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KR20090110863A - 유리 시트 반도체 코팅을 위한 시스템과 방법 - Google Patents

유리 시트 반도체 코팅을 위한 시스템과 방법 Download PDF

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Publication number
KR20090110863A
KR20090110863A KR1020097018175A KR20097018175A KR20090110863A KR 20090110863 A KR20090110863 A KR 20090110863A KR 1020097018175 A KR1020097018175 A KR 1020097018175A KR 20097018175 A KR20097018175 A KR 20097018175A KR 20090110863 A KR20090110863 A KR 20090110863A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass sheet
station
shuttle
semiconductor material
vertical
Prior art date
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Withdrawn
Application number
KR1020097018175A
Other languages
English (en)
Inventor
제임스 이. 하이더
마이클 제이. 치착
레오 쥬니어. 어돌라인
개리 티. 파이코시
Original Assignee
윌라드 앤드 켈시 솔라 그룹, 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌라드 앤드 켈시 솔라 그룹, 엘엘씨 filed Critical 윌라드 앤드 켈시 솔라 그룹, 엘엘씨
Publication of KR20090110863A publication Critical patent/KR20090110863A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템(20)과 방법은, 진공 챔버(24)를 포함하는 하우징(22)을 구비한 시스템(20)을 통해, 상단부에서 수직으로 현수된 유리 시트를 운반하여 수행된다. 유리 시트는, 입구 로드 로크 스테이션(26)을 통해 하우징 진공 챔버(24) 안으로, 하우징 스테이션(30)을 통하고 하우징(22)의 적어도 하나의 증착 스테이션(32,34)을 통하며, 출구 로드 로크 스테이션(28)을 통한 상기 시스템의 배출 전에 냉각 스테이션(26)으로 셔틀(42) 상에서 운반된다. 최종 반도체 코팅 유리 시트(G)는 상기 코팅 제조 중 형성된 통 마크(tong mark)(44')를 갖는다.
유리 시트, 반도체 재료, 진공 챔버, 하우징, 입구 로드 로크 스테이션, 출구 로드 로크 스테이션, 가열 스테이션, 증착용 반도체 재료, 증착 스테이션, 컨베이어

Description

유리 시트 반도체 코팅을 위한 시스템과 방법{SYSTEM AND METHOD FOR GLASS SHEET SEMICONDUCTOR COATING}
관련 출원에 대한 상호 참조
이 출원은, "광전지 디바이스에 사용하기 위한 반도체 재료를 코팅하기 위한 코팅 기계와 방법"이라는 발명의 명칭으로 제임스 이. 하이더에 의해 2007년 2월 1일자로 출원된 미국 가출원 번호 제 60/898,849호의 이점을 청구한다.
본 발명은, 반도체 재료로 유리 시트를 코팅하기 위한 시스템과 방법에 관한 것이고, 또한 이에 의한 반도체 코팅 유리 시트에 관한 것이다.
광전지 패널과 같은 반도체 장치는 반도체 재료가 코팅된 유리 시트 기판으로 구성되었다. Madan 등의 미국 특허 출원 제 5,016,562호, Foote 등의 제 5,248,349호, Foote 등의 제 5,372,646호, Foote 등의 제 5,470,397호 및 Foote 등의 제 5,536,333호를 참조하면, 모든 문헌은 이러한 코팅 동안 유리 시트를 운반하기 위한 수평 롤러를 개시한다.
본 발명과 관련하여 수행된 조사에서 알려진 다른 종래 기술 참조문헌은, Campbell 등의 미국 특허 제 4,545,327호, Hanak의 제 4,593,644호, Nakamura 등의 제 5,288,329호, Chu 등의 제 6,013,134호, 및 Takahashi의 제 6,827,788호뿐만 아 니라 미국 특허 출원 공개 제 2007/0137574호를 포함한다.
본 발명의 목적은, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 개선된 시스템을 제공하는 것이다.
전술한 목적을 수행하기 위해, 본 발명에 따른, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템은 진공 챔버를 형성하는 긴 하우징을 포함한다. 시스템의 입구 로드 로크 스테이션은 진공 챔버 내로의 입구를 제공하고, 시스템의 출구 로드 로크 스테이션은 진공 챔버의 출구를 제공한다. 하우징은 유리 시트를 가열하기 위한 가열 스테이션과, 증착용 반도체 재료를 공급하기 위한 적어도 하나의 증착 스테이션을 포함한다. 시스템의 컨베이어는 수직 유리 시트의 상단부를 지지하고, 시스템을 통해, 먼저 입구 로드 로크 스테이션 안으로 입구 로드 로크 스테이션을 통해 진공 챔버 안으로, 그 다음에 유리 시트를 가열하기 위해 가열 스테이션을 통해, 이후 유리 시트 위에 반도체 재료를 증착시키기 위해 증착 스테이션을 통해, 최종적으로 코팅된 유리 시트를 운반하기 위해 출구 로드 로크 스테이션을 통해 진공 챔버 밖으로 수직 유리 시트를 운반한다.
시스템의 컨베이어는 수직 유리 시트의 상단부를 지지하기 위한 셔틀을 포함하는 것으로 기재되어 있고, 컨베이어는 또한 셔틀과 이에 현수된 수직 유리 시트를 시스템을 통해, 먼저 입구 로드 로크 스테이션 안으로 입구 로드 로크 스테이션을 통해 진공 챔버로, 그 다음에 유리 시트를 가열하기 위해 가열 스테이션 안으로, 이후 유리 시트에 반도체 재료를 증착시키기 위해 증착 스테이션을 통해, 최종적으로 코팅된 유리 시트를 운반하기 위해 출구 로드 로크 스테이션을 통해 진공 챔버 밖으로 운반하기 위해 시스템을 따라 위치한 구동 메커니즘을 구비하는 구동장치(drive)를 포함한다.
전술한 바와 같이, 각각의 셔틀은 운반 동안 수직 유리 시트의 상단부를 지지하는 통(tong)을 지지하기 위해 하향으로 매달린 지지부를 포함하는 긴 형상을 갖고, 컨베이어 구동부의 구동 기구는 각각, 긴 형상이고 시스템을 통해 시스템의 내외로 수직 유리 시트를 운반하도록 셔틀을 회전 구동하기 위해 긴 형상을 따라 이격된 회전 구동 부재를 갖는다. 전술한 회전 구동 부재는 자석이고 유리 시트 운반을 위해 셔틀의 회전 구동을 제공하고, 셔틀은 상부 지지부와, 자석 회전 구동 부재가 위에서부터 셔틀을 지지하고 회전 구동하는 구동 표면을 갖는다. 전술한 셔틀은 또한 서로 대향하는 측면을 갖고, 구동 메커니즘은 셔틀의 대향하는 측면 아래의 서로 대향하는 측면에서 그 길이를 따라 서로 이격되어 있는 안정장치 롤러(failsafe roller)를 갖는다.
전술한 가열 스테이션은 유리 시트에 반도체 재료를 증착시키기 전에 유리 시트를 복사 가열하기 위해 운반된 수직 유리 시트의 대향 측면에 이격된 복사 히터를 포함한다. 보다 상세히는, 복사 히터는 그 사이에서 수직 유리 시트를 운반하고, 서로 이격된 관계로 평행하에 수직으로 연장하는 복사 가열 스래브(slab)를 포함한다.
