)는 복수의 연결부(126d, 126e)로 서로 연결되어 있다. 따라서, 정전기가 트랜지스터(T4)에 유입되는 것을 방지하고, 유입되더라도 정전기가 분산되어 그 피해를 최소화할 수 있다.Similar to the gate driver shown in FIG. 11, the gate driver shown in FIG. 12 also includes a plurality of branches 126a, 126b, and 126c of the lead line 126 of the transistor T4. However, unlike the gate driver of FIG. 11, the plurality of branches 126a, 126b, and 126c are not directly connected to the scan start signal line 127. Similar to the gate driver shown in FIGS. 7 and 8, the gate driver of FIG. 12 includes a plurality of contact holes 186a, 186b, and 186c and respective branches 126a, 126b, and 126c and a gaze start signal line 127. It is connected to each other via the some connection member 187a, 187b, 187c. Each branch 126a, 126b, 126c is connected to each other by a plurality of connecting portions 126d, 126e. Therefore, the static electricity can be prevented from entering the transistor T4, and even if the static electricity is dispersed, the damage can be minimized.

3: 액정층 50: 테스트 패드
60: OLB 패드 70: 절단선
86, 86a, 86b, 86c: 연결 부재
100: 하부 표시판 110: 기판
127: 주사 시작 신호선
126a, 126b, 126c, 128a, 128b, 128c: 인입선
126d, 126e, 128d, 128e: 연결선
186, 186a, 186b, 186c, 187, 187a, 187b, 187c: 접촉 구멍
191: 화소 전극
200: 상부 표시판 230: 색필터
270: 공통 전극 300: 액정 표시판 조립체
400: 게이트 구동부 500: 데이터 구동부
600: 신호 제어부 800: 계조 전압 생성부
3: liquid crystal layer 50: test pad
60: OLB pad 70: cutting line
86, 86a, 86b, 86c: connecting member
100: lower display panel 110: substrate
127: scan start signal line
126a, 126b, 126c, 128a, 128b, 128c: incoming line
126d, 126e, 128d, 128e: connecting line
186, 186a, 186b, 186c, 187, 187a, 187b, 187c: contact hole
191: pixel electrode
200: upper display panel 230: color filter
270: common electrode 300: liquid crystal panel assembly
400: gate driver 500: data driver
600: signal controller 800: gray voltage generator

Claims (3)

기판,
상기 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 스위칭 소자를 각각 포함하는 복수의화소,
상기 스위칭 소자에 연결되어 있으며, 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 게이트선,
상기 게이트선과 각각 연결되어 있는 복수의 회로부 및 상기 회로부와 연결되어 있는 배선부를 포함하는 게이트 구동부
를 포함하고,
상기 배선부는 신호선을 포함하고, 상기 회로부는 신호선과 연결되어 있는 트랜지스터를 포함하며,
상기 트랜지스터는 상기 신호선과 직접 연결되어 있는 적어도 2개 이상의 인입선을 포함하는
액정 표시 장치.
Board,
A plurality of pixels formed on the substrate and each comprising a plurality of switching elements,
A plurality of gate lines connected to the switching element and extending in a row direction,
A gate driver including a plurality of circuit parts connected to the gate lines, and a wiring part connected to the circuit parts, respectively
Including,
The wiring portion includes a signal line, the circuit portion includes a transistor connected to the signal line,
The transistor includes at least two lead wires directly connected to the signal line.
Liquid crystal display.
제1항에서,
상기 신호선은 상기 트랜지스터에 주사 시작 신호를 전달하는 액정 표시 장치.
In claim 1,
And the signal line transmits a scan start signal to the transistor.
제1항에서,
상기 트랜지스터 및 상기 신호선은 상기 게이트선과 동일한 재질로 이루어지는 액정 표시 장치.
In claim 1,
And the transistor and the signal line are made of the same material as the gate line.
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