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KR20090012605A - 금속 나노입자의 제조방법 - Google Patents

금속 나노입자의 제조방법 Download PDF

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KR20090012605A
KR20090012605A KR1020070076556A KR20070076556A KR20090012605A KR 20090012605 A KR20090012605 A KR 20090012605A KR 1020070076556 A KR1020070076556 A KR 1020070076556A KR 20070076556 A KR20070076556 A KR 20070076556A KR 20090012605 A KR20090012605 A KR 20090012605A
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KR
South Korea
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metal
metal nanoparticles
alkylamine
precursor
producing
Prior art date
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Ceased
Application number
KR1020070076556A
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English (en)
Inventor
이귀종
정재우
Original Assignee
삼성전기주식회사
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Publication date
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Priority to CN2008101113656A priority patent/CN101357403B/zh
Priority to JP2008194757A priority patent/JP5070153B2/ja
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Abstract

본 발명은 금속 나노입자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 은, 금 및 팔라듐 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속의 전구체를 알킬아민을 이용하여 해리하는 단계; 상기 해리된 금속 전구체를 환원하는 단계; 및 알킬아민으로 캐핑된 금속 나노입자를 분리하는 단계;를 포함하는 금속 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 본 발명에 따른 금속 나노입자의 제조방법은 알킬아민으로 캐핑된 금속 나노입자를 별도의 계면활성제의 치환없이도 고농도에서 고수율로 안정적으로 제조할 수 있어 대량 생산에 용이하며, 높은 분산 안정성을 가지며 1~40nm의 크기를 가지는 금속 나노입자를 제조할 수 있다.
금속, 나노입자, 알킬아민

Description

금속 나노입자의 제조방법{Method for manufacturing metal nanoparticles}
본 발명은 금속 나노입자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 나노입자를 입자크기가 균일하면서도 대량생산할 수 있는 금속 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.
최근 전자 부품의 소형화 및 고밀도화 추세에 따라 잉크젯을 통한 박막의 금속 패터닝이나 기판에서의 미세 배선 형성에 대한 요구가 증가하고 있다. 이를 구현하기 위해 도전성 잉크는 균일한 모양과 좁은 입도 분포를 가지며 우수한 분산성을 보이는 나노 크기의 금속 입자로 만들어져야 할 필요가 있다.
종래 금속 나노입자를 제조하는 방법에는 기계적으로 그라인딩하는 방법, 공침법, 분무법, 졸-겔법, 전기분해법, 마이크로에멀젼법 등 다양한 종류가 있다. 공침법으로 제조된 금속 입자는 입자의 크기, 모양 및 크기 분포의 제어가 불가능하며, 전기분해법과 졸-겔법은 제조 경비가 높고 대량 생산이 어려운 문제점이 있다. 한편, 마이크로에멀젼법은 입자의 크기, 모양 및 크기 분포의 제어는 용이하나 제조 공정이 복잡하여 실용화되지 못하고 있다.
한편, 기존의 용액상에서의 나노입자 합성법은 농도의 제한을 받고 있다. 즉, 균일한 크기를 갖는 나노입자를 합성하기 위해서는 0.01 M 이하에서 가능하며, 수율 또한 매우 낮은 것으로 알려져 있다. 따라서, 균일한 크기를 갖는 나노입자를 그람(g) 수준 이상으로 증가시키기 위해서는 반응기의 크기가 최소 1000 리터 정도의 반응기를 요구하게 된다.
또한, 은 나노입자의 경우, 주로 티올 또는 지방산 계열의 화합물을 이용하여 제조되었다. 티올계 화합물은 금이나 은과 같은 귀금속류와 강한 결합을 하며, 입자모양 제어 능력이 매우 우수하다. 또한, 지방산계 역시 결합력이 티올에 비해 낮지만, 입자제어 능력이 역시 우수하다. 그러나, 아민계열은 결합력이 낮아 안정적인 은 나노입자를 만드는데 많은 어려움이 있었다.
아울러, 근래에는 실버아세테이트 (silver acetate)와 올레일아민 및 유기용제를 이용하여 금 및 은 나노입자를 제조되는 방법이 발표되었다. 그러나, 상기 방법은 8시간 이상의 반응시간을 요구하며, 수율 역시 10% 이내로 매우 낮았다. 또한, 상기 방법에서 페닐하이드라진 (phenylhydrazine)을 환원제로 사용하여 은 나노입자를 합성하는 방법이 있으나, 이 경우, 페닐하이드라진은 발암성 환원제로써 산업적으로 적용가능하기 어렵다. 또한, 실버아세테이트의 경우, 고가의 시약으로 상기 방법들은 대량 생산에 적합하지 아니하다. 따라서, 이와 같은 종래 방식들은 분산안정성이 높고 수율이 좋은 은 나노입자를 비롯한 금속 나노입자의 대량합성에 용이하지 않다는 문제점이 있다.
