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KR20080006857A - Ｌｅｄ 패키지 - Google Patents

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KR20080006857A
KR20080006857A KR1020060066136A KR20060066136A KR20080006857A KR 20080006857 A KR20080006857 A KR 20080006857A KR 1020060066136 A KR1020060066136 A KR 1020060066136A KR 20060066136 A KR20060066136 A KR 20060066136A KR 20080006857 A KR20080006857 A KR 20080006857A
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led
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package
driving chip
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손원진
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 발명에 의한 LED 패키지는 정전기보호소자가 실장되는 제1 리드프레임부; LED가 실장되는 제2 리드프레임부; 구동칩이 실장되는 제3 리드프레임부; 상기 리드프레임부의 끝단을 외부로 노출시키고, 상기 정전기보호소자, 상기 구동칩을 고정시키는 하우징부; 및 상기 LED 실장 영역 위로 형성되는 렌즈부를 포함하며, 리드프레임부의 형태에 따라 PLCC(Plastic Lead Chip Carrier), SDP(Small Die Pad) 및 DIP(Dual Inline Package) 중 하나 이상의 구조로 구현될 수 있다.
본 발명에 의하면, 정전기보호소자와 같은 주변소자, 구동칩 및 LED가 단일 패키지화되고 효율적인 통전 구조 및 전극 구조를 가짐으로써, 간편하게 LED를 구동 제어할 수 있고, 전체 실장 구조를 단순화할 수 있는 효과가 있으며, LED 패키지를 이용한 회로를 구성함에 있어 소요 시간이 단축되고 작업의 편의성을 도모할 수 있는 효과가 있다.

Description

ＬＥＤ 패키지{Light Emitting Diode package}
도 1은 종래의 LED 패키지의 구조를 도시한 측단면도.
도 2는 종래의 LED 패키지의 외부 형태를 도시한 상면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 구조를 도시한 상측 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 구조를 도시한 측단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 구동칩이 정전기 보호소자 및 LED와 전기적으로 연결되는 형태를 도시한 회로도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 외부 형태를 도시한 사시도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100: 본 발명에 의한 LED 패키지 110: 하우징부
120: 제1리드프레임 132: 제2리드프레임
134: 제3리드프레임 136: 반사층
142: 제4리드프레임 144: 제5리드프레임
146: 제6리드프레임 150: 정전기보호소자
160: LED 170: 구동칩
본 발명은 LED 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
일반적으로, 발광 다이오드 소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색(color) 및 휘도, 휘도 세기의 범위 등이 있고, 이러한 발광 다이오드 소자의 특성은 1차적으로는 발광 다이오드 소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되지만, 2차적인 요소로 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다. 고휘도와 사용자 요구에 따른 휘도 각 분포를 얻기 위해서는 재료개발 등에 의한 1차적인 요소만으로는 한계가 있어 패키지 구조 등에 많은 관심을 갖게 되었다.
특히, 발광 다이오드는 정보 통신 기기의 소형화, 슬림화(slim) 추세에 따라 기기의 각종 부품인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등은 더욱 소형화되고 있으며, PCB(Printed Circuit Board: 이하 PCB라고 함) 기판에 직접 장착된 표면실장(SMD: Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있다. 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 발광 다이오드 램프도 SMD 형으로 개발되고 있다. 이러한 SMD형의 발광 다이오드 램프는 기존의 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등으로 사용된다.
상기와 같이 발광 다이오드의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등 요구되는 휘도량이 갈수록 높아져서, 최근에는 고출력 발 광 다이오드가 널리 쓰이고 있다.
도 1은 종래의 LED 패키지(10)의 구조를 도시한 측단면도이고, 도 2는 종래의 LED 패키지(10)의 외부 형태를 도시한 상면도이다.
도 1과 도 2에 도시된 것처럼, 종래의 LED 패키지(10)는 기판(11)에 홀이 형성되고, 홀 내부에 LED(12)가 실장되는데, 홀의 표면은 금속재질의 반사 코팅층(13)이 형성된다. 그리고, LED(12)로 전원을 인가하기 위해, 반사 코팅층(13)에 연결된 전극(14, 15/ 캐소드 전극, 애노드 전극) 등이 구비되며, 전극(14, 15)은 LED(12)의 P전극과 N전극과 각각 와이어(18) 본딩된다.
