KR20110134902A

KR20110134902A - 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조

Info

Publication number: KR20110134902A
Application number: KR1020117023517A
Authority: KR
Inventors: 징이 첸; 시흐이 웬; 칭젠 판; 밍훙 첸; 춘체 리
Original assignee: 헬리오 옵토일렉트로닉스 코포레이션
Priority date: 2009-04-07
Filing date: 2009-04-07
Publication date: 2011-12-15
Also published as: DE112009004640T5; WO2010115294A1; JP2012518912A; US20120018773A1

Abstract

과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드(AC LED; alternating current light emitting diode) 구조가 제공된다. AC LED 구조(100)는 적어도 하나의 AC LED(10), 방열 유닛(20) 및, 과부하 보호 유닛(30)을 포함하고, AC LED(10)는 방열 유닛(20)과 열적으로 연결되고, 과부하 보호 유닛(30)은 AC LED(10)와 전원(40)과 직렬 연결된다. 과전류가 AC LED 구조를 통과할 때, 과부하 보호 유닛(30)의 온도는 과전류로 인해 최종적으로 개방 상태에 이를 때까지 상승한다. 따라서, 개방 상태는 AC LED 구조에서 일어날 수 있으며, 이는 전원(40)이 AC LED를 구동하는 것을 차단함으로써 과부하 보호의 효과가 달성된다.

Description

과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조{AC LED STRUCTURE WITH OVERLOAD PROTECTION}

본 발명은 교류 발광 다이오드(AC LED; alternating current light emitting diode) 구조에 관한 것으로서, 특히 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조에 관한 것이다.

발광 다이오드(LED)는 매우 양호한 물리적 특성을 가지는 광원으로서, 냉광원(cold light source)이며 휘도가 높고 특히 발광 다이오드의 사용 수명은 수십만 시간에 달할 수 있다. 또한 종래 광원과 비교하면, 발광 다이오드는 비교적 낮은 전류 구동을 사용할 수 있는 반면 동일한 양의 광 출력을 얻을 수 있어 발광 다이오드의 소모 파워는 상당히 낮다. 이 외에도 발광 다이오드의 종류와 색채가 매우 많아 응용 범위가 매우 광범위하다.

그러나 발광 다이오드는 직류 전원으로만 구동가능하므로, 발광 다이오드 전등을 제작시 반드시 교류를 직류로 전환하는 제어회로 및 감압 유닛을 외부에 부가해야 도시의 전기 교류 전원 하에 발광 다이오드 전등을 정상 조작할 수 있으나, 이것은 발광 다이오드 전등의 제작 경비를 증가시킬 뿐만 아니라 발광 다이오드 전등의 점등 시간도 연장시킨다.

따라서 최근 발광 다이오드 기술이 발전하여 교류 전원을 직접 사용하여 구동하는 교류 발광 다이오드까지 이르고 있고, 이는 다수의 직류 발광 다이오드 상호 직렬 및 병렬로 이루어진다. 따라서 단일 교류 발광 다이오드를 구동시 실제로는 동시에 다수의 교류 발광 다이오드를 구동하므로 비교적 높은 전류를 입력하여야 교류 발광 다이오드를 구동할 수 있어 쉽게 교류 발광 다이오드가 과부하가 걸리는 문제가 발생할 수 있으며, 또한 교류 전원 중 불규칙 서지 간섭(surge interference)가 있으므로, 만약 교류 발광 다이오드 과부하 문제를 효과적으로 피할 수 없다면 교류 발광 다이오드의 손상을 일으킬 수 있다.

이로부터 알 수 있듯이 상기 종래 교류 발광 다이오드는 구조와 사용에서 불편함과 결함이 명백히 존재하고 있어 계속적인 개선이 필요하다. 상술한 현존하는 문제를 해결하기 위해 관련 회사는 해결방안을 찾기 위해 노력하였으나 오랫동안 적용 디자인을 발전 완성시키지 못하였고 일반 제품에도 또한 상기 문제를 해결할 수 있는 적절한 구조가 없어서, 이는 관련 업자가 시급히 해결해야할 문제가 분명하다. 따라서 어떻게 신형의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조를 창안할 수 있는 지는 현재 당면한 중요 연구개발 과제의 하나에 속하며 현재 업계가 개선할 목표가 된다.

