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KR20080113998A - Active matrix organic light emitting display device and driving method thereof - Google Patents

Active matrix organic light emitting display device and driving method thereof Download PDF

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KR20080113998A
KR20080113998A KR1020070063127A KR20070063127A KR20080113998A KR 20080113998 A KR20080113998 A KR 20080113998A KR 1020070063127 A KR1020070063127 A KR 1020070063127A KR 20070063127 A KR20070063127 A KR 20070063127A KR 20080113998 A KR20080113998 A KR 20080113998A
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KR
South Korea
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voltage
transistor
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light emitting
capacitor
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KR1020070063127A
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Korean (ko)
Inventor
김인환
변승찬
이정윤
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은, 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치에 있어서, 트랜지스터 각각이 공정 편차 등에 의하여 표시 패널 전면에 걸쳐 그 특성이 균일하지 않아짐과 아울러 잔류 DC 차지에 의하여 화질이 저하되는 문제를 해결하기 위하여, In the active matrix organic light emitting diode display, in order to solve the problem that each transistor is not uniform in its characteristics across the entire display panel due to process variation, and the image quality is degraded due to residual DC charge,

화소셀이 인가되는 전류에 의해 대응하여 빛을 방출하는 발광 소자와, 제 1 게이트 라인으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 게이트 라인으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 제 3 노드와 제 2 전압 공급 라인 사이에 연결된 제 2 트랜지스터와, 발광 제어 라인으로부터 공급되는 발광 제어 신호에 의하여 제어되며 제 1 전압 공급 라인과 제 1 노드 사이에 접속된 제 3 트랜지스터와, 게이트 전극이 제 2 노드에 접속되며 상기 제 1 노드와 상기 발광 소자 사이에 접속된 제 4 트랜지스터와, 제 2 게이트 라인으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 상기 데이터 라인과 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 5 트랜지스터와, 상기 제 2 노드 및 제 3 노드 사이에 접속된 제 1 커패시터를 포함하는 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치를 제공한다.A light emitting device that emits light correspondingly by a current to which the pixel cell is applied, a first transistor controlled by a scan signal supplied from a first gate line, and connected between a first node and a second node, and the first A second transistor controlled by a scan signal supplied from the gate line and connected between the third node and the second voltage supply line, and controlled by an emission control signal supplied from the emission control line, the first voltage supply line and the first node A third transistor connected therebetween, a gate electrode connected to a second node, a fourth transistor connected between the first node and the light emitting element, and controlled by a scan signal supplied from a second gate line; A fifth transistor connected between a line and the third node, and connected between the second node and a third node Provided is an active matrix organic light emitting display device including a first capacitor.

Description

액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법{Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display Device and Driving Method Thereof}Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display Device and Driving Method Thereof}

도1은 종래의 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 구성도.1 is a configuration diagram showing the configuration of a conventional active matrix organic light emitting display device.

도2는 종래의 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치에서 화소셀의 구성을 나타낸 회로도.2 is a circuit diagram showing the configuration of a pixel cell in a conventional active matrix organic light emitting display device.

도3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 회로도.3 is a circuit diagram showing the configuration of an active matrix organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention;

도4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 타이밍 차트.4 is a timing chart of an active matrix organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention;

도5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 회로도.5 is a circuit diagram illustrating a configuration of an active matrix organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention;

도6은 종래의 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치와 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 입력 전압에 따른 발광 소자의 출력 전류를 도시한 그래프.6 is a graph illustrating output currents of light emitting devices according to input voltages of a conventional active matrix organic light emitting display device and an active matrix organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 > <Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

GL1 내지 GLn : 게이트 라인 DL1 내지 DLm : 데이터 라인GL1 to GLn: gate lines DL1 to DLm: data lines

PXL : 화소셀 OLED : 발광 소자PXL: pixel cell OLED: light emitting element

12 : 화소 영역 20 : 게이트 드라이버12: pixel region 20: gate driver

30 : 데이터 드라이버 VDD : 구동 전압 30: data driver VDD: driving voltage

VSS : 기저 전압 VDL : 구동 전압 공급 라인VSS: Base voltage VDL: Drive voltage supply line

VSL : 기저 전압 공급 라인 TDR : 구동 트랜지스터VSL: ground voltage supply line T DR : drive transistor

TSW : 스위칭 트랜지스터 Cst : 커패시터T SW : Switching Transistor Cst: Capacitor

GLa : 제 1 게이트 라인 GLb : 제 2 게이트 라인 GLa: first gate line GLb: second gate line

DL : 데이터 라인 V1L : 제 1 전압 공급 라인 DL: data line V1L: first voltage supply line

V2L : 제 2 전압 공급 라인 EML : 발광 제어 라인 V2L: second voltage supply line EML: light emission control line

T1 내지 T5 : 제 1 내지 제 5 트랜지스터 T1 to T5: first to fifth transistors

N1 내지 N3 : 제 1 내지 제 3 노드 N1 to N3: first to third nodes

Vth_T4 : 제 4 트랜지스터의 문턱 전압 Vth_T4: Threshold voltage of the fourth transistor

I_OLED : 발광소자에 흐르는 전류 EM : 발광 제어 신호 I_OLED: Current flowing through the light emitting device EM: Light emission control signal

142 : 제 1 커패시터의 제 1 전극 144 : 제 1 커패시터의 제 2 전극 142: first electrode of the first capacitor 144: second electrode of the first capacitor

146 : 제 2 커패시터의 제 1 전극 148 : 제 2 커패시터의 제 2 전극 146: first electrode of the second capacitor 148: second electrode of the second capacitor

본 발명은 액티브 매트릭스형 유기 발광 표시 장치(AMOLED : Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display Device)에 관한 것으로, 보다 자세히는 트랜지스터의 문턱전압에 기인한 화질 저하를 방지한 액티브 매트릭스형 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix organic light emitting diode display device (AMOLED), and more particularly, to an active matrix organic light emitting display device which prevents deterioration of image quality due to a threshold voltage of a transistor and its It relates to a driving method.

정보화 사회의 발전에 따라, 종래의 CRT(Cathode Ray Tube)가 가지는 무거운 중량과 큰 부피와 같은 단점들을 개선한, 새로운 영상 표시 장치의 개발이 요구되고 있으며, With the development of the information society, it is required to develop a new image display device that improves disadvantages such as heavy weight and large volume of the conventional CRT (Cathode Ray Tube).

이에 따라, LCD(Liquid Crystal Display Device, 액정 표시 장치), 유기 발광 표시 장치(OLED : Organic Light Emitting Diode Display Device), PDP(Plasma Panel Display Device), SED(Surface-conduction Electron-emitter Display Device)등과 같은 여러 가지 평판 표시 장치들이 주목받고 있다.Accordingly, liquid crystal display devices (LCDs), organic light emitting diode display devices (OLEDs), plasma panel display devices (PDPs), surface-conduction electron-emitter display devices (SEDs), and the like. The same various flat panel display devices are attracting attention.

