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KR20120064701A - 접착 필름, 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치 - Google Patents

접착 필름, 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치 Download PDF

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KR20120064701A
KR20120064701A KR20127009371A KR20127009371A KR20120064701A KR 20120064701 A KR20120064701 A KR 20120064701A KR 20127009371 A KR20127009371 A KR 20127009371A KR 20127009371 A KR20127009371 A KR 20127009371A KR 20120064701 A KR20120064701 A KR 20120064701A
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KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive film
weight
resin
active compound
acid
Prior art date
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Withdrawn
Application number
KR20127009371A
Other languages
English (en)
Inventor
겐조우 마에지마
사토루 가츠라야마
Original Assignee
스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Abstract

본 발명은 접착 필름을, (A) 열경화성 수지와, (B) 경화제와, (C) 플럭스 활성 화합물과, (D) 막형성성 수지를 함유하는 구성으로 하고, 또한, 그 접착 필름의 최저 용융 점도가 0.01 ? 10,000 Pa?s, 또한, 그 접착 필름의 발열 피크 온도를 (a), 그 접착 필름의 5 ％ 중량 가열 감량 온도를 (b) 라고 정의했을 때, 하기 식 (1) 을 만족시킨다.
(b) - (a) ≥ 100 ℃ (1)

Description

접착 필름, 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치{ADHESIVE FILM, MULTILAYER CIRCUIT, BOARD, ELECTRONIC COMPONENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 접착 필름, 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치에 관한 것이다.
최근의 전자 기기의 고기능화 및 경박 단소화의 요구에 수반하여, 반도체 패키지 등의 전자 부품의 고밀도 집적화, 고밀도 실장화가 진행되고 있고, 이들 전자 부품의 소형화, 다핀화가 진행되고 있다. 이들 전자 부품의 전기적인 접속을 얻기 위해서는, 땜납 접합이 사용되고 있다.
땜납 접합으로는, 예를 들어 반도체 칩끼리의 도통 접합부, 플립 칩으로 탑재한 패키지와 같은 반도체 칩과 회로 기판 사이의 도통 접합부, 회로 기판끼리의 도통 접합부 등을 들 수 있다. 이 땜납 접합부에는, 전기적인 접속 강도 및 기계적인 접속 강도를 확보하기 위해서, 일반적으로 언더필재라고 불리는 밀봉 수지가 주입되어 있다 (언더필 밀봉).
이 땜납 접합부에 발생한 공극 (갭) 을 액상 밀봉 수지 (언더필재) 로 보강하는 경우, 땜납 접합 후에 액상 밀봉 수지 (언더필재) 를 공급하고, 이것을 경화함으로써 땜납 접합부를 보강하고 있다. 그러나, 전자 부품의 박화, 소형화에 수반하여, 땜납 접합부는 협(狹)피치화/협갭화되어 있기 때문에, 땜납 접합 후에 액상 밀봉 수지 (언더필재) 를 공급해도 갭 사이에 액상 밀봉 수지 (언더필재) 가 고루 미치지 않아, 완전히 충전하는 것이 곤란해진다는 문제가 발생하고 있다.
이와 같은 문제에 대해, 이방 도전 필름을 개재하여 단자 사이의 전기적 접속과 접착을 일괄적으로 실시하는 방법이 알려져 있다. 예를 들어 땜납 입자를 함유하는 접착 필름을, 부재 사이에 개재시켜 열압착시킴으로써, 양 부재의 단자 사이에 땜납 입자를 개재시켜, 타부 (他部) 에 수지 성분을 충전시키는 방법이나, 금속 입자를 접촉시킴으로써 전기적 접속을 취하는 방법이 기재되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1, 2).
일본 공개특허공보 소61-276873호 일본 공개특허공보 평9-31419호
그러나 이 방법에서는, 인접하는 단자 사이에 도전성 입자가 존재하기 때문에, 인접하는 단자 사이의 절연성을 확보하는 것이나, 인접하는 단자 사이에 기포가 존재하기 때문에 전자 부품이나 반도체 장치의 신뢰성을 확보하는 것은 곤란하였다.
본 발명의 목적은 대향하는 부재의 단자 사이의 접속 및 부재 사이의 공극을 밀봉하면서, 양호한 도통 접속성, 및 절연 신뢰성을 양립시킬 수 있는 접착 필름, 및 그것을 사용한 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치를 제공하는 데에 있다.
이와 같은 목적은, 하기［1］?［14］에 의해 달성된다.
［1］지지체의 제 1 단자와 피착체의 제 2 단자를, 땜납을 사용하여 전기적으로 접속시키고, 그 지지체와 그 피착체를 접착시키는 접착 필름으로, (A) 열경화성 수지와, (B) 경화제와, (C) 플럭스 활성 화합물과, (D) 막형성성 수지를 함유하고, 그 접착 필름의 최저 용융 점도가 0.01 ? 10,000 Pa?s 이고, 또한, 그 접착 필름의 발열 피크 온도 (℃) 를 (a), 그 접착 필름의 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (℃) 를 (b) 라고 정의했을 때, 하기 식 (1) 을 만족시키는 것을 특징으로 하는 접착 필름.
(b) - (a) ≥ 100 ℃ (1)
［2］(A) 열경화성 수지와, (C) 플럭스 활성 화합물의 배합비 ((A)/(C)) 가, 0.5 ? 20 인［1］에 기재된 접착 필름.
［3］(A) 열경화성 수지의 함유량이 상기 접착 필름에 대해 5 ? 80 중량％ 인［1］또는［2］에 기재된 접착 필름.
［4］(A) 열경화성 수지가 에폭시 수지인［1］내지［3］중 어느 1 항에 기재된 접착 필름.
［5］(C) 플럭스 활성 화합물이, 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 플럭스 활성 화합물인［1］내지［4］중 어느 1 항에 기재된 접착 필름.
［6］(C) 플럭스 활성 화합물이 1 분자 중에 2 개의 페놀성 수산기와, 적어도 1 개의 방향족에 직접 결합된 카르복실기를 갖는 플럭스 활성 화합물인［1］내지［4］중 어느 1 항에 기재된 접착 필름.
［7］(C) 플럭스 활성 화합물이 하기 일반식 (2) 로 나타내는 화합물을 함유하는［1］내지［6］중 어느 1 항에 기재된 접착 필름.
HOOC-(CH2)n-COOH (2)
(일반식 (2) 중, n 은 1 ? 20 의 정수이다.)
［8］(C) 플럭스 활성 화합물이 하기 일반식 (3) 및/또는 (4) 로 나타내는 화합물을 함유하는［1］내지［6］중 어느 1 항에 기재된 접착 필름.
[화학식 1]
Figure pct00001
(일반식 (3) 중, R1 ? R5 는 각각 독립적으로, 1 가의 유기기이며, R1 ? R5 중 적어도 하나는 수산기이다.)
[화학식 2]
Figure pct00002
(일반식 (4) 중, R6 ? R20 은 각각 독립적으로, 1 가의 유기기이며, R6 ? R20 중 적어도 하나는 수산기 또는 카르복실기이다.)
［9］상기 접착 필름이 추가로, (G) 충전재를 함유하는［1］내지［8］중 어느 1 항에 기재된 접착 필름.
［10］(G) 충전재의 함유량이 상기 접착 필름에 대해 0.1 중량％ 이상 80 중량％ 이하인［9］에 기재된 접착 필름.
［11］상기 접착 필름이 추가로, (F) 실란 커플링제를, 상기 접착 필름에 대해 0.01 중량％ 이상 5 중량％ 이하 함유하는［1］내지［10］중 어느 1 항에 기재된 접착 필름.
［12］［1］내지［11］중 어느 1 항에 기재된 접착 필름의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 다층 회로 기판.
［13］［1］내지［11］중 어느 1 항에 기재된 접착 필름의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
［14］［1］내지［11］중 어느 1 항에 기재된 접착 필름의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
본 발명에 의하면, 대향하는 부재의 단자 사이의 접속 및 부재 사이의 공극을 밀봉하면서, 양호한 도통 접속성, 및 절연 신뢰성을 양립시킬 수 있는 접착 필름, 및 그것을 사용한 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치를 제공할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 접착 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 나타내는 공정 단면도이다.