전술한 시스템은 또한 코팅된 유리 시트의 복사 냉각을 제공하는 복사 열 흡수기를 포함한다. 이들 복사 열 흡수기는 서로 이격되고 평행 관계로 수직으로 연장하고, 냉각을 위해 운반하는 동안 그 사이에서 수직 유리 시트가 위치하는 복사 냉각 슬래브로서 개시된다. 또한, 복사 열 흡수기는 출구 로드 로크 스테이션으로부터 진공 챔버 상류에 위치된 것으로 개시된다.
전술한 시스템은 수직 유리 시트의 상단부를 지지하고 이러한 수직 유리 시트를 제 1 컨베이어에 의해 운반된 수직 유리 시트의 측면을 따라 시스템을 통해, 먼저 입구 로드 로크 스테이션 안으로 입구 로드 로크 스테이션을 통해 진공 챔버 안으로, 그 다음에 유리 시트를 가열하기 위해 가열 스테이션을 통해, 이후 유리 시트 위에 반도체 재료를 증착하기 위해 증착 스테이션을 통해, 최종적으로 코팅된 유리 시트를 운반하기 위해 출구 로드 로크 스테이션을 통해 진공 챔버 밖으로 운반하기 위해 제 1 컨베이어를 따라 위치한 제 2 컨베이어를 또한 포함한다.
전술한 시스템의 긴 하우징은 진공 챔버를 형성하기 위해 서로 연결된 단부를 갖는 모듈을 포함한다. 각각의 모듈은 부분적으로 원형인 하부 하우징부와, 하부 하우징부로부터 상향으로 연장하고 상부 액세스 개구를 갖는 상부 액세스부와, 인접한 모듈을 연결하기 위해 각각의 모듈의 단부의 상부 액세스부와 하부 하우징부 둘레에서 연장하는 단부 시일과, 액세스 개구를 선택적으로 폐쇄하거나 또는 유지 보수 또는 수리를 위해 모듈 내로 액세스하기 위한 개구를 제공하기 위한 착탈식 커버를 포함한다. 프레임워크는 컨베이어를 지지하고, 하우징 모듈의 상부 액세스부에 의해 지지된다.
본 발명의 다른 목적은, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 개선된 방법을 제공하는 것이다.
이러한 목적을 이루기 위해, 본 발명에 따른 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 방법은, 수직 배향되어 상단부에서 유리 시트를 지지하는 단계와, 진공 챔버 내로 입구 로드 로크를 통해 수직 유리 시트를 운반하는 단계에 의해 행해진다. 수직 운반된 유리 시트는 진공 챔버 내에서 가열되고, 반도체 재료가 가열되고 수직 운반된 유리 시트에 증착된다. 그 다음에, 반도체 코팅 유리 시트는 운반을 위해, 출구 로드 로크를 통해 진공 챔버 외로 배출된다.
수직 유리 시트는 시스템을 따라 위치한 구동 기구의 자석 회전 구동 부재에 의해 시스템을 통해 운반되는 셔틀에 의해 지지되는 것으로 개시된다.
또한, 유리 시트는 운반된 유리 시트의 대향측에 이격된 수직 복사 가열 슬래브를 포함하는 복사 히터에 의해 가열되는 것으로 개시되고, 코팅된 유리 시트는 냉각을 위해 운반 동안 그 사이에 수직 유리 시트가 위치되고, 서로 이격되고 평행한 관계로 수직으로 연장하는 냉각 슬래브를 포함하는 복사 열 흡수기에 의해 냉각되는 것으로 개시된다.
본 발명의 다른 목적은, 개선된 반도체 코팅 유리 시트를 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 반도체 코팅 유리 시트는 유리 시트를 가열하고, 유리 시트를 변형시키고 유리 시트의 냉각 후에 잔류하는 통 마크를 남기는 통(tong)에 의해 그 상단부에서 현수되어 수직으로 운반되면서, 기상 증착에 의해 증착된 반도체 재료의 적어도 하나의 층을 갖는다.
개시된 바와 같이, 유리 시트는 일표면에 주석 산화물층과, 주석 산화물층 위에 코팅된 제 1 반도체층과, 제 1 반도체층 위에 코팅된 제 2 반도체층을 포함한다.
본 발명의 목적, 특성 및 장점은 첨부 도면을 참조하여 볼 때, 바람직한 실시예의 상세한 설명으로부터 명백하게 될 것이다.
도 1은, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 본 발명에 따라 구성되고, 본 발명의 방법을 실행하는 시스템의 사시도.
도 2는, 상단부로부터 수직으로 유리 시트를 현수하고 시스템을 통해 운반을 제공하는데 사용되는 구동 기구와 셔틀을 도시하는 사시도.
도 3은, 자석 회전 구동 부재가 셔틀과 셔틀로부터 현수된 수직 유리 시트를 지지하고 회전 구동하는 방법을 도시하는 부분도.
도 4는, 반도체 증착용 시스템의 하우징 진공 챔버를 통해 수직으로 유리 시트를 운반하는 한 쌍의 측 대 측 컨베이어의 준비와 시스템의 모듈 구조를 도시하는 시스템의 개략도.
도 5는, 반도체 재료 두께가 도시 목적으로 과장된, 반도체 재료가 코팅된 유리 시트를 통해 본 단면도.
도 6은, 반도체 증착을 위해 준비된 수직 운반된 유리 시트의 복사 가열을 제공하는 노의 가열 스테이션 내의 복사 히터를 도시하는 개략 평면도.
도 7은, 반도체 재료가 증착되는 증착 스테이션 내에서의 운반 동안 수직 유리 시트를 도시하는 개략 평면도.
도 8은, 복사 열 흡수기가 유리 시트의 냉각을 제공하는 냉각 스테이션을 통 과하여 운반되는 반도체 코팅 유리 시트를 도시하는 개략 평면도.
도 9는, 긴 유리 시트가 수평의 긴 축을 갖고 운반되는 하나의 방법을 도시하는 정면도.
도 10은, 긴 유리 시트가 수평의 긴 축을 갖고 운반되는 다른 방법을 도시하는 도 9와 유사한 도면.
도 10a 및 도 10b는, 도 9 또는 도 10에 도시된 운반에 관계없이, 유리 시트의 양면에 통 마크(44')가 포함된 최종 상단부(40)를 도시하는 최종 유리 시트의 측면도 및 단부도.
도 11은, 진공 챔버를 형성하는 하우징을 제공하기 위해 다른 모듈과 협동하는 시스템의 하나의 하우징 모듈을 도시하는 사시도.
도 12는, 도 6 및 도 8에 각각 도시된 가열 스테이션 또는 냉각 스테이션에서의 하우징 모듈의 구성을 도시하는 도면.
도 13은, 유리 시트가 하우징의 진공 챔버로 진입하는 로드 로크 스테이션과, 코팅된 유리 시트가 운반을 위해 하우징의 진공 챔버로부터 배출되는 출구 로드 로크 스테이션을 도시하는 측면도.
도 14는, 로드 로크 스테이션 구성을 보다 상세히 설명하기 위해 도 13에서 선 14-14 방향을 따라 취한 단면도.
도 15는, 도 14의 선 15-15 방향을 따라 취한 로드 로크 스테이션의 평면도.
