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KR20090121650A - 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 - Google Patents

레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 Download PDF

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KR20090121650A
KR20090121650A KR1020080047653A KR20080047653A KR20090121650A KR 20090121650 A KR20090121650 A KR 20090121650A KR 1020080047653 A KR1020080047653 A KR 1020080047653A KR 20080047653 A KR20080047653 A KR 20080047653A KR 20090121650 A KR20090121650 A KR 20090121650A
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KR
South Korea
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resist
composition
ether
group
stripper composition
Prior art date
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Withdrawn
Application number
KR1020080047653A
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English (en)
Inventor
박면규
김태희
정진우
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020080047653A priority Critical patent/KR20090121650A/ko
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Abstract

본 발명은 (a) 염기성 화합물, (b) 하기 화학식 1로 표시되는 아미드 화합물, (c) 양자성 극성용매, (d) 히드록시 벤젠화합물, 및 (e) 물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용하는 레지스트의 박리방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112008036469471-PAT00001
상기 식에서, R1, R2, 및 R3는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 히드록시기알킬기, 카르복실기, 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 1~4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기이며, 상기 R1 및 R2는 함께 환을 형성할 수도 있다.
수계, 레지스트 박리액, 아미드, 히드록시 벤젠, 알루미늄

Description

레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 {Resist stripper composition and a method of stripping resist using the same}
본 발명은 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알루미늄 등의 금속배선에 손상을 주지 않고, 레지스트 패턴 및 식각 잔사를 효과적으로 제거할 수 있는 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용하는 레지스트의 박리방법에 관한 것이다.
최근 평판표시장치는 점차로 고해상도 구현에 대한 요구가 증가함에 따라 단위면적당의 화소수를 증가시키기 위한 노력을 계속하고 있다. 이는 점차로 박막트랜지스터의 배선 폭의 감소를 수반하게 되는데, 이러한 배선의 미세화에 대응하기 위해서 건식 식각 공정이 도입되는 등 공정 조건은 갈수록 가혹해지고 있다.
이로 인해 금속 패턴이 완성된 이후 레지스트 제거 공정인 박리공정에 사용되는 박리액에 대한 요구 성능 또한 높아지고 있다. 특히, 건식 식각 공정 이후에 발생하는 식각 잔사의 제거 능력 및 배선 폭이 좁아질수록 배선이 부식의 영향에 더욱 민감해짐에 따라 박리액의 금속배선에 대한 부식 억제 능력이 요구되고 있 으며, 이러한 기능의 보유 여부가 박리액의 선택에 있어서 중요한 기준으로 부각되고 있다.
또한, 최근에는 평판표시장치의 가격경쟁력을 확보하기 위해 평판표시장치의 제조에 사용되는 부품 소재들의 가격 경쟁력도 매우 중요하게 인식되고 있다. 따라서 레지스트 박리액 조성물을 개발함에 있어서 종래의 고가 용매의 함량을 줄일 수 있는 수계타입 박리액의 개발이 요구되고 있다.
상기와 같은 업계의 요구에 응하여, 가혹한 공정 조건에 의해 변성이 이루어진 레지스트와 식각 잔사의 제거 및 금속 배선에 대한 부식 억제에 대한 해결책을 제안하고 있는 기술들이 공개되고 있으며, 대표적인 것들은 다음과 같다.
변성, 경화된 레지스트 제거 방법에 대한 예
대한민국 공개특허 10-2004-0098751는 수용성 유기 아민, 극성 용매, 부식 방지제에 더해 박리 촉진제를 적용하여 변성, 경화된 레지스트를 고온 및 저온에서 빠른 시간내에 제거할 수 있음을 개시하고 있다.
대한민국 공개특허 10-2006-0024478는 고리형 아민, 용제, 부식 방지제 및 박리 촉진제를 포함하는 포토레지스트 박리액 조성물을 적용하여 이소프로필알콜(IPA) 린스 공정이 생략되어도 금속배선에 대한 추가적인 부식이 없으며, 특히 박리력을 크게 향상시킬 수 있는 기술을 제안하고 있다.
일본국 공개특허 JP2006072083A는 인산 에스테르와 용존 오존을 이용함으로써 통상의 레지스트 뿐만 아니라 열경화된 레지스트에 대해서도 상온 부근에서 박리가 가능한 기술을 개시하고 있다.
그러나, 상기 대한민국 공개특허 10-2003-0030987의 경우 금속 배선의 부식 억제 효과가 미흡하며, 대한민국 공개특허 10-2006-0024478의 경우는 고리형 아민을 사용함으로써 건식 식각 잔사와 같은 가혹한 조건에서 생성된 레지스트에 대한 박리력이 충분치 못하고, 일본국 공개특허 JP2006072083A의 경우는 인산 에스테르 자체의 레지스트에 대한 박리력에 더하여 용존된 오존의 강력한 산화력으로 경화된 레지스트의 제거하는 기술을 제안하고 있으나, 이 경우 용존 오존으로 인해 하부 금속막에 대한 부식이 발생할 가능성이 높은 문제점을 안고 있다.