이하, 본 발명의 접착 필름, 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치에 관해서 설명한다.
본 발명의 접착 필름은 지지체의 제 1 단자와 피착체의 제 2 단자를, 땜납을 사용하여 전기적으로 접속시키고, 그 지지체와 그 피착체를 접착시키는 접착 필름으로,
(A) 열경화성 수지와,
(B) 경화제와,
(C) 플럭스 활성 화합물과,
(D) 막형성성 수지
를 함유하고,
그 접착 필름의 최저 용융 점도가 0.01 ? 10,000 Pa?s 이고, 또한,
그 접착 필름의 발열 피크 온도 (℃) 를 (a), 그 접착 필름의 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (℃) 를 (b) 라고 정의했을 때, 하기 식 (1) 을 만족시키는 것을 특징으로 한다.
(b) - (a) ≥ 100 ℃ (1)
또, 본 발명의 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치는, 제 1 단자를 갖는 지지체와 제 2 단자를 갖는 피착체를 상기 접착 필름을 사용하여, 전기적으로 접속시키고, 그 지지체와 그 피착체를 접착시킨 것이다.
이하, 본 발명의 접착 필름, 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치에 대해 상세하게 설명한다.
(접착 필름)
본 발명의 접착 필름의 최저 용융 점도는, 0.01 ? 10,000 Pa?s 이다. 접착 필름의 최저 용융 점도를 0.01 ? 10,000 Pa?s 로 함으로써, 대향하는 지지체의 제 1 단자와 피착체의 제 2 단자 사이에 접착 필름을 개재하고, 접착 필름을 가열 용융시켜, 지지체 및 피착체를 전기적으로 접속시키고, 또한 접착시킬 때에 양호한 접속 신뢰성을 확보하는 것이 가능해진다.
최저 용융 점도를 0.01 Pa?s 이상으로 함으로써, 용융된 접착 필름이 지지체 또는 피착체에 타고 올라 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 또, 최저 용융 점도를 10,000 Pa?s 이하로 함으로써, 대향하는 단자 사이에 용융된 접착 필름이 맞물려 도통 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
최저 용융 점도는 바람직하게는, 0.02 Pa?s 이상, 특히 0.05 Pa?s 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이로써, 용융된 접착 필름이 지지체 또는 피착체에 타오 올라 오염시키는 것을, 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 최저 용융 점도는, 바람직하게는 8,000 Pa?s 이하, 특히 7,000 Pa?s 이하로 하는 것이 바람직하다. 이로써, 대향하는 단자 사이에 용융된 접착 필름이 맞물려 도통 불량이 발생되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
여기서, 접착 필름의 최저 용융 점도는, 점탄성 측정 장치 (HAKKE 사 제조 「RheoStress RS150」) 를 사용하여, 패럴렐 플레이트 20 ㎜φ, 갭 0.05 ㎜, 주파수 0.1 ㎐, 승온 속도는 10 ℃／분의 조건으로 측정할 수 있다.
접착 필름의 용융 점도를 상기 범위로 하는 방법으로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 접착 필름의 구성 성분인 (A) 열경화성 수지, (B) 경화제, (D) 막형성성 수지의 연화점, 배합량을 적절히 선택함으로써 실시할 수 있다.
또, 접착 필름의 발열 피크 온도를 (a), 그 접착 필름의 5 ％ 중량 가열 감량 온도를 (b) 라고 정의했을 때, 하기 식 (1) 을 만족시킨다. 이로써, 대향하는 지지체의 제 1 단자와 피착체의 제 2 단자 사이에 접착 필름을 개재하고, 접착 필름을 가열 용융시켜, 지지체 및 피착체를 전기적으로 접속시키고, 또한 접착시킬 때에 기포가 발생하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 제작한 다층 회로 기판, 전자 부품, 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
(b) - (a) ≥ 100 ℃ (1)
본 발명에 있어서, 발열 피크 온도 (a) 란, 접착 필름의 경화 거동을 나타내는 물성 중 하나이다. 발열 피크 온도 (a) 가 낮으면 경화 반응이 일어나기 쉬워지기 때문에, 전극끼리의 맞닿음을 저해하거나 라이프 (보존성) 가 저하되는 경우가 있다. 반대로, 발열 피크 온도 (a) 가 지나치게 높으면, 경화시키기 위한 가열 온도가 높아진다는 문제가 발생한다.
한편, 본 발명에 있어서, 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (b) 란, 접착 필름의 내열성을 나타내는 물성 중 하나이다. 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (b) 가 높을수록, 내열성이 높아져 바람직하다. 또, 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (b) 가 낮은 것은, 가열에 의한 분해물 및 휘발물이 많은 것을 나타낸다. 즉, 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (b) 가 낮을수록, 경화 후의 접착 필름 중에 보이드 (기포) 의 원인이 증가하게 되어, 보이드가 발생되기 쉬워진다.
그래서, 접착 필름의 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (b) 와 발열 피크 온도 (a) 의 차를 100 ℃ 이상으로 함으로써, 접착 필름의 경화 반응이 그다지 진행되지 않도록 접착 필름을 가열 용융시켜 지지체 및 피착체를 전기적으로 접속시키면서, 그 후, 접착 필름을 가열, 경화시켜 지지체 및 피착체를 접착시킬 수 있다. 또, 100 ℃ 이상으로 함으로써, 이러한 공정에서의 마진을 확보할 수 있어 보이드의 발생을 보다 저감시킬 수 있다.
따라서, 접착 필름의 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (b) 와 발열 피크 온도 (a) 의 차가 클수록, 접착 필름을 가열함으로써 아웃 가스가 발생되기 어렵기 때문에, 전기적 접속 및 접착 후의 기포의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 아웃 가스가 발생했을 경우에 있어서도, 접착 필름의 경화 반응이 시작되는 온도보다 아웃 가스가 발생하기 시작하는 온도는 높기 때문에, 접착 필름의 경화가 진행된 후에 아웃 가스가 발생하게 되므로, 삼차원화된 접착 필름 중을 아웃 가스가 이동하기 어려워진다. 이로써, 전기적 접속 및 접착 후의 기포의 발생을 방지할 수 있다.
접착 필름의 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (b) 와 발열 피크 온도 (a) 의 차는, 바람직하게는 120 ℃ 이상, 특히 150 ℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이로써, 접착 필름의 아웃 가스의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 가령 아웃 가스가 발생했을 경우라도, 접착 필름 중을 아웃 가스가 이동하기 어렵기 때문에, 전기적 접속 및 접착 후의 기포의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
여기서, 접착 필름의 발열 피크 온도 (a) 는, 시차 주사 열량계 (세이코 인스트루먼트 주식회사 제조, DSC-6200) 를 사용하여, 승온 속도 10 ℃／분으로 측정할 수 있다.
또, 접착 필름의 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (b) 는, 열중량/시차열 동시 측정 장치 (세이코 인스트루먼트 주식회사 제조, TG/DTA6200) 를 사용하여, 승온 속도 10 ℃／분으로 측정할 수 있다.
접착 필름의 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (b) 와 발열 피크 온도 (a) 의 차를 상기 범위로 하는 방법으로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, (A) 열경화성 수지, (B) 경화제, (C) 플럭스 활성 화합물 중의 연화점이나 함유량, 또한 저분자 성분의 함유량을 적절히 조정함으로써 실시할 수 있다.
본 발명의 접착 필름은, (A) 열경화성 수지와, (B) 경화제와, (C) 플럭스 활성 화합물과, (D) 막형성성 수지를 함유한다. 이하, 각 성분에 대해 설명한다.
