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KR20090065124A - 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20090065124A
KR20090065124A KR1020070132575A KR20070132575A KR20090065124A KR 20090065124 A KR20090065124 A KR 20090065124A KR 1020070132575 A KR1020070132575 A KR 1020070132575A KR 20070132575 A KR20070132575 A KR 20070132575A KR 20090065124 A KR20090065124 A KR 20090065124A
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South Korea
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silicon
silicon nanowires
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biosensor
nanowires
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백인복
양종헌
안창근
유한영
아칠성
박찬우
김안순
김태엽
장문규
전명심
Original Assignee
한국전자통신연구원
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Publication date
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Abstract

본 발명은 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 실리콘 나노선을 형성함으로써, 실리콘 나노선에 프루브분자가 고정되는 면적이 넓어져 검출 감도를 높일 수 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 종래와 같이 실리콘 나노선의 선폭을 조절하지 않고도 타겟분자의 특성에 따라 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격을 조절하는 것에 의해 검출 감도를 간단하게 조절할 수 있다. 또한, 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격을 조절하여 검출 감도를 각각 다르게 함으로써 다양한 감도를 동시에 검출할 수 있는 것을 특징으로 한다.
바이오 센서, 실리콘, 나노선

Description

실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법{The bio-sensor using siliconnano-wire and manufacturing method thereof}
본 발명은 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 실리콘 나노선을 형성함으로써, 실리콘 나노선에 프루브분자가 고정되는 면적을 넓혀 검출 감도를 높일 수 있을 뿐만 아니라 실리콘 나노선의 선폭 및 동일한 패턴간의 간격을 조절하여 검출 감도를 간단하게 조절할 수 있는 바이오 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 정보통신부 및 정보통신연구진흥원의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2006-S-007-02, 과제명: 유비쿼터스 건강관리용 모듈 시스템].
일반적으로 바이오 센서는 생화학적, 광학적, 열적 또는 전기적 반응에 따른 변화를 측정하는 소자로서, 최근의 연구동향에 따르면 전기화학적 바이오 센서에 대한 연구가 가장 활발히 이루어지고 있다.
전기화학적 바이오 센서는 실리콘 나노선에서 타겟분자와 프로브분자간의 상 호반응시 발생하는 변화, 예컨대, 전기전도도(conductivity)의 변화를 감지하여 특정 바이오 물질을 검출하며, 전기화학적 바이오 센서의 구조 및 동작원리에 대하여 도 1을 참조하여 더 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 전기화학적 바이오 센서의 구조 및 동작원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 전기화학적 바이오 센서(100)는, 반도체 기판(10) 상에 소오스(S)와 드레인(D)이 형성되어 있으며, 소오스(S)와 드레인(D) 사이에 직선 형상의 실리콘 나노선(13A,13B)이 형성되어 있다. 실리콘 나노선(13A,13B)은 절연막(12)에 의해 반도체 기판(10) 및 유체관(31)과 절연되며, 실리콘 나노선(13A,13B)의 표면에는 프루브분자(40)들이 고정되어 있다. 유체관(31)을 통해 타겟분자(41)가 주입되면, 타겟분자(41)들이 프루브분자(40)들과 결합하게 되고, 타겟분자(41)들에 의해 실리콘 나노선(13A,13B)의 전기장이 변화되며, 이에 따라 실리콘 나노선(13A,13B) 표면의 전위가 변하게 되어 결국 실리콘 나노선(13A,13B)의 전기전도도(conductivity)가 변화된다. 이러한 전기전도도의 변화를 실시간으로 관찰함으로써 유체관(31)을 통해 주입된 타겟분자(41)를 검출할 수 있다.
이와 같이 구성된 종래의 전기화학적 바이오 센서에 있어서, 프루브분자(40)들이 고정되는 실리콘 나노선(13A,13B)은 bottom-up 방식 또는 top-down 방식으로 형성될 수 있는데, bottom-up 방식과 top-down 방식은 각각 다음과 같은 단점을 갖고 있다.