본 발명의 목적은 종래 교류 발광 다이오드 구조에 존재하는 결함을 극복하여 신형의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조를 제공하는 것이며, 해결하고자 하는 기술 문제는 교류 발광 다이오드에 과부하 현상이 발생할 때, 과부하 보호 유닛이 즉각 전원의 공급을 조정하여 교류 발광 다이오드의 효능을 보호하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 신형의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조를 제공하며, 해결하고자 하는 기술문제는 과부하 보호 유닛이 입력 교류 발광 다이오드의 전원을 신속히 차단할 수 있어 교류 발광 다이오드가 과부하 전류의 손상을 피하는 것이며 나아가 교류 발광 다이오드 사용 수명의 효능을 연장시키는 것이다.

본 발명의 목적 및 기술문제의 해결은 아래의 기술 방안을 채용함으로써 실현된다. 본 발명이 제공하는 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는: 적어도 하나의 교류 발광 다이오드; 상기 교류 발광 다이오드를 탑재하고 열전도 연결되는 적어도 하나의 방열 유닛; 및 상기 교류 발광 다이오드 및 전원 사이에 직렬 연결되는 적어도 하나의 과부하 보호 유닛을 포함한다.

본 발명의 목적 및 그 기술 문제의 해결은 또한 아래의 기술 대책을 채택하여 더 실현할 수 있다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는, 상기 과부하 보호 유닛과 상기 교류 발광 다이오드 사이의 거리가 3mm 보다 작다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는, 상기 교류 발광 다이오드와 상기 방열 유닛 사이에 설치되는 열 전도층을 더 가진다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는,상기 열 전도층이 고분자 유전 재료이다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는, 상기 과부하 보호 유닛이 전도 리드(reed)이다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는, 상기 과부하 유닛이: 상기 교류 발광 다이오드와 상기 전원과 각각 전기적으로 연결되는 전도 리드; 및 상기 전도 리드와 결합되는 멤스(MEMS: microelectromechanical system) 유닛을 가진다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는: 상기 교류 발광 다이오드와 상기 전원을 전기적으로 연결하는 제1전극; 및 상기 과부하 보호 유닛과 상기 전원을 전기적으로 연결하는 제2전원을 더 가진다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는, 상기 제1전극과 상기 제2전극이 상기 열 전도층의 일 표면에 설치된다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는, 상기 과부하 보호가 온도 제어 유닛이 될 수 있다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는, 상기 온도 제어 유닛이: 제1전도층; 상기 제1전도층 상에 설치되는 온도 검출층; 및 상기 온도 검출층 상에 설치되고 상기 교류 발광 다이오드와 전기적으로 연결되는 제2전도층;을 가진다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는, 상기 제2전도층과 상기 제2전극이 전기적으로 연결된다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는, 상기 제2전도층이: 상기 교류 발광 다이오드와 전기적으로 연결되는 제3전도층; 및 상기 제3전도층과 전기적으로 분리되고 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 제4전도층;을 가진다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는, 상기 교류 발광 다이오드와 상기 전원이 연결될 때 상기 온도 제어 유닛의 온도가 정 온도 계수 특성의 트리거(trigger) 온도보다 낮다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는, 상기 온도 검출층이 결정성 고분자 재료 및 전도 재료를 가진다.

상술한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조는,상기 결정성 고분자 재료의 융점이 80℃ 내지 183℃ 사이이다.

본 발명과 종래 기술을 비교하면 뚜렷한 장점과 유익한 효과를 가진다. 상술한 기술방안에 따르면, 본 발명의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드는 적어도 아래의 장점 및 유익한 효과를 가진다:

1. 본 발명이 이용하는 과부하 보호 유닛은 과부하 전류 하에 흐르는 교류 발광 다이오드의 전류를 조정하여 교류 발광 다이오드의 효능을 보호할 수 있다.