(A) 열경화성 수지
(A) 열경화성 수지는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어, 에폭시 수지, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 옥세탄 수지, 페놀 수지, (메트)아크릴레이트 수지, 폴리에스테르 수지 (불포화 폴리에스테르 수지), 디알릴프탈레이트 수지, 말레이미드 수지, 폴리이미드 수지 (폴리이미드 전구체 수지), 비스말레이미드-트리아진 수지 등을 들 수 있다. 특히, 에폭시 수지, (메트)아크릴레이트 수지, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 말레이미드 수지, 비스말레이미드-트리아진 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 열경화성 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 경화성과 보존성, 경화물의 내열성, 내습성, 내약품성이 우수하다는 관점에서 에폭시 수지가 바람직하다. 또, 이들 열경화성 수지는 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
(A) 열경화성 수지의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 접착 필름에 대해 5 ? 80 중량％ 가 바람직하고, 9 ? 75 중량％ 가 보다 바람직하고, 10 ? 55 중량％ 가 특히 바람직하다. (A) 열경화성 수지의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 경화 후의 접착 필름의 내열성이 향상되기 때문에, 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또, 상기 상한값 이하로 함으로써, 경화 후의 접착 필름의 탄성률이 지나치게 높아지는 것을 방지할 수 있기 때문에, 지지체와 피착체의 접착성을 향상시킬 수 있다.
상기 에폭시 수지로는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 3 관능 에폭시 수지, 4 관능 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
또, 상기 에폭시 수지로는, 25 ℃ 에 있어서의 점도가 500 ? 50,000 mPa?s 인 것이 바람직하고, 또한 800 ? 40,000 mPa?s 인 것이 보다 바람직하다. 25 ℃ 에 있어서의 점도를 상기 하한값 이상으로 함으로써, 접착 필름의 유연성과 굴곡성을 확보할 수 있다. 또, 25 ℃ 에 있어서의 점도를 상기 상한값 이하로 함으로써 접착 필름의 택성이 강해져, 핸들링성이 저하시키는 것을 방지할 수 있다.
또, 상기 에폭시 수지의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 접착 필름에 대해 5 ? 80 중량％ 가 바람직하고, 9 ? 75 중량％ 가 특히 바람직하다. 상기 하한값 이상으로 함으로써, 접착 필름의 유연성과 굴곡성을 보다 효과적으로 발현시킬 수 있다. 또, 상기 상한값 이하로 함으로써, 접착 필름의 택성이 강해져, 핸들링성이 저하되는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
상기 에폭시 수지 중에서도, 접착 필름의 용융 점도를 0.01 ? 10,000 Pa?s의 범위로 조정하는 것과 접착 필름의 작업성 (택성, 굴곡성) 을 양립시키는 것이 가능하다는 관점에서, 액상의 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 액상의 비스페놀 F 형 에폭시 수지가 바람직하다.
(B) 경화제
(B) 경화제는 특별히 한정되는 것은 아니고, 사용하는 (A) 열경화성 수지의 종류에 따라, 적절히 선택할 수 있다. (B) 경화제로는, 예를 들어, 페놀류, 아민류, 티올류, 산무수물류, 이소시아네이트류 등을 들 수 있고, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
(A) 열경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용하는 경우, (B) 경화제로는 페놀류가 바람직하다. (B) 경화제로서 페놀류를 사용함으로써, 경화 후의 접착 필름의 내열성을 높게, 또한 흡수율을 낮게 할 수 있기 때문에, 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 페놀류로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 비스페놀 A 형 노볼락 수지, 비스페놀 F 형 노볼락 수지, 비스페놀 AF 형 노볼락 수지 등을 들 수 있는데, 접착 필름의 경화물의 유리 전이 온도를 효과적으로 높일 수 있고, 또한 아웃 가스가 되는 성분을 저감시킬 수 있는 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지가 바람직하다.
상기 페놀노볼락 수지 또는 크레졸노볼락 수지 중의 1 핵체 내지 3 핵체의 합계 함유량이 30 ? 70 ％ 인 것이 바람직하다. 이로써, 접착 필름의 경화물의 유리 전이 온도를 높일 수 있고, 또한 아웃 가스가 되는 페놀계 노볼락 수지의 양을 저감시킬 수 있으며, 내이온 마이그레이션성을 향상시키는 것이 가능해진다. 또, 접착 필름에 적당한 유연성을 부여할 수 있기 때문에, 접착 필름의 취성을 개선시키는 것이 가능해진다. 또한, 접착 필름에 적당한 택성을 부여할 수 있기 때문에, 작업성이 우수한 접착 필름을 얻을 수 있다.
1 핵체 내지 3 핵체의 합계 함유량이 30 ％ 보다 작은 (4 핵체 이상의 합계 함유량이 70 ％ 이상) 경우, 상기 에폭시 수지와의 반응성이 저하되고, 접착 필름의 경화물 중에 미반응의 페놀계 노볼락 수지가 잔류하기 때문에, 내마이그레이션성이 저하되고, 또, 접착 필름이 물러져 작업성이 저하된다는 문제가 생긴다. 또, 1 핵체 내지 3 핵체의 합계 함유량이 70 ％ 보다 큰 (4 핵체 이상의 합계 함유량이 30 ％ 이하) 경우, 접착 필름을 경화시킬 때의 아웃 가스량이 증대되어, 지지체 또는 피착체의 표면을 오염시키거나, 내마이그레이션성이 저하되거나, 또한 접착 필름의 택성이 커져, 접착 필름의 작업성이 저하된다는 문제가 생긴다.
상기 페놀노볼락 수지 또는 크레졸노볼락 수지 중의 2 핵체와 3 핵체의 합계 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 30 ? 70 ％ 인 것이 바람직하다. 상기 하한값 이상으로 함으로써, 접착 필름을 경화시킬 때의 아웃 가스량이 증대되어, 지지체 또는 피착체의 표면을 오염시키는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 상기 상한값 이하로 함으로써, 접착 필름의 유연성과 굴곡성을 보다 효과적으로 확보할 수 있다.
상기 페놀노볼락 수지 또는 크레졸노볼락 수지 중 1 핵체의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 접착 필름 중에 1 ％ 이하인 것이 바람직하고, 0.8 ％ 이하인 것이 특히 바람직하다. 1 핵체의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 접착 필름을 경화시킬 때의 아웃 가스량을 저감시킬 수 있어, 지지체 또는 피착체의 오염을 억제할 수 있고, 또한 내마이그레이션성을 향상시킬 수 있다.
상기 페놀노볼락 수지 또는 크레졸노볼락 수지의 중량 평균 분자량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 300 ? 3000 인 것이 바람직하고, 400 ? 2800 인 것이 특히 바람직하다. 상기 하한값 이상으로 함으로써, 접착 필름을 경화시킬 때의 아웃 가스량이 증대되어, 지지체 또는 피착체의 표면을 오염시키는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 또. 상기 상한값 이하로 함으로써, 접착 필름의 유연성과 굴곡성을 보다 효과적으로 확보할 수 있다.
(C) 플럭스 활성 화합물
본 발명의 접착 필름은 (C) 플럭스 활성 화합물을 함유한다. 이로써, 지지체의 제 1 단자 및 피착체의 제 2 단자 중 적어도 일방의 땜납 표면의 산화막을 제거할 수 있고, 또한 경우에 따라서는, 지지체의 제 1 단자 또는 피착체의 제 2 단자 표면의 산화막을 제거할 수 있어, 확실하게 제 1 단자와 제 2 단자를 땜납 접합시킬 수 있기 때문에, 접속 신뢰성이 높은 다층 회로 기판, 전자 부품, 반도체 장치 등을 얻을 수 있다.
(C) 플럭스 활성 화합물로는, 땜납 표면의 산화막을 제거하는 기능이 있으면, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 카르복실기 또는 페놀성 수산기 중 어느 것, 혹은 카르복실기 및 페놀 수산기 양방을 구비하는 화합물이 바람직하다.
(C) 플럭스 활성 화합물의 배합량은 1 ? 30 중량％ 가 바람직하고, 3 ? 20 중량％ 가 특히 바람직하다. (C) 플럭스 활성 화합물의 배합량이 상기 범위임으로써, 플럭스 활성을 향상시킬 수 있음과 함께, 접착 필름을 경화시켰을 때에, 미반응의 (A) 열경화성 수지, (C) 플럭스 활성 화합물이 잔존하여, 접착 필름을 열경화시킬 때에 아웃 가스가 되는 것을 방지할 수 있고, 내마이그레이션성을 향상시킬 수 있다.
또, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 화합물 중에는, (C) 플럭스 활성 화합물이 존재한다 (이하, 이와 같은 화합물을, 플럭스 활성 경화제라고도 기재한다.). 예를 들어, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 지방족 디카르복실산, 방향족 디카르복실산 등은 플럭스 작용도 갖고 있다. 본 발명에서는, 이와 같은 플럭스로서도 작용하고, 에폭시 수지의 경화제로서도 작용하는 플럭스 활성 경화제를, 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 활성 화합물이란, 분자 중에 카르복실기가 1 개 이상 존재하는 것을 말하고, 실온에서 액상이어도 되고, 고체이어도 된다. 또, 페놀성 수산기를 구비하는 (C) 플럭스 활성 화합물이란, 분자 중에 페놀성 수산기가 1 개 이상 존재하는 것을 말하고, 실온에서 액상이어도 되고, 고체이어도 된다. 또, 카르복실기 및 페놀성 수산기를 구비하는 (C) 플럭스 활성 화합물이란, 분자 중에 카르복실기 및 페놀성 수산기가 각각 1 개 이상 존재하는 것을 말하고, 실온에서 액상이어도 되고, 고체이어도 된다.
이들 중, 카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 활성 화합물로는, 지방족 산무수물, 지환식 산무수물, 방향족 산무수물, 지방족 카르복실산, 방향족 카르복실산 등을 들 수 있다.
카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 활성 화합물에 관련된 지방족 산무수물로는, 무수 숙신산, 폴리아디프산무수물, 폴리아젤라산무수물, 폴리세바크산무수물 등을 들 수 있다.
카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 활성 화합물에 관련된 지환식 산무수물로는, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 무수 메틸하이믹산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸시클로헥센디카르복실산 무수물 등을 들 수 있다.
카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 활성 화합물에 관련된 방향족 산무수물로는, 무수 프탈산, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 무수물, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트, 글리세롤트리스트리멜리테이트 등을 들 수 있다.
카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 활성 화합물에 관련된 지방족 카르복실산으로는, 하기 일반식 (2) 로 나타내는 화합물이나, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 피발산카프로산, 카프릴산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 올레산, 푸마르산, 말레산, 옥살산, 말론산, 숙신산 등을 들 수 있다.
HOOC-(CH2)n-COOH (2)
(일반식 (2) 중, n 은 1 이상 20 이하의 정수를 나타낸다.)
상기 지방족 카르복실산 중, (C) 플럭스 활성 화합물이 갖는 활성도, 접착 필름의 경화시에 있어서의 아웃 가스의 발생량, 및 경화 후의 접착 필름의 탄성률이나 유리 전이 온도 등의 밸런스가 양호하다는 점에서, 일반식 (2) 로 나타내는 화합물이 바람직하다. 그리고, 일반식 (2) 로 나타내는 화합물 중, n 이 3 ? 10 인 화합물이, 경화 후의 접착 필름에 있어서의 탄성률이 증가하는 것을 억제할 수 있음과 함께, 지지체와 피착체의 접착성을 향상시킬 수 있다는 점에서, 특히 바람직하다.
일반식 (2) 로 나타내는 화합물 중, n 이 3 ? 10 인 화합물로는, 예를 들어, n = 3 인 글루타르산 (HOOC-(CH2)3-COOH), n = 4 인 아디프산 (HOOC-(CH2)4-COOH), n = 5 인 피메린산 (HOOC-(CH2)5-COOH), n = 8 인 세바크산 (HOOC-(CH2)8-COOH) 및 n = 10 인 HOOC-(CH2)10-COOH) 등을 들 수 있다.
카르복실기를 구비하는 (C) 플럭스 활성 화합물에 관련된 방향족 카르복실산으로는, 예를 들어, 하기 일반식 (3) 또는 (4) 로 나타내는 (C) 플럭스 활성 화합물을 들 수 있다.
[화학식 3]
Figure pct00003
(일반식 (3) 중, R1 ? R5 는 각각 독립적으로, 1 가의 유기기이며, R1 ? R5 중 적어도 하나는 수산기이다.)
[화학식 4]
Figure pct00004
(일반식 (4) 중, R6 ? R20 은 각각 독립적으로, 1 가의 유기기이며, R6 ? R20 중 적어도 하나는 수산기 또는 카르복실기이다.)
상기 방향족 카르복실산으로는, 예를 들어, 벤조산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 헤미멜리트산, 트리멜리트산, 트리메스산, 멜로판산, 프레니트산, 피로멜리트산, 멜리트산, 트리일산, 자일릴산, 헤멜리트산, 메시틸렌산, 프레니틸산, 톨루일산, 계피산, 살리실산, 2,3-디하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시벤조산, 겐티스산 (2,5-디하이드록시벤조산), 2,6-디하이드록시벤조산, 3,5-디하이드록시벤조산, 갈산 (3,4,5-트리하이드록시벤조산), 1,4-디하이드록시-2-나프토산, 3,5-디하이드록시-2-나프토산 등의 나프토산 유도체, 페놀프탈린디페놀산 등을 들 수 있다.
일반식 (3) 또는 (4) 로 나타내는 (C) 플럭스 활성 화합물 중에서도, 경화 후의 에폭시 수지의 삼차원적인 네트워크의 형성을 향상시킨다고 하는 관점에서는, 1 분자 중에, 에폭시 수지에 부가할 수 있는 2 개 이상의 페놀성 수산기와, 플럭스 작용 (환원 작용) 을 나타내는 방향족에 직접 결합된 1 개 이상의 카르복실기를 구비하는 화합물이 바람직하다. 이와 같은 플럭스 활성 경화제로는, 2,3-디하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시벤조산, 겐티스산 (2,5-디하이드록시벤조산), 2,6-디하이드록시벤조산, 3,4-디하이드록시벤조산, 갈산 (3,4,5-트리하이드록시벤조산) 등의 벤조산 유도체；1,4-디하이드록시-2-나프토산, 3,5-디하이드록시-2-나프토산, 3,7-디하이드록시-2-나프토산 등의 나프토산 유도체；페놀프탈린；및 디페놀산 등을 들 수 있고, 이들은 1 종 단독 또는 2 종 이상을 조합해도 된다. 이들 중에서도, 땜납 표면의 산화막을 제거하는 효과와 에폭시 수지와의 반응성이 우수한, 2,3-디하이드록시벤조산, 겐티스산, 페놀프탈린이 바람직하다.
페놀성 수산기를 구비하는 (C) 플럭스 활성 화합물로는, 페놀류를 들 수 있고, 구체적으로는, 예를 들어, 페놀, o-크레졸, 2,6-자일레놀, p-크레졸, m-크레졸, o-에틸페놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, m-에틸페놀, 2,3-자일레놀, 메디톨, 3,5-자일레놀, p-터셔리부틸페놀, 카테콜, p-터셔리아밀페놀, 레조르시놀, p-옥틸페놀, p-페닐페놀, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AF, 비페놀, 디알릴비스페놀 F, 디알릴비스페놀 A, 트리스페놀, 테트라키스페놀 등의 페놀성 수산기를 함유하는 모노머류 등을 들 수 있다.
또, 접착 필름 중, 플럭스 활성 경화제의 배합량은, 1 ? 30 중량％ 가 바람직하고, 3 ? 20 중량％ 가 특히 바람직하다. 접착 필름 중의 플럭스 활성 경화제의 배합량이 상기 범위임으로써, 접착 필름의 플럭스 활성을 향상시킬 수 있음과 함께, 접착 필름 중에, 에폭시 수지와 미반응의 플럭스 활성 경화제가 잔존하는 것이 방지된다. 또한, 미반응의 플럭스 활성 경화제가 잔존하면, 마이그레이션이 발생한다.
