KR20120017103A

KR20120017103A - 발광 소자 및 그 형성방법

Info

Publication number: KR20120017103A
Application number: KR1020100079580A
Authority: KR
Inventors: 장정훈
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2010-08-18
Filing date: 2010-08-18
Publication date: 2012-02-28

Abstract

실시예는 발광 소자에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광 소자는, 기판, 기판 상에 제1 반도체층, 제1 반도체 상에 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 형성된 발광층을 포함하고, 발광층은, 우물층과 장벽층이 교대로 반복 적층된 다중양자우물 구조를 갖고, 제1 영역과 제2 영역을 구비하며, 제1 영역은 제1 반도체층과 제2 영역 사이에 형성되고, 제2 영역은 제1 영역과 제2 반도체층 사이에 형성되며, 제1 영역의 우물층의 에너지 밴드갭은 제2 영역으로 갈수록 점진적으로 감소하며, 제2 영역의 우물층의 에너지 밴드갭은 제1 영역의 우물층 중에서 가장 작은 밴드갭보다 낮고 일정한 것을 특징으로 한다.

Description

발광 소자 및 그 형성방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}

실시예는 발광 소자 및 발광 소자의 형성방법에 관한 것이다.

도 1은 일반적인 질화물 반도체 발광 소자(100)의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 1을 참조하면, 발광 소자(100)는 사파이어 기판(110), n-GaN 반도체층(120), n형 전극(125), 발광층(130), p-GaN 반도체층(140), 및 p형 전극(145)으로 구성된다.

이러한 발광 소자(100)는 n-GaN 반도체층(120)에서 공급되는 전자와 p-GaN 반도체층(140)에서 공급되는 정공이 발광층(130) 내에서 서로 결합됨으로써 빛을 방출하게 된다.

실시예는, 발광층에서 전자와 전공의 재결합 효율이 증가하여 발광 효율이 극대화된 발광 소자를 제공함에 목적이 있다.

실시예는, 전자와 전공의 재결합 효율이 증가되어 발광 효율을 극대화시킬 수 있는 발광층을 형성하는 방법을 제공함에 목적이 있다.

실시예에 따른 발광 소자는, 기판, 기판 상에 제1 반도체층, 제1 반도체 상에 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 형성된 발광층을 포함하고, 발광층은, 우물층과 장벽층이 교대로 반복 적층된 다중양자우물 구조를 갖고, 제1 영역과 제2 영역을 구비하며, 제1 영역은 제1 반도체층과 제2 영역 사이에 형성되고, 제2 영역은 제1 영역과 제2 반도체층 사이에 형성되며, 제1 영역의 우물층의 에너지 밴드갭은 제2 영역으로 갈수록 점진적으로 감소하며, 제2 영역의 우물층의 에너지 밴드갭은 제1 영역의 우물층 중에서 가장 작은 밴드갭보다 낮고 일정한 것을 특징으로 한다.

실시예에 따른 발광소자의 형성방법은, 기판 상에 제1 반도체층을 형성하는 단계, 제1 반도체층 상에 발광층을 형성하는 단계 및 발광층 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고, 발광층을 형성하는 단계는, 제1 반도체층 상에 제1 영역을 형성하는 단계 및 제1 영역 상에 제2 영역을 형성하는 단계를 포함하고, 제1 영역을 형성하는 단계는, 제1 영역의 우물층의 인듐 조성이 제2 영역으로 갈수록 점진적으로 증가하도록 인듐 가스를 유입하고, 제2 영역을 형성하는 단계는, 제2 영역의 우물층의 인듐 조성이 제1 영역의 우물층의 인듐 조성보다 크고 일정해지도록 인듐 가스를 유입하는 것을 특징으로 한다.

다른 실시예에 따른 발광소자의 형성방법은, 기판 상에 제1 반도체층을 형성하는 단계, 제1 반도체층 상에 발광층을 형성하는 단계, 및 발광층 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고, 발광층을 형성하는 단계는, 제1 반도체층 상에 제1 영역을 형성하는 단계 및 제1 영역 상에 제2 영역을 형성하는 단계를 포함하고, 제1 영역을 형성하는 단계는, 제1 영역의 우물층의 인듐 조성이 제2 영역으로 갈수록 점진적으로 증가하도록 성정 온도를 점진적으로 감소시키고, 제2 영역을 형성하는 단계는, 제2 영역의 우물층의 인듐 조성이 제1 영역의 우물층의 인듐 조성보다 크고 일정해지도록 성장 온도를 조절하는 것을 특징으로 한다.