금속 막에 대한 부식 방지 방법을 제안하고 있는 예
대한민국 등록특허 10-0297893는 구핵성 아민에 pK 값이 2이상인 약산을 사용하여 아민을 중화시킴으로써 금속의 부식을 억제할 수 있음을 개시하고 있다.
일본 특개평 4-124668는 유기 아민, 인산에스테르 계면활성제, 2-부틴-1,4-디올, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르와 비양자성 극성 용제류로 구성되는 스트리퍼 조성물을 개시하고 있다.
일본 특개평 9-152721는 알칸올 아민, 히드록실 아민, 디에틸렌글리콜 모노알킬에테르, 방식제로서 솔비톨 등의 당화합물 및 물을 함유한 스트리퍼 조성물을 개시하고 있다.
일본국 공개특허공보 2000-232063는 인산과 인산 암모늄을 부식방지제로 이용하는 것을 제안하고 있으나, 적용 공정이 레지스트 잔사제거용일 뿐만 아니라 사용된 조성물의 pH도 산성범위에서 사용되고 있다.
그러나, 상기 대한민국 등록특허 10-0297893, 일본 특개평 4-124668, 및 일본 특개평 9-152721에 제안된 박리액 조성물들은 가혹한 공정에 의해 변질, 경화된 포토레지스트막에 대한 박리력과 식각 공정에서 레지스트와 금속성 부산물과 반응하여 생성되는 식각 잔류물에 대한 제거력이 충분치 못하며, 상기 일본국 공개특허공보 2000-232063은 인산 및 인산 암모늄을 부식 방지제로 제안하고 있으나 레지스트 잔사 제거에 낮은 pH가 더 유효함을 개시하고 있어 금속 배선에 대한 부식 방지 성능과 양립하기 힘들다.
본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 레지스트 잔사, 건식 및 습식 식각 잔사 제거 능력 및 알루미늄 또는 구리를 포함하는 배선의 부식 방지력이 우수할 뿐만 아니라, 고가 용매의 사용량을 절감함으로써 경제성이 뛰어난 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 (a) 염기성 화합물, (b) 하기 화학식 1로 표시되는 아미드 화합물, (c) 양자성 극성용매, (d) 히드록시 벤젠화합물, 및 (e) 물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
Figure 112008036469471-PAT00002
상기 식에서, R1, R2, 및 R3는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 히드록시기알킬기, 카르복실기, 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 1~4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기이며, 상기 R1 및 R2는 함께 환을 형성할 수도 있다.
또한, 본 발명은
(Ⅰ) 플랫 패널 디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계,
(Ⅱ) 상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
(Ⅲ) 상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
(Ⅳ) 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
(Ⅴ) 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및
(Ⅵ) 상기 식각 공정 후, 상기 레지스트 패턴 및 식각에 의해 변성 및 경화된 레지스트를 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 기판으로부터 박리하는 단계를 포함하는 레지스트의 박리방법을 제공한다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 레지스트 잔사, 건식 및 습식 식각 잔사 제거 능력 및 알루미늄 또는 구리를 포함하는 배선의 부식 방지력이 우수하여, 고해상도를 구현하기 위해 미세 패턴이 적용된 플랫 패널 디스플레이의 제조 공정에 적용이 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 고가 용매의 사용이 절감되어 경제성이 뛰어나기 때문에, 원가 절감 효과를 제공한다.
본 발명은 (a) 염기성 화합물, (b) 하기 화학식 1로 표시되는 아미드 화합물, (c) 양자성 극성용매, (d) 히드록시 벤젠화합물, 및 (e) 물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112008036469471-PAT00003
상기 식에서, R1, R2, 및 R3는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 히드록시기알킬기, 카르복실기, 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 1~4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기이며, 상기 R1 및 R2는 함께 환을 형성할 수도 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명한다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (a) 염기성 화합물은 건식 또는 습식 식각(dry etching or wet etching), 애싱, 또는 이온주입 공정(ashing or ion implant processing)등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 레지스트(resist)의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자 내 또는 분자간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 한다. 이와 같은 염기성 화합물의 작용은 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel)덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판 상부에 부착된 레지스트 를 쉽게 제거할 수 있도록 한다.
