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KR20110095177A - 반도체 발광 소자 - Google Patents

반도체 발광 소자 Download PDF

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KR20110095177A
KR20110095177A KR1020110013492A KR20110013492A KR20110095177A KR 20110095177 A KR20110095177 A KR 20110095177A KR 1020110013492 A KR1020110013492 A KR 1020110013492A KR 20110013492 A KR20110013492 A KR 20110013492A KR 20110095177 A KR20110095177 A KR 20110095177A
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light emitting
bonding
layer
region
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고스께 야하따
다까시 미조부찌
다까히로 모리
마사시 데구찌
신고 도따니
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도요다 고세이 가부시키가이샤
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Abstract

반도체 발광 소자는 제2 도전형 층의 일 측 상의 발광층으로부터 방출된 광을 취출하기 위해 제1 도전형 층과 제2 도전형 층 사이에 끼워진 발광층을 갖는 반도체 적층 구조와; 제2 도전형 층과 옴 접촉하는 투명 전극과; 투명 전극 상에 형성된 절연층과; 절연층 상에 형성된 와이어 본딩용 상부 전극과; 절연층을 관통하고, 투명 전극 및 와이어 본딩용 전극과 옴 접촉하며, 평면도에서 상부 전극의 면적보다 작은 면적을 갖는 하부 전극과; 하부 전극과 접촉하지 않는 투명 전극의 영역을 투과한 광 중 적어도 일부를 반사시키는 반사부를 포함한다.

Description

반도체 발광 소자 {SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT}
본 출원은 2010년 2월 17일자로 출원된 일본 특허 출원 제2010-32427호 및 2010년 11월 24일자로 출원된 일본 특허 출원 제2010-261646호에 기초하고 있으며, 이들의 전체 내용은 본원에 참조로서 포함되었다.
본 발명은 와이어 본딩(wire bonding)용 전극이 구비된 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
버퍼 층, n-형 층(n-type layer), 발광층 및 p-형 층(p-type layer)이 이러한 순서로 사파이어로 형성된 기판상에 형성된 종래의 반도체 발광 소자가 공지되어 있다[예를 들면, 일본 특허 출원 공개 제2000-77717호(JP-A-2000-77717) 참조]. p-형 층 및 발광층은 에칭에 의해 부분적으로 제거되고, n-전극이 n-형 층의 노출된 표면 상에 형성되며, 광 투과성 p-전극이 p-형 층 상에 형성된다. 절연 필름이 p-형 층 상에 형성되고, p-전극의 표면이 절연 필름의 일부를 개방시킴으로써 노출되며, 패드 전극(pad electrode)이 노출된 p-전극 상에 형성된다.
한편, JP-A-2000-77717에 기재된 반도체 발광 소자에 있어서, p-전극과 옴 접촉(ohmic contact)하는 재료가 패드 전극의 재료로서 선택될 필요가 있으며, 발광층으로부터 방출되는 광에 대해서 낮은 반사율을 갖는 재료를 선택하는 것 말고는 다른 선택이 있을 수 없다. 또한, 본딩 와이어에 대한 연결을 고려해 비교적 큰 면적을 갖도록 패드 전극을 형성할 필요가 있다. 이러한 것은 패드 전극에 의한 광 흡수량(amount of light absorption)이 커지는 문제를 야기해, 소자의 광 취출 효율(light extraction efficiency)의 저하를 초래한다.
일본 특허 출원 공개 제2000-77717호 공보
따라서, 본 발명의 목적은 와이어 본딩용 전극이 구비된 반도체 발광 소자의 광 취출 효율을 향상시키는 것이다.
(1) 본 발명의 일 실시예에 따르면, 반도체 발광 소자는,
제2 도전형 층(second conductivity type layer)의 일 측 상의 발광층으로부터 방출된 광을 취출하기 위해 제1 도전형 층과 제2 도전형 층 사이에 끼워진 발광층을 갖는 반도체 적층 구조와,
제2 도전형 층과 옴 접촉하는 투명 전극과,
투명 전극 상에 형성된 절연층과,
절연층 상에 형성된 와이어 본딩용 상부 전극과,
절연층을 관통하고, 투명 전극 및 와이어 본딩용 전극과 옴 접촉하며, 평면도에서 상부 전극의 면적보다 작은 면적을 갖는 하부 전극과,
하부 전극과 접촉하지 않는 투명 전극의 영역을 투과한 광 중 적어도 일부를 반사시키는 반사부를 포함한다.
본 발명의 위의 실시예 (1)에 있어서, 아래의 수정 및 변형이 이루어질 수 있다.
(ⅰ) 반사부는, 발광층으로부터 방출된 광에 대한 반사율이 상부 전극의 반사율보다도 높고, 투명 전극, 상부 전극 및 하부 전극과 접촉하지 않도록, 절연층 내에 형성된다.
(ⅱ) 상부 전극은 하부 전극과 일체형으로 형성된다.
(ⅲ) 하부 전극은 투명 전극과 옴 접촉하는 패드 전극이다.
(ⅳ) 상부 전극은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역과, 본딩 영역으로부터 연장하는 선형 연장 영역을 포함하고,
반사부는 본딩 영역 및 연장 영역의 아래에 형성된다.
(ⅴ) 상부 전극은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역과, 본딩 영역으로부터 연장하는 선형 연장 영역을 포함하고,
반사부는 연장 영역의 아래에 형성된다.
(ⅵ) 상부 전극은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역과, 본딩 영역으로부터 연장하는 선형 연장 영역을 포함하고,
반사부는 본딩 영역의 아래에 형성된다.
(ⅶ) 상부 전극은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역과, 본딩 영역으로부터 연장하는 선형 연장 영역을 포함하고,
연장 영역 아래의 반사부의 영역은, 연장 영역의 폭의 230% 보다도 작은 폭을 갖도록 연장 영역의 길이 방향을 따라서 형성된 선형 영역이다.
(ⅷ) 반사부는 상부 전극의 하부 또는 전부로서 형성되어, 발광층으로부터 방출된 광에 대한 반사율이 하부 전극의 반사율보다 높다.
(ⅸ) 절연층에 대한 상부 전극의 접착성은 하부 전극의 접착성보다 높다.