실시예에 따르면, 발광층에서 전자와 전공의 재결합 효율이 증가하여 발광 효율이 극대화된 발광 소자를 제공할 수 있다.

실시예에 따르면, 전자와 전공의 재결합 효율이 증가되어 발광 효율을 극대화시킬 수 있는 발광층을 형성하는 방법을 제공할 수 있다.

도 1은 일반적인 발광 소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도.
도 2a는 실시예에 따른 발광 소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도.
도 2b는 도 2a에 도시된 B 영역의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면.
도 3은 도 2a 및 도 2b에 도시된 발광 소자를 형성하는 첫 번째 방법을 개략적으로 나타낸 흐름도.
도 4는 도 2a 및 도 2b에 도시된 발광 소자를 형성하는 두 번째 방법을 개략적으로 나타낸 흐름도.
도 5는 발광소자의 패키지를 개략적으로 나타낸 도면.

이하 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 단, 첨부된 도면은 실시예의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.

[발광 소자]

도 2a는 실시예에 따른 발광 소자(200)의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2b는 도 2a에 도시된 B 영역의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다.

도 2a를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(200)는, 기판(210), 제1 반도체층(220), 제1 전극 패드부(225), 발광층(230), 제2 반도체층(240), 및 제2 전극 패드부(245)를 포함한다.

이하에서는 설명의 편의를 위하여, 제1 반도체층(220)은 n형 반도체층으로, 제1 전극 패드부(225)는 n형 전극 패드부로, 제2 반도체층(240)은 p형 반도체층으로, 제2 전극 패드부(245)는 p형 전극 패드부로 가정하여 설명하도록 한다.

기판(210)은 사파이어 기판일 수 있으며, 이에 한정하지 않고, SiC, GaP, GaAs, Si, ZnO, 또는 GAN기판과 같은 통상적으로 알려진 기판이더라도 무방하다.

n형 반도체층(220)은 In_xAlyGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.

p형 반도체층(240)은 In_xAlyGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.

발광 소자(200)는 n형 반도체층(220)에서 공급되는 전자와 p형 반도체층(240)에서 공급되는 정공이 발광층(230) 내에서 서로 결합됨으로써 빛을 방출하게 된다.

발광층(230)은 n형 반도체층(220) 및 p형 반도체층(240)의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광층(230) n형 반도체층(220) 및 p형 반도체층(240)이 GaN계 화합물 반도체인 경우, GaN의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 InAlGaN계 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 즉, 발광층(230)은 In_xAlyGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료가 도핑된 것일 수 있다.

이때, 발광층(230)구성물질의 몰비를 조절하여 발광하는 빛의 파장을 조절할 수도 있다. 따라서, 발광 소자(200)는 발광층(230)의 특성에 따라 적외선, 가시광선, 및 자외선 중 어느 하나의 빛을 발광할 수 있다.

또한, 발광층(230)에 따라 반도체 발광소자(200)의 전체 에너지 밴드 다이어그램에는 에너지 우물 구조가 나타나게 되고, 각각의 반도체층(220, 240)으로부터의 전자 및 정공은 이동하다 에너지 우물 구조 갇히게 되고, 발광이 더욱 효율적으로 발생하게 된다.

도 2b에 도시된 바와 같이, 발광층(230)은, 우물층(131a, 133a)과 장벽층(131b, 133b)이 서로 교대로 반복 적층된 다중양자우물(multiple quantum wells, MQWs) 구조를 갖는다. 이러한 다중양자우물 발광층(230)은 제1 영역(231)과 제2 영역(233)으로 이루어질 수 있다. 여기서 제1 영역(231)은 n형 반도체층(220)과 제2 영역(233) 사이의 영역을 의미하고, 제2 영역(233)은 제1 영역(231)과 p형 반도체층(233) 사이의 영역을 의미한다.

제1 영역(231)에 구성된 우물층들(231a)의 인듐 조성은 그레이드(grade)를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(231)에 구성된 우물층들(231a)의 인듐 조성은 제2 영역(233)으로 갈수록 점진적으로 증가될 수 있다. 또한, 제2 영역(233)에 구성된 우물층(233a)의 인듐 조성은 제1 영역(231)에 구성된 우물층(231a)의 인듐 조성보다 크고 일정하게 이루어질 수 있다.