도 1을 참조하면, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템(20)은 일반적으로 도면부호 20으로 지시되고, 본 발명에 따라 반도체 재료로 유리 시트를 코팅하기 위한 방법을 수행하고, 본 발명에 따라 반도체 코팅된 유리 시트를 제공하도록 동작된다. 반도체 코팅된 유리 시트뿐만 아니라 그 시스템 및 방법은 본 발명의 모든 양태의 이해가 용이하도록 통합된 방식으로 설명한다.
도 1을 참조하여 계속하면, 시스템(20)은 도면부호 22로 집합적으로 지시된 긴 하우징을 포함하고, 반도체 코팅이 실시되는 진공 챔버(24)를 갖는다. 시스템의 입구 로드 로크 스테이션(26)은 진공 챔버(24) 내로의 유리 시트 입구의 준비를 제공하고, 출구 로드 로크 스테이션(28)은 코팅 후에 진공 챔버(24)의 밖으로 코팅된 유리 시트를 배출을 제공한다. 하우징은 유리 시트를 가열하기 위한 가열 스테이션(30)과, 기상 증착을 위해 반도체 재료를 공급하기 위한 한 쌍의 증착 스테이션(32, 34)과, 냉각 스테이션(36)을 포함하고, 이하에서 보다 상세히 설명한다.
도 4에 도시된 시스템(20)은 긴 하우징(22)을 통해 측 대 측 관계로 서로 측면을 따라 연장하는 한 쌍의 컨베이어(38)를 포함한다. 각각의 컨베이어(38)는 도 2에 도시된 바와 같이 수직 유리 시트(G)의 상단부(40)를 지지하고, 시스템을 통해 이들 수직 유리 시트의 현수 운반을 제공한다. 이러한 운반은 처음에는 하우징 진공 챔버(24) 내로 입구 로드 로크 스테이션(26)을 통과하고, 유리 시트의 가열을 위해 가열 스테이션(30)을 통과하며, 그 다음에는 유리 시트에 반도체 재료를 증착하기 위한 두 개의 증착 스테이션(32, 34)을 통과하고, 다음에 냉각 스테이션(36)을 통과하고, 최종적으로는 코팅된 유리 시트를 운반하기 위해 출구 로드 로크 스테이션(28)을 통과하여 진공 챔버(24) 밖으로 통과한다.
도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 각각의 컨베이어(38)는 특히, 도 2에 도시된 통(44)에 의해 수직 유리 시트의 상단부(40)를 지지하는 셔틀(42)을 포함한다. 통(44)은 Furer의 미국 특허 제 3,391,958호에 개시된 형식일 수 있고, 그 전체 문헌은 본원에서 참조로 합체된다. 도 4에 도시된 각각의 컨베이어(38)는 또한 도면부호 46으로 집합적으로 지시되고, 셔틀과 그로부터 현수된 수직 유리 시트를 시스템을 통해 운반하기 위해 시스템을 따라 위치된 구동 기구(48)를 갖는 구동부를 포함한다. 따라서, 이러한 구동 기구(48)를 통해 구동부(46)는 셔틀을 먼저 입구 로드 로크 스테이션(26) 내로 운반하고, 그로부터 가열 스테이션(30), 증착 스테이션(32, 34), 냉각 스테이션(36)을 통과하여 운반하기 위해 긴 하우징(22)의 진공 챔버(24)로 운반하고, 최종적으로 시스템으로부터 배출하고 코팅된 유리 시트를 운반하기 위해 출구 로드 로크 스테이션(28)으로 운반한다. 임의의 적절한 형식의 복귀 컨베이어(50)가 출구 로드 로크 스테이션(28)으로부터 다시 다른 사이클을 위해 입구 로드 로크 스테이션(26)으로 빠져나간 후 셔틀(42)을 운반시키도록 이용될 수 있다.
도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 각각의 셔틀(42)은 긴 형상을 갖고, 운반되는 유리 시트의 특정 길이에서 적절한 위치에서 통(44)을 수용하여 지지하도록 이를 따라 이격된 구멍(54)을 구비하고 하향으로 매달린 현수부(52)(도 2)를 가져서, 현수된 지지부는 일반적으로 운반되는 유리 시트(G)의 상단부(40)의 상류 및 하류 단부(56, 58)에 인접한다. 컨베이어 구동부(46)의 구동 기구(48)는 각각 긴 형상을 갖고, 시스템의 내외로 수직 유리 시트를 운반하도록, 셔틀(42)을 회전 구 동하기 위해 긴 형상을 따라 이격된 회전 구동 부재(60)를 포함한다. 보다 상세히는, 회전 구동 부재(60)는, 운반을 위해 셔틀(42)의 회전 구동을 제공하도록 베어링(64)에 의해 긴 플레이트(62)에 지지되는 자석이다. 셔틀(42)은 상부 지지부와, 도 3에 도시된 바와 같이 플레이트(62)의 구멍(68)을 통해 하향으로 돌출하여 상부 셔틀 표면(60)을 지지하며 접촉 구동하는 자석 회전 구동 부재(60)에 의해 지지되는, 구동 표면(66)을 포함한다.
전술한 컨베이어 구동부(46)의 컨베이어 구동 기구(48)는 시스템의 길이를 따라 이격되고, 개략적으로 도시된 바와 같이 진공 챔버(24)로부터 하우징(22)의 외향으로 이격된, 도 2에 도시된 바와 같이 관련된 전기 구동 모터(70)를 각각 갖는다. 각각의 구동 모터(70)의 샤프트 출력부는 인접한 자석 회전 구동 부재(60)의 구동 샤프트(72)의 일단부에, 밀봉된 베어링을 통해 연장하고, 샤프트의 타단부는 인접한 자석 회전 구동 부재(60)의 샤프트(72)의 일단부에서 다른 스프로켓(74)을 구동하는 무단 루프 구동 벨트 또는 체인(76)을 구동하기 위해 구동 스프로켓(74)에 연결되고, 구동 기구(48)의 측면들에 번갈아서 관련되어 있는 스프로켓과 연속 구동 부재는 서로 연관되어 모든 자석 회전 구동 부재(60)를 회전 구동시킨다.
도 5에 도시된 바와 같이, 처음에 전기 접점을 제공하는 주석 산화물(78)의 코팅을 갖는 유리 시트(G)의 일 표면에 반도체 재료 증착이 수행된다. 도 4에 도시된 가열 스테이션(30)에서 가열된 후에, 제 1 증착 스테이션(32)은 N형 반도체이며 약 0.15 미크론 차수의 두께를 갖는 황화 카드뮴층(80)을 제공한다. 제 2 증착 스테이션(34)으로 유리 시트의 운반이 진행되면, I형 반도체를 제공하기 위해 카드뮴 텔루르 화합물층(82)이 약 3 미크론 차수의 두께로 황화 카드뮴층(80) 위에 증착된다. 이러한 증착 후에 시스템으로부터 배출되면, 주석 산화물층(78), 황화 카드뮴층(80) 및 카드뮴 텔루르 화합물층(82)은 복수의 셀로 분리될 수 있고, 태양광으로부터 전력을 발생시키기 위한 다중 셀 광전지 패널로서 기능하도록 카드뮴 텔루르 화합물층(82)에 다른 접점이 설치될 수 있다.
