[go: up one dir, main page]

KR20080000098A - 질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법 - Google Patents

질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080000098A
KR20080000098A KR20060057385A KR20060057385A KR20080000098A KR 20080000098 A KR20080000098 A KR 20080000098A KR 20060057385 A KR20060057385 A KR 20060057385A KR 20060057385 A KR20060057385 A KR 20060057385A KR 20080000098 A KR20080000098 A KR 20080000098A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
indium
rich ingan
type gan
type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR20060057385A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101337615B1 (ko
Inventor
윤의준
남기범
최주원
Original Assignee
서울옵토디바이스주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울옵토디바이스주식회사 filed Critical 서울옵토디바이스주식회사
Priority to KR1020060057385A priority Critical patent/KR101337615B1/ko
Publication of KR20080000098A publication Critical patent/KR20080000098A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101337615B1 publication Critical patent/KR101337615B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 일실시예에 따른 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조방법은 기판위에 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층위에 n형 GaN층을 형성하는 단계와, 상기 n형 GaN층위에 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층위에 p형 GaN층을 형성하는 단계와, 상기 p형 GaN층위에 인듐 리치 InGaN 컨택층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 인듐 리치 InGaN 컨택층을 사용하여 인듐 리치 InGaN 컨택층위에 형성되는 투명전극과의 접촉저항이 감쇠됨에 따라 질화갈륨계 화합물 반도체의 성능이 개선된다.
질화갈륨, 반도체 화합물, 사파이어, InGaN, 인듐 리치, 컨택층, 투명전극