2. 본 발명은 과부하 보호 유닛이 교류 발광 다이오드를 보호할 수 있어 교류 발광 다이오드가 과부하 전류의 손상을 피할 수 있으며, 따라서 교류 발광 다이오드의 사용 수명을 연장할 수 있다.

상술한 설명은 단지 본 발명의 기술방안의 대략적 서술에 불과하며, 본 발명의 기술 수단을 충분히 명확히 하기 위해 설명서의 내용에 의하여 실시할 수 있고 또한 본 발명의 상술과 기타 목적, 특징 및 장점을 충분히 명료하게 이해시키기 위해 아래에서 특히 바람직한 실시예를 들고 있으며 첨부 도면과 결합하여 아래와 같이 상세하게 설명하고 있다.

도 1은 본 발명의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조의 실시예의 제1개략도이다.
도 2는 본 발명의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조의 실시예의 제2개략도이다.
도 3은 본 발명의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조의 실시예의 제3개략도이다.
도 4는 본 발명의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조의 실시예의 제4개략도이다.
도 5는 정 온도 계수 재료의 온도 및 저항의 관계 개략도다.
도 6은 본 발명의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조의 응용 실시 상태의 개략도이다.
100, 101, 102, 103: 본 발명의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조
10: 교류 발광 다이오드 20: 방열 유닛
30: 과부하 보호 유닛 31: 전도 리드
32: 멤스유닛 33: 제1전도층
34: 온도 검출층 35: 제2전도층
351: 제3전도층 352: 제4전도층
40: 교류 전원 50: 열 전도층
51: 표면 60: 제1전극
70: 제2전극

본 발명이 본 발명의 목적을 달성하기 위해 채용한 기술 수단 및 효과를 더욱 상세히 설명하기 위해, 도면 및 바람직한 실시예를 결합하여 본 발명이 제공하는 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조 및 그 구체적 실시 방식, 구조, 특징 및 그 효과에 대해 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조의 실시예의 제1개략도이다. 도 2는 본 발명의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조의 실시예의 제2개략도이다. 도 3은 본 발명의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조의 실시예의 제3개략도이다. 도 4는 본 발명의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조의 실시예의 제4개략도이다. 도 5는 정 온도 계수 재료의 온도 및 저항의 관계 개략도이다. 도 6은 본 발명의 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조의 응용 실시 상태의 개략도이다.

도 1에서 도시된 바와 같이, 본 실시예는 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조(100)로서: 적어도 하나의 교류 발광 다이오드(10); 적어도 하나의 방열 유닛(20); 및 적어도 하나의 과부하 보호 유닛(30)을 포함한다. 설명을 편리하게 하기 위해 본 설명서에서 교류 발광 다이오드(10)가 견딜 수 있는 것을 초과한 전류를 과부하 전류로 정의한다.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상술한 교류 발광 다이오드(10)는 도시 전기의 교류 전원(40)을 직접 사용하여 구동하여 광을 출력할 수 있으므로 외부 연결 변전 정류 장치를 필요로 하지 않으며 또한 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조(100) 중에는 명확한 수요에 의해 상이한 수량의 교류 발광 다이오드(10)를 선택 사용할 수 있는데: 예를 들어 두 개 또는 세 개의 교류 발광 다이오드(10)를 사용할 수 있다.

도 1에 도시된 바와 같이, 상술한 방열 유닛(20)은 각 교류 발광 다이오드(10)를 지탱하고 방열 유닛(20)은 또한 각 교류 발광 다이오드(10)와 열적으로 연결되어, 방열 유닛(20)의 재질은 고 열전도 계수를 가지는 재질일 수 있는데: 예를 들어 동, 알루미늄, 세라믹 재료.....등이 될 수 있고, 그리하여 상기 교류 발광 다이오드(10)의 출광 시의 방열이 효과적으로 방열 유닛(20)을 통해 배출될 수 있다.

하지만 방열 유닛(20)은 열팽창 시 방열 유닛(20)과 교류 발광 다이오드(10)의 열 팽창 계수가 상이하여 팽창으로 인해 생성되는 상대적 작용력 때문에 교류 발광 다이오드 구조(100)를 파괴할 수 있다.