그 중 유기 발광 표시 장치는 전자와 정공의 재결합(recombination)으로 형광체를 발광시키는 자발광 소자인 유기 발광 다이오드를 이용한 것으로, 콘트라스트 비(Contrast Ratio)와 응답 속도(response time) 등의 표시 특성이 우수하며, 플렉서블 디스플레이(Flexible Display)의 구현이 용이하여 가장 이상적인 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.Among them, the organic light emitting diode display uses an organic light emitting diode, which is a self-luminous device that emits phosphors by recombination of electrons and holes, and has excellent display characteristics such as contrast ratio and response time. In addition, since it is easy to implement a flexible display, it is attracting attention as an ideal next generation display.

유기 발광 표시 장치는 구동 방식에 따라, 행과 열로 이루어진 전극의 행렬 단위로 픽셀을 제어하는 패시브 매트릭스(Passive Matrix) 방식과, 각 셀마다 구비된 스위칭 소자를 이용하여 픽셀을 제어하는 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로 구분되며, According to a driving method, an organic light emitting diode display includes a passive matrix method for controlling pixels by a matrix unit of electrodes composed of rows and columns, and an active matrix for controlling pixels using switching elements provided for each cell. Matrix),

특히, 고해상도를 구현하기 위하여서는 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장 치가 패시브 매트릭스 유기 발광 표시 장치에 비하여 유리한 점을 가지고 있다. In particular, in order to achieve high resolution, an active matrix organic light emitting display device has an advantage over a passive matrix organic light emitting display device.

도1은 종래의 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a configuration of a conventional active matrix organic light emitting display device.

도1과 같이 종래의 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치는 복수의 게이트 라인(GL1 내지 GLn) 및 상기 게이트 라인과 교차하여 화소 영역(12)을 정의하는 복수의 데이터 라인(DL1 내지 DLm)과, 상기 화소 영역(12)에 구비된 복수의 화소셀(PXL)을 가지는 표시 패널(10)과, 상기 게이트 라인(GL1 내지 GLn)들을 구동하기 위한 스캔 신호를 공급하는 게이트 드라이버(20)과, 상기 데이터 라인(DL1 내지 DLm)으로 데이터 신호를 공급하는 데이터 드라이버(30)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, a conventional active matrix organic light emitting diode display includes a plurality of gate lines GL1 through GLn and a plurality of data lines DL1 through DLm defining a pixel region 12 by crossing the gate lines, and the pixels. A display panel 10 having a plurality of pixel cells PXL provided in an area 12, a gate driver 20 supplying a scan signal for driving the gate lines GL1 to GLn, and the data line And a data driver 30 for supplying a data signal to the DL1 to DLm.

상기 화소셀(PXL) 각각은 상기 게이트 라인 및 데이터 라인에 접속되며, 상기 게이트 라인으로부터 공급되는 스캔 신호에 따라 상기 데이터 라인으로부터 데이터 신호를 공급받아 상기 화소셀(PXL)을 구동하여 화상을 구현한다.Each of the pixel cells PXL is connected to the gate line and the data line, receives a data signal from the data line according to a scan signal supplied from the gate line, and drives the pixel cell PXL to implement an image. .

상기 화소셀(PXL)은 도2에 도시된 바와 같이, 구동전압(VDD)을 공급하는 구동전압 공급라인(VDL)과, 기저전압(VSS)에 연결된 기저전압 공급라인(VSL) 사이에 접속된 발광소자(OLED)와, 상기 발광소자(OLED)를 구동하기 위한 화소회로(40)를 구비한다.As illustrated in FIG. 2, the pixel cell PXL is connected between a driving voltage supply line VDL for supplying a driving voltage VDD and a ground voltage supply line VSL connected to a ground voltage VSS. The light emitting device OLED and the pixel circuit 40 for driving the light emitting device OLED are provided.

상기 발광소자(OLED)는, 애노드(anode) 전극이 상기 화소회로(40)에 전기적으로 접속되고 캐소드(cathode) 전극은 기저전압 공급라인(VSL)에 전기적으로 접속되며, 화소회로(40)로부터 공급된 데이터 신호에 대응되는 전류에 따라 발광하게 된다.In the light emitting device OLED, an anode electrode is electrically connected to the pixel circuit 40 and a cathode electrode is electrically connected to a ground voltage supply line VSL. The light is emitted in accordance with the current corresponding to the supplied data signal.

화소회로(40)는 자신의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압에 따라 데이터 신호에 대응되는 전류를 발광소자(OLED)로 공급하는 구동 트랜지스터(TDR)와, 게이트 라인(GL)에 공급되는 스캔 펄스에 따라 데이터 라인(DL) 상의 데이터 신호를 구동 트랜지스터(TDR)의 게이트 전극에 공급하는 스위칭 트랜지스터(TSW)와, 구동 트랜지스터(TDR)의 게이트-소스간에 접속되어 스위칭 트랜지스터(TSW)로부터 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장하는 커패시터(Cst)를 구비한다.The pixel circuit 40 includes a driving transistor T DR that supplies a current corresponding to the data signal to the light emitting device OLED according to a voltage between its gate electrode and the source electrode, and a scan pulse supplied to the gate line GL. a switching transistor (T SW), and a gate of the driving transistor (T DR) for supplying a data signal on the data line (DL) to the gate electrode of the driving transistor (T DR) in accordance with-connected between a source switching transistor (T SW) And a capacitor Cst for storing a voltage corresponding to the data signal supplied from the data signal.

여기서, 구동 트랜지스터(TDR) 및 스위칭 트랜지스터(TSW)는 P타입 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이다.Here, the driving transistor T DR and the switching transistor T SW are P-type metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs).

스위칭 트랜지스터(TSW)의 소스 전극은 데이터 라인(DL)에 전기적으로 접속되고, 스위칭 트랜지스터(TSW)의 드레인 전극은 구동 트랜지스터(TDR)의 게이트 전극에 전기적으로 접속된다. 또한, 스위칭 트랜지스터(TSW)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)에 전기적으로 접속된다.The source electrode of the switching transistor T SW is electrically connected to the data line DL, and the drain electrode of the switching transistor T SW is electrically connected to the gate electrode of the driving transistor T DR . In addition, the gate electrode of the switching transistor T SW is electrically connected to the gate line GL.

