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KR20070037295A - 밀봉 부품 및 기판 처리 장치 - Google Patents

밀봉 부품 및 기판 처리 장치 Download PDF

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KR20070037295A
KR20070037295A KR1020060057116A KR20060057116A KR20070037295A KR 20070037295 A KR20070037295 A KR 20070037295A KR 1020060057116 A KR1020060057116 A KR 1020060057116A KR 20060057116 A KR20060057116 A KR 20060057116A KR 20070037295 A KR20070037295 A KR 20070037295A
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KR
South Korea
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sealing
sealing member
vacuum
radical
processing apparatus
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KR1020060057116A
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Inventor
다이스케 하야시
아키라 무라마츠
Original Assignee
닛폰 바루카 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

이중 밀봉 구조에 필요한 소정의 밀봉 공간을 필요로 하는 일 없이 저렴하고도 우수한 내구성을 확보할 수 있는 밀봉 부품. 밀봉 부품은 외측으로부터 감압 용기의 내측을 밀봉하는데, 감압 용기 내에는 고 탄성 중합 물질에 침식하는 침식 물질이 존재하고 그리고 감압 용기는 그 감압 용기에 수용되는 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치로 이루어져 있다. 밀봉 부품은 래디컬 밀봉 부재 및 진공 밀봉 부재를 구비한다. 래디컬 밀봉 부재는 감압 용기의 내측에 배치되고 그리고 침식 물질에 대해 내성이 있다. 진공 밀봉 부재는 고탄성의 중합 물질로 제조되고 그리고 감압 용기의 외측에 배치되어 있다. 래디컬 밀봉 부재의 적어도 일부와 진공 밀봉 부재의 적어도 일부가 서로 이격되는 것에 의해서 적어도 하나의 대피 공간이 형성된다. 래디컬 밀봉 부재 및 진공 밀봉 부재는 서로 끼워맞춤된다.

Description

밀봉 부품 및 기판 처리 장치{SEALING PART AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 처리장치로서의 플라즈마 처리장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도,
도 2는 도 1에 있어서의 O링 형상의 밀봉 부품의 확대 단면도,
도 3은 도 2에 도시된 밀봉 부품의 구체적 형상을 도시하는 단면도,
도 4는 도 2에 도시된 밀봉 부품의 설치 상태를 나타내는 도면,
도 5는 도 2에 도시된 밀봉 부품의 변형예의 설치 상태를 도시한 도면,
도 6a 내지 6d는 도 2에 도시된 밀봉 부품의 변형예를 도시한 단면도,
도 7은 도 2에 도시된 밀봉 부품을 KF 플랜지 조인트에 적용했을 경우를 도시하는 단면도,
도 8은 본 발명의 제2의 실시형태에 따른 밀봉 부품의 확대 단면도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
W : 웨이퍼 10 : 플라즈마 처리장치
11 : 진공 용기 31 : 용기 뚜껑
46, 55 : 밀봉 부품 47 : 래디컬 밀봉 부재
47a, 47b : 래디컬 밀봉 협소부 48 : 진공 밀봉 부재
48d, 48e, 48f, 48g, 48h, 48i : 대피 공간
49 : 밀봉 홈 50 : KF 플랜지 접속 구조
51 : 파이프 51b : 원형 플랜지부
53 : 센터링 파이프 54 : 체결 부재
54a : 내측 플랜지부 56 : 부식 가스 밀봉 부재
본 발명은, 밀봉 부품(sealing part) 및 기판 처리장치에 관한 것으로, 특히, 반응성 활성 가스로부터 플라즈마를 형성하고, 이 플라즈마를 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리장치에 사용되는 밀봉 부품에 관한 것이다.
기판으로서의 반도체 웨이퍼에 에칭 등의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치는, 거의 진공까지 감압 가능한 진공 챔버를 구비한다. 진공 챔버의 내측에서 플라즈마화된 처리 가스를 이용하여 진공 챔버에 수용된 반도체 웨이퍼에 에칭 처리를 실시한다. 이러한 플라즈마 처리장치에서는, 진공 챔버의 내부(진공)를 외부(대기)로부터 밀봉하기 위해서 링 형상의 밀봉 부품을 사용한다(예컨대, 미국 특허 제 6,689,221 호 참조). 특히, 플라즈마 처리장치로서의 에칭 처리장치에 서는, 반도체 웨이퍼가 플라즈마로부터 에너지(energy)를 받는 것에 의해서 고온이 되기 때문에, 밀봉 부품으로서 내열 고무인 불소 고무로 이루어지는 O 링이 사용된다.
최근, 처리 가스로서 반응성 활성 가스(예컨대, C4F8 가스 등의 CxFy 가스계)를 함유하는 혼합 가스가 사용되므로, 반응 부 생성물에 의해 에칭률(etching rate)을 제어하는 에칭 처리가 주류가 되고 있다. 이 에칭 처리에서는, 반응성 활성 가스를 플라즈마화 할 때, 부착성 활성종(depositable active species), 예컨대, 불소 래디컬이 발생한다.
또, 반응성 활성 가스를 사용하는 에칭 처리에서는 반응 부 생성물이 진공 챔버 내벽에 부착된다. 해당 부착한 반응 부 생성물은 박리해서 파티클(particle)이 되고, 반도체 웨이퍼의 반도체 디바이스에 부착되어서 반도체 디바이스의 수율을 악화시킨다. 따라서, 플라즈마 처리장치에서는 부착된 반응 부 생성물을 제거하기 위해서, 드라이 클리이닝(dry laundering) 처리가 행하여진다. 예를 들면, 드라이 클리이닝 처리의 일종인 WLDC(Wafer-less dry cleaning) 처리가 행하여진다. WLDC 처리에서는 산소 가스로부터 발생한 산소 이온에 의해 반응 부 생성물이 제거되지만, 이 때, 산소 래디컬도 동시에 발생한다.
상기 불소 고무는 래디컬(불소 래디컬 및/또는 산소 래디컬)에 의해 용이하게 소모된다. 그 때문에, 반응성 활성 가스를 채용하는 플라즈마 처리장치에서는, 진공측에 래디컬 내성을 갖는 불소수지(구체적으로는, 테프론(등록 상표명)으로 이 루어지는 O링 형상 밀봉 부품(RTR(래디컬 trap ring))을 배치하고, 대기측으로 불소 고무(구체적으로는, 불화비닐리덴계 고무(FKM))로 이루어지는 O 링을 배치한 2중 밀봉 구조가 사용된다. 또, RTR은 테프론(등록상표) 튜브(tube)와, 이 튜브 내에 충전된 고무로 이루어진다.
이러한 2중 밀봉 구조에서는, 래디컬이 진공측에서 누출하지 않도록 RTR이 래디컬을 밀봉하고, 불소 고무의 O링이 외부의 대기로부터 진공 챔버 내의 진공을 밀봉한다. 또한, 이 2중 밀봉 구조는 RTR과 불소 고무의 O 링이 각각 수용되는 2개의 밀봉 홈을 필요로하기 때문에, 소정의 밀봉용 스페이스가 필요하다.
그러나, 종래의 플라즈마 처리장치는 2중 밀봉 구조를 사용하는 것을 전제로 설계되어 있지 않기 때문에, 소정의 밀봉용 스페이스를 확보 할 수 없고, 상술한 2중 밀봉 구조를 종래의 플라즈마 처리장치에 적용하는 것은 곤란하다. 특히, 2개의 배관을 접합하는데 사용되는 KF 플랜지 접합 구조(JISG 5526)에서는, 구조상 2개의 밀봉 홈을 설치할 수 없기 때문에, 상술한 2중 밀봉 구조를 적용할 수 없다.
2중 밀봉 구조를 적용할 수 없는 경우에는, 내 래디컬(래디컬-resistance)성을 갖는 불소 고무(구체적으로는, 테트라플루오로에틸렌(tetrafluoroethylene)-퍼풀루오로비닐 에테르계 고무(FFKM))로 이루어지는 O링을 사용하지만, FFKM은 매우 비싸고, 또 내 래디컬성은 테프론(등록상표)보다 나쁘다. 특히, 최근, 플라즈마 처리장치가 긴 수명을 갖는 것이 강하게 요구되고 있기 때문에, FFKM에서는 플라즈마 처리장치 사용자의 요구를 만족하는 내구성을 확보할 수 없다.
본 발명의 목적은, 이중 밀봉 구조에 필요한 소정의 밀봉 스페이스를 필요로 하는 일없이, 저렴하며 우수한 내구성을 확보할 수 있는 밀봉 부품 및 기판 처리장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제 1 측면에 의하면, 고탄성 고분자물질을 침식하는 침식 물질이 존재하는 감압 용기(reduced pressure vessel)를 구비하고, 이 감압 용기내에 수용된 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리장치에서, 감압 용기의 내부를 외부로부터 밀봉하는 밀봉 부품에 있어서, 상기 감압 용기의 내부측에 배치되어서 상기 침식 물질에 대한 내성을 갖는 제1 부재와, 상기 감압 용기의 외부측에 배치되어서 상기 고탄성 고분자 물질로 이루어지는 제2 부재와, 서로 이격된 제1의 부재의 적어도 일부 및 제2의 부재의 적어도 일부를 통해서 형성되는 적어도 하나의 소정의 공간을 가지며, 상기 제1 부재 및 제 2 부재가 함께 끼워맞춤되는 밀봉 부품이 제공된다.