Description

질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법{GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND THE FABRICATION METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조 방법의 순서도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 사파이어 기판 200 : 버퍼층
300 : Undoped GaN층 400 : n형 GaN층
500 : 활성층 600 : p형 GaN층
700 : 인듐 리치 InGaN 컨택층 800 : 투명전극
900a,900b : 전극패드
본 발명은 질화갈륨계 화합물 반도체에 관한 것으로, 상세하게는, 오믹 접촉으로 인한 접촉 저항을 줄이기 위해 인듐 리치(Indum rich) InGaN 컨택층이 형성 된 질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
III-V족 화합물 반도체는 고속 및 고온 전자제품들, 광 방출기 및 광 검출기 등의 응용제품들에서 우수한 성능을 제공한다. 특히, 질화갈륨계 화합물 반도체에 포함되어 있는 갈륨 나이트라이드(GaN)는 청색 레이저 및 청색 파장의 스펙트럼을 방출하는 발광 다이오드에 요구되는 밴드갭을 가지고 있어, 이에 대한 연구가 많이 진행되어 왔으며, 그 사용이 증가하고 있다. 또한, 알루미늄 나이트라이드(AlN), 인디움 나이트라이드(InN) 및 갈륨 나이트라이드(GaN)의 얼로이(alloy)는 가시영역 전범위에 걸친 스펙트럼을 제공한다.
일반적으로 질화갈륨계 화합물 반도체는 기판위에 버퍼층, n형 GaN층, 활성층, p형 콘택층, 투명전극이 형성된다.
종래의 경우 투명전극아래에 형성되는 p형 콘택층으로 p-GaN을 사용하기 때문에 오믹 접촉으로 인한 접촉 저항이 1×10-4Ω㎠ 이하를 얻기 힘들다. 왜냐하면, p형 GaN의 정공 밀도가 p형 GaN에 들어있는 Mg원자의 억셉터(acceptor)에 기인한 1018cm- 3이하이기 때문이다. 따라서, 접촉 저항을 줄이려는 노력이 계속되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 질화갈륨계의 화합물 반도체층이 적층되고 그 위에 투명전극이 형성되는 질화갈륨계 화합물 반도체에서 투명전극의 하부에 형성되는 오믹 접촉으로 인한 접촉 저항을 줄이는 데 있다.
이러한 기술적 과제들을 달성하기 위해 본 발명의 일측면에 의하면, 기판위에 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층위에 n형 GaN층을 형성하는 단계와, 상기 n형 GaN층위에 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층위에 p형 GaN층을 형성하는 단계와, 상기 p형 GaN층위에 인듐 리치 InGaN 컨택층을 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체의 제조방법을 제공한다.
상기 인듐 리치 InGaN 컨택층은, 불순물이 첨가되지 않은 undoped 인듐 리치 InGaN층, n형 인듐 리치 InGaN층, p형 인듐 리치 InGaN층 중 어느 하나일 수 있다.
상기 인듐 리치 InGaN 컨택층은, 불순물이 첨가되지 않은 undoped 인듐 리치 InGaN층, n형 인듐 리치 InGaN층, p형 인듐 리치 InGaN층 중 적어도 둘 이상이 상호적층되어 이루어질 수 도 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 기판과, 상기 기판위에 형성된 버퍼층과, 상기 버퍼층위에 형성된 n형 GaN층과, 상기 n형 GaN층위에 형성된 활성층과, 상기 활성층위에 형성된 p형 GaN층과, 상기 p형 GaN층위에 형성된 인듐 리치 InGaN 컨택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 화합물 반도체를 제공한다.
상기 인듐 리치 InGaN 컨택층은, 불순물이 첨가되지 않은 undoped 인듐 리치 InGaN층, n형 인듐 리치 InGaN층, p형 인듐 리치 InGaN층 중 어느 하나일 수 있 다.
상기 인듐 리치 InGaN 컨택층은, 불순물이 첨가되지 않은 undoped 인듐 리치 InGaN층, n형 인듐 리치 InGaN층, p형 인듐 리치 InGaN층 중 적어도 둘 이상이 상호적층되어 이루어질 수 도 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도이다.
도 1을 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 사파이어 기판(100), 버퍼층(200), Undoped GaN층(300), n형 GaN층(400), 활성층(500), p형 GaN층(600), 인듐 리치 InGaN 컨택층(700), 투명전극(800), 전극패드(900a,900b)를 포함한다.
사파이어 기판(100)은 안정성이 높은 사파이어로 이루어져 있으며 기판(100)위로는 버퍼층(200)이 형성된다.
버퍼층(200), Undoped GaN층(300), n형 GaN층(400), 활성층(500), p형 GaN층(600), 인듐 리치 InGaN 컨택층(700)은 금속유기 화학기상증착(MOCVD), 분자선 성장(MBE) 또는 수소화물 기상 성장(HVPE) 방법 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 동일한 공정챔버에서 연속적으로 형성될 수 있다.
버퍼층(200)은 사파이어 기판(100)과 Undoped GaN층(300)간의 격자 불일치를 완화하기 위해 개재된다. 예를 들어 버퍼층(200)은 AlxGa1 - xN(0≤x≤1)로 금속 유기 화학 기상 증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 수소화물 기상 성장법(hydride vapor phase epitaxy, HVPE) 또는 분자선 성장법(molecular beam epitaxy, MBE), 금속 유기 화학 기상 성장법(metalorganic chemical vapor phase epitaxy, MOCVPE) 등을 사용하여 형성할 수 있다.
버퍼층(200)을 형성할 경우, Al 및 Ga의 소오스 가스로 트리메틸알루미늄(trimethyl aluminum; TMAl, Al(CH3)3)과 트리메틸갈륨(trimethyl galium; TMG, Ga(CH3)3)을 사용하고, 반응가스로 암모니아(NH3)를 사용한다. 이들 소오스 가스 및 반응가스를 반응 챔버 내에 유입시키고, 400 ~ 1200℃에서 버퍼층(200)을 형성할 수 있다.
Undoped GaN 층(300)은 버퍼층(200)위에 n형 GaN층(400)을 성장시키기 위하여 성장된다.
n형 GaN층(400)은 GaN에 실리콘(Si)을 도우핑하여 형성할 수 있다.
