KR20120104511A - 고온에서 작동되는 장치의 개스킷용 유리 조성물 및 이를 사용한 조립 방법 - Google Patents
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Abstract
몰%로
- 70 내지 76%의 SiO2;
- 7 내지 8%의 B2O3;
- 5 내지 6%의 Al2O3;
- 10 내지 17%의 Na2O
로 이루어지는 유리 조성물(A); 및
몰%로
- 63 내지 76%의 SiO2;
- 5 내지 12%의 ZrO2;
- 0 내지 12%의 B2O3;
- 0 내지 2%의 La2O3;
- 11 내지 14%의 Na2O;
- 3 내지 5%의 K2O
로 이루어지는 유리 조성물(B)
로 이루어진 군으로부터 이루어지는 것을 특징으로 하는 유리 조성물이다.
본 발명은 특히 고온 전해조(HTE) 또는 고온 연료 전지(SOFC)를 제조하기 위한 상기 유리 조성물을 도포하는 부품을 조립하는 방법에 관한 것이다.
Description
- 도 1은 고온 전해조(HTE)의 기본 전지의 도식적인 수직 단면도이다.
- 도 2는 고온 전해조(HTE)의 기본 반응기 또는 기본 모듈의 도식적인 수직 단면도이다.
- 도 3은 기본 모듈의 스택을 포함하는 종래 고온 전해조의 도식적인 수직 단면도이다.
- 도 4는 전지와 하부 상호접속자 및 상부 상호접속자 사이의 시일인 실링된 개스킷을 보여주는 종래 고온 전해조의 기본 모듈의 도식적인 수직 단면도이다.
- 도 5는 (JV36)(● 점, A 곡선) 및 (JV38)(▲ 점, B 곡선)로 지정된 본 발명에 따른 2종의 유리 조성물(A) 및 (VsC33)(◀ 점, C 곡선) 및 (VsC34)(▶ 점, D 곡선)로 지정된 본 발명에 따른 2종의 유리 조성물(B)의 온도에 대한 점도를 제공하는 그래프이다.
유리 (JV36) (JV38) (VsC33) 및 (VsC34)는 몰%로 하기 조성이다:
(JV36):
- 72.3%의 SiO2;
- 7.8%의 B2O3;
- 14%의 Na2O;
- 5.9%의 Al2O3.
(JV38):
- 74.3%의 SiO2;
- 7.8%의 B2O3;
- 12%의 Na2O;
- 5.9%의 Al2O3.
(VsC33):
- 74.9%의 SiO2;
- 12.9%의 Na2O;
- 4.2%의 K2O;
- 7%의 ZrO2;
- 1%의 La2O3.
(VsC34):
- 66%의 SiO2;
- 5.1%의 B2O3;
- 13.4%의 Na2O;
- 4.4%의 K2O;
- 10.1%의 ZrO2;
- 1%의 La2O3.
이 그래프에서, 몰%로 하기 조성을 갖는 상업용 유리 Schott® 8422(■ 점, E 곡선)에 대해 온도에 대한 점도를 또한 플롯팅한다:
- 69.8%의 SiO2;
- 7.8%의 B2O3;
- 12.0%의 Na2O;
- 4.1%의 K2O;
- 0.4%의 CaO;
- 0.2%의 BaO.
Log η(dPaㆍs)을 세로 좌표로 플롯팅하고, 온도 T(℃ 단위)를 가로 좌표로 플롯팅한다.
- 도 6은 작동 온도(800℃)에서 산화 분위기 하에 시험 후 (JV36) 및 (JV38)이라 칭하는 본 발명에 따른 2종의 유리 조성물(A) 및 한편 상업용 유리 Schott® 8422와 전해조 재료 사이의 계면의 주사 전자 현미경(SEM)으로 찍은 광그래프를 보여준다.
ㆍ 도 6a는 800℃에서 작동 100 시간 후 본 발명에 따른 유리 (JV36)와 YSZ 세라믹 사이의 계면의 SEM으로 찍은 광그래프이다. 도 6a에서, 상부 좌측의 척도는 1 ㎛를 나타낸다.