상기 염기성 화합물로는 무기 염기성 화합물 및 유기 염기성 화합물이 있다. 예컨데 무기 염기성 화합물은 수산화물염 등이 있으며, 유기 염기성 화합물로는 1급 아민, 2급 아민, 3급 아민, 고리형 아민 및 알칸올 아민 등이 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
바람직한 예로서, 무기 염기성 화합물로는 수산화암모늄, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 수산화물 염이 있고, 유기 염기성 화합물로는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드; 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등의 일급 아민; 디에틸아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민 등의 2급 아민; 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리이소프로필아민, 트리부틸아민 등의 3급 아민; 피페라진, 1,4-디메틸피페라진, 1,4-디에틸피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)-4-메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)몰포린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질피페라진, 1-페닐피페라진 등의 고리형 아민; 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, Ｎ-메틸 디에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, 니트리로트리에탄올, ２-(２-아미노에톡시)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민 등의 알칸올아민 등이 있다
이들 가운데 수산화 암모늄, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 모노에탄 올아민, １-아미노-２-프로판올 등이 보다 바람직하다.
상기 염기성 화합물은 1종 단독 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
또한, 상기 염기성 화합물은 전체 조성물 총 중량에 대해 5~30중량%가 포함되는 것이 바람직하다. 상기와 같은 함량 범위로 포함되는 경우에 레지스트 박리효과 발현에 유리하며, 동시에 알루미늄 또는 구리를 포함하는 금속 배선에 대한 부식 방지 능력 발현에도 유리하다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (b) 화학식 1로 표시되는 아미드 화합물은 강한 알칼리성의 비양성자성 극성용매로써 건식 식각등에 의해 변질되거나 가교된 레지스트 고분자의 분해 및 용해에 매우 효과적이다.
[화학식 1]
Figure 112008036469471-PAT00004
상기 식에서, R1, R2, 및 R3는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 히드록시기알킬기, 카르복실기, 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 1~4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기이며, R1 및 R2는 함께 환을 형성할 수도 있다.
상기 화학식1로 표시되는 아미드 화합물의 구체적인 예로는, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리딘온, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등을 들 수 있으며, 보다 바람직하게는 N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 (b) 화학식 1로 표시되는 아미드 화합물의 함량은 조성물 총량에 대하여 10~60 중량%인 것이 바람직하다. 상기와 같은 함량 범위로 포함되는 경우에 가혹한 공정 조건에 의해 변질된 레지스트의 박리효과 발현에 유리하며, 동시에 알루미늄 또는 구리를 포함하는 금속 배선에 대한 부식 방지 능력의 발현에도 유리하다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (c) 양자성 극성용매로는 글리콜 에테르 및 글리콜 에테르의 에스테르 유도체 등이 있으며, 상기 (a) 염기성 화합물 및 상기 (b) 화학식 1로 표시되는 아미드 화합물에 의해 겔화된 레지스트 고분자를 용해시키는 역할을 한다. 또한 높은 비점으로 인해 약액 사용 시 휘발에 의한 약액 손실을 최소화시킨다.
본 발명에서 사용된 (c) 양자성 극성용매의 구체적인 예로는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸 렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 (c) 양자성 극성용매는 전체 조성물 총 중량에 대해 20~6０중량%가 포함되는 것이 바람직하고, 그 중에서도 10~60중량%가 더욱 바람직하다. 상기와 같은 함량 범위로 포함되는 경우에 염기성 화합물 및 아미드 화합물로 인해 겔화된 고분자를 용해시키는 능력의 발현에 유리하며, 동시에 식각 등에 의해 변질되거나 가교된 레지스트 고분자의 제거 성능의 발현에도 유리하다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (d) 히드록시 벤젠화합물은 알루미늄 또는 구리를 포함하는 금속 배선에 대한 부식을 방지하는 역할을 한다. 이러한 히드록시 벤젠화합물은 레지스트 하부의 금속층과 킬레이트 반응을 형성하여 박리액 조성물로부터 발생하는 수산화기가 하부 금속층을 부식 시키는 것을 방지한다.
상기 (d) 히드록시 벤젠화합물의 구체적인 예로는, 카테콜, 히드로퀴논, 피로가롤, 갈산, 메틸갈레이트, 에틸갈레이트, n-프로필갈레이트, 이소프로필갈레 이트, n-부틸갈레이트 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 (d) 히드록시 벤젠화합물은 전체 조성물 총 중량에 대해 0.1~10중량%가 포함되는 것이 바람직하고, 그 중에서도 1~5중량%가 더욱 바람직하다. 상기와 같은 함량 범위로 포함되는 경우에 알루미늄 또는 구리를 포함하는 금속 배선에 대한 부식 방지 능력의 발현에 유리하며, 동시에 히드록시 벤젠화합물이 박리 후에 기판 표면에 잔존하는 것의 방지에도 유리하다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (e) 물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 탈이온수 또는 순수가 바람직하다. 탈이온수의 경우, 물의 비저항 값(즉, 물속에 이온이 제거된 정도)이 18㏁/㎝이상인 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 원가 절감 및 상기의 염기성 화합물의 박리액 내에서의 활성도를 증가시키기 위해 물을 다량 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 (e) 물은 전체 조성물 총 중량에 대하여 5~50중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 10~40중량%이다. 상기와 같은 함량 범위로 포함되는 경우에 염기성 화합물의 활성도가 적절히 유지되며, 애슁 및 건식 식각 등의 가혹한 공정에 의해 심하게 변질된 레지스트를 제거하는 능력의 발현에 유리하며, 동시에 상대적으로 염기성 화합물 또는 극성용매의 함량 감소로 인하여 레지스트에 대한 박리 능력이 저하되는 문제 및 과량의 물로 인하여 알루미늄 또는 구리를 포 함하는 금속 배선에 대한 부식성이 강해지는 문제도 방지될 수 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 박리용 조성물은 상기 성분 외에 설폭사이드 화합물을 추가로 포함할 수 있다. 상기 설폭사이드 화합물은 금속 배선의 부식이 없이 기판표면의 변질된 레지스트의 박리에 효과적이다.