(ⅹ) 제1 및 제2 도전형 층은 각각 n-형 및 p-형 반도체 층이고,
제1 도전형 층, 제2 도전형 층 및 발광층은 질화물계 화합물 반도체를 포함하고,
투명 전극은 도전성 산화물을 포함하고,
하부 전극은 투명 전극과 옴 접촉하는 하부 패드 전극과, 하부 패드 전극과 옴 접촉하는 상부 패드 전극을 갖는다.
(ⅹⅰ) 반도체 발광 소자는 제1 도전형 층과 옴 접촉하는 하부 n-전극과, 하부 n-전극과 옴 접촉하는 상부 n-전극을 갖는 n-전극을 더 포함한다.
(ⅹⅱ) 상부 전극은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역과, 본딩 영역으로부터 연장하는 선형 연장 영역을 포함하고,
반사부는 연장 영역의 아래 및 위에 형성된다.
(ⅹⅲ) 상부 전극은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역과, 본딩 영역으로부터 연장하는 선형 연장 영역을 포함하고,
반사부는 본딩 영역의 아래, 그리고 연장 영역의 아래 및 위에 형성된다.
본 발명의 요점
본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 소자는, 절연층이 p-전극 상에 형성되고, p-전극과 옴 접촉하는 하부 p-패드 전극이 와이어 본딩용 상부 p-패드 전극과는 별도로 형성되도록 구성된다. 그에 따라, 패드 전극에 의한 광 흡수량을 감소시키고 광을 효과적으로 반사시킬 수 있어, 발광 소자의 광 취출 효율이 향상될 수 있다.
본 발명에 의하면, 와이어 본딩용 전극을 갖는 반도체 발광 소자에 있어서 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
다음으로, 본 발명은 첨부된 도면과 더불어 자세히 설명된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예의 반도체 발광 소자를 도시하는 개략적인 단면도.
도 2는 반도체 발광 소자를 도시하는 개략적인 평면도.
도 3은 제1 실시예의 변형예인 반도체 발광 소자를 도시하는 개략적인 평면도.
도 4는 제1 실시예의 변형예인 반도체 발광 소자를 도시하는 개략적인 평면도.
도 5는 제1 실시예의 변형예인 반도체 발광 소자를 도시하는 개략적인 평면도.
도 6은 제1 실시예의 변형예인 반도체 발광 소자를 도시하는 개략적인 단면도.
도 7은 제2 실시예의 반도체 발광 소자를 도시하는 개략적인 평면도.
도 8a 및 도 8b는 도 7의 반도체 발광 소자를 도시하는 수직 단면도.
도 9는, 수평축이 연장 영역의 폭에 대한 반사 필름의 폭의 비율을 나타내고, 수직축은 광 취출량을 나타내는 그래프.
도 10은 제2 실시예의 발광 소자의 본딩 영역 근처를 도시하는 부분 확대도.
도 11a 내지 도 11c는 제2 실시예의 변형예인 반도체 발광 소자를 도시하는 수직 단면도.
도 12a 및 도 12b는 제3 실시예의 반도체 발광 소자를 도시하는 수직 단면도.
제1 실시예
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예를 도시한다. 도 1은 반도체 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 발광 소자(1)는 사파이어 기판(10), 사파이어 기판(10) 상에 제공된 버퍼 층(20), 버퍼 층(20) 상에 제공된 n-형 접촉층(22), n-형 접촉층(22) 상에 제공된 n-형 ESD 층(23), n-형 ESD 층(23) 상에 형성된 n-형 클래딩 층(n-type cladding layer)(24), n-형 클래딩 층(24) 상에 제공된 발광층(25), 발광층(25) 상에 제공된 p-형 클래딩 층(26) 및 p-형 클래딩 층(26) 상에 제공된 p-형 접촉층(27)을 포함하는 반도체 적층 구조를 갖는다. 또한, p-형 접촉층(27)에서부터 n-형 접촉층(22)까지의 부분이 에칭에 의해 제거되고, 그에 따라 n-형 접촉층(22)이 부분적으로 노출된다.
여기서, 버퍼 층(20), n-형 접촉층(22), n-형 ESD 층(23), n-형 클래딩 층(24), 발광층(25), p-형 클래딩 층(26) 및 p-형 접촉층(27)은 각각 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체로 이루어진다. Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체에 대해서, 예를 들면, AlxGayIn1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1 및 0≤x+y≤1)으로 표시되는 4차 질화물계 화합물 반도체(quaternary group Ⅲ nitride compound semiconductor)를 이용할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 버퍼 층(20)은 AlN으로 형성된다. 한편, n-형 접촉층(22), n-형 ESD 층(23) 및 n-형 클래딩 층(24) 각각은 각기 미리정해진 양의 n-형 도펀트(n-type dopant)(예를 들면, Si)가 도핑된 n-GaN으로 형성된다. 그 후, 발광층(25)은 복수의 웰 층(well layer) 및 복수의 배리어 층을 포함하는 다중 양자 웰 구조(multiquantum well structure)를 갖는다. 웰 층은 예를 들면 GaN으로 형성되고, 배리어 층은 예를 들면 InGaN 또는 AlGaN 등으로 형성된다. 또한, p-형 클래딩 층(26) 및 p-형 접촉층(27)은 각각 미리정해진 양의 p-형 도펀트(예를 들면, Mg)가 도핑된 p-GaN으로 형성된다.
사파이어 기판(10)상에 제공되는 버퍼 층(20)에서부터 p-형 접촉층(27)까지의 각 층은, 예를 들면 유기 금속 화학 증착법[metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) method], 분자선 에피택시법[molecular beam epitaxy(MBE) method] 또는 할라이드 기상 에피택시법[halide vapor phase epitaxy(HVPE) method] 등에 의해 형성될 수 있다. AlN으로 형성된 버퍼 층(20)이 본원에서 예로서 나타내졌지만, 버퍼 층(20)은 GaN으로 형성될 수 있다. 발광층(25)의 양자 웰 구조는 택일적으로 다중 양자 웰 구조 대신에 단일 양자 웰 구조 또는 스트레인된 양자 웰 구조(strained quantum-well structure)일 수 있다.