상기 밀봉 부품에 의하면, 밀봉 부품이, 감압 용기의 내부측에 배치되어서 고탄성 고분자 물질을 침식하는 침식 물질에 대한 내성을 갖는 제1의 부재와, 감압 용기의 외부측에 배치되어서 고탄성 고분자 물질로 이루어지는 제2의 부재를 구비하고 있다. 따라서, 제2의 부재가 침식되는 것을 제1의 부재에 의해 방지할 수 있고, 이로써, 침식 물질에 대한 내성을 갖는 고탄성 고분자 물질을 사용할 필요를 없앨 수 있다. 또한, 서로 이격되는 제1의 부재의 적어도 일부 및 제2의 부재의 적어도 일부를 통해서 형성되는 소정의 공간을 가지므로, 제2의 부재가 압축 변형 했을 때에 제2의 부재의 일부가 소정의 공간에 진입할 수 있고, 이로써, 제2의 부재는 용이하게 압축 변형할 수 있다. 또한, 제1의 부재와 제2의 부재는 서로 끼워맞춤되므로, 밀봉 부품을 단일체로 취급할 수 있는 동시에, 소형화할 수 있다. 그 결과, 밀봉 부품은, 소정의 밀봉용 스페이스를 필요로 하는 일 없이, 저렴하며 우수한 내구성을 확보 할 수 있다.
바람직하게는, 제1의 부재는 외부측이 개방하는 실질적으로 U자 형상 단면을 가지며, 제2의 부재의 적어도 일부는 U자 형상 단면의 개구부에 진입한다. 그 결과, 항복(yielding)에 의해 제1의 부재의 복원성이 저하하는 경우에도, 진입한 제2의 부재의 반발력에 의해 제1의 부재를 복원시킬 수 있다. 그 결과, 내구성을 장기간에 걸쳐서 유지할 수 있다.
보다 바람직하게는, 제 1 부재의 U자 형상 단면은 적어도 하나의 굴곡부를 갖는다.
상기 밀봉 부품에 의하면, 제1의 부재의 U자 형상 단면은 적어도 하나의 굴곡부를 가지므로, 제1의 부재도 용이하게 압축 변형할 수 있다. 따라서, 제1 부재의 추종성(following ability)을 향상시킬 수 있고, 뛰어난 내구성을 확보 할수있는 동시에, 제1의 부품 및 제2의 부품의 압축 하중을 저감할 수 있다.
더욱 바람직하게는, 굴곡부는 협소부이다.
상기 밀봉 부품에 따르면, 굴곡부는 협소부이기 때문에, 상기 바람직한 측면의 효과를 확실하게 달성할 수 있다.
또한, 바람직하게는, 침식 물질은 반응성 활성 가스로부터 발생하는 활성종 이며, 제1의 부재는 불소수지로 제조된다.
상기 밀봉 부품에 따르면, 침식 물질은 반응성 활성 가스로부터 발생하는 활성종이고, 제 1 부재는 불소수지로 제조된다. 그러한 불소수지는 그러한 활성종에 의해 거의 침식되지 않는다. 따라서, 제2 부재를 구성하는 고탄성 고분자 물질이 활성중에 의해 침식되는 것을 확실히 방지할 수 있고, 따라서 보다 우수한 내구성을 확보할 수 있다.
보다 바람직하게는, 불소수지는, 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌/퍼플루오로 알킬 비닐에테르 공중합체, 테트라플루오로에틸렌/헥사플오로프로필렌 공중합체, 테트라플루오로에틸렌/에틸렌 공중합체, 폴리비닐리덴 플루오라이드 및 폴리클로로트리플루오로에틸렌으로 이루어지는 군에서 선택된 것이다.
상기 밀봉 부품에 따르면, 불소수지는, 폴리 테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌/퍼플루오로 알킬 비닐에테르 공중합체, 테트라플루오로에틸렌/헥사플오로프로필렌 공중합체, 테트라플루오로에틸렌/에틸렌 공중합체, 폴리비닐리덴 플루오라이드 및 폴리클로로트리플루오로에틸렌으로 이루어지는 군에서 선택된 것 이므로, 제1의 부재를 구성하는 재료를 용이하게 또한 염가로 제공받을 수 있고, 따라서, 밀봉 부품을 보다 저렴하게 할 수 있다.
또한 바람직하게는, 고탄성 고분자 물질은, 불화 비닐리덴계 고무 및 테트라플루오로에틸렌-프로필렌계 고무로 이루어지는 군에서 선택된 것이므로, 제2의 부재를 구성하는 재료를 용이하고 또한 염가로 제공할 수 있고, 따라서, 밀봉 부품을 보다 저렴하게 할 수 있다.
바람직하게는, 침식 물질은 부식 가스이며, 제1의 부재는 내부식성 금속으로 제조된다.
상기 밀봉 부품에 따르면, 침식 물질은 부식성 가스이고, 제 1 부재는 내부식성 금속으로 제조된다. 그러한 내 부식성 금속은, 부식 가스에 의해 거의 침식되지 않는다. 따라서, 고탄성 고분자 물질이 부식 가스에 의해 침식되는 것을 확실히 방지할 수 있고, 따라서 보다 뛰어난 내구성을 확보할 수 있다.
보다 바람직하게는, 내부식성 금속은, 스테인레스강, 니켈 및 알루미늄으로부터 선택된다.
상기 밀봉 부품에 의하면, 내부식성 금속은, 스테인레스, 니켈 및 알루미늄 로 이루어지는 군에서 선택된 것이므로, 제1의 부재를 구성하는 재료를 용이하고 또한 저렴하게 제공할 수 있다 수 있고, 따라서, 밀봉 부품을 보다 저렴하게 할 수 있다.
또한, 보다 바람직하게는, 고 탄성 고분자 물질은, 염화 비닐리덴계 고무 및 테트라플루오로에틸렌-프로필렌계 고무로 이루어진 군에서 선택된다.
상기 밀봉 부품에 따르면, 고탄성 고분자 물질은, 염화 비닐리덴계 고무 및 테트라플루오로에틸렌-프로필렌계 고무로 이루어진 군에서 선택된다. 그 결과, 제 2 부재를 구성하는 물질을 보다 용이하고 저렴하게 제조할 수 있고, 따라서 밀봉 부품을 저렴하게 제조할 수 있다.
바람직하게는, 제 2 부재는 목부(neck portion)를 갖는다.
상기 밀봉 부품에 따르면, 제 2 부재는 목부를 가지므로, 제 2 부재의 추종 성을 향상시킬 수 있고, 따라서 차폐 성능을 향상시킬 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 2 측면에서는, 고탄성 고분자물질을 침식하는 침식 물질이 존재하는 감압 용기(reduced pressure vessel)와, 이 감압 용기내에 수용된 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 장치와, 외부로부터 감압 용기의 내측을 밀봉하는 밀봉 부품을 포함하는 기판 처리장치에 있어서, 밀봉 부품은, 감압 용기의 내측에 배치되고 또 침식 물질에 내성을 갖는 제 1 부재와, 감압 용기의 외측에 배치되는 고탄성 중합 물질로 제조된 제 2 부재와, 서로 이격된 제 1 부재의 적어도 일부와 제 2 부재의 적어도 일부를 통해 형성되는 적어도 하나의 소정 공간을 제 1 부재의 적어도 일부를 통해 형성되는 소정의 공간을 구비하고, 제 1 부재 및 제 2 부재가 함께 끼워맞춤되는, 기판 처리 장치가 제공된다.
상기 기판 처리 장치에 따르면, 제 1 측면에서와 같은 효과를 달성할 수 있다.
바람직하게는, 제 1 부재는 외측에 개방된 실질적으로 U자 형상 단면을 가지며, 제 2 부재의 적어도 일부가 상기 U자 형상 단면의 개구 내로 진입한다.
상기 기판 처리 장치에 따르면, 제 1 부재는 외측에 개방된 실질적으로 U자 형상 단면을 가지며, 제 2 부재의 적어도 일부가 상기 U자 형상 단면의 개구 내로 진입하므로, 항복을 통해 제 1 부재의 회복 가능성이 저하하더라도, 제 1 부재를 진입한 제 2 부재로부터의 반발력을 통해 복귀하게 할 수 있다. 그 결과, 장기간에 걸쳐 내구성을 유지할 수 있다.
또한 바람직하게는, 침식 물질은 반응성 활성 가스로부터 생성되는 활성종이 며, 제 1 부재는 염화 수지로 제조된다.
상기 기판 처리 장치에 따르면, 침식 물질은 반응성 활성 가스로부터 생성되는 활성종이며, 제 1 부재는 염화 수지로 제조된다. 그러한 염화수지는 활성종에 의해 침식되기 어렵다. 그 결과, 활성 종에 의해 제 2 부재를 구성하는 고탄성 중합 물질의 침식을 확실하게 방지할 수 있으므로, 보다 양호한 내구성을 확보할 수 있다.
바람직하게는, 침식 물질은 침식 가스이며, 제 1 부재는 내 부식성 금속으로 제조된다.
상기 기판 처리 장치에 따르면, 침식 물질은 부식성 가스이고, 제 1 부재는 내부식성 금속으로 제조된다. 그러한 내부식성 금속은 부식성 가스에 의해 거의 침식되지 않는다. 그 결과, 부식성 가스에 의해 제 2 부재를 구성하는 고탄성 중합 물질의 침식을 확실하게 방지할 수 있으므로, 보다 양호한 내구성을 확보할 수 있다.
본 발명의 상술한 목적 및 다른 목적, 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조하여 하기의 상세한 설명으로부터 보다 명확해질 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하는 도면을 참조하여 본 발명을 설명할 것이다.