따라서 도 2에 도시된 바와 같이, 교류 발광 다이오드 구조(101)는 열 전도층(50)을 더 포함할 수 있으며, 이는 교류 발광 다이오드(10)와 방열 유닛(20) 사이에 설치되고, 또한 열 전도층(50)은 고분자 유전 재료가 될 수 있으므로, 열 전도층(50)은 양호한 열 팽창 계수 및 열 전도 계수를 가지고, 방열 유닛(20)이 열팽창 시 교류 발광 다이오드(10)와 방열 유닛(20) 사이의 완충층으로 작용하는 이외에도, 교류 발광 다이오드(10)가 생성한 열을 방열 유닛(20)으로 전달하는 것을 도울 수 있다.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 과부하 보호 유닛(30)은 교류 발광 다이오드(10) 및 교류 전원(40) 사이에 직렬 연결되므로, 과부하 보호 유닛(30)이 교류 발광 다이오드(10)를 흐르는 전류의 크기를 제어할 수 있어 교류 발광 다이오드(10)의 과부하를 피할 수 있으며, 과부하 보호 유닛(30)의 응용 방식은 후술하는 바와 같다.

도 1에 도시된 바와 같이, 과부하 보호 유닛(30)은 전도 리드(reed)(31)일 수 있고, 이는 교류 발광 다이오드(10)와 직류 전원(40)을 전기적으로 연결시킬 수 있으며, 상이한 규격의 전도 리드(31)는 상이한 차단(도(跳)탈(脫))온도를 가진다. 교류 발광 다이오드(10)에 과부하 상황이 나타날 때, 교류 발광 다이오드(10)의 온도는 계속 상승하여 나아가 방열 유닛(20)의 온도를 상승시키기 시작함으로써 방열 유닛(20) 상의 전도 리드(31)가 가열되기 시작하는데, 일단 전도 리드(31)의 온도가 차단 온도에 이르면, 전도 리드(31)는 절단이 될 수 있어 교류 발광 다이오드(10)와 교류 전원(40) 사이가 단락이 되게 한다. 교류 발광 다이오드(10)의 온도가 하강하고 방열 유닛(20)의 온도가 떨어져서야, 전도 리드(31)의 온도가 차단 온도 이하로 떨어질 수 있어 전도 리드(31)가 자동으로 초기 상태로 복귀하도록 하고, 교류 전원(40)은 교류 발광 다이오드(10)에 계속적으로 입력을 시작할 수 있다.

이외에 과부하 전류가 전도 리드(31)를 과부하로 계속 흐를 때 전도 리드(31)의 온도도 계속 상승하여 일단 전도 리드(31)의 온도가 차단 온도까지 상승하면 전도 리드(31)가 절단되게 한다. 따라서 전도 리드(31)는 동일한 시간 내 주위 온도를 받아 가열될 수 있고 과부하 전류를 받아 가열될 수 있어, 교류 발광 다이오드(10)에 더욱 완전한 과부하 보호를 제공할 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이 과부하 보호 유닛(30)은: 전도 리드(31); 및 멤스(MEMS) 유닛(32)을 가질 수 있다. 즉 멤스 유닛(32)과 전도 리드(31)를 결합시키고 멤스 유닛(32)을 이용하여 전도 유닛(31)의 주위 온도를 더욱 정확히 검출함으로써 전도 리드(31)가 적합한 온도에 차단/복원을 실행하도록 하고 나아가 과부하 유닛(30)이 더 적당한 효능을 발휘하게 한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 교류 발광 다이오드(102)는: 제1전극(60); 및 제2전극(70)을 더 포함할 수 있고, 여기서 제1전극(60)은 교류 발광 다이오드(10)와 교류 전원(40)을 전기적으로 연결하며, 제2전극(70)은 과부하 보호 유닛(30)과 교류 전원(40)을 전기적으로 연결함으로써, 제1전극(60)과 제2전극(70)의 설치로 인해 다수의 교류 발광 다이오드 구조(102)가 직렬(도 6에 도시) 또는 병렬 연결되는 회로 구조에 유리하며; 또한 각종 상이한 응용 요구에도 부합된다.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1전극(60)과 제2전극(70)은 전도층(50)의 일 표면(51)에 설치될 수 있고, 교류 발광 다이오드 구조(102, 103)의 과부하 보호 유닛(30)은 온도 제어 유닛이 될 수 있고, 온도 제어 유닛은: 제1전도층(33); 온도 검출층(34); 및 제2전도층(35)을 가질 수 있다.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1전도층(33)은 제2전극(70) 상에 설치될 수 있고 제2전극(70)과 전기적으로 연결되며, 온도 검출층(34)은 제1전도층(33) 상에 설치될 수 있고, 또한 제2전도층(35)은 온도 검출층(34) 상에 설치되고 교류 발광 다이오드(10)와 전기적으로 연결된다.