상기 설폭사이드 화합물로는 디메틸 설폭사이드, 설포란등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 설폭사이드 화합물은 전체 조성물 총 중량에 대해 10 내지 40중량% 포함되는 것이 바람직하다. 상기와 같은 함량 범위로 포함되는 경우에 금속 배선에 대한 부식이 없이, 가혹한 공정 조건에 의해 변질된 레지스트의 박리효과 발현에 유리하다.
또한 본 발명의 레지스트 박리용 조성물은 상기 성분 외에 계면활성제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 계면활성제는 기판에 대한 습윤성을 증가시켜 균일한 세정이 이루어지도록 하며, 계면간의 침투력을 증가시키기 때문에 레지스트 박리력을 증가시키는 역할을 한다.
본 발명에 사용될 수 있는 계면활성제로는 음이온 계면활성제, 양이온 계면활성제, 비이온 계면활성제를 들 수 있지만, 이 중에서도, 특히, 습윤성이 우수하고 기포 발생이 보다 적은 비이온 계면활성제를 이용하는 것이 바람직하다.
상기 비이온계 계면활성제로는 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에 틸렌 알킬페닐 에테르형, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시부틸렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬아미노 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬아미도 에테르형, 폴리에틸렌 글리콜 지방산 에스테르형, 솔비탄 지방산 에스테르형, 글리세린 지방산 에스테르형, 알키롤아미드형 및 글리세린 에스테르형 계면활성제를 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 계면활성제는 전체 조성물 총 중량에 대해 0.001 내지 1.0중량% 포함되는 것이 바람직하다. 상기와 같은 함량 범위로 포함되는 경우에 기판의 균일한 박리에 유리하며, 동시에 박리액의 발포성이 심하게 되어 취급이 곤란하게 되는 경향을 방지하는데 유리하다.
또한, 본 발명의 레지스트 박리용 조성물은 상기 성분 외에, 필요에 따라, 부식 방지제로서 아민에 의해 생성되는 수산기를 중화 시킬 수 있는 화합물, 예를 들면, 유기산 화합물, 당 알코올류 화합물 등을 추가로 포함할 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리용 조성물은 전체 조성물 총 중량에 대하여 (a) 염기성 화합물 5~30중량%, (b) 상기 화학식 1로 표시되는 아미드 화합물 10~60 중량%, (c) 양자성 극성용매 10~60%, (d) 히드록시 벤젠화합물 0.1~10 중량%, 및 (e) 물 5~50중량%을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 레지스트 박리용 조성물은 상기에서 언급한 화합물을 일정량으로 유리하게 혼합하여 제조될 수 있으며, 혼합 방법은 특별히 제한되지 않으며 여러 가지 공지 방법을 제한 없이 적용할 수 있다.
본 발명은 상기 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 플랫 패널 및 플랫 패널 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명은 또한, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 레지스트의 박리 방법을 제공한다. 상기의 레지스트의 박리 방법은,
(Ⅰ) 플랫 패널 디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계,
(Ⅱ) 상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
(Ⅲ) 상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
(Ⅳ) 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
(Ⅴ) 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및
(Ⅵ) 상기 식각 공정 후, 상기 레지스트 패턴 및 식각에 의해 변성 및 경화된 레지스트를 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 기판으로부터 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 박리 방법은, 마스크를 이용한 레지스트 패턴 형성 공정을 진행하지 않고, 에치백(etchback) 공정과 같은 건식 식각 공정 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행한 다음, 노출된 레지스트막을 본 발명의 박리액 조성물로 박리하는 방법을 포함한다.
상기 박리 방법 중의, 레지스트막의 형성, 노광, 현상, 식각 및 에싱 공정은 당업계에 통상적으로 알려진 방법에 의하여 수행할 수 있고 특별히 한정되는 것이 아니며, 경화되거나 폴리머로 변질된 레지스트를 포함하는 레지스트 잔류물이 존재하는 기판과 박리액 조성물이 접촉할 수 있는 방법이면 양호한 박리 결과를 얻을 수 있다.