도 4에 개략적으로 도시된 시스템 하우징(22)은 하우징(22)을 제공하기 위해 서로 연결된 대향 단부(85)를 갖는 다수의 하우징 모듈(84)을 포함하는 모듈 구조를 가지며, 가열 스테이션(30), 증착 스테이션(32, 34) 및 냉각 스테이션(36)을 포함한다. 컨베이어 구동부(46)는, 셔틀(42)과 이에 현수된 유리 시트를 가열, 증착 및 냉각을 위해 시스템 하우징의 진공 챔버를 통해 운반하도록 상부 및 하류 단부 사이에서 각각의 하우징 모듈(84)의 길이를 따라 연장하는 전술한 구동 기구(48) 중 하나를 갖는다. 입구 및 출구 로드 로크 스테이션(26, 28)은 각각, 하우징(22)에 의해 형성된 진공 챔버(24)의 내외로 유리 시트를 운반하기 위해 연장된 컨베이어(38)가 통과하는 연관된 하우징 모듈(86)을 포함한다. 이들 로드 로크 하우징(86)은 각각 입구 및 출구 도어 구조(88, 90)를 갖고, 이들 구조는 이후에 보다 상세히 설명된다.
도 4에 도시된 바와 같이 우측으로부터 좌측으로 유리 시트 운반 처리가 시작함에 따라, 입구 로드 로크 스테이션(26)의 입구 도어 구조(88)는. 입구 도어 구조가 폐쇄되고 입구 로드 로크 스테이션이 약 20 Torr의 진공을 제공하도록 진공 펌프에 의해 배기되면서, 셔틀(42)과 이에 수직으로 현수된 유리 시트를 연관된 하 우징(86)으로 운반하도록 개방된다. 요구되는 진공 상태에 도달하면, 출구 도어 구조(98)는 셔틀이 가열 스테이션(30)의 초기 구동 기구(48)로 운반되도록 개방되고, 각각의 하우징 모듈 내의 입구 로드 로크 스테이션으로부터 가열 스테이션(30), 증착 스테이션(32, 34) 및 냉각 스테이션(36)을 통해 다음으로 이를 따라 이동함에 따라 셔틀이 구동 기구와 연결된다. 하우징(22)의 진공 챔버 내로의 초기 진입 후에, 입구 로드 로크 스테이션(26)의 출구 도어 구조(90)는 폐쇄되며, 하우징 모듈(86)은 대기압으로 복귀하고, 그 입구 도어 구조(88)는 다음 사이클의 처리를 시작하도록 입구 로드 로크 스테이션 내로, 다음 셔틀(42)과 유리 시트를 운반하기 위해 개방된다.
각각의 셔틀(42)이 시스템(20)의 하우징(22)의 진공 챔버 내로 진행한 후에, 셔틀은 하우징 모듈(86)이 약 20 Torr의 진공으로 배기됨에 따라 도 4에 도시된 바와 같이, 입구 및 출구 도어 구조(88, 90)가 폐쇄되는 출구 로드 로크 스테이션(28)에 도달한다. 출구 로드 로크 스테이션(28)의 입구 도어 구조(88)는 그 다음에 출구 로드 로크 스테이션(28) 내로 셔틀과 이에 현수된 유리 시트를 운반하도록 개방되고, 그 입구 도어 구조(88)는 폐쇄되고, 그 하우징은 대기압으로 되고, 출구 도어 구조(90)는 셔틀과 이에 현수된 유리 시트를 시스템 밖으로 운반하도록 개방된다.
전술한 냉각 스테이션(36)은 동작을 용이하게 하기 위해 출구 로드 로크 스테이션(28)으로부터 상류에 위치되고, 입구 및 출구 로드 로크 스테이션(26, 28)은 모두 공통 구조를 갖는다는 점에 주의한다. 그러나, 도시된 상류 위치를 통과하는 것이 바람직하지만 출구 로드 로크 스테이션(28) 내에 냉각 스테이션이 위치되는 것도 가능하다. 이러한 냉각은 산소에 노출되어 반도체 재료와 산소의 임의의 결과적인 반응에 노출되기 전에 약 400 ℃ 미만으로 반도체 재료의 온도를 감소시키는 것이 중요하다.
다시 도 2를 참조하면, 각각의 셔틀이 대향 횡방향 측면(92)을 갖고, 구동 기구 플레이트(62)가 대향 횡방향 셔틀 측면(92)의 아래에 위치된 안전 장치 롤러(94)를 지지하는 경사 측면부(93)를 갖는다는 점에 주의한다. 자석 회전 구동 부재(60)가 안전 장치 롤러(94) 약간 위에서 셔틀(42)을 지지하면서, 이들 안전 장치 롤러(94)는 셔틀(42)이 중력 또는 다른 힘 하에서 낙하하지 않도록 한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 가열 스테이션의 각각의 하우징 모듈(84)은 수직 운반된 유리 시트의 대향 측면에서 이격된 복사 히터(96)를 포함하고, 이들 복사 히터(96)는 그 사이에서 수직 운반된 유리 시트가 이동하는, 서로 이격되고 평행하게 수직으로 배향된 복사 가열 슬래브(98)로 구현된다. 임의의 형식의 적절한 위치 조정기(100)가 서로 대향하는 대면 표면으로부터 유리 시트를 균일하게 제공하기 위해 복사 히터 간격을 조정하는데 사용할 수 있다.
도 4에 도시된 각각의 증착 스테이션(32, 34)은 도 7에 도시된 것과 유사한 구조를 갖고, 증착 모듈(102)과, 유리 시트에 관련된 반도체 재료의 증착을 위해 유리 시트(G)가 그 사이에서 운반되는 수직으로 연장하는 복사 히터(104)를 수용하는 하우징 모듈(84)을 갖는다. 가열 스테이션의 복사 히터와 유사한 복사 히터(104)는 증착 동안 유리의 온도를 균일하게 하도록 조절기(108)에 의해 필요한 만큼 그 위치를 변경시킬 수 있는 수직 연장 가열 슬래브(106)를 포함한다. 또한, 증착 모듈(102)이 반도체 재료로서 증착되는 고온 가스를 공급하기 위한 준비에 부가하여 그 내부에 합체된 복사 히터를 포함하는 것도 가능하다.
출구 로드 로크 스테이션(28)으로부터 상류에 위치되거나 또는 출구 로드 로크 스테이션 내에 위치된 냉각 스테이션(36)은 서로 이격되고 평행한 관계로 수직으로 연장하는 복사 냉각 슬래브(112)로서 구성되고, 그 사이에 반도체 코팅된 수직 유리 시트가 냉각되도록 위치되는 도 8에 도시된 복사 열 흡수기(110)를 포함한다. 복사 냉각 슬래브(112)는 반도체 코팅된 고온 유리 시트로부터 복사열을 흡수하는, 일반적으로 대향된 연속 편평 표면(113)을 갖는다. 조절기(114)는 냉각의 균일성을 제공하도록 복사 냉각 슬래브(112)와 유리 시트(G) 사이의 위치를 결정한다.
반도체 코팅된 고온 유리 시트는 또한 이와 관련된, 그 전체 내용이 참조로서 본원에 합체되고 발명의 명칭이 "SYSTEM AND METHOD FOR COOLING SEMICONDUCTOR COATED HOT GLASS SHEETS"인 James E. Heider 등의 미국 특허 출원 제__호(대리인 정리 번호: WKSG 0102 PUS)에 개시된 바와 같이 냉각 동안 수평으로 운반될 수 있다.