또한 온도 검출층(34)은 결정성 고분자 재료 및 전도 재료를 가질 수 있고 결정성 고분자 재료의 융점은 80℃ 내지 183℃ 사이에 있고, 전도 재질은 카본 블랙, 석영,......등 전도 재료가 될 수 있다. 또한 온도 검출층(34)은 정 온도 계수 특성을 가질 수 있고 도 5에 도시된 바와 같이 온도 검출층(34)의 온도가 트리거 온도를 넘을 때 온도 검출층(34)의 저항값은 짧은 시간 내 신속히 증가하여 제2전도층(35)과 제1전도층(33) 사이에 단락 상태를 형성한다.

교류 발광 다이오드(10)가 교류 전원(40)과 막 연결될 때 온도 제어 유닛의 온도는 정 온도 계수 특성의 트리거 온도보다 낮으며, 이 때 제2전도층(35)과 제1전도층(33)은 접속 상태가 된다. 하지만 교류 발광 다이오드(10)에 과부하 상황이 발생하기만 하면, 교류 발광 다이오드(10), 열 전도층(50) 및 방열 유닛(20)의 온도가 지속적으로 상승하기 시작하고 온도 검출층(34)의 온도도 계속 상승 유발되어, 온도 검출층(34)의 저항값은 점차 증가하게 된다.

온도 검출층(34)의 온도가 트리거 온도를 넘어설 때, 제2전도층(35)과 제1전도층(33) 사이에 단락 상태를 형성하여, 온도 검출층(34)의 온도가 교류 발광 다이오드(10)의 온도와 함께 점진적으로 하강하게 되어서야 온도 검출층(34)의 저항값은 천천히 하강하여 제2검출층(35)과 제1검출층(33) 사이의 전류량을 점차 증가시킬 수 있어, 이와 같이 교류 발광 다이오드(10)에 흐르는 전류의 크기를 조절할 수 있고 나아가 교류 발광 다이오드 구조(102)의 과부하 보호를 달성할 수 있다.

도 4에 도시된 바와 같이 제2전도층(35)과 제2전극(70)이 전기적으로 연결됨으로써, 과부하 보호 유닛(30)의 제2전도층(35)은: 제3전도층(351); 및 제4전도층(352)를 가질 수 있다. 제3전도층(351)과 제4전도층(352)은 서로 전기적으로 분리되는데, 제3전도층(351)과 교류 발광 다이오드(10)는 전기적으로 연결되며 제4전도층(352)는 전기적으로 제2전극(70)과 연결된다. 제4전도층(352)과 제2전극(70)이 전기적으로 연결될 수 있기 때문에, 과부하 보호 유닛(30)의 제1전도층(33)은 열 전도층(50)의 표면(51)에 직접 설치될 수 있고, 심지어 교류 발광 다이오드(10)에 직접 부착될 수 있어(미도시), 교류 발광 다이오드(10)의 온도를 근접 거리에서 검출하기에 편리하다.

그런데 상술한 모든 과부하 보호 유닛(30)과 교류 발광 다이오드(10) 사이의 거리는 3mm 보다 작은 범위 내가 되어, 각 교류 발광 다이오드(10) 또는 방열 유닛(20)의 온도는 효과적으로 과부하 보호 유닛(30)에 전도되게 한다. 열 전도층(50)의 설치로 교류 발광 다이오드(10)의 온도가 더욱 빨리 과부하 보호 유닛(30)에 전달되게 할 수 있다.

