KR20090092426A - Apparatus and method for bonding a die - Google Patents
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Abstract
다이 본딩 방법이 개시된다. 다이들을 기판의 패키지 영역들에 순차적으로 본딩한다. 이어, 다이들을 본딩하는 도중 패키지 영역들로부터 선정된 샘플링 영역에 다이가 본딩된 경우 기판을 검사 장소로 이송한다. 이어, 샘플링 영역에 본딩된 다이가 정상적인 위치에 본딩되었는지를 검사한다. 이어, 검사 결과가 허용 오차 범위를 이탈하면, 기판을 외부의 불량 보관 장소로 이송한다. 따라서, 다이를 기판에 본딩하는 도중 실질적으로 다이가 본딩되는 위치를 샘플링 검사하여 불량을 검출할 수 있다.A die bonding method is disclosed. The dies are sequentially bonded to the package regions of the substrate. Subsequently, when the die is bonded to the sampling area selected from the package areas while the dies are bonded, the substrate is transferred to the inspection site. Then, it is checked whether the die bonded to the sampling area is bonded at the normal position. Subsequently, when the inspection result is out of the tolerance range, the substrate is transferred to an external defective storage place. Therefore, during the bonding of the die to the substrate, a defect can be detected by sampling inspection of the position where the die is bonded.
Description
본 발명은 다이 본딩 장치 및 방법에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 반도체 패키지를 제조하기 위하여 기판에 반도체 칩인 다이를 본딩하는 방법 및 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a die bonding apparatus and method, and more particularly, to a method and apparatus for bonding a die, which is a semiconductor chip, to a substrate for manufacturing a semiconductor package.
일반적으로, 반도체 소자는 반도체 칩인 다수의 다이들이 형성된 웨이퍼(wafer)를 접착 시트에 접착하는 접착 공정, 상기 접착 시트에 접착된 상기 웨이퍼를 절단하여 상기 다이들 각각을 개별화하는 소잉 공정, 개별화된 상기 다이를 상기 접착 시트로부터 분리하는 다이 분리 공정, 상기 접착 시트로부터 분리된 상기 다이를 기판에 본딩하는 다이 본딩 공정, 상기 다이를 상기 기판의 접속 패드와 와이어를 통해 전기적으로 연결하는 와이어 본딩 공정, 상기 다이를 에폭시(epoxy) 수지로 몰딩하는 몰딩 공정 및 상기 기판으로부터 외부로 전기적으로 연장된 접속 단자를 형성하는 단자 형성 공정 등을 포함하여 제조된다. In general, a semiconductor device includes a bonding process of bonding a wafer on which a plurality of dies, which are semiconductor chips, are formed to an adhesive sheet, a sawing process of cutting the wafer bonded to the adhesive sheet to individualize each of the dies, and the individualized said A die separation process of separating a die from the adhesive sheet, a die bonding process of bonding the die separated from the adhesive sheet to a substrate, a wire bonding process of electrically connecting the die with a connection pad of the substrate through a wire, the And a molding step of molding a die with an epoxy resin, and a terminal forming step of forming a connection terminal electrically extended from the substrate to the outside.
이들 중, 상기 다이 본딩 공정은 상기 기판이 안착되면서 상기 기판을 이송시키는 이송부 및 상기 이송부에 안착된 상기 기판 상에 설치되고 상기 다이를 홀딩하여 상기 기판에 본딩시키는 본딩부를 포함하는 다이 본딩 장치에 의해서 진행된다.Among these, the die bonding process is performed by a die bonding apparatus including a transfer unit for transferring the substrate while the substrate is seated, and a bonding unit installed on the substrate mounted on the transfer unit and holding the die to bond the substrate. Proceed.
여기서, 상기 기판은 상기 다이보다 상대적으로 넓은 면적으로 이루어지며, 그 상에는 상기 다이가 순차적으로 본딩되는 패키지 영역들이 형성된다. 또한, 상기 기판의 패키지 영역들과 상기 다이에는 서로 상호하는 회로 패턴들이 패터닝된다.Here, the substrate is made of a relatively larger area than the die, on which package regions in which the die is sequentially bonded are formed. In addition, circuit patterns mutually mutually are patterned in the package regions and the die of the substrate.
그러나, 상기와 같은 회로 패턴들로 인하여 상기 다이가 상기 패키지 영역에서 위치적으로 정밀하게 본딩되어야 함에도 불구하고, 상기 다이를 본딩하는 도중 상기 다이의 본딩 위치를 검사하지 못하여 상기 다이 본딩 공정의 신뢰성이 떨어지는 문제점이 있다. However, although the dies must be bonded precisely in the package area due to the circuit patterns as described above, the bonding position of the dies cannot be inspected during the bonding of the dies, resulting in unreliability of the die bonding process. There is a problem falling.