또한, 발광 소자(1)는 p-형 접촉층(27) 상에 제공된 p-전극(30)과, p-전극(30) 및 반도체 적층 구조상에 형성된 절연층(40)을 포함한다. 또한, 발광 소자(1)는 절연층(40)을 관통하고 p-전극(30)과 옴 접촉하는 하부 p-패드 전극(50)과, 절연층(40)을 관통하고 n-형 접촉층(22)과 옴 접촉하는 하부 n-전극(60)을 포함한다.
p-전극(30)은 발광층(25)으로부터 방출되는 광에 대해 투광성인 도전성 산화물로 형성되고, 상기 도전성 산화물은 본 실시예에서 인듐 주석 산화물[ITO(Indium Tin Oxide)]이다. p-전극(30)은 예를 들면 진공 증착법(vacuum deposition method)을 이용함으로써 형성된다. 또한, p-전극(30)은 스퍼터링 방법 또는 CVD 방법 등에 의해 형성될 수 있다. 본 실시예에 있어서, p-전극(30)은 후술하는 상부 p-패드 전극(70) 아래에 비형성 영역(non-forming region)(32)을 갖는다. 비형성 영역(32)은 에칭 등에 의해 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, SiO2가 절연층(40)으로서 사용된다. 또한, 다른 재료가 절연층(40)으로서 사용될 수 있으며, 절연층(40)은 예를 들면 SiN을 제외한 TiO2, Al2O3 또는 Ta2O5와 같은 금속 산화물, 또는 전기 절연 특성을 갖는 폴리이미드와 같은 수지 재료로 형성될 수 있다. 절연층(40)은 예를 들면 진공 증착법에 의해 형성되고, 또한 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition: CVD) 방법에 의해 형성될 수 있다. p-전극(30) 위쪽 및 n-형 접촉층(22) 위쪽의 절연층(40)은 하부 p-패드 전극(50) 및 하부 n-전극(60)을 형성하기 위해 포토리소그래피(photolithography) 기법 및 에칭 기법을 사용해 부분적으로 제거된다.
하부 p-패드 전극(50)은 p-전극(30)과 접촉하는 제1 금속층(52) 및 제1 금속층(52) 상에 형성된 제2 금속층(54)을 포함한다. 제1 금속층(52)은 ITO와 옴 접촉하는 예를 들면 Ni, Rh, Ti 및 Cr과 같은 금속으로 형성된다. 본 실시예에 있어서, Ni은 제1 금속층(52)으로 사용되고, Au은 제2 금속층(54)으로 사용된다. 또한, 하부 n-전극(60)은 n-형 접촉층(22)과 접촉하는 제1 금속층(62) 및 제1 금속층(62) 상에 형성된 제2 금속층(64)을 포함한다. 제2 금속층(64)은 n-형 접촉층(22)과 옴 접촉하는 예를 들면 Ni, Rh, Ti, V, Pt 및 Cr과 같은 금속으로 형성된다. 본 실시예에 있어서, 제1 금속층(62) 및 제2 금속층(64)은 하부 p-패드 전극(50)의 제1 금속층(52) 및 제2 금속층(54)과 각각 동일한 재료로 형성된다.
하부 p-패드 전극(50) 및 하부 n-전극(60)은 예를 들면 진공 증착법에 의해 형성된다. 본 실시예에 있어서, 하부 p-패드 전극(50)을 형성하는 재료는 하부 n-전극(60)을 형성하는 재료와 동일하고, 전극(50, 60)은 각각 전극 재료를 동시에 기상 증착함으로써 형성된다. 하부 p-패드 전극(50)은 하부 n-전극(60)과는 상이한 재료로 형성될 수 있으며, 그러한 경우, 하부 p-패드 전극(50) 및 하부 n-전극(60)은 동시가 아니라 개별적으로 형성된다. 또한, 하부 p-패드 전극(50) 및 하부 n-전극(60)은 스퍼터링 방법에 의해 형성될 수 있다.
또한, 발광 소자(1)에는, 절연층(40) 상에 형성되고 하부 p-패드 전극(50)과 옴 접촉하는 상부 p-패드 전극(70)이 제공된다. 평면도에서, 상부 p-패드 전극(70)은 하부 p-패드 전극(50)보다 크게 형성된다. 상부 p-패드 전극(70)은 하부 p-패드 전극(50) 뿐만 아니라 절연층(40)과도 접촉하는 제1 금속층(72), 및 제1 금속층(72) 상에 형성되며 장착될 때 본딩 와이어(도시되지 않음)에 연결되는 제2 금속층(74)을 포함한다. 제1 금속층(72)은, 발광층(25)으로부터 방출되는 광에 대한 반사율이 제2 금속층(74)의 반사율보다 높은 금속으로 형성된다. 한편, 본딩 와이어에 연결하기에 적합한 금속이 제2 금속층(74)용으로 선택된다. 본 실시예에 있어서, Al은 제1 금속층(72)으로 사용되고, Au은 제2 금속층(74)으로 사용된다. 또한, Al 이외의 재료가 제1 금속층(72)으로 사용될 수 있으며, 예를 들면, Al 또는 Ag를 주성분으로 하는 합금, 또는 Ag로 형성될 수 있다.
또한, 발광 소자(1)에는, 절연층(40) 상에 형성되고 하부 n-전극(60)과 옴 접촉하는 상부 n-전극(80)이 제공될 수 있다. 평면도에서, 상부 n-전극(80)은 하부 n-전극(60)보다 크게 형성된다. 상부 n-전극(80)은 하부 n-전극(60) 뿐만 아니라 절연층(40)과도 접촉하는 제1 금속층(82), 및 제1 금속층(82) 상에 형성되며 장착될 때 본딩 와이어(도시되지 않음)에 연결되는 제2 금속층(84)을 포함한다. 제1 금속층(82)은, 발광층(25)으로부터 방출되는 광에 대한 반사율이 제2 금속층(84)의 반사율보다 높은 금속으로 형성된다. 한편, 본딩 와이어에 연결하기에 적합한 금속이 제2 금속층(84)용으로 선택된다. 본 실시예에 있어서, 제1 금속층(82) 및 제2 금속층(84)은 상부 p-패드 전극(70)의 제1 금속층(72) 및 제2 금속층(74)과 각각 동일한 재료로 형성된다.
상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)은 본딩 와이어의 볼 직경에 대응하는 면적을 가지며, 하부 p-패드 전극(50) 및 하부 n-전극(60)보다 큰 면적을 갖게끔 형성된다. 즉, 하부 p-패드 전극(50) 및 하부 n-전극(60)은, 이들의 주목적이 p-전극(30) 및 n-형 접촉층(22)과 옴 접촉하는 것이기 때문에, 상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)보다 작은 면적을 갖게끔 형성된다. 본 실시예에 있어서, 상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)의 직경은 60㎛ 내지 90㎛ 이고, 하부 p-패드 전극(50) 및 하부 n-전극(60)의 직경은 5㎛ 내지 30㎛ 이다.