구동 트랜지스터(TDR)의 소스 전극은 구동전압 공급라인(VDL)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 발광소자(OLED)의 애노드 전극에 전기적으로 접속된다. 또한, 구동 트랜지스터(TDR)의 게이트 전극은 스위칭 트랜지스터(TSW)의 드레인 전극에 전기적으로 접속된다. 이러한, 구동 트랜지스터(TDR)는 게이트 전극으로 공급되 는 데이터 신호에 응답하여 구동전압 공급라인(VDL)으로부터 발광소자(OLED)에 공급되는 전류량(I_OLED)을 제어함으로써 발광소자(OLED)의 발광량을 조절한다.The source electrode of the driving transistor T DR is electrically connected to the driving voltage supply line VDL, and the drain electrode is electrically connected to the anode electrode of the light emitting device OLED. In addition, the gate electrode of the driving transistor T DR is electrically connected to the drain electrode of the switching transistor T SW . The driving transistor T DR controls the amount of light emitted from the light emitting element OLED by controlling the amount of current I_OLED supplied from the driving voltage supply line VDL to the light emitting element OLED in response to a data signal supplied to the gate electrode. Adjust

상기 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(TDR)의 게이트 전극과 스위칭 트랜지스터(TSW)의 드레인 전극에 접속된 제 1 노드(N1)와 구동전압 공급라인(VDL)간에 전기적으로 접속된다. 이러한 커패시터(Cst)는, 게이트 라인(GL)에 스캔 펄스가 공급되는 구간에 스위칭 트랜지스터(TSW)를 경유하여 상기 제 1 노드(N1)상에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장한 후, 스위칭 트랜지스터(TSW)가 턴-오프(turn-off)되면 저장된 전압을 이용하여 구동 트랜지스터(TDR)의 턴-온 상태를 한 프레임동안 유지시킨다.The capacitor Cst is electrically connected between the first node N1 and the driving voltage supply line VDL connected to the gate electrode of the driving transistor T DR and the drain electrode of the switching transistor T SW . The capacitor Cst stores a voltage corresponding to the data signal supplied to the first node N1 via the switching transistor T SW in a section in which a scan pulse is supplied to the gate line GL. When the switching transistor T SW is turned off, the turned-on state of the driving transistor T DR is maintained for one frame by using the stored voltage.

이와 같은 화소셀(PXL)의 구동방법을 설명하면 다음과 같다.The driving method of the pixel cell PXL is as follows.

먼저, 게이트 라인(GL)에 공급되는 로우 상태의 스캔 펄스에 의해 스위칭 트랜지스터(TSW)가 턴-온됨으로서 데이터 라인(DL) 상의 데이터 신호가 스위칭 트랜지스터(TSW)를 경유하여 제 1 노드(N1) 상에 공급된다. First, the switching transistor T SW is turned on by a scan pulse in a low state supplied to the gate line GL, so that a data signal on the data line DL passes through the switching transistor T SW . Supplied to N1).

다음으로, 제 1 노드(N1)에 공급된 데이터 신호에 의해 구동 트랜지스터(TDR)가 턴-온되어지고, 구동전압 공급라인(VDL)으로부터 데이터 신호에 대응되는 전류가 구동 트랜지스터(TDR)를 경유하여 발광소자(OLED)에 공급된다. Next, the driving transistor T DR is turned on by the data signal supplied to the first node N1, and a current corresponding to the data signal from the driving voltage supply line VDL is driven by the driving transistor T DR . It is supplied to the light emitting device (OLED) via the.

이에 따라, 발광소자(OLED)는 구동 트랜지스터(TDR)로부터 공급되는 전류에 상응하는 밝기로 발광하게 된다. 이와 동시에, 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1) 상에 공급된 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장한다.Accordingly, the light emitting device OLED emits light with brightness corresponding to the current supplied from the driving transistor T DR . At the same time, the capacitor Cst stores a voltage corresponding to the data signal supplied on the first node N1.

다음으로, 게이트 라인(GL)에 공급되는 로우 상태의 스캔 펄스가 하이 상태로 천이됨으로써 스위칭 트랜지스터(TSW)가 턴-오프 된다. 스위칭 트랜지스터(TSW)가 턴-오프되면 커패시터(Cst)는 저장된 데이터 신호에 대응되는 전압을 이용하여 구동 트랜지스터(TDR)의 턴-온 상태를 한 프레임동안 유지시키게 된다. 이에 따라, 발광소자(OLED)는 커패시터(Cst)에 의해 턴-온 상태가 유지되는 구동 트랜지스터(TDR)를 통해 구동전압 공급라인(VDL)으로부터 공급되는 전류에 의하여 한 프레임동안 발광하게 된다.Next, the switching transistor T SW is turned off because the scan pulse in the low state supplied to the gate line GL transitions to the high state. When the switching transistor T SW is turned off, the capacitor Cst maintains the turn-on state of the driving transistor T DR for one frame by using a voltage corresponding to the stored data signal. Accordingly, the light emitting device OLED emits light for one frame by the current supplied from the driving voltage supply line VDL through the driving transistor T DR , which is turned on by the capacitor Cst.

그러나, 이와 같은 종래의 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치는 공정간 발생하는 편차로 인하여, 구동 트랜지스터 및 스위칭 트랜지스터 각각의 문턱 전압(Vth:Threshold Voltage)이나 전하 캐리어 이동도(charge carrier mobility), 누설 전류(leakage current) 및 디바이스 안정성(device stability) 등과 같은 특성들이 표시 패널 전면에 걸쳐 균일하지 않아서 화질이 불균일해지는 문제점이 있었다.However, such a conventional active matrix organic light emitting display device has a threshold voltage (Vth: Threshold Voltage), a charge carrier mobility, and a leakage current of each of the driving transistor and the switching transistor due to the variation occurring between processes. Characteristics such as leakage current and device stability are not uniform across the display panel, resulting in uneven image quality.

또한, 잔류 DC 차지(residue of DC charge)에 의하여, 구동 트랜지스터가 열화(degradation)됨과 아울러 잔상(image sticking)이 발생하는 문제점이 있었다.In addition, there is a problem in that the driving transistor is degraded and image sticking occurs due to the residual DC charge.

또한, 잔류 DC 차지때문에 구동 트랜지스터에 흐르는 전류가 공급되는 전압 에 대하여 선형성(linearity)을 가지지 못하여, 구동 트랜지스터를 정밀하게 제어하는 것이 곤란하다는 문제점이 있었다.In addition, there is a problem in that it is difficult to precisely control the driving transistor because the residual DC charge does not have linearity with respect to the voltage supplied with the current flowing through the driving transistor.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 각 화소셀의 발광소자를 구동시키는 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상함과 아울러, 각 화소셀에 존재하는 잔류 DC 차지를 제거할 수 있는 액티브 매트릭스 유기 발광 다이오드 및 그의 구동방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention has been made to solve such a problem, and an active matrix that compensates the threshold voltage of a driving transistor for driving the light emitting device of each pixel cell and can remove residual DC charge present in each pixel cell. An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode and a driving method thereof.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치는, In order to achieve the above technical problem, an active matrix organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention,