본 발명은 저가인 전구체를 사용하면서도 고농도에서 고효율로 금속 나노입자를 합성할 수 있는 금속 나노입자의 제조방법을 제공한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에서는,
은, 금 및 팔라듐 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속의 전구체를 알킬아민을 이용하여 해리하는 단계;
상기 해리된 금속 전구체를 환원하는 단계; 및
알킬아민으로 캐핑된 금속 나노입자를 분리하는 단계;
를 포함하는 금속 나노입자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속 전구체는 은 전구체일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 은 전구체는 질산은, 아세트산은 및 산화은으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속 전구체는 알킬아민에 대하여 0.1 내지 1 몰비로 혼합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 해리 단계는 탄소수 10 내지 20인 알킬아민을 이용하여 60 내지 150℃에서 금속 전구체를 해리시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 탄소수 10 내지 20의 알킬아민은 데실 아민 (decylamine), 도데실아민(dodecylamine), 테트라데실아민 (tetradecylamine), 헥사데실아민 (hexadecylamine), 옥타데실아민 (octadecylamine) 및 올레일아민(oleylamine)으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 해리 단계는 탄소수 2 내지 8인 알킬아민을 추가적으로 첨가하여 상온 내지 150℃에서 금속 전구체를 해리시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 탄소수 2 내지 8인 알킬아민은 에틸아민, 프로필아민, 부틸아민, 헥실아민 및 옥틸아민으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 알킬아민은 금속전구체에 대하여 1 내지 10 몰비로 혼합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 해리 단계에서 비극성 용매를 더 첨가할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 비극성 용매는 톨루엔 (toluene), 헥산 (hexane), 시클로헥산 (cyclohexane), 데칸 (decane), 도데칸 (dodecane), 테트라데칸 (tetradecane), 헥사데칸 (hexadecane), 옥타데칸 (octadecane) 및 옥타데센 (octadecene)으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 비극성 용매는 금속전구체에 대하여 1 내지 100 몰비 이내로 혼합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 환원단계는 환원제 또는 촉매를 첨가하여 환원할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 환원제는 포름산, 암모늄포르메이트 (ammonium formate), 디메틸아민보란 (dimethylamine borane), 터-부틸아민보란 (ter-butylamine borane) 및 트리에틸아민보란 (triethylamine borane)으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 환원제는 금속전구체에 대하여 1 내지 4 몰비로 혼합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 촉매는 Sn, Cu, Fe, Mg 및 Zn로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 촉매는 금속전구체에 대하여 0.05 내지 0.5 몰비로 혼합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속 나노입자의 분리 단계는 메탄올 또는 아세톤을 이용하여 분리할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 본 발명에 따른 금속 나노입자의 제조방법은 기상법에 의한 합성에 비해 간단한 설비로, 알킬아민으로 캐핑된 금속 나노입자를 별도의 계면활성제의 치환없이도 고농도에서 고수율로 안정적으로 제조할 수 있어 대량 생산에 용이하며, 높은 분산 안정성을 가지며 1~40nm의 크기를 가지 는 금속 나노입자를 제조할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 금속 나노입자의 제조방법에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 금속 나노입자의 제조방법은 크게 은, 금 및 팔라듐 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속의 전구체를 알킬아민을 이용하여 해리하는 단계; 상기 해리된 금속 전구체를 환원하는 단계; 및 알킬아민으로 캐핑된 금속 나노입자를 분리하는 단계;를 포함한다.
여기서, 상기 금속 전구체는 은(Ag), 금(Au) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 금속염으로, 바람직한 실시예에 따르면, 상기 금속 전구체는 AgBF4, AgCF3SO3, AgNO3, AgClO4, Ag(CH3CO2), AgPF6 및 Ag2O로 이루어진 군으로부터 선택되는 은염인 것이 바람직하다.
또한, 상기 금속 전구체는 알킬아민에 대하여 0.1 내지 1 몰비로 혼합되는 것이 바람직하다. 상기 금속 전구체의 함량이 1 몰비를 초과하면 금속전구체를 완벽하게 해리시키지 못하여 바람직하지못하고, 0.1 몰비 미만이면 과량의 알킬아민을 사용하게 되어 비효율적이며 생산성이 감소하여 바람직하지 못하다.