가열 스테이션에서 복사 가열 슬래브(98)를 제공하고, 각각의 증착 스테이션의 복사 가열 슬래브(106)와 증착 모듈(102)의 임의의 복사 히터와, 냉각 스테이션의 복사 냉각 슬래브(112)를 제공하기 위해 상이한 재료들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 그래파이트는 활용 가능한 비교적 저렴한 제품이고, 온도에 걸쳐 균일성을 제공하도록 우수한 열 전도성을 갖지만, 그래파이트는 진공 하에서도 편원(oblate) 형상이고, 산소에 민감하다. 알파 상 실리콘 카바이드는 또한 비다공성, 충격 흡수성 및 산소에 대한 불침투성을 가질 수 있지만, 비교적 고가이다. 가열 스테이션 및 증착 스테이션의 복사 히터 내에서 매립 히터 요소를 구현하는 것이 가능하고, 또는 니크롬 가열 요소를 갖는 수정 튜브와 같이 히터로부터 슬래브를 통해 복사 가열을 제공하여, 슬래브가 열 스프레더로서 작용하는 것이 가능하다. 또한, 복사 히터 설계 또한 가능하다.
유리 시트 처리 동안, 각각의 유리 시트는 입구 단부로부터 출구 단부로의 단일 방향으로 하우징 모듈 내에서 각각의 유리 시트를 운반할 수 있고, 전후 방향으로 각각의 모듈에서 전후로 진동할 수 있고, 또는 전방으로 2 스텝이고 후방으로 1 스텝인 방식과 같이 소정의 크기로 전방으로 이동하고 그 다음에 연속적으로 그보다 작은 크기만큼 후방으로 이동할 수 있다.
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 긴 유리 시트(G)는 수평 또는 수직의 장축을 갖고 연관된 셔틀(42)로부터 통에 의해 현수될 수 있다. 수직 현가 장치는 보다 우수한 코팅 성능을 제공할 수 있지만, 가열, 코팅 및 냉각 스테이션 컴포넌트의 수직 높이가 높아질 것이다.
도 9에 도시된 바와 같이 유리 시트가 현수되어 수평으로 긴 배향으로 수직으로 운반되는지 또는 도 10에 도시된 바와 같이 수직으로 긴 배향으로 운반되는지에 관계없이, 최종 유리 시트는 유리 시트의 대향하여 대면하는 표면 모두에 통 마크(44')로 변형된 상단부(40)를 가질 것이다. 이들 통 마크(44')는 통에 의해 가열 된 유리 시트를 변형시킨다. 상단부에 위치한 이러한 통 마크(44')는 도 5에 도시된 바와 같이 주석 산화물층(78)에서 반도체층(80, 82)의 동작 영역의 외측에 있고, 광전지 패널로서 사용될 때와 같이 최종 유리 시트에 악영향을 미치지 않는다. 가열하는 도중의 운반된 유리 시트의 상단부에서의 수직 현가는 복수의 유리 시트의 편평도를 유지시키고, 또한 운반 동안 복사 및 전도되는 컨베이어 롤의 가열이 변화할 때 발생할 수 있는 변형 없이 가열 온도를 균일하게 하는데 용이하다.
도 1 및 4에 도시된 긴 하우징(20)은 진공 챔버(24)를 형성하기 위해 서로 연결되는 전술한 모듈(84)의 단부(85)를 갖는다. 도 11 및 도 12에 도시된 각각의 하우징 모듈(84)은 복수의 원형 하부 하우징부(116)와, 하부 하우징부로부터 상향으로 연장하고 상부 액세스 개구(120)를 갖는 상부 액세스부(118)를 포함한다. 단부 시일(112)은, 도시되지 않은 볼트 연결에 의해 인접한 모듈과 연결하기 위한 하우징 모듈(84)의 단부(85)에서 상부 액세스부(118)와 하부 하우징부(116) 둘레로 연장한다. 착탈 가능한 커버(124)는 점선 표시로 도시된 폐쇄 위치로 토글 클램프(126)로 고정되고, 클램프는 유지 보수 또는 수리를 위해 개구(120)를 통한 액세스를 제공하도록 도 12에서 가상선으로 나타낸 바와 같이 부분적으로 도시된 개방 위치로 커버가 이동할 수 있도록 해제된다.
각각의 하우징 모듈은 도 11 및 12에 도시된 바와 같이 조립된 지지 리브(128)를 포함하고, 이들 리브의 상단부가 커버 클램프(126)를 지지하고, 2개의 단부 리브의 하단부가 지지 휠(130)을 갖고, 지지 휠(130)은 도 13 및 14에 가장 잘 도시된 바와 같이 조립 및 분리 동안 하우징 모듈의 종방향 이동을 허용하도록 플로어 프레임워크(134)의 트랙(132)에 장착된다. 도 13에 도시된 입구 로드 로크 스테이션(26)은 또한, 플로어 프레임워크 트랙(132)을 따라 지지되고 이동 가능한 지지 휠(130)이 그 하단부에 장착된, 유사한 지지 리브(128)를 갖고, 도 4에 도시된 출구 로드 로크 스테이션(28)은 동일한 지지 휠 구조를 갖는다.
도 11 및 12에 도시된 바와 같이, 집합적으로 도면부호 136으로 지시된 내부 프레임워크는 하우징 모듈(84)의 상부 액세스부(118)에 의해 수용되고 지지되고, 컨베이어 구동부(46)의 구동 기구(48)를 지지할 뿐만 아니라, 도 6에 도시된 가열 스테이션 복사 히터(96), 도 7에 도시된 증착 스테이션의 증착 모듈(102) 및 복사 히터(104)와, 도 8에 도시된 냉각 스테이션(36)의 복사 열 흡수기(110)를 지지한다.
도 13 및 14를 참조하면, 입구 로드 로크 스테이션(26)과 출구 로드 로크 스테이션(28)은 일반적으로 동일한 입구 및 출구 도어 구조(88, 90)를 갖는다. 보다 상세히는, 각각의 도어 구조(88, 90)는 도 14에 도시되어 있고, 컨베이어 구조를 도시하기 위해 좌측 도어가 폐쇄되고 우측 도어가 개방된 것으로 도시된 한 쌍의 힌지 도어(138)를 포함한다. 이들 도어(138)는 측면 외부 수직축에 대해 힌지 연결되고, 각각 도 4와 관련하여 이전에 논의된 방식으로 개폐되도록 도 15에 도시된 바와 같이 연관된 상부 액추에이터(140)에 의해 동작한다. 컨베이어 구동 기구(48)는 도 14의 우측 컨베이어에서 도시된 바와 같이 도어로 도어 개구(142)를 개방하여 셔틀(42)을 운반한다. 대기 외부에 위치된 구동 모터(70)는 도 2와 관련되어 전술한 바와 같이 이들 구동 기구에 연결된다. 또한, 도관(144)이 진공 펌프와, 도어 동작 동안 필요한 대기압 공급원에 연결하기 위해 제공된다.