또한 과부하 보호 유닛(30)이 온도 제어 유닛인 경우, 과부하 보호 유닛(30)은 교류 발광 다이오드(10)를 흐르는 전류의 크기를 조정할 수 있고 이는 각 교류 발광 다이오드(10)의 출광 밝기를 제어하는데 편리하여, 교류 발광 다이오드(102, 103)이 밝기 자동 조정 기능을 가지는 조명 기구로 디자인될 수 있게 하고 나아가 교류 발광 다이오드(102, 103)의 응용 범위를 확대할 수 있다.

이상 설명은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과하며 본 발명에 대해 어떠한 형식적인 제한도 되지 않으며, 비록 본 발명이 바람직한 실시예를 개시하고 있으나 본 발명을 제한하는데 사용되어서는 안 되며, 본 영역의 어떠한 당업자도 본 발명의 기술 방안의 범위를 벗어나지 않는 범위 내 상술한 개시된 기술 내용을 이용하여 균등한 변화의 동일 효과의 실시예에 해당하는 어떠한 변형 또는 수정을 가할 수 있지만, 본 발명의 기술 내용을 벗어나지 않는 모든 것은 본 발명의 기술의 실체에 따라 상기 실시예에 행한 어떠한 간단한 개변, 균등 변화와 수정은 모두 본 발명의 기술 방안의 범위에 속한다.

Claims

과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조로서,
적어도 하나의 교류 발광 다이오드;
상기 교류 발광 다이오드를 탑재하고 열전도 연결되는 적어도 하나의 방열 유닛; 및
상기 교류 발광 다이오드 및 전원 사이에 직렬 연결되는 적어도 하나의 과부하 보호 유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제1항에 있어서,
상기 과부하 보호 유닛과 상기 교류 발광 다이오드 사이의 거리는 3mm 보다 작은 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제1항에 있어서,
열전도층을 더 포함하고, 상기 열전도층은 상기 교류 발광 다이오드와 상기 방열 유닛 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제3항에 있어서,
상기 열전도층은 고분자 유전 재료인 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제1항에 있어서,
상기 과부하 보호 유닛은 전도 리드인 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제1항에 있어서,
상기 과부하 보호 유닛은:
상기 교류 발광 다이오드와 상기 전원과 각각 전기적으로 연결되는 전도 리드; 및
상기 전도 리드와 결합되는 멤스(MEMS) 유닛;을 가지는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제3항에 있어서,
상기 교류 발광 다이오드와 상기 전원을 전기적으로 연결하는 제1전극; 및
상기 과부하 보호 유닛과 상기 전원을 전기적으로 연결하는 제2전극;을 더 가지는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제7항에 있어서,
상기 제1전극과 상기 제2전극은 상기 열 전도층의 표면에 설치되는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제7항에 있어서,
상기 과부하 보호는 온도 제어 유닛인 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제9항에 있어서,
상기 온도 제어 유닛은:
제1전도층;
상기 제1전도층 상에 설치되는 온도 검출층; 및
상기 온도 검출층 상에 설치되고 상기 교류 발광 다이오드와 전기적으로 연결되는 제2전도층;을 가지는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제10항에 있어서,
상기 제2전도층과 상기 제2전극이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제10항에 있어서,
상기 제2전도층은:
상기 교류 발광 다이오드와 전기적으로 연결되는 제3전도층;및
상기 제3전도층과 전기적으로 분리되고 상기 제2전극과 전기적으로 연결되는 제4전도층;을 가지는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제10항에 있어서,
상기 교류 발광 다이오드가 상기 전원과 연결될 때, 상기 온도 제어 유닛의 온도는 정 온도 계수 특성의 트리거 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제10항에 있어서,
상기 온도 검출층은 결정성 고분자 재료 및 전도 재료를 가지는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.
제14항에 있어서,
상기 결정성 고분자 재료의 융점은 80℃ 내지 183℃ 사이인 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드.