(A) 열경화성 수지와, (C) 플럭스 활성 화합물의 배합비는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, ((A)/(C)) 가 0.5 ? 20 인 것이 바람직하고, 1 ? 18 인 것이 특히 바람직하고, 2 ? 15 인 것이 더욱 바람직하다. ((A)/(C)) 를 상기 하한값 이상으로 함으로써, 접착 필름을 경화시킬 때에, 아웃 가스가 되는 (C) 플럭스 화합물을 저감시킬 수 있기 때문에, 접착 필름 중의 보이드를 저감시킬 수 있다. 또, ((A)/(C)) 를 상기 상한값 이하로 함으로써, 피착체, 지지체의 단자 표면이나 땜납 표면의 산화막을 효과적으로 제거할 수 있다.
(D) 막형성성 수지
본 발명의 접착 필름은, (D) 막형성성 수지를 함유한다. 이로써, 접착 필름의 막형성성을 향상시켜, 필름 상태로 하는 것이 용이해진다. 또, 접착 필름의 기계적 특성도 우수하다.
(D) 막형성성 수지로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, (메트)아크릴계 수지, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 실록산 변성 폴리이미드 수지, 폴리부타디엔, 폴리프로필렌, 스티렌-부타디엔-스티렌 공중합체, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체, 폴리아세탈 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 부틸 고무, 클로로프렌 고무, 폴리아미드 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-아크릴산 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체, 폴리아세트산비닐, 나일론 등을 들 수 있다. 이들은, 1 종으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 그 중에서도, (메트)아크릴계 수지, 페녹시 수지 및 폴리이미드 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다.
(D) 막형성성 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 1 만 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 만 ? 100 만, 더욱 바람직하게는 3 만 ? 90 만이다. 중량 평균 분자량이 상기 범위이면, 접착 필름의 막형성성을 보다 향상시킬 수 있다.
(D) 막형성성 수지의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 접착 필름에 대해, 5 ? 70 중량％ 가 바람직하고, 10 ? 60 중량％ 가 보다 바람직하고, 특히 15 ? 55 중량％ 가 바람직하다. 함유량이 상기 범위 내이면, 접착 필름의 유동성을 억제할 수 있어, 접착 필름의 취급이 용이해진다.
본 발명의 접착 필름은 상기 이외의 성분을 추가로 함유해도 된다.
(E) 경화 촉진제
(E) 경화 촉진제는 경화성 수지의 종류 등에 따라 적절히 선택하여 사용할 수 있다. (E) 경화 촉진제로는, 예를 들어, 트리 치환 포스포니오페놀레이트 또는 그 염, 융점이 150 ℃ 이상인 이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 첨가량이 적은 상태에서 접착 필름의 경화성을 효과적으로 향상시킬 수 있다는 관점에서, 융점이 150 ℃ 이상인 이미다졸 화합물이 바람직하다. 상기 이미다졸 화합물의 융점이 150 ℃ 이상이면, 접착 필름의 경화가 완료되기 전에, 피착체의 단자와 지지체의 단자를 접합시킬 수 있다. 융점이 150 ℃ 이상인 이미다졸 화합물로는, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸 등을 들 수 있다.
(E) 경화 촉진제의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 접착 필름에 대해 0.005 ? 10 중량％ 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 ? 5 중량％ 이다. 이미다졸 화합물의 배합량을 상기 하한값 이상과 함으로써, (E) 경화 촉진제로서의 기능을 더욱 효과적으로 발휘시켜, 접착 필름의 경화성을 향상시킬 수 있다. 또, 이미다졸의 배합량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 접착 필름이 경화되기 전에 피착체의 단자와 지지체의 단자를 확실하게 접합시킬 수 있고, 또한 접착 필름의 보존성을 더욱 향상시킬 수 있다. 이들 (E) 경화 촉진제는, 1 종으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
(F) 실란 커플링제
접착 필름은 (F) 실란 커플링제를 추가로 함유해도 된다. (F) 실란 커플링제를 함유함으로써, 반도체 칩, 기판 등의 지지체 또는 피착체에 대한 접착 필름의 밀착성을 높일 수 있다. (F) 실란 커플링제로는, 예를 들어, 에폭시실란 커플링제, 방향족 함유 아미노실란 커플링제 등을 사용할 수 있다. 이들은 1 종으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. (F) 실란 커플링제의 배합량은, 적절히 선택하면 되는데, 접착 필름에 대해 바람직하게는 0.01 ? 10 중량％ 이고, 보다 바람직하게는 0.05 ? 5 중량％ 이며, 더욱 바람직하게는 0.1 ? 2 중량％ 이다.
(G) 충전재
접착 필름은 (G) 충전재를 추가로 함유해도 된다. 이로써, 접착 필름의 선팽창 계수를 저하시킬 수 있고, 또, 접착 필름의 최저 용융 점도를 0.01 ? 10,000 Pa?s 의 범위로 조정할 수 있다.
(G) 충전재로는, 예를 들어, 은, 산화티탄, 실리카, 마이카 등을 들 수 있는데, 이들 중에서도 실리카가 바람직하다. 또, 실리카 필러의 형상으로는, 파쇄 실리카와 구상 실리카 등이 있는데, 구상 실리카가 바람직하다.
(G) 충전재의 평균 입경은 특별히 한정되지 않지만, 0.01 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이하가 바람직하고, 0.1 ㎛ 이상, 5 ㎛ 이하가 특히 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 접착 필름 내에서 (G) 충전재의 응집을 억제하여, 외관을 향상시킬 수 있다.
(G) 충전재의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 접착 필름에 대해, 0.1 중량％ 이상이 바람직하고, 3 중량％ 이상이 보다 바람직하고, 5 중량％ 이상이 더욱 바람직하고, 8 중량％ 이상이 보다 더욱더 바람직하다. 한편, 접착 필름에 대해, 80 중량％ 이하가 바람직하고, 60 중량％ 이하가 보다 바람직하고, 55 중량％ 이하가 더욱 바람직하다. 충전재의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 경화 후의 접착 필름과 피접착물 사이의 선팽창 계수차가 작아져, 열충격시에 발생하는 응력을 저감시킬 수 있기 때문에, 피접착물의 박리를 더욱 확실하게 억제할 수 있다. 또, 충전재의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 경화 후의 접착 필름의 탄성률이 지나치게 높아지는 것을 억제할 수 있기 때문에, 반도체 장치의 신뢰성이 향상된다. 또, 충전재의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 접착 필름의 최저 용융 점도를 0.01 ? 10,000 Pa?s 로 조정하는 것이 용이해진다.
상기 서술한 바와 같은 각 수지 성분을, 용매 중에 혼합하여 얻어진 바니시를 폴리에스테르 시트 등의 박리 처리를 실시한 기재 상에 도포하고, 소정 온도에서, 실질적으로 용매를 함유하지 않을 정도까지 건조시킴으로써, 접착 필름을 얻을 수 있다. 여기서 사용되는 용매는, 사용되는 성분에 대해 불활성인 것이면 특별히 한정되지 않지만, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, DIBK (디이소부틸케톤), 시클로헥사논, DAA (디아세톤알코올) 등의 케톤류, 벤젠, 자일렌, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소류, 메틸알코올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, n-부틸알코올 등의 알코올류, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 셀로솔브계, NMP (N-메틸-2-피롤리돈), THF (테트라하이드로푸란), DMF (디메틸포름아미드), DBE (이염기산에스테르), EEP (3-에톡시프로피온산에틸), DMC (디메틸카보네이트) 등이 바람직하게 사용된다. 용매의 사용량은, 용매에 혼합한 성분의 고형분이 10 ? 60 중량％ 가 되는 범위인 것이 바람직하다.
얻어진 접착 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1 ? 300 ㎛ 인 것이 바람직하고, 특히 5 ? 200 ㎛ 인 것이 바람직하다. 두께가 상기 범위 내이면, 접합부의 간극에 수지 성분을 충분히 충전할 수 있어, 수지 성분의 경화 후의 기계적 접착 강도를 확보할 수 있다.
이와 같이 하여 얻어진 접착 필름은 플럭스 활성을 갖고 있는 것이다. 따라서, 반도체 칩과 기판, 기판과 기판, 반도체 칩과 반도체 칩, 반도체 웨이퍼와 반도체 웨이퍼 등의 땜납 접속이 필요한 부재의 접속에 있어서 바람직하게 사용할 수 있는 것이다.