한편, 절연층(40)에 대한 접착성이 하부 p-패드 전극(50) 및 하부 n-전극(60)의 제1 금속층(52, 62)의 접착성보다 큰 재료가 상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)의 제1 금속층(72, 82)용으로 선택된다. 또한, p-전극(30) 및 n-형 접촉층(22)에 대한 옴 저항이 상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)의 제1 금속층(72, 82)의 옴 저항보다 작은 재료가 하부 p-패드 전극(50) 및 하부 n-전극(60)의 제1 금속층(52, 62)용으로 사용된다. 또한, 하부 p-패드 전극(50) 및 하부 n-전극(60)의 제1 금속층(52, 62)의 반사율보다 높은 반사율을 갖는 재료가 상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)의 제1 금속층(72, 82)용으로 사용된다.
상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)은 예를 들면 진공 증착법에 의해 형성된다. 본 실시예에 있어서, 상부 p-패드 전극(70)을 형성하는 재료는 상부 n-전극(80)을 형성하는 재료와 동일하고, 전극(70, 80)은 각각 전극 재료를 동시에 기상 증착함으로써 형성된다. 상부 p-패드 전극(70)은 상부 n-전극(80)과는 상이한 재료로 형성될 수 있으며, 그러한 경우, 상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)은 동시가 아니라 개별적으로 형성된다. 또한, 상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)은 스퍼터링 방법에 의해 형성될 수 있다. 도면에 자세히 도시하지는 않았지만, 배리어 층은 하부 p-패드 전극(50)과 상부 p-패드 전극(70) 사이에 형성될 수 있다.
도 2는 반도체 발광 소자를 도시하는 개략적인 평면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 발광 소자(1)는 위에서 보았을 때 실질적으로 정사각형 형상으로 형성된다. 발광 소자(1)의 평면 사이즈는 길이 및 폭에 있어서 예를 들면 약 350㎛ 이다. 본 실시예에 있어서, 상부 p-패드 전극(70)과 상부 n-전극(80)은 대향하는 측면에 배치된다. 또한, p-전극(30)이 형성되지 않은 비형성 영역(32)은 상부 p-패드 전극(70) 아래에 존재한다. 발광 소자(1)는, 예를 들면 순방향 전압(forward voltage)이 약 3V 이고 순방향 전류(forward current)가 20㎃ 일 때 약 455㎚의 피크 파장(peak wavelength)을 갖는 광을 방출한다.
전술한 바와 같이 구성된 발광 소자(1)에 있어서, 본딩 와이어는 상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)에 연결된다. 그 후, 순방향 전압이 상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)에 인가될 때 청색 영역의 파장을 갖는 광이 발광층(25)으로부터 방출된다.
발광층(25)으로부터 방출되는 광 중에서, 하부 p-패드 전극(50)에 입사되는 광은 p-전극(30)과 옴 접촉하는 제1 층(52)에 의해 비교적 많이 흡수된다. 그러나, 본 실시예의 발광 소자(1)에 있어서, 하부 p-패드 전극(50)은 와이어 본딩에 필요한 면적을 갖는 상부 p-패드 전극(70)보다 작게 형성되기 때문에, 제1 층(52)에 입사되는 광의 양은 비교적 작다. 또한, 상부 p-패드 전극(70)에 입사되는 광의 대부분은 절연층(40) 상에 형성된 고 반사성 제1 층(72)에 의해 반사되어, 광이 비교적 많이 흡수되는 제2 층(74)에 도달하지 않는다.
절연층(40)은 p-전극(30) 상에 형성되고 p-전극(30)과 옴 접촉하는 하부 p-패드 전극(50)이 전술한 바와 같은 와이어 본딩용 상부 p-패드 전극(70)과는 독립적으로 형성되기 때문에, 패드 전극에 의한 광 흡수량을 감소시킬 수 있고 광을 효과적으로 반사시킬 수 있으며, 그에 따라 발광 소자(1)로부터의 광 취출량을 향상시킬 수 있다.
또한, 절연층(40)에 대한 접착성이 큰 재료가 절연층(40)과 접촉하는 상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)의 제1 층(72, 82)용으로 선택될 수 있어, 패드 전극의 박리(peeling) 등과 같은 결점을 억제할 수 있고, 따라서 실제 사용에서 매우 바람직하다.
또한, p-전극(30)이 형성되지 않은 비형성 영역(32)이 상부 p-패드 전극(70) 아래에 제공되고, 비교적 적은 양의 전류가 상부 p-패드 전극(70) 아래의 발광층(25)의 영역에 흐르며 그에 따라 발광이 억제된다. 상부 p-패드 전극(70) 근처에서의 발광은 전술한 바와 같이 억제되고, 그에 따라 상부 p-패드 전극(70)에 의해 흡수되는 광량을 감소시킬 수 있다. 또한, 발광층(25)으로부터 방출되는 광 중 일부는 비형성 영역(32)을 관통하고 이 광은 도전성 산화물로 형성된 p-전극(30)에서 흡수되지 않으며, 그에 따라 발광 소자(1)의 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, n-측 뿐만 아니라 p-측 상의 전극에 대해서 동일한 재료가 사용되었기 때문에, p-측 및 n-측 상의 전극을 동시에 형성할 수 있으며, 그에 따라 제조 비용을 절감시킨다.
평면도에서 실질적으로 정사각형 형상인 발광 소자(1)가 전술한 실시예에서 예시되었지만, 예를 들면 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 실질적으로 직사각형 형상일 수도 있다. 도 3 및 도 4의 발광 소자(101, 201)에 있어서, 상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)은 본딩 와이어 연결부(70a, 80a) 및 이 연결부(70a, 80a)로부터 연장하는 연장부(70b, 80b)를 갖는다. 그리고 하부 p-패드 전극(50) 및 하부 n-전극(60)은 연장부(70b, 80b)에 연결된다. 도 3 및 도 4에서 연장부(70b, 80b)가 제2 금속층(74, 84)으로만 이루어졌음을 주목해야 한다.