상기 레지스트의 종류로는, 포지티브형 및 네가티브형의 g-선, i-선 및 원자외선(DUV) 레지스트, 전자빔 레지스트, X-선 레지스트, 이온빔 레지스트 등이 있으며, 그 구성 성분에 제약을 받지 않지만, 본 발명의 레지스트 박리용 조성물이 특히, 효과적으로 적용되는 레지스트는 노볼락계 페놀 수지와 디아조나프토퀴논을 근간으로 하는 광활성 화합물로 구성된 포토레지스트막이며, 이들의 혼합물로 구성된 포토레지스트막에도 효과적이다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 이용해서 플랫 패널 디스플레이 기판 상의 레지스트, 변성 또는 경화된 레지스트 및 건식 식각 잔사를 제거하는 방법으로는, 박리액 내에 레지스트가 도포된 기판을 침적 시키는 방식 또는 박리액을 해 당 기판에 스프레이 하는 방식 등을 들 수 있다. 또 이 경우, 초음파의 조사나 회전 또는 좌우로 요동하는 브러시를 접촉시키는 등의 물리적인 처리를 병용해도 좋다. 박리액 처리 후에, 기판에 잔류하는 박리액은 계속되는 세정 처리에 의해 제거될 수 있다. 세정 공정은, 박리액 대신 물이나 이소프로필 알코올을 채용하는 것 외에는 박리 공정과 동일하다.
상기 박리 방법에는 침적법, 분무법 또는 침적 및 분무법를 이용할 수 있다. 침적, 분무 또는 침적 및 분무에 의하여 박리하는 경우, 박리 조건으로서 온도는 대개 15~100℃, 바람직하게는 30~70℃이고, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무 시간은 대개 30초 내지 40분, 바람직하게는 1분 내지 20분이지만, 본 발명에 있어서 엄밀하게 적용되지는 않으며, 당업자에 의해 용이한 그리고 적합한 조건으로 수정될 수 있다. 상기 레지스트가 도포된 기판 상에 적용되는 박리액 조성물의 온도가 15℃ 미만이면, 변성 또는 경화된 레지스트막을 제거하는데 필요한 시간이 지나치게 길어질 수 있다. 또한, 조성물의 온도가 100℃를 초과하면, 레지스트막의 하부 막층의 손상이 우려되며, 박리액의 취급에 어려움이 뒤따른다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 수계형(water system type)으로 조성물 내의 화합물의 활동도를 증가시켜 레지스트 및 식각 잔사를 효과적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 가격적으로도 유기계 박리제보다 유리하다. 또한 유기계 박리액과 비교하여, 점도가 물과 비슷하게 낮아 분무가 가능한 조성물이므로 매엽 방식에 적용 가능하다. 따라서, 본 발명의 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액 조성물은 여러장의 웨이퍼를 한번에 박리하는 배치(batch) 방식, 또는 한번에 한장씩 박리하는 매엽(single wafer processor) 방식 모두에 적용할 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물 및 이를 사용하는 박리 방법은 일반적인 레지스트의 제거에 이용될 뿐만 아니라 식각 가스 및 고온에 의해 변성 또는 경화된 레지스트 및 식각 잔사의 제거에 이용될 수 있다. 또한, 상기 본 발명의 레지스트 박리액 조성물 및 이를 사용하는 박리 방법은, 플랫 패널 디스플레이의 제조에 사용하여 알루미늄 또는 구리를 포함하는 금속 배선에 대한 부식 방지성이 뛰어난 장점을 갖는다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예 1~5 및 비교예 1: 레지스트 박리액 조성물의 제조
하기의 표 1에 기재된 성분과 함량을 혼합하여 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
구분 염기성 화합물 [중량%] 아미드 화합물 [중량%] 양자성 극성용매 [중량%] 히드록시 벤젠화합물[중량%] 물 [중량%]
실시예1 MEA 5 DMAc 25 BDG 35 카테콜 2 33
실시예2 MEA 20 DMAc 25 BDG 35 카테콜 2 18
실시예3 MIPA 20 DMAc 25 BDG 35 카테콜 2 18
실시예4 DBA 20 DMAc 25 BDG 35 카테콜 2 18
실시예5 DGA 20 DMAc 25 BDG 35 카테콜 2 18
비교예1 MEA 0 DMAc 25 BDG 35 카테콜 2 38
(단위: 중량%, 잔량: 순수 첨가)
주)) MEA: 모노에탄올아민
MIPA: 모노이소프로판올아민
DBA: 디부탄올아민
DGA: 2-(2-아미노에톡시)에탄올
DMAc: N,N-디메틸 아세트아미드
BDG : 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르
시험예 1: 염기성 화합물의 종류 및 함유여부에 따른 레지스트 제거 성능 평가