광전지 패널을 제공하기 위해 전술한 시스템(20) 프로세싱의 특정한 방식이 설명된다. 이러한 프로세싱은, 600mm × 1200mm 크기(약 24인치 × 48인치)의 두께가 약 3.2mm인 주석 산화물 코팅 유리 시트로 시작한다. 먼저, 유리 시트 기판의 에지는 No.1 펜슬로 다이아몬드 연삭되고, 취급의 편의를 제공하도록 연마 마감되고, 취급 및 열처리 동안 파손될 수 있는 쪼개짐(fissure)을 제거한다. 에지 가공 속도는 시스템 내로의 분당 2 피스의 사이클 비율을 얻도록 대략 초당 40 mm, 즉 분당 90 인치이어야 한다. 에지 가공 후에, 유리 시트는 입자를 제거하고 코팅의 준비를 위해 적절한 세정제로 세척되고, 공기 건조 후에 미네랄이 없는 표면을 제공하도록 탈이온수로 세척된다. 시스템(20)으로부터 상류에는, 적절한 레이저 스테이션이 프로세싱 동안 제조 제어 및 위치를 위해 유리 시트에 코드를 인쇄할 것이다.
사이클 타이밍을 제공하기 위해, 20 Torr까지 21초의 차수로 펌프 다운 시간을 제공하도록 진공 펌프 시스템이 로드 로크 챔버의 체적과 매치된다. 각각의 로드 로크 스테이션의 내외로의 운반은 56 입방 피트의 로드 로크 챔버의 체적에서, 분 당 580 입방 피트의 펌핑 속도로 펌프 다운 시간이 21초이고, 로드 로크 스테이션 내로의 운반에 10초이고, 배출하는데 10초, 도어 작동을 제공하고 대기로 배기하는데 19초인, 60초의 전체 사이클 시간에 통기와 펌핑다운 총 시간을 추가한다.
도 4와 관련하여 전술한 시스템 가열 스테이션(30)에서, 유리 시트 기판은 초기 반도체 코팅을 준비하는데 대략 585 ℃로 가열될 것이다. 도 6과 관련하여 전 술한 복사 히터(96)에 의한 이러한 가열은, 대략 150초 동안 580 ℃의 원하는 유리 표면 기판 온도를 제공하기 위해, 복사 히터 챔버가 대략 680 ℃로, 초기 구역에서 측면 당 대략 25 ㎾이고, 그 다음 구역에서 측면 당 16 ㎾로 제공된다. 물론, 운반 속도는 필요한 온도로 코팅되는 특정 유리 시트에 대해 변경될 수 있다.
도 4와 관련하여 전술한 증착 모듈(32, 34)에서 반도체 재료의 증착 동안, 도 7에서 도시된 증착 모듈(102)에 의해 공급되는 고온 가스는 후면 복사 히터(104)와 연관되어 균일한 온도로 기판을 유지한다. 수직 배향은 유리 시트 기판과 접촉하면서 발생하는 핀 홀, 핵 재료 및 응축 증기의 전위를 제거한다. 필름 두께의 균일성은 유리 시트 기판의 온도와 원료 증기 구조에 영향을 받고, 전기 품질은 공극의 결핍 또는 표면에 부착되는 예비 핵 재료의 결핍에 영향을 받는다.
도 4에 도시된 초기 증착 스테이션(32)에서, N-층을 제공하는 황화 카드뮴은, 950 ℃로 승화되고 가열된 황화 카드뮴 가스로 공급된다. 코팅 비율은 약 900 내지 1500 옹스트롬의 두께에 대해 초 당 약 1000 옹스트롬이고, 증착 모듈 내의 적절한 검출 장치가 코팅 두께를 스캔하기 위해 사용될 수 있다.
도 4와 연관하여 전술한 제 2 증착 스테이션(34)은 P층인 카드뮴 텔루라이드 층을 제공한다. 유리 시트 기판 온도는 대략 605 ℃이고, 카드뮴 텔루라이드는 약 1050 ℃로 승화되고 가열되며, 코팅은 초 당 2.5 미크론의 비율인 것으로 생각되는 약 3 미크론의 두께일 수 있는 증착 비율을 제어하도록 가변 개구를 통해 공급될 수 있다.
도 4와 연관하여 전술한 냉각 스테이션(36)은 산소에 노출되는 것을 방지하 고 결과적으로 코팅된 재료 내에서 반응을 방지하도록, 약 400 ℃ 미만의 냉각을 제공하도록 반도체 코팅된 유리 시트 기판을 수용한다. 출구 로드 로크 스테이션(28)에서 약 99.5 %의 질소를 활용함으로써 냉각을 제공하는 것도 가능하지만, 질소의 비용은, 코팅된 유리 시트 당 비용을 증가시킬 수 있다는 점은 명백하다. 유사하게, 전술한 바와 같이 출구 로드 로크 스테이션에서 복사 냉각을 제공하는 것이 가능하지만, 이러한 처리는 사이클 시간을 증가시킬 수 있는 증가된 배출 시간을 야기할 것이다.
코팅된 유리 시트가 운반을 위해 출구 로드 로크 스테이션을 이탈한 후에, 취급을 위해 약 50 ℃로 냉각하는 적절한 사후 냉각기가 제공될 수 있다. 카드뮴 텔루라이드의 두께는 정확성을 확인하기 위해 시험될 수 있고, 불화 카드뮴의 희석된 수성 용액이 반도체 코팅에 도포되거나 칠해지고, 유리 시트는 광을 전기로 변환시키는 것을 용이하게 하도록 약 400 ℃에서 약 15분간 가열된다. 처리된 유리 시트는 탈이온수로 세척되고, 헹궈지고 건조된다. 적절한 레이저 스크라이빙 및 프로세싱이, 반도체 코팅된 유리 시트를 광전지 패널로 변환하는데 활용될 수 있다.
본 발명의 실시예들이 도시되고, 설명되었지만, 이들 실시예가 본 발명의 모든 가능한 형태를 도시하고 설명하는 것으로 의도되지 않는다. 오히려, 명세서에서 사용되는 단어는 제한보다는 설명을 위한 단어이고, 본 발명의 사상과 범주로부터 벗어나지 않고 다양한 변화가 이루어질 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은, 반도체 재료로 유리 시트를 코팅하기 위한 시 스템과 방법, 및 이에 의한 반도체 코팅 유리 시트를 제공하는데 사용된다.