먼저 bottom-up 방식에서는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 성장 된 탄소나노튜브나 VLS(Vapor-Liquid Solid) 성장법으로 형성된 실리콘 나노선을 특정 위치에 정렬하여 바이오 센서를 제작한다.
그러나, bottom-up 방식으로 형성된 실리콘 나노선들은 매우 좋은 전기적 특성을 갖지만, 원하는 위치에 실리콘 나노선을 정렬하기 위해서는 전기 영동 방법 또는 유체 채널을 이용한 유체 유동을 이용하여 실리콘 나노선을 정렬시켜야 하기 때문에, 실리콘 나노선 정렬시 위치 제어가 어렵다는 단점을 갖고 있다.
이와 달리 top-down 방식에서는 CMOS 공정기술을 이용하여 패터닝 및 식각 공정을 통해 실리콘 나노선을 형성하여 바이오 센서를 제작한다.
그러나, top-down 방식으로 형성된 실리콘 나노선의 경우는 bottom-up 방식으로 형성된 나노선에 비해 전기적 특성이 떨어지며, 대부분이 단순한 바(bar) 형태의 구조를 가지기 때문에 프루브분자(40)를 고정화시킬 수 있는 면적이 적어 검출 감도의 한계를 보이는 문제점을 갖고 있다. 또한, 동일한 타겟분자에 대한 검출 감도를 조절하기 위해서는 실리콘 나노선 제작시 실리콘 나노선의 선폭 및 길이를 조정해 주어야 하는 번거로움이 있다.
따라서, 실리콘 나노선을 이용한 전기화학적 바이오 센서에 있어서 검출 감도를 높일 수 있을 뿐만 아니라 검출 감도를 간단하게 조절할 수 있는 수단이 요구된다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 고안된 것으로서, 본 발명의 목적은 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서에 있어서 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 실리콘 나노선을 형성함으로써 실리콘 나노선에 프루브분자가 고정되는 면적을 넓혀 검출 감도를 높일 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서에 있어서 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격을 조절하여 검출 감도를 간단하게 조절할 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서에 있어서 타겟분자의 특성에 따라 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격을 조절하여 검출 감도를 각각 다르게 함으로써 다양한 감도를 동시에 검출할 수 있도록 하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 바이오 센서는, 반도체 기판 상부에 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극; 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 형성된 실리콘 나노선; 및 상기 실리콘 나노선에 고정되어 외부로부터 주입되는 타겟분자와 반응하는 프루브분자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 실리콘 나노선의 선폭 및 동일한 패턴간의 간격에 따라 검출 감도가 변화되며, 상기 실리콘 나노선의 선폭 및 동일한 패턴간의 간격은 상기 프 루브분자와 반응하는 타겟분자의 특성에 따라 변화된다. 그리고, 상기 실리콘 나노선의 상하 및 양측면에 프루브분자가 고정되며, 이에 따라 상기 실리콘 나노선의 상하 및 양측면에서 상기 프루브분자와 타겟분자의 결합반응이 일어나게 된다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 바이오 센서 제조 방법은, (a) 절연층 및 실리콘층이 순차적으로 형성된 반도체 기판 상부에 버퍼층을 형성하는 단계; (b) 리소그래피 공정을 통해 상기 버퍼층 상부에 전극 패턴 및 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태의 실리콘 나노선 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 전극 패턴 및 실리콘 나노선 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 버퍼층 및 실리콘층을 식각하는 단계; (d) 상기 전극 패턴 영역에 전극을 형성하는 단계; (e) 상기 실리콘 나노선 패턴 상부의 버퍼층을 제거하여 실리콘 나노선이 노출되도록 하는 단계; 및 (f) 상기 노출된 실리콘 나노선에 외부로부터 주입되는 타겟분자와 반응하는 프루브분자를 고정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 검출 감도에 따라 상기 실리콘 나노선 패턴의 선폭 및 동일한 패턴간의 간격을 변화시키는 것이 바람직하며, 상기 프루브분자와 반응하는 타겟분자의 특성에 따라 상기 실리콘 나노선 패턴의 선폭 및 동일한 패턴간의 간격을 변화시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 실리콘 나노선을 형성함으로써, 실리콘 나노선에 프루브분자가 고정되는 면적이 넓어져 검출 감도를 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 종래와 같이 실리콘 나노선의 선폭을 조절하지 않고도 타겟분자의 특성에 따라 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격을 조절하는 것에 의해 검출 감도를 간단하게 조절할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 타겟분자의 특성에 따라 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격을 조절하여 검출 감도를 각각 다르게 함으로써 다양한 감도를 동시에 검출할 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다. 또한, 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이며, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나, 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면번호로 표시된 부분은 동일한 요소를 나타낸다.