복수의 제 1 게이트 라인 및 제 2 게이트 라인과, 상기 제 1 게이트 라인 및 제 2 게이트 라인과 교차하여 화소 영역을 정의하는 복수의 데이터 라인과, 제 1 전압을 공급하는 복수의 제 1 전압 공급 라인 및 제 2 전압을 공급하는 복수의 제 2 전압 공급 라인과, 상기 화소 영역마다 구비된 복수의 화소셀과, 각각의 화소셀에 접속되는 복수의 발광 제어 라인을 가지며, A plurality of first gate lines and second gate lines, a plurality of data lines crossing the first gate line and the second gate line to define a pixel region, and a plurality of first voltage supply lines supplying a first voltage And a plurality of second voltage supply lines for supplying a second voltage, a plurality of pixel cells provided for each pixel region, and a plurality of light emission control lines connected to each pixel cell,

상기 화소셀은 인가되는 전류에 의해 대응하여 빛을 방출하는 발광 소자와, 상기 제 1 게이트 라인으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 게이트 라인으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 제 3 노드와 제 2 전압 공급 라인 사이에 연결된 제 2 트랜지스터와, 상기 발광 제어 라인으로부터 공급되는 발광 제어 신호에 의하여 제어되며, 제 1 전압 공급 라인과 제 1 노드 사이에 접속된 제 3 트랜지 스터와, 게이트 전극이 제 2 노드에 접속되며 상기 제 1 노드와 상기 발광 소자 사이에 접속된 제 4 트랜지스터와, 상기 제 2 게이트 라인으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 상기 데이터 라인과 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 5 트랜지스터와, 제 1 전극이 상기 제 2 노드에 접속되고 제 2 전극이 상기 제 3 노드에 접속된 제 1 커패시터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The pixel cell may include a light emitting device that emits light corresponding to an applied current, a first transistor controlled by a scan signal supplied from the first gate line, and connected between a first node and a second node; A second transistor controlled by a scan signal supplied from a first gate line and connected between a third node and a second voltage supply line, and controlled by an emission control signal supplied from the emission control line, the first voltage supply line A third transistor connected between the first node and the first node, a fourth transistor connected between the first node and the light emitting element, the gate electrode being connected to the second node, and a scan supplied from the second gate line A fifth transistor controlled by a signal and connected between the data line and the third node; And a first capacitor connected to the second node and a second electrode connected to the third node.

또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치는, 제 1 전극이 상기 제 2 전압 공급 라인에 접속되며 제 2 전극이 상기 제 3 노드에 접속되어 상기 제 2 트랜지스터와 병렬로 연결된 제 2 커패시터를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the active matrix organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention, a first electrode is connected to the second voltage supply line and a second electrode is connected to the third node in parallel with the second transistor. It further comprises a second capacitor connected.

즉, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치는, 상기 제 2 트랜지스터와 병렬로 연결된 제 2 커패시터를 더 구비하여 한 프레임동안 안정적으로 발광 소자에 전류가 공급될 수 있도록 하는 효과를 가진다.That is, the active matrix organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention further includes a second capacitor connected in parallel with the second transistor so that the current can be stably supplied to the light emitting device for one frame. Has

다음으로, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명하기로 한다.Next, an active matrix organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치에서 화소셀(PXL)을 나타낸 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating a pixel cell PXL in an active matrix organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

또한, 도4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 타이밍 차트(Timing Chart)이다.4 is a timing chart of an active matrix organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도3에 나타난 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치는, As shown in FIG. 3, the active matrix organic light emitting diode display according to the first exemplary embodiment of the present invention,

복수의 제 1 게이트 라인(GLa) 및 제 2 게이트 라인(GLb)과, 상기 제 1 게이트 라인(GLa) 및 제 2 게이트 라인(GLb)과 교차하여 화소 영역을 정의하는 복수의 데이터 라인(DL)과, 제 1 전압(V1)을 공급하는 복수의 제 1 전압 공급 라인(V1L) 및 제 2 전압(V2)을 공급하는 복수의 제 2 전압 공급 라인(V2L)과, 상기 화소 영역마다 구비된 복수의 화소셀(PXL)과, 각각의 화소셀(PXL)에 접속되는 복수의 발광 제어 라인(EML)을 가지며, A plurality of data lines DL crossing the first gate line GLa and the second gate line GLb and the first gate line GLa and the second gate line GLb to define pixel regions. And a plurality of first voltage supply lines V1L for supplying the first voltage V1 and a plurality of second voltage supply lines V2L for supplying the second voltage V2, and a plurality of pixels provided for each pixel region. Pixel cells PXL and a plurality of emission control lines EML connected to each pixel cell PXL,

상기 화소셀(PXL)은 인가되는 전류에 의해 대응하여 빛을 방출하는 발광 소자(OLED)와, 상기 제 1 게이트 라인(GLa)으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 접속된 제 1 트랜지스터(T1)와, 상기 제 1 게이트 라인(GLa)으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 제 3 노드(N3)와 제 2 전압 공급 라인(V2L) 사이에 연결된 제 2 트랜지스터(T2)와, 상기 발광 제어 라인(EML)으로부터 공급되는 발광 제어 신호(EM)에 의하여 제어되며, 제 1 전압 공급 라인(V1L)과 제 1 노드(N1) 사이에 접속된 제 3 트랜지스터(T3)와, 게이트 전극이 제 2 노드(N2)에 접속되며 상기 제 1 노드(N1)와 상기 발광 소자(OLED) 사이에 접속된 제 4 트랜지스터(T4)와, 상기 제 2 게이트 라인(GLb)으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 상기 데이터 라인(DL)과 상기 제 3 노드(N3) 사이에 접속된 제 5 트랜지스터(T5)와, 제 1 전극(142)이 상기 제 2 노드(N2)에 접속되고 제 2 전극(144)이 상기 제 3 노드(N3)에 접속된 제 1 커패시터(C1)를 포함하여 구성된다.The pixel cell PXL is controlled by a light emitting device OLED that emits light corresponding to an applied current, and is controlled by a scan signal supplied from the first gate line GLa. The first transistor T1 connected between the two nodes N2 and the scan signal supplied from the first gate line Gla are controlled between the third node N3 and the second voltage supply line V2L. A second transistor T2 connected to the second transistor T2 and a light emission control signal EM supplied from the light emission control line EML, and connected between the first voltage supply line V1L and the first node N1. A third transistor T3 and a gate electrode connected to a second node N2 and a fourth transistor T4 connected between the first node N1 and the light emitting element OLED, and the second gate It is controlled by the scan signal supplied from the line GLb and the data line DL. The fifth transistor T5 connected between the third node N3, the first electrode 142 is connected to the second node N2, and the second electrode 144 is connected to the third node N3. It comprises a first capacitor (C1) connected to.