활성층(500)은 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, InGaN/GaN을 포함하여 이루어진다. 활성층(500)을 이루는 물질의 종류에 따라 발광 다이오드에서 방출되는 발광 파장이 결정된다. 활성층(500)은 양자우물층과 장벽층이 반복적으로 형 성된 다층막일 수 있다. 양자우물층과 장벽층은 일반식 AlxInyGa1 -x- yN (0≤x,y,x+y≤1)으로 표현되는 2원 내지 4원 화합물 반도체층들일 수 있다.
p형 GaN층(600)은 GaN에 아연(Zn) 또는 마그네슘(Mg)을 도우핑하여 형성할 수 있다.
인듐 리치 InGaN 컨택층(700)은 InxGa1 -xN(0<x<1)으로 표현되는 화합물 반도체층이다.
여기에서, 인듐 리치(Indum rich) InGaN 컨택층(700)은 InGaN내에 인듐(In)이 충분하게 포함되어 있는 것을 의미한다. 예를 들면 InGaN내에 인듐(In)이 60% - 70% 정도 함유되게 할 수 있다.
Ga, In, N의 소오스 가스로 트리메틸갈륨(trimethyl galium; TMG, Ga(CH3)3), 트리메틸인듐(trimethyl indium; TMI, In(CH3)3), 암모니아(NH3)를 사용하고, 반응가스로 질소(N2)을 사용한다. 이들 소오스 가스 및 반응가스를 반응 챔버 내에 유입시키고, 400~1200℃에서 인듐 리치 InGaN 컨택층(700)을 형성할 수 있다.
인듐 리치 InGaN 컨택층(700)은 불순물이 첨가되지 않은 undoped 인듐 리치 InGaN층, n형 인듐 리치 InGaN층, p형 인듐 리치 InGaN층 중에서 어느 하나로 형성할 수 도 있고, 둘 이상을 상호 적층하여 형성할 수 도 있다.
인듐 리치 InGaN 컨택층(700)의 두께는 0.5 - 30㎚로 한다.
인듐 리치 InAlGaN 컨택층(700)에서의 전기장(electric field)은 피에조 전기 극성 필드(piezoelectric polarization field)와 표면 공핍층(surface depletion layer)에서의 이온화된 억셉터에 의한 전기장으로 이루어진다.
이 두 가지 전기장은 터널링 장벽 폭(tunneling barrier width)을 감소시키고 터널링 전송(tunneling tranport)을 개선시킴으로써 접촉 저항을 감쇠시킨다.
투명 전극(800)은 인듐 리치 InGaN 컨택층(700)위에 형성된다. 투명전극(800)은 판상 형태로서 활성층(500)에서 방출되는 빛을 외부로 투과시킨다.
투명전극(800)은 Ni/Au 또는 인디움틴산화막(ITO)와 같은 투명물질로 형성될 수 있다.
투명전극(800)은 전극패드(900a)를 통해 입력되는 전류를 골고루 분산시켜 발광효율을 높이는 역할도 수행한다.
전극 패드(900a,900b)는 투명전극(800) 위 및 n형 GaN층(400)위에 형성된다. 전극패드(900a, 900b)는 와이어(wire)에 의해 리드(lead)(미도시)와 연결되어 외부전원으로부터 전원을 공급받는다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조 방법의 순서도이다.
도 2를 참조하면 사파이어 기판(100)을 준비한다(S1).
그 후, 사파이어 기판(100)위에 버퍼층(200)을 형성한다(S2).
버퍼층(200)은 금속 유기 화학 기상 증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 수소화물 기상 성장법(hydride vapor phase epitaxy, HVPE) 또는 분자선 성장법(molecular beam epitaxy, MBE), 금속 유기 화학 기상 성장법(metalorganic chemical vapor phase epitaxy, MOCVPE) 등을 사용하여 형성할 수 있다.
버퍼층(200)은 400 내지 1200℃에서 압력이 약 10 torr 내지 약 780 torr인 상태에서 상술한 결정 성장 방법 중 어느 하나를 이용하여 성장될 수 있다.
버퍼층(200)이 형성된 이후에 버퍼층(200)위에 1㎛ 두께의 Undoped GaN 층(300)과 2㎛ 두께의 n형 GaN층(400)과, 활성층(500)과 0.15㎛ 두께의 p형 GaN층(600)을 1000℃에서 차례대로 성장시킨다(S3)
Undoped GaN층(300), n형 GaN층(400), 활성층(500), p형 GaN층(600)은 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD), 수소화물 기상 성장법(HVPE) 또는 분자선 성장법(MBE) 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 동일한 공정 챔버에서 연속적으로 형성될 수 있다.
p형 GaN층(600)이 형성된 후 500 - 1200℃에서 압력이 약 10 torr 내지 약 780 torr인 상태에서 p형 GaN층(600)위에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 또는 PALE(Pused Atomic Layer Epitaxy)법을 이용하여 0.5 - 30㎚ 두께의 인듐 리치 InGaN 컨택층(700)을 형성한다(S4).
인듐 리치 InGaN 컨택층(700)이 형성된 후에 인듐 리치 InGaN 컨택층(700)위에 투명전극(800)을 형성한다(S5).
투명전극(800)이 형성된 후, 사진 및 식각 공정을 사용하여 인듐 리치 InGaN 컨택층(700), p형 GaN층(600) 및 활성층(500)을 패터닝 또는 식각하여 n형 GaN층(400)의 일부 영역이 노출되도록 한다(S6).
그 후, 노출된 n형 GaN층(400)위에 전극패드(900b)를 형성하고 투명전 극(800)위에 전극패드(900a)를 형성하고(S7) 절차를 종료한다. 여기에서 전극 패드들(900a,900b)은 리프트 오프(lift off)법을 사용하여 형성될 수 있다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.
예를 들어, 본 발명의 일 실시예를 설명함에 있어서 사파이어 기판을 중심으로 설명했으나 사파이어 기판 이외에도 스피넬(spinel) 기판, Si 기판, SiC 기판, ZnO 기판, GaAs 기판, GaN 기판 등 다른 종류의 기판이 사용될 수 있음은 물론이다.
본 발명에 의하면 질화갈륨계 화합물 반도체는 인듐 리치 InGaN 컨택층을 구비하고 있다. 인듐 리치 InGaN 컨택층에서 형성되는 전기장(electric field)은 피에조 전기 극성 필드(piezoelectric polarization field)와 표면 공핍층(surface depletion layer)에서의 이온화된 억셉터에 의한 전기장으로 이루어진다.
이 두 가지 전기장은 터널링 장벽 폭(tunneling barrier width)을 감소시키고 터널링 전송(tunneling tranport)을 개선시킴으로써 접촉 저항을 감쇠시킨다.
이와 같이 인듐 리치 InGaN 컨택층을 사용하여 투명전극 아래의 접촉저항이 감쇠됨에 따라 질화갈륨계 화합물 반도체의 성능이 개선된다.