우선, 본 발명의 제1의 실시형태에 따른 밀봉 부품 및 기판 처리장치에 대해 서 설명한다. 해당 기판 처리장치는 반응성 활성 가스를 이용하여 기판에 소정의 처리를 실시하도록 구성되어 있다.
도 1은, 본 실시형태에 따른 기판 처리장치로서의 플라즈마 처리장치의 개략구성을 도시하는 단면도이다. 이 플라즈마 처리장치는 기판으로서의 반도체 웨이퍼(W)에 RIE(reactive ion etching) 처리를 실시하고, 또 WLDC를 실행할 수 있도록 구성되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 처리장치(10)는 원통형상의 진공용기(11)(감압 용기)를 갖고, 해당 진공용기(11)는 내부에 처리 공간(S)을 갖는다. 또한, 진공용기(11)내에는, 예컨대, 직경이 300mm인 반도체 웨이퍼(W)(이하, 단순히 "웨이퍼(W)"라 함)를 탑재하는 탑재대로서의 원주형상의 서셉터(12)가 배치되어 있다. 진공용기(11)의 내벽면은 측벽부재(45)로 덮여진다. 해당 측벽부재(45)는 알루미늄으로 제조되고, 그 처리 공간(S)에 대향하는 면은 산화이트륨(Y2O3) 등의 세라믹으로 코팅되어 있다. 또한, 진공용기(11)는 전적으로 접지하고, 서셉터(12)는 진공용기(11)의 바닥부에 절연성 부재(29)를 거쳐서 설치된다.
플라즈마 처리장치(10)에서는, 진공용기(11)의 내측벽과 서셉터(12)의 측면의 사이에, 서셉터(12) 상측의 기체분자를 진공용기(11)의 외부로 배출하는 유로로서 기능하는 배기로(13)가 형성된다. 이 배기로(13)의 도중에는 플라즈마의 누설을 방지하는 환상의 배플 판(14)이 배치된다. 또한, 배기로(13)에 있어서의 배플 판(14)보다 하류의 공간은, 서셉터(12)의 아래로 둥글게 굴곡하고, 가변식 나비 밸 브(butterfly valve)인 자동 압력 제어밸브(adaptive pressure control valve)(이하, "APC 밸브(valve)"라고 함)(15)와 연통한다. APC 밸브(15)는, 절연체(16)를 거쳐서 진공용의 배기 펌프인 터보 분자 펌프(turbo molecular pump)(이하, "TMP"라 함)(17)에 접속되고, TMP(17)는, 밸브(V1)를 거쳐서 배기 펌프인 드라이 펌프(이하, "DP"라고 함)(18)에 접속되어 있다. APC 밸브(15), 절연체(16), TMP(17), 밸브(V1) 및 DP(18)로 구성되는 배기 유로(이하, "주 배기 라인"이라 함)는, APC 밸브(15)를 사용하여 진공용기(11)내의 압력을 제어하는데 사용되고, 또 TMP(17) 및 DP(18)에 의해 진공용기(11)내를 거의 진공 상태가 될 때까지 압력을 내린다.
또, 배관(19)이 절연체(16) 및 APC밸브(15)의 사이로부터 밸브(V2)를 거쳐서 DP(18)에 접속되어 있다. 배관(19) 및 밸브(V2(이하, "바이패스 라인"이라 함)는, 절연체(16) 및 TMP(17)을 바이패스하고, DP(18)에 의해 진공용기(11)내를 거칠하게 하는데 사용된다.
서셉터(12)에는 하부전극용의 고주파 전원(20)이 급전 막대(21) 및 정합기(matcher)(22)를 거쳐서 접속되어 있다. 이 하부 전극용의 고주파 전원(20)은, 소정의 고주파 전력을 서셉터(12)에 공급한다. 이로써, 서셉터(12)는 하부전극으로서 기능한다. 또한, 정합기(22)는, 서셉터(12)로부터의 고주파 전력의 반사를 저감해서 고주파 전력의 서셉터(12)로의 공급 효율을 최대로 한다.
서셉터(12)의 상측부에는, 전기 도전 막으로 이루어지는 원판형상의 ESC 전극판(23)이 배치되어 있다. ESC 전극판(23)에는 직류 전원(24)이 전기적으로 접속 되어 있다. 웨이퍼(W)는, 직류 전원(24)으로부터 ESC 전극판(23)에 인가되는 직류 전압에 의해 발생하는 쿨롱(coulomb) 힘 또는 존슨·라벡(Johnsen-Rahbek) 힘에 의해 서셉터(12)의 상면에 흡착 유지된다. 또한, 서셉터(12)의 상측부에는, 서셉터(12)의 상면에 흡착 유지된 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 환상의 포커스 링(25)이 배설된다. 이 포커스 링(25)은, 처리 공간(S)에 노출하고, 해당 처리 공간(S)에 있어서 플라즈마를 웨이퍼(W)의 표면을 향해서 수속하여, RIE 처리의 효율을 향상시킨다.
또, 서셉터(12)의 내부에는, 예컨대, 원주방향으로 연장하는 환상의 냉매실(coolant chamber)(26)이 설치된다. 이 냉매실(26)에는, 냉각 유닛(chiller unit)(도시하지 않음)으로부터 냉매용 배관(27)을 거쳐서 소정온도의 냉매, 예컨대, 냉각수나 가덴(Galden)(등록상표)액이 순환 공급되어, 해당 냉매의 온도에 의해 서셉터(12) 상면에 흡착 유지된 웨이퍼(W)의 처리 온도가 제어된다.
또한, 서셉터(12)의 상면의 웨이퍼(W)가 흡착 유지되는 부분(이하, "흡착면"이라 함)에는, 복수의 열전도 가스 공급 구멍(28)이 설치되어 있다. 이들 복수의 열전도 가스 공급 구멍(28)은, 서셉터(12) 내부에 배치된 열전도 가스 공급 라인(30)을 거쳐서 열전도 가스 공급부(32)에 접속되어 있다. 이 열전도 가스 공급부(32)는 열전도 가스로서의 헬륨 가스를, 열전도 가스 공급 구멍(28)을 거쳐서 흡착면 및 웨이퍼(W)의 이면 사이의 간극에 공급한다.
또, 서셉터(12)의 흡착면에는, 서셉터(12)의 상면으로부터 돌출할 수 있도록 된 리프트 핀으로서의 복수의 푸셔 핀(pusher pin)(33)이 배치되어 있다. 이들 푸셔 핀(33)은, 모터(도시하지 않음)와 볼 나사(도시하지 않음)을 거쳐서 접속되어, 볼 나사에 의해 직선운동으로 변환된 모터의 회전운동을 통하여, 흡착면으로부터 자재로 돌출한다. 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하도록 웨이퍼(W)를 흡착면에 흡착 유지 할 때, 푸셔 핀(33)은 서셉터(12)에 수용되고, RIE 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 진공용기(11)로부터 반출 할때는, 푸셔 핀(33)은 서셉터(12)의 상면으로부터 돌출해서 웨이퍼(W)를 서셉터(12)로부터 이격시켜 윗쪽으로 들어 올린다.
진공용기(11)의 천장부에는, 서셉터(12)와 대향하는 가스 도입 샤워 헤드(shower head)(34)가 배치되어 있다. 가스 도입 샤워 헤드(34)에는 정합기(35)를 거쳐서 상부 전극 고주파 전원(36)이 접속되어 있다. 상부 전극용의 고주파 전원(36)은 소정의 고주파 전력을 가스 도입 샤워 헤드(34)에 공급하므로, 가스 도입 샤워 헤드(34)는 상부전극으로서 기능한다. 또, 정합기(35)의 기능은 상술한 정합기(22)의 기능과 유사하다.
가스 도입 샤워 헤드(34)는, 다수의 가스 구멍(37)을 갖는 천장 전극판(38)과, 해당 천장 전극판(38)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(39)를 갖는다. 또한, 해당 전극 지지체(39)의 내부에는 버퍼실(40)이 설정되고, 이 버퍼실(40)에는 처리 가스 공급부(도시하지 않음)로부터의 처리 가스 도입 관(41)이 접속되어 있다. 이 처리 가스 도입 관(41)의 도중에는 배관 절연체(42)가 배치되어 있다. 이 배관 절연체(42)는 전기 절연재로 제조되고, 가스 도입 샤워 헤드(34)로 공급된 고주파 전력이 처리 가스 도입 관(41)에 의해 처리 가스 공급부에 누설(leak)하는 것을 방지한다. 가스 도입 샤워 헤드(34)는, 처리 가스 도입 관(41)으로부터 버퍼 실(40)로 공급된 처리 가스, 예컨대, 반응성 활성 가스인 CxFy 가스와 아르곤(Ar)가스의 혼합 가스를, 가스 구멍(37)을 거쳐서 진공용기(11)내부(처리 공간(S))에 공급한다.
플라즈마 처리장치(10)는, 진공용기(11)의 상부에 배치된 용기 뚜껑(31)를 구비한다. 용기 뚜껑(31)는 가스 도입 샤워 헤드(34)를 덮는다. 진공용기(11)내부를 외부로부터 밀봉하기 위해서, 용기 뚜껑(31) 및 진공용기(11)의 사이에는 O 링형상의 밀봉 부품(46)이 가스 도입 샤워 헤드(34)를 둘러싸도록 배치되어 있다.