ㆍ 도 6b 및 도 6c는 800℃에서 각각 100 시간 및 720 시간 후 본 발명에 따른 유리 (JV38)와 CROFER® 사이의 계면의 SEM으로 찍은 광그래프이다. 도 6c에서, 척도는 10 ㎛를 나타낸다.
ㆍ 도 6d 및 도 6e는 800℃에서 각각 100 시간 및 720 시간 후 유리 Schott® 8422와 CROFER® 사이의 계면의 SEM으로 찍은 광그래프이다. 도 6d에서, 상부 좌측의 척도는 1 ㎛를 나타내고, 도 6e에서, 상부 좌측의 척도는 10 ㎛를 나타낸다.
ㆍ 도 6f는 본 발명에 따른 유리 (JV36)와 전해질인 Ni 서멧 사이의 계면의 SEM으로 찍은 광그래프이다.
- 도 7은 본 발명에 따른 유리 및 Schott® 8422 유리질 상에 시일 시험을 수행하기 위해 압력을 인가하기 위한 어셈블리의 도식도이다.
- 도 8은 도 7의 압력을 인가하기 위한 어셈블리 내의 개스킷의 위치의 상세사항을 보여주는 도식도이다.
- 도 9는 본 발명에 따른 유리 및 Schott® 8422 유리질 상에 시일 시험을 수행하기 위해 사용되는 어셈블리의 전체의 도식적인 수직 단면도이다.
- 도 10은 도 7, 도 8 및 도 9의 어셈블리에서 수행되는 슬롯 고리에 의한 시험 동안 압력 강하의 기록을 나타내는 그래프이다.
시간(시간)을 가로 방향으로 플롯팅하고, 온도(좌측에 ℃ 단위) 및 압력(우측에 bar 단위)을 세로 방향으로 플롯팅한다.
A 곡선은 압력(bar 단위)을 나타내고, B 라인 및 C 라인은 각각 실온(℃ 단위) 및 어셈블리의 온도(℃ 단위)를 나타낸다.
- 도 11은 100 시간의 기간 동안(도 11a) 또는 1 달의 기간 동안(도 11b) 800℃에서 열 처리 후, 본 발명에 따른 슬러리인, (JV38) 유리 슬립에 의해 제조된 개스킷의 주사 전자 현미경으로 찍은 광그래프를 나타낸다.
- 도 12는 1 달 동안 800℃에서 열 처리 후 본 발명에 따른 유리 (JV38)의 블록으로부터 직접 캐스팅함으로써 제조된 고체 형태의 개스킷의 주사 전자 현미경으로 찍은 광그래프를 나타낸다.
- 도 13은 100 시간 동안 800℃에서 처리되거나(A 곡선), 1 달 동안 800℃에서 처리된(D 곡선), 본 발명에 따른 슬러리인, (JV38) 유리 슬립으로부터 제조된 개스킷; 초기 미정제 (JV38) 유리(B 곡선)로부터, 100 시간 동안 800℃에서 처리되거나(C 곡선), 800℃에서 1 달 동안 처리된(E 곡선) 본 발명에 따른 유리 (JV38)의 블록으로부터 직접 캐스팅함으로써 제조된 고체 형태의 개스킷의 XRD 패턴을 보여주는 그래프이다.
2θ를 가로 방향으로 플롯팅하고, 카운트 수를 세로 방향으로 플롯팅한다.
- 도 14는 개스킷 홈 프리폼으로 직접 캐스팅함으로써 개스킷을 형성하기 위한 절차를 보여주는 다이아그램이다.
ㆍ 도 14a는 캐스팅 작동을 예시한 것이고, 도 14b는 하부로부터 개스킷 홈 프리폼의 도면이다.
Claims (19)
- 몰%로
- 70 내지 76%의 SiO2;
- 7 내지 8%의 B2O3;
- 5 내지 6%의 Al2O3;
- 10 내지 17%의 Na2O
로 이루어지는 유리 조성물(A); 및
몰%로
- 63 내지 76%의 SiO2;
- 5 내지 12%의 ZrO2;
- 0 내지 12%의 B2O3;
- 0 내지 2%의 La2O3;
- 11 내지 14%의 Na2O;
- 3 내지 5%의 K2O
로 이루어지는 유리 조성물(B)
로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유리 조성물. - 제1항에 있어서, 가공 종료시 임의의 열 처리 전에 유리질 상으로만 이루어지는 유리 조성물.