도 3의 발광 소자(101)에 있어서, 상부 p-패드 전극(70) 및 상부 n-전극(80)의 연장부(70b, 80b)는 발광 소자(101)의 측면을 따라서 연장하며 위에서 보았을 때 서로 대면하고 있다. 도 4의 발광 소자(201)에 있어서, 연장부(80b)는 발광 소자(201)의 가운데에서 미리 정해진 방향으로 일 측면에서부터 연장하고, 2개의 연장부(70b)는 전술된 측면을 따라서 다른 측면에서부터 연장되므로, 일 측면으로부터의 연장부(80b)는 2개의 연장부(70b) 사이에 위치된다. 도 3의 발광 소자(101) 및 도 4의 발광 소자(201)는 전류를 효과적으로 분산시키기 위해 연장부(70b, 80b)에 연결된 복수의 하부 p-패드 전극(50) 및 하부 n-전극(60)을 갖는다.
한편, 대향 측면에 배치된 상부 p-패드 전극(70)과 상부 n-전극(80)은 전술한 실시예에서 설명되었지만, 전극의 레이아웃은 선택적이다. 예를 들면, 일 전극이 가운데에 배치되고 다른 전극은 외측 가장자리측에 배치될 수 있거나, 또는 도 5에 도시된 발광 소자(301)와 같이 상부 p-패드 전극(70)과 상부 n-전극(80)이 대향하는 모서리에 배치될 수 있다.
또한, 상이한 높이로 배치된 상부 p-패드 전극(70)과 상부 n-전극(80)이 전술한 실시예에서 설명되었지만, 예를 들면, 도 6에 도시된 바와 같이 상부 n-전극(80)측 상의 절연층(40)을 두껍게 함으로써 동일한 높이로 배치할 수 있다. 이 경우 와이어가 형성되는 높이는 동일하기 때문에, 발광 소자(401)를 장착하는데 매우 바람직하다.
또한, 비형성 영역(32)이 제공된 p-전극(30)이 전술한 실시예에서 설명되었지만, 비형성 영역(32)은 제공되지 않을 수 있다. 이러한 경우, 비형성 영역(32)을 제공하기 위한 에칭 처리 등이 제거될 수 있다.
또한, 본 발명의 전극이 n-측 및 p-측 모두에 사용된 발광 소자가 전술한 실시예에서 설명되었지만, 물론 일 측에 사용될 수도 있다. 또한, 청색 영역에서 피크 파장을 갖는 LED인 발광 소자(1)가 설명되었지만, 물론 자외선 또는 녹색 영역에서 피크 파장을 갖는 LED일 수도 있다.
또한, 갈륨 질화물계 화합물 반도체(gallium nitride-based compound semiconductor)가 사용되는 발광 소자(1)가 전술한 실시예에서 설명되었으며, 본 발명은 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 GaAlAs, GaP, GaAsP 및 InGaAlP 등과 같은 화합물 반도체를 사용하는 발광 소자에 적용될 수 있다.
제2 실시예
본 발명의 제2 실시예에 있어서, 본딩 전극과 분리된 반사 필름은, 제1 실시예에서의 제1 금속층(72)을 사용하는 대신에, 발광층(25)으로부터 방출된 광에 대한 반사율이 높은 금속으로 형성된 반사부로서 사용된다. 제1 실시예에와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하거나 간소화하였다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예의 발광 소자(2)의 개략적인 평면도이다. 도 8a는 도 7의 A-A 선을 따라서 취한 발광 소자(2)의 수직 단면도이고, 도 8b는 도 7의 B-B 선을 따라서 취한 발광 소자(2)의 수직 단면도이다.
제1 실시예의 발광 소자(1)와 마찬가지로, 발광 소자(2)는 사파이어 기판(10), 사파이어 기판(10) 상에 제공된 버퍼 층(20), 버퍼 층(20) 상에 제공된 n-형 접촉층(22), n-형 접촉층(22) 상에 제공된 n-형 ESD 층(23), n-형 ESD 층(23) 상에 형성된 n-형 클래딩 층(24), n-형 클래딩 층(24) 상에 제공된 발광층(25), 발광층(25) 상에 제공된 p-형 클래딩 층(26) 및 p-형 클래딩 층(26) 상에 제공된 p-형 접촉층(27)을 포함하는 반도체 적층 구조를 갖는다. 또한, p-형 접촉층(27)에서부터 n-형 접촉층(22)까지의 부분이 에칭에 의해 제거되고, 그에 따라 n-형 접촉층(22)이 부분적으로 노출된다. 반도체 적층 구조의 각 부분의 재료 및 제조방법은 제1 실시예의 발광 소자(1)의 재료 및 제조방법과 동일하다.
또한, 발광 소자(2)는 p-형 접촉층(27) 상에 제공된 p-전극(30)과, p-전극(30) 및 반도체 적층 구조상에 형성된 절연층(40)을 포함한다. p-전극(30) 및 절연층(40)의 재료 및 제조방법은 제1 실시예의 발광 소자(1)의 재료 및 제조방법과 동일하다.
또한, 발광 소자(2)에는 패드 전극(91)을 통해서 p-전극(30)과 옴 접촉하는 본딩 p-전극(90)과, 패드 전극(95)을 통해서 n-형 접촉층(22)과 옴 접촉하는 본딩 n-전극(94)이 제공된다.
본딩 p-전극(90)과 본딩 n-전극(94)은 제1 실시예의 고 반사성 금속으로 형성된 제1 금속층(72, 82)과 동등한 반사부를 포함하지 않는다.
그리고, 본딩 p-전극(90)은 제1 실시예의 상부 p-패드 전극(70)에 대응하고, 패드 전극(91)은 제1 실시예의 하부 p-패드 전극(50)에 대응한다.
한편, 본딩 n-전극(94)은 제1 실시예의 상부 n-전극(80)에 대응하고, 패드 전극(95)은 제1 실시예의 하부 n-전극(60)에 대응한다.
평면도에서 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)은 각기 패드 전극(91, 95)보다 크게 형성된다. 즉, 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)의 면적은 각기 패드 전극(91, 95)의 면적보다 크다.