다음에서 도3 및 도4를 참조로 하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치에서 화소셀(PXL)의 동작에 대하여 설명하기로 한다.Next, an operation of the pixel cell PXL in the active matrix organic light emitting diode display according to the first exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

먼저, 제 1 게이트 라인(GLa)에 제 1 논리 상태의 스캔 신호를 공급하여 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 2 트랜지스터(T2)를 턴-온함과 동시에, 발광 제어 라인(EML)을 통해 공급되는 제 1 논리 상태의 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 제 3 트랜지스터(T3)를 턴-온한다. First, the scan signal of the first logic state is supplied to the first gate line GLa to turn on the first transistor T1 and the second transistor T2 and supplied through the emission control line EML. The third transistor T3 is turned on in response to the light emission control signal EM in the first logic state.

이 때, 제 1 전압(V1)이 제 3 트랜지스터(T3)을 통해 제 1 노드(N1)에 공급되고, 상기 제 1 노드(N1)에 공급된 전압은 제 1 트랜지스터(T1)를 통해 제 2 노드(N2)에 공급된다. At this time, the first voltage V1 is supplied to the first node N1 through the third transistor T3, and the voltage supplied to the first node N1 is second through the first transistor T1. It is supplied to the node N2.

동시에, 제 2 전압 공급 라인(V2L)을 통해 상기 제 1 전압과 동일한 값을 가지는 제 2 전압(V2)이 제 2 트랜지스터(T2)를 통해 제 3 노드(N3)에 공급되도록 한다.At the same time, the second voltage V2 having the same value as the first voltage is supplied to the third node N3 through the second transistor T2 through the second voltage supply line V2L.

즉, 제 1 커패시터(C1)의 제 1 전극(142)은 제 2 노드(N2)에 접속되어 제 1 전압이 가해지고, 제 1 커패시터(C1)의 제 2 전극(144)은 제 3 노드(N3)와 접속되어 상기 제 1 전압과 동일한 값을 가지는 제 2 전압이 가해지므로, 양 전극에 걸리는 전압이 동일하여 리셋(reset) 상태가 된다.That is, the first electrode 142 of the first capacitor C1 is connected to the second node N2 to apply a first voltage, and the second electrode 144 of the first capacitor C1 is connected to the third node ( Since a second voltage connected to N3) and having the same value as that of the first voltage is applied, the voltage applied to both electrodes is the same and thus is in a reset state.

이와 같이, 제 1 커패시터(C1)가 리셋된 후, 다음으로 상기 제 2 전압 공급 라인(V2L)을 통해 기저 전압(VSS)으로 천이된 제 2 전압을 공급한다.In this manner, after the first capacitor C1 is reset, a second voltage transitioned to the base voltage VSS is supplied through the second voltage supply line V2L.

이 때, 제 4 트랜지스터(T4)는 다이오드 연결 상태가 되므로, 기저 전압을 공급받은 제 3 노드(N3)에 제 1 커패시터(C1)의 제 2 전극이 접속되므로, 상기 제 4 트랜지스터(T4)의 문턱 전압(Vth_T4)이 상기 제 1 커패시터(C1) 저장된다.In this case, since the fourth transistor T4 is in a diode-connected state, the second electrode of the first capacitor C1 is connected to the third node N3 supplied with the base voltage, so that the fourth transistor T4 A threshold voltage Vth_T4 is stored in the first capacitor C1.

다음으로, 제 1 게이트 라인으로 공급되는 스캔 신호가 제 2 논리 상태가 되면 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 2 트랜지스터(T2)가 턴-오프됨과 아울러, 발광 제어 라인을 통해 공급되는 제 2 논리 상태의 발광 제어 신호에 응답하여 제 3 트랜지스터 역시 턴-오프된다.Next, when the scan signal supplied to the first gate line is in the second logic state, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned off, and the second logic state is supplied through the emission control line. The third transistor is also turned off in response to the emission control signal of.

다음으로, 제 2 게이트 라인에 제 1 논리 상태의 스캔 신호가 입력되면 이에 응답하여 제 5 트랜지스터(T5)가 턴-온 되고, 데이터 라인(DL)에서 공급되는 데이터 신호가 상기 제 5 트랜지스터(T5)를 통해 제 3 노드(N3)에 공급된다.Next, when the scan signal of the first logic state is input to the second gate line, the fifth transistor T5 is turned on in response to the input signal, and the data signal supplied from the data line DL is supplied to the fifth transistor T5. Is supplied to the third node N3.

이 때, 상기 제 1 커패시터(C1)에는 상기 데이터 신호에 대응되는 데이터 전압(Vdata)이 추가로 저장되며, 이 때 저장된 전압은 다음 식과 같이 표현된다.In this case, a data voltage Vdata corresponding to the data signal is additionally stored in the first capacitor C1, and the stored voltage is expressed as follows.

Figure 112007046494907-PAT00001
Figure 112007046494907-PAT00001

다음으로, 제 2 게이트 라인을 통해 제 2 논리 상태의 스캔 신호가 입력되면 제 5 트랜지스터(T5)는 턴-오프됨과 아울러, 다시 발광 제어 라인을 통해 공급되는 제 1 논리 상태의 발광 제어 신호에 의하여 제 3 트랜지스터가 다시 턴-온 된다.Next, when the scan signal of the second logic state is input through the second gate line, the fifth transistor T5 is turned off and again by the light emission control signal of the first logic state supplied through the light emission control line. The third transistor is turned on again.

이와 같이, 턴-온된 제 3 트랜지스터를 통해 공급되는 제 1 전압은, 상기 제 1 커패시터에 저장된 전압에 의하여 한 프레임동안 구동되는 제 4 트랜지스터(T4)를 통해 상기 발광소자(OLED)에 전류를 공급하여 한 프레임동안 발광하게 된다.As such, the first voltage supplied through the turned-on third transistor supplies current to the light emitting device OLED through the fourth transistor T4 driven for one frame by the voltage stored in the first capacitor. To emit light for one frame.

이와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치는, 제 1 커패시터를 리셋시킨 후 화소셀(PXL)을 구동하므로, 이전 구동 단계 에서 화소셀에 남아 있던 잔류 DC 차지를 제거하여 구동함으로써,As described above, the active matrix organic light emitting diode display according to the first exemplary embodiment of the present invention drives the pixel cell PXL after resetting the first capacitor, thereby removing the residual DC charge remaining in the pixel cell in the previous driving step. By driving

잔류 DC 차지에 의하여 잔상이 남는 문제를 해결할 수 있는 효과를 제공한다.It provides an effect that can solve the problem of remaining afterimage due to the residual DC charge.

다음으로 도5를 참조로 하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명하기로 한다.Next, an active matrix organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5.