실시예에서는 인듐 조성을 중심으로 설명하고 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 도 2b와 같은 밴드갭을 형성할 수 있는 물질들이 적용될 수도 있다. 예를 들어, 제1 영역(231)에서는 알루미늄(Al)의 농도가 점진적으로 감소되고, 제2 영역(233)에서는 알루미늄(Al)의 조성이 제1 영역(231)의 우물층(231a)보다 낮고 일정하게 될 수 있으며, 알루미늄(Al)과 인듐(In)이 같이 적용되어 도 2b에 도시된 바와 같은 밴드갭을 형성할 수도 있다.

도 2b에 도시된 바와 같이, 발광층(230)과 p형 반도체층(240) 사이에는 전자 블록층(electron blocking layer, EBL)이 적층되어 있을 수 있다. 이러한 전자 블록층(EBL)은 p-AlGaN 전자 블록층일 수 있다.

n형 반도체층(220)의 일부가 노출될 수 있으며, 노출된 n형 반도체층(220) 상에 n형 전극 패드부(225)가 형성될 수 있다. 노출된 영역은 발광 소자의 모서리에 형성될 수 있는데, 이는 발광 면적을 최대화하기 위해서이다. 이러한 n형 전극 패드부(225)는 Al, Au, Pt, Ti, Cr, 및 W 중 하나 이상의 물질을 포함하여 형성된 것일 수 있다.

p형 전극 패드부(245)는 p형 반도체층(245) 상에 형성될 수 있다. p형 전극 패드부(245)는, 발광층(230)에서 발생된 빛을 외부로 잘 투과되도록 하기 위해 ITO, CTO, SnO₂, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx, GaxOy을 포함하는 그룹 중에서 선택된 물질로 형성된 투명 전극일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것이 아니라, Ag, Al, Pt, Ni, Pt, Pd, Au, Ir 등과 같은 재료의 물질로도 구현 가능하다.

다중양자우물 구조의 발광층(230)에서 InGaN과 GaN 간의 큰 격자 상수 차이는 발광층(230)의 내부 스트레인(strain)을 유발하며, 이러한 스트레인은 큰 압전기장(piezoelectric field)을 생성하게 된다. 또한, 이러한 스트레인은 전자와 전공의 공간적 분리를 야기하며, 압전기장은 발광 소자의 발광 효율(radiative recombination efficiency)을 크게 감소시킬 수 있다. 또한, 다중양자우물 구조의 발광층에 있어서 스트레인은 V-pits의 형성을 위한 구동력 역할을 할 수 있다. 이러한 V-pits은 다중양자우물 구조의 구간들 간에 계면 급준성(interface abruptness)을 감소시키고, 다중양자우물 구조의 온도 저하(thermal degradation)의 원인이 된다.

그러나, 실시예에 따르면, 기존의 다중양자우물 구조 중 제1 영역에 구성된 우물층들의 인듐 조성이 점진적으로 증가 또는 감소됨으로써, 기존보다 두꺼운 우물 두께를 가질 수 있으므로, 발광층의 내부 스트레인을 더욱 감소시킬 수 있다. 또한, 제1 영역에 구성된 우물층에서 내부 스트레인이 감소됨으로써, 발광층에서 생성되는 압전기장을 감소시켜 전자와 전공의 재결합 효율이 증가될 수 있다.

실시예에서는 수평형 발광 소자를 일례로 하여 설명하고 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 수직형, 플립칩형, 비아홀 구조 등의 다양한 구조를 갖는 발광 소자에 적용될 수 있다.

[발광 소자의 형성방법]

도 3은 도 2a 및 도 2b에 도시된 발광 소자를 형성하는 첫 번째 방법(S300)을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.

실시예에 따른 발광 소자의 형성방법은, 제1 반도체층 형성 단계(s310), 발광층 형성 단계(s320) 및 제2 반도체층 형성 단계(s330)를 포함한다.

실시예에 따른 발광층은 n형 반도체층이 성장된 후, 가령 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 공법을 이용하여 InGaN의 반도체 재료가 도핑된 우물층 및 GaN의 반도체 재료가 도핑된 장벽층으로 이루어진 다중양자우물 구조로 형성될 수 있다.