또, 진공용기(11)의 측벽에는, 푸셔 핀(33)에 의해 서셉터(12)로부터 위쪽으로 상승된 웨이퍼(W)의 높이에 대응하는 위치에 웨이퍼 반출입구(43)가 설치되고, 반출입구(43)에는, 해당 반출입구(43)를 개폐하는 게이트 밸브(44)가 설치되어 있다.
이 플라즈마 처리장치(10)의 진공용기(11)내에서는, 상술한 것과 같이, 서셉터(12) 및 가스 도입 샤워 헤드(34)에 고주파 전력을 공급하고, 서셉터(12) 및 가스 도입 샤워 헤드(34) 사이의 처리 공간(S)에 고주파전력을 전압을 가하는 것에 의해, 처리 공간(S)에 있어서 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 공급된 혼합 가스를 플라즈마화함으로써, 이온을 발생시키고, 이온 등에 의해 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시한다. 이 때, 혼합 가스의 CxFy가스로부터 생성된 반응 부생성 물에 의해 H 레이트(rate)가 제어된다. 또한, 이온이 생성되면 부착 가능한 활성종으로서 불소 래디컬이 발생한다.
상술한 플라즈마 처리장치(10)의 각 구성 부품의 동작은, 플라즈마 처리장치(10)가 구비하는 제어부(도시하지 않음)의 CPU가 RIE 처리에 대응하는 프로그램에 따라 제어한다.
도 2는, 도1에 있어서의 O링 형상의 밀봉 부품(46)의 확대 단면도다. 또, 가스 도입 샤워 헤드(34)은 도면중 상측에 배치되어 있기 때문에, 도면중 상측이 진공용기(11)의 내부에 해당한다. 이하에서는, 이하, 도면중 상측 영역을 "내부(진공)측", 도면중 하측 영역을 "외부(대기)측"이라 칭한다. 또한, 도면중 상/하 방향을 "수평방향"이라 하고, 도면중 좌우 방향을 "상하 방향"이라 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 밀봉 부품(46)은 대기측이 개구하고 있는 대략 U자 형상의 단면 형상을 갖는 래디컬 밀봉 부재(47)와, 수평방향으로 배향된 대략 조롱박 형상의, 즉 목부가 형성된 단면을 갖는 진공 밀봉 부재(48)를 구비하고 있다. 래디컬 밀봉 부재(47)는 내부(진공)측에 배치되고, 진공 밀봉 부재(48)는 외부(대기)측에 배치되어 있다. 래디컬 밀봉 부재(47)는 불소수지인 폴리테트라플루오로 에틸렌(polytetrafluoroethylene)(PTFE)으로 제조되고, 진공 밀봉 부재(48)는 FKM으로 제조된다.
밀봉부(46)는 진공 용기(11)에 형성된 직사각형의 단면 형상을 갖는 밀봉 홈(49)과, 용기 뚜껑(31)에 의해 한정되는 공간에 수용된다. 밀봉 부품(46) 위에 용기 뚜껑(31)이 배치되고, 용기 뚜껑(31)은 밀봉 부품(46)의 상부와 접촉한다. 구체적으로는, 밀봉 홈(49)의 저면(49b)은 래디컬 밀봉 부재(47) 및 진공 밀봉 부재(48)와 접촉하고, 용기 뚜껑(31)는 래디컬 밀봉 부재(47) 및 진공 밀봉 부재(48) 와 접촉한다.
용기 뚜껑(31)과 밀봉 홈(49)의 저면(49b) 사이의 거리는, 래디컬 밀봉 부재(47)의 수직 방향으로의 본래의 길이 진공 밀봉 부재(48)의 수직 방향으로의 본래의 길이보다 소정 길이만큼 짧게 설정되어 있으므로, 밀봉 부품(46)이 밀봉 홈(49)과 용기 뚜껑(31)에 의해 한정되는 공간에 수용되었을 때, 래디컬 밀봉 부재(47) 및 진공 밀봉 부재(48)는 상하 방향으로 압축된다. 그 결과, 래디컬 밀봉 부재(47) 및 진공 밀봉 부재(48)는 반발력을 발생하고, 이 반발력에 기인해서 래디컬 밀봉 부재(47) 및 진공 밀봉 부재(48)의 각각은 용기 뚜껑(31) 및 밀봉 홈(49)의 저면(49b)에 밀착한다.
래디컬 밀봉 부재(47)는, 용기 뚜껑(31)에 접촉하는 부분 및 진공측 측면(49a)에 접촉하는 부분의 사이에 래디컬 밀봉 협소부(radical sealing narrow portion)(47a)를 갖고, 진공측 측면(49a)에 접촉하는 부분과 저면(49b)에 접촉하는 부분의 사이에 래디컬 밀봉 협소부(47b)를 갖는다. 래디컬 밀봉 협소부(47a, 47b)의 강성은 낮기 때문에, 래디컬 밀봉 부재(47)의 압축 변형을 조장한다. 즉, 래디컬 밀봉 협소부(47a, 47b)는 굴곡부이며, 래디컬 밀봉 부재(47)가 상하 방향으로 압축되면, 래디컬 밀봉 부재(47)는, 래디컬 밀봉 협소부(47a, 47b)에서 굴곡하여, 압축 변형한다.
진공 밀봉 부재(48)는, 상술한 것과 같이 대략 조롱박 형상의 단면을 갖기 때문에, 진공측 덩어리부(lump portion)(48a)와, 대기측 덩어리부(48b)와, 진공측 덩어리부(48a) 및 대기측 덩어리부(48b)를 연결하는 진공 밀봉 협소부(48c)를 갖는 다. 래디컬 밀봉 부재(47)의 일부 및 진공 밀봉 부재(48)의 일부[구체적으로는, 진공측 덩어리부(48a)의 전방부, 대기측 덩어리부(48b)의 후방부, 및 진공 밀봉 협소부(48c)의 상측부 및 하측부]는 서로 이격되어 2개의 대피 공간(refuse space)(48d, 48e)을 형성한다. 즉, 진공 밀봉 협소부(48c)는, 진공 밀봉 부재(48)에 목부를 형성한다.
진공 밀봉 부재(48)의 진공측 덩어리부(48a)는 래디컬 밀봉 부재(47)의 실질적으로 U자형 단면의 개구부에 압입되어 있다. 이로써, 래디컬 밀봉 부재(47)와 진공 밀봉 부재(48)는 서로 끼워맞춤 하고 있다. 또한, 진공 밀봉 부재(48)의 진공측 덩어리부(48a)의 일부는 래디컬 밀봉 협소부(47a, 47b)로부터 이격해서 대피 공간(48f, 48g)을 형성한다.
진공 밀봉 부재(48)가 상수직 방향으로 압축될 때, 진공 밀봉 부재(48)로부터 돌추루한 부분이, 술한 진공 밀봉 부재(48)의 주위에 배치된 대피 공간(48d, 48e, 48f, 48g) 내로 진입하므로, 대피 공간(48d, 48e, 48f, 48g)은 진공 밀봉 부재(48)의 압축 변형을 조장한다.
다음에, 밀봉 부품(46)의 구체적 형상에 대해서 설명한다.
도 3은, 도 2에 도시된 밀봉 부품(46)의 구체적 형상을 도시하는 단면도이다. 도3에 있어서, 밀봉 부품(46)은, 진공 밀봉 부재(48)의 진공 덩어리부(48a)가 래디컬 밀봉 부재(47)의 실질적으로 U자 형상 단면의 개구부에 압입되어서 변형하는 것을 제외하고, 원래의 길이 상태로 도시되어 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 진공 밀봉 부재(48)는, 자연 길이 상태에 있어 서, 수평방향의 길이가 L1로, 상하 방향의 길이(대기측 덩어리부(48b)의 상하 방향높이)가 L2로, 진공 밀봉 협수부(48c)의 상하 방향의 길이(폭)가 L3가 되도록 형성되어 있다.
래디컬 밀봉 부재(47)는, 자연 길이 상태에 있어서, 수평방향의 길이가 L4로, 상하 방향의 길이가 L5로, 용기 뚜껑(31)과 접촉하는 접촉면(47c) 및 밀봉 홈(49)의 저면(49b)과 접촉하는 접촉면(47d)의 길이가 L6이 되도록 각각 형성되어 있다. 또한, 래디컬 밀봉 부재(47)는, 래디컬 밀봉 협지부(47a, 47b)의 두께가 W1로 형성되어 있다.
또, 진공 밀봉 부재(48) 및 래디컬 밀봉 부재(47)는, 진공 밀봉 부재(48)의 진공측 덩어리부(48a)가 래디컬 밀봉 부재(47)의 실질적으로 U자 형상 단면의 개구부 내에 압축 끼워맞춤된(press-fitted) 상태에 있어서, 대피 공간(48d, 48e)의 수평방향의 폭이 D1으로, 대피 공간(48f, 48g)의 최소폭이 D2가 되도록 각각 형성되어 있다. 또한, 용기 뚜껑(31)과 밀봉 홈(49)의 저면(49b) 사이의 거리는 Dr이다.