도5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 회로도이다.5 is a circuit diagram illustrating a configuration of an active matrix organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

도5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치는, As shown in FIG. 5, an active matrix organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention

복수의 제 1 게이트 라인(GLa) 및 제 2 게이트 라인(GLb)과, 상기 제 1 게이트 라인(GLa) 및 제 2 게이트 라인(GLb)과 교차하여 화소 영역을 정의하는 복수의 데이터 라인(DL)과, 제 1 전압(V1)을 공급하는 복수의 제 1 전압 공급 라인(V1L) 및 제 2 전압(V2)을 공급하는 복수의 제 2 전압 공급 라인(V2L)과, 상기 화소 영역마다 구비된 복수의 화소셀(PXL)과, 각각의 화소셀(PXL)에 접속되는 복수의 발광 제어 라인(EML)을 가지며, A plurality of data lines DL crossing the first gate line GLa and the second gate line GLb and the first gate line GLa and the second gate line GLb to define pixel regions. And a plurality of first voltage supply lines V1L for supplying the first voltage V1 and a plurality of second voltage supply lines V2L for supplying the second voltage V2, and a plurality of pixels provided for each pixel region. Pixel cells PXL and a plurality of emission control lines EML connected to each pixel cell PXL,

상기 화소셀(PXL)은 인가되는 전류에 의해 대응하여 빛을 방출하는 발광 소자(OLED)와, 상기 제 1 게이트 라인(GLa)으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 접속된 제 1 트랜지스터(T1)와, 상기 제 1 게이트 라인(GLa)으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 제 3 노드(N3)와 제 2 전압 공급 라인(V2L) 사이에 연결된 제 2 트랜지스터(T2)와, 상기 발광 제어 라인(EML)으로부터 공급되는 발광 제어 신호(EM)에 의하여 제어되며, 제 1 전압 공급 라인(V1L)과 제 1 노드(N1) 사이에 접속된 제 3 트랜지스터(T3)와, 게이트 전극이 제 2 노드(N2)에 접속되며 상기 제 1 노드(N1)와 상기 발광 소자(OLED) 사이에 접속된 제 4 트랜지스터(T4)와, 상기 제 2 게이트 라인(GLb)으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 상기 데이터 라인(DL)과 상기 제 3 노드(N3) 사이에 접속된 제 5 트랜지스터(T5)와, 제 1 전극(142)이 상기 제 2 노드(N2)에 접속되고 제 2 전극(144)이 상기 제 3 노드(N3)에 접속된 제 1 커패시터(C1)와, 제 1 전극(146)이 상기 제 2 전압 공급 라인(V2L)에 접속되며 제 2 전극(148)이 상기 제 3 노드(N3)에 접속되어 상기 제 2 트랜지스터(T2)와 병렬로 연결된 제 2 커패시터(C2)를 포함하여 구성된다.The pixel cell PXL is controlled by a light emitting device OLED that emits light corresponding to an applied current, and is controlled by a scan signal supplied from the first gate line GLa. The first transistor T1 connected between the two nodes N2 and the scan signal supplied from the first gate line Gla are controlled between the third node N3 and the second voltage supply line V2L. A second transistor T2 connected to the second transistor T2 and a light emission control signal EM supplied from the light emission control line EML, and connected between the first voltage supply line V1L and the first node N1. A third transistor T3 and a gate electrode connected to a second node N2 and a fourth transistor T4 connected between the first node N1 and the light emitting element OLED, and the second gate The data line DL is controlled by a scan signal supplied from the line GLb. The fifth transistor T5 connected between the third node N3, the first electrode 142 is connected to the second node N2, and the second electrode 144 is connected to the third node N3. A first capacitor C1 connected to the first electrode 146 and a first electrode 146 connected to the second voltage supply line V2L, and a second electrode 148 connected to the third node N3. And a second capacitor C2 connected in parallel with the transistor T2.

다음으로, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스 발광 표시 장치에서 화소셀(PXL)의 동작에 대하여 설명하기로 한다.Next, an operation of the pixel cell PXL in the active matrix light emitting display device according to the second embodiment of the present invention will be described.

먼저, 제 1 게이트 라인(GLa)에 제 1 논리 상태의 스캔 신호를 공급하여 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 2 트랜지스터(T2)를 턴-온함과 동시에, 발광 제어 라인(EML)에 공급되는 제 1 논리 상태의 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 제 3 트랜지스터(T3)를 턴-온한다. First, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on by supplying a scan signal having a first logic state to the first gate line GLa, and simultaneously supplied to the emission control line EML. The third transistor T3 is turned on in response to the light emission control signal EM in one logic state.

이 때, 제 1 전압(V1)이 제 3 트랜지스터(T3)을 통해 제 1 노드(N1)에 공급되고, 상기 제 1 노드(N1)에 공급된 전압은 제 1 트랜지스터(T1)를 통해 제 2 노드(N2)에 공급된다. At this time, the first voltage V1 is supplied to the first node N1 through the third transistor T3, and the voltage supplied to the first node N1 is second through the first transistor T1. It is supplied to the node N2.

동시에, 제 2 전압 공급 라인(V2L)을 통해 상기 제 1 전압과 동일한 값을 가지는 제 2 전압(V2)이 제 2 트랜지스터(T2)를 통해 제 3 노드(N3)에 공급되도록 한다.At the same time, the second voltage V2 having the same value as the first voltage is supplied to the third node N3 through the second transistor T2 through the second voltage supply line V2L.

즉, 제 1 커패시터(C1)의 제 1 전극(142)은 제 2 노드(N2)에 접속되어 제 1 전압이 가해지고, 제 1 커패시터(C1)의 제 2 전극(144)은 제 3 노드(N3)와 접속되어 상기 제 1 전압과 동일한 값을 가지는 제 2 전압이 가해지므로, 양 전극에 걸리는 전압이 동일하여 리셋(reset) 상태가 된다.That is, the first electrode 142 of the first capacitor C1 is connected to the second node N2 to apply a first voltage, and the second electrode 144 of the first capacitor C1 is connected to the third node ( Since a second voltage connected to N3) and having the same value as that of the first voltage is applied, the voltage applied to both electrodes is the same and thus is in a reset state.

또한, 상기 제 2 트랜지스터(T2)와 병렬로 연결된 제 2 커패시터(C2) 역시, 제 2 전압 공급 라인(V2L)에 접속된 제 1 전극(146)에는 제 2 전압이 가해지고, 제 3 노드(N3)에 접속된 제 2 전극(148)에도 제 2 전압이 가해지므로 역시 양 전극에 걸리는 전압이 동일하여 리셋 상태가 된다.In addition, a second voltage is applied to the first electrode 146 connected to the second voltage supply line V2L and the second capacitor C2 connected in parallel with the second transistor T2 is connected to the third node. Since the second voltage is also applied to the second electrode 148 connected to N3), the voltage applied to both electrodes is also the same, and is in a reset state.