먼저, 본 발명에 따른 바이오 센서에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 바이오 센서의 구조 및 동작원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 바이오 센서(200)는, 종래의 바이오 센 서(100)와 비교하여 실리콘 나노선(13A, 13B)이 연속적으로 동일한 패턴이 반복되는 형태로 형성된 점을 제외하고는 다른 구성요소는 동일하다.
이렇게 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 실리콘 나노선(13A, 13B)이 형성되면, 이에 따라 실리콘 나노선(13A, 13B)에 프루브분자(40)가 고정되는 면적이 넓어져 검출 감도를 높일 수 있으며, 이에 대하여 도 3을 참조하여 더 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 실리콘 나노선(13A, 13B)에서 프루브분자(40)와 타겟분자(41)가 결합되는 것을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 유체관(31)을 통해 주입된 타겟분자(41)들은 실리콘 나노선(13A,13B)의 표면에 고정된 프루브분자(40)들과 결합하게 되는데, 이 때, 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 실리콘 나노선(13A, 13B)이 형성되고, 실리콘 나노선(13A, 13B)의 선폭 및 동일한 패턴간의 간격(d)이 작아지게 되면, 실리콘 나노선(13A, 13B)의 위아래 표면 뿐만 아니라 양 측면에서도 프루브분자(40)와 타겟분자(41)의 결합반응이 일어나게 되며, 이러한 결합으로 인해 발생되는 전기장의 변화가 중첩된다.
즉, 본 발명에 따른 바이오 센서는, 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 실리콘 나노선(13A, 13B)이 형성되어 있으므로, 실리콘 나노선(13A, 13B)에 프루브분자(40)가 고정되는 면적이 넓어져 검출 감도를 높일 수 있다. 또한, 종래와 같이 실리콘 나노선(13A, 13B)의 선폭을 조절하지 않고도 타겟분자(41)의 특성에 따라 실리콘 나노선(13A, 13B)의 동일한 패턴간의 간격(d)을 조절하는 것에 의 해 검출 감도를 간단하게 조절할 수 있다. 그리고, 본 발명에 따른 바이오 센서는, 타겟분자(41)의 특성에 따라 실리콘 나노선(13A, 13B)의 동일한 패턴간의 간격(d)을 조절하여 검출 감도를 각각 다르게 함으로써 다양한 감도를 동시에 검출할 수 있는 센서 어레이로 응용될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바이오 센서 제조 방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명에 따른 바이오 센서 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이며, 도 5a 내지 도 5g는 본 발명에 따른 바이오 센서 제조 방법을 공정별로 나타낸 단면도이다.
도 4의 흐름도를 기반으로 도 5a 내지 도 5g의 제조 공정을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11) 상부에 절연층(12) 및 실리콘층(13)이 순차적으로 형성된 반도체 기판(10)를 준비한 후(S401), 상기 반도체 기판(10) 상부에 버퍼층(14)을 형성한다(S402). 상기 버퍼층(14)으로는 질화막이나 산화막 등을 사용할 수 있다.