진공 밀봉 부재(48)의 수평방향 길이(L1) 및 상하 방향 길이(L2), 및 래디컬 밀봉 부재(47)의 수평방향 길이(L4) 및 상하 방향 길이(L5)는, 용기 뚜껑(31)과 밀봉 홈(49)의 저면(49b) 사이의 거리Dr에 대하여 최적의 값으로 설정되어 있다. 구체적으로는, 진공 밀봉 부재(48)의 수평방향 길이(L1)는, 1.8xDr≥L1≥0.8xDr, 바람직하게는 1.5xDr≥L1≥1.2xDr를 만족하는 값으로 설정되어 있다. 진공 밀봉 부재(48)의 상하 방향 길이(L2)는, 1.8xDr≥L2≥1.05xDr, 바람직하게는 1.5xDr≥L2≥1.15xDr를 만족하는 값으로 설정되어 있다. 또한, 래디컬 밀봉 부재(47)의 수평방 향 길이(L4)는, (5/6)×L1≥L4≥(1/6)×L1를, 바람직하게는 (2/3)×L1≥L4≥(1/3)×L1를 만족하는 값으로 설정되어 있다. 래디컬 밀봉 부재(47)의 상하 방향 길이(L5)는, 1.8×Dr≥L5≥1.05×Dr를, 바람직하게는 1.5×Dr≥L5≥1.15×Dr를 만족하는 값으로 설정되어 있다.
진공 밀봉 협소부(48c)의 상하 방향의 길이(L3)은, 진공 밀봉 부재(48)의 상하 방향길이(L2)에 대응해서 설정되어 있고, O.95 ×L2≥L3≥0.3×L2을, 바람직하게는 O.9 ×L2≥L3≥0.45×L2를 만족하는 값으로 설정되어 있다. 진공 밀봉 협소부(48c)의 상하 방향의 길이(L3)가 길면, 진공 밀봉 협소부(48c)에 있어서의 진공 밀봉 부재(48)의 강성이 높게 되고, 진공 밀봉 부재(48)가 취급하기 쉬워진다. 한편, 진공 밀봉 협소부(48c)의 상하 방향의 길이(L3)가 짧으면, 진공 밀봉 부재(48)가 용기 뚜껑(31)이나 밀봉 홈(49)의 저면(49b)의 경사를 추종하는 능력이 향상된다.
이와 같이, 진공 밀봉 협소부(48c)가 진공 밀봉 부재(48)에 목부를 형성하므로, 대피 공간(48d, 48e)과 공동하여 진공 밀봉 부재(48)의 용기 뚜껑(31) 및 저면(49b)에 대한 추종성을 향상시킬 수 있고, 밀봉 성능을 향상시킬 수 있다.
래디컬 밀봉 부재(47)의 접촉면(47c, 47d)의 길이(L6)는, 상한치가 수평방향길이(L4)에 대응해서 설정되어 있고, 0.6×L4≥L6≥0.5mm를, 바람직하게는 O.6 ×L4≥L6≥1mm를 만족하는 값으로 설정되어 있다. 이렇게 접촉면(47c, 47d)에 폭(길이 L6)을 갖게 하는 것에 의해, 래디컬 밀봉 부재(47)의 차폐(shield) 성능을 안정화시킬 수 있다.
래디컬 밀봉 부재(47)의 래디컬 밀봉 협소부(47a, 47b)의 두께(W1)는, 래디컬 밀봉 협소부(47a, 47b)의 강성, 즉 두께(W1)에서의 PTFE의 강성이, 래디컬 밀봉 부재(47)의 U자 형상 단면의 개구부에 압입된 진공측 덩어리부(48a)의 복원력, 즉 진공측 덩어리부(48a)가 압입된 상태에 있어서 FKM의 복원력 이하의 힘에 의해 변형하는 레벨이 되도록 설정되어 있다. 이것은, 래디컬 밀봉 부재(47)의 접촉면(47c, 47d)이 크리프(creep)하는 경우에도, 진공측 덩어리부(48a)의 복원력에 의해 래디컬 밀봉 협지부(47a, 47b)를 윗쪽 및 아래쪽으로 각각 밀어 올려서 래디컬 밀봉 부재(47)의 래디컬에 대한 차폐 성능을 유지하기 위해서이다. 구체적으로는, 래디컬 밀봉 협지부(47a, 47b)의 두께(W1)는, 2.0mm≥W1≥0.05mm을, 바람직하게는, 1.5mm≥W1≥0.1mm을 만족하는 값으로 설정되어 있다. 래디컬 밀봉 협지부(47a, 47b)의 두께가 상기 두께(W1)보다 얇으면, 래디컬 밀봉 협지부(47a, 47b)의 내구성 및 가공성이 극단적으로 저하하므로, 래디컬에 대한 양호한 차폐 성능을 더 이상 얻을 수 없게된다.
이렇게 래디컬 밀봉 협소부(47a, 47b)를 설치하는 것에 의해, 래디컬 밀봉 부재(47)의 변형의 자유도가 향상되고, 래디컬 밀봉 부재(47)를 용이하게 압축 변형시킬 수 있으며, 따라서, 압축시에 있어서의 래디컬 밀봉 부재(47)의 추종성을 향상시킬 수 있고, 래디컬 밀봉 부재(47)를 뛰어난 내구성을 갖는 것으로 할 수 있는 동시에, 래디컬 밀봉 부재(47)상의 압축 하중을 저감할 수 있다.
대피 공간(48d, 48e)의 수평방향의 폭(D1)은, 적어도, 자연 길이 상태(도 3의 상태)에 있어서, 래디컬 밀봉 부재(47)의 대기측 단부와 진공 밀봉 부재(48)의 대기측 덩어리부(48b)가 접촉하지 않고, 또한 밀봉 부품(46)의 설치 상태(도 2의 상태)에 있어서, 래디컬 밀봉 부재(47)의 대기측 단부와 진공 밀봉 부재(48)의 대기측 덩어리부(48b)가 접촉하지 않도록 하는 값으로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 이렇게 대피 공간(48d, 48e)을 설치하는 것에 의해, 밀봉 부품(46)의 설치 상태에 있어서도, 래디컬 밀봉 부재(47) 및 진공 밀봉 부재(48)가 서로 독립해서 움직이는 것이 가능해지고, 예컨대, 불균일한 조임에 의해 진공 밀봉 부재(48)가 넘어지는 경우에도, 래디컬 밀봉 부재(47)는 진공 밀봉 부재(48)의 움직임에 따르는 일 없이 접촉면(47c, 47d) 각각의 용기 뚜껑(31) 및 저면(49b)과의 접촉 상태를 양호하게 유지할 수 있다. 이로써, 래디컬 밀봉 부재(47)의 래디컬에 대한 차폐 성능을 장기간에 걸쳐 안정하게 할 수 있다.
대피 공간(48f, 48g)의 최소 폭(D2)은, 자연 길이 상태(도3의 상태)에 있어서 0보다 크고, 바람직하게는 밀봉 부품(46)의 설치 상태(도 2의 상태)에 있어서도 0보다 커지는 것과 같은 값으로 설정되어 있다. 밀봉 부품(46)에 있어서는 고무재(FKM)와 수지재(PTFE)를 서로 조이는 것 때문에, 고무재만으로 이루어지는 밀봉 부품을 조이는 경우보다 압축 하중이 증가하는 경향이 있지만, 대피 공간(48f, 48g)을 설치하고 또 상술한 바와 같이 대피 공간(48f, 48g)의 최소 폭(D2)을 설정함으로써는, 수지재(래디컬 밀봉 부재(47))로부터의 반력을 억제하여 조임에 필요한 체결력을 저감시킬 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 대피 공간(48f, 48g)을 형성함으로써 래디컬 밀봉 부재(47)의 변형시의 스페이스를 충분히 확보할 수 있고, 래디컬 밀봉 부재(47)의 변형을 안정시킬 수 있으므로, 래디컬 밀봉 부재(47) 의 반력을 보다 저감시킬 수 있다.
플라즈마 처리장치(10)의 진공용기(11) 내부에 불소 래디컬 및/또는 산소 래디컬(이하, 단순히 "래디컬"이라 함)이 생성된다. 이 래디컬에 의해, 진공 밀봉 부재(48)를 구성하는 FKM이 용이하게 소모된다. 여기에서, 도 2의 진공측으로부터 대기측을 향해서 래디컬이 흐르지만, 래디컬 밀봉 부재(47)가 진공측에 배치되어서 용기 뚜껑(31) 및 밀봉 홈(49)의 저면(49b)과 밀착하기 때문에, 래디컬 밀봉 부재(47)는, 래디컬이 대기측에 배치된 진공 밀봉 부재(48)에 접근하는 것을 방지한다. 특히, 래디컬 밀봉 부재(47)를 구성하는 PTFE는 래디컬에 대하여 뛰어난 내성을 가지므로, 래디컬 밀봉 부재(47)는 소모하는 일이 없다. 또한, PTFE는 장시간에 걸쳐서 계속 압축해서 되면 크리핑에 의해 복원성이 저하하지만, 밀봉 부품(46)에서는 래디컬 밀봉 부재(47)의 U자 형상 단면의 개구부에 진공 밀봉 부재(48)의 진공측 덩어리부(48a)가 압입되어 있으므로, 진공측 덩어리부(48a)의 반발력이 래디컬 밀봉 부재(47)의 저하한 복원성을 보충한다. 따라서, 래디컬 밀봉 부재(47)는 장시간에 걸쳐서 래디컬이 대기측에 배치된 진공 밀봉 부재(48)까지 도달하는 것을 방지한다.
또, 플라즈마 처리장치(10)에서는, 진공 밀봉 부재(48)가 대기측에 배치되어서 용기 뚜껑(31) 및 밀봉 홈(49)의 저면(49b)에 밀착한다. 또한, 상술한 것과 같이, 래디컬이 진공 밀봉 부재(48)에 도달하지 않으므로, 진공 밀봉 부재(48)는 소모하는 일이 없다. 따라서, 진공 밀봉 부재(48)는 장시간에 걸쳐서 외부의 대기가 진공용기(11) 내부에 진입하는 것을 방지할 수 있다.