이에 따라, 상기 다이의 본딩 위치가 불량할 경우 그 불량한 다이에 대해서 불필요하게 후속 공정을 진행함으로써, 상기 반도체 패키지 제조 공정의 효율성을 저해하는 또 다른 문제점이 있을 수 있다. Accordingly, when the bonding position of the die is poor, there may be another problem that the efficiency of the semiconductor package manufacturing process is impaired by proceeding with subsequent processes for the defective die unnecessarily.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 다이를 기판에 본딩하는 도중 그 위치를 검사할 수 있는 다이 본딩 방법을 제공하는 것이다. Accordingly, the present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a die bonding method capable of inspecting a position thereof while bonding a die to a substrate.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 다이 본딩 방법이 적용된 다이 본딩 장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a die bonding apparatus to which the die bonding method is applied.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 다이 본딩 방법이 개시된다. 다이들을 기판의 패키지 영역들에 순차적으로 본딩한다. 이어, 상기 다이들을 본딩하는 도중 상기 패키지 영역들로부터 선정된 샘플링 영역에 상기 다이가 본딩된 경우 상기 기판을 검사 장소로 이송한다. 이어, 상기 샘플링 영역에 본딩된 다이가 정상적인 위치에 본딩되었는지를 검사한다. 이어, 상기 검사 결과가 허용 오차 범위를 이탈하면, 상기 기판을 외부의 불량 보관 장소로 이송한다.In order to achieve the above object of the present invention, a die bonding method according to one aspect is disclosed. The dies are sequentially bonded to the package regions of the substrate. Subsequently, when the die is bonded to a sampling area selected from the package areas while bonding the dies, the substrate is transferred to an inspection site. Then, it is checked whether the die bonded to the sampling area is bonded at a normal position. Subsequently, when the inspection result is out of the tolerance range, the substrate is transferred to an external defective storage location.
상기 다이의 본딩 위치를 검사하는 단계는 상기 기판과 상기 기판에 본딩된 다이에 각각 형성된 제1 및 제2 패턴의 거리를 측정하는 단계 및 상기 측정된 거리가 기준 거리의 허용 오차 범위 내에 존재하는지를 비교하는 단계를 포함한다.Examining the bonding position of the die includes measuring a distance between the substrate and the first and second patterns formed on the die bonded to the substrate and comparing whether the measured distance is within a tolerance range of a reference distance. It includes a step.
또한, 상기 다이의 본딩 위치를 검사하는 단계는 상기 기판과 상기 기판에 본딩된 다이에 각각 형성된 제1 및 제2 패턴을 이은 연장선이 x축과 이루는 각도를 측정하는 단계 및 상기 측정한 각도가 기준 각도의 허용 오차 범위에 존재하는지를 비교하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the checking of the bonding position of the die may include measuring an angle between an extension line connecting the first and second patterns formed on the substrate and the die bonded to the substrate with an x-axis, and the measured angle being a reference. Comparing whether the angle is within the tolerance range of the angle.
상기 기판의 패키지 영역들은 규칙적인 행열로 이루어지고, 상기 샘플링 영역은 어느 하나의 행 또는 열을 구성하는 패키지 영역들인 것일 수 있다.The package regions of the substrate may be formed in regular rows, and the sampling regions may be package regions constituting any one row or column.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 다이 본딩 장치는 본딩부, 이송부 및 검사부를 포함한다. 상기 본딩부는 상기 다이들을 본딩하는 도중 상기 패키지 영역들로부터 선정된 샘플링 영역에 상기 다이가 본딩된 경우 상기 기판을 검사 장소로 이송한다. 상기 검사부는 상기 검사 장소에 설치되고, 상기 샘플링 영역에 본딩된 다이가 정상적인 위치에 본딩되었는지를 검사한다. 이에, 상기 이송부는 상기 검사부와 연결되어 상기 검사 결과가 허용 오차 범위를 이탈하면, 상기 기판을 외부의 불량 보관 장소로 이송한다.In order to achieve the above object of the present invention, a die bonding apparatus according to one aspect includes a bonding portion, a conveying portion and an inspection portion. The bonding unit transfers the substrate to an inspection site when the die is bonded to a sampling area selected from the package areas while bonding the dies. The inspection unit is installed at the inspection site and inspects whether the die bonded to the sampling area is bonded at a normal position. Accordingly, the transfer unit is connected to the inspection unit and transfers the substrate to an external defective storage location when the inspection result is out of an allowable error range.
상기 검사부는 상기 기판과 상기 기판에 본딩된 다이에 각각 형성된 제1 및 제2 패턴의 거리 또는 상기 제1 및 제2 패턴을 이은 연장선이 x축과 이루는 각도를 측정하는 측정부 및 상기 측정부와 연결되고, 상기 측정부에서 측정된 상기 측정된 거리 또는 각도를 각각 기준 거리 또는 기준 각도의 허용 오차 범위 내에 존재하는지를 비교하는 비교부를 포함한다.The inspection unit may include a measurement unit and the measurement unit configured to measure an angle between a distance between the first and second patterns formed on the substrate and the die bonded to the substrate, or an x-axis of an extension line connecting the first and second patterns. And a comparison unit for comparing whether the measured distance or angle measured by the measurement unit is within a tolerance range of the reference distance or the reference angle, respectively.
여기서, 상기 측정부는 상기 제1 및 제2 패턴의 위치를 촬영하는 촬영부 및 상기 촬영부와 연결되고, 상기 제1 및 제2 패턴을 통해 상기 거리 및 상기 각도를 산출하는 산출부를 포함할 수 있다.Here, the measuring unit may include a photographing unit photographing the positions of the first and second patterns and a calculating unit connected to the photographing unit and calculating the distance and the angle through the first and second patterns. .