여기에서, 상기 실리콘층(13)의 중심부는 실리콘 나노선이 형성될 영역으로, 전술한 바와 같이 실리콘 나노선의 선폭이 작아지게 되면, 실리콘 나노선의 위아래 표면 뿐만 아니라 양 측면에서도 프루브분자와 타겟분자의 결합반응이 일어나게 된다. 따라서, 버퍼층(14)이 형성된 이후에 실리콘 나노선의 선폭을 작게 하기 위해서는 다음과 같은 방법으로 실리콘 나노선이 형성될 영역의 실리콘층(13)의 두께를 추가적으로 감소시킬 수 있다.
먼저 포토 리소그래피 공정을 통해 버퍼층(14)의 중심부를 식각하여 실리콘 나노선이 형성될 영역의 실리콘층(13)이 노출되도록 한다. 그 다음, 노출된 실리콘층(13)을 식각하거나, 열산화 공정을 사용하여 실리콘 나노선이 형성될 영역의 실리콘층(13)의 두께를 감소시킨다.
다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이, 버퍼층(14) 상부에 전자빔 리소그래피, 나노 임프린트 또는 포토 리소그래피 공정을 위한 레지스트(15)를 형성한다(S403).
다음으로, 도 5c에 도시된 바와 같이, 리소그래피 공정을 이용하여 전극 패턴(PS, PD)과 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태의 실리콘 나노선 패턴(16A, 16B)을 형성한다(S404). 여기에서, 실리콘 나노선 패턴(16A, 16B)의 형태는 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태이기만 하면 다양한 형태로 변형될 수 있으며, 동일한 패턴간의 간격(d)은 5 내지 200 nm인 것이 바람직하다.
다음으로, 도 5d에 도시된 바와 같이, 전극 패턴(PS, PD) 및 실리콘 나노선 패턴(16A, 16B)을 식각 마스크로 하여 버퍼층(14) 및 실리콘층(13)을 식각한다(S405).
다음으로, 도 5e에 도시된 바와 같이, 포토 리소그래피 공정을 통해 실리콘 나노선 패턴(16A, 16B)을 보호하는 보호 레지스트 패턴(17)을 형성한 후(S406), 전극 패턴(PS, PD) 영역에 이온주입을 한다(S407). 이 후, 실리콘 나노선 패턴(16A, 16B)을 보호하는 보호 레지스트 패턴(17)을 제거하고(S408), 오믹 콘택(ohmic contact)을 형성하기 위한 열처리를 수행한다(S409).
다음으로, 도 5f에 도시된 바와 같이, 포토 리소그래피 공정을 통해 전극 패턴(PS, PD) 영역의 버퍼층(14)을 제거하고 금속 전극(20)을 형성한다(S410). 이어서, 실리콘 나노선 패턴(16A, 16B)를 덮고 있는 버퍼층(14)을 제거하여 실리콘 나노선(13A, 13B)이 노출되도록 한다(S411).
다음으로, 도 5g에 도시된 바와 같이, 실리콘 나노선(13A, 13B)에 프루브분자(40)를 고정하고(S412), 타겟분자(41)을 주입하기 위한 유체관을 형성한다(S413).
즉, 이와 같은 공정에 의해 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태의 실리콘 나노선(13A, 13B)이 형성되며, 그 결과가 도 6a 및 도 6b에 도시되어 있다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따라 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 형성된 실리콘 나노선(13A, 13B)의 SEM 사진으로, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 실리콘 나노선(13A, 13B)은 유체관에 수직 또는 평행한 방향으로 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태를 갖는다.