상기의 실시예 1~5및 비교예 1에서 제조한 레지스트 박리용 조성물의 박리효과를 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 Mo/Al/Mo층을 형성한 후, 포토 레지스트 패턴을 형성시킨 이후, 습식 식각 및 건식 식각 방식에 의해 금속막을 에칭한 기판을 각각 준비하였다. 실시예 1~5 및 비교예 1의 레지스트 박리용 조성물은 항온조를 사용하여 60?로 온도를 일정하게 유지시킨 후, 10분간 대상물을 침적하여 박리력을 평가하였다. 이후 기판상에 잔류하는 박리액의 제거를 위해서 순수로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. 상기 기판의 변성 또는 경화 레지스트 및 건식 식각 잔사 제거 성능은 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
구분 박리 성능
습식 식각 기판 건식 식각 기판
실시예1 ◎ ◎
실시예2 ◎ ◎
실시예3 ◎ ◎
실시예4 ◎ ○
실시예5 ◎ ○
비교예1 △ ×
주)) [박리 성능] ◎ : 매우양호, ○ : 양호, △ : 보통, × : 불량
상기 표 2의 시험결과에 의하면, 실시예1 내지 실시예4의 레지스트 박리액 조성물은 습식 식각에 의한 레지스트 박리력이 뛰어날 뿐만 아니라 건식 식각을 거친 레지스트 및 식각 잔사 제거에 대해 모두 우수한 성능을 나타내었다. 그러나, 아민를 함유하고 있지 않은 비교예1의 경우 습식 식각을 공정을 거친 포토레지스트에 대해서는 양호한 성능을 보였으나 건식 식각을 거친 레지스트 및 식각 잔사의 제거효과는 안 좋은 것으로 확인되었다.
실시예 6~14 및 비교예 2~3: 레지스트 박리액 조성물의 제조
하기의 표 3에 기재된 성분과 함량을 혼합하여 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
구분 염기성 화합물 [중량%] 아미드 화합물 [중량%] 양자성 극성용매 [중량%] 히드록시 벤젠화합물 [중량%] 물 [중량%]
실시예2 MEA 20 DMAc 25 BDG 35 카테콜 2 18
실시예6 MEA 20 DMAc 10 BDG 35 카테콜 2 33
실시예7 MEA 20 DMAc 38 BDG 35 카테콜 2 5
실시예8 MEA 20 DMF 25 BDG 35 카테콜 2 18
실시예9 MEA 20 NMF 25 BDG 35 카테콜 2 18
실시예10 MEA 20 DMAc 25 BDG 20 카테콜 2 33
실시예11 MEA 20 DMAc 25 BDG 48 카테콜 2 5
실시예12 MEA 20 DMAc 25 BG 35 카테콜 2 18
실시예13 MEA 20 DMAc 25 BTG 35 카테콜 2 18
실시예14 MEA 20 DMAc 25 MDG 35 카테콜 2 18
비교예2 MEA 20 - - BDG 35 카테콜 2 43
비교예3 MEA 20 DMAc 25 - - 카테콜 2 53
(단위: 중량%, 잔량: 순수 첨가)
주)) DMF : N,N-디메틸 포름아미드
NMF: N-메틸 포름아미드
BG : 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르
BTG : 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르
MDG : 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르
시험예 2: 아미드 화합물의 함유 여부 및 극성용매의 종류 및 함유여부에 따른 성능 평가
아미드 화합물의 함유여부 및 극성용매의 종류 및 함량을 달리하여 제조된 실시예 2, 6 내지 14 및 비교예 2, 3의 박리성능을 확인하였다. 레지스트 제거 성능을 확인하기 위한 기판은 상기 시험예 1에서와 동일한 것을 사용하였으며, 처리 조건도 동일하게 하여 실험을 수행하고, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.
구분 박리 성능
습식 식각 기판 건식 식각 기판
실시예2 ◎ ◎
실시예6 ◎ ○
실시예7 ◎ ◎
실시예8 ◎ ◎
실시예9 ◎ ◎
실시예10 ◎ ◎
실시예11 ◎ ◎
실시예12 ◎ ◎
실시예13 ◎ ◎
실시예14 ◎ ◎
비교예2 ○ ×
비교예3 ○ △
주)) [박리 성능] ◎ : 매우양호, ○ : 양호, △ : 보통, × : 불량
상기 표 4의 시험결과에 의하면, 실시예 2, 6 내지 14의 레지스트 박리액 조성물은 습식 및 건식 식각에 의한 레지스트 박리력이 뛰어남을 확인된다. 그러나 아미드 화합물을 함유하지 않은 비교예 2 및 극성용매를 함유하지 않은 비교예 3의 경우는 건식 식각 기판에 대한 레지스트 제거 성능이 미흡하였다.
실시예 15~17 및 비교예 4: 레지스트 박리액 조성물의 제조
하기의 표 5에 개시된 성분과 함량을 혼합하여 레지스트 박리용 조성물을 제조하였다.