LED(12) 위로는 충진제(16)가 도포되고, 충진제 위로 몰드 렌즈(17)가 형성되는데, 몰드 렌즈(17)는 와이어(18)의 산화 방지와 공기저항에 의한 광손실을 줄이면서 열전도율을 높이는 역할을 한다.
이와 같은 구성을 가지는 LED 패키지(10)상에서, LED(12)에서 방출된 광은 반사 코팅층(13)에서 반사되고 몰드 렌즈(17)를 통하여 외부로 발산하게 된다.
한편, 상기 LED(12)로 전원을 인가하여 LED 패키지(10)의 균일한 광출력을 얻기 위해서는 정전류를 공급하는 드라이버 회로가 필요로 되는데, 드라이버 회로는 별도의 IC칩으로 제공된다.
따라서, LED 패키지(10)는 기판 상에 드라이버 IC칩과 함께 실장되어야 하므로 실장 영역이 커지게 되고, LED 패키지(10)의 종류에 따라 선택된 드라이버 IC칩을 다시 기판 상에서 전기적으로 연결시켜야 하므로 작업 시간이 오래 걸리고 작업 효율이 저하되는 문제점이 있다.
즉, LED 패키지(10)의 전극과 드라이버 IC칩의 각 단자들, 가령 외부전압 입력단자, 제어신호 입력단자 등의 단자들을 연결하기 위하여, LED 패키지(10)와 드라이버 IC칩, 그리고 정전기보호소자와 같은 주변소자들을 효율적으로 배치하고, 기판 상에 본딩 패턴을 형성하여 본딩 공정을 처리해야 하므로 상기의 문제점들이 발생하게 된다.
본 발명은 정전기보호소자와 같은 주변소자, 구동칩 및 LED가 하나의 패키지로 구성되고 패키지 내부에서 상호 통전되는 구조를 가짐으로써, LED의 구동 제어가 용이해지고 전체 회로 구성이 단순화되어 소자들의 실장 영역이 최소화되는 LED 패키지를 제공한다.
본 발명에 의한 LED 패키지는 정전기보호소자가 실장되는 제1 리드프레임부; LED가 실장되는 제2 리드프레임부; 구동칩이 실장되는 제3 리드프레임부; 상기 리드프레임부의 끝단을 외부로 노출시키고, 상기 정전기보호소자, 상기 구동칩을 고정시키는 하우징부; 및 상기 LED 실장 영역 위로 형성되는 렌즈부를 포함한다.
또한, 본 발명에 의한 LED 패키지의 상기 제2 리드프레임부는 상기 LED의 전극과 각각 전기적으로 연결되는 2개의 리드프레임을 포함하고, 상기 정전기보호소자의 전극은 상기 2개의 리드프레임 중 어느 하나의 리드프레임과 전기적으로 연결된다.
또한, 본 발명에 의한 LED 패키지의 상기 제3 리드프레임부는 적어도 세 개 이상의 리드프레임을 포함하고, 상기 구동칩의 전극은 다수개로서, 상기 제3 리드프레임부 및 상기 제2 리드프레임부와 전기적으로 연결된다.
또한, 본 발명에 의한 LED 패키지는 상기 리드프레임부의 형태에 따라 PLCC(Plastic Lead Chip Carrier), SDP(Small Die Pad) 및 DIP(Dual Inline Package) 중 하나 이상의 구조를 가진다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 대하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(100)의 구조를 도시한 상측 단면도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(100)의 구조를 도시한 측단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(100)는 하우징부(110), 제1리드프레임부(120), 반사층(136), 제2리드프레임부(130), 제3리드프레임부(140), 정전기보호소자(150), LED(160) 및 구동칩(170)을 포함하여 이루어지는데, 상기 제1리드프레임부(120)는 한개의 리드프레임으로 구성되어 정전기보호소자(150)를 실장시킨다.
또한, 제2리드프레임부(130)는 두 개의 리드프레임(132, 134)으로 구성되어 LED(160)를 실장시키고, 제3리드프레임부(140)는 세 개의 리드프레임(142, 144, 146)으로 구성되어 구동칩(170)을 실장시킨다.