이와 같이, 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 실리콘 나노선(13A, 13B)이 형성되면, 실리콘 나노선(13A, 13B)에 프루브분자(40)가 고정되는 면적이 넓어져 검출 감도를 높일 수 있으며, 이에 대하여는 상기 도 3과 관련된 설명에서 자세히 설명하였으므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 종래의 전기화학적 바이오 센서의 구조 및 동작원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 바이오 센서의 구조 및 동작원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 실리콘 나노선에서 프루브분자와 타겟분자가 결합되는 것을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 바이오 센서 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명에 따른 바이오 센서 제조 방법을 공정별로 나타낸 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따라 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 형성된 실리콘 나노선의 SEM 사진이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
10 : 반도체 기판 11 : 실리콘 웨이퍼
12 : 절연층 13 : 실리콘층
14 : 버퍼층 13A, 13B : 실리콘 나노선
15 : 레지스트
40 : 프루브분자
41 : 타겟분자

Claims (16)

  1. 반도체 기판 상부에 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극;
    상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태로 형성된 실리콘 나노선; 및
    상기 실리콘 나노선에 고정되어 외부로부터 주입되는 타겟분자와 반응하는 프루브분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘 나노선의 상하 및 양측면에 상기 프루브분자가 고정되며, 상기 실리콘 나노선의 상하 및 양측면에서 상기 프루브분자와 타겟분자의 결합반응이 일어나는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격에 따라 검출 감도가 변화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘 나노선의 선폭 및 동일한 패턴간의 간격은 상기 프루브분자와 반응하는 타겟분자의 특성에 따라 변화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격은 5 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘 나노선의 동일한 패턴간의 간격이 서로 다른 경우, 적어도 하나 이상의 감도가 동시에 검출되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 타겟분자를 주입하기 위한 유체관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서.
  8. (a) 절연층 및 실리콘층이 순차적으로 형성된 반도체 기판 상부에 버퍼층을 형성하는 단계;
    (b) 리소그래피 공정을 통해 상기 버퍼층 상부에 전극 패턴 및 동일한 패턴이 연속적으로 반복되는 형태의 실리콘 나노선 패턴을 형성하는 단계;
    (c) 상기 전극 패턴 및 실리콘 나노선 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 버퍼층 및 실리콘층을 식각하는 단계;
    (d) 상기 전극 패턴 영역에 전극을 형성하는 단계;
    (e) 상기 실리콘 나노선 패턴 상부의 버퍼층을 제거하여 실리콘 나노선이 노출되도록 하는 단계; 및
    (f) 상기 노출된 실리콘 나노선에 외부로부터 주입되는 타겟분자와 반응하는 프루브분자를 고정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 (a) 단계에서,
    상기 버퍼층은 질화막 또는 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,
    상기 전극 패턴 및 상기 실리콘 나노선 패턴은 전자빔 리소그래피, 나노 임프린트 또는 포토 리소그래피 중 어느 하나의 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법.
  11. 제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,
    검출 감도에 따라 상기 실리콘 나노선 패턴의 선폭 및 동일한 패턴간의 간격을 변화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법.
  12. 제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,
    상기 프루브분자와 반응하는 타겟분자의 특성에 따라 상기 실리콘 나노선 패턴의 선폭 및 동일한 패턴간의 간격을 변화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법.
  13. 제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,
    상기 실리콘 나노선 패턴의 동일한 패턴간의 간격은 5 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법.
  14. 제 8항에 있어서, 상기 (a) 단계 이후 및 (b) 단계 이전에,
    포토 리소그래피 공정을 통해 상기 실리콘 나노선이 형성될 영역의 버퍼층을 식각하여 상기 실리콘 나노선이 형성될 영역의 실리콘층을 노출하는 제1 단계; 및
    식각 공정 또는 열산화 공정을 통해 상기 실리콘 나노선이 형성될 영역의 실리콘층의 두께를 감소시키는 제2 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법.
  15. 제 8항에 있어서, 상기 (d) 단계에서,
    리소그래피 공정을 통해 상기 실리콘 나노선 패턴을 보호하는 보호 레지스트 패턴을 형성하는 제1 단계;
    상기 전극 패턴 영역에 이온을 주입하는 제2 단계;
    상기 보호 레지스트 패턴을 제거하는 제3 단계;
    상기 전극 패턴 영역에 오믹 콘택을 형성하기 위한 열처리를 수행하는 제4 단계; 및
    리소그래피 공정을 통해 상기 전극 패턴 영역의 버퍼층을 제거하고 금속 전 극을 형성하는 제5 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법.
  16. 제 8항에 있어서,
    상기 타겟분자를 주입하기 위한 유체관을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 제조 방법.
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