상기 금속 전구체를 해리하는 단계는 (i) 캐핑분자 (capping molecule)로 사용되는 알킬아민 (alkylamine)을 직접 사용하는 방법, 및 (ii) 저분자의 알킬아민 (alkylamine)을 첨가하여 해리시키는 방법으로 구분될 수 있다.
전자의 방법을 사용할 경우, 캐핑 분자 (capping molecule)로 사용될 수 있는 알킬아민으로는 탄소수가 최소 10 이상인 알킬아민으로, 바람직하게는, 데실아민 (decylamine), 도데실아민 (dodecylamine), 테트라데실아민 (tetradecylamine), 헥사데실아민 (hexadecylamine), 옥타데실아민 (octadecylamine), 올레일아민 (oleylamine) 등이 이용가능하다. 상기 알킬아민이 캐핑분자의 역할을 하면서 동시에 금속 전구체를 해리시켜준다.
이와 같은 capping molecule로 사용되는 알킬아민의 함량은 금속전구체에 대하여 1 내지 10 몰비로 혼합되는 것이 바람직하다. 알킬아민의 함량이 1 몰비 미만이면 금속전구체를 완벽하게 해리시키지 못하여 바람직하지못하고, 10 몰비를 초과하면 과량의 알킬아민을 사용하게 되어 비효율적이며 생산성이 감소하여 바람직하지 못하다.
상기 탄소수 최소 10 이상의 알킬아민을 이용하여 금속전구체를 해리할 때, 60℃ 미만일 경우, 금속전구체를 완벽하게 해리시키지 못하여 바람직하지 아니하고, 150℃ 초과일 경우, 심각한 발열반응이 발생할 수 있어서 바람직하지 못하다.
후자의 방법을 사용할 경우, 저분자 알킬아민으로는 탄소수가 8 이하인 알킬아민으로, 바람직하게는, 에틸아민 (ethylamine), 프로필아민 (propylamine), 부틸아민 (butylamine), 헥실아민 (hexylamine), 옥틸아민 (octylamine) 등이 이용가능하다.
이와 같은 저분자 알킬아민의 함량은 금속전구체에 대하여 1 내지 10 몰비로 혼합되는 것이 바람직하다. 알킬아민의 함량이 1 몰비 미만이면 적절하게 금속 전구체를 해리시키지 못하여 바람직하지 못하고, 함량이 10 몰비를 초과하면 과량의 알킬아민을 사용하게 되어 비효율적이므로 바람직하지 못하다.
상기 저분자 알킬아민을 이용하여 금속전구체를 해리시키는 경우, 상온 미만에서 해리할 때, 금속전구체를 완벽하게 해리시키지 못하여 바람직하지 아니하고, 150℃ 초과일 경우, 심각한 발열반응이 발생할 수 있어서 바람직하지 못하다.
또한, 상기 해리단계에서 추가적으로 첨가할 수 있는 비극성 용매로는, 바람직하게는, 톨루엔 (toluene), 헥산 (hexane), 시클로헥산 (cyclohexane), 데칸 (decane), 도데칸 (dodecane), 테트라데칸 (tetradecane), 헥사데칸 (hexadecane), 옥타데칸 (octadecane) 및 옥타데센 (octadecene)과 같은 비극성 용매를 추가로 첨가할 수 있다. 상기 비극성 용매는 반응온도 제어 및 희석 작용 역할을 하는 것으로, 이와 같은 비극성 용매의 함량은 금속전구체에 대하여 1 내지 100 몰비로 혼합되는 것이 바람직하다. 비극성 용매의 함량이 1 몰비 미만이면 균일한 반응용액을 형성하지 않기 때문에 바람직하지 못하고, 100 몰비를 초과하면 과량의 비극성 용매를 사용하게 되어 비효율적이므로 바람직하지 못하다.
상기 해리된 금속 전구체를 환원시키는 단계에서, 여러 종류의 환원제가 사용가능하나, 바람직하게는 약환원제가 사용가능하며, 그 예로, 포름알데히드, 디메틸아민보란 (dimethylamine borane), 터-부틸아민보란 (ter-butylamine borane), 트리에틸아민보란 (triethylamine borane) 등이 있고, 더욱 바람직하게는 포름산 (formic acid), 암모늄 포르메이트(ammonium formate)와 같은 포르메이트계 물질이 사용가능하다.
이와 같은 환원제는 금속전구체에 대하여 1 내지 4 몰비로 혼합되는 것이 바람직하다. 환원제의 함량이 1 몰비 미만이면 환원 효과가 감소하여 수율이 낮기 때문에 바람직하지 못하고, 함량이 4 몰비를 초과하면 과량의 환원제를 사용하게 되어 비효율적이므로 바람직하지 못하다.