이하에서, 설명 상의 편의를 위하여, 제1리드프레임부(120)를 구성하는 한개의 리드프레임, 제2리드프레임부(130)를 구성하는 두개의 리드프레임, 제3리드프레 임부(140)를 구성하는 세개의 리드프레임을 순서대로 제1리드프레임(120), 제2리드프레임(132), 제3리드프레임(134), 제4리드프레임(142), 제5리드프레임(144) 및 제6리드프레임(146)으로 지칭하기로 한다.
또한, 도 4는 도 3에 도시된 LED 패키지(100)를 A-A'선상에서 단면 처리하였을 경우를 도시한 도면으로서, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(100)가 하우징부(110), 제1리드프레임(120), 제5리드프레임(144), 정전기보호소자(150), LED(160), 반사층(136), 구동칩(170), 충진부재(180) 및 렌즈부(185)를 포함하여 이루어진 것을 볼 수 있으며, 참고로, A-A'선상을 단면처리함에 따라 제2리드프레임(132), 제3리드프레임(134), 제4리드프레임(142), 제6리드프레임(146) 및 본딩 와이어(a1∼a2, b1∼b2, c1∼c4)) 연결 구조는 도시되지 않고 있다.
상기 리드프레임들(120, 132, 134, 142, 144, 146)에 정전기보호소자(150), LED(160), 구동칩(170)이 실장되면, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 세라믹 등의 재질을 사용하여 리드프레임들(120, 132, 134, 142, 144, 146)의 위아래로 베이스 몰딩이 이루어짐으로써 하우징부(110)가 구성된다.
상기 하우징부(110)를 이루는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 세라믹 등의 재질은 각 소자로부터 발생된 열을 외부로 용이하게 방출시킬 수 있으며, 열전달물질이 하우징부(110)의 저면에 도포되거나 히트싱크가 구비되어 열방출 기능을 향상시킬 수 있다.
히트싱크가 구비되는 경우, 가령 하우징부(110)는 체결홀이 형성되고 나사를 통하여 히트싱크와 결합될 수 있다.
상기 하우징부(110)는 베이스 몰딩됨에 있어서, 상면이 개방된 홈부를 형성하는데, 홈부는 LED(160)가 실장되는 공간으로서 내부 표면은 LED(160)로부터 방출되는 빛이 상측으로 향하도록 금속 재질의 반사층(136)이 코팅된다.
상기 반사층(136) 위로는 LED(160)가 접착된다.
상기 리드프레임들(120, 132, 134, 142, 144, 146)은 전류를 전달하는 동시에 상기 정전가 보호소자(150), LED(160) 및 구동칩(170)으로부터 생성된 열을 외부로 전달할 수 있도록 금속 재질로 제작되며, 판형 구조를 이루어 히트싱크의 기능을 수행한다.
도 3에 의하면, 제1리드프레임(120) 내지 제6리드프레임(146)은 끝단이 하우징부(110) 외부로 돌출되어 패키지 단자를 형성하고(도 6을 참조하면, 제3리드프레임(134), 제4리드프레임(142), 제5리드프레임(144)의 패키지 단자가 형성된 형태를 볼 수 있음), 제1리드프레임(120)에는 정전기 보호소자(150)가 실장되며, 정전기 보호소자(150)의 일측 전극은 제1리드프레임(120)과 통전된다.
상기 정전기 보호소자(150)의 타측 전극은 제2리드프레임(132)과 와이어(a1) 본딩되고, 제1리드프레임(120)은 제3리드프레임(134)과 와이어(a2) 본딩된다.
상기 LED(160)는 전술한 대로 반사판(136) 위에 위치되고, 두 전극은 각각 제2리드프레임(132) 및 제3리드프레임(134)과 와이어(b1, b2) 본딩된다.
본 발명의 실시예에서, 상기 구동칩(170)은 4개의 전극을 가지고, 제5리드프레임(144) 상에 실장되는데, 제1전극은 제2리드프레임(132)과 와이어(c1) 본딩되고, 제2전극은 제4리드프레임(142)과 와이어(c2) 본딩된다.