Claims (6)

  1. 기판위에 버퍼층을 형성하는 단계와,
    상기 버퍼층위에 n형 GaN층을 형성하는 단계와,
    상기 n형 GaN층위에 활성층을 형성하는 단계와,
    상기 활성층에 p형 GaN층을 형성하는 단계와,
    상기 p형 GaN층위에 인듐 리치(Indum rich) InGaN 컨택층을 형성하는 단계를 포함하는 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 인듐 리치 InGaN 컨택층은,
    불순물이 첨가되지 않은 undoped 인듐 리치 InAlGaN층, n형 인듐 리치 InGaN층, p형 인듐 리치 InGaN층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 인듐 리치 InGaN 컨택층은,
    불순물이 첨가되지 않은 undoped 인듐 리치 InGaN층, n형 인듐 리치 InGaN층, p형 인듐 리치 InGaN층 중 적어도 둘 이상이 상호적층된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조방법.
  4. 기판과,
    상기 기판위에 형성된 버퍼층과,
    상기 버퍼층위에 형성된 n형 GaN층과,
    상기 n형 GaN 층위에 형성된 활성층과,
    상기 활성층위에 형성된 p형 GaN층과,
    상기 p형 GaN층위에 형성된 인듐 리치(Indum rich) InGaN 컨택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 화합물 반도체.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 인듐 리치 InGaN 컨택층은,
    불순물이 첨가되지 않은 undoped 인듐 리치 InGaN층, n형 인듐 리치 InGaN층, p형 인듐 리치 InGaN층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 화합물 반도체.
  6. 청구항 4에 있어서, 상기 인듐 리치 InGaN 컨택층은,
    불순물이 첨가되지 않은 undoped 인듐 리치 InGaN층, n형 인듐 리치 InGaN층, p형 인듐 리치 InGaN층 중 적어도 둘 이상이 상호적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 화합물 반도체.
KR1020060057385A 2006-06-26 2006-06-26 질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법 Expired - Fee Related KR101337615B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060057385A KR101337615B1 (ko) 2006-06-26 2006-06-26 질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060057385A KR101337615B1 (ko) 2006-06-26 2006-06-26 질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080000098A true KR20080000098A (ko) 2008-01-02
KR101337615B1 KR101337615B1 (ko) 2013-12-06