또한, 상기 환원단계에서 여러 종류의 촉매가 사용가능하나, 그 중 금속계로, Sn, Cu, Fe, Mg, Zn 등이 사용가능한데, 상기 금속 촉매로서는, 주석(Sn), 구리 (Cu), 철(Fe), Mg (마그네슘), 아연 (Zn) 등의 금속의 금속염을 사용한다. 이와 같은 금속촉매는 금속전구체의 금속보다 표준환원전위가 낮기 때문에 하기 식에서 보는 바와 같이 자신은 산화되면서 은이온 등의 금속이온을 유효하게 환원시킬 수 있다.
Ag+ + M+z → Ag0 + M+(z+1)
사용가능한 금속촉매로는 구체적으로, Sn(NO3)2, Sn(CH3CO2)2, Sn(acac)2, Cu(NO3)2, Cu(CH3CO2)2, Cu(acac)2, FeCl2, FeCl3, Fe(acac)2, Mg(NO3)2, Mg(CH3CO2)2, Mg(acac)2, Zn(CH3CO2)2, ZnCl2, Zn(acac)2 등을 예를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 금속촉매는 금속전구체에 대하여 0.05 내지 0.5 몰비로 혼합되는 것이 바람직하다. 금속촉매의 함량이 0.05 몰비 미만이면 수율이 낮기 때문에 바람직하지 못하고, 금속촉매의 함량이 0.5 몰비를 초과하면 과량의 금속촉매를 사용 하게 되어 비효율적이므로 바람직하지 못하다.
상기 알킬아민으로 캐핑된 금속 나노입자를 분리하는 단계에서는, 금속 나노입자를 분리해내기 위해서, 이에 제한되는 것은 아니지만, 비용매인 메탄올 또는 아세톤 또는 메탄올과 아세톤 혼합물이 사용가능하다.
상기 방법으로 제조된 알킬아민으로 캐핑된 금속 나노입자는 기존 방식에 비해 고수율이면서도 1~40nm 크기로 분산안정성이 높다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어 예시하기로 하되, 본 발명의 보호범위가 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1: 금속 나노입자의 제조>
질산은 34 g과 올레일아민 300 g을 교반하면서, 질산은을 충분히 녹이기 위해서 80℃로 가열하였다. 용액의 색깔은 올레일아민의 고유의 색깔인 노란빛을 띄고 있으며, 질산은이 완벽하게 녹았는지 확인한 다음, 상기 온도에서 포름산 8 g을 첨가하자, 발열반응과 동시에 용액의 색깔이 검붉은색(dark brown)으로 빠르게 변하였다. 2시간 정도 시간을 유지한 다음, 아세톤과 메탄올의 혼합물을 첨가한 후 원심분리를 통해 합성된 은 나노입자를 추출하였다. 합성된 은 나노입자는 약 7 nm의 크기를 갖는 것을 확인할 수 있었다.
<실시예 2: 저분자 알킬아민을 이용한 금속 나노입자의 제조>
질산은 34 g, 올레일아민 120 g, 톨루엔 250ml을 교반하였다. 이 때, 질산은의 해리를 쉽게 하기 위해 부틸아민 30 g을 첨가하면서 교반하였다. 용액이 투명해질 때까지 교반하며, 온도를 80℃로 상승시켰다. 상기 온도에서 포름산 8 g을 첨가하자 발열반응과 동시에 용액의 색깔이 검붉은색(dark brown)으로 빠르게 변하였다. 2시간 정도 시간을 유지한 다음, 아세톤과 메탄올의 혼합물을 첨가한 후, 원심분리를 통해 합성된 은 나노입자를 추출하였다. 합성된 은 나노입자는 약 10 nm의 크기를 갖는 것을 확인할 수 있었다.
<실시예 3: 금속 촉매를 이용한 금속 나노입자의 제조>
질산은 34 g과 올레일아민 300 g을 교반하면서, 질산은을 충분히 녹이기 위해서 80℃로 가열했다. 용액의 색깔은 올레일아민의 고유의 색깔인 노란빛을 띄고 있으며, 질산은이 완벽하게 녹았는지 확인한 다음, 상기 온도에서 Sn(ac)2 10 g을 첨가하자 발열반응과 동시에 용액의 색깔이 검붉은색(dark brown)으로 빠르게 변하였다. 2시간 정도 시간을 유지해 둔 후, 아세톤과 메탄올의 혼합물을 첨가한 후 원심분리를 통해 합성된 은 나노입자를 추출하였다. 합성된 은 나노입자는 약 5nm의 크기를 갖는 것을 확인할 수 있었다.