- 제1항에 있어서, 600℃ 내지 1,000℃, 특히 700 내지 900℃의 온도에서 1 시간 초과의 시간 동안 유지시킨 후, 50 중량% 미만의 결정질 상, 바람직하게는 0 중량%의 결정질 상을 포함하는 유리 조성물.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 점소성 조성물이고, 점도가 700℃ 내지 900℃ 범위에서 107 내지 108 dPaㆍs 범위인 유리 조성물.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물(A)의 유리 전이 온도는 580℃ 내지 620℃이고, 조성물(B)의 유리 전이 온도는 600℃ 내지 680℃인 유리 조성물.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물(A)은 몰%로
- 72.3%의 SiO2;
- 7.8%의 B2O3;
- 14%의 Na2O;
- 5.9%의 Al2O3; 또는
- 74.3%의 SiO2;
- 7.8%의 B2O3;
- 12%의 Na2O;
- 5.9%의 Al2O3
으로 이루어지는 것인 유리 조성물. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물(B)은 몰%로
- 66%의 SiO2;
- 5.1%의 B2O3;
- 13.4%의 Na2O;
- 4.4%의 K2O;
- 10.1%의 ZrO2;
- 1%의 La2O3; 또는
- 74.9%의 SiO2;
- 12.9%의 Na2O;
- 4.2%의 K2O;
- 7%의 ZrO2;
- 1%의 La2O3
으로 이루어지는 것인 유리 조성물. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 분말, 또는 고체 블록 형태인 유리 조성물.
- 2개 이상의 부품을 조립하는 방법으로서, 하기 연속 단계:
- 부품을 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 유리 조성물과 접촉시키는 단계;
- 유리 조성물 및 부품에 의해 형성된 어셈블리를 유리 조성물을 용융시키기에 충분한 온도로 가열하여 부품 사이에 개스킷을 형성하는 단계, 및
- 개스킷 및 부품에 의해 형성된 어셈블리를 냉각시키는 단계
를 수행하는 것인 조립 방법. - 제9항에 있어서, 부품을 유리 조성물과 접촉시키는 단계를, 유리 조성물의 분말을 형성하고, 이 분말을 유기 결합제 중에 현탁시켜 현탁액, 슬러리 또는 페이스트를 얻고, 조립하고자 하는 부품의 1 이상의 표면을 얻은 현탁액, 슬러리 또는 페이스트로 코팅함으로써 수행하는 것인 조립 방법.
- 제9항에 있어서, 부품을 유리 조성물과 접촉시키는 단계를, 형성하고자 하는 개스킷의 형상을 갖는 유리 부품을 제조하고 그 후 이 부품을 조립하고자 하는 부품의 표면 사이에 위치시킴으로써 수행하는 것인 조립 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 유리 부품을, 유리 부품의 형상에 정합성인 금형 내에서 유리 조성물의 분말을 압축하고 그 후 소결함으로써 제조하는 것인 조립 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 유리 부품은 용융된 유리 조성물을 유리 부품의 형상에 정합성인 금형으로 직접 캐스팅함으로써 제조된 고체 유리 블록인 조립 방법.
- 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 조립하고자 하는 부품은 금속; 금속 합금; 세라믹; 및 상기 재료 중 몇 종을 포함하는 복합 재료로부터 선택되는 재료로 제조되는 것인 조립 방법.
- 제9항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 조립하고자 하는 상기 2개 이상의 부품은 상이한 재료로 제조되는 것인 조립 방법.
- 제9항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 조립하고자 하는 상기 2개 이상의 부품은 고온 전해조(HTE) 또는 고온 연료 전지(SOFC)의 부품인 조립 방법.
- 제9항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 조립 방법에 의해 얻을 수 있는 개스킷.
- 제9항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 조립 방법에 의해 얻을 수 있는 어셈블리.
- 제18항에 따른 어셈블리를 포함하는 고온 전해조 또는 고온 연료 전지.
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