이러한 다이 본딩 방법 및 장치에 따르면, 기판의 패키지 영역들에 우선적으로 샘플링 영역을 선정하고, 그 선정된 상기 샘플링 영역에 다이가 본딩된 경우 이를 검사 장소로 이송하여 상기 다이가 본딩된 위치를 검사함으로써, 상기 다이를 본딩하는 공정의 신뢰성을 확보할 수 있다. According to such a die bonding method and apparatus, a sampling region is preferentially selected in package regions of a substrate, and when a die is bonded to the selected sampling region, the die is transferred to an inspection place and the position where the die is bonded is examined. The reliability of the process of bonding the die can be ensured.
또한, 상기 다이의 본딩 위치 검사를 통하여 상기 다이가 상기 기판에 불량하게 본딩된 것을 대략 실시간으로 검출함으로써, 불량인 상기 다이와 상기 기판을 대상으로 후속 공정이 진행되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 상기 다이를 상기 기판에 본딩하는 공정을 포함하는 반도체 패키지의 제조 공정을 보다 효율적으로 진행할 수 있다.In addition, by inspecting the bonding position of the die in real time that the die is poorly bonded to the substrate, it is possible to prevent a subsequent process from being performed on the defective die and the substrate. Thereby, the manufacturing process of the semiconductor package including the process of bonding the said die to the said board | substrate can be advanced more efficiently.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 본딩 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.1 is a schematic view showing a die bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 다이 본딩 장치의 기판 상에 형성된 패키지 영역들 중 일 실시예에 따라 샘플링 영역을 선정한 상태를 나타낸 도면이다. FIG. 2 is a diagram illustrating a state in which a sampling region is selected according to an embodiment of package regions formed on a substrate of the die bonding apparatus illustrated in FIG. 1.
도 3은 도 1에 도시된 다이 본딩 장치의 기판 상에 형성된 패키지 영역들 중 다른 실시예에 따라 샘플링 영역을 선정한 상태를 나타낸 도면이다.3 is a view illustrating a state in which a sampling region is selected according to another embodiment of package regions formed on a substrate of the die bonding apparatus illustrated in FIG. 1.
도 4는 도 2에 도시된 기판의 샘플링 영역에 다이가 본딩된 상태를 촬영한 이미지를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a view schematically illustrating an image in which a die is bonded to a sampling area of the substrate illustrated in FIG. 2.
도 5는 도 4의 기판의 제1 패턴과 다이의 제2 패턴의 위치를 구체적으로 나타낸 도면이다. 5 is a view illustrating in detail the positions of the first pattern of the substrate of FIG. 4 and the second pattern of the die.
도 6은 도 1에 도시된 다이 본딩 장치를 이용하여 다이를 본딩하는 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.FIG. 6 is a flowchart schematically illustrating a method of bonding a die by using the die bonding apparatus shown in FIG. 1.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
S : 기판 C : 다이S: Substrate C: Die
PA : 패키지 영역 SA : 샘플링 영역PA: Package Area SA: Sampling Area
100 : 본딩부 200 : 이송부100 bonding unit 200 transfer unit
300 : 측정부 400 : 비교부300: measuring unit 400: comparison unit
500 : 검사부 1000 : 다이 본딩 장치500: inspection unit 1000: die bonding device
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 다이 본딩 방법 및 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a die bonding method and apparatus according to an embodiment of the present invention. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described on the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 본딩 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 다이 본딩 장치의 기판 상에 형성된 패키지 영역들 중 일 실시예에 따라 샘플링 영역을 선정한 상태를 나타낸 도면이다. FIG. 1 is a schematic view illustrating a die bonding apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 illustrates a sampling region according to one embodiment of package regions formed on a substrate of the die bonding apparatus illustrated in FIG. 1. It is a figure which shows the selected state.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 본딩 장치(1000)는 본딩부(100), 이송부(200) 및 검사부(500)를 포함한다.1 and 2, the die bonding apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention includes a bonding unit 100, a transfer unit 200, and an inspection unit 500.
상기 본딩부(100)는 반도체 패키지를 제조하기 위하여 기판(S)에 반도체 칩인 다이(C)를 본딩한다. 구체적으로, 상기 본딩부(100)는 외부에서 접착 시트에 부착된 웨이퍼(wafer)로부터 소잉된 상기 다이(C)를 제공 받아서 상기 기판(S)의 상부에서 본딩시킨다. The bonding unit 100 bonds the die C, which is a semiconductor chip, to the substrate S to manufacture a semiconductor package. Specifically, the bonding part 100 receives the die C from the wafer attached to the adhesive sheet from the outside and bonds the upper portion of the substrate S.