이와 같이, 제 1 커패시터(C1) 및 제 2 커패시터(C2)가 리셋된 후, 다음으로 상기 제 2 전압 공급 라인(V2L)을 통해 기저 전압(VSS)으로 천이된 제 2 전압을 공급한다.As described above, after the first capacitor C1 and the second capacitor C2 are reset, the second voltage is transferred to the base voltage VSS through the second voltage supply line V2L.

이 때, 제 4 트랜지스터(T4)는 다이오드 연결 상태가 되므로, 기저 전압을 공급받은 제 3 노드(N3)에 제 1 커패시터(C1)의 제 2 전극이 접속되므로, 상기 제 4 트랜지스터(T4)의 문턱 전압(Vth_T4)이 상기 제 1 커패시터(C1)에 저장된다.In this case, since the fourth transistor T4 is in a diode-connected state, the second electrode of the first capacitor C1 is connected to the third node N3 supplied with the base voltage, so that the fourth transistor T4 Threshold voltage Vth_T4 is stored in the first capacitor C1.

다음으로, 제 1 게이트 라인으로 공급되는 스캔 신호가 제 2 논리 상태가 되면 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 2 트랜지스터(T2)가 턴-오프됨과 아울러, 발광 제어 라인을 통해 공급되는 제 2 논리 상태의 발광 제어 신호에 응답하여 제 3 트랜지스터 역시 턴-오프된다.Next, when the scan signal supplied to the first gate line is in the second logic state, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned off, and the second logic state is supplied through the emission control line. The third transistor is also turned off in response to the emission control signal of.

다음으로, 제 2 게이트 라인에 제 1 논리 상태의 스캔 신호가 입력되면 이에 응답하여 제 5 트랜지스터(T5)가 턴-온 되고, 데이터 라인(DL)에서 공급되는 데이터 신호가 상기 제 5 트랜지스터(T5)를 통해 제 3 노드(N3)에 공급된다.Next, when the scan signal of the first logic state is input to the second gate line, the fifth transistor T5 is turned on in response to the input signal, and the data signal supplied from the data line DL is supplied to the fifth transistor T5. Is supplied to the third node N3.

이 때, 상기 제 1 커패시터(C1)에는 상기 데이터 신호에 대응되는 데이터 전압(Vdata)이 추가로 저장되며, 상기 제 2 커패시터(C2)에는 상기 데이터 전압(Vdata)가 저장된다.In this case, the data voltage Vdata corresponding to the data signal is additionally stored in the first capacitor C1, and the data voltage Vdata is stored in the second capacitor C2.

다음으로, 제 2 게이트 라인을 통해 제 2 논리 상태의 스캔 신호가 입력되면 제 5 트랜지스터(T5)는 턴-오프됨과 아울러, 다시 발광 제어 라인을 통해 공급되는 제 1 논리 상태의 발광 제어 신호에 의하여 제 3 트랜지스터가 다시 턴-온 된다.Next, when the scan signal of the second logic state is input through the second gate line, the fifth transistor T5 is turned off and again by the light emission control signal of the first logic state supplied through the light emission control line. The third transistor is turned on again.

이와 같이, 턴-온된 제 3 트랜지스터를 통해 공급되는 제 1 전압은, 상기 제 1 커패시터 및 제 2 커패시터에 저장된 전압에 의하여 한 프레임동안 구동되는 제 4 트랜지스터(T4)를 통해 상기 발광소자(OLED)에 전류를 공급하여 한 프레임동안 발광하게 된다.As such, the first voltage supplied through the turned-on third transistor is driven through the fourth transistor T4 driven for one frame by the voltage stored in the first capacitor and the second capacitor. It supplies current to emit light for one frame.

이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치는 제 2 트랜지스터와 병렬로 연결된 제 2 커패시터를 더 구비하여 제 5 트랜지스터가 턴-오프되었을 때 보다 안정적으로 한 프레임동안 제 4 트랜지스터를 구동할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the active matrix organic light emitting diode display according to the second exemplary embodiment of the present invention further includes a second capacitor connected in parallel with the second transistor, so that the fourth transistor is more stable for one frame than when the fifth transistor is turned off. Provides the effect of driving a transistor.

도6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치와 종래의 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치에서, 입력 전압에 따른 발광 소자의 출력 전류를 비교한 그래프이다.6 is a graph comparing output currents of light emitting devices according to input voltages in an active matrix organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention and a conventional active matrix organic light emitting display device.

도6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 경우 종래의 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치보다 입력 전압에 따른 발광 소자의 출력 전류가 보다 선형적(linear)인 관계를 가지는 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 6, the active matrix organic light emitting diode display according to the second exemplary embodiment of the present invention has a more linear output current according to the input voltage than the conventional active matrix organic light emitting diode display. It can be seen that there is a relationship.

이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치는 입력 전압에 따른 발광 소자의 출력 전류가 근사(近似)한 선형적 관계를 가지기 때문에, 보다 안정적으로 소자를 구동할 수 있게 되어서, 소자의 수명을 연장시키고 신뢰성을 향상시키는 효과를 제공한다. As described above, the active matrix organic light emitting diode display according to the second exemplary embodiment of the present invention has a linear relationship in which the output current of the light emitting device according to the input voltage is approximated, so that the device can be driven more stably. This provides the effect of extending the life of the device and improving the reliability.

또한, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치에서 상기 제 1 트랜지스터 내지 제 5 트랜지스터는 N형 트랜지스터 또는 P형 트랜지스터 중 어느 것으로도 구현하는 것이 가능할 것이다.In the active matrix organic light emitting diode display according to the present invention, the first to fifth transistors may be implemented as either an N-type transistor or a P-type transistor.

또한, 상기 제 1 트랜지스터 내지 제 5 트랜지스터는 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘(polysilicon)이나, 유기 반도체 물질로 반도체층이 형성될 수 있을 것이다.In addition, the first to fifth transistors are amorphous silicon or polysilicon, but a semiconductor layer may be formed of an organic semiconductor material.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.On the other hand, the present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, it is possible that various substitutions, modifications and changes within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art.

이와 같이, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치는, 제 1 커패시터를 리셋시킨 후 화소셀(PXL)을 구동하여, 잔류 DC 차지에 의하여 잔상이 남는 문제를 해결할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the active matrix organic light emitting diode display according to the present invention provides an effect of resolving the problem that an afterimage remains due to residual DC charge by driving the pixel cell PXL after resetting the first capacitor.

또한, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치는, 입력 전압에 따른 발광 소자의 출력 전류가 근사(近似)한 선형적 관계를 가지기 때문에, 보다 안정적으로 소자를 구동할 수 있게 되어서, 소자의 수명을 연장시키고 신뢰성을 향상시키는 효과를 제공한다. In addition, the active matrix organic light emitting diode display according to the present invention has a linear relationship in which the output current of the light emitting device according to the input voltage is approximated, so that the device can be driven more stably and thus the life of the device is improved. Provide the effect of prolonging and improving reliability.