또한, 본딩 p-전극(90)은 본딩 와이어(도시되지 않음)를 연결하기 위한 본딩 영역(903)과, 본딩 영역(903)으로부터 연장하는 선형 연장 영역(904)을 갖는다. 패드 전극(91)은 연장 영역(904) 아래에 제공된다. 연장 영역(904) 아래에 복수의 패드 전극(91)을 제공함으로써 전류를 p-전극(30)에 효과적으로 분산시킬 수 있다.
또한, 본딩 n-전극(94)은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역(943)과, 본딩 영역(943)으로부터 연장하는 선형 연장 영역(944)을 갖는다. 패드 전극(95)은 연장 영역(944) 아래에 제공된다. 연장 영역(944) 아래에 복수의 패드 전극(95)을 제공함으로써 전류를 n-형 접촉층(22)에 효과적으로 분산시킬 수 있다.
본딩 와이어에 연결하기에 적합한 금속, 예를 들면 Au가 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)의 재료로서 사용된다. 본딩 p-전극(90)의 재료는 본딩 n-전극(94)의 재료와 동일할 수 있다.
본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)은 예를 들면 진공 증착법 또는 스퍼터링 방법에 의해 형성된다. 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)에 대해서 동일한 재료가 사용되는 경우, 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)을 동시에 형성할 수 있다.
순방향 전압이 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)에 인가될 때 청색 영역의 파장을 갖는 광이 발광층(25)으로부터 방출된다. 발광 소자(2)는, 예를 들면 순방향 전압이 약 3V 이고 순방향 전류가 20㎃ 일 때 약 455㎚의 피크 파장을 갖는 광을 방출한다.
반사 필름(92)은, 발광층(25)으로부터 방출된 광에 대한 반사율이 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)의 반사율보다 큰 금속, 예를 들면 Al, Ag, 또는 Al과 Ag 중 적어도 하나를 주성분으로 하는 합금으로 형성된다.
본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)은 발광층(25)으로부터 방출되는 광에 대해서 비교적 낮은 반사율을 가지며, 광을 흡수하는 경향이 있다. 그러나, 본 실시예의 발광 소자(2)에 있어서, 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)쪽으로 진행하는 광의 대부분은 절연층(40) 내의 반사 필름(92)에 의해 반사되어, 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)에 도달하지 않는다. 전술한 바와 같이, 반사 필름(92)에서 광을 반사시킴으로써 발광 소자(2)로부터의 광 취출량을 향상시킬 수 있다.
반사 필름(92)은 본딩 p-전극(90)의 형상에 대응하는 형상을 갖도록 적어도 본딩 p-전극(90) 아래에 형성된다. 결과적으로, 본딩 p-전극(90)과 접촉하지 않는 p-전극(30)의 영역을 투과한 광 중 적어도 일부를 반사시킬 수 있다.
보다 바람직하게는, 반사 필름(92)은 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)의 형상에 대응하는 형상을 갖도록 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94) 아래에 형성된다. 결과적으로, 발광 소자(2)로부터의 광 취출량을 향상시킬 수 있다.
반사 필름(92)은 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)의 형상에 대응하는 형상으로 형성되어, 발광층(25)으로부터 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)쪽으로 진행하는 광이 반사되고 다른 방향으로 진행하는 광은 직접 외측으로 취출된다.
예를 들면, 본딩 p-전극(90)의 선형 연장 영역(904) 아래의 반사 필름(92)의 영역은 연장 영역(904)의 길이 방향을 따라서 선형 영역이고 가능한 연장 영역(904)의 폭(W1)에 근접한 폭(W2)을 갖는 것이 바람직하다. 반사 필름(92)의 선형 영역의 길이방향 중심선은 연장 영역(904) 아래의 영역에 있다.
마찬가지로, 본딩 n-전극(94)의 선형 연장 영역(944) 아래의 반사 필름(92)의 영역은 연장 영역(944)의 길이 방향을 따라서 선형 영역이고 가능한 연장 영역(944)의 폭에 근접한 폭을 갖는 것이 바람직하다. 반사 필름(92)의 선형 영역의 길이방향 중심선은 연장 영역(944) 아래의 영역에 있다.
여기서, 연장 영역(904, 944)의 폭에 대한 연장 영역(904, 944) 아래의 반사 필름(92)의 폭과 발광 소자(2)로부터의 광 취출량 사이의 관계의 예가 도 9를 이용해 설명된다. 이러한 예에 있어서, 본딩 p-전극(90) 및 본딩 n-전극(94)은 Au로 형성되고, 반사 필름(92)은 Al로 형성된다. 연장 영역(904, 944)의 폭은 각각 10㎛ 이다.
도 9는, 수평축이 연장 영역(904, 944)의 폭에 대한 반사 필름(92)의 폭의 비율을 나타내고, 수직축은 광 취출량의 상대값[%]을 나타내는 그래프이다. 상대값[%]은, 반사 필름(92)을 형성하지 않는 경우의 값이 100%로 규정되었을 때 광 취출량의 상대값이다.
도 9에서 알 수 있는 바와 같이, 광 취출량은, 연장 영역(904, 944)의 폭이 반사 필름(92)의 폭과 동일할 때 최대로 되고, 폭 차(width difference)가 커짐에 따라 감소된다. 광 취출량을 증가시키는 효과를 얻기 위해서, 즉 100% 또는 그 이상의 광 취출량의 상대값을 얻기 위해서, 연장 영역(904, 944)의 폭에 대한 반사 필름(92)의 폭의 비율은 0%보다 크고 약 230%보다 작을 필요가 있다. 또한, 보다 많은 광을 취출하기 위해서, 연장 영역(904, 944)의 폭에 대한 반사 필름(92)의 폭의 비율이 바람직하게는 약 25% 내지 200% 이고, 보다 바람직하게는 약 40% 내지 160% 이다.
한편, 반사 필름(92)은 p-전극(30) 및 본딩 p-전극(90)과 접촉하지 않도록 절연층(40) 내에 형성된다. 일반적으로, 전자이동(electromigration)은 고 반사성 금속 대부분에서 발생하기 쉽다. 따라서, 고 반사성 금속이, 제1 실시예의 제1 금속층(72, 82)과 같이, 다른 도전성 부재에 연결되는 부재에 사용되는 경우, 재료에 대한 선택의 폭이 좁아지는 문제점이 발생한다. 그러나, 본 실시예의 반사 필름(92)은 전열층(40)에 의해 완전히 덮이고 다른 도전성 부재와 접촉하지 않기 때문에, 전자이동이 발생하더라도, 발광 소자(2)의 전기적 특성을 손상시킬 가능성이 없다. 따라서, 본딩 p-전극(90)의 재료에 대한 선택의 폭은 제1 금속층(72, 82) 등의 재료에 대한 선택의 폭보다 넓다. 즉, 본딩 p-전극(90)을 사용함으로써 발광층(25)으로부터 방출되는 광에 대해 반사율이 높은 반사부의 재료에 대한 선택의 폭을 더욱 넓힐 수 있다.