Claims (22)

  1. 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템으로서,
    진공 챔버를 한정하는 긴 하우징과,
    상기 진공 챔버 내로 진입시키기 위한 입구 로드 로크 스테이션(entry load lock station) 및 상기 진공 챔버로부터 배출되기 위한 출구 로드 로크 스테이션(exit load lock station)과,
    상기 유리 시트를 가열하기 위한 가열 스테이션과, 증착용 반도체 재료를 공급하기 위한 적어도 하나의 증착 스테이션을 포함하는 하우징과,
    수직 유리 시트의 상단부를 지지하고, 상기 수직 유리 시트를 상기 시스템을 통해, 먼저 상기 입구 로드 로크 스테이션 안으로 상기 입구 로드 로크 스테이션을 통해 상기 진공 챔버 안으로, 그 다음에 상기 유리 시트를 가열하기 위해 상기 가열 스테이션을 통해, 이후 상기 유리 시트에 반도체 재료를 증착하기 위해 증착 스테이션을 통해, 최종적으로 상기 코팅된 유리 시트를 운반하기 위해 상기 출구 로드 로크 스테이션을 통해 상기 진공 챔버 밖으로 운반하기 위한 컨베이어를
    포함하는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 컨베이어는 수직 유리 시트의 상단부를 지지하기 위한 셔틀(shuttle)을 포함하고, 상기 컨베이어는 또한 상기 셔틀과 이에 현수된 수직 유리 시트를 상기 시스템을 통해, 먼저 상기 입구 로드 로크 스테이션 안으로 상기 입구 로드 로크 스테이션을 통해 상기 진공 챔버로, 그 다음에 상기 유리 시트를 가열하기 위해 가열 스테이션 안으로, 이후 상기 유리 시트에 반도체 재료를 증착시키기 위해 증착 스테이션을 통해, 최종적으로 코팅된 유리 시트를 운반하기 위해 상기 출구 로드 로크 스테이션을 통해 상기 진공 챔버 밖으로 운반하기 위해 상기 시스템을 따라 위치한 구동 메커니즘을 구비하는 구동장치(drive)를 포함하는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 각각의 셔틀은 운반 동안 수직 유리 시트의 상단부를 지지하는 통을 지지하기 위한 하향 종속 지지부와, 긴 형상이며 시스템을 통해 내외로 수직 유리 시트를 운반하도록 셔틀을 지지하고 회전 구동하기 위해 긴 형상을 따라 이격된 회전 구동 부재를 포함하는 컨베이어 구동부의 구동 기구를 갖는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 회전 구동 부재는 자석이고, 상기 유리 시트 운반을 위해 셔틀의 회전 구동을 제공하는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 셔틀은 상부 지지부와, 자석 회전 구동 부재가 위에서부터 셔틀을 지지하고 회전 구동하는 구동 표면을 갖는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 셔틀은 대향 횡방향 측면과, 상기 셔틀의 대향 횡방향 측면 아래의 대향 횡방향 측면에서 그 길이를 따라 이격되어 있는 안전 장치 롤러를 갖는 구동 기구를 포함하는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 가열 스테이션은 유리 시트에 반도체 재료를 증착하기 전에 유리 시트를 복사 가열하기 위해 운반된 수직 유리 시트의 대향측에 이격된 복사 히터를 포함하는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 복사 히터는 가열을 위해 운반되는 수직 유리 시트가 그 사이에 위치되고, 서로 평행한 관계로 이격되어 수직으로 연장하는 복사 가열 슬래브를 포함하는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 코팅된 유리 시트의 복사 냉각을 제공하는 복사 열 흡수기를 더 포함하는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 복사 열 흡수기는 냉각을 위한 운반 동안 위치되는 수직 유리 시트가 그 사이에 위치되고 서로 평행한 관계로 이격되어 수직으로 연장하는 복사 냉각 슬래브를 포함하는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시 스템.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 복사 열 흡수기는 출구 로드 로크 스테이션으로부터 진공 챔버 상류에 위치되는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 수직 유리 시트의 상단부를 지지하기 위해 상기 제 1 컨베이어의 측면을 따라 위치되고, 상기 수직 유리 시트를 상기 제 1 컨베이어에 의해 운반된 수직 유리 시트의 측면을 따라, 먼저 진공 챔버 내로 입구 로드 로크 스테이션을 통과하고, 그 다음에 유리 시트를 가열하기 위한 가열 스테이션을 통과하고, 그 다음에 유리 시트에 반도체 재료를 증착시키기 위한 증착 스테이션을 통과하고, 최종적으로 코팅된 유리 시트의 운반을 위해 출구 로드 로크 스테이션을 통해 진공 챔버 밖으로 시스템을 통과하여 운반하는 제 2 컨베이어를 포함하는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 긴 하우징은 진공 챔버를 형성하도록 서로 연결되는 단부를 갖고, 각각의 모듈은 부분적으로 원형인 하부 하우징부와, 하부 하우징부로부터 상향으로 연장하고 상부 액세스 개구를 갖는 상부 액세스부와, 인접한 모듈을 연결하기 위해 각각의 모듈의 단부에서 하부 하우징부와 상부 액세스부 둘레에서 연장하는 단부 시일과, 액세스 개구를 선택적으로 폐쇄하거나, 유지 보수 또는 수리를 위해 모듈 내로의 액세스를 위해 개방하기 위한 착탈 가능한 커버를 포함하 는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 컨베이어를 지지하고, 상기 하우징 모듈의 상부 액세스부에 의해 지지되는 프레임워크를 더 포함하는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 긴 하우징은 진공 챔버를 형성하기 위해 서로 연결되는 단부를 갖는 하우징 모듈을 포함하고,
    상기 각각의 모듈은 부분적으로 원형인 하부 하우징부와, 하부 하우징부로부터 상향으로 연장하고 상부 액세스 개구를 갖는 상부 액세스부와, 인접한 모듈을 연결하기 위해 각각의 모듈의 단부에서 하부 하우징부와 상부 액세스부 둘레에서 연장하는 단부 시일과, 액세스 개구를 선택적으로 폐쇄하거나, 유지 보수 또는 수리를 위해 모듈 내로의 액세스를 위해 개방하기 위한 착탈 가능한 커버를 포함하고,
    상기 하우징은 증착하기 위해 반도체 재료를 공급하는 두 개의 증착 스테이션을 포함하고,
    상기 컨베이어는 수직 유리 시트의 상단부를 지지하기 위한 셔틀과, 상기 하우징 모듈의 액세스부에 의해 지지되는 프레임워크와, 상기 셔틀과 이에 현수되는 수직 유리 시트를 상기 시스템을 통과하여 운반하기 위해 시스템을 따라 상기 프레 임워크에 의해 지지되는 구동 기구를 갖는 구동부를 구비한 컨베이어를 포함하고,
    상기 각각의 셔틀은 상부 표면과, 대향하는 측면과, 운반 동안 수직 유리 시트의 상단부를 지지하는 통을 지지하는 하향 종속 지지부와, 긴 형상이며 시스템을 통과해 내외로 수직 유리 시트를 운반하도록 상부 표면에서 셔틀을 지지하고 회전 구동하기 위해 긴 형상을 따라 이격된 자석 회전 구동 부재를 포함하는 컨베이어 구동부의 구동 기구를 포함하고, 상기 구동 기구는 상기 셔틀의 대향 횡방향 측면 아래의 대향 횡방향 측면에서 그 길이를 따라 이격되어 있는 안전 장치 롤러를 갖고,
    상기 복사 열 흡수기는 냉각을 위한 운반 동안 수직 유리 시트가 그 사이에 위치되고 서로에 대해 평행한 관계로 이격되어 수직으로 연장하는 복사 냉각 슬래브를 포함하는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 시스템.
  16. 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 방법으로서,
    수직 배향으로 상단부에서 유리 시트를 지지하고, 입구 로드 로크 스테이션을 통해 진공 챔버 내로 상기 수직 유리 시트를 운반하는 단계와,
    상기 진공 챔버 내에서 수직 운반된 유리 시트를 가열하는 단계와,
    가열되고 수직으로 운반된 상기 유리 시트에 반도체 재료를 증착하는 단계와,
    운반을 위해 출구 로드 로크 스테이션을 통해 진공 챔버의 밖으로 반도체 코팅된 유리 시트를 운반하는 단계를
    포함하는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 방법.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 수직 유리 시트는 시스템을 따라 위치된 구동 기구의 자석 회전 구동 부재에 의해 상기 시스템을 통해 운반되는 셔틀에 의해 지지되는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 방법.
  18. 제 16항에 있어서, 상기 유리 시트는 운반된 수직 유리 시트의 대향 측면에서 이격된 수직 복사 가열 슬래브를 포함하는 복사 히터에 의해 가열되는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 방법.