(다층 회로 기판, 전자 부품, 반도체 장치)
다음으로, 상기 서술한 접착 필름을 사용한 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치에 대해 설명한다.
도 1 은 본 발명의 접착 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 나타내는 공정 단면도이다.
먼저, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 땜납 범프 (11) 를 갖는 반도체 칩 (1) 을 준비한다 (도 1(a)).
이 반도체 칩 (1) 의 땜납 범프 (11) 를 덮도록, 상기 서술한 플럭스 기능을 갖는 접착 필름 (2) 을 라미네이트한다 (도 1(b)).
이 플럭스 기능을 갖는 접착 필름 (2) 을 반도체 칩 (1) 에 라미네이트하는 방법으로는, 예를 들어 롤 라미네이터, 평판 프레스, 웨이퍼 라미네이터 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 라미네이트시에 공기가 말려들어 가지 않도록 하기 위해, 진공하에서 라미네이트하는 방법 (진공 라미네이터) 이 바람직하다.
또, 라미네이트하는 조건으로는, 특별히 한정되지 않고, 보이드없이 라미네이트할 수 있으면 되는데, 구체적으로는 60 ? 150 ℃ 에서 1 ? 120 초간이 바람직하고, 특히 80 ? 120 ℃ 에서 5 ? 60 초간이 바람직하다. 라미네이트 조건이 상기 범위 내이면, 첩착 (貼着) 성과 수지의 비어져 나옴 억제 효과와 수지의 경화도의 밸런스가 우수하다.
또, 가압 조건도 특별히 한정되지 않지만, 0.2 ? 2.0 ㎫ 가 바람직하고, 특히 0.5 ? 1.5 ㎫ 가 바람직하다.
다음으로, 상기 서술한 반도체 칩 (1) 의 땜납 범프 (11) 와 대응하는 위치에 패드부 (도시 생략) 를 갖는 기판 (3) 을 준비하고, 반도체 칩 (1) 과 기판 (3) 을 위치 맞춤하면서, 플럭스 기능을 갖는 접착 필름 (2) 을 개재하여 가 (假) 압착한다 (도 1(c)). 가압착하는 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 60 ? 150 ℃ 에서 1 ? 120 초간이 바람직하고, 특히 80 ? 120 ℃ 에서 5 ? 60 초간이 바람직하다. 또, 가압 조건도 특별히 한정되지 않지만, 0.2 ? 2.0 ㎫ 가 바람직하고, 특히 0.5 ? 1.5 ㎫ 가 바람직하다.
다음으로, 땜납 범프 (11) 를 용융하여 패드와 땜납 접합하는 땜납 접속부 (111) 를 형성한다 (도 1(d)).
땜납 접속하는 조건은, 사용하는 땜납의 종류에 따라 상이하기도 하지만, 예를 들어 Sn-3.5Ag 의 경우, 220 ℃ ? 260 ℃ 에서 5 초 ? 500 초간 가열하여 땜납 접속하는 것이 바람직하고, 특히 230 ℃ ? 240 ℃ 에서 10 초 ? 100 초간 가열하는 것이 바람직하다.
이 땜납 접합은, 땜납 범프 (11) 를 용융시켜, 패드에 땜납 접합시킨 후, 접착 필름 (2) 을 열경화시키는 조건으로 실시하는 것이 바람직하다. 즉, 땜납 접합은, 땜납 범프 (11) 를 용융시키는데, 접착 필름 (2) 의 경화 반응이 지나치게 진행되지 않는 조건으로 실시하는 것이 바람직하다. 이로써, 땜납 범프 (11) 와 패드를 확실하게 땜납 접합시킬 수 있다.
다음으로, 접착 필름 (2) 을 가열하여 경화시킨다. 경화시키는 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 130 ? 220 ℃ 에서 30 ? 500 분간이 바람직하고, 특히 150 ? 200 ℃ 에서 60 ? 180 분간이 바람직하다.
이와 같이 하여, 반도체 칩 (1) 과 기판 (3) 이 접착 필름 (2) 의 경화물에 의해 접착된 반도체 장치 (10) 를 얻을 수 있다. 반도체 장치 (10) 는, 상기 서술한 접착 필름 (2) 의 경화물에 의해 접착되어 있기 때문에, 전기적 접속 신뢰성이 우수하다. 또, 접착 필름 (2) 을 사용함으로써, 땜납 범프 (11) 와 패드를 확실하게 땜납 접합시킴과 함께, 이들에 의한 공극의 밀봉을 동시에 실시할 수 있어 높은 생산성이 얻어진다.
또, 동일한 방법에 의해, 회로 기판과 회로 기판을 접착 필름 (2) 의 경화물에 의해 접합시켜 다층 회로 기판을 얻을 수 있다.
또, 동일한 방법에 의해, 반도체 칩과 반도체 칩을 접착 필름 (2) 의 경화물에 의해 접착되어 있는 전자 부품을 얻을 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 기초하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.
실시예
(실시예 1)
＜접착 필름용 바니시의 조제＞
(A) 열경화성 수지로서 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조, EPICLON-830LVP) 55.0 중량부와, (B) 경화제로서 페놀노볼락 수지 (미츠이 화학사 제조, VR-9305) 30.8 중량부와, (C) 플럭스 활성 화합물로서 세바크산 (토쿄 화성 공업사 제조) 3.0 중량부와, (D) 막형성성 수지로서 비스페놀 F 형 페녹시 수지 (토토 화성사 제조, YP-70) 10.0 중량부와, (E) 경화 촉진제로서 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.2 중량부와, (F) 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-303) 1.0 중량부를, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 수지 농도 50 ％ 의 수지 바니시를 조제하였다.
＜접착 필름의 제조＞
얻어진 수지 바니시를, 기재 폴리에스테르 필름 (토오레 주식회사 제조, 루미러) 에 두께 50 ㎛ 가 되도록 도포하고, 100 ℃, 5 분간 건조시켜, 두께 25 ㎛ 의 접착 필름을 얻었다.
＜반도체 장치의 제조＞
땜납 범프 (Sn-3.5Ag, 융점 221 ℃) 를 갖는 반도체 칩 (사이즈 10 ㎜ × 10 ㎜, 두께 0.3 ㎜) 에, 얻어진 접착 필름을 진공 롤 라미네이터에 의해, 100 ℃ 에서 라미네이트하여, 접착 필름이 부착된 반도체 칩을 얻었다.
다음으로, 표면이 금 도금되어 있는 패드부를 갖는 회로 기판의 패드부와 땜납 범프가 맞닿도록 위치 맞춤을 실시하면서 회로 기판에 반도체 칩을 플립 칩 본더 (시부야 공업 주식회사 제조) 를 사용하여, 100 ℃, 30 초간으로 가압착하였다.
이어서, 플립 칩 본더 (시부야 공업 주식회사 제조) 를 사용하여, 235 ℃, 30 초간 가열하고, 땜납 범프를 용융시켜 땜납 접속을 실시하였다.
또한, 180 ℃, 60 분간 가열하고, 접착 필름을 경화시켜, 반도체 칩과 회로 기판이 접착 필름의 경화물에 의해 접착된 반도체 장치를 얻었다.