패드 전극(91)은 예를 들면 Ni, Rh, Ti 및 Cr과 같은 ITO와 옴 접촉하는 금속으로 이루어진다. 패드 전극(95)은 예를 들면 Ni, Rh, Ti, V, Pt 및 Cr과 같은 n-형 접촉층(22)과 옴 접촉하는 금속으로 이루어진다. 패드 전극(91)의 재료는 패드 전극(95)의 재료와 동일할 수 있다.
패드 전극(91, 95)은 예를 들면 진공 증착법 또는 스퍼터링 방법에 의해 형성된다. 동일한 재료가 패드 전극(91, 95)에 대해 사용되는 경우, 패드 전극(91, 95)을 동시에 형성할 수 있다.
도 10은 발광 소자(2)의 본딩 영역(903) 근처를 도시하는 부분 확대도이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 본딩 p-전극(90)은 다층 구조를 가질 수 있다. 다층 구조는 예를 들면 Ti로 이루어지는 제1 층(900a), Ni로 이루어지는 제2 층(900b), Au로 이루어지는 제3 층(900c) 및 Al로 이루어지는 제4 층(900d)를 순서대로 적층함으로써 이루어진다. 이러한 다층 구조에 있어서, 본딩 와이어와 본딩 p-전극(90) 사이의 접촉 저항은 본딩 영역(903)에서 전기 저항이 작은 Au 층을 노출시켜 본딩 와이어를 연결시킴으로써 감소될 수 있다. 또한, SiO2 등으로 이루어지는 절연층(40)에 대한 접착성은 최하 층(lowermost layer)으로서 Ti 층을 제공함으로써 향상될 수 있다. 또한, 본딩 n-전극(94)은 본딩 p-전극(90)과 동일한 방식으로 이러한 다층 구조를 가질 수 있다.
도 11a 내지 도 11c는 본 실시예의 발광 소자(2)의 변형예인 발광 소자(3)의 수직 단면도이다. 발광 소자(3)는 패드 전극(91, 95)이 형성되지 않은 점에 있어서 발광 소자(2)와는 상이하다.
발광 소자(3)의 본딩 p-전극(905)은 패드 전극(91)에 대응하는 하부 전극(901)과, 본딩 p-전극(90)에 대응하는 상부 전극(902)을 갖는다. 한편, 발광 소자(3)의 본딩 n-전극(945)은 패드 전극(95)에 대응하는 하부 전극(941)과, 본딩 n-전극(94)에 대응하는 상부 전극(942)을 갖는다. 하부 전극(901)은 상부 전극(902)과 일체형으로 형성되고, 하부 전극(941)은 상부 전극(942)과 일체형으로 형성된다.
전술한 바와 같이, 본딩 p-전극(다층 구조를 갖는 경우에는 최하 층)이 p-전극(30)과 적절하게 접촉할 수 있는 재료로 이루어지는 경우, 패드 전극(91)의 형성이 생략될 수 있다. 한편, 본딩 n-전극(다층 구조로 갖는 경우에는 최하 층)이 n-형 접촉층(22)과 적절하게 접촉할 수 있는 재료로 이루어지는 경우, 패드 전극(95)의 형성이 생략될 수 있다.
또한, 도 11c에 도시된 바와 같이, 반사 필름(92A)은 본딩 p-전극(905)과 접촉하지 않게끔 하기 위해 절연층(40) 내에 형성되도록 본딩 p-전극(905)의 연장 영역(904) 위에 또한 형성될 수 있으며, 연장 영역(904) 상에 형성된 절연층(40)의 상면에 평행하게 형성될 수 있다. 유사한 방식으로, 비록 도시되지는 않았지만, 반사 필름(92A)은 본딩 n-전극(945)의 연장 영역(944) 위에 형성될 수 있다. 그에 따라, 발광 소자(3)[즉, 절연층(40)]와 외부 매체(예를 들면, 공기) 사이의 계면에서 반복적으로 반사되는 미광(stray light)[또는 국한된 광(confined light)]은, 예를 들면 도 11c에서 화살표로 도시된 바와 같이, 반사 필름(92A)에서 반사됨으로써 발광 소자(3) 밖으로 나갈 수 있으므로, 전체 발광 소자(3)의 광 취출 효율이 향상될 수 있다.
제3 실시예
제3 실시예는, 발광층(25)으로부터 방출되는 광에 대해서 높은 반사율을 갖는 반사부가 반사 필름(92)을 설치하는 대신에 본딩 p-전극 및 본딩 n-전극의 하부(다층 구조의 최하 층)로서 설치되는 점에 있어서 제2 실시예와 상이하다. 제2 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략 또는 간략화되었다.
도 12a 및 도 12b는 제3 실시예의 발광 소자(4)를 도시하는 수직 단면도이다. 본딩 p-전극 및 본딩 n-전극의 레이아웃은 제2 실시예의 발광 소자(2)의 레이아웃과 동일하다.
본딩 p-전극(110)은 반사부로서의 하부 필름(111)과, 하부 필름(111) 상의 상부 필름(112)을 갖는다. 본딩 와이어에 연결하기에 적합한 금속, 예를 들면 Au가 상부 필름(112)의 재료로서 사용된다. 하부 필름(111)은 발광층(25)으로부터 방출되는 광에 대한 반사율이 상부 필름(112)의 반사율 보다도 높은 금속, 예를 들면 Al, Ag, 또는 Al과 Ag 중 적어도 하나를 주성분으로 하는 합금으로 이루어진다.
또한, 하부 필름(111)이 Ni 필름이고, 상부 필름(112)이 Au 필름과 Al 필름의 적층 필름인 구성이 가능하다.