실시예에 따른 발광 소자의 형성방법은 통상의 질화물 반도체 발광 소자를 형성하는 방법을 이용하되, 특히 하기의 발광층의 형성방법을 통하여 실시한다.

도 3에 도시된 다중양자우물 발광층을 형성하는 첫 번째 방법(S320)은, 인듐 가스 유입량을 조절하여 다중양자우물 발광층을 형성하는 방법으로서, 제1 영역을 형성하는 단계(S321)와 제2 영역을 형성하는 단계(S323)를 포함한다.

먼저, S321 단계에서는 제1 영역의 우물층을 형성 시 유입되는 인듐 가스량을 단계적으로 감소시켜 우물층의 인듐 조성이 점진적으로 증가하는 제1 영역을 형성한다. 예를 들어, n층으로 구성된 제1 영역의 우물층들을 형성할 경우 n형 반도체층과 가장 가까운 우물층부터 제2영역에 가까운 우물층까지 가스 유입량을 점진적으로 감소시켜주면서 각 우물층을 형성할 수 있다.

다음, S323 단계에서는 제2 영역의 우물층 형성 시 인듐 가스량을 일정하게 유입시켜 주어 제1 영역의 우물층보다 크고 일정한 인듐 조성을 갖도록 우물층을 형성한다.

도 4는 다른 실시예에 따른 발광 소자를 형성하는 두 번째 방법(S400)을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.

도 4에 도시된 다중양자우물 발광층을 형성하는 두 번째 방법(S420)은, 우물층의 성장 온도를 조절하여 다중양자우물 발광층을 형성하는 방법으로서, 제1 영역을 형성하는 단계(S421)와 제2 영역을 형성하는 단계(S423)를 포함한다.

먼저, S421 단계에서는 제1 영역의 우물층 형성 시 성장 온도를 단계적으로 증가시켜 준다. 예를 들어, n층으로 구성된 제1 영역의 우물층들을 형성할 경우 n형 반도체층과 가장 가까운 우물층부터 제2 영역에 가까운 우물층까지 성장 온도를 점전적으로 증가시켜주면서 각 우물층을 형성할 수 있다.

다음, S423 단계에서는 제2 영역의 우물층 형성 시 성장 온도를 일정하게 유지시켜 주어 제1 영역의 우물층보다 크고 일정한 인듐 조성을 갖도록 우물층을 형성한다.

실시예에 따르면, 다중양자우물 발광층을 기존 두께보다 두껍게 증착할 수 있기 때문에 발광층의 스트레인을 더욱 감소시킬 수 있다. 또한, 인듐 가스 유입량 또는 성장 온도의 조절을 통하여 결정성이 좋은 양자 우물 재현이 가능하다.

[발광 소자 패키지]

이하, 도 5를 참조하여 일실시예에 따른 발광 소자 패키지에 관하여 설명한다. 도 5는 발광소자의 패키지(1000)를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 5에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(1000)는 패키지 몸체(1100), 제1 전극층(1110), 제2 전극층(1120), 발광 소자(1200) 및 충진재(1300)를 포함한다.

패키지 몸체(1100)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 발광 소자(1200)의 주위에 경사면이 형성되어 광추출 효율을 높일 수 있다.

제1 전극층(1110) 및 제2 전극층(1120)은 패키지 몸체(1100)에 설치된다. 제1 전극층(1100) 및 제2 전극층(1120)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광 소자(1200)에 전원을 제공한다. 또한, 제1 전극층(1110) 및 제2 전극층(1120)은 발광 소자(1200)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광 소자(1200)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.

발광 소자(1200)는 제1 전극층(1100) 및 제2 전극층(1120)과 전기적으로 연결된다. 발광 소자(1200)는 패키지 몸체(1100) 상에 설치되거나 제1 전극층(1100) 또는 제2 전극층(1120) 상에 설치될 수 있다.

발광 소자(1200)는 제1 전극층(1110) 및 제2 전극층(1120)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.

충진재(1300)는 발광 소자(1200)를 포위하여 보호할 수 있도록 형성될 수 있다. 또한, 충진재(1300)에는 형광체(1310)가 포함되어 발광 소자(1200)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.

발광 소자 패키지(1000)는 상기에 개시된 실시 예들의 발광 소자 중 적어도 하나를 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.