그리고, 구동칩(170)의 제3전극은 제5리드프레임(144)과 와이어(c3) 본딩되고, 제4전극은 제6리드프레임(146)과 와이어(c4) 본딩된다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(100)의 구동칩(170)이 정전기 보호소자(150) 및 LED(160)와 전기적으로 연결되는 형태를 도시한 회로도이다.
이와 같이, 정전기 보호소자(150), LED(160) 및 구동칩(170)이 각 리드프레임들(120, 132, 134, 142, 144, 146)과 연결됨으로써 도 5에 도시된 회로가 구현될 수 있는데, 제1전극(P1)은 제2리드프레임(132)을 통하여 정전기 보호소자(150) 및 LED(160)와 연결되고, 제2전극(P2)과 제4 리드프레임(142)은 외부의 그라운드단과 연결되어 정전류 형태의 전원을 공급한다.
또한, 제3전극(P3)과 제5 리드프레임(144)은 외부 저항과 연결되거나 프로그램 코드가 입력됨으로써 구동칩(170)이 여러가지 조건의 구동신호를 제공할 수 있다.
그리고, 제4전극(P4)과 연결된 제6리드프레임(146)은 인에이블 신호가 입력되고, 구동칩(170)은 동작 전원의 온/오프를 선택할 수 있다.
상기 LED(160)는 ESD(정전방전) 현상에 노출되면 광출력이 불안정해질 수 있는데, ESD 현상이란 전하를 띤 물체에서 정전기가 방전되는 현상을 지칭한다.
이러한 ESD 현상으로부터 LED(160)를 보호하기 위하여 정전기 보호소자(150)가 구비되며, 정전기 보호소자(150)는 다이오드, 제너 다이오드, 바리스터 등의 부품으로 구현될 수 있다.
본 발명에 의한 LED 패키지(100)는 상기 하나의 홈부와 반사판(136) 위에 다 수개의 LED를 구비할 수 있으며, 이러한 경우 다수개의 LED는 제2리드프레임(132) 및 제3리드프레임(134)과 각각 전극이 연결됨으로써(즉, 병렬로 연결됨으로써) 전원을 공급받을 수 있을 것이다(가령, 백색광을 구현하기 위하여 R,G,B의 세가지 LED가 하나의 반사판 위에 실장될 수 있음). 본 발명의 실시예에서는 설명상의 편의를 위하여 LED(165)가 하나로 구비되는 것으로 한다.
상기 구동칩(170)은 LED(160)로 정전류를 공급하여 LED(160)가 일정한 광출력을 유지하도록 하며, 코딩 프로그램이 입력될 수 있는데, 구동칩(170)과 연결되는 외부저항의 종류, 코딩 프로그램에 의하여 LED(160), 정전기 보호소자(150)로 제공되는 입출력 전류(제1전극(P1), 제2리드프레임(132)을 통하여 구동칩(170)으로부터 공급되는 전류임)가 제어될 수 있다.
상기 하우징부(110)가 LED(160) 실장 영역 상에 공간을 형성하고, LED(160) 위로는 충진부재(180)가 도포된다. 충진부재(180) 위로는 렌즈부(185)가 형성되는데, 상기 렌즈부(185)는 LED(160)로부터 방출된 빛을 외부로 전달하기 위하여 에폭시 재질, 실리콘 재질 등의 광투과성 재질로 형성되거나 별도로 제작된 렌즈가 이용될 수도 있다.
상기 렌즈부(185)는 하우징부(190)의 편평한 상면을 기준으로 오목한 형상, 평평한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며 백색 LED로 구현되는 경우 형광물질이 포함된 충진부재(180)가 사용된다.
이러한 경우 상기 LED(160)는 블루 LED로 구비되고, LED(160)로부터 발생된 기준광은 칩의 상면으로 진행될 뿐만 아니라, LED(160)의 표면에 근접된 부분에서 형광 물질에 흡수되어 재방출되는 제2의 여기광이 가법 혼색 되어 백색광이 외부로 방출되게 된다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(100)의 외부 형태를 도시한 사시도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(100)의 외부 형태를 볼 수 있는데, 제3리드프레임(134), 제4리드프레임(142), 제5리드프레임(144)의 끝단이 하우징부(110)의 외부로 노출된 형태가 도시되어 있고(도 6에 도시되지 않았으나, 대향하는 반대편 면으로 제1리드프레임(120), 제2리드프레임(132) 및 제6리드프레임(146)의 끝단이 노출됨), LED(160) 실장 영역에 렌즈부(185)가 형성된 형태가 도시되어 있다.