여기서, 상기 기판(S)은 상기 다이(C)보다 상대적으로 매우 넓은 면적으로 형성되고, 이에 따라 상기 기판(S)에는 상기 다이(C)가 실질적으로 본딩되는 다수의 패키지 영역(PA)들이 형성된다. 여기서, 상기 기판(S)의 패키지 영역(PA)들은 행(column)과 열(row)을 따라 규칙적으로 배열된 구조를 갖는다. 한편, 상기 기판(S)과 상기 다이(C)는 이전의 공정들을 통하여 서로 상호적인 회로 패턴들이 형성된 구조를 갖는다. Here, the substrate S is formed with a relatively larger area than the die C, and thus, the package S is formed with a plurality of package areas PA in which the die C is substantially bonded. do. In this case, the package areas PA of the substrate S have a structure regularly arranged along columns and rows. Meanwhile, the substrate S and the die C have a structure in which mutual circuit patterns are formed through the previous processes.
이와 같은 상기 기판(S)의 패키지 영역(PA)들에 상기 다이(C)를 정확한 위치에 본딩하기 위하여, 상기 본딩부(100)는 상기 다이(C)가 본딩되는 위치를 얼라인시키기 위한 별도의 얼라인 장치(미도시)를 포함할 수 있다.In order to bond the die C to the package areas PA of the substrate S at the correct position, the bonding part 100 may be separately arranged to align the position at which the die C is bonded. It may include an alignment device (not shown).
상기 이송부(200)는 그 상부에 상기 기판(S)이 안착되어 상기 기판(S)을 이송한다. 구체적으로, 상기 이송부(200)는 상기 본딩부(100)가 상기 다이(C)를 상기 기판(S)의 패키지 영역(PA)들에 순차적으로 본딩하도록 하기 위하여 상기 기판(S)을 이송한다.The transfer part 200 transfers the substrate S by mounting the substrate S thereon. In detail, the transfer part 200 transfers the substrate S to allow the bonding part 100 to sequentially bond the die C to the package areas PA of the substrate S. FIG.
예를 들어, 상기 이송부(200)는 상기 다이(C)가 상기 패키지 영역(PA)들의 열에 대응해서 우선적으로 본딩되도록 한 다음, 상기 패키지 영역(PA)들의 행에 대응해서 본딩되도록 상기 기판(S)을 이송할 수 있다. 이와 달리, 상기 이송부(200)는 상기와 반대로 상기 행을 우선적으로 진행되도록 한 다음, 상기 열을 진행되도록 상기 기판(S)을 이송할 수 있다. For example, the transfer part 200 causes the die C to be preferentially bonded in correspondence with the columns of the package areas PA, and then the substrate S to be bonded in correspondence with the rows of the package areas PA. ) Can be transferred. On the contrary, the transfer unit 200 may transfer the substrate S to proceed with the row first, and then proceed with the row, as opposed to the above.
반면, 상기 이송부(200)는 상기 기판(S)을 별도의 스테이지(미도시)에 안착시킨 상태에서 상기 본딩부(100)와 결합하여 상기 본딩부(100)를 이송시킴으로써, 상기 본딩부(100)에 의하여 상기 다이(C)가 상기 기판(S)의 패키지 영역(PA)들에 순차적으로 본딩되도록 할 수도 있다. On the other hand, the transfer part 200 is coupled to the bonding part 100 in a state in which the substrate (S) is seated on a separate stage (not shown) to transfer the bonding part 100, the bonding part 100 The die C may be sequentially bonded to the package areas PA of the substrate S.
한편, 상기 본딩부(100)에 의한 본딩된 상기 다이(C)의 본딩 위치를 샘플링 검사하기 위하여 상기 기판(S)의 패키지 영역(PA)들로부터 샘플링 영역(SA)이 선정된다. 상기 샘플링 영역(SA)은 도 2에서와 같이 상기 샘플링 검사의 신뢰성을 높이기 위하여 상기 패키지 영역(PA)들로부터 랜덤하게 선정될 수 있다. 즉, 상기 샘플링 영역(SA)의 개수 및 위치는 얼마든지 변경될 수 있다. Meanwhile, the sampling area SA is selected from the package areas PA of the substrate S to sample the bonding position of the die C bonded by the bonding part 100. The sampling area SA may be randomly selected from the package areas PA to increase the reliability of the sampling test as shown in FIG. 2. That is, the number and location of the sampling areas SA may be changed as much as possible.
이와 같이 선정된 상기 샘플링 영역(SA)에 상기 본딩부(100)로부터 상기 다이(C)가 본딩된 경우, 상기 이송부(200)는 상기 샘플링 검사를 수행하기 위한 검사 장소로 상기 기판(S)을 이송시킨다. 여기서, 상기 검사 장소는 상기 본딩부(100)가 상기 다이(C)를 본딩하는 공정에 간섭되지 않는 조건 하에 상기 본딩부(100)가 인접하게 위치한다. When the die C is bonded from the bonding unit 100 to the selected sampling area SA, the transfer unit 200 moves the substrate S to an inspection site for performing the sampling inspection. Transfer. Here, in the inspection place, the bonding unit 100 is adjacent to the bonding unit 100 under conditions that do not interfere with the process of bonding the die C. FIG.
이와 달리, 도 1에 도시된 다이 본딩 장치(1000)의 기판(S) 상에 형성된 패키지 영역(PA)들 중 다른 실시예에 따라 선정된 샘플링 영역(SA)을 나타낸 도 3에서와 같이, 상기 샘플링 영역(SA)은 어느 하나의 상기 열 또는 상기 행을 따라 다수가 선정될 수 있다. On the contrary, as shown in FIG. 3, the sampling area SA selected according to another embodiment among the package areas PA formed on the substrate S of the die bonding apparatus 1000 shown in FIG. A plurality of sampling areas SA may be selected along one of the columns or the rows.