본 실시형태에 따른 밀봉 부품(46)에 의하면, 진공측에 배치되어서 래디컬에 대하여 뛰어난 내성을 갖는 PTFE로 이루어지는 래디컬 밀봉 부재(47)와, 대기측에 배치되어서 FKM로 이루어지는 진공 밀봉 부재(48)를 구비한다. 래디컬 밀봉 부재(47)는 래디컬이 진공 밀봉 부재(48)에 접근하는 것을 방지하기 때문에, 진공 밀봉 부재(48)가 래디컬에 의해 마모되는 것을 방지할 수 있고, 이로써, 래디컬에 대한 내성을 갖는 FFKM을 사용할 필요를 없앨 수 있다. 또한, 래디컬 밀봉 부재(47)와 진공 밀봉 부재(48)는 서로 끼워맞춤되어 있으므로, 밀봉 부품(46)을 일체적으로 취급할 수 있는 동시에, 소형화 할 수 있다. 그 결과, 밀봉 부품(46)은, 소정의 밀봉용 스페이스를 필요로 하는 일없이, 저렴하며 뛰어난 내구성을 확보할 수 있다.
상술한 밀봉 부품(46)에 따르면, 래디컬 밀봉 부재(47)는 대기측이 개방하고 있는 U자 형상 단면을 갖고, 진공 밀봉 부재(48)의 진공 진공측 덩어리부(48a)가 U자형 단면의 개구부에 압입된다. 따라서, 크피링에 의해 래디컬 밀봉 부재(47)의 복원성이 저하해도, 압입된 진공측 덩어리부(48a)의 반발력에 의해 래디컬 밀봉 부재(47)의 저하한 복원성을 보충할 수 있다. 그 결과, 래디컬 밀봉 부재(47)는 장시간에 걸쳐서 래디컬이 대기측에 배치된 진공 밀봉 부재(48)에 접근하는 것을 방지할 수 있으므로, 밀봉 부품(46)의 내구성을 장기간에 걸쳐서 유지할 수 있다.
또, 밀봉 부품(46)에서는, 래디컬 밀봉 부재(47)는 PTFE로 제조된다. PTFE 는 래디컬에 대하여 뛰어난 내성을 갖고, 래디컬에 의해 거의 소모되는 일이 없다. 따라서, 진공 밀봉 부재(48)의 FKM이 래디컬에 의해 소모하는 것을 확실히 방지할 수 있으므로, 보다 뛰어난 밀봉 부품(46)의 내구성을 확보할 수 있다.
또한, 밀봉 부품(46)은, 진공 밀봉 부재(48)의 주위에 해당 진공 밀봉 부재(48)만으로 또는 진공 밀봉 부재(48)와 래디컬 밀봉 부재(47)가 협동해서 한정하는 대피 공간(48d, 48e,48f, 48g)을 가지므로, 진공 밀봉 부재(48)가 상하 방향으로 압축되었을 때 진공 밀봉 부재(48)로부터 돌출하는 부분이 대피 공간(48d, 48e, 48f, 48g)에 진입할 수 있고, 이로써, 진공 밀봉 부재(48)는 용이하게 압축 변형 할 수 있다. 또한, 래디컬 밀봉 부재(47)은 U자 형상 단면에 있어서 래디컬 밀봉 협지부(47a, 47b)를 가지므로, 래디컬 밀봉 부재(47)도 용이하게 압축 변형할 수 있다. 따라서, 밀봉 홈(49)에 있어서의 래디컬 밀봉 부재(47)의 저면(49b) 및 용기 뚜껑(31)에 대한 추종성을 향상시킬 있고, 또, 뛰어난 내구성을 확보할 수 있는 동시에, 래디컬 밀봉 부재(47) 및 진공 밀봉 부재(48)상의 압축 하중을 저감할 수 있다.
또, 밀봉 부품(46)에 따르면, FKM로 이루어지는 진공 밀봉 부품(48)이 진공 밀봉을 실현한다. FKM 은 밀착하는 면의 면 조도가 큰 경우에도 진공 밀봉을 실현할 수 있다. 이로써, 밀봉 부품(46)은 뛰어난 진공 밀봉을 실현할 수 있다. 또한, 용기 뚜껑(31)이나 밀봉 홈(49)의 저면(49b)의 면 조도를 극히 작게 하는 필요가 없다. 그 결과, 용기 뚜껑(31)이나 밀봉 홈(49)의 면 조도 관리가 용이해지기 때문에, 플라즈마 처리장치(10)의 제조 비용을 저하할 수 있다.
상술한 밀봉 부품(46)에서는, 래디컬 밀봉 부재(47)를 PTFE로 제조했다. 그러나, 래디컬 밀봉 부재(47)는 래디컬에 대하여 내성을 갖는 어떠한 재료에 의해 서도 구성될 수 있고, 예컨대, 테트라플루오로에틸렌(tetrafluoroethylene)/퍼플루오로알킬 비닐 에테르 공중합체(PFA), 테트라플루오로에틸렌/헥사플루오로프로필렌 공중합체(FEP), 테트라플루오로에틸렌/에틸렌 공중합체(ETFE), 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 및 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE)중 어느 것에 의해 구성되어도 좋다. 이들의 재료는 용이하고 또한 염가로 입수 할 수 있으므로, 밀봉 부품(46)을 보다 염가로할 수 있다.
또, 상술한 밀봉 부품(46)에서는, 진공 밀봉 부재(48)를 FKM으로 제조하였다. 그러나, 진공 밀봉 부재(48)는 진공 밀봉성을 갖는 재료이면 어떠한 것으로도 제조될 수 있고, 예컨대, 테트라플루오로에틸렌-프로필렌계 고무(FEPM)로 제조될 수도 있다. 이들의 재료도 용이하고 또한 염가로 입수할 수 있으므로, 밀봉 부품(46)을 보다 염가로 할 수 있다.
다음에, 상기 밀봉 부품(46)의 변형 예에 대해서 설명한다.
도 2, 3에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 있어서, 밀봉 부품(46)의 래디컬 밀봉 부재(47)는, 밀봉 부품(46)의 대칭면(도 4 참조)을 중심으로 각 측면에 굴곡부로서의 하나의 래디컬 밀봉 협지부(47a, 47b)를 각각 갖는 것이다. 이 경우, 도4에 도시하는 바와 같이, 밀봉 부품(46)의 설치 상태(도 2의 상태)에 있어서, 용기 뚜껑(31)또는 저면(49b)의 압축력, 및 진공 밀봉 부재(48)의 복원력에 의해, 래디컬 밀봉 부재(47)의 접촉면(47c, 47d)이 대응하는 면에 면접촉하지 않는 경우가 발생한다. 이것에 대하여, 본 변형예는 후술하는 도 6(A)∼(D)에 도시하는 바와 같이, 래디컬 밀봉 부재(47)가, 밀봉 부품(46)의 대칭면에 대하여 대칭으로 설치되는 굴곡부를 적어도 3개 이상 구비하는 것으로 될 수도 있고, 이에 의해서 밀봉 부품(46)의 설치 상태(도 2의 상태)에 있어서, 래디컬 밀봉 부재(47)의 접촉면(47c, 47d)을 용기 뚜껑(31)또는 저면(49b)의 면에 대하여 각각 표면 접촉시킬 수 있으므로, 양호한 래디컬 차폐 효과를 얻을 수 있다.
이것은, 래디컬 밀봉 부재(47)가 밀봉 부품(46)의 대칭면에 대하여 대칭으로 배치되는 굴곡부를 적어도 3개 이상 구비할 경우는, 도 5에 도시된 바와 같이, 각 대향 부재[용기 뚜껑(31) 또는 저면(49b)]의 압축력과 진공 밀봉 부재(48)의 복원력에 의해 래디컬 밀봉 부재(47)에 발생하는 모멘트가 각 굴곡부에 분산되므로, 래디컬 밀봉 부재(47)의 접촉면(47c, 47d)이 각 대향 부재를 따르기 때문이다.
도 6(A)∼(D)에 밀봉 부품(46)의 구체적인 변형을 도시한다. 도 6(A),(B)에 도시하는 바와 같이, 래디컬 밀봉 부재(47)는, 래디컬 밀봉 협지부(47a, 47b)에 부가하여, 대칭면에 형성된 하나 이상의 굴곡부를 구비할 수도 있다. 변형예로, 도6(C),(D)에 도시하는 바와 같이, 래디컬 밀봉 부재(47)는, 래디컬 밀봉 협지부(47a, 47b)에 부가하여, 대칭면에 대하여 대칭에 배설된 2개의 굴곡부를 구비하는 것이라도 좋다.
굴곡부는, 협소부에 의해 구성하는 것에 한정되지 않고, 노치나 오목부에 의해 구성될 수도 있거나(도 6(A),(C)참조), 각부(angular part)에 의해 구성될 수도 있거나(도 6(B),(D)참조), 또는 다른 형상으로 이루어질 수도 있다.
이상, 밀봉 부품(46)이 밀봉 홈(49)과 용기 뚜껑(31)에 의해 한정되는 공간에 수용되는 경우에 대해서 설명했지만, 밀봉 부품(46)이 적용되는 장소는 이것에 한정되지 않고, 진공을 대기로부터 밀봉할 필요가 있는 장소이면 어디에라도 적용 할 수 있다. 예를 들면, 진공용기(11)내부의 가스 등을 배기하는 배기 계통의 접속부에 적용 할 수 있다. 배기 계통의 접속부로서는 KF 플랜지 접속 구조가 넓게 사용되고 있다.
