KR20120104788A - 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 발광 다이오드의 전류-출력광속 특성 그래프.
도 3은 발광 다이오드의 온도-출력광속 특성 그래프.
도 4는 종래 기술의 발광 다이오드 선형 구동회로도.
도 5는 도 4의 구동회로에 의해 평활된 전압 파형 및 교류입력전류 파형도.
도 6은 종래 기술의 벅컨버터(Buck converter)형 발광 다이오드 구동회로도.
도 7은 본 발명의 발광 다이오드 전원장치의 제1 구현 예시도.
도 8은 본 발명의 발광 다이오드 전원장치의 제2 구현 예시도.
도 9는 본 발명의 발광 다이오드 전원장치의 제3 구현 예시도.
도 10은 본 발명의 발광 다이오드 전원장치의 제4 구현 예시도.
도 11의 (A) 및 (B)는 본 발명의 정류부의 동작 설명을 위한 파형도.
도 12의 (A) 내지 (D)는 본 발명의 제1 발광 회로부의 동작 설명을 위한 파형도.
도 13의 (A) 내지 (F)는 본 발명의 제2 발광 회로부의 동작 설명을 위한 파형도.
도 14의 (A) 및 (B)는 본 발명의 발광 다이오드 전원장치의 전력효율의 설명을 위한 파형도.
도 15의 (A) 내지 (F)는 본 발명의 발광 다이오드 전원장치의 펄스동작모드의 설명을 위한 파형도.
도 16의 (A) 내지 (D)는 본 발명의 발광 다이오드 전원장치의 펄스동작모드의 상세 설명을 위한 파형도.
200 : 전압 검출부 300 : 제1 발광 회로부
310 : 초단 다이오드 그룹 400 : 제2 발광 회로부
500 : 스위치 회로부 600 : 전류 제어부
T11,T12 : 제1 및 제2 출력
LEDG1~LEDGn : 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹
TC1~TCn : 캐소드 단자 SW1~SWn : 제1 내지 제n 스위치
L3 : 인덕터 Df3 : 환류다이오드
LEDG : 발광부 SW0 : 초단 스위치
Claims (27)
- 교류전원을 정류하여 직류전원을 제1 및 제2 출력을 통해 출력하는 정류부;
상기 정류부의 제1 출력단에 연결되어, 상기 정류부의 출력 전압을 검출하는 전압 검출부;
상기 정류부의 제1 출력단에 연결된 제1 발광 회로부;
상기 제1 발광 회로부와 상기 정류부의 제2 출력단 사이에 직렬로 연결된 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹을 갖는 제2 발광 회로부;
상기 제2 발광 회로부의 캐소드 단자와 상기 정류부의 제2 출력단 사이에 연결되어, 상기 제2 발광 회로부를 통해 흐르는 전류를 조절하는 스위치 회로부; 및
상기 전압 검출부에 의해 검출된 검출전압의 크기에 따라, 제1 발광 회로부의 동작을 제어하고, 상기 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹에 흐르는 적정 전류를 조절하기 위해, 상기 스위치 회로부를 제어하는 전류 제어부
를 구비하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제1항에 있어서, 상기 스위치 회로부는,
상기 제2 발광 회로부의 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹 각각의 캐소드 단자 각각과 상기 정류부의 제2 출력단 사이에 연결되어, 상기 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹 각각을 통해 흐르는 전류를 조절하는 제1 내지 제n 스위치를 포함하는 것
을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제2항에 있어서, 상기 전류 제어부는,
상기 전압 검출부에 의해 검출된 검출전압의 크기에 따라, 상기 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹에 흐르는 적정 전류를 조절하기 위해, 상기 제1 내지 제n 스위치를 제어하는 것
을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제3항에 있어서, 상기 전류 제어부는,
상기 전압 검출부에 의해 검출된 검출전압과 그 변화율에 따라 설정된 목표전류가 상기 제2 발광 회로부의 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹에 지속적으로 흐르도록 상기 스위치 회로부의 제1 내지 제n 스위치의 전기 전도도를 제어하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제3항에 있어서, 상기 제1 발광 회로부는,
상기 정류부의 제1 출력단에 연결된 일단을 갖는 인덕터;
상기 인덕터의 타단에 연결된 애노드가 연결되고, 상기 인덕터의 일단에 캐소드가 연결된 1개 이상의 다이오드를 갖는 초단 다이오드 그룹; 및
상기 인덕터의 타단과 상기 정류부의 제2 출력단 사이에 연결되어, 상기 초단 다이오드 그룹에 흐르는 전류를 조절하는 초단 스위치
를 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제5항에 있어서, 상기 초단 다이오드 그룹은,
상기 인덕터의 타단에 연결된 애노드를 갖는 환류다이오드; 및
상기 환류다이오드의 캐소드와 상기 인덕터의 일단 사이에, 상기 환류다이오드와 동일한 방향으로 연결된 1개 이상의 발광 다이오드를 갖는 발광부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제6항에 있어서, 상기 전류 제어부는,
상기 전압 검출부에 의해 검출된 검출전압의 크기가 미리 설정된 제1 기준전압보다 작을 경우에는 제1 발광 동작모드로 설정하고, 상기 검출전압의 크기가 미리 설정된 제1 기준전압보다 작지 않을 경우에는 제2 발광 동작모드로 설정하여, 상기 제1 발광 동작모드에서는 제1 발광 회로부의 동작을 제어하고, 상기 제2 발광 동작모드에서는 상기 제2 발광 회로부의 동작을 제어하는 것
을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제7항에 있어서, 상기 전류 제어부는,
상기 제1 발광 동작모드에서, 상기 제1 발광 회로부의 발광부에 흐르는 전류를 조절하기 위해, 상기 초단 스위치를 미리 정해진 시간동안 온으로 제어하여, 상기 초단 스위치의 온시간 동안에 상기 인덕터에 축적된 에너지를 이용하여 상기 제1 발광 회로부의 발광부를 동작시키는 것
을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제7항에 있어서, 상기 전류 제어부는,
상기 제2 발광 동작모드에서는, 상기 전압 검출부에 의해 검출된 검출전압의 크기에 따라, 상기 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹에 흐르는 적정 전류를 조절하기 위해, 상기 제1 내지 제n 스위치를 제어하는 것
을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제7항에 있어서, 상기 전류 제어부는,