Family

ID=39212460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060057385A Expired - Fee Related KR101337615B1 (ko) 2006-06-26 2006-06-26 질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101337615B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101414652B1 (ko) * 2012-06-04 2014-08-06 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 발광 소자
KR20150032947A (ko) * 2012-06-25 2015-03-31 서울바이오시스 주식회사 ｍ면 질화물계 발광다이오드의 제조 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10062567B2 (en) 2015-06-30 2018-08-28 International Business Machines Corporation Reducing autodoping of III-V semiconductors by atomic layer epitaxy (ALE)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002289914A (ja) 2001-03-28 2002-10-04 Pioneer Electronic Corp 窒化物半導体素子
KR100641989B1 (ko) * 2003-10-15 2006-11-02 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101414652B1 (ko) * 2012-06-04 2014-08-06 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 발광 소자
KR20150032947A (ko) * 2012-06-25 2015-03-31 서울바이오시스 주식회사 ｍ면 질화물계 발광다이오드의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101337615B1 (ko) 2013-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8486807B2 (en) Realizing N-face III-nitride semiconductors by nitridation treatment
US6881602B2 (en) Gallium nitride-based semiconductor light emitting device and method
JP3963068B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
KR100784065B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP3846150B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子および電極形成方法
US8519414B2 (en) III-nitride based semiconductor structure with multiple conductive tunneling layer
WO2010100844A1 (ja) 窒化物半導体素子及びその製造方法
JP7447151B2 (ja) パッシベーション層を含む発光ダイオード前駆体
KR20070081862A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR101261629B1 (ko) 화합물 반도체 소자 제조 방법
JP2008288532A (ja) 窒化物系半導体装置
KR101337615B1 (ko) 질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법
KR101321936B1 (ko) ｐ형 ＺｎＯ층을 구비하는 발광다이오드 및 그 제조방법
CN110473943B (zh) 发光二极管元件、以及发光二极管元件的制造方法
CN114616684B (zh) 发光元件及其制造方法
KR101140679B1 (ko) 질화갈륨계 화합물 반도체
KR101203140B1 (ko) 산화아연계 발광 소자의 제조 방법 및 그에 의해 제조된산화아연계 발광 소자
KR100728132B1 (ko) 전류 확산층을 이용한 발광 다이오드
KR101239851B1 (ko) 질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법
KR101308128B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100737821B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
KR101259991B1 (ko) 화합물 반도체 소자 제조 방법
JPWO2019097963A1 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体
KR100730755B1 (ko) 수직형 발광소자 제조 방법 및 그 수직형 발광소자
KR101309767B1 (ko) 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20060626

PG1501 Laying open of application
N231 Notification of change of applicant
PN2301 Change of applicant

Patent event date: 20080404

Comment text: Notification of Change of Applicant

Patent event code: PN23011R01D

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20110624

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20060626

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20120927

Patent event code: PE09021S01D

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20130404

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20130902

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20131129

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20131202

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160907

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160907

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170911

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170911

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191001

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20191001

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201007

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20211014

Start annual number: 9

End annual number: 9

PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20240910