도 7은, 도 2에 있어서의 밀봉 부품을 KF 플랜지 접속 구조에 사용했을 경우를 도시하는 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, KF 플랜지 접속 구조(50)는, 구멍(51a)과 동일축의 원형 플랜지부(51b)를 갖는 파이프(51)와, 이 파이프(51)의 구멍(51a)과 연통하는 구멍(52a)을 갖는 수용부(52)와, 파이프(51) 및 수용부(52)의 사이에 개재하는 중앙 파이프(53)와, 내측 플랜지부(54a)를 갖는 대략 링 형상의 체결 부재(54)를 구비한다.
파이프(51)는, 그 말단면에 구멍(51a)과 동일축이며 이 구멍(51a)보다 소정 값 만큼 더 큰 직경을 갖는 삽입 구멍(51c)을 갖고, 수용부(52)도 단면에 있어서 구멍(52a)과 동일축이며 삽입 구멍(51c)과 동일 직경의 삽입 구멍(52b)을 갖는다. 센터링 파이프(centering pipe)(53)의 외경은 삽입 구멍(51c, 52b)의 직경보다 소정 값만큼 더 작게 설정되어 있다. 따라서, 중앙 파이프(53)의 상하 단부를 각각 삽입 구멍(51c, 52b)에 삽입하는 것에 따라 파이프(51)의 구멍(51a) 및 수용부(52)의 구멍(52a)의 중심을 설정할 수 있다.
또, 중앙 파이프(53)는 도 7의 수평방향으로 돌출하는 돌출부(53a)를 갖는다. 돌출부(53a)는 도 7의 수직 방향으로 소정의 길이를 갖고, 상하 단부는 도 7 의 수평방향을 따라 연장되고, 그것의 측단부는 단면이 활 모양으로 성형된다. 체결 부재(54)의 내측 플랜지부(54a)는 중앙 파이프(53)를 거쳐서 수용부(52)에 부착된 상태에서 파이프(51)의 원형 플랜지부(51b)의 주연부를 가압한다. 이로써, 돌출부(53a)의 상하 단부는 각각 파이프(51)의 단면 및 수용부(52)의 단면과 접촉해서 파이프(51)와 수용부(52) 사이의 간격을 소정 값으로 유지한다.
또, KF 플랜지 접속 구조(50)에서는, 구멍(51a)이 진공용기(11) 내부에 연통한다. 따라서, 구멍(51a) 및 구멍(52a)의 내압은 거의 진공이며, 구멍(51a) 및 구멍(52a) 내로 래디컬이 흐른다. 또한, 도 7에서는, 구멍(51a) 및 구멍(52a)이 진공측에 해당하고, 파이프(51)의 외측이 대기측에 해당한다.
여기서, 밀봉 부품(46)은, 상술한 것과 같이, 래디컬 밀봉 부재(47)와 진공 밀봉 부재(48)가 서로 끼워맞춤되는 것에 의해 작은 사이즈로 되어 있기 때문에, 밀봉 부품(46)은, 소정의 밀봉용 스페이스를 필요로 하지 않는다. 따라서, 밀봉 부품(46)을 파이프(51)의 단면, 수용부(52)의 단면, 및 중앙 파이프(53)의 돌출부(53a)의 활모양 측면에 의해 한정되는 공간에 수용할 수 있다. 즉, KF 플랜지 접속 구조(50)의 구조를 변경하지 않고, 밀봉 부품(46)을 적용할 수 있다.
KF 플랜지 접속 구조(50)에서는, 파이프(51)의 단면과 수용부(52)의 단면사이의 거리, 즉, 돌출부(53a)의 수직 방향의 길이는, 래디컬 밀봉 부재(47)의 수직 방향에 관한 고유 길이 및 진공 밀봉 부재(48)의 수직 방향에 관한 고유 길이 보다 소정의 길이만큼 짧게 설정되어 있으므로, 밀봉 부품(46)이 파이프(51)의 단면, 수용부(52)의 단면, 및 중앙 파이프(53)의 돌출부(53a)의 활모양 측면에 의해 한정되 는 공간에 수용되었을 경우, 래디컬 밀봉 부재(47) 및 진공 밀봉 부재(48)는 수직 방향으로 서로 압축된다. 그 결과, 래디컬 밀봉 부재(47) 및 진공 밀봉 부재(48)는 반발력을 발생하고, 이 반발력에 기인해서 래디컬 밀봉 부재(47) 및 진공 밀봉 부재(48)는 파이프(51)의 단면 및 수용부(52)의 단면에 밀착한다. 따라서, 래디컬 밀봉 부재(47)는 구멍(51a) 및 구멍(52a)에 흐르는 래디컬이 진공 밀봉 부재(48)에 도달하는 것을 장시간에 걸쳐서 방지할 수 있다. 또한, 진공 밀봉 부재(48)는 외부의 대기가 구멍(51a) 및 구멍(52a)에 진입하는 것을 장시간에 걸쳐서 방지할 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 2의 실시형태에 따른 밀봉 부품에 대해서 설명한다. 본 실시형태는, 그 구성이나 작용이 상술한 제1 실시형태와 기본적으로 같아서, 기판 처리장치에 있어서 반응성 활성 가스가 아니라 부식 가스를 채용하는 점에서만 상술한 제1 실시형태와 다르다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하고, 이하에 제1 실시형태와 다른 작용에 대해서만 설명한다.
도 8은, 본 발명에 따른 밀봉 부품의 확대 단면도이다. 또, 압력을 진공까지 감압하고 또한 부식 가스가 존재하는 영역을 도면의 상부에서 배치하고, 그리고 대기에 개방된 공간을 도면의 하부에 배치한다. 따라서, 이하, 도면의 상부를 "진공측", 도면의 하부를 "대기측"이라고 칭한다. 또한, 도면의 상하 방향을 "수평방향"이라 하고, 도면의 좌우 방향을 "수직 방향"이라 칭한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 밀봉 부품(55)은 대기측에 개방된 대략 U자 형상의 단면을 갖는 부식 가스 밀봉 부재(56)와, 진공 밀봉 부재(48)를 갖는다. 부식 가스 밀봉 부재(56)는 진공측에 배치되고, 진공 밀봉 부재(48)는 대기측에 배치되어 있다. 부식 가스 밀봉 부재(56)는 오스테나이트계 스테인레스로 제조되고, 진공 밀봉 부재(48)는 FKM으로 제조된다.
예컨대, 밀봉 부품(55)은, 진공용기(11)에 형성된 직사각형의 단면을 갖는 밀봉 홈(49)과, 용기 뚜껑(31)에 의해 한정되는 공간에 수용된다. 밀봉 부품(55)의 윗쪽에는 용기 뚜껑(31)이 배치되고, 이 용기 뚜껑(31)은 밀봉 부품(55)의 상부와 접촉한다. 구체적으로는, 밀봉 홈(49)의 저면(49b)은 부식 가스 밀봉 부재(56) 및 진공밀봉 부재(48)와 접촉하고, 용기 뚜껑(31)은 부식 가스 밀봉 부재(56) 및 진공 밀봉 부재(48)와 접촉한다.
용기 뚜껑(31)과 밀봉 홈(49)의 저면(49b) 사이의 거리는, 부식 가스 밀봉 부재(56)의 수직 방향으로의 고유 길이 및 진공 밀봉 부재(48)의 수직 방향으로의 고유 길이 보다 소정의 길이만큼 짧게 설정되어 있으므로, 밀봉 부품(55)이 밀봉 홈(49)과 용기 뚜껑(31)에 의해 한정되는 공간에 수용되었을 때, 부식 가스 밀봉 부재(56) 및 진공 밀봉 부재(48)는 수직 방향으로 압축된다. 이로써, 부식 가스 밀봉 부재(56) 및 진공 밀봉 부재(48)는 반발력을 발생하고, 해당 반발력에 기인해서 부식 가스 밀봉 부재(56) 및 진공 밀봉 부재(48)가 용기 뚜껑(31) 및 밀봉 홈(49)의 저면(49b)에 밀착하게 된다.
진공 밀봉 부재(48)의 진공측 덩어리부(48a)는 부식 가스 밀봉 부재(56)의 실질적으로 U자 형상 단면의 개구부에 압입되어 있다. 그 결과, 부식 가스 밀봉 부재(56)와 진공 밀봉 부재(48)는 서로 끼워맞춤되어 있다. 또한, 진공 밀봉 부 쟈(48)의 진공측 덩어리부(48a)의 일부는 부식 가스 밀봉 부재(56)의 일부로부터 이격되어 대피 공간(48h, 48i)을 형성한다.
진공 밀봉 부재(48)가 수직 방향으로 압축되면, 진공 밀봉 부재(48)로부터 돌출하는 부분이 상술한 진공 밀봉 부재(48)의 주위에 배치된 대피 공간(48d, 48e, 48h, 48i) 내에 진입하여, 대피 공간(48d, 48e, 48h, 48i)은 진공 밀봉 부재(48)의 압축 변형을 조장한다.