구분 염기성 화합물 [중량%] 아미드 화합물 [중량%] 양자성 극성용매 [중량%] 히드록시 벤젠화합물[중량%] 물 [중량%]
실시예2 MEA 20 DMAc 25 BDG 35 카테콜 2 18
실시예15 MEA 20 DMAc 25 BDG 35 카테콜 0.1 19.9
실시예16 MEA 20 DMAc 25 BDG 35 카테콜 5 15
실시예17 MEA 20 DMAc 25 BDG 35 MG 2 18
비교예4 MEA 20 DMAc 25 BDG 35 - - 20
(단위: 중량%, 잔량: 순수 첨가)
주)) MG : 메틸 갈레이트
시험예 3: 부식방지제의 종류 및 함유여부에 따른 부식 방지 성능 성능 평가
부식방지제의 종류 및 함유여부를 달리하여 제조된 실시예 2, 15 내지 17, 및 비교예 4의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 알루미늄 다층막 배선에 대한 부식 방지능력을 평가하였다.
구체적으로, 실시예 2, 15 내지 17, 및 비교예 4의 레지스트 박리액 조성물의 부식 방지 능력을 평가하기 위해 Mo/Al/Mo 배선 이 노출된 기판을 사용하여 부식 방지력을 평가하였다. 알루미늄에 대한 부식 평가는 60℃에서 박리액 조성물 원액에 30분간 침적시킨 후 세정 건조를 거쳐 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 평가하였으며, 그 결과를 하기의 표 6에 나타내었다.
구분 부식방지능력
실시예2 ◎
실시예15 ○
실시예16 ◎
실시예17 ◎
비교예4 ×
주)) [부식 방지 능력] ◎ : 매우양호, ○ : 양호, △ : 보통, × : 불량
상기 표 6의 시험결과에 의하면, 실시예2, 15 내지 17의 레지스트 박리액 조성물은 알루미늄 대해 양호한 부식 방지 성능을 나타낸 반면, 부식방지제를 포함하지 않은 비교예 4의 경우 만족할 만한 부식 방지 성능을 보이지 않음을 확인할 수 있었다.
실시예 18~20: 레지스트 박리액 조성물의 제조
하기의 표 7에 기재된 성분과 함량을 혼합하여 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
구분 염기성 화합물 [중량%] 아미드 화합물 [중량%] 양자성 극성용매 [중량%] 히드록시 벤젠화합물 [중량%] 물 [중량%] 설폭사이드 화합물
실시예4 DBA 20 DMAc 25 BDG 35 카테콜 2 18
실시예5 DGA 20 DMAc 25 BDG 35 카테콜 2 18
실시예18 DBA 20 DMAc 20 BDG 30 카테콜 2 10 DMSO 18
실시예19 DGA 20 DMAc 20 BDG 30 카테콜 2 10 DMSO 18
실시예20 DBA 20 DMAc 20 BDG 30 카테콜 2 10 설포란 18
실시예21 MEA 0 DMAc 25 BDG 35 카테콜 2 18 DMSO 20
비교예1 MEA 0 DMAc 25 BDG 35 카테콜 2 38
(단위: 중량%)
주)) DMSO: 디메틸설폭사이드
시험예 4: 설폭사이드 화합물의 종류 및 함유여부에 따른 습식 및 건식 식 각 잔사 제거 성능 평가
상기의 실시예 4, 5, 18~20 및 비교예 1에서 제조한 레지스트 박리용 조성물의 박리효과를 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 Mo/Al/Mo층을 형성한 후, 포토 레지스트 패턴을 형성시킨 이후, 습식 식각 및 건식 식각 방식에 의해 금속막을 에칭한 기판을 각각 준비하였다. 실시예 4, 5, 18~20 및 비교예 1의 레지스트 박리용 조성물은 항온조를 사용하여 60?로 온도를 일정하게 유지시킨 후, 10분간 대상물을 침적하여 박리력을 평가하였다. 이후 기판상에 잔류하는 박리액의 제거를 위해서 순수로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. 상기 기판의 변성 또는 경화 레지스트 및 건식 식각 잔사 제거 성능은 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하고, 그 결과를 하기 표 8에 나타내었다.
구분 박리 성능
습식 식각 기판 건식 식각 기판
실시예4 ◎ ○
실시예5 ◎ ○
실시예18 ◎ ◎
실시예19 ◎ ◎
실시예20 ◎ ◎
실시예21 ○ △
비교예1 △ ×
주)) [박리 성능] ◎: 매우양호, ○ :양호, △: 보통, ×: 불량
상기 표 7의 시험결과에 의하면, 설폭사이드 화합물을 함유한 실시예 18 내지 실시예 21의 레지스트 박리액 조성물은, 설폭사이드 화합물을 함유하지 않은 실시예 4, 5 및 비교예 1에 비해 습식 식각에 의한 레지스트 박리력이 뛰어날 뿐만 아니라 건식 식각을 거친 레지스트 및 식각 잔사에 있어서도 상대적으로 제거 성능이 우수함을 보였다.