  19. 제 16항에 있어서, 상기 코팅된 유리 시트는, 냉각을 위한 운반 동안 그 사이에 수직 유리 시트가 위치되고 서로 이격된 관계로 평행하게 수직으로 연장하고, 냉각 슬래브를 포함하는 복사 열 흡수기에 의해 냉각되는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 방법.
  20. 제 16항에 있어서, 상기 수직 유리 시트는, 시스템을 따라 위치된 구동 기구의 자석 회전 구동 부재에 의해 상기 시스템을 통해 운반되는 셔틀에 의해 지지되고, 운반된 수직 유리 시트의 대향 측면에서 이격된 수직 복사 가열 슬래브를 포함하는 복사 히터에 의해 가열되고, 서로 이격되고 평행하게 수직으로 연장하고, 냉각을 위한 운반 동안 그 사이에 수직 유리 시트가 위치되는 냉각 슬래브를 포함하 는 복사 열 흡수기에 의해 냉각되는, 유리 시트에 반도체 재료를 코팅하기 위한 방법.
  21. 반도체 코팅 유리 시트로서,
    유리 시트는 기상 증착에 의해 증착된 반도체 재료의 적어도 하나의 층을 가지면서, 상기 유리 시트는 유리 시트를 변형시키는 통에 의해 상단부에서 현수됨으로써 수직으로 운반되며 가열되고, 상기 유리 시트의 냉각 후에 통 마크가 남겨지는, 반도체 코팅 유리 시트.
  22. 제 21항에 있어서, 일 표면에 산화주석의 층과, 산화 주석의 층 위에 코팅된 제 1 반도체층과, 제 1 반도체층 위에 코팅된 제 2 반도체층을 포함하는, 반도체 코팅 유리 시트.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013044941A1 (en) * 2011-09-27 2013-04-04 Applied Materials, Inc. Carrier for thin glass substrates and use thereof

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090324368A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Processing system and method of operating a processing system
IT1399480B1 (it) 2010-03-15 2013-04-19 Stral S R L Apparecchiatura per la deposizione di materiale semiconduttore su vetro
JP2013527609A (ja) * 2010-04-30 2013-06-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 縦型インラインcvdシステム
US9957609B2 (en) 2011-11-30 2018-05-01 Corning Incorporated Process for making of glass articles with optical and easy-to-clean coatings
US10077207B2 (en) 2011-11-30 2018-09-18 Corning Incorporated Optical coating method, apparatus and product
CN107777894B (zh) 2011-11-30 2021-05-11 康宁股份有限公司 光学涂覆方法、设备和产品
CN102529428A (zh) * 2011-12-14 2012-07-04 苏州工业园区高登威科技有限公司 汽车金属件冷却打标装置
CN103014660B (zh) * 2012-12-14 2015-06-10 广东志成冠军集团有限公司 Pecvd镀膜装置及其射频电源与真空腔体的连接装置
US9093599B2 (en) 2013-07-26 2015-07-28 First Solar, Inc. Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate
CN107275250A (zh) * 2016-04-08 2017-10-20 上海新昇半导体科技有限公司 降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置
SG10201607821WA (en) * 2016-09-19 2018-04-27 Best Safety Glass Mfg S Pte Ltd A method and a system for fabricating photovoltaic devices on variably-sized substrates
JP2021091584A (ja) * 2019-12-12 2021-06-17 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法及び製造装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3391958A (en) * 1967-04-27 1968-07-09 Pittsburgh Plate Glass Co Glass gripping tongs with ballast
US3830540A (en) * 1971-01-21 1974-08-20 Ppg Industries Inc Treating glass sheets
US4159842A (en) * 1975-03-10 1979-07-03 Ppg Industries, Inc. Supporting glass sheets
CA1060923A (en) * 1975-03-10 1979-08-21 Alfred D. Perkowski Supporting glass sheets
US4274936A (en) * 1979-04-30 1981-06-23 Advanced Coating Technology, Inc. Vacuum deposition system and method
US4545327A (en) * 1982-08-27 1985-10-08 Anicon, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
JPS59167013A (ja) * 1983-03-12 1984-09-20 Agency Of Ind Science & Technol プラズマcvd装置
US4593644A (en) * 1983-10-26 1986-06-10 Rca Corporation Continuous in-line deposition system
GB2206878B (en) * 1987-07-11 1991-07-17 Glaverbel Pyrolytically coated sheet glass and process of manufacturing same
US5016562A (en) * 1988-04-27 1991-05-21 Glasstech Solar, Inc. Modular continuous vapor deposition system
JP2948842B2 (ja) * 1989-11-24 1999-09-13 日本真空技術株式会社 インライン型cvd装置
JPH03287766A (ja) * 1990-04-03 1991-12-18 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 基板搬送装置
US5248349A (en) * 1992-05-12 1993-09-28 Solar Cells, Inc. Process for making photovoltaic devices and resultant product
JP3175333B2 (ja) * 1992-06-15 2001-06-11 日新電機株式会社 基板処理装置
JP2854478B2 (ja) * 1992-12-18 1999-02-03 キヤノン株式会社 連続式スパッタリング装置
JPH0950992A (ja) * 1995-08-04 1997-02-18 Sharp Corp 成膜装置
US6921467B2 (en) * 1996-07-15 2005-07-26 Semitool, Inc. Processing tools, components of processing tools, and method of making and using same for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US6013134A (en) * 1998-02-18 2000-01-11 International Business Machines Corporation Advance integrated chemical vapor deposition (AICVD) for semiconductor devices
US6206176B1 (en) * 1998-05-20 2001-03-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle having a magnetic drive
JP4378790B2 (ja) * 1999-05-28 2009-12-09 株式会社日立プラズマパテントライセンシング ガラス基板のスパッタリング方法及びスパッタリング装置
JP2001089191A (ja) * 1999-09-27 2001-04-03 Nippon Sheet Glass Co Ltd ディスプレイ用ガラス基板の製造方法及び該製造方法により製造されたディスプレイ用ガラス基板
JP2001199745A (ja) * 2000-01-12 2001-07-24 Star Micronics Co Ltd 紫外線カットフィルタ膜の形成方法
US6500752B2 (en) * 2000-07-21 2002-12-31 Canon Sales Co., Inc. Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
JP4856308B2 (ja) * 2000-12-27 2012-01-18 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び経由チャンバー
US6875468B2 (en) * 2001-04-06 2005-04-05 Rwe Solar Gmbh Method and device for treating and/or coating a surface of an object
US6559411B2 (en) * 2001-08-10 2003-05-06 First Solar, Llc Method and apparatus for laser scribing glass sheet substrate coatings
US7780787B2 (en) * 2004-08-11 2010-08-24 First Solar, Inc. Apparatus and method for depositing a material on a substrate
US8821099B2 (en) * 2005-07-11 2014-09-02 Brooks Automation, Inc. Load port module
TW200737533A (en) * 2005-12-21 2007-10-01 Nat Science And Technology Dev Agency Low-cost and high performance solar cell manufacturing machine
KR101482805B1 (ko) * 2006-12-28 2015-01-14 엑사테크 엘.엘.씨. 플라즈마 아크 코팅용 장치와 방법
KR101933902B1 (ko) * 2007-12-27 2018-12-31 엑사테크 엘.엘.씨. 멀티-패스 진공 코팅 시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013044941A1 (en) * 2011-09-27 2013-04-04 Applied Materials, Inc. Carrier for thin glass substrates and use thereof

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