이럴 경우, 상기 샘플링 영역(SA)들의 위치가 모여 있기 때문에, 상기 샘플링 검사에 대한 신뢰성이 도 2를 참조한 일 실시예에서보다 떨어질 수 있다는 단점이 있으나, 상기 샘플링 검사를 일괄적으로 진행함으로써 상기 샘플링 검사가 추가된 상기 다이(C)의 본딩 공정 시간을 단축할 수 있다는 장점도 있다. In this case, since the positions of the sampling areas SA are gathered, the reliability of the sampling test may be lower than in the embodiment of FIG. 2. However, the sampling test may be performed collectively to perform the sampling. There is also an advantage that the bonding process time of the die C added with the inspection can be shortened.
물론, 상기 이송부(200)는 상기 장점을 구현하기 위하여 다수의 상기 샘플링 영역(SA)들에 상기 다이(C)가 모두 본딩될 경우에 상기 기판(S)을 상기 검사 장소로 이송하는 것이 타당할 수 있다. Of course, the transfer part 200 may be appropriate to transfer the substrate S to the inspection site when the die C is bonded to the plurality of sampling areas SA in order to realize the advantage. Can be.
상기 검사부(500)는 상기 검사 장소에 설치된다. 상기 검사부(500)는 상기 샘플링 영역(SA)에 본딩된 상기 다이(C)가 정상적인 위치 본딩되었는지를 검사한다. 이러한 상기 검사부(500)는 상기 기판(S)의 샘플링 영역(SA)에 본딩된 상기 다이(C)의 위치를 측정하는 측정부(300) 및 상기 측정부(300)에서 측정한 위치를 기준과 비교하는 비교부(400)를 포함한다.The inspection unit 500 is installed at the inspection place. The inspection unit 500 inspects whether the die C bonded to the sampling area SA is normally bonded. The inspection unit 500 may measure the position of the die C bonded to the sampling area SA of the substrate S and the position measured by the measurement unit 300. Comparing unit 400 includes a comparison.
상기 측정부(300)은 비쥬얼(visual) 검사 방식에 따라 상기 기판(S)의 샘플링 영역(SA)에 본딩된 상기 다이(C)의 위치를 측정한다. 구체적으로, 상기 측정부(300)는 상기 기판(S)과 상기 기판(S)에 본딩된 상기 다이(C)의 이미지(IM)를 동시에 촬영하는 촬영부(310) 및 상기 촬영부(310)와 연결되어 상기 이미지(IM)를 통해 실질적인 위치 데이터를 산출하는 산출부(320)를 포함한다. The measurement unit 300 measures the position of the die C bonded to the sampling area SA of the substrate S according to a visual inspection method. In detail, the measurement unit 300 captures an image IM of the die C bonded to the substrate S and the substrate S at the same time. It is connected to the and includes a calculator 320 for calculating the actual position data through the image (IM).
이하, 도 4 및 도 5를 추가적으로 참조하여 상기 측정부(300)에 측정된 데이터를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, the data measured by the measuring unit 300 will be described in more detail with reference to FIGS. 4 and 5.
도 4는 도 2에 도시된 기판의 샘플링 영역에 다이가 본딩된 상태를 촬영한 이미지를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 5는 도 4의 기판의 제1 패턴과 다이의 제2 패턴의 위치를 구체적으로 나타낸 도면이다. FIG. 4 is a view schematically illustrating an image in which a die is bonded to a sampling area of the substrate illustrated in FIG. 2, and FIG. 5 illustrates the positions of the first pattern of the substrate and the second pattern of the die of FIG. 4. It is a figure shown.
도 4 및 도 5를 추가적으로 참조하면, 상기 촬영부(310)는 상기 기판(S)의 샘플링 영역(SA)에 형성된 제1 패턴(P1)과 상기 샘플링 영역(SA)에 본딩된 상기 다이(C)의 제2 패턴(P2)을 촬영한다.4 and 5, the imaging unit 310 may include a first pattern P1 formed in the sampling area SA of the substrate S and the die C bonded to the sampling area SA. Photograph the second pattern P2.
여기서, 상기 제1 및 제2 패턴(P1, P2) 각각은 상기 기판(S)의 샘플링 영역(SA)과 상기 다이(C)에 형성된 회로 패턴들 중 x 및 y축을 따라 그 위치를 정의할 수 있는 어느 한 지점을 의미한다. 이때, 상기 제1 및 제2 패턴(P1, P2)은 상기 촬영부(310)로 하여금 보다 확대된 이미지(IM)를 확보하기 위하여 어느 정도 가까운 지점을 설정할 수 있다. 이는, 상기 산출부(320)에서 산출하는 데이터를 보다 정확하게 하기 위해서이다.Here, each of the first and second patterns P1 and P2 may define positions of the first and second patterns P1 and P2 along the x and y axes of the circuit patterns formed in the sampling area SA and the die C of the substrate S. That means any one point. In this case, the first and second patterns P1 and P2 may set points close to each other in order to allow the photographing unit 310 to secure an enlarged image IM. This is to make the data calculated by the calculator 320 more accurate.