Claims (12)

  1. (a) 염기성 화합물, (b) 하기 화학식 1로 표시되는 아미드 화합물, (c) 양자성 극성용매, (d) 히드록시 벤젠화합물, 및 (e) 물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112008036469471-PAT00005
    상기 식에서, R1, R2, 및 R3는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 히드록시기알킬기, 카르복실기, 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 1~4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기이며, 상기 R1 및 R2는 함께 환을 형성할 수도 있다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 (a) 염기성 화합물이 수산화물염, 1급 아민, 2급 아민, 3급 아민, 고리형 아민, 및 알칸올 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 (b) 화학식 1 로 표시되는 아미드 화합물이 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아 미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 및 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 레지스트 박리용 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 (c) 양자성 극성용매가 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 및 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 레지스트 박리용 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 (d) 히드록시 벤젠화합물이 카테콜, 히드로퀴논, 피로가롤, 갈산, 메틸갈레이트, 에틸갈레이트, n-프로필갈레이트, 이소프로필갈레이트, 및 n-부틸갈레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 레지스트 박리용 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 레지스트 박리액 조성물이 설폭사이드 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 레지스트 박리액 조성물이 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 레지스트 박리용 조성물은, 전체 조성물 총 중량에 대하여 (a) 염기성 화합물 5~30중량%, (b) 화학식 1로 표시되는 아미드 화합물 10~60 중량%, (c) 양자성 극성용매 10~60%, (d) 히드록시 벤젠화합물 0.1~10 중량%, 및 (e) 물 5~50중량%을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  9. (Ⅰ) 플랫 패널 디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계,
    (Ⅱ) 상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
    (Ⅲ) 상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
    (Ⅳ) 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    (Ⅴ) 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및
    (Ⅵ) 상기 식각 공정 후, 상기 레지스트 패턴 및 식각에 의해 변성 및 경화 된 레지스트를 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항의 레지스트 조성물을 사용하여 기판으로부터 박리하는 단계를 포함하는 레지스트의 박리방법.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 레지스트 박리액 조성물은 기판상에 알루미늄 또는 구리를 포함하는 금속배선이 형성되어 있는 플랫 패널용 기판의 레지스트 박리에 사용되는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  11. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 플랫 패널.
  12. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 장치.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120022195A (ko) * 2010-09-01 2012-03-12 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 그를 이용한 박리방법
WO2013155659A1 (en) * 2012-04-16 2013-10-24 Rhodia Operations Fluoropolymer compositions
KR20160090729A (ko) * 2015-01-22 2016-08-01 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물
CN105824201A (zh) * 2015-01-22 2016-08-03 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离剂组合物
CN106468861A (zh) * 2015-08-18 2017-03-01 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离液组合物及使用其的抗蚀剂剥离方法
CN106468860A (zh) * 2015-08-18 2017-03-01 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离液组合物及使用其的抗蚀剂剥离方法
WO2019006725A1 (en) 2017-07-06 2019-01-10 Dow Global Technologies Llc COMBINATIONS OF AMIDES FOR CLEANING AND STRIPPING ELECTRONIC PARTS
KR20190040165A (ko) * 2015-08-05 2019-04-17 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120022195A (ko) * 2010-09-01 2012-03-12 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 그를 이용한 박리방법
WO2013155659A1 (en) * 2012-04-16 2013-10-24 Rhodia Operations Fluoropolymer compositions
KR20140147887A (ko) * 2012-04-16 2014-12-30 로디아 오퍼레이션스 플루오로중합체 조성물
US9518155B2 (en) 2012-04-16 2016-12-13 Rhodia Operations Fluoropolymer compositions
KR20160090729A (ko) * 2015-01-22 2016-08-01 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물
CN105824201A (zh) * 2015-01-22 2016-08-03 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离剂组合物
KR20190040165A (ko) * 2015-08-05 2019-04-17 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물
CN106468861A (zh) * 2015-08-18 2017-03-01 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离液组合物及使用其的抗蚀剂剥离方法
CN106468860A (zh) * 2015-08-18 2017-03-01 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离液组合物及使用其的抗蚀剂剥离方法
WO2019006725A1 (en) 2017-07-06 2019-01-10 Dow Global Technologies Llc COMBINATIONS OF AMIDES FOR CLEANING AND STRIPPING ELECTRONIC PARTS
EP3649513A4 (en) * 2017-07-06 2021-03-31 Dow Global Technologies LLC AMIDE COMBINATIONS FOR THE CLEANING AND PICKLING OF ELECTRONIC PARTS
US11016392B2 (en) 2017-07-06 2021-05-25 Dow Global Technologies Llc Amide combinations for cleaning and stripping of electronic parts

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