실시예에 따른 발광 소자 패키지(1000)는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 발광 소자 패키지(1000)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지(1000), 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다.

또 다른 실시예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.

이상에서 보는 바와 같이, 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시 될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.

그러므로, 이상에서 기술한 실시 예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

200: 발광 소자
210: 기판
220: 제1 반도체층
225: 제1 전극 패드부
230: 발광층
240: 제2 반도체층
245: 제2 전극 패드부

Claims

기판;
상기 기판 상에 제1 반도체층;
상기 제1 반도체 상에 제2 반도체층; 및
상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 형성된 발광층을 포함하고,
상기 발광층은, 우물층과 장벽층이 교대로 반복 적층된 다중양자우물 구조를 갖고, 제1 영역과 제2 영역을 구비하며,
상기 제1 영역은 상기 제1 반도체층과 상기 제2 영역 사이에 형성되고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역과 상기 제2 반도체층 사이에 형성되며,
상기 제1 영역의 우물층의 에너지 밴드갭은 상기 제2 영역으로 갈수록 점진적으로 감소하며,
상기 제2 영역의 우물층의 에너지 밴드갭은 상기 제1 영역의 우물층 중에서 가장 작은 밴드갭보다 낮고 일정한 발광 소자.
제1항에 있어서,
상기 제1 영역의 우물층의 인듐 조성은 상기 제2 영역으로 갈수록 점진적으로 감소하며, 상기 제2 영역의 우물층의 인듐 조성은 상기 제1 영역에서 가장 큰 인듐 조성값보다 크고 일정한, 발광 소자.
제1항에 있어서,
상기 제1 반도체층은 그 일부가 노출된 영역을 하나 이상 구비하고,
상기 제1 반도체층의 노출된 영역 상에 형성된 제1 전극 패드부를 더 포함하는, 발광 소자.
제3항에 있어서,
상기 제1 전극 패드부는 Al, Au, Pt, Ti, Cr, 및 W 중 하나 이상의 물질을 포함하여 형성된, 발광 소자.
제3항에 있어서,
상기 제1 전극 패드부는 발광 소자의 모서리에 형성된, 발광 소자.
제1항에 있어서,
상기 제2 반도체층 상에 형성된 제2 전극 패드부를 더 포함하고,
상기 제2 전극 패드부는 ITO, CTO, SnO2, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx, GaxOy을 포함하는 그룹 중에서 선택된 물질을 포함하는, 발광 소자.
제1항에 있어서
상기 제1 반도체층은 n 형 반도체층이고,
상기 제2 반도체층은 p 형 반도체인, 발광 소자.
제7항에 있어서,
상기 제2 반도체층은 상기 제2 반도체층의 에너지 밴드갭보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 전자 블록층을 더 포함하는, 발광 소자.
제8항에 있어서,
상기 전자 블록층은 p-AlGaN 으로 이루어지는, 발광 소자.
기판 상에 제1 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제1 반도체층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 발광층 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 발광층을 형성하는 단계는,
제1 반도체층 상에 제1 영역을 형성하는 단계; 및
상기 제1 영역 상에 제2 영역을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 영역을 형성하는 단계는, 상기 제1 영역의 우물층의 인듐 조성이 상기 제2 영역으로 갈수록 점진적으로 증가하도록 인듐 가스를 유입하고,
상기 제2 영역을 형성하는 단계는, 상기 제2 영역의 우물층의 인듐 조성이 상기 제1 영역의 우물층의 인듐 조성보다 크고 일정해지도록 인듐 가스를 유입하는 발광 소자의 형성방법.
기판 상에 제1 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제1 반도체층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 발광층 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 발광층을 형성하는 단계는,
상기 제1 반도체층 상에 제1 영역을 형성하는 단계; 및
상기 제1 영역 상에 제2 영역을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 영역을 형성하는 단계는, 상기 제1 영역의 우물층의 인듐 조성이 상기 제2 영역으로 갈수록 점진적으로 증가하도록 성정 온도를 점진적으로 감소시키고,
상기 제2 영역을 형성하는 단계는, 상기 제2 영역의 우물층의 인듐 조성이 상기 제1 영역의 우물층의 인듐 조성보다 크고 일정해지도록 성장 온도를 조절하는 발광 소자의 형성방법.