상기 산출부(320)는 상기 촬영부(310)에서 촬영한 이미지(IM)를 토대로 상기 제1 및 제2 패턴(P1, P2)의 사이 거리(D)를 산출한다. 이하, 상기 산출부(320)가 상기 제1 및 제2 패턴(P1, P2)의 사이 거리(D)를 산출하는 방식을 간단하게 설명하면, 먼저, 상기 제1 및 제2 패턴(P1, P2)의 x 및 y축에 따른 위치를 각각 [x1, y1] 및 [x2, y2]로써, 측정한다.The calculator 320 calculates a distance D between the first and second patterns P1 and P2 based on the image IM photographed by the photographing unit 310. Hereinafter, the method of calculating the distance D between the first and second patterns P1 and P2 by the calculator 320 will be described in brief. First, the first and second patterns P1 and P2 will be described. The positions along the x and y axes of are measured as [x1, y1] and [x2, y2], respectively.
이에, 상기 산출부(320)는 도 5에서와 같이, 상기 제1 및 제2 패턴(P1, P2)을 양 꼭지점으로 하고 상기 거리(D)를 빗변으로 하는 직각 삼각형으로부터 피타고라스 정리를 이용한 아래의 수학식 1을 통하여 상기 거리(D)를 산출한다. Thus, as shown in FIG. 5, the calculator 320 uses Pythagorean theorem from a right triangle having the first and second patterns P1 and P2 as both vertices and the distance D as the hypotenuse. The distance D is calculated through Equation 1.
또한, 상기 산출부(320)는 상기 제1 및 제2 패턴(P1, P2)을 이은 연장선, 즉 상기 거리(D)가 x축과 이루는 각도(A)를 상기에서 측정한 거리(D)와 상기 직각 삼각형의 수직한 변의 거리(y1-y2)를 토대로 아래와 같은 수학식 2를 통하여 산출한다. In addition, the calculator 320 may measure an extension line connecting the first and second patterns P1 and P2, that is, the distance D measured from the angle A of the distance D to the x-axis. Based on the distance (y1-y2) of the vertical sides of the right triangle is calculated through the following equation (2).
이와 같이, 상기 산출부(320)는 상기 제1 및 제2 패턴(P1, P2)의 x 및 y축에 따른 위치를 토대로 상기의 수학식 1 및 2를 통하여 상기 거리(D) 및 상기 각도(A)를 간단하게 산출할 수 있다. As described above, the calculation unit 320 based on the position along the x and y axis of the first and second patterns (P1, P2) through the above equations (1) and (2) and the angle (D) A) can be calculated simply.
상기 비교부(400)는 상기 측정부(300)의 산출부(320)와 연결되어 산출한 상기 거리(D) 및 상기 각도(A)를 입력 받는다. 상기 비교부(500)는 입력 받은 상기 거리(D) 및 상기 각도(D)를 각각 기준 거리(SD) 및 기준 각도(SA)와 비교한다.The comparison unit 400 receives the distance (D) and the angle (A) calculated in connection with the calculation unit 320 of the measurement unit 300. The comparison unit 500 compares the input distance D and the angle D with a reference distance SD and a reference angle SA, respectively.
여기서, 상기 기준 거리(SD) 및 상기 기준 각도(SA)는 가장 적합하게 본딩된 상기 기판(S)과 상기 다이(C)의 제1 및 제2 패턴(P1, P2)으로부터 산출한 것이다. Here, the reference distance SD and the reference angle SA are calculated from the first and second patterns P1 and P2 of the substrate S and the die C most suitably bonded.
상기 비교부(400)는 상기 거리(D) 및 상기 각도(A)를 상기 기준 거리(SD) 및 상기 기준 각도(SA)와 비교하여 결과값을 출력한다. 구체적으로, 상기 비교부(400)는 상기 거리(D) 및 상기 각도(A)가 상기 기준 거리(SD) 및 상기 기준 각도(SA) 각각의 제1 및 제2 허용 오차 범위에 내에 존재할 경우에는 적합하다는 제1 결과값을 출력하고, 상기 제1 및 제2 허용 오차 범위를 이탈할 경우에는 부적합이라는 제2 결과값을 출력한다.The comparison unit 400 outputs a result value by comparing the distance D and the angle A with the reference distance SD and the reference angle SA. Specifically, the comparison unit 400 is when the distance (D) and the angle (A) is within the first and second tolerance range of each of the reference distance (SD) and the reference angle (SA). A first result value that is suitable is output, and a second result value that is not suitable is output when the first and second tolerance ranges are departed.
여기서, 상기 제1 및 제2 허용 오차 범위는 상기 다이(C)를 상기 기판(S)에 본딩하여 제조된 상기 반도체 패키지로 하여금 상기 다이(C)의 본딩된 위치로 인해 불량 처리되지 않는 수준으로써, 예컨대, 상기 제1 허용 오차 범위는 약 ± 50㎛이고, 상기 제2 허용 오차 범위는 약 ± 1도일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 허용 오차 범위는 약 ± 20㎛이고, 상기 제2 허용 오차 범위는 약 ± 0.5도일 수 있다.Here, the first and second tolerance ranges are such that the semiconductor package manufactured by bonding the die C to the substrate S is not badly treated due to the bonded position of the die C. For example, the first tolerance range may be about ± 50 μm, and the second tolerance range may be about ± 1 degree. Specifically, the first tolerance range may be about ± 20 μm, and the second tolerance range may be about ± 0.5 degrees.