(실시예 2)
＜접착 필름용 바니시의 조제＞
(A) 열경화성 수지로서 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조, EPICLON-840S) 50.0 중량부와, (B) 경화제로서 페놀노볼락 수지 (미츠이 화학사 제조, VR-9305) 25.5 중량부와, (C) 플럭스 활성 화합물로서 세바크산 (토쿄 화성 공업사 제조) 3.0 중량부와, (D) 막형성성 수지로서 비스페놀 F 형 페녹시 수지 (토토 화성사 제조, YP-70) 20.0 중량부와, (E) 경화 촉진제로서 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.5 중량부와, (F) 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-303) 1.0 중량부를, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 수지 농도 50 ％ 의 수지 바니시를 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름의 제조 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
(실시예 3)
＜접착 필름용 바니시의 조제＞
(A) 열경화성 수지로서 크레졸노볼락형 에폭시 수지 (닛폰 가야쿠사 제조, EOCN-1020-70) 20.0 중량부와, (B) 경화제로서 페놀노볼락 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조, PR55617) 15.0 중량부와, (C) 플럭스 활성 화합물로서 세바크산 (토쿄 화성 공업사 제조) 3.0 중량부와, (D) 막형성성 수지로서 비스페놀 A 형 페녹시 수지 (토토 화성사 제조, YP-50) 60.0 중량부와, (E) 경화 촉진제로서 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 1.0 중량부와, (F) 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-303) 1.0 중량부를, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 수지 농도 50 ％ 의 수지 바니시를 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름의 제조 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
(실시예 4)
＜접착 필름용 바니시의 조제＞
(A) 열경화성 수지로서 크레졸노볼락형 에폭시 수지 (닛폰 가야쿠사 제조, EOCN-1020-70) 15.0 중량부와, (B) 경화제로서 페놀노볼락 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조, PR55617) 8.0 중량부와, (C) 플럭스 활성 화합물로서 페놀프탈린 (토쿄 화성 공업사 제조) 6.0 중량부와, (D) 막형성성 수지로서 비스페놀 A 형 페녹시 수지 (토토 화성사 제조, YP-50) 46.0 중량부와, (G) 충전재로서 구상 실리카 필러 (아드마텍스사 제조, SE6050, 평균 입경 2 ㎛) 23.0 중량부와, (E) 경화 촉진제로서 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 1.0 중량부와, (F) 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-303) 1.0 중량부를, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 고형분 농도 40 ％ 의 수지 바니시를 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름의 제조 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
(실시예 5)
＜접착 필름용 바니시의 조제＞
(A) 열경화성 수지로서 크레졸노볼락형 에폭시 수지 (닛폰 가야쿠사 제조, EOCN-1020-70) 13.0 중량부와, (B) 경화제로서 페놀노볼락 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조, PR55617) 6.0 중량부와, (C) 플럭스 활성 화합물로서 페놀프탈린(토쿄 화성 공업사 제조) 5.0 중량부와, (D) 막형성성 수지로서 비스페놀 A 형 페녹시 수지 (토토 화성사 제조, YP-50) 39.0 중량부와, (G) 충전재로서 구상 실리카 필러 (아드마텍스사 제조, SE6050, 평균 입경 2 ㎛) 36.0 중량부와, (E) 경화 촉진제로서 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.5 중량부와, (F) 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-303) 0.5 중량부를, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 고형분 농도 30 ％ 의 수지 바니시를 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름의 제조 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
(실시예 6)
＜접착 필름용 바니시의 조제＞
(A) 열경화성 수지로서 크레졸노볼락형 에폭시 수지 (닛폰 가야쿠사 제조, EOCN-1020-70) 9.0 중량부와, (B) 경화제로서 페놀노볼락 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조, PR55617) 4.0 중량부와, (C) 플럭스 활성 화합물로서 페놀프탈린 (토쿄 화성 공업사 제조) 4.0 중량부와, (D) 막형성성 수지로서 아크릴산에스테르 공중합 수지 (나가세 켐텍스사 제조, SG-P3) 27.0 중량부와, (G) 충전재로서 구상 실리카 필러 (아드마텍스사 제조, SE6050, 평균 입경 2 ㎛) 55.0 중량부와, (E) 경화 촉진제로서 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.5 중량부와, (F) 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-303) 0.5 중량부를, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 고형분 농도 20 ％ 의 수지 바니시를 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름의 제조 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
(실시예 7)
＜접착 필름용 바니시의 조제＞
(A) 열경화성 수지로서 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조, EPICLON-830LVP) 55.0 중량부와, (B) 경화제로서 페놀노볼락 수지 (미츠이 화학사 제조, VR-9305) 31.8 중량부와, (C) 플럭스 활성 화합물로서 세바크산 (토쿄 화성 공업사 제조) 2.0 중량부와, (D) 막형성성 수지로서 비스페놀 F 형 페녹시 수지 (토토 화성사 제조, YP-70) 10.0 중량부와, (E) 경화 촉진제로서 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.2 중량부와, (F) 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-303) 1.0 중량부를, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 수지 농도 50 ％ 의 수지 바니시를 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름의 제조 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
(실시예 8)
＜접착 필름용 바니시의 조제＞
(A) 열경화성 수지로서 크레졸노볼락형 에폭시 수지 (닛폰 가야쿠사 제조, EOCN-1020-70) 15.0 중량부와, (B) 경화제로서 페놀노볼락 수지 (미츠이 화학사 제조, VR-9305) 5.0 중량부와, (C) 플럭스 활성 화합물로서 세바크산 (토쿄 화성 공업사 제조) 60.0 중량부와, (D) 막형성성 수지로서 비스페놀 A 형 페녹시 수지 (토토 화성사 제조, YP-50) 18.0 중량부와, (E) 경화 촉진제인 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 1.0 중량부와, (F) 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-303) 1.0 중량부를, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 수지 농도 50 ％ 의 수지 바니시를 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름의 제조 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
(비교예 1)
＜접착 필름용 바니시의 조제＞
(A) 열경화성 수지로서 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조, EPICLON-830LVP) 59.0 중량부와, (B) 경화제로서 페놀노볼락 수지 (미츠이 화학사 제조, VR-9305) 34.9 중량부와, (C) 플럭스 활성 화합물로서 세바크산 (토쿄 화성 공업사 제조) 3.0 중량부와, (D) 막형성성 수지로서 비스페놀 F 형 페녹시 수지 (토토 화성사 제조, YP-70) 2.0 중량부와, (E) 경화 촉진제인 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.1 중량부와, (F) 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-303) 1.0 중량부를, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 수지 농도 50 ％ 의 수지 바니시를 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름의 제조 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
(비교예 2)
＜접착 필름용 바니시의 조제＞
(A) 열경화성 수지로서 크레졸노볼락형 에폭시 수지 (닛폰 가야쿠사 제조, EOCN-1020-70) 20.0 중량부와, (B) 경화제로서 페놀노볼락 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조, PR55167) 10.0 중량부와, (C) 플럭스 활성 화합물로서 페놀프탈린(토쿄 화성 공업사 제조) 8.0 중량부와, (D) 막형성성 수지로서 아크릴산에스테르 공중합 수지 (토토 화성사 제조, SG-P3) 60.0 중량부와, (E) 경화 촉진제인 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 1.0 중량부와, (F) 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-303) 1.0 중량부와, (G) 충전재로서 구상 실리카 필러 (아드마텍스사 제조, SE6050, 평균 입경 2 ㎛) 300.0 중량부를, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 수지 농도 50 ％ 의 수지 바니시를 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름의 제조 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
(비교예 3)
＜접착 필름용 바니시의 조제＞
(A) 열경화성 수지로서 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조, EPICLON-830LVP) 42.0 중량부와, (B) 경화제로서 페놀노볼락 수지 (미츠이 화학사 제조, VR-9305) 30.0 중량부와, (C) 플럭스 활성 화합물로서 세바크산 (토쿄 화성 공업사 제조) 3.0 중량부와, (D) 막형성성 수지로서 아크릴산에스테르 공중합 수지 (토토 화성사 제조, SG-P3) 15.0 중량부와, (E) 경화 촉진제인 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2P4MZ) 0.01 중량부와, (F) 실란 커플링제로서 β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, KBM-303) 10.0 중량부를, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 수지 농도 50 ％ 의 수지 바니시를 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 접착 필름의 제조 및 반도체 장치의 제조를 실시하였다.
또, 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 접착 필름, 반도체 장치에 대해, 이하의 평가를 실시하였다. 평가 항목을 내용과 함께 나타낸다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.
1. 접착 필름의 최저 용융 점도
각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 접착 필름을, 점탄성 측정 장치 (HAKKE 사 제조 「RheoStress RS150」) 를 사용하여, 패러렐 플레이트 20 ㎜φ, 갭 0.05 ㎜, 주파수 0.1 ㎐, 승온 속도는 10 ℃／분의 조건으로 용융 점도를 측정하여, 최저가 되는 용융 점도를 측정값으로 하였다.