발광 다이오드의 수명과 광효율을 향상시키기 위해, 상기 스위치 회로부와, 상기 제1 발광 회로부의 초단 스위치를 펄스방식으로 온/오프 제어하여 상기 제1 발광 회로부 및 상기 제2 발광 회로부를 점등/소등을 반복하는 펄스 동작 모드로 제어하는 것
을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제7항에 있어서, 상기 초단 스위치 및 상기 스위치 회로부의 제1 내지 제n 스위치 각각은,
1개 이상의 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제3항에 있어서, 상기 제1 발광 회로부는,
상기 정류부의 제1 출력단에 연결된 일단을 갖는 인덕터;
상기 인덕터의 타단에 애노드가 연결되고, 상기 인덕터의 일단에 캐소드가 연결된 1개 이상의 다이오드를 갖는 초단 다이오드 그룹
를 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제12항에 있어서, 상기 초단 다이오드 그룹은,
상기 인덕터의 타단에 연결된 애노드를 갖는 환류다이오드; 및
상기 환류다이오드의 캐소드와 상기 인덕터의 일단 사이에, 상기 환류다이오드와 동일한 방향으로 연결된 1개 이상의 발광 다이오드를 갖는 발광부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제3항에 있어서, 상기 제1 발광 회로부는,
상기 정류부의 제1 출력단에 연결된 일단을 갖는 인덕터; 및
상기 제2 발광 회로부의 제n 발광 다이오드 그룹의 캐소드단에 애노드가 연결되고, 상기 인덕터의 일단에 캐소드가 연결된 1개 이상의 다이오드를 갖는 초단 다이오드 그룹
를 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제14항에 있어서, 상기 초단 다이오드 그룹은,
상기 제2 발광 회로부의 제n 발광 다이오드 그룹의 캐소드단에 연결된 애노드를 갖는 환류다이오드; 및
상기 환류다이오드의 캐소드와 상기 인덕터의 일단 사이에, 상기 환류다이오드와 동일한 방향으로 연결된 1개 이상의 발광 다이오드를 갖는 발광부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제3항에 있어서, 상기 제1 발광 회로부는,
상기 정류부의 제1 출력단에 연결된 일단을 갖는 인덕터;
상기 제2 발광 회로부의 제n 발광 다이오드 그룹의 캐소드단에 애노드가 연결되고, 상기 인덕터의 일단에 캐소드가 연결된 1개 이상의 다이오드를 갖는 초단 다이오드 그룹; 및
상기 인덕터의 타단과 상기 정류부의 제2 출력단 사이에 연결되어, 상기 초단 다이오드 그룹에 흐르는 전류를 조절하는 초단 스위치
를 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제16항에 있어서, 상기 초단 다이오드 그룹은,
상기 제2 발광 회로부의 제n 발광 다이오드 그룹의 캐소드단에 연결된 애노드를 갖는 환류다이오드; 및
상기 환류다이오드의 캐소드와 상기 인덕터의 일단 사이에, 상기 환류다이오드와 동일한 방향으로 연결된 1개 이상의 발광 다이오드를 갖는 발광부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제3항에 있어서, 상기 스위치 회로부의 제1 내지 제n 스위치 각각은, 1개 이상의 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹 각각은
1개 또는 서로 직렬로 연결된 2개 이상의 발광 다이오드를 포함하는 것
을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제19항에 있어서, 상기 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹 각각은,
2개 이상의 발광 다이오드를 갖는 직렬 스트링이 1개 또는 2개 이상 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제19항에 있어서, 상기 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹 각각은
동일한 개수의 발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제19항에 있어서, 상기 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹중 적어도 하나는,
역율과 전력효율을 향상시키기 위해, 상기 제1 내지 제n 발광 다이오드 그룹중 다른 그룹에 포함되는 발광 다이오드의 개수와 다른 개수의 발광 다이오드를 포함하는 것
을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제5항, 제12항, 제14항 및 제16항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치는,
그 전체 혹은 일부가 모노리딕IC 또는 하이브리드 IC로 구현되는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제5항, 제12항, 제14항 및 제16항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치는,
상기 교류전원과 정류부 사이에, EMI, EMC 특성 개선 및 서지 특성 개선을 위해. 1개 이상의 인덕터를 포함하는 필터 및 서지 개선회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제5항, 제12항, 제14항 및 제16항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 인덕터는,
PCB의 금속패턴으로 구현되는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제1항에 있어서, 상기 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치는,
상기 교류전원과 정류부 사이 또는 상기 정류부와 전압검출부 사이에 전압변환을 하기 위해, 1개 이상의 트랜스포머 코일을 포함하는 전압변환회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치. - 제1항 있어서, 상기 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치는,
상기 정류부는, 정류작용과 동시에 서지특성 개선할 수 있도록 정류부의 4개의 다이오드 중 적어도 하나는 TVS 다이오드로 이루어진 것을 특징으로 하는 벅부스트형 발광 다이오드 전원장치.
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Cited By (2)
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2011
- 2011-03-14 KR KR1020110022410A patent/KR20120104788A/ko not_active Ceased
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