이에 따라, 상기 비교부(400)는 상기 이송부(200)와 연결되어 상기 결과값에 따라 상기 이송부(200)를 제어한다. 구체적으로, 상기 비교부(400)가 상기 제1 결과값을 출력할 경우, 상기 이송부(200)로 하여금 상기 기판(S)을 상기 본딩부(100)로 이송하도록 하고, 상기 제2 결과값을 출력할 경우, 상기 이송부(200)로 하여금 상기 기판(S)을 외부로 불량 보관 장소로 이송하도록 한다. Accordingly, the comparison unit 400 is connected to the transfer unit 200 and controls the transfer unit 200 according to the result value. In detail, when the comparison unit 400 outputs the first result value, the transfer unit 200 causes the substrate S to be transferred to the bonding unit 100, and the second result value is transferred. When outputting, the transfer part 200 causes the substrate S to be transferred to a defective storage location to the outside.
따라서, 상기 기판(S)의 패키지 영역(PA)들에 우선적으로 상기 샘플링 영역(SA)을 선정하고, 그 선정된 상기 샘플링 영역(SA)에 상기 다이(C)가 본딩된 경우 이를 상기 검사부(500)가 설치된 검사 장소로 이송하여 상기 다이(C)의 본딩 위치를 검사함으로써, 상기 다이(C)의 본딩 공정에 대한 신뢰성을 확보할 수 있다.Therefore, when the sampling area SA is preferentially selected in the package areas PA of the substrate S, and the die C is bonded to the selected sampling area SA, the inspection part It is possible to ensure the reliability of the bonding process of the die (C) by transferring to the inspection place 500 is installed to inspect the bonding position of the die (C).
이하, 도 6을 추가적으로 참조하여 실질적으로 상기 다이 본딩 장치(1000)를 이용하여 상기 기판(S)에 다이(C)를 본딩하는 방법을 보다 상세하게 설명하고자 한다. Hereinafter, a method of bonding the die C to the substrate S using the die bonding apparatus 1000 will be described in more detail with reference to FIG. 6.
도 6은 도 1에 도시된 다이 본딩 장치를 이용하여 다이를 본딩하는 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.FIG. 6 is a flowchart schematically illustrating a method of bonding a die by using the die bonding apparatus shown in FIG. 1.
도 6을 추가적으로 참조하면, 상기 다이 본딩 장치(1000)를 이용하여 상기 다이(C)를 본딩하는 방법은 먼저, 상기 기판(S)의 행열을 따라 규칙적으로 형성된 상기 패키지 영역(PA)들에 순차적으로 상기 다이(C)를 본딩한다(S10).Referring to FIG. 6, the method of bonding the die C using the die bonding apparatus 1000 may be sequentially performed on the package areas PA regularly formed along the matrix of the substrate S. FIG. Bonding the die (C) (S10).
이어, 상기 패키지 영역(PA)들로부터 선정된 상기 샘플링 영역(SA)에 상기 다이(C)가 본딩된 경우 이송부(200)를 이용하여 상기 기판(S)을 상기 검사부(500)가 설치된 검사 장소로 이송한다(S20).Subsequently, when the die C is bonded to the sampling area SA selected from the package areas PA, the inspection part 500 is installed at the inspection part 500 by using the transfer part 200. Transfer to (S20).
이어, 이송한 상기 기판(S)의 제1 패턴(P1)과 상기 기판(S)에 본딩된 상기 다이(C)의 제2 패턴(P2)의 위치를 x 및 y축에 따라 상기 검사부(500)의 측정부(300)로부터 측정한다. 구체적으로, 상기 제1 및 제2 패턴(P1, P2)의 위치는 상기 측정부(300)의 촬영부(310)에서 촬영한 이미지(IM)를 토대로 측정된다.Subsequently, the inspection unit 500 determines positions of the first pattern P1 of the transferred substrate S and the second pattern P2 of the die C bonded to the substrate S along the x and y axes. Measured from the measuring unit 300 of. In detail, the positions of the first and second patterns P1 and P2 are measured based on the image IM photographed by the photographing unit 310 of the measuring unit 300.
이어, 상기 제1 및 제2 패턴(P1, P2)의 위치로부터 상기 거리(D) 및 상기 각도(A)를 측정한다(S30). 이러한 상기 거리(D) 및 상기 각도(A)는 측정된 상기 제1 및 제2 패턴(P1, P2)의 위치를 토대로 상기 수학식 1 및 2를 이용하여 상기 측정부(300)의 산출부(320)로부터 산출된다.Next, the distance D and the angle A are measured from the positions of the first and second patterns P1 and P2 (S30). The distance D and the angle A are calculated by the calculation unit 300 of the measurement unit 300 using Equations 1 and 2 based on the measured positions of the first and second patterns P1 and P2. From 320).