2. 접착 필름의 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (b) - 발열 피크 온도 (a)
각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 접착 필름의 발열 피크 온도 (a) 를, 시차 주사 열량계 (세이코 인스트루먼트 주식회사 제조, DSC-6200) 를 사용하여 승온 속도 10 ℃／분으로 경화 발열량을 측정하여, 피크 온도 (℃) 를 측정값으로 하였다.
이어서, 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 접착 필름의 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (b) 를, 열중량/시차열 동시 측정 장치 (세이코 인스트루먼트 주식회사 제조, TG/DTA6200) 를 사용하여 승온 속도 10 ℃／분으로 가열 감량을 측정하여, 5 ％ 중량 감소되는 온도 (℃) 를 측정값으로 하였다.
얻어진 (a) 및 (b) 로부터, (b) - (a) 를 산출하였다.
3. 반도체 장치의 공동 및 보이드
각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 반도체 장치 각각 20 개씩에 대해, 반도체 칩의 땜납 범프와 회로 기판의 패드부의 단면 관찰을 SEM (주사형 전자 현미경) 에 의해 실시하여, 공동 및 보이드 (기포) 의 평가를 실시하였다. 각 부호는, 이하와 같다.
○：5 ㎛ 이상의 공동 및 보이드가 전혀 관찰되지 않았다.
×：5 ㎛ 이상의 공동 및 보이드가 관찰되었다.
4. 반도체 장치의 도통 접속성
각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 반도체 장치 각각 20 개씩에 대해, 반도체 칩과 회로 기판 사이의 접속 저항값을 각각 디지털 멀티미터로 10 점 측정하여, 접속 신뢰성을 평가하였다. 각 부호는 이하와 같다.
○：20 개 모든 (측정점：20 × 10 = 200) 반도체 장치의 접속 저항값이 3 Ω 이하였다.
△：도통되지 않는 점은 없지만, 10 ? 20 점의 접속 저항값이 3 Ω 이상이었다 (실용상으로는 문제 없음).
×：20 점 이상의 접속 저항값이 3 Ω 이상, 또는 오픈 불량이 1 점 이상 있었다 (실용상 문제 있음).
5. 반도체 장치의 절연 신뢰성
각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 반도체 장치 각각 20 개에 대해, 130 ℃, 85 ％ RH 의 환경하에서 3 V 의 전압을 인가하면서, 인접 범프 사이의 절연 저항값을 각각 3 점 연속 측정 (200 hr) 하여, 이온 마이그레이션을 평가하였다. 각 부호는 이하와 같다.
○：모든 측정점 (20 × 3 = 60) 에 있어서, 절연 파괴가 발생하지 않았다.
△：절연 파괴가 발생한 점이 3 점 미만이었다.
×：절연 파괴가 발생한 점이 3 점 이상이었다.
Figure pct00005
표 중의 각 성분은, 하기와 같다.
(A-1) 비스 F 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, 형번：EPICLON-830LVP)
(A-2) 비스 A 형 에폭시 수지 (DIC 사 제조, 형번：EPICLON-840S)
(A-3) 크레졸노볼락형 에폭시 수지 (닛폰 가야쿠사 제조, 형번：EOCN-1020-70)
(B-1) 페놀노볼락 수지 (미츠이 화학사 제조, 형번：VR-9305)
(B-2) 페놀노볼락 수지 (스미토모 베이크라이트사 제조, 형번：PR55617)
(C-1) 세바크산 (토쿄 화성 공업사 제조)
(C-2) 페놀프탈린 (토쿄 화성 공업사 제조)
(D-1) 비스페놀 F 형 페녹시 수지 (토토 화성사 제조, 형번：YP-70)
(D-2) 비스페놀 A 형 페녹시 수지 (토토 화성사 제조, 형번：YP-50)
(D-3) 아크릴산에스테르 공중합 수지 (나가세 켐텍스사 제조, 형번：SG-P3)
(E-1) 2-페닐-4-메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 형번：2P4MZ)
(F-1) β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업사 제조, 형번：KBM-303)
(G-1) 구상 실리카 필러 (아드마텍스사 제조, 형번：SE6050, 평균 입경 2 ㎛)
실시예 1 에서 얻어진 접착 필름은, 최저 용융 점도가 0.02 Pa?s 이고, 또, 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (b) 와 발열 피크 온도 (a) 의 차이가 168 ℃ 였다. 실시예 1 에서 얻어진 접착 필름으로 반도체 장치를 제조하여 평가한 결과, 공동 및 보이드, 도통 접속성, 절연 신뢰성 모두 표 1 과 같이 양호하였다.
또, 각 실시예 2 ? 8 에서 얻어진 접착 필름 및 반도체 장치 모두 실시예 1 과 거의 동일한 거동을 나타냈다.
이 출원은 2009년 9월 16일에 출원된 일본 특허출원 2009-214528호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시의 모든 것을 여기에 받아들인다.

Claims (14)

  1. 지지체의 제 1 단자와 피착체의 제 2 단자를, 땜납을 사용하여 전기적으로 접속시키고, 그 지지체와 그 피착체를 접착시키는 접착 필름으로,
    (A) 열경화성 수지와,
    (B) 경화제와,
    (C) 플럭스 활성 화합물과,
    (D) 막형성성 수지
    를 함유하고,
    그 접착 필름의 최저 용융 점도가 0.01 ? 10,000 Pa?s 이고, 또한,
    그 접착 필름의 발열 피크 온도 (℃) 를 (a), 그 접착 필름의 5 ％ 중량 가열 감량 온도 (℃) 를 (b) 라고 정의했을 때, 하기 식 (1) 을 만족시키는 것을 특징으로 하는 접착 필름.
    (b) - (a) ≥ 100 ℃ (1)
  2. 제 1 항에 있어서,
    (A) 열경화성 수지와, (C) 플럭스 활성 화합물의 배합비 ((A)/(C)) 가, 0.5 ? 20 인 접착 필름.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    (A) 열경화성 수지의 함유량이 상기 접착 필름에 대해 5 ? 80 중량％ 인 접착 필름.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    (A) 열경화성 수지가 에폭시 수지인 접착 필름.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    (C) 플럭스 활성 화합물이, 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 플럭스 활성 화합물인 접착 필름.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    (C) 플럭스 활성 화합물이 1 분자 중에 2 개의 페놀성 수산기와, 적어도 1 개의 방향족에 직접 결합된 카르복실기를 갖는 플럭스 활성 화합물인 접착 필름.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    (C) 플럭스 활성 화합물이 하기 일반식 (2) 로 나타내는 화합물을 함유하는 접착 필름.
    HOOC-(CH2)n-COOH (2)
    (일반식 (2) 중, n 은 1 ? 20 의 정수이다.)
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    (C) 플럭스 활성 화합물이 하기 일반식 (3) 및/또는 (4) 로 나타내는 화합물을 함유하는 접착 필름.
    [화학식 5]
    Figure pct00006

    (일반식 (3) 중, R1 ? R5 는 각각 독립적으로, 1 가의 유기기이며, R1 ? R5 중 적어도 하나는 수산기이다.)
    [화학식 6]
    Figure pct00007

    (일반식 (4) 중, R6 ? R20 은 각각 독립적으로, 1 가의 유기기이며, R6 ? R20 중 적어도 하나는 수산기 또는 카르복실기이다.)
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착 필름이 추가로 (G) 충전재를 함유하는 접착 필름.
  10. 제 9 항에 있어서,
    (G) 충전재의 함유량이 상기 접착 필름에 대해 0.1 중량％ 이상 80 중량％ 이하인 접착 필름.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착 필름이, 추가로 (F) 실란 커플링제를, 상기 접착 필름에 대해 0.01 중량％ 이상 5 중량％ 이하 함유하는 접착 필름.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 접착 필름의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 다층 회로 기판.
  13. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 접착 필름의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
  14. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 접착 필름의 경화물을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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Patent event date: 20120412

Patent event code: PA01051R01D

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