상기 실시예 1에 의하여 제조된 은 나노입자의 TEM 사진은 도 1과 같았다. 도 1에 나타난 바와 같이, 10nm 이하의 크기를 갖는 균일한 나노입자가 형성되었음을 확인할 수 있었다.
또한, 상기 실시예 1에 의하여 제조된 은 나노입자의 PXRD 분석 결과 그래프를 도 2에 도시하였다. 도 2에 나타난 바와 같이, 면심입방 구조의 은 나노입자가 생성되었음을 확인하였다.
아울러, 상기 실시예 1 에 의하여 제조된 은 나노입자의 유기물 함량을 분석한 TGA (thermogravimetric anlaysis) 분석 그래프는 도 3가 같았다. 도 3에 나타난 바와 같이, 상기 은 나노입자의 유기물 함량, 즉 캐핑분자의 함량은 15wt%로 나타났다. 또한, 나노입자의 크기가 1nm 에서 20nm로 변할 때 유기물의 함량은 30wt%에서 5wt%까지 감소함을 알 수 있었다. 또한, 합성된 은 나노입자는 매우 높은 분산안정성을 보여주었다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 실시예 1에 의하여 제조된 은 나노입자의 TEM 분석 사진이다.
도 2는 실시예 1에 의하여 제조된 은 나노입자의 PXRD 분석 결과 그래프이다.
도 3은 실시예 1에 의하여 제조된 은 나노입자의 유기물함량을 분석한 TGA 그래프이다.

Claims (18)

  1. 은, 금 및 팔라듐 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속의 전구체를 알킬아민을 이용하여 해리하는 단계;
    상기 해리된 금속 전구체를 환원하는 단계; 및
    알킬아민으로 캐핑된 금속 나노입자를 분리하는 단계;
    를 포함하는 금속 나노입자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속 전구체는 은 전구체인 금속 나노입자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 은 전구체는 질산은, 아세트산은 및 산화은으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 하나인 금속 나노입자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 금속 전구체는 알킬아민에 대하여 0.1 내지 1 몰비로 혼합되는 금속 나 노입자의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 해리 단계는 탄소수 10 내지 20인 알킬아민을 이용하여 60 내지 150℃에서 금속 전구체를 해리시키는 것인 금속 나노입자의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 알킬아민은 데실아민 (decylamine), 도데실아민(dodecylamine), 테트라데실아민 (tetradecylamine), 헥사데실아민 (hexadecylamine), 옥타데실아민 (octadecylamine) 및 올레일아민(oleylamine)으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 하나인 금속 나노입자의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 해리 단계는 탄소수 2 내지 8인 알킬아민을 추가적으로 첨가하여 상온 내지 150℃에서 금속 전구체를 해리시키는 것인 금속 나노입자의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 탄소수 2 내지 8인 알킬아민은 에틸아민, 프로필아민, 부틸아민, 헥실아민 및 옥틸아민으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나인 금속 나노입자의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 알킬아민은 금속 전구체에 대하여 1 내지 10 몰비로 혼합되는 금속 나노입자의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 해리 단계에서 비극성 용매를 더 첨가하는 금속 나노입자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 비극성 용매는 톨루엔 (toluene), 헥산 (hexane), 시클로헥산 (cyclohexane), 데칸 (decane), 도데칸 (dodecane), 테트라데칸 (tetradecane), 헥사데칸 (hexadecane), 옥타데칸 (octadecane) 및 옥타데센 (octadecene)으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나인 금속 나노입자의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 비극성 용매는 금속 전구체에 대하여 1 내지 100 몰비로 혼합되는 금속 나노입자의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 환원 단계는 환원제 또는 촉매를 첨가하여 환원하는 것인 금속 나노입자의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 환원제는 포름산, 암모늄포르메이트 (ammonium formate), 디메틸아민보란 (dimethylamine borane), 터-부틸아민보란 (ter-butylamine borane), 및 트리에틸아민보란 (triethylamine borane)으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나인 금속 나노입자의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 환원제는 금속 전구체에 대하여 1 내지 4 몰비로 혼합되는 금속 나노입자의 제조방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 촉매는 Sn, Cu, Fe, Mg 및 Zn로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나인 금속 나노입자의 제조방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 촉매는 금속 전구체에 대하여 0.05 내지 0.5 몰비로 혼합되는 금속 나노입자의 제조방법.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 금속 나노입자의 분리 단계는 메탄올 또는 아세톤을 이용하여 분리하는 것인 금속 나노입자의 제조방법.
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