이어, 상기 검사부(500)의 비교부(400)에서 상기 거리(D) 및 상기 각도(D)를 상기 기준 거리(SD) 및 상기 기준 각도(SA)와 비교한다(S40). 구체적으로, 상기 비교부(400)는 상기 거리(D) 및 상기 각도(A)가 각각 상기 기준 거리(SD) 및 상기 기준 각도(SA)의 제1 및 제2 허용 오차 범위 내에 존재할 경우, 적합이라는 제1 결과값을 출력하고, 상기 제1 및 제2 허용 오차 범위를 이탈할 경우, 부적합이라는 제2 결과값을 출력한다. Subsequently, the comparison unit 400 of the inspection unit 500 compares the distance D and the angle D with the reference distance SD and the reference angle SA (S40). Specifically, the comparison unit 400 is suitable when the distance (D) and the angle (A) are within the first and second tolerance ranges of the reference distance (SD) and the reference angle (SA), respectively. Outputs a first result value and outputs a second result value of inconsistency when the first and second tolerance ranges deviate.
이때, 상기 비교부(400)로부터 상기 제1 결과값이 출력되면, 상기 이송부(200)는 상기 기판(S)을 다시 상기 S10 단계의 상기 본딩부(100)로 이송하여 계속적으로 상기 다이(C)가 상기 기판(S)의 패키지 영역(PA)들에 본딩되도록 한다. 이러한 일련의 과정을 거치면서 상기 다이(C)가 상기 기판(S)의 패키지 영역(PA)들 모두 본딩되면, 상기 이송부(200)는 상기 기판(S)을 후속 공정으로 이송할 수 있고, 상기 다이(C)의 본딩을 위한 새로운 기판(S)을 이전 공정으로부터 상기 본딩부(100)로 이송할 수 있다. In this case, when the first result value is output from the comparator 400, the transfer part 200 transfers the substrate S back to the bonding part 100 in step S10 and continuously the die C ) Is bonded to the package areas PA of the substrate S. When the die C is bonded to all of the package areas PA of the substrate S through the series of processes, the transfer part 200 may transfer the substrate S to a subsequent process. The new substrate S for bonding the die C may be transferred to the bonding part 100 from the previous process.
반면, 상기 비교부(400)로부터 상기 제2 결과값이 출력되면, 상기 이송부(200)는 상기 기판(S)을 상기 불량 보관 장소로 이송한다(S50). 이럴 경우, 그 본딩 위치가 불량한 상기 다이(C)를 분리한 다음, 다시 상기 이송부(200)를 통해 상기 S10 단계의 상기 본딩부(100)로 이송하여 재작업이 이루어질 수 있다. 하지만, 불량한 상기 다이(C)의 분리가 불가능할 경우, 상기 기판(S)은 폐기 처리될 수 있다. On the other hand, when the second result is output from the comparison unit 400, the transfer unit 200 transfers the substrate (S) to the defective storage location (S50). In this case, the die C having a poor bonding position may be separated, and then reworked by transferring the die C to the bonding unit 100 of the step S10 through the transfer unit 200. However, when it is impossible to separate the defective die C, the substrate S may be disposed of.
따라서, 상기 다이(C)를 상기 기판(S)에 본딩하는 공정 중에 상기 다이(C)의 본딩 위치를 검사하여 상기 다이(C)가 상기 기판(S)에 불량하게 본딩된 것을 대략 실시간으로 검출함으로써, 불량인 상기 다이(C)와 상기 기판(S)을 대상으로 후속 공정이 진행되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 상기 다이(C)를 상기 기판(S)에 본딩하는 공정을 포함하는 반도체 패키지의 제조 공정을 보다 효율적으로 진행할 수 있다.Therefore, during the process of bonding the die C to the substrate S, the bonding position of the die C is inspected to detect in real time that the die C is poorly bonded to the substrate S. As a result, it is possible to prevent a subsequent process from being performed on the die C and the substrate S which are defective. Thereby, the manufacturing process of the semiconductor package including the process of bonding the said die C to the said board | substrate S can be advanced more efficiently.
한편, 본 실시예에서는 상기 다이(C)의 본딩 위치를 검사하기 위하여 상기 거리(D) 및 상기 각도(A)를 동시에 측정하여 비교하였지만, 실질적으로 상기 기판(S)의 제1 패턴(P1)과 상기 다이(C)의 제2 패턴(P2)의 사이즈가 매우 작고, 가까울 수 있기 때문에 경우에 따라 상기 거리(D)만으로 상기 다이(C)의 본딩된 위치를 검사할 수 있다. In the present embodiment, the distance D and the angle A are simultaneously measured and compared to examine the bonding position of the die C. However, the first pattern P1 of the substrate S is substantially compared. Since the size of the second pattern P2 of the die C may be very small and close, the bonded position of the die C may be inspected only by the distance D in some cases.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although the detailed description of the present invention has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art will have the idea of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.
상술한 본 발명은 다이를 본딩하는 공정 도중 발생할 수 있는 불량을 대략 실시간으로 검사하여 상기 공정의 신뢰성 및 효율성을 향상시키는데 이용될 수 있다. The present invention described above can be used to inspect defects that may occur during the process of bonding the die in near real time to improve the reliability and efficiency of the process.
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