본딩 n-전극(113)은 반사부로서의 하부 필름(114)과, 하부 필름(114) 상의 상부 필름(115)을 갖는다. 본딩 와이어에 연결하기에 적합한 금속, 예를 들면 Au가 상부 필름(115)의 재료로서 사용된다. 하부 필름(114)은 발광층(25)으로부터 방출되는 광에 대한 반사율이 상부 필름(115)의 반사율 보다도 높은 금속, 예를 들면 Al, Ag, 또는 Al과 Ag 중 적어도 하나를 주성분으로 하는 합금으로 이루어진다.
발광층(25)으로부터 방출되어 상부 필름(112, 115) 쪽으로 진행하는 광은 하부 필름(111, 114)에 의해 반사될 수 있다. 그에 따라, 발광 소자(4)로부터의 광 취출량을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 실시예가 설명되었지만, 특허청구범위에 따른 발명은 전술된 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 본 실시예에서 설명된 특징의 모든 조합이 본 발명의 과제를 해결하기 위해 필수적인 것은 아니다는 점을 유의해야 한다.
예를 들면, 전술된 실시예에 있어서, 반도체 적층 구조의 n-형 층과 p-형 층이 역전될 수 있다. 즉, p-형 반도체층이 n-형 접촉층(22), n-형 ESD 층(23) 및 n-형 클래딩 층(24)으로 구성되는 n-형 반도체층을 대신해 형성될 수 있고, n-형 반도체층이 p-형 클래딩 층(26) 및 p-형 접촉층(27)으로 구성되는 p-형 반도체층을 대신해 형성될 수 있다.
본 발명은 완전하고 명확한 설명을 위해 특정 실시예에 대해서 설명되었지만, 첨부된 특허청구범위는 이에 한정되지 않고 전술한 기본 사상에 충분히 속하는 당업자에게서 떠오를 수 있는 모든 변형예 및 대안적인 구성을 포함하는 것으로서 이해된다.
1, 2, 3, 4 : 발광 소자
10 : 사파이어 기판
22 : n-형 접촉층
25 : 발광층
30 : p-전극
32 : 비형성 영역
40 : 절연층
50 : 하부 p-패드 전극
60 : 하부 n-전극
70 : 상부 p-패드 전극
80 : 상부 n-전극
90 : 본딩 p-전극
901 : 하부 전극
902 : 상부 전극
903 : 본딩 영역
904 : 연장 영역
905 : 본딩 p-전극
91 : 패드 전극
92 : 반사 필름
101, 201, 301, 401 : 발광 소자

Claims (14)

  1. 반도체 발광 소자이며,
    제2 도전형 층의 일 측 상의 발광층으로부터 방출된 광을 취출하기 위해 제1 도전형 층과 제2 도전형 층 사이에 끼워진 발광층을 갖는 반도체 적층 구조와,
    제2 도전형 층과 옴 접촉하는 투명 전극과,
    투명 전극 상에 형성된 절연층과,
    절연층 상에 형성된 와이어 본딩용 상부 전극과,
    절연층을 관통하고, 투명 전극 및 와이어 본딩용 전극과 옴 접촉하며, 평면도에서 상부 전극의 면적보다 작은 면적을 갖는 하부 전극과,
    하부 전극과 접촉하지 않는 투명 전극의 영역을 투과한 광 중 적어도 일부를 반사시키는 반사부를 포함하는, 반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 반사부는, 발광층으로부터 방출된 광에 대한 반사율이 상부 전극의 반사율보다도 높고, 투명 전극, 상부 전극 및 하부 전극과 접촉하지 않도록, 절연층 내에 형성되는, 반도체 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상부 전극은 하부 전극과 일체형으로 형성되는, 반도체 발광 소자.
  4. 제2항에 있어서, 하부 전극은 투명 전극과 옴 접촉하는 패드 전극인, 반도체 발광 소자.
  5. 제2항에 있어서, 상부 전극은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역과, 본딩 영역으로부터 연장하는 선형 연장 영역을 포함하고,
    반사부는 본딩 영역 및 연장 영역의 아래에 형성되는, 반도체 발광 소자.
  6. 제2항에 있어서, 상부 전극은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역과, 본딩 영역으로부터 연장하는 선형 연장 영역을 포함하고,
    반사부는 연장 영역의 아래에 형성되는, 반도체 발광 소자.
  7. 제2항에 있어서, 상부 전극은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역과, 본딩 영역으로부터 연장하는 선형 연장 영역을 포함하고,
    반사부는 본딩 영역의 아래에 형성되는, 반도체 발광 소자.
  8. 제2항에 있어서, 상부 전극은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역과, 본딩 영역으로부터 연장하는 선형 연장 영역을 포함하고,
    연장 영역 아래의 반사부의 영역은, 연장 영역의 폭의 230% 보다도 작은 폭을 갖도록 연장 영역의 길이 방향을 따라서 형성된 선형 영역인, 반도체 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서, 반사부는 상부 전극의 하부 또는 전부로서 형성되어, 발광층으로부터 방출된 광에 대한 반사율이 하부 전극의 반사율보다 높은, 반도체 발광 소자.
  10. 제9항에 있어서, 절연층에 대한 상부 전극의 접착성은 하부 전극의 접착성보다 높은, 반도체 발광 소자.
  11. 제10항에 있어서, 제1 및 제2 도전형 층은 각각 n-형 및 p-형 반도체 층이고,
    제1 도전형 층, 제2 도전형 층 및 발광층은 질화물계 화합물 반도체를 포함하고,
    투명 전극은 도전성 산화물을 포함하고,
    하부 전극은 투명 전극과 옴 접촉하는 하부 패드 전극과, 하부 패드 전극과 옴 접촉하는 상부 패드 전극을 갖는, 반도체 발광 소자.
  12. 제11항에 있어서, 제1 도전형 층과 옴 접촉하는 하부 n-전극과, 하부 n-전극과 옴 접촉하는 상부 n-전극을 갖는 n-전극을 더 포함하는, 반도체 발광 소자.
  13. 제2항에 있어서, 상부 전극은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역과, 본딩 영역으로부터 연장하는 선형 연장 영역을 포함하고,
    반사부는 연장 영역의 아래 및 위에 형성되는, 반도체 발광 소자.
  14. 제2항에 있어서, 상부 전극은 본딩 와이어를 연결하기 위한 본딩 영역과, 본딩 영역으로부터 연장하는 선형 연장 영역을 포함하고,
    반사부는 본딩 영역의 아래, 그리고 연장 영역의 아래 및 위에 형성되는, 반도체 발광 소자.
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