Claims (8)

복수의 제 1 게이트 라인 및 제 2 게이트 라인과, 상기 제 1 게이트 라인 및 제 2 게이트 라인과 교차하여 화소 영역을 정의하는 복수의 데이터 라인과, 제 1 전압을 공급하는 복수의 제 1 전압 공급 라인 및 제 2 전압을 공급하는 복수의 제 2 전압 공급 라인과, 상기 화소 영역마다 구비된 복수의 화소셀과, 각각의 화소셀에 접속되는 복수의 발광 제어 라인을 가지며, A plurality of first gate lines and second gate lines, a plurality of data lines crossing the first gate line and the second gate line to define a pixel region, and a plurality of first voltage supply lines supplying a first voltage And a plurality of second voltage supply lines for supplying a second voltage, a plurality of pixel cells provided for each pixel region, and a plurality of light emission control lines connected to each pixel cell, 상기 화소셀은 인가되는 전류에 의해 대응하여 빛을 방출하는 발광 소자;The pixel cell emits light correspondingly by the applied current; 상기 제 1 게이트 라인으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 제 1 트랜지스터;A first transistor controlled by a scan signal supplied from the first gate line and connected between a first node and a second node; 상기 제 1 게이트 라인으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 제 3 노드와 제 2 전압 공급 라인 사이에 연결된 제 2 트랜지스터;A second transistor controlled by a scan signal supplied from the first gate line and connected between a third node and a second voltage supply line; 상기 발광 제어 라인으로부터 공급되는 발광 제어 신호에 의하여 제어되며, 제 1 전압 공급 라인과 제 1 노드 사이에 접속된 제 3 트랜지스터;A third transistor controlled by a light emission control signal supplied from the light emission control line and connected between a first voltage supply line and a first node; 상기 제 2 노드에 게이트 전극이 접속되며, 상기 제 1 노드와 상기 발광 소자 사이에 접속된 제 4 트랜지스터;A fourth transistor having a gate electrode connected to the second node and connected between the first node and the light emitting element; 상기 제 2 게이트 라인으로부터 공급되는 스캔 신호에 의하여 제어되며 상기 데이터 라인과 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 5 트랜지스터;A fifth transistor controlled by a scan signal supplied from the second gate line and connected between the data line and the third node; 제 1 전극이 상기 제 2 노드에 접속되고 제 2 전극이 상기 제 3 노드에 접속된 제 1 커패시터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치.And a first capacitor having a first electrode connected to the second node and a second electrode connected to the third node. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 커패시터는 턴-온된 제 1 트랜지스터를 통해 공급되는 제 1 전압과, 제 2 전압 공급 라인을 통하여 상기 제 1 전압과 동일한 크기의 제 2 전압을 공급받아 리셋되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치.The first capacitor is reset by receiving a first voltage supplied through a turned-on first transistor and a second voltage having the same magnitude as that of the first voltage through a second voltage supply line. Light emitting display device. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제 1 커패시터가 리셋된 후, 상기 제 2 전압 공급 라인으로 기저 전위가 공급됨과 아울러 상기 제 1 커패시터에 상기 제 4 트랜지스터의 문턱 전압이 저장되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치.And after the first capacitor is reset, a ground potential is supplied to the second voltage supply line, and a threshold voltage of the fourth transistor is stored in the first capacitor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 전압 공급 라인과 제 3 노드 사이에 접속되며, 상기 제 2 트랜지스터와 병렬로 연결된 제 2 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치.And a second capacitor connected between the second voltage supply line and a third node, the second capacitor being connected in parallel with the second transistor. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 1 커패시터 및 제 2 커패시터는 턴-온된 제 1 트랜지스터를 통해 공급되는 제 1 전압과, 제 2 전압 공급 라인을 통하여 상기 제 1 전압과 동일한 크기 의 제 2 전압을 공급받아 리셋되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치.The first capacitor and the second capacitor are reset by being supplied with a first voltage supplied through a turned-on first transistor and a second voltage having the same magnitude as the first voltage through a second voltage supply line. An active matrix organic light emitting display device. 발광 제어 라인들과 복수의 제 1 게이트 라인 및 제 2 게이트 라인과 상기 제 1 및 제 2 게이트 라인과 교차하여 화소 영역을 정의하는 복수의 데이터 라인과 제 1 및 제 2 전압 공급 라인과 발광 소자를 구비하고 상기 화소 영역에 구비된 복수의 화소셀 및 상기 화소셀을 구동하기 위한 화소 회로를 포함하는 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 있어서,A plurality of data lines, first and second voltage supply lines, and light emitting devices crossing the emission control lines, the plurality of first gate lines and the second gate lines, and the first and second gate lines to define a pixel area. A driving method of an active matrix organic light emitting display device comprising: a plurality of pixel cells provided in the pixel area and a pixel circuit for driving the pixel cells. 상기 제 1 전압 공급 라인을 통해 공급되는 제 1 전압과, 상기 제 2 전압 공급 라인을 통해 공급되며 상기 제 1 전압과 동일한 크기의 제 2 전압을 이용하여 상기 화소 회로에 구비된 커패시터를 리셋시키는 단계;Resetting a capacitor provided in the pixel circuit using a first voltage supplied through the first voltage supply line and a second voltage supplied through the second voltage supply line and having a same magnitude as that of the first voltage. ; 상기 제 2 전압을 기저 전압으로 천이시킴과 아울러, 상기 화소 회로에 구비된 커패시터에 상기 발광 소자를 구동하는 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 단계;Translating the second voltage to a base voltage and storing a threshold voltage of a transistor for driving the light emitting element in a capacitor provided in the pixel circuit; 상기 커패시터에 데이터 전압을 더 저장하는 단계;Further storing a data voltage in the capacitor; 상기 커패시터에 저장된 전압을 이용하여 한 프레임동안 상기 발광 소자를 발광시키는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.And emitting the light emitting device for one frame by using the voltage stored in the capacitor. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 1 전압은, 상기 발광 제어 라인을 통해 공급되는 발광 제어 신호에 따라 제어되어 상기 화소 회로로 공급되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.And the first voltage is controlled according to an emission control signal supplied through the emission control line and supplied to the pixel circuit. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 커패시터에 문턱 전압을 저장한 이후에 상기 발광 제어 신호의 논리 상태가 제 1 논리 상태에서 제 2 논리 상태로 변환함과 아울러, After storing the threshold voltage in the capacitor, the logic state of the light emission control signal is converted from the first logic state to the second logic state, 상기 커패시터에 데이터 전압을 더 저장한 이후에 상기 발광 제어 신호의 논리 상태를 다시 제 1 논리 상태로 변환시키는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.And after the data voltage is further stored in the capacitor, converting the logic state of the emission control signal back to the first logic state.
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