도 8의 진공측으로부터 대기측을 향해서 흐르는 부식 가스에 의해, 진공 밀봉 부재(48)를 구성하는 FKM이 용이하게 소모되지만, 부식 가스 밀봉 부재(56)가 진공측에 배치되어서 용기 뚜껑(31) 및 밀봉 홈(49)의 저면(49b)에 밀착하기 때문에, 부식 가스 밀봉 부재(56)는 부식 가스가 대기측에 배치된 진공 밀봉 부재(48)에 도달하는 것을 방지한다. 특히, 부식 가스 밀봉 부재(56)를 구성하는 오스테나이트계 스테인레스는 부식 가스에 대하여 우수한 내성을 가지므로, 부식 가스 밀봉 부재(56)는 마모되지 않는다. 따라서, 부식가스 밀봉 부재(56)는 장시간에 걸쳐서 부식 가스가 대기측에 배치된 진공 밀봉 부재(48)에 도달하는 것을 방지한다.
본 실시형태의 밀봉 부품(55)에 따르면, 진공측에 배치되어서 부식 가스에 대하여 우수한 내성을 갖는 오스테나이트계 스테인레스로 이루어지는 부식 가스 밀봉 부재(56)와, 대기측에 배치되어서 FKM로 제조된 진공 밀봉 부재(48)를 구비한다. 부식 가스 밀봉 부재(56)는, 부식 가스가 진공 밀봉 부재(48)에 접근하는 것을 방지하므로, 진공 밀봉 부재(48)가 부식 가스에 의해서 마모되는 것을 방지할 수 있고, 이로써, 부식 가스에 대한 내성을 갖는 엘라스토머재를 사용할 필요를 배 제할 수 있다. 또한, 부식 가스 밀봉 부재(56)와 진공 밀봉 부재(48)는 서로 끼워맞춤되어 있으므로, 밀봉 부품(55)을 일체적으로 취급할 수 있고, 소형화할 수 있다. 그 결과, 밀봉 부품(55)은, 소정의 밀봉용 스페이스를 필요로 하는 일 없이, 저렴하며 우수한 내구성을 확보 할 수 있다.
또, 밀봉 부품(55)에 의하면, 부식 가스 밀봉 부재(56)는 오스테나이트계 스테인레스로 제조된다. 오스테나이트계 스테인레스는 부식 가스에 대하여 우수한 내성을 가지므로, 부식 가스에 의해서 거의 마모되지 않는다. 따라서, 진공 밀봉 부재(48)의 FKM이 부식 가스에 의해 마모되는 것을 확실히 방지할 수 있고, 따라서, 보다 양호한 밀봉 부품(55)의 내구성을 확보 할 수 있다.
또한, 밀봉 부품(55)은, 진공 밀봉 부재(48)의 주위에, 진공 밀봉 부재(48)만으로 또는 진공 밀봉 부재(48)와 부식 가스 밀봉 부재(56)의 협동에 의해서 한정되는 대피 공간(48d, 48e, 48h, 48i)을 갖는다. 그 결과, 진공 밀봉 부재(48)가 수직 방향으로 압축되었을 때 진공 밀봉 부재(48)로부터 돌출하는 부분이 대피 공간(48d, 48e, 48h, 48i)에 진입할 수 있고, 이로써, 진공 밀봉 부재(48)가 용이하게 압축 변형할 수 있다. 따라서, 진공 밀봉 부재(48)가 압괴하는 것을 방지할 수 있고, 따라서, 더욱 양호한 내구성을 확보할 수 있다.
상술한 밀봉 부품(55)에서는, 부식 가스 밀봉 부재(56)를 오스테나이트계 스테인레스로 제조하였지만, 부식 가스 밀봉 부재(56)는 부식 가스에 임의의 부식 가스 내성을 갖는 재료, 예컨대, 오스테나이트계 이외의 스테인레스, 니켈 및 알루미늄 중 어느 것으로 구성될 수도 있다. 이들의 재료는 용이하고 또한 염가로 입수 할 수 있으므로, 밀봉 부품(55)을 보다 염가로 할 수 있다.
이상, 밀봉 부품(55)이 밀봉 홈(49)과 용기 뚜껑(31)에 의해 한정되는 공간에 수용되는 경우에 대해서 설명했다. 그러나, 밀봉 부품(55)이 사용되는 장소는 이것에 한정되지 않고, 대기로부터 진공을 밀봉할 필요가 있는 장소이면 어떠한 장소에도 사용할 수 있다. 예를 들면, 상술한 KF 플랜지 접속 구조(50)에도 적용 할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.
상술한 실시예에서는, 처리되는 기판이 반도체 웨이퍼이다. 그러나, 처리되는 기판은 이것에 한정되지 않고, 예컨대 LCD(Liquid Crystal Display)나 FPD (Flat Panel Display) 유리 기판일 수도 있다.
본 발명에 의하면, 밀봉 부품이, 감압 용기의 내부측에 배치되어서 고탄성 고분자 물질을 침식하는 침식 물질에 대한 내성을 갖는 제1의 부재와, 감압 용기의 외부측에 배치되어서 고탄성 고분자 물질로 이루어지는 제2의 부재를 구비하고 있으므로, 제2의 부재가 침식되는 것을 제1의 부재에 의해 방지할 수 있고, 이로써, 침식 물질에 대한 내성을 갖는 고탄성 고분자 물질을 사용할 필요를 없앨 수 있다. 또한, 서로 이격되는 제1의 부재의 적어도 일부 및 제2의 부재의 적어도 일부를 통해서 형성되는 소정의 공간을 가지므로, 제2의 부재가 압축 변형했을 때에 제2의 부재의 일부가 소정의 공간에 진입할 수 있고, 이로써, 제2의 부재는 용이하게 압축 변형할 수 있다. 또한, 제1의 부재와 제2의 부재는 서로 끼워맞춤되므로, 밀봉 부품을 단일체로 취급할 수 있는 동시에, 소형화할 수 있다. 그 결과, 밀봉 부품은, 소정의 밀봉용 스페이스를 필요로 하는 일 없이, 저렴하며 우수한 내구성을 확보할 수 있다.

Claims (15)

  1. 고 탄성 고분자 물질을 침식하는 침식 물질이 존재하는 감압 용기를 구비하고, 이 감압 용기 내에 수용된 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리장치의 밀봉 부품으로서, 감압 용기의 내부를 외부로부터 밀봉하는 밀봉 부품에 있어서,
    상기 감압 용기의 내부측에 배치되고 상기 침식 물질에 대하여 내성을 갖는 제1 부재와,
    상기 감압 용기의 외부측에 배치되고 상기 고 탄성 고분자 물질로 이루어지는 제2 부재와,
    상기 제1 부재의 적어도 일부 및 상기 제2 부재의 적어도 일부가 서로 이격하는 것에 의해서 형성되는 적어도 하나의 소정의 공간을 포함하고,
    상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 서로 끼워맞춤되는
    밀봉 부품.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 부재는 외부측이 개구하는 U자 형상 단면을 가지며, 상기 제2 부재의 적어도 일부가 상기 U자 형상 단면의 개구부에 진입하는
    밀봉 부품.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 부재의 U자 형상 단면은 적어도 하나의 굴곡부를 갖는
    밀봉 부품.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 굴곡부는 협소부인
    밀봉 부품.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 침식 물질은 반응성 활성 가스로부터 발생하는 활성종이며, 상기 제1 부재는 불소수지로 제조되는
    밀봉 부품.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 불소수지는, 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌/퍼플루오로알킬 비닐 에테르 공중합체, 테트라플루오로에틸렌/헥사플루오로프로필렌 공중합체, 테트라플루오로에틸렌/에틸렌 공중합체, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 및 폴리클로로트리플루오로에틸렌으로 이루어지는 그룹에서 선택되는
    밀봉 부품.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 고탄성 고분자 물질은 불화비닐리덴계 고무 및 테트라플루오로에틸렌-프로필렌계 고무로 이루어지는 군에서 선택되는
    밀봉 부품.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 침식 물질은 부식 가스이며, 상기 제1 부재는 내부식성 금속으로 제조되는
    밀봉 부품.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 내부식성 금속은, 스테인레스, 니켈 및 알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는
    밀봉 부품.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 고탄성 고분자 물질은 불화비닐리덴계 고무 및 테트라플루오로에틸렌-프로필렌계 고무로 이루어지는 군에서 선택되는
    밀봉 부품.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 부재는 목부를 갖는
    밀봉 부품.
  12. 기판 처리 장치에 있어서,
    고 탄성 중합 물질을 침식하는 침식 물질이 존재하는 감압 용기와,
    상기 감압 용기 내에 수용되는 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 장치와,
    상기 감압 용기의 내부를 외부로부터 밀봉하는 밀봉 부품을 포함하고,
    상기 밀봉 부품은 상기 감압 용기의 내부측에 배치되어서 침식 물질에 대하여 내성을 갖는 제1 부재와, 상기 감압 용기의 외부측에 배치되어서 상기 고탄성 고분자 물질로 제조되는 제2 부재와, 상기 제1 부재의 적어도 일부 및 상기 제2 부재의 적어도 일부가 서로 이격하는 것에 의해서 형성되는 적어도 하나의 소정의 공간을 갖고, 상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 서로 끼워맞춤되는
    기판 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 부재는 외부측이 개구하는 U자 형상 단면을 갖고, 상기 제2 부재의 적어도 일부가 상기 U자 형상 단면의 개구부에 진입하는
    기판 처리 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 침식 물질은 반응성 활성 가스로부터 발생하는 활성종이며, 상기 제1 부재는 불소 수지로 제조되는
    기판 처리 장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 침식 물질은 부식 가스이며, 상기 제1 부재는 내부식성 금속으로 제조되는
    기판 처리 장치.
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