본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(100)는 제1리드프레임(120) 내지 제6리드프레임(146)의 형태에 따라 PLCC(Plastic Lead Chip Carrier)형 패키지, SDP(Small Die Pad)형 패키지 및 DIP(Dual Inline Package)형 패키지 등으로 구현될 수 있다.
참고로, 상기 PLCC형 패키지는 리드리스(Leadless) 칩 캐리어형 패키지라고도 불리우며, 패키지 주위 측면(보통, 패키지는 사각형태를 가지며, 4개의 측면)에 리드(리드프레임의 끝단)가 형성되는 플라스틱 재질의 표면 실장 칩 패키지를 의미한다.
그리고, DIP는 이중 인라인 패키지로서, P(Plastic)DIP, C(Ceramic)DIP 등으로 분류된다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명에 의한 LED 패키지에 의하면, 정전기보호소자와 같은 주변소자, 구동칩 및 LED가 단일 패키지화되고 효율적인 통전 구조 및 전극 구조를 가짐으로써, 간편하게 LED를 구동 제어할 수 있고, 전체 실장 구조를 단순화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, LED 패키지 생산 공정에서 해당 구동칩 및 주변소자가 선택, 실장될 수 있으므로, LED 패키지를 이용한 회로를 구성함에 있어 소요 시간이 단축되고 작업의 편의성을 도모할 수 있으며, 몰딩 구조, 히트 싱크 구조, 리드 프레임 구조, 몰드 렌드 구조 등의 구조를 이용환경에 따라 쉽게 변형/응용할 수 있는 효과가 있다.

Claims (13)

  1. 정전기보호소자가 실장되는 제1 리드프레임부;
    LED가 실장되는 제2 리드프레임부;
    구동칩이 실장되는 제3 리드프레임부;
    상기 리드프레임부의 끝단을 외부로 노출시키고, 상기 정전기보호소자, 상기 구동칩을 고정시키는 하우징부; 및
    상기 LED 실장 영역 위로 형성되는 렌즈부를 포함하는 LED 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 구동칩은
    외부 저항과 연결되거나 코딩 프로그램이 입력되어 소정 수치의 정전류를 제공하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 구동칩은
    온/오프 동작을 위한 인에이블 단자, 입력전압 조절 단자 및 출력전류 조절 단자 중 하나 이상의 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 리드프레임부는
    금속 재질의 판형 구조인 히트싱크형 리드프레임으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2 리드프레임부는
    상기 LED의 전극과 각각 전기적으로 연결되는 2개의 리드프레임을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  6. 제5항에 있어서, 상기 정전기보호소자는
    상기 2개의 리드프레임 중 어느 하나의 리드프레임과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제3 리드프레임부는 적어도 세 개이상의 리드프레임을 포함하고,
    상기 구동칩의 전극은 다수개로서, 상기 제3 리드프레임부 및 상기 제2 리드프레임부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  8. 제1항에 있어서, 상기 하우징부는
    에폭시수지 재료, 실리콘수지 재료, 금속 재료, 세라믹 재료 중 어느 하나 이상의 재료로 몰딩되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제2 리드프레임부는
    상기 LED가 실장되는 영역에 반사 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  10. 제1항에 있어서, 상기 렌즈부는
    투명 에폭시 재질, 투명 실리콘 재질 및 형광체 재질 중 하나 이상의 재질을 포함하는 광투과성 재질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 하우징부는 상기 LED가 내부로 실장될 수 있도록 홈부를 형성하고,
    상기 렌즈부는 상기 홈부의 측단면을 기준으로 오목 형상, 평평 형상 및 볼록 형상 중 하나의 형상을 이루는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제2 리드프레임부는
    상기 LED를 다수개로 구비하여 실장시키는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 리드프레임부의 형태에 따라 PLCC(Plastic Lead Chip Carrier), SDP(Small Die Pad) 및 DIP(Dual Inline Package) 중 하나 이상의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101006772B1 (ko) * 2009-03-04 2011-01-10 주식회사 루멘스 발광 다이오드 패키지 및 발광 모듈
KR20120087140A (ko) * 2009-09-25 2012-08-06 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 발광 다이오드 및 발광 다이오드를 생산하기 위한 방법
KR20160025438A (ko) * 2014-08-27 2016-03-08 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
WO2023229224A1 (ko) * 2022-05-24 2023-11-30 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 광원 장치

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101459212B (zh) * 2007-12-11 2011-06-22 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态发光器件
KR101463039B1 (ko) * 2008-02-15 2014-11-19 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비하는 표시 장치
JP4930408B2 (ja) * 2008-02-19 2012-05-16 豊田合成株式会社 光デバイス及びその製造方法
DE102008021661A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit Rahmen und Leiterplatte
DE102008025159A1 (de) 2008-05-26 2009-12-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement, Reflexlichtschranke und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses
CN101364585B (zh) * 2008-09-25 2010-10-13 旭丽电子(广州)有限公司 一种芯片封装结构及其制造方法
DE102009023854B4 (de) * 2009-06-04 2023-11-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US9210622B2 (en) * 2009-08-12 2015-12-08 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for relay backhaul design in a wireless communication system
US9125133B2 (en) 2009-08-12 2015-09-01 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for relay backhaul design in a wireless communication system
CN102208518B (zh) * 2010-04-20 2013-05-08 蒋伟东 一种一体化贴片单元
KR101711961B1 (ko) 2010-09-10 2017-03-03 삼성전자주식회사 발광 디바이스
KR101823506B1 (ko) * 2011-06-29 2018-01-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
CN103178191B (zh) * 2011-12-24 2015-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
KR20130098048A (ko) * 2012-02-27 2013-09-04 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
DE102012104494A1 (de) * 2012-05-24 2013-11-28 Epcos Ag Leuchtdiodenvorrichtung
US10340433B2 (en) 2015-01-19 2019-07-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
KR101835819B1 (ko) * 2017-08-11 2018-03-08 주식회사 에이엘테크 광섬유 발광형 표지 장치
KR101937974B1 (ko) * 2018-05-08 2019-01-14 주식회사 에이엘테크 광섬유 발광형 표지 장치
CN110828438A (zh) * 2018-08-13 2020-02-21 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构
CN109509745B (zh) * 2018-12-28 2023-09-22 捷捷半导体有限公司 一种用于G·fast低容放电管阵列
KR102042547B1 (ko) * 2019-07-04 2019-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP7353312B2 (ja) * 2021-01-07 2023-09-29 シーシーエス株式会社 Ｌｅｄ光源、及び、ｌｅｄ光源の検査方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01273338A (ja) * 1988-04-26 1989-11-01 Nec Corp 光素子混成集績回路装置
JPH06125116A (ja) * 1992-10-12 1994-05-06 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ装置
JP2005150431A (ja) 2003-11-17 2005-06-09 Toshiba Electronic Engineering Corp 光送受信装置
JP4370158B2 (ja) 2003-12-24 2009-11-25 シャープ株式会社 光結合器およびそれを用いた電子機器
JP4181515B2 (ja) * 2004-02-25 2008-11-19 シャープ株式会社 光半導体装置およびそれを用いた電子機器
KR100650191B1 (ko) * 2005-05-31 2006-11-27 삼성전기주식회사 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드
US20080089072A1 (en) * 2006-10-11 2008-04-17 Alti-Electronics Co., Ltd. High Power Light Emitting Diode Package

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101006772B1 (ko) * 2009-03-04 2011-01-10 주식회사 루멘스 발광 다이오드 패키지 및 발광 모듈
KR20120087140A (ko) * 2009-09-25 2012-08-06 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 발광 다이오드 및 발광 다이오드를 생산하기 위한 방법
KR20160025438A (ko) * 2014-08-27 2016-03-08 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
WO2023229224A1 (ko) * 2022-05-24 2023-11-30 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 광원 장치

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